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JP2012204764A - 太陽電池及び太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池及び太陽電池の製造方法 Download PDF

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JP2012204764A JP2011070194A JP2011070194A JP2012204764A JP 2012204764 A JP2012204764 A JP 2012204764A JP 2011070194 A JP2011070194 A JP 2011070194A JP 2011070194 A JP2011070194 A JP 2011070194A JP 2012204764 A JP2012204764 A JP 2012204764A
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semiconductor
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勲 長谷川
Toshio Asaumi
利夫 浅海
Hitoshi Sakata
仁 坂田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】集電の抵抗ロスが低減されている太陽電池を提供する。
【解決手段】第１及び第２の半導体層１２ｎ、１３ｐのそれぞれは、複数の線状部を有する。第１の半導体層１２ｎの線状部の本数は、第２の半導体層１３ｐの線状部の本数よりも少ない。第１の半導体層１２ｎの厚みは、第２の半導体層１３ｐの厚みよりも薄い。
【選択図】図２

Description

本発明は、太陽電池及び太陽電池の製造方法に関する。特に、本発明は、裏面接合型の太陽電池及びその製造方法に関する。
従来、裏面接合型の太陽電池が知られている（例えば、下記の特許文献１）。この裏面接合型の太陽電池では、受光面側に電極を設ける必要がない。このため、裏面接合型の太陽電池では、光の受光効率を高めることができる。従って、より改善された光電変換効率を実現し得る。
特開２００９−２００２６７号公報
裏面接合型の太陽電池では、光電変換効率をさらに改善するためには、集電の抵抗ロスをさらに低減する必要がある。
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、集電の抵抗ロスが低減されている太陽電池を提供することにある。
本発明に係る太陽電池は、半導体基板と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の電極と、第２の電極とを備えている。半導体基板は、一の導電型を有する。第１の半導体層は、半導体基板の一の主面の上に配されている。第１の半導体層は、一の導電型を有する。第２の半導体層は、半導体基板の一の主面の上に配されている。第２の半導体層は、他の導電型を有する。第１の電極は、第１の半導体層に電気的に接続されている。第２の電極は、第２の半導体層に電気的に接続されている。第１及び第２の半導体層のそれぞれは、複数の線状部を有する。第１の半導体層の線状部の本数は、第２の半導体層の線状部の本数よりも少ない。第１の半導体層の厚みは、第２の半導体層の厚みよりも薄い。
本発明に係る太陽電池の製造方法では、一の導電型を有する半導体基板の一主面の一部の上に、他の導電型を有する第２の半導体層を形成する。第２の半導体層を含み、半導体基板の一主面の上に、一の導電型を有する半導体膜を形成する。半導体膜の第２の半導体層の上に位置している部分の少なくとも一部を除去することにより、第２の半導体層を露出させると共に、半導体膜から第１の半導体層を形成する。第１の半導体層の上に第１の電極を形成すると共に、第２の半導体層の上に第２の電極を形成する。第１及び第２の半導体層のそれぞれは、複数の線状部を有する。第１の半導体層の線状部の本数は、第２の半導体層の線状部の本数よりも少ない。第１の半導体層の厚みは、第２の半導体層の厚みより薄い。
本発明によれば、集電の抵抗ロスが低減されている太陽電池を提供することができる。
第１の実施形態における太陽電池の裏面側の略図的平面図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を表すフローチャートである。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。 第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
以下、本発明の好ましい実施形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる一例である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
《第１の実施形態》
（太陽電池１の構成）
図１は、第１の実施形態における太陽電池の裏面側の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
太陽電池１は、裏面接合型の太陽電池である。なお、本実施形態の太陽電池１単体では、十分に大きな出力が得られない場合は、太陽電池１は、複数の太陽電池１が配線材により接続された太陽電池モジュールとして利用されることもある。
太陽電池１は、半導体材料からなる半導体基板１０を有する。半導体基板１０は、一の導電型を有する。すなわち、半導体基板１０は、ｎ型またはｐ型の導電型を有する。具体的には、本実施形態では、半導体基板１０は、ｎ型の結晶シリコンからなるウエハ状の基板により構成されている。結晶シリコンは、単結晶シリコン或いは多結晶シリコンを含む。なお、本発明に係る半導体基板はこれに限るものではない。半導体基板の導電型が、ｐ型であっても良い。また、半導体基板の材料は、ＧａＡｓやＩｎＰ等の化合物半導体であっても良い。半導体基板１０の厚みは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましく、５０μｍ〜３００μｍであることがより好ましい。
半導体基板１０は、受光面１０ａと、裏面１０ｂとを有する。裏面１０ｂの一部分の上には、半導体層１２と、半導体層１３とが配されている。
半導体層１２は、半導体基板１０と同じ導電型のｎ型半導体層１２ｎと、ｉ型半導体層１２ｉとを有する。ｎ型半導体層１２ｎは、ｎ型のドーパントを含む半導体層である。ｎ
型半導体層１２ｎは、例えば、ｎ型ドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。ｎ型半導体層１２ｎの厚みは、１ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜２０ｎｍであることがより好ましい。ｎ型半導体層１２ｎは、半導体基板１０との間で、受光により半導体基板１０内で発生したキャリアのうちｎ型半導体層１２ｎ側へ拡散する少数キャリアを半導体基板１０側へ押し戻すための電界を形成する。
ｉ型半導体層１２ｉは、ｎ型半導体層１２ｎと裏面１０ｂとの間に配されている。ｉ型半導体層１２ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。ｉ型半導体層１２ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型半導体層１２ｉの厚みは、例えば、数Å〜２５０Å程度とすることができる。
半導体層１３は、半導体基板１０とは異なる導電型のｐ型半導体層１３ｐと、ｉ型半導体層１３ｉとを有する。ｐ型半導体層１３ｐは、ｐ型のドーパントを含む半導体層である。ｐ型半導体層１３ｐは、例えば、ｐ型のドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。ｐ型半導体層１３ｐの厚みは、２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、４ｎｍ〜３０ｎｍであることがより好ましい。ｐ型半導体層１３ｐは、半導体基板１０との間で、受光により半導体基板１０内で発生したキャリアを分離するための電界を形成する。
ｉ型半導体層１３ｉは、ｐ型半導体層１３ｐと裏面１０ｂとの間に配されている。ｉ型半導体層１３ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。ｉ型半導体層１３ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型半導体層１３ｉの厚みは、例えば、数Å〜２５０Å程度とすることができる。上記ｉ型半導体層１２ｉの厚みは、このｉ型半導体層１３ｉの厚みよりも薄いことが好ましい。
半導体層１２ｎ、１３ｐの少なくとも一方は、水素を含むことが好ましい。半導体層１２ｉ、１３ｉの少なくとも一方も、水素を含むことが好ましい。半導体層に水素を含ませることにより、半導体層によるキャリアの再結合抑制効果を高めることができる。
なお、本発明において、「ｎ型半導体層」とは、ｎ型ドーパントの含有率が５×１０１９ｃｍ−３以上である半導体層をいう。
「ｐ型半導体層」とは、ｐ型ドーパントの含有率が５ｘ１０１９ｃｍ−３以上である半導体層をいう。
「ｉ型半導体層」とは、ドーパントの含有率が１ｘ１０１９ｃｍ−３未満である半導体層をいう。
半導体層１２と半導体層１３とのそれぞれは、一の方向（ｙ方向）に沿って延びる複数の線状部１２ａ、１３ａを有する。複数の線状部１２ａ、１３ａは、一の方向と直交する他の方向（ｘ方向）に沿って交互に配列されている。ｘ方向に隣り合う線状部１２ａと線状部１３ａとは、接触している。すなわち、本実施形態では、裏面１０ｂの実質的に全体が半導体層１２，１３によって覆われている。
線状部１２ａの本数は、線状部１３ａの本数よりも少ない。具体的には、本実施形態では、線状部１２ａの本数は、線状部１３ａの本数よりも１本少ない。
なお、半導体層１２の線状部１２ａの幅（＝ｘ方向において隣り合う半導体層１３の線
状部１３ａ間の間隔）Ｗ１と、半導体層１３の線状部１３ａの幅（＝ｘ方向において隣り合う半導体層１２の線状部１２ａ間の間隔）Ｗ２とのそれぞれは、５０μｍ〜２０００μｍであることが好ましく、１００μｍ〜１０００μｍであることがより好ましい。
本実施形態では、半導体層１２の線状部１２ａの幅Ｗ１は、半導体層１３の線状部１３ａの幅Ｗ２よりも小さい。半導体層１２の線状部１２ａの幅Ｗ１は、半導体層１３の線状部１３ａの幅Ｗ２の０．２倍〜０．９倍であることが好ましく、０．４倍〜０．８倍であることがより好ましい。
線状部１３ａのｘ方向における中央部を除く両端部の上には、絶縁層１８が形成されている。線状部１３ａのｘ方向における中央部は、絶縁層１８から露出している。この絶縁層１８により、半導体層１３のｘ方向における端部と半導体層１２のｘ方向における端部とが厚み方向（ｚ方向）に隔離されている。
絶縁層１８のｘ方向における幅Ｗ３は特に限定されず、例えば、幅Ｗ１の約１／３程度とすることができる。また、絶縁層１８間のｘ方向における間隔Ｗ４も特に限定されず、例えば、幅Ｗ１の約１／３程度とすることができる。
絶縁層１８の材質は、特に限定されない。絶縁層１８は、例えば、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素、ＳｉＮなどの窒化ケイ素、ＳｉＯＮなどの酸窒化ケイ素により形成することができる。また、絶縁層１８は、酸化チタンや酸化タンタルなどの金属酸化物により形成することもできる。なかでも、絶縁層１８は、窒化ケイ素により形成されていることが好ましい。また、絶縁層１８は、水素を含んでいることが好ましい。
半導体基板１０の受光面１０ａの上には、半導体基板１０と同じ導電型のｎ型半導体層１７ｎが配されている。ｎ型半導体層１７ｎは、ｎ型のドーパントを含む半導体層である。ｎ型半導体層１７ｎは、例えば、ｎ型ドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。なお、ｎ型半導体層１７ｎの厚みは、１ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜２０ｎｍであることがより好ましい。
受光面１０ａとｎ型半導体層１７ｎとの間には、ｉ型半導体層１７ｉが配されている。ｉ型半導体層１７ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。ｉ型半導体層１７ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型半導体層１７ｉの厚みは、例えば、数Å〜２５０Å程度とすることができる。
半導体層１７ｎの上には、反射防止膜としての機能と保護膜としての機能とを兼ね備えた絶縁層１６が形成されている。絶縁層１６は、例えば、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素、ＳｉＮなどの窒化ケイ素、ＳｉＯＮなどの酸窒化ケイ素により形成することができる。絶縁層１６の厚みは、付与しようとする反射防止膜の反射防止特性などに応じて適宜設定することができる。絶縁層１６の厚みは、例えば８０ｎｍ〜１μｍ程度とすることができる。
なお、受光面１０ａ上には金属層等の遮光物を設けない。これにより、受光面１０ａ全面での受光が可能となる。
半導体層１２の上には、ｎ側電極１４が配されている。ｎ側電極１４は、半導体層１２に電気的に接続されている。一方、半導体層１３の上には、ｐ側電極１５が配されている。ｐ側電極１５は、半導体層１３に電気的に接続されている。ｎ側電極１４とｐ側電極１５とは、絶縁層１８上で電気的に分離されている。なお、絶縁層１８の上における電極１４と電極１５との間の間隔Ｗ５は、例えば、幅Ｗ３の１／３程度とすることができる。
本実施形態では、ｎ側電極１４とｐ側電極１５とのそれぞれは、バスバー及び複数のフィンガーを含むくし歯状に形成されている。もっとも、ｎ側電極１４とｐ側電極１５とのそれぞれは、複数のフィンガーのみにより構成されており、バスバーを有さない所謂バスバーレス型の電極であってもよい。
電極１４，１５は、例えば、Ｃｕ，Ａｇなどの金属や、それらの金属のうちの一種以上を含む合金により形成することができる。また、電極１４，１５は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などのＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：透光性導電酸化物）等により形成することもできる。電極１４，１５は、上記金属、合金またはＴＣＯからなる複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。電極１４，１５がＴＣＯ層を含む場合、ＴＣＯ層は半導体層１２，１３と接触して設けることが好ましい。
上述のように、半導体層１２の線状部１２ａの本数は、半導体層１３の線状部１３ａの本数よりも少ない。そして、本数が少ない線状部１３ａを構成しているｎ型半導体層１２ｎの厚みは、本数が多い線状部１２ａを構成しているｐ型半導体層１３ｐの厚みよりも薄い。このため、本数が少なく、電気抵抗が大きくなりがちなｎ側電極１４と半導体基板１０との間の電気抵抗を小さくすることができる。従って、集電の抵抗ロスが抑制された太陽電池１を実現することができる。
また、ｐ型半導体層１３ｐは厚く形成されているため、ｎ型半導体層に加えてｐ型半導体層も薄くした場合よりもキャリアの再結合による消失を抑制することができる。このように、本実施形態では、集電の抵抗ロスを抑制しつつ、キャリアの再結合による消失も抑制することができる。従って、改善された光電変換効率を有する太陽電池１を得ることができる。
また、半導体層１２の線状部１２ａの幅Ｗ１は、半導体層１３の線状部１３ａの幅Ｗ２よりも小さい。このため、半導体基板１０の半導体層１２の下方に位置する部分で生成したホールが、ｐ側電極１５により収集されるまでに移動しなければならない距離を短くできる。よって、ｎ側半導体層１２が薄い場合であっても、少数キャリアであるホールの再結合による消失を効果的に抑制することができる。従って、より改善された光電変換効率を得ることができる。
また、半導体層１２ｎと半導体基板１０との間、及び半導体層１３ｐと半導体基板１０との間のそれぞれにｉ型半導体層１２ｉ、１３ｉが配されている。よって、キャリアの再結合による消失をさらに効果的に抑制することができる。従って、さらに改善された光電変換効率を得ることができる。
また、ｎ側半導体層１２ｎの下方に位置するｉ型半導体層１２ｉが、ｉ型半導体層１３ｉよりも薄くされている。よって、ｎ側電極１４と半導体基板１０との間の電気抵抗の増大を抑制することができる。従って、さらに改善された光電変換効率を得ることができる。
また、半導体層１２ｎ、１２ｉ、１３ｐ、１３ｉが水素を含む。よって、キャリアの再結合による消失をさらに効果的に抑制することができる。従って、さらに改善された光電変換効率を得ることができる。
次に、図３〜図１０を主として参照しながら、本実施形態の太陽電池１の製造方法について説明する。
まず、半導体基板１０を用意する。次に、ステップＳ１において、半導体基板１０の受光面１０ａ及び裏面１０ｂの洗浄を行う。半導体基板１０の洗浄は、例えば、ＨＦ水溶液などを用いて行うことができる。
次に、ステップＳ２において、半導体基板１０の受光面１０ａの上に半導体層１７ｉと半導体層１７ｎとを形成すると共に、裏面１０ｂの上にｉ型非晶質半導体膜２１とｐ型非晶質半導体膜２２とを形成する。
半導体層１７ｉ，１７ｎ及び半導体膜２１，２２のそれぞれの形成方法は、特に限定されない。半導体層１７ｉ，１７ｎ及び半導体膜２１，２２は、例えば、プラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法等の薄膜形成法により形成することができる。
次に、ステップＳ３において、半導体層１７ｎの上に絶縁層１６を形成すると共に、半導体膜２２の上に絶縁層２３を形成する。なお、絶縁層１６，２３の形成方法は特に限定されない。絶縁層１６，２３は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法等の薄膜形成法などにより形成することができる。
次に、ステップＳ４において、絶縁層２３をエッチングすることにより、絶縁層２３の一部分を除去する。具体的には、絶縁層２３のうち、後の工程で半導体基板１０にｎ型半導体層を接合させる領域の上に位置する部分を除去する。これにより、絶縁層２３ａを形成する。なお、絶縁層２３のエッチングは、絶縁層２３が酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる場合は、例えば、ＨＦ水溶液等の酸性のエッチング液を用いて行うことができる。
次に、ステップＳ５において、絶縁層２３ａをマスクとして用いて、半導体膜２１と半導体膜２２とを、エッチングすることにより、半導体膜２１及び半導体膜２２の絶縁層２３ａにより覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、裏面１０ｂのうち、上方に絶縁層２３ａが位置していない部分を露出させると共に、半導体膜２１，２２から、半導体層１３ｉ，１３ｐを形成する。半導体膜２１と半導体膜２２のエッチングは、例えばアルカリ性のエッチング液を用いて行うことができる。
次に、ステップＳ６において、ｐ型半導体層１３ｐの上を含み、裏面１０ｂを覆うように、ｉ型非晶質半導体膜２４とｎ型非晶質半導体膜２５とをこの順番で順次形成する。非晶質半導体膜２４，２５の形成方法は特に限定されない。半導体膜２４，２５は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成することができる。
次に、ステップＳ７において、半導体膜２４，２５の絶縁層２３ａの上に位置している部分の一部分をエッチングする。これにより、非晶質半導体膜２４，２５から半導体層１２ｉ，１２ｎを形成する。半導体膜２４，２５のエッチングは、例えば、ＮａＯＨ水溶液などを用いて行うことができる。
次に、ステップＳ８において絶縁層２３ａのエッチングを行う。具体的には、半導体層１２ｉ，１２ｎの上からエッチングすることにより、絶縁層２３ａの露出部を除去する。これにより、半導体層１２ｎを露出させると共に、絶縁層２３ａから絶縁層１８を形成する。絶縁層２３ａのエッチングは、例えば、ＨＦ水溶液などを用いて行うことができる。
次に、ステップＳ９において、半導体層１２ｎ及び半導体層１３ｐのそれぞれの上に電極１４，１５を形成する電極形成工程を行うことにより、太陽電池１を完成させることが
できる。
このように、本実施形態では、相対的に薄いｎ型半導体層１２ｎを、相対的に厚いｐ型半導体層１３ｐを形成した後に形成する。半導体層上に絶縁層を形成する際に、半導体層表面に形成される酸化や窒化層などの変質層が形成される可能性がある。この変質による悪影響は、厚みが薄いほど大きい。そこで、本発明では、相対的に薄いｎ型半導体層１２ｎを、相対的に厚いｐ型半導体層１３ｐを形成した後に形成する。これにより、相対的に薄いｎ型半導体層１２ｎへの、変質層の悪影響を低減することができる。この結果、より高い光電変換効率を得ることができる。
なお、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。例えば、半導体基板はｐ型であってもよい。その場合は、半導体基板と同じ導電型を有するｐ型半導体層の厚みを、半導体基板とは異なる導電型を有するｎ型半導体層の厚みよりも薄くする必要がある。
また、半導体基板と同じ導電型を有する半導体層の線状部の本数は、半導体基板とは異なる半導体層の線状部の本数よりも２本以上少なくてもよい。
従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
１…太陽電池
１０…半導体基板
１２，１３…半導体層
１２ａ、１３ａ…線状部
１２ｉ、１３ｉ…ｉ型半導体層
１２ｎ…ｎ型半導体層
１３ｐ…ｐ型半導体層
１４…ｎ側電極
１５…ｐ側電極

Claims (8)

  1. 一の導電型を有する半導体基板と、
    前記半導体基板の一の主面の上に配されており、一の導電型を有する第１の半導体層と、
    前記半導体基板の一の主面の上に配されており、他の導電型を有する第２の半導体層と、
    前記第１の半導体層に電気的に接続されている第１の電極と、
    前記第２の半導体層に電気的に接続されている第２の電極と、
    を備え、
    前記第１及び第２の半導体層のそれぞれは、複数の線状部を有し、
    前記第１の半導体層の線状部の本数は、前記第２の半導体層の線状部の本数よりも少なく、
    前記第１の半導体層の厚みは、前記第２の半導体層の厚みよりも薄い、太陽電池。
  2. 前記第１の半導体層の線状部の幅は、前記第２の半導体層の線状部の幅よりも小さい、請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方は、水素を含む、請求項１または２に記載の太陽電池。
  4. 前記半導体基板と前記第１の半導体層との間に配されている第１のｉ型半導体層と、
    前記半導体基板と前記第２の半導体層との間に配されている第２のｉ型半導体層と、
    をさらに備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池。
  5. 前記第１のｉ型半導体層の厚みは、前記第２のｉ型半導体層の厚みよりも薄い、請求項４に記載の太陽電池。
  6. 前記第１及び第２のｉ型半導体層の少なくとも一方は、水素を含む、請求項４または５に記載の太陽電池。
  7. 前記半導体基板の他主面が受光面である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池。
  8. 一の導電型を有する半導体基板の一主面の一部の上に、他の導電型を有する第２の半導体層を形成する工程と、
    前記第２の半導体層を含み、前記半導体基板の一主面の上に、前記一の導電型を有する半導体膜を形成する工程と、
    前記半導体膜の前記第２の半導体層の上に位置している部分の少なくとも一部を除去することにより、前記第２の半導体層を露出させると共に、前記半導体膜から前記第１の半導体層を形成する工程と、
    前記第１の半導体層の上に前記第１の電極を形成すると共に、前記第２の半導体層の上に前記第２の電極を形成する工程と、
    を備え、
    前記第１及び第２の半導体層のそれぞれは、複数の線状部を有し、
    前記第１の半導体層の線状部の本数は、前記第２の半導体層の線状部の本数よりも少なく、
    前記第１の半導体層の厚みは、前記第２の半導体層の厚みより薄い、太陽電池の製造方法。
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