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JP2012119594A - Processing method of plate-like object - Google Patents

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JP2012119594A
JP2012119594A JP2010269952A JP2010269952A JP2012119594A JP 2012119594 A JP2012119594 A JP 2012119594A JP 2010269952 A JP2010269952 A JP 2010269952A JP 2010269952 A JP2010269952 A JP 2010269952A JP 2012119594 A JP2012119594 A JP 2012119594A
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Japan
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protective tape
plate
wafer
adhesive layer
base material
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JP2010269952A
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Ren Che Yuu
レン チェ ユー
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Disco Corp
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Disco Abrasive Systems Ltd
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】 表面に凹凸を有する板状物を高精度に平坦化可能な板状物の加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に凹凸を有する板状物の裏面を研削又は研磨する板状物の加工方法であって、板状物の表面に第1糊層と第1基材とからなる第1保護テープを貼着して該凹凸を該第1糊層で吸収する第1保護テープ貼着ステップと、該第1保護テープ貼着ステップを実施した後、該第1保護テープを加熱して該第1保護テープの該第1基材を該第1糊層から除去する第1基材除去ステップと、該第1基材除去ステップを実施した後、該第1糊層上に該第1糊層より薄い第2糊層と第2基材とからなる第2保護テープを貼着して、該第1保護テープの該第1糊層のうねりを緩和する第2保護テープ貼着ステップと、該第2保護テープ貼着ステップを実施した後、該第2保護テープが貼着された板状物の該第2保護テープ側をチャックテーブルで保持して板状物の裏面を研削又は研磨する加工ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図8
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing method of a plate-like object capable of flattening a plate-like object having irregularities on the surface with high accuracy.
A processing method for a plate-like material in which a back surface of a plate-like material having irregularities on the surface is ground or polished, the first protection comprising a first glue layer and a first substrate on the surface of the plate-like material. After performing a first protective tape adhering step of adhering the tape and absorbing the unevenness with the first adhesive layer, and the first protective tape adhering step, the first protective tape is heated to After performing the first base material removing step of removing the first base material of the protective tape from the first adhesive layer, and the first base material removing step, the first adhesive layer is formed on the first adhesive layer. A second protective tape attaching step of attaching a second protective tape comprising a thinner second adhesive layer and a second base material to alleviate the undulation of the first adhesive layer of the first protective tape; After carrying out the second protective tape attaching step, the second protective tape side of the plate-like object to which the second protective tape is attached is attached to the chuck table. And a processing step of grinding or polishing the back surface of the plate-like material.
[Selection] Figure 8

Description

本発明は、表面に凹凸を有する板状物の裏面を研削又は研磨する板状物の加工方法に関する。   The present invention relates to a method for processing a plate-like material in which the back surface of the plate-like material having irregularities on the surface is ground or polished.

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウエーハの表面にストリートと呼ばれる分割予定ラインが格子状に形成され、分割予定ラインによって区画された各領域にIC、LSI等のデバイスが形成される。ウエーハは裏面が研削、研磨されて所定の厚みへと薄化された後、分割予定ラインに沿って分割されることで個々の半導体デバイスが製造される。   In the manufacturing process of semiconductor devices, division lines called streets are formed in a lattice pattern on the surface of a wafer made of silicon or a compound semiconductor, and devices such as ICs and LSIs are formed in each area partitioned by the division lines. The After the wafer is ground and polished to be thinned to a predetermined thickness, each semiconductor device is manufactured by dividing the wafer along a predetermined division line.

研削や研磨に際してウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するために、ウエーハの表面に例えば特開平11−307620号公報に開示されるような保護テープが貼着される。ウエーハは保護テープを介して研削装置又は研磨装置のチャックテーブルで保持され、露出したウエーハの裏面が研削又は研磨される。   In order to protect the device formed on the surface of the wafer during grinding or polishing, a protective tape as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-307620 is attached to the surface of the wafer. The wafer is held by a chuck table of a grinding device or a polishing device via a protective tape, and the exposed back surface of the wafer is ground or polished.

近年、半導体デバイスの軽薄短小化を実現するための技術として、デバイス表面にバンプと呼ばれる金属突起物を複数形成し、これらのバンプを配線基板に形成された電極に相対させて直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術が実用化されている。   In recent years, as a technology for realizing lighter, thinner, and smaller semiconductor devices, flip chips have been formed by forming a plurality of metal protrusions called bumps on the device surface, and directly bonding these bumps against the electrodes formed on the wiring board. A mounting technique called bonding has been put into practical use.

ところが、例えば高さ200μmと高いバンプを有するウエーハに保護テープを貼着すると、保護テープとウエーハとの間には隙間が生じ、ウエーハはバンプのみによって保護テープに固定される形態となる。   However, when a protective tape is attached to a wafer having bumps as high as 200 μm, for example, a gap is formed between the protective tape and the wafer, and the wafer is fixed to the protective tape only by the bumps.

従って、この状態でウエーハの裏面を研削すると、応力がバンプ部分に掛かり、ウエーハが破損してしまうという問題がある。この問題を解決するために、例えば、バンプ高さより厚い糊層を有する保護テープをウエーハ表面に貼着して研削する研削方法が特開平10−50642号公報に開示されている。   Therefore, when the back surface of the wafer is ground in this state, there is a problem that stress is applied to the bump portion and the wafer is damaged. In order to solve this problem, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-50642 discloses a grinding method in which a protective tape having a glue layer thicker than the bump height is attached to the wafer surface for grinding.

特開平11−307620号公報JP-A-11-307620 特開平10−50642号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-50642

ところが、保護テープを用いてバンプ間を糊で埋め込むようにすると、保護テープの表面にはバンプに倣って凹凸が形成されてしまう。この状態でウエーハの裏面を研削・研磨しても、ウエーハの平坦化が難しいという問題がある。   However, if the gap between the bumps is embedded with glue using a protective tape, irregularities are formed on the surface of the protective tape following the bumps. Even if the back surface of the wafer is ground and polished in this state, there is a problem that it is difficult to flatten the wafer.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表面に凹凸を有する板状物を高精度に平坦化可能な板状物の加工方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of such a point, The place made into the objective is providing the processing method of the plate-shaped object which can planarize the plate-shaped object which has an unevenness | corrugation on the surface with high precision. is there.

本発明によると、表面に凹凸を有する板状物の裏面を研削又は研磨する板状物の加工方法であって、板状物の表面に第1糊層と第1基材とからなる第1保護テープを貼着して該凹凸を該第1糊層で吸収する第1保護テープ貼着ステップと、該第1保護テープ貼着ステップを実施した後、該第1保護テープを加熱して該第1保護テープの該第1基材を該第1糊層から除去する第1基材除去ステップと、該第1基材除去ステップを実施した後、該第1糊層上に該第1糊層より薄い第2糊層と第2基材とからなる第2保護テープを貼着して、該第1保護テープの該第1糊層のうねりを緩和する第2保護テープ貼着ステップと、該第2保護テープ貼着ステップを実施した後、該第2保護テープが貼着された板状物の該第2保護テープ側をチャックテーブルで保持して板状物の裏面を研削又は研磨する加工ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の加工方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a processing method for a plate-like object in which the back surface of the plate-like object having irregularities on the surface is ground or polished, the first paste comprising a first glue layer and a first substrate on the surface of the plate-like object. After performing a first protective tape adhering step of adhering a protective tape and absorbing the irregularities with the first adhesive layer, and the first protective tape adhering step, the first protective tape is heated to After performing the first base material removing step of removing the first base material of the first protective tape from the first glue layer, and the first base material removing step, the first glue on the first glue layer. A second protective tape attaching step of attaching a second protective tape composed of a second adhesive layer thinner than the first layer and a second base material to alleviate the undulation of the first adhesive layer of the first protective tape; After performing the second protective tape attaching step, the second protective tape side of the plate-like object to which the second protective tape is attached is chucked. Machining method of the platelet to the processing steps of grinding or polishing the back surface of the platelet held in Le, characterized by comprising a are provided.

好ましくは、本発明の板状物の加工方法は、第1保護テープ貼着ステップを実施する前に、板状物の表面を水溶性保護膜で被覆する被覆ステップを更に具備している。   Preferably, the plate-like material processing method of the present invention further includes a coating step of covering the surface of the plate-like material with a water-soluble protective film before the first protective tape attaching step.

本発明の加工方法では、ウエーハ等の板状物の表面に第1保護テープを貼着してバンプ間を糊で埋め込んだ後、第1保護テープを加熱して第1保護テープの第1基材を第1糊層から剥離する。次いで、第1保護テープの第1糊層上に第2保護テープを貼着して第2保護テープの表面を平坦化する。   In the processing method of the present invention, a first protective tape is attached to the surface of a plate-like object such as a wafer and the gaps between the bumps are filled with glue, and then the first protective tape is heated to form the first base of the first protective tape. The material is peeled from the first glue layer. Next, the second protective tape is attached on the first adhesive layer of the first protective tape to flatten the surface of the second protective tape.

第1保護テープの第1基材を第1糊層から剥離し、その上に第2保護テープを貼着することにより、凹凸に起因するうねりを第1及び第2糊層で吸収して緩和することができるため、第2保護テープ表面を平坦化することができる。従って、第2保護テープ表面をチャックテーブルで吸引保持して、板状物の裏面を研削又は研磨した際、板状物の高精度な平坦化が可能となる。   By peeling the first base material of the first protective tape from the first adhesive layer and sticking the second protective tape thereon, the undulation caused by the irregularities is absorbed and relaxed by the first and second adhesive layers. Therefore, the surface of the second protective tape can be flattened. Accordingly, when the surface of the second protective tape is sucked and held by the chuck table and the back surface of the plate-like object is ground or polished, the plate-like object can be flattened with high accuracy.

請求項2記載の発明によると、予め板状物の表面に水溶性保護膜が被覆されているため、第1保護テープの糊がバンプに直接接着することはなく、第1保護テープの第1糊層を板状物から除去した際に糊残りが生じることがない。   According to the invention described in claim 2, since the water-soluble protective film is coated on the surface of the plate-like material in advance, the glue of the first protective tape does not directly adhere to the bump, and the first protective tape first No adhesive residue is produced when the glue layer is removed from the plate-like material.

本発明の加工方法を適用するのに適した半導体ウエーハの斜視図である。It is a perspective view of a semiconductor wafer suitable for applying the processing method of the present invention. 図1に示した半導体ウエーハの拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the semiconductor wafer shown in FIG. 半導体ウエーハの表面を水溶性保護膜で被覆した状態の断面図である。It is sectional drawing of the state which coat | covered the surface of the semiconductor wafer with the water-soluble protective film. 保護膜被覆装置の一部破断斜視図である。It is a partially broken perspective view of a protective film coating apparatus. スピンナテーブルが上昇されてウエーハがスピンナテーブルに保持された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the protective film coating apparatus in a state where the spinner table is raised and the wafer is held on the spinner table. ウエーハ表面に水溶性樹脂を塗布する状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the protective film coating | coated apparatus of the state which apply | coats water-soluble resin to the wafer surface. バンプを埋め込むようにウエーハの表面に第1保護テープを貼着した状態の断面図である。It is sectional drawing of the state which affixed the 1st protective tape on the surface of the wafer so that a bump might be embedded. 第1保護テープの基材を糊層から除去する様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that the base material of a 1st protective tape is removed from an adhesive layer. 第1保護テープの糊層上に硬質の第2保護テープを貼着した状態の断面図である。It is sectional drawing of the state which stuck the hard 2nd protective tape on the adhesive layer of the 1st protective tape. 図10(A)は研削ステップを示す斜視図、図10(B)はその側面図である。FIG. 10A is a perspective view showing a grinding step, and FIG. 10B is a side view thereof. 洗浄ステップ(保護膜除去ステップ)を示す保護膜被覆装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the protective film coating apparatus which shows the washing | cleaning step (protective film removal step).

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の加工方法により加工(研削)するのに適した半導体ウエーハ11の斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は表面11a及び裏面11bを有しており、表面11aには複数のストリート13が直交して形成されており、ストリート13によって区画された各領域にそれぞれデバイス15が形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a semiconductor wafer 11 suitable for processing (grinding) by the processing method of the present invention. The semiconductor wafer 11 has a front surface 11 a and a back surface 11 b, and a plurality of streets 13 are formed orthogonally on the front surface 11 a, and devices 15 are formed in each region partitioned by the streets 13.

図1の拡大図に示すように、各デバイス15の4辺には複数の突起状のバンプ17が形成されている。各デバイス15の4辺にバンプ17が形成されているので、半導体ウエーハ11はバンプ17が形成されているバンプ形成領域19と、バンプ形成領域19を囲繞する外周バンプ未形成領域21を有している。   As shown in the enlarged view of FIG. 1, a plurality of protruding bumps 17 are formed on the four sides of each device 15. Since the bumps 17 are formed on the four sides of each device 15, the semiconductor wafer 11 has a bump formation region 19 where the bumps 17 are formed and an outer peripheral bump non-formation region 21 surrounding the bump formation region 19. Yes.

図2の拡大断面図に示すように、各バンプ17はデバイス15の電極23に接続されている。各バンプ17の高さは例えば250μmである。本発明の加工方法の好ましい実施形態では、図3に示すように、まずウエーハ11の表面11aを水溶性保護膜25で被覆する被覆ステップを実施する。   As shown in the enlarged sectional view of FIG. 2, each bump 17 is connected to the electrode 23 of the device 15. The height of each bump 17 is, for example, 250 μm. In a preferred embodiment of the processing method of the present invention, as shown in FIG. 3, first, a coating step of coating the surface 11a of the wafer 11 with a water-soluble protective film 25 is performed.

水溶性保護膜25を形成する液状樹脂としては、PVA(ポリ・ビニール・アルコール)、PEG(ポリ・エチレン・グリコール)、PEO(酸化ポリエチレン)等の水溶性のレジストが望ましい。尚、本発明の加工方法では、この水溶性保護膜被覆ステップは必ずしも必須ではない。   As the liquid resin forming the water-soluble protective film 25, a water-soluble resist such as PVA (polyvinyl alcohol), PEG (polyethylene glycol), PEO (polyethylene oxide) or the like is desirable. In the processing method of the present invention, this water-soluble protective film coating step is not always essential.

保護膜被覆ステップを実施するのに適した保護膜被覆装置10について図4乃至図6を参照して説明する。まず図4を参照すると、保護膜被覆装置10の一部破断斜視図が示されている。   A protective film coating apparatus 10 suitable for performing the protective film coating step will be described with reference to FIGS. First, referring to FIG. 4, a partially broken perspective view of the protective film coating apparatus 10 is shown.

保護膜被覆装置10は、スピンナテーブル機構12と、スピンナテーブル機構12を包囲して配設された洗浄水受け機構14を具備している。スピンナテーブル機構12は、スピンナテーブル(保持テーブル)16と、スピンナテーブル16を回転駆動させる電動モータ20と、電動モータ20を上下方向に移動可能に支持する支持機構22とから構成される。   The protective film coating apparatus 10 includes a spinner table mechanism 12 and a cleaning water receiving mechanism 14 disposed so as to surround the spinner table mechanism 12. The spinner table mechanism 12 includes a spinner table (holding table) 16, an electric motor 20 that rotationally drives the spinner table 16, and a support mechanism 22 that supports the electric motor 20 so as to be movable in the vertical direction.

スピンナテーブル16は多孔性材料から形成された吸着チャック(保持部)16aを具備しており、吸着チャック16aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル16は、吸着チャック16aにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック16a上にウエーハ11を吸引保持する。   The spinner table 16 includes a suction chuck (holding portion) 16a made of a porous material, and the suction chuck 16a communicates with suction means (not shown). Therefore, the spinner table 16 sucks and holds the wafer 11 on the suction chuck 16a by placing the wafer on the suction chuck 16a and applying a negative pressure by suction means (not shown).

スピンナテーブル16には振り子タイプの一対のクランプ18が配設されており、スピンナテーブル16が回転されるとこのクランプ18が遠心力で揺動するが、本発明の加工方法ではこのクランプ18を使用する必要がないので、クランプ18を省略することができる。   The spinner table 16 is provided with a pair of pendulum type clamps 18. When the spinner table 16 is rotated, the clamps 18 are oscillated by centrifugal force. In the processing method of the present invention, the clamps 18 are used. Since there is no need to do this, the clamp 18 can be omitted.

スピンナテーブル16は、電動モータ20の出力軸20aに連結されている。支持機構22は、複数の(本実施形態においては3本)の支持脚24と、支持脚24にそれぞれ連結され電動モータ20に取り付けられた複数(本実施形態においては3本)のエアシリンダ26とから構成される。   The spinner table 16 is connected to the output shaft 20 a of the electric motor 20. The support mechanism 22 includes a plurality of (three in the present embodiment) support legs 24, and a plurality of (three in the present embodiment) air cylinders 26 connected to the support legs 24 and attached to the electric motor 20. It consists of.

このように構成された支持機構22は、エアシリンダ26を作動することにより、電動モータ20及びスピンナテーブル16を、図5に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図6及び図10に示す下降位置である作業位置に位置付け可能である。   The support mechanism 22 configured in this manner operates the air cylinder 26 to move the electric motor 20 and the spinner table 16 to the wafer loading / unloading position, which is the ascending position shown in FIG. It can be positioned at the working position which is the lowered position shown.

洗浄水受け機構14は、洗浄水受け容器28と、洗浄水受け容器28を支持する3本(図4には2本のみ図示)の支持脚30と、電動モータ20の出力軸20aに装着されたカバー部材32とから構成される。   The cleaning water receiving mechanism 14 is attached to the cleaning water receiving container 28, three support legs 30 (only two are shown in FIG. 4) that support the cleaning water receiving container 28, and the output shaft 20 a of the electric motor 20. Cover member 32.

洗浄水受け容器28は、図5に示すように、円筒状の外側壁28aと、底壁28bと、内側壁28cとから構成される。底壁28bの中央部には、電動モータ20の出力軸20aが挿入される穴21が設けられており、内側壁28cはこの穴21の周辺から上方に突出するように形成されている。   As shown in FIG. 5, the washing water receiving container 28 includes a cylindrical outer wall 28a, a bottom wall 28b, and an inner wall 28c. A hole 21 into which the output shaft 20a of the electric motor 20 is inserted is provided at the center of the bottom wall 28b, and the inner wall 28c is formed so as to protrude upward from the periphery of the hole 21.

また、図4に示すように、底壁28bには廃液口29が設けられており、この廃液口29にドレンホース34が接続されている。カバー部材32は円板状に形成されており、この外周縁から下方に突出するカバー部32aを備えている。   As shown in FIG. 4, a waste liquid port 29 is provided on the bottom wall 28 b, and a drain hose 34 is connected to the waste liquid port 29. The cover member 32 is formed in a disc shape, and includes a cover portion 32a protruding downward from the outer peripheral edge.

このように構成されたカバー部32は、電動モータ20及びスピンナテーブル16が図6及び図10に示す作業位置に位置づけられると、カバー部32aが洗浄水受け容器28を構成する内側壁28cの外側に隙間をもって重合するように位置づけられる。   When the electric motor 20 and the spinner table 16 are positioned at the work position shown in FIGS. 6 and 10, the cover portion 32 configured in this way is located outside the inner wall 28 c that constitutes the cleaning water receiving container 28. It is positioned so as to be polymerized with a gap.

保護膜被覆装置10は、スピンナテーブル16に保持された加工前のウエーハ11の表面11aに水溶性樹脂を塗布する塗布手段36を具備している。塗布手段36は、スピンナテーブル16に保持されたウエーハ11の表面11aに向けて水溶性樹脂を供給する水溶性樹脂供給ノズル38と、水溶性樹脂供給ノズル38を支持する概略L形状のアーム40と、アーム40に支持された水溶性樹脂供給ノズル38を揺動する正転・逆転可能な電動モータ42とから構成される。水溶性樹脂供給ノズル38はアーム40を介して図示しない水溶性樹脂供給源に接続されている。   The protective film coating apparatus 10 includes an application unit 36 that applies a water-soluble resin to the surface 11 a of the unprocessed wafer 11 held by the spinner table 16. The application unit 36 includes a water-soluble resin supply nozzle 38 that supplies a water-soluble resin toward the surface 11 a of the wafer 11 held by the spinner table 16, and a substantially L-shaped arm 40 that supports the water-soluble resin supply nozzle 38. , And an electric motor 42 capable of normal and reverse rotation that swings the water-soluble resin supply nozzle 38 supported by the arm 40. The water-soluble resin supply nozzle 38 is connected to a water-soluble resin supply source (not shown) via the arm 40.

保護膜被覆装置10は、加工後のウエーハ11の洗浄装置を兼用する。よって、保護膜被覆装置10は、スピンナテーブル16に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段44及びエア供給手段46を具備している。   The protective film coating apparatus 10 also serves as a cleaning apparatus for the processed wafer 11. Therefore, the protective film coating apparatus 10 includes cleaning water supply means 44 and air supply means 46 for cleaning the processed wafer held on the spinner table 16.

洗浄水供給手段44は、スピンナテーブル16に保持された加工後(研削後)のウエーハ11に向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル48と、洗浄水ノズル48を支持するアーム50と、アーム50に支持された洗浄水ノズル48を揺動する正転・逆転可能な電動モータ52とから構成される。洗浄水ノズル48はアーム50を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。   The cleaning water supply means 44 includes a cleaning water nozzle 48 that ejects cleaning water toward the wafer 11 after processing (after grinding) held by the spinner table 16, an arm 50 that supports the cleaning water nozzle 48, and an arm 50. And an electric motor 52 capable of normal / reverse rotation that swings the washing water nozzle 48 supported by the motor. The cleaning water nozzle 48 is connected to a cleaning water supply source (not shown) via the arm 50.

エア供給手段46は、スピンナテーブル16に保持された洗浄後のウエーハ11に向けてエアを噴出するエアノズル54と、エアノズル54を支持するアーム56と、アーム56に支持されたエアノズル54を揺動する正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えている。エアノズル54はアーム56を介して図示しないエア供給源に接続されている。   The air supply means 46 swings the air nozzle 54 that blows air toward the cleaned wafer 11 held by the spinner table 16, the arm 56 that supports the air nozzle 54, and the air nozzle 54 that is supported by the arm 56. An electric motor (not shown) capable of normal / reverse rotation is provided. The air nozzle 54 is connected to an air supply source (not shown) via an arm 56.

次に、このように構成された保護膜被覆装置10の作用について説明する。図5に示すように、ウエーハ搬入・搬出位置に位置づけられた保護膜被覆装置10のスピンナテーブル16上にウエーハ11の裏面11b側を載置し、吸着チャック16aによりウエーハ11を吸引保持する。   Next, the operation of the protective film coating apparatus 10 configured as described above will be described. As shown in FIG. 5, the back surface 11b side of the wafer 11 is placed on the spinner table 16 of the protective film coating apparatus 10 positioned at the wafer carry-in / carry-out position, and the wafer 11 is sucked and held by the suction chuck 16a.

このとき、水溶性樹脂供給ノズル38、洗浄水ノズル48及びエアノズル54は、図5に示すように、スピンナテーブル16の上方から隔離した待機位置に位置づけられている。スピンナテーブル16でウエーハ11を吸引保持したならば、エアシリンダ26を作動してスピンナテーブル16を図6に示す作業位置に位置づける。   At this time, the water-soluble resin supply nozzle 38, the washing water nozzle 48, and the air nozzle 54 are positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 16, as shown in FIG. When the wafer 11 is sucked and held by the spinner table 16, the air cylinder 26 is operated to position the spinner table 16 at the work position shown in FIG.

このようにウエーハ11を作業位置に位置づけてから、ウエーハ11の表面11aに水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップを実施する。保護膜被覆ステップを実施するには、スピンナテーブル16を図6に示すように10〜100rpm(好ましくは30〜50rpm)で回転させながら、ウエーハ11の表面11aの中央領域に水溶性樹脂供給ノズル38から水溶性樹脂27を滴下する。60は蓋である。   After the wafer 11 is positioned at the work position in this way, a protective film coating step is performed in which a water-soluble resin is applied to the surface 11a of the wafer 11 to cover the protective film. In order to perform the protective film coating step, the water-soluble resin supply nozzle 38 is formed in the central region of the surface 11a of the wafer 11 while rotating the spinner table 16 at 10 to 100 rpm (preferably 30 to 50 rpm) as shown in FIG. Water-soluble resin 27 is dropped from Reference numeral 60 denotes a lid.

スピンナテーブル16が回転されているため、滴下された水溶性樹脂27はウエーハ11の表面11aにスピンコーティングされ、図3に示すように、ウエーハ11の表面11aにバンプ17を包み込むように水溶性保護膜25が形成される。水溶性保護膜25の厚さは5〜10μm程度が好ましい。   Since the spinner table 16 is rotated, the dropped water-soluble resin 27 is spin-coated on the surface 11a of the wafer 11, and as shown in FIG. 3, the water-soluble protection is performed so as to wrap the bumps 17 on the surface 11a of the wafer 11. A film 25 is formed. The thickness of the water-soluble protective film 25 is preferably about 5 to 10 μm.

保護膜被覆ステップによりウエーハ11の表面11aに水溶性保護膜25を被覆したなら、図7に示すように、ウエーハ11の表面11aに第1保護テープ29を貼着する第1保護テープ貼着ステップを実施する。第1保護テープ29は、ポリオレフィン等の基材31上にアクリル系又はゴム系の糊層33を配設して構成されている。   If the water-soluble protective film 25 is coated on the surface 11a of the wafer 11 by the protective film coating step, as shown in FIG. 7, a first protective tape bonding step of bonding a first protective tape 29 to the surface 11a of the wafer 11. To implement. The first protective tape 29 is configured by disposing an acrylic or rubber paste layer 33 on a base material 31 such as polyolefin.

第1保護テープ29は、250μmの高さのバンプ17より厚い例えば300μmの厚さの糊層33を有しており、第1保護テープ貼着ステップでは、糊層33でバンプ17を埋め込むように第1保護テープ29をウエーハ11の表面11aに貼着する。   The first protective tape 29 has a glue layer 33 having a thickness of, for example, 300 μm, which is thicker than the bumps 17 having a height of 250 μm. In the first protective tape attaching step, the bumps 17 are embedded with the glue layer 33. The first protective tape 29 is attached to the surface 11 a of the wafer 11.

厚さの厚い糊層33を有した第1保護テープ29を、図7に示すように、バンプ17を埋め込むようにウエーハ11の表面11aに貼着すると、基材31が平坦とはならずに多少のうねりが発生する。   When the first protective tape 29 having the thick adhesive layer 33 is attached to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed the bumps 17 as shown in FIG. 7, the substrate 31 does not become flat. Some swell occurs.

よって、第1保護テープ29側を研削装置のチャックテーブルで吸引保持して、ウエーハ11の裏面11bを研削すると、研削加工を実施してもウエーハ11の高精度の平坦化が得られない恐れがある。   Therefore, if the first protective tape 29 side is sucked and held by the chuck table of the grinding device and the back surface 11b of the wafer 11 is ground, the wafer 11 may not be flattened with high precision even if the grinding process is performed. is there.

そこで、本発明の加工方法では、図8に示すように、ヒートランプ58で第1保護テープ29を加熱し、第1保護テープ29の基材31を糊層33から除去する基材除去ステップを実施する。ヒートランプ58による第1保護テープ29の加熱温度は、例えば50℃〜100℃の範囲内で十分である。   Therefore, in the processing method of the present invention, as shown in FIG. 8, the base material removing step of heating the first protective tape 29 with the heat lamp 58 and removing the base material 31 of the first protective tape 29 from the adhesive layer 33 is performed. carry out. The heating temperature of the first protective tape 29 by the heat lamp 58 is sufficient, for example, within a range of 50 ° C to 100 ° C.

基材除去ステップを実施することにより、第1保護テープ29の糊層33のみが水溶性保護膜25に接着されて残存する。次いで、図9に示すように、第1保護テープ29の糊層33上に第2保護テープ35を貼着する第2保護テープ貼着ステップを実施する。第2保護テープ35は、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の第1保護テープの基材31よりも硬質の基材37上にアクリル系又はゴム系の糊層39を配設して構成されている。   By performing the base material removal step, only the glue layer 33 of the first protective tape 29 remains adhered to the water-soluble protective film 25. Next, as shown in FIG. 9, a second protective tape attaching step for attaching the second protective tape 35 on the adhesive layer 33 of the first protective tape 29 is performed. The second protective tape 35 is configured by disposing an acrylic or rubber-based glue layer 39 on a base material 37 that is harder than the base material 31 of the first protective tape such as PET (polyethylene terephthalate).

第1保護テープ29の糊層33上に第2保護テープ35を貼着すると、第1保護テープ29の基材31が糊層33から除去されているため、バンプ17に起因するうねりが糊層33及び39により吸収されて緩和され、第2保護テープ35の基材37を平坦化することができる。   When the second protective tape 35 is stuck on the glue layer 33 of the first protective tape 29, the base 31 of the first protective tape 29 is removed from the glue layer 33, so that the undulation caused by the bumps 17 is caused by the glue layer. The base material 37 of the second protective tape 35 can be flattened by being absorbed and relaxed by 33 and 39.

よって、本発明の実施形態では、ウエーハ11の表面11aに基材31の除去された第1保護テープ29及び第2保護テープ35を貼着した状態で、ウエーハ11の裏面11bの研削を実施する。この研削方法について図10を参照して説明する。   Therefore, in the embodiment of the present invention, the back surface 11b of the wafer 11 is ground with the first protective tape 29 and the second protective tape 35 from which the base material 31 has been removed adhered to the front surface 11a of the wafer 11. . This grinding method will be described with reference to FIG.

図10(A)は研削ステップの斜視図、図10(B)はその側面図を示している。研削ユニット62は、ハウジング64と、ハウジング64中に回転可能に収容されたスピンドル65と、スピンドル65を回転駆動するモータ66と、スピンドル65の先端に固定されたホイールマウント70と、ホイールマウント70に着脱可能に装着された下端面に複数の研削砥石72が固着された研削ホイール68とを含んでいる。   FIG. 10A is a perspective view of the grinding step, and FIG. 10B is a side view thereof. The grinding unit 62 includes a housing 64, a spindle 65 rotatably accommodated in the housing 64, a motor 66 that rotationally drives the spindle 65, a wheel mount 70 fixed to the tip of the spindle 65, and the wheel mount 70. And a grinding wheel 68 having a plurality of grinding wheels 72 fixed to a lower end surface that is detachably mounted.

この研削ステップでは、研削装置のチャックテーブル74で第1保護テープ29の糊層33及び第2保護テープ35を介してウエーハ11を吸引保持する。そして、研削ユニット送り機構を駆動することにより研削ホイール68の研削砥石72をウエーハ11の裏面11bに接触させる。   In this grinding step, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 74 of the grinding device through the adhesive layer 33 of the first protective tape 29 and the second protective tape 35. Then, the grinding wheel 72 of the grinding wheel 68 is brought into contact with the back surface 11 b of the wafer 11 by driving the grinding unit feeding mechanism.

所定の研削送り速度で研削ホイール68を研削送りしながら、チャックテーブル74を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール68を矢印b方向に例えば6000rpmで回転して、ウエーハ11の研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ11の厚みを測定しながら、ウエーハ11を所定の厚みに仕上げる。   While the grinding wheel 68 is ground and fed at a predetermined grinding feed speed, the chuck table 74 is rotated in the direction of arrow a at 300 rpm, for example, and the grinding wheel 68 is rotated in the direction of arrow b at 6000 rpm, for example, to grind the wafer 11. carry out. While measuring the thickness of the wafer 11 with a contact-type or non-contact-type thickness measurement gauge, the wafer 11 is finished to a predetermined thickness.

本実施形態では、ウエーハ11の表面11aに第1保護テープ29の糊層33及び第2保護テープ35を貼着して、第2保護テープ35の表面を平坦化してから研削装置のチャックテーブル74で第2保護テープ35を吸引保持しているため、バンプ付きウエーハ11の裏面11bの研削を実施すると、ウエーハ11を高精度に平坦化することができる。   In the present embodiment, the adhesive layer 33 and the second protective tape 35 of the first protective tape 29 are attached to the surface 11a of the wafer 11, and the surface of the second protective tape 35 is flattened before the chuck table 74 of the grinding apparatus. Since the second protective tape 35 is sucked and held, if the back surface 11b of the bumped wafer 11 is ground, the wafer 11 can be flattened with high accuracy.

研削ステップ実施後、ウエーハ11の表面11aから第1保護テープ29の糊層33及び第2保護テープ35を剥離する。第1保護テープ29の糊層33は非常に厚くてバンプ17を埋め込むように糊層33をウエーハ11の表面11aに貼着しているため、研削実施後に糊層33をウエーハ11から剥離すると、バンプ17間に埋め込まれた糊層33を形成する糊がウエーハ11の表面11a上に被覆された水溶性保護膜25上に残存する。   After performing the grinding step, the adhesive layer 33 and the second protective tape 35 of the first protective tape 29 are peeled off from the surface 11a of the wafer 11. Since the adhesive layer 33 of the first protective tape 29 is very thick and is adhered to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed the bumps 17, when the adhesive layer 33 is peeled off from the wafer 11 after grinding, The glue forming the glue layer 33 embedded between the bumps 17 remains on the water-soluble protective film 25 coated on the surface 11 a of the wafer 11.

そこで、本発明の加工方法の好ましい実施形態では、水溶性保護膜25を水に溶かして除去する保護膜除去ステップを実施する。この保護膜除去ステップは洗浄装置を兼ねた保護膜被覆装置10で実施することができる。   Therefore, in a preferred embodiment of the processing method of the present invention, a protective film removing step of removing the water-soluble protective film 25 by dissolving it in water is performed. This protective film removal step can be performed by the protective film coating apparatus 10 that also serves as a cleaning apparatus.

即ち、図11に示すように、スピンナテーブル16でウエーハ11の裏面11b側を吸引保持し、純水源とエア源に接続された洗浄水ノズル48から純水とエアとからなる洗浄水を噴射しながらウエーハ11を低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハ11を洗浄する。   That is, as shown in FIG. 11, the back surface 11b side of the wafer 11 is sucked and held by the spinner table 16, and cleaning water composed of pure water and air is ejected from a cleaning water nozzle 48 connected to the pure water source and the air source. While the wafer 11 is rotated at a low speed (for example, 300 rpm), the wafer 11 is cleaned.

その結果、ウエーハ11の表面11aに被覆されていた保護膜25は水溶性の樹脂によって形成されているので、保護膜25を容易に洗い流すことができ、保護膜25上に付着している残存糊層33を容易に除去することができる。   As a result, since the protective film 25 coated on the surface 11a of the wafer 11 is formed of a water-soluble resin, the protective film 25 can be easily washed away, and the remaining adhesive adhered on the protective film 25 The layer 33 can be easily removed.

上述した実施形態では、本発明の加工方法を研削方法に適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ウエーハ11の裏面を研磨する研磨方法にも同様に適用することができる。   In the embodiment described above, an example in which the processing method of the present invention is applied to a grinding method has been described. However, the present invention is not limited to this, and is similarly applied to a polishing method for polishing the back surface of the wafer 11. be able to.

更に、被加工物はバンプ17を有するウエーハ11に限定されるものではなく、例えば、サファイア基板の表面に外周部分を除いてエピタキシャル層が形成された光デバイスウエーハ等の表面に凹凸を有する他の板状物にも同様に適用可能である。   Further, the workpiece is not limited to the wafer 11 having the bumps 17. For example, the surface of the sapphire substrate other than the outer peripheral portion on the surface of the sapphire substrate, etc. The same applies to plate-like objects.

10 保護膜被覆装置
11 半導体ウエーハ
15 デバイス
16 スピンナテーブル
17 バンプ
25 水溶性保護膜
29 第1保護テープ
31 基材
33 糊層
35 第2保護テープ
37 基材
39 糊層
58 ヒートランプ
62 研削ユニット
68 研削ホイール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Protective film coating apparatus 11 Semiconductor wafer 15 Device 16 Spinner table 17 Bump 25 Water-soluble protective film 29 1st protective tape 31 Base material 33 Glue layer 35 Second protective tape 37 Base material 39 Glue layer 58 Heat lamp 62 Grinding unit 68 Grinding wheel

Claims (3)

表面に凹凸を有する板状物の裏面を研削又は研磨する板状物の加工方法であって、
板状物の表面に第1糊層と第1基材とからなる第1保護テープを貼着して該凹凸を該第1糊層で吸収する第1保護テープ貼着ステップと、
該第1保護テープ貼着ステップを実施した後、該第1保護テープを加熱して該第1保護テープの該第1基材を該第1糊層から除去する第1基材除去ステップと、
該第1基材除去ステップを実施した後、該第1糊層上に該第1糊層より薄い第2糊層と第2基材とからなる第2保護テープを貼着して、該第1保護テープの該第1糊層のうねりを緩和する第2保護テープ貼着ステップと、
該第2保護テープ貼着ステップを実施した後、該第2保護テープが貼着された板状物の該第2保護テープ側をチャックテーブルで保持して板状物の裏面を研削又は研磨する加工ステップと、
を具備したことを特徴とする板状物の加工方法。
A processing method of a plate-like material for grinding or polishing the back surface of a plate-like material having irregularities on the surface,
A first protective tape attaching step of attaching a first protective tape comprising a first adhesive layer and a first base material to the surface of the plate-like material and absorbing the irregularities with the first adhesive layer;
A first base material removing step of heating the first protective tape and removing the first base material of the first protective tape from the first glue layer after performing the first protective tape attaching step;
After performing the first base material removing step, a second protective tape comprising a second adhesive layer thinner than the first adhesive layer and a second base material is adhered on the first adhesive layer, A second protective tape attaching step for alleviating waviness of the first adhesive layer of the one protective tape;
After performing the second protective tape attaching step, the second protective tape side of the plate-like object to which the second protective tape is attached is held by a chuck table and the back surface of the plate-like object is ground or polished. Processing steps;
The processing method of the plate-shaped object characterized by comprising.
前記第1保護テープ貼着ステップを実施する前に、板状物の表面を水溶性保護膜で被覆する被覆ステップを更に具備した請求項1記載の板状物の加工方法。   The processing method of the plate-shaped object of Claim 1 further equipped with the coating | coated step which coat | covers the surface of a plate-shaped object with a water-soluble protective film before implementing a said 1st masking tape sticking step. 前記凹凸は突起電極から構成される請求項1又は2記載の板状物の加工方法。   The plate-like material processing method according to claim 1, wherein the irregularities are constituted by protruding electrodes.
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