JP2012186285A - Through-hole substrate, through wiring board, electronic component, manufacturing method of substrate, and inspection method of through hole - Google Patents
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Abstract
【課題】貫通孔内の状態を確認できる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法の提供。
【解決手段】(1)基板1の一面1aから他面1bにかけて貫通孔4が形成され、一面1aにおける貫通孔4の開口部5を覆う導電パターン2が配された貫通孔基板であって、導電パターン2には、貫通孔4を一面1a側から観察可能な切抜き3が形成されていることを特徴とする貫通孔基板。(2)切抜き3において、開口部5の縁が観察可能であることを特徴とする(1)に記載の貫通孔基板。
【選択図】図2Provided are a through-hole substrate, a through-wiring substrate, an electronic component, a substrate manufacturing method, and a through-hole inspection method that can confirm the state in the through-hole.
(1) A through-hole substrate in which a through-hole 4 is formed from one surface 1a to the other surface 1b of a substrate 1 and a conductive pattern 2 is disposed to cover an opening 5 of the through-hole 4 on the one surface 1a. A through-hole substrate, wherein the conductive pattern 2 is formed with a cutout 3 through which the through-hole 4 can be observed from the side 1a. (2) In the cutout 3, the edge of the opening 5 can be observed.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法に関する。 The present invention relates to a through-hole substrate, a through-wiring substrate, an electronic component, a substrate manufacturing method, and a through-hole inspection method.
従来技術として、基板の一面に配置された電極パッドと、基板の他面から一面にかけて貫通し、電極パッドと電気的に接続された貫通配線と、を備えた貫通配線基板が開示されている(特許文献1)。貫通配線は、基板の他面から電極パッドに向けて貫通孔を形成し、その貫通孔の内部に導電性物質を充填することによって形成される。 As a conventional technique, there is disclosed a through wiring substrate including an electrode pad arranged on one surface of the substrate and a through wiring that penetrates from one surface of the substrate to the other surface and is electrically connected to the electrode pad ( Patent Document 1). The through wiring is formed by forming a through hole from the other surface of the substrate toward the electrode pad and filling the inside of the through hole with a conductive substance.
近年、半導体装置の一層の小型化によって、基板内の貫通配線のサイズも微細化が進んでいる。これに伴い、貫通孔が基板の表面に開口する開口部の口径も小さくなっている。半導体装置を製造する一般的な方法として、基板の一面に表面配線を設けた後、基板の他面から一面へ貫通孔を形成し、該貫通孔へ導電性物質を配する方法がある。通常、金属の薄膜からなる表面配線で形成した電極パッドは、貫通孔の開口部よりも一回り以上大きく形成されるので、電極パッドによって開口部が完全に覆われた状態になる。このため、基板の一面側から電極パッドを光学的に観察した場合、微細孔中に導電性物質が配されていること、電極パッドと貫通配線とが接続していることを確認できないという問題がある。 In recent years, with further miniaturization of semiconductor devices, the size of the through wiring in the substrate has also been miniaturized. Along with this, the diameter of the opening where the through hole opens on the surface of the substrate is also reduced. As a general method for manufacturing a semiconductor device, there is a method in which a surface wiring is provided on one surface of a substrate, a through hole is formed from the other surface of the substrate to one surface, and a conductive material is disposed in the through hole. Usually, an electrode pad formed of a surface wiring made of a metal thin film is formed at least one size larger than the opening of the through hole, so that the opening is completely covered by the electrode pad. For this reason, when the electrode pad is optically observed from one surface side of the substrate, there is a problem that it is not possible to confirm that the conductive material is arranged in the fine hole and that the electrode pad and the through wiring are connected. is there.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、貫通孔内の状態を容易に確認できる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法の提供を課題とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object to provide a through-hole substrate, a through-wiring substrate, an electronic component, a substrate manufacturing method, and a through-hole inspection method that can easily check the state in the through-hole. And
本発明の請求項1に記載の貫通孔基板は、基板の一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配された貫通孔基板であって、前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されていることを特徴とする。
この構成において、基板の二つの主面である一面から他面にわたって貫通孔が形成されており、該貫通孔が一面に開口する開口部を覆う導電パターンが配されている。そして、この導電パターンには貫通孔の内部を視認できる切抜きが形成されているので、基板の一面側から導電パターンを光学的に観察することで容易に貫通孔内の状態を観察できる。
The through hole substrate according to
In this configuration, a through-hole is formed from one surface, which is the two main surfaces of the substrate, to the other surface, and a conductive pattern is provided to cover an opening where the through-hole opens on one surface. And since the cutout which can visually recognize the inside of a through-hole is formed in this conductive pattern, the state in a through-hole can be easily observed by optically observing a conductive pattern from the one surface side of a board | substrate.
本発明の請求項2に記載の貫通孔基板は、請求項1において、前記切抜きにおいて、前記開口部の縁が観察可能であることを特徴とする。
この構成によれば、開口部の縁を観察することによって、切抜きを通して貫通孔内の状態を観察できると共に、貫通孔の形成不良が発生し易い開口部の縁が設計通りに形成されているか否かを検査できる。
The through hole substrate according to
According to this configuration, by observing the edge of the opening, it is possible to observe the state in the through hole through the cutout, and whether the edge of the opening that is liable to cause poor formation of the through hole is formed as designed. Can be inspected.
本発明の請求項3に記載の貫通孔基板は、請求項2において、前記切抜きが、前記開口部の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、切抜きを通して開口部の直径の両端を観察することによって、貫通孔内の状態を観察でき、貫通孔の形成不良が発生し易い開口部の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
The through hole substrate according to
According to this configuration, by observing both ends of the diameter of the opening through the cutout, it is possible to observe the state in the through hole, and whether the edge of the opening that is likely to cause poor formation of the through hole is formed as designed. Whether the size and position of the opening are as designed.
本発明の請求項4に記載の貫通孔基板は、請求項1〜3のいずれか一項において、前記導電パターンは、前記切抜きを2つ以上有することを特徴とする。
この構成によれば、2つ以上の切抜きを通して貫通孔内を観察できるので、貫通孔内の状態をより詳細に観察できる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the through hole substrate according to any one of the first to third aspects, the conductive pattern has two or more cutouts.
According to this configuration, since the inside of the through hole can be observed through two or more cutouts, the state in the through hole can be observed in more detail.
本発明の請求項5に記載の貫通配線基板は、請求項1〜4のいずれか一項に記載の貫通孔基板を用いて、該貫通孔基板の貫通孔の内部に、貫通配線が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、切抜きを通して、貫通孔内に配した導電性物質を観察できる。これによって、貫通配線の不良の有無を検査できる。
A through-wiring board according to
According to this configuration, the conductive substance disposed in the through hole can be observed through the cutout. Thereby, it is possible to inspect whether or not the through wiring is defective.
本発明の請求項6に記載の電子部品は、請求項5に記載の貫通配線基板から切り出された電子部品であって、前記貫通孔が少なくとも1つ含まれることを特徴とする。
この構成によれば、前記導電性パターンには切抜きが形成されているため、切抜きを通して、貫通孔内の状態を観察できる。
An electronic component according to a sixth aspect of the present invention is an electronic component cut out from the through wiring board according to the fifth aspect, and includes at least one through hole.
According to this configuration, since the cutout is formed in the conductive pattern, the state in the through hole can be observed through the cutout.
本発明の請求項7に記載の基板の製造方法は、基板の一面側に導電パターンを配置する工程A1と、前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程A2と、前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程A3と、を少なくとも有し、前記工程A1において、前記導電パターンに切抜きを形成し、前記工程A3において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記切抜きを通して前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成することを特徴とする。
この構成によれば、工程A3の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
The method for manufacturing a substrate according to
According to this configuration, after step A3, the inside of the through hole formed in the substrate can be observed to inspect for the presence or absence of defects such as poor formation of the through hole. Thereby, the quality of a through-hole board | substrate can be grasped | ascertained easily.
本発明の請求項8に記載の基板の製造方法は、請求項7において、前記工程A3の後に、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程A4を有していることを特徴とする。
この構成によれば、工程A3の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通孔基板を容易に選別することができる。
The substrate manufacturing method according to an eighth aspect of the present invention is the method according to the seventh aspect, further comprising a step A4 of inspecting the inside of the through hole from one surface side of the substrate after the step A3. And
According to this configuration, after step A3, the inside of the through hole formed in the substrate can be observed to inspect for the presence or absence of defects such as poor formation of the through hole. Thereby, while being able to grasp | ascertain the quality of a through-hole board | substrate easily, a defective through-hole board | substrate can be sorted out easily.
本発明の請求項9に記載の基板の製造方法は、請求項8において、前記工程A3において形成した前記貫通孔の内壁及び該貫通孔の内部に露呈させた前記導電パターンの下面を絶縁層で被覆した後に、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程A4を有していることを特徴とする。 According to a ninth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a substrate according to the ninth aspect, the inner wall of the through hole formed in the step A3 and the lower surface of the conductive pattern exposed in the through hole are formed with an insulating layer. After the coating, the method has a step A4 of inspecting the inside of the through hole from one surface side of the substrate.
本発明の請求項10に記載の基板の製造方法は、請求項7〜9のいずれか一項において、前記貫通孔の内部に貫通配線を形成する工程A5と、次いで、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程A6を有していることを特徴とする。
この構成によれば、工程A5の後で、基板内に形成した貫通孔の内部に配された導電性物質を観察して、貫通配線の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通配線基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通配線基板を容易に選別することができる。
A method for manufacturing a substrate according to a tenth aspect of the present invention is the method for manufacturing a substrate according to any one of the seventh to ninth aspects, wherein a step A5 of forming a through-wiring inside the through-hole is performed, It has process A6 which test | inspects the inside of the said through-hole.
According to this configuration, after step A5, the conductive substance disposed in the through hole formed in the substrate can be observed to inspect for the presence or absence of defects such as poor formation of the through wiring. As a result, the quality of the through wiring board can be easily grasped, and defective through wiring boards can be easily selected.
本発明の請求項11に記載の貫通孔の検査方法は、請求項1〜4に記載の貫通孔基板、請求項5に記載の貫通配線基板、又は請求項6に記載の電子部品において、前記一面側から前記切抜き通して前記貫通孔の内部を調べることを特徴とする。
これにより、貫通孔基板、貫通配線基板、及び電子部品の品質を容易に把握できると共に、不具合のある製品を容易に選別することができる。
The through-hole inspection method according to claim 11 of the present invention is the through-hole substrate according to
Thereby, while being able to grasp | ascertain the quality of a through-hole board | substrate, a through-wiring board, and an electronic component easily, a defective product can be sorted out easily.
本発明の貫通孔基板によれば、導電性パターンに切抜きが配されているので、該切抜きを通して、貫通孔内の状態を容易に検査できる。
本発明の貫通配線基板によれば、導電性パターンに切抜きが配されているので、該切抜きを通して、貫通孔の内部に配された導電性物質の状態を検査できる。これにより、貫通孔内に形成された貫通配線の状態を容易に検査できる。
本発明の電子部品によれば、貫通孔内に形成された貫通配線の状態を容易に検査することができる。
本発明の基板の製造方法によれば、貫通孔の状態又は貫通配線の状態を容易に検査できるので、貫通孔基板、及び貫通配線基板の品質を容易に把握することができる。
本発明の貫通孔の検査方法によれば、前記貫通孔基板、前記貫通配線基板、前記電子部品を構成する貫通孔の状態又は貫通配線の状態を容易に検査できる。これによって、前記貫通孔基板、前記貫通配線基板、及び前記電子部品の品質を容易に把握することができる。
According to the through hole substrate of the present invention, since the cutout is arranged in the conductive pattern, the state in the through hole can be easily inspected through the cutout.
According to the through wiring board of the present invention, since the cutout is arranged in the conductive pattern, the state of the conductive substance arranged inside the through hole can be inspected through the cutout. Thereby, the state of the through wiring formed in the through hole can be easily inspected.
According to the electronic component of the present invention, the state of the through wiring formed in the through hole can be easily inspected.
According to the substrate manufacturing method of the present invention, since the state of the through hole or the state of the through wiring can be easily inspected, the quality of the through hole substrate and the through wiring substrate can be easily grasped.
According to the through-hole inspection method of the present invention, it is possible to easily inspect the state of the through-hole or the through-wiring constituting the through-hole substrate, the through-wiring substrate, and the electronic component. Thereby, the quality of the through hole substrate, the through wiring substrate, and the electronic component can be easily grasped.
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。 The present invention will be described below based on preferred embodiments with reference to the drawings.
<<貫通孔基板>>
本発明にかかる貫通孔基板は、後述する電子部品30を切り出す前のウエハ基板である。その一例である貫通孔基板10の外形を図1に示す。
本発明にかかる貫通孔基板には、その一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配されている。つまり、基板の一面と他面とを結ぶように貫通孔が形成され、該貫通孔が前記一面に開口する開口部上に、導電パターンが配されている。また、前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されている。
<< Through-hole substrate >>
The through-hole substrate according to the present invention is a wafer substrate before cutting out an
In the through hole substrate according to the present invention, a through hole is formed from one surface to the other surface, and a conductive pattern covering the opening of the through hole on the one surface is disposed. That is, a through hole is formed so as to connect one surface and the other surface of the substrate, and a conductive pattern is arranged on an opening where the through hole opens on the one surface. The conductive pattern has a cutout through which the through hole can be observed from the one surface side.
<貫通孔基板の第一態様>
本発明にかかる貫通孔基板の第一態様として、貫通孔基板10Aの貫通孔の拡大図を図2に示す。図2(a)は、基板1の一面1a側から貫通孔4の開口部5を見た図である。図2(b)は、開口部5の直径を含む断面図である。
<First aspect of through-hole substrate>
As a first embodiment of the through hole substrate according to the present invention, an enlarged view of the through hole of the through
貫通孔4は、基板1の一面1aから他面1bにわたって形成されている。また、一面1aにおける貫通孔4の開口部5を覆う導電パターン2が配されている。導電パターン2からなる前記電極パッドには、貫通孔4を一面1a側から光学的に観察可能な切抜き3が形成されている。
基板1の一面1aには第一の絶縁層7が形成されており、その上に導電パターン2が配されている。貫通孔4の内壁には第二の絶縁層6が形成されている。導電パターン2は、電極パッドを構成するとともに、一面1aにおいて、配線(表面配線)を構成してもよい。該配線は、一面1a上に形成された複数の電極パッド間を電気的に接続してもよい。
The through
A first insulating
前記電極パッドには切抜き3が形成されているので、基板1の一面1a側から電極パッドを光学的に観察すると、切抜き3を通して、貫通孔4内の状態を観察できる。その結果、貫通孔4が設計通りに形成されているか否かを確認でき、形成した貫通孔4の位置ズレやエッチング残り等の不具合を発見した場合には、その貫通孔基板の使用を中止するか否かを判断できる。
Since the
一般に、ウエハ基板1に貫通孔4を形成する際には、後段で形成する電子部品30を複数含む広い範囲に対して、単一のリソグラフィマスクを使用する。このため、万一、リソグラフィマスクの位置がずれたまま貫通孔4をウエハ基板1に対して形成した場合には、全ての貫通孔4が位置ズレを生じた状態で形成される。したがって、基板1に形成された貫通孔4の位置ズレの有無を調べる場合には、少なくとも二つの貫通孔4についてのみ、切抜き3を利用して、位置ズレの有無を検査すればよい。このため、本発明の貫通孔基板10においては、形成される貫通孔4の少なくとも二つに、切抜き3が形成された導電パターン2が配されていればよい。また、切抜き3が形成された導電パターン2の、互いの離間距離が大きいほど、位置ズレの方向やズレ幅などのより正確な情報を得ることができる。
In general, when the through-
一方、前記位置ズレではなく、前記エッチング残りを検査する場合には、少なくとも一つの貫通孔4を検査する必要がある。よって貫通孔基板10において、切抜き3が形成された導電パターン2が少なくとも一つ配されていればよい。切抜き3が形成された導電パターン2が複数配されていれば、なおよい。全ての貫通孔4に対して切抜き3が形成された導電パターン2が配されていれば、さらによい。つまり、切抜き3が形成された導電パターン2が多く配されているほど、より多くの貫通孔を検査することができ、不具合の発生頻度や、基板面内における分布等の情報をより正確に得ることができる。
On the other hand, when inspecting the etching residue instead of the positional deviation, it is necessary to inspect at least one through
貫通孔基板10を構成する基板1(ウエハ基板)の材料は特に制限されず、例えばシリコン等の半導体基板、石英やパイレックス(登録商標)等のガラス基板、サファイア基板、樹脂基板等が挙げられる。
基板1が半導体基板である場合は、通常、その基板表面に絶縁層(酸化膜)を配する。例えばシリコン基板1の基板表面にはSiO2からなる酸化膜を配すればよい。一方、基板1がガラス基板等の絶縁性基板である場合は、絶縁層は不要である。
The material of the substrate 1 (wafer substrate) constituting the through-
When the
図2に示した第一態様の貫通孔基板10Aにおいて、矩形状の切抜き3の領域内の開口部5には第一の絶縁層7が描かれていない。これは、貫通孔4及び開口部5の形成時に第一の絶縁層7を除去したからである。本発明にかかる切抜き3内において、開口部5を覆う第一の絶縁層7はあってもよいし、無くてもよい。通常、第一の絶縁層7は光透過性であるため、その有無に関わらず、一面1a側から切抜き3を通して貫通孔4内を観察可能である。
In the through
一面1a上に配された導電パターン2の材料は、透明導電膜を適用することも可能であるが、金属層からなる導電パターン2が好適である。
前記金属層は、電極パッドや配線として使用される周知の金属が適用可能であり、例えば銅(Cu)、アルミニウム(Al)、アルミニウム(Al)を主成分とする合金等が挙げられる。前記電極パッドや前記配線は、スパッタ法やめっき法で形成した金属層を、例えばエッチング法やダマシン法等でパターニングしたものが適用できる。
As the material of the
For the metal layer, a well-known metal used as an electrode pad or a wiring can be applied. Examples thereof include copper (Cu), aluminum (Al), and an alloy mainly composed of aluminum (Al). As the electrode pad and the wiring, a metal layer formed by sputtering or plating and patterned by, for example, etching or damascene can be used.
切抜き3の形状は、貫通孔4内を観察可能な形状であれば特に制限されず、例えば矩形、楕円形、円形、星形、三日月形、円弧形、種々の多角形等が挙げられる。
The shape of the
切抜き3の面積は、開口部5の面積の1〜60%が好ましく、5〜40%がより好ましく、10〜30%がさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、貫通孔4内を観察することがより容易であり、上記範囲の上限値以下であると、電極パッド上に半田バンプやワイヤボンディングを形成した場合に、両者の電気的接続をより確実に取ることができる。
The area of the
切抜き3を配する位置は、貫通孔4内を観察することができる位置、すなわち開口部5上であれば特に制限されず、例えば以下に示す第二〜第八態様の切抜き3の位置が例示できる。
The position where the
図3に示した第二態様の貫通孔基板10Bにおいて、矩形状の切抜き3は、開口部5の縁が観察可能なように、開口部5の直上に形成されている。
この構成によれば、開口部5の縁を観察することによって、切抜き3を通して貫通孔4内の状態を観察できると共に、エッチング残りが生じ易い開口部5の縁が設計通りに形成されているか否かを検査できる。
In the through
According to this configuration, by observing the edge of the
図4に示した第三態様の貫通孔基板10Cにおいて、円弧状の切抜き3は、開口部5の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部5の直上に形成されている。また、導電パターン2の切抜き3内には、第一の絶縁層7が配されている。
この構成によれば、切抜き3及び第一の絶縁層7を通して、開口部5の直径の両端を観察することによって、貫通孔4内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部5の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部5の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
In the through
According to this configuration, by observing both ends of the diameter of the
なお、本発明の図(例えば図4)では、貫通孔4の内壁に形成した第二の絶縁層6の存在を示すために、第二の絶縁層6を誇張して厚く描いてある。実際に形成する第二の絶縁層6は薄い層(数ミクロン程度)であり、且つ透光性の層であるため、基板の一面1aから切抜き3を通して貫通孔4内を観察する際に、第二の絶縁層6が妨げとなることはない。
In the drawing of the present invention (for example, FIG. 4), the second insulating
図5に示した第四態様の貫通孔基板10Dにおいて、矩形状の第一の切抜き3a(3)及び第二の切抜き3b(3)は、開口部5の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部5の直上に形成されている。また、導電パターン2の切抜き3a,3b内には、第一の絶縁層7が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き3a及び第二の切抜き3b、並びに第一の絶縁層7を通して、開口部5の直径の両端を観察することによって、各切抜き3を通して貫通孔4内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部5の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部5の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、2つの切抜き3a,3bを利用できるので、貫通孔4内の観察が一層容易になる。
In the through
According to this configuration, by observing both ends of the diameter of the
Further, according to this configuration, since the two
図6に示した第五態様の貫通孔基板10Eにおいて、円弧状の第一の切抜き3a(3)、第二の切抜き3b(3)、第三の切抜き3c(3)、及び第四の切抜き3d(3)は、開口部5の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部5の直上にそれぞれ形成されている。また、導電パターン2の切抜き3a,3b,3c,3d内には、第一の絶縁層7が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き3a〜第四の切抜き3d、及び第一の絶縁層7を通して、開口部5の直径の両端を観察することによって、各切抜き3を通して貫通孔4内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部5の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部5の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、4つの切抜き3a,3b,3c,3dを利用できるので、貫通孔4内の観察が一層容易になる。
In the through-
According to this configuration, by observing both ends of the diameter of the
In addition, according to this configuration, since the four
図7に示した第六態様の貫通孔基板10Fにおいて、矩形状の第一の切抜き3a(3)、第二の切抜き3b(3)、第三の切抜き3c(3)、及び第四の切抜き3d(3)は、開口部5の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部5の直上にそれぞれ形成されている。また、導電パターン2の切抜き3a,3b,3c,3d内には、第一の絶縁層7が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き3a〜第四の切抜き3d、及び第一の絶縁層7を通して、開口部5の直径の両端を観察することによって、各切抜き3を通して貫通孔4内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部5の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部5の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、4つの切抜き3a,3b,3c,3dを利用できるので、貫通孔4内の観察が一層容易になる。
In the through
According to this configuration, by observing both ends of the diameter of the
In addition, according to this configuration, since the four
図8に示した第七態様の貫通孔基板10Gにおいて、導電パターン2からなる電極パッドは、第一の導電パターン2a(2)、第二の導電パターン2b(2)、及び第三の導電パターン2c(2)の三層からなる。各層はビアで電気的に接続されているので、最上層の導電パターン2cにワイヤボンディングや半田バンプを配した場合、それらは最下層の導電パターン2aとも電気的に接続される。各導電パターン2a,2b,2cからなる電極パッドには、同じ位置に、矩形状の第一の切抜き3a(3)、及び第二の切抜き3b(3)が形成されている。これらの切抜きは、開口部5の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部5の直上にそれぞれ形成されている。また、各導電パターン2の切抜き3a,3b内には、第一の絶縁層7が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き3a〜第四の切抜き3d、及び第一の絶縁層7を通して、開口部5の直径の両端を観察することによって、各切抜き3を通して貫通孔4内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部5の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部5の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、2つの切抜き3a,3bを利用できるので、貫通孔4内の観察が一層容易になる。
In the through
According to this configuration, by observing both ends of the diameter of the
Further, according to this configuration, since the two
図9に示した第八態様の貫通孔基板10Hにおいて、T字状の第一の切抜き3a(3)及び第二の切抜き3b(3)は、開口部5の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部5の直上に形成されている。また、導電パターン2の切抜き3a,3b内には、第一の絶縁層7が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き3a及び第二の切抜き3b、並びに第一の絶縁層7を通して、開口部5の直径の両端を観察することによって、各切抜き3を通して貫通孔4内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部5の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部5の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、2つの切抜き3a,3bを利用できるので、貫通孔4内の観察が一層容易になる。
In the through
According to this configuration, by observing both ends of the diameter of the
Further, according to this configuration, since the two
貫通孔基板10Hで例示したように、本発明における切抜きの形状は、閉じた形状(周囲が導電パターンで完全に囲まれている形状形状)であってもよいし、開いた形状(周囲が導電パターンで部分的に囲まれている形状)であってもよい。
本発明にかかる切抜きの形状が前記開いた形状である場合、切抜きの周囲が導電パターンで囲まれる割合(切抜きが実際に導電パターンで囲まれている周囲長÷その切抜きが閉じた形状であると仮定した場合の導電パターンで囲まれている周囲長×100%)としては、20〜99%が好ましく、40〜90%が好ましく、60〜80%がさらに好ましい。この範囲であると、電極パッドが半田バンプやワイヤボンディング等の外部接続端子と電気的に接続する際の、該電極パッドの実効面積を低くする程度が少なく、電気的接続に悪影響を与える虞が殆どない。
As exemplified in the through-
When the shape of the cutout according to the present invention is the open shape, the ratio of the periphery of the cutout surrounded by the conductive pattern (peripheral length in which the cutout is actually surrounded by the conductive pattern ÷ the cutout is a closed shape) Assuming that the surrounding length surrounded by the conductive pattern is 100%, 20 to 99% is preferable, 40 to 90% is preferable, and 60 to 80% is more preferable. Within this range, when the electrode pad is electrically connected to an external connection terminal such as a solder bump or wire bonding, the effective area of the electrode pad is small and there is a risk of adversely affecting the electrical connection. Almost no.
なお、図10に示した貫通孔基板100において、導電パターン102からなる電極パッドには、切抜きが配されていない。導電パターン102からなる電極パッドの面積は、開口部105よりも小さい。このため、該電極パッド上にワイヤボンディングや半田バンプ等の外部接続端子を載せるためには精度の高い作業が必要となり、それらの電気的接続が適切に行われない虞が高まる。
In the through
したがって、本発明における導電パターン2からなる電極パッドの面積は、開口部5の面積の100〜500%が好ましく、120〜400%がより好ましく、150〜300がさらに好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、電極パッドの上に前記外部接続端子をより確実に搭載することができる。上記範囲の上限値以下であると、電極パッドが基板の一面1aで不必要に多くの面積を占有することを避けることができ、他の配線と短絡することをより確実に防げる。
Therefore, the area of the electrode pad formed of the
The external connection terminal can be more reliably mounted on the electrode pad as the lower limit of the above range is exceeded. If it is below the upper limit of the above range, it can be avoided that the electrode pad occupies an unnecessarily large area on one
また、上記範囲の面積を有する導電パターン2からなる電極パッドを開口部5上に配することによって、開口部5の直上だけでなく、開口部5の近傍にも導電パターン2を配することになる。ここで、「開口部の近傍」とは、開口部の周縁から、該開口部の直径に相当する距離の範囲内を指すものとする。
In addition, by disposing the electrode pad formed of the
以上では、本発明にかかる貫通孔基板において、導電パターン2は開口部5の直上で電極パッドを形成している場合を説明した。しかし、開口部5の直上で導電パターン2が形成するものは、電極パッドに限定されず、例えば単なる配線であってもよい。該配線は、開口部5の直上において、前述の切抜き3を有することは言うまでもない。
In the above description, in the through-hole substrate according to the present invention, the
また、以上では、貫通孔基板の一面1aのみに、切抜き3を形成した導電パターン2を配した場合を説明した。しかし、貫通孔基板の一面1a及び他面1bの両方に、切抜き3を形成した導電パターン2を配してもよい。すなわち、切抜き3を形成した導電パターン2を配するのは、貫通孔4の一端側の開口部5のみでもよいし、貫通孔4の一端側の開口部5および他端側の開口部の両方であってもよい。
In the above description, the case where the
<<貫通配線基板>>
本発明にかかる貫通配線基板は、前述の本発明にかかる貫通孔基板10を用いて、該貫通孔基板10の貫通孔4の内部に、貫通配線8が形成されているものである。すなわち、後述する電子部品30を切り出す前のウエハ基板である。その一例である貫通配線基板20A(20)を図11に示す。
<< Penetration wiring board >>
The through wiring substrate according to the present invention is such that the through
本発明にかかる貫通配線基板20Aには、その一面1aから他面1bにわたって貫通孔4が形成され、一面1aにおける貫通孔4の開口部5を覆う導電パターン2が配されている。貫通孔4内には導電性物質からなる貫通配線8が形成されている。貫通配線8の一端は導電パターン2に電気的に接続し、貫通配線8の他端は他面1bに露呈している。導電パターン2には、貫通孔4を一面1a側から観察可能な、2つの切抜き3a(3)及び切抜き3b(3)が形成されている。
この構成によれば、切抜き3a,3bを通して、貫通孔4内に配した貫通配線8の一端をなす導電性物質を観察できる。これによって、貫通配線の不良の有無を検査できる。例えば、切抜き3が配された導電パターン2からなる電極パッドと貫通配線8とが電気的に接続されていることを検査できる。
In the through
According to this configuration, the conductive substance forming one end of the through
貫通配線基板20Aでは、切抜き3内に第一の絶縁層7が配されている。さらに、導電パターン2からなる電極パッドは第一の絶縁層7と同じ高さに形成されている。
本発明にかかる貫通配線基板は、図12に示す貫通配線基板20Bの様に、貫通配線8の一端の一部が、切抜き3を通して、一面1aに露呈していてもよい。また、導電パターン2からなる電極パッドは第一の絶縁層7の上に積層して形成されていてもよい。このことは、前述の本発明にかかる貫通孔基板10においても同様である。
In the through wiring substrate 20 </ b> A, the first insulating
In the through wiring board according to the present invention, a part of one end of the through
貫通配線8を構成する導電性物質は特に制限されず、例えばめっき法等で貫通配線8を形成する場合には、銅(Cu)が好適である。
The conductive material constituting the through
<<電子部品>>
本発明にかかる電子部品は、前述の本発明にかかる貫通配線基板20から切り出された電子部品30であって、前述の貫通配線8が少なくとも1つ含まれるものである。貫通配線基板20には通常、電子部品30を切り出すためのダイシングラインが形成されている。図1の基板の一面1aに描いた網目線は、このダイシングラインを表し、該網目線で区画された個々の領域が、本発明にかかる個々の電子部品30に相当する。本発明にかかる電子部品30には、切り出される前に、種々の半導体装置等が実装されていてもよい。
この構成によれば、導電性パターン2からなる電極パッドには切抜き3が形成されているため(不図示)、切抜き3を通して、電極パッドと貫通配線8とが電気的に接続していることを検査できる。
<< Electronic parts >>
The electronic component according to the present invention is an
According to this configuration, since the
本発明にかかる電子部品30の一例である電子部品30Aを図13に示す。また、図14に、電子部品30Aに配された貫通配線8付近を拡大した上面図(a)及び断面(b)を示す。
An
電子部品30Aの基板1には、一面1aから他面1bにわたって貫通配線8が2本配されている。各貫通配線8は貫通孔4内に形成されており、一面1aにおける貫通孔4の開口部5の直上には、導電パターン2からなる電極パッドが開口部5を覆うように配されている。該電極パッドに対して貫通配線8の一端が電気的に接続している。前記電極パッドの上には樹脂からなる接着層31が配され、さらに樹脂又はガラスからなる透光性の支持層32(透明基板32)が一面1aの全面を覆っている。一方、他面1bには貫通孔4の他端4bが開口部をなし、該開口部において他面1bに露呈する貫通配線8の他端は、表面配線を介して外部接続端子34と電気的に接続している。また、他面1bには表面配線を封止する封止樹脂層33が配されている。一面1aと透明基板32との間隙には、受光部35が実装されており、該受光部35と導電パターン2及び貫通配線8とは電気的に接続されている。つまり、電子部品30Aは受光素子である。
Two
この電子部品30Aにおいて、開口部5の直上の導電パターン2には切抜き3a,3bが形成されている。したがって、一面1a側から、透明基板32、接着層31、第一の絶縁層7、及び切抜き3a,3bを通して、貫通孔4内に配された貫通配線8の状態を光学的に観察することができる。
透光性の支持層32(透明基板32)及び接着層31は、透光性(光透過性)の材料からなる。該材料は、透明(無色)であっても透明でなくてもよく、特定波長の光を透過するものであってもよい。前記材料が着色している場合であっても、光が透過する程度に厚さが薄くなっていれば用いることができる。透光性の支持層32及び接着層31は、それぞれ透明な材料(無色の材料)からなるものが好ましい。透明な材料からなるものであると、基板1の一面1a側から、透光性の支持層32、接着層31、第一の絶縁層7及び切抜き3a,3bを通して貫通孔4を観察することがより容易にできる。
よって、電子部品30Aに限らず、本発明にかかる電子部品30、貫通配線基板20、及び貫通孔基板10の一面1a又は他面1bに、透明基板32や接着層31等の透明な支持部材(透光性の支持層)を配してあってもよい。
In the
The translucent support layer 32 (transparent substrate 32) and the
Therefore, not only the
電子部品30Aでは、2本の貫通配線8の開口部5の各々に、切抜き3a,3bが形成された導電パターン2が配されているが、必ずしも両方(全て)の貫通配線8に切抜き3a,3bが形成された導電パターン2が配されている必要はない。本発明にかかる電子部品30には、貫通孔4の開口部5に切抜き3が形成された導電パターン2を配した貫通配線8が、少なくとも1つ含まれていればよい。
また、導電パターン2に複数の切抜き3が形成されている場合、それらの切抜き3の形状は同一であってもよく、異なっていてもよい。このことは、本発明にかかる電子部品30、貫通配線基板20、及び貫通孔基板10のすべてに共通する。
In the
When a plurality of
<<基板の製造方法>>
本発明にかかる基板の製造方法は、基板の一面側に導電パターンを配置する工程A1と、前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程A2と、前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程A3と、を少なくとも有し、前記工程A3において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成するものである。
この構成によれば、工程A3の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
<< Substrate manufacturing method >>
The substrate manufacturing method according to the present invention includes a step A1 of disposing a conductive pattern on one surface side of the substrate, a step A2 of disposing a translucent support layer on the conductive pattern, and from one surface of the substrate to the other surface. A step A3 for forming a through hole, and in the step A3, an opening in which the through hole opens in the one surface is formed immediately below the conductive pattern, and a part of the opening is supported in the step A3. It is formed so that it can be observed from above the layer.
According to this configuration, after step A3, the inside of the through hole formed in the substrate can be observed to inspect for the presence or absence of defects such as poor formation of the through hole. Thereby, the quality of a through-hole board | substrate can be grasped | ascertained easily.
<基板の製造方法の第一態様>
本発明にかかる基板の製造方法の第一態様は、図15に示すように、基板1の一面1a側に導電パターン2を配置する工程A1と、導電パターン2上に透光性の支持層32を配置する工程A2と、基板1の一面1aから他面1bまで貫通孔4を形成する工程A3と、を少なくとも有し、工程A1において、導電パターン2に切抜き3を形成し、工程A3において、貫通孔4が一面1aに開口する開口部5を導電パターン2の直下に形成すると共に、切抜き3を通して、開口部の一部を支持層32の上から観察可能なように形成するものである。
この構成によれば、工程A3の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を、切抜きを通して観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
<First aspect of substrate manufacturing method>
As shown in FIG. 15, the first aspect of the method for manufacturing a substrate according to the present invention includes a step A <b> 1 in which the
According to this configuration, after step A3, the inside of the through-hole formed in the substrate can be observed through the cut-out to check for defects such as defective formation of the through-hole. Thereby, the quality of a through-hole board | substrate can be grasped | ascertained easily.
[第一態様の工程A1]
まず、シリコン(Si)からなるウエハ基板1を用意して、一面1aの表面に酸化膜(SiO2膜)からなる第一の絶縁層7を形成する。酸化膜を形成する方法は特に制限されず、例えばPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法等の公知の方法を適用できる。
[Step A1 of First Embodiment]
First, a
つづいて、第一の絶縁層7の上に、所望の形状の電極パッド又は配線をなす導電パターン2を配する〔図15(a)〕。導電パターン2を形成する領域は、後段の工程A3で形成する貫通孔4の開口部5の直上となる領域5aを少なくとも含む。該領域5aには、切抜き3を形成する。切抜き3の形状や配置は、前述の貫通孔基板10で説明した通りである。
Subsequently, a
導電パターン2を構成する材料は特に制限されないが、金属が好ましく、なかでもアルミニウム(Al)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)を主成分とする合金等がより好ましい。AlやCuは、導電性が高く、加工も容易である。つまり、導電パターン2は金属薄膜で構成することが好ましい。
Although the material which comprises the
導電パターン2を形成する方法は特に制限されず、例えばスパッタ法、CVD法、めっき法等の公知の成膜方法が適用できる。また、導電パターン2を所望の形状にパターニングする方法は特に制限されず、例えば公知のリソグラフィ法が適用可能である。このパターニングによって、所望の形状の切抜き3を導電パターン2に形成できる。
A method for forming the
[第一態様の工程A2]
つぎに、導電パターン2上及び/又は基板1上に、接着層31(接着剤)を配する。
接着層31の材料は、基板1と透光性の支持層32とを接着できるものであれば特に制限されないが、透光性の樹脂が好適である。透光性であれば、導電パターン2に形成した切抜き3を通して一面1a側から貫通孔4内を光学的に観察することを妨げない。
非透光性の接着層31を使用する場合は、切抜き3の上に該接着層31が配されることを避ける必要がある。この場合、例えば切抜き3の直上にマスクを配し、一面1a上の所定位置に接着層31となる硬化性樹脂を塗布した後、前記マスクを除く方法が例示できる。
[Step A2 of First Embodiment]
Next, an adhesive layer 31 (adhesive) is disposed on the
The material of the
When the non-light-transmitting
つづいて、透光性の支持層32(透明基板)を、接着層31を介して一面1aに接着して配置する〔図15(b)〕。
透光性の支持層32の材料は、貫通孔4内を観察する手段の光を透過するものであれば特に制限されない。好適なものとしては、例えば、ガラスや透明な樹脂が挙げられる。
透光性の支持層32は、接着層31を介して導電パターン2に形成された切抜き3の上に配置することが好ましい。これにより支持層32が切抜き3を固定又は支持できるので、後段の工程A3で貫通孔4を形成する際に、切抜き3の形状を保護(保持)することができる。つまり、工程A3において、切抜き3又は導電パターン2を損傷せずに、確実に貫通孔4を形成することが容易となる。
Subsequently, the translucent support layer 32 (transparent substrate) is disposed by being adhered to the one
The material of the
The
[第一態様の工程A3]
つぎに、基板1の他面1bから一面1aまで貫通孔4を形成する〔図15(c)〕。
貫通孔4が一面1aに開口する開口部5を、切抜き3が形成された導電パターン2の直下に形成すると共に、該切抜き3を介して、開口部5の一部を支持層32の上から観察可能なように形成する。
工程3A後に得られる基板は、本発明にかかる貫通孔基板10に相当する。
[Step A3 of First Embodiment]
Next, a through
An
The substrate obtained after step 3A corresponds to the through-
貫通孔4を形成する方法は特に制限されず、基板の材料に応じて、公知の方法を適用すればよい。例えばウェットエッチング法、RIE(Reactive Ion Etching)法、DRIE(Deep Reactive Ion Etching)法、レーザー改質およびウェットエッチングを用いたプロセス等が適用可能であり、適宜フォトリソグラフィを併用できる。
The method for forming the through
図15(c)では、SiO2からなる酸化膜(第一の絶縁層7)を除去して、貫通孔4内に導電パターン2の下面2pが露呈した状態になっている。このように露呈させることによって、後段の工程A5で貫通孔4内に配した導電性物質と導電パターン2の下面2pとを電気的に接続することができる。
本発明にかかる貫通孔基板10を製造する場合、導電パターン2の下面2pにある前記酸化膜は除去されていてもよいし、除去しなくてもよい。貫通孔基板10の製造段階で除去しない場合は、貫通配線8を形成する際に、前記酸化膜を除去すればよい。
In FIG. 15C, the oxide film (first insulating layer 7) made of SiO 2 is removed, and the
When manufacturing the through-hole board |
[第一態様の工程A4]
本発明にかかる基板の製造方法としては、工程A3の後に、基板1の一面1a側から貫通孔4の内部を検査する工程A4を有していることが好ましい。
一面1aには接着層31及び支持層32が配置されているので、これらを通して、支持層32の上から切抜き3を通して貫通孔4内の状態又は開口部5の一部及び周辺を検査する。
この検査によって、エッチングの状態、貫通孔4の位置精度、又は貫通孔4の状態等について、不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板10の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通孔基板10を容易に選別することができる。
[Step A4 of First Embodiment]
The substrate manufacturing method according to the present invention preferably includes a step A4 for inspecting the inside of the through-
Since the
By this inspection, it is possible to inspect for defects in the etching state, the positional accuracy of the through
貫通孔4内を検査する具体的な方法としては、例えば他面1b側から貫通孔4内に可視光を照射して、一面1a側から切抜き3を通過してくる前記可視光を、CCDカメラを搭載した顕微鏡等で観察する方法が挙げられる。また、別の方法としては、例えば一面1a側から貫通孔4内又は開口部5の一部及び周辺に可視光を照射して、切抜き3を通して開口部5周辺から反射してくる前記可視光を、CCDカメラを搭載した顕微鏡等によって、一面1a側から観察する方法が挙げられる。
As a specific method for inspecting the inside of the through
[第一態様の工程A5]
工程A3又は工程A4につづいて、貫通孔4の内部に貫通配線8を形成する〔図15(d)〕。
基板1が半導体基板である場合は、貫通配線8を形成する前に、貫通孔4の内壁を第二の絶縁層6(酸化膜)で覆う必要がある。第二の絶縁層6を形成後、導電パターン2の下面2pを覆う領域のみ、該第二の絶縁層6を除去する。第二の絶縁層6の形成及び除去は公知の方法が適用できる。例えば、第二の絶縁層6の形成には、PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition)を適用できる。第二の絶縁層6の除去には、RIE(Reactive Ion Etching)法を適用できる。貫通孔4内に導電性物質を配して貫通配線8を形成する方法としては特に制限されず、例えば公知の方法が適用できる。例えば、めっき法、スパッタ成膜法、CVD法、溶融金属充填法、等の手法を適用できる。
[Step A5 of First Embodiment]
Subsequent to the step A3 or the step A4, the through
When the
貫通孔4の内部を検査する工程A4は、第二の絶縁層6を形成した後に行ってもよい。一般的に、第二の絶縁膜6の材料はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜であり、また、その厚さも数ミクロンである。そのため、第二の絶縁膜6を通して貫通孔4の内部を検査することができる。第二の絶縁層6を形成した後であれば、導電パターン2の下面2pが第二の絶縁層6によって被覆された状態で工程A4を行うことができる。したがって、導電パターン2の下面2pが長時間に渡って大気に曝されることがないため、導電パターン2の下面2pが酸化して劣化する不具合を防止することができる。
The step A4 for inspecting the inside of the through
[第一態様の工程A6]
本発明にかかる基板の製造方法としては、工程A5の後に、基板1の一面1a側から貫通孔4を検査する工程A6を有していることが好ましい。
一面1aには接着層31及び支持層32が配置されているので、これらを通して、支持層32の上から切抜き3を通して貫通孔4内の状態を検査する。
この検査によって、エッチングの状態、貫通孔の位置精度、貫通配線8の状態、又は貫通配線8と導電パターン2との電気的接続等について、不具合の有無を検査できる。これにより、貫通配線基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通配線基板を容易に選別することができる。
[Step A6 of First Embodiment]
The substrate manufacturing method according to the present invention preferably includes a step A6 of inspecting the through
Since the
By this inspection, it is possible to inspect for defects in the etching state, the position accuracy of the through hole, the state of the through
貫通孔4内を検査する具体的な方法としては、例えば一面1a側から貫通孔4に可視光を照射して、切抜き3を通して開口部5周辺から反射してくる前記可視光を、CCDカメラを搭載した顕微鏡等によって、一面1a側から観察する方法が挙げられる。
この貫通孔4の検査方法は、本発明の貫通孔基板10、貫通配線基板20、又は電子部品30において、一面1a側から切抜き3通して貫通孔4の内部を調べること方法として適用可能である。
As a specific method for inspecting the inside of the through
This inspection method of the through
<基板の製造方法の第二態様>
本発明にかかる基板の製造方法の第二態様は、基板1の一面1a側に導電パターン2として透明導電膜を配置する工程A1と、導電パターン2上に透光性の支持層32を配置する工程A2と、基板1の一面1aから他面1bにわたって貫通孔4を形成する工程A3と、を少なくとも有し、工程A3において、貫通孔4が一面1aに開口する開口部5を導電パターン2の直下に形成すると共に、開口部の一部を支持層32の上から観察可能なように形成するものである。
導電パターン2に透明導電膜を採用しているので、切抜き3を形成しなくとも、透明導電膜を透過する可視光線を用いて、一面1a側から開口部5の一部又は貫通孔4内を観察することができる。
前記透明導電膜としては、ITO膜(酸化インジウムスズ膜)やFTO膜(フッ素ドープ酸化スズ膜)が適用可能である。工程A1〜A3の具体的な方法は、第一態様と同様である。
<Second aspect of substrate manufacturing method>
In the second aspect of the substrate manufacturing method according to the present invention, a process A1 in which a transparent conductive film is disposed as the
Since a transparent conductive film is employed for the
As the transparent conductive film, an ITO film (indium tin oxide film) or an FTO film (fluorine-doped tin oxide film) can be applied. The specific method of process A1-A3 is the same as that of a 1st aspect.
本発明にかかる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、及び基板の製造方法は、受光素子を備えた電子回路等の製造に広く利用することができる。 The through-hole substrate, the through-wiring substrate, the electronic component, and the substrate manufacturing method according to the present invention can be widely used for manufacturing an electronic circuit or the like provided with a light receiving element.
1…基板、1a…基板の一面、1b…基板の他面、2,2a,2b,2c…導電パターン、2p…導電パターンの下面、3,3a,3b,3c,3d…切抜き、4…貫通孔、4a…貫通孔の一端、4b…貫通孔の他端、5…開口部、6…第二の絶縁層、7…第一の絶縁層、8…貫通配線、10,10A〜10H…貫通孔基板、20,20A,20B…貫通配線基板、30,30A…電子部品、31…透光性の接着層、32…透光性の支持層(透明基板)、33…封止樹脂、34…外部接続端子、35…受光部、100…貫通孔基板、101…基板、101a…基板の一面、101b…基板の他面、102…導電パターン、104…貫通孔、106…第二の絶縁膜、107…第一の絶縁膜。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されていることを特徴とする貫通孔基板。 A through hole substrate in which a through hole is formed from one surface of the substrate to the other surface, and a conductive pattern covering the opening of the through hole on the one surface is disposed,
A through-hole substrate, wherein the conductive pattern is formed with a cutout through which the through-hole can be observed from the one surface side.
前記貫通孔が少なくとも1つ含まれることを特徴とする電子部品。 An electronic component cut out from the through wiring board according to claim 5,
An electronic component comprising at least one through hole.
前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程A2と、
前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程A3と、
を少なくとも有し、
前記工程A1において、前記導電パターンに切抜きを形成し、
前記工程A3において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記切抜きを通して前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成することを特徴とする基板の製造方法。 A step A1 of disposing a conductive pattern on one side of the substrate;
A step A2 of disposing a translucent support layer on the conductive pattern;
Forming a through hole from one surface to the other surface of the substrate; and
Having at least
In the step A1, a cut is formed in the conductive pattern,
In the step A3, an opening where the through-hole opens on the one surface is formed immediately below the conductive pattern, and a part of the opening is formed so as to be observable from above the support layer through the cutout. A method for manufacturing a substrate, comprising:
前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程A4を有していることを特徴とする請求項7に記載の基板の製造方法。 After step A3,
8. The method of manufacturing a substrate according to claim 7, further comprising a step A4 of inspecting the inside of the through hole from one surface side of the substrate.
前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程A4を有していることを特徴とする請求項8に記載の基板の製造方法。 After covering the inner wall of the through hole formed in step A3 and the lower surface of the conductive pattern exposed in the through hole with an insulating layer,
9. The method of manufacturing a substrate according to claim 8, further comprising a step A4 of inspecting the inside of the through hole from one surface side of the substrate.
次いで、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程A6を有していることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板の製造方法。 A step A5 of forming a through wiring inside the through hole;
Then, it has process A6 which test | inspects the inside of the said through-hole from the one surface side of the said board | substrate, The manufacturing method of the board | substrate as described in any one of Claims 7-9 characterized by the above-mentioned.
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| US9890037B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-02-13 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Physical quantity sensor |
| JPWO2016051781A1 (en) * | 2014-10-03 | 2017-07-20 | 日本板硝子株式会社 | Manufacturing method of glass substrate with through electrode and glass substrate |
| JP2020092270A (en) * | 2014-10-03 | 2020-06-11 | 日本板硝子株式会社 | Glass substrate with conductive part |
| JP2016092061A (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | 株式会社東芝 | Semiconductor device and solid-state imaging device |
| CN105609512A (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-25 | 株式会社东芝 | Semiconductor device, solid-state imaging device and camera module |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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