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JP2013070035A - Multilayer printed wiring board - Google Patents

Multilayer printed wiring board Download PDF

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JP2013070035A
JP2013070035A JP2012173150A JP2012173150A JP2013070035A JP 2013070035 A JP2013070035 A JP 2013070035A JP 2012173150 A JP2012173150 A JP 2012173150A JP 2012173150 A JP2012173150 A JP 2012173150A JP 2013070035 A JP2013070035 A JP 2013070035A
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Japan
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conductor
conductor pattern
insulating layer
wiring board
printed wiring
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JP2012173150A
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Japanese (ja)
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Haruhiko Morita
治彦 森田
Ryojiro Tominaga
亮二郎 富永
Atsushi Ishida
敦 石田
Satoru Watanabe
渡辺  哲
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer printed wiring board which inhibits warpage while having inductors.SOLUTION: Inductors L1, L2 are formed in a core substrate 30 by a first conductor pattern and a first via conductor. First insulation layers 30M, 30A, 30B, 30C, 30D, 30E, 30F that form the core substrate 30 include an inorganic fiber reinforcement material. In other words, the inorganic fiber reinforcement material for improving rigidity is provided at the layers where the inductors L1, L2 are formed. Thus, the inorganic fiber reinforcement material allows thermal shrinkage of the insulation layers to be easily inhibited.

Description

本発明は、絶縁層と該絶縁層上の導体パターンと該絶縁層の内部に形成され導体パターン同士を接続するビア導体とを有するビルドアップ層がコア基板上に設けられている多層プリント配線板に関するものである。 The present invention relates to a multilayer printed wiring board in which a build-up layer having an insulating layer, a conductor pattern on the insulating layer, and a via conductor formed inside the insulating layer and connecting the conductor patterns to each other is provided on a core substrate It is about.

特許文献1では、異なる層に形成された導体パターンを電気的に接続することで、配線板にインダクタを形成するものである。この技術を用いることで、インピーダンスの上昇を抑制することが可能となる。 In Patent Document 1, an inductor is formed on a wiring board by electrically connecting conductor patterns formed in different layers. By using this technique, it is possible to suppress an increase in impedance.

特開2009−16504号公報JP 2009-16504 A

しかしながら、特許文献1に開示されているようなインダクタにおいては、得られるインダクタンスに影響を及ぼすという理由から、渦巻き状の導体パターンの内部を含めた近傍には導体を配置することはできない。このため、インダクタが形成される層においては、導体に対する樹脂の割合が必然的に大きくなる。その結果、例えば信頼性試験等による熱履歴が配線板に加わった際には、樹脂の熱収縮の影響が大きくなり、配線板の反りを引き起こす可能性がある。 However, in the inductor as disclosed in Patent Document 1, a conductor cannot be arranged in the vicinity including the inside of the spiral conductor pattern because it affects the obtained inductance. For this reason, in the layer where the inductor is formed, the ratio of the resin to the conductor inevitably increases. As a result, for example, when a heat history by a reliability test or the like is applied to the wiring board, the influence of the heat shrinkage of the resin is increased, which may cause the wiring board to warp.

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、インダクタを有しつつも反りを抑制することを可能とする多層プリント配線板を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a multilayer printed wiring board that can suppress warpage while having an inductor. .

請求項1に記載の発明は、複数の第1絶縁層と、該第1絶縁層上の第1導体パターンと、前記第1絶縁層の内部に形成され前記第1導体パターン同士を接続する第1ビア導体とを有するコア基材と、
前記コア基材上に設けられ、無機繊維補強材を含まない第2絶縁層と、該第2絶縁層上の第2導体パターンと、前記第2絶縁層の内部に形成され前記第2導体パターン同士を接続する第2ビア導体とを有するビルドアップ層と、
を備える多層プリント配線板であって、
前記複数の第1絶縁層は無機繊維補強材を含み、
前記コア基材は、前記第1導体パターンと前記第1ビア導体とにより形成されるインダクタを有していることを技術的特徴とする。
The invention according to claim 1 is a first embodiment in which a plurality of first insulating layers, a first conductor pattern on the first insulating layer, and a first conductor pattern formed inside the first insulating layer are connected to each other. A core substrate having one via conductor;
A second insulating layer provided on the core base material and not including an inorganic fiber reinforcing material; a second conductive pattern on the second insulating layer; and the second conductive pattern formed inside the second insulating layer. A buildup layer having a second via conductor connecting each other;
A multilayer printed wiring board comprising:
The plurality of first insulating layers include an inorganic fiber reinforcing material,
The core base material includes an inductor formed by the first conductor pattern and the first via conductor.

請求項1の多層プリント配線板では、コア基材が、複数の第1絶縁層と第1絶縁層上の第1導体パターンと第1絶縁層の内部に形成され第1導体パターン同士を接続する第1ビア導体とを有する。さらに、コア基材の内部には、第1導体パターンと第1ビア導体とによりインダクタが形成されている。このインダクタは、損失の少ない電圧を半導体素子に供給する目的で、コア基材の内部に設けられる。そして、各第1絶縁層は無機繊維補強材(例えば、ガラスクロス、ガラス不織布、アラミドクロス、アラミド不織布等)を含んでいる。
すなわち、インダクタが形成される層には、剛性を高めるための無機繊維補強材が設けられている。このため、無機繊維補強材によって絶縁層の熱収縮が抑制されやすくなる。その結果、例えば製造過程や信頼性試験において配線板に熱履歴が加わった場合でも、配線板の反りが抑制されると考えられる。ひいては、バンプの高さが均一になり、半導体素子の実装性が向上する。
In the multilayer printed wiring board according to claim 1, the core substrate is formed inside the plurality of first insulating layers, the first conductor pattern on the first insulating layer, and the first insulating layer, and connects the first conductor patterns to each other. And a first via conductor. Further, an inductor is formed in the core base material by the first conductor pattern and the first via conductor. This inductor is provided inside the core base material for the purpose of supplying a low loss voltage to the semiconductor element. Each first insulating layer includes an inorganic fiber reinforcing material (for example, glass cloth, glass nonwoven fabric, aramid cloth, aramid nonwoven fabric, etc.).
That is, the layer where the inductor is formed is provided with an inorganic fiber reinforcing material for increasing rigidity. For this reason, the thermal contraction of the insulating layer is easily suppressed by the inorganic fiber reinforcing material. As a result, even when a thermal history is applied to the wiring board in a manufacturing process or a reliability test, for example, it is considered that the warping of the wiring board is suppressed. As a result, the height of the bumps becomes uniform, and the mountability of the semiconductor element is improved.

本発明の第1実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。It is sectional drawing of the multilayer printed wiring board which concerns on 1st Embodiment of this invention. 第1実施形態に係るインダクタンスの導体パターンの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conductor pattern of the inductance which concerns on 1st Embodiment. ビルドアップ層における第2ビア導体の配置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows arrangement | positioning of the 2nd via conductor in a buildup layer. ビルドアップ層における第2ビア導体の配置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows arrangement | positioning of the 2nd via conductor in a buildup layer. 第1実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the multilayer printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the multilayer printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the multilayer printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the multilayer printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the multilayer printed wiring board of 1st Embodiment. 第2実施形態の多層プリント配線板の断面図である。It is sectional drawing of the multilayer printed wiring board of 2nd Embodiment.

[第1実施形態]
図1は第1実施形態の多層プリント配線板の断面図である。
多層プリント配線板10は、コア基材30を有している。コア基材30は、複数の第1絶縁層30M,30A,30B,30C,30D,30E,30Fと、第1絶縁層上の第1導体パターン34Ma,34Mb,34A,34B,34C,34D,34E,34Fと、第1絶縁層の内部に形成され第1導体パターン同士を接続する第1ビア導体36M,36A,36B,36C,36D,36E,36Fとを有する。
コア基材30を形成する第1絶縁層は無機繊維補強材を含んでいる。この無機繊維補強材としては特に限定されないが、例えばガラスクロス、ガラス不織布、アラミドクロス、アラミド不織布等が挙げられる。
また、本実施形態ではコア基材30を形成する第1導体パターンは8層であるが、後述するインダクタにおいて所望のインダクタンスを得られるのであれば、その層数は特に限定されない。
[First embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment.
The multilayer printed wiring board 10 has a core substrate 30. The core substrate 30 includes a plurality of first insulating layers 30M, 30A, 30B, 30C, 30D, 30E, and 30F, and first conductor patterns 34Ma, 34Mb, 34A, 34B, 34C, 34D, and 34E on the first insulating layer. , 34F and first via conductors 36M, 36A, 36B, 36C, 36D, 36E, 36F formed inside the first insulating layer and connecting the first conductor patterns to each other.
The 1st insulating layer which forms the core base material 30 contains the inorganic fiber reinforcement material. Although it does not specifically limit as this inorganic fiber reinforcement material, For example, a glass cloth, a glass nonwoven fabric, an aramid cloth, an aramid nonwoven fabric etc. are mentioned.
In the present embodiment, the first conductor pattern forming the core substrate 30 has eight layers, but the number of layers is not particularly limited as long as a desired inductance can be obtained in an inductor described later.

コア基材30を構成する第1絶縁層のうち、厚み方向の中央に位置する第1絶縁層30Mの表面には第1導体パターン34Maが形成され、その反対側の第1絶縁層30Mの裏面には第1導体パターン34Mbが形成されている。第1絶縁層30Mの内部には第1ビア導体36Mが形成され、この第1ビア導体36Mにより第1導体パターン34Maと第1導体パターン34Mbとが接続されている。 A first conductor pattern 34Ma is formed on the surface of the first insulating layer 30M located in the center in the thickness direction among the first insulating layers constituting the core substrate 30, and the back surface of the first insulating layer 30M on the opposite side thereof. Is formed with a first conductor pattern 34Mb. A first via conductor 36M is formed inside the first insulating layer 30M, and the first conductor pattern 34Ma and the first conductor pattern 34Mb are connected by the first via conductor 36M.

第1絶縁層30Mの表面上には、第1絶縁層30A,30C,30Eが順次積層されている。第1絶縁層30A,30C,30E上には、それぞれ第1導体パターン34A,34C,34Eが形成されている。そして、第1導体パターン34Aと第1導体パターン34Maとが第1ビア導体36Aにより接続され、第1導体パターン34Aと第1導体パターン34Cとが第1ビア導体36Cにより接続され、第1導体パターン34Cと第1導体パターン34Eとが第1ビア導体36Eにより接続されている。 On the surface of the first insulating layer 30M, first insulating layers 30A, 30C, and 30E are sequentially stacked. First conductor patterns 34A, 34C, and 34E are formed on the first insulating layers 30A, 30C, and 30E, respectively. The first conductor pattern 34A and the first conductor pattern 34Ma are connected by the first via conductor 36A, the first conductor pattern 34A and the first conductor pattern 34C are connected by the first via conductor 36C, and the first conductor pattern 34C and the first conductor pattern 34E are connected by a first via conductor 36E.

一方、第1絶縁層30Mの裏面上には、第1絶縁層30B,30D,30Fが順次積層されている。第1絶縁層30B,30D,30F上には、それぞれ第1導体パターン34B,34D,34Fが形成されている。そして、第1導体パターン34Bと第1導体パターン34Mbとが第1ビア導体36Bにより接続され、第1導体パターン34Bと第1導体パターン34Dとが第1ビア導体36Dにより接続され、第1導体パターン34Dと第1導体パターン34Fとが第1ビア導体36Fにより接続されている。   On the other hand, first insulating layers 30B, 30D, and 30F are sequentially stacked on the back surface of the first insulating layer 30M. First conductor patterns 34B, 34D, and 34F are formed on the first insulating layers 30B, 30D, and 30F, respectively. The first conductor pattern 34B and the first conductor pattern 34Mb are connected by the first via conductor 36B, the first conductor pattern 34B and the first conductor pattern 34D are connected by the first via conductor 36D, and the first conductor pattern 34D and the first conductor pattern 34F are connected by a first via conductor 36F.

コア基材30は、半導体素子(図示せず)が実装される側の第1面と、第1面とは反対側の第2面とを有している。コア基材30の第1面上及び第2面上には、それぞれ第2絶縁層と第2絶縁層上の第2導体パターンと第2絶縁層の内部に形成され第2導体パターン同士を接続する第2ビア導体とを有するビルドアップ層501,502が設けられている。
ビルドアップ層501,502を形成する第2絶縁層は無機繊維補強材を含んでいない。
コア基材30の第1面上のビルドアップ層501を形成する第2絶縁層50A上には第2導体パターン58Aが設けられている。第2導体パターン58Aと第1導体パターン34Eとは第2ビア導体60Aにより接続されている。第2絶縁層50A及び第2導体パターン58A上には、第2絶縁層50C,50E,50Gが順次積層されている。第2絶縁層50C,50E,50G上には、それぞれ第2導体パターン58C,58E,58Gが形成されている。そして、上下の第2導体パターン同士は、各第2絶縁層の内部に設けられている第2ビア導体60C,60E,60Gによりそれぞれ接続されている。
The core base material 30 has a first surface on which a semiconductor element (not shown) is mounted, and a second surface opposite to the first surface. On the first surface and the second surface of the core substrate 30, the second conductor pattern formed on the second insulating layer, the second conductor pattern on the second insulating layer, and the second insulating layer are connected to each other. Build-up layers 501 and 502 having second via conductors are provided.
The second insulating layer forming the build-up layers 501 and 502 does not include an inorganic fiber reinforcing material.
A second conductor pattern 58A is provided on the second insulating layer 50A that forms the build-up layer 501 on the first surface of the core substrate 30. The second conductor pattern 58A and the first conductor pattern 34E are connected by the second via conductor 60A. Second insulating layers 50C, 50E, and 50G are sequentially stacked on the second insulating layer 50A and the second conductor pattern 58A. Second conductor patterns 58C, 58E, and 58G are formed on the second insulating layers 50C, 50E, and 50G, respectively. The upper and lower second conductor patterns are connected to each other by second via conductors 60C, 60E, and 60G provided inside the second insulating layers.

一方、コア基材30の第2面上のビルドアップ層502を形成する第2絶縁層50B上には第2導体パターン58Bが設けられている。第2導体パターン58Bと第1導体パターン34Fとは第2ビア導体60Bにより接続されている。第2絶縁層50B及び第2導体パターン58B上には、第2絶縁層50D,50F,50Hが順次積層されている。第2絶縁層50D,50F,50H上には、それぞれ第2導体パターン58D,58F,58Hが形成されている。そして、上下の第2導体パターン同士は、各第2絶縁層の内部に設けられている第2ビア導体60D,60F,60Hによりそれぞれ接続されている。   On the other hand, the second conductor pattern 58B is provided on the second insulating layer 50B that forms the build-up layer 502 on the second surface of the core substrate 30. The second conductor pattern 58B and the first conductor pattern 34F are connected by the second via conductor 60B. Second insulating layers 50D, 50F, and 50H are sequentially stacked on the second insulating layer 50B and the second conductor pattern 58B. Second conductor patterns 58D, 58F, and 58H are formed on the second insulating layers 50D, 50F, and 50H, respectively. The upper and lower second conductor patterns are connected to each other by second via conductors 60D, 60F, and 60H provided in the respective second insulating layers.

上面側の最外層の層間樹脂絶縁層50G上には開口71を有するソルダーレジスト層70が設けられている。開口71の内部には半導体素子を接続するための半田バンプ76Uが形成されている。下面側の最外層の層間樹脂絶縁層50H上には開口71を有するソルダーレジスト層70が設けられている。この開口71の内部には、外部基板であるマザーボード等との接続用の半田バンプ76Dが形成されている。 A solder resist layer 70 having an opening 71 is provided on the outermost interlayer resin insulation layer 50G on the upper surface side. Inside the opening 71, solder bumps 76U for connecting semiconductor elements are formed. A solder resist layer 70 having an opening 71 is provided on the outermost interlayer resin insulation layer 50H on the lower surface side. Inside the opening 71, solder bumps 76D for connection to a mother board or the like which is an external substrate are formed.

コア基材30内にはインダクタが形成されている。
図2に示すように、本実施形態のインダクタは、各第1絶縁層の表面上に形成されている渦巻き状の第1導体パターン群と、上下に位置する渦巻き状の第1導体パターン群とを接続する第1ビア導体とからなる。なお、図2においては、インダクタを形成する第1導体パターン群のうち、下側最外層の第1導体パターン群34F及びそれらの上層の第1導体パターン群34Dと、上側最外層の第1導体パターン34E及びそれらの下層の第1導体パターン群34Cとが開示されている。これら以外の第1導体パターン群は省略されている。
本実施形態では、少なくとも隣接する一対のインダクタL1,L2を有する。これら一対のインダクタL1,L2は電気的に接続されている。これにより、半導体素子の内部のスイッチング部で変換された電圧がインダクタL1,L2及びキャパシタ(図示せず)を介して平滑化されるようになる。
なお、インダクタL1,L2を形成する導体パターンのデザインは特に限定されることはない。インダクタの個数も特に限定されない。
An inductor is formed in the core substrate 30.
As shown in FIG. 2, the inductor of this embodiment includes a spiral first conductor pattern group formed on the surface of each first insulating layer, and a spiral first conductor pattern group positioned above and below. And a first via conductor connecting the two. In FIG. 2, among the first conductor pattern groups forming the inductor, the lower outermost layer first conductor pattern group 34F, the upper first conductor pattern group 34D, and the uppermost outermost layer first conductor. The pattern 34E and the first conductor pattern group 34C below them are disclosed. The first conductor pattern group other than these is omitted.
In this embodiment, at least a pair of adjacent inductors L1 and L2 are provided. The pair of inductors L1 and L2 are electrically connected. As a result, the voltage converted by the switching unit inside the semiconductor element is smoothed through the inductors L1 and L2 and the capacitor (not shown).
The design of the conductor pattern that forms the inductors L1 and L2 is not particularly limited. The number of inductors is not particularly limited.

図1に示すように、コア基板30を形成する各第1絶縁層30M,30A,30B,30C,30D,30E,30F上には、それぞれプレーン層が設けられている。これらのプレーン層は、電源用又はグランド用として機能する。各プレーン層は、インダクタL1,L2を形成する第1導体パターンが形成される箇所に凹部を有している。これにより、平面方向においてインダクタL1,L2とプレーン層とが離間されており、所望のインダクタンスが得られやすくなる。 As shown in FIG. 1, a plane layer is provided on each of the first insulating layers 30M, 30A, 30B, 30C, 30D, 30E, and 30F forming the core substrate 30. These plane layers function as a power source or a ground. Each plane layer has a recess at a location where the first conductor pattern forming the inductors L1 and L2 is formed. As a result, the inductors L1 and L2 and the plane layer are separated from each other in the plane direction, and a desired inductance is easily obtained.

インダクタL1,L2の周囲に位置する第1ビア導体は、コア基材30の厚み方向において直線状に積層されている。なお、「直線状に積層されている」とは、厚み方向に隣接する上下の第1ビア導体の少なくとも一部が平面方向において重なり合っている状態を意味する。仮に、このような第1ビア導体が電源系として機能する場合、電源ラインが短縮されることになり、半導体素子に供給される電圧の損失が極力抑制される。 The first via conductors positioned around the inductors L <b> 1 and L <b> 2 are linearly stacked in the thickness direction of the core base material 30. Note that “straightly stacked” means a state in which at least a part of the upper and lower first via conductors adjacent in the thickness direction overlap in the planar direction. If such a first via conductor functions as a power supply system, the power supply line is shortened, and the loss of the voltage supplied to the semiconductor element is suppressed as much as possible.

本実施形態では、インダクタL1,L2は、半導体素子が実装される領域(バンプ76Uが形成されている領域)の直下に設けられる。この場合、損失の無い電圧を半導体素子へ供給することが容易となる。   In the present embodiment, the inductors L1 and L2 are provided immediately below a region where the semiconductor element is mounted (a region where the bump 76U is formed). In this case, it becomes easy to supply a voltage without loss to the semiconductor element.

本実施形態の多層プリント配線板では、インダクタを形成する導体パターン34E、34C、34A、34Ma、34Mb、34B、34D、34Fのうち、上下に隣接する導体パターンの間に位置する第1絶縁層30M,30A,30B,30C,30D,30E,30Fには、無機繊維補強材が含有されている。このため、剛性の高い無機繊維補強材によって第1絶縁層の熱収縮が抑制されやすくなる。その結果、例えば製造過程や信頼性試験において配線板に熱履歴が加わった場合でも、配線板の反りが抑制されると考えられる。 In the multilayer printed wiring board of the present embodiment, the first insulating layer 30M located between the conductor patterns vertically adjacent to each other among the conductor patterns 34E, 34C, 34A, 34Ma, 34Mb, 34B, 34D, and 34F forming the inductor. , 30A, 30B, 30C, 30D, 30E, and 30F contain an inorganic fiber reinforcing material. For this reason, the thermal contraction of the first insulating layer is easily suppressed by the inorganic fiber reinforcing material having high rigidity. As a result, even when a thermal history is applied to the wiring board in a manufacturing process or a reliability test, for example, it is considered that the warping of the wiring board is suppressed.

本実施形態の多層プリント配線板では、コア基材30内にインダクタL1,L2が形成されている。仮に、コア基材30の第1面上及び第2面上の一方のビルドアップ層のみにインダクタL1,L2を形成した場合、上層のビルドアップ層501における導体の体積と下層のビルドアップ層502における導体の体積との間に差が大きくなる。この場合、配線板に熱履歴が加わった際の熱収縮量に差が生じ、反りが発生しやすくなる。しかしながら、本実施形態の構成では、コア基材30内にインダクタL1,L2を形成するため、上層と下層のビルドアップ層の対称性が保ちやすく、反りが生じ難くなると考えられる。 In the multilayer printed wiring board of the present embodiment, inductors L 1 and L 2 are formed in the core base material 30. If the inductors L1 and L2 are formed only on one of the buildup layers on the first surface and the second surface of the core base material 30, the volume of the conductor in the upper buildup layer 501 and the lower buildup layer 502 are formed. The difference between the conductor volume and the conductor volume increases. In this case, there is a difference in the amount of heat shrinkage when the heat history is applied to the wiring board, and warping is likely to occur. However, in the configuration of the present embodiment, since the inductors L1 and L2 are formed in the core base material 30, it is easy to maintain the symmetry between the upper and lower buildup layers, and it is considered that warpage is less likely to occur.

本実施形態の多層プリント配線板では、複数の第1絶縁層30E、30C、30A、30M、30B、30D、30Fの内部にそれぞれ設けられたビア導体36E、36C、36A、36M、36B、36D、36Fにより、コア基材30の表裏の電気的な接続を確保する。このため、1つのビア導体の開口に対する深さ(アスペクト比)は、同じ厚みのコア基材を貫通する貫通孔と比較して小さくなる。このため、ビア導体の開口が小径であっても、めっきを充填する際にめっき液の液流れが良好なものとなる。その結果、ボイドが入り難くなって個々のビア導体の信頼性が高まり、コア基材の表裏面での接続信頼性が向上する。インダクタを形成するビア導体へのボイドの発生を抑制することで、インダクタの性能(Q値)を高めることが可能となる。 In the multilayer printed wiring board of the present embodiment, via conductors 36E, 36C, 36A, 36M, 36B, 36D provided inside the plurality of first insulating layers 30E, 30C, 30A, 30M, 30B, 30D, 30F, respectively. The electrical connection of the front and back of the core base material 30 is ensured by 36F. For this reason, the depth (aspect ratio) with respect to the opening of one via conductor is smaller than a through hole penetrating the core substrate having the same thickness. For this reason, even if the opening of the via conductor has a small diameter, the liquid flow of the plating solution becomes good when the plating is filled. As a result, voids are difficult to enter, and the reliability of individual via conductors is increased, and the connection reliability on the front and back surfaces of the core substrate is improved. By suppressing the generation of voids in the via conductor forming the inductor, the performance (Q value) of the inductor can be improved.

コア基材30の第1ビア導体の径d1はビルドアップ層501,502の第2ビア導体の径d2よりも大きい。例えば、コア基材30の第1ビア導体の径d1は80μm、ビルドアップ層の第2ビア導体の径d2は50μmである。すなわち、インダクタとして機能する、コア基材30内の第1ビア導体の径を大きくすることで、インダクタの性能(Q値)をさらに高めることが可能となる。   The diameter d1 of the first via conductor of the core substrate 30 is larger than the diameter d2 of the second via conductor of the buildup layers 501 and 502. For example, the diameter d1 of the first via conductor of the core substrate 30 is 80 μm, and the diameter d2 of the second via conductor of the buildup layer is 50 μm. That is, it is possible to further improve the performance (Q value) of the inductor by increasing the diameter of the first via conductor in the core base material 30 that functions as an inductor.

本実施形態の多層プリント配線板では、インダクタL1,L2を形成する第1導体パターンの厚みs1が、ビルドアップ層501,502の第2導体パターン58Bの厚みs2よりも大きい。例えば、コア基材30の第1導体パターンの厚みs1が20〜40μm、ビルドアップ層の第2導体パターンの厚みs2が10〜18μmである。インダクタL1,L2を形成する第1導体パターンの厚みを厚くすることで、インダクタの性能が向上する。さらに、コア基材30に剛性を持たせることができる。
一方、ビルドアップ層501,502の第2導体パターンの厚みを相対的に薄くすることで、ビルドアップ層501,502側での導体パターンのファインピッチ化を実現でき、配線板全体の厚みを抑制しながら、多層化が可能になる。
In the multilayer printed wiring board of the present embodiment, the thickness s1 of the first conductor pattern that forms the inductors L1 and L2 is larger than the thickness s2 of the second conductor pattern 58B of the buildup layers 501 and 502. For example, the thickness s1 of the first conductor pattern of the core substrate 30 is 20 to 40 μm, and the thickness s2 of the second conductor pattern of the buildup layer is 10 to 18 μm. By increasing the thickness of the first conductor pattern forming the inductors L1 and L2, the performance of the inductor is improved. Furthermore, the core base material 30 can be given rigidity.
On the other hand, by making the thickness of the second conductor pattern of the build-up layers 501 and 502 relatively small, it is possible to realize a fine pitch of the conductor pattern on the build-up layers 501 and 502 side, and to suppress the thickness of the entire wiring board. However, multilayering is possible.

本実施形態の多層プリント配線板では、コア基材30を形成する第1絶縁層30E、30C、30A、30M、30B、30D、30Fの厚みt1が、ビルドアップ層501,502を形成する第2絶縁層50G、50E、50C、50A、50B、50D、50F、50Hの厚みt2よりも大きい。例えば、第1絶縁層の厚みが約60μmで、第2絶縁層の厚みが約40μmである。コア基材30を形成する複数の第1絶縁層の厚みを厚くすることで、コア基材30の剛性を確保することが可能となる。さらに、インダクタL1,L2を形成する第1ビア導体の深さが相対的に大きくなり、インダクタンスを確保しやすくなる。
一方、第2絶縁層の厚みを相対的に薄くすることで、ビルドアップ層側での導体パターンのファインピッチ化を実現でき、全体の厚みを抑制しつつ多層化が可能になる。
In the multilayer printed wiring board of the present embodiment, the thickness t1 of the first insulating layers 30E, 30C, 30A, 30M, 30B, 30D, and 30F that form the core substrate 30 is the second that forms the build-up layers 501 and 502. It is larger than the thickness t2 of the insulating layers 50G, 50E, 50C, 50A, 50B, 50D, 50F, and 50H. For example, the thickness of the first insulating layer is about 60 μm, and the thickness of the second insulating layer is about 40 μm. By increasing the thickness of the plurality of first insulating layers forming the core base material 30, it is possible to ensure the rigidity of the core base material 30. Further, the depth of the first via conductors forming the inductors L1 and L2 becomes relatively large, and it becomes easy to ensure the inductance.
On the other hand, by making the thickness of the second insulating layer relatively thin, it is possible to realize a fine pitch of the conductor pattern on the buildup layer side, and it is possible to make a multilayer while suppressing the overall thickness.

本実施形態の多層プリント配線板では、コア基材30の第1ビア導体のうち、インダクタL1,L2を形成しない第1ビア導体36E、36C、36A、36M、36B、36D、36Fは、厚み方向において直線状に積層されている。このため、電源ライン又は信号ラインを最短にすることが可能となる。また、第1ビア導体を積層することで、コア基材30の剛性を確保することができる。 In the multilayer printed wiring board of the present embodiment, among the first via conductors of the core substrate 30, the first via conductors 36E, 36C, 36A, 36M, 36B, 36D, and 36F that do not form the inductors L1 and L2 are in the thickness direction. Are stacked in a straight line. For this reason, the power supply line or the signal line can be minimized. Moreover, the rigidity of the core base material 30 can be ensured by laminating the first via conductors.

また、本実施形態においては、インダクタL1,L2を形成する最上層の第1導体パターン34Eと、ビルドアップ層501の最上層に位置する第2導体パターン58Gとを接続する複数の第2ビア導体は直線状に積層されている。なお、「直線状に積層されている」とは、厚み方向に隣接する上下の第2ビア導体の少なくとも一部が平面方向において重なり合っている状態を意味する。ここで、ビルドアップ層501を形成する第2絶縁層50A上には電源用(グランド)プレーン層50AEが設けられている。
仮に、図3(A)に示すように、上下の第2ビア導体60A,60Cが平面方向にずれている場合、プレーン層50AEと第2導体パターン58A(ビアランド)とを絶縁するための凹部50Zの体積が増大し、磁界が漏れやすくなる(図3(B)参照)。このため、インダクタンスが小さくなる可能性がある。一方、図4(A)に示すように、ビルドアップ層における複数の第2ビア導体(例えば60A,60C)が直線状に積層されている場合、プレーン層50AEと第2導体パターン58A(ビアランド)とを絶縁するための凹部50Zの体積は相対的に小さくなる。その結果、磁界の漏れが抑制され、所望のインダクタンスが得られやすくなる。
In the present embodiment, a plurality of second via conductors connecting the uppermost first conductor pattern 34E forming the inductors L1 and L2 and the second conductor pattern 58G located in the uppermost layer of the buildup layer 501. Are stacked in a straight line. “Laminated in a straight line” means a state in which at least part of the upper and lower second via conductors adjacent in the thickness direction overlap in the plane direction. Here, a power (ground) plane layer 50AE is provided on the second insulating layer 50A forming the build-up layer 501.
As shown in FIG. 3A, when the upper and lower second via conductors 60A and 60C are displaced in the plane direction, the recess 50Z for insulating the plane layer 50AE and the second conductor pattern 58A (via land). Increases in volume, and the magnetic field easily leaks (see FIG. 3B). For this reason, an inductance may become small. On the other hand, as shown in FIG. 4A, when a plurality of second via conductors (for example, 60A and 60C) in the build-up layer are laminated in a straight line, the plane layer 50AE and the second conductor pattern 58A (via land) The volume of the concave portion 50Z for insulating the two becomes relatively small. As a result, leakage of the magnetic field is suppressed, and a desired inductance is easily obtained.

[第1実施形態の多層プリント配線板の製造方法]
図5〜図9は第1実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す。
ガラスクロス芯材にエポキシ系樹脂を含浸させたプリプレグからなる絶縁層30Mの両面に銅箔32、32が積層されてなる両面銅張り積層板(CCL−HL832NSLC)を出発材料とする(図5(A))。
[Method for Manufacturing Multilayer Printed Wiring Board of First Embodiment]
5 to 9 show a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the first embodiment.
A double-sided copper-clad laminate (CCL-HL832NSLC) in which copper foils 32 and 32 are laminated on both sides of an insulating layer 30M made of a prepreg in which a glass cloth core is impregnated with an epoxy resin is used as a starting material (FIG. A)).

レーザにより、片面側の銅箔32及び絶縁層30Mを貫通するビア用開口31が形成される(図5(B))。次いで、無電解めっき膜33が形成される(図5(C))。電解めっき処理が行われ、電解めっき膜35が絶縁層表面、及び、開口31内に形成される(図5(D))。そして、電解めっき膜上に所定パターンのエッチングレジスト37が形成され(図5(E))、エッチングレジストが形成されていない部分の電解めっき膜35、無電解めっき膜33、銅箔32が除去される(図5(F))。エッチングレジストが除去され、無電解めっき膜33及び電解めっき膜35から成るビア導体36M、無電解めっき膜33、電解めっき膜35及び銅箔32から成る導体パターン34Ma,34Mbが形成される(図5(G))。 Via openings 31 for vias penetrating the copper foil 32 and the insulating layer 30M on one side are formed by the laser (FIG. 5B). Next, an electroless plating film 33 is formed (FIG. 5C). An electrolytic plating process is performed, and an electrolytic plating film 35 is formed on the surface of the insulating layer and in the opening 31 (FIG. 5D). Then, an etching resist 37 having a predetermined pattern is formed on the electrolytic plating film (FIG. 5E), and the portions of the electrolytic plating film 35, the electroless plating film 33, and the copper foil 32 where the etching resist is not formed are removed. (FIG. 5F). The etching resist is removed to form via conductors 36M made of electroless plated film 33 and electrolytic plated film 35, and conductive patterns 34Ma and 34Mb made of electroless plated film 33, electrolytic plated film 35 and copper foil 32 (FIG. 5). (G)).

絶縁層30Mの上面には、銅箔32aを有する絶縁層30Aが積層されるとともに、絶縁層30Mの下面には、銅箔32bを有する絶縁層30Bが積層される(図6(A))。銅箔32a、32bをエッチングすることでその厚みを薄くした後、レーザにより、絶縁層30A側にビア導体36Mに至るビア用開口31Aが形成するとともに、絶縁層30B側にビア導体36Mに至るビア用開口31Bを形成する(図6(B))。無電解めっき膜33a、33bが形成される(図6(C))。電解めっき処理が行われ、電解めっき膜35a、35bが絶縁層表面、及び、開口31A、31B内に形成される(図6(D))。電解めっき膜上に所定パターンのエッチングレジスト37a、37bが形成される(図6(E))。エッチングレジストが形成されていない部分の電解めっき膜35a、35b、無電解めっき膜33a、33b、銅箔32a、32bが除去された後、エッチングレジストが除去され、無電解めっき膜33a及び電解めっき膜35aから成るビア導体36Aと、無電解めっき膜33a、電解めっき膜35a及び銅箔32aから成る導体パターン34Aとが形成される。さらに、無電解めっき膜33b及び電解めっき膜35bから成るビア導体36Bと、無電解めっき膜33b、電解めっき膜35b及び銅箔32bから成る導体パターン34Bとが形成される(図6(F))。 An insulating layer 30A having a copper foil 32a is laminated on the upper surface of the insulating layer 30M, and an insulating layer 30B having a copper foil 32b is laminated on the lower surface of the insulating layer 30M (FIG. 6A). After the copper foils 32a and 32b are etched to reduce their thickness, a via opening 31A reaching the via conductor 36M is formed on the insulating layer 30A side by the laser, and the via reaching the via conductor 36M on the insulating layer 30B side. An opening 31B is formed (FIG. 6B). Electroless plating films 33a and 33b are formed (FIG. 6C). Electrolytic plating is performed, and electrolytic plating films 35a and 35b are formed on the insulating layer surface and in the openings 31A and 31B (FIG. 6D). Etching resists 37a and 37b having a predetermined pattern are formed on the electrolytic plating film (FIG. 6E). The portions of the electroplating films 35a and 35b, the electroless plating films 33a and 33b, and the copper foils 32a and 32b where the etching resist is not formed are removed, and then the etching resist is removed, and the electroless plating film 33a and the electroplating film A via conductor 36A made of 35a and a conductor pattern 34A made of electroless plated film 33a, electrolytic plated film 35a and copper foil 32a are formed. Further, a via conductor 36B composed of the electroless plating film 33b and the electrolytic plating film 35b and a conductor pattern 34B composed of the electroless plating film 33b, the electrolytic plating film 35b and the copper foil 32b are formed (FIG. 6F). .

図6中に示した処理が繰り返され、ビア導体36C及び導体パターン34Cを備える絶縁層30Cと、ビア導体36D及び導体パターン34Dを備える絶縁層30Dとが積層される。更に、ビア導体36E及び導体パターン34Eを備える絶縁層30Eと、ビア導体36F及び導体パターン34Fを備える絶縁層30Fとが積層され、本実施形態のコア基材30が完成する(図7(A))。 The process shown in FIG. 6 is repeated, and the insulating layer 30C including the via conductor 36C and the conductor pattern 34C and the insulating layer 30D including the via conductor 36D and the conductor pattern 34D are stacked. Furthermore, the insulating layer 30E including the via conductors 36E and the conductor patterns 34E and the insulating layer 30F including the via conductors 36F and the conductor patterns 34F are laminated, and the core substrate 30 of the present embodiment is completed (FIG. 7A). ).

コア基板30の第1面上及び第2面上に、無機繊維補強材(ガラスクロス芯材など)を含まない層間絶縁層用樹脂フィルムが積層され、熱硬化により層間樹脂絶縁層50A、50Bが形成される(図7(B))。 On the first surface and the second surface of the core substrate 30, a resin film for an interlayer insulating layer that does not include an inorganic fiber reinforcing material (such as a glass cloth core material) is laminated, and the interlayer resin insulating layers 50A and 50B are formed by thermosetting. It is formed (FIG. 7B).

CO2ガスレーザにて層間樹脂絶縁層50Aの内部には、導体パターン34E、ビア導体36Eに至る開口51Aが設けられ、層間樹脂絶縁層50Bの内部には、導体パターン34F、ビア導体36Fに至る開口51Bが設けられる(図7(C))。クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層50A、50Bの表面が粗化される(図示せず)。 An opening 51A reaching the conductor pattern 34E and the via conductor 36E is provided inside the interlayer resin insulation layer 50A by the CO2 gas laser, and an opening 51B reaching the conductor pattern 34F and the via conductor 36F inside the interlayer resin insulation layer 50B. Is provided (FIG. 7C). By immersing in an oxidizing agent such as chromic acid or permanganate, the surfaces of the interlayer resin insulating layers 50A and 50B are roughened (not shown).

層間樹脂絶縁層50A、50Bの表層にパラジウムなどの触媒が付与されて、無電解めっき液に5〜60分間浸漬させることにより、0.1〜5μmの範囲で無電解めっき膜53a、53bが設けられる(図7(D))。 Electroless plating films 53a and 53b are provided in the range of 0.1 to 5 μm by applying a catalyst such as palladium to the surface layers of the interlayer resin insulation layers 50A and 50B and immersing them in the electroless plating solution for 5 to 60 minutes. (FIG. 7D).

上記処理を終えた積層体に、市販の感光性ドライフィルムが貼り付けられ、フォトマスクフィルムを載置して露光した後、炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54a、54bが設けられる(図8(A))。電解めっき処理により、厚さ15μmの電解めっき膜56a、56bが形成される(図8(B))。 A commercially available photosensitive dry film is attached to the laminate after the above treatment, a photomask film is placed and exposed, and then developed with sodium carbonate to provide plating resists 54a and 54b having a thickness of 15 μm. (FIG. 8A). Electrolytic plating films 56a and 56b having a thickness of 15 μm are formed by the electrolytic plating process (FIG. 8B).

めっきレジストが5%NaOHで剥離除去された後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜53a、53bが硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去される。これにより、無電解めっき膜53a、53bと電解めっき膜56a、56bとからなる、厚さ約15μmの導体パターン58A、58Bとビア導体60A、60Bとが形成される(図8(C))。第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、導体パターン58A、58B及びビア導体60A、60B表面が粗化される(図示せず)。 After the plating resist is peeled and removed with 5% NaOH, the electroless plating films 53a and 53b under the plating resist are dissolved and removed by etching using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide. As a result, conductive patterns 58A and 58B and via conductors 60A and 60B having a thickness of about 15 μm, which are made of electroless plating films 53a and 53b and electrolytic plating films 56a and 56b, are formed (FIG. 8C). The surfaces of the conductor patterns 58A and 58B and the via conductors 60A and 60B are roughened by an etching solution containing a cupric complex and an organic acid (not shown).

図7(B)〜図8(C)の処理が繰り返され、コア基材30の第1面上にビルドアップ層501が設けられ、第2面上にビルドアップ層502が設けられる(図8(D))。 7B to 8C are repeated, the buildup layer 501 is provided on the first surface of the core base material 30, and the buildup layer 502 is provided on the second surface (FIG. 8). (D)).

次に、市販のソルダーレジスト組成物が塗布され、これを露光・現像することで、開口部71を備えるソルダーレジスト層70が形成される(図9(A))。 Next, a commercially available solder resist composition is applied, and this is exposed and developed to form a solder resist layer 70 having an opening 71 (FIG. 9A).

積層体が無電解ニッケルめっき液に浸漬され、開口部71内にニッケルめっき層72が形成される。さらに、その積層体が無電解金めっき液に浸漬され、ニッケルめっき層72上に、金めっき層74が形成される(図9(B))。ニッケル−金層以外にも、ニッケル−パラジウム−金層を形成してもよい。 The laminate is immersed in an electroless nickel plating solution, and a nickel plating layer 72 is formed in the opening 71. Further, the laminate is immersed in an electroless gold plating solution, and a gold plating layer 74 is formed on the nickel plating layer 72 (FIG. 9B). In addition to the nickel-gold layer, a nickel-palladium-gold layer may be formed.

開口部71の内部に半田ボールが搭載され、リフローを行うことで、上面側に半田バンプ76Uが、裏面側に半田バンプ76Dが形成される。これにより、多層プリント配線板10が完成する(図9(C)及び図1)。 Solder balls are mounted inside the openings 71 and reflowed to form solder bumps 76U on the upper surface side and solder bumps 76D on the back surface side. Thereby, the multilayer printed wiring board 10 is completed (FIG. 9C and FIG. 1).

[第2実施形態]
図10は、第2実施形態の多層プリント配線板の断面図を示す。
第2実施形態の多層プリント配線板では、コア基板30に設けられたインダクタL1,L2の直下のビルドアップ層502内にさらにインダクタL3,L4が形成されている。
このインダクタL3,L4は、導体パターン58B、導体パターン58D、導体パターン50F、ビア導体60B、ビア導体60D、ビア導体60F及びビア導体60Fにより形成されている。なお、このビルドアップ層502に設けられたインダクタL3,L4は、コア基材30内のインダクタL1,L2と同様のデザインであってもよく、異なるデザインであってもよい。
[Second Embodiment]
FIG. 10 is a cross-sectional view of the multilayer printed wiring board according to the second embodiment.
In the multilayer printed wiring board of the second embodiment, inductors L3 and L4 are further formed in the buildup layer 502 immediately below the inductors L1 and L2 provided on the core substrate 30.
The inductors L3 and L4 are formed of a conductor pattern 58B, a conductor pattern 58D, a conductor pattern 50F, a via conductor 60B, a via conductor 60D, a via conductor 60F, and a via conductor 60F. The inductors L3 and L4 provided in the buildup layer 502 may have the same design as the inductors L1 and L2 in the core base material 30, or may have different designs.

これによれば、ビルドアップ層502にもインダクタが形成されることになるため、コア基材30内のインダクタンス分のみによらず、更なるインダクタンス成分を確保することが可能になる。また、コア基材30の表裏のビルドアップ層501,502における導体の体積の差を調整でき、配線板の反りを低減することが可能になると考えられる。 According to this, since an inductor is also formed in the buildup layer 502, it is possible to secure a further inductance component regardless of only the inductance in the core base material 30. Further, it is considered that the difference in conductor volume between the build-up layers 501 and 502 on the front and back sides of the core base material 30 can be adjusted, and the warpage of the wiring board can be reduced.

10 多層プリント配線板
30 コア基材
30M,30A,30B,30C,30D,30E,30F 第1絶縁層
34Ma,34Mb,34A,34B,34C,34D,34E,34F 第1導体パターン
36M,36A,36B,36C,36D,36E,36F 第1ビア導体
50G、50E、50C、50A、50B、50D、50F、50H 第2絶縁層
58A,58B,58C,58D,58E,58F,58G,58H, 第2導体パターン
60A,60B,60C,60D,60E,60F,60G,60H, 第2ビア導体
10 multilayer printed wiring board 30 core substrate 30M, 30A, 30B, 30C, 30D, 30E, 30F first insulating layer 34Ma, 34Mb, 34A, 34B, 34C, 34D, 34E, 34F first conductor pattern 36M, 36A, 36B , 36C, 36D, 36E, 36F First via conductor 50G, 50E, 50C, 50A, 50B, 50D, 50F, 50H Second insulating layer 58A, 58B, 58C, 58D, 58E, 58F, 58G, 58H, second conductor Pattern 60A, 60B, 60C, 60D, 60E, 60F, 60G, 60H, second via conductor

Claims (12)

複数の第1絶縁層と、該第1絶縁層上の第1導体パターンと、前記第1絶縁層の内部に形成され前記第1導体パターン同士を接続する第1ビア導体とを有するコア基材と、
前記コア基材上に設けられ、無機繊維補強材を含まない第2絶縁層と、該第2絶縁層上の第2導体パターンと、前記第2絶縁層の内部に形成され前記第2導体パターン同士を接続する第2ビア導体とを有するビルドアップ層と、
を備える多層プリント配線板であって、
前記複数の第1絶縁層は無機繊維補強材を含み、
前記コア基材は、前記第1導体パターンと前記第1ビア導体とにより形成されるインダクタを有している。
A core substrate having a plurality of first insulating layers, a first conductor pattern on the first insulating layer, and a first via conductor that is formed inside the first insulating layer and connects the first conductor patterns to each other. When,
A second insulating layer provided on the core base material and not including an inorganic fiber reinforcing material; a second conductive pattern on the second insulating layer; and the second conductive pattern formed inside the second insulating layer. A buildup layer having a second via conductor connecting each other;
A multilayer printed wiring board comprising:
The plurality of first insulating layers include an inorganic fiber reinforcing material,
The core substrate has an inductor formed by the first conductor pattern and the first via conductor.
請求項1の多層プリント配線板であって:
前記インダクタの周囲に位置する少なくとも一部の第1ビア導体は、前記コア基材の厚み方向において直線状に積層されている。
The multilayer printed wiring board of claim 1, wherein:
At least a portion of the first via conductor located around the inductor is laminated linearly in the thickness direction of the core base material.
請求項1の多層プリント配線板であって:
前記第1導体パターンの厚みは、前記第2導体パターンの厚みよりも厚い。
The multilayer printed wiring board of claim 1, wherein:
The thickness of the first conductor pattern is greater than the thickness of the second conductor pattern.
請求項1の多層プリント配線板であって:
前記第1ビア導体の直径は、前記第2ビア導体の直径よりも大きい。
The multilayer printed wiring board of claim 1, wherein:
The diameter of the first via conductor is larger than the diameter of the second via conductor.
請求項1の多層プリント配線板であって:
前記第1絶縁層の厚みは、前記第2絶縁層の厚みよりも厚い。
The multilayer printed wiring board of claim 1, wherein:
The first insulating layer is thicker than the second insulating layer.
請求項1の多層プリント配線板であって:
前記第2導体パターンのうち、最外層に位置する第2導体パターン上には、半導体素子を接続するバンプが設けられ、該バンプが形成される領域の直下に前記インダクタが設けられている。
The multilayer printed wiring board of claim 1, wherein:
A bump for connecting a semiconductor element is provided on the second conductor pattern located on the outermost layer of the second conductor pattern, and the inductor is provided immediately below a region where the bump is formed.
請求項6の多層プリント配線板であって:
前記コア基材は、前記半導体素子が実装される側の第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、
前記第1面上に設けられて前記インダクタを形成する第1導体パターンと、前記最外層に位置する前記第2導体パターンとを接続する複数の第2ビア導体は、直線状に積層されている。
The multilayer printed wiring board of claim 6, wherein:
The core substrate has a first surface on which the semiconductor element is mounted and a second surface opposite to the first surface;
A plurality of second via conductors connecting the first conductor pattern provided on the first surface and forming the inductor and the second conductor pattern located on the outermost layer are laminated in a straight line. .
請求項1の多層プリント配線板であって:
前記コア基材の第2面上に設けられているビルドアップ層のうち、前記インダクタの形成領域の直下には、前記第2導体パターンと前記第2ビア導体とにより形成されるインダクタがさらに設けられている。
The multilayer printed wiring board of claim 1, wherein:
Of the buildup layer provided on the second surface of the core substrate, an inductor formed by the second conductor pattern and the second via conductor is further provided immediately below the inductor formation region. It has been.
請求項1の多層プリント配線板であって:
前記コア基材は、6層以上の第1導体パターンを有する。
The multilayer printed wiring board of claim 1, wherein:
The core substrate has a first conductor pattern having six or more layers.
複数の第1絶縁層と、該第1絶縁層上の第1導体パターンと、前記第1絶縁層の内部に形成され前記第1導体パターン同士を接続する第1ビア導体とを有するコア基材を形成することと、
前記コア基材上に設けられ、無機繊維補強材を含まない第2絶縁層と、該第2絶縁層上の第2導体パターンと、前記第2絶縁層の内部に形成され前記第2導体パターン同士を接続する第2ビア導体とを有するビルドアップ層を形成することと、
を備える多層プリント配線板の製造方法であって、
前記第1絶縁層は無機繊維補強材を含み、
前記第1導体パターンと前記第1ビア導体とによりインダクタを形成する。
A core substrate having a plurality of first insulating layers, a first conductor pattern on the first insulating layer, and a first via conductor that is formed inside the first insulating layer and connects the first conductor patterns to each other. Forming
A second insulating layer provided on the core base material and not including an inorganic fiber reinforcing material; a second conductive pattern on the second insulating layer; and the second conductive pattern formed inside the second insulating layer. Forming a buildup layer having a second via conductor connecting each other;
A method for producing a multilayer printed wiring board comprising:
The first insulating layer includes an inorganic fiber reinforcing material,
An inductor is formed by the first conductor pattern and the first via conductor.
請求項10の多層プリント配線板の製造方法であって:
前記第1導体パターンの厚みを前記第2導体パターンよりも厚くする。
A method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 10, wherein:
The thickness of the first conductor pattern is made thicker than that of the second conductor pattern.
請求項10の多層プリント配線板の製造方法であって:
前記第1導体パターンはサブトラクティブ法により形成され、前記第2導体パターンはセミアディティブ法により形成される。
A method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 10, wherein:
The first conductor pattern is formed by a subtractive method, and the second conductor pattern is formed by a semi-additive method.
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