[go: up one dir, main page]

JP2013074044A - Chip resistor - Google Patents

Chip resistor Download PDF

Info

Publication number
JP2013074044A
JP2013074044A JP2011211095A JP2011211095A JP2013074044A JP 2013074044 A JP2013074044 A JP 2013074044A JP 2011211095 A JP2011211095 A JP 2011211095A JP 2011211095 A JP2011211095 A JP 2011211095A JP 2013074044 A JP2013074044 A JP 2013074044A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
electrode layer
chip resistor
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011211095A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Akaha
泰 赤羽
Shinsuke Chihara
臣祐 千原
Shuji Katsuno
秀次 鹿角
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koa Corp
Original Assignee
Koa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koa Corp filed Critical Koa Corp
Priority to JP2011211095A priority Critical patent/JP2013074044A/en
Priority to CN2012104008874A priority patent/CN103021599A/en
Publication of JP2013074044A publication Critical patent/JP2013074044A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip resistor capable of reducing damage due to a heat shock in a solder joint.SOLUTION: A rear electrode 3 of a chip resistor 1 includes a first electrode layer 3a consisting of sintered silver fixed to the rear surface of a ceramic substrate 2, and a second electrode layer 3b consisting of sintered silver laminated in an area crossing a central part of the first electrode layer 3a. A step 12 extending from the side surface of the second electrode layer 3b to the surface of the first electrode layer 3a is formed and a step 13 corresponding to the step 12 is formed in a part of a plated layer (a nickel plated layer 9 and a solder plated layer 10) covering the rear electrode 3. Accordingly, since there is not a risk that thickness of the solder joint (solder 32) interposed between the rear electrode 3 and a land 31 is increased in a part of the step 13 when the chip resistor 1 is mounted on a circuit board 30, and thermal stress is concentrated in a boundary part between the first and second electrode layers 3a and 3b, damage due to a heat shock in the solder joint can be reduced.

Description

本発明はチップ抵抗器に係り、特に、実装時に半田接合される、セラミック基板の裏面に設けられた裏面電極の改良に関する。   The present invention relates to a chip resistor, and more particularly to improvement of a back electrode provided on a back surface of a ceramic substrate, which is soldered at the time of mounting.

図6は従来の一般的なチップ抵抗器を模式的に示す断面図である。同図に示すチップ抵抗器21は、直方体形状のセラミック基板22と、焼成銀等からなりセラミック基板22の図示上面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極23と、酸化ルテニウム等からなり一対の表面電極23間に跨って設けられた抵抗体24と、この抵抗体24を被覆する絶縁性の保護層25と、焼成銀等からなりセラミック基板22の図示下面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極26と、セラミック基板22の長手方向両端面に設けられて表面電極23と裏面電極26とを橋絡する一対の端面電極27とを備えており、下地電極層としてコ字状に連続する表面電極23と端面電極27および裏面電極26にメッキ層28が被着されている。   FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a conventional general chip resistor. The chip resistor 21 shown in the figure is made of a rectangular parallelepiped ceramic substrate 22, a pair of surface electrodes 23 made of sintered silver or the like provided at both ends in the longitudinal direction of the upper surface of the ceramic substrate 22, and ruthenium oxide or the like. A resistor 24 provided between the pair of surface electrodes 23, an insulating protective layer 25 covering the resistor 24, and provided at both ends in the longitudinal direction of the lower surface of the ceramic substrate 22 made of sintered silver or the like. A pair of back surface electrodes 26 and a pair of end surface electrodes 27 provided on both end surfaces in the longitudinal direction of the ceramic substrate 22 to bridge the front surface electrode 23 and the back surface electrode 26. A plating layer 28 is attached to the front surface electrode 23, the end surface electrode 27, and the back surface electrode 26 that are continuous in a shape.

かかるチップ抵抗器21において、セラミック基板22は大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものであり、この大判基板に対して多数個分の表面電極23や抵抗体24、裏面電極26、保護層25等が一括して形成される。また、チップ抵抗器21の抵抗値の調整は、抵抗体24に図示せぬトリミング溝を形成することによって行われる。保護層25は一般的に2層構造になっており、抵抗体24をトリミングする抵抗値調整の前に形成されるアンダーコート層と、抵抗値調整の後に形成されるオーバーコート層とが積層されている。また、端面電極27は多数個分の保護層25が形成された大判基板を1次分割してなる短冊状基板の分割面に形成され、端面電極27を形成した後に短冊状基板を個片(チップ単体)に2次分割して各チップ単体にメッキ層28が被着されるようになっている。このメッキ層28は、下地電極層に密着する最内層のニッケル(Ni)メッキ層と、外表面に露出する最外層の半田(Sn/Pb)メッキ層または錫(Sn)メッキ層とを含む2層以上の積層構造になっている。   In the chip resistor 21, the ceramic substrate 22 is obtained by dividing a large substrate along a vertical and horizontal dividing groove, and a large number of ceramic substrates 22 are obtained. The back electrode 26, the protective layer 25, and the like are collectively formed. The resistance value of the chip resistor 21 is adjusted by forming a trimming groove (not shown) in the resistor 24. The protective layer 25 generally has a two-layer structure, and an undercoat layer formed before adjusting the resistance value for trimming the resistor 24 and an overcoat layer formed after adjusting the resistance value are laminated. ing. The end surface electrode 27 is formed on a split surface of a strip-shaped substrate obtained by first dividing a large substrate on which a large number of protective layers 25 are formed. After the end surface electrode 27 is formed, the strip-shaped substrate is separated into pieces ( The chip layer is divided into two parts, and the plated layer 28 is deposited on each chip. This plating layer 28 includes an innermost nickel (Ni) plating layer in close contact with the base electrode layer, and an outermost solder (Sn / Pb) plating layer or tin (Sn) plating layer exposed on the outer surface. It has a laminated structure of more than one layer.

ところで、この種のチップ抵抗器21は、回路基板に設けられたランド上に裏面電極26を搭載して半田接合することで面実装されるが、実装後にチップ抵抗器21への熱環境の変化が繰り返される(以後ヒートショックと呼ぶ)と、この半田接合部が熱応力で損傷してクラックを生じやすくなる。そして、半田接合部にヒートショックによるクラックが生じると、半田接合部はチップ抵抗器21の裏面電極26と回路基板のランドとを電気的かつ機械的に接続する箇所であるため、最悪の場合は導通不良に至ることもあった。   By the way, this type of chip resistor 21 is surface-mounted by mounting a back electrode 26 on a land provided on a circuit board and soldering, but the thermal environment changes to the chip resistor 21 after mounting. Is repeated (hereinafter referred to as heat shock), the solder joints are easily damaged by thermal stress and cracks are likely to occur. When a crack due to heat shock occurs in the solder joint, the solder joint is a place where the back electrode 26 of the chip resistor 21 and the land of the circuit board are electrically and mechanically connected. It sometimes led to poor continuity.

そこで従来より、裏面電極を焼成銀からなる内層と導電性樹脂からなる外層との2層構造にし、半田接合部に作用する熱応力を緩和できるようにしたチップ抵抗器が提案されている(例えば、特許文献1参照)。かかる従来のチップ抵抗器では、回路基板のランド上で半田接合部と接触する裏面電極の外層が導電性樹脂からなるため、裏面電極が焼成銀のみからなる場合に比べると、半田接合部に作用する熱応力を緩和する効果が期待できる。   Therefore, conventionally, a chip resistor has been proposed in which the back electrode has a two-layer structure of an inner layer made of baked silver and an outer layer made of a conductive resin so that thermal stress acting on the solder joint can be reduced (for example, , See Patent Document 1). In such a conventional chip resistor, since the outer layer of the back electrode that contacts the solder joint on the land of the circuit board is made of a conductive resin, it acts on the solder joint compared to the case where the back electrode is made only of sintered silver. The effect of relaxing the thermal stress is expected.

特開2008−84905号公報JP 2008-84905 A

しかしながら、本発明者らが精査したところ、特許文献1に記載されたチップ抵抗器のように裏面電極の外層が導電性樹脂で形成されていても、この外層と焼成銀からなる内層との境界部分が半田接合部に接触していると、この境界部分で半田接合部に熱応力が集中してクラックを生じやすいことが判明した。さらに、裏面電極の外層を導電性樹脂で形成した場合、半田接合時の加熱により樹脂分からアウトガスが発生し、このアウトガスによって接合部にボイドが形成されてしまうため、半田爆ぜの発生や固着性の低下が余儀なくされる。また、導電性樹脂からなる外層で焼成銀からなる内層を完全に覆ってしまえば、両者の境界部分が半田接合部に接触しなくなるが、こうすると樹脂分からのアウトガスの発生量が増加し、半田爆ぜの発生や固着性が弱くなって好ましくない。したがって、裏面電極の外層を導電性樹脂で形成するという従来技術を採用しても、ヒートショックによる半田接合部の損傷を防止する効果は不十分であって、チップ抵抗器の耐用寿命を大幅に延ばすことは困難であり、半田爆ぜの発生や固着性が弱くなるというデメリットもある。   However, when the present inventors have scrutinized, even if the outer layer of the back electrode is formed of a conductive resin like the chip resistor described in Patent Document 1, the boundary between the outer layer and the inner layer made of sintered silver It has been found that if the portion is in contact with the solder joint, thermal stress concentrates on the solder joint at this boundary portion, and cracks are likely to occur. Furthermore, when the outer layer of the back electrode is formed of a conductive resin, outgas is generated from the resin component due to heating during solder bonding, and voids are formed in the joint due to this outgas. A decline is forced. Also, if the outer layer made of conductive resin completely covers the inner layer made of baked silver, the boundary between the two will not come into contact with the solder joint, but this will increase the amount of outgas generated from the resin, It is not preferable because the occurrence of explosion and the fixing property are weakened. Therefore, even if the conventional technique of forming the outer layer of the back electrode with a conductive resin is employed, the effect of preventing damage to the solder joint due to heat shock is insufficient, greatly increasing the useful life of the chip resistor. It is difficult to extend, and there is a demerit that solder explosion occurs and adhesion is weakened.

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供することにある。   The present invention has been made in view of the situation of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a chip resistor in which a solder joint is less likely to be damaged by heat shock.

上記の目的を達成するために、本発明は、セラミック基板の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように前記セラミック基板の表面に設けられた抵抗体と、前記セラミック基板の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、前記抵抗体を被覆する絶縁性の保護層と、前記セラミック基板の両端面に設けられて前記表面電極と前記裏面電極とを橋絡している一対の端面電極とを備え、回路基板に設けられたランド上に前記裏面電極を搭載して半田接合することによって面実装されるチップ抵抗器において、前記裏面電極が、前記セラミック基板の裏面に固着された第1電極層と、この第1電極層の少なくとも縁部から外れた一部領域に積層された第2電極層とからなり、これら第1および第2電極層がいずれも焼成銀で形成されたものであるという構成にした。   In order to achieve the above object, the present invention provides a pair of surface electrodes provided at both longitudinal ends of the surface of the ceramic substrate, and the surface of the ceramic substrate so as to be connected to the pair of surface electrodes. A resistor, a pair of backside electrodes provided at both ends in the longitudinal direction of the back surface of the ceramic substrate, an insulating protective layer covering the resistor, and the surface provided at both end surfaces of the ceramic substrate. In a chip resistor comprising a pair of end face electrodes bridging an electrode and the back electrode, and surface-mounted by mounting the back electrode on a land provided on a circuit board and soldering, The back electrode is composed of a first electrode layer fixed to the back surface of the ceramic substrate and a second electrode layer laminated in a partial region deviating from at least the edge of the first electrode layer. Preliminary second electrode layer has the configuration that is one formed by any baked silver.

このように第1電極層の一部領域に第2電極層を積層してなる裏面電極においては、第2電極層の側面から第1電極層の表面へ至る段差が形成されるため、この段差を利用して半田接合部の厚みを増大させることができる。また、第1電極層と第2電極層はいずれも焼成銀からなるため、両電極層の境界部分に熱応力が集中する虞はなく、裏面電極の製造工程が特に煩雑化することもない。したがって、このチップ抵抗器は、裏面電極と回路基板のランドとの間に介設された半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低く、コストアップも回避しやすいものとなっている。   Thus, in the back electrode formed by laminating the second electrode layer in a partial region of the first electrode layer, a step is formed from the side surface of the second electrode layer to the surface of the first electrode layer. Can be used to increase the thickness of the solder joint. Further, since both the first electrode layer and the second electrode layer are made of baked silver, there is no possibility that thermal stress is concentrated on the boundary portion between both electrode layers, and the manufacturing process of the back electrode is not particularly complicated. Therefore, this chip resistor is unlikely to be damaged by a heat shock at the solder joint interposed between the back electrode and the circuit board land, and it is easy to avoid an increase in cost.

上記の構成において、第1電極層と第2電極層は焼成銀であれば組成の違う別材料を用いて形成しても良いが、これら第1電極層と第2電極層が組成を同じくする同一材料で形成されていると、第1電極層と第2電極層を同じAgペースト等を使用して形成することができるため、Agペーストの交換等を含めた作業性が良好となる。   In the above configuration, the first electrode layer and the second electrode layer may be formed using different materials having different compositions as long as they are baked silver, but the first electrode layer and the second electrode layer have the same composition. When the same material is used, the first electrode layer and the second electrode layer can be formed using the same Ag paste or the like, so that the workability including the exchange of the Ag paste is improved.

本発明のチップ抵抗器は、第1電極層の縁部から外れた一部領域に第2電極層を積層して裏面電極となし、これら第1および第2電極層をいずれも焼成銀で形成しているため、両電極層の境界部分に熱応力が集中する虞はなく、第2電極層の側面から第1電極層の表面へ至る段差を利用して半田接合部の厚みを増大させることができる。それゆえ、裏面電極と回路基板のランドとの間に介設された半田接合部がヒートショックで損傷する可能性が低くなる。また、このチップ抵抗器は、裏面電極の製造工程を特に煩雑化する必要がないため、コストアップも回避しやすい。それゆえ、ヒートショックに強くて耐用寿命の長いチップ抵抗器を安価に提供することができる。   In the chip resistor according to the present invention, the second electrode layer is laminated on a partial region off the edge of the first electrode layer to form a back electrode, and both the first and second electrode layers are formed of sintered silver. Therefore, there is no risk of thermal stress concentrating on the boundary portion between the two electrode layers, and the thickness of the solder joint is increased by using a step from the side surface of the second electrode layer to the surface of the first electrode layer. Can do. Therefore, the possibility that the solder joint interposed between the back electrode and the land of the circuit board is damaged by heat shock is reduced. In addition, this chip resistor does not need to complicate the manufacturing process of the back electrode, and thus it is easy to avoid an increase in cost. Therefore, a chip resistor that is resistant to heat shock and has a long service life can be provided at low cost.

本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の実装状態を模式的に示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows typically the mounting state of the chip resistor which concerns on the example of embodiment of this invention. 該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of this chip resistor. 該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of this chip resistor. 該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of this chip resistor. 該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of this chip resistor. 従来の一般的なチップ抵抗器を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional common chip resistor typically.

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器1は、図2〜図4に順次示す各工程を経て製造され、図1に示すように回路基板30上に面実装して使用される。なお、図4の最下部にはチップ抵抗器1の完成品が図示されている。   Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. The chip resistor 1 according to the embodiment of the present invention is manufactured through the respective steps shown in FIGS. 2 to 4 and used by being surface-mounted on a circuit board 30 as shown in FIG. A completed product of the chip resistor 1 is shown at the bottom of FIG.

このチップ抵抗器1は、直方体形状のセラミック基板2と、このセラミック基板2の裏面(図1では下面)の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極3と、セラミック基板2の表面(図1では上面)の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極4と、これら一対の表面電極4に両端部を重ね合わせてセラミック基板2の表面に設けられた抵抗体5と、セラミック基板2の長手方向両端面に設けられて裏面電極3と表面電極4とを橋絡している一対の端面電極6と、抵抗体5を被覆する2層構造の保護層(アンダーコート層7およびオーバーコート層8)と、下地電極層としてコ字状に連続する表面電極4と端面電極6および裏面電極3に被着せしめた2層構造のメッキ層(ニッケルメッキ層9および半田メッキ層10)とによって構成されている。   The chip resistor 1 includes a rectangular parallelepiped ceramic substrate 2, a pair of back surface electrodes 3 provided at both ends in the longitudinal direction of the back surface (the lower surface in FIG. 1) of the ceramic substrate 2, and the front surface (see FIG. 1, a pair of surface electrodes 4 provided on both ends of the longitudinal direction of the upper surface), a resistor 5 provided on the surface of the ceramic substrate 2 with both ends overlapped with the pair of surface electrodes 4, and the ceramic substrate 2. A pair of end surface electrodes 6 provided on both end surfaces in the longitudinal direction of the substrate and bridging the back surface electrode 3 and the front surface electrode 4, and a protective layer (undercoat layer 7 and overcoat layer) covering the resistor 5 Layer 8) and a surface electrode 4 continuous in a U-shape as a base electrode layer and a two-layered plating layer (nickel plating layer 9 and solder plating layer 10) deposited on the end surface electrode 6 and the back surface electrode 3 Constitution It has been.

セラミック基板2はアルミナを主成分とする絶縁基板であり、後述する大判基板40(図2,3参照)を縦横の分割溝41,42に沿って分割して多数個取りされたものである。裏面電極3と表面電極4の主成分は銀であり、端面電極6の主成分はニッケルおよびクロムである。また、抵抗体5は酸化ルテニウム等からなり、この抵抗体5にトリミング溝11(図3参照)を形成することによってチップ抵抗器1の抵抗値が調整されている。なお、チップ抵抗器1の製造時には、大判基板40に対して多数個分の表面電極4や抵抗体5や裏面電極3やアンダーコート層7やオーバーコート層8等が一括して形成される。   The ceramic substrate 2 is an insulating substrate mainly composed of alumina, and is obtained by dividing a large-sized substrate 40 (see FIGS. 2 and 3), which will be described later, along a vertical and horizontal dividing grooves 41 and 42 and taking a large number. The main component of the back electrode 3 and the front electrode 4 is silver, and the main component of the end face electrode 6 is nickel and chromium. The resistor 5 is made of ruthenium oxide or the like, and the resistance value of the chip resistor 1 is adjusted by forming a trimming groove 11 (see FIG. 3) in the resistor 5. When manufacturing the chip resistor 1, a large number of front surface electrodes 4, resistors 5, back surface electrodes 3, undercoat layers 7, overcoat layers 8, and the like are collectively formed on the large substrate 40.

また、このチップ抵抗器1の裏面電極3は、セラミック基板2の裏面に固着された第1電極層3aと、第1電極層3aの中央部を横断する領域に積層された第2電極層3bとからなり、第1および第2電極層3a,3bはいずれも焼成銀で形成されている。詳しい製造方法については後述するが、Agペーストを印刷して未焼成の第1電極層3aと第2電極層3bを順次形成した後、高温焼成することによって、Agの焼結体として第1および第2電極層3a,3bが形成されている。なお、第2電極層3bを第1電極層3aの中央部以外の領域に積層して裏面電極3となしても良く、要は、第2電極層3bの側面から第1電極層3aの表面へ至る段差12が形成されるように、第2電極層3bが第1電極層3aの縁部から外れた一部領域に積層されていれば良い。   Further, the back electrode 3 of the chip resistor 1 includes a first electrode layer 3a fixed to the back surface of the ceramic substrate 2, and a second electrode layer 3b stacked in a region crossing the central portion of the first electrode layer 3a. The first and second electrode layers 3a and 3b are both made of baked silver. Although a detailed manufacturing method will be described later, after the Ag paste is printed and the unfired first electrode layer 3a and the second electrode layer 3b are sequentially formed, the first and second Ag sintered bodies are obtained by firing at a high temperature. Second electrode layers 3a and 3b are formed. The second electrode layer 3b may be laminated in a region other than the central portion of the first electrode layer 3a to form the back electrode 3. In short, the surface of the first electrode layer 3a is formed from the side surface of the second electrode layer 3b. It is only necessary that the second electrode layer 3b is laminated in a partial region away from the edge of the first electrode layer 3a so that the step 12 leading to is formed.

図1に示すように、このチップ抵抗器1は、回路基板30に設けられたランド31上に裏面電極3を搭載して半田32で接合することによって面実装される。チップ抵抗器1のメッキ層(ニッケルメッキ層9および半田メッキ層10)には、裏面電極3を覆う部分に前記段差12と対応する段差13が形成されているため、実装状態において、この段差13で半田32の厚みは増大している。したがって、裏面電極3とランド31との間に介設された半田接合部(半田32)は、熱応力が作用してもクラックを生じにくい。   As shown in FIG. 1, the chip resistor 1 is surface-mounted by mounting a back electrode 3 on a land 31 provided on a circuit board 30 and joining with a solder 32. Since a step 13 corresponding to the step 12 is formed in a portion covering the back electrode 3 in the plating layer (nickel plating layer 9 and solder plating layer 10) of the chip resistor 1, this step 13 in the mounted state. Therefore, the thickness of the solder 32 is increased. Therefore, the solder joint (solder 32) interposed between the back electrode 3 and the land 31 is less likely to crack even when thermal stress is applied.

次に、このチップ抵抗器1の製造工程(第1工程〜第16工程)について、図2〜図4を参照しながら詳しく説明する。なお、第1工程から第5工程までは図2を参照して説明し、第6工程から第12工程までは図3を参照して説明し、第13工程から第16工程までは図4を参照して説明する。また、これらの図においては、左側に1個のチップ領域に対応する模式的な断面図を示し、右側に複数個のチップ領域に対応する模式的な平面図(ただし第1および第2工程では裏面側の平面図)を示している。   Next, the manufacturing process (1st process-16th process) of this chip resistor 1 is demonstrated in detail, referring FIGS. The first to fifth steps will be described with reference to FIG. 2, the sixth to twelfth steps will be described with reference to FIG. 3, and the thirteenth to sixteenth steps will be described with reference to FIG. The description will be given with reference. In these drawings, a schematic sectional view corresponding to one chip region is shown on the left side, and a schematic plan view corresponding to a plurality of chip regions on the right side (however, in the first and second steps). A plan view on the back side) is shown.

まず、第1工程として、セラミック基板2が多数個取りされる大判基板40の裏面40aに、Agペーストをスクリーン印刷して乾燥させることによって未焼成の第1電極層3aを形成する。なお、大判基板40には予め1次分割溝41と2次分割溝42が格子状に設けられており、両分割溝41,42によって区切られたマス目の1つ1つが1個分のチップ領域となるが、第1電極層3aは1次分割溝41を介して隣接する一方のチップ領域の長手方向一端部と他方のチップ領域の長手方向他端部とに連続的に形成する。   First, as a first step, an unfired first electrode layer 3a is formed by screen-printing and drying an Ag paste on the back surface 40a of a large substrate 40 on which a large number of ceramic substrates 2 are taken. The large-sized substrate 40 is provided with a primary dividing groove 41 and a secondary dividing groove 42 in a lattice shape in advance, and each of the squares divided by both the dividing grooves 41 and 42 is one chip. The first electrode layer 3a is continuously formed at one end in the longitudinal direction of one adjacent chip region and the other end in the longitudinal direction of the other chip region via the primary dividing groove 41.

こうして第1電極層3aを印刷して乾燥させた後、第2工程として、各第1電極層3aの中央部を横断する領域にAgペーストをスクリーン印刷して乾燥させることにより、未焼成の第2電極層3bを形成する。その際、組成が全く同じAgペーストを用いて第1電極層3aと第2電極層3bを形成すると、Agペーストの交換等を含めた作業性が良好なものとなる。そして、これら第1および第2電極層3a,3bによって断面視逆凸状の積層体が各チップ領域の長手方向両端部に形成され、この積層体が後述する第4工程で裏面電極3になる。   After the first electrode layer 3a is printed and dried in this way, as a second step, Ag paste is screen-printed in a region crossing the central portion of each first electrode layer 3a and dried, so that the unfired first electrode layer 3a is dried. A two-electrode layer 3b is formed. At this time, if the first electrode layer 3a and the second electrode layer 3b are formed using an Ag paste having the same composition, workability including exchanging of the Ag paste is improved. Then, these first and second electrode layers 3a and 3b form a laminated body having a reverse convex shape in sectional view at both ends in the longitudinal direction of each chip region, and this laminated body becomes the back electrode 3 in a fourth step to be described later. .

また、第3工程として、大判基板40の裏面40aと反対側の表面40bに、Ag/Pdペーストをスクリーン印刷して乾燥させることによって未焼成の表面電極4を形成する。なお、大判基板40の表面40bにおける表面電極4群の形成位置と、裏面40aにおける第1電極層3a群の形成位置はほぼ対応している。   Further, as a third step, the unfired surface electrode 4 is formed by screen-printing and drying the Ag / Pd paste on the surface 40b opposite to the back surface 40a of the large substrate 40. The formation position of the front electrode group 4 on the front surface 40b of the large substrate 40 substantially corresponds to the formation position of the first electrode layer 3a group on the rear surface 40a.

次に、第4工程として、第1および第2電極層3a,3bと表面電極4を850℃程度の高温で焼成する。なお、このように第1および第2電極層3a,3bと表面電極4とを同時に焼成すると、焼成工程を減らしてコストダウンを図ることが可能となる。これにより、大判基板40の裏面40aに密着して固定された焼成銀からなる第1電極層3aと、この第1電極層3aの一部領域に密着して固定された焼成銀からなる第2電極層3bとが得られるため、これら第1および第2電極層3a,3bによって焼成銀からなる断面視逆凸状の裏面電極3が形成される。また、大判基板40の表面40bには、パラジウムを含む焼成銀からなる表面電極4が形成される。この表面電極4については、パラジウムを含むことによって耐硫化特性に有効となる。   Next, as the fourth step, the first and second electrode layers 3a and 3b and the surface electrode 4 are baked at a high temperature of about 850 ° C. If the first and second electrode layers 3a and 3b and the surface electrode 4 are fired at the same time as described above, the firing process can be reduced to reduce the cost. Thus, the first electrode layer 3a made of baked silver fixed in close contact with the back surface 40a of the large substrate 40, and the second electrode made of baked silver fixed in close contact with a partial region of the first electrode layer 3a. Since the electrode layer 3b is obtained, the first and second electrode layers 3a and 3b form the back electrode 3 having a reverse convex shape in sectional view made of sintered silver. A surface electrode 4 made of baked silver containing palladium is formed on the surface 40b of the large substrate 40. About this surface electrode 4, it becomes effective in a sulfidation-resistant characteristic by containing palladium.

しかる後、第5工程として、大判基板40の表面40bに酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥させることにより、各チップ領域に未焼成の抵抗体5を形成する。その際、抵抗体5の長手方向両端部は、各チップ領域の長手方向両端部に設けられている表面電極4に重ね合わせておく。そして、次なる第6工程で、この抵抗体5を850℃程度の高温で焼成する。なお、前述した第4工程の焼成を省略し、この第6工程で第1および第2電極層3a,3bと表面電極4と抵抗体5とを同時に焼成しても良く、その場合は焼成工程をさらに減らして大幅なコストダウンを図ることが可能となる。   Thereafter, as a fifth step, a resistor paste such as ruthenium oxide is screen-printed on the surface 40b of the large substrate 40 and dried to form the unfired resistor 5 in each chip region. At that time, both ends in the longitudinal direction of the resistor 5 are overlapped with the surface electrodes 4 provided at both ends in the longitudinal direction of each chip region. In the next sixth step, the resistor 5 is fired at a high temperature of about 850 ° C. The firing in the fourth step described above may be omitted, and the first and second electrode layers 3a and 3b, the surface electrode 4 and the resistor 5 may be fired at the same time in this sixth step. It is possible to further reduce costs by further reducing the cost.

次に、第7工程として、抵抗体5を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷した後、第8工程でこのガラスペーストを600℃程度の高温で焼成することにより、抵抗体5を覆う1次保護コートに相当するアンダーコート層7を形成する。このアンダーコート層7は、次工程で照射されるレーザの熱で抵抗体5のトリミング溝11近傍が損傷しないようにするためのものである。   Next, as a seventh step, after a glass paste is screen-printed in a region covering the resistor 5, the glass paste is baked at a high temperature of about 600 ° C. in the eighth step, so that the primary protection covering the resistor 5 is performed. An undercoat layer 7 corresponding to the coat is formed. The undercoat layer 7 is for preventing the vicinity of the trimming groove 11 of the resistor 5 from being damaged by the heat of the laser irradiated in the next step.

次に、第9工程として、アンダーコート層7および抵抗体5にレーザを照射してトリミング溝11を形成することにより、所望の抵抗値に調整する。   Next, as a ninth step, the undercoat layer 7 and the resistor 5 are irradiated with a laser to form the trimming groove 11, thereby adjusting to a desired resistance value.

次に、第10工程として、アンダーコート層7やトリミング溝11を覆うようにガラスペーストあるいはエポキシ系等の樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを第11工程で焼き付ける(例えばガラスペーストは600℃程度で焼成し、樹脂ペーストは200℃程度で加熱硬化させる)ことにより、抵抗体5および1次保護コートを覆う2次保護コートに相当するオーバーコート層8を形成する。このオーバーコート層8は抵抗体5を外部環境から保護するためのものである。こうしてアンダーコート層7およびオーバーコート層8を形成することによって、抵抗体5を被覆する2層構造の保護層が得られる。   Next, as a tenth step, a glass paste or an epoxy-based resin paste is screen-printed so as to cover the undercoat layer 7 and the trimming groove 11 and then baked in the eleventh step (for example, the glass paste is about 600 ° C. And the resin paste is heated and cured at about 200 ° C.) to form the overcoat layer 8 corresponding to the secondary protective coat covering the resistor 5 and the primary protective coat. This overcoat layer 8 is for protecting the resistor 5 from the external environment. By forming the undercoat layer 7 and the overcoat layer 8 in this way, a protective layer having a two-layer structure covering the resistor 5 is obtained.

ここまでの工程は多数個取り用の大判基板40に対する一括処理であるが、次なる第12工程では、ブレークによって大判基板40を1次分割溝41に沿って短冊状に分割するという1次ブレーク加工を行う。これにより、複数個分のチップ領域が設けられた短冊状基板43を得る。   The process up to this point is a batch process for the large-sized substrate 40 for taking a large number of pieces. However, in the next twelfth step, the large-sized substrate 40 is divided into strips along the primary dividing grooves 41 by a break. Processing. As a result, a strip-shaped substrate 43 provided with a plurality of chip regions is obtained.

そして、次なる第13工程で、短冊状基板43の分割面にNi/Crをスパッタリングすることにより、端面電極6を形成する。このとき、複数の短冊状基板43を重ね合わせた状態でスパッタリングを行うが、図5に示すように、上段側の短冊状基板43の第2電極層3bが下段側の短冊状基板43のオーバーコート層8を避けるように形成すると、各短冊状基板43の姿勢を安定させた状態でスパッタリングすることができる。これにより、左右のスパッターの回り込み量を均一にできるため、電極寸法の不良が発生しにくくなる。そして、この端面電極6によって裏面電極3と表面電極4とが橋絡され、両者3,4をコ字状に連続する下地電極層が得られる。   Then, in the next thirteenth step, the end face electrode 6 is formed by sputtering Ni / Cr on the divided surface of the strip-shaped substrate 43. At this time, sputtering is performed in a state where a plurality of strip-shaped substrates 43 are overlapped. As shown in FIG. 5, the second electrode layer 3b of the upper strip-shaped substrate 43 is over the lower strip-shaped substrate 43. If it forms so that the coating layer 8 may be avoided, it can sputter | spatter in the state which the attitude | position of each strip-shaped board | substrate 43 was stabilized. As a result, the wraparound amount of the left and right spatters can be made uniform, so that it is difficult to cause electrode dimension defects. Then, the back electrode 3 and the front electrode 4 are bridged by this end face electrode 6, and a base electrode layer is obtained in which both 3 and 4 are continuous in a U-shape.

しかる後、第14工程として、ブレークによって短冊状基板43を2次分割溝42に沿って分割するという2次ブレーク加工を行う。これにより、チップ抵抗器1と同等の大きさの個片(チップ単体)を得る。   Thereafter, as a fourteenth step, a secondary break process is performed in which the strip-shaped substrate 43 is divided along the secondary dividing grooves 42 by a break. Thereby, an individual piece (chip alone) having the same size as the chip resistor 1 is obtained.

次に、第15工程として、個片化された各チップ単体の下地電極層にニッケルメッキ層9を被着させ、さらに第16工程として、このニッケルメッキ層9に半田メッキ層10を被着させる。これにより、下地電極層を被覆する2層構造のメッキ層が得られ、チップ抵抗器1が完成する。なお、ニッケルメッキ層9は銀喰われを防止するためのものであり、半田メッキ層10は半田濡れ性を高めるためのものである。これらのメッキ層9,10は電解メッキを施すことによって形成されるが、半田メッキ層10を錫メッキ層で代替しても良い。あるいは、ニッケルメッキ層9の代わりに銅(Cu)メッキ層としても良く、ニッケルメッキ層と銅メッキ層の両方を形成して3層構造のメッキ層としても良い。   Next, as a fifteenth step, the nickel plating layer 9 is applied to the individual base electrode layer of each chip, and as a sixteenth step, the solder plating layer 10 is applied to the nickel plating layer 9. . Thereby, a plating layer having a two-layer structure covering the base electrode layer is obtained, and the chip resistor 1 is completed. The nickel plating layer 9 is for preventing silver erosion, and the solder plating layer 10 is for improving solder wettability. Although these plating layers 9 and 10 are formed by performing electrolytic plating, the solder plating layer 10 may be replaced with a tin plating layer. Alternatively, a copper (Cu) plating layer may be used instead of the nickel plating layer 9, and both a nickel plating layer and a copper plating layer may be formed to form a three-layer plating layer.

以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器1の裏面電極3は、セラミック基板2の裏面に固着された第1電極層3aと、この第1電極層3aの中央部を横断する領域に積層された第2電極層3bとからなり、第2電極層3bの側面から第1電極層3aの表面へ至る段差12が形成されている。したがって、このチップ抵抗器1のメッキ層(ニッケルメッキ層9および半田メッキ層10)には、裏面電極3を覆う部分に段差12と対応する段差13が形成されている。そのため、このチップ抵抗器1が回路基板30上に実装されると、図1に示すように、裏面電極3とランド31との間に介設される半田接合部(半田32)の厚みが段差13部分で増大し、熱応力が作用してもクラックを生じにくくなっている。   As described above, the back electrode 3 of the chip resistor 1 according to this embodiment crosses the first electrode layer 3a fixed to the back surface of the ceramic substrate 2 and the central portion of the first electrode layer 3a. A step 12 is formed from the side surface of the second electrode layer 3b to the surface of the first electrode layer 3a. Therefore, a step 13 corresponding to the step 12 is formed in a portion covering the back electrode 3 in the plating layer (nickel plating layer 9 and solder plating layer 10) of the chip resistor 1. Therefore, when the chip resistor 1 is mounted on the circuit board 30, the thickness of the solder joint (solder 32) interposed between the back electrode 3 and the land 31 becomes a step as shown in FIG. It increases at 13 portions, and it is difficult for cracks to occur even when thermal stress is applied.

また、裏面電極3を構成する第1電極層3aと第2電極層3bはいずれも焼成銀からなるため、両電極層3a,3bの境界部分に熱応力が集中する虞はなく、裏面電極3の製造工程が特に煩雑化することもない。したがって、このチップ抵抗器1は、裏面電極3と回路基板30のランド31との間に介設された半田接合部(半田32)がヒートショックで損傷する可能性は低く、コストアップも回避しやすい。それゆえ、耐用寿命が長くて安価なチップ抵抗器1が量産できる。   In addition, since both the first electrode layer 3a and the second electrode layer 3b constituting the back electrode 3 are made of sintered silver, there is no possibility that thermal stress concentrates on the boundary portion between the electrode layers 3a and 3b. The manufacturing process is not particularly complicated. Therefore, the chip resistor 1 is unlikely to damage the solder joint (solder 32) interposed between the back electrode 3 and the land 31 of the circuit board 30 by heat shock, and avoids an increase in cost. Cheap. Therefore, the chip resistor 1 having a long useful life and inexpensive can be mass-produced.

なお、上記の実施形態例では、第2電極層3bを第1電極層3aの中央部を横断する領域に積層しているが、第2電極層3bの形成位置は第1電極層3aの縁部から外れた一部領域であれば必ずしも中央部でなくても良く、また、複数の第2電極層を第1電極層に分散配置するようにしても良い。   In the above embodiment, the second electrode layer 3b is stacked in a region crossing the central portion of the first electrode layer 3a. However, the second electrode layer 3b is formed at the edge of the first electrode layer 3a. As long as it is a partial region that is out of the region, the central portion is not necessarily required, and a plurality of second electrode layers may be dispersedly arranged in the first electrode layer.

1 チップ抵抗器
2 セラミック基板
3 裏面電極
3a 第1電極層
3b 第2電極層
4 表面電極
5 抵抗体
6 端面電極
7 アンダーコート層(保護層)
8 オーバーコート層(保護層)
9 ニッケルメッキ層
10 半田メッキ層
11 トリミング溝
12,13 段差
30 回路基板
31 ランド
32 半田(半田接合部)
40 大判基板
41,42 分割溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip resistor 2 Ceramic substrate 3 Back surface electrode 3a 1st electrode layer 3b 2nd electrode layer 4 Surface electrode 5 Resistor 6 End surface electrode 7 Undercoat layer (protective layer)
8 Overcoat layer (protective layer)
9 Nickel plating layer 10 Solder plating layer 11 Trimming groove 12, 13 Step 30 Circuit board 31 Land 32 Solder (solder joint)
40 Large substrate 41, 42 Dividing groove

Claims (2)

セラミック基板の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように前記セラミック基板の表面に設けられた抵抗体と、前記セラミック基板の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、前記抵抗体を被覆する絶縁性の保護層と、前記セラミック基板の両端面に設けられて前記表面電極と前記裏面電極とを橋絡している一対の端面電極とを備え、回路基板に設けられたランド上に前記裏面電極を搭載して半田接合することによって面実装されるチップ抵抗器において、
前記裏面電極が、前記セラミック基板の裏面に固着された第1電極層と、この第1電極層の少なくとも縁部から外れた一部領域に積層された第2電極層とからなり、これら第1および第2電極層がいずれも焼成銀で形成されたものであることを特徴とするチップ抵抗器。
A pair of surface electrodes provided at both longitudinal ends of the surface of the ceramic substrate, a resistor provided on the surface of the ceramic substrate so as to be connected to the pair of surface electrodes, and a longitudinal direction of the back surface of the ceramic substrate A pair of back electrodes provided at both ends, an insulating protective layer covering the resistor, and a pair provided on both ends of the ceramic substrate to bridge the surface electrode and the back electrode A chip resistor that is surface-mounted by mounting and soldering the back electrode on a land provided on a circuit board,
The back electrode is composed of a first electrode layer fixed to the back surface of the ceramic substrate and a second electrode layer laminated in a partial region deviating from at least the edge of the first electrode layer. A chip resistor characterized in that both the second electrode layer and the second electrode layer are formed of sintered silver.
請求項1の記載において、前記第1電極層と前記第2電極層とが組成を同じくする同一材料で形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。   2. The chip resistor according to claim 1, wherein the first electrode layer and the second electrode layer are formed of the same material having the same composition.
JP2011211095A 2011-09-27 2011-09-27 Chip resistor Pending JP2013074044A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011211095A JP2013074044A (en) 2011-09-27 2011-09-27 Chip resistor
CN2012104008874A CN103021599A (en) 2011-09-27 2012-09-12 A chip resistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011211095A JP2013074044A (en) 2011-09-27 2011-09-27 Chip resistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013074044A true JP2013074044A (en) 2013-04-22

Family

ID=47970101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011211095A Pending JP2013074044A (en) 2011-09-27 2011-09-27 Chip resistor

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2013074044A (en)
CN (1) CN103021599A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160040956A (en) * 2014-10-06 2016-04-15 삼성전기주식회사 Multi-terminal electronic component, manufacturing method of the same and board having the same mounted thereon
US10192659B2 (en) 2015-05-11 2019-01-29 Koa Corporation Chip resistor
CN111341509A (en) * 2020-03-18 2020-06-26 国巨电子(中国)有限公司 Anti-vulcanization chip resistor and manufacturing method thereof
US20220165459A1 (en) * 2019-03-18 2022-05-26 Rohm Co., Ltd. Chip resistor
DE112021005830T5 (en) 2021-01-29 2023-08-17 Koa Corporation CHIP COMPONENT
DE112022001470T5 (en) 2021-03-12 2024-01-11 Koa Corporation FASTENING STRUCTURE FOR A CHIP COMPONENT

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10964457B2 (en) * 2017-07-19 2021-03-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Chip resistor
JP2020053433A (en) * 2018-09-21 2020-04-02 Koa株式会社 Strain sensor resistor

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249401A (en) * 2002-02-25 2003-09-05 Koa Corp Chip resistor
JP2008084905A (en) * 2006-09-26 2008-04-10 Taiyosha Electric Co Ltd Chip resistor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003264101A (en) * 2002-03-08 2003-09-19 Koa Corp Bifacial mountable resistor
JP4841914B2 (en) * 2005-09-21 2011-12-21 コーア株式会社 Chip resistor
JP2007088161A (en) * 2005-09-21 2007-04-05 Koa Corp Chip resistor
CN101840760A (en) * 2009-03-16 2010-09-22 国巨股份有限公司 Chip resistor and method for manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249401A (en) * 2002-02-25 2003-09-05 Koa Corp Chip resistor
JP2008084905A (en) * 2006-09-26 2008-04-10 Taiyosha Electric Co Ltd Chip resistor

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160040956A (en) * 2014-10-06 2016-04-15 삼성전기주식회사 Multi-terminal electronic component, manufacturing method of the same and board having the same mounted thereon
KR101973420B1 (en) * 2014-10-06 2019-04-29 삼성전기주식회사 Multi-terminal electronic component, manufacturing method of the same and board having the same mounted thereon
US10192659B2 (en) 2015-05-11 2019-01-29 Koa Corporation Chip resistor
US20220165459A1 (en) * 2019-03-18 2022-05-26 Rohm Co., Ltd. Chip resistor
US11688532B2 (en) * 2019-03-18 2023-06-27 Rohm Co., Ltd. Chip resistor
US12125616B2 (en) 2019-03-18 2024-10-22 Rohm Co., Ltd. Chip resistor
CN111341509A (en) * 2020-03-18 2020-06-26 国巨电子(中国)有限公司 Anti-vulcanization chip resistor and manufacturing method thereof
DE112021005830T5 (en) 2021-01-29 2023-08-17 Koa Corporation CHIP COMPONENT
US12477661B2 (en) 2021-01-29 2025-11-18 Koa Corporation Chip component
DE112022001470T5 (en) 2021-03-12 2024-01-11 Koa Corporation FASTENING STRUCTURE FOR A CHIP COMPONENT

Also Published As

Publication number Publication date
CN103021599A (en) 2013-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013074044A (en) Chip resistor
JP2024010234A (en) chip resistor
JP6933453B2 (en) Chip parts, mounting structure of chip parts, manufacturing method of chip resistors
JP6499007B2 (en) Chip resistor
WO2007034874A1 (en) Chip resistor
WO2007034759A1 (en) Chip resistor
WO2014109224A1 (en) Chip resistor
JP6181500B2 (en) Chip resistor and manufacturing method thereof
WO2019087725A1 (en) Chip resistor
US12027291B2 (en) Chip component
JP6159286B2 (en) Chip resistor and manufacturing method of chip resistor
JP7568530B2 (en) Chip Components
WO2016121203A1 (en) Chip resistor
JP7678684B2 (en) Chip component mounting structure
JP7788346B2 (en) Chip Resistors
KR101771836B1 (en) Chip resistor and chip resistor assembly
WO2014185254A1 (en) Method for manufacturing chip resistor
JP7662383B2 (en) Chip Resistors
JP6688035B2 (en) Chip resistor
JP7349317B2 (en) Chip components and chip component manufacturing methods
JP2024166798A (en) Chip Resistors
JP2017195284A (en) Multiple-chip resistor and manufacturing method thereof
CN116913630A (en) Chip resistor and method for manufacturing chip resistor
JP2015041635A (en) Chip resistor
JP2009094159A (en) Chip resistor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140825

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150630

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150806

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150929