JP2012119482A

JP2012119482A - Wavelength variable laser device and control method of the same

Info

Publication number: JP2012119482A
Application number: JP2010267688A
Authority: JP
Inventors: eiichi Sakano; 英一坂野; Masao Shibata; 雅央柴田
Original assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc; Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc; Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2010-11-30
Filing date: 2010-11-30
Publication date: 2012-06-21

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wavelength variable laser device, which is capable of adjusting an oscillation wavelength through dark tuning using a wavelength detection part arranged on a front side of the wavelength variable laser, and a control method of the wavelength variable laser device.SOLUTION: A wavelength variable laser device includes a wavelength variable semiconductor laser, a semiconductor Mach-Zehnder modulator that is optically coupled with an output of the wavelength variable semiconductor laser and controls output light intensity between a quenching state and a transmission state, and a wavelength detection part that is provided between the wavelength variable semiconductor laser and the Mach-Zehnder modulator and detects a wavelength of light inputted from the wavelength variable semiconductor laser into the semiconductor Mach-Zehnder modulator. In the control method of the wavelength variable laser device, the semiconductor Mach-Zehnder modulator is controlled to a state whose light attenuation rate is larger than that of the transmission state and then an output wavelength of the wavelength variable semiconductor laser is adjusted based on a result of the detection by the wavelength detection part.

Description

本発明は、波長可変レーザ装置およびその制御方法に関する。 The present invention relates to a wavelength tunable laser device and a control method thereof.

光学デバイスとして波長可変レーザがあげられる。波長可変レーザは、バーニア効果などを利用して発振波長を選択することができる。波長可変レーザの発振波長をフィードバック制御する場合に、波長検知部が用いられる。しかしながら、波長可変レーザは、起動時またはチャネル切替時において、目標の波長から大幅に外れた波長の光を出力することがある。そこで、発振波長が所定の波長範囲に達するまでフロント側の光出力を禁止する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。 A tunable laser is an example of the optical device. The wavelength tunable laser can select an oscillation wavelength using the vernier effect or the like. A wavelength detector is used when feedback controlling the oscillation wavelength of the wavelength tunable laser. However, the wavelength tunable laser may output light having a wavelength significantly deviating from the target wavelength at startup or channel switching. Therefore, a technique is disclosed in which front-side light output is prohibited until the oscillation wavelength reaches a predetermined wavelength range (see, for example, Patent Document 1).

特開２００９−２６９６８号公報JP 2009-26968 A

ところで、光出力側（フロント側）に波長検知部を配置した波長可変レーザ装置では、波長可変レーザにある程度の光を出力させなければ、正確なフィードバック制御を行うことができない。一方で、特許文献１の技術では、フロント側の光出力が禁止される。したがって、特許文献１の技術は、フロント側に波長検知部を配置した波長可変レーザ装置に適用することができない。 By the way, in the wavelength tunable laser device in which the wavelength detector is arranged on the light output side (front side), accurate feedback control cannot be performed unless a certain amount of light is output to the wavelength tunable laser. On the other hand, in the technique of Patent Document 1, front side light output is prohibited. Therefore, the technique of Patent Document 1 cannot be applied to a wavelength tunable laser device in which a wavelength detection unit is disposed on the front side.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、波長可変レーザのフロント側とマッハツェンダ変調器との間に配置された波長検知部を用いてレーザモジュール外部への光出力を抑えつつ発振波長を調整することができる（ダークチューニング）波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and uses a wavelength detector disposed between the front side of a wavelength tunable laser and a Mach-Zehnder modulator to suppress the light output to the outside of the laser module and reduce the oscillation wavelength. An object is to provide a wavelength tunable laser device that can be adjusted (dark tuning) and a control method thereof.

本発明に係る波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、前記波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、前記波長可変半導体レーザと前記マッハツェンダ変調器との間に設けられ、前記波長可変半導体レーザから前記半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、前記半導体マッハツェンダ変調器を前記半導体マッハツェンダ変調器の透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、前記波長検知部の検知結果に基づいて前記波長可変半導体レーザの出力波長を調整することを特徴とするものである。本発明に係る波長可変レーザ装置の制御方法によれば、波長可変半導体レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてレーザモジュール外部への光出力を抑えつつ発振波長を調整することができる。 A method of controlling a wavelength tunable laser device according to the present invention includes a wavelength tunable semiconductor laser, a semiconductor Mach-Zehnder modulator that is optically coupled to an output of the wavelength tunable semiconductor laser and controls output light intensity between an extinction state and a transmission state. A wavelength tunable laser device comprising: a wavelength detection unit that is provided between the wavelength tunable semiconductor laser and the Mach-Zehnder modulator and detects a wavelength of light input from the wavelength tunable semiconductor laser to the semiconductor Mach-Zehnder modulator. The semiconductor Mach-Zehnder modulator is controlled to have a light attenuation rate larger than the transmission state of the semiconductor Mach-Zehnder modulator, and then the output wavelength of the tunable semiconductor laser is adjusted based on the detection result of the wavelength detector It is characterized by this. According to the control method of the wavelength tunable laser device according to the present invention, it is possible to adjust the oscillation wavelength while suppressing the optical output to the outside of the laser module by using the wavelength detection unit arranged on the front side of the wavelength tunable semiconductor laser. .

前記光減衰率が大きい状態への制御は、前記半導体マッハツェンダ変調器の２つの光カプラの間に設けられた１対のアームに対し、光吸収を起こすための逆バイアス電圧を印加することによる光吸収特性を使用してもよい。前記光減衰率が大きい状態への制御は、前記半導体マッハツェンダ変調器の２つの光カプラ間に設けられた１対のアームのうち一方または両方にバイアス電圧を印加することにより発生するマッハツェンダ干渉の消光状態を使用してもよい。前記半導体マッハツェンダ変調器をマッハツェンダ干渉による消光状態に制御する際に、前記半導体マッハツェンダ変調器への変調信号の入力を停止してもよい。 Control to the state where the optical attenuation factor is large is performed by applying a reverse bias voltage for causing optical absorption to a pair of arms provided between two optical couplers of the semiconductor Mach-Zehnder modulator. Absorption characteristics may be used. The control to the state where the optical attenuation factor is large is performed by extinction of Mach-Zehnder interference generated by applying a bias voltage to one or both of a pair of arms provided between two optical couplers of the semiconductor Mach-Zehnder modulator. A state may be used. When the semiconductor Mach-Zehnder modulator is controlled to be extinguished by Mach-Zehnder interference, the modulation signal input to the semiconductor Mach-Zehnder modulator may be stopped.

本発明に係る波長可変レーザ装置は、波長可変半導体レーザと、前記波長可変半導体レーザのフロント側出力光が入力される半導体マッハツェンダ変調器と、前記波長可変半導体レーザと前記半導体マッハツェンダ変調器との間に設けられ、前記波長可変半導体レーザから前記半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部と、を備えることを特徴とするものである。本発明に係る波長可変レーザ装置によれば、波長可変半導体レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてレーザモジュール外部への光出力を抑えつつ発振波長を調整することができる。 A wavelength tunable laser device according to the present invention includes a wavelength tunable semiconductor laser, a semiconductor Mach-Zehnder modulator to which front-side output light of the wavelength tunable semiconductor laser is input, and between the wavelength tunable semiconductor laser and the semiconductor Mach-Zehnder modulator. And a wavelength detector for detecting the wavelength of light input from the wavelength tunable semiconductor laser to the semiconductor Mach-Zehnder modulator. According to the wavelength tunable laser device of the present invention, it is possible to adjust the oscillation wavelength while suppressing the optical output to the outside of the laser module by using the wavelength detector disposed on the front side of the wavelength tunable semiconductor laser.

本発明によれば、波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いて発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wavelength variable laser apparatus which can adjust an oscillation wavelength using the wavelength detection part arrange | positioned at the front side of a wavelength variable laser, and its control method can be provided.

実施例１に係る波長可変レーザ装置の全体構成を説明するための概略図である。1 is a schematic diagram for explaining an overall configuration of a wavelength tunable laser device according to Embodiment 1. FIG. 変調器の詳細を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the detail of a modulator. ルックアップテーブルの例を示す図である。It is a figure which shows the example of a look-up table. 波長可変半導体レーザの起動時のダークチューニングを表すフローチャートの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the flowchart showing the dark tuning at the time of starting of a wavelength tunable semiconductor laser. バイアス電圧について説明するための図である。It is a figure for demonstrating a bias voltage. ダークチューニングの結果を示す図である。It is a figure which shows the result of dark tuning.

図１は、実施例１に係る波長可変レーザ装置１００の全体構成を説明するための概略図である。図１を参照して、波長可変レーザ装置１００は、波長可変半導体レーザ１０、波長検知部２０、変調器３０、制御部５０などを備える。波長可変半導体レーザ１０は、温度制御装置６０ａ上に配置されている。波長検知部２０および変調器３０は、温度制御装置６０ｂ上に配置されている。温度制御装置６０ａ，６０ｂは、ペルチェ素子などから構成される。波長可変半導体レーザ１０と波長検知部２０との間には、レンズ７０ａが配置されている。波長検知部２０と変調器３０との間には、レンズ７０ｂが配置されている。変調器３０の出力端側には、レンズ７０ｃが配置されている。 FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an overall configuration of a wavelength tunable laser device 100 according to the first embodiment. Referring to FIG. 1, a wavelength tunable laser device 100 includes a wavelength tunable semiconductor laser 10, a wavelength detection unit 20, a modulator 30, a control unit 50, and the like. The wavelength tunable semiconductor laser 10 is disposed on the temperature control device 60a. The wavelength detector 20 and the modulator 30 are disposed on the temperature control device 60b. The temperature control devices 60a and 60b are composed of Peltier elements or the like. A lens 70 a is disposed between the wavelength tunable semiconductor laser 10 and the wavelength detection unit 20. A lens 70 b is disposed between the wavelength detection unit 20 and the modulator 30. A lens 70 c is disposed on the output end side of the modulator 30.

波長可変半導体レーザ１０は、ＳＧ−ＤＢＲ（ＳａｍｐｌｅｄＧｒａｔｉｎｇＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）領域１１、ＳＧ−ＤＦＢ（ＳａｍｐｌｅｄＧｒａｔｉｎｇＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＦｅｅｄｂａｃｋ）領域１２、および半導体光増幅（ＳＯＡ：ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＯｐｔｉｃａｌＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）領域１３が順に連結した構造を有する。ＳＧ−ＤＢＲ領域１１は、グレーティングが所定の間隔で設けられた光導波路を含む。すなわち、ＳＧ−ＤＢＲ領域１１の光導波路には、回折格子を有する第１の領域とこの第１の領域に連結されかつスペース部となる第２の領域とが設けられている。ＳＧ−ＤＢＲ領域１１の光導波路は、吸収端波長がレーザ発振波長よりも短波長側にある半導体結晶からなる。ＳＧ−ＤＢＲ領域１１上には、ヒータ１４が設けられている。 The wavelength tunable semiconductor laser 10 includes an SG-DBR (Sampled Bragged Reflector Reflector) region 11, an SG-DFB (Sampled Grafted Distributed Feedback) region 12, and a semiconductor optically amplified (SOA: Semiconductor Amplified Structure 13) region. Have The SG-DBR region 11 includes an optical waveguide in which gratings are provided at predetermined intervals. That is, the optical waveguide of the SG-DBR region 11 is provided with a first region having a diffraction grating and a second region connected to the first region and serving as a space portion. The optical waveguide of the SG-DBR region 11 is made of a semiconductor crystal whose absorption edge wavelength is shorter than the laser oscillation wavelength. A heater 14 is provided on the SG-DBR region 11.

ＳＧ−ＤＦＢ領域１２は、グレーティングが所定の間隔で設けられた光導波路を含む。すなわち、ＳＧ−ＤＦＢ領域１２の光導波路には、回折格子を有する第１の領域とこの第１の領域に連結されかつスペース部となる第２の領域とが設けられている。ＳＧ−ＤＦＢ領域１２の光導波路は、目的とする波長でのレーザ発振に対して利得を有する半導体結晶からなる。ＳＧ−ＤＦＢ領域１２上には、電極１５が設けられている。 The SG-DFB region 12 includes an optical waveguide in which gratings are provided at predetermined intervals. That is, the optical waveguide of the SG-DFB region 12 is provided with a first region having a diffraction grating and a second region connected to the first region and serving as a space portion. The optical waveguide of the SG-DFB region 12 is made of a semiconductor crystal having a gain with respect to laser oscillation at a target wavelength. An electrode 15 is provided on the SG-DFB region 12.

ＳＯＡ領域１３は、電流制御によって光に利得を与える、または光を吸収するための半導体結晶からなる光導波路を含む。ＳＯＡ領域１３上には、電極１６が設けられている。なお、ＳＧ−ＤＢＲ領域１１、ＳＧ−ＤＦＢ領域１２およびＳＯＡ領域１３の光導波路は、互いに光結合している。 The SOA region 13 includes an optical waveguide made of a semiconductor crystal for gaining light by current control or for absorbing light. An electrode 16 is provided on the SOA region 13. Note that the optical waveguides of the SG-DBR region 11, the SG-DFB region 12, and the SOA region 13 are optically coupled to each other.

波長検知部２０は、波長可変半導体レーザ１０のフロント側に配置されており、ビームスプリッタ２１ａ，２１ｂ、エタロン２２、および受光素子２３ａ，２３ｂを備える。ビームスプリッタ２１ａ，２１ｂは、波長可変半導体レーザ１０と変調器３０とを結ぶ光軸上に配置されている。受光素子２３ａは、ビームスプリッタ２１ａの分岐光軸上に配置されている。受光素子２３ｂは、ビームスプリッタ２１ｂの分岐光軸上に配置されている。エタロン２２は、ビームスプリッタ２１ｂと受光素子２３ｂとの間に配置されている。 The wavelength detector 20 is disposed on the front side of the wavelength tunable semiconductor laser 10 and includes beam splitters 21a and 21b, an etalon 22, and light receiving elements 23a and 23b. The beam splitters 21 a and 21 b are disposed on the optical axis connecting the wavelength tunable semiconductor laser 10 and the modulator 30. The light receiving element 23a is disposed on the branch optical axis of the beam splitter 21a. The light receiving element 23b is disposed on the branch optical axis of the beam splitter 21b. The etalon 22 is disposed between the beam splitter 21b and the light receiving element 23b.

変調器３０は、半導体基板上に形成されたメサ状の光導波路の経路を組み合わせて構成されるマッハツェンダ変調器である。図２（ａ）は、変調器３０の拡大図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。 The modulator 30 is a Mach-Zehnder modulator configured by combining paths of mesa-shaped optical waveguides formed on a semiconductor substrate. FIG. 2A is an enlarged view of the modulator 30. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.

図２（ｂ）を参照して、光導波路は、半導体基板４１上に形成されている。光導波路は、半導体基板４１上において、下クラッド層４２ａ、コア４３、上クラッド層４２ｂがこの順にメサ状に積層された構造を有している。半導体基板４１の上面、光導波路の上面および側面には、パッシベーション膜４４および絶縁膜４５が順に積層されている。 With reference to FIG. 2B, the optical waveguide is formed on the semiconductor substrate 41. The optical waveguide has a structure in which a lower cladding layer 42a, a core 43, and an upper cladding layer 42b are stacked in this order on a semiconductor substrate 41. A passivation film 44 and an insulating film 45 are sequentially stacked on the upper surface of the semiconductor substrate 41 and the upper surface and side surfaces of the optical waveguide.

半導体基板４１は、ＩｎＰなどの半導体からなる。下クラッド層４２ａおよび上クラッド層４２ｂは、ＩｎＰなどの半導体からなる。コア４３は、下クラッド層４２ａおよび上クラッド層４２ｂよりもバンドギャップエネルギが小さい半導体からなり、例えばＩｎＧａＡｓＰなどからなる。それにより、コア４３を通過する光が下クラッド層４２ａおよび上クラッド層４２ｂによってとじ込められる。パッシベーション膜４４は、ＩｎＰなどの半導体からなる。絶縁膜４５は、ＳｉＮなどの絶縁体からなる。 The semiconductor substrate 41 is made of a semiconductor such as InP. The lower cladding layer 42a and the upper cladding layer 42b are made of a semiconductor such as InP. The core 43 is made of a semiconductor having a lower band gap energy than the lower cladding layer 42a and the upper cladding layer 42b, and is made of, for example, InGaAsP. Thereby, the light passing through the core 43 is trapped by the lower cladding layer 42a and the upper cladding layer 42b. The passivation film 44 is made of a semiconductor such as InP. The insulating film 45 is made of an insulator such as SiN.

図２（ａ）を参照して、変調器３０には、第１入力端３１ａに接続された第１入力光導波路３２ａが設けられ、第２入力端３１ｂに接続された第２入力光導波路３２ｂが設けられている。第１入力光導波路３２ａおよび第２入力光導波路３２ｂは、第１光カプラ３３で合流し、第１アーム３４ａおよび第２アーム３４ｂに分岐する。変調器３０の長手方向を対称軸とした場合に、第１アーム３４ａは第１入力端３１ａと同じ側に配置され、第２アーム３４ｂは第２入力端３１ｂと同じ側に配置されている。 Referring to FIG. 2A, the modulator 30 includes a first input optical waveguide 32a connected to the first input end 31a, and a second input optical waveguide 32b connected to the second input end 31b. Is provided. The first input optical waveguide 32a and the second input optical waveguide 32b are joined by the first optical coupler 33 and branched to the first arm 34a and the second arm 34b. When the longitudinal direction of the modulator 30 is a symmetric axis, the first arm 34a is disposed on the same side as the first input end 31a, and the second arm 34b is disposed on the same side as the second input end 31b.

第１アーム３４ａおよび第２アーム３４ｂは第２光カプラ３５で合流し、第１出力端３７ａに接続された第１出力光導波路３６ａと、第２出力端３７ｂに接続された第２出力光導波路３６ｂとに分岐する。変調器３０の長手方向を対称軸とした場合に、第１出力端３７ａは第２アーム３４ｂと同じ側に配置され、第２出力端３７ｂは第１アーム３４ａと同じ側に配置されている。第１アーム３４ａの光路長と第２アーム３４ｂの光路長との間には、あらかじめ差が設けられている。例えば、第１アーム３４ａを伝播する光と第２アーム３４ｂを伝播する光とに−０．５πの位相差が生じるような、光路長差が設定されている。 The first arm 34a and the second arm 34b join at the second optical coupler 35, and the first output optical waveguide 36a connected to the first output end 37a and the second output optical waveguide connected to the second output end 37b. Branch to 36b. When the longitudinal direction of the modulator 30 is the axis of symmetry, the first output end 37a is disposed on the same side as the second arm 34b, and the second output end 37b is disposed on the same side as the first arm 34a. A difference is provided in advance between the optical path length of the first arm 34a and the optical path length of the second arm 34b. For example, the optical path length difference is set such that a phase difference of −0.5π is generated between the light propagating through the first arm 34a and the light propagating through the second arm 34b.

第１アーム３４ａおよび第２アーム３４ｂのそれぞれには、位相調整用電極４６および変調用電極４７が設けられている。位相調整用電極４６および変調用電極４７は、互いに離間している。位相調整用電極４６および変調用電極４７の位置関係は特に限定されるものではないが、本実施例においては、位相調整用電極４６は変調用電極４７よりも光入力端側に配置されている。第１出力光導波路３６ａおよび第２出力光導波路３６ｂのそれぞれには、光強度検出電極４８が設けられている。 A phase adjustment electrode 46 and a modulation electrode 47 are provided on each of the first arm 34a and the second arm 34b. The phase adjustment electrode 46 and the modulation electrode 47 are separated from each other. The positional relationship between the phase adjustment electrode 46 and the modulation electrode 47 is not particularly limited, but in the present embodiment, the phase adjustment electrode 46 is disposed closer to the light input end than the modulation electrode 47. . A light intensity detection electrode 48 is provided on each of the first output optical waveguide 36a and the second output optical waveguide 36b.

図２（ｃ）を参照して、変調用電極４７は、上クラッド層４２ｂ上において、コンタクト層４９を介して配置されている。コンタクト層４９は、ＩｎＧａＡｓなどの半導体からなる。なお、上クラッド層４２ｂとコンタクト層４９との間には、パッシベーション膜４４および絶縁膜４５は設けられていない。また、位相調整用電極４６、変調用電極４７および光強度検出電極４８は、Ａｕなどの金属からなる。 Referring to FIG. 2C, the modulation electrode 47 is disposed on the upper cladding layer 42b via the contact layer 49. The contact layer 49 is made of a semiconductor such as InGaAs. Note that the passivation film 44 and the insulating film 45 are not provided between the upper cladding layer 42 b and the contact layer 49. The phase adjustment electrode 46, the modulation electrode 47, and the light intensity detection electrode 48 are made of a metal such as Au.

再度図１を参照して、制御部５０は、制御ブロック５１、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）５２、温度制御回路５３、駆動回路５４、電流検出回路５５、温度制御回路５６、駆動回路５７などを備える。制御ブロック５１は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）等から構成される。ＲＯＭ５２には、波長可変半導体レーザ１０および変調器３０の制御情報、制御プログラム等が格納されている。波長可変半導体レーザ１０の制御情報は、例えば、ルックアップテーブルに記録されている。図３にルックアップテーブルの例を示す。 Referring to FIG. 1 again, the control unit 50 includes a control block 51, a ROM (read only memory) 52, a temperature control circuit 53, a drive circuit 54, a current detection circuit 55, a temperature control circuit 56, a drive circuit 57, and the like. . The control block 51 includes a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Memory), and the like. The ROM 52 stores control information, control programs, and the like for the wavelength tunable semiconductor laser 10 and the modulator 30. The control information of the wavelength tunable semiconductor laser 10 is recorded in, for example, a lookup table. FIG. 3 shows an example of a lookup table.

図３を参照して、ルックアップテーブルは、チャネルごとに、初期設定値およびフィードバック制御目標値を含む。初期設定値には、ＳＧ−ＤＦＢ領域１２の初期電流値Ｉ_ＬＤ、ＳＯＡ領域１３の初期電流値Ｉ_ＳＯＡ、ヒータ１４の初期電流値Ｉ_{Ｈｅａｔｅｒ}および温度制御装置６０ａの初期温度値Ｔ_ＬＤが含まれる。フィードバック制御目標値は、受光素子２３ａのフィードバック制御目標値Ｉｍ１、受光素子２３ａ，２３ｂのフィードバック制御目標値Ｉｍ２／Ｉｍ１、およびヒータ１４の電力のフィードバック制御目標値Ｐ_{Ｈｅａｔｅｒ}を含む。 Referring to FIG. 3, the lookup table includes an initial setting value and a feedback control target value for each channel. The initial setting value includes an initial current value _I LD of the SG-DFB region 12, an initial current value _{I SOA} of the SOA region 13, the initial temperature value _{T LD} of the initial current value _{I Heater} and temperature controller 60a of the heater 14 is . The feedback control target value includes a feedback control target value Im1 of the light receiving element 23a, a feedback control target value Im2 / Im1 of the light receiving elements 23a and 23b, and a feedback control target value P _Heater of the power of the heater 14.

続いて、波長可変半導体レーザ１０の起動時またはチャネル切替時における発振波長調整について説明する。本実施例においては、ダークチューニングを採用する。ダークチューニングとは、波長可変半導体レーザ１０の発振波長が所定の波長範囲に達するまで波長可変レーザ装置１００からの光出力を抑制するチューニング方法である。 Next, the oscillation wavelength adjustment when starting the wavelength tunable semiconductor laser 10 or switching the channel will be described. In this embodiment, dark tuning is employed. Dark tuning is a tuning method that suppresses light output from the wavelength tunable laser device 100 until the oscillation wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser 10 reaches a predetermined wavelength range.

図４は、波長可変半導体レーザ１０の起動時のダークチューニングを表すフローチャートの一例を示す図である。図４を参照して、まず、制御ブロック５１は、変調器３０の光減衰率を上昇させることによって変調器３０の光出力を所定のしきい値以下に設定する（ステップＳ１）。変調器３０の光減衰率を上昇させるためには、第１アーム３４ａおよび第２アーム３４ｂにバイアス電圧を印加して各アームを構成する半導体のバンド端吸収波長を入力光の波長よりも長波長側までシフトさせ、光を吸収させればよい。例えば、第１アーム３４ａおよび第２アーム３４ｂに１０Ｖ程度の逆バイアスを印加することによって、変調器３０の消光率を−１６ｄＢにすることができる（図５（ａ））。 FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a flowchart representing dark tuning at the time of startup of the wavelength tunable semiconductor laser 10. Referring to FIG. 4, first, control block 51 sets the optical output of modulator 30 to be equal to or lower than a predetermined threshold by increasing the optical attenuation factor of modulator 30 (step S1). In order to increase the optical attenuation factor of the modulator 30, a bias voltage is applied to the first arm 34a and the second arm 34b so that the band edge absorption wavelength of the semiconductor constituting each arm is longer than the wavelength of the input light. What is necessary is just to shift to the side and to absorb light. For example, by applying a reverse bias of about 10 V to the first arm 34a and the second arm 34b, the extinction rate of the modulator 30 can be set to -16 dB (FIG. 5A).

他の例として、第１アーム３４ａおよび第２アーム３４ｂのいずれか一方のバイアス電圧を、マッハツェンダ干渉の消光位置に最適化すればよい。図５（ｂ）は、マッハツェンダ干渉による消光の一例を示す図である。図５（ｂ）において、横軸は逆バイアス電圧を示し、縦軸は消光率（Ｌｏｓｓ）を示す。図５（ｂ）の例では、逆バイアス電圧を５Ｖ程度に設定することによって、マッハツェンダ干渉の消光が実現される。なお、消光時のバイアス電圧は、あらかじめ測定してルックアップテーブルに格納しておくことができる。図５（ｃ）は、ルックアップテーブルの一例を示す図である。 As another example, the bias voltage of one of the first arm 34a and the second arm 34b may be optimized to the extinction position of Mach-Zehnder interference. FIG. 5B is a diagram illustrating an example of quenching due to Mach-Zehnder interference. In FIG. 5B, the horizontal axis indicates the reverse bias voltage, and the vertical axis indicates the extinction rate (Loss). In the example of FIG. 5B, extinction of Mach-Zehnder interference is realized by setting the reverse bias voltage to about 5V. The bias voltage at the time of extinction can be measured in advance and stored in a lookup table. FIG. 5C is a diagram illustrating an example of a lookup table.

変調器３０の光減衰率とバイアス電圧との関係は、変調器３０の温度に応じて変化することがある。そこで、制御ブロック５１は、バイアス電圧を制御する際には、温度制御装置６０ｂの温度が所定の温度に制御されるように、温度制御回路５６を制御する。 The relationship between the optical attenuation factor of the modulator 30 and the bias voltage may change depending on the temperature of the modulator 30. Therefore, when the bias voltage is controlled, the control block 51 controls the temperature control circuit 56 so that the temperature of the temperature control device 60b is controlled to a predetermined temperature.

なお、マッハツェンダ干渉の消光を実現するための逆バイアス電圧は、各光導波路に光吸収領域として機能させる場合に比較して小さくすることができる。したがって、変調器３０の破壊抑制の観点から、第１アーム３４ａおよび第２アーム３４ｂのいずれか一方のバイアス電圧をマッハツェンダ干渉の消光位置に最適化する制御の方がより好ましい。また、この場合、各アームには変調信号が入力されないことが好ましい。消光位置からのずれを抑制することができるからである。したがって、制御ブロック５１は、駆動回路５７に、変調信号の入力を禁止してもよい。また、各アームへのバイアス電圧は、位相調整用電極４６および変調用電極４７の少なくともいずれか一方に印加されればよい。なお、マッハツェンダ干渉状態の制御は、逆バイアス電圧の印加以外にも、電流注入によってなすこともできる。 Note that the reverse bias voltage for realizing the extinction of Mach-Zehnder interference can be reduced as compared with the case where each optical waveguide functions as a light absorption region. Therefore, from the viewpoint of suppressing the destruction of the modulator 30, it is more preferable to perform control to optimize the bias voltage of one of the first arm 34a and the second arm 34b to the extinction position of Mach-Zehnder interference. In this case, it is preferable that no modulation signal is input to each arm. This is because deviation from the extinction position can be suppressed. Therefore, the control block 51 may prohibit the drive circuit 57 from inputting a modulation signal. Further, the bias voltage to each arm may be applied to at least one of the phase adjustment electrode 46 and the modulation electrode 47. Note that the control of the Mach-Zehnder interference state can be performed not only by applying a reverse bias voltage but also by current injection.

次に、制御ブロック５１は、温度制御回路５３および駆動回路５４を制御して、波長可変半導体レーザ１０にレーザ発振させる（ステップＳ２）。具体的には、制御ブロック５１は、ルックアップテーブルを参照し、設定されたチャネルに対応する初期電流値Ｉ_ＬＤ、初期電流値Ｉ_ＳＯＡ、初期電流値Ｉ_{Ｈｅａｔｅｒ}および初期温度値Ｔ_ＬＤを取得する。次に、制御ブロック５１は、取得した初期設定値に基づいて波長可変半導体レーザ１０にレーザ発振させる。 Next, the control block 51 controls the temperature control circuit 53 and the drive circuit 54 to cause the wavelength tunable semiconductor laser 10 to oscillate (step S2). Specifically, the control block 51 refers to the look-up table and acquires the initial current value I _LD , the initial current value I _SOA , the initial current value I _Heater, and the initial temperature value T _LD corresponding to the set channel. . Next, the control block 51 causes the wavelength tunable semiconductor laser 10 to oscillate based on the acquired initial setting value.

具体的には、まず、温度制御回路５３は、温度制御装置６０ａの温度が初期温度値Ｔ_ＬＤになるように温度制御装置６０ａを制御する。それにより、波長可変半導体レーザ１０の温度が初期温度値Ｔ_ＬＤ近傍の一定温度に制御される。その結果、ＳＧ−ＤＦＢ領域１２の光導波路の等価屈折率が制御される。次に、駆動回路５４は、初期電流値Ｉ_ＬＤの大きさを持つ電流を電極１５に供給する。それにより、ＳＧ−ＤＦＢ領域１２の光導波路において光が発生する。その結果、ＳＧ−ＤＦＢ領域１２で発生した光は、ＳＧ−ＤＢＲ領域１１およびＳＧ−ＤＦＢ領域１２の光導波路を繰返し反射および増幅されてレーザ発振する。次に、駆動回路５４は、初期電流値Ｉ_{Ｈｅａｔｅｒ}の大きさを持つ電流をヒータ１４に供給する。それにより、ＳＧ−ＤＢＲ領域１１の光導波路の等価屈折率が所定の値に制御される。次いで、駆動回路５４は、初期電流値Ｉ_ＳＯＡの大きさを持つ電流を電極１６に供給する。以上の制御によって、波長可変半導体レーザ１０は、設定されたチャネルに対応する初期波長で発振する。 Specifically, first, the temperature control circuit 53 controls the temperature control device 60a so that the temperature of the temperature control device 60a is the initial temperature value T _LD. Thereby, the temperature of the wavelength tunable semiconductor laser 10 is controlled to a constant temperature in the vicinity of the initial temperature value _TLD . As a result, the equivalent refractive index of the optical waveguide in the SG-DFB region 12 is controlled. Next, the drive circuit 54 supplies a current having a magnitude of the initial current value I _LD to the electrode 15. Thereby, light is generated in the optical waveguide in the SG-DFB region 12. As a result, the light generated in the SG-DFB region 12 is repeatedly reflected and amplified by the optical waveguides in the SG-DBR region 11 and the SG-DFB region 12 to oscillate. Next, the drive circuit 54 supplies a current having a magnitude of the initial current value I _Heater to the heater 14. Thereby, the equivalent refractive index of the optical waveguide in the SG-DBR region 11 is controlled to a predetermined value. Next, the drive circuit 54 supplies a current having a magnitude of the initial current value _ISOA to the electrode 16. By the above control, the wavelength tunable semiconductor laser 10 oscillates at the initial wavelength corresponding to the set channel.

次いで、制御ブロック５１は、ヒータ１４の両端の電圧とヒータ１４に投入される電流とにより得られる電力に基づいて、ヒータ１４の発熱量が規定内にあるか否かを判定する。具体的には、まず、制御ブロック５１は、ルックアップテーブルからフィードバック制御目標値Ｐ_{Ｈｅａｔｅｒ}を取得するとともに、ヒータ１４の両端の電圧を取得してその値とヒータ１４に投入される電流との積から得られる電力値がフィードバック制御目標値Ｐ_{Ｈｅａｔｅｒ}を含む所定範囲内にあるか否かを判定する。 Next, the control block 51 determines whether or not the amount of heat generated by the heater 14 is within a specified range based on the power obtained from the voltage across the heater 14 and the current supplied to the heater 14. Specifically, first, the control block 51 obtains the feedback control target value P _Heater from the look-up table, obtains the voltage at both ends of the heater 14, and multiplies the value and the current supplied to the heater 14. It is determined whether or not the power value obtained from is within a predetermined range including the feedback control target value P _Heater .

ヒータ１４の発熱量が規定内にあると判定されなかった場合、駆動回路５４は、ヒータ１４の温度を補正する。これは、ヒータ１４に投入される電流を変化させることと、それに伴い変化するヒータ１４の両端の電圧との積から得られる電力の変化により実現される。その後、駆動回路５４は、ヒータ１４の発熱量が規定内に入るようにヒータ１４への電力をフィードバック制御する。次に、駆動回路５４は、波長可変半導体レーザ１０からの出力光強度が所定値以上になるように、ＳＯＡ領域１３に印加する電圧を制御する（ステップＳ３）。この場合の波長可変半導体レーザ１０からの出力光強度は、波長検知部２０における波長検知が可能となる強度であればよい。 When it is not determined that the amount of heat generated by the heater 14 is within the specified range, the drive circuit 54 corrects the temperature of the heater 14. This is realized by changing the electric current supplied to the heater 14 and the change in electric power obtained from the product of the voltage at both ends of the heater 14 that changes accordingly. Thereafter, the drive circuit 54 feedback-controls the power to the heater 14 so that the amount of heat generated by the heater 14 falls within the specified range. Next, the drive circuit 54 controls the voltage applied to the SOA region 13 so that the output light intensity from the wavelength tunable semiconductor laser 10 becomes a predetermined value or more (step S3). In this case, the output light intensity from the wavelength tunable semiconductor laser 10 may be any intensity that enables wavelength detection by the wavelength detection unit 20.

次に、制御ブロック５１は、波長検知部２０の検出結果に基づいて、波長可変半導体レーザ１０の出力光波長を調整する（ステップＳ４）具体的には、まず、制御ブロック５１は、電流検出回路５５から、受光素子２３ａの検出電流Ｉｍ１および受光素子２３ｂの検出電流Ｉｍ２を取得する。次に、制御ブロック５１は、ルックアップテーブルからフィードバック制御目標値Ｉｍ２／Ｉｍ１を取得するとともに、受光素子２３ａの検出結果と受光素子２３ｂの検出結果の比Ｉｍ２／Ｉｍ１を取得し、比Ｉｍ２／Ｉｍ１がフィードバック制御目標値Ｉｍ２／Ｉｍ１を含む所定範囲内にあるか否かを判定する。 Next, the control block 51 adjusts the output light wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser 10 based on the detection result of the wavelength detector 20 (step S4). Specifically, first, the control block 51 includes a current detection circuit. 55, the detection current Im1 of the light receiving element 23a and the detection current Im2 of the light receiving element 23b are obtained. Next, the control block 51 obtains the feedback control target value Im2 / Im1 from the lookup table, obtains the ratio Im2 / Im1 between the detection result of the light receiving element 23a and the detection result of the light receiving element 23b, and obtains the ratio Im2 / Im1. Is within a predetermined range including the feedback control target value Im2 / Im1.

波長可変半導体レーザ１０の出力光波長が規定内にあると判定されなかった場合、制御ブロック５１は、温度制御装置６０ａの温度を補正する。この場合、ＳＧ−ＤＦＢ領域１２の光導波路における利得スペクトルのピーク波長が変化する。その後、制御ブロック５１は、波長可変半導体レーザ１０の出力光波長が所望の一定値に保持されるようにフィードバック制御する。 When it is not determined that the output light wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser 10 is within the regulation, the control block 51 corrects the temperature of the temperature control device 60a. In this case, the peak wavelength of the gain spectrum in the optical waveguide in the SG-DFB region 12 changes. Thereafter, the control block 51 performs feedback control so that the output light wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser 10 is maintained at a desired constant value.

次に、制御ブロック５１は、変調器３０に印加されるバイアス電圧を最適点に制御する（ステップＳ５）。それにより、変調器３０の光減衰率が低下するため、変調器３０から所定の変調光信号が出力される。次に、制御ブロック５１は、受光素子２３ａの検出結果に基づいて、波長可変半導体レーザ１０の出力光強度を調整する（ステップＳ６）。具体的には、制御ブロック５１は、ルックアップテーブルからフィードバック制御目標値Ｉｍ１を取得するとともに受光素子２３ａの検知結果Ｉｍ１を取得し、検知結果Ｉｍ１がフィードバック制御目標値Ｉｍ１を含む所定範囲内にあるか否かを判定する。検知結果Ｉｍ１がフィードバック制御目標値Ｉｍ１を含む所定範囲内にあると判定されなかった場合、制御ブロック５１は、電極１６に供給する電流を補正する。その後、制御ブロック５１は、波長可変半導体レーザ１０の出力光強度が所望の一定値に保持されるようにフィードバック制御される。 Next, the control block 51 controls the bias voltage applied to the modulator 30 to the optimum point (step S5). As a result, the optical attenuation factor of the modulator 30 decreases, and a predetermined modulated optical signal is output from the modulator 30. Next, the control block 51 adjusts the output light intensity of the wavelength tunable semiconductor laser 10 based on the detection result of the light receiving element 23a (step S6). Specifically, the control block 51 acquires the feedback control target value Im1 from the look-up table and the detection result Im1 of the light receiving element 23a, and the detection result Im1 is within a predetermined range including the feedback control target value Im1. It is determined whether or not. When it is not determined that the detection result Im1 is within a predetermined range including the feedback control target value Im1, the control block 51 corrects the current supplied to the electrode 16. Thereafter, the control block 51 is feedback-controlled so that the output light intensity of the wavelength tunable semiconductor laser 10 is maintained at a desired constant value.

以上の制御により、波長可変レーザ装置１００からの光の出力を抑制しつつ、波長可変半導体レーザ１０の発振波長を調整することができる。したがって、波長可変半導体レーザ１０のフロント側に波長検知部２０が配置されていても、発振波長を調整することができる。 With the above control, the oscillation wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser 10 can be adjusted while suppressing the output of light from the wavelength tunable laser device 100. Therefore, the oscillation wavelength can be adjusted even if the wavelength detector 20 is arranged on the front side of the wavelength tunable semiconductor laser 10.

図６（ａ）は、図４のフローチャートの制御方法に従った結果を示す図である。図６（ａ）において、横軸は波長可変半導体レーザ１０の起動開始からの経過時間を示し、縦軸は光強度を示す。なお、図６（ａ）においては、受光素子２３ａで検出された光強度（以下、検出光強度）と、波長可変レーザ装置１００から出力される光の強度（以下、出力光強度）とが表されている。 FIG. 6A is a diagram illustrating a result according to the control method of the flowchart of FIG. In FIG. 6A, the horizontal axis represents the elapsed time from the start of activation of the wavelength tunable semiconductor laser 10, and the vertical axis represents the light intensity. In FIG. 6A, the light intensity detected by the light receiving element 23a (hereinafter, detected light intensity) and the intensity of light output from the wavelength tunable laser device 100 (hereinafter, output light intensity) are shown. Has been.

図６（ａ）を参照して、波長可変半導体レーザ１０の起動開始時においては、波長可変半導体レーザ１０から光が出力されないため、検出光強度および出力光強度ともゼロである。波長検知部２０の検出結果に基づいて発振波長を調整する際には波長可変半導体レーザ１０からある程度の強度の光が出力されるため、所定の検出光強度が得られる。一方、変調器３０の光減衰率が所定のしきい値以上に制御されていることから、出力光強度は抑制されている。 Referring to FIG. 6A, at the start of activation of the wavelength tunable semiconductor laser 10, since no light is output from the wavelength tunable semiconductor laser 10, both the detected light intensity and the output light intensity are zero. When the oscillation wavelength is adjusted based on the detection result of the wavelength detector 20, light having a certain intensity is output from the wavelength tunable semiconductor laser 10, so that a predetermined detection light intensity can be obtained. On the other hand, since the light attenuation rate of the modulator 30 is controlled to a predetermined threshold value or more, the output light intensity is suppressed.

変調器３０に印加されるバイアス電圧が最適点に制御されると、出力光強度が大きくなる。変調器３０での光減衰が抑制されるからである。その後、波長可変半導体レーザ１０の出力光強度が所望値まで制御されることから、検出光強度および出力光強度の両方とも増加する。このように、波長検知部２０における波長調整の間は、波長可変レーザ装置１００からの光出力が抑制される。本実施例では変調器３０をシャッターとして用いているため、シャッターとして機能する新たな部品を設ける必要がない。 When the bias voltage applied to the modulator 30 is controlled to the optimum point, the output light intensity increases. This is because the optical attenuation in the modulator 30 is suppressed. Thereafter, since the output light intensity of the wavelength tunable semiconductor laser 10 is controlled to a desired value, both the detection light intensity and the output light intensity increase. Thus, during the wavelength adjustment in the wavelength detection unit 20, the light output from the wavelength tunable laser device 100 is suppressed. In this embodiment, since the modulator 30 is used as a shutter, it is not necessary to provide a new part that functions as a shutter.

図６（ｂ）は、波長切替時におけるダークチューニングを表す図である。図６（ｂ）を参照して、波長切替前には、波長可変レーザ装置１００は所定の波長で光を出力している。したがって、ダークチューニング前は、出力光強度は所望値となっている。続いて、変調器３０の光減衰率が所定のしきい値以上に制御され、波長可変半導体レーザ１０からの出力がオフされると、検出光強度および出力光強度の両方ともゼロになる。その後は、図６（ａ）と同様である。このように、波長切替時においても、波長検知部２０における波長調整の間は、波長可変レーザ装置１００からの光出力が抑制される。 FIG. 6B is a diagram illustrating dark tuning at the time of wavelength switching. Referring to FIG. 6B, the wavelength tunable laser device 100 outputs light at a predetermined wavelength before wavelength switching. Therefore, the output light intensity is a desired value before dark tuning. Subsequently, when the light attenuation rate of the modulator 30 is controlled to be equal to or higher than a predetermined threshold value and the output from the wavelength tunable semiconductor laser 10 is turned off, both the detection light intensity and the output light intensity become zero. The subsequent steps are the same as in FIG. Thus, even during wavelength switching, the light output from the wavelength tunable laser device 100 is suppressed during wavelength adjustment in the wavelength detector 20.

本実施例によれば、変調器３０をシャッターとして用いつつ、波長検知部２０による波長調整が可能である。この効果は、波長可変半導体レーザ１０のフロント側に変調器３０が設けられかつ波長可変半導体レーザ１０と変調器３０との間に波長検知部２０が配置されている構成によって得られるものである。 According to the present embodiment, the wavelength can be adjusted by the wavelength detector 20 while using the modulator 30 as a shutter. This effect is obtained by a configuration in which the modulator 30 is provided on the front side of the wavelength tunable semiconductor laser 10 and the wavelength detection unit 20 is disposed between the wavelength tunable semiconductor laser 10 and the modulator 30.

なお、本実施例においては、各アームに１０Ｖ程度の逆バイアスを印加することによって変調器３０の消光率を−１６ｄＢまで制御しているが、それに限られない。マッハツェンダ変調器は消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御するものである。本発明のダークチューニング時には、マッハツェンダ変調器の透過状態よりも光減衰率が大きくなるように各アームに逆バイアスを印加すればよい。なお、ここで、消光状態とは、出力信号として“０”を示すことができている状態を指し、透過状態とは、出力信号として“１”を示すことができている状態を指す。 In this embodiment, the extinction rate of the modulator 30 is controlled to −16 dB by applying a reverse bias of about 10 V to each arm, but the present invention is not limited to this. The Mach-Zehnder modulator controls the output light intensity between the extinction state and the transmission state. At the time of dark tuning according to the present invention, a reverse bias may be applied to each arm so that the light attenuation rate is larger than the transmission state of the Mach-Zehnder modulator. Here, the extinction state refers to a state where “0” can be indicated as an output signal, and the transmission state refers to a state where “1” can be indicated as an output signal.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０波長可変半導体レーザ
１１ＳＧ−ＤＢＲ領域
１２ＳＧ−ＤＦＢ領域
１３ＳＯＡ領域
１４ヒータ
１５，１６電極
２０波長検知部
２１ビームスプリッタ
２２エタロン
２３受光素子
３０変調器
５０制御部
５１制御ブロック
５２ＲＯＭ
５３，５６温度制御回路
５４，５７駆動回路
５５電流検出回路
１００波長可変レーザ装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wavelength variable semiconductor laser 11 SG-DBR area | region 12 SG-DFB area | region 13 SOA area | region 14 Heater 15, 16 Electrode 20 Wavelength detection part 21 Beam splitter 22 Etalon 23 Light receiving element 30 Modulator 50 Control part 51 Control block 52 ROM
53, 56 Temperature control circuit 54, 57 Drive circuit 55 Current detection circuit 100 Tunable laser device

Claims

A wavelength tunable semiconductor laser, a semiconductor Mach-Zehnder modulator that is optically coupled to an output of the wavelength tunable semiconductor laser and controls output light intensity between an extinction state and a transmission state, and the wavelength tunable semiconductor laser and the Mach-Zehnder modulator. In a wavelength tunable laser device comprising a wavelength detection unit that is provided between and detects a wavelength of light input from the wavelength tunable semiconductor laser to the semiconductor Mach-Zehnder modulator,
Controlling the semiconductor Mach-Zehnder modulator to a state in which the light attenuation rate is larger than the transmission state;
Thereafter, the output wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser is adjusted based on the detection result of the wavelength detection unit.

Control to a state where the optical attenuation factor is large is performed by applying a reverse bias voltage for causing optical absorption to a pair of arms provided between two optical couplers of the semiconductor Mach-Zehnder modulator. The method of controlling a wavelength tunable laser device according to claim 1.

In order to control the optical attenuation factor to be large, a bias voltage for applying extinction due to Mach-Zehnder interference is applied to one or both of a pair of arms provided between two optical couplers of the semiconductor Mach-Zehnder modulator. The method of controlling a wavelength tunable laser device according to claim 1, wherein:

4. The method of controlling a wavelength tunable laser device according to claim 3, wherein when the semiconductor Mach-Zehnder modulator is controlled to be extinguished by Mach-Zehnder interference, the modulation signal input to the semiconductor Mach-Zehnder modulator is stopped.

A wavelength tunable semiconductor laser;
A semiconductor Mach-Zehnder modulator to which front side output light of the wavelength tunable semiconductor laser is input;
A wavelength detector provided between the wavelength tunable semiconductor laser and the semiconductor Mach-Zehnder modulator, and detecting a wavelength of light input from the wavelength tunable semiconductor laser to the semiconductor Mach-Zehnder modulator; Tunable laser device.