JP2013062500A - Led発光素子用反射基板およびledパッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】正反射率および拡散反射率のいずれにも優れ、高い発光効率を達成することができるLED発光素子用反射基板およびLEDパッケージの提供。
【解決手段】LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、表面のうち、少なくともLED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRaが0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psmが10〜20μmであるLED発光素子用反射基板。
【選択図】なし
【解決手段】LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、表面のうち、少なくともLED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRaが0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psmが10〜20μmであるLED発光素子用反射基板。
【選択図】なし
Description
本発明は、発光ダイオード(以下、「LED」という。)パッケージに用いられるLED発光素子用反射基板に関するものである。
一般的に、LEDは、蛍光灯と比較して、電力使用量が1/100、寿命が40倍(40000時間)と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でLEDが採用される重要な要素となっている。
特に白色LEDは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色LED(30〜150Lm/W)も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯(20〜110Lm/W)を逆転している。
これにより、蛍光灯に代わり白色LEDの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色LEDが採用されるケースも増えつつある。
特に白色LEDは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色LED(30〜150Lm/W)も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯(20〜110Lm/W)を逆転している。
これにより、蛍光灯に代わり白色LEDの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色LEDが採用されるケースも増えつつある。
このような白色LEDに使用できる基板として、特許文献1には、「少なくとも、絶縁層と、該絶縁層と接して設けられる金属層とを有する光反射基板において、320nm超〜700nm波長光の全反射率が50%以上であって、且つ、300nm〜320nm波長光の全反射率が60%以上であることを特徴とする、光反射基板。」が記載されており([請求項1][請求項12])、光反射基板の表面が平均波長0.01〜100μmの凹凸である態様も記載されている([請求項2])。
また、特許文献2には、「アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、前記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、前記絶縁層を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が20原子%以下であり、前記アルミニウム基板の表面が、平均波長5〜100μmの大波構造および/または平均開口径0.7〜5μmの中波構造の形状を有する絶縁基板。」が記載されている([請求項1][請求項3])。
本発明者は、特許文献1および2に記載された基板について検討を行った結果、基板の表面形状によっては、高い正反射率は維持するものの、拡散反射率が低下する場合があることを明らかとし、発光効率の改善に余地があることを明らかとした。
そこで、本発明は、正反射率および拡散反射率のいずれにも優れ、高い発光効率を達成することができるLED発光素子用反射基板およびLEDパッケージを提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、算術平均粗さRaおよび凹凸の平均間隔Psmが特定の範囲内となる表面を有する反射基板を用いることにより、正反射率および拡散反射率のいずれにも優れ、高い発光効率を達成することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の(1)〜(5)を提供する。
すなわち、本発明は、以下の(1)〜(5)を提供する。
(1) LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、
表面のうち、少なくともLED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRaが0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psmが10〜20μmであるLED発光素子用反射基板。
表面のうち、少なくともLED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRaが0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psmが10〜20μmであるLED発光素子用反射基板。
(2) 表面が、金属基板上に設けられる反射層の表面であり、
反射層が、平均粒子径が0.1〜5μmの無機粒子を用いて形成される(1)に記載のLED発光素子用反射基板。
反射層が、平均粒子径が0.1〜5μmの無機粒子を用いて形成される(1)に記載のLED発光素子用反射基板。
(3) 反射層が、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系結着剤を用いて形成される(2)に記載のLED発光素子用反射基板。
(4) 反射層が、さらに、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂およびケイ素樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の熱硬化性樹脂を用いて形成される(2)に記載のLED発光素子用反射基板。
(5) (1)〜(4)のいずれかに記載のLED発光素子用反射基板と、表面に実装されたLED発光素子とを有するLEDパッケージ。
以下に説明するように、本発明によれば、正反射率および拡散反射率のいずれにも優れ、高い発光効率を達成することができるLED発光素子用反射基板およびLEDパッケージを提供することができる。
また、本発明のLEDパッケージは、拡散反射率が高いことから、蛍光灯代替LED灯具に好適に用いることができるため有用である。
また、本発明のLEDパッケージは、拡散反射率が高いことから、蛍光灯代替LED灯具に好適に用いることができるため有用である。
[LED発光素子用反射基板]
本発明のLED発光素子用反射基板(以下、単に「本発明の反射基板」という。)は、LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、上記表面のうち、少なくとも上記LED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRa(以下、単に「Ra」ともいう。)が0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psm(以下、単に「Psm」ともいう。)が10〜20μmである反射基板である。
ここで、「LED発光素子を実装する表面」とは、LED発光素子が実装される部分の表面(以下、「表面(実装領域)」ともいう。)およびLED発光素子が実装される部分以外の表面(以下、「表面(非実装領域)」ともいう。)を含む表面である。
また、「Ra」および「Psm」は、それぞれ、JIS B0601:2001に記載された表面性状パラメータのことをいい、本発明においては、いずれも触針式の表面粗さ計(例えば、SURFCOM480A、ACCRETECH(東京精密)社製)を用いて測定することができる。
本発明のLED発光素子用反射基板(以下、単に「本発明の反射基板」という。)は、LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、上記表面のうち、少なくとも上記LED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRa(以下、単に「Ra」ともいう。)が0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psm(以下、単に「Psm」ともいう。)が10〜20μmである反射基板である。
ここで、「LED発光素子を実装する表面」とは、LED発光素子が実装される部分の表面(以下、「表面(実装領域)」ともいう。)およびLED発光素子が実装される部分以外の表面(以下、「表面(非実装領域)」ともいう。)を含む表面である。
また、「Ra」および「Psm」は、それぞれ、JIS B0601:2001に記載された表面性状パラメータのことをいい、本発明においては、いずれも触針式の表面粗さ計(例えば、SURFCOM480A、ACCRETECH(東京精密)社製)を用いて測定することができる。
〔表面形状〕
本発明においては、上記表面(非実装領域)のRaは0.50〜1.00μmであり、0.65〜0.90μmであるのが好ましい。
上記表面(非実装領域)のRaがこの範囲であると、正反射率および拡散反射率が良好となる。
本発明においては、上記表面(非実装領域)のRaは0.50〜1.00μmであり、0.65〜0.90μmであるのが好ましい。
上記表面(非実装領域)のRaがこの範囲であると、正反射率および拡散反射率が良好となる。
また、本発明においては、上記表面(非実装領域)のPsmは10〜20μmであり、10〜15μmであるのが好ましい。
上記表面(非実装領域)のPsmがこの範囲であると、拡散反射率がより良好となり、拡散反射率と正反射率との比率(拡散反射率/正反射率)が95%より大きくなる。
上記表面(非実装領域)のPsmがこの範囲であると、拡散反射率がより良好となり、拡散反射率と正反射率との比率(拡散反射率/正反射率)が95%より大きくなる。
なお、正反射率および拡散反射率が更に良好となる理由から、上記表面(実装領域)やLED発光素子を囲繞するように接合された枠体(例えば、特開2004−207678号公報の符号2参照。)の表面(以下、「枠体表面」ともいう。)のRaおよびPsmについても、上述した各数値範囲であるのが好ましい。
〔第1態様〕
本発明においては、図1に示すように、本発明の反射基板1における表面(非実装領域)および表面(実装領域)は、金属基板2上に設けられる反射層3の表面で構成されていてもよい。
なお、図1中、符号4は後述する無機粒子を示し、符号5は後述する無機系結着剤を示し、符号6は後述する熱硬化性樹脂を示す。
本発明においては、図1に示すように、本発明の反射基板1における表面(非実装領域)および表面(実装領域)は、金属基板2上に設けられる反射層3の表面で構成されていてもよい。
なお、図1中、符号4は後述する無機粒子を示し、符号5は後述する無機系結着剤を示し、符号6は後述する熱硬化性樹脂を示す。
<金属基板>
上記金属基板の素材である金属は特に限定されず、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
上記金属基板は、加工性および強度にも優れる理由から、以下に詳述するアルミニウム基板であるのが好ましい。
上記金属基板の素材である金属は特に限定されず、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
上記金属基板は、加工性および強度にも優れる理由から、以下に詳述するアルミニウム基板であるのが好ましい。
(アルミニウム基板)
上記アルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、10質量%以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法(例えば、鋳造方法等)等については特に限定されず、特許文献1(国際公開第2010/150810号)の[0031]〜[0051]段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
上記アルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、10質量%以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法(例えば、鋳造方法等)等については特に限定されず、特許文献1(国際公開第2010/150810号)の[0031]〜[0051]段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
本発明においては、上記アルミニウム基板の厚みは、0.1〜2.0mm程度であり、0.15〜1.5mmであるのが好ましく、0.2〜1.0mmであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。
<反射層>
一方、上記反射層は、上記表面(非実装領域)のRaおよびPsmを上述した各数値範囲にする観点から、平均粒子径が0.1〜5μm、好ましくは0.5〜2μmの無機粒子を用いて形成されるものである。
ここで、平均粒子径とは、上記無機粒子の粒子径の平均値をいい、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された50%体積累積径(D50)をいう。
一方、上記反射層は、上記表面(非実装領域)のRaおよびPsmを上述した各数値範囲にする観点から、平均粒子径が0.1〜5μm、好ましくは0.5〜2μmの無機粒子を用いて形成されるものである。
ここで、平均粒子径とは、上記無機粒子の粒子径の平均値をいい、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された50%体積累積径(D50)をいう。
(無機粒子)
上記無機粒子の種類は特に限定されず、例えば、従来公知の金属酸化物、金属水酸化物、炭酸塩、硫酸化物などを用いることができ、中でも、金属酸化物を用いるのが好ましい。
上記無機粒子としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物;水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどの水酸化物;炭酸カルシウム(軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、極微細炭酸カルシウムなど)、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウムなどの炭酸塩;硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸化物;また、その他に、カルシウムカーボネート、方解石、大理石、石膏、カオリンクレー、焼成クレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
この中でも、後述する熱硬化性樹脂や無機系結着剤との親和性が良好となる理由から、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、水酸化アルミニウムが好ましい。
上記無機粒子の種類は特に限定されず、例えば、従来公知の金属酸化物、金属水酸化物、炭酸塩、硫酸化物などを用いることができ、中でも、金属酸化物を用いるのが好ましい。
上記無機粒子としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物;水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどの水酸化物;炭酸カルシウム(軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、極微細炭酸カルシウムなど)、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウムなどの炭酸塩;硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸化物;また、その他に、カルシウムカーボネート、方解石、大理石、石膏、カオリンクレー、焼成クレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
この中でも、後述する熱硬化性樹脂や無機系結着剤との親和性が良好となる理由から、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、水酸化アルミニウムが好ましい。
本発明においては、上記無機粒子は、2種類以上の粒子や、2種類以上の平均粒子径を有する粒子を併用してもよい。
種類や平均粒子径の異なる粒子を併用することにより、上記反射層の強度の向上や、上記反射層と上記金属基板との密着強度の向上を図ることができる。
種類や平均粒子径の異なる粒子を併用することにより、上記反射層の強度の向上や、上記反射層と上記金属基板との密着強度の向上を図ることができる。
また、本発明においては、上記無機粒子の形状は特に限定はされず、例えば、球状、多面体状(例えば、20面体状、12面体状等)、立方体状、4面体状、表面に凹凸状ないし凸状の突起を複数有する形状(以下、「コンペイトウ形状」ともいう。)、板状、針状等いずれであってもよい。
これらのうち、断熱性に優れる理由から、球状、多面体状、立方体状、4面体状、コンペイトウ形状が好ましく、入手が容易で断熱性により優れる理由から、球状であるのがより好ましい。
これらのうち、断熱性に優れる理由から、球状、多面体状、立方体状、4面体状、コンペイトウ形状が好ましく、入手が容易で断熱性により優れる理由から、球状であるのがより好ましい。
更に、本発明においては、正反射率および拡散反射率がより良好となる理由から、屈折率が1.5〜1.8の無機粒子を用いることが好ましい。
上記屈折率を満たす無機粒子としては、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、大理石、石膏、カオリンクレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
上記屈折率を満たす無機粒子としては、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、大理石、石膏、カオリンクレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
(無機系結着剤)
上記反射層は、上記反射層の強度が向上し、また、上記反射層と上記金属基板との密着強度も向上する理由から、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系結着剤を用いて形成されるのが好ましい。
上記反射層は、上記反射層の強度が向上し、また、上記反射層と上記金属基板との密着強度も向上する理由から、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系結着剤を用いて形成されるのが好ましい。
(熱硬化性樹脂)
上記反射層は、上記反射層の強度が向上し、また、上記反射層と上記金属基板との密着強度も向上する理由から、さらに、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂およびケイ素樹脂等からなる群から選択される少なくとも1種の熱硬化性樹脂を用いて形成されるのが好ましい。
上記反射層は、上記反射層の強度が向上し、また、上記反射層と上記金属基板との密着強度も向上する理由から、さらに、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂およびケイ素樹脂等からなる群から選択される少なくとも1種の熱硬化性樹脂を用いて形成されるのが好ましい。
上記反射層には、上述した無機粒子、無機系結着剤および熱硬化性樹脂以外に、他の化合物を含有してもよい。
他の化合物としては、例えば、分散剤(水、有機溶媒)、光重合可能なモノマー、光重合開始剤、架橋剤、架橋促進剤、界面活性剤等が挙げられる。
他の化合物としては、例えば、分散剤(水、有機溶媒)、光重合可能なモノマー、光重合開始剤、架橋剤、架橋促進剤、界面活性剤等が挙げられる。
(形成方法)
本発明においては、上記反射層の形成方法は特に限定されず、例えば、上記金属基板上に、上記無機粒子と上記無機系結着剤または上記熱硬化性樹脂とを含有する塗布液(組成物)をスクリーン印刷等により塗布し、乾燥させる方法等により形成することができる。
本発明においては、上記反射層の形成方法は特に限定されず、例えば、上記金属基板上に、上記無機粒子と上記無機系結着剤または上記熱硬化性樹脂とを含有する塗布液(組成物)をスクリーン印刷等により塗布し、乾燥させる方法等により形成することができる。
〔第2態様〕
本発明においては、図2に示すように、本発明の反射基板1における表面(非実装領域)および表面(実装領域)は、アルミナセラミックスからなる絶縁基板7の表面で構成されていてもよい。
上記アルミナセラミックスとしては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体等の焼結体が挙げられる。
本発明においては、図2に示すように、本発明の反射基板1における表面(非実装領域)および表面(実装領域)は、アルミナセラミックスからなる絶縁基板7の表面で構成されていてもよい。
上記アルミナセラミックスとしては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体等の焼結体が挙げられる。
<エッチング>
本発明においては、上記絶縁基板は、上記表面(非実装領域)のRaおよびPsmを上述した各数値範囲にする観点から、上記アルミナセラミックスからなる焼結体の表面に所望のエッチングを施して得られるのである。
ここで、上記エッチングとしては、例えば、以下に示すアルカリエッチング処理が好適に挙げられる。
本発明においては、上記絶縁基板は、上記表面(非実装領域)のRaおよびPsmを上述した各数値範囲にする観点から、上記アルミナセラミックスからなる焼結体の表面に所望のエッチングを施して得られるのである。
ここで、上記エッチングとしては、例えば、以下に示すアルカリエッチング処理が好適に挙げられる。
(アルカリエッチング処理)
アルカリエッチング処理は、上記絶縁基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させ、表面に存在する焼結体の粒界のエッジ部分を溶解させ、滑らかな凹凸(うねり)を持つ表面に変えることを目的として行われる。
アルカリエッチング処理は、上記絶縁基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させ、表面に存在する焼結体の粒界のエッジ部分を溶解させ、滑らかな凹凸(うねり)を持つ表面に変えることを目的として行われる。
本発明においては、アルカリエッチング処理のエッチング量は、上記表面(非実装領域)のPsmを10〜20μmとする観点から、1g/m2以上であるのが好ましく、5〜20g/m2であるのがより好ましい。
上記アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩;炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩;アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩;グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩;第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。
また、上記アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、1〜50質量%であるのが好ましく、10〜35質量%であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、0.01〜10質量%であるのが好ましく、3〜8質量%であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は20〜90℃であるのが好ましい。処理時間は1〜120秒であるのが好ましい。
また、上記絶縁基板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルカリ溶液を入れた槽の中に絶縁基板を通過させる方法、アルカリ溶液を入れた槽の中に絶縁基板を浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。
<反射層(銀蒸着膜)>
本発明においては、上記絶縁基板は、正反射率および拡散反射率がより良好となる理由から、上記絶縁基板上に銀(Ag)蒸着膜からなる反射層を有していてもよい。
ここで、上記Ag蒸着膜の膜厚は、上記表面(非実装領域)の表面形状を維持する観点から、0.1〜10μmであるのが好ましく、0.5〜1μmであるのがより好ましい。なお、膜厚の調整は、蒸着装置で用いるAg線質量を変更することにより行い、膜厚は、線質量を変えて平滑なガラス基板上に成膜した膜厚保を非接触干渉膜厚計を用いて測定することにより作成した検量線から算出することができる。
本発明においては、上記絶縁基板は、正反射率および拡散反射率がより良好となる理由から、上記絶縁基板上に銀(Ag)蒸着膜からなる反射層を有していてもよい。
ここで、上記Ag蒸着膜の膜厚は、上記表面(非実装領域)の表面形状を維持する観点から、0.1〜10μmであるのが好ましく、0.5〜1μmであるのがより好ましい。なお、膜厚の調整は、蒸着装置で用いるAg線質量を変更することにより行い、膜厚は、線質量を変えて平滑なガラス基板上に成膜した膜厚保を非接触干渉膜厚計を用いて測定することにより作成した検量線から算出することができる。
(形成方法)
上記Ag蒸着膜の形成方法は特に限定されず、従来公知の金属蒸着装置を用いて形成することができる。
上記Ag蒸着膜の形成方法は特に限定されず、従来公知の金属蒸着装置を用いて形成することができる。
〔共通態様〕
<配線層>
本発明の反射基板は、LED発光素子を実装するに当たり、配線層(金属配線層)を有していてもよい。
本発明においては、上記配線層は、LED発光素子が実装される側の表面の一部に設けられてもよいし、LED発光素子が実装される側の表面(以下、本段落において「実装面」という。)とは反対側の表面(裏面)の一部に設けられてLED発光素子の実装面とスルーホールを介して電気的に接続されてもよい。
<配線層>
本発明の反射基板は、LED発光素子を実装するに当たり、配線層(金属配線層)を有していてもよい。
本発明においては、上記配線層は、LED発光素子が実装される側の表面の一部に設けられてもよいし、LED発光素子が実装される側の表面(以下、本段落において「実装面」という。)とは反対側の表面(裏面)の一部に設けられてLED発光素子の実装面とスルーホールを介して電気的に接続されてもよい。
上記配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)等が挙げられ、これらを1種単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からCuを用いるのが好ましい。なお、Cuによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Au層やNi/Au層を設けていてもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からCuを用いるのが好ましい。なお、Cuによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Au層やNi/Au層を設けていてもよい。
また、上記配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、0.5〜1000μmが好ましく、1〜500μmがより好ましく、5〜250μmが特に好ましい。
上記配線層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜/均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜/均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。
上記めっき処理は、無機材料に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきを用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分(例えば、金属塩、還元剤等)と補助成分(例えば、pH調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等)から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、SE−650・666・680、SEK−670・797、SFK−63(いずれも日本カニゼン社製)、メルプレートNI−4128、エンプレートNI−433、エンプレートNI−411(いずれもメルテックス社製)等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきを用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分(例えば、金属塩、還元剤等)と補助成分(例えば、pH調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等)から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、SE−650・666・680、SEK−670・797、SFK−63(いずれも日本カニゼン社製)、メルプレートNI−4128、エンプレートNI−433、エンプレートNI−411(いずれもメルテックス社製)等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。
このようにして形成される配線層は、LED発光素子の実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にLEDが実装される箇所には、再度金属層(半田も含む)を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすいように適宜加工することができる。
好適な金属層としては、半田、または、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)等の金属素材が好ましく、加熱によるLEDの実装の観点では、半田、または、Niを介してのAu、Agを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。
好適な金属層としては、半田、または、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)等の金属素材が好ましく、加熱によるLEDの実装の観点では、半田、または、Niを介してのAu、Agを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。
配線層の形成方法として以下で説明する金属インクを用いてインクジェット印刷法またはスクリーン印刷法によりパターンを形成すれば、凹凸のある表面に多くの工程を必要とせずに簡易にパターンを有する配線層を形成することができる。
(インクジェット印刷法)
導体金属を含む金属インクを用いてインクジェット印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線層を形成することができる。具体的には、金属インクで配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。
導体金属を含む金属インクを用いてインクジェット印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線層を形成することができる。具体的には、金属インクで配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。
金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子;酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子;Cr−Co−Mn−Fe、Cr−Cu、Cr−Cu−Mn、Mn−Fe−Cu、Cr−Co−Fe、Co−Mn−Fe、Co−Ni−Cr−Feなどの複合合金の微粒子;銀めっき、銅などのめっき複合体の微粒子;等が挙げられ、これらを1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。
これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。
これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。
微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。
金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点から、1〜20nmが好ましく、5〜10nmがより好ましい。
金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点から、1〜20nmが好ましく、5〜10nmがより好ましい。
(スクリーン印刷法)
導体金属を含む金属インクを用いてスクリーン印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。
導体金属を含む金属インクを用いてスクリーン印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。
[LEDパッケージ]
以下に、本発明のLEDパッケージについて詳細に説明する。
本発明のLEDパッケージは、上述した本発明の反射基板と、その表面に実装されたLED発光素子とを有するLEDパッケージである。
次に、本発明のLEDパッケージの構成について、図3を用いて説明する。
以下に、本発明のLEDパッケージについて詳細に説明する。
本発明のLEDパッケージは、上述した本発明の反射基板と、その表面に実装されたLED発光素子とを有するLEDパッケージである。
次に、本発明のLEDパッケージの構成について、図3を用いて説明する。
図3に示すように、LEDパッケージ20は、反射基板1の表面(反射層3)上に実装されたLED9を有する。また、LED9は、蛍光粒子10を混入した透明樹脂11でモールドされており、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層8を有する本発明の反射基板1にワイヤボンディングされている。
本発明においては、上記LED発光素子は、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
また、上記透明樹脂の材質は、熱硬化性樹脂が好ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色LEDを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色LEDを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。
更に、上記蛍光粒子は、青色LEDからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体;Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体;Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体;Eu等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体;等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体;Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体;Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体;Eu等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体;等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
一方、本発明のLEDパッケージは、紫外〜青色LEDとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系LEDパッケージとしても使用することができる。
これらの蛍光発光体が青色LEDからの青色光を吸収して蛍光(黄色系蛍光)を生じ、この蛍光と青色LEDの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色LED光源チップと黄色蛍光体1種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外LED光源チップと赤色/緑色/青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色/緑色/青色3光源で白色発光させる「RGB光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットとして本発明のLEDパッケージを使用することができる。
これらの蛍光発光体が青色LEDからの青色光を吸収して蛍光(黄色系蛍光)を生じ、この蛍光と青色LEDの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色LED光源チップと黄色蛍光体1種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外LED光源チップと赤色/緑色/青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色/緑色/青色3光源で白色発光させる「RGB光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットとして本発明のLEDパッケージを使用することができる。
本発明のLEDパッケージにおいて、本発明の反射基板にLED発光素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は220〜350℃が好ましく、240〜320℃がより好ましく、260〜300℃が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から2秒〜10分が好ましく、5秒〜5分がより好ましく、10秒〜3分が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から2秒〜10分が好ましく、5秒〜5分がより好ましく、10秒〜3分が特に好ましい。
また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、80〜300℃が好ましく、90〜250℃がより好ましく、100〜200℃が特に好ましい。加熱時間としては、2秒〜10分が好ましく、5秒〜5分がより好ましく、10秒〜3分が特に好ましい。
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
〔反射基板の作製〕
<比較例1>
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1800℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、アルミナセラミックス焼結体からなる反射基板を作製した。
〔反射基板の作製〕
<比較例1>
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1800℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、アルミナセラミックス焼結体からなる反射基板を作製した。
<比較例2>
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を30分間施し、表面を25g/m2溶解させた反射基板を作製した。
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を30分間施し、表面を25g/m2溶解させた反射基板を作製した。
<実施例1>
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を10分間施し、表面を8g/m2溶解させた反射基板を作製した。
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を10分間施し、表面を8g/m2溶解させた反射基板を作製した。
<比較例3>
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が0.7μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が0.7μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
<比較例4>
実施例1で作製した反射基板(エッチングを施したアルミナセラミックス焼結体)の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が15μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
実施例1で作製した反射基板(エッチングを施したアルミナセラミックス焼結体)の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が15μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
<実施例2>
実施例1で作製した反射基板(エッチングを施したアルミナセラミックス焼結体)の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が0.7μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
実施例1で作製した反射基板(エッチングを施したアルミナセラミックス焼結体)の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が0.7μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
<比較例5>
(アルミニウム基板の作製)
Si:0.06質量%、Fe:0.30質量%、Cu:0.005質量%、Mn:0.001質量%、Mg:0.001質量%、Zn:0.001質量%、Ti:0.03質量%を含有し、残部はAlと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ500mm、幅1200mmの鋳塊をDC鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均10mmの厚さで面削機により削り取った後、550℃で、約5時間均熱保持し、温度400℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ2.7mmの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を500℃で行った後、冷間圧延で、厚さ1.0mmに仕上げ、JIS 1050材のアルミニウム基板を得た。
(アルミニウム基板の作製)
Si:0.06質量%、Fe:0.30質量%、Cu:0.005質量%、Mn:0.001質量%、Mg:0.001質量%、Zn:0.001質量%、Ti:0.03質量%を含有し、残部はAlと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ500mm、幅1200mmの鋳塊をDC鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均10mmの厚さで面削機により削り取った後、550℃で、約5時間均熱保持し、温度400℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ2.7mmの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を500℃で行った後、冷間圧延で、厚さ1.0mmに仕上げ、JIS 1050材のアルミニウム基板を得た。
(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)190gと、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製)225gと、光重合開始剤(IRGACURE907、チバスペシャルティケミカルズ社製)20gと、単量体成分(ジペンタエリスリトルヘキサアクリレート)15gと、シリコーンオイル(KS−66、信越シリコーン社製)3gと、溶剤(カルビトールアセテート)20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)190gと、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製)225gと、光重合開始剤(IRGACURE907、チバスペシャルティケミカルズ社製)20gと、単量体成分(ジペンタエリスリトルヘキサアクリレート)15gと、シリコーンオイル(KS−66、信越シリコーン社製)3gと、溶剤(カルビトールアセテート)20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
<比較例6>
上記アルミニウム基板に代えて、エンボス加工アルミニウム基板(エンボスシートSE6、住友軽金属社製)を用いた以外は、比較例5と同様の方法により、反射基板を作製した。
上記アルミニウム基板に代えて、エンボス加工アルミニウム基板(エンボスシートSE6、住友軽金属社製)を用いた以外は、比較例5と同様の方法により、反射基板を作製した。
<比較例7>
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)を用いた以外は、比較例5で調製した反射層形成材料と同様の方法により、熱硬化性樹脂組成物を調製した。
次いで、比較例5で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記熱硬化性樹脂を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)を用いた以外は、比較例5で調製した反射層形成材料と同様の方法により、熱硬化性樹脂組成物を調製した。
次いで、比較例5で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記熱硬化性樹脂を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。
<実施例3>
アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例7と同様の方法により、反射基板を作製した。
アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例7と同様の方法により、反射基板を作製した。
<実施例4>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)190gと、下記に示す方法で調製した変性ポリジメチルシロキサン含有物20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(変性ポリジメチルシロキサンの調製)
撹拌装置、温度計、滴下ラインを取り付けた反応容器に、エチルシリケート(シリケート40、n=4〜6、多摩化学工業社製)1.0gを入れ、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサン(HBSIL039、質量平均分子量;32,000相当、荒川化学社製)32.0gと、大気中(室温)にて約30分間、撹拌混合し、混成物である原料液Aを得た。ここで、エチルシリケートと、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサンで用いられたシリケートは、同じ種類および同じ特性を持つシリケートを使用した。
そして、原料液Aを加水分解工程および縮合工程にて、必要量の水0.93gを約1時間かけて滴下して加え、撹拌混合した。その後、撹拌しながら約30分かけて室温まで自然冷却し、変性ポリジメチルシロキサン含有物を得た。
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)190gと、下記に示す方法で調製した変性ポリジメチルシロキサン含有物20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(変性ポリジメチルシロキサンの調製)
撹拌装置、温度計、滴下ラインを取り付けた反応容器に、エチルシリケート(シリケート40、n=4〜6、多摩化学工業社製)1.0gを入れ、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサン(HBSIL039、質量平均分子量;32,000相当、荒川化学社製)32.0gと、大気中(室温)にて約30分間、撹拌混合し、混成物である原料液Aを得た。ここで、エチルシリケートと、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサンで用いられたシリケートは、同じ種類および同じ特性を持つシリケートを使用した。
そして、原料液Aを加水分解工程および縮合工程にて、必要量の水0.93gを約1時間かけて滴下して加え、撹拌混合した。その後、撹拌しながら約30分かけて室温まで自然冷却し、変性ポリジメチルシロキサン含有物を得た。
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
<実施例5>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)190gと、下記に示す組成のフェノール樹脂組成物20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(フェノール樹脂組成物)
・ノボラック樹脂(m−クレゾール/p−クレゾール=60/40、重量平均分子量7,000、未反応クレゾール0.5質量%含有) 0.90g
・メタクリル酸エチル/メタクリル酸イソブチル/メタクリル酸共重合体(モル比35/35/30) 0.10g
・フッ素系界面活性剤(メガファックF−780F、大日本インキ化学工業社製、固形分30質量%) 0.0045g(固形分換算)
・メチルエチルケトン 12g
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)190gと、下記に示す組成のフェノール樹脂組成物20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(フェノール樹脂組成物)
・ノボラック樹脂(m−クレゾール/p−クレゾール=60/40、重量平均分子量7,000、未反応クレゾール0.5質量%含有) 0.90g
・メタクリル酸エチル/メタクリル酸イソブチル/メタクリル酸共重合体(モル比35/35/30) 0.10g
・フッ素系界面活性剤(メガファックF−780F、大日本インキ化学工業社製、固形分30質量%) 0.0045g(固形分換算)
・メチルエチルケトン 12g
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
<比較例8>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
水90g、リン酸85%(和光純薬)55gおよび水酸化アルミニウム(和光純薬)25gを混合したバインダー液Aに、無機粒子としてアルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記無機組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚70μmとなるようにベタ印刷し、その後、250℃で30分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
なお、反射層におけるリン酸アルミニウム(無機系結着剤)の存在は、赤外分光法(IR)により確認した。
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
水90g、リン酸85%(和光純薬)55gおよび水酸化アルミニウム(和光純薬)25gを混合したバインダー液Aに、無機粒子としてアルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記無機組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚70μmとなるようにベタ印刷し、その後、250℃で30分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
なお、反射層におけるリン酸アルミニウム(無機系結着剤)の存在は、赤外分光法(IR)により確認した。
<比較例9>
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)を用いた以外は、比較例8で調製した反射層形成材料と同様の方法により、無機組成物を調製した。
次いで、比較例8で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記無機組成物を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。なお、下記第1表、反射層を形成する無機粒子の粒径については、反射基板表面の反射層を形成する無機粒子(アルミナ粒子、AO509−1)の粒径を記載している。
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)を用いた以外は、比較例8で調製した反射層形成材料と同様の方法により、無機組成物を調製した。
次いで、比較例8で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記無機組成物を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。なお、下記第1表、反射層を形成する無機粒子の粒径については、反射基板表面の反射層を形成する無機粒子(アルミナ粒子、AO509−1)の粒径を記載している。
<実施例6>
アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
<実施例7>
反射層形成材料として、以下に示す無機組成物を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
(反射層形成材料)
以下に示す組成のバインダー液Bを100g用い、それに対して無機粒子としてアルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
<バインダー液Bの組成>
・塩酸85% (和光純薬) 46.9g
・水酸化アルミニウム(和光純薬) 11g
・水 90g
反射層形成材料として、以下に示す無機組成物を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
(反射層形成材料)
以下に示す組成のバインダー液Bを100g用い、それに対して無機粒子としてアルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
<バインダー液Bの組成>
・塩酸85% (和光純薬) 46.9g
・水酸化アルミニウム(和光純薬) 11g
・水 90g
<実施例8>
反射層形成材料として、以下に示す無機組成物を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
富山化学社製の3号ケイ酸ソーダ原液(比重1.4)と水とを質量比1:1になるように混合したバインダー液Cに、無機粒子としてアルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
反射層形成材料として、以下に示す無機組成物を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
富山化学社製の3号ケイ酸ソーダ原液(比重1.4)と水とを質量比1:1になるように混合したバインダー液Cに、無機粒子としてアルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
<実施例9>
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例8で調製した反射層形成材料と同様の方法により、無機組成物を調製した。
次いで、比較例8で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記無機組成物を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。なお、下記第1表、反射層を形成する無機粒子の粒径については、反射基板表面の反射層を形成する無機粒子(アルミナ粒子、AL−160SG−3)の粒径を記載している。
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例8で調製した反射層形成材料と同様の方法により、無機組成物を調製した。
次いで、比較例8で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記無機組成物を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。なお、下記第1表、反射層を形成する無機粒子の粒径については、反射基板表面の反射層を形成する無機粒子(アルミナ粒子、AL−160SG−3)の粒径を記載している。
<実施例10>
反射層形成材料の無機粒子として、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、水酸化アルミニウム(BF013、平均粒子径:1.2μm、日本軽金属社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
反射層形成材料の無機粒子として、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、水酸化アルミニウム(BF013、平均粒子径:1.2μm、日本軽金属社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
<実施例11>
反射層形成材料の無機粒子として、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、硫酸バリウム(W−1、平均粒子径:1.5μm、竹原化学工業社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
反射層形成材料の無機粒子として、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、硫酸バリウム(W−1、平均粒子径:1.5μm、竹原化学工業社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
<実施例12>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層の作製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1800℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、アルミナセラミックス焼結体を作製した。
次いで、作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を15分間施し、表面を12g/m2溶解させた反射層を作製した。
(反射基板の作製)
上記アルミニウム基板の表面に刷毛を用いて無機接着剤(スミセラムS−17、朝日化学工業社製)を塗布し、速やかに上記反射層(焼結体)を圧着した後に、80℃で30分乾燥させ、更に150℃で1時間硬化させることにより、上記アルミニウム基板と上記反射層とを接着させた反射基板を作製した。
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層の作製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1800℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、アルミナセラミックス焼結体を作製した。
次いで、作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を15分間施し、表面を12g/m2溶解させた反射層を作製した。
(反射基板の作製)
上記アルミニウム基板の表面に刷毛を用いて無機接着剤(スミセラムS−17、朝日化学工業社製)を塗布し、速やかに上記反射層(焼結体)を圧着した後に、80℃で30分乾燥させ、更に150℃で1時間硬化させることにより、上記アルミニウム基板と上記反射層とを接着させた反射基板を作製した。
<実施例13>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層の作製)
酸化チタン粒子(PT−301、平均粒子径:0.24μm、石原産業社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1500℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、酸化チタンセラミックス焼結体を作製した。
次いで、作製した酸化チタンセラミックス焼結体に対して、液温30℃の1%フッ酸中に10分間浸漬させ、表面を4g/m2溶解させた反射層を作製した。
(反射基板の作製)
実施例12と同様の方法により、上記アルミニウム基板の表面に上記反射層を接着させた反射基板を作製した。
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層の作製)
酸化チタン粒子(PT−301、平均粒子径:0.24μm、石原産業社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1500℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、酸化チタンセラミックス焼結体を作製した。
次いで、作製した酸化チタンセラミックス焼結体に対して、液温30℃の1%フッ酸中に10分間浸漬させ、表面を4g/m2溶解させた反射層を作製した。
(反射基板の作製)
実施例12と同様の方法により、上記アルミニウム基板の表面に上記反射層を接着させた反射基板を作製した。
<比較例10>
特許文献2(特開2011−132590号公報)の[0095]〜[0106]、[0114]および[0119]段落に記載された実施例1の絶縁基板を反射基板として用いた。
特許文献2(特開2011−132590号公報)の[0095]〜[0106]、[0114]および[0119]段落に記載された実施例1の絶縁基板を反射基板として用いた。
〔表面形状の測定〕
上記で作製した各光反射基板の表面形状について、触針式の表面粗さ計(SURFCOM480A、ACCRETECH(東京精密)社製)を用いて、RaおよびPsmを測定した。これらの結果を下記第1表に示す。
上記で作製した各光反射基板の表面形状について、触針式の表面粗さ計(SURFCOM480A、ACCRETECH(東京精密)社製)を用いて、RaおよびPsmを測定した。これらの結果を下記第1表に示す。
〔反射率〕
作製した絶縁反射基板について、X−rite社製SP−60型積分球光度計を用いて、400〜700nmの正反射率(SPINモードの全平均)および拡散反射率(SPEXモードの全平均)を測定した。これらの結果とともに、反射率の比率(拡散反射率/正反射率)を下記第1表に示す。
作製した絶縁反射基板について、X−rite社製SP−60型積分球光度計を用いて、400〜700nmの正反射率(SPINモードの全平均)および拡散反射率(SPEXモードの全平均)を測定した。これらの結果とともに、反射率の比率(拡散反射率/正反射率)を下記第1表に示す。
〔発光効率〕
作製した各反射基板の表面に青色LED発光素子をワイヤボンディング法により実装し、Cu配線層と青色LED発光素子とを接続した。
青色LED発光素子を実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型LEDパッケージを作製した。
作製した各擬似白色型LEDパッケージについて、10Vの電圧で駆動した際の電流(A)と、色度X値=0.33での光束量(lm)とを測定し、下記式から発光効率(lm/W)を算出した。結果を下記第1表に示す。
発光効率(lm/W)=光束量(lm)/(電流(A)×10(V))
作製した各反射基板の表面に青色LED発光素子をワイヤボンディング法により実装し、Cu配線層と青色LED発光素子とを接続した。
青色LED発光素子を実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型LEDパッケージを作製した。
作製した各擬似白色型LEDパッケージについて、10Vの電圧で駆動した際の電流(A)と、色度X値=0.33での光束量(lm)とを測定し、下記式から発光効率(lm/W)を算出した。結果を下記第1表に示す。
発光効率(lm/W)=光束量(lm)/(電流(A)×10(V))
第1表に示す結果から、RaおよびPsmのいずれか一方または両方が所定の数値範囲外にある表面形状を有する反射基板は、比較例7および10を除き、拡散反射率の値が正反射率よりも1割程度劣り、比率(拡散反射率/正反射率)が95%以下となることが分かった。
また、比較例7で作製した反射基板は、発光効率が低いことが分かった。
同様に、比較例10で作製した反射基板は、Psmが小さくなり、発光効率が低下することが分かった。
これに対し、RaおよびPsmがいずれも所定の数値範囲内にある表面形状を有する反射基板は、正反射率および拡散反射率がいずれも高く、それらの比率(拡散反射率/正反射率)も95%より大きくなり、高い発光効率を達成できることが分かり、いずれも蛍光灯代替LED灯具として有用であることが分かった(実施例1〜13)。
特に、実施例1と実施例2〜13との比較から、上記表面形状が、反射層の表面形状である場合に発光効率がより高くなる傾向があることが分かった。
また、比較例7で作製した反射基板は、発光効率が低いことが分かった。
同様に、比較例10で作製した反射基板は、Psmが小さくなり、発光効率が低下することが分かった。
これに対し、RaおよびPsmがいずれも所定の数値範囲内にある表面形状を有する反射基板は、正反射率および拡散反射率がいずれも高く、それらの比率(拡散反射率/正反射率)も95%より大きくなり、高い発光効率を達成できることが分かり、いずれも蛍光灯代替LED灯具として有用であることが分かった(実施例1〜13)。
特に、実施例1と実施例2〜13との比較から、上記表面形状が、反射層の表面形状である場合に発光効率がより高くなる傾向があることが分かった。
1 反射基板
2 金属基板
3 反射層
4 無機粒子
5 無機系結着剤
6 熱硬化性樹脂
7 絶縁基板(アルミナセラミックス)
8 金属配線層
9 LED発光素子
10 蛍光粒子
11 透明樹脂
20 LEDパッケージ
2 金属基板
3 反射層
4 無機粒子
5 無機系結着剤
6 熱硬化性樹脂
7 絶縁基板(アルミナセラミックス)
8 金属配線層
9 LED発光素子
10 蛍光粒子
11 透明樹脂
20 LEDパッケージ
Claims (5)
- LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、
前記表面のうち、少なくとも前記LED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRaが0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psmが10〜20μmであるLED発光素子用反射基板。 - 前記表面が、金属基板上に設けられる反射層の表面であり、
前記反射層が、平均粒子径が0.1〜5μmの無機粒子を用いて形成される請求項1に記載のLED発光素子用反射基板。 - 前記反射層が、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系結着剤を用いて形成される請求項2に記載のLED発光素子用反射基板。
- 前記反射層が、さらに、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂およびケイ素樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の熱硬化性樹脂を用いて形成される請求項2に記載のLED発光素子用反射基板。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のLED発光素子用反射基板と、前記表面に実装されたLED発光素子とを有するLEDパッケージ。
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|---|---|
| JP2013062500A true JP2013062500A (ja) | 2013-04-04 |
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| WO (1) | WO2013027847A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109553156A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-04-02 | 深圳市微纳科学技术有限公司 | 紫外净水装置 |
| CN111425820B (zh) * | 2020-04-24 | 2025-03-14 | 超视界激光科技(苏州)有限公司 | 一种波长转换单元及激光照明模组 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006104061A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Kyocera Corporation | 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置 |
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2012
- 2012-08-27 JP JP2012186064A patent/JP2013062500A/ja not_active Withdrawn
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| JP2019125683A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 東芝マテリアル株式会社 | Ledモジュール |
| JP2022127787A (ja) * | 2021-02-22 | 2022-09-01 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP7627578B2 (ja) | 2021-02-22 | 2025-02-06 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2022146624A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 拡散反射体およびそれを用いた発光装置 |
| WO2022239687A1 (ja) * | 2021-05-10 | 2022-11-17 | デンカ株式会社 | 積層体、回路基板及び回路基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013027847A1 (ja) | 2013-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140107 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
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