JP2013094925A - Correction carrier and polishing device - Google Patents
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Abstract
【課題】定盤の研磨面を高精度に平坦にすることが可能な修正キャリア及び研磨装置を提供する。
【解決手段】両面研磨装置22の定盤25,27の研磨面25a,27aを平坦に研磨するために用いられる、厚さ方向の貫通孔10a,10b,10c,10dを備えている修正キャリア1であって、前記貫通孔10a,10b,10c,10dは主面の中心を避けた位置にあることを特徴とする。
【選択図】図1A correction carrier and a polishing apparatus capable of flattening a polishing surface of a surface plate with high accuracy are provided.
A modified carrier 1 having through holes 10a, 10b, 10c, and 10d in the thickness direction used for flatly polishing polishing surfaces 25a and 27a of surface plates 25 and 27 of a double-side polishing apparatus 22. In addition, the through holes 10a, 10b, 10c, and 10d are located at positions avoiding the center of the main surface.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、研磨装置が備えた定盤の研磨面の修正に用いられる修正キャリア及び研磨装置に関する。 The present invention relates to a correction carrier and a polishing apparatus used for correcting a polishing surface of a surface plate provided in the polishing apparatus.
従来、半導体や水晶振動子を製造する過程において、素板となるウェーハの表面の傷や歪みを除去するために、ウェーハ表面の研磨が行われている。
ウェーハ表面の研磨には研磨装置が使用される。研磨装置には、ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置と、ウェーハの片面を研磨する片面研磨装置とが存在する。両面研磨装置は、片面研磨装置に比較して厚み精度に優れており、水晶振動子を製造する際の素板となる水晶ウェーハの研磨に用いられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the process of manufacturing a semiconductor or a crystal resonator, the wafer surface is polished in order to remove scratches and distortions on the surface of the wafer serving as a base plate.
A polishing apparatus is used for polishing the wafer surface. The polishing apparatus includes a double-side polishing apparatus that simultaneously polishes both sides of a wafer and a single-side polishing apparatus that polishes one side of a wafer. The double-side polishing apparatus is superior in thickness accuracy as compared with the single-side polishing apparatus, and is used for polishing a quartz wafer that is a base plate for manufacturing a quartz resonator.
図13は、従来における両面研磨装置22の斜視図である。両面研磨装置22は、回転中心に配置された駆動軸23と、駆動軸23によって回転駆動されるサンギア24と、このサンギア24の周囲にサンギア24と同心状に設けられた環状の下定盤25と、下定盤25の周囲に配置されサンギア24と同心に形成されて回転駆動されるインターナルギア26と、下定盤25の上方に配置される環状の上定盤27とを備えている。サンギア24とインターナルギア26の間には、水晶ウェーハ等のワークWを保持したキャリア21が配置される。
FIG. 13 is a perspective view of a conventional double-
ワークWの研磨を行うには、キャリア21の保持孔21pにワークWを収納し、キャリア21の外周面に設けられた歯車21gがサンギア24とインターナルギア26に同時に噛合するようにキャリア21を組み込む。さらに、上定盤27と下定盤25とでキャリア21を挟み込んで荷重をかける。そして、研磨面に研磨材(スラリー)を供給しつつ、駆動機構(不図示)を駆動させて、サンギア24と、インターナルギア26と、上定盤27と、下定盤25とを回転させる。これにより、図14に示すように、サンギア24とインターナルギア26に噛合しているキャリア21は、サンギア24の回りを自転公転しながら回転するいわゆる遊星運動を行う。上下定盤25,27は各々反対方向又は同一方向に回転させることによって、ワークWの研磨を行う。
In order to polish the workpiece W, the workpiece W is accommodated in the
上下の定盤の材料として鉄を用いた場合は、装置はラップ盤と呼ばれ、定盤でワークWのラッピングを行うことができる。一方、定盤に樹脂等のパッドを貼り付けた場合は、装置はポリッシュ盤と呼ばれ、定盤でワークWのポリッシュを行うことができる。研磨材としては、ラップ盤の場合は粒径数μ〜数十μmのカーボン系やアルミナ系の研磨材が使用され、ポリッシュ盤の場合は粒径1μmほどの酸化セリウムや最近ではジルコニアが使用される。 When iron is used as the material for the upper and lower surface plates, the apparatus is called a lapping machine, and the workpiece W can be wrapped by the surface plate. On the other hand, when a pad made of resin or the like is attached to the surface plate, the apparatus is called a polish plate, and the work W can be polished on the surface plate. For the lapping machine, a carbon or alumina abrasive with a particle size of several μ to several tens of μm is used for the lapping machine, and cerium oxide with a particle diameter of about 1 μm or recently zirconia is used for the polishing machine. The
このような研磨装置で、ワークとして、精密部品である水晶振動子の素板となる水晶ウェーハを研磨する場合、高い精度でワークを平坦に研磨することが要求される。定盤によってワークを研磨すると、ワークには定盤の研磨面が転写されることとなるため、年々要求が高くなるワークの高精度化に対応するためには、定盤の研磨面の平坦度を高精度に維持・管理することが必要となる。 In such a polishing apparatus, when a quartz wafer serving as a base plate of a quartz oscillator, which is a precision component, is polished as a workpiece, it is required to polish the workpiece flatly with high accuracy. When a workpiece is polished with a surface plate, the polishing surface of the surface plate is transferred to the workpiece. Therefore, the flatness of the polishing surface of the surface plate is necessary in order to cope with the higher accuracy of the workpiece, which is increasingly demanded year by year. Must be maintained and managed with high accuracy.
しかしながら、ワークの研磨加工を繰り返すうちに、定盤の研磨面は削れたり変形してしまう。したがって、ある程度の回数や時間だけ研磨加工を行った後には、定盤の研磨面を平坦に修正する作業が必要となる。この作業は「定盤修正」と呼ばれる。 However, the polishing surface of the surface plate is scraped or deformed as the workpiece is repeatedly polished. Therefore, after polishing for a certain number of times and time, an operation for correcting the polishing surface of the surface plate to be flat is required. This operation is called “fixing the surface plate”.
定盤修正を行う際には、キャリアを研磨装置から取り出し、その代わりに修正用のキャリア(以下「修正キャリア」という)をセットする。そして、ワークの研磨加工の場合と同じように、定盤に荷重を掛け、研磨面に研磨材を供給しつつ、修正キャリア及び定盤を回転させる。この回転を数十分から数時間行う。 When performing the surface plate correction, the carrier is taken out from the polishing apparatus, and a correction carrier (hereinafter referred to as “correction carrier”) is set instead. Then, as in the case of workpiece polishing, a load is applied to the surface plate, and the correction carrier and the surface plate are rotated while supplying an abrasive to the polishing surface. This rotation is performed for several tens of minutes to several hours.
修正キャリアは、剛性を持たせるため、また、定盤修正により摩耗することから、厚みが20〜30mmと、研磨用のキャリアよりも厚い。また、修正キャリアの主面中央部には、研磨材を研磨面に満遍なく行き渡らせるための貫通孔が設けられている。 The correction carrier has a thickness of 20 to 30 mm, which is thicker than the polishing carrier, in order to give rigidity and wear due to the correction of the surface plate. In addition, a through-hole is provided in the central portion of the main surface of the correction carrier so that the abrasive is evenly distributed over the polishing surface.
従来の修正キャリアとして、例えば、特許文献1には、修正キャリアの中央部に設ける孔の面積を両主面で異ならせて、上下定盤の修正量を調整することにより、上下定盤の共摺りを不要にし、効率的で経済的に定盤を修正することが記載されている。
As a conventional correction carrier, for example,
現在要求されているウェーハの精度を満足させるためには、定盤の径が約650mmの場合、平坦度は1μm以下であることが必要である。しかしながら、特許文献1のように修正キャリアの中心に孔が設けられていると、現実的には定盤面は理想的な平面ではないために、修正キャリアは、図15に示すカーブジェネレータのカップホイールで凸レンズを研磨加工する場合と同様の原理により、定盤面に対して僅かに傾いた状態で定盤を研磨することとなる。このため、定盤の幅方向の中心部はわずかに凸形状となってしまい、平坦度が得られない。また、修正キャリアの中心に孔があると、定盤幅の中心部が修正キャリアと接する時間(すなわち、相対的に移動した距離)が小さくなるので、定盤幅の中心部の加工量が少なくなる。この点も定盤に凸形状が生じる一因となる。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、定盤の研磨面を高精度に平坦にすることが可能な修正キャリア及び研磨装置を提供することを目的とする。
In order to satisfy the currently required accuracy of the wafer, when the diameter of the surface plate is about 650 mm, the flatness needs to be 1 μm or less. However, if a hole is provided in the center of the correction carrier as in
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a correction carrier and a polishing apparatus capable of flattening the polishing surface of a surface plate with high accuracy.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]研磨装置の定盤の研磨面を平坦に研磨するために用いられる、厚さ方向の貫通孔を備えている修正キャリアであって、前記貫通孔は主面の中心を避けた位置にあることを特徴とする修正キャリア。
本発明によれば、修正キャリアの主面の中心を避けた位置に厚さ方向に貫通する貫通孔を設けたため、定盤幅の中心部が凸形状になることを防止することができ、定盤の研磨面を高い精度で平坦にすることができる。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[Application Example 1] A correction carrier having a through hole in the thickness direction, which is used to flatly polish a polishing surface of a surface plate of a polishing apparatus, and the through hole avoids the center of the main surface. Corrective carrier characterized by being in position.
According to the present invention, since the through-hole penetrating in the thickness direction is provided at a position avoiding the center of the main surface of the correction carrier, it is possible to prevent the center portion of the surface plate width from becoming a convex shape. The polished surface of the board can be flattened with high accuracy.
[適用例2]前記貫通孔は、平面視で回転対称に複数設けられていることを特徴とする適用例1に記載の修正キャリア。
本発明によれば、貫通孔は平面視で回転対称に複数設けられているため、研磨装置の定盤の研磨面を均一に研磨して、平坦に修正することができる。
Application Example 2 The correction carrier according to Application Example 1, wherein a plurality of the through holes are provided in a rotationally symmetrical manner in a plan view.
According to the present invention, since the plurality of through holes are provided in a rotationally symmetrical manner in a plan view, the polishing surface of the surface plate of the polishing apparatus can be uniformly polished and corrected to be flat.
[適用例3]適用例1又は2に記載の修正キャリアを備えている研磨装置。
本発明によれば、研磨装置は、修正キャリアで研磨装置の定盤の研磨面を均一に研磨し、研磨面を平坦に修正することができる。
Application Example 3 A polishing apparatus including the correction carrier according to Application Example 1 or 2.
According to the present invention, the polishing apparatus can uniformly polish the polishing surface of the surface plate of the polishing apparatus with the correction carrier, and can correct the polishing surface to be flat.
[適用例4]前記貫通孔の少なくとも一部が、遊星運動中に平面視で前記定盤の内周端部を通過することを特徴とする適用例3に記載の研磨装置。
本発明によれば、前記貫通孔の少なくとも一部が遊星運動中に平面視で前記定盤の内周端部を通過するため、内周端部付近の研磨量を少なくすることができる。したがって、内周端部付近にダレが生じている定盤を修正キャリアで修正する場合に、研磨面を精度高く平坦に修正することができる。
Application Example 4 The polishing apparatus according to Application Example 3, wherein at least a part of the through hole passes through the inner peripheral end of the surface plate in a plan view during planetary motion.
According to the present invention, since at least a part of the through hole passes through the inner peripheral end of the surface plate in plan view during planetary motion, the amount of polishing in the vicinity of the inner peripheral end can be reduced. Therefore, when the surface plate having a sag near the inner peripheral edge is corrected by the correction carrier, the polished surface can be corrected with high accuracy and flatness.
[適用例5]前記貫通孔の少なくとも一部が、遊星運動中に平面視で前記定盤の外周端部を通過することを特徴とする適用例3に記載の研磨装置。
本発明によれば、前記貫通孔の少なくとも一部が遊星運動中に平面視で前記定盤の外周端部を通過するため、外周端部付近の研磨量を少なくすることができる。したがって、外周端部付近にダレが生じている定盤を修正キャリアで修正する場合に、研磨面を精度高く平坦に修正することができる。
Application Example 5 The polishing apparatus according to Application Example 3, wherein at least a part of the through hole passes through an outer peripheral end portion of the surface plate in a plan view during planetary motion.
According to the present invention, since at least a part of the through hole passes through the outer peripheral end portion of the surface plate in plan view during planetary motion, the amount of polishing in the vicinity of the outer peripheral end portion can be reduced. Therefore, when the surface plate in which the sag occurs in the vicinity of the outer peripheral end is corrected with the correction carrier, the polished surface can be corrected with high accuracy and flatness.
[適用例6]前記貫通孔の全てが、遊星運動中は常に平面視で前記研磨面に重なっていることを特徴とする適用例3に記載の研磨装置。
本発明によれば、前記貫通孔の全てが遊星運動中は常に平面視で前記研磨面に重なっているため、定盤の内周端部及び外周端部付近の研磨量を多くすることができる。したがって、内周端部及び外周端部付近が他の部分よりも厚い定盤を修正キャリアで修正する場合に、研磨面を精度高く平坦に修正することができる。
Application Example 6 The polishing apparatus according to Application Example 3, wherein all of the through holes always overlap the polishing surface in a plan view during planetary motion.
According to the present invention, since all of the through-holes always overlap the polishing surface in a plan view during planetary motion, it is possible to increase the polishing amount in the vicinity of the inner peripheral edge and the outer peripheral edge of the surface plate. . Therefore, when the surface plate where the inner peripheral end portion and the outer peripheral end portion are thicker than other portions is corrected with the correction carrier, the polished surface can be corrected with high accuracy and flatness.
以下、本発明に係る実施形態について、添付の図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る修正キャリア1の平面図であり、図2は図1に示す修正キャリア1のA−A線断面図である。
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view of a
図1に示すように、修正キャリア1は円板形状を有し、外周面に歯車12が設けられている。修正キャリア1の主面には、厚さ方向に貫通する貫通孔10a,10b,10c,10dが設けられている。これらの貫通孔10a,10b,10c,10dは、主面の中心を避けた位置に配置されるとともに、修正キャリア1の主面の中心に対して平面視で回転対称に配置されている。また、修正キャリア1の両主面には、貫通孔10a,10b,10c,10d同士、及び貫通孔10a,10b,10c,10dと修正キャリア1の外周端部と、を連通し、研磨材を研磨面に満遍なく行き渡らせるための溝14が設けられている。この修正キャリア1は、図3に示すように、両面研磨装置22の上下定盤25,27の研磨面25a,27aを研磨して修正する際に、ワーク研磨用のキャリアの代わりにセットされる。
As shown in FIG. 1, the
図3は、修正キャリア1を配置した両面研磨装置22の斜視図である。両面研磨装置22の中心部には、駆動軸23が配置されるとともに、当該駆動軸23によって回転駆動されるサンギア24が配置されている。このサンギア24の周囲には、サンギア24と同心状に環状の下定盤25が設けられている。サンギア24の外周の外側であって、下定盤25の周囲には、サンギア24と同心に配置されて回転駆動されるインターナルギア26が設けられている。下定盤25の上方には環状の上定盤27が設けられている。サンギア24とインターナルギア26の間には、ワーク研磨用のキャリアの代わりに、修正キャリア1が配置されている。
FIG. 3 is a perspective view of the double-
次に、上下定盤25,27の研磨面25a,27aを、修正キャリア1を用いて修正する際の動作について説明する。まず、図3に示す両面研磨装置22からワーク研磨用のキャリア(不図示)を外す。そして、その代わりに、修正キャリア1の歯車12がサンギア24とインターナルギア26に同時に噛合するように修正キャリア1を組み込み、上定盤27と下定盤25とで修正キャリア1を挟み込こんで、修正キャリア1と上下定盤25,27とを接触させる。そして、上下定盤25,27に研磨材を供給しながら、サンギア24、インターナルギア26、上下定盤25,27を回転させ、修正キャリア1を遊星運動させる。
Next, the operation when the polishing surfaces 25a and 27a of the upper and
本実施形態では、主面の中心を避けた位置に貫通孔10a,10b,10c,10dを設けた修正キャリア1を用いて上下定盤25,27の研磨面25a,27aを研磨しているため、修正キャリア1は上下定盤25,27に平行に接触する。また、定盤幅の中心部に修正キャリア1が接する時間(距離)が長くなる。このため、定盤幅の中心部が凸形状になることを防止することができ、上下定盤25,27の研磨面25a,27aを高い精度で平坦にすることができる。また、貫通孔10a,10b,10c,10dが平面視で回転対称に複数設けられているため、上下定盤25,27の研磨面25a,27aを均一に研磨して平坦に修正することができる。
In the present embodiment, the polishing surfaces 25a and 27a of the upper and
なお、修正キャリアに設ける貫通孔の形状や数は図1に示すものに限定されることはなく、主面の中心を避けた位置に平面視で回転対称に設けられていれば、どのような貫通孔であってもよい。例えば、図4に示すように、円周に沿って3つの貫通孔10e,10f,10gを設けた修正キャリア1Aであってもよい。
また、貫通孔の形状は、例えば平面視して楕円形状や多角形状であってもよい。
The shape and number of the through holes provided in the correction carrier are not limited to those shown in FIG. 1, and any shape can be used as long as they are provided rotationally symmetrically in a plan view at a position avoiding the center of the main surface. It may be a through hole. For example, as shown in FIG. 4, it may be a modified
Further, the shape of the through hole may be, for example, an elliptical shape or a polygonal shape in plan view.
次に、図5から図8を参照して、従来の修正キャリアとの比較結果を説明する。図5は、外径が144mmであって、中心部に径が94mmの貫通孔11が設けられた従来の修正キャリア21Aの平面図とそのB−B線断面図である。また、図6は、外径が144mmであって、主面の中心を避けた位置に3つの貫通孔10e,10f,10gが設けられた、本発明に係る修正キャリア1Aの平面図とそのC−C線断面図である。
Next, a comparison result with a conventional correction carrier will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a plan view of a
これらの修正キャリア21A,1Aを用いて、図7に示す外径660mm、内径424mmの定盤を研磨修正した結果を図8に示す。図8(a)は、図7に示す定盤の修正前のD−D線断面図であり、図8(b)は従来の修正キャリア21Aを用いて定盤修正した後の図7に示す定盤のD−D線断面図であり、図8(c)は本発明に係る修正キャリア1Aを用いて定盤修正した後の図7に示す定盤のD−D線断面図である。図8(a)に示すように、定盤修正前には5μmの厚さの差があったものが、図8(b)に示すように、従来の修正キャリア21Aを用いて修正した場合には厚さの差が2μmとなっているのに対して、図8(c)に示すように、本発明に係る修正キャリア1Aを用いて修正した場合には、厚さの差が0.5μmとなっている。このように、径が同一の従来の修正キャリア21A、1Aを用いた場合に、本発明に係る修正キャリア1Aの方が定盤の研磨面を平坦にすることができることが確認された。
FIG. 8 shows a result of polishing and correcting a surface plate having an outer diameter of 660 mm and an inner diameter of 424 mm shown in FIG. 7 using these
なお、修正前の定盤の研磨面の外周端部や内周端部に凹凸がある場合には、凹部分の研磨量が少なくなるように貫通孔を配置した修正キャリアを用いて定盤修正することで、より研磨面の平坦度を高めることができる。 If there are irregularities on the outer peripheral edge or inner peripheral edge of the polishing surface of the surface plate before correction, the surface plate is corrected using a correction carrier in which through holes are arranged so that the polishing amount for the concave portion is reduced. By doing so, the flatness of the polished surface can be further increased.
例えば、内周端部にダレが生じている上下定盤25,27を、図1に示す修正キャリア1を用いて修正する場合、修正キャリア1による定盤修正時の遊星運動中に、貫通孔10a,10b,10c,10dの少なくとも一部が平面視で上下定盤25,27の内周端部を通過するように、貫通孔10a,10b,10c,10dが配置されているとよい。
For example, when the upper and
また、上下定盤25,27の外周端部にダレが生じている場合には、修正キャリア1の遊星運動中に、貫通孔10a,10b,10c,10dの少なくとも一部が平面視で上下定盤25,27の外周端部を通過するように、修正キャリア1の貫通孔10a,10b,10c,10dが配置されているとよい。
In addition, when sagging occurs at the outer peripheral ends of the upper and
図9は、上記のような、遊星運動中にその少なくとも一部が平面視で上下定盤25,27の外周端部及び内周端部を通過するように配置された貫通孔10a,10b,10c,10dを有する修正キャリア1を、両面研磨装置22にセットした状態の下定盤25部分の一部を示す模式的平面図である。図10は、図9に示すE−E線断面図である。これらの図では、上定盤27の図示は省略している。
FIG. 9 shows through-
これらの図に示すように、上記のような貫通孔10a,10b,10c,10dを有する修正キャリア1においては、以下の位置関係が成り立っている。
(サンギア24と噛み合う噛合部13と、貫通孔10a,10b,10c,10dと、の間の遊星運動中における最短距離)a≦噛合部13と下定盤25の内周端部との間の距離)b、かつ、
(噛合部13と貫通孔10a,10b,10c,10dとの間の遊星運動中における最長距離)c≧(噛合部13と下定盤25の外周端部との間の距離)d
As shown in these drawings, the following positional relationship is established in the modified
(The shortest distance during planetary motion between the meshing
(The longest distance during planetary motion between the meshing
このように修正キャリア1に貫通孔10a,10b,10c,10dを配置することで、上下定盤25,27の内周端部近傍や外周端部近傍でダレが発生している場合に、内周端部や外周端部での研磨量を他の部分に比較して少なくすることができるため、効率よく研磨面25aを高精度に平坦に修正することができる。
By arranging the through
一方、内周端部の厚みが他の部分よりも厚い上下定盤25,27を、図1に示す修正キャリア1で修正する場合、修正キャリア1による定盤修正時の遊星運動中に、貫通孔10a,10b,10c,10dは、上下定盤25,27の内周端部と平面視して重なり合う位置よりも上下定盤25,27の外周寄りを通過するように、配置されているとよい。
On the other hand, when the upper and
また、上下定盤25,27の外周端部の厚みが他の部分よりも厚い場合には、貫通孔10a,10b,10c,10dは、遊星運動中に上下定盤25,27の外周端部と平面視して重なり合う位置よりも上下定盤25,27の内周寄りを通過するように、配置されているとよい。
When the outer peripheral end portions of the upper and
また、上下定盤25,27の外周端部と内周端部との両方の厚みが他の部分よりも厚い場合には、貫通孔10a,10b,10c,10dの全てが、遊星運動中は常に平面視で研磨面25a,27bに重なるように、配置されているとよい。
Further, when both the outer peripheral end portions and the inner peripheral end portions of the upper and
図11は、上記のような、遊星運動中にその全てが常に平面視で研磨面25a,27bに重なるように配置された貫通孔10a,10b,10c,10dを有する修正キャリア1を両面研磨装置22にセットした状態の下定盤25部分の一部を示す模式的平面図である。図12は、図11に示すF−F線断面図である。これらの図では、上定盤27の図示は省略している。
FIG. 11 shows a double-side polishing apparatus in which the
これらの図に示すように、上記のような貫通孔10a,10b,10c,10dを有する修正キャリア1においては、以下の位置関係が成り立っている。
(噛合部13と貫通孔との間の遊星運動中における最短距離)e>(噛合部13と下定盤25の内周端部との間の距離)f、かつ、
(噛合部13と貫通孔との間の遊星運動中における最長距離)g<(噛合部13と下定盤25の外周端部との間の距離)h
As shown in these drawings, the following positional relationship is established in the modified
(The shortest distance during planetary motion between the meshing
(The longest distance during planetary motion between the meshing
このように貫通孔10a,10b,10c,10dを修正キャリア1に配置することで、上下定盤25,27の内周端部近傍や外周端部近傍に凸部が発生している場合に、内周端部や外周端部での研磨量を他の部分に比較して多くすることができるため、効率よく研磨面25aを高精度に平坦に修正することができる。
By arranging the through
なお、上述した実施形態では、研磨対象となるワークとして水晶ウェーハについて説明したが、研磨対象となるものは水晶ウェーハに限定されない。例えば、シリコンウェーハであってもよい。 In the above-described embodiment, the quartz wafer is described as the workpiece to be polished. However, the workpiece to be polished is not limited to the quartz wafer. For example, a silicon wafer may be used.
また、上述した実施形態では、研磨時に上定盤27と下定盤25を回転駆動するように構成したが、これに限定されることはなく、上定盤27を停止しつつ下定盤25のみを回転駆動させる構成であってもよい。
また、上述した実施形態では、修正キャリア1を両面研磨装置22に用いる場合について説明したが、片面研磨装置に用いることもできる。
In the above-described embodiment, the
In the above-described embodiment, the case where the
1、1A………修正キャリア、10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g………貫通孔、12………歯車、13………噛合部、14………溝、22………両面研磨装置、23………駆動軸、24………サンギア、25………下定盤、26………インターナルギア、27………上定盤、25a,27a………研磨面。 1, 1 A... Modified carrier, 10 a, 10 b, 10 c, 10 d, 10 e, 10 f, 10 g ......... through hole, 12 ......... gear, 13 ......... meshing part, 14 ......... groove, 22 ... ... Double-side polishing device, 23 ... Drive shaft, 24 ... Sun gear, 25 ... Lower plate, 26 ... Internal gear, 27 ... Upper plate, 25a, 27a ... Polished surface.
Claims (6)
前記貫通孔は主面の中心を避けた位置にあることを特徴とする修正キャリア。 A correction carrier having a through-hole in the thickness direction, used to polish the polishing surface of the surface plate of the polishing apparatus flatly,
The correction carrier according to claim 1, wherein the through hole is at a position avoiding the center of the main surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2011241978A JP2013094925A (en) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | Correction carrier and polishing device |
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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| JP2011241978A Withdrawn JP2013094925A (en) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | Correction carrier and polishing device |
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-
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