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JP2013098050A - Conductive pattern formation substrate and manufacturing method of the same - Google Patents

Conductive pattern formation substrate and manufacturing method of the same Download PDF

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JP2013098050A
JP2013098050A JP2011240468A JP2011240468A JP2013098050A JP 2013098050 A JP2013098050 A JP 2013098050A JP 2011240468 A JP2011240468 A JP 2011240468A JP 2011240468 A JP2011240468 A JP 2011240468A JP 2013098050 A JP2013098050 A JP 2013098050A
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JP
Japan
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conductive pattern
pattern
forming substrate
insulating
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP2011240468A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Nishizawa
孝治 西沢
Hiroto Komatsu
博登 小松
Shinji Hotta
真司 堀田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shin Etsu Polymer Co Ltd, Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Polymer Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive pattern formation substrate which reduces the visibility of a pattern, and to provide a manufacturing method of the conductive pattern formation substrate.SOLUTION: A conductive pattern formation substrate includes: a base material 2; a conductive pattern 5 including a metal nanowire and provided on the base material 2; an insulation pattern 6 contacting with the conductive pattern 5 and provided at a region different from a region where the conductive pattern 5 is formed; and a light diffusion layer 9 which at least partially covers at least one of the conductive pattern 5 and the insulation pattern 6.

Description

本発明は、導電パターン形成基板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive pattern forming substrate and a manufacturing method thereof.

従来、基板上に形成された導電パターンの例として、ITO(インジウムスズ酸化物)や銀ナノワイヤーを有する導電パターンが知られている。これらの導電パターンは、光透過性を有する導電パターンを構成することができ、タッチパネルの画面上に配置される透明電極などに採用されている。   Conventionally, as an example of a conductive pattern formed on a substrate, a conductive pattern having ITO (indium tin oxide) or silver nanowires is known. These conductive patterns can constitute a light-transmitting conductive pattern, and are employed for transparent electrodes arranged on the screen of the touch panel.

例えば特許文献1には、導電パターンと、導電パターンから絶縁された絶縁パターンとが、基材(基体シート)上に形成された導電パターン形成基板(導電性ナノファイバーシート)が開示されている。
特許文献1に記載の導電パターンは、導電性ナノワイヤーを含んでいる。そして、レーザーによって導電性ナノワイヤーを焼き切ったり、酸やアルカリなどを用いたエッチングにより導電性ナノワイヤーを腐食させたりすることにより、絶縁パターンが形成されている。また、絶縁パターンは、導電パターンに対して、光透過率の差が10%以下且つヘイズ値の差が5%以下となるように、導電性ナノワイヤーの一部が残存した状態とされている。
For example, Patent Document 1 discloses a conductive pattern forming substrate (conductive nanofiber sheet) in which a conductive pattern and an insulating pattern insulated from the conductive pattern are formed on a base material (base sheet).
The conductive pattern described in Patent Document 1 includes conductive nanowires. An insulating pattern is formed by burning the conductive nanowires with a laser or corroding the conductive nanowires by etching using acid or alkali. The insulating pattern is in a state in which part of the conductive nanowire remains so that the difference in light transmittance is 10% or less and the difference in haze value is 5% or less with respect to the conductive pattern. .

特開2010−140859号公報JP 2010-140859 A

しかしながら、特許文献1に記載の導電性ナノファイバーシートでは、導電パターンと絶縁パターンとの境界は依然として明瞭なので、パターンが見えてしまう場合があるという問題がある。   However, the conductive nanofiber sheet described in Patent Document 1 has a problem in that the pattern may be visible because the boundary between the conductive pattern and the insulating pattern is still clear.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、パターン見えを軽減することができる導電パターン形成基板及びその製造方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of the situation mentioned above, The objective is to provide the conductive pattern formation board | substrate which can reduce pattern appearance, and its manufacturing method.

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の導電パターン形成基板は、基材と、金属ナノワイヤーを含み前記基材上に設けられた導電パターンと、前記導電パターンと接しているとともに前記導電パターンが形成された領域とは異なる領域に設けられた絶縁パターンと、前記導電パターンと前記絶縁パターンとの少なくとも何れかの少なくとも一部を覆う光拡散層と、を備えることを特徴とする導電パターン形成基板である。
In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
The conductive pattern forming substrate of the present invention includes a base material, a conductive pattern including metal nanowires provided on the base material, and a region that is in contact with the conductive pattern and different from a region where the conductive pattern is formed. And a light diffusion layer that covers at least a part of at least one of the conductive pattern and the insulating pattern.

また、前記導電パターン形成基板は、前記基材と、前記導電パターン及び前記絶縁パターンと、前記光拡散層とがこの順に積層されていることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the said base material, the said conductive pattern and the said insulating pattern, and the said light-diffusion layer are laminated | stacked on the said conductive pattern formation board | substrate in this order.

また、前記光拡散層は、光拡散剤を含有し所定の処理により硬化する樹脂からなることが好ましい。   The light diffusing layer is preferably made of a resin containing a light diffusing agent and cured by a predetermined treatment.

また、前記絶縁パターンの少なくとも一部は、前記金属ナノワイヤーを含むバインダーの硬化物から前記金属ナノワイヤーの少なくとも一部が除去されることにより前記金属ナノワイヤー同士の導通が解除されていることを特徴とする導電パターン形成基板。   Further, at least a part of the insulating pattern is such that the conduction between the metal nanowires is released by removing at least a part of the metal nanowires from the cured binder containing the metal nanowires. A conductive pattern forming substrate.

また、前記導電パターン形成基板は、前記導電パターン及び前記絶縁パターンと前記光拡散層との間に配され前記導電パターン及び前記絶縁パターンをともに覆うオーバーコートをさらに備えることが好ましい。   The conductive pattern forming substrate may further include an overcoat disposed between the conductive pattern and the insulating pattern and the light diffusion layer to cover both the conductive pattern and the insulating pattern.

また、前記光拡散層は前記絶縁パターンと同じパターン形状を有していることが好ましい。   The light diffusion layer preferably has the same pattern shape as the insulating pattern.

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、本発明の導電パターン形成基板を製造する方法であって、前記基材上に、前記金属ナノワイヤーを含有する流動体状若しくは層状のバインダーを固定し、前記金属ナノワイヤーを含有する前記バインダーにレーザー光を照射して前記金属ナノワイヤーの一部を除去若しくは断線させることにより前記絶縁パターンを形成し、前記絶縁パターンが形成された領域と異なる領域の少なくとも一部を前記導電パターンとして定め、光拡散剤を含有し所定の処理により硬化する光拡散層を前記絶縁パターンと前記導電パターンとの少なくとも何れかに積層する、ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法である。   The method for producing a conductive pattern-formed substrate of the present invention is a method for producing the conductive pattern-formed substrate of the present invention, wherein a fluid-like or layer-like binder containing the metal nanowire is fixed on the base material. The insulating pattern is formed by irradiating the binder containing the metal nanowire with a laser beam to remove or disconnect a part of the metal nanowire, and a region different from the region where the insulating pattern is formed. Conductive pattern formation characterized in that at least a part is defined as the conductive pattern, and a light diffusion layer containing a light diffusing agent and cured by a predetermined treatment is laminated on at least one of the insulating pattern and the conductive pattern. A method for manufacturing a substrate.

また、前記光拡散層を積層する工程では、前記絶縁パターンのパターン形状に合わせて前記絶縁パターン上に前記光拡散層を積層することが好ましい。   In the step of laminating the light diffusion layer, it is preferable that the light diffusion layer is laminated on the insulating pattern in accordance with the pattern shape of the insulating pattern.

本発明の導電パターン形成基板及びその製造方法によれば、パターン見えを軽減することができる。   According to the conductive pattern forming substrate and the manufacturing method thereof of the present invention, pattern appearance can be reduced.

本発明の一実施形態の導電パターン形成基板の模式的な平面図である。It is a typical top view of the conductive pattern formation board of one embodiment of the present invention. 図1のA−A線における断面図である。It is sectional drawing in the AA of FIG. 同実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of the embodiment. 同製造方法における一工程を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows 1 process in the manufacturing method. 同製造方法における一工程を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows 1 process in the manufacturing method. 同製造方法における一工程を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows 1 process in the manufacturing method. 同実施形態の導電パターン形成基板の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the conductive pattern formation board | substrate of the embodiment. 同変形例の他の構成例における一部の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the one part structure in the other structural example of the modification. 同変形例のさらに他の構成例における一部の構成を示す平面図である。It is a top view which shows a part of structure in the further another structural example of the modification. 同実施形態の導電パターン形成基板の他の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other modification of the conductive pattern formation board | substrate of the embodiment.

本発明の一実施形態の導電パターン形成基板1及びその製造方法について説明する。
まず、本実施形態の導電パターン形成基板1の構成について説明する。図1は、本実施形態の導電パターン形成基板の模式的な平面図である。図2は、図1のA−A線における断面図である。
The conductive pattern formation board | substrate 1 of one Embodiment of this invention and its manufacturing method are demonstrated.
First, the configuration of the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic plan view of the conductive pattern forming substrate of the present embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

図1及び図2に示すように、導電パターン形成基板1は、基材2と、ナノワイヤー層4と、オーバーコート8と、光拡散層9とを備える。本実施形態では、基材2と、ナノワイヤー層4と、光拡散層9とはこの順に積層されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the conductive pattern forming substrate 1 includes a base material 2, a nanowire layer 4, an overcoat 8, and a light diffusion layer 9. In this embodiment, the base material 2, the nanowire layer 4, and the light diffusion layer 9 are laminated in this order.

基材2は、板材、フィルム、シート、または膜によって形成されており、絶縁性を有する。本実施形態では、基材2は、ポリエチレンテレフタレートのシートが採用されている。なお、基材2の材料としては、ポリエチレンテレフタレートの他に、ポリカーボネート、PEN、アクリル樹脂、シクロオレフィンポリマーなどを採用することができる。
基材2の厚さ方向の一方の面上には、基材2と他の部材との接着性を高めるためのアンダーコート3が設けられている。アンダーコート3は、絶縁材料からなる。
The base material 2 is formed of a plate material, a film, a sheet, or a film and has an insulating property. In the present embodiment, the base material 2 is a polyethylene terephthalate sheet. In addition, as a material of the base material 2, polycarbonate, PEN, an acrylic resin, a cycloolefin polymer, etc. other than a polyethylene terephthalate can be employ | adopted.
On one surface of the base material 2 in the thickness direction, an undercoat 3 is provided for improving the adhesion between the base material 2 and another member. The undercoat 3 is made of an insulating material.

ナノワイヤー層4は、複数の金属ナノワイヤーが回路パターンをなして配置された導電パターン5と、金属ナノワイヤーが取り除かれていることにより絶縁性となっている絶縁パターン6とを有する。   The nanowire layer 4 has a conductive pattern 5 in which a plurality of metal nanowires are arranged in a circuit pattern, and an insulating pattern 6 that is insulative by removing the metal nanowires.

導電パターン5は、基材2上に設けられたパターンである。本実施形態では、導電パターン5に設けられた金属ナノワイヤーは、後述する水溶性ポリマーの接着力によってアンダーコート3に接着されている。導電パターン5を構成する金属ナノワイヤーは、例えば長さが数十μm程度の微細な金属線材である。金属ナノワイヤーの材料は、銀、金、銅、アルミニウムなど、導電性の高い金属材料であることが好ましい。導電パターン5内において、複数の金属ナノワイヤーは略均一に分散されている。複数の金属ナノワイヤーは、隣接する金属ナノワイヤーと接しており、隣接する金属ナノワイヤーと電気的に接続されている。なお、導電パターン5は、基材2に対して位置関係が固定された状態であれば、基材2やアンダーコート3に直接接していなくてもよい。
また、本実施形態では、導電パターン5には、配線7が接続されている。配線7は、導電パターン形成基板1とは別の配線に導電パターン5を電気的に接続するための配線である。図1に示すように、本実施形態では、導電パターン形成基板1の周縁部には、配線7の端部が整列配置された端子7aが構成されている。
The conductive pattern 5 is a pattern provided on the substrate 2. In this embodiment, the metal nanowire provided in the conductive pattern 5 is bonded to the undercoat 3 by the adhesive force of a water-soluble polymer described later. The metal nanowire constituting the conductive pattern 5 is a fine metal wire having a length of about several tens of μm, for example. The material of the metal nanowire is preferably a highly conductive metal material such as silver, gold, copper, or aluminum. In the conductive pattern 5, the plurality of metal nanowires are distributed substantially uniformly. The plurality of metal nanowires are in contact with adjacent metal nanowires and are electrically connected to the adjacent metal nanowires. Note that the conductive pattern 5 may not be in direct contact with the base material 2 or the undercoat 3 as long as the positional relationship with the base material 2 is fixed.
In the present embodiment, the wiring 7 is connected to the conductive pattern 5. The wiring 7 is a wiring for electrically connecting the conductive pattern 5 to a wiring different from the conductive pattern forming substrate 1. As shown in FIG. 1, in the present embodiment, terminals 7 a in which the end portions of the wiring 7 are arranged and arranged are formed on the periphery of the conductive pattern forming substrate 1.

絶縁パターン6は、導電パターン5と接しているとともに、導電パターン5が形成された領域とは異なる領域に設けられている。すなわち、絶縁パターン6は、導電パターン5の周囲に設けられており、導電パターン5を構成する各線間を絶縁している。本実施形態では、絶縁パターン6には、複数の微細な空洞が形成されている。これは、絶縁パターン6の形成前に金属ナノワイヤーが配置されていた部分であり、後述する製造方法において、ナノワイヤー層4から金属ナノワイヤーが除去されることによって生じる。   The insulating pattern 6 is in contact with the conductive pattern 5 and is provided in a region different from the region where the conductive pattern 5 is formed. That is, the insulating pattern 6 is provided around the conductive pattern 5 and insulates between the lines constituting the conductive pattern 5. In the present embodiment, the insulating pattern 6 is formed with a plurality of fine cavities. This is a portion where the metal nanowires are arranged before the formation of the insulating pattern 6, and is caused by removing the metal nanowires from the nanowire layer 4 in the manufacturing method described later.

導電パターン5と絶縁パターン6との光学的特性の差について説明する。
導電パターン5及び絶縁パターン6は、いずれも全体として光透過性を有している。導電パターン5は、金属ナノワイヤーによって光の一部が遮られ、また金属ナノワイヤーの外面によって光の一部が反射する。これにより、導電パターン5を透過して導電パターン形成基板1の上面へと出射される光は拡散する。その一方で、絶縁パターン6は、金属ナノワイヤーが除去されているため、光が拡散、反射しにくくなっている。
このため、導電パターン5と絶縁パターン6とは、光透過性及びヘイズ値に差がある。なお、絶縁パターン6の一部に金属ナノワイヤーが残存している場合であっても、導電パターン5の光透過性及びヘイズ値は、絶縁パターン6と完全に同一とはなりにくい。
A difference in optical characteristics between the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 will be described.
Both the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 have light transmittance as a whole. In the conductive pattern 5, a part of the light is blocked by the metal nanowire, and a part of the light is reflected by the outer surface of the metal nanowire. As a result, light transmitted through the conductive pattern 5 and emitted to the upper surface of the conductive pattern forming substrate 1 is diffused. On the other hand, since the metal nanowire is removed from the insulating pattern 6, light is less likely to diffuse and reflect.
For this reason, the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 have a difference in light transmittance and haze value. Even when the metal nanowire remains in a part of the insulating pattern 6, the light transmittance and haze value of the conductive pattern 5 are unlikely to be completely the same as the insulating pattern 6.

オーバーコート8は、ナノワイヤー層4に設けられた金属ナノワイヤーが基材2から脱落するのを防止する目的で設けられた層である。オーバーコート8は、所定の処理により硬化する樹脂材料によって形成されており、絶縁性を有する。オーバーコート8の材料としては、紫外線硬化樹脂や接着剤などを採用することができる。本実施形態では、オーバーコート8の材料は、紫外線硬化型アクリル系樹脂である。オーバーコート8は、ナノワイヤー層4に接し、ナノワイヤー層4を被覆している。また、導電パターン5を形成する金属ナノワイヤーの一部は、オーバーコート8内に埋め込まれている。   The overcoat 8 is a layer provided for the purpose of preventing the metal nanowires provided on the nanowire layer 4 from falling off the base material 2. The overcoat 8 is formed of a resin material that is cured by a predetermined treatment, and has an insulating property. As a material for the overcoat 8, an ultraviolet curable resin, an adhesive, or the like can be used. In this embodiment, the material of the overcoat 8 is an ultraviolet curable acrylic resin. The overcoat 8 is in contact with the nanowire layer 4 and covers the nanowire layer 4. Further, a part of the metal nanowire forming the conductive pattern 5 is embedded in the overcoat 8.

光拡散層9は、オーバーコート8上に積層された層であり、導電パターン5及び絶縁パターン6の全てを覆っている。光拡散層9の材料としては、光拡散剤を含有し所定の処理により硬化する樹脂を採用することができる。光拡散剤としては、たとえば光透過性の材料からなるビーズや粉粒体を採用することができる。また、所定の処理により硬化する樹脂の例としては、紫外線硬化型の樹脂、熱硬化型の樹脂、及び熱可塑性樹脂を挙げることができる。
光拡散層9の具体例としては、樹脂はアクリル、ウレタン、ポリカーボネート、ポリエステル系が挙げられる。なお、オーバーコート8に密着し、透明性が確保できていれば、樹脂の種類はこの限りでない。樹脂を硬化させるための所定の処理には、紫外線硬化や熱硬化の他、溶剤に樹脂を溶かした後に蒸発させる処理を用いることもできる。また、前述の各処理を組み合わせてもよい。
The light diffusion layer 9 is a layer laminated on the overcoat 8 and covers all of the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6. As a material of the light diffusion layer 9, a resin that contains a light diffusion agent and is cured by a predetermined treatment can be employed. As the light diffusing agent, for example, beads or particles made of a light-transmitting material can be employed. Examples of the resin that is cured by the predetermined treatment include an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, and a thermoplastic resin.
Specific examples of the light diffusion layer 9 include acrylic, urethane, polycarbonate, and polyester. The type of resin is not limited as long as it is in close contact with the overcoat 8 and transparency can be secured. As the predetermined treatment for curing the resin, in addition to ultraviolet curing and thermal curing, a treatment in which the resin is dissolved in a solvent and then evaporated can be used. Further, the above-described processes may be combined.

また、光拡散層9に適用可能な光拡散剤の例としては、0.1μm以上10μm以下の粒径を有する光拡散剤が好ましい。粒径が0.1μm以上10μm以下であると、光の波長に比べて十分に粒径が大きく、かつ光拡散剤の比表面積が大きいので、光を拡散させる効率がよい。なお、粒径が0.1μm以下であると、光の波長に対する粒径が不十分となる場合がある。また、粒径が10μm以上であると、光拡散剤の比表面積が不十分となる場合がある。なお、光拡散層9の形成により光拡散剤に凝集が発生する場合は、凝集後の二次粒子径が0.1μm以上10μm以下であることが好ましい。この場合、凝集前の一次粒子の粒径は0.1μm未満であってもよい。   Moreover, as an example of the light diffusing agent applicable to the light diffusing layer 9, a light diffusing agent having a particle size of 0.1 μm or more and 10 μm or less is preferable. When the particle size is 0.1 μm or more and 10 μm or less, the particle size is sufficiently larger than the wavelength of light and the specific surface area of the light diffusing agent is large, so that the efficiency of diffusing light is good. When the particle size is 0.1 μm or less, the particle size with respect to the wavelength of light may be insufficient. Moreover, the specific surface area of a light-diffusion agent may become inadequate that a particle size is 10 micrometers or more. In the case where aggregation occurs in the light diffusing agent due to the formation of the light diffusion layer 9, the secondary particle diameter after aggregation is preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less. In this case, the particle size of the primary particles before aggregation may be less than 0.1 μm.

光拡散剤の屈折率は、光拡散層9に含まれる前記樹脂の屈折率よりも小さいことが好ましい。さらに、光拡散剤と前記樹脂との屈折率の差が大きくなるほど、光を拡散させる効果が高い。光拡散剤と前記樹脂との屈折率が大きいと、光拡散剤と前記樹脂との界面で反射する光量が増えるため、光を拡散させる効果が高い。なお、光拡散剤の屈折率が樹脂の屈折率より大きい場合には、光拡散層9の全光線透過率は低下し、光拡散剤を含有させることができる量が少なくなる。   The refractive index of the light diffusing agent is preferably smaller than the refractive index of the resin contained in the light diffusing layer 9. Furthermore, the greater the difference in refractive index between the light diffusing agent and the resin, the higher the effect of diffusing light. When the refractive index between the light diffusing agent and the resin is large, the amount of light reflected at the interface between the light diffusing agent and the resin increases, so that the effect of diffusing light is high. In addition, when the refractive index of a light-diffusion agent is larger than the refractive index of resin, the total light transmittance of the light-diffusion layer 9 falls, and the quantity which can contain a light-diffusion agent decreases.

光拡散剤の材料としては、二酸化珪素や二酸化珪素を主成分とするガラス、シリコーンなどが挙げられる。より屈折率を低くする目的で、多孔質の材料や中空の材料を光拡散剤の材料として採用することもできる。光拡散剤の形状は、球状であってもよく、鱗片状であってもよく、不定形であってもよい。   Examples of the material for the light diffusing agent include silicon dioxide, glass mainly containing silicon dioxide, and silicone. For the purpose of lowering the refractive index, a porous material or a hollow material can be used as the material for the light diffusing agent. The light diffusing agent may have a spherical shape, a scaly shape, or an indefinite shape.

本実施形態では、光拡散層9は、導電パターン形成基板1に形成された導電パターン5を外力から保護して断線を防ぐための保護層としても機能している。   In this embodiment, the light diffusion layer 9 also functions as a protective layer for protecting the conductive pattern 5 formed on the conductive pattern forming substrate 1 from external force and preventing disconnection.

次に、本実施形態の導電パターン形成基板1の製造方法について、上述の導電パターン形成基板1を製造する場合を例に説明する。図3は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。図4ないし図6は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法における一工程を示す工程説明図である。   Next, the manufacturing method of the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment will be described by taking the case of manufacturing the above-described conductive pattern forming substrate 1 as an example. FIG. 3 is a flowchart showing the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate of the present embodiment. 4 to 6 are process explanatory views showing one process in the manufacturing method of the conductive pattern forming substrate of the present embodiment.

まず、図4に示すように、基材2の外面のうち厚さ方向の一方の面のアンダーコート3表面に、金属ナノワイヤーとバインダーとが混合された溶液を塗布する(図3に示すステップS1)。本実施形態では、金属ナノワイヤーが分散された溶液は、金属ナノワイヤーと水溶性ポリマーと水系溶媒とを含む。
ステップS1では、図4に示すように、金属ナノワイヤーが分散された溶液を基材2の外面にベタ塗りする。金属ナノワイヤーが分散された溶液は、基材2の外面のうち厚さ方向の一方の面の全体に均一に塗布された状態となる。金属ナノワイヤーが分散された溶液を基材2の外面に塗布することにより、基材2上にはナノワイヤー層4が形成される。
これでステップS1は終了し、ステップS2へ進む。
First, as shown in FIG. 4, a solution in which metal nanowires and a binder are mixed is applied to the surface of the undercoat 3 on one surface in the thickness direction among the outer surfaces of the substrate 2 (steps shown in FIG. 3). S1). In the present embodiment, the solution in which metal nanowires are dispersed includes metal nanowires, a water-soluble polymer, and an aqueous solvent.
In step S <b> 1, as shown in FIG. 4, the solution in which the metal nanowires are dispersed is solidly applied to the outer surface of the substrate 2. The solution in which the metal nanowires are dispersed is in a state where it is uniformly applied to the entire one surface in the thickness direction of the outer surface of the substrate 2. The nanowire layer 4 is formed on the base material 2 by applying the solution in which the metal nanowires are dispersed to the outer surface of the base material 2.
Step S1 is complete | finished now and it progresses to step S2.

ステップS2は、基材2上に塗布された溶液から溶媒の少なくとも一部を除去するステップである。
ステップS2では、金属ナノワイヤーが分散された溶液が塗布された基材2を乾燥させ、溶液に含まれる水系溶媒を蒸発させる。これにより、金属ナノワイヤーと水溶性ポリマーとが基材2上に残留し、水溶性ポリマーによって金属ナノワイヤーが基材2に付着する。
これでステップS2は終了し、ステップS3へ進む。
Step S2 is a step of removing at least a part of the solvent from the solution applied on the substrate 2.
In step S2, the base material 2 coated with the solution in which the metal nanowires are dispersed is dried, and the aqueous solvent contained in the solution is evaporated. Thereby, metal nanowire and a water-soluble polymer remain on the base material 2, and metal nanowire adheres to the base material 2 with a water-soluble polymer.
Step S2 is complete | finished now and it progresses to step S3.

ステップS3は、オーバーコート8を形成するステップである。
ステップS3では、図5に示すように、ナノワイヤー層4上に、紫外線硬化型アクリル系樹脂を塗布する。さらに、塗布された紫外線硬化型アクリル系樹脂に紫外線を照射して紫外線硬化型アクリル系樹脂を硬化させる。これにより、ナノワイヤー層4を被覆する絶縁材料からなる層が形成され、オーバーコート8となる。
これでステップS3は終了し、ステップS4へ進む。
なお、図示していないが、上記ステップS2若しくは上記ステップS3の何れかのステップにおいて、配線7を形成することができる。配線7の形成方法としては、例えばスクリーン印刷によって金属ペーストのパターンを形成するなどの方法を採用することができる。
Step S3 is a step of forming the overcoat 8.
In step S3, an ultraviolet curable acrylic resin is applied on the nanowire layer 4 as shown in FIG. Further, the applied ultraviolet curable acrylic resin is irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable acrylic resin. As a result, a layer made of an insulating material covering the nanowire layer 4 is formed, and the overcoat 8 is formed.
Step S3 is complete | finished now and it progresses to step S4.
Although not shown, the wiring 7 can be formed in either step S2 or step S3. As a method for forming the wiring 7, for example, a method of forming a metal paste pattern by screen printing can be employed.

ステップS4は、導電パターン5及び絶縁パターン6を形成するステップである。
ステップS4では、図6に示すように、オーバーコート8を介してレーザー光Lをナノワイヤー層4に照射する。これにより、ナノワイヤー層4では、レーザー光Lが照射された部分に位置する金属ナノワイヤーが崩壊し、ワイヤー状であった金属ナノワイヤーはナノワイヤー層4から除去される。これにより、レーザー光Lが照射された部分では、金属ナノワイヤー同士の接触がなくなるため、導電性が消失する。すなわち、レーザー光Lが照射された部分が絶縁パターン6となり、残りが導電パターン5となる。なお、レーザー光Lが照射されなかった部分が全て配線として利用される必要はなく、例えばノイズに対するシールドとなる電気的に浮いた状態のパターンがナノワイヤー層4内に設けられていてもよい。また、絶縁パターン6において金属ナノワイヤーが完全に除去されていなくても、金属ナノワイヤーが断線するようにレーザー光Lを照射すれば、導電パターン5に対する絶縁性としては同程度とすることができる。
なお、基材2の材質を適宜選択することにより、基材2を介してレーザー光Lをナノワイヤー層4に照射することもできる。
これでステップS4は終了し、ステップS5へ進む。
Step S <b> 4 is a step of forming the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6.
In step S4, the nanowire layer 4 is irradiated with the laser light L through the overcoat 8, as shown in FIG. Thereby, in the nanowire layer 4, the metal nanowire located in the part irradiated with the laser beam L is collapsed, and the metal nanowire that is in a wire shape is removed from the nanowire layer 4. Thereby, in the part irradiated with the laser beam L, the contact between the metal nanowires is lost, and thus the conductivity is lost. That is, the portion irradiated with the laser light L becomes the insulating pattern 6, and the rest becomes the conductive pattern 5. In addition, it is not necessary to use all the portions that have not been irradiated with the laser light L as wirings. For example, an electrically floating pattern serving as a shield against noise may be provided in the nanowire layer 4. Further, even if the metal nanowires are not completely removed in the insulating pattern 6, if the laser light L is irradiated so that the metal nanowires are disconnected, the insulating property with respect to the conductive pattern 5 can be made comparable. .
The nanowire layer 4 can also be irradiated with the laser light L through the base material 2 by appropriately selecting the material of the base material 2.
Step S4 is complete | finished now and it progresses to step S5.

ステップS5は、光拡散層9を形成するステップである。
ステップS5では、図2に示すように、流動体状の樹脂に光拡散剤を分散させ、流動体状の樹脂と光拡散剤との混合物をオーバーコート8上に塗布する。本実施形態では、混合物をオーバーコート8上に均一にベタ塗りした後に、混合物に対して所定の処理を施して硬化させる。なお、所定の処理とは、光拡散層9を構成する材料に応じて選択される。例えば、紫外線硬化型の樹脂を光拡散層9における流動体状の樹脂として採用する場合には、紫外線硬化型の樹脂と光拡散剤との混合物に紫外線を照射する。また、熱硬化型の樹脂と光拡散剤との混合物の場合には混合物を加熱する。
これでステップS5は終了する。
Step S <b> 5 is a step of forming the light diffusion layer 9.
In step S <b> 5, as shown in FIG. 2, the light diffusing agent is dispersed in the fluid resin, and a mixture of the fluid resin and the light diffusing agent is applied on the overcoat 8. In the present embodiment, the mixture is uniformly solid-coated on the overcoat 8, and then the mixture is subjected to a predetermined treatment and cured. The predetermined treatment is selected according to the material constituting the light diffusion layer 9. For example, when an ultraviolet curable resin is employed as the fluid resin in the light diffusion layer 9, the mixture of the ultraviolet curable resin and the light diffusing agent is irradiated with ultraviolet rays. In the case of a mixture of a thermosetting resin and a light diffusing agent, the mixture is heated.
This ends step S5.

次に、本実施形態の導電パターン形成基板1の作用について説明する。
ナノワイヤー層4に設けられた導電パターン5と絶縁パターン6とは、金属ナノワイヤーの有無によって光学的特性が互いに異なっている。例えば、本実施形態では、絶縁パターン6のヘイズ値は、導電パターン5のヘイズ値よりも低い。
しかしながら、本実施形態では、光拡散層9が設けられていることにより、基材2側から光拡散層9側へと向かって出射される光は光拡散層9において拡散する。これにより、導電パターン5と絶縁パターン6との境界が不明瞭となり、光拡散層9を介してナノワイヤー層4を見る者にとって導電パターン5の形状が目立たないようになっている。
Next, the operation of the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment will be described.
The conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 provided on the nanowire layer 4 have different optical characteristics depending on the presence or absence of metal nanowires. For example, in the present embodiment, the haze value of the insulating pattern 6 is lower than the haze value of the conductive pattern 5.
However, in the present embodiment, since the light diffusion layer 9 is provided, the light emitted from the substrate 2 side toward the light diffusion layer 9 side diffuses in the light diffusion layer 9. As a result, the boundary between the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 becomes unclear, and the shape of the conductive pattern 5 is inconspicuous for those who see the nanowire layer 4 through the light diffusion layer 9.

このように、本実施形態の導電パターン形成基板1によれば、光拡散層9が設けられていることによって、パターン見えを軽減することができる。   Thus, according to the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment, the pattern appearance can be reduced by providing the light diffusion layer 9.

また、本実施形態では、導電パターン5及び絶縁パターン6と光拡散層9との間にオーバーコート8が設けられているので、金属ナノワイヤーが基材2から脱落するのを防止することができる。   Moreover, in this embodiment, since the overcoat 8 is provided between the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 and the light diffusion layer 9, it is possible to prevent the metal nanowires from falling off the base material 2. .

(変形例1)
次に、上述の実施形態の変形例について説明する。図7は、本変形例の導電パターン形成基板を示す断面図で、図1のA−A線における断面図である。図8は、本変形例の他の構成例を示す平面図で、図1において符号Xで示す領域と同様の領域の拡大図である。図9は、本変形例の他の構成例を示す平面図で、図1において符号Xで示す領域と同様の領域の拡大図である。
(Modification 1)
Next, a modification of the above embodiment will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conductive pattern forming substrate of this modification, and is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. FIG. 8 is a plan view showing another configuration example of the present modification, and is an enlarged view of a region similar to the region indicated by the symbol X in FIG. FIG. 9 is a plan view showing another configuration example of the present modification, and is an enlarged view of a region similar to the region indicated by the symbol X in FIG.

図7に示すように、本変形例の導電パターン形成基板1Aは、オーバーコート8上に形成される光拡散層9の形状が異なっている。
本変形例の光拡散層9Aは、導電パターン形成基板1の厚さ方向から見たときの形状が、絶縁パターン6のパターン形状と同じ形状とされている。
本変形例では、絶縁パターン6では、金属ナノワイヤーの外面で反射して基材2側へと出射される光が導電パターン5の場合よりも少なくなる点を考慮して、絶縁パターン6を透過した光を光拡散層9Aにおいて拡散させるようになっている。
As shown in FIG. 7, the conductive pattern forming substrate 1 </ b> A of this modification is different in the shape of the light diffusion layer 9 formed on the overcoat 8.
The light diffusing layer 9 </ b> A of this modification has the same shape as the pattern shape of the insulating pattern 6 when viewed from the thickness direction of the conductive pattern forming substrate 1.
In the present modification, the insulating pattern 6 is transmitted through the insulating pattern 6 in consideration of the fact that light reflected from the outer surface of the metal nanowire and emitted toward the substrate 2 side is less than that of the conductive pattern 5. The diffused light is diffused in the light diffusion layer 9A.

このような構成であっても、パターン見えを軽減することができる。また、導電パターン5部分では光拡散層9Aを透過することなく光が出射されるので、上記第実施形態の導電パターン形成基板1と比較して出射光量が多くなる。
また、基材2上における導電パターン5と絶縁パターン6との面積比及び分布に大きな偏りがない場合には、光学的特性のムラを抑えつつ流動体状の樹脂及び光拡散剤の使用量を削減することができる。
なお、導電パターン形成基板1の厚さ方向から見たときの形状が導電パターン5のパターン形状と同じ形状とされた光拡散層9Bが光拡散層9Aに代えて積層されていてもよい。
Even with such a configuration, pattern appearance can be reduced. Moreover, since light is emitted without passing through the light diffusion layer 9A in the conductive pattern 5 portion, the amount of emitted light is larger than that of the conductive pattern forming substrate 1 of the above-described embodiment.
In addition, when there is no large deviation in the area ratio and distribution between the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 on the substrate 2, the amount of the fluid resin and the light diffusing agent used is reduced while suppressing unevenness in optical characteristics. Can be reduced.
In addition, the light diffusion layer 9B having the same shape as the pattern shape of the conductive pattern 5 when viewed from the thickness direction of the conductive pattern forming substrate 1 may be laminated instead of the light diffusion layer 9A.

また、絶縁パターン6のパターン形状と同じ形状の光拡散層9Aに代えて、絶縁パターン6を導電パターン形成基板1の厚さ方向から見たときの絶縁パターン6の輪郭線からはみ出して一部が導電パターン5上に被さる光拡散層9Cが設けられていてもよい(図8参照)。例えば、図8に示す例では、光拡散層9Cの幅寸法W2は、絶縁パターン6の幅寸法W1よりも広くなっている。このように、光拡散層と絶縁パターンとは、導電パターン形成基板1の厚さ方向から見たときの輪郭線の位置が厳密に一致していなくてもよい。本明細書において、「光拡散層が絶縁パターンと同じパターン形状を有している」とは、光拡散層が絶縁パターンと略同じパターン形状を有している場合も含む。   Further, instead of the light diffusion layer 9A having the same shape as the pattern shape of the insulating pattern 6, a part of the insulating pattern 6 protrudes from the outline of the insulating pattern 6 when viewed from the thickness direction of the conductive pattern forming substrate 1. A light diffusion layer 9 </ b> C covering the conductive pattern 5 may be provided (see FIG. 8). For example, in the example shown in FIG. 8, the width dimension W2 of the light diffusion layer 9C is wider than the width dimension W1 of the insulating pattern 6. As described above, the position of the contour line when the light diffusion layer and the insulating pattern are viewed from the thickness direction of the conductive pattern forming substrate 1 may not exactly match. In this specification, “the light diffusion layer has the same pattern shape as the insulating pattern” includes the case where the light diffusion layer has substantially the same pattern shape as the insulating pattern.

さらに、絶縁パターン6には、レーザー光Lによる照射を行なわずに金属ナノワイヤーが残留した島状パターン5Aが設けられていてもよい(図9参照)。島状パターン5Aは、導電パターン5とは絶縁されている。また、島状パターン5Aは、導電パターン5と同一の光学的特性を有している。このため、島状パターン5Aが絶縁パターン6に形成されていることにより、導電パターン5との間の光学的特性の差が少なくなっている。   Furthermore, the insulating pattern 6 may be provided with an island pattern 5A in which metal nanowires remain without being irradiated with the laser light L (see FIG. 9). The island pattern 5 </ b> A is insulated from the conductive pattern 5. Further, the island pattern 5 </ b> A has the same optical characteristics as the conductive pattern 5. For this reason, since the island-shaped pattern 5A is formed in the insulating pattern 6, the difference in optical characteristics with the conductive pattern 5 is reduced.

(変形例2)
次に、上述の実施形態の他の変形例について説明する。図10は、本変形例の導電パターン形成基板を示す断面図で、図1のA−A線における断面図である。
図10に示すように、本変形例の導電パターン形成基板1Bでは、オーバーコート8を備えず、ナノワイヤー層4に直接光拡散層9が積層されている。
本変形例では、ナノワイヤー層4が基板2上に形成された後、光拡散層9を積層する前に、導電パターン5および絶縁パターン6を形成する。導電パターン5及び絶縁パターン6が形成された後、上述の第1実施形態のステップS5と同様の工程により光拡散層9を形成する。
本変形例では、光拡散層9は、オーバーコート8と同様の作用も併せ持っている。これにより、導電パターン形成基板1Bの製造工程を簡略化できる。また、オーバーコート8が不要であるので、薄型で光透過性が高い導電パターン形成基板とすることができる。
(Modification 2)
Next, another modification of the above-described embodiment will be described. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the conductive pattern forming substrate of this modification, and is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
As shown in FIG. 10, in the conductive pattern forming substrate 1 </ b> B of this modification, the light diffusion layer 9 is directly laminated on the nanowire layer 4 without the overcoat 8.
In this modification, after the nanowire layer 4 is formed on the substrate 2, the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 are formed before the light diffusion layer 9 is laminated. After the conductive pattern 5 and the insulating pattern 6 are formed, the light diffusion layer 9 is formed by the same process as step S5 of the first embodiment described above.
In this modification, the light diffusion layer 9 also has the same function as the overcoat 8. Thereby, the manufacturing process of the conductive pattern formation board | substrate 1B can be simplified. Moreover, since the overcoat 8 is unnecessary, it can be set as a thin conductive pattern forming substrate with high light transmittance.

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.

1、1A、1B 導電パターン形成基板
2 基板
3 アンダーコート
4 ナノワイヤー層
5 導電パターン
6 絶縁パターン
7 配線
8 オーバーコート
9 光拡散層
NW 金属ナノワイヤー
1, 1A, 1B Conductive pattern forming substrate 2 Substrate 3 Undercoat 4 Nanowire layer 5 Conductive pattern 6 Insulating pattern 7 Wiring 8 Overcoat 9 Light diffusion layer NW Metal nanowire

Claims (8)

基材と、
金属ナノワイヤーを含み前記基材に対して位置関係が固定された状態で設けられた導電パターンと、
前記導電パターンと接しているとともに前記導電パターンが形成された領域とは異なる領域に設けられた絶縁パターンと、
前記導電パターンと前記絶縁パターンとの少なくとも何れかの少なくとも一部を覆う光拡散層と、
を備えることを特徴とする導電パターン形成基板。
A substrate;
Conductive pattern provided in a state in which the positional relationship is fixed with respect to the substrate including metal nanowires,
An insulating pattern in contact with the conductive pattern and provided in a region different from the region where the conductive pattern is formed;
A light diffusion layer covering at least a part of at least one of the conductive pattern and the insulating pattern;
A conductive pattern forming substrate comprising:
請求項1に記載の導電パターン形成基板であって、
前記基材と、前記導電パターン及び前記絶縁パターンと、前記光拡散層とがこの順に積層されていることを特徴とする導電パターン形成基板。
The conductive pattern forming substrate according to claim 1,
The conductive pattern forming substrate, wherein the base material, the conductive pattern and the insulating pattern, and the light diffusion layer are laminated in this order.
請求項1または請求項2に記載の導電パターン形成基板であって、
前記光拡散層は、光拡散剤を含有し所定の処理により硬化する樹脂からなることを特徴とする導電パターン形成基板。
The conductive pattern forming substrate according to claim 1 or 2,
The conductive pattern forming substrate, wherein the light diffusing layer is made of a resin containing a light diffusing agent and cured by a predetermined treatment.
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板であって、
前記絶縁パターンの少なくとも一部は、前記金属ナノワイヤーを含むバインダーの硬化物から前記金属ナノワイヤーの少なくとも一部が除去されることにより前記金属ナノワイヤー同士の導通が解除されていることを特徴とする導電パターン形成基板。
The conductive pattern forming substrate according to any one of claims 1 to 3,
At least a part of the insulating pattern is characterized in that the conduction between the metal nanowires is released by removing at least a part of the metal nanowires from a cured product of the binder containing the metal nanowires. Conductive pattern forming substrate.
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板であって、
前記導電パターン及び前記絶縁パターンと前記光拡散層との間に配され前記導電パターン及び前記絶縁パターンをともに覆うオーバーコートをさらに備えることを特徴とする導電パターン形成基板。
The conductive pattern forming substrate according to any one of claims 1 to 4,
A conductive pattern forming substrate, further comprising an overcoat disposed between the conductive pattern and the insulating pattern and the light diffusion layer and covering both the conductive pattern and the insulating pattern.
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板であって、
前記光拡散層は前記絶縁パターンと同じパターン形状を有していることを特徴とする導電パターン形成基板。
A conductive pattern forming substrate according to any one of claims 1 to 5,
The conductive pattern forming substrate, wherein the light diffusion layer has the same pattern shape as the insulating pattern.
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板を製造する方法であって、
前記基材上に、前記金属ナノワイヤーを含有する流動体状若しくは層状のバインダーを固定し、
前記金属ナノワイヤーを含有する前記バインダーにレーザー光を照射して前記金属ナノワイヤーの一部を除去若しくは断線させることにより前記絶縁パターンを形成し、
前記絶縁パターンが形成された領域と異なる領域の少なくとも一部を前記導電パターンとして定め、
光拡散剤を含有し所定の処理により硬化する光拡散層を前記絶縁パターンと前記導電パターンとの少なくとも何れかに積層する、
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
A method for producing a conductive pattern forming substrate according to any one of claims 1 to 6,
On the base material, a fluid-like or layer-like binder containing the metal nanowire is fixed,
The insulating pattern is formed by irradiating the binder containing the metal nanowire with laser light to remove or disconnect a part of the metal nanowire,
Defining at least a part of a region different from the region where the insulating pattern is formed as the conductive pattern;
A light diffusing layer containing a light diffusing agent and cured by a predetermined treatment is laminated on at least one of the insulating pattern and the conductive pattern;
The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate characterized by the above-mentioned.
請求項7に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、前記光拡散層を積層する工程では、前記絶縁パターンのパターン形状に合わせて前記絶縁パターン上に前記光拡散層を積層することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。   8. The method of manufacturing a conductive pattern forming substrate according to claim 7, wherein in the step of laminating the light diffusion layer, the light diffusion layer is laminated on the insulating pattern according to a pattern shape of the insulating pattern. A method for producing a conductive pattern forming substrate.
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