[go: up one dir, main page]

JP2013091069A - Apparatus and method for laser machining - Google Patents

Apparatus and method for laser machining Download PDF

Info

Publication number
JP2013091069A
JP2013091069A JP2011233383A JP2011233383A JP2013091069A JP 2013091069 A JP2013091069 A JP 2013091069A JP 2011233383 A JP2011233383 A JP 2011233383A JP 2011233383 A JP2011233383 A JP 2011233383A JP 2013091069 A JP2013091069 A JP 2013091069A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
liquid
laser
laser processing
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011233383A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kuniyuki Hamano
邦幸 浜野
Koichi Kajiyama
康一 梶山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Priority to JP2011233383A priority Critical patent/JP2013091069A/en
Publication of JP2013091069A publication Critical patent/JP2013091069A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

【課題】デブリ除去のために別途スペースを要することなく且つ簡易に実現できるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るレーザ加工装置は、被加工材の表面を加工するレーザ光を発する光源と、被加工材を搬送する搬送部と、レーザ光が搬送された被加工材の表面に照射されたことによって、被加工材から飛散した物質を捉えるために、被加工材の表面に液体を供給する液体供給部と、被加工材から飛散して液体の中に捉えられた物質を回収する飛散物回収部とを備える。
【選択図】図1
A laser processing apparatus and a laser processing method that can be easily realized without requiring a separate space for removing debris.
A laser processing apparatus according to the present invention includes a light source that emits laser light for processing a surface of a workpiece, a transport unit that transports the workpiece, and a surface of the workpiece that has been transported by laser light. In order to capture substances scattered from the workpiece by irradiation, a liquid supply unit that supplies liquid to the surface of the workpiece and a substance that is scattered from the workpiece and captured in the liquid are collected. And a flying object collecting part.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、レーザ加工装置及びレーザ加工方法に関するものであって、特に、被加工材の表面を加工するレーザ加工装置及びレーザ加工方法に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method, and more particularly to a laser processing apparatus and a laser processing method for processing the surface of a workpiece.

従来から、レーザ光によって被加工材の表面を加工する技術が知られている。その一例としては、レーザ光を照射して被加工材の表面を高温化し、昇華蒸発させるレーザアブレーションが挙げられる。このレーザアブレーションによって、例えば、基板の表面に凹部を形成して、基板の表面をパターニングすることができる。しかしながら、レーザアブレーションにおいて、レーザ光を照射した部分が完全に昇華蒸発して気化することは極めて稀である。   Conventionally, a technique for processing the surface of a workpiece with laser light is known. As an example, there is laser ablation in which laser light is irradiated to raise the temperature of the surface of the workpiece and sublimate and evaporate. By this laser ablation, for example, a recess can be formed on the surface of the substrate, and the surface of the substrate can be patterned. However, in laser ablation, it is extremely rare that a portion irradiated with laser light is completely sublimated and evaporated.

レーザ光が最初にあたる基板の最表面よりも基板の内側においては、レーザ光のエネルギーが低下するため、照射部分の基板構成物質が気化せずに、高温化した液滴や固体として飛散してしまう。この高温化した液滴や固体は、気化していないため、レーザ光の照射部分の周囲に落下する。落下した液滴や固体は冷えて、デブリとして基板に固着してしまう。このデブリは、後のプロセスにおいて除去することが困難である。   Since the energy of the laser beam is reduced inside the substrate from the outermost surface of the substrate to which the laser beam first hits, the substrate constituent material in the irradiated portion is not vaporized and scattered as a high temperature droplet or solid. . These high temperature droplets and solids are not vaporized and fall around the laser light irradiated portion. Dropped droplets and solids cool and stick to the substrate as debris. This debris is difficult to remove in a later process.

したがって、レーザ光によって所望のパターンを形成できた場合であっても、上記デブリが異物となり、パターン形成した基板が所望の機能を発揮できなくなってしまうという問題があった。   Therefore, even when a desired pattern can be formed by laser light, the debris becomes a foreign substance, and there is a problem that the substrate on which the pattern is formed cannot exhibit a desired function.

また、レーザ光による表面加工技術の他の例として、レーザアニールが挙げられる。レーザアニールによって、例えば、基板の表面に形成したアモルファスシリコンを結晶化することができる。レーザアニールは、レーザ光の照射部分を溶融又は結晶化することを目的としており、照射部分を昇華蒸発させることは意図していない。しかしながら実際に、基板の表面をアニールすると、レーザ光を照射した部分の物質が高温化した液滴又は固体となって飛散することがある。この場合も、これらの高温化した液滴又は固体がデブリとなって基板に固着してしまう。   Another example of the surface processing technique using laser light is laser annealing. By laser annealing, for example, amorphous silicon formed on the surface of the substrate can be crystallized. Laser annealing is intended to melt or crystallize the irradiated portion of the laser beam, and is not intended to sublimate and evaporate the irradiated portion. However, in practice, when the surface of the substrate is annealed, the material in the portion irradiated with the laser light may be scattered as a high temperature droplet or solid. Also in this case, these high temperature droplets or solids become debris and adhere to the substrate.

基板に固着したデブリを除去する方法として、レーザ光による異物のトラッピング又はアブレーションが知られている(例えば、特許文献1)。特許文献1には、トラッピングの際に液体を異物へ滴下して液浸させ、浮力によりトラッピング力を補助する構成と、アブレーションにより異物を昇華する構成が記載されている。なお、前記液体はレーザ光によるトラッピングの際に滴下されるものであり、レーザアブレーションの際に滴下されるものではない。   As a method for removing the debris adhered to the substrate, trapping or ablation of foreign matter by laser light is known (for example, Patent Document 1). Patent Document 1 describes a configuration in which a liquid is dropped onto a foreign object during trapping to be immersed in the liquid and assists the trapping force by buoyancy, and a configuration in which the foreign object is sublimated by ablation. The liquid is dropped when trapping with laser light, and is not dropped when laser ablating.

また、デブリが基板に固着することを防止する方法として、被加工材全体を溶液の中に沈めて溶液の中でレーザ加工を行う方法が知られている(例えば、特許文献2)。特許文献2には、溶液によって満たされた容器の中に、被加工材全体を沈めて、被加工材全体を溶液の中に保持した状態で、レーザ加工する方法が記載されている。容器には、該容器の外側に突出する溶液の注入口と排出口が設けられていて、溶液は、容器内で循環している。レーザアブレーションによって生じた飛散物は溶液中に溶解する。   As a method for preventing debris from adhering to the substrate, a method is known in which the entire workpiece is submerged in a solution and laser processing is performed in the solution (for example, Patent Document 2). Patent Document 2 describes a laser processing method in which the entire workpiece is submerged in a container filled with a solution and the entire workpiece is held in the solution. The container is provided with an inlet and an outlet for the solution protruding outside the container, and the solution circulates in the container. Scatter produced by laser ablation dissolves in the solution.

特開2009−271274号公報JP 2009-271274 A 特開平6−684号公報JP-A-6-684

しかしながら、特許文献1に記載された方法では、基板に固着したデブリを除去するために、別途レーザ光を照射する必要があり、作業工程が煩雑になる。   However, in the method described in Patent Document 1, it is necessary to separately irradiate a laser beam in order to remove the debris adhered to the substrate, and the work process becomes complicated.

また、特許文献2に記載された方法では、注入口と排出口が外側に突出して設けられ且つ溶液を満たした容器が別途必要である。被加工材を位置決めのために搬送する際には、該容器内に被加工材を保持して容器ごと被加工材を搬送することになる。前記容器は、被加工材全体を溶液中に保持できる程度に、被加工材よりも大きく形成される必要があり、加えて、注入口と排出口が外側に突出して設けられていることから、前記被加工材を前記容器内に保持して搬送するためには、レーザ加工装置の搬送路において、被加工材のみを搬送するよりも広いスペースを確保しなければならず、実質的に不可能である。   Further, in the method described in Patent Document 2, a container that is provided with an inlet and an outlet projecting outward and filled with a solution is separately required. When the workpiece is transported for positioning, the workpiece is held in the container and the workpiece is transported together with the container. The container needs to be formed larger than the workpiece so that the entire workpiece can be held in the solution, and in addition, since the inlet and the outlet are provided to protrude outward, In order to hold and convey the workpiece in the container, it is necessary to secure a wider space in the conveyance path of the laser processing apparatus than to convey only the workpiece, which is substantially impossible. It is.

また、特許文献2に記載された方法では、前記容器の溶液中に被加工材全体を沈めているため、被加工材を溶液中に保持して搬送した場合、被加工材が容器内で動いてしまう可能性がある。この場合、被加工材に対して、レーザ光の照射箇所を正確に位置決めすることが困難になる。また仮に、被加工材が容器内で動かないように、被加工材を容器内に固定する場合には、容器内に固定部を設けることが必要となり、装置がさらに複雑化するという問題点がある。更に対象が数m角のガラス基板の場合、全体を水の中に沈めること、又搬送することは非常に困難である。   Further, in the method described in Patent Document 2, since the entire workpiece is submerged in the solution in the container, when the workpiece is held and transported in the solution, the workpiece moves in the container. There is a possibility that. In this case, it becomes difficult to accurately position the irradiated portion of the laser beam with respect to the workpiece. Further, if the workpiece is fixed in the container so that the workpiece does not move in the container, it is necessary to provide a fixing portion in the container, which causes a problem that the apparatus is further complicated. is there. Further, when the object is a glass substrate of several m square, it is very difficult to sink the whole in water or to carry it.

そこで本発明の目的は、レーザ加工の際に生じるデブリを取り除くために、前述した従来技術よりも省スペース化を図ることができ、且つ簡易な構成を備えるレーザ加工装置を提供することである。また、本発明の目的は、レーザ加工の際に生じるデブリ除去のために別途スペースを要することなく、且つ簡易にデブリ除去を実現できる工程を含むレーザ加工方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus that can save space compared to the above-described conventional technique and has a simple configuration in order to remove debris generated during laser processing. It is another object of the present invention to provide a laser processing method including a process that can easily realize debris removal without requiring a separate space for removing debris generated during laser processing.

本発明は、レーザ加工装置に係るものである。上記目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工装置は、被加工材の表面を加工するレーザ光を発する光源と、被加工材を搬送する搬送部と、レーザ光が搬送された被加工材の表面に照射されたことによって、被加工材から飛散した物質を捉えるために、被加工材の表面に液体を供給する液体供給部と、被加工材から飛散して液体の中に捉えられた物質を回収する飛散物回収部とを備える。液体供給部は、液体を被加工材の表面に霧状に噴射するように構成されてもよい。   The present invention relates to a laser processing apparatus. In order to achieve the above object, a laser processing apparatus according to the present invention includes a light source that emits a laser beam for processing the surface of a workpiece, a conveyance unit that conveys the workpiece, and a workpiece to which the laser beam is conveyed. In order to capture the substances scattered from the workpiece by irradiating the surface of the material, the liquid supply unit that supplies liquid to the surface of the workpiece and the material that is scattered from the workpiece and captured in the liquid And a scattered matter collecting part for collecting the collected substances. A liquid supply part may be comprised so that a liquid may be sprayed on the surface of a workpiece in the shape of a mist.

本発明に係る他のレーザ加工装置は、被加工材の表面を加工するレーザ光を発する光源と、被加工材を搬送する搬送部と、レーザ光が搬送された被加工材の表面に照射されたことによって、被加工材から飛散した物質を捉えるために、被加工材の表面に蒸気を供給する蒸気供給部と、被加工材から飛散して蒸気の中に捉えられた物質を回収する飛散物回収部とを備える。   Another laser processing apparatus according to the present invention is directed to a light source that emits a laser beam that processes the surface of a workpiece, a conveyance unit that conveys the workpiece, and a surface of the workpiece that is conveyed with the laser beam. In order to capture the material scattered from the workpiece, the steam supply unit that supplies steam to the surface of the workpiece, and the scattering that collects the material scattered from the workpiece and captured in the steam And an object recovery unit.

一例として、被加工材の表面に対向して配置した透光板をさらに備え、液体供給部は、透光板と被加工材の表面との間に液体を供給する。他の例として、被加工材の表面に対向して配置した透光板をさらに備え、蒸気供給部は、透光板と被加工材の表面との間に蒸気を供給する。   As an example, a translucent plate arranged to face the surface of the workpiece is further provided, and the liquid supply unit supplies a liquid between the translucent plate and the surface of the workpiece. As another example, a translucent plate arranged to face the surface of the workpiece is further provided, and the steam supply unit supplies steam between the translucent plate and the surface of the workpiece.

液体供給部は、被加工材における加工される表面の略全面を覆うように、液体を供給するように構成されてもよく、蒸気供給部は、被加工材における加工される表面の略全面を覆うように、蒸気を供給するように構成されてもよい。レーザから照射されたレーザ光を被加工材の表面に集光するマイクロレンズアレイをさらに備えてもよい。   The liquid supply unit may be configured to supply liquid so as to cover substantially the entire surface of the workpiece to be processed, and the vapor supply unit may cover substantially the entire surface of the workpiece to be processed. The cover may be configured to supply steam. You may further provide the micro lens array which condenses the laser beam irradiated from the laser on the surface of a workpiece.

一例として、光源は、レーザ光の波長を選択するように制御できるものであって、液体供給部は、選択された波長のレーザ光に対応する液体を供給するものである。他の例として、光源は、レーザ光の波長を選択するように制御できるものであって、蒸気供給部は、選択された波長のレーザ光に対応する蒸気を供給するものである。   As an example, the light source can be controlled to select the wavelength of the laser light, and the liquid supply unit supplies the liquid corresponding to the laser light of the selected wavelength. As another example, the light source can be controlled to select the wavelength of the laser beam, and the vapor supply unit supplies the vapor corresponding to the laser beam having the selected wavelength.

本発明に係るレーザ加工方法は、被加工材を搬送するステップと、搬送された被加工材の表面に液体を供給するステップと、液体を供給した後に、液体を介して被加工材の表面にレーザ光を照射するステップと、レーザ光の照射によって被加工材から飛散し、液体の中に捉えられた物質を回収するステップとを含む。例えば、液体を供給するステップは、液体を被加工材の表面に霧状に噴射するステップを含む。   The laser processing method according to the present invention includes a step of conveying a workpiece, a step of supplying a liquid to the surface of the conveyed workpiece, and after supplying the liquid to the surface of the workpiece via the liquid. A step of irradiating a laser beam; and a step of recovering a substance scattered from the workpiece by the irradiation of the laser beam and captured in the liquid. For example, the step of supplying the liquid includes a step of spraying the liquid onto the surface of the workpiece in the form of a mist.

本発明に係る他のレーザ加工方法は、被加工材を搬送するステップと、搬送された被加工材の表面に蒸気を供給するステップと、蒸気を供給した後に、蒸気を介して被加工材の表面にレーザ光を照射するステップと、レーザ光の照射によって被加工材から飛散し、蒸気の中に捉えられた物質を回収するステップとを含む。   Another laser processing method according to the present invention includes a step of transporting a workpiece, a step of supplying steam to the surface of the transported workpiece, and after supplying the steam, A step of irradiating the surface with laser light; and a step of collecting a substance scattered in the vapor by being scattered from the workpiece by the laser light irradiation.

本発明に係るレーザ加工装置によれば、被加工材の表面に液体を供給する液体供給部と、被加工材から飛散して前記液体の中に捉えられた物質を回収する飛散物回収部とを備えることによって、レーザ加工の際に被加工材から飛散した物質を取り除くことができる。このレーザ加工装置において、液体供給部は被加工材の表面に液体を供給するように構成されている。したがって、被加工材は、レーザ加工される表面が液体によって覆われればよいものであり、被加工材全体が液体の中に沈められるものではない。これにより、被加工材全体を液体の中に保持するための容器は不要となり、容器内において液体を循環させるための機構も不要となる。このため、本発明に係るレーザ加工装置によれば、前述した従来技術よりも省スペース化を図ることができ、且つ簡易な構成によってレーザ加工の際に生じるデブリを取り除くことができる。   According to the laser processing apparatus of the present invention, a liquid supply unit that supplies a liquid to the surface of the workpiece, a scattered matter collection unit that collects the substance scattered from the workpiece and captured in the liquid, It is possible to remove substances scattered from the workpiece during laser processing. In this laser processing apparatus, the liquid supply unit is configured to supply liquid to the surface of the workpiece. Therefore, the workpiece is only required to be covered with a liquid on the surface to be laser processed, and the entire workpiece is not submerged in the liquid. As a result, a container for holding the entire workpiece in the liquid becomes unnecessary, and a mechanism for circulating the liquid in the container becomes unnecessary. For this reason, according to the laser processing apparatus according to the present invention, it is possible to save space as compared with the above-described conventional technology, and it is possible to remove debris generated during laser processing with a simple configuration.

被加工材の表面に液体を霧状に噴射するように、液体供給部を構成した場合には、液体の供給に伴う被加工材の表面の温度変化を軽減することができる。   When the liquid supply unit is configured so that the liquid is sprayed onto the surface of the workpiece, the temperature change of the surface of the workpiece due to the supply of the liquid can be reduced.

また、本発明に係る他のレーザ加工装置によれば、被加工材の表面に蒸気を供給する蒸気供給部と、被加工材から飛散して蒸気の中に捉えられた物質を回収する飛散物回収部とを備えることによって、レーザ加工の際に被加工材から飛散した物質を取り除くことができる。このレーザ加工装置において、蒸気供給部は被加工材の表面に蒸気を供給するように構成されている。このため、前述した液体を供給するレーザ加工装置と同様、本発明に係るレーザ加工装置によれば、前述した従来技術よりも省スペース化を図ることができ、且つ簡易な構成によってレーザ加工の際に生じるデブリを取り除くことができる。加えて、蒸気は温度調節しやすいため、供給する蒸気の温度を調節して、被加工材の表面に与える温度変化を軽減させることができる。   In addition, according to another laser processing apparatus according to the present invention, a steam supply unit that supplies steam to the surface of the workpiece, and a flying object that collects the substance scattered from the workpiece by being scattered from the workpiece. By providing the recovery unit, substances scattered from the workpiece during laser processing can be removed. In this laser processing apparatus, the steam supply unit is configured to supply steam to the surface of the workpiece. For this reason, like the laser processing apparatus for supplying liquid described above, the laser processing apparatus according to the present invention can save space compared to the above-described prior art, and can perform the laser processing with a simple configuration. Can be removed. In addition, since the temperature of the steam is easy to adjust, the temperature change applied to the surface of the workpiece can be reduced by adjusting the temperature of the supplied steam.

被加工材の表面に対向して配置した透光板をさらに備え、液体供給部によって、透光板と被加工材の表面との間に液体を供給するように構成した場合には、供給された液体は透光板と被加工材の表面との間に保持され又は流れることになるため、前記表面を覆う液体の厚みを均一にすることが可能となる。   In the case of further comprising a translucent plate arranged opposite to the surface of the workpiece and supplying a liquid between the translucent plate and the surface of the workpiece by the liquid supply unit, the liquid is supplied. Since the liquid is held or flows between the translucent plate and the surface of the workpiece, the thickness of the liquid covering the surface can be made uniform.

被加工材の表面に対向して配置した透光板をさらに備え、蒸気供給部によって、透光板と被加工材の表面との間に蒸気を供給するように構成した場合には、供給された蒸気は透光板と被加工材の表面との間に保持されることになるため、前記表面を覆う蒸気の厚みを均一にすることが可能となる。   If a translucent plate arranged opposite to the surface of the workpiece is further provided and steam is supplied between the translucent plate and the surface of the workpiece by the vapor supply unit, the supply is provided. Since the vapor is held between the light transmitting plate and the surface of the workpiece, the thickness of the vapor covering the surface can be made uniform.

被加工材における加工される表面の略全面を覆うように、液体を供給する液体供給部を備える場合には、前記表面の略全面を液体によって覆うことができるため、液体供給部とレーザ光照射部分との厳密な位置合わせが不要になる。   When a liquid supply unit that supplies a liquid is provided so as to cover substantially the entire surface of the workpiece to be processed, the liquid supply unit and the laser beam irradiation can be applied because the substantially entire surface can be covered with the liquid. Strict alignment with the part becomes unnecessary.

被加工材における加工される表面の略全面を覆うように、蒸気を供給する蒸気供給部を備える場合には、前記表面の略全面を蒸気によって覆うことができるため、蒸気供給部とレーザ光照射部分との厳密な位置合わせが不要になる。   When a steam supply unit that supplies steam is provided so as to cover substantially the entire surface of the workpiece to be processed, the steam supply unit and the laser beam irradiation can be provided because substantially the entire surface can be covered with steam. Strict alignment with the part becomes unnecessary.

レーザから照射されたレーザ光を被加工材の表面に集光するマイクロレンズアレイを備える場合には、被加工材の表面の複数箇所にレーザ光を照射することができる。なお、この場合、前述のように、被加工材における加工される表面の略全面を覆うように液体又は蒸気を供給することによって、複数のレーザ光照射部分と液体供給部又は蒸気供給部との厳密な位置合わせが不要になる。   In the case of including a microlens array that condenses laser light emitted from a laser onto the surface of the workpiece, the laser light can be emitted to a plurality of locations on the surface of the workpiece. In this case, as described above, by supplying liquid or vapor so as to cover substantially the entire surface to be processed in the workpiece, a plurality of laser beam irradiation parts and liquid supply parts or vapor supply parts are provided. Strict alignment is not necessary.

レーザ光の波長を選択するように制御できる光源と選択された波長のレーザ光に対応する液体を供給する液体供給部を備える場合、被加工材の材質や加工方法に応じてレーザ光の波長を選択し、選択した波長に対応した液体の種類を選択することができる。「選択された波長のレーザ光に対応する液体」とは、一例として、選択されたレーザ光の波長に対する吸収係数が小さい液体である。   When a light source that can be controlled to select the wavelength of the laser beam and a liquid supply unit that supplies a liquid corresponding to the laser beam of the selected wavelength are provided, the wavelength of the laser beam is set according to the material of the workpiece and the processing method. The type of liquid corresponding to the selected wavelength can be selected. The “liquid corresponding to the laser beam having the selected wavelength” is, for example, a liquid having a small absorption coefficient with respect to the wavelength of the selected laser beam.

レーザ光の波長を選択するように制御できる光源と選択された波長のレーザ光に対応する蒸気を供給する蒸気供給部を備える場合、被加工材の材質や加工方法に応じてレーザ光の波長を選択し、選択した波長に対応した蒸気の種類を選択することができる。「選択された波長のレーザ光に対応する蒸気」とは、一例として、選択されたレーザ光の波長に対する吸収係数が小さい液体から生成した蒸気である。   When a light source that can be controlled to select the wavelength of the laser beam and a vapor supply unit that supplies vapor corresponding to the laser beam of the selected wavelength are provided, the wavelength of the laser beam is set according to the material and processing method of the workpiece. The type of vapor corresponding to the selected wavelength can be selected. “Vapor corresponding to laser light having a selected wavelength” is, for example, vapor generated from a liquid having a small absorption coefficient with respect to the wavelength of the selected laser light.

本発明に係るレーザ加工方法によれば、被加工材の表面に液体を供給するステップと、被加工材から飛散して液体の中に捉えられた物質を回収するステップとを含むことによって、レーザ加工の際に被加工材から飛散した物質を取り除くことができる。このレーザ加工方法において、被加工材の表面に液体が供給される。したがって、被加工材は、レーザ加工される表面が液体によって覆われるものであり、被加工材全体を液体の中に沈めるものではない。これにより、被加工材全体を液体の中に保持するための容器は不要となり、容器内において液体を循環させるための機構も不要となる。このため、本発明に係るレーザ加工方法によれば、デブリ除去のために別途スペースを要することなく且つ簡易に、レーザ加工の際に生じるデブリを取り除くことができる。   According to the laser processing method of the present invention, the method includes a step of supplying a liquid to the surface of the workpiece, and a step of collecting a substance scattered from the workpiece and captured in the liquid. Substances scattered from the workpiece during processing can be removed. In this laser processing method, a liquid is supplied to the surface of the workpiece. Accordingly, the workpiece is such that the surface to be laser processed is covered with the liquid, and the entire workpiece is not submerged in the liquid. As a result, a container for holding the entire workpiece in the liquid becomes unnecessary, and a mechanism for circulating the liquid in the container becomes unnecessary. Therefore, according to the laser processing method of the present invention, debris generated during laser processing can be easily removed without requiring a separate space for removing the debris.

本発明に係るレーザ加工方法において、被加工材の表面に液体を霧状に噴射するステップを含む場合には、前述のように、被加工材の表面に与える温度変化を軽減することができる。   When the laser processing method according to the present invention includes a step of spraying liquid onto the surface of the workpiece in the form of a mist, the temperature change applied to the surface of the workpiece can be reduced as described above.

また、本発明に係る他のレーザ加工方法によれば、被加工材の表面に蒸気を供給するステップと、被加工材から飛散して蒸気の中に捉えられた物質を回収するステップとを備えることによって、レーザ加工の際に被加工材から飛散した物質を取り除くことができる。このレーザ加工方法において、蒸気は被加工材の表面に供給される。このため、前述した液体を供給するレーザ加工方法と同様、本発明に係るレーザ加工方法によれば、デブリ除去のための構成に別途スペースを要することなく且つ簡易に、レーザ加工の際に生じるデブリを取り除くことができる。加えて、蒸気は温度調節しやすいため、供給する蒸気の温度を調節して、被加工材の表面に与える温度変化を軽減させることができる。   Further, according to another laser processing method according to the present invention, the method includes a step of supplying steam to the surface of the workpiece, and a step of recovering the substance scattered from the workpiece and captured in the steam. Thus, the material scattered from the workpiece during laser processing can be removed. In this laser processing method, steam is supplied to the surface of the workpiece. For this reason, as with the laser processing method for supplying a liquid described above, according to the laser processing method of the present invention, debris generated during laser processing can be easily and without requiring a separate space for the configuration for removing the debris. Can be removed. In addition, since the temperature of the steam is easy to adjust, the temperature change applied to the surface of the workpiece can be reduced by adjusting the temperature of the supplied steam.

第1の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。It is a side view of the laser processing apparatus concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係るレーザ加工方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the laser processing method which concerns on 1st Embodiment. 図1のA部分拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of part A of FIG. 1. 第2の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。It is a side view of the laser processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係るレーザ加工装置における、複数の液体供給口と複数の飛散物回収口との位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of the some liquid supply port and the several scattered material collection | recovery port in the laser processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。It is a side view of the laser processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 図6のB部分拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of part B of FIG. 6. 第3の実施形態に係るレーザ加工装置によってアニールした後のTFT基板加工工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the TFT substrate processing process after annealing with the laser processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 他の実施形態に係るレーザ加工方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the laser processing method which concerns on other embodiment.

[第1の実施形態]
以下、本発明の実施の形態を添付の図により説明する。図1に第1の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図を示す。レーザ加工装置1は、被加工材2を加工するためにレーザ光4を照射する光源3と、レーザ光4を被加工材2の表面2aに集光するレンズ部5と、被加工材2を所望の位置に搬送する搬送部6とを備えている。さらに、レーザ加工装置1は、液体供給部7と飛散物回収部10を備えている。液体供給部7は、液体供給口7aを介して液体8を被加工材2の表面2aに供給するように構成されている。液体供給口7aは、被加工材2の端部において表面2aの上方に位置している。飛散物回収部10は、飛散物回収口10aを備え、レーザ光4の照射が終了した後に、被加工材2の照射部分から飛散した飛散物を含む液体8を飛散物回収口10aから吸引するように構成されている。飛散物回収口10aは、被加工材2の他の端部において表面2aの上方に位置している。
[First Embodiment]
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a side view of the laser processing apparatus according to the first embodiment. The laser processing apparatus 1 includes a light source 3 that irradiates a laser beam 4 to process the workpiece 2, a lens unit 5 that focuses the laser beam 4 on the surface 2 a of the workpiece 2, and the workpiece 2. And a transport unit 6 for transporting to a desired position. Further, the laser processing apparatus 1 includes a liquid supply unit 7 and a scattered matter collection unit 10. The liquid supply unit 7 is configured to supply the liquid 8 to the surface 2a of the workpiece 2 through the liquid supply port 7a. The liquid supply port 7 a is located above the surface 2 a at the end of the workpiece 2. The scattered matter recovery unit 10 includes a scattered matter recovery port 10a, and after the irradiation of the laser beam 4 is finished, sucks the liquid 8 containing the scattered matter scattered from the irradiated portion of the workpiece 2 from the scattered matter recovery port 10a. It is configured as follows. The scattered matter collection port 10 a is located above the surface 2 a at the other end of the workpiece 2.

レーザ加工装置1を用いたレーザ加工方法の工程を図2のフローチャートに示す。被加工材2は、搬送部6によって搬送される(ステップS1)。被加工材2が光源3に対して所定の場所に位置決めされると、液体供給部7の供給口7aから、被加工材表面2aに液体8が流し込まれる(ステップS2)。液体供給部7の供給口7aから放出された液体8は被加工材表面2aの端部から該表面2aに沿って広がり、被加工材表面2aの略全面を覆う。被加工材表面2aを覆う液体8の層の厚さは1mm以下であることが望ましい。   The process of the laser processing method using the laser processing apparatus 1 is shown in the flowchart of FIG. The workpiece 2 is conveyed by the conveyance part 6 (step S1). When the workpiece 2 is positioned at a predetermined position with respect to the light source 3, the liquid 8 is poured into the workpiece surface 2a from the supply port 7a of the liquid supply unit 7 (step S2). The liquid 8 discharged from the supply port 7a of the liquid supply unit 7 spreads along the surface 2a from the end portion of the workpiece surface 2a and covers substantially the entire surface of the workpiece surface 2a. The thickness of the layer of the liquid 8 that covers the workpiece surface 2a is desirably 1 mm or less.

被加工材表面2aを液体8が覆うと、レーザアブレーションを実行するために光源3からレーザ光4を被加工材表面2aに照射する(ステップS3)。被加工材表面2aにおいてレーザ光4が照射された部分は高温化し、昇華蒸発する。これにより、被加工材表面2aに凹部9が形成される。   When the workpiece surface 2a is covered with the liquid 8, the laser beam 4 is irradiated from the light source 3 to the workpiece surface 2a in order to perform laser ablation (step S3). The portion irradiated with the laser beam 4 on the workpiece surface 2a is heated to sublimation and evaporated. Thereby, the recessed part 9 is formed in the workpiece surface 2a.

図1におけるA部分の拡大図を図3に示す。レーザ光4によって凹部9を形成する過程において、レーザ光4の照射部分からは、高温化した液滴又は高温化した固体が飛散する。この飛散物11は、照射部分から飛散して液体8の中に捉えられる。その後、飛散物11の温度は低下するが、液体8の中に保持されているため、被加工材2に固着しない。仮に被加工材2に固着した場合であっても、その固着力は極めて弱くなる。   An enlarged view of portion A in FIG. 1 is shown in FIG. In the process of forming the concave portion 9 with the laser light 4, droplets or solids having a high temperature are scattered from the irradiated portion of the laser light 4. The scattered matter 11 is scattered from the irradiated portion and captured in the liquid 8. Thereafter, the temperature of the flying object 11 decreases, but it does not adhere to the workpiece 2 because it is held in the liquid 8. Even if it is a case where it adheres to the workpiece 2, the adhering force becomes extremely weak.

凹部9が形成されてレーザ光4の照射が終了すると、飛散物11は液体8と共に、飛散物回収部10によって飛散物回収口10aを介して吸引される(ステップS4)。液体8が蒸発している場合、飛散物回収部10は、飛散物11のみを吸引することになる。レーザ加工後に液体8が蒸発したとしても、飛散物11は一度液体8の中に捉えられて冷却されている。したがって、前述のように、被加工材2には固着していないか、被加工材2に固着していたとしても、その固着力は極めて弱い。このため、液体8が蒸発した場合であっても、飛散物回収部10は飛散物11を吸引して回収することができる。   When the recess 9 is formed and the irradiation of the laser beam 4 is completed, the scattered matter 11 is sucked together with the liquid 8 by the scattered matter collecting unit 10 through the scattered matter collecting port 10a (step S4). When the liquid 8 is evaporated, the scattered matter collecting unit 10 sucks only the scattered matter 11. Even if the liquid 8 evaporates after laser processing, the scattered matter 11 is once caught in the liquid 8 and cooled. Therefore, as described above, even if the workpiece 2 is not fixed or is fixed to the workpiece 2, the fixing force is extremely weak. For this reason, even if the liquid 8 evaporates, the scattered matter collecting unit 10 can suck and collect the scattered matter 11.

レーザ加工装置1において、液体供給部7は被加工材2の表面2aに液体8を供給するように構成されている。被加工材2は、レーザ加工される表面2aのみが液体8によって覆われればよいものであり、被加工材2全体が液体8の中に沈められるものではない。これにより、被加工材2を液体の中に保持するための容器は不要となり、容器内において液体を循環させるための機構も不要となる。このため、レーザ加工装置1によれば、被加工材2の搬送に際して、別途スペースを確保する必要がない。また、被加工材2の表面2aに液体8を供給する液体供給部7と飛散物回収部10を設けたことによって、簡易な構成でレーザ加工の際に生じるデブリを取り除くことができる。   In the laser processing apparatus 1, the liquid supply unit 7 is configured to supply the liquid 8 to the surface 2 a of the workpiece 2. The workpiece 2 only needs to be covered with the liquid 8 only on the surface 2 a to be laser processed, and the entire workpiece 2 is not submerged in the liquid 8. As a result, a container for holding the workpiece 2 in the liquid becomes unnecessary, and a mechanism for circulating the liquid in the container becomes unnecessary. For this reason, according to the laser processing apparatus 1, it is not necessary to secure a separate space when the workpiece 2 is conveyed. Moreover, by providing the liquid supply unit 7 for supplying the liquid 8 and the scattered matter collection unit 10 to the surface 2a of the workpiece 2, debris generated during laser processing can be removed with a simple configuration.

[第2の実施形態]
図4に第2の実施形態に係るレーザ加工装置20の側面図を示す。レーザ加工装置20は、基板22を加工するためにレーザ光24を照射する光源23と、レーザ光24を基板表面22aの複数箇所に集光するマイクロレンズアレイ25と、基板22を所望の位置に搬送する搬送部26とを備えている。また、レーザ加工装置20は、マイクロレンズアレイ25と基板表面22aとの間に、マスク部31と透光板32を備えている。マスク部31は、石英ガラスなどからなる透明基板の表面に所定のパターンに形成された遮光部31aと透光部31bを有する。
[Second Embodiment]
FIG. 4 shows a side view of the laser processing apparatus 20 according to the second embodiment. The laser processing apparatus 20 includes a light source 23 that irradiates a laser beam 24 to process the substrate 22, a microlens array 25 that focuses the laser beam 24 at a plurality of locations on the substrate surface 22a, and the substrate 22 at a desired position. And a conveyance unit 26 for conveyance. Further, the laser processing apparatus 20 includes a mask portion 31 and a translucent plate 32 between the microlens array 25 and the substrate surface 22a. The mask part 31 has a light shielding part 31a and a light transmitting part 31b formed in a predetermined pattern on the surface of a transparent substrate made of quartz glass or the like.

マスク部31と基板表面22aとの間に設けられた透光板32は、石英ガラスなどからなる透明基板である。透光板32は、基板表面22aの略全体を覆うように、長方形に形成されていて、その四隅には図示しない突起が形成されている。透光板32は、この突起が基板表面22aと接するように、基板22の上に配置されている。したがって、基板表面22aと透光板32との間には、前記突起の高さの分、空間が形成される。この形成された空間の高さ、すなわち、基板表面22aから透光板32の裏面までの距離は、1mm以下に設定されている。   The translucent plate 32 provided between the mask portion 31 and the substrate surface 22a is a transparent substrate made of quartz glass or the like. The translucent plate 32 is formed in a rectangular shape so as to cover substantially the entire substrate surface 22a, and projections (not shown) are formed at the four corners thereof. The translucent plate 32 is disposed on the substrate 22 so that the protrusions are in contact with the substrate surface 22a. Therefore, a space is formed between the substrate surface 22a and the translucent plate 32 by the height of the protrusion. The height of the formed space, that is, the distance from the substrate surface 22a to the back surface of the translucent plate 32 is set to 1 mm or less.

また、本実施形態において、基板22は液体受け部33にはめ込まれている。液体受け部33は、基板22の底面と接する底部33aと、底部33aから基板22の側面に沿って該側面と接して上方に延びる側壁部33bと、基板22の側面との間に所定の空間を有する受け皿部33cを備えている。液体受け部33は、受け皿部33cによって、基板表面22aからこぼれた液体28を回収するものである。   In the present embodiment, the substrate 22 is fitted in the liquid receiving portion 33. The liquid receiving portion 33 has a predetermined space between a bottom portion 33 a in contact with the bottom surface of the substrate 22, a side wall portion 33 b extending from the bottom portion 33 a along the side surface of the substrate 22 and in contact with the side surface, and a side surface of the substrate 22. The tray part 33c which has is provided. The liquid receiving part 33 collects the liquid spilled from the substrate surface 22a by the receiving part 33c.

さらに、レーザ加工装置20は、複数の液体供給部27と複数の飛散物回収部30を備える。複数の液体供給部27の液体供給口27aと、複数の飛散物回収部30の飛散物回収口30aとの位置関係を図5に示す。図5は、透光板32を配置した基板22に対する、液体供給口27a及び飛散物回収口30aの位置関係を、図4の平面方向から示している。複数の液体供給口27a及び複数の飛散物回収口30aは、基板22の主搬送方向Xに沿ってそれぞれ1列に形成されている。透光板3の幅は基板22の幅よりも僅かに狭く、主搬送方向Xに沿って延びる2ヶ所の基板端部22b,22cは、透光板32よりも外側に露出している。複数の液体供給口27aは露出した基板端部22b上に位置して、透光板3と基板表面22aの間に形成された空間に液体28を供給する。複数の飛散物回収口30aは露出した他方の基板端部22c上に位置して、透光板32と基板表面22aの間に形成された空間から、液体28と液体28の中に捉えられた飛散物を吸引する。   Further, the laser processing apparatus 20 includes a plurality of liquid supply units 27 and a plurality of scattered matter collection units 30. The positional relationship between the liquid supply ports 27a of the plurality of liquid supply units 27 and the scattered matter collection ports 30a of the plurality of scattered matter collection units 30 is shown in FIG. FIG. 5 shows the positional relationship between the liquid supply port 27a and the scattered matter collection port 30a with respect to the substrate 22 on which the translucent plate 32 is arranged, from the plane direction of FIG. The plurality of liquid supply ports 27 a and the plurality of scattered matter collection ports 30 a are each formed in one row along the main transport direction X of the substrate 22. The width of the translucent plate 3 is slightly narrower than the width of the substrate 22, and the two substrate end portions 22 b and 22 c extending along the main transport direction X are exposed outside the translucent plate 32. The plurality of liquid supply ports 27a are located on the exposed substrate end 22b and supply the liquid 28 to a space formed between the light-transmitting plate 3 and the substrate surface 22a. The plurality of scattered matter collection ports 30a are located on the other exposed substrate end 22c and captured in the liquid 28 and the liquid 28 from the space formed between the light transmitting plate 32 and the substrate surface 22a. Aspirate scattered objects.

レーザ加工装置20を用いたレーザ加工方法について説明する。基板22は、搬送部26によって搬送され、レーザ光24の照射位置に対して位置決めされる。このとき、複数の液体供給口27a及び複数の飛散物回収口30aが基板22の露出した端部22b,22cに沿って配置(図5参照)されるように、基板22の位置又は複数の液体供給口27a及び複数の飛散物回収口30aの位置が調整される。なお、複数の液体供給口27aから流れ込む液体28によって基板表面22aの略全面が覆われるため、レーザ光24の照射位置に対して、複数の液体供給口27a及び複数の飛散物回収口30aの位置決めを厳密に行う必要はない。   A laser processing method using the laser processing apparatus 20 will be described. The substrate 22 is transported by the transport unit 26 and positioned with respect to the irradiation position of the laser light 24. At this time, the position of the substrate 22 or the plurality of liquids so that the plurality of liquid supply ports 27a and the plurality of scattered matter collection ports 30a are arranged along the exposed end portions 22b and 22c of the substrate 22 (see FIG. 5). The positions of the supply port 27a and the plurality of scattered matter collection ports 30a are adjusted. In addition, since the substantially whole surface of the substrate surface 22a is covered with the liquid 28 flowing from the plurality of liquid supply ports 27a, the positioning of the plurality of liquid supply ports 27a and the plurality of scattered matter collection ports 30a with respect to the irradiation position of the laser light 24. There is no need to do exactly.

基板22と複数の液体供給口27a及び複数の飛散物回収口30aとの位置決めが完了すると、複数の液体供給部27は、液体供給口27aを介して、透光板32と基板表面22aとの間の空間に液体28を供給する。液体28は該空間を満たし、基板表面22aと透光板32の裏面に沿って広がっていく。基板表面22aから透光板32の裏面までの距離は1mm以下に設定されているため、基板表面22aを覆う液体28の層を1mm以下の均一な厚さに保持することができる。基板表面22aからこぼれた液体28は、液体受け部33によって回収される。   When the positioning of the substrate 22, the plurality of liquid supply ports 27a, and the plurality of scattered matter collection ports 30a is completed, the plurality of liquid supply units 27 are connected to the translucent plate 32 and the substrate surface 22a via the liquid supply ports 27a. The liquid 28 is supplied to the space between them. The liquid 28 fills the space and spreads along the substrate surface 22 a and the back surface of the light transmitting plate 32. Since the distance from the substrate surface 22a to the back surface of the translucent plate 32 is set to 1 mm or less, the layer of the liquid 28 covering the substrate surface 22a can be kept at a uniform thickness of 1 mm or less. The liquid spilled from the substrate surface 22a is collected by the liquid receiving part 33.

基板表面22aの略全面を液体28が覆うと、レーザアブレーションによって基板表面22aをパターニングするために、光源23からレーザ光24を基板表面22aに照射する。照射されたレーザ光24は、マイクロレンズアレイ25によって集光され、マスク部31を介して、基板表面22aを高温化し、昇華蒸発させる。これにより、基板表面22aにパターン29が形成される。パターン29を形成する際に飛散した飛散物は、基板表面22aを覆う液体28の中に捉えられる。レーザ光24の照射が終了すると、飛散物回収部30によって、飛散物が液体28と共に吸引される。   When the liquid 28 covers substantially the entire surface of the substrate surface 22a, the substrate surface 22a is irradiated with laser light 24 from the light source 23 in order to pattern the substrate surface 22a by laser ablation. The irradiated laser beam 24 is condensed by the microlens array 25, and the substrate surface 22a is heated through the mask portion 31 to be sublimated and evaporated. As a result, a pattern 29 is formed on the substrate surface 22a. The scattered matter scattered when forming the pattern 29 is caught in the liquid 28 covering the substrate surface 22a. When the irradiation of the laser beam 24 is completed, the scattered matter is sucked together with the liquid 28 by the scattered matter collecting unit 30.

第2の実施形態に係るレーザ加工装置20は、基板表面22aとの間に所定に空間が形成されるように配置した透光板32を備えることにより、第1の実施形態において前述した利点に加えて、基板表面22aを覆う液体28の厚みを均一にすることができるという利点を有している。また、液体受け部33を備えることによって、基板表面22aからこぼれた液体28を回収することができる。なお、基板表面22aに供給する液体28の量は、基板表面22aの面積を考慮して決定することができる。液体受け部33は、基板表面22aからこぼれる少量の液体を受け止めることができればよいので、受け皿部33cにおける基板22の外側への突出量は大きくない。したがって、液体受け部33を設けたとしても、基板22の搬送に際して、別途スペースを確保する必要性は極めて低い。   The laser processing apparatus 20 according to the second embodiment has the advantages described above in the first embodiment by including the translucent plate 32 disposed so that a predetermined space is formed between the substrate surface 22a. In addition, there is an advantage that the thickness of the liquid 28 covering the substrate surface 22a can be made uniform. Further, by providing the liquid receiving portion 33, the liquid spilled from the substrate surface 22a can be collected. The amount of the liquid 28 supplied to the substrate surface 22a can be determined in consideration of the area of the substrate surface 22a. Since the liquid receiving portion 33 only needs to be able to receive a small amount of liquid spilling from the substrate surface 22a, the protruding amount of the receiving tray portion 33c to the outside of the substrate 22 is not large. Therefore, even if the liquid receiving portion 33 is provided, it is extremely low to secure a separate space when the substrate 22 is transported.

[第3の実施形態]
図6に第3の実施形態に係るレーザ加工装置40の側面図を示す。レーザ加工装置40は、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ基板を形成するために、薄膜トランジスタ(以下、「TFT」という)基板のアモルファスシリコン膜をアニールするレーザアニール装置として機能する。
[Third Embodiment]
FIG. 6 shows a side view of a laser processing apparatus 40 according to the third embodiment. The laser processing apparatus 40 functions as a laser annealing apparatus that anneals an amorphous silicon film on a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) substrate in order to form a low-temperature polysilicon thin film transistor substrate.

レーザ加工装置40は、TFT基板42を加工するためにレーザ光44を照射する光源43と、レーザ光44をTFT基板表面42aの複数箇所に集光するマイクロレンズアレイ45と、TFT基板42を所望の位置に搬送する搬送部46とを備えている。また、レーザ加工装置40は、マイクロレンズアレイ45とTFT基板表面42aとの間に、透光板52を備えている。透光板52は、第2の実施形態において前述した透光板32と同様の構成を有し、TFT基板表面42aとの間に1mm以下の空間を保持して、TFT基板表面42a上に配置されている。TFT基板42がはめ込まれた液体受け部43は、第2の実施形態における液体受け部33と同様の構成を有する。   The laser processing apparatus 40 includes a light source 43 that irradiates laser light 44 for processing the TFT substrate 42, a microlens array 45 that condenses the laser light 44 at a plurality of locations on the TFT substrate surface 42a, and a TFT substrate 42. And a transporting section 46 that transports to the position. In addition, the laser processing apparatus 40 includes a light transmitting plate 52 between the microlens array 45 and the TFT substrate surface 42a. The translucent plate 52 has the same configuration as the translucent plate 32 described above in the second embodiment, and is disposed on the TFT substrate surface 42a with a space of 1 mm or less between the TFT substrate surface 42a. Has been. The liquid receiving portion 43 in which the TFT substrate 42 is fitted has the same configuration as the liquid receiving portion 33 in the second embodiment.

また、レーザ加工装置40は、複数の液体供給部47及び飛散物回収部50を備える。複数の液体供給部47及び飛散物回収部50は、第2の実施形態における液体供給部27及び飛散物回収部30に対応し、複数の液体供給部47の液体供給口47a及び飛散物回収部50の飛散物回収口50aの位置関係は、図5を参照して前述した複数の液体供給口27a及び飛散物回収口30aの位置関係と同様である。   Further, the laser processing apparatus 40 includes a plurality of liquid supply units 47 and scattered matter collection units 50. The plurality of liquid supply units 47 and the scattered matter collection unit 50 correspond to the liquid supply unit 27 and the scattered matter collection unit 30 in the second embodiment, and the liquid supply ports 47a and the scattered matter collection unit of the plurality of liquid supply units 47. The positional relationship between the 50 scattered matter recovery ports 50a is the same as the positional relationship between the plurality of liquid supply ports 27a and the scattered matter recovery ports 30a described above with reference to FIG.

第2の実施形態と異なる点として、液体供給部47は、液体48を霧状に供給するように構成されている。   As a difference from the second embodiment, the liquid supply unit 47 is configured to supply the liquid 48 in a mist form.

レーザ加工装置40を用いたレーザ加工方法について説明する。TFT基板42は、搬送部46によって搬送され、レーザ光44の照射位置に対して位置決めされる。TFT基板42はアモルファスシリコン膜61を備え、TFT基板表面42aは、アモルファスシリコン膜61の表面である。基板42と複数の液体供給口47a及び複数の飛散物回収口50aとの位置決めが完了すると、複数の液体供給部47は、液体供給口47aを介して、透光板52とTFT基板表面42aとの間の空間に液体48を霧状に噴射する。霧状の液体48は該空間を満たし、基板表面42aと透光板52の裏面に沿って広がり、TFT基板表面42aと透光板52との間に保持される。TFT基板表面42aの略全面を液体48が覆うと、TFT基板42のアモルファスシリコン膜61をレーザアニールするために、光源43からレーザ光44を基板表面42aに照射する。図6におけるB部分拡大図を図7(a)及び図7(b)に示す。   A laser processing method using the laser processing apparatus 40 will be described. The TFT substrate 42 is transported by the transport unit 46 and positioned with respect to the irradiation position of the laser light 44. The TFT substrate 42 includes an amorphous silicon film 61, and the TFT substrate surface 42 a is the surface of the amorphous silicon film 61. When the positioning of the substrate 42, the plurality of liquid supply ports 47a, and the plurality of scattered matter collection ports 50a is completed, the plurality of liquid supply units 47 are connected to the translucent plate 52 and the TFT substrate surface 42a via the liquid supply ports 47a. The liquid 48 is sprayed in a mist form in the space between the two. The mist-like liquid 48 fills the space, spreads along the back surface of the substrate surface 42 a and the translucent plate 52, and is held between the TFT substrate surface 42 a and the translucent plate 52. When the liquid 48 covers substantially the entire surface of the TFT substrate surface 42a, the substrate surface 42a is irradiated with laser light 44 from the light source 43 in order to laser anneal the amorphous silicon film 61 of the TFT substrate 42. The B partial enlarged view in FIG. 6 is shown in FIG. 7A and FIG.

図7(a)に示すように、TFT基板42のガラス基板62にはゲート電極63が形成され、該ゲート電極63を覆ってSiN絶縁膜64が積層され、SiN絶縁膜64上にアモルファスシリコン膜61が積層されている。アモルファスシリコン膜61はTFT基板表面42aを構成しており、レーザ光44はTFT形成領域のアモルファスシリコン膜61に所定時間照射される。レーザ光44を所定時間照射すると、図7(b)に示すように、照射した部分のアモルファスシリコン膜61が溶融する。レーザ光44を照射してアモルファスシリコン膜61をアニールしている間、アモルファスシリコン膜61から高温化した物質が飛散する場合がある。本発明を用いれば、溶融したアモルファスシリコンからの飛散物質は全てTFT基板表面42aを覆う液体48の中に捉えられ、ガラス基板を汚染させることはない。   As shown in FIG. 7A, a gate electrode 63 is formed on the glass substrate 62 of the TFT substrate 42, an SiN insulating film 64 is laminated so as to cover the gate electrode 63, and an amorphous silicon film is formed on the SiN insulating film 64. 61 are stacked. The amorphous silicon film 61 constitutes the TFT substrate surface 42a, and the laser light 44 is irradiated to the amorphous silicon film 61 in the TFT formation region for a predetermined time. When the laser beam 44 is irradiated for a predetermined time, as shown in FIG. 7B, the irradiated portion of the amorphous silicon film 61 is melted. While the amorphous silicon film 61 is annealed by irradiating the laser beam 44, a substance having a high temperature may be scattered from the amorphous silicon film 61 in some cases. If the present invention is used, all the scattered material from the melted amorphous silicon is caught in the liquid 48 covering the TFT substrate surface 42a and does not contaminate the glass substrate.

レーザ光44の照射が終了すると、溶融したアモルファスシリコン膜61aは、急速に冷却されて再結晶し、ポリシリコン膜が形成される。飛散物回収部50は、飛散物回収口50aから飛散物と液体48を吸引して、飛散物を回収する。   When the irradiation with the laser beam 44 is completed, the melted amorphous silicon film 61a is rapidly cooled and recrystallized to form a polysilicon film. The scattered matter collection unit 50 sucks the scattered matter and the liquid 48 from the scattered matter collection port 50a and collects the scattered matter.

アニール後のTFT基板42は、図8(c)に示すように、ポリシリコン膜66上に所定パターンのレジストマスク67を形成し、図8(d)に示すように、アモルファスシリコン膜61、ポリシリコン膜66及びSiN絶縁膜64をエッチングする。次いで、図8(e)に示すように、レジストマスク67を除去することによって、ゲート電極63上に所定パターンのポリシリコン膜66が形成されたTFT基板を得ることができる。このTFT基板のポリシリコン膜66上にソース電極及びドレイン電極を形成することによって低温ポリシリコンTFT基板を形成することができる。   As shown in FIG. 8C, the annealed TFT substrate 42 is formed with a resist mask 67 having a predetermined pattern on the polysilicon film 66, and as shown in FIG. The silicon film 66 and the SiN insulating film 64 are etched. Next, as shown in FIG. 8E, by removing the resist mask 67, a TFT substrate in which a polysilicon film 66 having a predetermined pattern is formed on the gate electrode 63 can be obtained. A low-temperature polysilicon TFT substrate can be formed by forming a source electrode and a drain electrode on the polysilicon film 66 of the TFT substrate.

上記レーザアニールにおいては、アモルファスシリコン膜61のアニール中に、アニールされているTFT基板表面42aの温度が変化すると、形成される結晶にばらつきが生じてしまう。第3の実施形態に係るレーザ加工装置40は、液体48を霧状に供給する構成を有することによって、第1の実施形態及び第2の実施形態において前述した利点に加えて、液体の供給に伴うTFT基板表面42aの温度変化を軽減することができるという利点を有している。   In the laser annealing, if the temperature of the annealed TFT substrate surface 42a changes during the annealing of the amorphous silicon film 61, the formed crystal varies. The laser processing apparatus 40 according to the third embodiment has a configuration in which the liquid 48 is supplied in the form of a mist, so that in addition to the advantages described in the first embodiment and the second embodiment, the liquid processing can be performed. It has the advantage that the accompanying temperature change of the TFT substrate surface 42a can be reduced.

[他の実施形態]
以上、本発明の実施形態について述べたが、本発明は既述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。一例として、上記第2の実施形態及び第3の実施形態は、被加工材の表面に液体を供給する構成を有しているが、液体の代わりに蒸気を供給するように構成してもよい。この場合、液体供給部27,47は、それぞれ蒸気供給部として機能する。液体の代わりに蒸気を利用したレーザ加工方法の工程を図9のフローチャートに示す。ステップS11〜S14は、図2を参照して説明したステップS1〜S4に対応している。蒸気は温度調節しやすいため、供給する蒸気の温度を調節して、被加工材の表面に与える温度変化を軽減させることができる。
[Other Embodiments]
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made based on the technical idea of the present invention. As an example, the second and third embodiments have a configuration in which a liquid is supplied to the surface of a workpiece, but may be configured to supply a vapor instead of a liquid. . In this case, the liquid supply units 27 and 47 each function as a vapor supply unit. The process of the laser processing method using steam instead of liquid is shown in the flowchart of FIG. Steps S11 to S14 correspond to steps S1 to S4 described with reference to FIG. Since the temperature of the steam is easy to adjust, the temperature change applied to the surface of the workpiece can be reduced by adjusting the temperature of the supplied steam.

上記第1の実施形態から第3の実施形態において、液体供給部7,27,47と飛散物回収部10,30,50を別個の構成部材として示しているが、これに限定されない。液体供給部7,27,47に吸引機能を付加して、液体供給部7,27,47と飛散物回収部10,30,50を一体的に構成してもよい。   In the first to third embodiments, the liquid supply units 7, 27, 47 and the scattered matter collection units 10, 30, 50 are shown as separate components, but the present invention is not limited to this. A suction function may be added to the liquid supply units 7, 27, and 47, and the liquid supply units 7, 27, and 47 and the scattered matter collection units 10, 30, and 50 may be configured integrally.

上記第2の実施形態及び第3の実施形態は、液体受け部33,43を備えているが、これに限定されず、液体受け部33,43を備えていなくてもよい。また、液体受け部33,43を飛散物回収部として機能させてもよい。この場合、一例として液体供給部27,47は、レーザ光24,44の照射が終了した後に、基板表面22a,42aに新たに液体を供給して、基板表面22a,42aを洗い流す。飛散物を包含した液体28,48は新たに供給された液体によって洗い流されて、基板表面22a,42aから液体受け部33,43に流れ落ちる。このように、液体受け部33,43を飛散物回収部として機能させる場合には、吸引機能を有する飛散物回収部30,50を設けなくてもよい。   Although the said 2nd Embodiment and 3rd Embodiment are provided with the liquid receiving parts 33 and 43, it is not limited to this, The liquid receiving parts 33 and 43 may not be provided. Moreover, you may make the liquid receptacle parts 33 and 43 function as a scattered matter collection | recovery part. In this case, as an example, the liquid supply units 27 and 47 supply new liquid to the substrate surfaces 22a and 42a after the irradiation of the laser beams 24 and 44 is finished, and wash the substrate surfaces 22a and 42a. The liquids 28 and 48 including the scattered matter are washed away by the newly supplied liquid and flow down from the substrate surfaces 22a and 42a to the liquid receiving portions 33 and 43. Thus, when making the liquid receiving parts 33 and 43 function as a scattered matter collection | recovery part, it is not necessary to provide the scattered matter collection | recovery parts 30 and 50 which have a suction function.

上記第1の実施形態から第3の実施形態において、供給する液体8,28,48は、特定の種類の液体に限定されない。液体の種類は、被加工材の材質に化学反応せず、レーザ光を吸収しないものを選択することが望ましい。第3の実施形態において、一例として、光源43をエキシマレーザ光源とし、308nm又は353nmの波長を有するレーザ光44を50Hzの繰り返し周期で放射するように構成した場合、供給する液体48として水を選択することができる。水はTFT基板表面42aを構成するアモルファスシリコン膜61の材質に影響を与えず、且つ308nm又は353nmの波長の光に対する吸収係数は極めて低いからである。   In the first to third embodiments, the liquids 8, 28, and 48 to be supplied are not limited to a specific type of liquid. It is desirable to select the type of liquid that does not chemically react with the material of the workpiece and does not absorb laser light. In the third embodiment, as an example, when the light source 43 is an excimer laser light source and the laser light 44 having a wavelength of 308 nm or 353 nm is emitted at a repetition period of 50 Hz, water is selected as the liquid 48 to be supplied. can do. This is because water does not affect the material of the amorphous silicon film 61 constituting the TFT substrate surface 42a and has an extremely low absorption coefficient for light having a wavelength of 308 nm or 353 nm.

なお、その他、紫外線を吸収しない液体として、有機酸、糖又はアミノ酸の溶液、アミン液等が挙げられる。したがって、308nm又は353nmのレーザ光等、紫外領域の波長を有するレーザ光を照射する場合には、被加工材の材質を考慮した上で、有機酸、糖又はアミノ酸の溶液、アミン液等を被加工材の表面に供給する液体として選択してもよい。   Other liquids that do not absorb ultraviolet rays include organic acid, sugar or amino acid solutions, amine solutions, and the like. Therefore, when irradiating a laser beam having a wavelength in the ultraviolet region, such as a laser beam of 308 nm or 353 nm, an organic acid, a solution of sugar or amino acid, an amine solution, or the like is applied in consideration of the material of the workpiece. You may select as a liquid supplied to the surface of a workpiece.

上記第1の実施形態から第3の実施形態において、液体供給部7,27,47が、レーザ光の波長に対応する液体8,28,48を供給するように構成してもよい。例えば、光源3,23,43は、レーザ光の波長を選択できるように構成される。液体供給部7,27,47は、図示しない複数の液体タンクに連結し、複数の液体タンク内にはそれぞれ異なる種類の液体が保持されている。一例として、光源3,23,43が308nm又は1064nmの波長のレーザ光を選択的に照射するように構成されている場合、第1の液体タンクに、308nmの波長の光を吸収しにくい液体を保持し、第2の液体タンクに1064nmの波長の光を吸収しにくい液体を保持するように構成する。この場合、液体供給部7,27,47は、照射するレーザ光が308nmの場合には、第1の液体タンクから液体を供給し、照射するレーザ光が1064nmの場合には、第2の液体タンクから液体を供給するように構成される。   In the first to third embodiments, the liquid supply units 7, 27, 47 may be configured to supply the liquids 8, 28, 48 corresponding to the wavelength of the laser light. For example, the light sources 3, 23, and 43 are configured so that the wavelength of the laser light can be selected. The liquid supply units 7, 27, and 47 are connected to a plurality of liquid tanks (not shown), and different types of liquids are held in the plurality of liquid tanks. As an example, when the light sources 3, 23, and 43 are configured to selectively irradiate laser light having a wavelength of 308 nm or 1064 nm, a liquid that hardly absorbs light having a wavelength of 308 nm is applied to the first liquid tank. The second liquid tank is configured to hold a liquid that hardly absorbs light having a wavelength of 1064 nm. In this case, the liquid supply units 7, 27, and 47 supply the liquid from the first liquid tank when the irradiated laser beam is 308 nm, and the second liquid when the irradiated laser beam is 1064 nm. It is configured to supply liquid from the tank.

被加工物の表面に液体の代わりに蒸気を供給する場合であっても、液体と同様に、蒸気の種類は限定されない。レーザ光の波長に対応する蒸気を供給する場合には、例えば、上記第1の液体タンクと上記第2の液体タンクとを蒸気生成部を介して蒸気供給部に連結し、照射するレーザ光の波長に応じて、上記第1の液体タンク又は上記第2の液体タンクから液体を蒸気生成部に供給するように構成してもよい。   Even when steam is supplied to the surface of the workpiece instead of liquid, the type of steam is not limited as in the case of liquid. When supplying vapor corresponding to the wavelength of the laser beam, for example, the first liquid tank and the second liquid tank are connected to the vapor supply unit via the vapor generation unit, and the laser beam to be irradiated is irradiated. Depending on the wavelength, the liquid may be supplied from the first liquid tank or the second liquid tank to the vapor generating unit.

また、上記第1の実施形態から第3の実施形態において、液体8,28,48は、被加工材表面2a,基板表面22a,TFT基板表面42aの略全面を覆うように供給されているが、これに限定されない。例えば、被加工材表面において、レーザ光を照射する部分にのみ液体又は蒸気を供給するように構成してもよい。   In the first to third embodiments, the liquids 8, 28, and 48 are supplied so as to cover substantially the entire surface of the workpiece surface 2a, the substrate surface 22a, and the TFT substrate surface 42a. However, the present invention is not limited to this. For example, a liquid or vapor may be supplied only to a portion to be irradiated with laser light on the workpiece surface.

1,20,40 レーザ加工装置
2 被加工材
2a 被加工材表面
3,23,43 光源
4,24,44 レーザ光
5 レンズ部
6,26,46 搬送部
7,27,47 液体供給部
8,28,48 液体
10,30,50 飛散物回収部
22 基板
22a 基板表面
25,45 マイクロレンズアレイ
32,52 透光板
42 TFT基板
42a TFT基板表面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,20,40 Laser processing apparatus 2 Work material 2a Work material surface 3,23,43 Light source 4,24,44 Laser light 5 Lens part 6,26,46 Conveyance part 7,27,47 Liquid supply part 8, 28,48 Liquid 10,30,50 Scatter collection part 22 Substrate 22a Substrate surface 25,45 Microlens array 32,52 Translucent plate 42 TFT substrate 42a TFT substrate surface

Claims (13)

被加工材の表面を加工するレーザ光を発する光源と、
前記被加工材を搬送する搬送部と、
前記レーザ光が前記搬送された被加工材の前記表面に照射されたことによって、前記被加工材から飛散した物質を捉えるために、前記被加工材の前記表面に液体を供給する液体供給部と、
前記被加工材から飛散して前記液体の中に捉えられた前記物質を回収する飛散物回収部と
を備えるレーザ加工装置。
A light source that emits laser light to process the surface of the workpiece;
A transport unit for transporting the workpiece;
A liquid supply unit for supplying a liquid to the surface of the workpiece in order to capture a substance scattered from the workpiece by irradiating the surface of the conveyed workpiece with the laser beam; ,
A laser processing apparatus comprising: a scattered matter recovery unit that recovers the substance scattered from the workpiece and captured in the liquid.
前記液体供給部は、前記液体を前記被加工材の前記表面に霧状に噴射するように構成されていることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid supply unit is configured to spray the liquid onto the surface of the workpiece in the form of a mist. 被加工材の表面を加工するレーザ光を発する光源と、
前記被加工材を搬送する搬送部と、
前記レーザ光が前記搬送された被加工材の前記表面に照射されたことによって、前記被加工材から飛散した物質を捉えるために、前記被加工材の前記表面に蒸気を供給する蒸気供給部と、
前記被加工材から飛散して前記蒸気の中に捉えられた前記物質を回収する飛散物回収部と
を備えるレーザ加工装置。
A light source that emits laser light to process the surface of the workpiece;
A transport unit for transporting the workpiece;
A vapor supply unit for supplying vapor to the surface of the workpiece in order to capture the substance scattered from the workpiece by irradiating the surface of the conveyed workpiece with the laser beam; ,
A laser processing apparatus comprising: a scattered matter recovery unit that recovers the substance that is scattered from the workpiece and captured in the vapor.
前記被加工材の前記表面に対向して配置した透光板をさらに備え、
前記液体供給部は、前記透光板と前記被加工材の前記表面との間に前記液体を供給することを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工装置。
A translucent plate disposed opposite to the surface of the workpiece;
The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid supply unit supplies the liquid between the translucent plate and the surface of the workpiece.
前記被加工材の前記表面に対向して配置した透光板をさらに備え、
前記蒸気供給部は、前記透光板と前記被加工材の前記表面との間に前記蒸気を供給することを特徴とする請求項3記載のレーザ加工装置。
A translucent plate disposed opposite to the surface of the workpiece;
The laser processing apparatus according to claim 3, wherein the steam supply unit supplies the steam between the translucent plate and the surface of the workpiece.
前記液体供給部は、前記被加工材における加工される表面の略全面を覆うように、前記液体を供給することを特徴とする請求項1,2又は4のいずれか1項記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid supply unit supplies the liquid so as to cover substantially the entire surface of the workpiece to be processed. . 前記蒸気供給部は、前記被加工材における加工される表面の略全面を覆うように、前記蒸気を供給することを特徴とする請求項3又は5記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 3, wherein the steam supply unit supplies the steam so as to cover substantially the entire surface to be processed of the workpiece. 前記レーザから照射されたレーザ光を前記被加工材の前記表面に集光するマイクロレンズアレイをさらに備えることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 1, further comprising a microlens array that condenses laser light emitted from the laser onto the surface of the workpiece. 前記光源は、レーザ光の波長を選択するように制御できるものであって、
前記液体供給部は、前記選択された波長のレーザ光に対応する液体を供給するものであることを特徴とする請求項1,2,4又は6のいずれか1項記載のレーザ加工装置。
The light source can be controlled to select the wavelength of laser light,
The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid supply unit supplies a liquid corresponding to the laser beam having the selected wavelength.
前記光源は、レーザ光の波長を選択するように制御できるものであって、
前記蒸気供給部は、前記選択された波長のレーザ光に対応する蒸気を供給するものであることを特徴とする請求項3,5又は7のいずれか1項記載のレーザ加工装置。
The light source can be controlled to select the wavelength of laser light,
The laser processing apparatus according to claim 3, wherein the steam supply unit supplies steam corresponding to the laser beam having the selected wavelength.
被加工材を搬送するステップと、
前記搬送された被加工材の表面に液体を供給するステップと、
前記液体を供給した後に、前記液体を介して前記被加工材の前記表面にレーザ光を照射するステップと、
前記レーザ光の照射によって前記被加工材から飛散し、前記液体の中に捉えられた物質を回収するステップと
を含むレーザ加工方法。
Conveying the workpiece;
Supplying liquid to the surface of the conveyed workpiece;
Irradiating the surface of the workpiece with laser light through the liquid after supplying the liquid;
A step of recovering a substance scattered from the workpiece by the irradiation of the laser light and captured in the liquid.
前記液体を供給するステップは、前記液体を前記被加工材の前記表面に霧状に噴射するステップを含むことを特徴とする請求項11記載のレーザ加工方法。   The laser processing method according to claim 11, wherein the step of supplying the liquid includes a step of spraying the liquid onto the surface of the workpiece in a mist form. 被加工材を搬送するステップと、
前記搬送された被加工材の表面に蒸気を供給するステップと、
前記蒸気を供給した後に、前記蒸気を介して前記被加工材の前記表面にレーザ光を照射するステップと、
前記レーザ光の照射によって前記被加工材から飛散し、前記蒸気の中に捉えられた物質を回収するステップと
を含むレーザ加工方法。
Conveying the workpiece;
Supplying steam to the surface of the conveyed workpiece;
Irradiating the surface of the workpiece with laser light through the steam after supplying the steam;
A step of recovering a substance scattered from the workpiece by being irradiated with the laser light and captured in the vapor.
JP2011233383A 2011-10-24 2011-10-24 Apparatus and method for laser machining Pending JP2013091069A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011233383A JP2013091069A (en) 2011-10-24 2011-10-24 Apparatus and method for laser machining

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011233383A JP2013091069A (en) 2011-10-24 2011-10-24 Apparatus and method for laser machining

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013091069A true JP2013091069A (en) 2013-05-16

Family

ID=48614629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011233383A Pending JP2013091069A (en) 2011-10-24 2011-10-24 Apparatus and method for laser machining

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013091069A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017034007A (en) * 2015-07-29 2017-02-09 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2021523833A (en) * 2019-04-25 2021-09-09 樹峰 孫 Multi-tasking equipment and method using self-generated abrasive grain flow based on a beam consisting of a laser and a jet liquid
CN113471102A (en) * 2021-05-17 2021-10-01 中国科学院微电子研究所 Laser annealing equipment and laser annealing method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017034007A (en) * 2015-07-29 2017-02-09 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2021523833A (en) * 2019-04-25 2021-09-09 樹峰 孫 Multi-tasking equipment and method using self-generated abrasive grain flow based on a beam consisting of a laser and a jet liquid
JP7044280B2 (en) 2019-04-25 2022-03-30 樹峰 孫 Multi-tasking equipment and method using self-generated abrasive grain flow based on a beam consisting of a laser and a jet liquid
CN113471102A (en) * 2021-05-17 2021-10-01 中国科学院微电子研究所 Laser annealing equipment and laser annealing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5023614B2 (en) Semiconductor chip manufacturing method and semiconductor wafer processing method
JP5884147B2 (en) Laser annealing apparatus and laser annealing method
TWI492306B (en) Laser annealing method and laser annealing device
CN103797149B (en) Vapor-deposition mask, vapor-deposition mask manufacturing method, and thin-film pattern forming method
CN103962728B (en) Laser processing
JP5958824B2 (en) Manufacturing method of vapor deposition mask
US8564759B2 (en) Apparatus and method for immersion lithography
TWI593003B (en) Wafer laser processing methods
JP5443102B2 (en) Laser processing equipment
US20140345646A1 (en) Apparatus and method for cleaning photomask
CN107119253B (en) Shadow mask, method for manufacturing shadow mask, and method for manufacturing display device
JP2007260773A (en) Substrate cutting method and substrate cutting apparatus using the same
JP2013091069A (en) Apparatus and method for laser machining
WO2004065027A1 (en) Iced film substrate cleaning
JP2014106311A (en) Foreign substance removal device, foreign substance removal method
CN108687446A (en) The laser processing of chip
CN102990223A (en) Laser processing apparatus
KR20140118537A (en) Method of manufacturing mask
KR20190142317A (en) Chip manufacturing method, and silicon chip
CN112534080B (en) Method for manufacturing vapor deposition mask and method for manufacturing organic EL display device
JP2011071038A (en) Mask cleaning method for organic el, mask cleaning device for organic el, manufacturing device of organic el display, and organic el display
JP2005118832A (en) Laser processing method and laser processing apparatus
US20130344685A1 (en) Processing method and processing apparatus
CN101211801B (en) Wafer processing method
JP6670781B2 (en) Liquid removal device