[go: up one dir, main page]

JP2012519355A - 反応性ガス発生器においてプラズマに点火しそれを維持するために電力を供給する方法および装置 - Google Patents

反応性ガス発生器においてプラズマに点火しそれを維持するために電力を供給する方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012519355A
JP2012519355A JP2011552012A JP2011552012A JP2012519355A JP 2012519355 A JP2012519355 A JP 2012519355A JP 2011552012 A JP2011552012 A JP 2011552012A JP 2011552012 A JP2011552012 A JP 2011552012A JP 2012519355 A JP2012519355 A JP 2012519355A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ignition
plasma
signal
control signal
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011552012A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5575817B2 (ja
Inventor
ベンザールーク,スーヘイル
ナガーカッティ,シッダース・ピー
カウ,アンドリュー
シャジー,アリ
アンブロシナ,ジェス・イー
トラン,ケン
チェン,シーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MKS Instruments Inc
Original Assignee
MKS Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MKS Instruments Inc filed Critical MKS Instruments Inc
Publication of JP2012519355A publication Critical patent/JP2012519355A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5575817B2 publication Critical patent/JP5575817B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/32Plasma torches using an arc
    • H05H1/34Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/36Circuit arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

反応ガス発生器においてプラズマに点火する、および/またはこれを維持するための、コンピュータ・プログラム生産物を含む、方法および装置について記載する。点火電源からプラズマ点火回路に電力を供給する。プラズマ点火回路の早点火信号を測定する。測定された早点火信号および調節可能な早点火制御信号に基づいて、プラズマ点火回路に供給される電力を調節する。調節可能な早点火制御信号は、ある時間期間が経過した後に調節される。
【選択図】図1

Description

[0001] 本発明は、一般的には、イオン、遊離基、原子、および分子を含有する反応性ガスの発生の分野に監視、反応性ガス発生器においてプラズマに点火するおよび/またはプラズマを維持するために電力を供給する装置および方法に関する。
[0002] プラズマ放電は、ガスを励起し、イオン、遊離基、原子、および分子を含有する反応性ガスを生成するために用いることができる。反応性ガスは、半導体ウェハのような固体材料、粉体、および他の気体を処理することを含む、多数の工業的用途および科学的用途に用いられる。
[0003] 反応性ガスの一例に、原子フッ素がある。原子フッ素は、基板表面上への薄膜堆積のための化学蒸着(CVD)チェンバを浄化するために用いることができる。CVDチェンバは、基板表面以外のチェンバ部品の表面に蓄積する堆積物を除去するために、日常的に浄化する必要がある。チェンバのウェット・クリーニングは、労働集約的であり、作業者には有害であるが、プラズマ源によって発生した原子フッ素を用いてチェンバを浄化すると、チェンバを大気中に開放することなく、堆積物を除去することができ、器具の生産性(tool productivity)および作業条件を改善することができる。原子フッ素の典型的なソース・ガスは、NF、CF、CHF、C、およびCのようなペルフルオロ化合物(PFC)を含む。
[0004] 反応ガスの他の例に、原子酸素がある。原子酸素は、マイクロエレクトロニクスの製造においてフォトレジストの除去に用いることができる。パターン発生の後、プラズマ源によって発生した原子酸素にウェハ表面を露出させることによって、フォトレジストを除去する。原子酸素は、急速にそして選択的にフォトレジストと反応するので、プロセスを真空において比較的低温で行うことができる。
[0005] プラズマは、電源からのエネルギを、プラズマに変換することができるガスに誘導結合することによって、発生することができる。プラズマに点火する既知の技法では、高電圧または電流を火花ギャップに印加してイオン化前のガスの初期ブレークダウンを発生させることを含む。プラズマ印加を検出し、このプラズマを維持するための既知のフィードバック技法では、プラズマ電流をフィードバック信号として使用することを含む。加えて、プラズマに点火しこれを維持するための既知の技法では、マルチパワー・トレイン・システムを制御するために、1つのパワー・トレインを用いることを含む。しかしながら、このような技法は、一般に、以下の理由のため信頼性がない。点火窓外部におけるアーク発生が起こることが多い。高いループ電圧および/または火花電圧のために、パンチ・スルーが起こることが多い。制御および監視に1つのパワー・トレインを用いているので、動作に信頼性がない。インピーダンス間に大きな不整合が存在する。
[0006] 本発明は、反応性ガス発生器においてプラズマに点火しこれを維持するために電力を供給する方法および電源を特徴とする。以下に記載する特定の実施形態は、そのいずれもが以下の利点の1つ又は複数を実現することができる。実施形態は、複雑さを減らしつつ、点火空間の拡大に備えることができる(例えば、点火することができる圧力および/またはガス流の範囲を広げる)。加えて、実施形態は、dQ/dtの増大にも備えることができ、これによってガス流量の大きな変化を許容することが可能になる。実施形態は、陽極酸化によるブレークダウンおよびパンチ・スルーの危険性を解消するかまたは最小限に抑えることができる。実施形態は、信頼性のある点火および動作に備えることができる。実施形態は、ブロックの寿命を延長させることができる。加えて、実施形態は全てのガス条件の下において安全なドロップアウト(drop-out)に備えることができる。
[0007] 一態様では、反応性ガス発生器においてプラズマに点火する方法を提供する。この方法は、点火電源からプラズマ点火回路に電力を供給するステップと、プラズマ点火回路の早点火信号を測定するステップと、測定された早点火信号と調節可能な早点火制御信号とに基づいて、プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップと、ある時間期間が経過した後、調節可能な早点火制御信号を調節するステップとを含む。
[0008] 別の態様では、反応ガス発生器においてプラズマの点火を制御するシステムを提供する。このシステムは、プラズマ点火回路に結合されており、早点火信号を発生するように構成されている、測定デバイスを含む。また、このシステムは、コントローラも含む。このコントローラは、早点火信号と調節可能な早点火制御信号とに基づいて、点火電源制御信号を調節する計算手段と、(ii)点火電源制御信号を点火電源に出力する出力手段と、(iii)ある時間期間が経過した後、調節可能な早点火制御信号を調節する計算手段とを有する、コントローラとを含む。
[0009] 他の例では、以上の態様のいずれもが、以下の特徴の1つ又は複数を含むことができる。点火電源は、スイッチング電源を含むことができる。点火電源は、半ブリッジ・インバータまたは全ブリッジ・インバータを含むことができる。早点火信号は、プラズマ点火回路の電圧、電流、または電力、あるいはそのあらゆる組み合わせを含むことができる。早点火信号は、点火電源とプラズマ点火回路との間の電流を含むことができる。早点火信号を測定するステップは、時間期間の間早点火信号のピークを測定することを含むことができる。
[0010] 実施形態の中には、プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップが、点火電源のデューティ・サイクルおよび/または周波数値を調節することを含むことができるものもある。プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップは、測定された早点火信号と調節可能な早点火制御信号との間の差に基づくことができる。プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップは、測定された早点火信号が調節可能な早点火制御信号よりも大きい場合、より小さい電力を供給するステップと、測定された早点火信号が調節可能な早点火制御信号よりも小さい場合、より大きな電力をプラズマ点火回路に供給するステップとを含むことができる。
[0011] 更に別の実施形態では、調節可能な早点火制御信号を調節するステップは、時間期間が経過した後に、調節可能な早点火制御信号を増加させることを含むことができる。調節可能な早点火制御信号は、時間に関して線形に増加させることができる。調節可能な早点火制御信号を増加させるステップは、所定の最大制御信号によって制限することができる。更に、本方法は、無効信号に基づいて、プラズマ点火回路に供給される電力の調節を無効するステップを含むことができる。無効信号は、所定の最大制御信号と測定された早点火信号とに基づくことができる。プラズマ点火回路に供給される電力の調節を無効するステップは、第2時間期間の間プラズマ点火回路に電力を供給しないことを含むことができる。
[0012] 実施形態の中には、点火時間期間が経過した後に、更に、調節可能な早点火制御信号をリセット値に調節するステップと、待機時間期間の間調節可能な早点火制御信号をリセット値に維持するステップと、待機時間期間が経過した後、調節可能な早点火制御信号を調節するステップとを含むことができるものもある。プラズマ点火回路は、変圧器と、この変圧器の一次巻線に結合されている共振回路とを含むことができる。早点火信号は、一次巻線の電圧を含むことができる。共振回路は、1つ又は複数のインダクタと1つ又は複数のキャパシタとを含むことができる。プラズマ点火回路は、更に、変圧器の二次巻線に結合されている1つ又は複数の点火電極を含むことができる。二次巻線は、接地に結合されている中央タップを含むことができる。変圧器は、プラズマ・チェンバ内にあるプラズマに電力を供給するために、プラズマ・チェンバに電磁的に結合することができる。
[0013] 更に他の実施形態では、本方法は、更に、プラズマ・チェンバ内にプラズマが存在するか否か判断するステップと、点火電源からプラズマ・チェンバの中にあるプラズマに電力を供給するために、プラズマ点火回路を用いるステップと、プラズマがプラズマ・チェンバ内に存在すると判断された場合、プラズマ制御信号に基づいて、プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップとを含むことができる。プラズマに供給される電力を調節するステップは、点火電源のデューティ・サイクルおよび/または周波数値を調節することを含むことができる。プラズマに供給される電力を調節するステップは、測定された早点火信号とプラズマ制御信号との間の差に基づくことができる。本方法は、更に、プラズマ信号を測定するステップを含むことができ、プラズマに供給される電力を調節するステップは、測定されたプラズマ信号とプラズマ制御信号との間の差に基づく。プラズマ信号は、一次巻線の電流、電力供給信号、プラズマ・チェンバ信号、またはそのあらゆる組み合わせを含むことができる。
[0014] 実施形態の中には、前述のシステムが、更に、点火電源と、点火電源に結合されているプラズマ点火回路とを含むことができるものもある。測定デバイスは、更に、プラズマ点火回路の電圧測定値、電流測定値、電力測定値、またはそのあらゆる組み合わせに基づいて、早点火信号を発生するように構成することができる。測定デバイスは、更に、時間期間における測定値のピークを測定するピーク検出ユニットを含むことができる。点火電源制御信号を調節する計算手段は、早点火信号と調節可能な早点火制御信号との間の差に基づいて、点火電源制御信号を調節するように構成することができる。調節可能な早点火制御信号を調節する計算手段は、時間期間が経過した後、調節可能な早点火制御信号を増加させるように構成することができる。
[0015] 更に別の実施形態では、本システムは、更に、プラズマ・チェンバにおいてプラズマの存在を検出するプラズマ検出ユニットと、プラズマがプラズマ・チェンバ内に存在すると判断された場合、プラズマ制御信号に基づいて、プラズマ点火回路に供給される電力を調節する計算手段を有する電力コントローラとを含むことができる。プラズマ制御信号は、所定のプラズマ制御値、一次巻線の電流、電力供給信号、プラズマ・チェンバ信号、またはそのあらゆる組み合わせを含むことができる。測定デバイスは、更に、1つ又は複数の他のプラズマ点火回路に結合することができ、1つ又は複数の他のプラズマ点火回路からの測定値に基づいて、早点火信号を発生するように構成することができる。点火電源制御信号を出力する出力手段は、更に、1つ又は複数の他のプラズマ点火回路と関連のある1つ又は複数の他の点火電源に、点火電源制御信号を出力する手段を含むことができる。
[0016] 他の例では、方法に関する以上の特徴は、いずれも、その方法を実行するように構成されたシステム、またはその方法を実行する手段を有するシステム、および/またはそのシステムのコントローラによって実行することができる。加えて、方法に関する以上の特徴は、いずれも、データ処理装置にその方法を実行させるように動作可能な命令を含むコンピュータ・プログラム生産物によって実行することができる。
[0016] 他の例では、方法に関する以上の特徴は、いずれも、その方法を実行するように構成されたシステム、またはその方法を実行する手段を有するシステム、および/またはそのシステムのコントローラによって実行することができる。加えて、方法に関する以上の特徴は、いずれも、データ処理装置にその方法を実行させるように動作可能な命令を含むコンピュータ・プログラム生産物によって実行することができる。
[0007] 以上で説明した本発明の利点は、更に別の利点と共に、以下の説明を添付図面と共に参照することによって、より良く理解されよう。図面は、必ずしも同じ拡縮率で描かれておらず、逆に、本発明の原理を示すときには、一般に強調がなされている。
図1は、本発明の実施形態を提供することができる反応性ガス発生器を示す図である。 図2は、パワー・トレインの上位制御システムを示すブロック図である。 図3は、反応性ガス発生器においてプラズマに点火しこれを維持する電源システムの制御を示すフローチャートである。 図4Aは、異なる実施形態による電源およびブロック点火回路を示す回路図である。 図4Bは、異なる実施形態による電源およびブロック点火回路を示す回路図である。 図5は、一実施形態による単一パワー・トレインの制御システムを示すブロック図である。 図6Aは、異なる点火シナリオによるインバータおよび主電流値を示すタイミング図である。図6Bは、異なる点火シナリオによるインバータおよび主電流値を示すタイミング図である。図6Cは、異なる点火シナリオによるインバータおよび主電流値を示すタイミング図である。 図7は、2つのパワー・トレインの上位制御システムを示すブロック図である。
[0025] 本発明は、反応性ガス発生器においてプラズマに点火しこれを維持するために電力を供給する方法および電源を特徴とする。以下に記載する特定の実施形態は、そのいずれもが以下の利点の1つ又は複数を実現することができる。実施形態は、複雑さを減らしつつ、点火空間の拡大に備えることができる(例えば、点火することができる圧力および/またはガス流の範囲を広げる)。加えて、実施形態は、dQ/dtの増大にも備えることができ、これによってガス流量の大きな変化を許容することが可能になる。実施形態は、プラズマ・チェンバ内部における陽極酸化によるブレークダウンおよびパンチ・スルーの危険性を解消するかまたは最小限に抑えることができる。実施形態は、信頼性のある点火および動作に備えることができる。実施形態は、ブロックの寿命を延長させることができる。加えて、実施形態は全てのガス条件の下において安全なドロップアウトに備えることができる。
[0026] 図1は、本発明の実施形態を適用することができる反応性ガス発生器100を示す図である。図示のように、反応性ガス発生器100は、電源110とプラズマ・チェンバ120とを含む。プラズマ・チェンバ120は、プラズマ(例えば、Ag+)に変換するためのガス(例えば、アルゴン)を受ける入り口140を含む。一旦発生すると、プラズマを直接用いることができ、または1つ又は複数の他のソース・ガスを励起して対応する反応ガスにするために用いることができる。対応する反応ガスは、発生器の出口142から出て、例えば、プロセス・チェンバ145に入る。
[0027] プラズマに点火するおよび/またはこのプラズマを維持するために、電源110は変圧器130を含む。変圧器の一次側は、磁気コア134の一部の周囲に巻回されている一次巻線132を含む。電源110からのエネルギは、変圧器の一次側を介して、チェンバ120を通過するガスに誘導的に結合され、プラズマに点火し、プラズマを発生し、および/またはプラズマを維持する。プラズマ・チェンバ120内において点火したプラズマは、変圧器の二次側としての役割を果たす。具体的には、電源110は、変圧器の一次巻線132の両端間に、大きな振幅(magnitude)の励起電圧を印加する。この高い励起電圧は、巻線132内に大きな電流を励起することによって、磁気コア134を貫通しガスの経路を横切る交流磁場を発生する。その結果、ガス内に電界が誘発され、そのプラズマへの点火が行われ、および/またはプラズマを維持するための電流が供給される。一旦プラズマが発生すると、このプラズマは、他のソース・ガスを励起するために用いることができ、特定の用途に合った所望の反応ガスを生成することができる。プラズマ・チェンバ120の内面には、プラズマ・ガスをプラズマ・チェンバ120自体から電気的に絶縁するために、陽極酸化層(例えば、誘電体材料)を被覆する、および/またはこれを含むことができる。
[0028] 図2は、パワー・トレインの上位制御システム200を示すブロック図である。システム200は、DC電源210、ブリッジ・インバータ220、共振タンク230、周波数およびデューティ制御ユニット240、プラズマ検出ユニット250、および/または安全および監視ユニット260を含むことができる。DC電源210は、ブリッジ・インバータ220へDC電力を供給することができる。一方、ブリッジ・インバータ220は、共振タンク230に電力を供給することができる。ブリッジ・インバータ220は、当技術分野では周知の、半ブリッジまたは全ブリッジ電力変換器とすることができる。あるいは、交流電流または電圧の調節可能な電源であればいずれも、DC電源210およびブリッジ・インバータ220の代わりに用いることができる。ブリッジ・インバータ220は、実質的に共振タンク230の共振周波数または実質的にその周波数を有する交流ソース信号を供給することができる。共振タンク230は、共振回路を含むことができる。共振回路は、1つ又は複数のインダクタおよび1つ又は複数のキャパシタを含むことができる。共振タンク230は、変圧器232を介して、プラズマ負荷(図示せず)および/またはプラズマ点火ユニット(図示せず)に誘導的に結合することができる。周波数およびデューティ・サイクル制御ユニット240は、ブリッジ・インバータ220およびDC電源210によって供給されるソース信号の周波数、デューティ・サイクル、および/または振幅を制御することができる。ユニット240による周波数および/またはデューティ・サイクルの制御は、DC電源210、ブリッジ・インバータ220、共振タンク230、プラズマ検出ユニット250、所定の設定点(1つまたは複数)242、および/またはそのあらゆる組み合わせによって測定または供給される1つ又は複数の信号に基づくことができる。プラズマ検出回路250は、共振タンク230からの1つ又は複数の信号(例えば、インバータ電流および/または一次電流)、および/またはシステム内にある他のユニットからの1つ又は複数の他の信号(例えば、DC電源210からのプラズマ電流または電力信号)に基づいて、プラズマの存在を検出することができる。安全および監視ユニット260は、1つ又は複数の安全および監視機能を、図200のユニットの内1つ又は複数に提供することができる。例えば、一実施形態では、安全および監視ユニット260は、共振タンク230における余分なエネルギの蓄積を防止するために、無効信号をブリッジ・インバータ220に供給することができる。
[0029] 図3は、反応ガス発生器においてプラズマに点火しこれを維持するための電力供給システムの制御を示すフローチャート300である。フローチャート300のエレメントを説明する際、例にあげた図2のブロック図200を用いる。電源システム210の制御には、周波数およびデューティ・サイクル制御ユニット240によって早点火信号を測定し(310)、周波数およびデューティ・サイクル制御ユニット240によって早点火制御信号を調節し(320)、ブリッジ・インバータ220によって、共振タンク230に供給された電力を調節し(330)、および/または検出ユニット250によってプラズマの存在を判定する(340)ことを含む。
[0030] 早点火信号は、例えば、共振タンク230の電圧、電流、および/または電力を含むことができる。一実施形態では、早点火信号は、ブリッジ・インバータ220と共振タンク230との間の電流である(例えば、インバータ電流)。代替実施形態では、早点火信号は電圧である(例えば、変圧器の一次巻線の電圧)。早点火信号を測定するには(310)、ある時間期間(例えば、交流電源220の時間サイクルに基づく時間期間毎)内において早点火信号のピークを判定することを含むことができる。補足的な実施形態または代替実施形態では、早点火信号を測定するには(310)、測定信号の平均を取ること、測定信号を濾波すること、および/または他の信号処理機能を含むことができる。
[0031] 早点火制御信号を調節する(320)には、所定の早点火制御信号のプロファイルに基づくことができる。一実施形態では、所定の早点火制御信号のプロファイルは、ランプアップ部、およびそれに続くクランプ部を含むことができる。ランプアップ部は、例えば、時間のあらゆる単調増加関数F(t)(例えば、F(t)=at、ここで、a>0は、選択された傾きの値である)に基づくことができ、その場合、早点火制御信号を調節するには、所与の時点において関数Fを評価することを含む。補足的な実施形態では、所定の早点火制御信号は、遅延期間、およびこれに続くクランプ部を含むことができる。
[0032] 共振タンク230に供給された電力を調節する(330)には、測定された早点火信号および調節された早点火制御信号に基づくことができる。一実施形態では、周波数およびデューティ・サイクル制御ユニット240が、ブリッジ・インバータ220によって供給される代替ソース信号の周波数および/またはデューティ・サイクルを制御することができる。補足的な実施形態または代替実施形態では、制御ユニット240は、例えば、DC電源210を用いて、電力信号の振幅も制御することができる。他の実施形態では、電力を調節する(330)には、測定された早点火信号と調節可能な早点火制御信号との間の差に基づくことができ、この場合、測定された早点火信号が調節可能な早点火制御信号よりも大きい場合、より小さい電力を供給することができ、測定された早点火信号が調節可能な早点火制御信号よりも小さい場合、より大きい電力を供給することができる。
[0033] 検出ユニット250によってプラズマの存在を判定する(340)には、例えば、共振タンク230によって変圧器に供給される一次電流に基づくことができる。代替実施形態または補足的な実施形態では、プラズマの存在は、DC電源210からの電力信号または共振タンク230からのRF信号に基づくことができる。プラズマが検出されない場合、プロセスはループしてステップ(310)および(320)に戻る。プラズマが検出された場合、制御ユニット240はプラズマ維持可能状態に入ることができ、この場合、プラズマを維持するために供給された電力を、所要の動作規格を満たすように調節することができる。一実施形態では、プラズマが存在するとき、プラズマ・チェンバを動作させこれに電力を供給するために、ブロック図200の1つ又は複数のエレメントも用いることができる。
[0034] 図4Aは、点火電極を通じて点火が行われる一実施形態による電力供給およびブロック点火回路を示す回路図400である。回路図400は2つのモジュール状パワー・トレインを含むが、いずれの数のモジュール状パワー・トレインを有する他の構成も可能である。各パワー・トレインは、電源420aおよび420b(例えば、H−ブリッジ)、ならびに共振回路430aおよび430を含む。電源420aおよび420bは、それぞれ、例えば、DC電源422aおよび422b(例えば、360VDC)に結合することができる。回路図400では、共振回路430aおよび430bは、3つのインダクタ(L、L、およびL)と2つのキャパシタ(CおよびC)を含むが、他の共振構成も用いることができる。一実施形態では、インダクタL、L、およびLの値は、それぞれ、1.7μH、1.7μH、および1.05μHとすることができ、キャパシタCおよびCの値は、それぞれ、55.6nFおよび37.6μFとすることができる。共振回路430aおよび430bは、磁気コア425に結合されている。
[0035] 磁気コア425は、二次プラズマ(図示せず)と、変圧器の磁気コア425の一部の周囲に巻回されている巻線432に結合されている。電源420aおよび420bが一次巻線の両端間に励起電力を供給すると、巻線比に応じて電流が巻線432内に誘発される。巻線432は、中央接地タップを含むことができ、その結果、この巻線から延出するリードが双極となり、このため、正および負の点火電極の形成が可能になる。巻線432のリードは、それぞれ、スイッチ435aおよび435bを介して、1つ又は複数の点火電極440a/440bおよび450a/450bに切り替え可能に接続されている。加えて、1つ又は複数のキャパシタCが巻線432と点火電極440a/440bおよび450a/450bとの間に配置されている。キャパシタCは、例えば、200pFの値を有することができる。一般に、キャパシタCの値は、電極上における電荷蓄積が所定レベル未満に抑えられるように、点火440a/440bおよび450a/450b電極への電流を制限するように選択することができる。
[0036] 1つ又は複数の点火440a/440bおよび450a/450b電極は、プラズマ・チェンバ120の周囲またはその中に配列することができる。プラズマ・チェンバ120内に互いに対向するように正および負の点火電極を配置することによって、プラズマ・チェンバまたはチャネルを横切る電束の増大を実現することができる。その結果、プラズマ・ガスに点火するための電束の必須量を発生するために必要な、接地への電圧を低くすることができる。一実施形態では、これらの電極は、プラズマ・チェンバ120のチャネルを横切って電界を発生するように構成することができる。スイッチ435aおよび435bを点火電極440a/440bおよび450a/450bに接続すると、点火440a/440bおよび450a/450b電極および/または接地電極460aおよび460bの間に電界が発生し、チェンバ内に存在するガスにおいてブレークダウンを開始させ、これによってプラズマに点火することができる。
[0037] プラズマ点火の間、リレー435aおよび435bの一方または双方が閉じるので、リードからの電圧を1つ又は複数の点火440a/440bおよび450a/450b電極に印加することができる。一旦プラズマが点火したなら、リレー435aおよび435bを開き、容量性放電を不可能にする。点火電極の典型的な配列は、プラズマ・チェンバまたはチェンバ内のチャネルの断面の周囲に位置付けるようにすることができる。具体的には、点火440a/440bおよび450a/450b電極を、プラズマ・チェンバ120の対向側に位置付けることができ、巻線432のリードに切り替え可能に接続すると、双方の電極が同じ極性を有することになる。また、接地電極460aおよび460bも、点火電極440a/440bおよび450a/450bの間でずらしてプラズマ・チェンバまたはチャネルの対向側に位置付けることができる。一般に、プラズマ・チェンバ全域にわたって、いずれの数の点火電極でも配置することができる。一実施形態では、プラズマ・チェンバ120のブロックは、点火電極および接地電極として役割を果たすことができる。
[0038] 図4Bは、点火440a/440bおよび450a/450b電極を巻線432のリードに結合するための代替構成を示す回路図401である。具体的には、回路図401におけるプラズマ・チャネルに沿って、点火電圧を交互に印加する。一般に、点火電圧および/または接地電極は、いずれの構成においても、1つ又は複数の点火電極にプラズマ・チャネルに沿って印加することができる。この構成に基づいて、点火電極から接地への電圧を抑えながら、印加される電界によって覆われるプラズマ・チェンバ内の容積を最大にすることができる。
[0039] 電極の各々の間にある誘電体分離を、1つ又は複数のキャパシタCdielec465として表すことができる。以下のように、巻線432のリードの一方における電圧(Vsparkで示す)を、点火電極の1つにおける電圧(Vdielecで示す)に関係付けることができる。
Figure 2012519355


[0040] ここで、Z=−j/(ωC)、そしてZdielec=−j/ωCdielec)である。
[0041] 図5は、一実施形態による単一パワー・トレイン用制御システム500を示すブロック図である。制御システム500のエレメントは、例えば、図4の回路400で実現することができる。システム500は、DC電源510、ブリッジ・インバータ520(例えば、半または全ブリッジ)、共振回路530、および制御コンポーネントを含む。共振回路530は、磁気コア532に結合されており、磁気コア532はガスまたはプラズマ533に結合されている。また、磁気コア532は、図4に示すように、1つ又は複数の点火電極の回路、および/または他の点火回路に結合することができる。また、このシステムは検出ユニット540aおよび540bも含む。検出ユニット540aは、ピーク・インバータ電流535aを測定することができ、必要であれば、追加の信号処理(例えば、濾波、平均化、および/またはスムージング)も行うことができる。検出ユニット540bは、ピーク一次電流535を測定することができ、必要であれば、追加の信号処理も行うことができる。検出ユニット540bからの出力は、プラズマ検出ユニット545に供給される。プラズマ検出ユニット545は、例えば、測定された一次電流が所定の閾値よりも大きいか否かに基づいて、プラズマ533に点火したか否か判断することができる。
[0042] プラズマ検出ユニット545は、スイッチ550を制御する。プラズマがないとき(例えば、早点火において)、スイッチ550は早点火制御ユニット555に繋がっている。早点火制御ユニット555の動作については、以下で図6Aから図6Cを参照しながら説明する。プラズマがあるとき、スイッチ550は点火後制御ユニット560に繋がっている。システム500の動作について、本システムが早点火状態にあるとき(即ち、スイッチ550が制御ユニット555に繋がっている)に関して最初に説明する。
[0043] 検出ユニット540aおよび早点火制御ユニット555からの出力は、比較器565に供給され、比較器565はこれら2つの印加された信号の差を取ることができる。一方、この差は電源制御ユニット570に供給される。一実施形態では、電力制御ユニット570は、PID制御ユニットおよび制御チップを含むことができる。電源制御ユニット570は、ブリッジ・インバータ520によって供給される交流信号の周波数、デューティ・サイクル、および/またはその他の特性に対する調節を決定することができる。例えば、測定された早点火信号が、ユニット555からの早点火制御信号よりも大きいと比較器565が判断した場合、ディーティ・サイクルを短縮すること、および/または周波数を共振回路530の共振周波数から離れるようにずらすことができる。同様に、測定された早点火信号が、ユニット555からの早点火制御信号よりも小さいと比較器565が判断した場合、デューティ・サイクルを延長すること、および/または周波数を共振回路530の共振周波数に向かってずらすことができる。補足的な実施形態では、制御ユニット570をハードウェアのソフト起動ソース580に結合すること、またはこれを含むことができる。
[0044] 制御ユニット570からの制御信号は、プログラマブル・ロジック・デバイス485を介してブリッジ・インバータ520に結合することができる。プログラマブル・ロジック・デバイス485は、比較器590からの無効信号が全くない場合、制御信号を通過させるようにプログラムすることができる。比較器590は、インバータ電流に基づく測定信号595が所定の閾値596よりも大きいと判断した場合、無効信号を発行することができる。このように確立された無効メカニズムは、危険なエネルギ・レベルが共振回路530内部に蓄積するのを防止するために、システム500に保護方式を設けることができるという利点がある。
[0045] 前述のように、プラズマが検出された場合、スイッチ550は点火後制御ユニット560に繋がる。一実施形態では、点火後制御ユニット560は、プラズマ・システムの所望の動作条件に基づいて、所定のインバータ電流制御値を供給することができる。この実施形態では、制御ユニット570は、測定されたインバータ電流が、ユニット560によって供給される所定の制御値に追従するように、共振回路530への電力を調節することができる。別の実施形態では、点火後制御ユニット560は、測定された一次電流535bと、プラズマ・システムの所望の動作条件に基づいた所定の一次電流制御値との間の差に基づいて信号を出力するPID制御を含むことができる。更に別の実施形態では、点火後制御ユニット560は、測定された電力信号(図示せず)と、プラズマ・システムの所望の動作条件に基づいた所定の電力制御値との間の差に基づいて信号を出力するPID制御を含むことができる。測定された電力信号は、例えば、DC電源510によって供給すること、またはシステム500の他のコンポーネントから供給することができる。
[0046] 図6Aから図6Cは、ユニット555によって発生された特定の早点火制御信号について、異なる点火シナリオによる経時的なインバータ電流値および一次電流値を示すタイミング図である。具体的には、ユニット555が発生する所定の早点火制御信号のプロファイルは、図6Aから図6Cについて同一であり、以下で説明するように信号610に対応する。図6Aは、プラズマが点火しない、点火失敗シナリオを示す。図6Bは、クランプ閾値に到達した後のプラズマ点火を示す。図6Cは、クランプ閾値に到達する前のプラズマ点火を示す。図6Aに示すように、早点火制御信号610は、ランプアップ時間期間614の間線形に増加する。一実施形態では、ランプアップ時間期間614は約20msである。時点614において、早点火制御信号610が閾値612に跳ね上がる(固定される)。閾値612は、例えば、プラズマ・チェンバ内においてパンチ・スルーが発生する可能性があるいずれかの値よりも小さく選択することができる。パンチ・スルーは、誘電体材料の選択、誘電体材料の厚さ、プラズマ・チェンバの幾何学的形状、および/またはプラズマ・チェンバおよび/または点火回路のその他の特性に左右される可能性がある。したがって、このようにして閾値を設定すると、プラズマ・チェンバ内部にある陽極酸化層をパンチ・スルーから保護することができる。早点火制御ユニット555は、所定の時間量616だけ信号610を閾値612に維持する。所定の時間量616は、一実施形態では約100msである。時間616以前にプラズマが検出されない場合、信号610は0にリセットし、ランプアップ・プロセスが再開する。実施形態の中には、ランプアップ・プロセスが再開する前に、時間616の後に遅延期間を挿入することができる場合もある。一実施形態では、この遅延期間は400msにすることができる。以下の制御値は、所望の動作条件(例えば、異なるガス流量および/またはガスの種類)に基づいて、動作の間に制御システムによって可変に設定および調節することができる。閾値612、ランプアップ時間614、リセット時点616、および/または遅延期間。
[0047] 図6Aにおける信号610は、システムからの、測定されたインバータ電流535a(またはその他の対応する早点火信号)を表すこともできる。何故なら、制御ユニット570は、早点火制御ユニット555が供給する所望の早点火制御プロファイル610に、インバータ電流535aが追従するようにさせるために、比較器565からのフィードバックを用いるからである。早点火段階の間、一次電流535bは実質的に0であり、したがって図6Aには示されていない。
[0048] 図6Bおよび図6Cにおける信号620a/620bおよび640a/640bは、測定されたインバータ電流535a(または他の対応する早点火信号)を表すことができ、一方信号630a/630bおよび650a/650bは、測定された一次電流535bを表すことができる。点火の前では、一次電流630aおよび650aは実質的に0である。図6Bにおいて、点火は時点614の後に起こるが、図6Cでは、点火は時点614の前に起こる。
[0049] 図6Bおよび図6Cに示すように、プラズマ点火が起こったとき、インバータ電流620aおよび640aの値は最初に低下し、一次電流630aおよび650aは、急上昇する。一実施形態では、プラズマ検出が行われるのは、一次電流630aおよび650aが時間期間618aおよび618bの間に検出閾値を超過した後である。プラズマ検出時に、スイッチ550は点火後制御ユニット560に繋がり、これらの図では、点火後制御ユニット560は、プラズマを維持するために、612よりも大きな電流を得るために制御信号を供給する。本システムは、インバータ電流620bおよび640bがこの値に安定する前に、ある時間量を要する。
[0050] 図7は、2つのパワー・トレインに合わせた上位制御システム700を示すブロック図であり、単一パワー・トレイン・システムについて先に述べた特徴のいずれをも実現する。2つのパワー・トレインのみが図7には示されているが、あらゆる数のパワー・トレインに合わせて他の構成も可能である。システム700は、2つのDC電源711および712、2つのブリッジ・インバータ721および722、2つの共振タンク731および732、1つの周波数およびデューティ・サイクル制御ユニット740、1つのプラズマ検出ユニット750、および/または安全および監視ユニット(図示せず)を含む。制御ユニット740は、多入力単一出力(MISO)制御ユニットである。例えば、ブリッジ・インバータ721および722への出力制御信号は同一である。一実施形態では、出力制御信号は、ブリッジ・インバータ721および722のために周波数および/またはデューティ・サイクルを供給する。制御ユニット740に供給される入力は、例えば、共振タンク731および732からのインバータ電流(または他の早点火信号)の平均(mean)、平均(average)、またはrms値を含むことができる。例えば、検出ユニット540aは、1つ又は複数のパワー・トレインからの1つ又は複数のインバータ電流を表す早点火制御信号を比較器565に出力することができる。MISO制御ユニットを設けることによって、多数のパワー・トレイン・システムに必要な制御回路の複雑さを軽減することができるという利点がある。加えて、1つの出力制御部を設けることによって、システム700全体の制御性および安定性向上に備えることができるという利点がある。
[0051] 以上で説明した技法は、ディジタルおよび/またはアナログ電子回路において、またはコンピュータ・ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、あるいはその組み合わせにおいて実現することができる。実施態様は、コンピュータ・プログラム生産物、例えば、データ処理装置、例えば、プログラマブル・プロセッサ、コンピュータ、および/または多数のコンピュータによって実行するため、あるいはその動作を制御するために、機械読み取り可能記憶デバイスに有体的に具現化されているコンピュータ・プログラムとすることができる。コンピュータ・プログラムは、ソース・コード、コンパイル型コードまたはインタプリタ型コードを含む、あらゆる形態のコンピュータ言語またはプログラミング言語でも書くことができ、単体プログラムとして、あるいはサブルーチン、エレメント、またはコンピューティング環境において用いるのに適したその他のユニットとしてのコンピュータ・プログラムを含む、あらゆる形態で展開することができる。コンピュータ・プログラムは、1つのコンピュータにおいて、あるいは1箇所以上にある多数のコンピュータにおいてで実行するように展開することができる。
[0052] 方法ステップは、1つ又は複数のプロセッサによって実行することができ、入力データに作用すること、および/または出力を発生することによって本技術の機能を実行するコンピュータ・プログラムを実行する。また、方法ステップは、特殊目的論理回路、例えば、FPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)、FPAA(フィールド・プログラマブル・アナログ・アレイ)、CPLD(複合プログラマブル・ロジック・デバイス)、PSoC(プログラマブル・チップ上システム)、ASIP(特定用途命令集合プロセッサ)、またはASIC(特定用途集積回路)によって実行することができ、そして装置はこの特殊目的論理回路として実現することができる。サブルーチンは、機能を実現するコンピュータ・プログラムの一部および/またはプロセッサ/特殊回路を指すことができる。
[0053] コンピュータ・プログラムの実行に適したプロセッサは、一例として、汎用および特殊目的用マイクロプロセッサの双方、ならびにあらゆる種類のディジタルまたはアナログ・コンピュータの1つ又は複数のあらゆるプロセッサを含む。一般に、プロセッサは命令およびデータをリード・オンリ・メモリまたはランダム・アクセス・メモリあるいはその双方から受け取る。コンピュータの必須要素は、命令を実行するプロセッサと、命令および/またはデータを格納する1つ又は複数のメモリ・デバイスである。キャッシュのようなメモリ・デバイスは、データを一時的に格納するために用いることができる。また、メモリ・デバイスは、長期データ格納のために用いることもできる。一般に、コンピュータは、データを格納する1つ又は複数の大容量記憶デバイス、例えば、磁気、光磁気ディスク、または光ディスクも含むか、またはこれらからデータを受け取りこれらにデータを転送する、あるいはこれらの双方を行うように動作的に結合される。また、コンピュータは、ネットワークから命令および/またはデータを受信するため、および/または命令および/またはデータをネットワークに転送するために、通信ネットワークに動作的に結合することもできる。コンピュータ・プログラム命令およびデータを具体化するのに適した情報担体は、あらゆる形態の揮発性および不揮発性メモリを含み、一例として、半導体メモリ・デバイス、例えば、DRAM、SRAM、EPROM、EEPROM、およびフラッシュ・メモリ・デバイス、磁気ディスク、例えば、内部ハード・ディスクまたはリムーバブル・ディスク、光磁気ディスク、ならびに光ディスク、例えば、CDおよびDVD、HD−DVD、およびBlue−rayディスクが含まれる。プロセッサおよびメモリは、特殊目的論理回路によって補強すること、および/または特殊目的論理回路の中に組み込むことができる。
[0054] ユーザとの対話処理に備えるために、前述した技法は、ユーザに情報を表示するディスプレイ・デバイス、例えば、CRT(陰極線管)、プラズマ、またはLCD(液晶ディスプレイ)モニタ、ならびにキーボードおよびポインティング・デバイス、例えば、マウスまたはトラックボール、タッチパッド、あるいは動きセンサを有するコンピュータ上で実現することができる。ユーザは、ポインティング・デバイスによってコンピュータに入力を供給することができる(例えば、ユーザ・インターフェース・エレメントと双方向処理を行う)。ユーザとの対話処理に備えるためには、他の種類のデバイスも用いることができる。例えば、ユーザに宛てるフィードバックは、あらゆる形態の感覚的フィードバック、例えば、視覚フィードバック、聴覚フィードバック、または触覚フィードバックとすることができ、ユーザからの入力は、音響入力、音声入力、および/または接触入力を含む、あらゆる形態で受け取ることができる。
[0055] 前述した技法は、バックエンド・コンポーネントを含む分散型計算システムにおいて実現することができる。コンピュータ・システムのコンポーネントは、伝送媒体によって相互接続することができ、この伝送媒体は、ディジタルまたはアナログ・データ通信のあらゆる形態または媒体を含むことができる(例えば、通信ネットワーク)。伝送媒体は、1つ又は複数のパケット系ネットワークおよび/または1つ又は複数の回線系ネットワークを、あらゆる構成で含むことができる。パケット系および/または回線系ネットワークは、ワイヤラインおよび/またはワイヤレス・ネットワークを含むことができる。
[0056] 本発明は、本発明の主旨や本質的な特性から逸脱することなく、他の特定的な形態でも具体化できることは、当業者にはわかるであろう。したがって、以上の実施形態は、あらゆる観点において、本明細書において記載した発明の限定ではなく例示であると見なすこととする。本発明の範囲は、したがって、以上の記載ではなく、添付した特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の均等の意味および範囲に該当する全ての変更は、したがって、本発明の範囲に包含されることを意図している。

Claims (44)

  1. 反応ガス発生器においてプラズマに点火する方法であって、
    点火電源からプラズマ点火回路に電力を供給するステップと、
    前記プラズマ点火回路の早点火信号を測定するステップと、
    前記測定された早点火信号と調節可能な早点火制御信号とに基づいて、前記プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップと、
    ある時間期間が経過した後、前記調節可能な早点火制御信号を調節するステップと、
    を備えている、方法。
  2. 請求項1記載の方法において、前記点火電源が、スイッチング電源を備えている、方法。
  3. 請求項1記載の方法において、前記点火電源が、半ブリッジ・インバータまたは全ブリッジ・インバータを備えている、方法。
  4. 請求項1記載の方法において、前記早点火信号が、前記プラズマ点火回路の電圧、電流、または電力、あるいはそのあらゆる組み合わせを含む、方法。
  5. 請求項1記載の方法において、前記早点火信号が、前記点火電源と前記プラズマ点火回路との間の電流を含む、方法。
  6. 請求項1記載の方法において、前記早点火信号を測定するステップが、前記時間期間の間前記早点火信号のピークを測定することを含む、方法。
  7. 請求項1記載の方法において、前記プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップが、前記点火電源のデューティ・サイクルおよび/または周波数値を調節することを含む、方法。
  8. 請求項1記載の方法において、前記プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップが、前記測定された早点火信号と前記調節可能な早点火制御信号との間の差に基づく、方法。
  9. 請求項8記載の方法において、前記プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップが、
    前記測定された早点火信号が前記調節可能な早点火制御信号よりも大きい場合、より小さい電力を供給するステップと、
    前記測定された早点火信号が前記調節可能な早点火制御信号よりも小さい場合、より大きな電力を前記プラズマ点火回路に供給するステップと、
    を備えている、方法。
  10. 請求項1記載の方法において、前記調節可能な早点火制御信号を調節するステップが、前記時間期間が経過した後に、前記調節可能な早点火制御信号を増加させることを含む、方法。
  11. 請求項10記載の方法において、前記調節可能な早点火制御信号が、時間に関して線形に増加させられる、方法。
  12. 請求項10記載の方法において、前記調節可能な早点火制御信号を増加させるステップが、所定の最大制御信号によって制限される、方法。
  13. 請求項1記載の方法であって、更に、無効信号に基づいて、前記プラズマ点火回路に供給される電力の前記調節を無効するステップを備えている、方法。
  14. 請求項13記載の方法において、前記無効信号が、所定の最大制御信号と前記測定された早点火信号とに基づく、方法。
  15. 請求項13記載の方法において、前記プラズマ点火回路に供給される電力の前記調節を無効するステップが、第2時間期間の間前記プラズマ点火回路に電力を供給しないことを含む、方法。
  16. 請求項1記載の方法であって、点火時間期間が経過した後に、更に、
    前記調節可能な早点火制御信号をリセット値に調節するステップと、
    待機時間期間の間前記調節可能な早点火制御信号を前記リセット値に維持するステップと、
    前記待機時間期間が経過した後、前記調節可能な早点火制御を調節するステップと、
    を備えている、方法。
  17. 請求項1記載の方法において、前記プラズマ点火回路が、変圧器と、この変圧器の一次巻線に結合されている共振回路とを備えている、方法。
  18. 請求項17記載の方法において、前記早点火信号が、前記一次巻線の電圧を含む、方法。
  19. 請求項17記載の方法において、前記共振回路が、1つ又は複数のインダクタと1つ又は複数のキャパシタとを備えている、方法。
  20. 請求項17記載の方法において、前記プラズマ点火回路が、更に、前記変圧器の二次巻線に結合されている1つ又は複数の点火電極を備えている、方法。
  21. 請求項20記載の方法において、前記二次巻線が、接地に結合されている中央タップを備えている、方法。
  22. 請求項17記載の方法において、前記変圧器が、プラズマ・チェンバ内にあるプラズマに電力を供給するために、前記プラズマ・チェンバに電磁的に結合されている、方法。
  23. 請求項22記載の方法であって、更に、
    前記プラズマ・チェンバ内に前記プラズマが存在するか否か判断するステップと、
    前記点火電源から前記プラズマ・チェンバの中にあるプラズマに電力を供給するために、前記プラズマ点火回路を用いるステップと、
    前記プラズマが前記プラズマ・チェンバ内に存在すると判断された場合、プラズマ制御信号に基づいて、前記プラズマ点火回路に供給される電力を調節するステップと、
    を備えている、方法。
  24. 請求項23記載の方法において、前記プラズマに供給される電力を調節するステップが、前記点火電源のデューティ・サイクルおよび/または周波数値を調節することを含む、方法。
  25. 請求項23記載の方法において、前記プラズマに供給される電力を調節するステップが、前記測定された早点火信号と前記プラズマ制御信号との間の差に基づく、方法。
  26. 請求項23記載の方法であって、更に、プラズマ信号を測定するステップを備えており、前記プラズマに供給される電力を調節するステップが、測定されたプラズマ信号と前記プラズマ制御信号との間の差に基づく、方法。
  27. 請求項26記載の方法において、前記プラズマ信号が、前記一次巻線の電流、電力供給信号、プラズマ・チェンバ信号、またはそのあらゆる組み合わせを含む、方法。
  28. 反応ガス発生器においてプラズマの点火を制御するシステムであって、
    プラズマ点火回路に結合されており、早点火信号を発生するように構成されている、測定デバイスと、
    コントローラであって、
    (i)前記早点火信号と調節可能な早点火制御信号とに基づいて、点火電源制御信号を調節する計算手段と、
    (ii)前記点火電源制御信号を点火電源に出力する出力手段と、
    (iii)ある時間期間が経過した後、前記調節可能な早点火制御信号を調節する計算手段と、
    を有する、コントローラと、
    を備えている、システム。
  29. 請求項28記載のシステムであって、更に、
    前記点火電源と、
    前記点火電源に結合されている前記プラズマ点火回路と、
    を備えている、システム。
  30. 請求項29記載のシステムにおいて、前記点火電源が、半ブリッジ・インバータまたは全ブリッジ・インバータを備えている、システム。
  31. 請求項28記載のシステムにおいて、前記測定デバイスが、更に、前記プラズマ点火回路の電圧測定値、電流測定値、電力測定値、またはそのあらゆる組み合わせに基づいて、前記早点火信号を発生するように構成されている、システム。
  32. 請求項31記載のシステムにおいて、前記測定デバイスが、更に、前記時間期間における前記測定値のピークを測定するピーク検出ユニットを備えている、システム。
  33. 請求項28記載のシステムにおいて、前記点火電源制御信号を調節する前記計算手段が、前記早点火信号と前記調節可能な早点火制御信号との間の差に基づいて、前記点火電源制御信号を調節するように構成されている、システム。
  34. 請求項28記載のシステムにおいて、前記調節可能な早点火制御信号を調節する前記計算手段が、前記時間期間が経過した後、前記調節可能な早点火制御信号を増加させるように構成されている、システム。
  35. 請求項34記載のシステムにおいて、前記調節可能な早点火制御信号の増加が、所定の最大制御信号によって制限される、システム。
  36. 請求項29記載のシステムにおいて、前記プラズマ点火回路が、変圧器と、この変圧器の一次巻線に結合されている共振回路とを備えている、システム。
  37. 請求項36記載のシステムにおいて、前記共振回路が、1つ又は複数のインダクタと1つ又は複数のキャパシタとを備えている、システム。
  38. 請求項36記載のシステムにおいて、前記プラズマ点火回路が、更に、前記変圧器の二次巻線に結合されている1つ又は複数の点火電極を備えている、システム。
  39. 請求項38記載のシステムにおいて、前記二次巻線が、接地に結合されている中央タップを備えている、システム。
  40. 請求項36記載のシステムにおいて、前記変圧器が、プラズマ・チェンバ内にあるプラズマに電力を供給するために、前記プラズマ・チェンバに電磁的に結合されている、システム。
  41. 請求項28記載のシステムであって、更に、
    前記プラズマ・チェンバにおいて前記プラズマの存在を検出するプラズマ検出ユニットと、
    前記プラズマが前記プラズマ・チェンバ内に存在すると判断された場合、プラズマ制御信号に基づいて、前記プラズマ点火回路に供給される電力を調節する計算手段を有する電力コントローラと、
    を備えている、システム。
  42. 請求項41記載のシステムにおいて、前記プラズマ制御信号が、所定のプラズマ制御値、前記一次巻線の電流、電力供給信号、プラズマ・チェンバ信号、またはそのあらゆる組み合わせを含む、システム。
  43. 請求項28記載のシステムにおいて、前記測定デバイスが、更に、1つ又は複数の他のプラズマ点火回路に結合されており、前記1つ又は複数の他のプラズマ点火回路からの測定値に基づいて、前記早点火信号を発生するように構成されている、システム。
  44. 請求項43記載のシステムにおいて、前記点火電源制御信号を出力する前記出力手段が、更に、前記1つ又は複数の他のプラズマ点火回路と関連のある1つ又は複数の他の点火電源に、前記点火電源制御信号を出力する手段を備えている、システム。
JP2011552012A 2009-02-27 2009-04-13 反応ガス発生器においてプラズマに点火する方法及び反応ガス発生器においてプラズマの点火を制御するシステム Active JP5575817B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/394,904 US8692466B2 (en) 2009-02-27 2009-02-27 Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator
US12/394,904 2009-02-27
PCT/US2009/040358 WO2010098779A1 (en) 2009-02-27 2009-04-13 Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012519355A true JP2012519355A (ja) 2012-08-23
JP5575817B2 JP5575817B2 (ja) 2014-08-20

Family

ID=41314473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011552012A Active JP5575817B2 (ja) 2009-02-27 2009-04-13 反応ガス発生器においてプラズマに点火する方法及び反応ガス発生器においてプラズマの点火を制御するシステム

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8692466B2 (ja)
JP (1) JP5575817B2 (ja)
KR (1) KR101348320B1 (ja)
CN (1) CN102365705B (ja)
DE (1) DE112009004435B4 (ja)
GB (1) GB2479702B (ja)
SG (1) SG173883A1 (ja)
TW (1) TWI477204B (ja)
WO (1) WO2010098779A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021157917A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP2021157946A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP2021157916A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP2023045457A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 株式会社ダイヘン 誘導結合型プラズマ源
JP2023045797A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 株式会社ダイヘン 誘導結合型プラズマ源
JP2023146758A (ja) * 2022-03-29 2023-10-12 株式会社ダイヘン プラズマ源

Families Citing this family (336)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9196463B2 (en) * 2011-04-07 2015-11-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for plasma monitoring using microwaves
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9368328B2 (en) * 2012-07-27 2016-06-14 Trumpf Huettinger Sp. Z O. O. Apparatus for generating and maintaining plasma for plasma processing
US8742668B2 (en) * 2012-09-05 2014-06-03 Asm Ip Holdings B.V. Method for stabilizing plasma ignition
US9137885B2 (en) 2012-09-07 2015-09-15 Kyosan Electric Mfg Co., Ltd. DC power supply device, and control method for DC power supply device
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US10211720B2 (en) 2012-11-09 2019-02-19 Integrated Device Technology, Inc. Wireless power transmitter having low noise and high efficiency, and related methods
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9287800B2 (en) 2013-03-01 2016-03-15 Walter Buchanan Systems and methods for non-thermal plasma over liquid direct ion injection
US9394189B2 (en) 2013-03-01 2016-07-19 Walter Buchanan Methods, systems, and reactors for non-thermal plasma over liquid direct ion injection
JP5729732B2 (ja) * 2013-09-27 2015-06-03 株式会社京三製作所 直流電源装置、直流電源装置の制御方法
WO2015049782A1 (ja) * 2013-10-04 2015-04-09 東芝三菱電機産業システム株式会社 電源装置
JP6413261B2 (ja) * 2014-03-03 2018-10-31 株式会社島津製作所 Icp発光分析装置用高周波電源装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10306745B2 (en) * 2014-12-08 2019-05-28 Hitachi, Ltd. Accelerator and particle beam irradiation system
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6726865B2 (ja) * 2015-06-05 2020-07-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 プラズマ生成装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11452982B2 (en) 2015-10-01 2022-09-27 Milton Roy, Llc Reactor for liquid and gas and method of use
EP4226999A3 (en) 2015-10-01 2023-09-06 Milton Roy, LLC Plasma reactor for liquid and gas and related methods
US10882021B2 (en) 2015-10-01 2021-01-05 Ion Inject Technology Llc Plasma reactor for liquid and gas and method of use
US12296313B2 (en) 2015-10-01 2025-05-13 Milton Roy, Llc System and method for formulating medical treatment effluents
US10187968B2 (en) 2015-10-08 2019-01-22 Ion Inject Technology Llc Quasi-resonant plasma voltage generator
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10046300B2 (en) 2015-12-09 2018-08-14 Ion Inject Technology Llc Membrane plasma reactor
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10505348B2 (en) 2017-09-15 2019-12-10 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for ignition of a plasma system and for monitoring health of the plasma system
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10475622B2 (en) * 2017-09-26 2019-11-12 Advanced Energy Industries, Inc. System and method for plasma ignition
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102125026B1 (ko) * 2018-05-17 2020-06-19 주식회사 뉴파워 프라즈마 플라즈마 전원용 공진 네트워크 및 플라즈마 발생기용 전력공급장치
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
US10886104B2 (en) 2019-06-10 2021-01-05 Advanced Energy Industries, Inc. Adaptive plasma ignition
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
CN113543446A (zh) * 2020-04-13 2021-10-22 台达电子工业股份有限公司 电源产生器的点火方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
US11688584B2 (en) 2020-04-29 2023-06-27 Advanced Energy Industries, Inc. Programmable ignition profiles for enhanced plasma ignition
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
KR102916735B1 (ko) 2020-06-24 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
US11374440B2 (en) 2020-07-31 2022-06-28 Renesas Electronics America Inc. Wireless power charging
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114388427A (zh) 2020-10-06 2022-04-22 Asm Ip私人控股有限公司 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN114501764B (zh) * 2022-01-26 2024-02-09 江苏神州半导体科技有限公司 基于多线圈耦合的气体解离电路控制装置及系统
EP4312032B1 (de) 2022-07-27 2025-01-22 Hochschule für Angewandte Wissenschaft und Kunst Hildesheim/Holzminden/Göttingen Messvorrichtung für wechselströme und -hochspannungen von physikalischen plasmen
CN116261249A (zh) * 2023-03-13 2023-06-13 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种刻蚀机启辉方法、装置、设备及计算机可读存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081208A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法及び処理装置
US20070103092A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Alan Millner Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859399A (en) 1977-10-13 1989-08-22 Fdx Patents Holding Company, N.V. Modular fusion power apparatus using disposable core
US4600563A (en) 1985-02-05 1986-07-15 Psi Star Incorporated Plasma reactor with voltage transformer
DE9109503U1 (de) 1991-07-31 1991-10-17 Magtron Magneto Elektronische Geraete Gmbh, 7583 Ottersweier Schaltungsanordnung für ein Stromversorgungsgerät für Geräte und Anlagen der Plasma- und Oberflächentechnik
JP2710467B2 (ja) * 1992-04-16 1998-02-10 アドバンスド エナージィ インダストリーズ,インコーポレイテッド プロセシング・プラズマのac特性を特徴付ける装置
JP3167221B2 (ja) * 1992-05-07 2001-05-21 ザ・パーキン・エルマー・コーポレイション 誘導結合プラズマ発生器
US5414238A (en) 1992-10-02 1995-05-09 Martin Marietta Corporation Resonant power supply for an arcjet thruster
JPH0732078B2 (ja) * 1993-01-14 1995-04-10 株式会社アドテック 高周波プラズマ用電源及びインピーダンス整合装置
US5556549A (en) 1994-05-02 1996-09-17 Lsi Logic Corporation Power control and delivery in plasma processing equipment
US5474648A (en) 1994-07-29 1995-12-12 Lsi Logic Corporation Uniform and repeatable plasma processing
US5712592A (en) 1995-03-06 1998-01-27 Applied Materials, Inc. RF plasma power supply combining technique for increased stability
US5621331A (en) 1995-07-10 1997-04-15 Applied Science And Technology, Inc. Automatic impedance matching apparatus and method
US5865937A (en) 1995-08-21 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Broad-band adjustable power ratio phase-inverting plasma reactor
US5654679A (en) 1996-06-13 1997-08-05 Rf Power Products, Inc. Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance
DE19650110A1 (de) 1996-12-03 1998-06-04 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Betriebsschaltung für eine elektrodenlose Niederdruckentladungslampe
US6924455B1 (en) 1997-06-26 2005-08-02 Applied Science & Technology, Inc. Integrated plasma chamber and inductively-coupled toroidal plasma source
US6150628A (en) 1997-06-26 2000-11-21 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6388226B1 (en) 1997-06-26 2002-05-14 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6815633B1 (en) 1997-06-26 2004-11-09 Applied Science & Technology, Inc. Inductively-coupled toroidal plasma source
US6225592B1 (en) 1998-09-15 2001-05-01 Astex-Plasmaquest, Inc. Method and apparatus for launching microwave energy into a plasma processing chamber
AU6148099A (en) 1998-09-16 2000-04-03 Crown International, Inc. Power supplyer for amplifiers
US6313584B1 (en) * 1998-09-17 2001-11-06 Tokyo Electron Limited Electrical impedance matching system and method
EP1212775A1 (en) 1999-08-06 2002-06-12 Advanced Energy Industries, Inc. Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof
US6305316B1 (en) * 2000-07-20 2001-10-23 Axcelis Technologies, Inc. Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system
US6887339B1 (en) 2000-09-20 2005-05-03 Applied Science And Technology, Inc. RF power supply with integrated matching network
US6586887B1 (en) * 2002-03-06 2003-07-01 Hitachi High-Technologies Corporation High-frequency power supply apparatus for plasma generation apparatus
US20030213559A1 (en) 2002-05-20 2003-11-20 Applied Science And Technology, Inc. Stabilization of electronegative plasmas with feedback control of RF generator systems
US6781317B1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Applied Science And Technology, Inc. Methods and apparatus for calibration and metrology for an integrated RF generator system
US6791274B1 (en) * 2003-07-15 2004-09-14 Advanced Energy Industries, Inc. RF power control device for RF plasma applications
DE10334373A1 (de) 2003-07-25 2005-02-10 Adolf Brodbeck Maschinenbau Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden und Entgraten von Rohren, insbesondere Kunststoff- und Papprohren
TWI350046B (en) 2003-08-18 2011-10-01 Mks Instr Inc System and method for controlling the operation of a power supply
KR101144449B1 (ko) 2003-09-22 2012-05-10 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 내에서 불안정성을 방지하기 위한 장치 및 방법
US7095179B2 (en) * 2004-02-22 2006-08-22 Zond, Inc. Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities
DE102004010261A1 (de) * 2004-03-03 2005-09-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Zünden einer Hohlkatodenbogenentladung
CN100561848C (zh) 2004-03-12 2009-11-18 Mks仪器股份有限公司 用于开关式电源的控制电路
US7214934B2 (en) * 2004-07-22 2007-05-08 Varian Australia Pty Ltd Radio frequency power generator
US7422664B2 (en) * 2006-02-03 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma ignition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081208A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法及び処理装置
US20070103092A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Alan Millner Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator
JP2009515300A (ja) * 2005-11-07 2009-04-09 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド 反応性ガス発生器においてプラズマに点火しこれを維持するための電力供給方法および装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021157917A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP2021157946A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP2021157916A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP7307697B2 (ja) 2020-03-26 2023-07-12 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP7307696B2 (ja) 2020-03-26 2023-07-12 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP7307695B2 (ja) 2020-03-26 2023-07-12 株式会社ダイヘン プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源
JP2023045457A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 株式会社ダイヘン 誘導結合型プラズマ源
JP2023045797A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 株式会社ダイヘン 誘導結合型プラズマ源
JP7675608B2 (ja) 2021-09-22 2025-05-13 株式会社ダイヘン 誘導結合型プラズマ源
JP7695851B2 (ja) 2021-09-22 2025-06-19 株式会社ダイヘン 誘導結合型プラズマ源
JP2023146758A (ja) * 2022-03-29 2023-10-12 株式会社ダイヘン プラズマ源
JP7763139B2 (ja) 2022-03-29 2025-10-31 株式会社ダイヘン プラズマ源

Also Published As

Publication number Publication date
US20100219757A1 (en) 2010-09-02
GB2479702A (en) 2011-10-19
GB2479702B (en) 2015-06-03
KR101348320B1 (ko) 2014-01-16
US8692466B2 (en) 2014-04-08
CN102365705A (zh) 2012-02-29
CN102365705B (zh) 2014-08-27
GB201114777D0 (en) 2011-10-12
DE112009004435T5 (de) 2012-08-09
KR20110136805A (ko) 2011-12-21
DE112009004435B4 (de) 2021-04-22
SG173883A1 (en) 2011-09-29
WO2010098779A1 (en) 2010-09-02
TWI477204B (zh) 2015-03-11
JP5575817B2 (ja) 2014-08-20
TW201032676A (en) 2010-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5575817B2 (ja) 反応ガス発生器においてプラズマに点火する方法及び反応ガス発生器においてプラズマの点火を制御するシステム
KR102195550B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP6986113B2 (ja) 修正された周期的電圧関数を電気ノードに提供するための装置およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US6967305B2 (en) Control of plasma transitions in sputter processing systems
JP2023525768A (ja) スイッチモードバイアスシステムを使用した表面電荷および電力フィードバックならびに制御
US7353771B2 (en) Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator
TW201233252A (en) Measuring and controlling parameters of a plasma generator
JP2015534717A (ja) 切り替えモードイオンエネルギー分布シシテムを較正するためのシステムおよび方法
KR20150047599A (ko) 스위칭 모드 이온 에너지 분포 시스템을 제어하는 방법
US20250218748A1 (en) Air-core coil in analog circuit filters for plasma processing
US20200211886A1 (en) Measurement method and measuring jig
KR20240110747A (ko) 플라즈마 반응기
JP2014157719A (ja) プラズマ発生装置及びプラズマ発生装置の制御方法
JP3660016B2 (ja) 真空装置の異常放電抑制・消滅装置
JP2017069209A (ja) プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR20250032709A (ko) Dc 펄스 인가 방법 및 dc 펄스 경사 전압 발생 장치
KR20250024188A (ko) Dc 펄스 인가 방법 및 dc 펄스 경사 전압 발생 장치
JP2010097735A (ja) バックライト用インバータと、その制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130617

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140603

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140702

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5575817

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250