JP2012151440A - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents
液処理装置および液処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012151440A JP2012151440A JP2011240333A JP2011240333A JP2012151440A JP 2012151440 A JP2012151440 A JP 2012151440A JP 2011240333 A JP2011240333 A JP 2011240333A JP 2011240333 A JP2011240333 A JP 2011240333A JP 2012151440 A JP2012151440 A JP 2012151440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- gas
- wafer
- discharged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H10P50/242—
-
- H10P72/0414—
-
- H10P50/00—
-
- H10P72/7608—
-
- H10P72/7624—
-
- H10P72/7626—
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板洗浄装置(10)は、基板保持部に保持された基板(W)の下方に位置して基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成されたノズル(60)を備える。ノズルは、液体を吐出するための複数の液体吐出路(67a)と、気体を吐出するための複数の気体吐出路(67b)とを有している。ノズルは、複数の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の液体吐出口(61)を有している。液体吐出口は、基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されている。液体吐出口は、気体吐出路に気体が供給されずに液体吐出路に液体が供給されているときに、液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている。
【選択図】図10
Description
すなわち、図2Cにおいて基板保持部材31によりウエハWに対して図2Cにおける左方向に力が加えられ、これによりウエハWは2つの固定保持部材37に押し付けられる。このように、可動の基板保持部材31および固定保持部材37の両方を用いてウエハWを側方から保持する場合には、固定保持部材37を用いずに複数の可動の基板保持部材31だけを用いてウエハWを側方から保持する場合と比較して、ウエハWに対して移動(進退)する部材の数を1つのみとすることができるので、よりシンプルな構成でウエハWの保持を行うことができる。
処理流体供給管40の上端には後に詳述する棒状ノズル60が取り付けられている。
第1の吐出モードでは、処理流体供給管40の液体供給路40aに薬液例えばDHFを供給し、気体供給路40bには何も供給しない。この場合、棒状部分60Aにおいては、液体通路66aおよびこれに接続された各液体吐出路67aを経て、図11(b)に示すように薬液が各吐出口61からウエハWの下面に向けて吐出される。ここで、液体吐出路67aはウエハWの回転方向に傾斜しており、かつ、吐出口61は液体吐出路67aを流れる薬液を偏向しないように設けられているため、薬液が吐出口61から斜めに吹き出す。薬液の吐出方向を示すベクトルは、ウエハWの回転方向の成分を有している。すなわち、吐出口61からウエハWの下面に向けて吐出される液体の吐出方向は、ウエハWの下面に対して或る角度(例えば25〜35度)を成して傾斜している。(なお、ここで液体の吐出方向とウエハの下面とが成す角度は、ウエハWの回転方向と液体の吐出方向が互いに平行であってかつ同じ方向を向いている場合に0度と定義する。従って、液体が真上に吐出される場合には前記角度は90度であり、また、液体の吐出方向がウエハの回転方向と逆向きの成分を有する場合には、前記角度は90度より大きい。なお、本明細書において、この吐出方向についての前記角度に関する定義は二流体が吐出される場合についても適用する。)このような態様で薬液をウエハWに向けて吐出することにより、ウエハWの下面に衝突した薬液がウエハWに弾かれること(液はね)を抑制することができ、吐出した薬液を無駄にすることなく吐出した薬液の多くをウエハWの処理に有効に利用することができる。なお、薬液の吐出方向がウエハWの回転方向の成分を持つことにより、一旦ウエハWに到達した薬液がウエハWから落下して棒状ノズル60の棒状部分60Aに再付着することを低減することができる。ウエハWからの薬液の落下は、ウエハWに到達した時点およびその直後に生じやすいからである。
第2の吐出モードでは、処理流体供給管40の液体供給路40aにDIWを供給し、気体供給路40bにN2ガスを供給する。この場合、図13(a)に示すように、棒状部分60Aにおいては、液体通路66aおよびこれに接続された各液体吐出路67aを経てDIWが各吐出口61に導かれる一方で、気体通路66bおよびこれに接続された各気体吐出路67bを経てN2ガスが各吐出口61に導かれる。ウエハWの回転方向と同じ方向の成分を含む吐出方向で液体吐出路67aから吐出口61を介して吐出するDIWと、ウエハWの回転方向と逆方向の成分を含む吐出方向で気体吐出路67bから吐出口61を介して吐出するN2ガスとが吐出口61で衝突し、DIWとN2ガスからなるミスト状の混合流体すなわち二流体スプレーが形成される。この場合、DIWとN2ガスとの衝突により、二流体スプレーは扇状に広がりつつ上方に向かう。二流体スプレーの衝突エネルギーにより、ウエハWの下面を洗浄することができる。この場合、二流体スプレーの吐出方向(主方向)を示すベクトルは概ね鉛直方向上方を向いていて(すなわち二流体スプレーの吐出方向がウエハWの下面と成す角度が大きい)ウエハWの回転方向の成分を殆ど有していないが、二流体スプレーによる洗浄効果は二流体スプレーの衝突エネルギーに依存しているため、この方が好ましい。なお、二流体スプレーの吐出方向(主方向)を示すベクトルが、ウエハWの回転方向と逆方向の成分を有していることも好ましい。
このようにして、基板保持部材31の基板保持部分31bがウエハWに向かって当該ウエハWの側方から移動し(図7参照)、基板保持部材31によりウエハWは側方から保持される(図8参照)。このときに、基板保持部材31により側方から保持されたウエハWはリフトピン22から上方に離間する。なお、通常、ウエハWは、その「表面」(デバイスが形成される面)が「上面」となり、その「裏面」(デバイスが形成されない面)が「下面」となるように、保持プレート30により保持される。本明細書において、用語「上面(下面)」は、単に、ある時点において上(下)を向いている面という意味で用いられる。
31、37 保持部材(基板保持部材、固定保持部材)
39 回転駆動部
60 第1のノズル(棒状ノズル)
60A 第1のノズルの棒状部分
61 第1の液体吐出口
67a 液体吐出路
67b 気体吐出路
62 第2の液体吐出口
70 液体供給機構
70a 第1の液体供給部
70b 第2の液体供給部
72a、72b 可変絞り
80 気体供給機構
82 可変絞り
91、92 第2のノズル
R 基板の回転方向
W 基板(ウエハ)
Claims (17)
- 基板の周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持するように構成された基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持機構に保持された基板の下面の下方に位置し、前記基板保持部により保持された基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成された第1のノズルであって、その内部に、前記液体を吐出するための複数の第1の液体吐出路と、前記気体を吐出するための複数の第1の気体吐出路とを有している第1のノズルと、
前記第1の液体吐出路に液体を供給する液体供給機構と、
前記第1の気体吐出路に気体を供給する気体供給機構と、
を備え、
前記第1のノズルは、前記第1の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の第1の液体吐出口を有しており、前記複数の第1の液体吐出口は、前記基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されており、
前記各第1の液体吐出口は、前記第1の気体吐出路に気体が供給されずに前記第1の液体吐出路に液体が供給されているときに、前記第1の液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている液処理装置。 - 前記第1の気体吐出路は、前記第1の気体吐出路に気体が供給されかつ前記第1の液体吐出路に液体が供給されて前記第1のノズルから二流体が吐出されているときに、前記二流体の吐出方向が基板の下面を含む平面に対して成す角度が、前記第1の気体吐出路に気体が供給されずに前記第1の液体吐出路に液体が供給されているときに、前記第1の液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が基板の下面を含む平面に対して成す角度よりも大きくなるように、前記第1の気体吐出路から吐出される気体が前記第1の液体吐出路から前記第1の液体吐出口を介して吐出される液体の流れに影響を及ぼすように設けられている、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記第1の気体吐出路は、前記第1の気体吐出路から吐出される気体の吐出方向が、前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向と逆方向の成分を持つように形成されている、請求項2に記載の液処理装置。
- 前記基板保持部に保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置を結ぶ前記水平線は、前記基板の半径方向を向いた直線または前記直線と平行な直線である、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記第1のノズルは前記基板保持部に保持された基板の半径方向に延びる棒状部分を有し、前記棒状部分に前記複数の第1の液体吐出口が設けられている、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記第1のノズルの前記第1の液体吐出口が配列されている領域よりも更に半径方向内側の領域に、少なくとも1つの第2の液体吐出口が設けられており、
前記第2の液体吐出口に第2の液体吐出路に加えて第2の気体吐出路が接続され、前記第2の気体吐出路に気体が供給されずに前記第2の液体吐出路に液体が供給されているときには前記第2の液体吐出口から鉛直方向上方に向けて液体が吐出され、前記第2の気体吐出路に気体が供給されかつ前記第2の液体吐出路に液体が供給されているときには前記第2の液体吐出口から鉛直方向上方に向けて液体および気体を混合してなる二流体が吐出されるように構成されている、請求項1に記載の液処理装置。 - 前記複数の第1液体吐出口のうちの少なくとも半径方向の最も外側にある第1液体吐出口は、当該最も外側にある第1液体吐出口から吐出される液体の吐出方向が、半径方向外側を向いた成分を持つように形成されている、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記第1のノズルの前記第1の液体吐出口から吐出された液体が前記基板保持部に保持された基板の下面に到達した瞬間に前記基板の下面を覆う領域をスポットと呼ぶこととしたとき、隣接する第1の液体吐出口から吐出された液体が形成するスポット同士が重複部分を有する、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記第1のノズルの前記第1の液体吐出口が配列されている領域よりも更に半径方向内側の領域に、少なくとも1つの第2の液体吐出口が設けられており、前記第2の液体吐出口は鉛直方向上方に向けて液体を吐出することができるように形成されており、前記第1のノズルの液体吐出口から吐出された液体が前記基板保持部に保持された基板の下面に到達した瞬間に前記基板の下面を覆う領域をスポットと呼ぶこととしたとき、最も半径方向内側にある第1の液体吐出口から吐出された液体が形成するスポットは、前記最も半径方向内側にある第1の液体吐出口に隣接する第2の液体吐出口から吐出された液体が形成するスポットと重複部分を有する、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記基板保持部に保持された基板の上面に、液体、または液体と気体を混合してなる二流体を選択的に供給することができる少なくとも1つの第2のノズルを更に備えた、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記液体供給機構は可変絞り弁を有しており、
前記液処理装置は、前記第1の液体吐出口から前記基板の下面に向けて液体が吐出されているときに、予め定められた手順に従い前記可変絞り弁の開度を変動させるコントローラをさらに備えている、請求項1に記載の液処理装置。 - 前記液体供給機構は、前記第1の液体吐出路に第1の液体を供給する第1の液体供給部と、前記第1の液体吐出路に第2の液体を供給する第2の液体供給部とを有している、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記気体供給機構は可変絞り弁を有しており、
前記液処理装置は、前記第1のノズルが基板の下面に向けて二流体を吐出しているときに、予め定められた手順に従い前記可変絞り弁の開度を変動させるコントローラをさらに備えている、請求項1に記載の液処理装置。 - 前記液処理装置は、前記複数の第1の液体吐出口が形成された前記水平線に沿って前記第1のノズルを移動させる水平移動機構をさらに備え、
前記水平移動機構は、前記第1の液体吐出口から前記基板の下面に向けて液体が吐出されているときに、予め定められた手順に従い前記第1のノズルを移動させるよう制御される、請求項1に記載の液処理装置。 - 前記複数の第1の液体吐出口のうちの少なくとも一部分は、前記水平線に沿って所定の配列ピッチで形成されており、
前記水平移動機構は、前記配列ピッチ以下の所定の移動距離だけ前記第1のノズルを移動させるよう制御される、請求項14に記載の液処理装置。 - 前記液体が薬液または純水であり、前記気体が不活性ガスである、請求項1〜15のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 液処理方法において、
基板を水平姿勢に保持することと、
複数の第1の液体吐出口を有する第1のノズルを、前記複数の第1の液体吐出口が水平姿勢に保持された前記基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されるように、前記基板の下方に設けることと、
基板を回転させることと、
前記第1の液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように、前記第1の液体吐出口から前記基板の下面に向けて液体を吐出させることと、
前記液体を吐出させることの前または後に、第1の液体吐出口から基板の下面に向けて液体を吐出すると同時に、気体を、当該気体が前記液体に混合されるように供給し、これにより得られた二流体を基板の下面に向けて吐出させることと、
を備えた液処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011240333A JP5762925B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-11-01 | 液処理装置および液処理方法 |
| TW100142688A TWI524399B (zh) | 2010-12-28 | 2011-11-22 | 液體處理裝置及液體處理方法 |
| KR1020110124277A KR101580708B1 (ko) | 2010-12-28 | 2011-11-25 | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 |
| US13/337,547 US9022045B2 (en) | 2010-12-28 | 2011-12-27 | Substrate liquid cleaning apparatus with controlled liquid port ejection angle |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010293793 | 2010-12-28 | ||
| JP2010293793 | 2010-12-28 | ||
| JP2011240333A JP5762925B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-11-01 | 液処理装置および液処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012151440A true JP2012151440A (ja) | 2012-08-09 |
| JP5762925B2 JP5762925B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=46315212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011240333A Active JP5762925B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-11-01 | 液処理装置および液処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9022045B2 (ja) |
| JP (1) | JP5762925B2 (ja) |
| KR (1) | KR101580708B1 (ja) |
| TW (1) | TWI524399B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160004209A (ko) * | 2014-07-02 | 2016-01-12 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2016015396A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| JP2016018873A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
| JP2016111302A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| CN111001606A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-14 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种半导体清洗设备 |
| CN112582301A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和基片处理方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI462148B (zh) * | 2013-07-10 | 2014-11-21 | 億力鑫系統科技股份有限公司 | Fluid nozzle and fluid nozzle device |
| JP6121348B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2017-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | めっきの前処理方法、記憶媒体およびめっき処理システム |
| JP6778548B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2020-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| FR3085603B1 (fr) * | 2018-09-11 | 2020-08-14 | Soitec Silicon On Insulator | Procede pour le traitement d'un susbtrat soi dans un equipement de nettoyage monoplaque |
| JP7344726B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 |
| JP7306195B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2023-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する装置及びステージをクリーニングする方法 |
| EP3840022B1 (en) * | 2019-12-18 | 2022-10-05 | Siltronic AG | Improved device for drying semiconductor substrates |
| CN113471108B (zh) * | 2021-07-06 | 2022-10-21 | 华海清科股份有限公司 | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置 |
| CN116264153A (zh) * | 2021-12-14 | 2023-06-16 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 晶圆背面清洗方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260779A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-09-24 | Tadahiro Omi | スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法 |
| JP2002158202A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ洗浄装置 |
| JP2003197591A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Ebara Corp | 基板処理装置及び方法 |
| JP2004349577A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Aqua Science Kk | 対象物処理装置及び対象物処理方法 |
| JP2007318140A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド |
| JP2008251743A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び基板洗浄装置 |
| JP2008288604A (ja) * | 1997-09-24 | 2008-11-27 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置 |
| JP2010135681A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3638374B2 (ja) | 1996-04-25 | 2005-04-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板処理装置 |
| US6287178B1 (en) * | 1999-07-20 | 2001-09-11 | International Business Machines Corporation | Wafer carrier rinsing mechanism |
| JP2005353739A (ja) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2006114884A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
| JP4928234B2 (ja) | 2006-11-20 | 2012-05-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US7741583B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Bake plate lid cleaner and cleaning method |
| US9159593B2 (en) * | 2008-06-02 | 2015-10-13 | Lam Research Corporation | Method of particle contaminant removal |
-
2011
- 2011-11-01 JP JP2011240333A patent/JP5762925B2/ja active Active
- 2011-11-22 TW TW100142688A patent/TWI524399B/zh active
- 2011-11-25 KR KR1020110124277A patent/KR101580708B1/ko active Active
- 2011-12-27 US US13/337,547 patent/US9022045B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288604A (ja) * | 1997-09-24 | 2008-11-27 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置 |
| JPH11260779A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-09-24 | Tadahiro Omi | スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法 |
| JP2002158202A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ洗浄装置 |
| JP2003197591A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Ebara Corp | 基板処理装置及び方法 |
| JP2004349577A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Aqua Science Kk | 対象物処理装置及び対象物処理方法 |
| JP2007318140A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド |
| JP2008251743A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び基板洗浄装置 |
| JP2010135681A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160004209A (ko) * | 2014-07-02 | 2016-01-12 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2016015396A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| KR102300935B1 (ko) | 2014-07-02 | 2021-09-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2016018873A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
| JP2016111302A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| CN112582301A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和基片处理方法 |
| CN111001606A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-14 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种半导体清洗设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5762925B2 (ja) | 2015-08-12 |
| US9022045B2 (en) | 2015-05-05 |
| TW201248703A (en) | 2012-12-01 |
| KR20120075350A (ko) | 2012-07-06 |
| KR101580708B1 (ko) | 2015-12-28 |
| TWI524399B (zh) | 2016-03-01 |
| US20120160275A1 (en) | 2012-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5743853B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP5762925B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP2012151439A5 (ja) | ||
| JP5642574B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| US9378988B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution | |
| TWI557792B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
| CN103165496B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| US9802227B2 (en) | Method of cleaning substrate processing apparatus | |
| US8152933B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and drain cup cleaning method | |
| KR20160148466A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP5512508B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP2012156266A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP5474840B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP2014123713A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2009076918A (ja) | 基板加工方法、スピンユニット、及びこれを有する基板加工装置 | |
| JP2009231628A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2012156268A (ja) | 液処理装置および液処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150217 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150414 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150610 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5762925 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |