JP2012234880A - 素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージの使用時に、配線基板および配線基板が載置される基体の熱膨張および収縮に起因してリード端子が入出力端子および配線基板から剥離しないようにした素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】上面に半導体素子３が載置される載置領域を有する基体５と、第１の絶縁部材１３および第１の絶縁部材１３の上面に配設された第１の配線導体１５を有した入出力端子９と、第２の絶縁部材１７および該第２の絶縁部材１７の上面に配設された第２の配線導体１９を有した配線基板１１と、入出力端子９および配線基板１１の間に位置して第１の配線導体１５および第２の配線導体１９に接続された接続配線２１とを備えた素子収納用パッケージ１であって、接続配線２１が、それぞれ第１の配線導体１５および第２の配線導体１９に接続された複数の直線形状のリード配線２３からなる構成とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＤ（レーザダイオード）、ＰＤ（フォトダイオード）に代表される半導体素子を収納する素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置に関する。

半導体素子を収納する素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう。）としては、例えば、特許文献１に記載されたパッケージが知られている。特許文献１に記載されたパッケージは、このパッケージ内に載置される半導体素子および外部電気回路基板を電気的に接続するための入出力端子を備えている。入出力端子と半導体素子とは、ワイヤによって電気的に接続されている。

特開２００４−３４９５６８号公報

入出力端子およびワイヤのようなリード端子を介して半導体素子に高周波信号を伝送する場合、リード端子において信号を伝送する際にノイズ成分が加わって伝送特性が低下する。そこで、半導体素子と入出力端子との間に配線基板を配設して、リード端子による接続距離を短くする方法が考えられる。配線基板を配設することによってリード端子による接続距離を短くすることができる。

近年、例えば数百ＧＨｚ帯の周波数成分といったような、より高い周波数成分での信号を伝送することが求められている。そのため、リード端子による接続距離をさらに短くすることが求められる。リード端子を直線形状のものとすることによって接続距離をさらに短くすることができるが、安定して信号を伝送することが困難となる可能性がある。これは、以下の理由による。

パッケージの使用時において、配線基板および配線基板が載置される基体の熱膨張および収縮に起因してリード端子に圧力が加わる。リード端子を単に直線形状のものとした場合、リード端子が変形しにくくなるので、リード端子と入出力端子および配線基板との接合部分に応力が集中しやすくなる。そのため、リード端子が入出力端子および配線基板から剥離する可能性が生じるからである。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、より高い周波数成分での信号であっても安定して信号を伝送することが可能な素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置領域を有する基体と、基体の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体と、第１の絶縁部材および第１の絶縁部材の上面に配設された第１の配線導体を有した、枠体の開口部に挿入された入出力端子と、第２の絶縁部材および該第２の絶縁部材の上面に配設された第２の配線導体を有した、基体の上面であって載置領域と入出力端子との間に位置する配線基板と、入出力端子および配線基板の間に位置して第１の配線導体および第２の配線導体に接続された接続配線とを備
えている。接続配線が、それぞれ第１の配線導体および第２の配線導体に接続された複数のリード配線からなる。そして、複数のリード配線は、その両端に位置して第１の配線導体または第２の配線導体にそれぞれ接続された接続部位と、接続部位間に位置して第１の配線導体および第２の配線導体を電気的に接続する直線形状の配線部位とを有していることを特徴とする。

本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージにおいては、接続配線が、それぞれ第１の配線導体および第２の配線導体に接続された複数のリード配線からなり、複数のリード配線が、その両端に位置して第１の配線導体または第２の配線導体にそれぞれ接続された接続部位と、接続部位間に位置して第１の配線導体および第２の配線導体を電気的に接続する直線形状の配線部位とを有している。そのため、接続配線による接続距離を短くすることができるので、信号の伝送特性を良好なものとすることができる。さらに、接続部位を単に直線形状のものとするのではなく、複数のリード配線からなるものとしているので、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。

第１の実施形態にかかる素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置を示す分解斜視図である。 図１に示す素子収納用パッケージの平面図である。 図２に示す素子収納用パッケージの領域Ａを示す拡大平面図である。 （ａ）は、図１に示す素子収納用パッケージにおけるリード配線を示す斜視図である。（ｂ）は、図４（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。（ｃ）は、図４（ａ）におけるＹ−Ｙ断面図である。 第２の実施形態にかかる素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置を示す分解斜視図である。 図５に示す素子収納用パッケージの平面図である。 図６に示す素子収納用パッケージの領域Ｂを示す拡大平面図である。

以下、各実施形態にかかる素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）およびこれを備えた半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係る素子収納用パッケージは、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。

図１〜３に示すように、本実施形態にかかる素子収納用パッケージ１は、上面に半導体素子３が載置される載置領域を有する基体５と、基体５の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体７と、枠体７の開口部に挿入された入出力端子９と、基体５の上面であって載置領域と入出力端子９との間に位置する配線基板１１と、入出力端子９および配線基板１１の間に位置する接続配線２１とを備えている。

入出力端子９は、第１の絶縁部材１３および第１の絶縁部材１３の上面に配設された第１の配線導体１５を有している。配線基板１１は、第２の絶縁部材１７および第２の絶縁部材１７の上面に配設された第２の配線導体１９を有している。接続配線２１は、それぞれ第１の配線導体１５および第２の配線導体１９に接続された複数のリード配線２３から
なり、第１の配線導体１５および第２の配線導体１９に接続されている。

そして、図４に示すように、複数のリード配線２３のそれぞれが、その両端に位置して第１の配線導体１５または第２の配線導体１９にそれぞれ接続された接続部位２３ａと、接続部位２３ａ間に位置して第１の配線導体１５および第２の配線導体１９を電気的に接続する直線形状の配線部位２３ｂとを有している。

本実施形態のパッケージ１においては、複数のリード配線２３のそれぞれが、その両端に位置して第１の配線導体１５または第２の配線導体１９にそれぞれ接続された接続部位２３ａと、接続部位２３ａ間に位置して第１の配線導体１５および第２の配線導体１９を電気的に接続する直線形状の配線部位２３ｂとを有していることから、接続配線２１による接続距離を短くすることができるので、信号の伝送特性を良好なものとすることができる。さらに、接続配線２１を単に直線形状のものとするのではなく、複数のリード配線２３からなるものとしているので、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線２１を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。

本実施形態における基体５は、四角板形状であって、上面に半導体素子３が載置される載置領域を有している。なお、本実施形態において載置領域とは、基体５を平面視した場合に半導体素子３と重なり合う領域を意味している。

本実施形態においては載置領域が主面の中央部に形成されているが、半導体素子３が載置される領域を載置領域としていることから、例えば、基体５の上面の端部に載置領域が形成されていても何ら問題ない。また、本実施形態のパッケージにおける基体５は一つの載置領域を有しているが、基体５が複数の載置領域を有し、それぞれの載置領域に半導体素子３が載置されていてもよい。

基体５の上面における載置領域には半導体素子３が配設されている。入出力端子９などを介して半導体素子３と外部配線（不図示）との間で信号の入出力を行うことができる。このように、基体５の上面には半導体素子３が配設されることから、基体５としては、少なくとも半導体素子３が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。本実施形態にかかる基体５は、複数の絶縁性部材を積層することにより作製される。そして、この基体５の載置領域に半導体素子３が配設される。絶縁性部材としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。

これらのガラス粉末およびセラミック粉末を含有する原料粉末、有機溶剤並びにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。この混合部材をシート状に成形することにより複数のセラミックグリーンシートを作製する。作製された複数のセラミックグリーンシートを積層することにより複数の積層体を作製する。複数の積層体をそれぞれ約１６００度の温度で一体焼成することにより基体５が作製される。

なお、基体５としては、複数の絶縁性部材が積層された構成に限られるものではない。一つの絶縁性部材により基体５が構成されていてもよい。また、基体５として、少なくとも半導体素子３が配設される部分に高い絶縁性を有していることが求められることから、例えば、金属部材上に絶縁性部材を積層した構成としてもよい。特に、基体５に対して高い放熱性が求められる場合、基体５が上記の構成であることが好ましい。金属部材は高い放熱性を有しているからである。金属部材上に絶縁性部材を積層した構成とすることで、基体５の放熱性を高めることができる。

金属部材としては、具体的には、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって基体５を構成する金属部材を作製することができる。

また、上述のように基体５としては、少なくとも半導体素子３が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められることから、本実施形態のパッケージ１のように、基体５が、載置領域上に配設された、半導体素子３を載置するための載置基板２５を備えていることが好ましい。半導体素子３と配線基板１１との高さのずれを小さくすることができるので、これらの電気的な接続を容易に行うことができるからである。

載置基板２５としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。

本実施形態のパッケージ１は、基体５の上面であって載置領域を囲むように配設された枠体７を備えている。枠体７は、内周面および外周面に開口する開口部を有している。本実施形態における開口部は入出力端子９を挿入するために枠体７に形成されたものである。そのため、本実施形態における開口部のように、枠体７の内周面および外周面に開口する凹部を枠体７の下面側に形成するとともに、この凹部および基体５の上面によって貫通孔を形成して、開口部としてもよい。また、枠体７に、この枠体７の内周面および外周面に開口する貫通孔を形成して、開口部としてもよい。貫通孔は、例えばドリル孔あけ加工によって枠体７に形成することができる。

枠体７としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって枠体７を構成する金属部材を作製することができる。また、枠体７としてセラミック部材を用いてもよい。また、枠体７は、一つの部材からなっていてもよいが、複数の部材の積層構造であってもよい。

なお、金属部材からなる枠体７を備えている場合、この枠体７と第１の配線導体１５との絶縁性を確保するため、枠体７の開口部内において第１の配線導体１５と枠体７との間に絶縁性の部材が配設されていることが好ましい。

本実施形態の素子収納用パッケージ１は、基体５および枠体７の間に位置して、基体５および枠体７を接合する接合部材（不図示）を備えている。接合部材としては、例えばロウ材を用いることができる。例示的なロウ材としては、銀ロウが挙げられる。

本実施形態のパッケージ１における枠体７の開口部には、入出力端子９が挿入固定されている。入出力端子９は、第１の絶縁部材１３および第１の絶縁部材１３の上面に配設された第１の配線導体１５を有している。本実施形態における入出力端子９は、第１の配線導体１５を複数有している。複数の第１の配線導体１５は、それぞれ枠体７で囲まれた領域の内側から外側にかけて位置している。これにより、枠体７で囲まれた領域の内側と外側との間で電気的な接続を図ることができる。これら複数の第１の配線導体１５は、互いに電気的に短絡することの無いように所定の間隔をあけて配設されている。

第１の絶縁部材１３としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、
窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。

第１の配線導体１５としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料を第１の配線導体１５として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。

また、本実施形態における入出力端子９は、第１の配線導体１５を間に挟むように第１の絶縁部材１３の上面に配設された一対の接地導体２７を有している。このように第１の配線導体１５および一対の接地導体２７が配設されていることによって、第１の配線導体１５をコプレナー導体として用いることができる。

入出力端子９における第１の配線導体１５および一対の接地導体２７の間の間隔としては、第１の配線導体１５および一対の接地導体２７における電気的な短絡を抑制しつつも信号のノイズ成分を抑制するため、０．３〜１．５ｍｍ程度であることが好ましい。

第１の配線導体１５は、接続配線２１などを介して外部配線（不図示）と半導体素子３とを電気的に接続するための部材である。そのため、本実施形態における第１の配線導体１５は基板の主面上のみに配設されているが、特にこれに限られるものではない。例えば、第１の配線導体１５の一部が第１の絶縁部材１３に埋設されていてもよい。

特に、第１の配線導体１５の一部が第１の絶縁部材１３に埋設されている場合、この埋設されている部分においては、複数の第１の配線導体１５の間に絶縁性の部材からなる第１の絶縁部材１３が存在することとなる。そのため、複数の第１の配線導体１５の間における絶縁性を高めることができる。また、第１の配線導体１５の一部が第１の絶縁部材１３に埋設されている場合、入出力端子９の側面から第１の配線導体１５を引き出して、この入出力端子９の側面において露出している部分でリード端子２９と電気的に接続してもよい。

リード端子２９としては、第１の配線導体１５と同様に導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料をリード端子２９として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。

また、本実施形態のパッケージ１は、基体５の上面であって載置領域と入出力端子９との間に位置する配線基板１１を備えている。配線基板１１は、第２の絶縁部材１７および該第２の絶縁部材１７の上面に配設された第２の配線導体１９を有している。第２の配線導体１９は、半導体素子３と入出力端子９における第１の配線導体１５とを電気的に接続するための部材である。

第２の絶縁部材１７としては、基体５を構成する絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。第２の絶縁部材１７の例示的な大きさは、平面視した場合の一辺が約１〜１０ｍｍ程度であって、厚みが０．１〜５ｍｍ程度の四角板形状の部材である。

第２の配線導体１９としては、第１の配線導体１５と同様に導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金
のような金属材料を第２の配線導体１９として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。

本実施形態のパッケージ１は、入出力端子９および配線基板１１の間に位置する接続配線２１を備えている。接続配線２１は、それぞれ第１の配線導体１５および第２の配線導体１９に接続された複数のリード配線２３からなり、第１の配線導体１５および第２の配線導体１９に接続されている。リード配線２３はロウ材のような接合部材を介して第１の配線導体１５および第２の配線導体１９にそれぞれ接合される。

また、複数のリード配線２３のそれぞれが、その両端に位置して第１の配線導体１５または第２の配線導体１９にそれぞれ接続された接続部位２３ａと、接続部位２３ａ間に位置して第１の配線導体１５および第２の配線導体１９を電気的に接続する直線形状の配線部位２３ｂとを有している。

本実施形態のパッケージ１においては、リード配線２３が直線形状の配線部位２３ｂを有していることから、上述の通り、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線２１を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。

なお、本実施形態のパッケージ１における直線形状の配線部位２３ｂとは、従来のワイヤーボンディングのようなループ形状ではなく、下記のように直線状に延伸された構成を意味する。すなわち、配線部位２３ｂにおける接続部位２３ａに接続された部分の高さと配線部位２３ｂにおける最も高い箇所での高さとの差で示される、いわゆるループ高さが、配線部位２３ｂの厚み以下である構成を意味する。例えば、配線部位２３ｂの厚みが０．０３ｍｍである場合、ループ高さが０．０３ｍｍ以下である。

本実施形態のパッケージ１における配線導体は３本のリード配線２３を有しているがこれに限られるものではない。接続配線２１が複数のリード配線２３を有していればよいことから、２本のリード配線２３を有した構成、あるいは、４本以上のリード配線２３を有した構成であっても何ら問題ない。

リード配線２３としては、第１の配線導体１５と同様に導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料をリード配線２３として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。

本実施形態のパッケージ１におけるリード配線２３は、図４（ｂ）に示すように、配線部位２３ｂにおけるリード配線２３の延設方向に垂直な断面が円形状であって、図４（ｃ）に示すように、接続部位２３ａにおけるリード配線２３の延設方向に垂直な断面が四角形状である。

配線部位２３ｂにおけるリード配線２３の延設方向に垂直な断面が円形状であることによって、配線部位２３ｂの耐久性を向上させることができるので、基体５等の熱膨張および収縮に起因して配線部位２３ｂが変形した場合であっても配線部位２３ｂが断線する可能性を抑制できる。加えて、接続部位２３ａにおけるリード配線２３の延設方向に垂直な断面が四角形状であることによってリード配線２３と第１の配線導体１５および第２の配線導体１９との接合性を向上させることができる。

さらに接続部位２３ａは、その全体が平面視した場合に第１の配線導体１５または第２の配線導体１９上に位置している。このように、接続部位２３ａが第１の配線導体１５および第２の配線導体１９上に接続部位２３ａの全体が接合されていることによって、リー
ド配線２３と第１の配線導体１５および第２の配線導体１９との接合性を高めることができる。また、リード配線２３が変形する場合であっても、配線部位２３ｂにおいてリード配線２３を安定して変形させることができるので、接続部位２３ａが変形することによって、接続部位２３ａが破断することを抑制できる。

また、複数のリード配線２３は互いに平行となるように配設されている。このようにリード配線２３が配設されていることによって、リード配線２３を過度に細くすることなく、互いに隣り合うリード配線２３間の間隔を確保することができる。従って、リード配線２３が変形しやすくなるので、接続配線２１が断線する可能性を小さくできる。

また、複数のリード配線２３は、平面視した場合の幅が同じである。このようにリード配線２３が構成されている場合には、複数のリード配線２３の一部に応力が集中する可能性を小さくできるので、リード配線２３が断線する可能性を小さくできる。

また、互いに平行となるように配設された複数のリード配線２３のうち、配列方向の両端に位置するリード配線２３同士の間隔が、第１の配線導体１７および第２の配線導体１９の少なくとも一方の幅と同じである。このようにリード配線２３が構成されている場合には、接続配線２１と、第１の配線導体１５または第２の配線導体１９との接続部分における信号の伝送特性が低下することを抑制できる。

また、本実施形態のパッケージ１における接続配線２１は、それぞれ互いに隣り合うリード配線２３間の間隔が同じである。このように接続配線２１が３つ以上のリード配線２３を有している場合、それぞれ互いに隣り合うリード配線２３間の間隔が同じであることが好ましい。これにより、複数のリード配線２３の一部に応力が集中する可能性を小さくできるので、リード配線２３が断線する可能性を小さくできる。

本実施形態の半導体装置１０１は、上記の実施形態に代表される素子収納用パッケージ１と、素子収納用パッケージ１の載置領域内に載置された半導体素子３と、枠体７と接合された、半導体素子３を封止する蓋体３１とを備えている。

本実施形態の半導体装置１０１においては、基体３の載置領域に半導体素子３が載置されている。また、半導体素子３および第２の配線導体１９、並びに第１の配線導体１５および第２の配線導体１９は、それぞれ導線３５により接続されている。この半導体素子３に外部配線、第１の配線導体１５、第２の配線導体１９および導線３５を介して外部信号を入力することにより、半導体素子３から所望の出力を得ることができる。半導体素子３としては、例えば、ＬＤ素子に代表される、光ファイバに対して光を出射する発光素子、ＰＤ素子に代表される、光ファイバに対して光を受光する受光素子が挙げられる。

半導体素子３と第２の配線導体１９とは、例えば、導線３５を介して、いわゆるワイヤーボンディングにより電気的に接続することができる。このとき、基体５から離隔する導線３５によって、半導体素子３と第２の配線導体１９とが電気的に接続されることが好ましい。

また、導線３５における信号の伝送特性の低下を抑制するため、リード配線２３と同様に、半導体素子３と第２の配線導体１９とが複数の直線形状の導線３５によって電気的に接続されていることが好ましい。

蓋体３１は、枠体７と接合され、半導体素子３を封止するように設けられている。蓋体３１は、枠体７の上面に接合されている。そして、基体５、枠体７および蓋体３１で囲まれた空間において半導体素子３を封止している。このように半導体素子３を封止すること
によって、長期間の素子収納用パッケージ１の使用による半導体素子３の劣化を抑制することができる。

蓋体３１としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。また、枠体７と蓋体３１は、例えばシーム溶接法によって接合することができる。また、枠体７と蓋体３１は、例えば、金−錫ロウを用いて接合してもよい。

次に、第２の実施形態の素子収納用パッケージおよび半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態にかかる各構成において、第１の実施形態と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

本実施形態のパッケージ１は、図５〜７に示すように、第１の実施形態のパッケージ１と同様に、上面に半導体素子３が載置される載置領域を有する基体５と、基体５の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体７と、枠体７の開口部に挿入された入出力端子９と、基体５の上面であって載置領域と入出力端子９との間に位置する配線基板１１と、入出力端子９および配線基板１１の間に位置する接続配線２１とを備えている。

また、入出力端子９は、第１の絶縁部材１３および第１の絶縁部材１３の上面に配設された第１の配線導体１５を有している。配線基板１１は、第２の絶縁部材１７および第２の絶縁部材１７の上面に配設された第２の配線導体１９を有している。

そして、本実施形態のパッケージ１は、第１の実施形態のパッケージ１と比較して、接続配線２１の構成が異なっている。具体的には、本実施形態のパッケージ１における接続配線２１は、平板形状であって、上面及び下面に開口するスリット３３を有していることを特徴としている。

このように、接続配線２１が複数の直線形状のリード配線２３を有する構成ではなく、上面及び下面に開口するスリット３３を有する構成である場合においても、スリット３３を有する部分において接続配線２１を変形しやすいものとすることができるので、第１の実施形態のパッケージ１と同様に、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線２１を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。

接続配線２１の上面及び下面に開口するスリット３３は、第１の配線導体１５と第２の配線導体１９を結ぶ直線と平行となるように延設されていることが好ましい。これにより、接続配線２１におけるスリット３３を有する部分であって変形しやすい部分の領域を大きくすることができるので、接続配線２１をさらに変形しやすいものとすることができる。

一方、接続配線２１と第１の配線導体１５および第２の配線導体１９との接合性を良好なものとするためには、接続配線２１を平面視した場合に、スリット３３が形成された部分と第１の配線導体１５および第２の配線導体１９とが重なり合っていないことが好ましい。

以上、本発明の各実施形態にかかる素子収納用パッケージおよびこれを備えた光半導体装置について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。

１・・・素子収納用パッケージ
３・・・半導体素子
５・・・基体
７・・・枠体
９・・・入出力端子
１１・・・配線基板
１３・・・第１の絶縁部材
１５・・・第１の配線導体
１７・・・第２の絶縁部材
１９・・・第２の配線導体
２１・・・接続配線
２３・・・リード配線
２３ａ・・・接続部位
２３ｂ・・・配線部位
２５・・・載置基板
２７・・・接地導体
２９・・・リード端子
３１・・・蓋体
３３・・・スリット
３５・・・導線
１０１・・・半導体装置

Claims (7)

1. 上面に半導体素子が載置される載置領域を有する基体と、
   該基体の上面であって前記載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体と、
   第１の絶縁部材および該第１の絶縁部材の上面に配設された第１の配線導体を有した、前記枠体の前記開口部に挿入された入出力端子と、
   第２の絶縁部材および該第２の絶縁部材の上面に配設された第２の配線導体を有した、前記基体の上面であって前記載置領域と前記入出力端子との間に位置する配線基板と、
   前記入出力端子および前記配線基板の間に位置して前記第１の配線導体および前記第２の配線導体に接続された接続配線とを備えた素子収納用パッケージであって、
   前記接続配線が、それぞれ前記第１の配線導体および前記第２の配線導体に接続された複数のリード配線からなり、
   該複数のリード配線は、その両端に位置して前記第１の配線導体または前記第２の配線導体にそれぞれ接続された接続部位と、該接続部位間に位置して前記第１の配線導体および前記第２の配線導体を電気的に接続する直線形状の配線部位とを有していることを特徴とする素子収納用パッケージ。
2. 前記配線部位における前記リード配線の延設方向に垂直な断面が円形状であって、前記接続部位における前記リード配線の延設方向に垂直な断面が四角形状であることを特徴とする請求項１に記載の素子収納用パッケージ。
3. 前記接続部位は、その全体が平面視した場合に前記第１の配線導体または前記第２の配線導体上に位置していることを特徴とする請求項２に記載の素子収納用パッケージ。
4. 前記複数のリード配線は互いに平行となるように配設されていることを特徴とする請求項１に記載の素子収納用パッケージ。
5. 互いに平行となるように配設された前記複数のリード配線のうち、配列方向の両端に位置する前記リード配線同士の間隔が、前記第１の配線導体および前記第２の配線導体の少なくとも一方の幅と同じであることを特徴とする請求項４に記載の素子収納用パッケージ。
6. 前記リード配線を３つ以上有し、それぞれ互いに隣り合うリード配線間の間隔が同じであることを特徴とする請求項４に記載の素子収納用パッケージ。
7. 請求項１〜６のいずれか一つに記載の素子収納用パッケージと、
   前記素子収納用パッケージの前記載置領域内に載置された前記半導体素子と、
   前記枠体と接合された、前記半導体素子を封止する蓋体とを備えた半導体装置。