JP2012250240A - Metal filler, solder paste, and connected structure - Google Patents
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Abstract
【課題】基板のCu表面に有機皮膜処理がなされている場合であっても、通常の鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーを提供する。
【解決手段】第1の金属粒子と第2の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第1の金属粒子100質量部に対し第2の金属粒子が55〜400質量部であり、該第1の金属粒子はCu粒子もしくはCu合金粒子であり、該第2の金属粒子は、AgとSnとを含み、かつ当該Agの含有量が0.3〜4質量%のSn合金粒子である金属フィラー。
【選択図】なしEven when the Cu surface of the substrate is treated with an organic film, it can be melt-bonded under normal lead-free solder reflow heat treatment conditions, and after bonding, it has excellent heat resistance and good bonding strength at room temperature. Providing a metal filler.
A metal filler including a mixture of first metal particles and second metal particles as a main component, wherein the mixture includes second metal particles with respect to 100 parts by mass of the first metal particles. 55 to 400 parts by mass, the first metal particles are Cu particles or Cu alloy particles, the second metal particles contain Ag and Sn, and the Ag content is 0.3 to Metal filler which is 4 mass% Sn alloy particle.
[Selection figure] None
Description
本発明は、金属フィラー、はんだペースト、及び接続構造体等に関する。 The present invention relates to a metal filler, a solder paste, a connection structure, and the like.
携帯電話に代表される電子機器の小型化、軽量化、高機能化の流れは目覚しく、これに追従して、高密度実装技術も急速な進歩を続けている。
部品を基板中に内蔵したり、複数のLSIを1パッケージ化したり、限られた容積を有効利用するため、多様な実装技術が開発されている。一方、高密度化が進めば進むほど、基板内部やパッケージ内部に組み込まれた部品のはんだ接続部は、後工程で熱処理を受ける回数が多くなり、部品と封止樹脂の隙間で起こる、はんだ再溶融によるショート問題が顕在化してきている。
その為、基板内部やパッケージ内部に組み込まれた部品の接続において、後工程で複数回の熱処理を受けても、溶融しない鉛フリーはんだ材料の開発が望まれている。
The trend toward miniaturization, weight reduction, and high functionality of electronic devices typified by mobile phones is remarkable, and following this trend, high-density packaging technology continues to make rapid progress.
Various mounting techniques have been developed in order to incorporate components in a substrate, package a plurality of LSIs in one package, and effectively use a limited volume. On the other hand, as the density increases, the solder joints of components built into the board or package are more frequently subjected to heat treatment in the subsequent process, and the solder re-use that occurs in the gap between the component and the sealing resin occurs. The short problem due to melting has become apparent.
Therefore, there is a demand for the development of a lead-free solder material that does not melt even if it is subjected to multiple heat treatments in the subsequent process for connecting components incorporated in the substrate or package.
本発明者等は、鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は、同じ熱処理条件では溶融しない鉛フリーはんだ材料を提案した(以下、特許文献1参照)。
鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件とは、代表的なSn−3.0Ag−0.5Cu(融点217℃)で、はんだ接続する場合の一般的なリフロー熱処理条件であり、ピーク温度240〜260℃の範囲のことである。
The present inventors have proposed a lead-free solder material that can be melt-bonded under reflow heat treatment conditions for lead-free solder and that does not melt under the same heat-treatment conditions after bonding (see Patent Document 1 below).
The reflow heat treatment conditions for lead-free solder are typical Sn-3.0Ag-0.5Cu (melting point: 217 ° C), and are general reflow heat treatment conditions for solder connection, and have a peak temperature of 240-260 ° C. It is a range.
該はんだ材料の導電性フィラーは、Cuが主成分の第1の金属粒子とリフロー熱処理において溶融する第2の金属粒子との混合体からなり、リフロー熱処理において、新たな安定合金相を形成することで、再度のリフロー熱処理においても、溶融しない特徴を有するものであった。
該はんだ材料は、はんだペーストとして基板内部又はパッケージ内部に部品を組み込こんだ部品内蔵配線板の内蔵された部品のはんだ接続部分への使用等が提案されてきた。
The conductive filler of the solder material is composed of a mixture of first metal particles mainly composed of Cu and second metal particles that melt in the reflow heat treatment, and forms a new stable alloy phase in the reflow heat treatment. In the reflow heat treatment again, it has a feature that it does not melt.
The solder material has been proposed for use as a solder paste in a solder connection portion of a component built-in a component built-in wiring board in which a component is incorporated in a substrate or a package.
一方で、該はんだ材料に対して、平均粒径30μmのCu粒子とSn粒子の混合体を導電性フィラーとするはんだ材料が提案されている(以下、特許文献2参照)。
該はんだ材料は、熱処理により、Cu6Sn5を含むCuSn化合物とCu粒子を有する接続部により接続され、且つCu粒子同士は、該CuSn化合物で連結されていることを特徴としている。
On the other hand, a solder material having a conductive filler as a mixture of Cu particles and Sn particles having an average particle diameter of 30 μm has been proposed (refer to Patent Document 2 below).
The solder material is characterized in that it is connected by a heat treatment to a CuSn compound containing Cu6Sn5 and a connecting portion having Cu particles, and the Cu particles are connected by the CuSn compound.
ところで、近年、部品内蔵基板の開発の進展により基板内蔵技術も向上してきている。部品内蔵配線板において、表面に銅箔の回路パターンを有する内層基板が、プレプレグを挟んで他の内層基板や銅箔と積層プレスされる場合、内層基板の銅箔表面とプリプレグとの接着性を向上させるために、銅箔表面を粗化処理し、さらに粗化した表面に樹脂との密着性を高める有機皮膜処理と呼ばれる表面処理が提案されている(以下、特許文献3参照)。 By the way, in recent years, with the development of the component-embedded substrate, the substrate-embedded technology has been improved. In the component built-in wiring board, when an inner layer substrate having a copper foil circuit pattern on the surface is laminated and pressed with another inner layer substrate or copper foil with the prepreg in between, the adhesion between the copper foil surface of the inner layer substrate and the prepreg is improved. In order to improve the surface, a surface treatment called an organic film treatment for roughening the surface of the copper foil and further improving the adhesion to the resin on the roughened surface has been proposed (refer to Patent Document 3 below).
この技術によれば、ガラス転移温度の高いプリプレグ等で用いられる樹脂でも銅箔表面との接着性が向上するため、例えば薄物多層プリント配線板と呼ばれる1層あたり厚さ0.1mm以下の基材を4層以上積層したプリント配線板や、半導体パッケージ用基板等のプリント配線板、部品内蔵基板等を、例えばプレッシャークッカー試験により加湿した後、さらに加熱するような厳しい試験を行っても、プリプレグ等の樹脂と銅箔との乖離を防ぐことができ、部品内蔵基板等の信頼性向上に寄与している。 According to this technique, even a resin used in a prepreg having a high glass transition temperature improves adhesion to the copper foil surface. For example, a base material having a thickness of 0.1 mm or less per layer called a thin multilayer printed wiring board Even if a rigorous test such as heating after humidifying a printed wiring board in which four or more layers are laminated, a printed wiring board such as a substrate for a semiconductor package, a component built-in board, etc. by a pressure cooker test, The resin can be prevented from being separated from the copper foil, which contributes to improving the reliability of the component-embedded substrate and the like.
しかしながら、特許文献1に記載される技術においては、該はんだ材料は、平均粒径で6μm以下の微粒子を用いることで、再度のリフロー熱処理においても、再び溶融しない(以下、再溶融しない)特徴を有しているが、特許文献3に記載された技術とともに使用された場合、有機皮膜処理をした銅箔表面と該はんだ材料との間の金属接合部分に接合不良が起こる場合があり、部品接合後の接続信頼性において改善の余地があった。
また、特許文献2に記載される技術においても、同様に有機皮膜処理をした銅箔表面との部品接合後の接続信頼性において改善の余地があった。
However, in the technique described in Patent Document 1, the solder material is characterized by not melting again (hereinafter, not remelted) even in reflow heat treatment by using fine particles having an average particle diameter of 6 μm or less. However, when used together with the technique described in Patent Document 3, there may be a case where bonding failure occurs at the metal bonding portion between the copper foil surface treated with the organic film and the solder material. There was room for improvement in later connection reliability.
In the technique described in Patent Document 2, there is still room for improvement in connection reliability after joining parts to a copper foil surface that has been similarly treated with an organic film.
本発明は、上記問題を鑑みて成されたものであり、鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、部品内蔵配線板等において内層基板の銅表面とプリプレグとの接着性を向上させるために行われた有機皮膜処理がされた銅表面であっても、接合後は耐熱性に優れ、室温で良好な接合強度を与えることができる金属フィラーを提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、該金属フィラーを含む鉛フリーはんだ又は導電性接着剤、該鉛フリーはんだ又は導電性接着剤を用いて得られる接続構造体、並びに基板及び該接続構造体を含む部品搭載基板を提供することも目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and can be melt-bonded under reflow heat treatment conditions of lead-free solder to improve the adhesion between the copper surface of the inner substrate and the prepreg in a component built-in wiring board or the like. An object of the present invention is to provide a metal filler that is excellent in heat resistance after bonding and can provide good bonding strength at room temperature even on a copper surface that has been subjected to an organic film treatment. Another object of the present invention is to provide a lead-free solder or conductive adhesive containing the metal filler, a connection structure obtained using the lead-free solder or conductive adhesive, a substrate, and the connection structure. It is another object of the present invention to provide a component mounting board.
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討し、実験を重ねた結果、本発明を成すに至った。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems and repeated experiments, the present inventors have reached the present invention.
すなわち、本発明は、以下のとおりものである。
[1]第1の金属粒子と第2の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第1の金属粒子100質量部に対し第2の金属粒子が55〜400質量部であり、該第1の金属粒子はCu粒子もしくはCu合金粒子であり、該第2の金属粒子は、AgとSnとを含み、かつ当該Agの含有量が0.3〜4質量%のSn合金粒子である金属フィラー。
[2]前記Cu合金粒子が、Sn13.5〜16.5質量%、Ag9〜11質量%、Bi4.5〜5.5質量%、In0.1〜5質量%、残部にCuを主成分として含むCu合金粒子、もしくはAg15〜25質量%、残部にCuを主成分として含むCu合金粒子である前記[1]に記載の金属フィラー。
[3]前記第2の金属粒子がSnを96〜99質量%含むSn合金粒子である、前記[1]又は[2]に記載の金属フィラー。
[4]前記[1]〜[3]のいずれかに記載の金属フィラーを含むはんだペースト。
[5]前記[1]〜[3]のいずれかに記載の金属フィラーを含む導電性接着剤。
[6]第1の電子部品、第2の電子部品、及び前記第1の電子部品と前記第2の電子部品とを接合するはんだ接合部とを有し、前記はんだ接合部が前記[4]又は[5]に記載のはんだペースト、または導電性接着剤を、リフロー熱処理することによって形成される、接続構造体。
[7]基板と、前記基板の上に搭載された前記[6]に記載の接続構造体とを有する、部品搭載基板。
[8]基板と、前記基板の上に搭載された前記[6]に記載の接続構造体とを有する、部品内蔵基板。
That is, the present invention is as follows.
[1] A metal filler containing, as a main component, a mixture of first metal particles and second metal particles, the mixture containing 55 parts of second metal particles with respect to 100 parts by mass of the first metal particles. -400 parts by mass, the first metal particles are Cu particles or Cu alloy particles, the second metal particles contain Ag and Sn, and the Ag content is 0.3 to 4 Metal filler which is Sn alloy particles of mass%.
[2] The Cu alloy particles are Sn 13.5 to 16.5% by mass, Ag 9 to 11% by mass, Bi 4.5 to 5.5% by mass, In 0.1 to 5% by mass, and the balance is Cu as a main component. Metal filler as described in said [1] which is Cu alloy particle | grains to contain, or Cu alloy particle | grains which contain Cu as a main component in 15-15 mass% of Ag and remainder.
[3] The metal filler according to [1] or [2], wherein the second metal particles are Sn alloy particles containing 96 to 99% by mass of Sn.
[4] A solder paste containing the metal filler according to any one of [1] to [3].
[5] A conductive adhesive containing the metal filler according to any one of [1] to [3].
[6] A first electronic component, a second electronic component, and a solder joint that joins the first electronic component and the second electronic component, wherein the solder joint is the [4] Or the connection structure formed by carrying out reflow heat processing of the solder paste or conductive adhesive as described in [5].
[7] A component mounting board having a board and the connection structure according to [6] mounted on the board.
[8] A component-embedded substrate comprising a substrate and the connection structure according to [6] mounted on the substrate.
本発明の金属フィラーは、部品内蔵配線板等において内層基板の銅表面とプリプレグとの接着性を向上させるために行われた有機皮膜処理がされた銅表面であっても、通常のリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、室温で良好な接合強度を与える。 Even if the metal filler of the present invention is a copper surface that has been subjected to an organic film treatment to improve the adhesion between the copper surface of the inner layer substrate and the prepreg in a component built-in wiring board or the like, the normal reflow heat treatment conditions Can be melt-bonded, and after bonding, has excellent heat resistance and gives good bonding strength at room temperature.
以下に、本発明を実施するための形態(以下、実態の形態と略記する)について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で変形して実施することができる。 Hereinafter, modes for carrying out the present invention (hereinafter abbreviated as actual modes) will be described in detail. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, It can deform | transform and implement within the range of the summary.
<金属フィラー>
本実施の形態の金属フィラーは、第1の金属粒子と第2の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第1の金属粒子100質量部に対し第2の金属粒子が55〜400質量部であり、該第1の金属粒子はCu粒子もしくはCu合金粒子であり、該第2の金属粒子は、AgとSnとを含み、かつ当該Agの含有量が0.3〜4質量%のSn合金粒子であることを特徴とする。
<Metal filler>
The metal filler according to the present embodiment is a metal filler containing a mixture of first metal particles and second metal particles as a main component, and the mixture is the first with respect to 100 parts by mass of the first metal particles. The second metal particles are 55 to 400 parts by mass, the first metal particles are Cu particles or Cu alloy particles, the second metal particles contain Ag and Sn, and the content of the Ag Is 0.3 to 4% by mass of Sn alloy particles.
金属フィラーの好適組成を例示すると、第1の金属粒子と第2の金属粒子の混合比は、耐熱性の観点から、第1の金属粒子100質量部に対し第2の金属粒子が400質量部以下であり、一方、初期の接合状態が向上するという観点から、下限は、第1の金属粒子100質量部に対し第2の金属粒子が55質量部以上である。 To illustrate the preferred composition of the metal filler, the mixing ratio of the first metal particles and the second metal particles is 400 parts by mass of the second metal particles with respect to 100 parts by mass of the first metal particles from the viewpoint of heat resistance. On the other hand, from the viewpoint of improving the initial bonded state, the lower limit is 55 parts by mass or more of the second metal particles with respect to 100 parts by mass of the first metal particles.
また、前記第1の金属粒子の成分としては、Cuでも良いが、第2の金属粒子との熱拡散による合金化の観点から、Cu合金がさらに好ましい。好ましい1つの態様としては、Sn13.5〜16.5質量%、Ag9〜11質量%、Bi4.5〜5.5質量%、In0.1〜5質量%、残部にCuを主成分として含むCu合金が挙げられる。また、他の好ましい態様として、Ag15〜25質量%、残部にCuを主成分として含むCu合金が挙げられる。なお、本実施の形態において主成分とは、特定成分が当該特定成分を含むマトリックス成分中に占める割合が、好ましくは50質量%であり、より好ましくは80質量%であり、100質量%であってもよいことを示す。 The component of the first metal particles may be Cu, but a Cu alloy is more preferable from the viewpoint of alloying by thermal diffusion with the second metal particles. As a preferable embodiment, Sn 13.5 to 16.5% by mass, Ag 9 to 11% by mass, Bi 4.5 to 5.5% by mass, In 0.1 to 5% by mass, and Cu containing Cu as a main component in the balance An alloy is mentioned. Another preferred embodiment is a Cu alloy containing 15 to 25% by mass of Ag and Cu as the main component in the balance. In the present embodiment, the main component means that the proportion of the specific component in the matrix component containing the specific component is preferably 50% by mass, more preferably 80% by mass, and 100% by mass. Indicates that it may be.
第1の金属粒子の形状とサイズは、用途に応じて定めることができる。例えば、はんだペースト用途では、印刷性を重視して、平均粒径で2〜40μmの比較的真球度の高い粒子を使う事が好ましい。また、導電性接着剤用途では、粒子の接触面積を増やすため、異形粒子を使う事が好ましい。 The shape and size of the first metal particles can be determined according to the application. For example, in solder paste applications, it is preferable to use particles having a relatively high sphericity with an average particle diameter of 2 to 40 μm in consideration of printability. For conductive adhesive applications, it is preferable to use irregularly shaped particles in order to increase the contact area of the particles.
前記第2の金属粒子の成分としては、第1の金属粒子との熱拡散による合金化の観点および有機皮膜処理をした基板表面との接合性向上の観点から、AgとSnとを含み、かつ当該Agの含有量が0.3〜4質量%のSn合金が好ましい。具体的には、第2の金属粒子はSn−Ag共晶系はんだ粒子、Sn−Ag−Cu共晶系はんだ粒子、若しくはこれらにIn、Zn、Bi等のいずれか1つ以上を添加したはんだ粒子を用いることができる。Inは、その添加により合金の金属特性をあまり低下させないで融点を低下させる事ができる。ZnやBiも、In同様にその添加により融点を低下させる効果がある。Sn合金
の組成としては例えば、Sn0.3Ag0.7Cu、Sn1.0Ag0.5Cu、Sn2.0Ag0.5Cu、Sn3.0Ag0.5Cu、Sn3.5Ag、Sn4.0Ag0.5Cu、Sn57Bi1Ag等が挙げられ、特にSn3.5Agが好ましい。また、これらは1種を単独で、又は2種以上を混合して用いても良い。
The component of the second metal particles includes Ag and Sn from the viewpoint of alloying by thermal diffusion with the first metal particles and from the viewpoint of improving the bondability with the substrate surface subjected to the organic film treatment, and An Sn alloy having an Ag content of 0.3 to 4% by mass is preferred. Specifically, the second metal particles are Sn—Ag eutectic solder particles, Sn—Ag—Cu eutectic solder particles, or solder obtained by adding any one or more of In, Zn, Bi, etc. thereto. Particles can be used. By adding In, the melting point can be lowered without significantly reducing the metal properties of the alloy. Zn and Bi, as well as In, have the effect of lowering the melting point when added. Examples of the composition of the Sn alloy include Sn0.3Ag0.7Cu, Sn1.0Ag0.5Cu, Sn2.0Ag0.5Cu, Sn3.0Ag0.5Cu, Sn3.5Ag, Sn4.0Ag0.5Cu, Sn57Bi1Ag, etc., particularly Sn3 .5Ag is preferred. Moreover, you may use these individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
第2の金属粒子は、4.3μm以下の粒子を含まない粉体を用いることが好ましい。4.3μm以下の粒子が含まれていないことで、第1の金属粒子との熱拡散による合金化反応が適度な速度で進行し、部品との接合強度を高くできる傾向があり好ましい。
なお、本実施の形態における4.3μm以下の粒子を含まない粉体とは、レーザー回折式粒子径分布測定装置で粉体を測定した際に得られる累積分布において、4.3μm以下の粒子が検出されないことをいう。
第2の金属粒子の平均粒径は、10〜40μmであることが好ましく、10〜30μmであることがより好ましい。
As the second metal particles, it is preferable to use a powder containing no particles of 4.3 μm or less. The inclusion of particles of 4.3 μm or less is preferable because the alloying reaction by thermal diffusion with the first metal particles proceeds at an appropriate rate and the joint strength with the component can be increased.
In the present embodiment, the powder containing no particles of 4.3 μm or less means that particles of 4.3 μm or less are included in the cumulative distribution obtained when the powder is measured with a laser diffraction particle size distribution measuring device. It means that it is not detected.
The average particle diameter of the second metal particles is preferably 10 to 40 μm, and more preferably 10 to 30 μm.
本実施の形態の金属フィラーは、後述するように、例えばフラックスと組合わされることによって、ペースト状の鉛フリーはんだを形成できる。このはんだペーストを用いて部品実装を行なう場合、リフロー熱処理によって形成されるはんだ接合部(特にフィレット部分)の表面に、薄いフラックス層が形成される場合がある。第2の金属粒子の平均粒径が10μm以上であることで、部品実装時に該フラックス層中に第2の金属粒子の微粒子が同伴されにくく、フラックス層中の浮遊粒子の発生を抑制できるため、洗浄液中に流れ出す粒子の数を低減でき好ましい。一方、平均粒径が40μm以下である場合、はんだペーストの粘着力が損なわれ難くなるので好ましい。 As will be described later, the metal filler according to the present embodiment can form a paste-like lead-free solder, for example, by being combined with a flux. When component mounting is performed using this solder paste, a thin flux layer may be formed on the surface of a solder joint portion (particularly a fillet portion) formed by reflow heat treatment. Since the average particle size of the second metal particles is 10 μm or more, the fine particles of the second metal particles are less likely to be entrained in the flux layer at the time of component mounting, and generation of suspended particles in the flux layer can be suppressed. This is preferable because the number of particles flowing out into the cleaning liquid can be reduced. On the other hand, when the average particle size is 40 μm or less, the adhesive strength of the solder paste is hardly impaired, which is preferable.
第1の金属粒子、及び第2の金属粒子の粒度分布は、ペースト用途に応じて定めることができる。例えば、スクリーン印刷用途では、版抜け性を重視して、粒度分布はブロードにするのが好ましく、ディスペンス用途では、吐出流動性を重視して、粒度分布はシャープにするのが好ましい。 The particle size distribution of the first metal particles and the second metal particles can be determined according to the paste application. For example, in screen printing applications, it is preferable to make the particle size distribution broader with an emphasis on plate slippage, and in dispensing applications, it is preferable to focus on ejection fluidity and make the particle size distribution sharper.
前記第1の金属粒子として用いる事ができる、Sn13.5〜16.5質量%、Ag9〜11質量%、Bi4.5〜5.5質量%、In0.1〜5質量%、残部にCuを主成分として含むCu合金粒子は、示差走査熱量測定(DSC)で発熱ピークとして観測される準安定合金相を230〜300℃に少なくとも1つと、吸熱ピークとして観測される融点を480〜530℃に少なくとも1つ有していることが好ましい。示差走査熱量測定(DSC)における発熱は、新たな合金相が形成される際に発生する潜熱の検出であり、合金粒子に準安定合金相が存在することを示す。 Can be used as the first metal particles, Sn 13.5 to 16.5% by mass, Ag 9 to 11% by mass, Bi 4.5 to 5.5% by mass, In 0.1 to 5% by mass, Cu in the balance The Cu alloy particles contained as the main component have at least one metastable alloy phase observed as an exothermic peak in differential scanning calorimetry (DSC) at 230 to 300 ° C. and a melting point observed as an endothermic peak at 480 to 530 ° C. It is preferable to have at least one. Heat generation in differential scanning calorimetry (DSC) is detection of latent heat generated when a new alloy phase is formed, and indicates that a metastable alloy phase is present in the alloy particles.
第1の金属粒子および第2の金属粒子の製造法としては、急冷凝固法が好ましい。急冷凝固法による微粉末の製造法としては、水噴霧法、ガス噴霧法、遠心噴霧法等が挙げられ、粒子の酸素含有量を抑えることができる点から、ガス噴霧法、遠心噴霧法がより好ましい。ガス噴霧法では、通常、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを使用することができるが、ガス噴霧時の線速を高くし、冷却速度を速くするため、比重の軽いヘリウムガスを用いることが好ましい。冷却速度は、500〜5000℃/秒の範囲であることが好ましい。遠心噴霧法では、回転ディスク上面に均一な溶融膜を形成する観点から、材質は、サイアロンであることが好ましく、ディスク回転速度は、6万〜12万rpmの範囲であることが好ましい。 As a manufacturing method of the first metal particles and the second metal particles, a rapid solidification method is preferable. Examples of the method for producing fine powder by the rapid solidification method include a water spray method, a gas spray method, and a centrifugal spray method. From the viewpoint of suppressing the oxygen content of particles, the gas spray method and the centrifugal spray method are more preferable. preferable. In the gas spraying method, inert gas such as nitrogen gas, argon gas, helium gas, etc. can usually be used, but helium gas with a low specific gravity is used to increase the linear velocity during gas spraying and increase the cooling rate. Is preferably used. The cooling rate is preferably in the range of 500 to 5000 ° C./second. In the centrifugal spray method, from the viewpoint of forming a uniform molten film on the upper surface of the rotating disk, the material is preferably sialon, and the disk rotation speed is preferably in the range of 60,000 to 120,000 rpm.
前記第1の金属粒子として用いる事ができる、Sn13.5〜16.5質量%、Ag9〜11質量%、Bi4.5〜5.5質量%、In0.1〜5質量%、残部にCuを主成分として含むCu合金粒子は、Cu−Sn合金相、又はCu−In合金相の結晶粒を含み、該合金相の界面にAg又はBiが存在することが好ましい。内部にCu−Sn合金相、Cu−In合金相等の反応性が高い準安定合金相を有することで、リフロー熱処理において、溶融したSn粒子、若しくはSn合金粒子との合金化を迅速に行うことができる傾向があり好ましい。
なお、本明細書で規定する第1の金属粒子及び第2の金属粒子の元素組成は、例えば、誘導結合プラズマ(ICP)発光分析等で確認することができる。また、粒子断面の元素組成は、SEM−EDX(特性X線分析装置)を用いることによって解析することができる。
Can be used as the first metal particles, Sn 13.5 to 16.5% by mass, Ag 9 to 11% by mass, Bi 4.5 to 5.5% by mass, In 0.1 to 5% by mass, Cu in the balance The Cu alloy particles contained as the main component preferably include crystal grains of a Cu—Sn alloy phase or a Cu—In alloy phase, and Ag or Bi is preferably present at the interface of the alloy phase. By having a metastable alloy phase with high reactivity such as Cu—Sn alloy phase and Cu—In alloy phase inside, it is possible to rapidly alloy with molten Sn particles or Sn alloy particles in reflow heat treatment. This tends to be possible and is preferable.
Note that the elemental composition of the first metal particles and the second metal particles defined in this specification can be confirmed by, for example, inductively coupled plasma (ICP) emission analysis. The elemental composition of the particle cross section can be analyzed by using SEM-EDX (characteristic X-ray analyzer).
<はんだペースト>
本実施の形態は、上述した本実施の形態の金属フィラーを含むはんだペーストも提供する。当該はんだペーストは、鉛フリーとすることができる。本実施の形態において、鉛フリーとは、EUの環境規制に準じ、鉛の含有量が0.1質量%以下であることを意味する。前記はんだペーストは、金属フィラー成分及びフラックス成分を含むことが好ましく、典型的には、金属フィラー成分及びフラックス成分から成る。金属フィラー成分は、上述した金属フィラーであるが、効果を損なわない範囲で、他の金属フィラーを少量含んでもよい。
<Solder paste>
The present embodiment also provides a solder paste including the metal filler of the present embodiment described above. The solder paste can be lead-free. In the present embodiment, lead-free means that the lead content is 0.1% by mass or less in accordance with EU environmental regulations. The solder paste preferably includes a metal filler component and a flux component, and typically includes a metal filler component and a flux component. The metal filler component is the metal filler described above, but may contain a small amount of other metal filler as long as the effect is not impaired.
前記はんだペースト中の金属フィラー成分の含有量は、ペースト特性の観点から、はんだペーストの全質量(すなわち、100質量%)を基準として、84〜94質量%の範囲であることが好ましい。はんだペースト中の金属フィラー成分の含有量のより好ましい範囲は、ペーストの用途に応じて定めることができる。例えば、スクリーン印刷用途では、版抜け性が重視されるので、はんだペースト中の金属フィラー成分の含有量は、はんだペーストの全質量を基準として、好ましくは、87〜92質量%の範囲であり、より好ましくは、88〜91質量%の範囲である。例えば、ディスペンス用途では、吐出流動性が重視されるので、はんだペースト中の金属フィラー成分の含有量は、はんだペーストの全質量を基準として、好ましくは、85〜89質量%の範囲であり、より好ましくは、86〜88質量%の範囲である。 The content of the metal filler component in the solder paste is preferably in the range of 84 to 94% by mass based on the total mass of the solder paste (that is, 100% by mass) from the viewpoint of paste characteristics. A more preferable range of the content of the metal filler component in the solder paste can be determined according to the use of the paste. For example, in screen printing applications, the ability to remove the plate is important, so the content of the metal filler component in the solder paste is preferably in the range of 87 to 92% by mass, based on the total mass of the solder paste, More preferably, it is the range of 88-91 mass%. For example, in dispensing applications, discharge fluidity is important, so the content of the metal filler component in the solder paste is preferably in the range of 85 to 89% by mass based on the total mass of the solder paste, and more Preferably, it is the range of 86-88 mass%.
一般に、フラックスとは、はんだより速く溶融して、金属表面を洗浄する材料をいう。本実施の形態で使用されるフラックス成分は、ロジン、溶剤、活性剤及びチクソ剤を含むことが好ましい。そのようなフラックス成分は、金属フィラーの表面処理に好適である。すなわち、フラックス成分は、リフロー熱処理時にはんだペースト中の金属フィラー成分の酸化膜を除去し、再酸化を抑制することで、金属の溶融及び熱拡散による合金化を促進する。フラックス成分としては、既知の材料を使用することができる。 In general, flux refers to a material that melts faster than solder and cleans the metal surface. The flux component used in the present embodiment preferably contains rosin, a solvent, an activator and a thixotropic agent. Such a flux component is suitable for the surface treatment of the metal filler. That is, the flux component promotes alloying due to metal melting and thermal diffusion by removing the oxide film of the metal filler component in the solder paste during reflow heat treatment and suppressing reoxidation. As the flux component, a known material can be used.
<導電性接着剤>
本実施の形態は、上述した本実施の形態の金属フィラーを含む導電性接着剤も提供する。一般に、導電性接着剤とは、銀、銅、カーボンファイバー等の導電性の良い材料を含む接着剤をいう。前記導電性接着剤中の金属フィラー成分の含有量は、特性の観点から、導電性接着剤の全質量(すなわち、100質量%)を基準として、70〜90質量%の範囲であることが好ましく、75〜85質量%の範囲であることがより好ましい。
<Conductive adhesive>
The present embodiment also provides a conductive adhesive containing the metal filler of the present embodiment described above. In general, the conductive adhesive refers to an adhesive containing a material having good conductivity such as silver, copper, or carbon fiber. The content of the metal filler component in the conductive adhesive is preferably in the range of 70 to 90% by mass based on the total mass of the conductive adhesive (that is, 100% by mass) from the viewpoint of characteristics. More preferably, it is in the range of 75 to 85% by mass.
一般に、導電性接着剤は、鉛フリー、揮発性有機化合物(VOC)フリー、フラックスレス、容易な低温実装等の特徴を有するので、本実施の形態の導電性接着剤は、電気接続したいがはんだ付けできない部品(例えば、半導体チップ、液晶、有機EL、LED等に関連するデバイス)に適する。また、本実施の形態の導電性接着剤は、上記鉛フリーはんだと同じ組成を有することができる。ただし、本実施の形態の導電性接着剤は、フラックス成分を含んでもよいし、含まなくてもよい。 In general, the conductive adhesive has features such as lead-free, volatile organic compound (VOC) -free, fluxless, easy low-temperature packaging, etc., so the conductive adhesive of this embodiment is intended to be electrically connected but soldered. Suitable for parts that cannot be attached (for example, devices related to semiconductor chips, liquid crystals, organic EL, LEDs, etc.). Further, the conductive adhesive of the present embodiment can have the same composition as the lead-free solder. However, the conductive adhesive of the present embodiment may or may not include a flux component.
<接続構造体>
本実施の形態は、第1の電子部品、第2の電子部品、並びに該第1の電子部品及び該第2の電子部品を接合しているはんだ接合部又は該第1の電子部品及び該第2の電子部品を接着している接着部を含む接続構造体も提供する。前記はんだペーストにおいて、電子デバイス等の搭載部品電極と基板電極とを接続する場合、鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件において、前記第2の金属粒子の融点以上の熱履歴が与えられると、該第2の金属粒子は溶融し、前記第1の金属粒子を介して搭載部品電極と基板電極とを接合する。これにより金属間の熱拡散反応が加速的に進み、該第2の金属粒子の融点よりも高融点の新たな安定合金相が形成され、該第1の金属粒子を介して搭載部品電極と基板電極とを接続する接続構造体を形成する。
<Connection structure>
The present embodiment includes a first electronic component, a second electronic component, and a solder joint that joins the first electronic component and the second electronic component, or the first electronic component and the first electronic component. There is also provided a connection structure including an adhesive portion for adhering two electronic components. In the solder paste, when a mounting component electrode such as an electronic device is connected to a substrate electrode, a heat history equal to or higher than the melting point of the second metal particle is given under reflow heat treatment conditions of lead-free solder. The metal particles are melted, and the mounting component electrode and the substrate electrode are joined via the first metal particles. As a result, the thermal diffusion reaction between the metals proceeds at an accelerated rate, and a new stable alloy phase having a melting point higher than the melting point of the second metal particles is formed, and the mounting component electrode and the substrate are interposed via the first metal particles. A connection structure that connects the electrodes is formed.
この新たな安定合金相の融点は、鉛フリーはんだのリフロー熱処理温度より高く、後工程で複数回の熱処理を受けても溶融しないので、はんだ再溶融によるショートを抑制することができる。 The melting point of this new stable alloy phase is higher than the reflow heat treatment temperature of lead-free solder, and since it does not melt even when subjected to a plurality of heat treatments in the subsequent process, it is possible to suppress a short circuit due to solder remelting.
第1の電子部品及び第2の電子部品の組合せとしては、基板電極と搭載部品電極との組み合わせ等が挙げられる。本実施の形態の接続構造体を形成するための第1の電子部品と第2の電子部品との接合方法としては、基板電極にはんだペーストを塗布した後に搭載部品電極を載せてリフロー熱処理により接合する方法、搭載部品電極又は基板電極にはんだペーストを塗布し、リフロー熱処理によるバンプ形成後、搭載部品電極と基板電極とを重ね合せて再度リフロー熱処理で接合する方法等が挙げられる。上記の場合、電極間のはんだ接合により該電極間を接続できる。 Examples of the combination of the first electronic component and the second electronic component include a combination of a substrate electrode and a mounted component electrode. As a method of joining the first electronic component and the second electronic component for forming the connection structure according to the present embodiment, a solder paste is applied to the substrate electrode, and then the mounting component electrode is placed and joined by reflow heat treatment. And a method in which a solder paste is applied to the mounting component electrode or the substrate electrode, bumps are formed by reflow heat treatment, the mounting component electrode and the substrate electrode are overlapped, and then reflow heat treatment is performed again. In the above case, the electrodes can be connected by solder bonding between the electrodes.
リフロー時の熱処理ピーク温度は、好ましくは、240〜270℃の範囲であり、より好ましくは250〜260℃の範囲である。この熱処理時のピーク温度は、典型的には、第2の金属粒子の融点以上に設定される。本実施の形態に係る鉛フリーはんだを用いて、電子デバイス等の搭載部品電極と基板電極とを接続する場合、第2の金属粒子の融点以上の熱履歴が与えられると第2の金属粒子は溶融し、第1の金属粒子と第2の金属粒子との間で熱拡散による合金化反応が進み、第2の金属粒子の融点よりも高い融点を有する安定合金相が形成される。この新たな安定合金相の融点は、Sn−3.0Ag−0.5Cuから成る鉛フリーはんだのリフロー熱処理温度(例えば260℃程度)より高く、後工程で複数回の熱処理を受けてもはんだが溶融しない。したがって、本実施の形態によれば、はんだの再溶融によって部品電極間で発生するショートを防止できる。 The heat treatment peak temperature during reflow is preferably in the range of 240-270 ° C, more preferably in the range of 250-260 ° C. The peak temperature during this heat treatment is typically set to be equal to or higher than the melting point of the second metal particles. When the lead-free solder according to the present embodiment is used to connect a mounting component electrode such as an electronic device and a substrate electrode, the second metal particle is given a thermal history equal to or higher than the melting point of the second metal particle. It melts and an alloying reaction by thermal diffusion proceeds between the first metal particles and the second metal particles, and a stable alloy phase having a melting point higher than the melting point of the second metal particles is formed. The melting point of this new stable alloy phase is higher than the reflow heat treatment temperature (for example, about 260 ° C.) of the lead-free solder made of Sn-3.0Ag-0.5Cu, Does not melt. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to prevent a short circuit occurring between the component electrodes due to remelting of the solder.
<部品搭載基板>
本実施の形態は、基板上に搭載された本実施の形態の接続構造体を含む部品搭載基板も提供する。上記の部品搭載基板は、好ましくは、電子部品が搭載されている基板であり、そして各種の電子機器の製造に使用することができる。
<Component mounting board>
The present embodiment also provides a component mounting board including the connection structure of the present embodiment mounted on the board. The component mounting board is preferably a board on which electronic components are mounted, and can be used for manufacturing various electronic devices.
<部品内蔵基板>
本実施の形態は、基板内部に内蔵された本実施の形態の接続構造体を含む部品内蔵基板も提供する。上記の部品内蔵基板は、好ましくは、電子部品が内蔵されている基板であり、そして各種の電子機器の製造に使用することができる。
<Component built-in board>
The present embodiment also provides a component built-in substrate including the connection structure of the present embodiment built in the substrate. The component-embedded substrate is preferably a substrate in which an electronic component is embedded, and can be used for manufacturing various electronic devices.
なお、上述した各種パラメータについては特段の記載のない限り、後述する実施例における測定方法に準じて測定される。 The various parameters described above are measured according to the measurement method in the examples described later unless otherwise specified.
次に実施例及び比較例を挙げて本実施の形態をより具体例に説明するが、本実施の形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
各金属粒子および金属フィラー、はんだペーストの物性は、下記に示す方法で評価した。
(a)平均粒径
Sympatec社(ドイツ)製レーザー回折式粒子径分布測定装置「HELOS&RODOS」により体積積算平均値を測定し、平均粒径値とした。
(b)粒度分布
Sympatec社(ドイツ)製レーザー回折式粒子径分布測定装置「HELOS&RODOS」を用いて測定した。測定レンジは、累積分布を0.9μmから175μmの範囲で測定できる[R3:0.5/0.9...175μm]を選択し、トリガー条件を乾式標準に設定したのち、分散器をRODOSに設定し、分散圧力を3.0barとした。また、計算モードをLDとし、形状係数を1.0とした。HELOS検出器のエレメントが10%以上であることを確認し、測定濃度5〜10%になるようにして行った。
(c)示差走査熱量測定(DSC)
島津製作所株式会社製「DSC−60」を用い、窒素雰囲気下、昇温温度10℃/分の条件で、温度範囲30〜600℃の範囲で行った。発熱量または吸熱量が±1.5J/g以上あるものを測定対象物由来のピークとして定量し、それ未満のピークは分析精度の観点から除外した。
(d)元素組成
金属粒子の元素組成は誘導結合プラズマ(ICP)発光分析で確認した。粒子断面の元素組成は、SEM−EDX(特性X線分析装置)を用いることによって解析した。
Next, the present embodiment will be described more specifically by way of examples and comparative examples. However, the present embodiment is not limited to the following examples as long as it does not exceed the gist thereof.
The physical properties of each metal particle, metal filler, and solder paste were evaluated by the methods shown below.
(A) Average particle diameter The volume integrated average value was measured by a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus “HELOS & RODOS” manufactured by Sympatec (Germany), and the average particle diameter value was obtained.
(B) Particle size distribution The particle size distribution was measured using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus “HELOS & RODOS” manufactured by Sympatec (Germany). The measurement range can measure the cumulative distribution in the range of 0.9 μm to 175 μm [R3: 0.5 / 0.9. . . 175 μm] was selected, the trigger condition was set to dry standard, the disperser was set to RODOS, and the dispersion pressure was 3.0 bar. The calculation mode was LD, and the shape factor was 1.0. It was confirmed that the element of the HELOS detector was 10% or more, and the measurement concentration was 5 to 10%.
(C) Differential scanning calorimetry (DSC)
Using “DSC-60” manufactured by Shimadzu Corporation, the temperature was increased within a temperature range of 30 to 600 ° C. under a nitrogen atmosphere under a temperature rising temperature of 10 ° C./min. Those having an exotherm or endotherm of ± 1.5 J / g or more were quantified as peaks derived from the measurement object, and peaks below that were excluded from the viewpoint of analysis accuracy.
(D) Elemental composition The elemental composition of the metal particles was confirmed by inductively coupled plasma (ICP) emission analysis. The elemental composition of the particle cross section was analyzed by using SEM-EDX (characteristic X-ray analyzer).
<実施例1>
(1)第1の金属粒子であるCu合金粒子の製造
Cu32.5kg(純度99質量%以上)、Sn7.5kg(純度99質量%以上)、Ag5.0kg(純度99質量%以上)、Bi2.5kg(純度99質量%以上)、及びIn2.5kg(純度99質量%以上)を、黒鉛坩堝に入れ、99体積%以上のヘリウム雰囲気で、高周波誘導加熱装置により1442℃まで加熱、融解した。
次に、この溶融金属を坩堝の先端より、ヘリウムガス雰囲気の噴霧槽内に導入した後、坩堝先端付近に設けられたガスノズルから、ヘリウムガス(純度99体積%以上、酸素濃度0.185体積%、圧力2.61MPa)を噴出してアトマイズを行い、Cu合金粒子を作製した。この時の冷却速度は、2600℃/秒であった。
<Example 1>
(1) Production of Cu alloy particles as first metal particles Cu 32.5 kg (purity 99% by mass or more), Sn 7.5 kg (purity 99% by mass or more), Ag 5.0 kg (purity 99% by mass or more), Bi2. 5 kg (purity 99% by mass or more) and In2.5 kg (purity 99% by mass or more) were placed in a graphite crucible and heated and melted to 1442 ° C. with a high-frequency induction heating apparatus in a 99% by volume or more helium atmosphere.
Next, this molten metal was introduced from the tip of the crucible into a spray tank in a helium gas atmosphere, and then helium gas (purity 99 vol% or more, oxygen concentration 0.185 vol%) was supplied from a gas nozzle provided near the crucible tip. , Pressure 2.61 MPa) and atomizing to produce Cu alloy particles. The cooling rate at this time was 2600 ° C./second.
得られたCu合金粒子を株式会社日立製作所製走査型電子顕微鏡「S−3400N」で観察したところ球状であった。
このCu合金粒子を日清エンジニアリング株式会社製気流式分級機「TC−15N」を用いて、1.6μm設定で分級し、大粒子側を回収後、もう一度10μm設定で分級し、小粒子側を回収した。回収した合金粒子の平均粒径を測定したところ、2.69μmであった。
When the obtained Cu alloy particles were observed with a scanning electron microscope “S-3400N” manufactured by Hitachi, Ltd., they were spherical.
The Cu alloy particles are classified at 1.6 μm setting using an airflow classifier “TC-15N” manufactured by Nissin Engineering Co., Ltd. After collecting the large particle side, it is classified again at 10 μm setting, and the small particle side is classified. It was collected. The average particle size of the collected alloy particles was measured and found to be 2.69 μm.
次にCu合金粒子の示差走査熱量測定をしたところ、499℃、519℃で吸熱ピークが検出され、複数の融点から、複数の合金相の存在を確認することができた。また、255℃では発熱ピークが検出され、準安定合金相の存在を確認した。 Next, when differential scanning calorimetry of the Cu alloy particles was performed, endothermic peaks were detected at 499 ° C. and 519 ° C., and the presence of a plurality of alloy phases could be confirmed from a plurality of melting points. Further, an exothermic peak was detected at 255 ° C., and the presence of a metastable alloy phase was confirmed.
(2)第2の金属粒子
第2の金属粒子として山石金属株式会社製Sn粒子「Y−SnAg3.5−Q2510」(以下、Sn3.5Ag)を用いた。この粒子の平均粒径を測定したところ、22.0μmであった。また、粒度分布を測定し、4.3μm以下の粒子の累積分布を求めたところ、0%であった。また、この粒子の元素組成を分析したところ、Agの含有率は3.5質量%であった。次に、この粒子の示差走査熱量測定を行った。その結果、この粒子は示差走査熱量測定による223℃の吸熱ピークが存在し、融点221℃を有することが確認できた。また、特徴的な発熱ピークは存在しなかった。
(2) 2nd metal particle Yamaishi Metal Co., Ltd. Sn particle "Y-SnAg3.5-Q2510" (henceforth, Sn3.5Ag) was used as a 2nd metal particle. The average particle size of the particles was measured and found to be 22.0 μm. Moreover, when the particle size distribution was measured and the cumulative distribution of particles of 4.3 μm or less was obtained, it was 0%. Moreover, when the elemental composition of this particle | grain was analyzed, the content rate of Ag was 3.5 mass%. Next, differential scanning calorimetry of the particles was performed. As a result, it was confirmed that the particles had an endothermic peak at 223 ° C. by differential scanning calorimetry and had a melting point of 221 ° C. There was no characteristic exothermic peak.
(3)金属フィラーの製造
前記Cu合金粒子とSn3.5Ag粒子を重量比100:83で混合し、金属フィラーとした。この金属フィラーを試料として、示差走査熱量測定を行った。この測定により得られたDSCチャートを図1に示す。この図に示すように、225℃に吸熱ピークが存在する事が確認された。225℃の吸熱ピークは融点217℃で、吸熱量は、23.1J/gであった。また、特徴的に253℃と340℃に発熱ピークが存在していた。
(3) Production of metal filler The Cu alloy particles and Sn3.5Ag particles were mixed at a weight ratio of 100: 83 to obtain a metal filler. Differential scanning calorimetry was performed using this metal filler as a sample. The DSC chart obtained by this measurement is shown in FIG. As shown in this figure, it was confirmed that an endothermic peak was present at 225 ° C. The endothermic peak at 225 ° C. had a melting point of 217 ° C., and the endothermic amount was 23.1 J / g. In addition, characteristically, exothermic peaks existed at 253 ° C. and 340 ° C.
(4)鉛フリーはんだペーストの作製
次に金属フィラー91.4質量%、ロジン系フラックス8.6質量%を混合し、株式会社マルコム製ソルダーソフナー「SPS−1」、松尾産業株式会社製脱泡混練機「SNB−350」に順次かけてはんだペーストを作製した。このようにして得られたはんだペーストを株式会社マルコム製スパイラル粘度計「PCU−205」で測定したところ、粘度197Pa・s、チクソ指数0.40であった。
(4) Preparation of lead-free solder paste Next, 91.4% by mass of a metal filler and 8.6% by mass of a rosin flux were mixed, and solder softener “SPS-1” manufactured by Malcolm Co., Ltd., defoamed by Matsuo Sangyo Co., Ltd. A solder paste was prepared by sequentially applying to a kneader “SNB-350”. The solder paste thus obtained was measured with a spiral viscometer “PCU-205” manufactured by Malcolm Corporation. The viscosity was 197 Pa · s and the thixo index was 0.40.
(5)加熱後サンプルのDSC測定
得られたはんだペーストをアルミナ基板に載せ、窒素雰囲気下にて、ピーク温度260℃でリフロー熱処理を行った。熱処理装置は、株式会社マルコム製リフローシミュレータ(SRS−1C)を使用した。温度プロファイルは、熱処理開始(常温)から140℃までを1.5℃/秒で昇温し、140℃から170℃までを110秒かけて徐々に昇温後、2.0℃/秒で昇温し、ピーク温度250℃で15秒間保持する条件を採用した。
(5) DSC measurement of sample after heating The obtained solder paste was placed on an alumina substrate, and reflow heat treatment was performed at a peak temperature of 260 ° C. in a nitrogen atmosphere. As the heat treatment apparatus, Malcolm Reflow Simulator (SRS-1C) was used. The temperature profile increased from 1.5 ° C / second to 140 ° C from the start of heat treatment (room temperature), gradually increased from 140 ° C to 170 ° C over 110 seconds, and then increased at 2.0 ° C / second. The conditions of heating and holding at a peak temperature of 250 ° C. for 15 seconds were employed.
この熱処理したはんだペーストを試料とし、示差走査熱量測定を行ったところ、350℃に吸熱ピークが存在し、225℃の吸熱ピークは消失していることが確認された(吸熱量は0J/gとする)。この測定により得られたDSCチャートを図2に示す。この図に示すように、DSC吸熱量において、金属フィラー状態での吸熱量(熱処理前)と加熱後サンプルの吸熱量(熱処理後)の比を熱処理後の吸熱残存率とすると、このサンプルの熱処理後の吸熱残存率は0.0%となった。 When this heat-treated solder paste was used as a sample and differential scanning calorimetry was performed, it was confirmed that an endothermic peak was present at 350 ° C. and the endothermic peak at 225 ° C. was lost (the endothermic amount was 0 J / g). To do). The DSC chart obtained by this measurement is shown in FIG. As shown in this figure, in the DSC endotherm, if the ratio of the endotherm in the metal filler state (before heat treatment) and the endotherm of the sample after heating (after heat treatment) is the endothermic residual rate after heat treatment, the heat treatment of this sample The subsequent endothermic residual rate was 0.0%.
(6)有機皮膜処理基板の作成
両面に厚さ18μm銅箔を張り合わせたガラス布エポキシ樹脂含浸銅張積層板(FR-4グレード)100mm×100mmの片面に1005サイズ(1.0mm×0.5mm)抵抗部品が実装できるようにCu電極部分をフォトリソにより作製した。
(6) Preparation of organic film-treated substrate Glass cloth epoxy resin impregnated copper clad laminate (FR-4 grade) with both sides laminated with 18 μm thick copper foil 1005 size (1.0 mm × 0.5 mm) on one side of 100 mm × 100 mm ) A Cu electrode portion was prepared by photolithography so that a resistance component could be mounted.
作製した基板にメック株式会社製マイクロエッチング剤「CZ−8101」を30℃で1分間スプレーし、銅表面を1.5μmエッチングしたのち、引き続いてメック株式会社製有機皮膜処理剤「CL−8301」に室温で30秒間浸漬させて、有機皮膜処理基板(有機皮膜処理あり)を作製した。これに合わせて、CZ−8101、CL−8301の処理を施していない基板(有機皮膜処理なし)も用意した。 A microetching agent “CZ-8101” manufactured by MEC Co., Ltd. was sprayed on the produced substrate at 30 ° C. for 1 minute, and the copper surface was etched by 1.5 μm. Subsequently, an organic film treatment agent “CL-8301” manufactured by MEC Co., Ltd. was used. Was soaked at room temperature for 30 seconds to prepare an organic film-treated substrate (with organic film treatment). In accordance with this, a substrate not subjected to the treatments of CZ-8101 and CL-8301 (without organic coating treatment) was also prepared.
(7)1005サイズ抵抗部品の接合強度の測定
上記はんだペーストを用いて1005サイズの0Ω抵抗部品(1005R)を実装し、その後、N2雰囲気で、ピーク温度250℃のリフロー条件で熱処理に供して、1005R、45個のデイジーチェーンを作製した。
熱処理装置は、株式会社マルコム製リフローシミュレータ「SRS−1C」を使用した。温度プロファイルは、熱処理開始(常温)から140℃までを1.5℃/秒で昇温し、140℃から170℃までを110秒かけて徐々に昇温後、2.0℃/秒で昇温し、ピーク温度250℃で15秒間保持する条件を採用した。
(7) Measurement of bonding strength of 1005 size resistance component 1005 size 0Ω resistance component (1005R) was mounted using the above solder paste, and then subjected to heat treatment under reflow conditions at a peak temperature of 250 ° C. in an N2 atmosphere. 1005R, 45 daisy chains were made.
The heat treatment apparatus used was a reflow simulator “SRS-1C” manufactured by Malcolm Corporation. The temperature profile increased from 1.5 ° C / second to 140 ° C from the start of heat treatment (room temperature), gradually increased from 140 ° C to 170 ° C over 110 seconds, and then increased at 2.0 ° C / second. The conditions of heating and holding at a peak temperature of 250 ° C. for 15 seconds were employed.
印刷パターン形成には、有機皮膜処理を施した基板(有機皮膜処理あり)と有機皮膜処理を施さなかった基板(有機皮膜処理なし)を用いた。印刷パターン形成には、マイクロ・テック株式会社製スクリーン印刷機「MT−320TV」を用いた。印刷マスクはメタル製であり、スキージはウレタン製である。マスクは1005R電極部分に合わせて各印刷開口サイズを400μm×500μmと設定し、厚み0.08mmとした。印刷条件は、速度50mm/秒、印圧0.1MPa、スキージ圧0.2MPa、背圧0.1MPa、アタック角度20°、クリアランス0mm、印刷回数1回とした。
その後、部品の長手方向より荷重をかけ15個の部品接合強度を測定し、平均値を計算したところ、有機皮膜処理なし基板での部品接合強度の平均値は、7.1Nであり、有機皮膜処理あり基板での部品接合強度の平均値は7.0Nであった。評価結果を表1に示す。
For the printing pattern formation, a substrate subjected to organic film treatment (with organic film treatment) and a substrate not subjected to organic film treatment (without organic film treatment) were used. For printing pattern formation, a screen printer “MT-320TV” manufactured by Micro Tech Co., Ltd. was used. The printing mask is made of metal, and the squeegee is made of urethane. The mask has a printing opening size of 400 μm × 500 μm and a thickness of 0.08 mm in accordance with the 1005R electrode portion. The printing conditions were a speed of 50 mm / second, a printing pressure of 0.1 MPa, a squeegee pressure of 0.2 MPa, a back pressure of 0.1 MPa, an attack angle of 20 °, a clearance of 0 mm, and a printing frequency of once.
Thereafter, a load was applied from the longitudinal direction of the component to measure the bonding strength of 15 components and the average value was calculated. The average value of the component bonding strength on the substrate without organic coating was 7.1 N, and the organic coating The average value of the component bonding strength on the treated substrate was 7.0N. The evaluation results are shown in Table 1.
<実施例2〜6、比較例1、2>
第1の金属粒子と第2の金属粒子の混合質量比を表1に示した混合比に固定し、第2の金属粒子の合金組成を変えて、その他条件は実施例1と同様の条件で各評価を実施した。なお、表1にあるSn0.3Ag0.7Cu粒子は粒度20μm〜38μmで平均粒径が29.8μmのものを用いた。Sn1Ag0.5Cu粒子は粒度10〜25μmで平均粒径が21.3μmのものを用いた。Sn2Ag0.5Cu粒子は粒度10〜25μmで平均粒径が21.7μmのものを用いた。Sn3Ag0.5Cu粒子は粒度10〜25μmで平均粒径が22μmのものを用いた。Sn4Ag0.5Cu粒子は、粒度10〜25μmで平均粒径が21.8μmのものを用いた。Sn粒子は山石金属株式会社製Sn粒子「Y−Sn100−Q2510」(平均粒径21.2μm)を用いた。Sn0.7Cu粒子は粒度10〜25μmで平均粒径が22.9μmのものを用いた。いずれの金属粒子も、粒度分布を測定し、4.3μm以下の粒子の累積分布を求めると0%であった。
<Examples 2 to 6, Comparative Examples 1 and 2>
The mixing mass ratio of the first metal particles and the second metal particles is fixed to the mixing ratio shown in Table 1, the alloy composition of the second metal particles is changed, and other conditions are the same as in Example 1. Each evaluation was performed. The Sn0.3Ag0.7Cu particles shown in Table 1 were those having a particle size of 20 μm to 38 μm and an average particle size of 29.8 μm. Sn1Ag0.5Cu particles having a particle size of 10 to 25 μm and an average particle size of 21.3 μm were used. Sn2Ag0.5Cu particles having a particle size of 10 to 25 μm and an average particle size of 21.7 μm were used. Sn3Ag0.5Cu particles having a particle size of 10 to 25 μm and an average particle size of 22 μm were used. Sn4Ag0.5Cu particles having a particle size of 10 to 25 μm and an average particle size of 21.8 μm were used. As the Sn particles, Sn particles “Y-Sn100-Q2510” (average particle diameter 21.2 μm) manufactured by Yamaishi Metal Co., Ltd. were used. Sn0.7Cu particles having a particle size of 10 to 25 μm and an average particle size of 22.9 μm were used. Any metal particle was measured for particle size distribution, and the cumulative distribution of particles of 4.3 μm or less was found to be 0%.
<1005サイズ抵抗部品の接合強度>
表1の実施例1〜6と比較例1、2より、第1の金属粒子100質量部に対して、第2の金属粒子83質量部に固定した場合において、第2の金属粒子にAgを含む金属粒子を用いた場合には、有機皮膜処理あり基板の接合強度は有機皮膜処理なし基板とほぼ変わらず高い接合強度が得られた。特に、Agの含有量が3.5質量%の粒子では、有機皮膜処理あり基板においても、有機皮膜処理なし基板においても、7Nを越える接合強度が得られた。一方、Agを含まないSn粒子、Sn0.7Cu粒子では有機皮膜処理あり基板の接合強度が有機皮膜処理なし基板の接合強度に比べて低下していた。
<Joint strength of 1005 size resistor parts>
From Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 in Table 1, when 100 parts by mass of the first metal particles are fixed to 83 parts by mass of the second metal particles, Ag is added to the second metal particles. When the metal particles contained were used, the bonding strength of the substrate with the organic coating treatment was almost the same as that of the substrate without the organic coating treatment, and a high bonding strength was obtained. In particular, in the case of particles having an Ag content of 3.5% by mass, a bonding strength exceeding 7 N was obtained both with and without the organic film treatment. On the other hand, with Sn particles not containing Ag and Sn0.7Cu particles, the bonding strength of the substrate with the organic film treatment was lower than the bonding strength of the substrate without the organic film treatment.
このことから、第2の金属粒子にAgが含まれる事によって、Cu基板との接合性が向上するのに加え、Cu基板に有機皮膜処理が施されていても、接合性の低下を抑止できる効果があることが確認された。接合強度が大幅に低下しない効果の理由は必ずしも明確ではないが、第2の金属粒子にAgが含まれる事により基板表面の有機皮膜層との濡れ性が向上し、有機皮膜層を効果的に除去し、Cu基板表面と良好に接合できるためと考えられる。 From this fact, in addition to improving the bondability with the Cu substrate by including Ag in the second metal particles, it is possible to suppress a decrease in bondability even when the Cu substrate is subjected to an organic film treatment. It was confirmed that there was an effect. The reason for the effect that the bonding strength does not significantly decrease is not necessarily clear, but the inclusion of Ag in the second metal particles improves the wettability with the organic film layer on the substrate surface, effectively making the organic film layer effective. It is considered that it can be removed and bonded to the Cu substrate surface satisfactorily.
<熱処理によるDSC吸熱量の変化>
表1の実施例1〜6、比較例1、2より、第1の金属粒子100質量部に対して、第2の金属粒子83質量部に固定した場合において、熱処理前のDSC吸熱量に対する熱処理後のDSC吸熱量の比率が0%となり、再溶融に対して同様の耐性を示す、すなわち高い耐熱性が維持されていることが確認された。
<Change in DSC endotherm by heat treatment>
From Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 in Table 1, when fixed to 83 parts by mass of second metal particles with respect to 100 parts by mass of first metal particles, heat treatment for DSC endotherm before heat treatment The subsequent DSC endothermic ratio was 0%, and it was confirmed that the same resistance to remelting, that is, high heat resistance was maintained.
<実施例7〜10、比較例3>
第1の金属粒子と第2の金属粒子の混合質量比を表2に示した混合比に変えて、その他の条件は実施例1と同様の条件で評価した。1005サイズ抵抗部品の部品接合強度は第2の金属粒子の混合比が増えるほど、高くなることがわかる。また、熱処理後の吸熱残存率から第1の金属粒子100質量部に対して400から55の範囲であれば、熱処理後の吸熱残存率が90%以下となり、再溶融に対して耐性を示す、すなわち高耐熱性を示していることが確認された。
<Examples 7 to 10, Comparative Example 3>
The mixing mass ratio of the first metal particles and the second metal particles was changed to the mixing ratio shown in Table 2, and the other conditions were evaluated under the same conditions as in Example 1. It can be seen that the component bonding strength of the 1005 size resistance component increases as the mixing ratio of the second metal particles increases. Further, if the endothermic residual rate after heat treatment is in the range of 400 to 55 with respect to 100 parts by mass of the first metal particles, the endothermic residual rate after heat treatment is 90% or less, and shows resistance to remelting. That is, it was confirmed that high heat resistance was exhibited.
<実施例11>
実施例1のCu65質量%、Ag10質量%、Bi5質量%、In5質量%、及びSn15質量%からなるCu合金粒子の代わりに、第1の金属粒子としてCu80質量%、Ag20質量%からなるCu合金粒子を用いた。
第1の金属粒子であるCu80質量%、Ag20質量%からなるCu合金粒子の製造は、以下の方法で行った。Cu8.0kg(純度99質量%以上)、Ag2.0kg(純度99質量%以上)を、黒鉛坩堝に入れ、99体積%以上のヘリウム雰囲気で、高周波誘導加熱装置により1400℃まで加熱し、融解した。
<Example 11>
Instead of Cu alloy particles composed of 65 mass% Cu, 10 mass% Ag, 5 mass% Bi, 5 mass% In, and 15 mass% Sn in Example 1, Cu alloy composed of 80 mass% Cu and 20 mass% Ag as the first metal particles. Particles were used.
The production of Cu alloy particles composed of Cu 80% by mass and Ag 20% by mass as the first metal particles was carried out by the following method. Cu 8.0 kg (purity 99% by mass or more) and Ag 2.0 kg (purity 99% by mass or more) were put in a graphite crucible and heated to 1400 ° C. with a high-frequency induction heating apparatus in a helium atmosphere of 99% by volume or more and melted. .
次に、この溶融金属を坩堝の先端より、ヘリウムガス雰囲気の噴霧槽内に導入した後、坩堝先端付近に設けられたガスノズルから、ヘリウムガス(純度99体積%以上、酸素濃度0.1体積%未満、圧力2.5MPa)を噴出してアトマイズを行い、Cu合金粒子を作製した。この時の冷却速度は、2600℃/秒であった。 Next, after this molten metal is introduced from the tip of the crucible into a spray tank in a helium gas atmosphere, helium gas (purity 99 vol% or more, oxygen concentration 0.1 vol%) is supplied from a gas nozzle provided near the crucible tip. And pressure was reduced to 2.5 MPa), and atomization was performed to prepare Cu alloy particles. The cooling rate at this time was 2600 ° C./second.
得られたCu合金粒子を株式会社日立製作所製走査型電子顕微鏡「S−3400N」で観察したところ球状であった。
このCu合金粒子を日清エンジニアリング株式会社製気流式分級機「TC−15N」を用いて、1.6μm設定で分級し、大粒子側を回収後、もう一度10μm設定で分級し、小粒子側を回収した。回収したCu合金粒子の平均粒径を測定したところ、3.47μmであった。
この粒子を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表3に示す。1005サイズ抵抗部品の部品接合強度、熱処理後の吸熱残存率はいずれも、実施例1に近い値が得られた。
When the obtained Cu alloy particles were observed with a scanning electron microscope “S-3400N” manufactured by Hitachi, Ltd., they were spherical.
The Cu alloy particles are classified at 1.6 μm setting using an airflow classifier “TC-15N” manufactured by Nissin Engineering Co., Ltd. After collecting the large particle side, it is classified again at 10 μm setting, and the small particle side is classified. It was collected. The average particle size of the recovered Cu alloy particles was measured and found to be 3.47 μm.
Table 3 shows the results of the same evaluation as in Example 1 using these particles. Values close to those of Example 1 were obtained for the component bonding strength of the 1005 size resistance component and the endothermic residual rate after heat treatment.
<実施例12>
実施例1のCu65質量%、Ag10質量%、Bi5質量%、In5質量%、及びSn15質量%からなるCu合金粒子の代わりに、第1の金属粒子としてCu粒子である、福田金属箔粉株式会社製Cu粒子「Cu−HWQ 3μm」を用いた。このCu粒子の平均粒径を測定したところ、2.53μmであった。この粒子を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表3に示す。1005サイズ抵抗部品の部品接合強度、熱処理後の吸熱残存率はいずれも、実施例1に近い値が得られた。
<Example 12>
Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., which is Cu particles as the first metal particles instead of the Cu alloy particles consisting of Cu 65% by mass, Ag 10% by mass, Bi 5% by mass, In 5% by mass, and Sn 15% by mass in Example 1. Cu particles “Cu-HWQ 3 μm” were used. The average particle diameter of the Cu particles was measured and found to be 2.53 μm. Table 3 shows the results of the same evaluation as in Example 1 using these particles. Values close to those of Example 1 were obtained for the component bonding strength of the 1005 size resistance component and the endothermic residual rate after heat treatment.
本発明の金属フィラー及びこれを含む鉛フリーはんだは、後工程で複数回の熱処理を受ける用途(例えば部品内蔵基板及びパッケージ等の電子デバイスに使用されるはんだ材、さらには例えば導電性接着剤)に適用でき、かつ、接続性の向上により信頼性の高い高密度実装を実現できる。 The metal filler of the present invention and the lead-free solder containing the metal filler are used for a plurality of heat treatments in a subsequent process (for example, a solder material used for an electronic device such as a component-embedded substrate and a package, and further, for example, a conductive adhesive). In addition, high-density mounting with high reliability can be realized by improving connectivity.
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