JP2012124297A - Organic photoelectric conversion element and solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機光電変換素子およびそれを用いた太陽電池に関し、さらに詳しくは、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子およびそれを用いた太陽電池に関する。 The present invention relates to an organic photoelectric conversion element and a solar cell using the same, and more particularly to a bulk heterojunction type organic photoelectric conversion element and a solar cell using the same.
近年の化石エネルギーの高騰によって、自然エネルギーから直接電力を発電できるシステムが求められており、単結晶・多結晶・アモルファスのSiを用いた太陽電池、GaAsやCIGS(銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、セレン(Se)からなる半導体材料)などの化合物系の太陽電池、あるいは色素増感型光電変換素子(グレッツェルセル)などが提案・実用化されている。 Due to the recent rise in fossil energy, a system that can generate electric power directly from natural energy has been demanded. Solar cells using single-crystal / polycrystal / amorphous Si, GaAs, CIGS (copper (Cu), indium (In) ), Semiconductor materials such as gallium (Ga) and selenium (Se)), and dye-sensitized photoelectric conversion elements (Gretzel cells) have been proposed and put to practical use.
しかしながら、これらの太陽電池で発電するコストは、未だ化石燃料を用いて発電・送電される電気の価格よりも高いものとなっており、普及の妨げとなっていた。また、基板に重いガラスを用いなければならないため、設置時に補強工事が必要であり、これらも発電コストが高くなる一因であった。 However, the cost of generating electricity with these solar cells is still higher than the price of electricity generated and transmitted using fossil fuels, which has hindered widespread use. In addition, since heavy glass must be used for the substrate, reinforcement work is required at the time of installation, which is one of the causes that increase the power generation cost.
このような状況に対し、化石燃料による発電コストよりも低コストである発電コストを達成しうる太陽電池として、透明電極と対電極との間に電子供与体層(p型半導体層)と電子受容体層(n型半導体層)とが混合された光電変換層を挟んだバルクヘテロジャンクション型光電変換素子が提案され、5%を超える効率が報告されている(非特許文献1参照)。 In this situation, as a solar cell that can achieve a power generation cost that is lower than that of fossil fuel, an electron donor layer (p-type semiconductor layer) and an electron acceptor are interposed between the transparent electrode and the counter electrode. A bulk heterojunction photoelectric conversion element sandwiching a photoelectric conversion layer mixed with a body layer (n-type semiconductor layer) has been proposed, and an efficiency exceeding 5% has been reported (see Non-Patent Document 1).
なお光電変換効率は、短絡電流(Jsc)×開放電圧(Voc)×曲線因子(FF)の積で算出されるが、上記のような高効率の有機薄膜太陽電池を含めて一般に有機光電変換素子は曲線因子が0.55程度と低いものに留まっており、これらをシリコン系太陽電池並みの値(0.65〜0.75)に向上できれば一層の光電変換効率を得られるものと期待される。 The photoelectric conversion efficiency is calculated by the product of short-circuit current (Jsc) × open-circuit voltage (Voc) × fill factor (FF), but generally includes organic photoelectric conversion elements including the above-described high-efficiency organic thin-film solar cells. The curve factor remains as low as about 0.55, and if these can be improved to values equivalent to silicon solar cells (0.65 to 0.75), it is expected that further photoelectric conversion efficiency can be obtained. .
曲線因子は光電変換素子の内部抵抗と密接に関わっており、曲線因子向上のためには有機薄膜の低抵抗化、電荷分離効率の向上(整流性の向上)が有効であることが知られている。 The curve factor is closely related to the internal resistance of the photoelectric conversion element, and it is known that lowering the resistance of the organic thin film and improving the charge separation efficiency (improving rectification) are effective for improving the curve factor. Yes.
電荷分離効率を向上させる技術として、光電変換素子の正孔ブロック層に、バソキュプロイン(BCP)からなる層を用いる技術が開示されている(特許文献1参照)。 As a technique for improving the charge separation efficiency, a technique using a layer made of bathocuproine (BCP) as a hole blocking layer of a photoelectric conversion element is disclosed (see Patent Document 1).
また、塗布プロセスで作製できる正孔ブロック層としてTiOxを用いた層が開示されている(非特許文献2参照)。 Further, a layer using TiOx is disclosed as a hole blocking layer that can be produced by a coating process (see Non-Patent Document 2).
しかしながら、上記BCPなどの材料は結晶性が高く溶解性が低いため、生産性の高い塗布方式に適用することは困難であるといった課題を有していた。 However, since the material such as BCP has high crystallinity and low solubility, there is a problem that it is difficult to apply to a coating method with high productivity.
また、上記TiOx層を形成するためには水分とチタニウムアルコキシド類を反応させる必要があり、水分によって劣化が起きる有機光電変換素子においては好ましい作製法であるとは言えず、耐久性において課題を有している。 In addition, in order to form the TiOx layer, it is necessary to react moisture with titanium alkoxides, which is not a preferable production method for an organic photoelectric conversion element that is deteriorated by moisture, and has a problem in durability. is doing.
このように、従来の光電変換素子においては、生産性、光電変換効率および耐久性が充分なものではなかった。 Thus, in the conventional photoelectric conversion element, productivity, photoelectric conversion efficiency, and durability were not sufficient.
本発明の目的は、生産性が高く、光電変換効率および耐久性に優れる有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an organic photoelectric conversion element having high productivity and excellent photoelectric conversion efficiency and durability, and a solar cell using the same.
本発明の上記目的は、下記構成により達成される。 The above object of the present invention is achieved by the following configurations.
1.カソード、正孔ブロック層、p型半導体材料とn型半導体材料とを含有するバルクヘテロジャンクション型の光電変換層およびアノードをこの順に有する有機光電変換素子であって、該正孔ブロック層は、該光電変換層に隣接し、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 1. An organic photoelectric conversion element having a cathode, a hole blocking layer, a bulk heterojunction type photoelectric conversion layer containing a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, and an anode in this order, An organic photoelectric conversion element comprising a compound adjacent to the conversion layer and represented by the following general formula (1).
〔式中、R1〜R4は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ヒドロキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を表す。 [Wherein R 1 to R 4 represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a hydroxyl group, an alkyloxycarbonyl group, an alkoxy group, an amino group, a halogen atom, or a halogenated alkyl group.
A1は水素原子、アリール基、ヘテロアリール基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。 A 1 represents a hydrogen atom, an aryl group, a heteroaryl group, an acyl group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group.
A2はヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、チオール基またはアルキルチオ基を表す。 A 2 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, an amino group, an acylamino group, a thiol group or an alkylthio group.
X1は酸素原子、硫黄原子またはN−R5を表し、R5は水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。 X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom or N—R 5 , and R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group.
X2は酸素原子、N−R6を表し、R6は水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。〕
2.前記一般式(1)におけるX2が、酸素原子であることを特徴とする前記1に記載の有機光電変換素子。
X 2 represents an oxygen atom or N—R 6 , and R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group. ]
2. Formula X 2 is in (1), an organic photoelectric conversion element according to the 1, characterized in that an oxygen atom.
3.前記一般式(1)におけるA1が、アリール基、ヘテロアリール基であることを特徴とする前記1または2に記載の有機光電変換素子。 3. 3. The organic photoelectric conversion device as described in 1 or 2 above, wherein A 1 in the general formula (1) is an aryl group or a heteroaryl group.
4.前記一般式(1)におけるX1が、酸素原子であることを特徴とする前記1から3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。 4). Wherein X 1 in the general formula (1) is an organic photoelectric conversion element of any one of the items 1 to 3, characterized in that an oxygen atom.
5.前記1から4のいずれか1項に記載の有機光電変換素子を具備することを特徴とする太陽電池。 5). 5. A solar cell comprising the organic photoelectric conversion device according to any one of 1 to 4 above.
本発明により、生産性が高く、光電変換効率および耐久性に優れる有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池が提供できる。 According to the present invention, an organic photoelectric conversion element having high productivity and excellent photoelectric conversion efficiency and durability and a solar cell using the same can be provided.
本発明は、カソード、正孔ブロック層、p型半導体材料とn型半導体材料とを含有するバルクヘテロジャンクション型の光電変換層およびアノードをこの順に有する有機光電変換素子であって、正孔ブロック層は、光電変換層に隣接し、上記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする。 The present invention is an organic photoelectric conversion element having a cathode, a hole blocking layer, a bulk heterojunction photoelectric conversion layer containing a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, and an anode in this order, It is adjacent to the photoelectric conversion layer and contains the compound represented by the general formula (1).
本発明では特に、カソードと光電変換層との間に一般式(1)で表される化合物を含有する層を設けることで、光電変換効率および耐久性に優れる有機光電変換素子が得られる。 Especially in this invention, the organic photoelectric conversion element excellent in photoelectric conversion efficiency and durability is obtained by providing the layer containing the compound represented by General formula (1) between a cathode and a photoelectric converting layer.
(有機光電変換素子の構成)
図1は、バルクヘテロジャンクション型の光電変換層を有する本発明の有機光電変換素子の一例を示す断面図である。
(Configuration of organic photoelectric conversion element)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the organic photoelectric conversion element of the present invention having a bulk heterojunction type photoelectric conversion layer.
図1において、有機光電変換素子10は、基板11上に、設置されている。
In FIG. 1, the organic
基板11側から、アノード12、正孔輸送層17、バルクヘテロジャンクション型の光電変換層14、正孔ブロック層18およびカソード13が順次積層されて有機光電変換素子を構成している。
From the
基板11は、順次積層されたアノード12、光電変換層14およびカソード13を保持する部材である。
The
図1において、アノード12は、透明電極である。この例では、基板11側から光電変換に用いられる光が入射するので、基板11は、この光電変換される光を透過させることが可能な、すなわち、この光電変換に用いられる光の波長に対して透明な部材である。
In FIG. 1, the
基板11は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が用いられる。
As the
光電変換層14は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する層であって、p型半導体材料とn型半導体材料とを含有する。
The
p型半導体材料は、相対的に電子供与体(ドナー)として機能し、n型半導体材料は、相対的に電子受容体(アクセプタ)として機能する。ここで、電子供与体および電子受容体は、“光を吸収した際に、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア(電荷分離状態)を形成する電子供与体および電子受容体”であり、電極のように単に電子を供与あるいは受容するものではなく、光反応によって、電子を供与あるいは受容するものである。 The p-type semiconductor material functions relatively as an electron donor (donor), and the n-type semiconductor material functions relatively as an electron acceptor (acceptor). Here, the electron donor and the electron acceptor are “an electron donor in which, when light is absorbed, electrons move from the electron donor to the electron acceptor to form a hole-electron pair (charge separation state)”. And an electron acceptor ”, which does not simply donate or accept electrons as in the case of an electrode, but donates or accepts electrons by a photoreaction.
図1において、基板11を介してアノード12から入射された光は、バルクヘテロジャンクション型の光電変換層14における電子受容体あるいは電子供与体で吸収され、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア(電荷分離状態)が形成される。
In FIG. 1, light incident from the
発生した電荷は内部電界、例えば、アノード12とカソード13との仕事関数が異なることによる電位差によって、電子は正孔ブロック層を通り、また正孔は正孔輸送層17を通り、それぞれ異なる電極へ運ばれ、光電流が検出される。図1の例では、アノード12の仕事関数はカソード13の仕事関数よりも大きい。
The generated charge is caused by an internal electric field, for example, a potential difference due to the work function of the
なお図1には記載していないが、電子ブロック層、電子注入層、正孔注入層、あるいは平滑化層等の他の層を有していてもよい。 Although not shown in FIG. 1, other layers such as an electron block layer, an electron injection layer, a hole injection layer, or a smoothing layer may be included.
さらに、太陽光利用率(光電変換効率)の向上を目的として、このような光電変換素子を積層した、タンデム型の構成としてもよい。 Furthermore, it is good also as a tandem-type structure which laminated | stacked such a photoelectric conversion element for the purpose of the improvement of sunlight utilization factor (photoelectric conversion efficiency).
図2は、タンデム型のバルクヘテロジャンクション層を備える有機光電変換素子からなる太陽電池を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing a solar cell composed of an organic photoelectric conversion element including a tandem type bulk heterojunction layer.
タンデム型構成の場合、基板11上に、順次アノード12、第一の光電変換層14′を積層した後、電荷再結合層15を積層した後、第二の光電変換層16、次いでカソード13を積層することで、タンデム型の構成とすることができる。
In the case of the tandem configuration, the
第2の光電変換層16は、第一の光電変換層14′の吸収スペクトルと同じスペクトルを吸収する層でもよいし、異なるスペクトルを吸収する層でもよいが、好ましくは異なるスペクトルを吸収する層である。 The second photoelectric conversion layer 16 may be a layer that absorbs the same spectrum as the absorption spectrum of the first photoelectric conversion layer 14 'or may be a layer that absorbs a different spectrum, but is preferably a layer that absorbs a different spectrum. is there.
以下に、これらの層を構成する材料について述べる。 Below, the material which comprises these layers is described.
〔p型半導体材料〕
本発明に係る光電変換層に用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマーが挙げられる。
[P-type semiconductor materials]
Examples of the p-type semiconductor material used for the photoelectric conversion layer according to the present invention include various condensed polycyclic aromatic low molecular compounds and conjugated polymers.
縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、サーコビフェニル、アントラジチオフェン等の化合物、ポルフィリンや銅フタロシアニン、テトラチアフルバレン(TTF)−テトラシアノキノジメタン(TCNQ)錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン(BEDTTTF)−過塩素酸錯体、およびこれらの誘導体や前駆体が挙げられる。 Examples of the condensed polycyclic aromatic low-molecular compound include anthracene, tetracene, pentacene, hexacene, heptacene, chrysene, picene, fluorene, pyrene, peropyrene, perylene, terylene, quaterylene, coronene, ovalene, circumanthracene, bisanthene, zesulene, Compounds such as heptazeslen, pyranthrene, violanthene, isoviolanthene, circobiphenyl, anthradithiophene, porphyrin, copper phthalocyanine, tetrathiafulvalene (TTF) -tetracyanoquinodimethane (TCNQ) complex, bisethylenetetrathiafulvalene (BEDTTTTF ) -Perchloric acid complexes, and derivatives and precursors thereof.
上記の縮合多環を有する誘導体の例としては、国際公開第03/16599号パンフレット、国際公開第03/28125号パンフレット、米国特許第6,690,029号明細書、特開2004−107216号公報等に記載の置換基をもったペンタセン誘導体、米国特許出願公開第2003/136964号明細書等に記載のペンタセンプレカーサ、J.Amer.Chem.Soc.,vol127.No14.4986、J.Amer.Chem.Soc.,vol.123、p9482、J.Amer.Chem.Soc.,vol.130(2008)、No.9、2706等に記載のトリアルキルシリルエチニル基で置換されたアセン系化合物等が挙げられる。 Examples of the derivative having the above condensed polycycle include WO 03/16599 pamphlet, WO 03/28125 pamphlet, US Pat. No. 6,690,029, JP 2004-107216 A. A pentacene derivative having a substituent as described in U.S. Pat. No. 2003/136964, J. Pat. Amer. Chem. Soc. , Vol127. No. 14.4986, J. MoI. Amer. Chem. Soc. , Vol. 123, p9482; Amer. Chem. Soc. , Vol. 130 (2008), no. 9, acene-based compounds substituted with a trialkylsilylethynyl group described in 2706 and the like.
共役系ポリマーとしては、例えば、ポリ3−ヘキシルチオフェン(P3HT)等のポリチオフェンおよびそのオリゴマー、またはTechnical Digest of the International PVSEC−17, Fukuoka, Japan, 2007, P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェン、Nature Material,(2006)vol.5,p328に記載のポリチオフェン−チエノチオフェン共重合体、WO2008000664に記載のポリチオフェン−ジケトピロロピロール共重合体、Adv Mater,2007p4160に記載のポリチオフェン−チアゾロチアゾール共重合体,Nature Mat.vol.6(2007),p497に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、ポリピロールおよびそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレンおよびそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレンおよびそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレンおよびそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマー、等のポリマー材料が挙げられる。 As the conjugated polymer, for example, a polythiophene such as poly-3-hexylthiophene (P3HT) and its oligomer, or a polymerizable group described in Technical Digest of the International PVSEC-17, Fukuoka, Japan, 2007, P1225. Polythiophene, Nature Material, (2006) vol. 5, p328, a polythiophene-thienothiophene copolymer described in WO2008000664, a polythiophene-diketopyrrolopyrrole copolymer described in WO2008000664, a polythiophene-thiazolothiazole copolymer described in Adv Mater, 2007p4160, Nature Mat. vol. 6 (2007), p497 described in PCPDTBT, etc., polypyrrole and its oligomer, polyaniline, polyphenylene and its oligomer, polyphenylene vinylene and its oligomer, polythienylene vinylene and its oligomer, polyacetylene, polydiacetylene, Examples thereof include polymer materials such as σ-conjugated polymers such as polysilane and polygermane.
また、ポリマー材料に加えて下記のようなオリゴマー材料も好適に用いることができる。例えば、チオフェン6量体であるα−セクシチオフェンα,ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、α,ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α,ω−ビス(3−ブトキシプロピル)−α−セクシチオフェン、等が挙げられる。 In addition to the polymer material, the following oligomer materials can also be suitably used. For example, α-seccithiophene α, ω-dihexyl-α-sexithiophene, α, ω-dihexyl-α-kinkethiophene, α, ω-bis (3-butoxypropyl) -α-sexithiophene which are thiophene hexamers , Etc.
これらの化合物の中でも、溶液プロセスが可能な程度に有機溶剤への溶解性が高く、かつ乾燥後は結晶性薄膜を形成し、高い移動度を達成することが可能な化合物が好ましい。 Among these compounds, compounds that have high solubility in organic solvents to the extent that solution processing is possible, can form a crystalline thin film after drying, and can achieve high mobility are preferable.
より好ましくは、下述するn型有機半導体材料として好ましく用いられるフラーレン誘導体と適度な相溶性を有するような化合物(適度な相分離構造形成し得る化合物)であることが好ましい。 More preferably, it is a compound (a compound capable of forming an appropriate phase separation structure) having appropriate compatibility with a fullerene derivative preferably used as an n-type organic semiconductor material described below.
またバルクヘテロジャンクション層上にさらに溶液プロセスで電子輸送層や正孔ブロック層を形成する際には、一度塗布した層の上にさらに塗布することができれば、容易に積層することができるが、通常溶解性の良い材料からなる層の上にさらに層を溶液プロセスによって積層使用とすると、下地の層を溶かしてしまうために積層することができないという課題を有していた。したがって、溶液プロセスで塗布した後に不溶化できるような材料が好ましい。 In addition, when an electron transport layer or a hole blocking layer is further formed on the bulk heterojunction layer by a solution process, it can be easily laminated if it can be further coated on the layer once coated, but usually dissolved. When a layer is further laminated by a solution process on a layer made of a good material, there is a problem that the layer cannot be laminated because the underlying layer is dissolved. Therefore, a material that can be insolubilized after application by a solution process is preferable.
このような材料としては、Technical Digest of the International PVSEC−17,Fukuoka,Japan,2007,P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェンのような、塗布後に塗布膜を重合架橋して不溶化できる材料、または米国特許出願公開第2003/136964号、および特開2008−16834等に記載されているような、熱等のエネルギーを加えることによって可溶性置換基が反応して不溶化する(顔料化する)材料などを挙げることができる。 Examples of such materials include materials that can be insolubilized by polymerizing the coating film after coating, such as polythiophene having a polymerizable group described in Technical Digest of the International PVSEC-17, Fukuoka, Japan, 2007, P1225. Or a material in which soluble substituents react and become insoluble (pigmented) by applying energy such as heat, as described in US Patent Application Publication No. 2003/136964, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-16834 And so on.
[n型半導体材料]
本発明に係るバルクヘテロジャンクション型の光電変換層に用いられるn型半導体材料としては、特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。
[N-type semiconductor materials]
The n-type semiconductor material used for the bulk heterojunction type photoelectric conversion layer according to the present invention is not particularly limited. For example, perfluoro compounds in which hydrogen atoms of p-type semiconductors are substituted with fluorine atoms, such as fullerene and octaazaporphyrin. (Skeletons such as perfluoropentacene and perfluorophthalocyanine), naphthalenetetracarboxylic anhydride, naphthalenetetracarboxylic acid diimide, perylenetetracarboxylic acid anhydride, perylenetetracarboxylic acid diimide, etc. The polymer compound etc. which are contained as can be mentioned.
これらの中でも特に、各種のp型半導体材料と高速(〜50fs)かつ効率的に電荷分離を行うことができる、フラーレン誘導体が好ましい。フラーレン誘導体としては、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC84、フラーレンC240、フラーレンC540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブ、単層ナノチューブ、ナノホーン(円錐型)等、およびこれらの一部が水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、シリル基等によって置換されたフラーレン誘導体を挙げることができる。 Among these, fullerene derivatives that can efficiently perform charge separation with various p-type semiconductor materials at high speed (˜50 fs) are preferable. Fullerene derivatives include fullerene C60, fullerene C70, fullerene C76, fullerene C78, fullerene C84, fullerene C240, fullerene C540, mixed fullerene, fullerene nanotubes, multi-walled nanotubes, single-walled nanotubes, nanohorns (conical), and the like. Partially by hydrogen atom, halogen atom, substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl group, silyl group, ether group, thioether group, amino group, silyl group, etc. Examples thereof include substituted fullerene derivatives.
中でも[6,6]−フェニルC61−ブチリックアシッドメチルエステル(略称PCBM)、[6,6]−フェニルC61−ブチリックアシッド−nブチルエステル(PCBnB)、[6,6]−フェニルC61−ブチリックアシッド−イソブチルエステル(PCBiB)、[6,6]−フェニルC61−ブチリックアシッド−nヘキシルエステル(PCBH)、Adv.Mater.,vol.20(2008),p2116等に記載のbis−PCBM、特開2006−199674号公報等のアミノ化フラーレン、特開2008−130889号公報等のメタロセン化フラーレン、米国特許第7329709号明細書等の環状エーテル基を有するフラーレン等のような、置換基を有してより溶解性が向上したフラーレン誘導体を用いることが好ましい。 Among them, [6,6] -phenyl C61-butyric acid methyl ester (abbreviation PCBM), [6,6] -phenyl C61-butyric acid-nbutyl ester (PCBnB), [6,6] -phenyl C61-buty Rick acid-isobutyl ester (PCBiB), [6,6] -phenyl C61-butyric acid-n hexyl ester (PCBH), Adv. Mater. , Vol. 20 (2008), p2116, etc., aminated fullerenes such as JP-A 2006-199674, metallocene fullerenes such as JP-A 2008-130889, and cyclics such as US Pat. No. 7,329,709. It is preferable to use a fullerene derivative having a substituent and having improved solubility, such as fullerene having an ether group.
〔光電変換層の形成方法〕
電子受容体と電子供与体とを含有するバルクヘテロジャンクション型の光電変換層の形成方法としては、蒸着法、塗布法(キャスト法、スピンコート法を含む)等を例示することができる。
[Method for forming photoelectric conversion layer]
Examples of the method for forming a bulk heterojunction type photoelectric conversion layer containing an electron acceptor and an electron donor include a vapor deposition method and a coating method (including a casting method and a spin coating method).
このうち、前述の正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有する素子を作製するためには、塗布法が好ましい。また塗布法は、製造速度にも優れている。 Among these, the coating method is preferable in order to increase the area of the interface where charges and electrons are separated from each other as described above and to produce a device having high photoelectric conversion efficiency. The coating method is also excellent in production speed.
塗布後は残留溶媒および水分、ガスの除去、および半導体材料の結晶化による移動度向上・吸収長波化を引き起こすために加熱を行うことが好ましい。製造工程中において所定の温度でアニール処理されると、微視的に一部が凝集または結晶化が促進され、光電変換層を適切な相分離構造とすることができる。 After coating, it is preferable to perform heating in order to cause removal of residual solvent, moisture and gas, and improvement of mobility and absorption longwave due to crystallization of the semiconductor material. When annealing is performed at a predetermined temperature during the manufacturing process, a part of the particles is microscopically aggregated or crystallized and the photoelectric conversion layer can have an appropriate phase separation structure.
その結果、バルクヘテロジャンクション型の光電変換層のキャリア移動度が向上し、高い効率を得ることができるようになる。 As a result, the carrier mobility of the bulk heterojunction photoelectric conversion layer is improved, and high efficiency can be obtained.
光電変換層は、電子受容体と電子供与体とが均一に混在された単一層で構成してもよいが、電子受容体と電子供与体との混合比を変えた複数層で構成してもよい。この場合、前述したような塗布後に不溶化できるような材料を用いることで形成することが可能となる。 The photoelectric conversion layer may be composed of a single layer in which an electron acceptor and an electron donor are uniformly mixed, or may be composed of a plurality of layers in which the mixing ratio of the electron acceptor and the electron donor is changed. Good. In this case, it can be formed by using a material that can be insolubilized after coating as described above.
光電変換層の膜厚としては2nm〜5μm、好ましくは2〜200nm、更に好ましくは5〜20nmである。 The film thickness of the photoelectric conversion layer is 2 nm to 5 μm, preferably 2 to 200 nm, more preferably 5 to 20 nm.
〔正孔ブロック層(電子輸送層)〕
本発明の有機光電変換素子は、バルクヘテロジャンクション型の光電変換層とカソードとの間に正孔ブロック層を形成することで、光電変換層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となる。
[Hole blocking layer (electron transport layer)]
In the organic photoelectric conversion element of the present invention, by forming a hole blocking layer between a bulk heterojunction type photoelectric conversion layer and a cathode, it becomes possible to more efficiently extract charges generated in the photoelectric conversion layer. .
本発明に係る正孔ブロック層は、バルクヘテロジャンクション層で生成した正孔をカソード側には流さないような整流効果を有する層であるが、電子を輸送する機能を有する電子輸送としても機能する。 The hole blocking layer according to the present invention is a layer having a rectifying effect that prevents holes generated in the bulk heterojunction layer from flowing to the cathode side, but also functions as electron transport having a function of transporting electrons.
本発明に係る正孔ブロック層は、上記一般式(1)で表される化合物を含有し、光電変換層と隣接する。 The hole blocking layer according to the present invention contains the compound represented by the general formula (1) and is adjacent to the photoelectric conversion layer.
隣接するとは、正孔ブロック層と光電変換層が接触して積層されている状態にあることをいう。 Adjacent means that the hole blocking layer and the photoelectric conversion layer are in contact and laminated.
(一般式(1)で表される化合物)
一般式(1)において、R1〜R4は水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えば、メチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル等)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニル、p−メチルフェニル、ナフチル等)、ヘテロアリール基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には、例えば、イミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、オキサゾリジル、チアゾリル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アルキルオキシカルボニル基(例えば、エチルオキシカルボニル基、メチルオキシカルボニル基)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基)、アミノ基(例えば、アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基)またはハロゲン化アルキル基(例えば、トリフルオロメチル基、ジクロロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタクロロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、クロロジフルオロメチル基、ヘキサフルオロプロピル基、等)を表す。
(Compound represented by the general formula (1))
In the general formula (1), R 1 to R 4 are a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 8 carbon atoms. For example, methyl , Ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, etc.), an aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably carbon number) 6-12, for example, phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, etc.), heteroaryl groups (preferably having 1-20 carbon atoms, more preferably having 1-12 carbon atoms). Atom, oxygen atom, sulfur atom, specifically, for example, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, oxazolidyl, thiazolyl, benzoxazolyl, benz Midazolyl, benzthiazolyl, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), alkyloxycarbonyl group (eg, ethyloxycarbonyl group, methyloxycarbonyl group), alkoxy group (eg, methoxy group, Ethoxy group), amino group (for example, amino group, dimethylamino group, diethylamino group) or halogenated alkyl group (for example, trifluoromethyl group, dichloromethyl group, pentafluoroethyl group, pentachloroethyl group, heptafluoropropyl group) Chlorodifluoromethyl group, hexafluoropropyl group, etc.).
R1〜R4として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基である。 R 1 to R 4 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a halogenated alkyl group.
A1は水素原子、アリール基、ヘテロアリール基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。これらの基はさらに置換基を有していても良い。 A 1 represents a hydrogen atom, an aryl group, a heteroaryl group, an acyl group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group. These groups may further have a substituent.
アリール基としては、R1〜R4で挙げたものと同様のものを用いることができる。 The aryl group may be the same as those mentioned R 1 to R 4.
ヘテロアリール基としては、R1〜R4で挙げたものと同様のものを用いることができる。 The heteroaryl group may be the same as those mentioned R 1 to R 4.
アシル基としては、炭素数が1から16のアシル基を挙げることができる。 Examples of the acyl group include acyl groups having 1 to 16 carbon atoms.
アルキルオキシカルボニル基としては、R1〜R4で挙げたものと同様のものを用いることができる。 As the alkyloxycarbonyl group, the same groups as those described for R 1 to R 4 can be used.
カルバモイル基としては無置換カルバモイル基、フェニル置換カルバモイル基、アルキル置換カルバモイル基を挙げることができる。 Examples of the carbamoyl group include an unsubstituted carbamoyl group, a phenyl-substituted carbamoyl group, and an alkyl-substituted carbamoyl group.
A1として好ましくはアリール基、ヘテロアリール基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、カルバモイル基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基である。 A 1 is preferably an aryl group, heteroaryl group, acyl group, alkyloxycarbonyl group or carbamoyl group, more preferably an aryl group or heteroaryl group.
A2はヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、チオール基またはアルキルチオ基を表しす。これらの基は、さらに置換基を有していても良い。 A 2 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, an amino group, an acylamino group, a thiol group or an alkylthio group. These groups may further have a substituent.
A2としてアルコキシ基、アミノ基が好ましい。 A 2 is preferably an alkoxy group or an amino group.
アルコキシ基、アミン基としては、上記で挙げたものと同様のものを用いることができる。 As the alkoxy group and amine group, the same groups as mentioned above can be used.
X1は酸素原子、硫黄原子、N−R5を表し、R5は水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。これらの基は、さらに置換基を有していても良い。X1は、好ましくは酸素原子である。 X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or N—R 5 , and R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. These groups may further have a substituent. X 1 is preferably an oxygen atom.
アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、上記と同様のものを用いることができる。 As the alkyl group, aryl group, and heteroaryl group, the same groups as described above can be used.
X2は酸素原子、N−R6を表し、R6は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。これらの基は、さらに置換基を有していても良い。X2は好ましくは酸素原子である。 X 2 represents an oxygen atom or N—R 6 , and R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. These groups may further have a substituent. X 2 is preferably an oxygen atom.
尚、A1が表す基に、置換可能な基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、さらにアルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えば、ビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えば、プロパルギル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有し、具体的には、例えば、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、チオモルホリン、チオモルホリンジオキシド、等)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。)、シクロアルキルオキシ基(好ましくは炭素数4〜8であり、例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、特に好ましくは炭素数7〜10であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜16、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、アルキルシリル基(トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、などが挙げられる。 Examples of the group that can be substituted for the group represented by A 1 include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and an alkenyl group (preferably having a carbon number of 2 to 20, more preferably 2 to 12 carbon atoms, particularly preferably 2 to 8 carbon atoms, such as vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), alkynyl group (preferably 2 carbon atoms) -20, more preferably 2-12 carbon atoms, particularly preferably 2-8 carbon atoms, including, for example, propargyl, 3-pentenyl, etc.), heterocyclic groups (preferably having 1-20 carbon atoms, more Preferably, it has 1 to 12 carbon atoms, and examples of the hetero atom include a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom. Peridine, piperazine, morpholine, thiomorpholine, thiomorpholine dioxide, etc.), an alkoxy group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably 1 to 8 carbon atoms, Methoxy, ethoxy, butoxy, etc.), a cycloalkyloxy group (preferably having 4 to 8 carbon atoms, such as cyclopentyloxy, cyclohexyloxy, etc.), an aryloxy group (preferably having 6 carbon atoms). -20, more preferably 6-16 carbon atoms, particularly preferably 6-12 carbon atoms, for example, phenyloxy, 2-naphthyloxy, etc.), acyl groups (preferably 1-20 carbon atoms, More preferably, it has 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms. Zoyl, formyl, pivaloyl, etc.), alkoxycarbonyl groups (preferably having 2-20 carbon atoms, more preferably 2-16 carbon atoms, particularly preferably 2-12 carbon atoms, such as methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, etc. An aryloxycarbonyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 16 carbon atoms, and particularly preferably 7 to 10 carbon atoms), for example, phenyloxycarbonyl. ), An acyloxy group (preferably having 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 16 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms such as acetoxy and benzoyloxy), an acylamino group (preferably 2-20 carbon atoms, more preferably 2-16 carbon atoms, particularly preferably 2 carbon atoms Is 10, for example, acetylamino or benzoylamino. ), An alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 16 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino), aryloxycarbonyl An amino group (preferably having 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 16 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonylamino), a sulfonylamino group (preferably C1-C20, More preferably, it is C1-C16, Most preferably, it is C1-C12, For example, methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc. are mentioned.), Sulfamoyl group (preferably C0) To 20, more preferably 0 to 16 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, For example, sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, phenylsulfamoyl, etc.), a carbamoyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, and particularly preferably carbon number). 1 to 12, for example, carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl, etc.), alkylthio group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably carbon number). 1-12, for example, methylthio, ethylthio, etc.), arylthio groups (preferably having 6-20 carbon atoms, more preferably 6-16 carbon atoms, particularly preferably 6-12 carbon atoms, , Phenylthio, etc.), a sulfonyl group (preferably carbon 1 to 20, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl, tosyl, etc.), sulfinyl groups (preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably C1-C16, Most preferably, it is C1-C12, for example, methanesulfinyl, benzenesulfinyl etc. are mentioned), a ureido group (preferably C1-C20, more preferably C1-C16 Particularly preferably, it has 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include ureido, methylureido, phenylureido and the like.), Alkylsilyl group (trimethylsilyl group, triethylsilyl group, triisopropylsilyl group, etc.), phosphoric acid amide group (Preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms. Examples thereof include diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide. ), Hydroxy group, mercapto group, cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, and the like.
A2、R1〜R4、X1、X2が表す基に置換可能な基としては、A1と同様の置換基が挙げられる。 Examples of the group that can be substituted for the group represented by A 2 , R 1 to R 4 , X 1 , or X 2 include the same substituents as A 1 .
一般式(1)において、R3とA2、R4とA2、X1とX2は、互いに結合して環構造を形成してもよい。 In the general formula (1), R 3 and A 2 , R 4 and A 2 , X 1 and X 2 may be bonded to each other to form a ring structure.
一般式(1)で表される化合物は、例えばサリチルアルデヒド誘導体と酢酸エステル誘導体との脱水縮合反応により当該業者なら容易に合成することが可能であり、また試薬メーカーあるいは化学品メーカーから入手可能である。 The compound represented by the general formula (1) can be easily synthesized by those skilled in the art by, for example, a dehydration condensation reaction between a salicylaldehyde derivative and an acetate derivative, and can be obtained from a reagent manufacturer or a chemical manufacturer. is there.
以下に合成例を示すが、本発明の一般式(1)で表わされる化合物の合成法はこれらに限定されることはない。 Synthesis examples are shown below, but the synthesis method of the compound represented by the general formula (1) of the present invention is not limited thereto.
(化合物(16)の合成例)
4−メトキシサリチルアルデヒド15.2g(0.1mol)、2−(2−ベンゾチアゾリル)酢酸エチル22.1g(0.1mol)をエタノール70mlに溶解し、撹拌しながらピペリジン1mlをゆっくり滴下した。反応液を30分加熱還流した後放冷、ろ過し、少量のエタノールで固体を洗浄して乾燥し、白色固体の化合物27.1gを得た(収率88%)。得られた化合物はNMRおよびMSスペクトルにより同定した。化合物(16)のメタノール溶液の極大吸収波長は380nmであった。
(Synthesis Example of Compound (16))
15.2 g (0.1 mol) of 4-methoxysalicylaldehyde and 22.1 g (0.1 mol) of ethyl 2- (2-benzothiazolyl) acetate were dissolved in 70 ml of ethanol, and 1 ml of piperidine was slowly added dropwise with stirring. The reaction solution was heated to reflux for 30 minutes, then allowed to cool and filtered, and the solid was washed with a small amount of ethanol and dried to obtain 27.1 g of a white solid compound (yield 88%). The resulting compound was identified by NMR and MS spectra. The maximum absorption wavelength of the methanol solution of the compound (16) was 380 nm.
(化合物(25)の合成)
4−(ジエチルアミノ)サリチルアルデヒド19.32g(0.1mol)、2−ピリジル酢酸エチル16.52g(0.1mol)を1−プロパノール56mlに溶解し、撹拌しながらピペリジン1mlをゆっくり滴下した。反応液を4時間加熱還流した後、トルエンを加えて1−プロパノールを共沸により除き、水を加えて酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、次いで減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製後(溶出溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=1:5)、酢酸エチルで再結晶し、化合物(25)11.9gを得た(収率40%)。得られた化合物はNMRおよびMSスペクトルにより同定した。化合物(25)のメタノール溶液の極大吸収波長は415nmであった。
(Synthesis of Compound (25))
19.32 g (0.1 mol) of 4- (diethylamino) salicylaldehyde and 16.52 g (0.1 mol) of ethyl 2-pyridylacetate were dissolved in 56 ml of 1-propanol, and 1 ml of piperidine was slowly added dropwise with stirring. The reaction solution was heated to reflux for 4 hours, toluene was added and 1-propanol was removed by azeotropic distillation, water was added and the mixture was extracted with ethyl acetate. The ethyl acetate layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and then concentrated under reduced pressure. . The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (eluent: hexane / ethyl acetate = 1: 5) and recrystallized from ethyl acetate to obtain 11.9 g of Compound (25) (yield 40%). The resulting compound was identified by NMR and MS spectra. The maximum absorption wavelength of the methanol solution of the compound (25) was 415 nm.
(化合物(36)の合成) (Synthesis of Compound (36))
(1:中間体(2)の合成)
中間体(1)21.73g(0.1mol)、2−シアノアセトアミド8.41g(0.1mol)を1−プロパノール56mlに溶解し、撹拌しながらピペリジン1mlをゆっくり滴下した。反応液を5時間加熱還流した後、トルエンを加えて1−プロパノールを共沸により除き、水を加えて酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、次いで減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製後(溶出溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=1:5)、酢酸エチルで再結晶し、中間体(2)21.2gを得た(収率75%)。得られた化合物はNMRおよびMSスペクトルにより同定した。
(1: Synthesis of intermediate (2))
Intermediate (1) 21.73 g (0.1 mol) and 2-cyanoacetamide 8.41 g (0.1 mol) were dissolved in 1-propanol 56 ml, and 1 ml of piperidine was slowly added dropwise with stirring. The reaction mixture was heated to reflux for 5 hours, toluene was added and 1-propanol was removed azeotropically, water was added and the mixture was extracted with ethyl acetate. The ethyl acetate layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and then concentrated under reduced pressure. . The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (eluent: hexane / ethyl acetate = 1: 5) and recrystallized from ethyl acetate to obtain 21.2 g of intermediate (2) (yield 75%). . The resulting compound was identified by NMR and MS spectra.
(2:化合物(36)の合成)
中間体(2)21.0g(74mmol)にエタノール300ml、メチルアミン塩酸塩5.00g(74mmol)を加え、30分加熱還流した。放冷後析出した固体をろ過、エタノールで洗浄、乾燥し、化合物(36)18.36gを得た(収率83%)。得られた化合物はNMRおよびMSスペクトルにより同定した。
(2: Synthesis of compound (36))
300 ml of ethanol and 5.00 g (74 mmol) of methylamine hydrochloride were added to 21.0 g (74 mmol) of the intermediate (2), and the mixture was heated to reflux for 30 minutes. The solid precipitated after standing to cool was filtered, washed with ethanol and dried to obtain 18.36 g of Compound (36) (yield 83%). The resulting compound was identified by NMR and MS spectra.
以下に、一般式(1)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。尚、一種の化合物で複数の位置異性体が存在する場合、記載された一種の位置異性体のみの構造に限定されることはなく、他の位置異性体も本発明に用いることができる。 Although the specific example of a compound represented by General formula (1) below is shown, this invention is not limited to these. When a plurality of positional isomers are present in one kind of compound, the structure is not limited to only one kind of positional isomer described, and other positional isomers can be used in the present invention.
本発明の正孔ブロック層を形成する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。 The means for forming the hole blocking layer of the present invention may be either a vacuum vapor deposition method or a solution coating method, but is preferably a solution coating method.
即ち、本発明において、本発明の有機光電変換素子を製造する方法としては、上記の電子輸送層に含まれる成分を含有する電子輸送層用塗布液を用いて電子輸送層を形成する電子輸送層形成工程を有する製造方法が好ましく適用できる。 That is, in the present invention, as a method for producing the organic photoelectric conversion element of the present invention, an electron transport layer is formed by using an electron transport layer coating liquid containing the components contained in the electron transport layer. A production method having a forming step is preferably applicable.
この際に使用する塗布方法に制限はないが、例えば、スピンコート法、溶液からのキャスト法、ディップコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法等が挙げられる。さらには、インクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法等の印刷法でパターニングすることもできる。 Although there is no restriction | limiting in the application | coating method used in this case, For example, a spin coat method, the cast method from a solution, a dip coat method, a wire bar coat method, a gravure coat method, a spray coat method etc. are mentioned. Furthermore, patterning can also be performed by a printing method such as an ink jet method, a screen printing method, a relief printing method, an intaglio printing method, an offset printing method, or a flexographic printing method.
塗布液に用いられる溶媒としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類、メチルエチルケトンなどのケトン類、エチレングリコールエチルエーテルなどのエチレングリコール誘導体などが挙げられる。 Examples of the solvent used in the coating solution include alcohols such as methanol and ethanol, ketones such as methyl ethyl ketone, and ethylene glycol derivatives such as ethylene glycol ethyl ether.
形成される電子輸送層の膜厚としては5nm〜5μm、好ましくは5〜200nmである。 The film thickness of the formed electron transport layer is 5 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.
〔正孔輸送層(電子ブロック層)〕
本発明の有機光電変換素子は、光電変換層とアノードとの中間には正孔輸送層を、光電変換層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。
[Hole transport layer (electron blocking layer)]
The organic photoelectric conversion element of the present invention has a hole transport layer between the photoelectric conversion layer and the anode, and it is possible to extract charges generated in the photoelectric conversion layer more efficiently. It is preferable.
これらの層を構成する材料としては、例えば、正孔輸送層としては、スタルクヴイテック社製、商品名BaytronP等のPEDOT、ポリアニリンおよびそのドープ材料、WO2006019270号公報等に記載のシアン化合物、などを用いることができる。 As a material constituting these layers, for example, as a hole transport layer, PEDOT such as trade name BaytronP, polyaniline and its doped material, cyan compounds described in WO2006019270, etc. Can be used.
なお、光電変換層に用いられるn型半導体材料のLUMO準位よりも浅いLUMO準位を有する正孔輸送層には、バルクヘテロジャンクション層で生成した電子をアノード側には流さないような整流効果を有する、電子ブロック機能が付与される。このような正孔輸送層は、電子ブロック層とも呼ばれ、このような機能を有する正孔輸送層を使用するほうが好ましい。このような材料としては、特開平5−271166号公報等に記載のトリアリールアミン系化合物、また酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化タングステン等の金属酸化物等を用いることができる。また、バルクヘテロジャンクション層に用いたp型半導体材料単体からなる層を用いることもできる。これらの層を形成する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。バルクヘテロジャンクション層を形成する前に、下層に塗布膜を形成すると塗布面をレベリングする効果があり、リーク等の影響が低減するため好ましい。 Note that the hole transport layer having a LUMO level shallower than the LUMO level of the n-type semiconductor material used for the photoelectric conversion layer has a rectifying effect that prevents electrons generated in the bulk heterojunction layer from flowing to the anode side. It has an electronic block function. Such a hole transport layer is also called an electron block layer, and it is preferable to use a hole transport layer having such a function. As such a material, a triarylamine compound described in JP-A-5-271166 or a metal oxide such as molybdenum oxide, nickel oxide, or tungsten oxide can be used. A layer made of a single p-type semiconductor material used for the bulk heterojunction layer can also be used. The means for forming these layers may be either a vacuum deposition method or a solution coating method, but is preferably a solution coating method. Forming the coating film in the lower layer before forming the bulk heterojunction layer is preferable because it has the effect of leveling the coating surface and reduces the influence of leakage and the like.
〔その他の層〕
エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層などを挙げることができる。
[Other layers]
For the purpose of improving energy conversion efficiency and improving the lifetime of the element, a structure having various intermediate layers in the element may be employed. Examples of the intermediate layer include an electron block layer, a hole injection layer, an electron injection layer, an exciton block layer, a UV absorption layer, a light reflection layer, and a wavelength conversion layer.
<電極>
本発明の有機光電変換素子においては、少なくともアノードとカソードとを有する。また、タンデム構成をとる場合には中間電極を用いることでタンデム構成を達成することができる。なお本発明においては主に正孔が流れる電極をアノードと呼び、主に電子が流れる電極をカソードと呼ぶ。
<Electrode>
The organic photoelectric conversion element of the present invention has at least an anode and a cathode. Further, when a tandem configuration is adopted, the tandem configuration can be achieved by using an intermediate electrode. In the present invention, an electrode through which holes mainly flow is called an anode, and an electrode through which electrons mainly flow is called a cathode.
また透光性があるかどうかといった機能から、透光性のある電極を透明電極と呼び、透光性のない電極を対電極と呼び分ける場合がある。通常、アノードは透光性のある透明電極であり、カソードは透光性のない対電極である。 Further, because of the function of whether or not there is a light-transmitting property, a light-transmitting electrode may be called a transparent electrode, and a non-light-transmitting electrode may be called a counter electrode. Usually, the anode is a translucent transparent electrode, and the cathode is a non-translucent counter electrode.
〔アノード〕
本発明のアノードは、好ましくは380〜800nmの光を透過する電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ用いることができる。
〔anode〕
The anode of the present invention is preferably an electrode that transmits light of 380 to 800 nm. As the material, for example, transparent conductive metal oxides such as indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO, metal thin films such as gold, silver and platinum, metal nanowires and carbon nanotubes can be used.
またポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレンおよびポリナフタレンの各誘導体からなる群より選ばれる導電性高分子等も用いることができる。また、これらの導電性化合物を複数組み合わせてアノードとすることもできる。 Further, a conductive material selected from the group consisting of polypyrrole, polyaniline, polythiophene, polythienylene vinylene, polyazulene, polyisothianaphthene, polycarbazole, polyacetylene, polyphenylene, polyphenylene vinylene, polyacene, polyphenylacetylene, polydiacetylene, and polynaphthalene. A functional polymer can also be used. Further, a plurality of these conductive compounds can be combined to form an anode.
〔カソード〕
カソードは導電材単独層であっても良いが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用しても良い。カソードの導電材としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子の取り出し性能および酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。カソードはこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
[Cathode]
The cathode may be a single layer of a conductive material, but in addition to a conductive material, a resin that holds these may be used in combination. As the conductive material for the cathode, a material having a small work function (4 eV or less) metal, alloy, electrically conductive compound, and a mixture thereof is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the viewpoint of electron extraction performance and durability against oxidation, etc., a mixture of these metals and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, for example, a magnesium / silver mixture, magnesium / Aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.
カソードの導電材として金属材料を用いればカソード側に来た光は反射されてアノード側に反射され、この光が再利用可能となり、光電変換層で再度吸収され、より光電変換効率が向上し好ましい。 If a metal material is used as the conductive material of the cathode, the light coming to the cathode side is reflected and reflected to the anode side, and this light can be reused and is absorbed again by the photoelectric conversion layer, and the photoelectric conversion efficiency is further improved, which is preferable. .
また、カソードは、金属(例えば金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム等)、炭素からなるナノ粒子、ナノワイヤー、ナノ構造体であってもよく、ナノワイヤーの分散物であれば、透明で導電性の高いカソードを塗布法により形成でき好ましい。 The cathode may be a metal (for example, gold, silver, copper, platinum, rhodium, ruthenium, aluminum, magnesium, indium, etc.), carbon nanoparticles, nanowires, nanostructures, and nanowire dispersion. If it is a thing, a transparent and highly conductive cathode can be formed by the apply | coating method, and is preferable.
また、カソード側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウムおよびアルミニウム合金、銀および銀化合物等のカソードに適した導電性材料を薄く1〜20nm程度の膜厚で作製した後、上記アノードの説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性カソードとすることができる。 Further, when the cathode side is made light-transmitting, for example, a conductive material suitable for the cathode such as aluminum and aluminum alloy, silver and silver compound is made thin with a film thickness of about 1 to 20 nm, and then the anode By providing a film of the conductive light-transmitting material mentioned in the description, a light-transmitting cathode can be obtained.
〔中間電極〕
また、前記図2のようなタンデム構成の場合に必要となる中間電極の材料としては、透明性と導電性を併せ持つ化合物を用いた層であることが好ましく、前記アノードで用いたような材料(ITO、AZO、FTO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au等の非常に薄い金属層またはナノ粒子・ナノワイヤーを含有する層、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子材料等)を用いることができる。
[Intermediate electrode]
In addition, the intermediate electrode material required in the case of the tandem configuration as shown in FIG. 2 is preferably a layer using a compound having both transparency and conductivity. Transparent metal oxides such as ITO, AZO, FTO and titanium oxide, very thin metal layers such as Ag, Al and Au, or layers containing nanoparticles / nanowires, conductive polymer materials such as PEDOT: PSS and polyaniline Etc.) can be used.
なお前述した正孔輸送層と電子輸送層(正孔ブロック層)の中には、適切に組み合わせて積層することで中間電極(電荷再結合層)として働く組み合わせもあり、このような構成とすると1層形成する工程を省くことができ好ましい。 In addition, in the hole transport layer and the electron transport layer (hole block layer) described above, there is also a combination that works as an intermediate electrode (charge recombination layer) by stacking in an appropriate combination. The step of forming one layer is preferable because it can be omitted.
〔基板〕
本発明の有機光電変換素子は、基板上に設けられる形態が、好ましい形態である。
〔substrate〕
As for the organic photoelectric conversion element of this invention, the form provided on a board | substrate is a preferable form.
基板側から光電変換される光が入射する場合、基板はこの光電変換される光を透過させることが可能な、即ちこの光電変換すべき光の波長に対して透明な部材(透明基板)であることが好ましい。 When light that is photoelectrically converted enters from the substrate side, the substrate is a member (transparent substrate) that can transmit the light that is photoelectrically converted, that is, transparent to the wavelength of the light to be photoelectrically converted. It is preferable.
基板としては、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。 As the substrate, for example, a glass substrate, a resin substrate, and the like are preferably exemplified, but it is desirable to use a transparent resin film from the viewpoint of lightness and flexibility.
本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。 There is no restriction | limiting in particular in the transparent resin film which can be preferably used as a transparent substrate by this invention, The material, a shape, a structure, thickness, etc. can be suitably selected from well-known things.
例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長(380〜800nm)における透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度およびコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。 For example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) modified polyester, polyethylene (PE) resin film, polypropylene (PP) resin film, polystyrene resin film, polyolefin resins such as cyclic olefin resin Film, vinyl resin film such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyether ether ketone (PEEK) resin film, polysulfone (PSF) resin film, polyether sulfone (PES) resin film, polycarbonate (PC) resin film, A polyamide resin film, a polyimide resin film, an acrylic resin film, a triacetyl cellulose (TAC) resin film, and the like can be given. If the resin film transmittance of 80% or more at ~800nm), can be preferably applied to a transparent resin film according to the present invention. Among them, from the viewpoint of transparency, heat resistance, ease of handling, strength and cost, it is preferably a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, a biaxially stretched polyethylene naphthalate film, a polyethersulfone film, or a polycarbonate film, and biaxially stretched. More preferred are polyethylene terephthalate films and biaxially stretched polyethylene naphthalate films.
本発明に用いることができる透明基板には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることができる。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。 The transparent substrate that can be used in the present invention can be subjected to a surface treatment or an easy-adhesion layer in order to ensure wettability and adhesion of the coating solution. A conventionally well-known technique can be used about a surface treatment or an easily bonding layer. For example, the surface treatment includes surface activation treatment such as corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet treatment, high frequency treatment, glow discharge treatment, active plasma treatment, and laser treatment. Examples of the easy adhesion layer include polyester, polyamide, polyurethane, vinyl copolymer, butadiene copolymer, acrylic copolymer, vinylidene copolymer, and epoxy copolymer.
また、酸素および水蒸気の透過を抑制する目的で、透明基板にはバリアコート層が予め形成されていてもよいし、透明導電層を転写する反対側にはハードコート層が予め形成されていてもよい。 For the purpose of suppressing the permeation of oxygen and water vapor, a barrier coat layer may be formed in advance on the transparent substrate, or a hard coat layer may be formed in advance on the opposite side to which the transparent conductive layer is transferred. Good.
〔光学機能層〕
本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していて良い。光学機能層としては、たとえば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、カソードで反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層などを設けても良い。
(Optical function layer)
The organic photoelectric conversion element of the present invention may have various optical functional layers for the purpose of more efficient reception of sunlight. As the optical functional layer, for example, a light condensing layer such as an antireflection film or a microlens array, or a light diffusing layer that can scatter light reflected by the cathode and enter the power generation layer again may be provided. .
反射防止層としては、各種公知の反射防止層を設けることができるが、例えば、透明樹脂フィルムが二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムである場合は、フィルムに隣接する易接着層の屈折率を1.57〜1.63とすることで、フィルム基板と易接着層との界面反射を低減して透過率を向上させることができるのでより好ましい。屈折率を調整する方法としては、酸化スズゾルや酸化セリウムゾル等の比較的屈折率の高い酸化物ゾルとバインダー樹脂との比率を適宜調整して塗設することで実施できる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。 Various known antireflection layers can be provided as the antireflection layer. For example, when the transparent resin film is a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, the refractive index of the easy adhesion layer adjacent to the film is 1.57. It is more preferable to set it to ˜1.63 because the interface reflection between the film substrate and the easy adhesion layer can be reduced and the transmittance can be improved. The method for adjusting the refractive index can be carried out by appropriately adjusting the ratio of the oxide sol having a relatively high refractive index such as tin oxide sol or cerium oxide sol and the binder resin. The easy adhesion layer may be a single layer, but may be composed of two or more layers in order to improve adhesion.
集光層としては、例えば、支持基板の太陽光受光側にマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより特定方向からの受光量を高めたり、逆に太陽光の入射角度依存性を低減することができる。 As the condensing layer, for example, it is processed so as to provide a structure on the microlens array on the sunlight receiving side of the support substrate, or the amount of light received from a specific direction is increased by combining with a so-called condensing sheet. Conversely, the incident angle dependency of sunlight can be reduced.
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付き、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。 As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.
また光散乱層としては、各種のアンチグレア層、金属または各種無機酸化物などのナノ粒子・ナノワイヤー等を無色透明なポリマーに分散した層などを挙げることができる。 Examples of the light scattering layer include various antiglare layers, layers in which nanoparticles or nanowires such as metals or various inorganic oxides are dispersed in a colorless and transparent polymer, and the like.
〔パターニング〕
本発明に係るアノード、カソード、光電変換層、正孔ブロック層や、正孔輸送層等を、有機光電変換素子とするためのパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。
[Patterning]
There are no particular limitations on the patterning method and process for making the anode, cathode, photoelectric conversion layer, hole blocking layer, hole transport layer, and the like according to the present invention into an organic photoelectric conversion element, and a known method is appropriately used. Can be applied.
光電変換層、正孔ブロック層や、正孔輸送層などのように溶媒に溶解することができる層の場合には、ダイコート、ディップコート等の全面塗布後に不要部だけ拭き取っても良いし、インクジェット法やスクリーン印刷等の方法を使用して塗布時に直接パターニングしても良い。 In the case of a layer that can be dissolved in a solvent such as a photoelectric conversion layer, a hole blocking layer, or a hole transporting layer, only unnecessary portions may be wiped off after the entire surface of die coating, dip coating, etc. Alternatively, direct patterning may be performed at the time of application using a method such as a method or screen printing.
電極材料などの不溶性の材料の場合は、電極を真空堆積時にマスク蒸着を行ったり、エッチング又はリフトオフ等の公知の方法によってパターニングすることができる。また、別の基板上に形成したパターンを転写することによってパターンを形成しても良い。 In the case of an insoluble material such as an electrode material, the electrode can be patterned by a known method such as mask vapor deposition during vacuum deposition or etching or lift-off. Alternatively, the pattern may be formed by transferring a pattern formed on another substrate.
(太陽電池)
本発明の太陽電池は、上記の有機光電変換素子を有する。
(Solar cell)
The solar cell of this invention has said organic photoelectric conversion element.
本発明の太陽電池は、上記有機光電変換素子を具備し、太陽光に最適の設計並びに回路設計が行われ、太陽光を光源として用いたときに最適な光電変換が行われるような構造を有する。 The solar cell of the present invention comprises the above-described organic photoelectric conversion element, has a structure in which optimum design and circuit design are performed for sunlight, and optimum photoelectric conversion is performed when sunlight is used as a light source. .
即ち、光電変換層に太陽光が照射されうる構造となっている。本発明の太陽電池を構成する際には、前記カソード、電子輸送層、光電変換層、アノード、基板をケース内に収納して封止するか、あるいはそれら全体を樹脂封止することが好ましい。 That is, the photoelectric conversion layer can be irradiated with sunlight. When configuring the solar cell of the present invention, it is preferable that the cathode, the electron transport layer, the photoelectric conversion layer, the anode, and the substrate are housed in a case and sealed, or the whole is sealed with a resin.
封止する方法としては、例えば、アルミまたはガラスでできたキャップを接着剤によって接着することによって封止する手法、アルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機光電変換素子を接着剤で貼合する手法、ガスバリア性の高い有機高分子材料(ポリビニルアルコール等)をスピンコートする方法、ガスバリア性の高い無機薄膜(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等)または有機膜(パリレン等)を真空下で堆積する方法、およびこれらを複合的に積層する方法等を挙げることができる。 As a sealing method, for example, a method of sealing by bonding an aluminum or glass cap with an adhesive, a plastic film on which a gas barrier layer such as aluminum, silicon oxide, or aluminum oxide is formed, and organic photoelectric conversion A method of bonding elements with an adhesive, a method of spin-coating an organic polymer material with high gas barrier properties (polyvinyl alcohol, etc.), an inorganic thin film with high gas barrier properties (silicon oxide, aluminum oxide, etc.) or an organic film (parylene, etc.) And a method of depositing these in a composite manner.
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
実施例1
<有機光電変換素子1(比較例)の作製>
ガラス基板上にパターン形成した透明電極を、界面活性剤と超純水による超音波洗浄、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
Example 1
<Production of Organic Photoelectric Conversion Element 1 (Comparative Example)>
The transparent electrode patterned on the glass substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with surfactant and ultrapure water, followed by ultrasonic cleaning with ultrapure water, dried with nitrogen blow, and finally UV ozone cleaning. .
この透明基板(ガラス基板)上に、導電性高分子であるBaytron P4083(スタルクヴィテック社製)を30nmの膜厚でスピンコートした後、140℃で大気中10分間加熱乾燥した。 On this transparent substrate (glass substrate), Baytron P4083 (manufactured by Starck Vitec), which is a conductive polymer, was spin-coated with a film thickness of 30 nm, and then dried by heating at 140 ° C. in the atmosphere for 10 minutes.
これ以降は、基板をグローブボックス中に持ち込み、窒素雰囲気下で作業した。まず、窒素雰囲気下で上記基板を140℃で3分間加熱処理した。クロロベンゼンにp型半導体材料として、プレクストロニクス社製プレックスコアOS2100を1.5質量%、n型半導体材料としてフロンティアカーボン社製E100(PCBM)を1.5質量%を溶解した液を作製し、0.45μmのフィルタでろ過をかけながら500rpmで60秒、ついで2200rpmで1秒間のスピンコートを行い、室温で30分放置した。 After this, the substrate was brought into the glove box and worked under a nitrogen atmosphere. First, the substrate was heat-treated at 140 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere. A solution was prepared by dissolving 1.5 mass% of plexcores OS2100 manufactured by Plextronics as a p-type semiconductor material and 1.5 mass% of E100 (PCBM) manufactured by Frontier Carbon as an n-type semiconductor material in chlorobenzene. While being filtered through a .45 μm filter, spin coating was performed at 500 rpm for 60 seconds, then at 2200 rpm for 1 second, and left at room temperature for 30 minutes.
次にアルドリッチ社製バトクプロイン(BCP)を0.5質量%の比率で2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノールと混合した溶液を1200rpmでスピンコートし、膜厚15nmの正孔ブロック層を形成した。 Next, a solution in which batocuproine (BCP) manufactured by Aldrich was mixed with 2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol at a ratio of 0.5% by mass was spin-coated at 1200 rpm, and a hole block having a thickness of 15 nm was formed. A layer was formed.
次に、上記一連の有機層を成膜した基板を大気に晒すことなく真空蒸着装置内に設置した。2mm幅のシャドウマスクが透明電極と直交するように素子をセットし、10−3Pa以下にまでに真空蒸着機内を減圧した後、Alを100nmを蒸着した。最後に120℃で30分間の加熱を行い、比較の有機光電変換素子1を得た。なお蒸着速度は2nm/秒で蒸着し、2mm角のサイズとした。 Next, the substrate on which the series of organic layers was formed was placed in a vacuum deposition apparatus without being exposed to the atmosphere. The element was set so that the shadow mask with a width of 2 mm was orthogonal to the transparent electrode, and the inside of the vacuum deposition apparatus was depressurized to 10 −3 Pa or less, and then 100 nm of Al was deposited. Finally, heating was performed at 120 ° C. for 30 minutes to obtain a comparative organic photoelectric conversion element 1. The vapor deposition rate was 2 nm / second, and the size was 2 mm square.
得られた有機光電変換素子1は、窒素雰囲気下でアルミニウムキャップとUV硬化樹脂(ナガセケムテックス株式会社製、UV RESIN XNR5570−B1)を用いて封止を行った後に大気下に取り出した。 The obtained organic photoelectric conversion element 1 was taken out into the atmosphere after sealing using an aluminum cap and a UV curable resin (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, UV RESIN XNR5570-B1) in a nitrogen atmosphere.
<有機光電変換素子2(比較例)の作製>
比較の有機光電変換素子1において、正孔ブロック層としてバトクプロインの0.5%2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール溶液に代えて、エタノールにTi−イソプロポキシドを25mmol/lになるように溶解した液を調製し、取り出し電極部をマスキングした後に1500rpmでスピンコートした後、大気中に取り出して60分間放置してTi−イソプロポキシドを加水分解することによって、膜厚15nmのTiOx層を形成し、正孔ブロック層とした以外は同様にして、比較の有機光電変換素子2を作製した。
<Production of Organic Photoelectric Conversion Element 2 (Comparative Example)>
In the comparative organic photoelectric conversion element 1, instead of a 0.5% 2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol solution of batocuproine as a hole blocking layer, Ti-isopropoxide was added to ethanol at 25 mmol / l. After the electrode portion was masked and spin-coated at 1500 rpm, the solution was taken out into the atmosphere and left for 60 minutes to hydrolyze Ti-isopropoxide to obtain a film thickness of 15 nm. A comparative organic photoelectric conversion element 2 was produced in the same manner except that a TiOx layer was formed and a hole blocking layer was formed.
<本発明の有機光電変換素子3〜25の作製>
比較の有機光電変換素子1において、正孔ブロック層を、バトクプロインに代えて下記表1記載の本発明の化合物に変更した以外は同様にして、本発明の有機光電変換素子3〜25を作製した。
<Preparation of the organic photoelectric conversion elements 3 to 25 of the present invention>
In the comparative organic photoelectric conversion element 1, the hole blocking layer was changed to the compound of the present invention described in Table 1 below instead of batocuproine, and the organic photoelectric conversion elements 3 to 25 of the present invention were produced. .
得られた有機光電変換素子1〜25について、下記の変換効率の評価、および耐久性評価を行った。結果を表1に示す。 About the obtained organic photoelectric conversion elements 1-25, evaluation of the following conversion efficiency and durability evaluation were performed. The results are shown in Table 1.
(変換効率の評価)
上記作製した光電変換素子に、ソーラーシミュレーター(AM1.5Gフィルタ)の100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)および開放電圧Voc(V)、曲線因子(フィルファクター)FFを、同素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、平均値を求めた。またJsc、Voc、FFから式1に従ってエネルギー変換効率η(%)を求めた。
(Evaluation of conversion efficiency)
Photoelectric conversion elements prepared above, was irradiated with light having an intensity of 100 mW / cm 2 solar simulator (AM1.5G filter), a superposed mask in which the effective area 4.0 mm 2 on the light receiving portion, the short circuit current density Jsc ( The four light-receiving portions formed on the same element were measured for mA / cm 2 ), the open circuit voltage Voc (V), and the fill factor (fill factor) FF, and the average value was obtained. Further, energy conversion efficiency η (%) was obtained from Jsc, Voc, and FF according to Equation 1.
式1 Jsc(mA/cm2)×Voc(V)×FF=η(%)
(耐久性評価)
ソーラシュミレーター(AM1.5G)の光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧−電流特性を測定した初期変換効率を100とし、アノードとカソードの間に抵抗を接続したまま100mW/cm2の照射強度で100h照射し続けた後の変換効率を評価し、下記式2により、相対効率低下を算出し、耐久性の指標とした。
Formula 1 Jsc (mA / cm 2 ) × Voc (V) × FF = η (%)
(Durability evaluation)
A solar simulator (AM1.5G) was irradiated at a light intensity of 100 mW / cm 2 and the initial conversion efficiency measured for voltage-current characteristics was set to 100, and a resistance was connected between the anode and cathode, and 100 mW / cm. The conversion efficiency after continuing irradiation for 100 h at the irradiation intensity of 2 was evaluated, and the relative efficiency decrease was calculated by the following formula 2 and used as an index of durability.
式2 相対効率低下(%)=(1−暴露後の変換効率/暴露前の変換効率)×100 Formula 2 Relative efficiency reduction (%) = (1−conversion efficiency after exposure / conversion efficiency before exposure) × 100
表1から、本発明に係る化合物を用いた正孔ブロック層を有する有機光電変換素子は、曲線因子が向上し、変換効率が高く、また、耐久性が高いことがわかる。 From Table 1, it can be seen that the organic photoelectric conversion element having the hole blocking layer using the compound according to the present invention has improved curve factor, high conversion efficiency, and high durability.
10 有機光電変換素子
11 基板
12 アノード
13 カソード
14 光電変換層
14′ 第一の光電変換層
15 電荷再結合層
16 第二の光電変換層
17 正孔輸送層
18 正孔ブロック層
DESCRIPTION OF
Claims (5)
A1は水素原子、アリール基、ヘテロアリール基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。
A2はヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、チオール基またはアルキルチオ基を表す。
X1は酸素原子、硫黄原子またはN−R5を表し、R5は水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
X2は酸素原子、N−R6を表し、R6は水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。〕 An organic photoelectric conversion element having a cathode, a hole blocking layer, a bulk heterojunction type photoelectric conversion layer containing a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, and an anode in this order, An organic photoelectric conversion element comprising a compound adjacent to the conversion layer and represented by the following general formula (1).
A 1 represents a hydrogen atom, an aryl group, a heteroaryl group, an acyl group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group.
A 2 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, an amino group, an acylamino group, a thiol group or an alkylthio group.
X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom or N—R 5 , and R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group.
X 2 represents an oxygen atom or N—R 6 , and R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group. ]
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP (1) | JP2012124297A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106772966A (en) * | 2017-01-16 | 2017-05-31 | 东莞市宇瞳光学科技股份有限公司 | A kind of small volume resolution zoom lens high |
| CN107922369A (en) * | 2015-08-21 | 2018-04-17 | 默克专利股份有限公司 | Compound for optical activity device |
| JPWO2017073472A1 (en) * | 2015-10-29 | 2018-06-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | High reliability perovskite solar cells |
| CN115974828A (en) * | 2023-02-14 | 2023-04-18 | 中国药科大学 | Compound as protein phosphatase 5 agonist, preparation method and use thereof |
| US11702396B2 (en) | 2017-02-15 | 2023-07-18 | Johnson & Johnson Surgical Vision, Inc. | Hydrophobic compounds for optically active devices |
| US11753387B2 (en) | 2017-02-15 | 2023-09-12 | Johnson & Johnson Surgical Vision, Inc. | Compounds for optically active devices |
-
2010
- 2010-12-08 JP JP2010273293A patent/JP2012124297A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107922369A (en) * | 2015-08-21 | 2018-04-17 | 默克专利股份有限公司 | Compound for optical activity device |
| JP2018529659A (en) * | 2015-08-21 | 2018-10-11 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | Compounds for optically active devices |
| US11078177B2 (en) | 2015-08-21 | 2021-08-03 | Merck Patent Gmbh | Compounds for optically active devices |
| CN107922369B (en) * | 2015-08-21 | 2021-12-07 | 默克专利股份有限公司 | Compounds for optically active devices |
| US11958819B2 (en) | 2015-08-21 | 2024-04-16 | Johnson & Johnson Surgical Vision, Inc. | Compounds for optically active devices |
| JPWO2017073472A1 (en) * | 2015-10-29 | 2018-06-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | High reliability perovskite solar cells |
| CN106772966A (en) * | 2017-01-16 | 2017-05-31 | 东莞市宇瞳光学科技股份有限公司 | A kind of small volume resolution zoom lens high |
| US11702396B2 (en) | 2017-02-15 | 2023-07-18 | Johnson & Johnson Surgical Vision, Inc. | Hydrophobic compounds for optically active devices |
| US11753387B2 (en) | 2017-02-15 | 2023-09-12 | Johnson & Johnson Surgical Vision, Inc. | Compounds for optically active devices |
| CN115974828A (en) * | 2023-02-14 | 2023-04-18 | 中国药科大学 | Compound as protein phosphatase 5 agonist, preparation method and use thereof |
| CN115974828B (en) * | 2023-02-14 | 2025-02-11 | 中国药科大学 | Compounds as protein phosphatase 5 agonists and preparation methods and uses thereof |
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