JP2012186391A - レチクル収容容器、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクルの発生を抑制しつつレチクルを容器に位置決めするのに有利な技術を提供する。
【解決手段】容器は、レチクルを収容するインナーケースと、アウターケースとを含む。インナーケースは、ベースプレートと、インナーカバーと、レチクルの面取り部と接触してレチクルを位置決めする第１位置決め部材と、を含む。第１位置決め部材は、面取り部との接触面がベースプレートの上面に対して同一方位での仰角をもって傾斜し、第１位置決め部材が押し付け部で押されて面取り部と最初に接触する第１傾斜面１２２と、第１傾斜面１２２より上方に形成されて第１傾斜面１２２より後に面取り部と接触する第２傾斜面１２１と、を含み、第１傾斜面１２２と第２傾斜面１２１とが第１位置決め部材の外に成す角は１８０°未満である。
【選択図】図６

Description

本発明は、レチクル収容容器、露光装置及びデバイス製造方法に関する。

将来の半導体デバイスの製造に関して、極端紫外域光（ＥＵＶ；ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）を用いたＥＵＶリソグラフィ技術が有力視されている。ＥＵＶリソグラフィ技術で最も鍵となる半導体製造装置として、ＥＵＶ露光装置がある。一般に露光装置は、回路パターンが形成されたレチクルを照明光で照明し、投影光学系によって感光体（レジスト）が塗布されたウエハに縮小投影する構成を有する。レチクルの回路パターン面にパーティクルが付着すると、各ショットの同一位置にパーティクルの像が転写される。これにより、半導体デバイス製造の歩留まりや、半導体デバイス自体の信頼性が大幅に低下する。

従来のｇ線、ｉ線、ＫｒＦレーザ光、ＡｒＦレーザ光等を使う露光装置では、レチクルの回路パターン面から数ｍｍの位置にペリクルという透明保護膜を配置する方法が採用されている。しかし、ＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ光に対して透明なペリクルが存在しない。レチクルに要求される透過率を満たすためには、ペリクルの厚さを数１０ｎｍ程度にせざるを得ない。このような厚さでは、レチクルを搬送する際における大気圧から真空環境下、及びその逆の圧力変化に対する機械的側面、及び、ＥＵＶ露光光が吸収されて温度が上昇することによる熱的側面において十分な強度が得られない。ＥＵＶリソグラフィ用のレチクルを保管・搬送する際にパーティクル付着を防ぐ方法として、レチクルを二重の収納容器で覆うという、いわゆる“二重ポッド” のレチクル収容容器が、特許文献１，２で提案されている。“二重ポッド” のレチクル収容容器では、インナーポッドと呼ばれている第１のポッドがレチクルを収納し、アウターポッドと呼ばれている第２のポッドがこのインナーポッドを収納する。

従来の二重ポッド用いた場合のレチクルの二重ポッド内部での固定方法を図３〜５で説明する。レチクル２は、パターン面を下に向けて、ベースプレート１００に設置された４つの支持ピン１０２ａ〜１０２ｄで支持されている。ベースプレート１００には、レチクル２の極端な横ずれを防止するポストピン１０１ａ〜１０１ｈ、ベースプレート１００の下部からレチクルのＩＤなどを観察できるようにするためのガラス窓１０６ａ，ｂが設置されている。レチクルのチャック面を保護するインナーカバー１０４には、レチクル２がインナーポッド内部に保持された時、インナーポッドの内外の圧力差を０にするためのクリーンフィルター１０５ａ，１０５ｂが設けられている。固定ピン１０３ａ〜１０３ｄは、鉛直方向にスライド可能で、レチクル２のチャック面のチャムファー（以後Ｃ面と称す）を押しつけ、レチクルを固定する。この固定ピン１０３ａ〜１０３ｄは、アウターポッドが標準機構インターフェース（ＳＭＩＦ）により閉じる際に、アウターポッドの内側に設けられたばね等の弾性体を介して、所定の力で鉛直下方にレチクル２を押す。このことでレチクル２は機械的なガタつきの無いように固定される。レチクル２のＣ面は傾斜角が４５°となっている。固定ピン１０３ａ〜１０３ｄのレチクル接触部の水平面に対する傾斜角は、レチクル２のＣ面の傾斜角と補角をなす１３５°を有する。

従来技術では、レチクル２のＣ面と固定ピン１０３ａ〜１０３ｄのレチクル接触部とが接触することによって、レチクル２がベースプレート１００に対して水平方向に移動され位置決めされる。

特開２００６−１８４４４２号公報 特表２００９−５１０５２５２号公報

しかし、固定ピン１０３ａ〜１０３ｄがレチクル２のＣ面を押し、レチクル２がベースプレート１００に対し水平方向に移動することは接触、摩擦を伴う現象である。そのため、周囲の環境、固定ピン１０３ａ〜１０３ｄのレチクル接触部の状態により再現性よく位置決めされない場合がある。また、レチクル２は、厚さの寸法公差内の範囲内で厚さにばらつきがある。このような場合、固定ピン１０３ａ〜１０３ｄは通常より高い位置でＣ面に接触するため、アウターポッドが閉じる際、固定ピン１０３ａ〜１０３ｄの押される力が大きくなりレチクル２との接触部近傍に大きな圧力が加わる。固定ピン１０３ａ〜１０３ｄは、真空内の脱ガスを減らすために、メタルで製作されることが多い。この場合、ガラスと金属の硬度、剛性に大きな差が生じる。

例えば、レチクル２がベースプレート１００のセンタ位置に対して、Δｘだけ位置ずれしてした場合、固定ピン１０３ａ〜１０３ｄに接続される弾性体の剛性をｋとすると、傾斜角が４５°であるため、ｋ・Δｘの力が余分にレチクル２のＣ面に加わる。弾性体の伸縮のストロークが短いため、剛性ｋは非線形になり易く、発生する力を見積もることができない。設計値よりも圧縮された場合、接触部に想定以上の圧力が加わり、摩擦、擦れが大きくなりガラス由来のパーティクルが発生する原因となる。

本発明は、パーティクルの発生を抑制しつつレチクルを容器に位置決めするのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。

本発明の１つの側面は、 レチクルを収容するインナーケースと該インナーケースを収容するアウターケースとを含む容器であって、前記レチクルは、その縁部に面取り部が形成され、前記アウターケースは、蓋部材と該蓋部材の下方に配置されるベース部材とを含み、前記インナーケースは、前記レチクルの下面を保護するベースプレートと、前記ベースプレートの上方に配置されて前記レチクルの上面を保護するインナーカバーと、前記インナーカバーに設置され、前記インナーケースを収容した前記アウターケースを前記蓋部材により閉鎖することによって前記蓋部材の下面に構成された押し付け部で下方に押されて前記面取り部と接触して前記レチクルを位置決めする第１位置決め部材と、を含み、前記第１位置決め部材は、前記面取り部との接触面が前記ベースプレートの上面に対して同一方位での仰角をもって傾斜し、前記第１位置決め部材が前記押し付け部で押されたて前記面取り部と最初に接触する第１傾斜面と、該第１傾斜面より上方に形成されて前記第１傾斜面より後に前記面取り部と接触する第２傾斜面と、を含み、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とが前記第１位置決め部材の外に成す角は１８０°未満である、ことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、パーティクルの発生を抑制しつつレチクルを容器に位置決めするのに有利な技術を提供することができる。

第１実施形態の容器を示す図である。 ＥＵＶ露光装置の概略構成を示す図である。 従来技術のインナーケースの構成を示す図である。 従来技術のインナーケースのベースプレート及びインナーカバーを示す図である。 従来技術において、レチクルをインナーケースに固定している状態を示す図である。 第１実施形態の固定ピンの断面図である。 第１実施形態の固定ピンの斜視図である。 第１実施形態の固定ピンを用いてレチクルを位置決めする様子を示す図である。 露光装置のレチクル搬出フローを示す図である。 第２実施形態の固定ピンの断面図である。 第３実施形態のポストピンを表す図である。 第３実施形態のポストピンを用いてレチクルを位置決め様子を示す図である。 第３実施形態のポストピンを用いて、レチクルをインナーケースに位置決めする様子を示す図である。

［露光装置］
図２を用いて露光装置の一例としてのＥＵＶ露光装置を説明する。回路パターンが形成された反射型のレチクル（原版）２は、レチクルチャック７によって保持される。レチクル２を保持したレチクルチャック７は、スキャン方向に粗動、微動が可能なステージ（レチクルステージ）３に搭載されている。レチクルステージ３の位置及び姿勢は、不図示のレーザ干渉計によって常にモニターされる。投影光学系５は、レチクル２から反射されたＥＵＶ露光光をウエハ（基板）１に投影しウエハ１を露光する。ウエハ１は、ウエハチャック６上に保持される。ウエハチャック６は、６軸方向に粗動、微動が可能なウエハステージ２７上に搭載されている。ウエハステージ２７の位置及び姿勢は、不図示のレーザ干渉計によって常にモニターされる。

投影光学系５の縮小倍率を１／β、レチクルステージ３の走査速度をＶｒ、ウエハステージ２７の走査速度をＶｗとする。レチクルステージ３とウエハステージ２７のスキャン動作は、Ｖｒ／Ｖｗ＝βの関係が成立するように同期制御される。レチクルステージ３はレチクルステージ空間４ａ、投影光学系５は投影光学系空間４ｂ、ウエハステージ２７はウエハステージ空間４ｃに配置されている。空間４ａ、４ｂ、４ｃは、それぞれ独立して圧力制御されうる。

次に、二重ポッド３１（単に容器ともいう）を用いたレチクル搬送方法の一例を説明する。ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ−Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１９で、大気中においてレチクル２を収容する二重ポッド３１からインナーケース１０を取り出し、ロボット１８を用いてインナーケース１０をロードロックチャンバー２３に搬送する。搬送されたインナーケース１０はロードロックチャンバー２３で真空引きがなされる。ロードロックチャンバー２３内が所定圧力に達すると、露光装置側のゲートバルブ１２ａが開き、ロボット２２により、インナーケース１０が露光装置内に搬送される。インナーケース１０は、ロボット２２によりインナーケースライブラリ２５に搬送され、その後、インナーケース１０からインナーカバーを取り除くオープナー２４に搬送され、インナーカバーが取り外される。その後、ゲートバルブ１２ｃが開き、レチクル２は、レチクルプリアライメントステージ２０に載置され、概略のレチクル位置が計測された後、レチクルステージ３に搬送される。レチクル２の搬出動作は、後述するようにこの逆のステップにて行われる。ここで、ロボット２２およびオープナー２４は、二重ポッド３１にレチクルを収納する収納機構を構成する。

同様に、ウエハ搬送方法の一例を説明する。ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ−Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１４で、大気中においてウエハ１をキャリアから取り出し、ロボット１３を用いてウエハ１をロードロックチャンバー１５に搬送する。ロードロックチャンバー１５で搬送されたウエハ１の真空引きがなされる。ロードロックチャンバー１５が所定圧力に達すると、露光装置側のゲートバルブ１１ａが開き、ウエハ１は、ロボット８により露光装置内に搬送される。ロボット８により、ウエハ１は一旦、ウエハストッカ２６に搬送される。その後、ゲートバルブ１１ｃが開き、ウエハ１は、ウエハプリアライメントステージ３０に載置され、概略のレチクル位置が計測された後、ウエハステージ２７に搬送される。ウエハ１の搬出は、この逆のステップにて行われる。ロボット１８，２２等は、二重ポッド３１に収容されたレチクル２をレチクルステージ３に搬送し、レチクルステージ３に保持されたレチクル２を二重ポッド３１に搬送する搬送機構を構成している。

［レチクル収容容器］
（第１実施形態）
第１実施形態のレチクルを収容する二重ポッド３１は、図１に示されるように、レチクル２を収容するインナーケース１０と、インナーケース１０を収容するアウターケース２００とを含む。アウターケース２００は、蓋部材２０２とその下方に配置されるベース部材２０１を含む。蓋部材２０２の下面には押し付け部２０２ａが構成されている。レチクル２は、パターンが形成された面とレチクルチャック７によって保持される面とを有する。レチクル２の前記２つの面の縁部には面取り部（チャムファー、Ｃ面ともいう）が形成されている。インナーケース１０は、ベースプレート１００と、ベースプレート１００の上方に配置されるインナーカバー１０４と、インナーカバー１０４に設置され、レチクル２を位置決めし固定する固定ピン（第１位置決め部材）１０３とを含む。ベースプレート１００は、パターンが形成されたレチクル２の下面側を保護し、インナーカバー１０４は、レチクルチャック７によって保持されるレチクル２の上面側を保護する。インナーケース１０を収容したアウターケース２００を蓋部材２０２により閉鎖する閉鎖動作を行うと、固定ピン１０３が押し付け部２０２ａによって下方に押されてＣ面と接触する。第１実施形態の二重ポッド３１は、レチクル２を位置決めする固定ピン１０３がレチクル２のＣ面と接触する部分が、互いに傾斜角の異なる２つの傾斜面を有していることを特徴とする。

図６は、第１実施形態における固定ピン１０３の断面を示している。固定ピン１０３は、第１傾斜面１２２とその上方に形成された第２傾斜面１２１とを有する。固定ピン１０３が押し付け部２０２ａによって下方に押されるとき、第１傾斜面１２２がＣ面と最初に接触し、その後に、第２傾斜面１２１がＣ面と接触する。第２傾斜面１２１は、ベースプレート１００の上面に対する仰角（第２傾斜角）θ２（＝４５°）と長さＬ２を有している。この第２傾斜角はレチクルの６０２５基板の規格になっているＣ面の角度と略同一角度である。第２傾斜面の長さＬ２はＣ面の幅とほぼ同等がそれ以上の長さを有す。また、第１傾斜面１２２は、第２傾斜角θ２より大きな第１傾斜角θ１と長さＬ１を有している。固定ピン１０３における傾斜面の傾斜角は、ベースプレート１００の上面（通常水平面）に対する同一方位での仰角として定義する。傾斜面の長さは、図示した断面において当該傾斜面に沿う方向における傾斜面の長さである。第1傾斜角θ１は第２傾斜角θ２より大きいので、第１傾斜面１２２と第２傾斜面１２１とが固定ピン１０３の外に（外側において）成す角は、１８０°未満である。

図８は、この固定ピン１０３を用いてレチクル２をベースプレート１００に対して位置決めする様子を示している。状態Ａは、レチクル２がベースプレート１００に対して位置決めされずにベースプレート１００に置かれた状態を示す。このときの位置ずれの量を、レチクル２が位置決めされた位置を基準にしてΔｘとする。状態Ｂは、アウターケース２００の閉鎖動作が開始されて固定ピン１０３がレチクル２のＣ面１２０との接触を開始した状態を示している。この状態でアウターケース２００の閉鎖動作を続行すると、固定ピン１０３が押し付け部２０２ａにより押されてさらに下方に下りてくる。状態Ｂでは、レチクル２は、固定ピン１０３の第１傾斜面１２２と、Ｃ面１２０のエッジで接触している。第１傾斜面１２２の傾斜角θ１が４５°よりも大きいので、レチクル２が固定ピン１０３からＣ面１２０においてその垂直方向に受ける力Ｎが従来技術よりも低減される。従って、レチクル２と固定ピン１０３との間の静止摩擦係数μが一定であっても、Ｃ面１２０と固定ピン１０３との間の摩擦力（μ×Ｎ）が低減される。さらに、固定ピン１０３がレチクル２に作用する力の大部分は水平方向の分力となる。その結果、レチクル２は位置決め位置に容易に移動することが可能になる。つまり、この第１傾斜面１２２は、レチクル２を位置決め位置に誘導するガイドの役割を果たす。

状態Ｃは、レチクル２がベースプレート１００上の位置決め位置に到達した状態である。状態Ｃでは、傾斜角がともに４５°である、第２傾斜面１２１とレチクル２のＣ面１２０とが接触するので、レチクル２は、固定ピン１０３と十分な接触面積を有した状態で固定ピン１０３により固定される。レチクル２が位置決め位置からΔｘずれている場合、第１傾斜面１２２の長さＬ１は少なくとも（Δｘ／ｃｏｓθ１）の長さを必要とする。いま、レチクル２をベースプレート１００に支持させるときにレチクル２のベースプレート１００に対する許容可能な位置ずれ量をΔｘとする。そうすると、第１傾斜面１２２の長さＬ１および第１傾斜角θ１は、Ｌ１×ｃｏｓθ１≧Δｘを満たす必要がある。

第１実施形態における固定ピン１０３は、２つの傾斜面を有し、４５°より大きい傾斜角θ１を有する下方側の第１傾斜面１２２によりレチクル２の位置決めを行い、略４５°の傾斜角θ２を有する上方側の第２傾斜面１２１によりレチクル２を固定する。したがって、固定ピン１０３は、断面が上述したようになっていれば良く、例えば、図７に示すように四角柱を組み合わせた形状でも、円錐形の組み合わせた形状であってもよい。固定ピン１０３のレチクル２と接する部分は、レチクル２をベースプレート１００上で位置決めし、固定するという機能を果たすために、耐摩耗性、低摩擦、低発塵性に優れた材料を使用することができる。このような材料としてはポリエーテルエーテルケトン（ＰＲＲＫ）樹脂、又は、登録商標Vespel（Dupon社製）、登録商標UPIMOL（UBE社製）等のポリイミド樹脂からなるプラスチックが挙げられる。また、固定ピン１０３は、２つの材料で構成することも可能である。例えば、位置決め機能を担う第１傾斜面１２２は、低摩耗・低摩擦・導電性のプラスチックを使用し、レチクル２を固定する機能を担う第２傾斜面１２１は、真空内の脱ガスを極力少なくするために金属を用いることができる。

第１実施形態においてレチクル２がベースプレート１００に位置決めされて固定された状態のレチクル２、インナーカバー１０４、ベースプレート１００の相対的な配置を図１に示す。ベースプレート１００には、レチクル２を支持する支持ピン１０２ａ、レチクル２の極端な位置ずれを防ぐためのポストピン１０１ｂが配置されている。

次に、図９を用いて、第１実施形態のレチクル２を収納する二重ポッド３１を、ＥＵＶ露光装置のレチクル搬送系に適用した場合の動作を説明する。この例では、露光処理が終了し、レチクル２がインナーケース１０内に搬送され、最終的にアウターケース２００に収納される工程の動作である。Ｓ２００で、露光動作が完了し、レチクル２の搬出動作が開始される。Ｓ２０１で、レチクル２は、レチクルステージ３によりプリアライメントステージ２０に移動され、レチクルチャック７から離脱される。Ｓ２０１の離脱工程は、レチクル２がレチクルチャック７に密着している状態から開放される工程のため、本質的に非線形現象であり、レチクル２の位置ずれが生じやすい。

Ｓ２０２で、離脱されたレチクル２は、ベースプレート１００に置かれる。Ｓ２０１の離脱工程で位置ずれが発生しやすいため、レチクル２はベースプレート１００上で位置決めされていない状態である。Ｓ２０３で、インナーカバー１０４が、オープナー２４によって、レチクル２が載置されたベースプレート１００に結合され、レチクル２はインナーケース１０内に保護された状態となる。この段階ではまだ、レチクル２はベースプレート１００に対して位置決めされていない。Ｓ２０４で、インナーケース１０は、ロードロックチャンバー２３に搬送される。Ｓ２０５で、ロードロックチャンバー２３はベントされ、大気圧にされる。

Ｓ２０６で、インナーケース１０はＥＦＥＭ１９に搬送され、アウターケース２００に収納される。このとき、固定ピン１０３がレチクル２の位置決め、固定に有効に作用する。インナーケース１０がＥＦＥＭ１９に搬送された時点では、レチクル２はベースプレート１００に対して位置決めされた状態ではない。しかし、ＥＦＥＭ１９でアウターケース２００の閉鎖動作を行う際に、まず、レチクル２のチャック面のＣ面１２０のエッジが、固定ピン１０３の傾斜角が４５°を超える第１傾斜面１２２と最初に接触する。この第１傾斜面１２２のガイド作用で、レチクル２は所定の位置決め位置に移動する。この位置決め動作が終了した後に、傾斜角が概略４５°の第２傾斜面１２１とＣ面１２０が接触することで、レチクル２は位置決め位置に固定される。Ｓ２０７で一連のレチクル搬送動作が終了する。

本実施形態によれば、二重ポッド３１内にレチクル２を収納する際、固定ピン１０３を用いることで、レチクル２をベースプレート１００に対して位置決めし、固定することが可能になる。この場合、レチクル２のチャック面のＣ面１２０に余分な力が加わることはないため、Ｃ面１２０と固定ピン１０３の接触部との間の摩擦・擦れによるパーティクルは発生しない。

（第２実施形態）
第１実施形態では、固定ピン１０３が傾斜角の異なる２つの傾斜面を有していた。しかし、固定ピンは、傾斜面を３つ以上有していてもよい。図１０で、第２実施形態の固定ピン１０３’は、レチクルを固定するための第２傾斜面１２１（長さＬ２，傾斜角θ２＝４５°）とレチクル２を位置決めするための第１傾斜面１２２（長さＬ１，傾斜角θ１）を有する。第２実施形態の固定ピン１０３’は、これら第１及び第２傾斜面１２２，１２１を接続する第３傾斜面１２３（長さＬ３，傾斜角θ３）をさらに有する。この場合、それぞれの傾斜角は、θ１＞θ３＞θ２の関係を満たしている。したがって、第３傾斜面１２３と第１傾斜面１２２とが固定ピン１０３’の外に成す角、及び、第３傾斜面１２３と第２傾斜面１２１とが固定ピン１０３’の外に成す角は、ともに１８０°未満である。図１０では１つの第３傾斜面１２３しか示されていないが、第３傾斜面１２３の数は２以上でもよく、少なくとも１つであればよい。

第３傾斜面１２３を形成することで、アウターケース２００の閉鎖動作の中で、固定ピン１０３’が下方に動きながらレチクル２を位置決めし、その後レチクル２を固定する動作に移る際に、固定ピン１０３’の滑らかな動作が期待できる。第３傾斜面１２３は、平面である必要がなく、例えば曲率を持たせた曲面とすることで、第１傾斜面１２２と第２傾斜面１２１を滑らかに補間することも可能である。

固定ピン１０３’に、第３傾斜面１２３を設けることにより、レチクル２の位置決め動作からレチクル２の固定動作へ移る際に、固定ピン１０３’が滑らかに動くので、パーティクルの発生をさらに低減することが可能になる。また、第３傾斜面１２３に曲率を持たせることで、固定ピン１０３’の動きがさらに滑らかになり、パーティクルの発生をより一層低減可能である。

（第３実施形態）
第１及び第２実施形態では、固定ピン１０３のレチクル２と接触する部分に２つ以上の傾斜面を設けることにより、アウターケース２００の閉鎖動作中に、レチクル２をベースプレート１００に対し位置決めし、固定する。これに対して第３実施形態では、レチクル２を位置決めする機能を、インナーカバー１０４に設置された固定ピン１０３ではなく、ポストピン１０１のレチクル２と接触する部分に２つ以上の傾斜面を形成することで発揮させることを特徴とする。すなわち、従来、ベースプレート１００上でレチクル２の極端な横ずれを阻止する目的で設けられていたポストピン（図４の１０１ａ〜１０１ｈ）に、レチクル２を位置決めする機能を持たせる。

図１１は、第３実施形態のポストピン（第２位置決め部材）１０１の断面を示している。ポストピン１０１は、レチクル２のＣ面と最初に接触する第１傾斜面１４２と、第１傾斜面１４２より下方に形成されて第１傾斜面１４２より後にＣ面と接触する第２傾斜面１４１とを含む。第２傾斜面１４１は、ベースプレート１００の上面に対する仰角としての第２傾斜角θ２（＝４５°）と長さＬ２を有している。ポストピン１０１における傾斜面の傾斜角は、ベースプレート１００の上面（通常水平面）に対する同一方位での仰角として定義する。傾斜面の長さは、第１、第２実施形態と同様である。第２傾斜面１４１の傾斜角θ２はレチクル２の６０２５基板の規格になっているレチクル２のＣ面の角度と略同一である。第２傾斜面１４１の長さＬ２はＣ面の幅とほぼ同等がそれ以上の長さを有す。また、第１傾斜面１４２は第２傾斜角θ２（＝４５°）よりも大きい第１傾斜角θ１および長さＬ１を有する。したがって、第１傾斜面１４２と第２傾斜面１４１とがポストピン１０１の外に成す角は１８０°未満である。

図１２は、このポストピン１０１を用いてレチクル２をベースプレート１００に対して位置決めする方法を示している。状態Ａで、レチクル２がベースプレート１００に置かれる直前でレチクル２がベースプレート１００に対して位置決めされていない状態を示す。このときの位置ずれ量を、レチクル２が位置決めされる位置を基準にしてΔｘとする。状態Ｂは、ポストピン１０１の第１傾斜面１４２とレチクル２の下面縁部のＣ面１４０とが接触している状態を示している。この状態からレチクル２が不図示のレチクル支持機構により下方に下りてくる。この時レチクル２は、ポストピン１０１の第１傾斜面１４２と、レチクル２の下部のＣ面１４０のエッジで接触する。第１傾斜面１４２の傾斜角θ１が４５°よりも大きいので、ポストピン１０１が受けるレチクル２の重力の反作用による力の大部分は水平方向の分力となる。したがって、レチクル２は不図示のレチクル支持機構上で水平方向（図では左方向）に容易に移動することできる。つまり、この第１傾斜面１４２は、レチクル２を位置決めするためのガイドの役割を果たす。

状態Ｃでは、レチクル２のベースプレート１００上での位置決めが完了している。略同じ傾斜角４５°を有する第２傾斜面１４１とレチクル２のＣ面１４０とは十分な接触面積を有するので、レチクル２は位置決め位置で横ずれがしにくい状態となる。その後インナーカバー１０４に設置された固定ピン１０３ａがレチクル２を上方から押すのでレチクル２は位置決め位置に固定される。レチクル２が位置決め位置からΔｘずれている場合、第１傾斜面１４２の長さＬ１は（Δｘ／ｃｏｓθ１）以上であることが必要とされる。

本実施形態では、図１１の断面形状を有したポストピン１０１を説明したが、ポストピン１０１は、レチクル２のマスク面側のＣ面１４０と接する接触部に、傾斜角が互いに異なる２つ以上の傾斜面を有していれば、これに限定されるものではない。ポストピン１０１のレチクル２と接する部分は、レチクル２をベースプレート１００上に置く際に、位置決めするという機能を果たすために、前述の実施形態と同様、耐摩耗性、低摩擦、低発塵性に優れた材料としうる。図１１のポストピン１０１を用いて位置決めされたレチクル２、インナーカバー１０４、ベースプレート１００の相対的な配置状態を図１３に示す。本実施形態では、前述のようにレチクル２がベースプレート１００に置かれることによってレチクル２の自重により位置決めされるので固定ピン１０３ａは従来と同様の構成で構わない。

本実施形態によれば、二重ポッド３１内にレチクル２を収納する際、ポストピン１０１を用いることで、レチクル２をベースプレート１００上で容易に位置決めしうる。本実施形態では、位置決めの際にレチクル２のチャック面のＣ面に余分な力が加わることはないため、Ｃ面と固定ピン１０３ａの接触部との間の摩擦・擦れによるパーティクルが発生しない。

本実施形態では、第１傾斜面１４２は第２傾斜面１４１に直接接続されている。しかし、第１傾斜面１４２と第２傾斜面１４１とを、少なくとも１つの第３傾斜面によって接続してもよい。その場合、第３傾斜面を含む平面と第１傾斜面を含む平面とがポストピン１０１の外に成す角、及び、第３傾斜面を含む平面と第２傾斜面を含む平面とがポストピン１０１の外に成す角は１８０°未満である。また、第１傾斜面と第２傾斜面とを曲面によって接続してもよい。

［デバイス製造方法］
次に、デバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程とを含む。また、前工程は、レチクルを検査する工程をも含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程とを含む。本実施形態のデバイス製造方法は、従来の方法に比べて、デバイスの性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。例えば、以上では、露光装置を例に本発明の実施形態を説明したが、デバイス製造工程においてレチクルを取り扱うデバイス製造装置一般に本発明は適用できる。その場合、当該デバイス製造装置は、上述した露光装置のように、本発明の容器にレチクルを収納する収納機構を備えていればよい。当該デバイス製造装置は、例えば、レチクルを洗浄または検査する装置であってもよい。

Claims (11)

1. レチクルを収容するインナーケースと該インナーケースを収容するアウターケースとを含む容器であって、
   前記レチクルは、その縁部に面取り部が形成され、
   前記アウターケースは、蓋部材と該蓋部材の下方に配置されるベース部材とを含み、
   前記インナーケースは、前記レチクルの下面を保護するベースプレートと、前記ベースプレートの上方に配置されて前記レチクルの上面を保護するインナーカバーと、前記インナーカバーに設置され、前記インナーケースを収容した前記アウターケースを前記蓋部材により閉鎖することによって前記蓋部材の下面に構成された押し付け部で下方に押されて前記面取り部と接触して前記レチクルを位置決めする第１位置決め部材と、
   を含み、
   前記第１位置決め部材は、前記面取り部との接触面が前記ベースプレートの上面に対して同一方位での仰角をもって傾斜し、前記第１位置決め部材が前記押し付け部で押されたて前記面取り部と最初に接触する第１傾斜面と、該第１傾斜面より上方に形成されて前記第１傾斜面より後に前記面取り部と接触する第２傾斜面と、を含み、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とが前記第１位置決め部材の外に成す角は１８０°未満である、
   ことを特徴とする容器。
2. 前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とは、第３傾斜面によって接続されており、前記第３傾斜面と前記第１傾斜面とが前記第１位置決め部材の外に成す角、及び、前記第３傾斜面と前記第２傾斜面とが前記第１位置決め部材の外に成す角は１８０°未満である、ことを特徴とする請求項１に記載の容器。
3. 前記第１傾斜面、前記第２傾斜面、および、それらの間にある面の少なくとも一つは、曲面をなす、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の容器。
4. 前記ベースプレートに対する前記レチクルの許容可能な位置ずれ量をΔｘとし、前記第１傾斜面の長さをＬ１とし、前記第１傾斜面の前記仰角をθ１とするとき、Ｌ１およびθ１は、
   Ｌ１×ｃｏｓθ１≧Δｘ
   を満たす、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の容器。
5. レチクルを収容するインナーケースと該インナーケースを収容するアウターケースとを含む容器であって、
   前記レチクルは、その縁部に面取り部が形成され、
   前記アウターケースは、蓋部材と該蓋部材の下方に配置されるベース部材とを含み、
   前記インナーケースは、前記レチクルの下面を保護するベースプレートと、前記ベースプレートの上方に配置されて前記レチクルの上面を保護するインナーカバーと、前記ベースプレートに設置され、前記面取り部と接触して前記レチクルを位置決めするする第２位置決め部材と、
   を含み、
   前記第２位置決め部材は、前記面取り部との接触面が前記ベースプレートの上面に対して同一方位での仰角をもって傾斜し、前記インナーケースに置かれる前記レチクルの前記面取り部と最初に接触する第１傾斜面と、該第１傾斜面より下方に形成されて前記第１傾斜面より後に前記面取り部と接触する第２傾斜面とを含み、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とが前記第２位置決め部材の外に成す角は１８０°未満である、
   ことを特徴とする容器。
6. 前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とは、第３傾斜面によって接続されており、前記第３傾斜面と前記第１傾斜面とが前記第２位置決め部材の外に成す角、及び、前記第３傾斜面と前記第２傾斜面とが前記第２位置決め部材の外に成す角は１８０°未満である、ことを特徴とする請求項５に記載の容器。
7. 前記第１傾斜面、前記第２傾斜面、および、それらの間にある面の少なくとも一つは、曲面をなす、ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の容器。
8. 前記ベースプレートに対する前記レチクルの許容可能な位置ずれ量をΔｘとし、前記第１傾斜面の長さをＬ１とし、前記第１傾斜面の前記仰角をθ１とするとき、Ｌ１およびθ１は、
   Ｌ１×ｃｏｓθ１≧Δｘ
   を満たす、ことを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の容器。
9. レチクルを介して基板を露光する露光装置であって、
   請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の容器に前記レチクルを収納する収納機構を備える、ことを特徴とする露光装置。
10. 請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
11. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の容器に前記レチクルを収納する収納機構を備える、ことを特徴とするデバイス製造装置。

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