JP2013096788A - Pyroelectric type photodetector, pyroelectric type photodetecting apparatus and electronic apparatus - Google Patents
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
【課題】 複数の光吸収領域で発生した熱を、複数の焦電キャパシターの焦電体に効率的に伝達して、焦電型光検出器の検出出力を高めること。
【解決手段】 焦電型光検出器は、基体20と、支持部材30と、焦電体を含む複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4とを有する。支持部材30は、第1面30Aと、第1面に対向する第2面30Bとを含み、第2面と基体20との間に空洞部100が形成される。複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4は支持部材30上に支持される。複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々は、対応する各一つの光吸収領域AR1〜AR4を有する。各一つの光吸収領域AR1〜AR4の重心G1a〜G1dを平面視で二次元面に投影した投影点の位置は、各一つの光吸収領域AR1〜AR4と対応する各一つの焦電キャパシターCapa1〜Capa4の焦電体12の輪郭線を二次元面に投影した領域J1〜J4の内部に存在する。
【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently transfer heat generated in a plurality of light absorption regions to a pyroelectric body of a plurality of pyroelectric capacitors to increase the detection output of the pyroelectric detector.
A pyroelectric detector includes a base body 20, a support member 30, and a plurality of pyroelectric capacitors Capa1 to Capa4 including a pyroelectric body. The support member 30 includes a first surface 30 </ b> A and a second surface 30 </ b> B that faces the first surface, and a cavity 100 is formed between the second surface and the base body 20. The plurality of pyroelectric capacitors Capa <b> 1 to Capa <b> 4 are supported on the support member 30. Each of the plurality of pyroelectric capacitors Capa1 to Capa4 has a corresponding one light absorption region AR1 to AR4. The positions of the projection points obtained by projecting the centroids G1a to G1d of the light absorption regions AR1 to AR4 onto the two-dimensional surface in plan view are the respective pyroelectric capacitors Capa1 to Capa1 corresponding to the light absorption regions AR1 to AR4. It exists in the area | region J1-J4 which projected the outline of the pyroelectric body 12 of Capa4 on the two-dimensional surface.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、焦電型光検出器、焦電型光検出装置、電子機器等に関する。 The present invention relates to a pyroelectric detector, a pyroelectric photodetector, an electronic device, and the like.
光センサーとして、熱型光検出器が知られている。熱型光検出器は、物体から放射された光を光吸収層によって吸収し、光を熱に変換し、温度の変化を熱検出素子によって測定する。熱型光検出器としては、例えば、光吸収にともなう温度上昇を熱起電力として直接検出するサーモパイル、電気分極の変化として検出する焦電型素子、温度上昇を抵抗変化として検出するボロメータ等がある。熱型光検出器は、測定できる波長帯域が広い特徴がある。 A thermal detector is known as an optical sensor. The thermal detector absorbs light emitted from an object by a light absorption layer, converts the light into heat, and measures a change in temperature with a heat detection element. Examples of the thermal detector include a thermopile that directly detects a temperature rise due to light absorption as a thermoelectromotive force, a pyroelectric element that detects a change in electrical polarization, and a bolometer that detects a temperature rise as a resistance change. . Thermal detectors have a wide wavelength band that can be measured.
熱型光検出器の一例である焦電型光検出器では、物体から放射された光の一例である赤外線を、例えば赤外線吸収層によって吸収し熱に変換する。その熱を焦電体に与えることによって、焦電体の自発分極量の変化が生じる。その変化量に基づく焦電流によって赤外線量を検出する。 In a pyroelectric detector that is an example of a thermal detector, infrared rays that are an example of light emitted from an object are absorbed by, for example, an infrared absorption layer and converted into heat. By giving the heat to the pyroelectric material, the amount of spontaneous polarization of the pyroelectric material changes. The amount of infrared rays is detected by the pyroelectric current based on the amount of change.
近年、半導体製造技術(MEMS技術等)を利用して、より小型の熱型光検出器を製造する試みがなされている。特許文献1には、焦電層を備えたモノリシック感熱センサーが記載されている。この焦電型光検出器では、集積回路基板上に半導体製造技術を用いて焦電型光検出素子が形成される。特許文献1の図6には、誘電体からなる焦電材料薄膜を電極で挟んで構成される二つの焦電型素子が共通板により接続される構成が開示される。
In recent years, attempts have been made to manufacture smaller thermal detectors using semiconductor manufacturing technology (MEMS technology or the like).
また、特許文献2の図2には、焦電膜を備えた赤外線センサーが記載されている。この焦電膜を備えたセンサーでは、基板に支持された絶縁膜上に下部電極、焦電膜、上部電極がこの順に形成され、上部電極および焦電膜の上には光吸収膜が形成される。
In addition, FIG. 2 of
近年、焦電型光検出器の検出出力を高めることが求められている。入射光に起因した熱によって生成される焦電キャパシターでの自発分極量に基づく出力電圧は、受光領域の面積、焦電キャパシターの面積、焦電キャパシターの抵抗などに依存する。 In recent years, it has been demanded to increase the detection output of a pyroelectric detector. The output voltage based on the amount of spontaneous polarization in the pyroelectric capacitor generated by heat caused by incident light depends on the area of the light receiving region, the area of the pyroelectric capacitor, the resistance of the pyroelectric capacitor, and the like.
本発明の少なくとも一つの態様によれば、複数の光吸収領域で発生した熱を、複数の焦電キャパシターの焦電体に効率的に伝達して、焦電型光検出器の検出出力を高めることができる。 According to at least one aspect of the present invention, the heat generated in the plurality of light absorption regions is efficiently transferred to the pyroelectric bodies of the plurality of pyroelectric capacitors to increase the detection output of the pyroelectric detector. be able to.
(1)本発明の一態様に係る焦電型光検出器は、
基体と、
第1面と、前記第1面に対向する第2面とを含み、前記第2面と前記基体との間に空洞部を介して配置される支持部材と、
前記支持部材に支持された、それぞれ焦電体を含む複数の焦電キャパシターと、
前記複数の焦電キャパシターのそれぞれに接して設けられる光吸収層と、
を有し、
前記複数の焦電キャパシターは電気的に接続され、
前記光吸収層は前記複数の焦電キャパシターの各々に対応する複数の光吸収領域からなり、
基体の厚み方向からの平面視で、前記複数の光吸収領域の各々の重心は、前記複数の光吸収領域の各々が対応する各一つの焦電キャパシターの前記焦電体と重なる位置に存在する焦電型光検出器に関する。
(1) A pyroelectric detector according to an aspect of the present invention is
A substrate;
A support member including a first surface and a second surface facing the first surface, the support member being disposed between the second surface and the base via a cavity portion;
A plurality of pyroelectric capacitors each including a pyroelectric material supported by the support member;
A light absorbing layer provided in contact with each of the plurality of pyroelectric capacitors;
Have
The plurality of pyroelectric capacitors are electrically connected;
The light absorption layer comprises a plurality of light absorption regions corresponding to each of the plurality of pyroelectric capacitors,
In plan view from the thickness direction of the substrate, the center of gravity of each of the plurality of light absorption regions exists at a position where each of the plurality of light absorption regions overlaps the pyroelectric body of each one of the pyroelectric capacitors corresponding thereto. The present invention relates to a pyroelectric detector.
本発明の一態様では、各一つの光吸収領域で吸収された光が、熱として各一つの焦電キャパシターの焦電体に伝達される。焦電体は、光に基づく熱による焦電効果(パイロ電子効果)によって自発分極量が変化し、その変化量を求めることで光量(熱量)の大きさを検出するものである。この際、一つの支持部材に搭載された複数の焦電キャパシターは、共通画素(一画素)を構成するもので、同時に各一つの光吸収領域に入射された光は、各一つの焦電キャパシターにて同時に検出されなければならない。本発明の一態様では、各一つの光吸収領域で吸収された熱が各一つの焦電キャパシターの焦電体に伝達され熱伝達特性を揃えることができる。よって、例えば、時間軸上における生成された電荷のピーク(山)が揃い、複数の焦電キャパシターにて同時検出が可能となって、焦電型光検出器の検出出力を高めることができる。つまり、焦電型光検出器の熱時定数が小さくなり、例えば複数の焦電型光検出器の出力に基づいて二次元画像熱分布を出力する際には、その画像を高フレームレートで表示することができる。 In one embodiment of the present invention, light absorbed in each one light absorption region is transmitted as heat to the pyroelectric body of each one pyroelectric capacitor. In the pyroelectric body, the amount of spontaneous polarization changes due to the pyroelectric effect (pyro electronic effect) caused by heat based on light, and the amount of light (heat amount) is detected by obtaining the amount of change. At this time, the plurality of pyroelectric capacitors mounted on one support member constitute a common pixel (one pixel), and light incident on each one light absorption region at the same time is each one pyroelectric capacitor. Must be detected at the same time. In one embodiment of the present invention, heat absorbed by each one light absorption region is transmitted to the pyroelectric body of each one pyroelectric capacitor, and heat transfer characteristics can be made uniform. Therefore, for example, the peaks (crests) of the generated charges on the time axis are aligned, and simultaneous detection is possible with a plurality of pyroelectric capacitors, and the detection output of the pyroelectric detector can be increased. In other words, the thermal time constant of the pyroelectric detector is reduced. For example, when outputting a two-dimensional image heat distribution based on the output of a plurality of pyroelectric detectors, the image is displayed at a high frame rate. can do.
ここで、複数の焦電キャパシターを覆う領域に一つの光吸収部材を配置した場合、この一つの光吸収部材が分割されて、複数の焦電キャパシターの各々に対応する一つの光吸収領域となる。このほか、複数の焦電キャパシターをそれぞれ覆う領域に複数の光吸収部材を設けても良く、この場合一つの光吸収部材が一つの光吸収領域となる。 Here, when one light absorbing member is arranged in a region covering a plurality of pyroelectric capacitors, the one light absorbing member is divided into one light absorbing region corresponding to each of the plurality of pyroelectric capacitors. . In addition, a plurality of light absorbing members may be provided in regions covering the plurality of pyroelectric capacitors, and in this case, one light absorbing member becomes one light absorbing region.
なお、複数(n個、nは2以上の整数)の焦電キャパシターを支持部材上で分極方向が揃う方向に直列に接続することができる。例えば、単体で配置される焦電キャパシターとそれぞれ同一電極面積のn個の焦電キャパシターを直列接続すると、n個の焦電キャパシターの合成抵抗がn倍になる。この効果によって、出力電圧は、理論上、1個の焦電素子で構成される焦電型熱検出素子の出力電圧のn倍とすることができる。ただし、本発明の一態様は複数の焦電キャパシターを必ずしも支持部材上で直列接続するものに限らず、複数の焦電キャパシターからの信号を個々に取り出しても良い。 Note that a plurality (n, n is an integer of 2 or more) pyroelectric capacitors can be connected in series in a direction in which the polarization directions are aligned on the support member. For example, when n pyroelectric capacitors having the same electrode area are connected in series with a pyroelectric capacitor arranged as a single unit, the combined resistance of the n pyroelectric capacitors is increased by a factor of n. Due to this effect, the output voltage can theoretically be n times the output voltage of the pyroelectric heat detection element composed of one pyroelectric element. However, one embodiment of the present invention is not necessarily limited to connecting a plurality of pyroelectric capacitors in series on the support member, and signals from the plurality of pyroelectric capacitors may be individually taken out.
(2)本発明の一態様に係る焦電型光検出器では、前記平面視で、前記複数の光吸収領域の各々の重心は、前記複数の光吸収領域の各々が対応する各一つの焦電キャパシターの前記焦電体の重心とは重なりを有することができる。 (2) In the pyroelectric detector according to one aspect of the present invention, the center of gravity of each of the plurality of light absorption regions in the plan view is a single focus corresponding to each of the plurality of light absorption regions. The electric capacitor may have an overlap with the center of gravity of the pyroelectric body.
このようにすれば、一つの光吸収領域内の各所で発生した熱が、一つの光吸収領域の重心付近に均等に集まってくる。その熱は、一つの光吸収領域の重心と平面視にて重なりを有する焦電体の重心に効率的に伝達される。よって、各焦電キャパシターでは熱/電気変換によって、ほぼ同様に、バラツキ少なく電荷を生成することができる。 In this way, heat generated at various locations in one light absorption region is evenly collected near the center of gravity of one light absorption region. The heat is efficiently transferred to the center of gravity of the pyroelectric body that overlaps with the center of gravity of one light absorption region in plan view. Therefore, in each pyroelectric capacitor, electric charges can be generated with little variation by thermal / electrical conversion.
(3)本発明の一態様に係る焦電型光検出器では、前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体は、輪郭がn(nは3以上の整数)角形であって、第1輪郭線ないし第n輪郭線を含み、前記複数の焦電キャパシターの各々に対応する複数の光吸収領域の各々の輪郭は、前記焦電体の第m輪郭線(1≦m≦n)に対向する第m対向輪郭線を有し、前記第m輪郭線と前記第m対向輪郭線との間の距離dmは、mの値に拘わらず一定とすることができる。 (3) In the pyroelectric detector according to one aspect of the present invention, the pyroelectric body of each of the plurality of pyroelectric capacitors has a contour of n (n is an integer of 3 or more) square, Each contour of the plurality of light absorption regions including one contour line to nth contour line and corresponding to each of the plurality of pyroelectric capacitors is an m-th contour line (1 ≦ m ≦ n) of the pyroelectric body. The distance dm between the m-th contour line and the m-th counter contour line may be constant regardless of the value of m.
本態様では、一つの光吸収領域と一つの焦電体とは、相似形のn角形となる。よって、一つの光吸収領域では第1重心から第m対向輪郭線までの距離がmの値に拘わらず等しく、一つの焦電体でも第2重心から第m輪郭線までの距離がmの値にかかわらず等しくなる。これによって、一つの光吸収領域内で発生した熱を、一つの焦電キャパシターの焦電体に均等に集めることができる。 In this embodiment, one light absorption region and one pyroelectric body are similar n-gons. Therefore, the distance from the first centroid to the m-th counter contour is the same regardless of the value of m in one light absorption region, and the distance from the second centroid to the m-th contour is the value of m even in one pyroelectric body. Will be equal regardless of Thereby, the heat generated in one light absorption region can be evenly collected in the pyroelectric body of one pyroelectric capacitor.
(4)本発明の一態様に係る焦電型光検出器では、前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体の輪郭は、円または楕円とすることができる。 (4) In the pyroelectric detector according to one aspect of the present invention, the outline of the pyroelectric body of each of the plurality of pyroelectric capacitors may be a circle or an ellipse.
支持部材における応力緩和の観点からは、焦電キャパシターの焦電体の輪郭は、円または楕円の方がすぐれている。なお、光吸収領域の輪郭は、円や楕円、あるいは矩形のどちらでもよいが、応力緩和という観点からは円または楕円の方が優れている。 From the viewpoint of stress relaxation in the support member, the outline of the pyroelectric body of the pyroelectric capacitor is superior to a circle or an ellipse. The outline of the light absorption region may be a circle, an ellipse, or a rectangle, but the circle or ellipse is superior from the viewpoint of stress relaxation.
(5)本発明の一態様に係る焦電型光検出器では、前記複数の焦電キャパシターの各々は、前記焦電体を挟む第1電極及び第2電極を含み、前記第1電極は前記支持部材に支持され、かつ前記平面視における前記第1電極の面積が前記第2電極の面積よりも大きいプレーナー型キャパシターとすることができる。 (5) In the pyroelectric detector according to one aspect of the present invention, each of the plurality of pyroelectric capacitors includes a first electrode and a second electrode sandwiching the pyroelectric body, and the first electrode is The planar capacitor may be supported by a support member, and the area of the first electrode in the plan view may be larger than the area of the second electrode.
いわゆるプレーナー構造とすることで、支持部材上に搭載される第1電極への配線を支持部材上に形成することができる。また、拡大された第1電極上に光吸収領域を形成することができ、光吸収面積が拡大されると共に、第1電極が集熱パスの効果を発揮して、光吸収領域の周縁で発生した熱を焦電体が存在する中心側に集熱させることができる。 With the so-called planar structure, wiring to the first electrode mounted on the support member can be formed on the support member. In addition, a light absorption region can be formed on the enlarged first electrode, the light absorption area is enlarged, and the first electrode exhibits the effect of a heat collection path and is generated at the periphery of the light absorption region. The collected heat can be collected on the center side where the pyroelectric material exists.
(6)本発明の一態様では、前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体は、側面を電気的絶縁性の金属化合物層により覆うことができる。焦電体は酸化物であり、還元されると酸素欠損が生ずる。金属化合物層は還元ガスバリア性を有し、焦電体が還元されることを抑制できる。こうして、焦電体の酸素欠損を抑制できるので、焦電キャパシターを小型化して一つの支持部材上にて複数の焦電キャパシターを搭載させることが可能となる。 (6) In one aspect of the present invention, the pyroelectric body of each of the plurality of pyroelectric capacitors can have a side surface covered with an electrically insulating metal compound layer. The pyroelectric material is an oxide, and oxygen deficiency occurs when reduced. The metal compound layer has a reducing gas barrier property and can suppress the reduction of the pyroelectric material. Thus, oxygen deficiency of the pyroelectric material can be suppressed, and thus it is possible to downsize the pyroelectric capacitor and mount a plurality of pyroelectric capacitors on one support member.
(7)本発明の一態様では、前記光吸収層は、前記複数の焦電キャパシターの各々に対応して分割形成された複数の光吸収層にて形成することができる。 (7) In one aspect of the present invention, the light absorption layer can be formed of a plurality of light absorption layers that are divided and formed corresponding to each of the plurality of pyroelectric capacitors.
光吸収層が個別化されていることから、1個1個の吸収層の熱が周囲から逃げ、よって、個々の焦電キャパシターのリセット時間を早めることができる。なお、一つの光吸収層を領域毎に分割して個々の光吸収領域とする場合には、光吸収層を個別化する場合に比べて、光吸収層面積を増大させることができ、分割のための製造プロセスを省略できる利点がある。 Since the light absorption layer is individualized, the heat of each absorption layer escapes from the surroundings, and thus the reset time of each pyroelectric capacitor can be shortened. In addition, in the case where one light absorption layer is divided into regions to form individual light absorption regions, the area of the light absorption layer can be increased compared to the case where the light absorption layer is individualized. Therefore, there is an advantage that the manufacturing process can be omitted.
(8)本発明の一態様では、前記支持部材は、前記複数の焦電キャパシターのうち隣り合う2つの焦電キャパシターの間の領域に、貫通孔を有することができる。 (8) In one aspect of the present invention, the support member may have a through hole in a region between two adjacent pyroelectric capacitors among the plurality of pyroelectric capacitors.
ここで、支持部材、複数の焦電キャパシター等を基体上に形成する際には、空洞部に犠牲層が埋め込まれている。この犠牲層は、基体上にて支持部材、複数の焦電キャパシター等を形成した後に、エッチチャントを用いて等方性エッチングされて除去される。そのエッチング時に、貫通孔がエッチャントの供給口として使用される。それにより、支持部材の下方の犠牲層までエッチャントが回り込みやすくなって、等方性エッチングにより犠牲層を除去し易くなる。 Here, when the support member, the plurality of pyroelectric capacitors, and the like are formed on the substrate, the sacrificial layer is embedded in the cavity. The sacrificial layer is removed by isotropic etching using an etchant after forming a support member, a plurality of pyroelectric capacitors, and the like on the substrate. During the etching, the through-hole is used as an etchant supply port. As a result, the etchant can easily reach the sacrificial layer below the support member, and the sacrificial layer can be easily removed by isotropic etching.
(9)本発明の他の態様は、上述した焦電型光検出器を交差する二つの直線方向に沿って二次元配置した焦電型光検出装置を定義している。 (9) Another aspect of the present invention defines a pyroelectric detection device that is two-dimensionally arranged along two linear directions intersecting the above-described pyroelectric detector.
これによって、複数の焦電型光検出器(焦電型光検出素子)が二次元に配置された(例えば、直交2軸の各々に沿ってアレイ状に配置された)、焦電型光検出装置(焦電型光アレイセンサー)が実現される。 As a result, a plurality of pyroelectric detectors (pyroelectric detectors) are two-dimensionally arranged (for example, arranged in an array along each of two orthogonal axes). An apparatus (pyroelectric optical array sensor) is realized.
(10)本発明のさらに他の態様は、上述した焦電型光検出器または焦電型光検出装置を有する電子機器を定義している。 (10) Still another aspect of the present invention defines an electronic apparatus having the above-described pyroelectric detector or pyroelectric detector.
上記いずれかの焦電型光検出器は、光の検出感度が高い。よって、この焦電型光検出器を搭載する電子機器の性能が高まる。電子機器としては、例えば、赤外線センサー装置、サーモグラフィー装置、車載用夜間カメラや監視カメラ等が挙げられる。 Any of the above pyroelectric detectors has high light detection sensitivity. Therefore, the performance of an electronic device equipped with this pyroelectric detector is enhanced. Examples of the electronic device include an infrared sensor device, a thermography device, a vehicle-mounted night camera, a monitoring camera, and the like.
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not always.
1.第1の実施形態
1.1.複数の光吸収領域と複数のキャパシターの配置
図1(A)(B)は、本発明の第1実施形態に係る焦電型光検出器の概念図である。図1(A)に示すように、複数例えば4つの焦電キャパシター(キャパシターもいう)Capa1〜Capa4が支持部材(メンブレン)30に搭載されている。支持部材30上のキャパシターCapa1〜Capa4の各々は、2つの電極間に焦電体を有する。また、支持部材30上のキャパシターCapa1〜Capa4の各々は、例えば実質的に等しい面積の複数の光吸収領域AR1〜AR4を有する光吸収層50内部に配置されている。光吸収層50は、複数の光吸収領域AR1〜AR4に分割形成されていても良いし、一体形成されているものでも良い。
1. 1. First embodiment 1.1. Arrangement of a plurality of light absorption regions and a plurality of capacitors FIGS. 1A and 1B are conceptual diagrams of a pyroelectric detector according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1A, a plurality of, for example, four pyroelectric capacitors (also referred to as capacitors)
図1(B)には、光吸収領域AR1〜AR4の各々の重心を平面視で二次元面に投影した第1重心G1a〜G1dと、焦電キャパシターCapa1〜Capa4の焦電体の輪郭線を二次元面に投影した領域J1〜J4と、焦電キャパシターCapa1〜Capa4の焦電体の重心を二次元面に投影した第2重心G2a〜G2dとを示している。 FIG. 1B shows the first gravity centers G1a to G1d obtained by projecting the respective gravity centers of the light absorption regions AR1 to AR4 onto a two-dimensional plane in plan view, and the outlines of pyroelectric bodies of the pyroelectric capacitors Capa1 to Capa4. Regions J1 to J4 projected on the two-dimensional surface and second centroids G2a to G2d obtained by projecting the centroids of the pyroelectric bodies of the pyroelectric capacitors Capa1 to Capa4 onto the two-dimensional surface are shown.
図1(B)から明らかなように、第1重心G1a〜G1dの各一つは、焦電体の輪郭線を二次元面に投影した領域J1〜J4の各一つの内部に存在する。 As is clear from FIG. 1B, each of the first centroids G1a to G1d exists inside each of the regions J1 to J4 obtained by projecting the outline of the pyroelectric body onto the two-dimensional surface.
ここで、光吸収領域AR1〜AR4の各々で吸収された光が、熱として焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々の焦電体に伝達される。焦電体は、光に基づく熱による焦電効果(パイロ電子効果)によって自発分極量が変化し、その変化量を求めることで光量(熱量)の大きさを検出するものである。この際、一つの支持部材30に搭載された複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4は、共通画素(一画素)を構成するもので、同時に光吸収領域AR1〜AR4の各々に入射された光は、焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々にて同時に検出されなければならない。本実施形態では、光吸収領域AR1〜AR4の各々で吸収された熱が焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々の焦電体に伝達され熱伝達特性を揃えることができる。よって、例えば、時間軸上における生成された電荷のピーク(山)が揃い、複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々にて同時検出が可能となる。
Here, the light absorbed in each of the light absorption regions AR1 to AR4 is transmitted as heat to each pyroelectric body of the pyroelectric capacitors Capa1 to Capa4. In the pyroelectric body, the amount of spontaneous polarization changes due to the pyroelectric effect (pyro electronic effect) caused by heat based on light, and the amount of light (heat amount) is detected by obtaining the amount of change. At this time, the plurality of pyroelectric capacitors Capa1 to Capa4 mounted on one
図1(B)では特に、第1重心G1a〜G1dの各々と第2重心G2a〜G2dの各々とは重なりを有する。このようにすれば、光吸収領域AR1〜AR4内の各所で発生した熱が、第1重心G1a〜G1dの各一つの近辺に均等に集まってくる。その熱は、第1重心G1a〜G1dの各々と二次元投影面上にて重なりを有する第2重心第2重心G2a〜G2dの各々を有する焦電体に効率的に伝達される。よって、焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々では、熱/電気変換によって、ほぼ同様に、バラツキ少なく電荷を生成することができる。ただし、第1重心G1a〜G1dの各々と第2重心G2a〜G2dの各々とは重なりを有するものに限らない。少なくとも、第1重心G1a〜G1dの各一つは、焦電体の輪郭線を二次元面に投影した領域J1〜J4の各一つの内部に存在していれば良い。 Particularly in FIG. 1B, each of the first centroids G1a to G1d and each of the second centroids G2a to G2d have an overlap. In this way, the heat generated at various locations in the light absorption regions AR1 to AR4 is evenly collected in the vicinity of each of the first centroids G1a to G1d. The heat is efficiently transferred to the pyroelectric body having each of the second centroid second centroids G2a to G2d that overlaps each of the first centroids G1a to G1d on the two-dimensional projection plane. Therefore, in each of the pyroelectric capacitors Capa1 to Capa4, electric charges can be generated with little variation by thermal / electrical conversion. However, each of the first centroids G1a to G1d and each of the second centroids G2a to G2d are not limited to overlap. At least one of the first centroids G1a to G1d only needs to exist inside each of the regions J1 to J4 obtained by projecting the outline of the pyroelectric body onto the two-dimensional surface.
なお、複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4を覆う領域に一つの光吸収部材を配置した場合、この一つの光吸収部材が分割されて、複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々に対応する一つの光吸収領域AR1〜AR4となる。このほか、複数の焦電キャパシターをそれぞれ覆う領域に複数の光吸収部材を設けても良く、この場合一つの光吸収部材が一つの光吸収領域となる。 In addition, when one light absorption member is arrange | positioned in the area | region which covers several pyroelectric capacitors Capa1-Capa4, this one light absorption member is divided | segmented and one corresponding to each of several pyroelectric capacitors Capa1-Capa4 It becomes light absorption area AR1-AR4. In addition, a plurality of light absorbing members may be provided in regions covering the plurality of pyroelectric capacitors, and in this case, one light absorbing member becomes one light absorbing region.
1.2.複数のキャパシターの直列接続
図1の例では、第1キャパシターCapa1〜第4キャパシターCapa4が支持部材30上にて直列に接続されている。ただし、第1キャパシターCapa1〜第4キャパシターCapa4は、支持部材30上で直列接続されることは要件ではなく、例えば支持部材30の外部にて直列接続されても良い。
1.2. In the example of FIG. 1, the first capacitor Capa <b> 1 to the fourth capacitor Capa <b> 4 are connected in series on the
図1(A)中のプラスとマイナスは各キャパシターCapa1〜Capa4の分極極性を示す。本例では、各キャパシターCapa1〜Capa4の容量値は同じものとするがこれに限定されるものではない。第1キャパシターCapa1の正極は第1外部端子TA1に接続されており、この第1外部端子TA1は正極性である。また、第4キャパシターCapa4の負極は第2外部端子TA2に接続されており、この第2外部端子TA2は負極性である。 In FIG. 1A, plus and minus indicate the polarization polarities of the capacitors Capa1 to Capa4. In this example, the capacitance values of the capacitors Capa1 to Capa4 are the same, but are not limited thereto. The positive electrode of the first capacitor Capa1 is connected to the first external terminal TA1, and the first external terminal TA1 is positive. The negative electrode of the fourth capacitor Capa4 is connected to the second external terminal TA2, and the second external terminal TA2 has a negative polarity.
ここで、図2(A)に本実施形態の概略平面図を、図2(B)に比較例1の概略平面図を、図2(C)に比較例2の概略平面図をそれぞれ示す。図2(A)〜図2(C)に示す受光部面積(光吸収領域の面積)Aaはそれぞれ等しいものとする。 Here, FIG. 2A shows a schematic plan view of this embodiment, FIG. 2B shows a schematic plan view of Comparative Example 1, and FIG. 2C shows a schematic plan view of Comparative Example 2. It is assumed that the light receiving portion areas (areas of the light absorption regions) Aa shown in FIGS.
先ず、図2(A)に示す本実施形態と図2(B)に示す比較例1とを対比する。図2(A)に示すキャパシターCapa1〜Capa4の各々と、図2(B)に示す単体のCapaとは、それぞれ素子面積Acと容量Cが等しいものとする。 First, this embodiment shown in FIG. 2A is compared with Comparative Example 1 shown in FIG. Each of the capacitors Capa1 to Capa4 shown in FIG. 2A and the single Capa shown in FIG. 2B have the same element area Ac and capacitance C.
図2(A)でも図2(B)でも、照射光の熱を電荷Qに変換することで得られるキャパシターからの出力電圧は、キャパシターの素子抵抗をRp(図2(A)の場合は合成抵抗)とすると、
Vs=Q×Rp…(1)
となる。つまり、焦電型光検出器の出力電圧Vsは、キャパシターの分極電荷Qとキャパシターの抵抗値Rpとの積に応じて変動する。また、電荷Qは受光部面積Aaと素子面積Acに比例することから、
Vs∝Aa・Ac・Rp…(2)
が成立する。
In both FIG. 2A and FIG. 2B, the output voltage from the capacitor obtained by converting the heat of the irradiation light into the charge Q is the combined resistance of the capacitor Rp (in the case of FIG. 2A). Resistance)
Vs = Q × Rp (1)
It becomes. That is, the output voltage Vs of the pyroelectric detector varies according to the product of the polarization charge Q of the capacitor and the resistance value Rp of the capacitor. Further, since the charge Q is proportional to the light receiving area Aa and the element area Ac,
Vs∝Aa ・ Ac ・ Rp (2)
Is established.
ところで、図2(A)では、キャパシターCapa1〜Capa4が直列接続されていることから、キャパシターCapa1〜Capa4の素子面積Acは図2(B)のように電気的に一個の容量Capaの素子面積Acと等しい関係となる。また、図2(A)の受光部面積(光吸収領域の面積)Aaと、図2(B)の受光部面積(光吸収領域の面積)Aaとは等しいことは上述した通りである。 In FIG. 2A, since the capacitors Capa1 to Capa4 are connected in series, the element area Ac of the capacitors Capa1 to Capa4 is electrically the element area Ac of one capacitor Capa as shown in FIG. Is equivalent to Further, as described above, the light receiving portion area (light absorption region area) Aa in FIG. 2A is equal to the light receiving portion area (light absorption region area) Aa in FIG.
そこで、次にキャパシターの素子抵抗をRpについて考察する。図2(B)では、素子抵抗Rpと容量との関係から、
Rp=1/C…(3)
が成立する。
Therefore, next, the element resistance of the capacitor will be considered with respect to Rp. In FIG. 2B, from the relationship between the element resistance Rp and the capacitance,
Rp = 1 / C (3)
Is established.
一方、図2(A)では、キャパシターCapa1〜Capa4の各々の容量値をCとすると、直列接続された合成容量Capaの合成容量値はC/4となる。合成素子抵抗をRpxとすると、
Rpx=4/C=4×Rp…(4)
が成立する。
On the other hand, in FIG. 2A, when the capacitance values of the capacitors Capa1 to Capa4 are C, the combined capacitance value of the combined capacitors Capa connected in series is C / 4. If the combined element resistance is Rpx,
Rpx = 4 / C = 4 × Rp (4)
Is established.
よって、式(1)を参照すると、図2(A)に示す本実施形態にて得られる出力電圧Vsは、図2(B)に示す比較例1にて得られる出力電圧の4倍となることが分かる。つまり、キャパシターをn個直列接続することで、比較例1の単体キャパシターの場合と比較して、電気的な電極面によって決まる合成容量(電気的キャパシターの容量)は1/nになり、それにより合成抵抗がn倍になり、結果として出力電圧Vsがn倍となることが分かる。 Therefore, referring to equation (1), the output voltage Vs obtained in this embodiment shown in FIG. 2A is four times the output voltage obtained in Comparative Example 1 shown in FIG. I understand that. That is, by connecting n capacitors in series, the combined capacitance (capacitance of the electrical capacitor) determined by the electrical electrode surface is 1 / n compared to the case of the single capacitor of Comparative Example 1, thereby It can be seen that the combined resistance becomes n times, and as a result, the output voltage Vs becomes n times.
次に、図2(A)に示す本実施形態と図2(C)に示す比較例2とを対比する。図2(A)に示すキャパシターCapa1〜Capa4のトータル素子面積(4×Ac)と、図2(C)に示す単体のCapaの素子面積(4×Ac)とが等しいものとする。 Next, this embodiment shown in FIG. 2A is compared with Comparative Example 2 shown in FIG. Assume that the total element area (4 × Ac) of the capacitors Capa1 to Capa4 shown in FIG. 2 (A) is equal to the element area (4 × Ac) of a single Capa shown in FIG. 2 (C).
図2(A)に示す4個直列接続の電気的な素子面積Acと比較して、比較例2の素子面積は4×Acとなる。一方、図2(A)では、キャパシターCapa1〜Capa4の各々の容量値をCとすると、直列接続された合成容量Capaの合成容量値はC/4となり、抵抗値は式(4)の通り4×Rpである。これに対して、図2(C)の単体キャパシターCapaの容量値は4×Cであり、図2(C)の単体キャパシターCapaの抵抗値はRp/4となる。このため、図2(C)では素子面積(4×Ac)が4倍であるが抵抗値(Rp/4)が1/4倍となり、素子面積と抵抗値とで相殺される。よって、図2(C)の出力電圧Vsは図2(B)と同等となり、図2(A)の出力電圧Vsの1/4となる。従って、図2(A)に示す本実施形態にて得られる出力電圧Vsは、図2(B)(C)の比較例1,2よりも大きく確保することができる。 The element area of Comparative Example 2 is 4 × Ac compared to the four series-connected electric element areas Ac shown in FIG. On the other hand, in FIG. 2A, when the capacitance values of the capacitors Capa1 to Capa4 are C, the combined capacitance value of the combined capacitors Capa connected in series is C / 4, and the resistance value is 4 according to the equation (4). X Rp. On the other hand, the capacitance value of the single capacitor Capa in FIG. 2C is 4 × C, and the resistance value of the single capacitor Capa in FIG. 2C is Rp / 4. For this reason, in FIG. 2C, the element area (4 × Ac) is four times, but the resistance value (Rp / 4) is ¼, which is offset by the element area and the resistance value. Therefore, the output voltage Vs in FIG. 2C is equivalent to that in FIG. 2B, and is ¼ of the output voltage Vs in FIG. Therefore, the output voltage Vs obtained in the present embodiment shown in FIG. 2A can be ensured to be larger than those of Comparative Examples 1 and 2 shown in FIGS.
1.3.複数の焦電キャパシターを自発分極させるバイアス電圧
図3は、図1に示すキャパシターCapa1〜Capa4にバイアスを印加した時の自発分極を示している。キャパシターCapa1〜Capa4の各々は、第1電極10と、第2電極14との間にPZT等の焦電体12を有する。電源EAのブラス端子を外部端子TA1に、マイナス端子を外部端子TA2に接続して、キャパシターCapa1〜Capa4に図3に示す電界Eを作用させると、分極方向が揃えられる。
1.3. Bias Voltage for Spontaneously Polarizing Multiple Pyroelectric Capacitors FIG. 3 shows the spontaneous polarization when bias is applied to the capacitors Capa1 to Capa4 shown in FIG. Each of the capacitors Capa <b> 1 to Capa <b> 4 has a
つまり、Capa1〜Capa4の各々では、第1電極10、焦電体12及び第2電極14に電界Eが作用する。このため、Capa1〜Capa4の各々では、図3の例では、第1電極10側がプラスに、第2電極14側がマイナスになるように分極方向が揃えられて分極する。その後、電界Eを解除しても、Capa1〜Capa4の各々の焦電体12では、自発分極が維持される。
That is, in each of Capa1 to Capa4, the electric field E acts on the
ここで、図3に示すように、Capa1〜Capa4の各々にて、第1電極10と第2電極14の露出面には浮遊電荷が存在する。図3の例では、第1電極10の浮遊電荷はマイナス、第2電極14の浮遊電荷はプラスと、それぞれ揃っているが、これに限定されるものではない。例えば第1キャパシターCapa1の第1電極10と第2キャパシターCapa2の第1電極10とを接続する等、Capa1〜Capa4うちの隣り合うキャパシター同士の電極接続は、第1,第2電極10,14同士、第1電極10同士または第2電極14同士等、種々の組み合わせを選択できる。また、外部端子TA1は第1キャパシターCapa1の第1,第2電極10,14のいずれか一方に接続することができ、同様に外部端子TA2も第4キャパシターCapa4の第1,第2電極10,14のいずれか一方に接続すれば良い。
Here, as shown in FIG. 3, floating charges exist on the exposed surfaces of the
焦電キャパシターを用いた光検出原理は、光に基づく熱による焦電効果(パイロ電子効果)によって、電界Eを解除した後の焦電キャパシターの自発分極量が変化し、その変化量を求めることで光量(熱量)の大きさを検出するものである。よって、少なくとも光検出前の製造時または使用時などにて少なくとも1回だけ、Capa1〜Capa4に電界Eを作用させて分極状態を生成しておけば良い。 The principle of light detection using a pyroelectric capacitor is that the amount of spontaneous polarization of the pyroelectric capacitor after the release of the electric field E changes due to the pyroelectric effect (pyro electronic effect) due to heat based on light, and the amount of change is obtained. The amount of light (amount of heat) is detected. Therefore, the polarization state may be generated by applying the electric field E to Capa1 to Capa4 at least once at the time of manufacture or use before light detection.
1.4.焦電型光検出器の構造
図4及び図5は、焦電型光検出器例えば焦電型赤外線検出器200の平面図及び断面図である。なお、図4では図1と同じく4個の焦電キャパシターを直列接続しているが、図3では紙面の関係上で3個の焦電キャパシターを直列接続した状態を示している。この焦電型赤外線検出器200は、基体20と、基体20に設けられた支持部材(メンブレン)30と、支持部材(メンブレン)30上にて直列接続された複数(図4では4個、図5では3個)の焦電キャパシターCapa1〜Capa4(Capa1〜Capa3)とを有する。なお、複数の焦電キャパシターを総称してCapaと称する。
1.4. Structure of Pyroelectric Detector FIG. 4 and FIG. 5 are a plan view and a cross-sectional view of a pyroelectric photodetector, for example, a pyroelectric infrared detector 200. In FIG. 4, four pyroelectric capacitors are connected in series as in FIG. 1, but FIG. 3 shows a state in which three pyroelectric capacitors are connected in series because of space. The pyroelectric infrared detector 200 includes a
支持部材(メンブレン)30は、図4に示すように、2つのアーム30−1,30−2を備え、2つのアーム30−1,30−2が基体20に支持されている。支持部材(メンブレン)30は、図5に示すように第1面30Aと、第1面30Aに対向する第2面30Bとを含み、第2面30Bと基体20との間に空洞部100が形成されている。この空洞部100により、支持部材(メンブレン)30と基体20とが熱分離されている。
As shown in FIG. 4, the support member (membrane) 30 includes two arms 30-1 and 30-2, and the two arms 30-1 and 30-2 are supported by the
図5に示す基体20は、例えばシリコン基板21と、シリコン基板21上に形成された絶縁膜(SiO2層)22とを有し、絶縁膜22の一部が除去されることで空洞部100が形成されている。シリコン基板21の素子領域21Aにはトランジスター等の素子40,41を形成することができる。
5 includes, for example, a
図5に示す絶縁層22のうち空洞部100以外の領域は、支持部材30の少なくとも2箇所を保持する保持部(ポスト)22A,22Bとなる。この保持部22A,22Bには、ビア31,32を設けることができる。ビア31は、絶縁層22中に設けられた配線層33と接続される。ビア32は、絶縁層22中に設けられた他の配線層34と接続される。配線層33はさらに、絶縁層22中に設けられたコンタクト35,36を介して素子40,41に接続することができる。
Regions other than the
複数の焦電キャパシターCapaの各々は、支持部材(メンブレン)30側の第1電極(下部電極)10と、支持部材(メンブレン)30側とは反対の側に設けられる、平面視における面積が、第1電極10より小さい第2電極(上部電極)14と、第1電極10と第2電極14との間に設けられる焦電体(例えば、PZT層:チタン酸ジルコン酸鉛層)12を有する。
Each of the plurality of pyroelectric capacitors Capa is provided on the side opposite to the first electrode (lower electrode) 10 on the support member (membrane) 30 side and the support member (membrane) 30 side. A second electrode (upper electrode) 14 smaller than the
複数の焦電キャパシターCapaの各々は、図5に示すように、酸化アルミニウム等の絶縁性を有する金属化合物層16により覆われている。この金属化合物層16は還元ガスバリア膜として機能する。それにより、複数の焦電キャパシターCapaの各々は、キャパシター形成後の工程で還元ガス(水素、水蒸気、OH基、メチル基など)がキャパシターに侵入することが抑制される。焦電体12は酸化物であり、酸化物が還元されると酸素欠損を生じて、焦電効果が損なわれるからである。このように、金属化合物層16により焦電体12の酸素欠損が防止されるようになったことから、一つの支持部材30上の複数の光吸収領域の各々に、各々が比較的サイズの小さな複数の焦電キャパシターCapaを形成することが可能になる。
Each of the plurality of pyroelectric capacitors Capa is covered with a
金属化合物層16は、図5に拡大して示すように、第1バリア層(第1層膜)16Aと第2バリア層(第2層膜)16Bとを含むことができる。第1バリア層16Aは、金属酸化物例えば酸化アルミニウムAl2O3をスパッタ法により成膜して形成することができる。スパッタ法では還元ガスが用いられないので、キャパシター230が還元されることはない。第2バリア層16Bは、例えば酸化アルミニウムAl2O3を例えば原子層化学気相成長(ALCVD:Atomic Layer Chemical Vapor Deposition)法により成膜して
形成すことができる。通常のCVD(Chemical Vapor Deposition)法は還元ガスを用い
るが、第1層バリア層16AによりキャパシターCapaは還元ガスから隔離される。
The
ここで、金属化合物層16のトータル膜厚は50〜70nm、例えば60nmとする。このとき、CVD法で形成される第1バリア層16Aの膜厚は原子層化学気相成長(ALCVD)法により形成される第2バリア層16Bよりも厚く、35〜65nm例えば40nmとなる。これに対して、原子層化学気相成長(ALCVD)法により形成される第2バリア層16Bの膜厚は薄くでき、例えば酸化アルミニウムAl2O3を5〜30nm例えば20nmで成膜して形成される。原子層化学気相成長(ALCVD)法は、スパッタ法等と比較して、優れた埋め込み特性を有するため、微細化に対応することが可能となり、第1,第2バリア層16A,16Bにて還元ガスバリア性を高めることができる。また、スパッタ法で成膜される第1バリア層16Aは第2バリア層16Bに比べて緻密ではないが、それが効を奏して伝熱率を下げる要因となるので、熱伝導率の低い第1バリア層16Aが焦電キャパシターCapaと第2バリア層16B間に介在することで、焦電キャパシターCapaからの熱の散逸を防止できる。
Here, the total film thickness of the
図5に示すように、金属化合物層16上には層間絶縁膜17が形成されている。一般に、層間絶縁膜17の原料ガス(TEOS)が化学反応する際には、水素ガスや水蒸気等の還元ガスが発生する。キャパシターCapaの周囲に設けた第1還元ガスバリア膜16は、この層間絶縁膜17の形成中に発生する還元ガスからキャパシターCapaを保護するものである。
As shown in FIG. 5, an
図5に示すように、層間絶縁膜17上に配線層18が配置される。層間絶縁膜17には、電極配線形成前に予め、第1コンタクトホール17Aと第2コンタクトホール17Bが形成される。その際、金属化合物層16にも同様にコンタクトホールが形成される。第1コンタクトホール17Aに埋め込まれた第1プラグ19Aにより、第1電極(下部電極)10と配線層18とが導通される。同様に第2コンタクトホール17Bに埋め込まれた第2プラグ19Bにより、第2電極(上部電極)14と配線層18とが導通される。
As shown in FIG. 5, the
本実施形態では、図5に示すように、ビア32とCapa1の下部電極10とが配線層18Aにより接続され、Capa1の上部電極14とCapa2の下部電極10が配線層18Bにより接続され、Capa2の上部電極14とCapa3の下部電極10が配線層18Cにより接続され、Capa3の上部電極14とビア31が配線層18Dにより接続されている。図4では、同様にして配線18A〜18Eを用いて4つの焦電キャパシターCapa1〜Capa4が直列接続される。
In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the via 32 and the
なお、直列接続された複数の焦電キャパシターの両端と外部端子TA1,TA2とに接続される第1配線部(図4では配線18A及び18E、図5では18A及び18D)の幅は、複数の焦電キャパシター間を接続する第2配線部(図4では配線18B〜18D、図5では18B〜18C)の幅よりも狭くすることができる。
The widths of the first wiring parts (
こうすると、熱の出口となる第1配線部(図4では配線18A及び18E、図5では18A及び18D)の幅を細くして放熱を抑制する一方で、焦電キャパシター間の第2配線部(図4では配線18B〜18D、図5では18B〜18C)は幅広として電圧降下を抑制できる。 In this way, the width of the first wiring part (wirings 18A and 18E in FIG. 4 and 18A and 18D in FIG. 5) serving as a heat outlet is reduced to suppress heat dissipation, while the second wiring part between the pyroelectric capacitors. (The wirings 18B to 18D in FIG. 4 and 18B to 18C in FIG. 5) are wide to suppress the voltage drop.
ここで、層間絶縁膜17が存在しないと、配線層18をパターンエッチングする際に、その下層の金属化合物層16(第2バリア層16B)がエッチングされて、バリア性が低下してしまう。層間絶縁膜17は、金属化合物層16のバリア性を確保する上でも、金属化合物層16上に形成することが好ましい。
Here, if the
また、層間絶縁膜17は含有水分が少なく、あるいは水素含有率が低いことが好ましい。そこで、層間絶縁膜17はアニーリングにより脱ガス処理される。こうして、層間絶縁膜17の水素含有率または含水率は、配線層18を覆う光吸収層50や、絶縁膜であるポスト(保持部)22A,22Bよりも低くされる。こうすると、層間絶縁膜17が形成された後にキャパシターCapaが高温に晒されても、層間絶縁膜17からの還元ガスの発生を抑制できる。
In addition, the
図6(A)(B)に、直列接続される2つのCapanとCapan+1との配線例を示す。図6(A)に示すように、Capanの上部電極14とCapan+1の下部電極10とを配線層18で接続するものに限らず、CpapnとCapan+1の下部電極10同士を配線層18で接続することができる。このように、2つのCapanとCapan+1間を接続するとき、下部電極10同士を接続する配線18が山状のキャパシターに沿って形成する必要がないため、配線18は最短経路となる。このため、電圧降下が小さくなり、出力電圧Vsの低下が抑制される。
6A and 6B show wiring examples of two Capans and Capan + 1 connected in series. As shown in FIG. 6A, the
あるいは、図6(B)に示すように、CpapnとCapan+1の下部電極10を共通電極として配線層18を省略することができる。こうすると、配線18を省略できる上に、共通電極は配線18よりも幅広にかつ厚肉で形成できるので、配線抵抗を格段に小さくすることができる。これにより、電圧降下が小さくなって出力電圧Vsの低下をさらに抑制できる。
Alternatively, as shown in FIG. 6B, the
なお、図6(A)(B)のいずれの場合も、図3に示すようにしてバイアス電界Eを作用させれば、CpapnとCapan+1の分極方向は一義的に定まる。 6A and 6B, if the bias electric field E is applied as shown in FIG. 3, the polarization directions of Ccapn and Capan + 1 are uniquely determined.
配線接続された焦電キャパシターCapaの上には、図5に示すように光吸収層50が形成される。図5に示す複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa3を覆って一つの光吸収層50を配置した場合、複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa3に対応するほぼ等面積の領域が個々の光吸収領域となる。図5に示す複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa3を覆って、分割された複数の光吸収層50a〜50cを形成してもよい。こうすると、一つの共通の光吸収層50を有する場合と比較して、個々の焦電キャパシターCapa1〜Capa3での放熱速度が速くなり、熱リセットを短時間で行える利点がある。
A
上述した実施形態は、下部電極10が上部電極14よりも広いプレーナー構造であったが、図7に示すようにスタック構造の焦電キャパシターCapaにも本発明を適用することができる。スタック構造の焦電キャパシターCapaは、図7に示すように、第1電極10、焦電体12及び第2電極14の横断面積が実質的に等しい。よって、プレーナー構造の焦電キャパシターとは異なり、第1電極10への配線を層間絶縁層17の上方に設けることができない。
Although the embodiment described above has a planar structure in which the
このため、支持部材(メンブレン)30を多層構造とし、その一層を配線18Bとする。この配線18Bは、隣り合う2つの焦電キャパシターCapaの第1電極(下部電極)10同士を接続する。支持部材30中の配線18Bは、支持部材30に形成されたコンタクトホール30C,30Dに充填されたプラグ19C,19Dにより、2つの焦電キャパシターCapaの第1電極(下部電極)10に接続される。
For this reason, the support member (membrane) 30 has a multi-layer structure, and one layer is a
1.5.光吸収領域と焦電体の輪郭線の関係
次に、光吸収領域AR1〜AR4と焦電体12の輪郭線の関係について検討する。図8は、複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々の焦電体12は、輪郭がn(nは3以上の整数)角形、例えば四角形である例を示す。第1焦電キャパシターCapa1の焦電体12は、第1〜第n輪郭線K1a〜K4aを含む。第1焦電キャパシターCapa1に対応する光吸収領域AR1は、第1焦電キャパシターCapa1の焦電体12の第m輪郭線(1≦m≦n)に対向する第m対向輪郭線を有し、第m輪郭線と第m対向輪郭線との間の距離dm(d1a,d2a,d3a,d4a)は、mの値に拘わらず一定とすることができる(d1a=d2a=d3a=d4a)。他のキャパシターCapa2〜Capa4の各々の焦電体12も輪郭がn(nは3以上の整数)角形例えば四角形であり、第1〜第n輪郭線K1b〜K4b,K1c〜K1c及びK1d〜K4daを含む。そして、同様に第m輪郭線と第m対向輪郭線との間の距離dmは、mの値に拘わらず一定とすることができる(d1b=d2b=d3b=d4b,d1c=d2c=d3c=d4c,d1d=d2d=d3d=d4d)。
1.5. Next, the relationship between the light absorption areas AR1 to AR4 and the outline of the
このように、光吸収領域AR1〜AR4の各一つと複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々の焦電体12とは、相似形のn角形となる。よって、一つの光吸収領域では第1重心(G1a〜G1d)から第m対向輪郭線までの距離がmの値に拘わらず等しく、複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々の焦電体12でも第2重心(G2a〜G2d)から第m輪郭線までの距離がmの値にかかわらず等しくなる。これによって、光吸収領域AR1〜AR4の各々で発生した熱を、一つの焦電キャパシターCapaの焦電体12に均等に集めることができる。
Thus, each one of the light absorption regions AR1 to AR4 and each of the
なお、図2は複数の焦電キャパシターCapa1〜Capa4の各々の焦電体12は輪郭が円であり、焦電体12の輪郭を円や楕円とすると、図2では焦電体12の輪郭から光吸収領域AR1〜AR4の輪郭までの距離は位置によって異なる。よって、熱伝達の均一性は図8の方が優れているが、焦電体12の輪郭を円や楕円としても上述した距離の相違は比較的小さいので、図2にて説明した効果を奏することができる。
In FIG. 2, the
1.6.支持部材に形成される貫通孔
図9(A)(B)は、不均一な熱伝達構造と熱伝達特性とを示している。図9(A)は、図2や図8で説明した条件を満たしていないレイアウト例を示している。この場合、光吸収領域AR1〜AR4の各々で、光吸収領域AR1〜AR4の周縁から焦電体12に至る熱伝達パスの長さが区々となっている。
1.6. Through-holes formed in support member FIGS. 9A and 9B show non-uniform heat transfer structures and heat transfer characteristics. FIG. 9A shows a layout example that does not satisfy the conditions described in FIG. 2 and FIG. In this case, in each of the light absorption regions AR1 to AR4, the length of the heat transfer path from the periphery of the light absorption regions AR1 to AR4 to the
図9(B)は、不均一な熱伝達特性の一例を示している。図9(B)の例では、4つの焦電体12の3つで熱流量TP1〜TP3のピーク位置は揃っているが、熱流量TP1〜TP3のピークレベルが異なっている。さらに悪いことに、4つの焦電体12の残りの1つで熱流量TP4のピーク位置が他の3つの熱流量TP1〜TP3のピーク位置からずれている。よって、熱流量TP1〜TP4をある時刻でサンプリングした時、4つの熱流量TP1〜TP4のピーク位置とピークレベルが揃ったものと比較すると、出力電圧Vsは低下してしまうことが分かる。本実施形態では、4つの熱流量TP1〜TP4のピーク位置とピークレベルをほぼ同一に揃えることができる。
FIG. 9B shows an example of non-uniform heat transfer characteristics. In the example of FIG. 9B, the peak positions of the heat flow rates TP1 to TP3 are aligned in three of the four
本実施形態では、一つの支持部材30上に複数の焦電キャパシターCapaを搭載することから、複数の焦電キャパシターCapaのうち隣り合う2つの焦電キャパシターCapaの間にスペースが確保される。そこで、図10に示すように、支持部材8メンブレン)30は、複数の焦電キャパシターCapaのうち隣り合う2つの焦電キャパシターCapaの間の領域に、少なくとも一つの貫通孔CN1〜CN6を有することができる。
In the present embodiment, since a plurality of pyroelectric capacitors Capa are mounted on one
ここで、図5に示す空洞部102には、支持部材30、焦電キャパシターCapa等を基体20上に形成する際には、犠牲層が埋め込まれている。そして、基体20上の全面に支持部材30となる材料層を形成し、その材料層上に焦電キャパシターCapa等を形成した後に、支持部材30となる材料層は例えば図4に示すように2本のアーム30−1,30−2を有する支持部材20の形状にエッチングされる。そのエッチング時に、図5に示す貫通孔CN1〜CN6も同時に形成される。
Here, a sacrificial layer is embedded in the cavity 102 shown in FIG. 5 when the
犠牲層はエッチチャントを用いて等方性エッチングされるが、貫通孔CN1〜CN6がエッチャントの供給口として使用される。それにより、支持部材30の下方の犠牲層までエッチャントが回り込みやすくなって、等方性エッチングにより犠牲層を除去し易くなる。
Although the sacrificial layer is isotropically etched using an etchant, the through holes CN1 to CN6 are used as supply ports for the etchant. As a result, the etchant can easily reach the sacrificial layer below the
2.第2の実施形態
図11は、焦電型光検出装置(焦電型光検出アレイ)の回路構成の一例を示す回路図である。図11の例では、複数の光検出セル(すなわち、焦電型光検出器200a〜200d等)が、二次元的に配置されている。なお、図11に示す焦電キャパシターCapaは、上述した通り複数個直列接続されたものである。複数の光検出セル(焦電型光検出器200a〜200d等)の中から一つの光検出セルを選択するために、走査線(W1a,W1b等)と、データ線(D1a,D1b等)が設けられている。
2. Second Embodiment FIG. 11 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a pyroelectric detection device (pyroelectric detection array). In the example of FIG. 11, a plurality of photodetection cells (that is,
第1の光検出セルとしての焦電型光検出器200aは、複数個直列接続された焦電キャパシターCapaと、素子選択トランジスターM1aと、を有する。焦電キャパシターCapaの両極の電位関係は、ドライバPDr1に印加する電位によって、図3に示す通り、電界Eの方向によって一義的に決定される。光検出時には、ドライバPDr1の出力は接地されている。なお、他の光検出セルも同様の構成である。1つの光検出セルが占める領域のサイズは、例えば20μm×20μmである。
The
データ線D1aの電位は、リセットトランジスターM2をオンすることによって初期化することができる。検出信号の読み出し時には、読み出しトランジスターM3がオンする。焦電効果によって生じる電流は、I/V変換回路510によって電圧に変換され、アンプ600によって増幅され、A/D変換器700によってデジタルデータに変換される。
The potential of the data line D1a can be initialized by turning on the reset transistor M2. When reading the detection signal, the read transistor M3 is turned on. A current generated by the pyroelectric effect is converted into a voltage by the I /
本実施形態では、複数の焦電型光検出器が二次元的に配置された(例えば、直交2軸(X軸およびY軸)の各々に沿ってアレイ状に配置された)、焦電型光検出装置(焦電型光アレイセンサー)が実現される。 In the present embodiment, a plurality of pyroelectric detectors are two-dimensionally arranged (for example, arranged in an array along each of two orthogonal axes (X axis and Y axis)). A photodetector (pyroelectric optical array sensor) is realized.
3.第3実施形態
本実施形態では、電子機器について説明する。
3. Third Embodiment In this embodiment, an electronic device will be described.
3.1.赤外線カメラ
図12に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として赤外線カメラ400Aの構成例を示す。この赤外線カメラ400Aは、光学系400、センサーデバイス(焦電型光検出装置)410、画像処理部420、処理部430、記憶部440、操作部450、表示部460を含む。
3.1. Infrared Camera FIG. 12 shows a configuration example of an
光学系400は、例えば1又は複数のレンズや、これらのレンズを駆動する駆動部などを含む。そしてセンサーデバイス410への物体像の結像などを行う。また必要であればフォーカス調整なども行う。
The
センサーデバイス410は、上述した本実施形態の焦電型光検出器200を二次元配列させて構成され、複数の行線(ワード線、走査線)と複数の列線(データ線)が設けられる。センサーデバイス410は、二次元配列された検出器に加えて、行選択回路(行ドライバー)と、列線を介して検出器からのデータを読み出す読み出し回路と、A/D変換部等を含むことができる。二次元配列された各検出器からのデータを順次読み出すことで、物体像の撮像処理を行うことができる。
The
画像処理部420は、センサーデバイス410からのデジタルの画像データ(画素データ)に基づいて、画像補正処理などの各種の画像処理を行う。
The
処理部430は、赤外線カメラ400Aの全体の制御を行い、赤外線カメラ400A内の各ブロックの制御を行う。この処理部430は、例えばCPU等により実現される。記憶部440は、各種の情報を記憶するものであり、例えば処理部430や画像処理部420のワーク領域として機能する。操作部450は、ユーザーが赤外線カメラ400Aを操作するためのインターフェースとなるものであり、例えば各種ボタンやGUI(Graphical User Interface)画面などにより実現される。表示部460は、例えばセンサーデバイス410により取得された画像やGUI画面などを表示するものであり、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの各種のディスプレイにより実現される。
The
このように、1セル分の焦電型光検出器を赤外線センサー等のセンサーとして用いる他、1セル分の焦電型光検出器を二軸方向例えば直交二軸方向に二次元配置することでセンサーデバイス410を構成することができ、こうすると熱(光)分布画像を提供することができる。このセンサーデバイス410を用いて、サーモグラフィー、車載用ナイトビジョンあるいは監視カメラなどの電子機器を構成することができる。
In this way, the pyroelectric detector for one cell is used as a sensor such as an infrared sensor, and the pyroelectric detector for one cell is two-dimensionally arranged in two axes, for example, two orthogonal axes. The
もちろん、1セル分または複数セルの焦電型光検出器をセンサーとして用いることで物体の物理情報の解析(測定)を行う解析機器(測定機器)、火や発熱を検知するセキュリティー機器、工場などに設けられるFA(Factory Automation)機器などの各種の電子機器を構成することもできる。 Of course, analysis equipment (measuring equipment) that analyzes (measures) physical information of objects by using a pyroelectric detector for one cell or multiple cells as a sensor, security equipment that detects fire and heat generation, factories, etc. Various electronic devices such as FA (Factory Automation) devices provided in the system can also be configured.
3.2.運転支援装置
図13に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、運転支援装置600の構成例を示す。この運転支援装置600は、運転支援装置600を制御するCPUを備えた処理ユニット610と、車両外部の所定撮像領域に対して赤外線を検出可能な赤外線カメラ620と、車両のヨーレートを検出するヨーレートセンサー630と、車両の走行速度を検出する車速センサー640と、運転者のブレーキ操作の有無を検出するブレーキセンサー650と、スピーカー660と、表示装置670とを備えて構成されている。
3.2. Driving Support Device FIG. 13 shows a configuration example of a driving
この運転支援装置600の処理ユニット610は、例えば赤外線カメラ620の撮像により得られる自車両周辺の赤外線画像と、各センサー630〜650により検出される自車両の走行状態に係る検出信号とから、自車両の進行方向前方に存在する物体及び歩行者などの対象物を検出し、検出した対象物と自車両との接触が発生する可能性があると判断したときに、スピーカー660または表示装置670により警報を出力する。
For example, the
また、たとえば図14に示すように、赤外線カメラ620は、車両の前部において車幅方向の中心付近に配置されている。表示装置670は、フロントウィンドーにおいて運転者の前方視界を妨げない位置に各種情報を表示するHUD(Head Up Display)671などを備えて構成されている。
For example, as shown in FIG. 14, the
3.3.セキュリティー機器
図15に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、セキュリティー機器700の構成例を示す。
3.3. Security Device FIG. 15 shows a configuration example of a
セキュリティー機器700は、少なくとも監視エリアを撮影する赤外線カメラ710と、監視エリアへの侵入者を検知する人感センサー720と、赤外線カメラ710から出力された画像データを処理して監視エリアに侵入した移動体を検知する動き検知処理部730と、人感センサー720の検知処理を行う人感センサー検知処理部740と、赤外線カメラ710から出力された画像データを所定の方式で圧縮する画像圧縮部750と、圧縮された画像データや侵入者検知情報の送信や外部装置からセキュリティー機器700への各種設定情報などを受信する通信処理部760と、セキュリティー機器700の各処理部に対して条件設定、処理コマンド送信、レスポンス処理をCPUで行う制御部770とを備えて構成されている。
The
動き検知処理部730は、図示しないバッファメモリーと、バッファメモリーの出力が入力されるブロックデータ平滑部と、ブロックデータ平滑部の出力が入力される状態変化検出部とを備える。そして動き検出処理部730の状態変化検出部は、監視エリアが静止状態であれば動画で撮影した異なるフレームでも同一画像データとなるが、状態変化(移動体の侵入)があるとフレーム間の画像データで差が生じることを利用して状態変化を検知している。 The motion detection processing unit 730 includes a buffer memory (not shown), a block data smoothing unit to which the output of the buffer memory is input, and a state change detection unit to which the output of the block data smoothing unit is input. The state change detection unit of the motion detection processing unit 730 uses the same image data even in different frames taken by a moving image if the monitoring area is in a stationary state. A change in state is detected by utilizing the difference in data.
また、たとえば軒下に設置されているセキュリティー機器700と、セキュリティー機器700に組み込まれている赤外線カメラ710の撮像エリアA1と、人感センサー720の検知エリアA2を側面から示したものを図16に示す。
For example, FIG. 16 shows the
3.4.ゲーム機器
図17および図18は、本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、前述のセンサーデバイス410を用いたコントローラー820を含むゲーム機器800の構成例を示す。
3.4. FIG. 17 and FIG. 18 show a
図17に示すように、図18のゲーム機器800に用いられるコントローラー820は、撮像情報演算ユニット830と、操作スイッチ840と、加速度センサー850と、コネクター860と、プロセッサー870と、無線モジュール880と、を備えて構成される。
As shown in FIG. 17, the
撮像情報演算ユニット830は、撮像ユニット831と、この撮像ユニット831で撮像した画像データを処理するための画像処理回路835を有する。撮像ユニット831は、センサーデバイス832(図12のセンサーデバイス410)を含み、その前方には、赤外線フィルター(赤外線だけを通すフィルター)833及び光学系(レンズ)834を配置している。そして、画像処理回路835は、撮像ユニット831から得られた赤外線画像データを処理して、高輝度部分を検知し、それの重心位置や面積を検出してこれらのデータを出力する。
The imaging
プロセッサー870は、操作スイッチ840からの操作データと、加速度センサー850からの加速度データおよび高輝度部分データを一連のコントロールデータとして出力する。無線モジュール880は所定周波数の搬送波をこのコントロールデータで変調し、アンテナ890から電波信号として出力する。
The
なおコントローラー820に設けられているコネクター860を通して入力されたデータもプロセッサー870によって上述のデータと同様に処理されてコントロールデータとして無線モジュール880とアンテナ890を介して出力される。
Data input through a
図18に示すように、ゲーム機器800は、コントローラー820と、ゲーム機本体810と、ディスプレイ811と、LEDモジュール812Aおよび812Bとを備え、プレイヤー801が一方の手でコントローラー820を把持してゲームをプレイすることができる。そして、コントローラー820の撮像ユニット831をディスプレイ811の画面813を向くようにすると、ディスプレイ811の近傍に設置された二つのLEDモジュール812Aおよび812Bから出力される赤外線を撮像ユニット831が検知して、コントローラー820は、二つのLEDモジュール812A,812Bの位置や面積情報を高輝度点の情報として取得する。輝点の位置や大きさのデータがコントローラー820から無線でゲーム機本体810に送信され、ゲーム機本体810で受信される。プレイヤー801がコントローラー820を動かすと、輝点の位置や大きさのデータが変化するため、それを利用して、ゲーム機本体810はコントローラー820の動きに対応した操作信号を取得できるので、それにしたがってゲームを進行させることができる。
As shown in FIG. 18, the
3.5.体温測定装置
図19に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、体温測定装置900の構成例を示す。
3.5. Body Temperature Measuring Device FIG. 19 shows a configuration example of a body
図19に示すように、体温測定装置900は、赤外線カメラ910と、体温分析装置920と、情報通信装置930と、ケーブル940とを備えて構成されている。赤外線カメラ910は、図示しないレンズなどの光学系と前述のセンサーデバイス410を含んで構成されている。
As shown in FIG. 19, the body
赤外線カメラ910は所定の対象領域を撮影し、撮影された対象者901の画像情報を、ケーブル940を経由して体温分析装置920に送信する。体温分析装置920は、図示しないが、赤外線カメラ910からの熱分布画像を読み取る画像読取処理ユニットと、画像読取処理ユニットからのデータと画像分析設定テーブルに基づいて体温分析テーブルを作成する体温分析処理ユニットとを含み、体温分析テーブルに基づいて体温情報送信用データを情報通信装置930へ送信する。この体温情報送信用データは体温異常であることに対応する所定のデータを含んでもよい。また、撮影領域内に複数の対象者901を含んでいると判断した場合には、対象者901の人数と体温異常者の人数の情報を体温情報送信用データに含んでもよい。
The
3.6.特定物質探知装置
図20に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、前述のセンサーデバイス410の焦電型光検出器の光吸収材の吸収波長をテラヘルツ域としたセンサーデバイスをテラヘルツ光センサーデバイスとして用い、テラヘルツ光照射ユニットと組み合わせて特定物質探知装置1000を構成した例を示す。
3.6. Specific Substance Detection Device FIG. 20 shows the absorption of the light absorbing material of the pyroelectric detector of the
特定物質探知装置1000は、制御ユニット1010と、照射光ユニット1020と、光学フィルター1030と、撮像ユニット1040と、表示部1050とを備えて構成されている。撮像ユニット1040は、図示しないレンズなどの光学系と前述の焦電型光検出器の光吸収材の吸収波長をテラヘルツ域としたセンサーデバイスを含んで構成されている。
The specific
制御ユニット1010は、本装置全体を制御するシステムコントローラーを含み、該システムコントローラーは制御ユニットに含まれる光源駆動部および画像処理ユニットを制御する。照射光ユニット1020は、テラヘルツ光(波長が100μm〜1000μmの範囲にある電磁波を指す。)出射するレーザー装置と光学系を含み、テラヘルツ光を検査対象の人物1060に照射する。人物1060からの反射テラヘルツ光は、探知対象である特定物質1070の分光スペクトルのみを通過させる光学フィルター1030を介して撮像ユニット1040に受光される。撮像ユニット1040で生成された画像信号は、制御ユニット1010の画像処理ユニットで所定の画像処理が施され、その画像信号が表示部1050へ出力される。そして人物1060の衣服内等に特定物質1070が存在するか否かにより受光信号の強度が異なるので特定物質1070の存在が判別できる。
The
以上、いくつかの電子機器の実施形態について説明したが、上記実施形態の電子機器は説明した構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば光学系、操作部、表示部等)を省略し、あるいは他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。 Although some embodiments of the electronic device have been described above, the electronic device of the above embodiment is not limited to the configuration described, and some of the components (for example, an optical system, an operation unit, a display unit, etc.) are omitted. However, various modifications such as adding other components are possible.
3.7.センサーデバイス
図21(A)に図19のセンサーデバイス410の構成例を示す。このセンサーデバイスは、センサーアレイ500と、行選択回路(行ドライバー)510と、読み出し回路520を含む。またA/D変換部530、制御回路550を含むことができる。行選択回路(行ドライバー)510と読み出し回路520を駆動回路と称する。このセンサーデバイスを用いることで、図12に示す、たとえばナイトビジョン機器などに用いられる赤外線カメラ400Aなどを実現できる。
3.7. Sensor Device FIG. 21A shows a configuration example of the
センサーアレイ500には、例えば図11に示すように二軸方向に複数のセンサーセルが配列(配置)される。また複数の行線(ワード線、走査線)と複数の列線(データ線)が設けられる。なお行線及び列線の一方の本数が1本であってもよい。例えば行線が1本である場合には、図21(A)において行線に沿った方向(横方向)に複数のセンサーセルが配列される。一方、列線が1本である場合には、列線に沿った方向(縦方向)に複数のセンサーセルが配列される。
In the
図21(B)に示すように、センサーアレイ500の各センサーセルは、各行線と各列線の交差位置に対応する場所に配置(形成)される。例えば図21(B)のセンサーセルは、行線WL1と列線DL1の交差位置に対応する場所に配置されている。他のセンサーセルも同様である。
As shown in FIG. 21B, each sensor cell of the
行選択回路510は、1又は複数の行線に接続される。そして各行線の選択動作を行う。例えば図21(B)のようなQVGA(320×240画素)のセンサーアレイ500(焦点面アレイ)を例にとれば、行線WL0、WL1、WL2・・・・WL239を順次選択(走査)する動作を行う。即ちこれらの行線を選択する信号(ワード選択信号)をセンサーアレイ500に出力する。
The
読み出し回路520は、1又は複数の列線に接続される。そして各列線の読み出し動作を行う。QVGAのセンサーアレイ500を例にとれば、列線DL0、DL1、DL2・・・・DL319からの検出信号(検出電流、検出電荷)を読み出す動作を行う。
The
A/D変換部530は、読み出し回路520において取得された検出電圧(測定電圧、到達電圧)をデジタルデータにA/D変換する処理を行う。そしてA/D変換後のデジタルデータDOUTを出力する。具体的には、A/D変換部530には、複数の列線の各列線に対応して各A/D変換器が設けられる。そして、各A/D変換器は、対応する列線において読み出し回路520により取得された検出電圧のA/D変換処理を行う。なお、複数の列線に対応して1つのA/D変換器を設け、この1つのA/D変換器を用いて、複数の列線の検出電圧を時分割にA/D変換してもよい。
The A /
制御回路550(タイミング生成回路)は、各種の制御信号を生成して、行選択回路510、読み出し回路520、A/D変換部530に出力する。例えば充電や放電(リセット)の制御信号を生成して出力する。或いは、各回路のタイミングを制御する信号を生成して出力する。
The control circuit 550 (timing generation circuit) generates various control signals and outputs them to the
以上、いくつかの実施形態について説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。例えば、基体は、基板、ベースあるいは基盤、支持基盤などあらゆる支持構造を指すものとする。 Although several embodiments have been described above, it is easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without substantially departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, a term described at least once together with a different term having a broader meaning or the same meaning in the specification or the drawings can be replaced with the different term in any part of the specification or the drawings. For example, the base means any support structure such as a substrate, a base or base, and a support base.
本発明は、種々の焦電型光検出器に広く適用することができる。検出する光の波長は問わない。また、焦電型光検出器または焦電型光検出装置、あるいはそれらを有する電子機器は、例えば、供給する熱量と流体が奪う熱量とが均衡する条件下にて流体の流量を検出するフローセンサーなどにも適用できる。このフローセンサーに設けられる熱伝対などに代えて本発明の焦電型検出器または焦電型検出装置を設けることができ、光以外を検出対象とすることができる。 The present invention can be widely applied to various pyroelectric detectors. The wavelength of the light to detect is not ask | required. In addition, the pyroelectric light detector or the pyroelectric light detecting device, or the electronic device having them, for example, is a flow sensor that detects the flow rate of a fluid under a condition in which the amount of heat supplied and the amount of heat taken by the fluid are balanced. It can also be applied. Instead of the thermocouple provided in this flow sensor, the pyroelectric detector or pyroelectric detection device of the present invention can be provided, and objects other than light can be detected.
以上説明したように、本発明の少なくとも一つの実施形態によれば、例えば、焦電型光検出器の検出感度を、格段に向上させることができる。 As described above, according to at least one embodiment of the present invention, for example, the detection sensitivity of a pyroelectric detector can be significantly improved.
10 第1電極(下部電極)、12 焦電体、14 第2電極(上部電極)、
16 金属化合物層、18 配線、20 基体、30 支持部材、50 光吸収層、
100 空洞部、200 検出器、 AR1〜AR4 光吸収領域、
Capa キャパシター、CN1〜CN6 貫通孔、G1a〜G1d 第1重心、
G2a〜G2d 第2重心、
J1〜J4 焦電体の輪郭線を二次元面に投影した領域、
K1a〜K4d 輪郭線、d1a〜d4d 距離、
TA1,TA2 外部端子
10 first electrode (lower electrode), 12 pyroelectric material, 14 second electrode (upper electrode),
16 metal compound layer, 18 wiring, 20 substrate, 30 support member, 50 light absorption layer,
100 cavity part, 200 detector, AR1-AR4 light absorption region,
Capa capacitor, CN1 to CN6 through hole, G1a to G1d first center of gravity,
G2a to G2d second center of gravity,
J1 to J4 A region in which the outline of the pyroelectric material is projected onto a two-dimensional surface,
K1a to K4d contour line, d1a to d4d distance,
TA1, TA2 External terminal
Claims (11)
第1面と、前記第1面に対向する第2面とを含み、前記第2面と前記基体との間に空洞部を介して配置される支持部材と、
前記支持部材に支持された、それぞれ焦電体を含む複数の焦電キャパシターと、
前記複数の焦電キャパシターのそれぞれに接して設けられる光吸収層と、
を有し、
前記複数の焦電キャパシターは電気的に接続され、
前記光吸収層は前記複数の焦電キャパシターの各々に対応する複数の光吸収領域からなり、
基体の厚み方向からの平面視で、前記複数の光吸収領域の各々の重心は、前記複数の光吸収領域の各々が対応する各一つの焦電キャパシターの前記焦電体と重なる位置に存在することを特徴とする焦電型光検出器。 A substrate;
A support member including a first surface and a second surface facing the first surface, the support member being disposed between the second surface and the base via a cavity portion;
A plurality of pyroelectric capacitors each including a pyroelectric material supported by the support member;
A light absorbing layer provided in contact with each of the plurality of pyroelectric capacitors;
Have
The plurality of pyroelectric capacitors are electrically connected;
The light absorption layer comprises a plurality of light absorption regions corresponding to each of the plurality of pyroelectric capacitors,
In plan view from the thickness direction of the substrate, the center of gravity of each of the plurality of light absorption regions exists at a position where each of the plurality of light absorption regions overlaps the pyroelectric body of each one of the pyroelectric capacitors corresponding thereto. A pyroelectric detector characterized by that.
前記平面視で、前記複数の光吸収領域の各々の重心は、前記複数の光吸収領域の各々が対応する各一つの焦電キャパシターの前記焦電体の重心と重なりを有することを特徴とする焦電型光検出器。 In claim 1,
The center of gravity of each of the plurality of light absorption regions has an overlap with the center of gravity of the pyroelectric body of each one of the plurality of light absorption regions corresponding to each of the plurality of light absorption regions in the plan view. Pyroelectric detector.
前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体は、輪郭がn(nは3以上の整数)角形であって、第1輪郭線ないし第n輪郭線を含み、
前記複数の焦電キャパシターの各々に対応する複数の光吸収領域の各々の輪郭は、前記焦電体の第m輪郭線(1≦m≦n)に対向する第m対向輪郭線を有し、
前記第m輪郭線と前記第m対向輪郭線との間の距離dmは、mの値に拘わらず一定であることを特徴とする焦電型光検出器。 In claim 1 or 2,
The pyroelectric body of each of the plurality of pyroelectric capacitors has an n-shaped outline (n is an integer of 3 or more) and includes a first outline to an n-th outline,
Each of the plurality of light absorption regions corresponding to each of the plurality of pyroelectric capacitors has an m-th opposing contour line facing the m-th contour line (1 ≦ m ≦ n) of the pyroelectric body,
A pyroelectric detector, wherein a distance dm between the m-th contour line and the m-th counter contour line is constant regardless of the value of m.
前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体の輪郭は、円または楕円であることを特徴とする焦電型光検出器。 In claim 1 or 2,
An outline of the pyroelectric body of each of the plurality of pyroelectric capacitors is a circle or an ellipse.
前記複数の焦電キャパシターの各々は、前記焦電体を挟む第1電極及び第2電極を含み、前記第1電極は前記支持部材に支持され、かつ、前記平面視における前記第1電極の面積が前記第2電極の面積よりも大きいプレーナー型キャパシターであることを特徴とする焦電型光検出器。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
Each of the plurality of pyroelectric capacitors includes a first electrode and a second electrode that sandwich the pyroelectric body, the first electrode is supported by the support member, and an area of the first electrode in the plan view A pyroelectric detector having a planar capacitor larger than the area of the second electrode.
前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体は、側面が電気的絶縁性の金属化合物層により覆われていることを特徴とする焦電型光検出器。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
The pyroelectric detector of each of the plurality of pyroelectric capacitors, wherein a side surface of the pyroelectric body is covered with an electrically insulating metal compound layer.
前記光吸収層は、前記複数の焦電キャパシターの各々に対応して分割形成された複数の光吸収層からなることを特徴とする焦電型光検出器。 In any one of Claims 1 thru | or 6.
2. The pyroelectric detector according to claim 1, wherein the light absorption layer is composed of a plurality of light absorption layers that are divided and formed corresponding to each of the plurality of pyroelectric capacitors.
前記支持部材は、前記複数の焦電キャパシターのうち隣り合う2つの焦電キャパシターの間の領域に、貫通孔を有することを特徴とする焦電型光検出器。 In claim 7,
The pyroelectric detector according to claim 1, wherein the support member has a through hole in a region between two adjacent pyroelectric capacitors among the plurality of pyroelectric capacitors.
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