JP2012517091A - 封止されたエレクトロルミネセント装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、有機発光層50と、エレクトロルミネセント層スタック59の側部を封止し且つ対電極40を電源へ電気的に接触させる閉じられた外形を有する封止手段70と、を含むエレクトロルミネセント装置10に関する。更に、本発明は、このような装置を提供する方法、封止手段としての接触外形の使用、及びこのような装置において使用されるべき被覆された基板にも関する。

Description

本発明は、有機発光層と、エレクトロルミネセント層スタックの側部を封止し且つ対電極を電源へ電気的に接触させる閉じられた外形(contour)を有する封止手段と、を含むエレクトロルミネセント装置に関する。更に、本発明は、このような装置を提供する方法、封止手段としての接触外形の使用、及びこのような装置において使用されるべき被覆された基板にも関する。

国際特許出願公報2007/013001A2号において、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が記載されている。有機発光ダイオードは、２つの電極の間に挟まれた約100nmの有機材料の薄層からなる。通常2乃至10ボルトである電圧が２つの電極間に印加されると、有機材料は光を発する。残念ながら、有機層及び対電極酸素及び／又は水に対して非常に影響を受けやすい。したがって、ＯＬＥＤは、側部密封部を用いて、及び、側部密封部の上において柔軟性ホイルを、基板及び柔軟性ホイル間のギャップを有する密封された容量を規定する被覆蓋として用いて密封される。この装置の１つの不利な点は、このようなギャップの存在である。ギャップは、少なくともドライガスで、好ましくは化学的に不活性なガスで注意深く充填される必要がある。更に、追加的なゲッタ材は、装置寿命を改善させるために、特に、密封部への無視出来ない酸素及び／又は水拡散比率の場合に、密封部容積内に通常適用される。どちらとも、製造の労力を増加させる。追加的に、ギャップは、ＯＬＥＤ装置の全体導入深さを、望ましい深さよりも大きく生じさせる。したがって、このようなギャップを避けることは、上述の理由に関して有益であり得る。

したがって、本発明は、この目的に関して、上述の不利な点を取り除く必要がある。特に、本発明の目的の１つは、基板とエレクトロルミネセント装置の背部との間のギャップを避ける側部封止部を有するエレクトロルミネセント装置を提供することであり、この場合、前記エレクトロルミネセント装置は、短絡の危険を有することなく容易に接続されるのに適している。

この目的は、エレクトロルミネセント装置であって、基板と、前記基板の上における基板電極と、対電極と、前記基板及び対電極間に配置される光を発するための少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層を有するエレクトロルミネセント層スタックと、前記エレクトロルミネセント層スタックを構成する内側エッジ及び外側エッジを有する閉じられた外形として、前記基板電極に配置される電気的に非伝導性の封止手段と、を含み、前記エレクトロルミネセント層スタックは、前記外形の前記内側エッジによって規定され且つ前記外形の前記外側エッジと前記エレクトロルミネセント層スタックの前記エッジとの間における隣接第１ギャップを確立する前記基板電極の上における領域を少なくとも完全に覆い、前記対電極は、前記第１ギャップより小さく且つ前記基板電極から前記対電極を絶縁するのに十分に大きい、前記外形の前記外側エッジと前記対電極の前記エッジとの間における隣接第２ギャップを確立する前記エレクトロルミネセント層スタックを完全に覆い、前記封止手段は、前記エレクトロルミネセント層スタックの側部封止を提供するために拡散バリア層として作用するのに適した、エレクトロルミネセント装置によって達成される。

本発明の主要な発想は、十分なエレクトロルミネセント装置寿命を提供するために、エレクトロルミネセント装置の背部と基板との間においていかなるギャップも設けることなく、エレクトロルミネセント層スタックの側部を効率的に密封するために封止手段を用いることである。更に、ゲッタは、本発明に従うエレクトロルミネセント装置では廃止される。この場合、全ての場所においてエレクトロルミネセント層の側部も密封する簡単で万能な手法が開示され、エレクトロルミネセントＯＬＥＤ装置の相当に安価な製造を導く。封止手段は、対電極と基板電極との間の短絡を防ぐことにより、エレクトロルミネセント装置の信頼性を同時に向上させる。好ましくは、エレクトロルミネセント装置は、容易に電源へ接続され得、これにより、三次元的接触スキームを用いて対電極と電源との間の電気的接続を確立するために、封止手段である、ある領域を提供することによって、基板電極を構造化することの必要性を防ぐようにされる。

本発明の文脈において、「エレクトロルミネセント（ＥＬ）層スタック」という表記は、基板電極と対電極との間に準備される全ての層を示す。ＥＬ層スタックの１つの実施例において、ＥＬ層スタックは、基板と対電極との間に準備される少なくとも１つの発光有機エレクトロルミネセント層を含む。他の実施例において、層スタックは、基板と対電極との間に準備されるいくつかの層を含み得る。いくつかの層は、１つ又は複数の正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層、正孔ブロック層、放射層などの有機層、又は、有機及び非有機層の組み合わせであり得る。非有機層は、２つ又はそれ以上の発光層が層スタック及び／又は電荷注入層内にある場合、追加的な電極であり得る。好ましい実施例において、基板電極及び／又は対電極は、以下の材料：ＩＴＯ、アルミニウム、銀、ドープされたZnO又は酸化物層のうちの少なくとも１つを含む。

本発明の文脈において、「基板」という表記は、エレクトロルミネセント装置の様々な層が堆積されるベース材料を示す。通常、基板は、透明であり、そしてガラス製である。更に、基板は透明であり、好ましくは、以下の材料：銀、金、ガラス又はセラミックのうちの少なくとも１つを含むことが好ましくあり得る。基板は、水分及び／又は酸素がエレクトロルミネセント層スタックへ入ることを本質的に防ぐために適切な水分及び酸素バリアを有する透明ポリマシートでもあり得る。基板として金属ホイルなどの非透明材料を使用することも可能である。基板は、光アウトカップリング強化などの光学的目的又は他の目的などに関する、更なる層を含み得る。基板は、通常、平坦であるが、望ましくあるいずれかの三次元形状へも形成され得る。

本発明の文脈において、「基板電極」という表記は、基板の上に堆積される電極を示す。通常、この電極は、ガラスから電極への移動性原子又はイオンの拡散を抑制するために、SiO2又はSiOのアンダーコーティングを任意選択的に用いた透明ITO（インジウム−スズ酸化物）からなる。ITO電極を有するガラス基板に関し、ITOは、通常アノードであるが、特別な場合において、ITOは、カソードとして使用もされ得る。特定の場合において、薄いAg又はAu層（8〜15nm厚さ）が、単独で又は基板電極としてITOと組み合わされて使用される。金属ホイルが基板として使用される場合、アノード又はカソードのいずれかとしての基板電極の役割も担う。

「の上にある・に加えて(on-top-of)」という表記は、列挙される層のシーケンスを示す。この表記は、明示的に、重なり合う(on top of each other)として表記される層の間において更なる層が存在する可能性を含む。例えば、光アウトカップリングを強化するために、基板電極と基板との間に配置される追加的な光学的層が存在し得る。「覆う(covering)」という表記は、第１の層は、第１の層が第２の層を覆うとして示される場合に、第２の層の最外縁部に延在する第２の層の上に堆積されることを示す。第１の層が第２の層を覆うような層のスタックは、第１及び第２の層の間に又は第２の層の下に追加的な層を含み得る。

本発明の文脈において、「対電極(counter electrode)」という表記は、基板から離れた電極を示す。この対電極は、通常、非透明であり、そして、電極が反射性であるように十分な厚さ（通常Alに関して100nm及びAgに関して100〜200nm）のAl又はAg層からなる。この対電極は、通常、カソードであるが、アノードとしてもバイアスされ得る。トップエミッティング又は透明エレクトロルミネセント装置に関して、対電極は、透明である必要がある。透明対電極は、薄いAg又はAl層（5〜15nm）から、又は他の事前に堆積された層の上に堆積されるITO層からなる。対電極による十分な拡散バリアを保証するために、対電極の厚さは、好ましくは、エレクトロルミネセント層スタックの厚さよりも厚い。

本発明の文脈において、エレクトロルミネセント装置は、透明基板、透明基板電極及び非透明対電極（通常反射性）と組み合わせて、基板を通じて光を発し、「ボトムエミッティング」と呼ばれる。更なる電極を含むエレクトロルミネセント装置の場合、特定の実施例において、基板及び対電極の両方は、内部電極がカソード又はアノードとして駆動される場合、両方ともアノード又は両方ともカソードの何れかであり得る。更に、本発明の文脈において、エレクトロルミネセント装置は、透明基板電極及び透明対電極と組み合わされて、対電極を介して光を発し、「トップエミッティング」と呼ばれる。

本発明において、「透明エレクトロルミネセント装置」という表記は、基板、基板電極、対電極、及び拡散バリアなどの対電極の上に最終的に追加的に適用される層が透明であるエレクトロルミネセント装置を示す。この場合、エレクトロルミネセント装置は、ボトムエミッティング及びトップエミッティングの両方である。本発明の文脈において、層、基板、又は電極は、可視範囲における光の透過性が50％より多い場合に、透明と呼ばれている。更に、本発明の文脈において、層、基板、又は電極は、可視範囲における光の透過性が10％〜50％の間にある場合に、半透明と呼ばれており、それ以外は吸収される又は反射される。加えて、本発明の文脈において、光は、450nm〜640nmの間の波長を有する場合、可視光と呼ばれる。本発明の文脈において、光は、エレクトロルミネセント装置の有機エレクトロルミネセント層によって発される場合、人工光と呼ばれる。

更に、本発明の文脈において、エレクトロルミネセント装置の層、手段、コネクタ、又は構造要素は、電気抵抗が100000オームより小さい場合、電気伝導性であると呼ばれている。そうでない場合は、非電気伝導性と呼ばれる。本発明の文脈において、受動電子コンポーネントは、抵抗器、コンデンサ及びインダクタ要素を含む。更に、本発明の文脈において、能動電子コンポーネントは、ダイオード、トランジスタ、及び全ての種類の集積回路を含む。本発明の文脈において、エレクトロルミネセント装置の層、手段、コネクタ、又は構造要素は、界面に入射する光が反射の法則に従い戻される場合、反射性であると呼ばれ、入射の微視的角度は、反射の巨視的角度と等しい。また、鏡面反射と称される用語は、この場合に使用される。更に、本発明の文脈において、エレクトロルミネセント装置の層、手段、コネクタ、又は構造要素は、界面に入射する光が反射の法則に従い戻されない場合、散乱性であると呼ばれ、入射の微視的角度は、反射の巨視的角度と等しくない。戻される光に関する各角度の分布も存在する。散乱性の代わりに、「拡散性反射」という用語も使用される。

エレクトロルミネセント装置の背部という用語は、基板から離れて面し、エレクトロルミネセント装置の十分な寿命を提供するために、エレクトロルミネセント装置を十分に密封するために必要とされる最外層を示す。

酸素又は水は、有機エレクトロルミネセント層又は対電極を損傷させ得る。封止手段は、有機エレクトロルミネセント層との直接の接触部を有するので、封止手段が無水性及び/又は水の無いということが好ましい。本発明の文脈において、水の無い及び/又は無水性という表記は、エレクトロルミネセント装置の平均寿命において水含有による何の劣化も裸視によって観察され得ないという事実を記述する。層のスタックへの水の拡散によるエレクトロルミネセント層スタック及び／又は対電極の目に見える劣化は、黒いスポットの成長又は縁部からの放射領域の収縮の形態を取り得る。水分の無い及び/又は無水性という表記は、非導電性糊自体だけでなく、エレクトロルミネセント層スタック及び／又は対電極によってそれらへ損傷を与えることなく吸収され得る水の量にも依存する。

本発明の文脈において、層及び／又は手段は、層及び／又は手段が水分のエレクトロルミネセント層スタック又は対電極への有害な拡散を防ぐ場合、拡散バリアと記される。拡散は、発される光の相当な寿命低下が確認され得る場合に有害と記される。従来技術に従う標準的なエレクトロルミネセント（ＯＬＥＤ）装置は、100000時間又はそれ以上のオーダの棚寿命を達成する。相当な低下は、約2又はそれ以上の因数の寿命の低下を示す。封止手段の外形は、エレクトロルミネセント層及び／又は対電極の側部への有害の拡散を防ぐために、0.5mmの幅、好ましくは1.0mm、より好ましくは2.0mmを有するべきである。

封止手段は、電気的に伝導性でない。基板及び対電極の間の絶縁を保証するために、封止手段の厚さは、20nmより多い、好ましくは100nmより多い、より好ましくは200nmより多くあるべきである。

ある実施例において、前記封止手段は、SiO、SiO₂、TiO₂、好ましくはSiNである窒化物、好ましくはCaF₂であるフッ化物、ガラス、再溶解ガラス原料、UHVラッカ材、好ましくは陽極酸化アルミニウムである金属酸化物、の材料の群のうちの少なくとも１つの材料を含む。列挙される材料は、水の無い及び／又は無水性であり、従来の寿命を可能にし且つ一般的な堆積技術を用いて堆積されるのを可能にするために、十分な拡散バリアを提供するのに適している。

別の実施例において、外形の内側エッジを少なくとも覆う平滑化層が、前記外形の前記内側エッジを平滑化させるために、前記基板電極の上に配置されることを特徴とする。平滑化層の存在は、エレクトロルミネセント層スタック及び対電極についての後続の堆積工程に関していかなるシャドーエッジの出現も防ぐ。シャドーエッジは、クラックなどの欠陥を有することなく連続層を達成するために、防がれる必要がある。シャドーエッジを防ぐためにカウンタの内側エッジを平滑に覆う平滑化層の材料の材料特性は、粘性、例えば増加された温度での粘性など、である。好ましくは、平滑化層の材料の粘性は、堆積温度において、及び／又は、後の工程ステップにおける平滑化層へ適用される温度において、低い。平滑化層の材料は、いかなる適される材料でも有り得、好ましくは非伝導性材料であり得る。

好ましい実施例において、前記平滑化層は、前記基板電極に並行な方向に前記封止手段の幅よりも小さい幅を有するリム部として前記外形の前記内側エッジにおいて配置される。リム部としての平滑化層が存在する追加的な非自発光領域の可視性は、散乱粒子が、平滑化層から基板へ入射する光を散乱させるために、平滑化層の材料へ追加される場合、低下される又は妨げられ得る。

前記平滑化層は、例えば印刷などに適用し易い、糊、ポリマ、ラッカ材、塗料及びインクの材料の群のうちの、好ましくは非電気伝導性である、少なくとも１つの材料を含み得る。エレクトロルミネセント装置の寿命へのいかなる影響も防ぐために、これらの材料は、無水性及び／又は水が無いものである。例えば、エポキシ、ポリウレタン、アクリル又はシリコーンなどの材料のうちの少なくとも１つを含む糊が平滑化層に関する材料として使用される場合、糊は、外形の内側エッジにおける基板電極へしずくのように塗布され得る。糊の低い粘性は、糊がエッジへ流れるようにさせ、これにより、外形の内側エッジにおえるいかなる急激なエッジをも平滑化させるようにさせ、後続の層の堆積におけるいかなるシャドー効果をも防ぐようにさせる。

耐久性のある非伝導性糊を達成するために、後に続く母材(matrices)のうちの少なくとも１つは、エポキシ、ポリウレタン、アクリル又はシリコーンを使用され得る。リム部としての平滑化層は、非伝導性材料を含み得る。この非伝導性材料は、透明若しくはオパーク色であり得、又は散乱特性を有し得る。リム部として平滑化層に関して使用される材料に依存して、実験は、平滑化層が適用される領域がエレクトロルミネセント装置の通常の動作において暗く見え得ることを示したが、その理由は、基板電極からエレクトロルミネセント層への直接的電流注入が阻止されるからである。したがって、別の好ましい実施例は、リム部としての平滑化層は、有機エレクトロルミネセント層によって生成される光を散乱させる少なくとも1つの散乱手段を含むこと、好ましくは、散乱手段は、平滑化層に埋め込まれることを特徴とする。この散乱手段は、基板によってガイドされる人工光の一部を散乱及び/又は反射する。これにより、そうでなければ非発光リム領域の増光化(brightening)を生じさせる。基板はある種の光ガイドとして作用するので、リム部としての平滑化層の散乱手段は、この光がエレクトロルミネセント装置から散乱及び反射されて出るようにされるようにする。散乱手段は、保護手段に埋め込まれる複数の顔料及び／又はフレークによって形成され得る。この顔料及び／フレークは、例えば、アルミニウム、マイカ効顔料、チタン酸化物粒子、又はエレクトロルミネセント装置の人工光を散乱させる及び／又は反射させるように当業者に知られる他のフレーム若しくは粒子などを含み得る。別の好ましい実施例において、平滑化層は染色される。このことは、平滑化層を着色することによって、又は、色付顔料を平滑化層へ塗布することによって、実行され得る。

別の実施例において、少なくとも１つのコンタクト手段は、前記対電極と電源との間の電気的接続を確立するために、前記封止手段が前記対電極で少なくとも部分的に覆われる位置において前記封止手段の上に配置される。従来技術のＯＬＥＤにおいて、基板における電極は、少なくとも２つの電気的分離領域へ構造化され、１つは、基板電極として作用し、他方は、対電極へ接続される。したがって、基板及び対電極の両方は、これらが標準的な手段によって接続され得る、基板のリム部分へ１つの平面において導かれる。この２次元接触スキームの不利な点は、基板電極及び対電極は、接触に関してＯＬＥＤの周辺を共有する必要があり、これにより、基板の上の電極は、装置の短絡を防ぐために、少なくとも２つの非接続な領域（基板電極、及び対電極へ接続させるための第２電極）へ分割される必要がある。開示される三次元接触手法は、この二次元の接触手法の深刻な不利な点を取り除く。

コンタクト手段の下に封止手段を有しない場合、対電極へ適用されるコンタクト手段は、対電極を損傷させ得、これにより、エレクトロルミネセント層スタックを通じて貫通し得、基板電極との直接の接触をするようになり、短絡を生じさせる。これを防ぐために、コンタクト手段は、封止手段の上に構成され、これにより、対電極及び基板電極間のいかなる直接接触をも防いでいる。コンタクト手段は、コンタクト手段に関して何の特別な配慮もされる必要がないので、電源へ容易に接続され得る。コンタクト手段が対電極を損傷させるようにして接触がなされる場合であっても、封止手段がコンタクト手段又は対電極及び基板電極の間のいかなる直接接触をも防ぎ得るので、短絡のリスクはない。このことを達成するために、コンタクト手段は、完全に封止手段の上に構成され、封止手段は、コンタクト手段の領域を超え得る。更に、封止手段の材料は、基板電極をコンタクト手段から遮断するために十分に厚い及び／又は固くなければならない。正確な厚さ及び固さは、コンタクト手段によって与えられる実際の圧力に依存するが、通常1〜100マイクロメータ厚さで十分である。例えば、望ましい保護は、10〜200マイクロメータ厚さの封止手段と同様に、1.5マイクロメータの封止手段を用いても達成されているが、より厚い封止手段が使用され得る。コンタクト手段は、エレクトロルミネセント装置のホルダ／ハウジング及び対電極の間に配置されるバネを含み得る。このバネは、したがって、対電極と直接接触にあり得、そして電流を対電極へ導通させ得る。バネは、例えば、半田付け、レーザ溶接又は超音波溶接などによって、対電極へ装着させられ得る。装着工程は、対電極及び／又はエレクトロルミネセント層スタックの貫通を生じさせ得る。同様に、下にある封止手段は、短絡を防ぎ得る。別の実施例において、バネは、コイン状コンタクト板を対電極へ押圧し得る。このコイン状要素の表面が対電極の一部を貫通し得る場合であっても、下の封止手段がコンタクト手段の表面が基板電極と電気的に接触するのを防ぐので、何の短絡も生じない。別の好ましい実施例において、コンタクト手段は、弧形状バネを含み得る。弧形状バネは、封止手段へ容易に装着され得、コンタクト手段及び対電極の間の接触は、容易に確立される。別の好ましい実施例において、コンタクト手段は、丸い先端部である。コンタクト手段は、この丸い先端部を対電極へ押圧するバネをも含み得る。丸い先端部及び対電極の間における大きな接触領域により、信頼性の高い接触が確立される。

別の実施例において、前記コンタクト手段は、伝導性糊、伝導性ラッカ材、伝導性塗料及び伝導性インクの材料の群のうちの少なくとも１つの材料を含む。コンタクト手段に関する適切な伝導性材料は、伝導性手段としても適用可能な、伝導性平滑化層に関して適切な材料としてすでに開示されている。これらのコンタクト手段は、対電極へ局所的に高い圧力を掛けることなく、例えば、印刷及び／又は塗装工程等を用いて対電極へ適用され得る。したがって、対電極と基板電極との間の短絡はより更に低減されて、リスクはなく、機械的コンタクト手段が上述されるように適用されるべき場合と比較されて、より少ない厚さを用いた封止手段の適用を可能にする。

蒸着されるような通常の対電極は、対電極内にいかなるピンホールもない場合にのみ完全に気密である。対電極は、好ましくは電気メッキ処理により厚化されるのに適され、より好ましくは前記対電極はアルミニウム製である。電気メッキは、対電極の厚さを積極的に増加させるために適した工程であり、例として、マイクロメータの範囲にまでなどである。このような厚い層は、厚化の前に初期対電極においてピンホールが存在する場合であっても、本発明の文脈において拡散バリアとして作用するのに十分であり得る。結果的に存在しているピンホールは、厚さを増加させる電気メッキ工程において閉じられ得る。好ましい実施例において、対電極は、電気メッキに関して適している材料として知られているアルミニウムから作製される。上記の場合、対電極は、反射性であり、したがって、非透明である。対電極を環境から電気的に絶縁するために、追加的な非伝導性無機及び／又は有機層が、対電極を完全に覆うために対電極の上に堆積される必要がある。当業者は、このような追加的な層を準備するために、適切な材料を選択することが可能である。このような層は、コンタクト手段を対電極へ適用する前又は後に追加され得る。コンタクト手段の種類に依存して、コンタクト手段は、後々における電源への電気的接触を確立するために、更なる追加層が無いように維持される必要がある。突出するコンタクト手段の場合、追加層は、コンタクト手段を自由な状態に維持するための追加的な対策をすることなく、対電極の上に堆積され得る。例えば、コンタクト手段は、装着されるワイヤを有するいずれかの伝導性糊であり得る。対電極をコンタクト手段を介して接触させ且つ電源へ配線することが可能であるために、ワイヤに対して追加的な層が無いように維持する必要はない。しかし、このようなエレクトロルミネセント装置は、ボトムエミッティング装置として動作される。

代替的な実施例において、対電極は、エレクトロルミネセント装置の十分な封止を保証し、そして、従来技術の寿命を確保するために、拡散バリア、好ましくは薄膜拡散バリア、を用いて封止される。拡散バリアとして、好ましくは薄膜拡散バリアとして、作用するのに適される１つ又は複数の層は、例えば、ケイ素酸化物及び／又はケイ素窒化物を含む１つの層及び／又は層スタックなどである。当業者は、本発明の範囲内の代替的な材料をも選択し得る。また、薄いゲッタ層は、このような層及び／又は層スタックの拡散バリア特性を更に向上させるために、これらの層スタック間に挟まれ得る。この場合、対電極は、透明又は非透明のいずれでもあり得る。拡散バリアの光学的特性（透明又は非透明）に依存して、エレクトロルミネセント装置は、ボトムエミッティング装置として又はトップエミッティング装置として又は透明エレクトロルミネセント装置としてのいずれかにより動作され得る。生じる封止は、エレクトロルミネセント装置の側面からの信頼性のある密封に加えての、背部からのエレクトロルミネセント装置に関する信頼性のある密封であり、同時にエレクトロルミネセント装置の全体導入深さを低減させる。コンタクト手段の種類に依存して、この場合も、コンタクト手段は、後々における電源への電気的接触を確立するために、堆積された拡散バリアが無いように維持される必要がある。突出するコンタクト手段の場合、拡散バリアは、コンタクト手段を自由な状態に維持するための追加的な対策をすることなく、対電極の上に堆積され得る。例えば、コンタクト手段は、装着されるワイヤを有するいずれかの伝導性糊であり得、対電極をコンタクト手段を介して接触させ且つ電源へ配線することが可能であるために、ワイヤに対して拡散バリアが無いように維持する必要はない。

本発明は、更に、本発明に従うエレクトロルミネセント装置を提供する方法であって、
−基板の上において基板電極を堆積させるステップと、
−前記基板電極の上に封止手段として内側エッジ及び外側エッジを有する閉じられた外形を堆積させるステップと、
−前記エレクトロルミネセント層スタックであって、前記外形の前記内側エッジによって規定され且つ前記外形の前記外側エッジと前記エレクトロルミネセント層スタックの前記エッジとの間における隣接第１ギャップを確立する前記基板電極の上における領域を完全に覆うエレクトロルミネセント層スタックを前記基板電極の上に堆積させるステップと、

前記第１ギャップより小さく且つ前記基板電極から前記対電極を絶縁する、前記外形の前記外側エッジと前記対電極の前記エッジとの間における隣接第２ギャップを確立する、前記エレクトロルミネセント層スタックを完全に覆う対電極を堆積させるステップと、
を含む、方法に関する。

基板電極に関する好ましい堆積技術は、蒸着又はスパッタリングであり、エレクトロルミネセント層スタック及び対電極に関しては、好ましい堆積技術は真空蒸着である。真空蒸着及びスパッタリングは、沈着されるべき材料が蒸着源から基板への直線経路に従うような堆積技術であり、指向性のある堆積を生じさせる。封止手段が急勾配のエッジ又は張り出したエッジを有する場合、シャドー効果が生じ得、このことは、エレクトロルミネセント層スタック及び対電極におけるホール（穴部）を生じさせ得る。この望ましくない効果を防ぐために、封止手段が平滑且つ急勾配でないエッジを有することが好ましい。したがって、本発明は、基板電極におけるシャドーエッジの出現を防ぐ材料特性及び／又は適用工程を含む封止手段も主張する。好ましい実施例において、シャドーエッジの出現を防ぐ材料特性は、粘性、例えば上昇された温度における粘性など、である。好ましくは、粘性は低い。封止手段が流動するのを可能にする粘性を呈する場合、封止手段の平滑な丘状形状を生じさせ得、このことにより、シャドー効果を防ぐ。１つの堆積材料のみが使用される場合に、シャドー効果を生じさせ得る急勾配のエッジを引き起こす材料が封止材料に関して使用される場合、いくつかの堆積源が、異なる方向から基板へ材料を堆積させるのに使用され得る。シャドー効果の出現をさせることなく封止手段を部分的に覆うように、連続的な層堆積を保証するために、堆積中において基板を回転又はそうでない場合移動させることが賢明でもあり得る。封止手段に関して適切な材料は、真空蒸着、スパッタリング、化学蒸着、プラズマ強化化学蒸着、原子層堆積、又は、本発明の範囲内において当業者によって選択される他の処理によって堆積される。封止層に関する例として、Schott社の#8329ガラスが粉末又はペーストの形態でガラス材料として蒸着、スパッタリング、又は塗布され得、その後、オーブンにおいて又はレーザにより又は別の加熱方法により最溶解される。

別の実施例において、前記方法は、更に、前記外形の前記内側エッジを平滑化させるために、前記外形の前記内側エッジを少なくとも覆う平滑化層を、前記基板電極の上に、好ましくは、前記封止手段を堆積させた後に、前記基板電極に並行な方向に前記封止手段の幅よりも小さい幅を有するリム部として前記外形の前記内側エッジにおいて、堆積させるステップを含む。平滑化層を適用することは、シャドー効果を生じさせる封止手段の形状を避ける必要性を防ぐ。封止手段の内側エッジにおいて存在するシャドー効果は、シャドーエッジを生じさせる形状を防ぐ材料特性を有する平滑化層によってならされ得る。封止手段の外側エッジは、特定の形状に対する制限を有さないが、その理由は、封止手段の外側エッジが、エレクトロルミネセント層及び対電極で覆われないからである。

別の実施例において、前記方法は、更に、コンタクト手段を、前記封止手段が前記対電極で事前に少なくとも部分的に覆われた位置において前記封止手段の上に配置するステップを含む。コンタクト手段は、対電極へ局所的に高い圧力を掛けることなく、例えば印刷及び／又は塗装工程を用いて塗布され得る。糊の塗布中において、対電極及び／又は基板電極の間の短絡が展開するというリスクはない。コンタクト手段が対電極を損傷させるような手法でコンタクト手段が適用される場合であっても、封止手段がコンタクト手段又は対電極及び基板電極の間のいかなる直接接触をも防ぎ得るので、短絡のリスクはない。コンタクト手段は、エレクトロルミネセント装置のホルダ／ハウジング及び対電極の間に配置されるバネを含み得る。このバネは、したがって、対電極と直接接触にあり得、そして電流を封止手段から対電極へ導通させ得る。バネは、例えば、半田付け、レーザ溶接又は超音波溶接などによって、対電極へ装着させられ得る。装着工程は、対電極及び／又はエレクトロルミネセント層スタックの貫通を生じさせ得る。同様に、下にある封止手段は、短絡を防ぎ得る。別の実施例において、バネは、コイン状コンタクト板を対電極へ押圧し得る。このコイン状要素の表面が完全にフラットでなくあり得るが、対電極の一部を貫通する場合、下の封止手段がコンタクト手段の表面が基板電極と電気的に接触するのを防ぐので、何の短絡も生じない。別の好ましい実施例において、コンタクト手段は、弧形状バネを含み得る。弧形状バネは、封止手段へ容易に装着され得、コンタクト手段及び対電極の間の接触は、容易に確立される。別の好ましい実施例において、コンタクト手段は、丸い先端部である。コンタクト手段は、この丸い先端部を対電極へ押圧するバネをも含み得る。丸い先端部及び対電極の間における大きな接触領域により、信頼性の高い接触が確立される。この種類の、対電極を接触させる方法は、短絡のリスクを低減させることによって標準的なＯＬＥＤの平均寿命を達成する三次元接触スキームが適用されるという有利な点を有する。コンタクト手段に関して何の特別な考慮もされる必要はない。

別の実施例において、前記方法は、更に、前記対電極を厚化させることによって、又は、前記対電極の上に追加的な拡散バリアを適用することによって、対電極の封止特性を強化させるステップを含む。例として、電気メッキ処理が、好ましくはアルミニウム製の対電極を厚化させるために適用され得、又は拡散を防ぐのに適した追加的な層が対電極の上に適用され得る。

本発明は、更に、基板電極の上に配置されるエレクトロルミネセント層スタックを規定する、閉じられた外形であって、前記エレクトロルミネセント層の側部に関する封止手段として作用するための、前記基板電極を前記エレクトロルミネセント層スタックの上の対電極から絶縁するための、及び、前記閉じられた外形の上のコンタクト手段と前記対電極を接触させることを可能にするための、閉じられた外形の使用にも関する。

本発明は、更に、本発明に従うエレクトロルミネセント装置における前記基板電極として使用されるべき１つの隣接電極(contiguous electrode)、及び、閉じられた外形として前記基板電極において配置される非電気伝導性封止手段、によって覆われる基板にも関する。隣接電極は、いかなる電極をも示すように構造化されず、この場合、基板電極であるべき電極で覆われる基板領域は、封止手段によって覆われる有機エレクトロルミネセント装置の基板領域の封止化された領域内における基板へ第２伝導性領域を提供するように適合されず、第２導電性領域は基板電極へ電気的に絶縁される。
The contiguous electrode is not structured denoting any electrode, where the substrate area is not adapted to apply a second conductive area onto the substrate within the encapsulated area of the substrate area of an organic electroluminescent device covered by an encapsulation means, which is electrically isolated to the substrate electrode.

エレクトロルミネセント装置に関して記載される特徴及び詳細は、上述の方法へも適用され得、逆もあり得る。上述のエレクトロルミネセント装置及び／又は方法、並びに主張されるコンポーネント及び記載される実施例において本発明に従い使用されるべきコンポーネントは、サイズ、形状、材料及び選択に関していかなる特別な例外にも影響を受けない。選択規準が関連する技術分野において知られているような技術的着想は、制限を有することなく適用され得る。本発明の目的の追加的な詳細、特徴及び有利な点は、従属項及び対応する図面の以下の説明に開示され、これらは、例示的のみの形式であり、本発明に従うエレクトロルミネセント装置の複数の実施例を示す。

図１は、側面図における本発明に従うエレクトロルミネセント装置である。 図２は、上面図における本発明に従うエレクトロルミネセント装置である。 図３は、リム部として平滑化層を有する、図１のエレクトロルミネセント装置である。 図４ａは、図１のエレクトロルミネセント装置の製造ステップにおける、基板における基板電極を示す。 図４ｂは、図１のエレクトロルミネセント装置の製造ステップにおける、閉じられた外形として封止手段を適用した後、を示す。 図４ｃは、図１のエレクトロルミネセント装置の製造ステップにおける、エレクトロルミネセント層スタックを適用した後、を示す。 図４ｄは、図１のエレクトロルミネセント装置の製造ステップにおける、接触される電極を有するエレクトロルミネセント装置、を示す。 図５ａは、厚化された対電極を有する、図１のエレクトロルミネセント装置を示す。 図５ｂは、対電極の上に追加的な拡散バリアを有する、図１のエレクトロルミネセント装置を示す。

図１において、本発明に従うエレクトロルミネセント装置１０が示される。エレクトロルミネセント装置は、基板２０、基板電極３０、対電極４０、及びこの例及び以下の例においてエレクトロルミネセント層スタックとしての有機エレクトロルミネセント層５０を含む。有機エレクトロルミネセント層５０は、基板電極３０及び対電極４０の間に配置され、層スタックを形成する。この層スタックは、基板２０の上に配置される。示される実施例において、基板電極３０は、透明且つ伝導性材料である約100nm厚さ層のＩＴＯによって形成される。この基板電極３０の上へ、有機エレクトロルミネセント層５０が堆積される。電圧が基板電極３０及びカウンタ電極４０間に印加される場合、有機エレクトロルミネセント層５０内の有機分子のいくつかは励起され、エレクトロルミネセント層５０によって発される人工光の放射を生じさせる。カウンタ電極４０は、アルミニウムの層によって形成され、基板電極３０及び基板２０を通じて人工光を反射させる鏡として作用する。光を周囲に放射するために、この実施例における基板２０は、ガラス製である。したがって、図１に従うエレクトロルミネセント装置は、ボトムエミッティングＯＬＥＤである。この図面に示されるエレクトロルミネセント装置１０及びそのコンポーネント並びに本発明に従い使用されるコンポーネントは、実際の縮尺通りには示されていない。特に、電極３０・４０、有機エレクトロルミネセント層５０及び基板２０の厚さは、縮尺通りではない。全ての図面は、単に本発明を明確にするために作用する。

図１において確認され得るように、封止手段７０は、基板電極３０の上において内側エッジ７０１及び外側エッジ７０２を有する閉じられた外形（参照として閉じられた外形に関して図２参照）として構成される。有機エレクトロルミネセント層５０を覆う封止手段７０及びカウンタ電極４０は、エレクトロルミネセント装置１０に関する側部封止部７３を構築し、この場合、対電極４０は、有機エレクトロルミネセント層５０を完全に覆い、これにより、対電極４０のエッジと封止手段７０の閉じられた外形の外側エッジとの間における隣接する第２のギャップ（contiguous second gap）７２を確立する。カウンタ電極４０及び基板電極３０間において何の直接接触もなく、封止手段は電気的に非伝導性材料で作製されているので、電極３０・４０の両方は、互いに絶縁されている。有機エレクトロルミネセント層５０は、閉じられた外形内において基板電極３０を完全に覆い、且つ、部分的に封止手段７０の上に延在し、これにより、有機エレクトロルミネセント層５０のエッジと封止手段７０の閉じられた外形の外側エッジ７０２との間において隣接する第１のギャップ（contiguous first gap）７１を形成する。エレクトロルミネセント層スタックによって完全に覆われる基板電極は、封止手段７０の閉じられた外形の内側エッジによって規定される内側領域内において基板電極３０とのカウンタ電極４０の直接接触を防ぐようにすることを必要とされる。封止手段７０及び封止手段７０の上にある対電極４０を含む側部封止部７３は、周辺環境が有機エレクトロルミネセント層５０又は２つの電極３０・４０のいずれかを損傷させるのを防ぐために密封である必要がある。100nmを超える厚さを有する対電極４０は、対電極４０が、酸素及び／又は水をエレクトロルミネセント層スタック５０と接触させるようにしてしまうピンホール又は他の層欠陥を有することなく用意される場合、エレクトロルミネセント装置の背部における周囲環境に対する十分な拡散バリアとして作用し得る。真空蒸着処理によって用意される対電極がピンホールを有する場合、対電極は、全てのピンホールが閉じられるのに十分であるように厚化される必要がある。このことは、対電極が10μmより厚い場合は、通例のことである。示されるエレクトロルミネセント装置１０は、ゲッタ又はカバー蓋をもはや必要とせず、これにより、必要とされるコンポーネントの数を、及びしたがって、製造コストを低減させる。同時に、全体導入深さは、カバー蓋を有する従来技術のＯＬＥＤと比較されると、低減され得る。

動作電圧をエレクトロルミネセント装置１０へ印加するために、基板電極３０は、電気接続部９２を介して電源（図示されず）へ接続される。更に、エレクトロルミネセント装置１０は、電源への対電極４０を電気的に接続するための、少なくとも１つのコンタクト手段６０を含む。コンタクト手段６０は、したがって、対電極４０から通ずる経路９３の一部である。知られている従来技術において、コンタクトポストは、コンタクト手段であり、対電極４０へ提供される。このようなコンタクトポストは、対電極へ機械的に適用され、多く場合、対電極４０と基板電極３０の間の短絡を生じさせるという不利な点を有する。この不利な点を克服するために、本発明は、コンタクト手段６０は、対電極４０のある領域において適用され、この場合、保護層は、完全に対電極の接触領域の下において位置されることを開示する。この保護層は、封止手段７０によって設けられている。封止手段７０によって覆われるコンタクト手段６０の下の基板電極３０の領域（保護領域）は、コンタクト手段６０と接触している対電極４０の領域（コンタクト領域）を超えている。コンタクト手段６０の１つの例として、伝導性の糊のドットが図１の左手側において示され、この場合、ワイヤ９３が付着されている。ワイヤは、前記電源へ接続され得る。コンタクト手段の別の例は、図１の右手側に示され、この場合、丸い金属先端部が伝導性糊のドットへ押圧され、ワイヤ９３を介して電源へ接続されている。当業者は、他のコンタクト手段などを選択し得る。伝導性糊は、対電極４０へ穏やかな手法で塗布され得る。コンタクト手段６０が、先端部（体）、バネ又は対電極４０及び有機エレクトロルミネセント層５０を貫通するようなものなどの機械的手段として設けられる場合であっても、何の短絡も存在し得ず、その理由は、封止手段の材料は、基板電極３０がコンタクト手段及び／又は対電極４０の一部と接触することを防ぐのに十分に固い及び／又は十分に厚いからである。

図２は、図１に従うエレクトロルミネセント装置１０の背部における上面図を示す。したがって、図の表示のほとんどは、対電極のエッジと封止手段７０の外形の外側エッジ７０２の間における隣接する第２のギャップ７２を規定する、封止手段を部分的に覆う対電極４０へ向けられる。基板電極３０は、基板電極３０の容易な接触を可能にするために、封止手段及び対電極の領域にわたり延在する。この例において、基板２０の領域は、基板電極の領域を更に超え、この領域は、代替的な実施例においても等しくあり得る。図２において、単一のコンタクト手段６０は、封止手段７０（ここでは部分的にのみ見られる）の領域の上に位置される対電極４０へ適用される。伝導経路９３は、対電極の電源への接続を確立する。電流は、基板電極３０から有機エレクトロルミネセント層５０を通じて対電極４０へ流れる必要があり、最終的にはコンタクト手段６０を通じて電源へ戻る。基板電極３０及び／又は対電極４０のような金属の非常に薄い層の抵抗値は高いので、エレクトロルミネセント装置１０による人工光のより均一な生成を生じさせる対電極領域にわたるより均一な電流分布を達成するために、１つより多くのコンタクト手段６０を使用することが適切であり得る。改善された電流分布の例は、各側部の中央に配置される又は対電極の４つの角に配置される４つのコンタクト手段であり得る。

全ての図面において、電極３０・４０の接続部９２・９３は、基板電極３０又はコンタクト手段６０へ付着されるワイヤの形態を有する。このことは、電極３０・４０を電源と接続する可能性を単に表す(symbolize)。明らかに、接続部９２・９３の示される実施例は、このような接続部９２・９３の単なる例示的な設計例である。電極３０・４０を電源へ接続するために、当業者に知られる他の構成も使用され得る。

図３は、図１に示されるエレクトロルミネセント装置１０に、基板電極３０及び封止手段７０の閉じられた外形を部分的に覆う追加的平滑化層８０を有する実施例を示す。平滑化層は、基板電極３０に上における層５０・４０の堆積中におけるシャドーエッジの出現を防ぐために、結果的に存在する急激な内側エッジ７０１を平滑化させる。平滑化層８０は、封止手段７０の外形を部分的に覆う、好ましくは封止手段７０の外形の内側エッジ７０１の周りの小さい領域のみを覆う、基板電極３０の上にあるリム部として配置される。閉じられた外形内の領域の大半は、平滑化層８０によって覆われない。ここで、平滑化層８０は、伝導性又は非伝導性のいずれかで有り得る。後者の場合、平滑化層で覆われる領域の黒い外見を生じさせるような平滑化層８０によって覆われる基板電極の領域からエレクトロルミネセント装置への電荷注入は存在し得ない。しかし、非伝導性平滑化層８０の材料が透明である場合、基板及び／又はエレクトロルミネセント層スタックを用いてトラップされる光であって、エレクトロルミネセント装置から発されるべき光を散乱させるために、この材料へ散乱粒子を追加することは可能である。図３における例として、右側におけるコンタクト手段は、電気的コンタクトを確立するために、対電極のピン貫通部分として構成される。

図４は、概略的に、本発明に従うエレクトロルミネセント装置の製造工程を示す。始めに、基板２０は、エレクトロルミネセント装置１０における基板電極３０として作用されるべき隣接電極によって覆われる。従来技術の基板に関して、ガラス基板は、スパッタリングによって準備される透明ＩＴＯ層で覆われる。以下のステップにおいて、封止手段７０は、閉じられた外形として基板電極３０の上に堆積され、これにより、発光領域を、閉じられた外形内部における領域へ制限する。外形は、エレクトロルミネセント装置１０の十分な側部封止を提供するために、好ましくは、0.5mm、より好ましくは1.0mm、更により好ましくは2.0mm、の基板電極３０に対して並行な幅を有する。封止手段に関して使用される材料に依存して、適用方法は変わる。ガラス原料は、ペーストを得るためにアルコールなどの液体と混合され、このペーストは基板へのスクリーン印刷技術によって塗布され得る。乾燥の後に、ガラス原料は、レーザビームによって急速に焼結される。金属層は、閉じられた外形を得るために蒸着又はスパッタリングされ、そして、上部に密度の高い絶縁酸化層を得るために陽極酸化される。適切な金属は、Al、Zr、Tiを含む。真空密封材は、例えばスクリーン印刷などによって塗布され、そして層をキュアするために約300℃で最大1時間焼かれる。封止手段の内側リム部における平滑化層は、例えば２つの合成材の糊などからなる薄いリム部の形態で適用され、この糊は、糊の種類に依存して、100℃と200℃との間における温度でキュアされる。

次のステップにおいて、エレクトロルミネセント層スタック５０は、基板電極３０の上に、及び、部分的に封止手段７０の上に堆積され、これにより、第１のギャップ７１を形成する。ギャップのサイズは、エレクトロルミネセント層スタック５０による基板電極３０の完全な被覆を保証するために、外形７０の幅より小さくなければならない。しかし、第１のギャップは、ステップ（ｄ）においてエレクトロルミネセント層へ堆積される対電極によるエレクトロルミネセント層の完全な被覆を可能にするために十分に大きくある必要がある。第１のギャップ７１よりも小さい生じる第２のギャップ７２は、外形７０の外側エッジ７０２に対する、基板電極３０と対電極４０の間の十分な電気的絶縁を得るために十分に大きくなければならない。対電極４０を堆積させた後に、電極は、コンタクト手段６０及び伝導経路９２・９３を介して電源へ接続され得る。示される電気的接続は、電気的接続の単なる１つの可能な実施例のみである。側部封止７０を有するエレクトロルミネセント装置１０は、代替的に、基板２０の上に電極を２つの分離した領域へ従来的に構築することによって電源と接続され得、分離した領域の１つは基板電極として作用し、他方は伝導性の薄膜ストライプを用いて対電極４０に関する伝導領域として作用し、封止手段７０両端において対電極と第２コンタクト領域との間におけるギャップを局所的にブリッジする。

従来技術に従うと、有機層及び対電極は、真空蒸着によって堆積される。

図５は、エレクトロルミネセント装置の背部において強化された封止を有する、本発明に従うエレクトロルミネセント装置１０の２つの実施例を示す。実施例において、対電極の厚さは、強力に増加される。このことは、対電極の堆積工程の堆積時間を増加させる及び／又は堆積率を増加させることによって、又は、電極メッキ処理によって、のいずれかによって、達成され得、これにより、厚化された対電極１００を生じさせる。エレクトロルミネセント装置の背部における封止を強化させる代替的な実施例は、実施例（ｂ）に示され、この場合、追加的な拡散バリア１１０は、対電極４０の上に適用される。これらの拡散バリアは、これらの拡散バリアを通じた酸素及び／又は水の拡散を防ぐ単一の層または層スタックで有り得る。当業者は、本発明の範囲内において適切な拡散バリアを選択し得る。

対電極を電源へ接触させるコンタクト手段は、適用される強化処理に依存して、（（ｂ）の場合のような）背部から封止を強化する前に、又は、（（ａ）の場合のような）背部から封止を強化した後に、適用され得る。

記載される実施例は、例として、層スタック内において、有機エレクトロルミネセント層５０を含む。本発明の範囲内における代替的な実施例において、エレクトロルミネセント層スタックは、例えば、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子ブロック層、電荷注入層、及び更なる伝導層などの、有機エレクトロルミネセント層５０に対する追加的な層を含み得る。

参照符号
10 エレクトロルミネセント装置
20 基板
30 基板電極
40 対電極
50 エレクトロルミネセント層スタック、ここでは有機エレクトロルミネセント層
60 コンタクト手段
70 封止手段
701 封止手段としての外形の内側エッジ
702 封止手段としての外形の外側エッジ
71 第１のギャップ
72 第２のギャップ
73 側部封止部
80 リム部としての平滑化層
92 電気的接続基板電極−電源
93 電気的接続対電極−電源
100 厚化対電極
110 拡散バリア

Claims (15)

1. エレクトロルミネセント装置であって、
   −基板と、前記基板の上における基板電極と、対電極と、前記基板及び対電極間に配置される、光を発するための少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層を有するエレクトロルミネセント層スタックと、
   −前記エレクトロルミネセント層スタックを枠で囲む、内側エッジ及び外側エッジを有する閉じられた外形として、前記基板電極に配置される電気的に非伝導性の封止手段と、
   を含み、
   前記エレクトロルミネセント層スタックは、前記外形の前記内側エッジによって規定され且つ前記外形の前記外側エッジと前記エレクトロルミネセント層スタックの前記エッジとの間における隣接第１ギャップを確立する前記基板電極の上における領域を少なくとも完全に覆い、
   前記対電極は、前記第１ギャップより小さく且つ前記基板電極から前記対電極を絶縁するのに十分に大きい、前記外形の前記外側エッジと前記対電極の前記エッジとの間における隣接第２ギャップを確立する前記エレクトロルミネセント層スタックを完全に覆い、
   前記封止手段は、前記エレクトロルミネセント層スタックの側部封止を提供するために拡散バリア層として作用するのに適した、
   エレクトロルミネセント装置。
2. 請求項１に記載のエレクトロルミネセント装置において、前記封止手段は、SiO、SiO₂、TiO₂、好ましくはSiNである窒化物、好ましくはCaF₂であるフッ化物、ガラス、再溶解ガラス原料、UHVラッカ材、好ましくは陽極酸化アルミニウムである金属酸化物、の材料の群のうちの少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする、エレクトロルミネセント装置。
3. 請求項１又は２に記載のエレクトロルミネセント装置において、前記外形の前記内側エッジを平滑化させるために、前記外形の前記内側エッジを少なくとも覆う平滑化層が、前記基板電極の上に配置されることを特徴とする、エレクトロルミネセント装置。
4. 請求項３に記載のエレクトロルミネセント装置において、前記平滑化層は、前記基板電極に並行な方向に前記封止手段の幅よりも小さい幅を有するリム部として前記外形の前記内側エッジにおいて配置されることを特徴とする、エレクトロルミネセント装置。
5. 請求項３又は４に記載のエレクトロルミネセント装置において、前記平滑化層は、糊、ポリマ、ラッカ材、塗料及びインクの材料の群のうちの、好ましくは非電気伝導性である、少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする、エレクトロルミネセント装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント装置において、少なくとも１つのコンタクト手段は、前記対電極と電源との間の電気的接続を確立するために、前記封止手段が前記対電極で少なくとも部分的に覆われる位置において前記封止手段の上に配置されることを特徴とする、エレクトロルミネセント装置。
7. 請求項６に記載のエレクトロルミネセント装置において、前記コンタクト手段は、伝導性糊、伝導性ラッカ材、伝導性塗料及び伝導性インクの材料の群のうちの少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする、エレクトロルミネセント装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント装置において、前記対電極は、好ましくは電気メッキ処理により厚化されるのに適され、より好ましくは前記対電極はアルミニウム製であることを特徴とするエレクトロルミネセント装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント装置において、前記対電極は、拡散バリア、好ましくは薄膜拡散バリア、を用いて封止されることを特徴とするエレクトロルミネセント装置。
10. 請求項１に記載のエレクトロルミネセント装置を提供する方法であって、
    −基板の上において基板電極を堆積させるステップと、
    −前記基板電極の上に封止手段として内側エッジ及び外側エッジを有する閉じられた外形を堆積させるステップと、
    −エレクトロルミネセント層スタックであって、前記外形の前記内側エッジによって規定され且つ前記外形の前記外側エッジと前記エレクトロルミネセント層スタックの前記エッジとの間における隣接第１ギャップを確立する前記基板電極の上における領域を完全に覆うエレクトロルミネセント層スタックを、前記基板電極の上に堆積させるステップと、
    −前記第１ギャップより小さく且つ前記基板電極から前記対電極を絶縁する、前記外形の前記外側エッジと前記対電極の前記エッジとの間における隣接第２ギャップを確立する、前記エレクトロルミネセント層スタックを完全に覆う対電極を堆積させるステップと、
    を含む、方法。
11. 請求項１０に記載の方法において、当該方法が、更に、前記外形の前記内側エッジを平滑化させるために、前記外形の前記内側エッジを少なくとも覆う平滑化層を、好ましくは、前記封止手段を堆積させた後に、前記基板電極に並行な方向に前記封止手段の幅よりも小さい幅を有するリム部として前記外形の前記内側エッジにおいて、前記基板電極の上に堆積させるステップを含むことを特徴とする、方法。
12. 請求項１０又は１１に記載の方法であって、更に、コンタクト手段を、前記封止手段が前記対電極で事前に少なくとも部分的に覆われた位置において前記封止手段の上に適用するステップを含む、エレクトロルミネセント装置。
13. 請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の方法であって、更に、前記対電極を厚化させることによって、又は、前記対電極の上に追加的な拡散バリアを適用することによって、対電極の封止特性を強化させるステップを含む、方法。
14. 基板の上における前記基板電極に配置され、前記基板電極の上に配置されるエレクトロルミネセント層スタックを枠で囲む閉じられた外形であって、前記エレクトロルミネセント層の側部に関する封止手段として作用するための、前記基板電極を前記エレクトロルミネセント層スタックの上の対電極から絶縁するための、及び、当該閉じられた外形の上のコンタクト手段と前記対電極を接触させるのを可能にするための閉じられた外形の使用。
15. 請求項１に記載のエレクトロルミネセント装置における前記基板電極として使用されるべき１つの隣接電極、及び、閉じられた外形として前記基板電極において配置される非電気伝導性封止手段、によって覆われる基板。

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