JP2013070087A - 液浸リソグラフィー用投影対物レンズ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 自身の物体平面内に配置されるパターンを自身の像面に、光路上における自身の最後の光学素子と前記像面との間において配置される浸液媒体を利用して結像させる投影対物レンズにおいて、前記最後の光学素子は、透明な基板と、該基板に取り付けられるとともに、前記浸液媒体との接触用に設けられ、かつ前記浸液媒体によって引き起こされる劣化に対する前記最後の光学素子の耐性を高める役割を果たす保護層システムとを有する。
【選択図】図1
Description
3 照明系
5 投影対物レンズ
6 マスク
10 ウェーハ、425、725
12 像面
13 光軸
15 受容装置
16 周辺縁部
20、220、420、520、720 浸液媒体
25、522、501 平凸レンズ
30、60、80、100、310、630 保護層システム
50、90、200、300、400、500、600、700 光学素子
54、321 ホルダ
55 透明基板
70、310 平行平面板
102、122 交互層システム
202、301、601、701 フッ化カルシウム基板
518 交換可能板
602 平面状基板面
730 保護板
750 ホルダ要素
760、770 温度調整装置
Claims (69)
- 自身の物体平面内に配置されるパターンを自身の像面に、自身の光学素子と前記像面との間において配置される浸液媒体を利用して結像させる投影対物レンズにおいて、
透明基板と、該透明基板に取り付けられる保護層システムとを有する前記光学素子は、前記浸液媒体との接触用に設けられるとともに、前記浸液媒体によって引き起こされる劣化に対する前記光学素子の耐性を高める役割を果たす投影対物レンズ。 - 前記光学素子は、投影対物レンズの光路内における最後の光学素子である請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、前記浸液媒体に対して本質的に不透過性である少なくとも1つの障壁層からなる請求項1または2に記載の投影対物レンズ。
- 前記障壁層は、前記浸液媒体に対して本質的に化学的耐性を有するとともに、前記基盤から遠い自身の外側から前記基板の方を向く自身の側まで貫通する孔を本質的に有さない少なくとも1つの障壁層材料からなる請求項3に記載の投影対物レンズ。
- 前記障壁層は、単層である請求項3または4に記載の投影対物レンズ。
- 前記障壁層は、多層形層として形成される請求項3または4に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、フッ化アクチニウム(AcF3)、フッ化ビスマス(BiF3)、フッ化エルビウム(ErF3)、フッ化ユーロピウム(EuF3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)、フッ化ホルミウム(HoF3)、フッ化マグネシウムカリウム(KMgF3)、フッ化ランタン(LaF3)、フッ化イットリウムナトリウム(NaYF4)、フッ化ネオジム(NdF3)、フッ化サマリウム(SmF3)、フッ化テルビウム(TbF3)、フッ化チタン(TiF3)、フッ化ツリウム(TmF3)、フッ化バナジウム(VF3)、フッ化イッテルビウム(YbF3)、フッ化イットリウム(YF3)の少なくとも1つのフッ化物材料を含有するか、または本質的にこのような材料によって構成される少なくとも1つの障壁層からなる請求項1〜6の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウムマグネシウム(MgAl2O4)、酸化アルミニウム(Al2O3)、二酸化タングステン(WO2)、三酸化タングステン(WO3)の少なくとも1つの酸化物材料を含有するか、または本質的に前記材料の一つによって構成される少なくとも1つの障壁層からなる請求項1〜7の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、高い充填密度を有する酸化物材料によって製作される少なくとも1つの障壁層からなり、前記充填密度は、好ましくは塊状材料の密度の95%を超え、特に97%または98%を超え、かつ/または前記塊状材料の屈折率からの前記酸化物材料の平均屈折率の偏差は、5%未満、好ましくは3%未満、特に2%未満である請求項1〜8の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、本質的に、イオンスパッタリングされた酸化物材料、特に二酸化ケイ素によって構成される少なくとも1つの障壁層からなる請求項1〜9の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、本質的に、プラズマ促進化学蒸着法により施された酸化物材料、特にプラズマ促進化学蒸着二酸化ケイ素によって構成される少なくとも1つの障壁層からなる請求項1〜10の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、0.15λ〜0.6λ、特に約0.2λ〜0.3λまたは約0.4λ〜0.6λの範囲内の光学的層厚さを有する少なくとも1つの障壁層からなり、ここで、λは、投影対物レンズの動作波長である請求項1〜11の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記障壁層材料と前記浸液媒体との屈折率間における屈折率差Δnに関して、Δn>0.4が成り立つ請求項12に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、反射防止層として設計される少なくとも1つの障壁層からなる請求項1〜13の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、少なくとも1つの障壁層からなり、前記障壁層の光学的層厚さは、前記障壁層に隣接する単一層形または多層形誘電層システムの光学特性に適合せしめられて、前記層システムとともに増透効果をもたらすようにされる請求項1〜14の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、前記基板の出射側表面に直接施される少なくとも1つの障壁層からなる請求項1〜15の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、少なくとも1つの障壁層からなり、反射防止層システムが、前記基板と前記障壁層との間において配置される請求項1〜16の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、少なくとも1つの障壁層からなり、反射防止層システムが、前記基板から遠い前記障壁層の表面に施される請求項1〜17の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記反射防止層システムは、フッ化マグネシウム/フッ化ランタンの交互層システムである請求項17または18に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、前記浸液媒体に対して本質的に不浸透性である有機材料、特にパーフルオロ系フルオロカーボン、好ましくはポリテトラフルオロエチレンによって製作される少なくとも1つの障壁層からなる請求項1〜19の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、層範囲に対して垂直に連続的または断続的な屈折率プロファイルを有する屈折率分布型層として設計され、前記基板付近の領域における屈折率は、本質的に前記基板材料の屈折率に対応し、前記浸液媒体との接触用に設けられる領域における屈折率は、本質的に前記浸液媒体の屈折率に対応する請求項1〜20の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、前記浸液媒体との接触によって引き起こされる漸進的な材料溶解が前記保護層システムの光学特性の実質的な変化をもたらすことがないように、屈折率の点において最適化される摩耗システムとして設計される請求項1〜21の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、前記浸液媒体との接触用に設けられるとともに、屈折率が前記浸液媒体の屈折率nIに近接する板材料によって製作される塊状材料板からなり、前記浸液媒体に対する屈折率差Δnは、好ましくは0.1未満、特に0.005未満である請求項1〜22の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記浸液媒体は、本質的に水によって構成され、かつ前記板材料は、フッ化リチウム(LiF)であるか、または前記浸液材料は、液状フッ化物であり、前記板材料は、フッ化ナトリウム(NaF)またはフッ化カルシウム(CaF2)またはフッ化リチウム(LiF)である請求項23に記載の投影対物レンズ。
- 前記塊状材料板は、交換可能(交換可能な板)である請求項23または24に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、少なくとも前記浸液媒体に隣接する領域において、有効屈折率nSSを有して、前記浸液媒体の屈折率nIに対する屈折率差Δn=|nI−nSS|に関して、Δn<0.05、好ましくはΔn<0.01、特にΔn<0.005が成り立つようになっている請求項1〜25の1項に記載の投影対物レンズ。
- 1つまたは複数の単層を有する少なくとも1つの誘電性反射防止層が、前記基板と前記摩耗システムとの間において配置される請求項1〜26の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記平均屈折率nMIXは、前記浸液媒体の屈折率nIに近接するように設定され、この場合に、好ましくはΔn=|nI−nMIX|<0.05が、特にΔn<0.01が成り立つ請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 前記混合材料は、ナノパターン状の多層材料として構成される請求項28〜31の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記混合材料は、2つ以上の構成要素の連続的な混合物を有する請求項28〜31の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記基板は、フッ化物結晶材料、特にフッ化カルシウムによって構成される請求項1〜33の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムを備える前記光学素子、特に前記最後の光学素子は、球面状または非球面状に湾曲する入射面と、前記保護層システムが取り付けられる本質的に平面状の出射面とを有する平凸レンズである請求項1〜34の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムを備える前記光学素子は、本質的に平行平面板である請求項1〜34の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記平行平面板は、光学素子上に密着せしめられるか、または該光学素子に異なる方法で光学的に中性的に接続される請求項36に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムを備える前記光学素子は、交換可能である請求項1〜37の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、浸液によって形成されるとともに、前記保護層システム内において配置される少なくとも1つの層(二重液浸)からなる請求項1〜38の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、本質的に、前記保護層システムを備える前記光学素子の像側出射面のみに取り付けられる請求項1〜39の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、前記基板の像側出射面に取り付けられるとともに、さらにまた、前記基板の隣接する側部部分上にわたって連続的に延在する請求項1〜40の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、本質的に、前記基板の全ての外側部分を覆う請求項1〜41の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、第1の欠陥を有する第1の層と、第2の欠陥を有する少なくとも一つの第2の層とを有する多層システムからなり、前記第1の欠陥と前記第2の欠陥とは、前記層内において異なる横方向位置にわたって分布して、少なくとも一方の前記層内において本質的に前記多層システムの全ての位置に無欠陥領域が存在するようになる請求項1〜42の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記基板に近い方の前記第1の層と前記基板から遠い方の前記第2の層との間における界面は、前記第1の層を前記第2の層による被覆前に研磨することにより生じしめられる研磨界面として構成される請求項43に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムは、前記基板の基板表面上に密着せしめられる本質的に平行平面状の保護板によって形成される請求項1または2に記載の投影対物レンズ。
- 前記基板は、フッ化物結晶材料、特にフッ化カルシウムによって構成され、前記保護板は、合成石英ガラスによって構成される請求項45に記載の投影対物レンズ。
- 前記基板は、フッ化カルシウムによって構成され、前記保護板は、フッ化バリウムによって構成される請求項45に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護板は、5mm未満の板厚さを有し、前記板厚さは、好ましくは2mmより小かつ50μmより大である請求項45〜47の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記保護層システムを備える前記光学素子の温度調整のための温度調整装置を備える請求項1〜48の1項に記載の投影対物レンズ。
- 前記温度調整装置は、前記保護層システムを備える前記光学素子を投影対物レンズの周囲温度より低い温度に冷却する冷却装置として形成される請求項49に記載の投影対物レンズ。
- 像側開口数NA≧0.80、好ましくはNA≧0.98、特にNA≧1を有する請求項1〜50の1項に記載の投影対物レンズ。
- 自身の物体平面内に配置されるパターンを自身の像面に、自身の光学素子と前記像面との間において配置される浸液を利用して結像させるために設計される投影対物レンズを、前記浸液媒体によって引き起こされる光学特性の劣化に対して保護する方法において:
前記浸液媒体との接触用に設けられる保護層システムを少なくとも前記基板の出射側に取り付ける段階からなる方法。 - 前記保護層システムは、投影対物レンズの光路内における最後の光学素子に取り付けられる請求項52に記載の方法。
- 前記保護層システムは、請求項3〜39または43〜50の少なくとも1項の主要部に記載の特徴にしたがって設計される請求項52または53に記載の方法。
- 前記保護層システムの前記取付けは、
多層システムの第1の層を前記基板上または前記基板に施される被覆上において形成させる段階と;
前記第1の層の一部分を研磨によって除去して研磨面を形成させる段階と;
前記第1の層の前記研磨面上に第2の層を形成させる段階とからなる請求項52〜54の1項に記載の方法。 - 前記第2の層の一部分を研磨によって除去して前記第2の層の研磨面を形成させる段階と;
前記第2の層の前記研磨面上に第3の層を形成させる段階とが少なくとも1回が行なわれる請求項55に記載の方法。 - 層の一部分を除去する段階とまた他の層を前記除去された層上に形成させる段階との間において、前記除去された層を清浄化する段階が行なわれる請求項55または56に記載の方法。
- 光学素子において:
透明基板と;
前記基板に取り付けられるとともに、前記浸液媒体との接触用に設けられ、かつ前記浸液媒体によって引き起こされる劣化に対する光学素子の耐性を高める役割を果たす少なくとも1つの保護層システムとを有する光学素子。 - 前記基板は、フッ化物結晶材料、特にフッ化カルシウムによって構成される請求項58に記載の光学素子。
- 球面状または非球面状に湾曲する第1の面と、前記保護層システムが取り付けられる本質的に平面状の第2の面とを有する平凸レンズとして設計される請求項58または59に記載の光学素子。
- 本質的に平行平面板である請求項58および59のいずれかに記載の光学素子。
- 前記保護層システムは、前記基板の第1の外側部分に取り付けられるとともに、さらにまた前記基板の隣接する側部部分上にわたって連続的に延在し、前記保護層システムは、好ましくは本質的に前記基板の全ての外側部分を覆う請求項58〜61の1項に記載の光学素子。
- 前記保護層システムは、請求項3〜33または39または43〜50の少なくとも1項の主要部に記載の特徴にしたがって設計される請求項58〜62の1項に記載の光学素子。
- 光学系において:
浸液媒体との接触用に設けられる少なくとも1個の光学素子を有し、
前記光学素子は、透明基板と、前記基板に取り付けられるとともに前記浸液媒体との接触用に設けられ、かつ前記浸液媒体によって引き起こされる劣化に対する前記光学素子の耐性を高める役割を果たす保護層システムとを有する光学系。 - 前記浸液媒体との接触用に設けられる前記光学素子に加えて、好ましくは浸液との接触用に設けられるわけではない少なくとも1個のまた他の素子を含む請求項64に記載の光学系。
- 前記光学素子は、請求項59〜63の1項にしたがって設計される請求項64または65に記載の光学系。
- 自身の物体平面内に配置されるパターンを自身の像面に、自身の光学素子と前記像面との間において配置される浸液媒体を利用して結像させるために設計される投影対物レンズを、前記浸液媒体によって引き起こされる光学特性の劣化に対して保護する方法において:
前記投影対物レンズの周囲温度より低い媒体温度を有する冷却された浸液媒体を用いる段階からなる方法。 - 前記媒体温度は、15°C未満に設定され、前記媒体温度は、好ましくは10°C〜5°Cの範囲内の温度に設定される請求項67に記載の方法。
- 本質的に水によって構成される浸液媒体が用いられる請求項67および68のいずれかに記載の方法。
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| DE102006011098A1 (de) * | 2006-03-08 | 2007-09-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| WO2007130299A2 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Corning Incorporated | Distortion tuning of a quasi-telecentric imaging lens |
| WO2007144193A1 (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
| WO2008003442A1 (en) | 2006-07-03 | 2008-01-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for revising/repairing a lithographic projection objective |
| WO2008031576A1 (en) | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical arrangement for immersion lithography with a hydrophobic coating and projection exposure apparatus comprising the same |
| EP2097789B1 (en) | 2006-12-01 | 2012-08-01 | Carl Zeiss SMT GmbH | Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations |
| JP5543357B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2014-07-09 | コーニング インコーポレイテッド | Duv素子のための緻密で均質なフッ化物膜及びその作製方法 |
| NL1036186A1 (nl) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| DE102010007728A1 (de) | 2010-02-12 | 2011-09-29 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Scannen eines Objekts und Mikroskop |
| CN101950065B (zh) * | 2010-09-10 | 2011-12-14 | 北京理工大学 | 深紫外全球面光刻物镜 |
| DE102011051949B4 (de) | 2011-07-19 | 2017-05-18 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Wechselvorrichtung für ein Mikroskop |
| DE102011054837A1 (de) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optisches Element |
| CN103105666B (zh) * | 2011-11-10 | 2015-04-15 | 上海微电子装备有限公司 | 一种曝光投影物镜 |
| CN107728296B (zh) * | 2016-08-10 | 2022-03-04 | 光芒光学股份有限公司 | 光学镜头 |
| DE102020208044A1 (de) * | 2020-06-29 | 2021-12-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element für den VUV-Wellenlängenbereich, optische Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements |
| DE102022207068A1 (de) * | 2022-07-11 | 2024-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Linse für eine zum Betrieb im DUV ausgelegte mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren und Anordnung zum Ausbilden einer Antireflexschicht |
| CN119717401B (zh) * | 2023-09-27 | 2025-07-22 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 基于球面波的照明系统及曝光设备 |
| DE102024111454A1 (de) * | 2024-04-24 | 2025-10-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5881501U (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-02 | 東京光学機械株式会社 | 液浸用先端レンズ |
| JP2005077533A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 光学素子、レンズ系、及び投影露光装置 |
| JP2005093997A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10224361A1 (de) * | 2002-05-03 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv höchster Apertur |
| DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| CN1295566C (zh) * | 2002-05-03 | 2007-01-17 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 极高孔径的投影物镜 |
| JP2004358056A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Hasegawa Taiiku Shisetsu Corp | グランド埋め込み用部材及びその施工方法 |
-
2004
- 2004-12-06 JP JP2004352297A patent/JP2005189850A/ja active Pending
- 2004-12-07 DE DE102004059778A patent/DE102004059778A1/de not_active Ceased
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-
2012
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5881501U (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-02 | 東京光学機械株式会社 | 液浸用先端レンズ |
| JP2005077533A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 光学素子、レンズ系、及び投影露光装置 |
| JP2005093997A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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