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JP2012199311A - Photocoupler - Google Patents

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JP2012199311A
JP2012199311A JP2011061297A JP2011061297A JP2012199311A JP 2012199311 A JP2012199311 A JP 2012199311A JP 2011061297 A JP2011061297 A JP 2011061297A JP 2011061297 A JP2011061297 A JP 2011061297A JP 2012199311 A JP2012199311 A JP 2012199311A
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JP
Japan
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light receiving
lead frame
receiving element
light
optical filter
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JP2011061297A
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Toshiaki Fukunaka
敏昭 福中
Seiichi Tokuo
聖一 徳尾
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Asahi Kasei Electronics Co Ltd
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Asahi Kasei Electronics Co Ltd
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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

【課題】低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラを提供する。
【解決手段】配線基板1と、配線基板1の表面1a上に接合されたIR発光装置60と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置60から離れた位置に接合されたIR受光装置50と、を備え、配線基板1の表面1a上において、IR発光装置60が有する発光部61の発光面61aと、IR受光装置50が有する光学フィルタ20の受光面20aとが対向している。IR発光装置60と受光装置50とが上下ではなく、水平方向の位置関係となるため、フォトカプラの高さを小さくすることが可能である。また、発光面61aから出力された光は、凹状の反射面等を介することなく、直接に受光面20aに入射するため、凹状の反射面等は不要であり部品点数を減らすことが可能である。
【選択図】図1
Provided is a photocoupler which can be reduced in height and can reduce the number of parts.
A wiring board, an IR light-emitting device bonded to the surface of the wiring board, and an IR light receiving bonded to a position away from the IR light-emitting device on the surface of the wiring board. The light emitting surface 61a of the light emitting unit 61 included in the IR light emitting device 60 and the light receiving surface 20a of the optical filter 20 included in the IR light receiving device 50 face each other on the surface 1a of the wiring board 1. . Since the IR light emitting device 60 and the light receiving device 50 are not in the vertical direction but in the horizontal positional relationship, the height of the photocoupler can be reduced. Further, since the light output from the light emitting surface 61a is directly incident on the light receiving surface 20a without passing through the concave reflecting surface or the like, the concave reflecting surface or the like is unnecessary, and the number of components can be reduced. .
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、フォトカプラに関するものである。   The present invention relates to a photocoupler.

この種の従来技術としては、例えば特許文献1に開示されたものがある。かかる文献には、その図5に示されているように、遮光性樹脂内において、発光素子の発光面と受光素子の受光面とを上下方向に対向させた構造のフォトカプラ(以下、従来例1という。)が開示されている。
また、この特許文献1の図1には、発光素子の発光面と受光素子の受光面とをそれぞれ上方向に向けると共に、これら発光素子と受光素子の上方に凹状の反射面を配置した構造のフォトカプラ(以下、従来例2という。)が開示されている。この従来例2において、遮光性樹脂の下面が凹状の反射面となっており、発光素子の発光面から放出された光は、この凹状の反射面における2回の反射を経て受光素子の受光面に到達するようになっている。
As this type of prior art, for example, there is one disclosed in Patent Document 1. In this document, as shown in FIG. 5, a photocoupler having a structure in which a light emitting surface of a light emitting element and a light receiving surface of a light receiving element are vertically opposed in a light shielding resin (hereinafter, a conventional example). 1)).
FIG. 1 of Patent Document 1 has a structure in which the light emitting surface of the light emitting element and the light receiving surface of the light receiving element are directed upward, and a concave reflecting surface is disposed above the light emitting element and the light receiving element. A photocoupler (hereinafter referred to as Conventional Example 2) is disclosed. In Conventional Example 2, the lower surface of the light-shielding resin is a concave reflecting surface, and the light emitted from the light emitting surface of the light emitting element undergoes two reflections on the concave reflecting surface and the light receiving surface of the light receiving element. To come to reach.

特開2001−358361号公報JP 2001-358361 A

ところで、上記の従来例1では、遮光性樹脂内における発光素子と受光素子との位置関係が上下方向であるため、フォトカプラの高さが大きくなってしまうという課題があった。一方、従来例2では、発光素子と受光素子とが絶縁性基板の一方表面上に配置されているため、従来例1と比較して、パッケージの高さを低減できる可能性がある。
しかしながら、従来例2では、発光素子の発光面から受光素子の受光面に至る光路を確保するために凹状の反射面が必要であり、その分だけ部品点数が多いという課題があった。このように、従来例1、2では、フォトカプラの高さや部品点数の点で各々課題があり、全体的にシステムが大きくなりがちであった。
そこで、この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラの提供を目的とする。
By the way, in the above-mentioned conventional example 1, the positional relationship between the light emitting element and the light receiving element in the light shielding resin is in the vertical direction, so that there is a problem that the height of the photocoupler increases. On the other hand, in Conventional Example 2, since the light emitting element and the light receiving element are disposed on one surface of the insulating substrate, the height of the package may be reduced as compared with Conventional Example 1.
However, Conventional Example 2 has a problem that a concave reflecting surface is required to secure an optical path from the light emitting surface of the light emitting element to the light receiving surface of the light receiving element, and the number of components is increased accordingly. As described above, in the conventional examples 1 and 2, there are problems with respect to the height of the photocoupler and the number of parts, and the system tends to be large overall.
Accordingly, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a photocoupler that can be reduced in height and can reduce the number of components.

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るフォトカプラは、配線基板と、前記配線基板の一方の面上に接合された発光装置と、前記配線基板の一方の面上であって前記発光装置から離れた位置に接合された受光装置と、を備え、前記配線基板の一方の面上において、前記発光装置の発光面と前記受光装置の受光面とが対向していることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a photocoupler according to an aspect of the present invention includes a wiring board, a light-emitting device bonded to one surface of the wiring board, and one surface of the wiring board. A light receiving device bonded to a position away from the light emitting device, and the light emitting surface of the light emitting device and the light receiving surface of the light receiving device face each other on one surface of the wiring board. And

このような構成であれば、従来例1と比べて、発光装置と受光装置とが上下ではなく、水平方向の位置関係となるため、フォトカプラの高さを小さくすることができる。また、従来例2と比べて、発光装置の発光面から出力された光は、凹状の反射面等を介することなく、直接に受光装置の受光面に入射するため、光路上に凹状の反射面等を配置する必要は無い。このため、部品点数を減らすことができる。さらに、凹状の反射面における光の散乱に起因して光路が広がることも無い。なお、本発明の「配線基板の一方の面」としては、例えば、後述する配線基板1の表面1aが該当する。   With such a configuration, the height of the photocoupler can be reduced because the light emitting device and the light receiving device are not in the vertical direction but in the horizontal positional relationship as compared with the conventional example 1. Further, compared with the conventional example 2, the light output from the light emitting surface of the light emitting device is directly incident on the light receiving surface of the light receiving device without passing through the concave reflecting surface or the like. It is not necessary to arrange etc. For this reason, the number of parts can be reduced. Furthermore, the optical path does not spread due to light scattering on the concave reflecting surface. The “one surface of the wiring board” of the present invention corresponds to, for example, the surface 1a of the wiring board 1 described later.

また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光装置は、光を検出する受光素子と、貫通部を有するリードフレームと、ワイヤーと、封止部とを有し、前記リードフレームの前記貫通部に前記受光素子が配置され、前記受光素子の光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続され、前記封止部は、前記発光装置と対向する側の面に前記受光素子の受光面が露出しており、さらに、前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面に、前記リードフレームの側面が前記配線基板と電気的に縦型実装接続される複数の端子部として露出していることを特徴としてもよい。   Further, in the above-described photocoupler, the light receiving device includes a light receiving element that detects light, a lead frame having a through portion, a wire, and a sealing portion, and the light receiving device is received in the through portion of the lead frame. An element is disposed, the photoelectric conversion part of the light receiving element and the lead frame are electrically connected by the wire, and the sealing part has a light receiving surface of the light receiving element on a surface facing the light emitting device. In addition, the side surface of the lead frame is exposed as a plurality of terminal portions electrically connected to the wiring substrate in a vertical manner on a surface to be bonded to one surface of the wiring substrate. It is good also as a feature.

このような構成であれば、受光素子の配置位置はリードフレーム上ではなく、リードフレームの貫通部内となる。これにより、受光素子の取付け位置を低くすることができるので、より薄型化された受光装置を実現することができる。フォトカプラの小型化に寄与することができる。なお、本発明の「封止部」としては、例えば、後述するモールド樹脂45が該当する。「光電変換部」としては、例えば、後述する光電変換素子13が該当する。   With such a configuration, the arrangement position of the light receiving element is not on the lead frame but in the through portion of the lead frame. Thereby, since the mounting position of the light receiving element can be lowered, a thinner light receiving device can be realized. This can contribute to miniaturization of the photocoupler. The “sealing portion” of the present invention corresponds to, for example, a mold resin 45 described later. As the “photoelectric conversion unit”, for example, a photoelectric conversion element 13 described later corresponds.

また、上記のフォトカプラにおいて、前記複数の端子部の各々は、平面視で、前記被接合面の一方の側と、前記被接合面の中心を挟んで前記一方の反対側にある他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されていることを特徴としてもよい。
このような構成であれば、被接合面において複数の端子部がバランスよく配置されるため、複数の端子部を例えばリフロー炉を通してはんだ付けする場合においても、はんだ付けの工程ではんだの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことができる。これにより、いわゆるマンハッタン現象の発生を抑制することが可能となる。なお、本発明の「複数の端子部」としては、例えば、後述する第1のリードフレーム31の側面(外部接続用端子部)31cと、第2のリードフレーム36の側面(外部接続用端子部)36cが該当する。
Further, in the above-described photocoupler, each of the plurality of terminal portions is, in plan view, one side of the joined surface and the other side on the opposite side of the one across the center of the joined surface It is good also as the characteristic that it arrange | positions so that it may become symmetrical, respectively.
With such a configuration, since a plurality of terminal portions are arranged in a balanced manner on the surfaces to be joined, even when soldering the plurality of terminal portions through, for example, a reflow furnace, the physical properties of the solder in the soldering process, etc. The resulting moment balance can be maintained. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of so-called Manhattan phenomenon. As the “plurality of terminal portions” of the present invention, for example, a side surface (external connection terminal portion) 31c of the first lead frame 31 described later and a side surface (external connection terminal portion) of the second lead frame 36 are used. ) 36c is applicable.

また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光装置は、前記封止部に取り付けられた蓋体と、前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、をさらに有し、前記蓋体には貫通した開口部が設けられており、前記開口部内に前記光学フィルタが収納されていることを特徴としてもよい。ここで、光学フィルタは、所望の波長範囲の光を選択的に(即ち、透過率高く)透過させる機能を有する。このような構成であれば、所望の波長範囲の光のみを受光素子の受光面に到達させることができ、その波長範囲から外れる光は光学フィルタで遮断することができる。このため、光電変換により受光素子から出力される電気信号(即ち、光の検出信号)について、S/N比の向上が可能である。   In the photocoupler, the light receiving device further includes a lid attached to the sealing portion, and an optical filter that covers a light receiving surface of the light receiving element, and an opening penetrating the lid. A portion may be provided, and the optical filter may be housed in the opening. Here, the optical filter has a function of selectively transmitting light in a desired wavelength range (that is, having high transmittance). With such a configuration, only light in a desired wavelength range can reach the light receiving surface of the light receiving element, and light outside the wavelength range can be blocked by the optical filter. For this reason, it is possible to improve the S / N ratio for an electrical signal (that is, a light detection signal) output from the light receiving element by photoelectric conversion.

また、上記のフォトカプラにおいて、前記リードフレームは、第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、を含み、前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、前記貫通部として、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に前記受光素子が配置された状態で前記封止部は成形されており、成形された前記封止部の前記被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴としてもよい。   In the above-described photocoupler, the lead frame includes a first lead frame having a first penetrating portion and a second lead frame having a second penetrating portion, and the second lead frame. The first lead frame is disposed above the first penetrating portion and the second penetrating portion in plan view, and the first penetrating portion and the second penetrating portion serve as the penetrating portion. The sealing portion is molded in a state where the light receiving element is disposed in a region overlapping with the portion in plan view, and the first lead frame of the first lead frame is formed from the bonded surface of the molded sealing portion. One side surface and the second side surface of the second lead frame may be exposed as the plurality of terminal portions, respectively.

このような構成であれば、第1のリードフレームと第2のリードフレームとの組み合わせにより、1つのリードフレームが構成される。また、この1つのリードフレームの貫通部(即ち、第1の貫通部と第2の貫通部とが平面視で重なる領域)について、その幅は第1の貫通部(又は、第2の貫通部)の幅と同じ大きさに抑えられ、その深さは第1の貫通部と第2の貫通部のそれぞれの深さを合計した深さとなる。このため、幅が狭くて深い(即ち、アスペクト比の大きい)貫通部を容易に実現することができる。   With such a configuration, one lead frame is configured by a combination of the first lead frame and the second lead frame. Further, the width of the penetrating portion of this one lead frame (that is, the region where the first penetrating portion and the second penetrating portion overlap in plan view) is the first penetrating portion (or the second penetrating portion). ) And the depth is the sum of the depths of the first and second penetrating portions. For this reason, it is possible to easily realize a through-hole that is narrow and deep (that is, has a large aspect ratio).

また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、前記光学フィルタは、第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なる第2の光学フィルタとを含み、前記貫通部は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、前記開口部は、第1の開口部と、前記第1の開口部と位置が異なる第2の開口部とを含み、前記第1の受光素子は前記第1の領域に配置され、前記第2の受光素子は前記第2の領域に配置され、前記第1の光学フィルタは前記第1の開口部内に収納され、前記第2の光学フィルタは前記第2の開口部内に収納されていることを特徴としてもよい。ここで、「特性」としては、例えば、波長に依存した光の透過率特性が挙げられる。例えば、第1の光学フィルタは、その特性として、第1の波長範囲の光のみを選択的に(即ち、透過率高く)透過させる機能を有する。第2の光学フィルタは、その特性として、第1の波長範囲とは異なる第2の波長範囲の光のみを選択的に透過させる機能を有する。   In the photocoupler, the light receiving element includes a first light receiving element and a second light receiving element, and the optical filter has characteristics different from those of the first optical filter and the first optical filter. A second optical filter, wherein the penetrating portion includes a first region and a second region having a position different from the first region, and the opening includes the first opening, A second opening having a position different from that of the first opening, wherein the first light receiving element is disposed in the first region, and the second light receiving element is disposed in the second region, The first optical filter may be housed in the first opening, and the second optical filter may be housed in the second opening. Here, examples of the “characteristic” include a light transmittance characteristic depending on the wavelength. For example, the first optical filter has a function of selectively transmitting only light in the first wavelength range (that is, high transmittance) as its characteristics. The second optical filter has a function of selectively transmitting only light in a second wavelength range different from the first wavelength range as its characteristics.

このような構成であれば、例えば、第1の受光素子から出力される電気信号と、第2の受光素子から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することが可能となる。例えば、特定のガス雰囲気中に照射された赤外線は、そのガス種やその濃度に応じて特定の波長成分が定量的に吸収される。このため、発光装置から照射されて、受光装置に入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することによって、光路上に存在するガス種やその濃度を検出することができる。従って、ガス検知器などに極めて好適に用いることができる。   With such a configuration, for example, the intensity of incident light and its wavelength based on the electric signal output from the first light receiving element and the electric signal output from the second light receiving element. The range can be specified. For example, in the infrared rays irradiated in a specific gas atmosphere, a specific wavelength component is quantitatively absorbed according to the gas type and its concentration. For this reason, by specifying the intensity of light irradiated from the light emitting device and entering the light receiving device and its wavelength range, it is possible to detect the type of gas present in the optical path and its concentration. Therefore, it can be used very suitably for a gas detector or the like.

また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光装置は、光を検出する受光素子と、前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、ワイヤー及び封止部と、を有し、前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に、前記受光素子及び前記光学フィルタが配置されると共に、前記受光素子の受光面の反対側の面に設けられた光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続された状態で前記封止部は成形されており、成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記発光装置と対向する側の面から、前記光学フィルタの受光面が露出しており、さらに、成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記配線基板と電気的に接続される複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴としてもよい。   In the above-described photocoupler, the light receiving device includes a light receiving element that detects light, an optical filter that covers a light receiving surface of the light receiving element, a first lead frame having a first penetrating portion, and a second lead frame. A second lead frame having a penetrating portion; a wire and a sealing portion; wherein the first lead frame is disposed on the second lead frame; The light receiving element and the optical filter are disposed in a region where the two through parts overlap in plan view, and the first through part and the second through part overlap in plan view. The sealing part is molded in a state where the photoelectric conversion part provided on the surface opposite to the light receiving surface and the lead frame are electrically connected by the wire, and the outside of the molded sealing part The surface exposed to The light receiving surface of the optical filter is exposed from the surface facing the optical device, and is further exposed to the outside of the molded sealing portion, and is one surface of the wiring board As a plurality of terminal portions to which the first side surface of the first lead frame and the second side surface of the second lead frame are electrically connected to the wiring board from the joined surfaces to be joined together Each may be characterized by being exposed.

このような構成であれば、第1のリードフレームと第2のリードフレームとの組み合わせにより、幅が狭くて深い(即ち、アスペクト比の大きい)貫通部を容易に実現することができる。これにより、リードフレームの貫通部内に光学フィルタを収納するスペースを確保することが容易となる。受光素子及び光学フィルタの取付け位置を低くすることができるので、より薄型化された受光装置を実現することができる。   With such a configuration, the combination of the first lead frame and the second lead frame makes it possible to easily realize a through portion having a narrow width and a deep width (that is, a large aspect ratio). Thereby, it becomes easy to secure a space for storing the optical filter in the through portion of the lead frame. Since the mounting position of the light receiving element and the optical filter can be lowered, a thinner light receiving device can be realized.

また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、前記光学フィルタは、前記第1の受光素子の受光面を覆う第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なり且つ前記第2の受光素子の受光面を覆う第2の光学フィルタとを含み、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、前記第1の受光素子及び前記第1の光学フィルタは前記第1の領域に配置され、前記第2の受光素子及び前記第2の光学フィルタは前記第2の領域に配置されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、例えば、第1の受光素子から出力される電気信号と、第2の受光素子から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度を波長範囲毎に特定することが可能となる。従って、例えば、ガス検知器などに極めて好適に用いることができる。   In the photocoupler, the light receiving element includes a first light receiving element and a second light receiving element, and the optical filter includes a first optical filter that covers a light receiving surface of the first light receiving element, and A second optical filter having characteristics different from those of the first optical filter and covering a light receiving surface of the second light receiving element, wherein the first penetrating portion and the second penetrating portion are in plan view. The overlapping region includes a first region and a second region having a position different from that of the first region, and the first light receiving element and the first optical filter are disposed in the first region, The second light receiving element and the second optical filter may be arranged in the second region. With such a configuration, for example, the intensity of incident light is changed for each wavelength range based on the electric signal output from the first light receiving element and the electric signal output from the second light receiving element. It becomes possible to specify. Therefore, for example, it can be used very suitably for a gas detector or the like.

本発明によれば、低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a photocoupler that can be reduced in height and can reduce the number of components.

第1実施形態に係るフォトカプラ100の構成例を示す図。1 is a diagram illustrating a configuration example of a photocoupler 100 according to a first embodiment. 第1実施形態に係るIR受光装置50の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of IR light receiving apparatus 50 which concerns on 1st Embodiment. 受光素子10の構成例を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a light receiving element 10. 第1実施形態に係る第1のリードフレーム31の構成例を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a first lead frame 31 according to the first embodiment. 第1実施形態に係る第2のリードフレーム36の構成例を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a second lead frame 36 according to the first embodiment. 蓋体55の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the cover body. フォトカプラ100の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the photocoupler. フォトカプラ100の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the photocoupler. フォトカプラ100の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the photocoupler. フォトカプラ100の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the photocoupler. フォトカプラ100の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the photocoupler. フォトカプラ100の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the photocoupler. 第2実施形態に係るフォトカプラ200の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the photocoupler 200 which concerns on 2nd Embodiment. フォトカプラ200の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the photocoupler. 第3実施形態に係るフォトカプラ300の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the photocoupler 300 which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係るリードフレーム130の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the lead frame 130 which concerns on 3rd Embodiment. フォトカプラ300の製造方法を示す図。FIG. 5 is a view showing a method for manufacturing the photocoupler 300. IR受光装置50の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of IR light-receiving device 50. FIG. 第1のリードフレーム31及び第2のリードフレーム36の他の構成例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing another configuration example of the first lead frame 31 and the second lead frame 36. フォトカプラ100の他の構成例を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating another configuration example of the photocoupler 100.

以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。
(1)第1実施形態
(1.1)フォトカプラの全体構成
図1(a)及び(b)は、本発明の第1実施形態に係る面対向表面実装型で且つ縦方向実装型のフォトカプラ100の構成例を示す斜視図と、この斜視図をZ1−Z´1線で切断した断面図である。なお、図1(b)では筐体の図示を省略している。
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in each drawing described below, parts having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof may be omitted.
(1) First Embodiment (1.1) Overall Configuration of Photocoupler FIGS. 1A and 1B show a surface-facing surface mount type and vertical mount type photo according to a first embodiment of the present invention. It is the perspective view which shows the structural example of the coupler 100, and sectional drawing which cut | disconnected this perspective view by the Z1-Z'1 line | wire. In addition, illustration of a housing | casing is abbreviate | omitted in FIG.1 (b).

図1(a)及び(b)に示すように、このフォトカプラ100は、例えば、配線基板1と、この配線基板1の表面1a上に接合されたIR発光装置60と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置60から離れた位置に接合されたIR受光装置50と、配線基板1とIR発光装置60及びIR受光装置50を外側から囲む筐体90と、を備える。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the photocoupler 100 includes, for example, a wiring board 1, an IR light emitting device 60 bonded on the surface 1 a of the wiring board 1, and the surface of the wiring board 1. An IR light receiving device 50 that is bonded to a position apart from the IR light emitting device 60 on 1a, and a casing 90 that surrounds the wiring substrate 1, the IR light emitting device 60, and the IR light receiving device 50 from the outside.

ここで、IR発光装置60は赤外線(IR)を発光するものであり、例えばIR発光ダイオードや電球である(即ち、赤外線のみを発光するものでもよく、又は、赤外線とそれ以外の波長を含む光を発光するものでもよい。)。また、IR受光装置50は例えばIRを受光するセンサ装置であり、受光したIRを電気信号に変換し、変換した電気信号を出力するものである。このフォトカプラ100では、配線基板1の表面1a上において、IR発光装置60の発光部61の発光面61aと、IR受光装置50の受光面(この例では、蓋体55に収納されている光学フィルタ20の受光面20a)とが対向している。つまり、このフォトカプラ100は、その発光面61aと受光面20aとが面対向した状態で表面1aに実装された面対向表面実装型となっている。これにより、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面20aに入射する。   Here, the IR light emitting device 60 emits infrared light (IR), and is, for example, an IR light emitting diode or a light bulb (that is, light emitting only infrared light, or light including infrared light and other wavelengths). May emit light.). The IR light receiving device 50 is a sensor device that receives IR, for example, and converts the received IR into an electrical signal and outputs the converted electrical signal. In this photocoupler 100, on the surface 1 a of the wiring substrate 1, the light emitting surface 61 a of the light emitting unit 61 of the IR light emitting device 60 and the light receiving surface of the IR light receiving device 50 (in this example, the optical housed in the lid 55. The light receiving surface 20a) of the filter 20 is opposed. That is, the photocoupler 100 is a surface-facing surface-mounting type in which the light-emitting surface 61a and the light-receiving surface 20a are mounted on the surface 1a in a state of facing each other. Thereby, the light output from the light emitting surface 61 a of the IR light emitting device 60 is directly incident on the light receiving surface 20 a of the optical filter 20.

また、筐体90は例えば遮光性の樹脂で構成されており、その一部にガス流入用の開口部91が設けられている。遮光性の筐体90で囲まれることにより、光学フィルタ20の受光面20aにはIR発光装置60の発光面61aから出力された光のみが到達し、それ以外の光(即ち、筐体の外部からの光)は到達しないようになっている。
このフォトカプラ100では、IR受光装置50のZ方向(即ち、厚み方向。光路に沿う方向でもある。)の寸法長をL1とし、IR受光装置50のY方向(即ち、高さ方向)の寸法長をH1としたとき、L1<H1となっており、縦方向実装型となっている。
The housing 90 is made of, for example, a light-shielding resin, and a gas inflow opening 91 is provided in a part thereof. By being surrounded by the light shielding case 90, only the light output from the light emitting surface 61a of the IR light emitting device 60 reaches the light receiving surface 20a of the optical filter 20, and other light (that is, the outside of the case). (Light from) is not reached.
In this photocoupler 100, the dimension of the IR light receiving device 50 in the Z direction (that is, the thickness direction, which is also the direction along the optical path) is L1, and the IR light receiving device 50 is dimensioned in the Y direction (that is, the height direction). When the length is H1, L1 <H1, and it is a vertical mounting type.

縦方向実装型とは、換言すると、外形(パッケージ)が直方体であり、この直方体の6つの面のうちの最も面積が大きい第1の面が配線基板の表面と直交し、且つ、この直方体の6つの面のうちの1つであって、第1の面よりも面積が小さい第2の面が配線基板の表面に接合される形態のことである。本発明の実施形態では、この「第2の面」が後述する被接合面49(例えば、図2(c)参照。)であり、この被接合面49からリードフレーム31の側面31cが露出している。そして、この露出した側面31cが複数の端子部として、配線基板1と電気的に接続(即ち、縦型実装接続)されている。これにより、配線基板1の表面1a上において、IR受光装置50の実装面積(フットプリント)の低減が図られている。   In other words, the vertical mounting type means that the outer shape (package) is a rectangular parallelepiped, and the first surface having the largest area among the six surfaces of the rectangular parallelepiped is orthogonal to the surface of the wiring board, and the rectangular parallelepiped One of the six surfaces is a form in which a second surface having a smaller area than the first surface is bonded to the surface of the wiring board. In the embodiment of the present invention, the “second surface” is a bonded surface 49 (see, for example, FIG. 2C) described later, and the side surface 31 c of the lead frame 31 is exposed from the bonded surface 49. ing. The exposed side surface 31c is electrically connected to the wiring board 1 as a plurality of terminal portions (ie, vertical mounting connection). Thereby, on the surface 1a of the wiring board 1, the mounting area (footprint) of the IR light receiving device 50 is reduced.

なお、この例において蓋体55は、縦方向に実装されたIR受光装置50の支持部材としても機能する。また、蓋体55は図示しない接着剤等によって配線基板1の表面1aに固定されていてもよく、その場合は、支持機能をより強くすることができる。次に、フォトカプラ100を構成する各部について具体的に説明する。   In this example, the lid body 55 also functions as a support member for the IR light receiving device 50 mounted in the vertical direction. Further, the lid body 55 may be fixed to the surface 1a of the wiring board 1 with an adhesive or the like (not shown). In this case, the support function can be further strengthened. Next, each part which comprises the photocoupler 100 is demonstrated concretely.

(1.2)IR受光装置の構成
図1(a)及び(b)に示すように、IR受光装置50は、例えば、赤外線(IR)を検出する受光素子10と、リードフレーム30と、受光素子10とリードフレーム30とを電気的に接続する金(Au)等からなるワイヤー40と、受光素子10を覆うモールド樹脂45と、を備える。また、このIR受光装置50は、例えば、接着剤46によりモールド樹脂45に取り付けられた(固定された)蓋体55と、この蓋体55の貫通した開口部内に収納された光学フィルタ20と、を備える。
(1.2) Configuration of IR Light-Receiving Device As shown in FIGS. 1A and 1B, the IR light-receiving device 50 includes, for example, a light-receiving element 10 that detects infrared rays (IR), a lead frame 30, and light reception. A wire 40 made of gold (Au) or the like for electrically connecting the element 10 and the lead frame 30 and a mold resin 45 covering the light receiving element 10 are provided. Further, the IR light receiving device 50 includes, for example, a lid 55 attached (fixed) to the mold resin 45 by an adhesive 46, an optical filter 20 housed in an opening through which the lid 55 passes, Is provided.

図2(a)〜(c)は、本発明の第1実施形態に係るIR受光装置50の蓋体を取り外した状態における外観の一例を示す斜視図と、この斜視図をZ2−Z´2線で切断した断面図、及び、IR受光装置50の被接合面49を示す平面図である。
図2(a)に示すように、このIR受光装置50のパッケージ(即ち、モールド樹脂)の形状は例えば直方体である。また、図2(b)に示すように、このIR受光装置50は、例えば2個の受光素子10を有する。これら2個の受光素子10の各々の受光面16bは、パッケージの上面(即ち、第2のリードフレーム36の裏面36bの側)と面一となるように配置されている。さらに、このIR受光装置50において、リードフレーム30は、第1のリードフレーム31と、第2のリードフレーム36とを含み、これらが重なって1つのリードフレーム30を構成している。
2A to 2C are a perspective view showing an example of an external appearance of the IR light receiving device 50 according to the first embodiment of the present invention with the lid removed, and this perspective view is shown as Z2-Z'2. It is sectional drawing cut | disconnected by the line | wire, and a top view which shows the to-be-joined surface 49 of IR light receiving device 50. FIG.
As shown in FIG. 2A, the package of the IR light receiving device 50 (that is, mold resin) is, for example, a rectangular parallelepiped. As shown in FIG. 2B, the IR light receiving device 50 includes, for example, two light receiving elements 10. The light receiving surface 16b of each of the two light receiving elements 10 is disposed so as to be flush with the upper surface of the package (that is, the back surface 36b side of the second lead frame 36). Further, in the IR light receiving device 50, the lead frame 30 includes a first lead frame 31 and a second lead frame 36, which are overlapped to form one lead frame 30.

また、このIR受光装置50では、4つの側面のうちの一つが配線基板1の表面1a上に接合される被接合面となっている。具体的には、図2(a)及び(c)に示すように、IR受光装置50の側面であって、第1のリードフレーム31の側面31cと、第2のリードフレーム36の側面36cとが露出している面が、被接合面49となる。この被接合面49において露出している第1のリードフレーム31の側面31cと、第2のリードフレーム36の側面36cが、例えば、はんだ3を介して配線基板1の表面1a上に接合される部分であり、IR受光装置50の外部接続用端子部として機能する部分である。   In the IR light receiving device 50, one of the four side surfaces is a surface to be bonded to the surface 1 a of the wiring substrate 1. Specifically, as shown in FIGS. 2A and 2C, side surfaces of the IR light receiving device 50, that is, a side surface 31 c of the first lead frame 31 and a side surface 36 c of the second lead frame 36. The exposed surface is the bonded surface 49. The side surface 31c of the first lead frame 31 exposed at the surface to be bonded 49 and the side surface 36c of the second lead frame 36 are bonded onto the surface 1a of the wiring board 1 through the solder 3, for example. This is a portion that functions as an external connection terminal portion of the IR light receiving device 50.

ところで、このIR受光装置50において、複数の外部接続用端子部31c、36cの各々は、平面視で、被接合面49の一方の側と、被接合面49の中心を挟んで一方の反対側にある他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されている。具体的には、図2(c)に示すように、第1の外部接続用端子部31cの形状と大きさ及びその配置と、第2の外部接続用端子部36cの形状と大きさ及びその配置は、被接合面49の中心線(仮想線)Lを中心に、左右対称に配置されている。このように、被接合面49において、複数の外部接続用端子部31c、36cの各々がバランスよく配置されている。これにより、後述するはんだ付けの工程で、はんだの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことができ、いわゆるマンハッタン現象の発生を抑制することができる。   By the way, in this IR light receiving device 50, each of the plurality of external connection terminal portions 31c and 36c has one side of the bonded surface 49 and one opposite side across the center of the bonded surface 49 in plan view. It arrange | positions so that it may become symmetrical with the other side in each. Specifically, as shown in FIG. 2 (c), the shape and size of the first external connection terminal portion 31c and the arrangement thereof, and the shape and size of the second external connection terminal portion 36c and the arrangement thereof. The arrangement is arranged symmetrically about the center line (virtual line) L of the bonded surface 49. As described above, each of the plurality of external connection terminal portions 31 c and 36 c is arranged in a well-balanced manner on the bonded surface 49. Thereby, the balance of the moment resulting from the physical property etc. of a solder can be maintained in the soldering process mentioned later, and generation | occurrence | production of what is called a Manhattan phenomenon can be suppressed.

(1.2.1)受光素子の構成
図3(a)及び(b)は、受光素子10の構成例を示す図であり、図3(a)は受光素子10の表面16a側を示す図、図3(b)は光電変換素子13の断面を示す図である。図3(a)に示す受光素子10は、例えば赤外線(IR)を検出するセンサ素子であり、IRを透過する光透過基板11と、この光透過基板11の表面16a側に形成された受光部12と、を備える。
(1.2.1) Configuration of Light Receiving Element FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a configuration example of the light receiving element 10, and FIG. 3A is a diagram showing the surface 16 a side of the light receiving element 10. FIG. 3B is a view showing a cross section of the photoelectric conversion element 13. A light receiving element 10 shown in FIG. 3A is, for example, a sensor element that detects infrared rays (IR), and a light transmitting substrate 11 that transmits IR, and a light receiving unit formed on the surface 16a side of the light transmitting substrate 11. 12.

これらの中で、光透過基板11としては、GaAs基板が用いられる。また、GaAs基板の他に、例えば、Si、InAs、InP、GaP、Geなどの半導体基板、若しくは、GaN、AlN、サファイヤ基板、ガラス基板などの基板が用いられる。このような基板によれば、赤外線等の特定波長の光を、光透過基板11の裏面16bから表面16aにかけて効率的に透過させることができる。また、受光部12は、複数の光電変換素子13と、光電変換素子13で光電変換された電気信号を出力するためのパッド部14と、配線15と、を有する。光電変換素子13は何れも量子型のフォトダイオードであって、配線15によって直列に接続されている。接続される光電変換素子13の数が大きいほど発生する起電力は大きくなり、センサとしての感度が高まる。   Among these, a GaAs substrate is used as the light transmission substrate 11. In addition to the GaAs substrate, for example, a semiconductor substrate such as Si, InAs, InP, GaP, or Ge, or a substrate such as GaN, AlN, sapphire substrate, or glass substrate is used. According to such a board | substrate, the light of specific wavelengths, such as infrared rays, can be permeate | transmitted efficiently from the back surface 16b of the light transmissive board | substrate 11 to the surface 16a. In addition, the light receiving unit 12 includes a plurality of photoelectric conversion elements 13, a pad unit 14 for outputting an electrical signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 13, and a wiring 15. Each of the photoelectric conversion elements 13 is a quantum photodiode, and is connected in series by a wiring 15. As the number of connected photoelectric conversion elements 13 increases, the generated electromotive force increases, and the sensitivity as a sensor increases.

図3(b)に示すように、光電変換素子13は、例えば、光透過基板11上に形成されたインジウム(ln)及びアンチモン(Sb)を含むInSbのようなn型化合物半導体層(n層)13aと、このn層13a上に形成されたノンドープの化合物半導体層(π層)13bと、このπ層13b上に形成され、バンドギャップがn層13a及びπ層13bよりも大きいAlInSbのような化合物半導体層13cと、この化合物半導体層13c上に形成され、p型の不純物が高濃度にドーピングされているp型化合物半導体層(p層)13dとにより構成されている。このように、n層13aと、π層13bと、n層13a及びπ層13bよりもバンドギャップが大きい化合物半導体層13cと、p層13dとが順次積層されてなる光電変換素子13は、2000nm〜7400nmの赤外線を検出することができる。   As shown in FIG. 3B, the photoelectric conversion element 13 includes, for example, an n-type compound semiconductor layer (n layer) such as InSb containing indium (ln) and antimony (Sb) formed on the light transmission substrate 11. ) 13a, a non-doped compound semiconductor layer (π layer) 13b formed on the n layer 13a, and AlInSb formed on the π layer 13b and having a band gap larger than that of the n layer 13a and the π layer 13b. And a p-type compound semiconductor layer (p layer) 13d formed on the compound semiconductor layer 13c and doped with p-type impurities at a high concentration. Thus, the photoelectric conversion element 13 in which the n layer 13a, the π layer 13b, the compound semiconductor layer 13c having a larger band gap than the n layer 13a and the π layer 13b, and the p layer 13d are sequentially stacked has a thickness of 2000 nm. Infrared light of ˜7400 nm can be detected.

図3(a)に示すパッド部14は、受光部12の光電変換で得られた電気信号を出力するために設けられている。このパッド部14は、例えば、互いに離間して配置された一対のパッド電極14a及び14bを有する。一方のパッド電極14aと複数の光電変換素子13からなる列の一端との間、及び、他方のパッド電極14bと上記列の他端との間がそれぞれ、配線15によって電気的に接続されている。   The pad portion 14 shown in FIG. 3A is provided for outputting an electrical signal obtained by photoelectric conversion of the light receiving portion 12. The pad portion 14 includes, for example, a pair of pad electrodes 14a and 14b that are disposed apart from each other. The wiring 15 is electrically connected between one pad electrode 14a and one end of the row of the plurality of photoelectric conversion elements 13, and between the other pad electrode 14b and the other end of the row. .

ところで、この受光素子10において、パッド部14は、受光素子10の表面のより中心に近い一部範囲(中心部)に配置されている。また、複数の光電変換素子13は、このパッド部14の周囲に配置されている。このような配置によれば、パッド電極14a、14bにワイヤーボンディングする際、圧力や超音波が加わっても光透過基板11が欠損し難いという利点がある。また、光透過基板11が欠損し難いため、パッド電極14a、14bに対して、Au等からなるワイヤーを充分な圧力や超音波で接合することができる。このため、ワイヤーをパッド電極14a、14bにより確実に圧着することができ、ワイヤーボンディングの信頼性を高めることができる。   By the way, in this light receiving element 10, the pad portion 14 is arranged in a partial range (center part) closer to the center of the surface of the light receiving element 10. A plurality of photoelectric conversion elements 13 are arranged around the pad portion 14. According to such an arrangement, there is an advantage that the light transmitting substrate 11 is not easily lost even when pressure or ultrasonic waves are applied when wire bonding is performed to the pad electrodes 14a and 14b. Further, since the light transmission substrate 11 is not easily damaged, a wire made of Au or the like can be bonded to the pad electrodes 14a and 14b with sufficient pressure or ultrasonic waves. For this reason, a wire can be reliably crimped | bonded by pad electrode 14a, 14b, and the reliability of wire bonding can be improved.

(1.2.2)リードフレームの構成
図4(a)及び(b)は、本発明の第1実施形態に係る第1のリードフレーム31の構成例を示す平面図である。図4(a)は第1のリードフレーム31の表面31aを示し、図4(b)は第1のリードフレーム31の裏面31bを示している。図4(a)及び(b)に示す第1のリードフレーム31は、例えば、銅(Cu)板を、フォトリソグラフィ技術により、その表面31a及び裏面31bの側からそれぞれ選択的にエッチングし、ニッケル(Ni)−パラジウム(Pd)−金(Au)等のめっき(鍍金)処理を施すことにより形成されたものである。
(1.2.2) Configuration of Lead Frame FIGS. 4A and 4B are plan views showing a configuration example of the first lead frame 31 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4A shows the front surface 31 a of the first lead frame 31, and FIG. 4B shows the back surface 31 b of the first lead frame 31. In the first lead frame 31 shown in FIGS. 4A and 4B, for example, a copper (Cu) plate is selectively etched from the front surface 31a side and the back surface 31b side by a photolithography technique. (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) or other plating (plating) treatment is performed.

図4(a)において、第1のリードフレーム31内の白色の領域は表面31aと裏面31bとの間を貫通した第1の貫通部32を示し、ハッチングを付した領域は表面31aの側からハーフエッチングされた領域(即ち、ハーフエッチング領域)33aを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で表面31aがマスクされることにより、エッチングされなかった領域(即ち、非エッチング領域)34aを示す。   In FIG. 4A, the white region in the first lead frame 31 shows the first through portion 32 that penetrates between the front surface 31a and the back surface 31b, and the hatched region is from the front surface 31a side. A half-etched region (that is, a half-etched region) 33a is shown. A gray region indicates a region (that is, a non-etched region) 34a that is not etched by masking the surface 31a with a photoresist or the like during etching.

同様に、図4(b)において、第1のリードフレーム31内の白色の領域は第1の貫通部32を示し、ハッチングを付した領域は裏面31bの側からハーフエッチングされたハーフエッチング領域33bを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で裏面31bがマスクされることにより、エッチングされなかった非エッチング領域34bを示す。なお、図4(a)及び(b)に示す第1のリードフレーム31の外周部は、後述のダイシング工程で、ダイシングブレード等により切断される領域(カーフ幅という。)35となっている。   Similarly, in FIG. 4B, the white region in the first lead frame 31 indicates the first through portion 32, and the hatched region is a half-etched region 33b half-etched from the back surface 31b side. Indicates. A gray region indicates a non-etched region 34b that was not etched by masking the back surface 31b with a photoresist or the like during etching. The outer periphery of the first lead frame 31 shown in FIGS. 4A and 4B is a region (referred to as a kerf width) 35 that is cut by a dicing blade or the like in a dicing process described later.

図5(a)及び(b)は、本発明の第1実施形態に係る第2のリードフレーム36の構成例を示す平面図である。図5(a)は第2のリードフレーム36の表面36aを示し、図5(b)は第2のリードフレーム36の裏面36bを示している。図5(a)及び(b)に示す第2のリードフレーム36は、図4(a)及び(b)に示した第1のリードフレーム31と同様に、例えば、Cu板を、フォトリソグラフィ技術により、その表面36a及び裏面36bの側からそれぞれ選択的にエッチングし、Ni−Pd−Au等のめっき処理を施すことにより形成されたものである。   FIGS. 5A and 5B are plan views showing a configuration example of the second lead frame 36 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5A shows the front surface 36 a of the second lead frame 36, and FIG. 5B shows the back surface 36 b of the second lead frame 36. Like the first lead frame 31 shown in FIGS. 4A and 4B, the second lead frame 36 shown in FIGS. 5A and 5B is made of, for example, a Cu plate by photolithography technology. Thus, the surface 36a and the back surface 36b are selectively etched from each side and plated with Ni—Pd—Au or the like.

図5(a)において、第2のリードフレーム36内の白色の領域は表面36aと裏面36bとの間を貫通した第2の貫通部37を示し、ハッチングを付した領域は表面36aの側からハーフエッチングされた、ハーフエッチング領域38aを示す。また、グレーの領域はエッチング時に表面36aがフォトレジスト等でマスクされることにより、エッチングされなかった非エッチング領域39aを示す。   In FIG. 5A, the white area in the second lead frame 36 indicates the second through portion 37 that penetrates between the front surface 36a and the back surface 36b, and the hatched area is from the front surface 36a side. A half-etched region 38a that has been half-etched is shown. A gray region indicates a non-etched region 39a that has not been etched by masking the surface 36a with a photoresist or the like during etching.

同様に、図5(b)において、第2のリードフレーム36内の白色の領域は第2の貫通部37を示し、ハッチングを付した領域は裏面36bの側からハーフエッチングされた、ハーフエッチング領域38bを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で裏面36bがマスクされことによりエッチングされなかった、非エッチング領域39bを示す。なお、図5(a)及び(b)に示す第2のリードフレーム36の外周部は、後述のダイシング工程で、ダイシングブレード等により切断されるカーフ幅35となっている。   Similarly, in FIG. 5B, the white area in the second lead frame 36 indicates the second through portion 37, and the hatched area is half-etched from the back surface 36b side. 38b is shown. A gray region indicates a non-etched region 39b that was not etched because the back surface 36b was masked with a photoresist or the like during etching. The outer periphery of the second lead frame 36 shown in FIGS. 5A and 5B has a kerf width 35 that is cut by a dicing blade or the like in a dicing process described later.

図4(a)及び(b)と、図5(a)及び(b)を比較して分かるように、第1のリードフレーム31の第1の貫通部32と、第2のリードフレーム36の第2の貫通部37は、平面視による形状(即ち、平面形状)が互いに同一で、且つ、平面視による長さ(即ち、縦横の長さ)も互いに同一となるように形成されている。このため、第1のリードフレーム31と第2のリードフレーム36とを重ねると、これら2つの貫通部32、37が重なって一つの連続した貫通部51(例えば、後述の図8(a)及び(b)参照。)が構成される。   As can be seen by comparing FIGS. 4A and 4B and FIGS. 5A and 5B, the first lead portion 32 of the first lead frame 31 and the second lead frame 36 The second penetrating portions 37 are formed so that the shapes in plan view (that is, the planar shape) are the same, and the lengths in plan view (ie, the length in the vertical and horizontal directions) are also the same. Therefore, when the first lead frame 31 and the second lead frame 36 are overlapped, the two through portions 32 and 37 are overlapped to form one continuous through portion 51 (for example, FIG. (B)) is configured.

この貫通部51の平面視による形状と大きさ(即ち、縦横の寸法)は、第1、第2の貫通部32、37とそれぞれ同じである。また、この貫通部51の深さは、第1、第2の貫通部32、37のそれぞれの深さを合計した深さとなる。つまり、第1のリードフレーム31と第2のリードフレーム36との組み合わせにより、幅が狭くて深い(即ち、アスペクト比の大きい)貫通部51となっている。   The shape and size (that is, vertical and horizontal dimensions) of the penetrating portion 51 in plan view are the same as those of the first and second penetrating portions 32 and 37, respectively. Further, the depth of the penetrating portion 51 is the sum of the depths of the first and second penetrating portions 32 and 37. That is, the combination of the first lead frame 31 and the second lead frame 36 forms a through-hole 51 that is narrow and deep (ie, has a large aspect ratio).

(1.2.3)蓋体の構成
図6(a)及び(b)は、本発明の第1実施形態に係る蓋体55の構成例を示す平面図と、この平面図をY6−Y´6線で切断した断面図である。
図6(a)及び(b)に示すように、この蓋体55は、例えば、IR受光装置50のパッケージの平面視による形状と同じ形状で、且つ同じ寸法(実際には、パッケージに対する蓋体55の取付けを容易にするために、パッケージよりも若干大きめの寸法)を有するプレート部56と、このプレート部56の外周に設けられたガイド部59と、を有する。このプレート部56の受光素子に対応する部分(即ち、蓋体55をパッケージに取り付けたときに、受光素子の受光面と向かい合う部分)には、貫通した開口部57が設けられている。
(1.2.3) Configuration of Lid FIGS. 6A and 6B are a plan view showing a configuration example of the lid 55 according to the first embodiment of the present invention, and this plan view is represented by Y6-Y. It is sectional drawing cut | disconnected by '6 line.
As shown in FIGS. 6A and 6B, the lid 55 has, for example, the same shape as that of the IR light receiving device 50 in a plan view and the same size (actually, the lid for the package). In order to facilitate the attachment of 55, the plate portion 56 having a size slightly larger than the package) and a guide portion 59 provided on the outer periphery of the plate portion 56 are provided. A penetrating opening 57 is provided in a portion of the plate portion 56 corresponding to the light receiving element (that is, a portion facing the light receiving surface of the light receiving element when the lid 55 is attached to the package).

この例では、上述したように受光素子は2個用意されているため、これに対応する開口部57も2つ用意されている。即ち、図6(a)に示すように、第1の開口部57と、第2の開口部57である。また、これら2つの開口部57の各々は、光学フィルタを収納するための凹部58を有する。この蓋体55は、例えば、射出成型で使用される液晶ポリマーで、熱変形温度が250℃以上の材質で構成されている。これにより、実装時のリフロー条件(例えば、炉温260℃、時間10秒)に耐えることができる。   In this example, since two light receiving elements are prepared as described above, two corresponding openings 57 are also prepared. That is, as shown in FIG. 6A, the first opening 57 and the second opening 57. Each of these two openings 57 has a recess 58 for accommodating the optical filter. The lid 55 is, for example, a liquid crystal polymer used in injection molding and is made of a material having a thermal deformation temperature of 250 ° C. or higher. Thereby, it can endure the reflow conditions (for example, furnace temperature 260 degreeC, time 10 second) at the time of mounting.

また、図1(a)に示したように、この蓋体55をパッケージに被せると、ガイド部59によってパッケージの4つの側面のうちの、被接合面49を除く3つの側面は覆われる。これにより、パッケージの3つの側面の側から受光素子10の受光面側へ、光が漏れ入らないようにすることができる。また、ガイド部59によって、パッケージに対する蓋体55の取付け位置も定まるため、蓋体55の取付けが容易である。   As shown in FIG. 1A, when the lid 55 is placed on the package, the guide portion 59 covers three side surfaces of the package except for the bonded surface 49. Thereby, it is possible to prevent light from leaking from the three side surfaces of the package to the light receiving surface side of the light receiving element 10. Further, since the mounting position of the lid body 55 with respect to the package is determined by the guide portion 59, the lid body 55 can be easily attached.

(1.2.4)光学フィルタの構成
図1(a)及び(b)に示した光学フィルタ20は、所望の波長範囲の光を選択的に(即ち、透過率高く)透過させる機能を有するものである。例えば、この光学フィルタ20は、赤外線のみを透過する機能を有する。
或いは、この光学フィルタ20は、赤外線の中でも、特定の波長範囲の赤外線のみを透過する機能を有するものであってもよい。例えば、光学フィルタ20は、光学部材と、この光学部材上に多層で形成された薄膜とで、長波長又は短波長、又はその両方の波長の赤外線を透過させない機能を有するものであり、これらの透過機能を組み合わせて結果的に、特定の波長の赤外線のみを透過させる機能を有するものであってもよい。
(1.2.4) Configuration of Optical Filter The optical filter 20 shown in FIGS. 1A and 1B has a function of selectively transmitting light in a desired wavelength range (that is, having high transmittance). Is. For example, the optical filter 20 has a function of transmitting only infrared rays.
Alternatively, the optical filter 20 may have a function of transmitting only infrared rays in a specific wavelength range among infrared rays. For example, the optical filter 20 has an optical member and a thin film formed in a multilayer on the optical member, and has a function of not transmitting infrared rays having a long wavelength, a short wavelength, or both, and these It may have a function of transmitting only infrared rays having a specific wavelength as a result of combining the transmission functions.

この光学フィルタ20は、特定の波長の赤外線のみを透過させる機能を1枚で行ってもよいし、場合によっては複数枚を使用することもできる。また、この光学部材の材料としては、シリコン(Si)、硝子(SiO2)、サファイヤ(Al23)、Ge、ZnS、ZnSe、CaF2、BaF2などの所定の赤外線が透過する材料が用いられ、また、これに蒸着される薄膜材料としては、シリコン(Si)、硝子(SiO2)、サファイヤ(Al23)、Ge、ZnS、TiO2、MgF2、SiO2、ZrO2、Ta25などが使用される。また、光学部材上に異なる屈折率を有する誘電体を層状に積層した誘電体多層膜フィルタは、表面、裏面異なる所定の厚み構成で両面に作られていてもよいし、また、片面のみに形成されていてもよい。また、不要な反射を防止する目的で反射防止膜が表面、裏面の両面、又は片面の最表層に形成されていても構わない。 The optical filter 20 may perform a function of transmitting only infrared rays having a specific wavelength, or may use a plurality of sheets depending on circumstances. In addition, as a material of the optical member, a material that transmits predetermined infrared rays such as silicon (Si), glass (SiO 2 ), sapphire (Al 2 O 3 ), Ge, ZnS, ZnSe, CaF 2 , and BaF 2 is used. The thin film materials used and deposited on this include silicon (Si), glass (SiO 2 ), sapphire (Al 2 O 3 ), Ge, ZnS, TiO 2 , MgF 2 , SiO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 or the like is used. In addition, the dielectric multilayer filter in which dielectrics having different refractive indexes are laminated in layers on the optical member may be formed on both sides with a predetermined thickness configuration different on the front and back sides, or formed only on one side. May be. Further, for the purpose of preventing unnecessary reflection, an antireflection film may be formed on the front surface, both surfaces on the back surface, or the outermost layer on one surface.

なお、この例では、図1(a)及び(b)に示したように、受光素子10の個数に対応して2個の光学フィルタ20が設けられている。ここで、2個の光学フィルタ20のうちの一方(即ち、第1の光学フィルタ)と、他方(即ち、第2の光学フィルタ)はその光学上の特性が異なる。例えば、第1の光学フィルタ20は第1の波長範囲(長波長)の赤外線を選択的に透過させるものであり、第2の光学フィルタ20は第2の波長範囲(短波長)の赤外線を選択的に透過させるものである。これにより、例えば、第1の光学フィルタ20を被せた第1の受光素子10から出力される電気信号と、第2の光学フィルタ20を被せた第2の受光素子10から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することが可能となる。   In this example, as shown in FIGS. 1A and 1B, two optical filters 20 are provided corresponding to the number of light receiving elements 10. Here, one of the two optical filters 20 (that is, the first optical filter) and the other (that is, the second optical filter) have different optical characteristics. For example, the first optical filter 20 selectively transmits infrared rays in a first wavelength range (long wavelength), and the second optical filter 20 selects infrared rays in a second wavelength range (short wavelength). Is transparent. Thereby, for example, an electric signal output from the first light receiving element 10 covered with the first optical filter 20 and an electric signal output from the second light receiving element 10 covered with the second optical filter 20 Based on the above, it is possible to specify the intensity of incident light and its wavelength range.

上記の構成を有するフォトカプラ100によれば、IR発光装置60とIR受光装置50との位置関係が水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることが可能となる。また、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面20aに入射する。IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であるため、部品点数を減らすことができる。   According to the photocoupler 100 having the above configuration, since the positional relationship between the IR light emitting device 60 and the IR light receiving device 50 is in the horizontal direction, the height of the entire system can be reduced. The light output from the light emitting surface 61 a of the IR light emitting device 60 is directly incident on the light receiving surface 20 a of the optical filter 20. Since a concave reflecting surface that changes the traveling direction of light is not required between the IR light emitting device 60 and the IR light receiving device 50, the number of components can be reduced.

さらに、このフォトカプラ100によれば、IR発光装置60から照射されて、IR受光装置50に入射してくるIRの強度と、その波長範囲を特定することによって、光路上に存在するガス種やその濃度を検出することができる。これは、特定のガス雰囲気中に照射されたIRは、そのガス種やその濃度に応じて特定の波長成分が定量的に吸収されるからである。よって、上記のフォトカプラ100はガス検知器などに極めて好適に用いることができる。次に、第1実施形態に係るフォトカプラ100の製造方法について説明する。   Furthermore, according to this photocoupler 100, by specifying the intensity of IR that is irradiated from the IR light emitting device 60 and incident on the IR light receiving device 50, and its wavelength range, Its concentration can be detected. This is because IR irradiated in a specific gas atmosphere absorbs a specific wavelength component quantitatively according to the gas type and its concentration. Therefore, the above-described photocoupler 100 can be used very suitably for a gas detector or the like. Next, a method for manufacturing the photocoupler 100 according to the first embodiment will be described.

(1.3)フォトカプラの製造方法
図7〜図12(b)は、本発明の第1実施形態に係るフォトカプラ100の製造方法を示す工程図である。図7は斜視図である。また、図8〜図12の各図の(a)はリードフレーム30の表面側(より具体的には、第1のリードフレーム31の表面31a側)から見た平面図であり、各図の(b)は(a)をX8−X´8〜X12−X´12線でそれぞれ切断したときの断面図である。
(1.3) Photocoupler Manufacturing Method FIGS. 7 to 12B are process diagrams showing a method of manufacturing the photocoupler 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 7 is a perspective view. 8A to 12A are plan views viewed from the front surface side of the lead frame 30 (more specifically, from the front surface 31a side of the first lead frame 31). (B) is sectional drawing when (a) is each cut | disconnected by X8-X'8-X12-X'12 line | wire.

図7に示すように、まず始めに、第1のリードフレーム31´と、第2のリードフレーム36´を用意する。ここでは、図4(a)及び(b)に示した第1のリードフレーム31を1つの単位パターンとし、この単位パターンが平面視で縦方向及び横方向にそれぞれ連続して並ぶように配置されたリードフレーム31´を用意する。同様に、図5(a)及び(b)に示した第2のリードフレーム36を1つの単位パターンとし、この単位パターンが平面視で縦方向及び横方向にそれぞれ連続して並ぶように配置されたリードフレーム36´を用意する。   As shown in FIG. 7, first, a first lead frame 31 'and a second lead frame 36' are prepared. Here, the first lead frame 31 shown in FIGS. 4A and 4B is used as one unit pattern, and the unit patterns are arranged so as to be continuously arranged in the vertical direction and the horizontal direction in plan view. A lead frame 31 'is prepared. Similarly, the second lead frame 36 shown in FIGS. 5A and 5B is used as one unit pattern, and the unit patterns are arranged so as to be continuously arranged in the vertical direction and the horizontal direction in plan view. A lead frame 36 'is prepared.

次に、第2のリードフレーム36´の裏面36bに粘着テープ71を貼付する。第2のリードフレーム36´の裏面36b側に粘着テープ71を貼付することによって、第2の貫通部37(例えば、図5(a)及び(b)参照。)の底面に粘着テープ71の粘着層が露出した状態となる。
なお、粘着テープ71としては、粘着性を有すると共に、耐熱性を有する樹脂製のテープが用いられる。粘着性については、粘着層の糊厚がより薄い方が好ましい。また、耐熱性については、約150℃〜200℃の温度に耐えることが必要とされる。このような粘着テープ71として、例えばポリイミドテープを用いていることができる。ポリイミドテープは、約280℃に耐える耐熱性を有している。このような高い耐熱性を有するポリイミドテープは、後のモールドやワイヤーボンディング時に加わる高熱にも耐えることが可能である。また、粘着テープ71としては、ポリイミドテープの他に、以下のテープを用いることも可能である。
Next, the adhesive tape 71 is affixed to the back surface 36b of the second lead frame 36 '. By sticking the adhesive tape 71 to the back surface 36b side of the second lead frame 36 ', the adhesive tape 71 is adhered to the bottom surface of the second penetrating portion 37 (see, for example, FIGS. 5A and 5B). The layer is exposed.
As the adhesive tape 71, a resin tape having adhesiveness and heat resistance is used. About adhesiveness, the one where the paste thickness of the adhesion layer is thinner is preferable. Moreover, about heat resistance, it is required to endure the temperature of about 150 to 200 degreeC. As such an adhesive tape 71, for example, a polyimide tape can be used. The polyimide tape has heat resistance that can withstand about 280 ° C. Such a polyimide tape having high heat resistance can withstand high heat applied during subsequent molding or wire bonding. In addition to the polyimide tape, the following tape can also be used as the adhesive tape 71.

・ポリエステルテープ 耐熱温度、約130℃(但し使用条件次第で耐熱温度は約200℃にまで達する)。
・テフロン(登録商標)テープ 耐熱温度:約180℃
・PPS(ポリフェニレンサルファイド) 耐熱温度:約160℃
・ガラスクロス 耐熱温度:約200℃
・ノーメックペーパー 耐熱温度:約150〜200℃
・他に、アラミド、クレープ紙が粘着テープ71として利用し得る。
-Polyester tape Heat-resistant temperature, about 130 ° C (however, the heat-resistant temperature reaches about 200 ° C depending on use conditions).
・ Teflon (registered trademark) tape Heat-resistant temperature: about 180 ℃
・ PPS (polyphenylene sulfide) Heat-resistant temperature: about 160 ℃
・ Glass cloth heat resistant temperature: about 200 ℃
・ Nomek Paper Heat-resistant temperature: about 150-200 ℃
In addition, aramid and crepe paper can be used as the adhesive tape 71.

次に、第2のリードフレーム36´の表面36a上に第1のリードフレーム31´を配置する。ここでは、第2のリードフレーム36´の表面36aと第1のリードフレーム31´の裏面31bとを向かい合わせ、この状態で第1の貫通部32(図4(a)及び(b)参照。)が第2の貫通部37(図5(a)及び(b)参照。)の真上にくるように第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とを位置合わせする。そして、この位置合わせした状態で第2のリードフレーム36´の表面36a上に第1のリードフレーム31´を配置し、固定する。これにより、図8(a)及び(b)に示すように、リードフレーム30´が構成される。   Next, the first lead frame 31 ′ is disposed on the surface 36 a of the second lead frame 36 ′. Here, the front surface 36a of the second lead frame 36 'and the back surface 31b of the first lead frame 31' face each other, and in this state, refer to the first through portion 32 (see FIGS. 4A and 4B). ) Align the first lead frame 31 ′ and the second lead frame 36 ′ so that the second lead frame 37 (see FIGS. 5A and 5B) is directly above. Then, the first lead frame 31 ′ is arranged and fixed on the surface 36 a of the second lead frame 36 ′ in the aligned state. Thereby, as shown in FIGS. 8A and 8B, a lead frame 30 ′ is formed.

なお、ここでは、第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とを接着剤等によって接着する必要は無い。第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とが相対的に位置ずれしないように仮止めするだけで十分である。その理由は、後述の樹脂封止の工程で、第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とがモールド樹脂45で固定されるからである。仮止めの方法として、例えば下記の方法がある。   Here, it is not necessary to bond the first lead frame 31 ′ and the second lead frame 36 ′ with an adhesive or the like. It is sufficient to temporarily fix the first lead frame 31 ′ and the second lead frame 36 ′ so that they are not relatively displaced. The reason is that the first lead frame 31 ′ and the second lead frame 36 ′ are fixed by the mold resin 45 in the resin sealing step described later. As a temporary fixing method, for example, there are the following methods.

即ち、図7に示すように、第1のリードフレーム31´の外周部と、第2のリードフレーム36´の外周部にはそれぞれ貫通穴73、74が設けられている。第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とを位置合わせすることにより、これらの貫通穴73、74が平面視で重なるようになっている。このような貫通穴73、74は、第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とにそれぞれ2箇所以上設けられている。ここで、複数の箇所(例えば、2箇所)でそれぞれ重なっている貫通穴73、74にそれぞれピン75を嵌合することによって、第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とを位置ずれしないように仮止めすることができる。また、位置合わせした後、四隅をアーク溶接してもよいし、四隅のみ接着剤で接着させてもよい。   That is, as shown in FIG. 7, through holes 73 and 74 are provided in the outer periphery of the first lead frame 31 ′ and the outer periphery of the second lead frame 36 ′, respectively. By aligning the first lead frame 31 ′ and the second lead frame 36 ′, the through holes 73 and 74 overlap with each other in plan view. Two or more such through holes 73 and 74 are provided in each of the first lead frame 31 ′ and the second lead frame 36 ′. Here, the first lead frame 31 ′ and the second lead frame 36 ′ are connected by fitting the pins 75 into the through holes 73 and 74 that overlap each other at a plurality of locations (for example, two locations). It can be temporarily fixed so as not to be displaced. Further, after the alignment, the four corners may be arc-welded, or only the four corners may be bonded with an adhesive.

次に、図9(a)及び(b)に示すように、リードフレーム30´の貫通部51に、例えば2個の受光素子10をそれぞれ配置する。ここでは、貫通部51のうちの第1の領域に第1の受光素子10を配置し、その受光面16bを貫通部51の底面となっている粘着テープ71の粘着層に貼付する。また、貫通部51のうちの第2の領域に第2の受光素子10を配置し、その受光面16bを貫通部51の底面となっている粘着テープ71の粘着層に貼付する。   Next, as shown in FIGS. 9A and 9B, for example, two light receiving elements 10 are respectively disposed in the through portions 51 of the lead frame 30 ′. Here, the 1st light receiving element 10 is arrange | positioned in the 1st area | region of the penetration part 51, The light-receiving surface 16b is affixed on the adhesion layer of the adhesive tape 71 used as the bottom face of the penetration part 51. FIG. Further, the second light receiving element 10 is disposed in the second region of the penetrating portion 51, and the light receiving surface 16 b is attached to the adhesive layer of the adhesive tape 71 serving as the bottom surface of the penetrating portion 51.

なお、この貼付に際して、受光素子10の受光面16bには予め保護膜(図示せず)を形成しておいてもよい。保護膜としては、例えばフォトレジストを用いることができる。このような保護膜は、例えば、受光素子10の基材であるGaAs基板等をダイシングする前に成膜しておくことができる。
次に、図10(a)及び(b)に示すように、受光素子10とリードフレーム30´とをワイヤー40を用いて電気的に接続する。ここでは、リードフレーム30´のハーフエッチング領域33aの少なくとも一部が、ボンディング用端子部となる。このボンディング用端子部33aと、図3(a)に示した受光素子10のパッド電極14a、14bとを、Au等からなるワイヤー40を用いて電気的に接続する。
Note that a protective film (not shown) may be formed in advance on the light receiving surface 16b of the light receiving element 10 at the time of sticking. As the protective film, for example, a photoresist can be used. Such a protective film can be formed, for example, before dicing a GaAs substrate that is a base material of the light receiving element 10.
Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, the light receiving element 10 and the lead frame 30 ′ are electrically connected using a wire 40. Here, at least a part of the half-etched region 33a of the lead frame 30 ′ becomes a bonding terminal portion. The bonding terminal portion 33a is electrically connected to the pad electrodes 14a and 14b of the light receiving element 10 shown in FIG. 3A by using a wire 40 made of Au or the like.

なお、受光素子10とリードフレーム30´との接続は、リードフレーム30´のボンディング用端子部33aから受光素子10のパッド電極14a、14bに向かってワイヤーを伸ばすこと(つまり、受光素子10から見て逆ボンディング)によって行うことが好ましい。即ち、まず、ボールの形成を伴う1stボンドを行う前に、受光素子10のパッド電極14a、14bに対してスタッドバンプ(図示せず)を形成しておく。次に、ボールの形成を伴う1stボンドをリードフレーム30´のボンディング用端子部33aに対して行い、2ndボンドを受光素子10のパッド電極14a、14bのスタッドバンプの上に対して行う。このような方法であれば、受光素子10のパッド電極14a、14bよりもリードフレーム30´のボンディング用端子部33aの方が断面視で低い位置にあるため、ボンディング後のワイヤーの高さを低くすることができる。   The light receiving element 10 and the lead frame 30 ′ are connected by extending a wire from the bonding terminal portion 33 a of the lead frame 30 ′ toward the pad electrodes 14 a and 14 b of the light receiving element 10 (that is, viewed from the light receiving element 10). And reverse bonding). That is, first, stud bumps (not shown) are formed on the pad electrodes 14 a and 14 b of the light receiving element 10 before performing the first bond accompanied by the formation of the ball. Next, the 1st bond accompanied with the formation of the ball is performed on the bonding terminal portion 33a of the lead frame 30 ', and the 2nd bond is performed on the stud bumps of the pad electrodes 14a and 14b of the light receiving element 10. With such a method, since the bonding terminal portion 33a of the lead frame 30 'is lower in the sectional view than the pad electrodes 14a and 14b of the light receiving element 10, the height of the wire after bonding is lowered. can do.

次に、図11(a)及び(b)に示すように、リードフレーム30´の上面側に上金型77を配置すると共に、リードフレーム30´の下面側に下金型78を配置する。そして、上金型77と下金型78とによりリードフレーム30´を挟み込み、上金型77と下金型78とに挟まれた空間内にサイドからモールド樹脂45を注入し、充填する。これにより、受光素子10とワイヤー40を樹脂封止する。   Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, the upper mold 77 is disposed on the upper surface side of the lead frame 30 ′, and the lower mold 78 is disposed on the lower surface side of the lead frame 30 ′. Then, the lead frame 30 ′ is sandwiched between the upper mold 77 and the lower mold 78, and the mold resin 45 is injected from the side into the space between the upper mold 77 and the lower mold 78 and filled. Thereby, the light receiving element 10 and the wire 40 are resin-sealed.

なお、モールド樹脂45としては、例えばエポキシ樹脂を用いることが可能である。また、この樹脂封止の工程では、上金型77と第1のリードフレーム31´の上面側の非エッチング領域34aとが隙間無く接触し、且つ、下金型78と粘着テープ71とが隙間無く接触した状態で、両金型の重ね合わせにより形成される空間のサイドからモールド樹脂45が供給される。このため、樹脂封止後は、リードフレーム30´の非エッチング領域34aと、粘着テープ71はそれぞれモールド樹脂45から露出した状態となる。   As the mold resin 45, for example, an epoxy resin can be used. In this resin sealing step, the upper mold 77 and the non-etched region 34a on the upper surface side of the first lead frame 31 ′ are in contact with each other without any gap, and the lower mold 78 and the adhesive tape 71 are not spaced from each other. With no contact, the mold resin 45 is supplied from the side of the space formed by the overlapping of both molds. For this reason, after resin sealing, the non-etched region 34a of the lead frame 30 'and the adhesive tape 71 are exposed from the mold resin 45, respectively.

次に、リードフレーム30´の下面側から粘着テープ71を除去する。粘着テープ71の除去後、必要に応じて、ポストキュア、ウェットブラストを施す。さらに、受光素子10の受光面16bに図示しない保護膜が形成されている場合は、当該保護膜を除去する。そして、モールド樹脂45及びリードフレーム30´を、ダイシング装置によりダイシングし、カーフ幅35を切断する。これにより、図12(a)及び(b)に示すように、モールド樹脂45及びリードフレーム30´は個々の製品に切り離されて、パッケージ化される。その後、このパッケージの各々に接着剤を用いて、光学フィルタが収納された蓋体を取り付ける。これにより、受光素子の受光面は光学フィルタで覆われて、図2に示したIR受光装置50が完成する。   Next, the adhesive tape 71 is removed from the lower surface side of the lead frame 30 '. After removing the adhesive tape 71, post-cure and wet blasting are performed as necessary. Further, when a protective film (not shown) is formed on the light receiving surface 16b of the light receiving element 10, the protective film is removed. Then, the mold resin 45 and the lead frame 30 ′ are diced by a dicing device, and the kerf width 35 is cut. As a result, as shown in FIGS. 12A and 12B, the mold resin 45 and the lead frame 30 ′ are separated into individual products and packaged. Thereafter, a lid containing the optical filter is attached to each of the packages using an adhesive. Thereby, the light receiving surface of the light receiving element is covered with the optical filter, and the IR light receiving device 50 shown in FIG. 2 is completed.

次に、上記のように製造したIR受光装置50と、IR発光装置60を配線基板1の表面1a上に実装する。この実装工程は、例えば、リフロー方式のはんだ付けにより行う。例えば、配線基板1の表面1a上であって、IR受光装置50を実装する予定領域にはんだペーストを印刷しておく。同様に、IR発光装置60を実装する予定領域にもはんだペーストを印刷しておく。次に、配線基板1の表面1a上であって、はんだペーストが印刷された各々の予定領域に、IR受光装置50とIR発光装置60をそれぞれ配置する。そして、IR受光装置50とIR発光装置60とがそれぞれ配置された状態で、配線基板1に熱を加えてはんだを溶かす。これにより、IR受光装置50とIR発光装置60は、はんだを介して配線基板1の表面1a上に実装される。このような工程を経て、図1(a)及び(b)に示したフォトカプラ100が完成する。   Next, the IR light receiving device 50 and the IR light emitting device 60 manufactured as described above are mounted on the surface 1 a of the wiring board 1. This mounting process is performed by, for example, reflow soldering. For example, a solder paste is printed on the surface 1a of the wiring board 1 in a region where the IR light receiving device 50 is to be mounted. Similarly, a solder paste is printed also on a region where the IR light emitting device 60 is to be mounted. Next, the IR light-receiving device 50 and the IR light-emitting device 60 are respectively arranged on the surface 1a of the wiring board 1 and in each predetermined area where the solder paste is printed. Then, in a state where the IR light receiving device 50 and the IR light emitting device 60 are respectively arranged, heat is applied to the wiring board 1 to melt the solder. Thereby, the IR light receiving device 50 and the IR light emitting device 60 are mounted on the surface 1a of the wiring board 1 via the solder. Through these steps, the photocoupler 100 shown in FIGS. 1A and 1B is completed.

以上説明したように、本発明の第1実施形態によれば、IR発光装置60とIR受光装置50との位置関係が上下方向ではなく、水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることができる。また、IR受光装置50とIR発光装置60とを共通の配線基板1の表面1a上に実装するため、IR受光装置50とIR発光装置60の位置合わせも容易である。   As described above, according to the first embodiment of the present invention, the positional relationship between the IR light-emitting device 60 and the IR light-receiving device 50 is not in the vertical direction but in the horizontal direction, so the overall system height is reduced. be able to. Further, since the IR light receiving device 50 and the IR light emitting device 60 are mounted on the surface 1a of the common wiring board 1, the IR light receiving device 50 and the IR light emitting device 60 can be easily aligned.

さらに、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面に入射する。IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であるため、部品点数を減らすことができる。さらに、凹状の反射面が不要であるため、この反射面において光が散乱することはない。従って、反射面における光の散乱により、発光面から受光面に至る光路が広がってしまうこともない。   Further, the light output from the light emitting surface 61 a of the IR light emitting device 60 is directly incident on the light receiving surface of the optical filter 20. Since a concave reflecting surface that changes the traveling direction of light is not required between the IR light emitting device 60 and the IR light receiving device 50, the number of components can be reduced. Furthermore, since a concave reflecting surface is unnecessary, light is not scattered on this reflecting surface. Therefore, the light path from the light emitting surface to the light receiving surface does not spread due to light scattering on the reflecting surface.

また、図2(c)に示したように、フォトカプラ100の被接合面49において、複数の外部接続用端子部31c、36cは平面視で左右にバランスよく配置されている。これにより、IR受光装置50を配線基板1の表面1a上に実装するためのはんだ付けの工程で、はんだの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことができ、いわゆるマンハッタン現象の発生を抑制することができる。   Further, as shown in FIG. 2C, on the bonded surface 49 of the photocoupler 100, the plurality of external connection terminal portions 31c and 36c are arranged in a balanced manner on the left and right in a plan view. Thereby, in the soldering process for mounting the IR light receiving device 50 on the surface 1a of the wiring board 1, a balance of moments due to the physical properties of the solder can be maintained, and so-called Manhattan phenomenon is suppressed. be able to.

(2)第2実施形態
上記の第1実施形態では、例えば図6(b)に示したように、IR受光装置50は蓋体55を備え、この蓋体55の貫通した開口部57内に光学フィルタが収納されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、IR受光装置50は必ずしも蓋体55を備える必要は無い。また、光学フィルタについても、必ずしも蓋体55に収納されている必要は無い。
(2) Second Embodiment In the first embodiment described above, for example, as shown in FIG. 6B, the IR light receiving device 50 includes a lid 55, and the opening 55 penetrates the lid 55. The case where the optical filter is accommodated has been described. However, in the present invention, the IR light receiving device 50 does not necessarily need to include the lid 55. Further, the optical filter is not necessarily stored in the lid 55.

図13(a)及び(b)は、本発明の第2実施形態に係る面対向表面実装型で且つ縦方向実装型のフォトカプラ200の構成例を示す斜視図と、この斜視図をZ13−Z´13線で切断した断面図である。図13(a)及び(b)に示すように、このフォトカプラ200は、配線基板1と、この配線基板1の表面1a上に接合されたIR発光装置60と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置60から離れた位置に接合されたIR受光装置150と、図示しない遮光性の筐体(例えば、図1(a)を参照。)とを備える。ここで、IR受光装置150は、第1実施形態で説明したIR受光装置50と同様に例えばセンサ装置であり、受光したIRを電気信号に変換し、変換した電気信号を出力するものである。   FIGS. 13A and 13B are a perspective view showing a configuration example of a surface-facing surface-mount type and vertical-mount type photocoupler 200 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. It is sectional drawing cut | disconnected by Z'13 line. As shown in FIGS. 13A and 13B, the photocoupler 200 includes a wiring board 1, an IR light emitting device 60 bonded to the surface 1 a of the wiring board 1, and the surface 1 a of the wiring board 1. In addition, an IR light receiving device 150 bonded to a position away from the IR light emitting device 60 and a light shielding housing (not shown) (see, for example, FIG. 1A) are provided. Here, the IR light receiving device 150 is, for example, a sensor device, similar to the IR light receiving device 50 described in the first embodiment, and converts the received IR into an electric signal and outputs the converted electric signal.

このフォトカプラ200において、第1実施形態で説明したフォトカプラ100との違いは、IR受光装置の構造にある。即ち、図13(a)及び(b)に示すように、このIR受光装置150には蓋体は取り付けられていない。また、光学フィルタ20は受光素子10の受光面16bを覆うように、受光面16bに取り付けられており(積層されており)、受光素子10と共にモールド樹脂45で覆われている。さらに、この光学フィルタ20の受光面20aはモールド樹脂45から露出しており、第2のリードフレーム36の裏面36bと同一平面(即ち、面一)となっている。   This photocoupler 200 is different from the photocoupler 100 described in the first embodiment in the structure of the IR light receiving device. That is, as shown in FIGS. 13A and 13B, the IR light receiving device 150 is not attached with a lid. The optical filter 20 is attached (stacked) to the light receiving surface 16 b so as to cover the light receiving surface 16 b of the light receiving element 10, and is covered with the mold resin 45 together with the light receiving element 10. Further, the light receiving surface 20 a of the optical filter 20 is exposed from the mold resin 45 and is flush with the back surface 36 b of the second lead frame 36 (ie, flush).

そして、このフォトカプラ200では、配線基板1の表面1a上において、IR発光装置60の発光部61の発光面61aと、IR受光装置150の受光面(この例では、光学フィルタ20のモールド樹脂45から露出している受光面20a)とが対向している。
このような構成であっても、第1実施形態と同様に、IR発光装置60とIR受光装置150との位置関係が水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることが可能となる。また、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面に入射する。フォトカプラ200は面対向表面実装型であり、IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であり、さらに蓋体も不要である。このため、フォトカプラを構成する部品点数のさらなる削減が可能である。
In this photocoupler 200, on the surface 1a of the wiring substrate 1, the light emitting surface 61a of the light emitting unit 61 of the IR light emitting device 60 and the light receiving surface of the IR light receiving device 150 (in this example, the mold resin 45 of the optical filter 20). The light receiving surface 20a) exposed from the surface.
Even in such a configuration, as in the first embodiment, the positional relationship between the IR light-emitting device 60 and the IR light-receiving device 150 is in the horizontal direction, so that the height of the entire system can be reduced. . Further, the light output from the light emitting surface 61 a of the IR light emitting device 60 is directly incident on the light receiving surface of the optical filter 20. The photocoupler 200 is a surface-facing surface mount type, and does not require a concave reflecting surface that changes the traveling direction of light between the IR light-emitting device 60 and the IR light-receiving device 50, and further does not require a lid. . For this reason, the number of parts constituting the photocoupler can be further reduced.

また、この第2実施形態においても、IR受光装置150は、その厚み方向の寸法長L2と高さ方向の寸法長H2との大小関係がL2<H2となっており、縦方向実装型となっている。これにより、実装面積の低減が図られている。次に、第2実施形態に係るフォトカプラ200の製造方法について説明する。
図14(a)〜(e)は、本発明の第2実施形態に係るフォトカプラ200の製造方法を示す断面図である。この第2実施形態において、第1のリードフレーム31´と第2のリードフレーム36´とを重ね合わせて、1つのリードフレーム30´を構成する工程までは、第1実施形態と同じである。図14(a)に示すように、リードフレーム30´を構成した後は、図14(b)に示すように、リードフレーム30´の貫通部51に、受光素子10と光学フィルタ20との積層体を配置する。
Also in the second embodiment, the IR light receiving device 150 is a vertically mounted type in which the size relationship between the dimension length L2 in the thickness direction and the dimension length H2 in the height direction is L2 <H2. ing. This reduces the mounting area. Next, a method for manufacturing the photocoupler 200 according to the second embodiment will be described.
14A to 14E are cross-sectional views showing a method for manufacturing a photocoupler 200 according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the process up to the construction of one lead frame 30 'by superposing the first lead frame 31' and the second lead frame 36 'is the same as that of the first embodiment. As shown in FIG. 14A, after the lead frame 30 ′ is configured, as shown in FIG. 14B, the light receiving element 10 and the optical filter 20 are stacked in the penetrating portion 51 of the lead frame 30 ′. Place the body.

ここでは、粘着テープ71の粘着性を有する面であって、貫通部51の底面となっている領域に、光学フィルタ20の受光面20aを貼付する。なお、この貼付に際して、光学フィルタ20の受光面20aには予め保護膜(図示せず)を形成しておいてもよい。保護膜としては、例えばフォトレジストを用いることができる。このような保護膜は、例えば、光学フィルタ20の基材である光学部材をダイシングする前に成膜しておくことができる。   Here, the light receiving surface 20 a of the optical filter 20 is affixed to a region having the adhesiveness of the adhesive tape 71 and serving as the bottom surface of the penetrating portion 51. Note that a protective film (not shown) may be formed in advance on the light receiving surface 20a of the optical filter 20 at the time of attachment. As the protective film, for example, a photoresist can be used. Such a protective film can be formed, for example, before dicing the optical member that is the base material of the optical filter 20.

これ以降の工程は、蓋体の取付け工程を除いて、第1実施形態と同じである。即ち、図14(c)に示すように、受光素子10とリードフレーム30´とをワイヤー40を用いて電気的に接続する。ここでは、リードフレーム30´のハーフエッチング領域33aの少なくとも一部が、ボンディング用端子部となる。このボンディング用端子部33aと、図3(a)に示した受光素子10のパッド電極14a、14bとをワイヤー40を用いて電気的に接続する。   The subsequent steps are the same as those in the first embodiment except for the lid attaching step. That is, as shown in FIG. 14C, the light receiving element 10 and the lead frame 30 ′ are electrically connected using the wire 40. Here, at least a part of the half-etched region 33a of the lead frame 30 ′ becomes a bonding terminal portion. The bonding terminal portion 33a is electrically connected to the pad electrodes 14a and 14b of the light receiving element 10 shown in FIG.

次に、図14(d)に示すように、上金型77と下金型78とによりリードフレーム30´を挟み込み、上金型77と下金型78とに挟まれた空間内にサイドからモールド樹脂45を注入し、充填する。これにより、受光素子10及び光学フィルタ20と、ワイヤー40を樹脂封止する。次に、リードフレーム30´の下面側から粘着テープ71を除去し、必要に応じて第1実施形態と同様の処理を施す。その後、モールド樹脂45及びリードフレーム30´を、ダイシング装置によりダイシングし、カーフ幅35を切断する。これにより、図14(e)に示すように、モールド樹脂45及びリードフレーム30´は個々の製品に切り離されてパッケージ化され、IR受光装置150が完成する。
次に、上記のように製造したIR受光装置150と、IR発光装置60を配線基板1の表面1a上に実装する。この実装工程は第1実施形態と同様であり、例えばリフロー方式のはんだ付けにより行う。このような工程を経て、図13(a)及び(b)に示したフォトカプラ200が完成する。
Next, as shown in FIG. 14D, the lead frame 30 ′ is sandwiched between the upper mold 77 and the lower mold 78, and the space between the upper mold 77 and the lower mold 78 is inserted from the side. Mold resin 45 is injected and filled. Thereby, the light receiving element 10, the optical filter 20, and the wire 40 are resin-sealed. Next, the adhesive tape 71 is removed from the lower surface side of the lead frame 30 ′, and the same processing as in the first embodiment is performed as necessary. Thereafter, the mold resin 45 and the lead frame 30 ′ are diced by a dicing device, and the kerf width 35 is cut. As a result, as shown in FIG. 14E, the mold resin 45 and the lead frame 30 'are cut into individual products and packaged, and the IR light receiving device 150 is completed.
Next, the IR light receiving device 150 and the IR light emitting device 60 manufactured as described above are mounted on the surface 1 a of the wiring board 1. This mounting process is the same as that in the first embodiment, and is performed, for example, by reflow soldering. Through these steps, the photocoupler 200 shown in FIGS. 13A and 13B is completed.

(3)第3実施形態
上記の第1実施形態では、例えば図1(b)に示したように、リードフレーム30は、第1のリードフレーム31と第2のリードフレーム36との重ね合わせにより構成されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、リードフレームは必ずしも複数枚で構成されている必要は無い。複数枚でなく、1枚のリードフレームでもよい。
(3) Third Embodiment In the first embodiment described above, for example, as shown in FIG. 1B, the lead frame 30 is formed by overlapping the first lead frame 31 and the second lead frame 36. The case where it is configured has been described. However, in the present invention, the lead frame is not necessarily composed of a plurality of sheets. A single lead frame may be used instead of a plurality of sheets.

図15は、本発明の第3実施形態に係る面対向表面実装型で且つ縦方向実装型のフォトカプラ300の構成例を示す断面図である。図15に示すように、このフォトカプラ300は、配線基板1と、この配線基板1の表面1a上に接合されたIR発光装置60と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置60から離れた位置に接合されたIR受光装置250と、図示しない遮光性の筐体(例えば、図1(a)を参照。)とを備える。ここで、IR受光装置250は、第1実施形態で説明したIR受光装置50と同様に例えばセンサ装置であり、受光したIRを電気信号に変換し、変換した電気信号を出力するものである。   FIG. 15 is a cross-sectional view showing a configuration example of a surface-facing surface-mounting type and vertical-mounting type photocoupler 300 according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 15, the photocoupler 300 includes a wiring board 1, an IR light emitting device 60 bonded onto the surface 1 a of the wiring board 1, and the IR light emitting device 60 on the surface 1 a of the wiring board 1. IR light receiving device 250 joined to a position away from the light source, and a light shielding housing (not shown) (see, for example, FIG. 1A). Here, the IR light receiving device 250 is, for example, a sensor device like the IR light receiving device 50 described in the first embodiment, and converts the received IR into an electric signal and outputs the converted electric signal.

このフォトカプラ300において、第1実施形態で説明したフォトカプラ100との違いはIR受光装置の構造にある。即ち、図15に示すように、IR受光装置250のリードフレーム130は、複数枚ではなく1枚で構成されている。このような構成であっても、第1実施形態と同様に、IR発光装置60とIR受光装置150との位置関係が水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることが可能となる。また、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面に入射する。フォトカプラ300は面対向表面実装型であり、IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であるため、部品点数を減らすことができる。   This photocoupler 300 is different from the photocoupler 100 described in the first embodiment in the structure of the IR light receiving device. That is, as shown in FIG. 15, the lead frame 130 of the IR light receiving device 250 is composed of one sheet instead of a plurality of sheets. Even in such a configuration, as in the first embodiment, the positional relationship between the IR light-emitting device 60 and the IR light-receiving device 150 is in the horizontal direction, so that the height of the entire system can be reduced. . Further, the light output from the light emitting surface 61 a of the IR light emitting device 60 is directly incident on the light receiving surface of the optical filter 20. The photocoupler 300 is a surface-facing surface-mount type, and does not require a concave reflecting surface that changes the traveling direction of light between the IR light-emitting device 60 and the IR light-receiving device 50, so that the number of components can be reduced. it can.

また、この第3実施形態においても、IR受光装置250は、その厚み方向の寸法長L3と高さ方向の寸法長H3との大小関係がL3<H3となっており、縦方向実装型となっている。これにより、実装面積の低減が図られている。
図16(a)及び(b)は、本発明の第3実施形態に係るリードフレーム130の構成例を示す平面図である。図16(a)はリードフレーム130の表面130aを示し、図16(b)はリードフレーム130の裏面130bを示している。図16(a)及び(b)に示すリードフレーム130は、例えば、銅(Cu)板を、フォトリソグラフィ技術により、その表面130a及び裏面130bの側からそれぞれ選択的にエッチングし、ニッケル(Ni)−パラジウム(Pd)−金(Au)等のめっき(鍍金)処理を施すことにより形成されたものである。
Also in the third embodiment, the IR light receiving device 250 is a vertical mounting type because the size relationship between the dimension length L3 in the thickness direction and the dimension length H3 in the height direction is L3 <H3. ing. This reduces the mounting area.
FIGS. 16A and 16B are plan views showing a configuration example of the lead frame 130 according to the third embodiment of the present invention. 16A shows the front surface 130a of the lead frame 130, and FIG. 16B shows the back surface 130b of the lead frame 130. In the lead frame 130 shown in FIGS. 16A and 16B, for example, a copper (Cu) plate is selectively etched from the front surface 130a side and the back surface 130b side by a photolithography technique, and nickel (Ni) is obtained. -It is formed by performing plating (plating) treatment of palladium (Pd) -gold (Au) or the like.

図16(a)において、リードフレーム130内の白色の領域は表面130aと裏面130bとの間を貫通した貫通部151を示し、ハッチングを付した領域は表面130aの側からハーフエッチングされた領域(即ち、ハーフエッチング領域)133aを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で表面130aがマスクされることにより、エッチングされなかった領域(即ち、非エッチング領域)134aを示す。   In FIG. 16A, a white region in the lead frame 130 indicates a through portion 151 that penetrates between the front surface 130a and the back surface 130b, and a hatched region is a region that is half-etched from the front surface 130a side ( That is, a half-etched region) 133a is shown. A gray region indicates a region (that is, a non-etched region) 134a that was not etched by masking the surface 130a with a photoresist or the like during etching.

同様に、図16(b)において、リードフレーム130内の白色の領域は貫通部151を示し、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で裏面130bがマスクされることにより、エッチングされなかった非エッチング領域134bを示す。また、リードフレーム130の裏面130bにはハーフエッチング領域は無く、平坦である。なお、図16(a)及び(b)に示すリードフレーム130の外周部は、後述のダイシング工程で、ダイシングブレード等により切断される領域(即ち、カーフ幅)135となっている。   Similarly, in FIG. 16B, the white region in the lead frame 130 indicates the through portion 151, and the gray region is non-etched because the back surface 130b is masked with a photoresist or the like during etching. Region 134b is shown. Further, the back surface 130b of the lead frame 130 has no half-etched region and is flat. 16A and 16B is an area (namely, kerf width) 135 that is cut by a dicing blade or the like in a dicing process described later.

図17(a)〜(e)は、本発明の第3実施形態に係るフォトカプラ300の製造方法を示す断面図である。図17(a)に示すように、まず始めに、リードフレーム130´
の裏面130bに粘着テープ71を貼付する。次に、図17(b)に示すように、リードフレーム130´の貫通部151に受光素子10を配置する。ここでは、粘着テープ71の粘着性を有する面であって、貫通部51の底面となっている領域に、受光素子10の受光面16bを貼付する。なお、第1実施形態と同様に、この貼付に際して、受光素子10の受光面16bには予め保護膜(図示せず)を形成しておいてもよい。
17A to 17E are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a photocoupler 300 according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 17A, first, the lead frame 130 '
Adhesive tape 71 is affixed to the back surface 130b of. Next, as illustrated in FIG. 17B, the light receiving element 10 is disposed in the through portion 151 of the lead frame 130 ′. Here, the light receiving surface 16b of the light receiving element 10 is attached to the surface of the adhesive tape 71 having the adhesive property and the bottom surface of the penetrating portion 51. As in the first embodiment, a protective film (not shown) may be formed in advance on the light receiving surface 16b of the light receiving element 10 at the time of sticking.

次に、図17(c)に示すように、受光素子10とリードフレーム130´とをワイヤー40を用いて電気的に接続する。ここでは、リードフレーム130´のハーフエッチング領域133aの少なくとも一部が、ボンディング用端子部となる。このボンディング用端子部133aと、図3(a)に示した受光素子10のパッド電極14a、14bとをワイヤー40を用いて電気的に接続する。次に、図17(d)に示すように、上金型77と下金型78とによりリードフレーム130´を挟み込み、上金型77と下金型78とに挟まれた空間内にサイドからモールド樹脂45を注入し、充填する。これにより、受光素子10とワイヤー40を樹脂封止する。   Next, as shown in FIG. 17C, the light receiving element 10 and the lead frame 130 ′ are electrically connected using a wire 40. Here, at least a part of the half-etched region 133a of the lead frame 130 ′ serves as a bonding terminal portion. The bonding terminal portion 133a is electrically connected to the pad electrodes 14a and 14b of the light receiving element 10 shown in FIG. Next, as shown in FIG. 17 (d), the lead frame 130 ′ is sandwiched between the upper mold 77 and the lower mold 78, and the space between the upper mold 77 and the lower mold 78 is inserted from the side. Mold resin 45 is injected and filled. Thereby, the light receiving element 10 and the wire 40 are resin-sealed.

次に、リードフレーム130´の下面側から粘着テープ71を除去し、必要に応じて第1実施形態と同様の処理を施す。その後、モールド樹脂45及びリードフレーム130´を、ダイシング装置によりダイシングし、カーフ幅135を切断する。これにより、図17(e)に示すように、モールド樹脂45及びリードフレーム130´は個々の製品に切り離されてパッケージ化され、IR受光装置250が完成する。
次に、上記のように製造したIR受光装置250と、IR発光装置60を配線基板1の表面1a上に実装する。この実装工程は第1実施形態と同様であり、例えばリフロー方式のはんだ付けにより行う。このような工程を経て、図15に示したフォトカプラ300が完成する。
Next, the adhesive tape 71 is removed from the lower surface side of the lead frame 130 ′, and the same processing as in the first embodiment is performed as necessary. Thereafter, the mold resin 45 and the lead frame 130 ′ are diced by a dicing device, and the kerf width 135 is cut. As a result, as shown in FIG. 17E, the mold resin 45 and the lead frame 130 'are separated into individual products and packaged, and the IR light receiving device 250 is completed.
Next, the IR light receiving device 250 manufactured as described above and the IR light emitting device 60 are mounted on the surface 1 a of the wiring board 1. This mounting process is the same as that in the first embodiment, and is performed, for example, by reflow soldering. Through such steps, the photocoupler 300 shown in FIG. 15 is completed.

(4)その他の実施形態
(4.1) 上記の第1実施形態では、IR受光装置50の被接合面49において、露出している第1のリードフレーム31の側面31cと第2のリードフレーム36の側面36cとがそれぞれ外部接続用端子部として機能することを説明した。ここで、図2(a)及び(c)では、被接合面49において、外部接続用端子部31c、36cがそれぞれ離れている場合を示している。しかしながら、本発明において、これらは繋がっていてもよい。
(4) Other Embodiments (4.1) In the first embodiment described above, the exposed side surface 31c of the first lead frame 31 and the second lead frame on the bonded surface 49 of the IR light receiving device 50 are used. It has been described that the side surfaces 36c of 36 function as external connection terminal portions. Here, FIGS. 2A and 2C show a case where the external connection terminal portions 31 c and 36 c are separated from each other on the bonded surface 49. However, in the present invention, these may be connected.

即ち、図18に示すように、被接合面49において、隣り合う一方の外部接続用端子部31cと、他方の外部接続用端子部36cは繋がっていてもよい。このような構成であれば、はんだ付けされる領域(即ち、外部接続用端子部の総面積)が増えるため、配線基板1に対するIR受光装置50の接合をより強固なものとすることができる。   That is, as shown in FIG. 18, on the bonded surface 49, one adjacent external connection terminal portion 31 c and the other external connection terminal portion 36 c may be connected. With such a configuration, the area to be soldered (that is, the total area of the external connection terminal portion) is increased, so that the bonding of the IR light receiving device 50 to the wiring board 1 can be made stronger.

なお、図18に示す形態は、例えば、第1のリードフレーム31の裏面31bと第2のリードフレームの表面36aを、図4(b)及び図5(a)に示した形態から図19(a)及び(b)に示す形態にそれぞれ変更することにより実現することができる。一方、第1のリードフレーム31の表面31aと第2のリードフレームの裏面36bについては、変更点は無く、図4(b)及び図5(a)に示した通りである。
(4.2) また、上記の第1実施形態では、例えば図1(b)において、配線基板1の表面1a近くにおいて、第2のリードフレームの裏面36bと蓋体55とが接している場合を示した。しかしながら、本発明では、例えば図20(a)に示すように、配線基板1の表面1a近くでは、第2のリードフレーム36の裏面36bと蓋体55との間が離れていてもよい。
In the form shown in FIG. 18, for example, the back surface 31b of the first lead frame 31 and the front surface 36a of the second lead frame are changed from the form shown in FIGS. 4B and 5A to FIG. It can implement | achieve by changing to the form shown to a) and (b), respectively. On the other hand, the front surface 31a of the first lead frame 31 and the back surface 36b of the second lead frame are not changed and are as shown in FIGS. 4B and 5A.
(4.2) In the first embodiment, for example, in FIG. 1B, the back surface 36 b of the second lead frame and the lid 55 are in contact with each other near the front surface 1 a of the wiring board 1. showed that. However, in the present invention, for example, as shown in FIG. 20A, the back surface 36 b of the second lead frame 36 and the lid 55 may be separated near the front surface 1 a of the wiring board 1.

即ち、蓋体55の配線基板1の表面1a近くの部分であって、リードフレーム30と対向する部分には、凹部(スリット)56が設けられていてもよい。このような構成であれば、はんだ付けの工程で、はんだ3は第2のリードフレーム36の側面(即ち、外部接続用端子部)36cから、その裏面36b側へ容易に回り込むことができる。はんだ3による接合部分が広がるため、配線基板1に対するIR受光装置50の接合をより強固なものとすることができる。
また、図20(b)に示すように、この凹部56はX方向に延設されており、ガイド部59まで達するように設けられていてもよい。このような構成であれば、例えば図20(b)の矢印で示すように、はんだ3による接合状態を目視で確認することができる。
That is, a concave portion (slit) 56 may be provided in a portion of the lid 55 near the surface 1 a of the wiring substrate 1 and facing the lead frame 30. With such a configuration, in the soldering process, the solder 3 can easily wrap around from the side surface (that is, the external connection terminal portion) 36c of the second lead frame 36 toward the back surface 36b. Since the joint portion by the solder 3 spreads, the joint of the IR light receiving device 50 to the wiring board 1 can be made stronger.
In addition, as shown in FIG. 20B, the recess 56 extends in the X direction and may be provided so as to reach the guide portion 59. If it is such a structure, as shown, for example with the arrow of FIG.20 (b), the joining state by the solder 3 can be confirmed visually.

(4.3) また、上記の各実施形態において、IR受光装置50、150、250は、同一種類の受光素子10をそれぞれ2個ずつ有する場合について説明した。しかしながら、本発明において、1つのIR受光装置が有する受光素子の個数は2個に限定されるものではない。1つのIR受光装置が有する受光素子の個数は3個以上であってもよいし、或いは、1個でもよい。所望の機能に合せて、1つのIR受光装置が有する受光素子の個数を任意に設定することができる。 (4.3) Further, in each of the above-described embodiments, the case where the IR light receiving devices 50, 150, and 250 each include two light receiving elements 10 of the same type has been described. However, in the present invention, the number of light receiving elements included in one IR light receiving device is not limited to two. The number of light receiving elements included in one IR light receiving device may be three or more, or may be one. The number of light receiving elements included in one IR light receiving device can be arbitrarily set in accordance with a desired function.

(4.4) さらに、上記の各実施形態では、2000nm〜7400nmの赤外線を検出可能な受光素子を例示した。しかしながら、本発明において受光素子はIRの検出に限定されるものではない。本発明において、受光素子は例えば紫外線のみを検出する素子であってもよく、又は、紫外線と赤外線の両方を検出する素子であってもよい。或いは、紫外線又は赤外線の波長範囲外の光を検出する素子であってもよい。 (4.4) Further, in each of the above embodiments, the light receiving element capable of detecting infrared rays of 2000 nm to 7400 nm is exemplified. However, in the present invention, the light receiving element is not limited to IR detection. In the present invention, the light receiving element may be, for example, an element that detects only ultraviolet rays, or may be an element that detects both ultraviolet rays and infrared rays. Alternatively, it may be an element that detects light outside the ultraviolet or infrared wavelength range.

一例を挙げると、光透過基板上にn層と、π層と、n層及びπ層よりもバンドギャップが大きい化合物半導体層と、p層とが順次積層されてなる光電変換素子13において、n層にInSbではなく、AlN、InGaP、InGaAsP、InAsSbといった他の材料を用いれば、波長が約250nmの紫外線から、波長が約12μmの赤外線までを検出可能な受光素子を作成することが可能である。このような場合は、紫外線から赤外線までを検出可能な受光装置を備えたフォトカプラを提供することができる。
また、この場合は、光学フィルタも例えば紫外線のみを透過させる機能を有するものであってもよく、又は、紫外線と赤外線の両方を透過させるものであってもよい。光学フィルタの透過可能な波長範囲は、受光素子の検出可能な波長範囲に応じて、任意に設定可能である。
For example, in the photoelectric conversion element 13 in which an n layer, a π layer, a compound semiconductor layer having a larger band gap than the n layer and the π layer, and a p layer are sequentially stacked on a light transmitting substrate, n When other materials such as AlN, InGaP, InGaAsP, and InAsSb are used for the layer instead of InSb, it is possible to create a light receiving element capable of detecting from ultraviolet rays having a wavelength of about 250 nm to infrared rays having a wavelength of about 12 μm. . In such a case, a photocoupler provided with a light receiving device capable of detecting ultraviolet rays to infrared rays can be provided.
In this case, the optical filter may also have a function of transmitting only ultraviolet rays, for example, or may transmit both ultraviolet rays and infrared rays. The wavelength range in which the optical filter can be transmitted can be arbitrarily set according to the wavelength range in which the light receiving element can be detected.

1 配線基板
1a 配線基板表面
10 受光素子(第1の受光素子、第2の受光素子)
11 光透過基板
12 受光部
13 光電変換素子
13a n層
13b π層
13c 化合物半導体層
13d p層
14 パッド部
14a、14b パッド電極
15 配線
16a 表面
16b 受光面(裏面)
20 光学フィルタ(第1の光学フィルタ、第2の光学フィルタ)
20a 受光面
30 リードフレーム(積層構造)
31 第1のリードフレーム
31a、36a、130a 表面
31b、36b、130b 裏面
31c、36c 側面(外部接続用端子部)
32 第1の貫通部
33a、133a ハーフエッチング領域(ボンディング用端子部)
33b、38a、37b ハーフエッチング領域
34a、34b、39a、39b、134a、134b 非エッチング領域
35、135 カーフ幅
36 第2のリードフレーム
37 第2の貫通部
40 ワイヤー
45 モールド樹脂(パッケージ)
46 接着剤
49 被接合面
50、150、250 IR受光装置
51、151 貫通部(第1の領域、第2の領域を含む)
55 蓋体
56 プレート部
57 開口部(第1の開口部、第2の開口部)
58 凹部
59 ガイド部
60 発光装置
61 発光部
61a 発光面
71 粘着テープ
73、74 貫通穴
75 ピン
77 上金型
78 下金型
90 筐体
91 開口部
100、200、300 フォトカプラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 1a Wiring board surface 10 Light receiving element (1st light receiving element, 2nd light receiving element)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Light transmissive substrate 12 Light-receiving part 13 Photoelectric conversion element 13a n layer 13b pi layer 13c compound semiconductor layer 13d p layer 14 pad part 14a, 14b pad electrode 15 wiring 16a surface 16b light-receiving surface (back surface)
20 Optical filter (first optical filter, second optical filter)
20a Light receiving surface 30 Lead frame (laminated structure)
31 1st lead frame 31a, 36a, 130a Front surface 31b, 36b, 130b Back surface 31c, 36c Side surface (external connection terminal portion)
32 1st penetration part 33a, 133a Half etching area | region (terminal part for bonding)
33b, 38a, 37b Half-etched regions 34a, 34b, 39a, 39b, 134a, 134b Non-etched regions 35, 135 Calf width 36 Second lead frame 37 Second through-hole 40 Wire 45 Mold resin (package)
46 Adhesive 49 Bonded surfaces 50, 150, 250 IR light receiving device 51, 151 penetrating part (including first region and second region)
55 Lid 56 Plate part 57 Opening (first opening, second opening)
58 concave portion 59 guide portion 60 light emitting device 61 light emitting portion 61a light emitting surface 71 adhesive tape 73, 74 through hole 75 pin 77 upper die 78 lower die 90 housing 91 opening 100, 200, 300 photocoupler

Claims (8)

配線基板と、
前記配線基板の一方の面上に接合された発光装置と、
前記配線基板の一方の面上であって前記発光装置から離れた位置に接合された受光装置と、を備え、
前記配線基板の一方の面上において、前記発光装置の発光面と前記受光装置の受光面とが対向していることを特徴とするフォトカプラ。
A wiring board;
A light emitting device bonded on one surface of the wiring board;
A light receiving device bonded to a position away from the light emitting device on one surface of the wiring board,
A photocoupler, wherein a light emitting surface of the light emitting device and a light receiving surface of the light receiving device face each other on one surface of the wiring board.
前記受光装置は、
光を検出する受光素子と、
貫通部を有するリードフレームと、
ワイヤーと、封止部とを有し、
前記リードフレームの前記貫通部に前記受光素子が配置され、前記受光素子の光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続され、
前記封止部は、前記発光装置と対向する側の面に前記受光素子の受光面が露出しており、さらに、
前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面に、前記リードフレームの側面が前記配線基板と電気的に縦型実装接続される複数の端子部として露出していることを特徴とする請求項1に記載のフォトカプラ。
The light receiving device is:
A light receiving element for detecting light;
A lead frame having a penetrating portion;
It has a wire and a sealing part,
The light receiving element is disposed in the penetrating portion of the lead frame, the photoelectric conversion unit of the light receiving element and the lead frame are electrically connected by the wire,
The sealing portion has a light receiving surface of the light receiving element exposed on a surface facing the light emitting device, and
A side surface of the lead frame is exposed as a plurality of terminal portions electrically connected to the wiring substrate in a vertical manner on a surface to be bonded to one surface of the wiring substrate. The photocoupler according to claim 1.
前記複数の端子部の各々は、平面視で、前記被接合面の一方の側と、前記被接合面の中心を挟んで前記一方の反対側にある他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されていることを特徴とする請求項2に記載のフォトカプラ。   Each of the plurality of terminal portions is symmetrical in plan view with one side of the joined surface and the other side opposite to the one side with the center of the joined surface interposed therebetween. The photocoupler according to claim 2, wherein the photocoupler is arranged. 前記受光装置は、
前記封止部に取り付けられた蓋体と、
前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、をさらに有し、
前記蓋体には貫通した開口部が設けられており、前記開口部内に前記光学フィルタが収納されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のフォトカプラ。
The light receiving device is:
A lid attached to the sealing portion;
An optical filter covering a light receiving surface of the light receiving element,
4. The photocoupler according to claim 2, wherein an opening that penetrates the lid is provided, and the optical filter is accommodated in the opening. 5.
前記リードフレームは、
第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、
第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、を含み、
前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、
前記貫通部として、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に前記受光素子が配置された状態で前記封止部は成形されており、
成形された前記封止部の前記被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴とする請求項2から請求項4の何れか一項に記載のフォトカプラ。
The lead frame is
A first lead frame having a first through portion;
A second lead frame having a second penetrating portion,
The first lead frame is disposed on the second lead frame, and the first penetrating portion and the second penetrating portion overlap in plan view,
As the penetrating part, the sealing part is molded in a state where the light receiving element is arranged in a region where the first penetrating part and the second penetrating part overlap in a plan view,
The first side surface of the first lead frame and the second side surface of the second lead frame are exposed as the plurality of terminal portions from the surface to be joined of the molded sealing portion. The photocoupler according to any one of claims 2 to 4, wherein the photocoupler is characterized in that:
前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、
前記光学フィルタは、第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なる第2の光学フィルタとを含み、
前記貫通部は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、
前記開口部は、第1の開口部と、前記第1の開口部と位置が異なる第2の開口部とを含み、
前記第1の受光素子は前記第1の領域に配置され、
前記第2の受光素子は前記第2の領域に配置され、
前記第1の光学フィルタは前記第1の開口部内に収納され、
前記第2の光学フィルタは前記第2の開口部内に収納されていることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のフォトカプラ。
The light receiving element includes a first light receiving element and a second light receiving element,
The optical filter includes a first optical filter and a second optical filter having characteristics different from those of the first optical filter,
The penetrating portion includes a first region and a second region having a position different from that of the first region,
The opening includes a first opening and a second opening having a different position from the first opening,
The first light receiving element is disposed in the first region;
The second light receiving element is disposed in the second region;
The first optical filter is housed in the first opening;
The photocoupler according to claim 4 or 5, wherein the second optical filter is accommodated in the second opening.
前記受光装置は、
光を検出する受光素子と、
前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、
第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、
第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、
ワイヤー及び封止部と、を有し、
前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、
前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に、前記受光素子及び前記光学フィルタが配置されると共に、前記受光素子の受光面の反対側の面に設けられた光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続された状態で前記封止部は成形されており、
成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記発光装置と対向する側の面から、前記光学フィルタの受光面が露出しており、さらに、
成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記配線基板と電気的に接続される複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴とする請求項1に記載のフォトカプラ。
The light receiving device is:
A light receiving element for detecting light;
An optical filter covering a light receiving surface of the light receiving element;
A first lead frame having a first through portion;
A second lead frame having a second penetrating portion;
A wire and a sealing part,
The first lead frame is disposed on the second lead frame, and the first penetrating portion and the second penetrating portion overlap in plan view,
The light receiving element and the optical filter are disposed in a region where the first penetrating portion and the second penetrating portion overlap in plan view, and provided on a surface opposite to the light receiving surface of the light receiving element. The sealing portion is molded in a state where the photoelectric conversion portion and the lead frame are electrically connected by the wire,
The surface exposed to the outside of the molded sealing portion, the light receiving surface of the optical filter is exposed from the surface facing the light emitting device, and
A surface exposed to the outside of the molded sealing portion, and a first side surface of the first lead frame and the first surface from a surface to be bonded to one surface of the wiring board 2. The photocoupler according to claim 1, wherein a second side surface of each of the two lead frames is exposed as a plurality of terminal portions that are electrically connected to the wiring board.
前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、
前記光学フィルタは、前記第1の受光素子の受光面を覆う第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なり且つ前記第2の受光素子の受光面を覆う第2の光学フィルタとを含み、
前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、
前記第1の受光素子及び前記第1の光学フィルタは前記第1の領域に配置され、
前記第2の受光素子及び前記第2の光学フィルタは前記第2の領域に配置されていることを特徴とする請求項7に記載のフォトカプラ。
The light receiving element includes a first light receiving element and a second light receiving element,
The optical filter includes a first optical filter that covers a light receiving surface of the first light receiving element, and a second optical filter that has different characteristics from the first optical filter and covers the light receiving surface of the second light receiving element. Including
The region where the first penetrating portion and the second penetrating portion overlap in plan view includes the first region and the second region having a position different from the first region,
The first light receiving element and the first optical filter are disposed in the first region,
The photocoupler according to claim 7, wherein the second light receiving element and the second optical filter are arranged in the second region.
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