JP2012529064A - 化学増幅型ポジフォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

フォトレジスト組成物。組成物は、以下：（ａ）１つ又はそれ以上の酸感受性基を含み、そしてアセタール又はケタール基によって保護されたフェノール基を実質的に含まない１つ又はそれ以上の樹脂バインダー；（ｂ）高エネルギーの線源に露光すると分解し、そして１つ又はそれ以上の酸感受性基を除去するのに十分強い光酸を発生する１つ又はそれ以上の光酸発生剤；（ｃ）イミニウム塩を含む１つ又はそれ以上のイオン性非感光性添加剤；及び（ｄ）１つ又はそれ以上の溶媒；を有する。また、フォトレジスト組成物を用いて基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法もある。

Description

本発明は、非感光性塩添加剤を含む新規な化学増幅型フォトレジスト組成物、及び該組成物を用いるパターン形成方法を提供する。

マイクロエレクトロニクス産業では、他の関連産業と同様に、微視的構造を構築するために加工寸法（feature size）を常に縮小している。この探求において有効なリソグラフィ技術は不可欠であり、そして常に改善された放射線感受性材料（radiation sensitive materials）（レジスト）を必要としている。より小さな構造を解像するために、露光する光の波長は、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１５７ｎｍの深紫外領域に低下しており、さらにＥＵＶ又はＸ線照射に露光されている。パターン及び波長がより細かくなるに従って、パターン描画に用いるレジストの物質的性質はますます厳しくなっている。特に、感受性、透明度、製造した像の審美性（aesthetics）、及びパターン転写のためのエッチング条件に対するレジストの選択性についての要求はますます大きくなっている。

化学増幅型レジストは、半導体産業における光学的リソグラフィ及び電子線書込み（electron-beam writing）（非特許文献１参照）に広く用いられる。化学増幅型レジストは、酸触媒による切断の原理で働き、その際、極性のアルカリ可溶性であるがブロックされる（blocked）化学基（例えばカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシル基）が、光分解により発生した酸によって脱ブロックされる（unblocked）。レジストは、露光領域において極性が変化し、そして多くの場合、アルカリ可溶性になる。極性におけるこの変化は、例えば、アルカリ現像液を含む種々のやり方で、又は乾式現像可能なレジストの場合、選択的シリル化、続いて酸化的プラズマエッチングによってレジストを現像するのに用いることができる。

このような酸触媒による脱ブロッキングを十分に行うには、酸を固体状態のポリマーマトリックス中に拡散しなければならない。得られた酸拡散は、多くの複雑かつ相互作用する変数の関数である。このような変数の例としては、酸濃度、酸サイズ、酸揮発性、樹脂官能基、露光と露光後ベーク間の時間、露光後ベークの時間及び温度、ポリマー官能基並びに塩基性又は酸性汚染物質の有り又はなしが含まれる。

高解像度を得るには、特にパターン寸法＜０．２５μｍでは、露光によって発生する光酸の拡散の制御が重要である。側方拡散が多すぎると、ラインが狭くなり、そして側方拡散が少なすぎるとラインが太くなり過ぎる。さらに、垂直の露光勾配（vertical exposure gradient）を生じる傾向がある露光及び吸収に反して垂直のプロファイル（vertical profiles）を作り出すには拡散を垂直に制御する必要がある。同様に、基板又は大気からの塩基性汚染物質は、レジストにおける光酸中和勾配（photoacid neutralizing gradients）を生じることがあり、それを克服する必要がある。

本発明は、高解像度、高い露光感度（photospeed）、良好な露光余裕度、良好な焦点深度及び良好なプロファイルの組み合わせが得られる非感光性酸発生添加剤を含む新しいフォトレジスト組成物を提供する。

さらにまた、樹脂バインダーが無水物又はラクトン基を含む感光性組成物は、有意に改善された貯蔵寿命を示す。

Solid State Technology, Vol. 34 (1991), no. 8, pages 53 to 60

本発明は、
１）酸の作用によってアルカリ可溶性になり樹脂上で保護している酸感受性基を除去する樹脂バインダー、又は樹脂バインダーの混合物、
２）高エネルギーの線源に露光すると分解し、そして樹脂上で保護している酸感受性基を除去するのに十分に強い酸（光酸）を発生する少なくとも１つの光酸発生剤（ＰＡＧ）、
３）１つ又はそれ以上のさらなるヘテロ原子で場合により置換されたイミニウム塩を含む少なくとも１つのイオン性非感光性添加剤；
４）少なくとも１つの溶媒；及び
４）クエンチャーとして場合により少なくとも１つの塩基：
を含むが、
但し、樹脂バインダー又は樹脂バインダーの混合物は、アセタール又はケタール基によって保護されたフェノール基を含まない、
新規なフォトレジスト組成物を提供する。

フォトレジスト組成物は、光収率を高度に増強する増感剤及び膜の品質を改善するための１つ又は混合物の界面活性剤をさらに含んでもよい。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造Ｉ₀（Ｂ⁺Ａ₀ ^-）のイミニウム塩であり、ここにおいて、Ｂ⁺は、

（式中、Ｒ_a及びＲ_bは、置換された又は非置換のアルキル基であり、そしてカルボニル基を含むか、又は鎖内にＳ原子、Ｏ原子、若しくはＮＲｅ基を含んでもよく；Ｒ_c及びＲ_dは、水素又は鎖内にＳ原子、Ｏ原子、若しくはＮＲ_e基を含んでもよいアルキル基であり；Ｒ_a及びＲ_b、又はＲ_a及びＲ_c、又はＲ_c及びＲ_d、又はＲ_b及びＲ_dは、結合して環内にＳ原子、Ｏ原子、又はＮＲｅ基を含んでもよい５〜７員環を形成してもよく；Ｒ_eは、水素又はアルキル基であってもよく；そしてＡ₀ ^-は、有機スルホン酸アニオンを有する化合物、スルファミン酸アニオンを有する化合物、カルボン酸アニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオンを有する化合物、ビススルホニルイミドアニオンを有する化合物、及びトリススルホニルアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる）
である。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造Ｉ₀（Ｂ⁺Ａ₀ ^-）の化合物であり、その際、光活性化により発生した酸とＡ０^-Ｈ⁺とは、ｐＫａ値において少なくとも約０．５異なる。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中の（場合による）クエンチャーとイミニウム塩のカチオンの共役塩基の塩基性度（ｐＫｂ）は、ｐＫｂ値において少なくとも約０．５異なる。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造Ｉ₀（Ｂ⁺Ａ₀ ^-）の化合物であり、そして容易に加水分解可能な官能基を含むレジストの貯蔵寿命を延長する。

本発明の別の実施態様は、基板を備えること；本明細書において先に記載された本発明の感光性組成物を前記基板上に塗布すること；感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること；感光性膜をイメージング放射線（imaging radiation）に露光すること；感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること；及び塗布、露光及び現像された基板をリンスすること；を含む、基板上でレリーフ構造を製造するためのパターン形成方法である。

発明の詳述
本発明は、深紫外線又はＥＵＶの放射に感受性のフォトレジスト組成物に関する。本開示の目的は、高性能リソグラフィ画像化及び高い処方寛容度（formulation latitude）を有するフォトレジスト組成物を得ることである。

用語の定義
塩及びイオン性化合物という用語は、同じ意味で用いられる。同様に、保護された及びブロックされた、並びに脱保護された及び脱ブロックされた、という用語は、同じ意味で用いられる。特に明記しない限り、％という用語は、質量％のことである。

「酸感受性基」という用語は、カルボン酸又はスルホン酸のような酸の存在下、最大１０分間の１６０℃までのベーク条件下で５モル％を超えて反応して水性アルカリ現像溶液中でポリマーの溶解度を高める新しい官能基を生じる官能基を意味するものとして定義される。

ヘテロ原子という用語は、Ｎ、Ｏ及びＳ原子として定義される。

本開示の目的では、イミニウム基という用語は、炭素に二重結合し、そして炭素又は水素のいずれかであって芳香環内に存在しない他の２つの原子に単結合した正に荷電された窒素として定義される。

本開示に関して非感光性という用語は、露光により有意量の光酸を発生しない又はＰＡＧを有意に分解する中間体を発生しない化合物を意味する。

フォトレジストに非感光性イミニウム塩添加剤を加えると、垂直又は本質的に垂直の側壁を有するサブミクロン及びサブハーフミクロン寸法のラインを含む小さな寸法の高度に解像されたレリーフ像を得ることができることが見出された。また、非感光性イミニウム塩添加剤は、解像度、プロセスウィンドウ、及びラインエッジラフネス（line edge roughness）の改善、並びに定在波及びライン間のスカムの減少のような異なるやり方でフォトレジスト組成物の結像性能を高めることができることが見出された。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造Ｉ₀（Ｂ⁺Ａ₀ ^-）のイミニウム塩であり、ここにおいて、Ｂ⁺は、

（式中、Ｒ_a及びＲ_bは、置換された若しくは非置換のアルキル基であり、そしてカルボニル基を含むか、又は鎖内にＳ原子、Ｏ原子、若しくはＮＲ_e基を含んでもよく；Ｒ_c及びＲ_dは、水素又は鎖内にＳ原子、Ｏ原子、若しくはＮＲ_e基を含んでもよいアルキル基であり；Ｒ_a及びＲ_b、又はＲ_a及びＲ_c、又はＲ_c及びＲ_d、又はＲ_b及びＲ_dは、結合して環内にＳ原子、Ｏ原子、又はＮＲ_e基を含んでもよい５〜７員環を形成してもよく；Ｒ_eは、水素又はアルキル基でもよく；そしてＡ₀ ^-は、有機スルホン酸アニオンを有する化合物、スルファミン酸アニオンを有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオンを有する化合物、ビススルホニルイミドアニオンを有する化合物、及びビススルホニルアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる。カチオンＢ⁺は、ピロール、オキサゾール、イミダゾール、ピロリン及びピロリジンのような特定の種類の化合物のアルキル化又はプロトン化によって製造することができる）
である。

好ましい実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造Ｉ（Ｂ⁺Ａ^-）のイミニウム塩であり、ここにおいてＡ^-は、有機スルホン酸アニオン（Ｒ¹¹ＳＯ₃ ^-）又はスルファミン酸アニオン［Ｒ¹²Ｎ（Ｒ¹³）ＳＯ₃ ^-］又はカルボン酸アニオン（Ｒ¹⁴ＣＯ₂ ^-）又は硫酸アルキル（Ｒ¹⁵ＳＯ₄ ^-）又はビススルホニルイミドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₂Ｎ^-］又はトリススルホニルメチドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₃Ｃ^-］であり；ここでＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は、独立してＣ₁−Ｃ₂₄炭素鎖又は部分的に若しくは完全にハロゲン置換された炭素鎖、非置換若しくは置換されたＣ₆−Ｃ₂₀芳香族炭素鎖又はそれらの組み合わせであり、場合によりＳ若しくはＮ又は骨格鎖を中断していてもよい任意の有機官能基を含み；Ｒ¹⁶は、高度にフッ素化された若しくはペルフルオロ化されたアルキル又はフッ素化アリール基からなる群より独立して選ばれ、そしていずれか２つのＲ¹⁶基の組み合わせが結合して架橋を形成するときは環式であってもよく、さらに、Ｒ¹⁶アルキル鎖は、１〜２０個の炭素原子を含み、そして直鎖、分枝状、又は環式であってもよく、その際、二価の酸素、三価の窒素又は六価の硫黄が骨格鎖を中断することもあり得る、さらにＲ¹⁶が環式構造を含むとき、このような構造は、５又は６個の環員を有し、場合によりそのうちの１又は２個はヘテロ原子である。

より好ましい実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、Ｂ₁ ⁺Ａ^-（構造ＩＡ）又はＢ₂ ⁺Ａ（構造ＩＤ）：

｛式中、Ｗは、炭素原子であり、Ｘは、Ｒ⁶Ｃ基又は窒素原子又はヘテロ原子であり、Ｙは、（Ｒ⁷）₂Ｃ若しくはカルボニル基、又はＳ若しくはＯ原子であり、Ｚは、（Ｒ⁸）₂Ｃ基、Ｒ⁹Ｎ、又はＳ若しくはＯ原子であり、Ｒ¹〜Ｒ⁹は、独立して水素原子、Ｃ₁−Ｃ₃炭素鎖又は５〜７員環であり、Ｒ¹及びＲ²は、一緒に結合して５〜７員環を形成し、同様にＲ³及びＲ⁴は、一緒に結合する場合、５〜７員環を形成してもよく、Ａ^-は、有機スルホン酸アニオン（Ｒ¹¹ＳＯ₃ ^-）又はスルファミン酸アニオン［Ｒ¹²Ｎ（Ｒ¹³）ＳＯ₃ ^-］又はカルボン酸アニオン（Ｒ¹⁴ＣＯ₂ ^-）又は硫酸アルキル（Ｒ¹⁵ＳＯ₄ ^-）又はビススルホニルイミドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₂Ｎ^-］又はトリススルホニルメチドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₃Ｃ^-］であり；ここで、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は、独立してＣ₁−Ｃ₂₄炭素鎖又は部分的に若しくは完全にハロゲン置換された炭素鎖、非置換若しくは置換されたＣ₆−Ｃ₂₀芳香族炭素鎖又はそれらの組み合わせであり、場合によりＳ若しくはＮ又は骨格鎖を中断していてもよい任意の有機官能基を含み；Ｒ¹⁶は、高度にフッ素化された若しくはペルフルオロ化されたアルキル又はフッ素化アリール基からなる群より独立して選ばれ、そしていずれか２つのＲ¹⁶基の組み合わせが結合して架橋を形成するときは環式であってもよく、さらに、Ｒ¹⁶アルキル鎖は、１〜２０個の炭素原子を含み、そして直鎖、分枝状、又は環式であってもよく、その際、二価の酸素、三価の窒素又は六価の硫黄が骨格鎖を中断することもあり得る、さらにＲ¹⁶が環式構造を含むとき、このような構造は、５又は６個の環員を有し、場合により、そのうちの１又は２個はヘテロ原子である｝

［式中、Ｗは、炭素原子であり、Ｘは、Ｒ²⁶Ｃ基又は窒素原子若しくはヘテロ原子であり、Ｙは、（Ｒ²⁷）₂Ｃ若しくはカルボニル基、又はＳ若しくはＯ原子であり、Ｚは、（Ｒ²⁸）₂Ｃ基、Ｒ²⁹Ｎ、又はＳ若しくはＯ原子であり、Ｒ²¹〜Ｒ²⁹は、独立して水素原子、フェニル基、フェニル基で場合により置換されたＣ₁−Ｃ₃炭素鎖又は５〜７員環であり、Ｒ²¹及びＲ²²は、一緒に結合して５〜７員環を形成してもよく、同様にＲ²³及びＲ²⁴は、一緒に結合する場合、５〜７員環を形成してもよく、ｐ、ｑ、ｓ、及びｔは、独立して０又は１であり；Ａ^-は、上記のとおりである］
のイミニウム塩である。

さらにより好ましい実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造ＩＡのイミニウム塩であり、ここで、Ｘ＝Ｎ、そしてＺは（Ｒ⁸）₂Ｃ基又はＲ⁹Ｎ基である。Ｘ＝Ｎ、そしてＺが（Ｒ⁸）₂Ｃ基である構造ＩＡは、アミジニウム塩（構造ＩＢ）に相当する。Ｘ＝Ｎ、そしてＺがＲ⁹Ｎである構造ＩＡは、グアニジニウム塩（構造ＩＣ）に相当する。

別のさらにより好ましい実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造ＩＤのイミニウム塩であり、ここでＸ＝Ｎ、Ｒ²²は、フェニル基、Ｓ＝Ｏであり、そしてｔ＝１である。

最も好ましい実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造ＩＡのイミニウム塩であり、ここで、Ｘ＝Ｎ、そしてＺは（Ｒ⁸）₂Ｃ基であり、そしてＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は、独立してＣ₁−Ｃ₈炭素鎖又は部分的に若しくは完全にハロゲン置換された炭素鎖、非置換若しくは置換されたＣ₆−Ｃ₁₀芳香族炭素鎖又はそれらの組み合わせであり、場合によりＳ若しくはＮ又は骨格鎖を中断していてもよい任意の有機官能基を含み；Ｒ¹⁶は、高度にフッ素化された若しくはペルフルオロ化されたアルキル又はフッ素化アリール基からなる群より独立して選ばれ、そしていずれか２つのＲ¹⁶基の組み合わせが結合して架橋を形成するとき、環式であってもよく、さらにＲ¹⁶アルキル鎖は１〜１０個の炭素原子を含むみ、そして直鎖、分枝状、又は環式であってもよく、その際、二価の酸素、三価の窒素又は六価の硫黄が骨格鎖を中断することもあり得る、さらにＲ¹⁶が環式構造を含むとき、このような構造は、５又は６個の環員を有し、場合により、そのうちの１又は２個はヘテロ原子である。

イミニウムカチオンは、対応するイミン若しくはイミン誘導体のアルキル化によって又は対応するイミン若しくはイミン誘導体と酸との反応によって製造することができる。必要に応じて、所望の塩を製造するために当業者に知られている標準方法によってアニオン交換を実施することができる。

イミニウムカチオン（Ｂ⁺）に転換することができるイミン及びイミン誘導体の例としては、以下

に示す化合物が含まれるが、それらに制限されるわけではない。

イミン又はイミン誘導体と反応させてイミニウム塩を製造することができるスルホン酸の適切な例としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、４−ドデカンベンゼンスルホン酸、１,２−エタンジスルホン酸トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、及びフッ素化エーテルスルホン酸、例えば１,１,２,２−テトラフルオロ−２−（トリフルオロメトキシ）−エタンスルホン酸、２,２'−［（ジフルオロメチレン）ビス（オキシ）］ビス［１,１,２,２−テトラフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２−テトラフルオロ−２−（１,１,２,２,３,４,４,４−オクタフルオロ−３−エタンスルホン酸、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸が含まれるが、それらに制限されるわけではない。

イミン又はイミン誘導体と反応させてイミニウム塩を製造することができるカルボン酸の適切な例としては、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、ベンジル酸、トリメチル酢酸、コハク酸、エトキシ酢酸、乳酸、グリコール酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、酪酸、吉草酸、シクロヘキシル酢酸、ヒドロキシ酪酸、フルオロ酢酸、トリフルオ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸及びトルイル酸が含まれるが、それらに制限されるわけではない。

イミン又はイミン誘導体と反応させてイミニウム塩を製造することができるスルファミン酸の適切な例としては、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、メチルスルファミン酸、ジメチルスルファミン酸、エチルスルファミン酸、ジエチルスルファミン酸、ｎ−プロピルスルファミン酸、イソプロピルスルファミン酸、ｎ−ブチルスルファミン酸、ｎ−ジブチルスルファミン酸、sec.−ブチルスルファミン酸、イソブチルスルファミン酸、１−エチル−プロピル−１−スルファミン酸、ｎ−ペンチルスルファミン酸、シクロペンチルスルファミン酸、ｎ−ヘキシルスルファミン酸、シクロヘプチルスルファミン酸、１−エチル−２−メチルプロピルスルファミン酸、１−シクロヘキシル−１−エチルスルファミン酸、１−（２'−ノルボルニル）エチルスルファミン酸、及びベンジルスルファミン酸が含まれるが、それらに制限されるわけではない。
イミン又はイミン誘導体と反応させてイミニウム塩を製造することができる硫酸エステルの適切な例としては、硫酸水素メチル、硫酸水素エチル、硫酸水素プロピル、硫酸水素ブチル、硫酸水素ベンジル及び硫酸水素フェニルが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

イミン又はイミン誘導体と反応させてイミニウム塩を製造することができるビススルホニルイミドの適切な例としては、ビス（パーフルオロシクロヘキシルスルホニル）イミド、（ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂（ＣＦ₂）₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂（ＣＦ₂）₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂（ＣＦ₂）₇ＣＦ₃）、（ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂（ＣＦ₂）₃ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、及び（ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、並びにフッ素化エーテルビススルホニルイミド、例えば（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₂ＣＦ₃）、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃）、及び（ＣＦ₃ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）ＮＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）が含まれるが、それらに制限されるわけではない。

イミン又はイミン誘導体と反応させてイミニウム塩を製造することができるトリススルホニルメタンの適切な例としては、（ＣＦ₃ＳＯ₂）₃ＣＨ、（ＣＦ₃ＣＦ₂ＳＯ₂）₃ＣＨ、（ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）₃ＣＨ、（ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）₃ＣＨ、（ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）（ＣＦ₃ＳＯ₂）₂ＣＨ、（Ｃ₆Ｆ₅ＳＯ₂）（ＣＦ₃ＳＯ₂）₂ＣＨ、［（ＣＦ₃）₂ＮＣ₂Ｆ₄ＳＯ₂］₂ＣＨ（ＳＯ₂ＣＦ₃）、

のプロトン化されたもの、並びにフッ素化エーテルメチド、例えば（ＣＦ₃ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）₃ＣＨ、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）₃ＣＨ、（ＣＦ₃ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）₂（ＣＦ₃ＳＯ₂）ＣＨ、及び（ＣＦ₃ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂）₃ＣＨが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

添加剤の適切な例としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のスルホン酸：ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−１−メタンスルホン酸（カンファースルホン酸）、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、１,１,２,２−テトラフルオロエタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれるが、それらに制限されるわけではない。さらなる適切な例としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−メチル−４,５−ジヒドロ−１,３−チアゾールと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び

２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸
との塩が含まれる。

好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、１,１,２,２−テトラフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸
との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下の酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジン以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。

より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、１,１,２,２−テトラフルオロエタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、及び３−［（２−（アダマンタン−１−イルメトキシ）−１１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸
との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,７,７,８,８,８−ヘプタデカフルオロオクタン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（ピペリジン−１−イルスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、３−［（４−シクロヘキシルフェノキシ）スルホニル］−１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロプロパン−１−スルホン酸、１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−（フェノキシスルホニル）プロパン−１−スルホン酸、及び２−［（アダマンタン−１−イルメチル）アミノ］−１,１−ジフルオロ−２−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のスルホン酸：カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。

添加剤の適切な例としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれるが、それらに制限されるわけではない。さらなる適切な例としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−メチル−４,５−ジヒドロ−１,３−チアゾールと以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のカルボン酸：酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルイル酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。

好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。また、好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。

より好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。また、より好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロパン酸、及び２−エチルヘキサン酸との塩が含まれる。また、より好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、より好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、より好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールとトリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、より好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。また、より好ましいカルボン酸由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のカルボン酸：トリフルオロ酢酸との塩が含まれる。

添加剤の適切な例としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれるが、それらに制限されるわけではない。さらなる適切な例としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−メチル−４,５−ジヒドロ−１,３−チアゾールと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、トリス［（ペンタフルオロエチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。

好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、２−メチル−４,５−ジヒドロ−１,３−チアゾールと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。また、好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。

より好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。また、より好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。また、より好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタン、及び４−［２−（｛ビス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メチル｝スルホニル）−１,１,２,２−テトラフルオロエチル］−２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロモルホリンとの塩が含まれる。また、より好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。また、より好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。また、より好ましいトリススルホニルメタン由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のトリススルホニルメタン：トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンとの塩が含まれる。

添加剤の適切な例としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−
７−エン）と以下のビススルホニルイミド；ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれるが、それらに制限されるわけではない。さらなる適切な例としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−メチル−４,５−ジヒドロ−１,３−チアゾールと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。

好ましいビススルホニルイミド由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のビススルホニルイミド；ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。また、好ましいビススルホニルイミド由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。また、好ましいビススルホニルイミド由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。また、好ましいビススルホニルイミド由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミンとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。

より好ましいビススルホニルイミド由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のビススルホニルイミド；ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。また、より好ましいビススルホニルイミド由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。また、より好ましいビススルホニルイミド酸由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミン、４,４,５,５−テトラフルオロ−１,１,３,３−テトラオキシド−１,３−ジチオラン−２−イルトリフルオロメチルスルホン、及び１,１,２,２,３,３−ヘキサフルオロ−３−［（４−メチルピペラジン−１−イル）スルホニル］−Ｎ−［（トリフルオロメチル）スルホニル］プロパン−１−スルホンアミドとの塩が含まれる。また、より好ましいビススルホニルイミド酸由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミンとの塩が含まれる。また、より好ましいビススルホニルイミド酸由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のビススルホニルイミド：ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミンとの塩が含まれる。

添加剤の適切な例としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれるが、それらに制限されるわけではない。さらなる適切な例としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と
以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−メチル−４,５−ジヒドロ−１,３−チアゾールと以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下のスルファミン酸：
トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。

好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のスルファミン酸：シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び（２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−デカフルオロシクロヘキシル）スルファミン酸との塩が含まれる。また、好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のスルファミン酸：シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、及びベンジルスルファミン酸との塩が含まれる。また、好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸との塩が含まれる。また、好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸との塩が含まれる。また、好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下のスルファミン酸：シクロヘキシルスルファミン酸との塩が含まれる。また、好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下のスルファミン酸：シクロヘキシルスルファミン酸との塩が含まれる。

より好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下のスルファミン酸：シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、及びベンジルスルファミン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下のスルファミン酸：シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、及びベンジルスルファミン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルファミン酸由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下のスルファミン酸：トリフルオロメタスルファミン酸との塩が含まれる。

添加剤の適切な例としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれるが、それらに制限されるわけではない。さらなる適切な例としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールと以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,４,４−トリメチル−４,５−ジヒドロ−１,３−オキサゾールと以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２−メチル−４,５−ジヒドロ−１,３−チアゾールと以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,３,４,６,７,８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１,２−ａ］ピリミジンと以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、２,３,４,７,８,９−ヘキサヒドロ−６Ｈ−ピリド［１,２−ａ］ピリミジン−６−オンと以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下の硫酸水素エステル：
硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。

好ましい硫酸水素エステル由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、及び硫酸水素フェニルとの塩が含まれる。また、好ましい硫酸水素エステル由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。また、好ましい硫酸水素エステル由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、及び硫酸水素フェニルとの塩が含まれる。また、好ましい硫酸水素エステル由来の添加剤としては、１,１,２,３,３−ペンタメチルグアニジンと以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル及び硫酸水素フェニルとの塩が含まれる。

より好ましい硫酸水素エステル由来の添加剤としては、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、及び硫酸水素フェニルとの塩が含まれる。また、より好ましい硫酸水素エステル由来の添加剤としては、ＤＢＮ（１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチル、及び硫酸水素フェニルとの塩が含まれる。また、より好ましい硫酸水素エステル由来の添加剤としては、ＴＰＩ（２,４,５−トリフェニル−４,５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール）と以下の硫酸水素エステル：硫酸水素メチルとの塩が含まれる。

フォトレジスト組成物中の塩の濃度は、フォトレジスト組成物の非溶媒部分の約０．０１％から約５質量％までの範囲でありうる。塩の好ましい濃度は、フォトレジスト組成物の非溶媒部分の約０．０２％から約２．５％までである。塩のより好ましい濃度は、フォトレジスト組成物の非溶媒部分の約０．０３％から約２．０％までである。塩の最も好ましい濃度は、フォトレジスト組成物の非溶媒部分の約０．０５％から約１．２５％までである。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造Ｉ₀（Ｂ⁺Ａ₀ ^-）の化合物であり、ここにおいて、光活性化により発生した酸とＡ₀ ^-Ｈ⁺とは、ｐＫａ値において少なくとも約０．５異なる。組み合わせにより見られる利点には、特に反射面における、プロファイル、焦点深度、露光余裕度の改善が含まれ、これにより反射防止層を用いる必要性が最小限となる。この実施態様に好ましい塩のカチオンは、強塩基の中和から生じるイミニウムカチオンである。このような強塩基の例としては、ＤＢＵ及びＤＢＮが含まれるが、それらに制限されるわけではない。Ａ₀ ^-Ｈ⁺と光酸との酸の組み合わせの例としては、トリススルホニルメチドとスルホン酸、及びビススルホニルイミドとスルホン酸が含まれるが、それらに制限されるわけではない。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中の（場合による）クエンチャーとイミニウム塩を形成するために用いられる塩カチオンの共役塩基の塩基性度（ｐＫ_b）とは、ｐＫ_b値において少なくとも約０．５異なる。クエンチャー及び塩の組み合わせは、光発生又は他の酸の拡散率を微調整するため、特に形状（features）のエッジ付近のより低い露光領域においてラインエッジラフネス（line edge roughness）を改善するために用いることができる。

クエンチャーが強塩基であり、そして塩カチオンの共役塩基がより弱い塩基であるか、又はクエンチャーが弱塩基であり、そして塩カチオンの共役酸がより強い塩基であるクエンチャーと塩の組み合わせが好ましい。このような組み合わせの例としては、ＴＰＩとスルホン酸のＤＢＮ塩（例えばｐ−トルエンスルホン酸）、及びＤＢＮとスルホン酸のＴＰＩ塩（例えばｐ−トルエンスルホン酸）が含まれるが、それらに制限されるわけではない。

一実施態様において、フォトレジスト組成物中のイオン性非感光性添加剤は、構造Ｉ₀（Ｂ⁺Ａ₀ ^-）の化合物であり、そして容易に加水分解可能な官能基を含むレジストの貯蔵寿命を延長する。

マレイン酸ポリマーは、無水マレイン酸環を開環してカルボン（マレイン酸）酸を生成する処方物において微量のＨ₂Ｏ存在下で塩基触媒による加水分解に対して感受性であることが知られている。また、ラクトン基が開環するとカルボン酸エステル基になることがある。貯蔵期間中に処方物中でポリマーに囲まれたカルボン酸が増加するとレジストの機能的性能に負の影響がある。露光感度（photospeed）のシフト、裾引き（footing）、プロフィールの丸み（rounding of profiles）、解像度の低下、露光余裕度及び未露光部分の厚さ損失の増加が一般に観察される問題である。

イミニウム塩は、フォトレジスト中で酸拡散制御剤として作用するが、ポリマー中の無水物又はラクトン基の加水分解に触媒作用を及ぼさないと考えられている。

無水物基又はラクトン基を有する樹脂を含むフォトレジスト処方物中に用いられるイミニウム塩は、一般にポリマー上の保護基を効果的に除去するほど十分に強くない、又は比較的弱いが嵩高い、比較的弱い酸のアニオンを有することが好ましい。このような酸の例は、カルボン酸、そして嵩高いより弱いスルホン酸、例えばカンファースルホン酸である。好ましいイミニウム塩カチオンは、トリフェニルイミダゾール（ＴＰＩ）のようなより弱い塩基のものである。

また、クエンチャーがフォトレジスト中に用いられる場合、クエンチャーが比較的弱い塩基であることが好ましい。

本発明の樹脂バインダーは、好ましくは１つ又はそれ以上のブロックされた（遮蔽された）アルカリ可溶化基（酸感受性基）を含むアルカリ可溶性に乏しいか又はアルカリ不溶性の結合剤である。アルカリ可溶化基の一部又は全部をブロックしている官能基は、酸感受性である。酸の存在は、アルカリ可溶化基の脱ブロッキングに触媒作用を及ぼし、そしてポリマーをアルカリ可溶性にする。適切なアルカリ可溶化基としては、カルボン酸、スルホン酸、フェノール、酸性アルコール、ヒドロキシイミド、ヒドロキシメチルイミド及びシラノールが含まれるが、それらに制限されるわけではない。適切な酸性ヒドロキシル、カルボキシル及びスルファミド基は、米国特許出願第２００６／０１１０６７７号にさらに記載されている。脱ブロッキング後にアルカリ可溶性のモノマー単位を含むモノマー単位の例としては、

（式中、Ｒ³¹は、独立して水素原子、Ｃ₁−Ｃ₃アルキル基、又はＣ₁−Ｃ₃ペルフルオロ化アルキルであり；Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴は、独立して水素原子又はＣ₁−Ｃ₆アルキル基、又はＣ₁−Ｃ₃ペルフルオロ化アルキル基である）が含まれるが、それらに制限されるわけではない。好ましいＲ³¹基の例としては、水素、メチル又はトリフルオロメチルが含まれるが、それらに制限されるわけではない。Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴の好ましい例としては、水素、メチル、エチル、プロピル、トリフルオロメチル又はシクロヘキシルが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

当業者に知られている多くの酸感受性保護基を用いてもよい。好ましい酸感受性保護基としては、第三級アルキル基、α−アルコキシアルキル基、アリールイソプロピル及び脂環式置換されたイソプロピル基が含まれる。具体的な酸感受性保護基としては、ｔ−ブチル、１,１−ジメチルプロピル、１−メチル−１−シクロヘキシル、２−イソプロピル−２−アダマンチル、テトラヒドロピラン−２−イル、メトキシメチル、エトキシエチル及び同様のものが含まれるが、それらに制限されるわけではない。適切なブロックされたアルカリ可溶化基の例としては、第三級アルキルエステル、例えばｔ−ブチルエステル、アルファアルコキシエステル、ｔ−ブトキシフェニル、ｔ−ブトキシイミド、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、及びｔ−ブトキシメチルイミドが含まれるが、それらに制限されるわけではない。ブロックされたアルカリ可溶化基の例は、米国特許第５，４６８，５８９号、同第４，４９１，６２８号、同第５，６７９，４９５号、同第６，３７９，８６１号、同第６，３２９，１２５号、同第６，４４０，６３６号、同第６，８３０８６７号、同第６，１３６，５０１号及び同第５，２０６，３１７号並びに米国特許出願第２００７／００７７５１９号及び同第２００８／００８１２８９号中に見出すことができ、それらは参照により本明細書に組み込まれている。

ブロックされたアルカリ可溶化基を含む適切なモノマーの例としては、ｔ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、及び以下の構造：

（式中、Ｒ³¹は、前記と同じであり、そしてＲ³⁵は、Ｃ₁−Ｃ₆アルキル基又はＣ₅−Ｃ₇シクロアルキル基又はＣ₆−Ｃ₁₄芳香族基であり、そしてＲ³⁶は、Ｃ₁−Ｃ₆アルキル基又はＣ₅−Ｃ₇シクロアルキル基である）
によって表されるモノマーが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

樹脂バインダーは、１つ又はそれ以上のケイ素部分を含む１つ又はそれ以上のモノマー単位をさらに含んでもよい。ケイ素モノマー単位の適切な例は、例えば、米国特許第６，１６５，６８２号、米国特許第６，９１６，５４３号及び米国特許第６，９２９，８９７号に記載されており、それらは参照により本明細書に組み込まれている。

さらに、ポリマーは、最終的なポリマーの機能的特徴を最適化するため、例えばキャスティング溶媒（casting solvent）中のポリマーの溶解度を高める極性基を組み込むため、リソグラフィ反応を改善するポリマーの光学的パラメーターのバランスをとるため又はポリマーのエッチング選択性を最適化するため１つ又はそれ以上の性質を強化するコモノマー単位を場合により含んでもよい。前記のアルカリ可溶化モノマー単位は、ポリマーの溶解特性を変えるために用いてもよい。適切な改質モノマー（modifying monomer）としては、ラジカル重合可能なビニルモノマー例えばビニルエーテル、ビニルエステル、置換された及び非置換スチレン並びに同様のものが含まれる。好ましい改質モノマーの例としては、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、エチレングリコールビニルエーテル、スチレン及びｔｅｒｔ−ブチルスチレンが含まれるが、それらに制限されるわけではない。改質モノマーのさらなる例を、以下に記載する。

好ましい改質モノマーのさらなる例は、構造Ｉｌ（不飽和環式無水物）又は構造ＩＩＩ（アクリル酸エステル）

（式中、Ｒ³¹は、上記定義された同じ意味であり、Ｒ³⁷は、Ｃ₁−Ｃ₂₀は、直鎖、分枝状、若しくは環式アルキル基、Ｃ₇−Ｃ₂₀脂環式アルキル基、Ｃ₁−Ｃ₂₀直鎖、分枝状、若しくは環式エーテル基、Ｃ₃−Ｃ₈ラクトン基又はＣ₆−Ｃ₂₀芳香族基又はＣ₇−Ｃ₂₀アリールアルキル基である）
のモノマー単位を生じるモノマーである。

構造Ｉｌを有するモノマーの例としては、無水マレイン酸又は無水シトラコン酸が含まれるが、それらに制限されるわけではない。

適切なＲ³⁷基の例としては、水素、メチル、エチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、イソボルニル、アダマンチル、３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、３,５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロフラン−２−イルメチル、２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル、５−オキソテトラヒドロフラン−３−イル、５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４.２.１.０^3,7］ノナ−９−イル、６−ヒドロキシノルボルニル、デカヒドロナフチル、フェニル、ベンジル、フェニルエチル、シクロヘキシルフェニル、ビフェニル又はナフチル基が含まれるが、それらに制限されるわけではない。Ｒ³⁷の好ましい例としては、メチル、エチル、シクロヘキシル、アダマンチル、テトラヒドロフラニル、ベンジル、ビフェニル、シクロヘキシルフェニル又はナフチル基である。構造ＩＩＩのモノマー単位を生じる適切なモノマーの例としては、メチルメタクリレート、アダマンチルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ビフェニルアクリレート、ビフェニルメタクリレート、シクロヘキシルフェニルメタクリレート、メチルトリフルオロメチルアクリレート又はナフチルメタクリレートが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

樹脂バインダーは、１つ又はそれ以上のケイ素部分を含む１つ又はそれ以上のモノマー単位をさらに含んでもよい。ケイ素モノマー単位の適切な例は、例えば、米国特許第６，１６５，６８２Ａ号、米国特許第６，９１６，５４３号及び米国特許第６，９２９，８９７号に記載されており、それらは参照により本明細書に組み込まれている。２つ又はそれ以上の種類の樹脂（Ｂ）を組み合わせて用いてもよい。主鎖樹脂（Ｂ）中の適切な反復単位の組み合わせの具体例を以下に記載するが、本発明は、それらに制限されるわけではない。

シクロアルケンと、ノルボルネン及びテトラシクロドデセン誘導体とは、開環複分解、フリーラジカル重合によって又は金属有機触媒を用いて重合してもよい。また、シクロアルケン誘導体は、無水マレイン酸又はマレイミド若しくはその誘導体と共に共重合してもよい。このようなポリマーは、以下の参考文献M-J. Bowden et al, J. Photopolym. ScL,
& Tech., Vol. 12, No. 3, p423 (1999);C. G. Willson et al, Advances in Resist Technology and Processing, SPIE, Vol. 3333, p425, (1998)に記載されている。

適切なフォトレジストポリマーの例は、米国特許第６，１４６，７９３号、同第６，１６５，６８２号、同第６，３４０，７３４号、同第６，０２８，１５４号、同第６，０４２，９８９号、同第５，８８２，８４４号、同第５，６９１，３９６号、同第５，７３１，１２６号、同第５，９８５，５２４号、同第６，９１６，５４３号及び同第６，９２９，８９７号、日本特許第３,７３６,６０６号に見出すことができる。他の適切なポリマーは、米国特許６，５３１，２６０号及び同第６，５９０，０１０号に記載されており、それらは参照により本明細書に組み込まれている。

本発明に使用するための脂環式炭化水素ベースの酸分解可能な樹脂は、通常の方法（例えば、ラジカル重合）によって合成することができる。一般に合成方法の例としては、モノマー種及び開始剤を溶媒中に溶解して溶液を加熱し、それによって重合を実施するバッチ重合法、並びにモノマー種及び開始剤を含む溶液を加熱された溶媒に１〜１０時間かけて滴加する滴下重合法が含まれる。滴下重合法が好ましい。反応溶媒の例としては、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、１,４−ジオキサン、エーテル（例えば、ジイソプロピルエーテル）、アルコール（例えば、メタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールメチルエーテル、乳酸エチル）、ケトン（例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン）、エステル溶媒（例えば、酢酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート）、アミド溶媒（例えば、ジメチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド）などが含まれる。重合は、本発明のレジスト組成物に用いる溶媒と同じ溶媒を用いて実施するのが好ましい。この溶媒を用いることにより、貯蔵中に粒子の生成を抑制することができる。

重合反応は、窒素及びアルゴンのような不活性ガス雰囲気中で実施するのが好ましい。重合開始剤に関しては、商業的に入手可能なラジカル開始剤（例えば、アゾベースの開始剤、過酸化物）を用いることによって重合を開始する。ラジカル開始剤は、好ましくはアゾベースの開始剤であり、そしてエステル基、シアノ基又はカルボキシル基を有するアゾベースの開始剤が好ましい。開始剤の好ましい例としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル及びジメチル２,２'−アゾビス（２−メチル−プロピオネート）が含まれる。所望により、開始剤を追加的に又は分けて加える。反応完了後、反応物を溶媒中に入れ、そして粉末又は固体回収のような方法によって所望のポリマーを回収する。反応濃度は、５〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％であり、そして反応温度は、通常３０〜１５０℃、好ましくは４０〜１２０℃、より好ましくは５０〜１００℃である。

成分（Ｂ）としての樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によるポリスチレンに関して好ましくは２，０００〜１００，０００である。２，０００又はそれ以上の重量平均分子量では、耐熱性及びドライエッチング耐性を高めることができ、そして１００，０００又はそれ未満の重量平均分子量では、現像性を高めることができると同時に低い粘度により、膜形成性を改善することができる。分子量は、より好ましくは５，０００〜５０，０００、なおより好ましくは１０，０００〜３０，０００である。分子量を調節することによって、組成物の耐熱性、解像力、現像欠陥（development defect）及び同様のものをすべて満足させることができる。成分（Ｂ）としての樹脂の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０〜３．０、より好ましくは１．２〜２．５、なおより好ましくは１．２〜１．６である。分散度を適切な範囲に調節することによって、ラインエッジラフネス性能を高めることができる。

本発明のレジスト組成物において、全組成物中に配合された成分（Ｂ）としての樹脂の量は、全固形物含量に基づいて好ましくは４０〜９９．９９質量％、より好ましくは５０〜９９質量％、なおより好ましくは８０〜９６質量％である。

高エネルギー輻射線源に露光すると強酸を発生することができる光活性化合物は、一般に光酸発生剤又はＰＡＧと呼ばれる。すべての適切な光酸発生剤を、本発明の感光性組成物中に用いてもよい。当業者は、酸性度、触媒活性、揮発性、拡散率及び溶解度のような要因に基づいて適切なＰＡＧを選ぶことができる。スルホン酸を発生するＰＡＧの適切な種類としては、スルホニウム又はヨードニウム塩、オキシイミドスルホネート（oximidosulfonates）、ビススルホニルジアゾメタン、及びニトロベンジルスルホネートエステルが含まれるが、それらに制限されるわけではない。適切な光酸発生剤化合物は、例えば、米国特許第５，５５８，９７８号、米国特許第５，４６８，５８９号、米国特許第６，８４４，１３２号、米国特許第６，８５５，４７６号及び米国特許第６，９１１，２９７号に記載されており、それらは参照により本明細書に組み込まれている。好ましいＰＡＧは、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）メチド、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、及びパーフルオロアルキルスルホン酸を生成するものである。

本発明に使用するための適切な光酸発生剤のさらなる例としては、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート、メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４−ｎ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート、２,４,６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート、２,４,６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、２,４,６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２,４,６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム４−ドデシルベンゼンスルホン酸、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロブタンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２,４,６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムベンゼンスルホネート、及びフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネートが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

本発明に使用するための適切なヨードニウム塩の例としては、ジフェニルヨードニウムパーフルオロブタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロブタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム、パーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２,４,６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、及びジフェニルヨードニウム４−メトキシベンゼンスルホネートが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

本発明に使用するために適したトリス（パーフルオロアルキルスルホニル）メチド及びトリス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミドＰＡＧの例は、米国特許第５，５５４，６６４号及び米国特許第６，３０６，５５５号に見出すことができ、それらは、それぞれ全体として本明細書に組み込まれている。このタイプのＰＡＧのさらなる例は、Proceedings of SPIE, Vol. 4690, pp. 817-828 (2002)に見出すことができる。適切なメチド及びイミドＰＡＧとしては、トリフェニルスルホニウムトリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリス（パーフルオロエチルスルホニル）メチド、トリフェニルスルホニウムトリス（パーフルオロブチルスルホニル）メチド、トリフェニルスルホニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロエチルスルホニル）イミド、及びトリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロブチルスルホニル）イミドが含まれるが、それらに制限されるわけではない。

本発明に使用するための適切な光酸発生剤のさらなる例は、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（１,１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１,１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオプロピオフェノン、２,４−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタ−３−オン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、２−（シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、１−シクロヘキシルスルホニル−１シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３,３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１,１−ジメチルエチルスルホニル）−３,３−ジメチル−２−ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３,３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３,３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、シクロヘキシル２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、ｔｅｒｔ−ブチル２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、ジアゾ−２−イソプロピル−２−メタンスルホニルアセテート、シクロヘキシル２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、ｔｅｒｔ−ブチル２ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２,６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２,４−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートである。

より好ましいＰＡＧは、トリアリールスルホニウムパーフルオロアルキルスルホネート及びトリアリールスルホニウムトリス（パーフルオロアルキルスルホニル）メチドである。最も好ましいＰＡＧは、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート（ＴＰＳ−ＰＦＯＳ）、トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート（ＴＰＳ−ノナフラート）、メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート（ＴＤＰＳ−ＰＦＯＳ）、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロブタンスルホネート（ＴＴＢＰＳノナフラート）、トリフェニルスルホニウムトリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）及びメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリス（パーフルオロエチルスルホニル）メチドである。

感光性組成物の全光酸発生剤含量は、全体固形物含量の約０．０５質量％〜約２０質量％である。好ましい範囲は、約１質量％〜約１５質量％である。光酸発生剤は、単独で又は１つ若しくはそれ以上の光酸発生剤と組み合わせて用いてもよい。光酸発生剤混合物中の各ＰＡＧのパーセンテージは、全体光酸発生剤混合物の約１０質量％〜約９０質量％の間である。好ましい光酸発生剤混合物は、約２つ又は３つの光酸発生剤を含む。このような混合物は、同じ種類又は異なる種類でもよい。好ましい混合物の例としては、スルホニウム塩とビススルホニルジアゾメタン化合物、スルホニウム塩とイミドスルホネート、及び２つのスルホニウム塩が含まれる。

感光性組成物のための溶媒の選択及びその濃度は、主に酸に不安定なポリマー中に組み込まれる官能基のタイプ、光酸発生剤、及び塗布方法に左右される。溶媒は不活性でなければならず、感光性組成物中のすべての成分を溶解しなければならず、成分となんらかの化学反応を受けてはならず、そして塗布後の乾燥において再除去可能でなければならない。感光性組成物のための適切な溶媒としては、アルコール、ケトン、エーテル及びエステル、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メトキシ−１−プロピレンアセテート、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシエチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、１,２−ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル３−メトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１,４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル及び同様のものが含まれうる。より好ましい溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、２−ヘプタノン、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、乳酸エチル、シクロヘキサノン、２−ヘプタノンである。これらの溶媒は、フォトレジスト組成物の塗膜品質を改善するために個々に又は２つ若しくはそれ以上の組み合わせで用いてもよい。

拡散制御剤として作用するクエンチャーとして塩基添加剤を感光性組成物に加えてもよい。塩基添加剤の１つの目的は、活性線（actinic radiation）による照射前に感光性組成物中に存在するプロトンを掃去することである。塩基は、望ましくない酸による酸に不安定な基への攻撃及びその切断を阻止し、それによって感光性組成物の性能及び安定性を高める。さらに、塩基は、光発生酸が露光後あまりに遠くに移動して解像度が低下するのを防ぐための拡散制御剤として作用することができる。感光性組成物中の塩基のパーセンテージは、光酸発生剤よりかなり低いか又はでなければ感光性が低くなりすぎてはならない。存在する場合、塩基化合物の好ましい範囲は、光酸発生剤化合物の約３質量％〜約５０質量％である。塩基添加剤の適切な例としては、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン、シクロペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジシクロペンチルメチルアミン、ジシクロペンチルエチルアミン、シクロヘキシルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルエチルアミン、ジシクロヘキシルブチルアミン、シクロヘキシル−ｔ−ブチルアミン、シクロヘプチルアミン、シクロオクチルアミン、１−アダマンタンアミン、１−ジメチルアミノアダマンタン、１−ジエチルアミノアダマンタン、２−アダマンタンアミン、２−ジメチルアミノアダマンタン、２−アミノノルボルネン、及び３−ノルアダマンタンアミン、２−メチルイミダゾール、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリイソプロピルアミン、トリオクチルアミン（triocylamine）、トリドデシルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、４,４'−ジアミノジフェニルエーテル、２,４,５−トリフェニルイミダゾール、１,４−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン及び１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン、及び１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エン、グアニジン、１,１−ジメチルグアニジン、１,１,３,３−テトラメチルグアニジン、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２,２,６,６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２,４−ジアミノピリミジン、４,６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルホリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルホリン、トリメチルイミダゾール、トリフェニルイミダゾール、及びメチルジフェニルイミダゾールが含まれるが、それらに制限されるわけではない。より好ましい塩基添加剤は、トリドデシルアミン、２,４,５−トリフェニルイミダゾール、１,５−ジアゾビシクロ［４.３.０］ノナ−５−エン及び１,８−ジアゾビシクロ［５.４.０］ウンデカ−７−エンである。

感光性組成物は、１つ又はそれ以上の溶解抑制剤（ＤＩ）を場合により含んでもよい。本発明に有用な溶解抑制剤は、研究されており、そして当業者に知られている。これらの化合物は、３０００を超えない重量平均分子量を有するモノマー又はオリゴマーであることができる。例えば、ＤＩは、酸感受性カルボン酸エステル、カルボナート又はヒドロキシル基を含む芳香族化合物（SPIE Proc. 920, pg 42 (1988), SPIE Proc. 2724, pg 174 (1996)、米国特許第６,９６２,７６６号）、例えばナフタレン−２−カルボン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル、ｔ−ＢＯＣ−ビスフェノールＡ、ｔ−ＢＯＣ−トリスフェノール、又はSPIE Proc. 2724. pg 355 (1996)、米国特許第６，９２７，００９号及び同第６，９６２，７６６号に記載されたような少なくとも１つの酸感受性置換基を有する脂環式若しくは多環式構造、例えばコラート及び酸感受性アダマンチルカルボン酸エステルであることができる。２２０ｎｍより低い活性光（actinic light）を用いる適用では、非芳香族の溶解抑制剤が好ましい。

使用する場合、溶解抑制剤は、感光性組成物の乾燥質量に基づいて典型的には約３〜約５０％、そしてより好ましくは５〜約４０％の量で存在する。

さらに、活性線の波長に対する組成物の吸収を高めるために色素を感光性組成物に加えてもよい。色素は、感光性組成物に有害であってはならず、そしてあらゆる熱処理を含む作業条件に耐えることができなければならない。適切な色素の例は、フルオレノン誘導体、アントラセン誘導体又はピレン誘導体である。これらの感光性組成物に適切な他の具体的な色素は、米国特許第５,５９３,８１２号に記載されている。

感光性組成物は、接着促進剤及び界面活性剤のような慣用の添加剤をさらに含んでもよい。当業者は、適切な所望の添加剤及びその濃度を選ぶことができる。

本発明の別の実施態様は、基板を備えること；前記基板上に本発明の感光性組成物を塗布すること；感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること；感光性膜をイメージング放射線に露光すること；感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること；及び塗布、露光、そして現像された基板をリンスすること；を含む基板上にレリーフ構造を製造するためのパターン形成方法である。

基板は、例えば半導体物質、例えばケイ素ウエハー、化合物半導体（ＩＩＩ〜Ｖ）若しくは（ＩＩ〜ＶＩ）ウエハー、セラミック、ガラス又は石英基板であってもよい。また、前記基板は、有機若しくは無機誘電体、銅又は他の配線金属のような電子回路製作に用いられる膜又は構造物を含んでもよい。あるいは、基板を有機又は無機の反射防止膜で予めコートしてもよい。

感光性組成物は、知られている塗布方法によって基板上へ均一に適用される。例えば、塗膜は、スピンコーティング、浸漬、ナイフコーティング、積層、はけ塗り、吹付け、及びリバースローラーコーティング（reverse-roller coating）によって適用してもよい。塗布操作後、一般に乾燥によって溶媒を除去する。乾燥工程は典型的にはソフトベーク（soft bake）と称する加熱工程であり、ここで感光性組成物及び基板を、厚さ、加熱要素及びこのように生成した感光性膜の最終用途に応じて、約５０℃〜約１５０℃の温度に数秒から数分間；好ましくは約５秒から約３０分間加熱する。

感光性膜の厚さは、リソグラフィ性能及び像転写又は基板処理に対するプラズマエッチング耐性を付与する必要性のために最適化され、そして一般に約５０ｎｍから約１０００ｎｍまでである。好ましくは、感光性膜は、約８０ｎｍから約５００ｎｍまでの厚さを有する。感光性膜のより好ましい厚さ範囲は、約１００ｎｍから約２５０ｎｍまでである。好ましい感光性膜の厚さは、１１０ｎｍから１７０ｎｍまでである。

感光性組成物は、エレクトロニクス産業における多くの異なる用途に適している。例えば、それらは、電気メッキレジスト、プラズマエッチングレジスト、ソルダーレジスト、印刷版製造用レジスト、ケミカルミーリング用レジスト又は集積回路の製造におけるレジストとして用いることができる。可能な塗布及び塗布基板の加工条件は、それに応じて異なる。

レリーフ構造を製造するには、感光性膜を塗布された基板を像様（imagewise）露光する。「像様」露光という用語には、所定のパターンを含むフォトマスクを通した露光、塗布基板の表面上を移動するコンピューター制御されたレーザー光線による露光、コンピューター制御された電子線による露光、及び対応するマスクを通したＸ線又は紫外線による露光がいずれも含まれる。

使用することができる輻射線源は、光酸発生剤が感受性である輻射線を放出するすべての線源である。例としては、高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、電子線及びＸ線源が含まれる。

レリーフ構造を製造するための上記方法は、さらなる加工手段として、露光と現像剤による処理との間に感光性膜の加熱を含むことが好ましい。「露光後ベーク」として知られるこの熱処理を用いると、ポリマー樹脂中の酸に不安定な基と露光によって生成された酸との実質的に完全な反応が達成される。この露光後ベークの持続時間及び温度は、幅広い範囲内で変化することができ、そしてポリマー樹脂の官能基、酸発生剤のタイプ及びこれらの２つの成分の濃度に本質的に左右される。露光された感光性膜を典型的には約５０℃〜約１５０℃の温度に数秒から数分間かける。好ましい露光後ベークは、約８０℃から約１３０℃で約５秒から約３００秒間である。

像様露光及び物質のあらゆる熱処理の後、感光性膜の露光領域を現像剤に溶解することによって除去する。特定の現像剤の選択は、製造する感光性膜のタイプ；特にポリマー樹脂又は発生した光分解生成物の性質に左右される。現像剤は、有機溶媒又はその混合物が加えられてもよい塩基の水溶液を含むことができる。特に好ましい現像剤は、アルカリ性水溶液である。これには、例えばアルカリ金属ケイ酸塩、リン酸塩、水酸化物及び炭酸塩、その中でも特にテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、そしてより好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の水溶液が含まれる。必要に応じて、比較的少量の湿潤剤及び／又は有機溶媒をこれらの溶液に加えることもできる。

現像後、レリーフ構造を、脱イオン水を含む又は１つ若しくはそれ以上の界面活性剤を含む脱イオン水を含むリンス液（rinse）ですすぎ、そしてスピニング、ホットプレート上、オーブン中でのベーキング、又は他の適切な手段によって乾燥してもよい。

その後、レリーフ構造を担持している基板を、一般に少なくとも１つのさらなる処理工程にかけ、それにより感光性膜によって覆われてない領域において基板を変化させる。典型的に、これは、ドーパントの注入、基板上での別の物質の沈着又は基板のエッチングであることができる。これは、通常、適切なストリッピング法を用いて基板から感光性膜を除去した後に行う。

本発明を、以下の実施例によってさらに詳細に説明する。実施例は、説明のために提示するのであって、本発明の範囲を限定しようとするものではない。

本発明を、以下の実施例によってさらに詳細に説明する。実施例は、説明のために提示するのであって、本発明の範囲を限定しようとするものではない。

一般的なポリマー合成方法
アセトキシスチレン（２３２．６６ｇ）、ＰＧＭＥＡ（４９４．９３ｇ）、ＰＧＭＥ（３２９．９５ｇ）及びＶ６０１開始剤（６．６１ｇ）を２Ｌのアンバーガラスビンに加え、そして撹拌して溶解した。添加ポンプをこのモノマー溶液で満たした。ｔ−ブチルメタクリレート（７８．４５ｇ）、ベンジルメタクリレート（３８．８９ｇ）、ＰＧＭＥＡ（２４９．６１ｇ）、ＰＧＭＥ（１６６．４１ｇ）及びＶ６０１開始剤（３．５６ｇ）を１Ｌのアンバーガラスビンに加え、そして撹拌して溶解した。添加ポンプを第２のモノマー溶液で満たした。

３Ｌ三口丸底フラスコ中、ＰＧＭＥＡ（４２．００ｇ）及びＰＧＭＥ（２８．００ｇ）を加えた。撹拌組立部品（stirring assembly）、熱電対及びゴム隔壁をフラスコに取り付け、そして装置を１００℃の油浴中に設置した。ゴム隔壁を通して２本のモノマー溶液ラインを供給し、そしてポンピングを開始した。アセトキシスチレンモノマー溶液（第１のモノマー溶液）のポンピングを、３．６６ｍＬ／分に設定し、そしてメタクリレートモノマー溶液を、１．５８ｍＬ／分に設定した。アセトキシスチレンモノマー溶液の添加は、５時間後に完了し、そしてメタクリレートモノマー溶液の添加は、６時間後に完了した。油浴を１４時間後に停止した。ゴム隔壁をフラスコから除去し、そして短路蒸留装置を開放接合部に設置した。ポリマー溶液が粘性になって溶液が撹拌できなくなる前まで、粗ポリマー溶液を真空下８０℃で２時間蒸留した。粘性溶液をＴＨＦ／メタノール（５０：５０、４０％固形物）中に溶解し、次いでメタノール（３Ｌ）中で沈殿させた。上澄み液をデカントし、そして固形物をＴＨＦ／メタノール（５０：５０）中に再溶解した。溶液をメタノール中で再び沈殿させ、そして上澄み液をデカントした。メタノール分解のため、再び固形物をＴＨＦ／メタノール（５０：５０、４０％固形物）中に再溶解した。ディーン・スターク（Dean & Stark）冷却器、冷却器、撹拌組立部品及び熱電対を備えた３Ｌの三口丸底フラスコに溶液を移した。ナトリウムメトキシド（４．７０ｇ）及びメタノール（２００ｍＬ）をフラスコに加えた。フラスコを油浴中７０℃で２時間加熱し、そしてディーン・スターク冷却器を通して蒸留物を連続的に除去した。溶液をアンバーリスト−１５樹脂で中和し、次いでＤＩ水（８Ｌ）中で沈殿させた。固形物（ポリマーＰ−１）を濾過により単離し、そしてオーブン中、真空下６０℃で１２時間乾燥した。ポリマーＰ−２は、アセトキシスチレン（２４０．４ｇ）ｔ−ブチルメタクリレート（８３．７ｇ）及びビフェニルメタクリレート（２６．００ｇ）を用いて上記の方法に従って合成した。

同様に、ポリマーＰ−５は、アセトキシスチレン（２３８．７ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（７５．４ｇ）及びベンジルメタクリレート（３５．９ｇ）を用いて上記の方法に従って合成した。

ポリマーＰ−６、Ｐ−９及びＰ−１１は、商業的に入手した。ポリマーＰ−１２及びＰ−１３は、米国特許出願第２００３０２２０９７号に従って合成した。Ｐ−１４は、同様に米国特許第６，８０３，４３４号に従って合成した。同様に、Ｐ−１５、Ｐ−１６及びＰ−１７は、米国特許第６，９１６，５４３号に従って合成した。Ｐ−１８は、米国特許第７，６２５，６９０号に従って合成した。

ＰＡＧ４は、テトラフルオロエタンスルホン酸を用いて文献の方法に従って合成した（Y. Endo; K. Shudo and T. Okamoto Chem. Pharm. Bull. 1981 , 29, 3753）。他の物質は、商業的に入手した。

イオン性添加剤の合成
ｐ−トルエンスルホン酸及びＤＢＵの塩（ＡＤＤ１）
メタノール性ＤＢＵ溶液（１５．３５ｇ，メタノール５０ｍｌ中０．１ｍｏｌ）を２５０ｍｌのＲＢフラスコ中のｐ−ＴＳＡ（ｐ−トルエンスルホン酸，１９．２ｇ，メタノール５０ｍｌ中０．１ｍｏｌ）の溶液に加えた。溶液を室温で３時間撹拌し、次いで溶液を真空下で濃縮した。非常に高粘度の液体を得た。粘性液体を（温かい）酢酸エチル１００ｍｌで洗浄した。粘性液体を凝固させた。固形物を熱アセトン１５０ｍｌ中に溶解した。冷却すると、白色結晶が形成された。固形物を濾過によって単離し、そして吸引下、空気中で乾燥した。収量：２７ｇ（第１の収穫物、８４％）。融点１０７．５℃。同様に、カンファースルホン酸及びＤＢＵの塩（ＡＤＤ３）を得た。

メタンスルホン酸及びＤＢＵの塩（ＡＤＤ２）
ＰＧＭＥＡ中のメタンスルホン酸の溶液をＰＧＭＥＡ中の等モル量のＤＢＵと混合し、そして１質量％に希釈した。

ドデシルベンゼンスルホン酸及びＤＢＵの塩（ＡＤＤ４）
ＤＢＵ溶液（５ｇ，イソプロパノール（ＩＰＡ）１０ｍｌ中３２．８ｍｍｏｌ）を１００ｍｌのＲＢフラスコ中、ＩＰＡ２０ｍｌで希釈されたＤＤＢＳＡ（ドデシルベンゼンスルホン酸，１５．３２ｇ，ＩＰＡ中７０質量％で３２．８ｍｍｏｌ）の溶液に加えた。溶液を室温で６時間撹拌し、次いで、溶液を真空下で濃縮した。非常に高粘度の液体を得た。粘性液体を温かいヘプタン５０ｍｌで洗浄した。次いで、粘性液体を高真空中５０℃で１時間さらに乾燥した。次いで、いくつかの実験のため、物質をＰＧＭＥＡ中に溶解した。別法として、粘性液体をＰＧＭＥ６０ｍｌ中に溶解し、真空下で濃縮し、残留水及びＩＰＡ及び若干のＰＧＭＥを除去し、そして最後に少量のＰＧＭＥを加えることによって２０質量％溶液にした。

ノナフルオロブタンスルホン酸及びＴＰＩの塩（ＡＤＤ５）
ＰＧＭＥＡ中のノナフルオロブタンスルホン酸の溶液をＰＧＭＥＡ中の等モル量の２,４,５−トリフェニルイミダゾール（ＴＰＩ）と混合し、そして１質量％に希釈した。

カンファースルホン酸及びＤＢＮ（ＡＤＤ６）の塩
カンファースルホン酸及びＤＢＮの塩（ＡＤＤ６）は、文献の方法に従って合成した。（Proceedings, SPIE" Vol. 3333 (1998), pages 236 to 244）。

２−エチルヘキサン酸及びＤＢＵ（ＡＤＤ７）の塩
２−エチルヘキサン酸及びＤＢＵの塩（ＡＤＤ７）は、シグマアルドリッチ社（Sigma-Aldrich, Inc.）から入手した。

塩ＡＤＤ８−ＡＤＤ１２
塩ＡＤＤ８の溶液は、ＰＧＭＥＡ中でｐ−トルエンスルホン酸及び２−メチル−２−チアゾリンを混合することによって調製した。塩ＡＤＤ９−ＡＤＤ１２は、同様に、ＰＧＭＥＡ中で適切な酸及び塩基を混合することによって調製した。

一般的な処方方法
実施例中に記載されたフォトレジスト成分をアンバーボトル中で混合し、溶媒としてＰＧＭＥＡを加えて溶液の固形物含量を調節し、そして均一な溶液が得られるまで撹拌した。０．２μｍフィルターを通してきれいなアンバーボトル中に溶液を濾過した。

処方実施例４２〜４８の成分をアンバーボトル中で成分及び溶媒混合物と混合し、そして均一な溶液が得られるまで撹拌した。０．２μｍフィルターを通してきれいなアンバーボトル中に溶液を濾過した。

一般的なリソグラフィ方法
Ａ．ベアＳｉ又はＤＵＶ有機ＢＡＲＣの上部におけるＫｒＦ評価
ベアケイ素ウエハー（bare silicon wafers）をＨＭＤＳで下塗りした。ＫｒＦ有機反射防止膜の上部（top）における評価のため、商業的に入手可能なＫｒＦ ＢＡＲＣ ＤＵＶ４４（ブルーアーサイエンス社（Brewer Science, Inc.）から）をスピンコーティングによってベアＳｉウエハーの上部に塗布し、次いで２０５℃で９０秒間硬化させた。ＨＭＤＳで下塗りされたウエハー上に、又は表５に従ってＫｒＦ ＢＡＲＣでコートされたウエハー上にレジストサンプルを適用し、そしてホットプレート上で９０秒間プリベーク（温度設定は、個々の実施例による）して所望のレジスト膜厚にした。次いで、キャノンFPA-3000 EX6ステッパ中でライン／スペースパターンを含むフォトマスクを通してＫｒＦエキシマレーザー光線（２４８ｎｍ）によりレジストサンプルをパターン様（pattern-wise）露光した。表５による照明設定により０．６５ＮＡの開口数を用いた（リソグラフィ実施例Ｌ１〜Ｌ２４）。露光されたレジスト塗布ウエハーを、次いで、ホットプレート上でＰＥＢ処理にかけた（温度設定は、個々の実施例による）。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの０．２６２Ｎ溶液を用いたパドル現像処理を６０秒行った。次いで、ウエハーを蒸留水で１５秒間すすぎ、その後、３０秒間スピン乾燥した。日立走査型電子顕微鏡（Hitachi Scanning Electron Microscope）を用いてデータを集めた。レジスト像を断面的に切り取り、そして画像を８万倍に拡大した。

Ｂ．193nm ULの上部におけるＡｒＦリソグラフィ評価
FFEM1USAによって供給された商業的に入手可能な１９３ｎｍ下層物質TIS 193UL 52-50及び193UL-F12（下層処方実施例Ｆ１２、米国特許出願第２００８２０６６７６号）をスピンコーティングによってベアＳｉウエハーの上部に塗布し、次いで２０５℃で９０秒間硬化させた。ＵＬコーティングの回転速度を調節してTIS 193UL 52-50については２１０ｎｍ、そして193UL-F45については１６０ｎｍの目標の硬化後の厚さを得た。次いで、193
nm ULコートしたウエハー上にレジストサンプルを適用し、そしてホットプレート上で９０秒間プリベーク（温度設定は、個々の実施例による）して所望のレジスト膜厚を得た。ISI 193nmステッパ中で、ライン／スペースを含むフォトマスクを通してＡｒＦエキシマレーザー光線（１９３ｎｍ）によりレジストサンプルＦ３０をパターン様露光した。表５による照明設定により０．６ＮＡの開口数を用いた。（リソグラフィ実施例Ｌ３１）。レジストサンプルＦ２６〜Ｆ２９（リソグラフィ実施例Ｌ２７〜Ｌ２９）
及びＦ３１〜Ｆ３４（リソグラフィ実施例Ｌ３２〜Ｌ３５）は、ASML 193nmスキャナPAS 5500M 100中でライン／スペースパターンを含むフォトマスクを通してＡｒＦエキシマレーザー光線（１９３ｎｍ）によりパターン様露光した。表５による照明設定により０．７５ＮＡの開口数を用いた（リソグラフィ実施例Ｌ２７〜Ｌ２９及びＬ３２〜Ｌ３５）。次いで、露光されたレジスト塗布ウエハーをホットプレート上でＰＥＢ処理にかけた（温度設定は、個々の実施例による）。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの０．２６２Ｎ溶液中でパドル現像処理を６０秒間行った。次いで、ウエハーを蒸留水で１５秒間すすぎ、その後、３０秒間スピン乾燥した。日立走査型電子顕微鏡を用いてデータを集めた。レジスト像を断面的に切り取り、そして画像を８万倍に拡大した。

処方物Ｆ４０〜Ｆ４６（リソグラフィ実施例Ｌ４０〜Ｌ４６）は、キヤノンFPA-3000 EX6ステッパ中、ライン／スペースパターンを含むフォトマスクを通してＫｒＦエキシマレーザー光線（２４８ｎｍ）を用いてリソグラフィ実施例Ｌ１と同じ方法でリソグラフィ処理した。処方物Ｆ４７〜Ｆ４８（リソグラフィ実施例Ｌ４７〜Ｌ４８）は、リソグラフィ実施例Ｌ２７と同じ方法でＡｒＦエキシマレーザー光線（１９３ｎｍ）を用いてパターン様露光した。データを表６Ａにまとめた。

無水マレイン酸ベースの樹脂バインダーを含むレジストのエージング安定性評価の方法
滴定によって測定されたフォトレジスト中の酸性度の増加から、無水物又はラクトン基を有するポリマーをベースにするレジストのエージング過程を追跡する都合のよいやり方が提供される。

レジスト溶液（３〜４ｇ、正確な質量）をアセトン１５ｍｌ及びアセトニトリル１０ｍｌで希釈し、次いで過塩素酸バリウム固形物１２５ｍｇを希釈溶液に加えた。遊離した（liberated）過塩素酸溶液を、アセトン中の０．１Ｍトリ−ｎ−プロピルアミンによって電位差測定的に滴定した。アクリル酸の量は、曲線の破過点（break point）から算出した（表７参照）。
リソグラフィ実施例３４及び３５に記載された方法を用いて、安定化（塩入り、Ｆ３４）及び非安定化（塩なし、Ｆ３３）処方物においてリソグラフィ処理を実施した。サンプルを２０℃又は３０℃で６週間エージングし、次いでリソグラフィにかけた。エージングなしのレジストのデータを表６から再生する。

上の結果からわかるように、イミニウム塩を含む処方物の露光感度は、６週後に本質的に同一であったが、イミニウム塩なしのサンプルは、８〜１１％より速くなった。

本発明をその具体的な実施態様に関して本明細書に記載してきたが、本明細書に開示された発明の概念の精神及び範囲から逸脱することなく、変更、改良及び変法を行うことができることは理解される。従って、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲に帰属するすべてのこのような変更、改良及び変法は、すべて包含するものとする。

Claims (23)

1. １つ又はそれ以上の酸感受性保護基を含み、そしてアセタール又はケタール基によって保護されたフェノール基を実質的に含まない、１つ又はそれ以上の樹脂バインダーで、酸の作用によってアルカリ可溶性になって、酸感受性保護基を除去する、樹脂バインダー；
   高エネルギーの線源に露光すると分解し、そして１つ又はそれ以上の酸感受性基を除去するのに十分強い光酸を発生する１つ又はそれ以上の光酸発生剤；
   １つ又はそれ以上のイミニウム塩のイオン性非感光性添加剤；及び
   １つ又はそれ以上の溶媒：
   を含むフォトレジスト組成物。
2. イミニウム塩が１つ又はそれ以上のさらなるヘテロ原子で置換される、請求項１に記載の組成物。
3. クエンチャーとして少なくとも１つの塩基をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
4. 増感剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
5. １つ又はそれ以上の界面活性剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
6. イミニウム塩が構造Ｉ₀（Ｂ⁺Ａ₀ ^-）［式中、Ｂ⁺は、
   

   

   （式中、Ｒ_a及びＲ_bは、場合により、鎖内に１つ若しくはそれ以上のカルボニル基、１つ若しくはそれ以上のＳ原子、１つ若しくはそれ以上のＯ原子又は１つ若しくはそれ以上のＮＲ_e基を含む、置換又は非置換のアルキル基であり；ここにおいて、Ｒ_c及びＲ_dは、水素及びアルキル基から独立して選ばれ、そしてアルキル基の場合、場合により、１つ若しくはそれ以上のＳ原子、１つ若しくはそれ以上のＯ原子又は１つ若しくはそれ以上のＮＲ_e基を含むことができ；ここにおいて、Ｒ_a及びＲ_b、又はＲ_a及びＲ_c、又はＲ_c及びＲ_d、又はＲ_b及びＲ_dは、場合により５〜７員環を形成する）であり；そしてＡ₀ ^-は、有機スルホン酸アニオンを有する化合物、スルファミン酸アニオンを有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオン、ビススルホニルイミドアニオンを有する化合物、及びトリススルホニルメチドアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる］
   である、請求項１に記載の組成物。
7. Ａ₀ ^-が有機スルホン酸アニオンを有する化合物から選ばれる、請求項６に記載の組成物。
8. Ａ₀ ^-がトリススルホニルメチドアニオンを有する化合物から選ばれる、請求項６に記載の組成物。
9. Ａ₀ ^-がスルファミン酸アニオンを有する化合物を有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオン、及びビススルホニルイミドアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる、請求項６に記載の組成物。
10. イミニウム塩が、構造
    

    

    ｛式中、Ｗは、炭素原子であり、Ｘは、Ｒ⁶Ｃ基又は窒素原子又はヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｙは、（Ｒ⁷）₂Ｃ、カルボニル基又はＳ若しくはＯ原子からなる群より選ばれ、Ｚは、（Ｒ⁸）₂Ｃ基、Ｒ⁹Ｎ又はＳ若しくはＯ原子からなる群より選ばれ、Ｒ¹〜Ｒ⁹は、水素原子、Ｃ₁−Ｃ₃炭素鎖及び５〜７員環からなる群よりそれぞれ独立して選ばれ、Ｒ¹及びＲ²は、一緒に結合して５〜７員環を形成してもよく、Ｒ³及びＲ⁴は、一緒に結合する場合、５〜７員環を形成してもよく、Ａ^-は、有機スルホン酸アニオン（Ｒ¹¹ＳＯ₃ ^-）、スルファミン酸アニオン［Ｒ¹²Ｎ（Ｒ¹³）ＳＯ₃ ^-］、カルボン酸アニオン（Ｒ¹⁴ＣＯ₂ ^-）、硫酸アルキルアニオン（Ｒ¹⁵ＳＯ₄ ^-）、ビススルホニルイミドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₂Ｎ^-、及びトリススルホニルメチドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₃Ｃ^-］からなる群より選ばれ；ここでＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は、Ｃ₁−Ｃ₂₄炭素鎖、部分的に又は完全にハロゲン置換された炭素鎖、非置換又は置換されたＣ₆−Ｃ₂₀芳香族炭素鎖、及びそれらの組み合わせからなる群よりそれぞれ独立して選ばれ、場合によりＳ若しくはＮ、又は骨格鎖を中断していてもよい任意の有機官能基を含み；Ｒ¹⁶は、高度にペルフルオロ化又は全フッ素化されたアルキル及びフッ素化アリール基からなる群より独立して選ばれ、そして任意の２つのＲ¹⁶基の組み合わせが結合して架橋を形成するときは環式であってもよく、さらに、Ｒ¹⁶アルキル鎖は１〜２０個の炭素原子を含み、そして二価の酸素、三価の窒素又は六価の硫黄が骨格鎖を中断することもあり得る直鎖、分枝状、又は環式であってもよく、そしてさらにＲ¹⁶が環式構造を含むとき、このような構造は、５又は６個の環員を有し、場合により、そのうちの１又は２個はヘテロ原子である｝
    の塩である、請求項１に記載の組成物。
11. Ａ₀ ^-が有機スルホン酸アニオンを有する化合物から選ばれる、請求項１０に記載の組成物。
12. Ａ₀ ^-がトリススルホニルメチドアニオンを有する化合物から選ばれる、請求項１０に記載の組成物。
13. Ａ₀ ^-がスルファミン酸アニオンを有する化合物を有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオン、及びビススルホニルイミドアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる、請求項１０に記載の組成物。
14. イミニウム塩が、構造
    

    

    ｛式中、Ｗは炭素原子であり、Ｘは、Ｒ²⁶Ｃ基、窒素原子又はヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｙは、（Ｒ²⁷）₂Ｃ、カルボニル基及びＳ又はＯ原子からなる群より選ばれ、Ｚは、（Ｒ²⁸）₂Ｃ基、Ｒ²⁹Ｎｖ基及びＳ又はＯ原子からなる群より選ばれ、Ｒ²¹〜Ｒ²⁹は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、及び場合によりフェニル基又は５〜７員環で置換されるＣ₁−Ｃ₃炭素鎖からなる群より選ばれ、Ｒ²¹及びＲ²²は、一緒に結合して５〜７員環を形成してもよく、Ｒ²³及びＲ²⁴は、一緒に結合する場合、５〜７員環を形成してもよく、ｐ、ｑ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して０又は１であり；そしてＡ^-は、有機スルホン酸アニオン（Ｒ¹¹ＳＯ₃ ^-）、スルファミン酸アニオン［Ｒ¹²Ｎ（Ｒ¹³）ＳＯ₃ ^-］、カルボン酸アニオン（Ｒ¹⁴ＣＯ₂ ^-）、硫酸アルキルアニオン（Ｒ¹⁵ＳＯ₄ ^-）、ビススルホニルイミドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₂Ｎ^-］、及びトリススルホニルメチドアニオン［（Ｒ¹⁶ＳＯ₂）₃Ｃ^-］からなる群より選ばれる｝
    の塩である請求項１に記載の組成物。
15. Ａ₀ ^-が有機スルホン酸アニオンを有する化合物から選ばれる、請求項１４に記載の組成物。
16. Ａ₀ ^-がトリススルホニルメチドアニオンを有する化合物から選ばれる、請求項１４に記載の組成物。
17. Ａ₀ ^-がスルファミン酸アニオンを有する化合物を有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオン、及びビススルホニルイミドアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる、請求項１２の組成物。
18. 光活性化の際に発生した酸とＡ₀ ^-Ｈ⁺とが、ｐＫａ値において少なくとも約０．５異なる、請求項１に記載の組成物。
19. クエンチャーとイミニウム塩のカチオンの共役塩基とが、ｐＫｂ値において０．５又はそれ以上異なる、請求項３に記載の組成物。
20. 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
    （ａ）基板を備えること；
    （ｂ）基板上に請求項１の感光性組成物を塗布すること；
    （ｃ）感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること；
    （ｄ）感光性膜をイメージング放射線に露光すること；
    （ｅ）感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること；及び
    （ｆ）基板をリンスすること；
    を含む、上記方法。
21. 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
    （ａ）基板を備えること；
    （ｂ）基板上に請求項６に記載の感光性組成物を塗布すること；
    （ｃ）感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること；
    （ｄ）感光性膜をイメージング放射線に露光すること；
    （ｅ）感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること；及び
    （ｆ）基板をリンスすること；
    を含む、上記方法。
22. 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
    （ａ）基板を備えること；
    （ｂ）基板上に請求項１０の感光性組成物を塗布すること；
    （ｃ）感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること；
    （ｄ）感光性膜をイメージング放射線に露光すること；
    （ｅ）感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること；及び
    （ｆ）基板をリンスすること；
    を含む、上記方法。
23. 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
    （ａ）基板を備えること；
    （ｂ）基板上に請求項１４の感光性組成物を塗布すること；
    （ｃ）感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること；
    （ｄ）感光性膜をイメージング放射線に露光すること；
    （ｅ）感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること；及び
    （ｆ）基板をリンスすること；
    を含む、上記方法。