JP2012151159A - Conductive paste for ceramic multilayer circuit board - Google Patents
Conductive paste for ceramic multilayer circuit board Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012151159A JP2012151159A JP2011006698A JP2011006698A JP2012151159A JP 2012151159 A JP2012151159 A JP 2012151159A JP 2011006698 A JP2011006698 A JP 2011006698A JP 2011006698 A JP2011006698 A JP 2011006698A JP 2012151159 A JP2012151159 A JP 2012151159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- conductive paste
- circuit board
- conductive
- multilayer circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明はセラミック多層回路基板用導電ペーストに関し、さらに詳しくは、セラミックグリーンシートと同時に焼成しても、反りの発生を有効に抑制することができる多層回路基板を提供可能な導電ペーストに関する。 The present invention relates to a conductive paste for a ceramic multilayer circuit board, and more particularly to a conductive paste capable of providing a multilayer circuit board capable of effectively suppressing the occurrence of warping even when fired simultaneously with a ceramic green sheet.
従来、セラミック多層回路基板としては、アルミナ多層回路基板が主に用いられていた。アルミナ多層回路基板を製造するためには、アルミナの焼結を行うために1500℃以上の高温を必要とし、またその温度に耐えるための導体材料としてモリブデン−マンガン(Mo−Mn)やタングステン(W)系の高温焼結用材料が使用されていた。 Conventionally, alumina multilayer circuit boards have been mainly used as ceramic multilayer circuit boards. In order to manufacture an alumina multilayer circuit board, a high temperature of 1500 ° C. or higher is required for sintering alumina, and molybdenum-manganese (Mo—Mn) or tungsten (W) is used as a conductor material to withstand that temperature. ) Series high-temperature sintering materials were used.
一方、最近ではアルミナよりも低温で焼成することのできる低温焼成基板が徐々に用いられ始めている。この低温焼成基板では、800〜1000℃の焼成温度で焼結が可能となり、そのため導体材料もMo−MnやWよりも低抵抗の銀(Ag)や銅(Cu)が使用できるようになり、高密度実装基板としてのCSP(チップサイズパッケージ)、あるいはMCM(マルチチップモジュール)に応用展開が図られつつある。 On the other hand, recently, low-temperature fired substrates that can be fired at a lower temperature than alumina are gradually being used. In this low-temperature fired substrate, sintering is possible at a firing temperature of 800 to 1000 ° C., so that the conductive material can be silver (Ag) or copper (Cu) having a lower resistance than Mo—Mn and W. Applications are being developed for CSP (chip size package) or MCM (multi-chip module) as high-density mounting substrates.
低温焼成基板は、一般にガラスフリット成分とセラミック成分を混合したものであって、ガラスフリットの低融点を利用して低温度で焼結させて基板とするものである。 The low-temperature fired substrate is generally a mixture of a glass frit component and a ceramic component, and is sintered at a low temperature using the low melting point of the glass frit to form a substrate.
このようなセラミック多層回路基板を製造する方法は、セラミックの基板となるグリーンシート(セラミックグリーンシート)上に導電ペーストを印刷し、またセラミック層間の電気的接続をとるためにセラミックグリーンシートのビアホールに導電ペーストを充填し、それらのセラミックグリーンシートを複数枚積層した後一括で焼成する方法である。セラミックグリーンシートは焼成によりセラミック基板となり、導電ペーストは焼成により配線電極層(いわゆる配線パターン)やビアホール電極層となる。 A method of manufacturing such a ceramic multilayer circuit board is such that a conductive paste is printed on a green sheet (ceramic green sheet) serving as a ceramic substrate, and in the via hole of the ceramic green sheet for electrical connection between the ceramic layers. This is a method in which a conductive paste is filled and a plurality of these ceramic green sheets are laminated and then fired at once. The ceramic green sheet becomes a ceramic substrate by firing, and the conductive paste becomes a wiring electrode layer (so-called wiring pattern) or via-hole electrode layer by firing.
ところで、このようにして製造するセラミック多層回路基板には、焼成後に基板に反りが発生するという課題が知られている。基板の反りは、焼成時の収縮率の異なる材料であるセラミックグリーンシートと導電ペーストを同時に焼成するために起こる現象であり、当該反りが発生した状態では基板として使用できない。この反りは、主に導電ペーストの収縮がセラミックグリーンシートの収縮よりも早く起こることに起因している。 By the way, the ceramic multilayer circuit board manufactured in this way has a known problem that the substrate is warped after firing. The warpage of the substrate is a phenomenon that occurs because the ceramic green sheet and the conductive paste, which are materials having different shrinkage ratios at the time of firing, are fired at the same time. This warpage is mainly due to the shrinkage of the conductive paste occurring earlier than the shrinkage of the ceramic green sheet.
そこで、前記課題の解決を図るために、導電ペーストに含まれている銀粉末の粒径を調整する技術が提案されている。 Therefore, in order to solve the above problems, a technique for adjusting the particle size of the silver powder contained in the conductive paste has been proposed.
例えば、特許文献1には多層配線回路基板およびその製造方法が開示されており、当該多層配線回路基板に用いられる導電性ペーストは、平均粒径5〜25μmの略球状の銀粉末と有機ビヒクルとからなる構成となっている。また、特許文献2にはセラミック多層回路基板用導電ペーストが開示されており、当該導電ペーストは、アトマイズ法により製造した平均粒径が3〜10μmであって且つ最大粒径が40μm以下である銀粉末を導電性粉末として含有する構成となっている。 For example, Patent Document 1 discloses a multilayer printed circuit board and a method for manufacturing the same, and the conductive paste used for the multilayer printed circuit board includes a substantially spherical silver powder having an average particle diameter of 5 to 25 μm, an organic vehicle, and the like. It consists of. Patent Document 2 discloses a conductive paste for a ceramic multilayer circuit board, which is a silver paste having an average particle diameter of 3 to 10 μm and a maximum particle diameter of 40 μm or less manufactured by an atomizing method. The powder is contained as a conductive powder.
ところで、近年、積層型セラミック電子部品においては、さらなる高密度化が要求されているので、セラミック多層回路基板においても、高密度化を進めるべく収縮率のさらなる低減が要求されている。セラミックグリーンシートと導電ペーストとの間で、焼成時に収縮率に大きな違いがあると、反りの発生に加えて、配線パターン等がセラミック基板から剥離したり、配線パターン等が局部的に球状化して断線が生じたりするおそれも知られている。積層型セラミック電子部品の高密度化によって、従来では問題にならなかった程度の収縮率であっても、このような焼成による反り等の不具合が発生するおそれがある。 By the way, in recent years, since higher density is required in the multilayer ceramic electronic component, further reduction of the shrinkage rate is required in the ceramic multilayer circuit board in order to increase the density. If there is a large difference in the shrinkage rate during firing between the ceramic green sheet and the conductive paste, in addition to the occurrence of warping, the wiring pattern etc. may be peeled off from the ceramic substrate, or the wiring pattern etc. may be locally spheroidized. It is also known that disconnection may occur. Due to the increase in the density of the multilayer ceramic electronic component, there is a possibility that problems such as warping due to firing may occur even if the shrinkage rate is not a problem in the past.
一般に、導電ペーストに用いられる銀粉末は、化学的還元法により製造されるので、その平均粒径は、0.1〜2μmの範囲内となることが多い。この範囲の銀粉末をセラミック多層回路基板用導電ペーストに用いると、銀粉末の焼成がセラミックグリーンシートの焼成よりも格段に早く進むため、反りの発生を抑制することができない。 In general, the silver powder used for the conductive paste is manufactured by a chemical reduction method, and thus the average particle size is often in the range of 0.1 to 2 μm. When silver powder in this range is used for the conductive paste for a ceramic multilayer circuit board, the firing of the silver powder proceeds much faster than the firing of the ceramic green sheet, so that the occurrence of warpage cannot be suppressed.
また、特許文献1に開示の技術では、通常の化学的還元法により製造された銀粉末を仮焼することで、平均粒径を5〜25μmの範囲内に大きくしている。このような銀粉末(仮焼銀粉末)は、化学的還元法により得られた元々の銀粒子が寄り集まったような形態であるため、当該仮焼銀粉末の内部には多くの空洞が生じる。それゆえ、仮焼銀粉末は、同程度の粒径で空洞の無い銀粉末に比べて焼成が早く進行してしまう。したがって、特許文献1に開示の技術は、高密度化による反り等の不具合を有効に解消することができない。 In the technique disclosed in Patent Document 1, the average particle size is increased within the range of 5 to 25 μm by calcining silver powder produced by a normal chemical reduction method. Such a silver powder (calcined silver powder) is in a form in which the original silver particles obtained by a chemical reduction method are gathered together, so that many cavities are generated inside the calcined silver powder. . Therefore, the calcined silver powder is fired faster than the silver powder having the same particle size and no voids. Therefore, the technique disclosed in Patent Document 1 cannot effectively solve problems such as warping due to high density.
一方、特許文献2に開示の技術は、化学的還元法ではなくアトマイズ法により銀粉末を製造しているため、平均粒径が3〜10μmの範囲内に大きくなっており、かつ、銀粉末の最大粒径が40μm以下に抑えられている。それゆえ、セラミックグリーンシートと同時に焼成しても反りが非常に少ない導体回路を形成することが可能となっている。ただし、近年の高密度化に対応するためには、収縮率の違いをさらに低減することが要求される傾向にあり、当該要求を実現し得るセラミック多層回路基板用導電ペーストは従来知られていなかった。 On the other hand, since the technique disclosed in Patent Document 2 produces silver powder by an atomizing method instead of a chemical reduction method, the average particle size is increased within a range of 3 to 10 μm, and the silver powder The maximum particle size is suppressed to 40 μm or less. Therefore, it is possible to form a conductor circuit with very little warp even when fired simultaneously with the ceramic green sheet. However, in order to cope with the recent increase in density, there is a tendency to further reduce the difference in shrinkage rate, and a conductive paste for a ceramic multilayer circuit board that can realize the demand has not been known. It was.
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであって、セラミックグリーンシートと同時に焼成して導体回路を形成したときに、回路基板の反りの発生をより一層有効に抑制することができるセラミック多層回路基板用導電ペーストを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and when the conductor circuit is formed by firing simultaneously with the ceramic green sheet, it is possible to more effectively suppress the occurrence of warping of the circuit board. An object of the present invention is to provide a conductive paste for a ceramic multilayer circuit board.
本発明に係るセラミック多層回路基板用導電ペーストは、前記の課題を解決するために、セラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成することによってセラミック多層回路基板を製造するに際して、当該セラミックグリーンシートの導電層の形成に用いられる導電ペーストであって、導電性粉末として少なくとも銀粉末を含有し、当該銀粉末が、アトマイズ法により製造され、平均粒径が2〜9μmの範囲内であるとともに最大粒径が40μm以下であり、さらに薄片化されている構成である。 In order to solve the above-mentioned problem, the conductive paste for a ceramic multilayer circuit board according to the present invention is manufactured by laminating a plurality of ceramic green sheets and firing the ceramic multilayer circuit board. A conductive paste used for forming a layer, which contains at least silver powder as a conductive powder, the silver powder is produced by an atomizing method, and has an average particle size in a range of 2 to 9 μm and a maximum particle size Is 40 μm or less, and further thinned.
前記構成においては、前記銀粉末は、前記導電性粉末の50重量%以上であることが好ましい。 In the said structure, it is preferable that the said silver powder is 50 weight% or more of the said electroconductive powder.
また、前記構成においては、前記導電性粉末の含有量は、95重量%以下であることが好ましい。 Moreover, in the said structure, it is preferable that content of the said electroconductive powder is 95 weight% or less.
また、前記構成においては、前記銀粉末以外の導電性粉末として、パラジウム、白金、金、ニッケルおよび銅の群から選択される少なくとも1種の金属の粉末を併用してもよい。 Moreover, in the said structure, you may use together the powder of the at least 1 sort (s) of metal selected from the group of palladium, platinum, gold | metal | money, nickel, and copper as electroconductive powder other than the said silver powder.
以上のように、本発明によれば、本発明に係るセラミック多層回路基板用導電ペーストをセラミックグリーンシートと同時に焼成して導体回路を形成したときに、回路基板の反りの発生をより一層有効に抑制することができる、という効果を奏する。 As described above, according to the present invention, when a conductive circuit is formed by firing the conductive paste for a ceramic multilayer circuit board according to the present invention at the same time as the ceramic green sheet, the occurrence of warping of the circuit board is further effectively achieved. There is an effect that it can be suppressed.
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明する。本発明に係るセラミック多層回路基板用導電ペースト(以下、単に導電ペーストと略す。)は、セラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成することによってセラミック多層回路基板を製造する際に、導電層の形成のために用いられるものであって、導電性粉末として、所定範囲の平均粒径を有する銀粉末を薄片化したものを含有するものである。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. The conductive paste for a ceramic multilayer circuit board (hereinafter simply referred to as a conductive paste) according to the present invention forms a conductive layer when a ceramic multilayer circuit board is manufactured by laminating and firing a plurality of ceramic green sheets. The conductive powder contains a thinned piece of silver powder having an average particle diameter in a predetermined range.
[銀粉末の構成]
本発明に係る導電ペーストに含有される銀粉末は、アトマイズ法により製造されるもの(アトマイズ銀粉末と称する。)を薄片化(フレーク化)したアトマイズ銀薄片粉末である。本発明でいうアトマイズ法とは、銀(Ag)を高温度で溶融し、そのAg液体をノズルから高速度で噴霧することによって、球状微粉化する方法である。具体的な方法としては、Ag液体をノズルから高速度で噴霧する際の媒体としてガスを用いるガスアトマイズ法、または、前記媒体として水を用いる水アトマイズ法を挙げることができるが、本発明で用いられるアトマイズ銀粉末は、いずれの方法によっても製造することができる。
[Composition of silver powder]
The silver powder contained in the conductive paste according to the present invention is an atomized silver flake powder obtained by flaking (flaking) one produced by an atomizing method (referred to as atomized silver powder). The atomizing method referred to in the present invention is a method of spherical pulverization by melting silver (Ag) at a high temperature and spraying the Ag liquid at a high speed from a nozzle. Specific examples of the method include a gas atomizing method using a gas as a medium for spraying Ag liquid at a high speed from a nozzle, or a water atomizing method using water as the medium, which is used in the present invention. Atomized silver powder can be produced by any method.
前記アトマイズ銀粉末の平均粒径は、2〜9μmの範囲内であればよい。アトマイズ銀粉末の平均粒径が2μm未満であれば、得られる導電ペーストとセラミックグリーンシートとを同時に焼成したときに反りを十分に有効に軽減することができなくなる。また、平均粒径が9μmを超えれば、薄片化によって得られるアトマイズ銀薄片粉末の寸法が大きくなりすぎるため、セラミックグリーンシート上にパターン印刷するときに、当該アトマイズ銀薄片粉末がスクリーンの目詰まりを起こすおそれがある。 The atomized silver powder may have an average particle diameter in the range of 2 to 9 μm. If the average particle size of the atomized silver powder is less than 2 μm, the warp cannot be sufficiently effectively reduced when the obtained conductive paste and the ceramic green sheet are fired simultaneously. Also, if the average particle size exceeds 9 μm, the size of the atomized silver flake powder obtained by slicing becomes too large, so that when the pattern is printed on the ceramic green sheet, the atomized silver flake powder clogs the screen. There is a risk of it happening.
なお、特許文献2に開示されるアトマイズ銀粉末の平均粒径は3〜10μmの範囲内であるが、本発明ではアトマイズ銀粉末を薄片化するため、薄片化による銀粉末の粒子形状の変化を考慮して、本発明における平均粒径の範囲は、特許文献2に開示される範囲よりも全体的に小さい側にシフトしている。 In addition, although the average particle diameter of the atomized silver powder disclosed in Patent Document 2 is in the range of 3 to 10 μm, in the present invention, the atomized silver powder is made into a thin piece. In consideration, the range of the average particle diameter in the present invention is shifted to a smaller side as a whole than the range disclosed in Patent Document 2.
前記アトマイズ銀粉末は、平均粒径が前記範囲内に入っていることに加え、その最大粒径は40μm以下となっている。アトマイズ銀粉末の最大粒径が40μmを超えると、導電ペーストを調製する際に、当該アトマイズ銀粉末が潰れることで、その粒径が相対的に大きな銀箔片が生じる。このような銀箔片は、前述したように、セラミックグリーンシート上にパターン印刷するときに、スクリーンの目詰まりを起こすおそれがある。 The atomized silver powder has an average particle size falling within the above range and a maximum particle size of 40 μm or less. When the maximum particle size of the atomized silver powder exceeds 40 μm, when the conductive paste is prepared, the atomized silver powder is crushed, resulting in a silver foil piece having a relatively large particle size. As described above, such a silver foil piece may cause clogging of the screen when pattern printing is performed on the ceramic green sheet.
前記アトマイズ銀粉末は、薄片化されることによってアトマイズ銀薄片粉末となり、本発明に係る導電ペーストの導電性粉末として配合される。前記薄片化の方法は特に限定されず、種々の公知の方法を用いることができる。具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライターミル等を用いて粒子を潰す方法が挙げられるが、特に限定されない。 The atomized silver powder becomes atomized silver flake powder by being thinned, and is blended as the conductive powder of the conductive paste according to the present invention. The method of thinning is not particularly limited, and various known methods can be used. Specific examples include a method of crushing particles using a ball mill, a bead mill, an attritor mill, or the like, but is not particularly limited.
本発明で用いられるアトマイズ銀薄片粉末は、例えば、図1(a)に示すように、板状に広がりを有する形状であるのに対して、薄片化前のアトマイズ銀粉末は、例えば図1(b)に示すように、いずれも略球形である。このように、本発明でいうところの「薄片化された銀粉末」とは、厚み平均が1〜6μm、扁平部分長径平均が4〜20μmとして定義される。 The atomized silver flake powder used in the present invention has, for example, a plate-like shape as shown in FIG. 1 (a), whereas the atomized silver flake before thinning is, for example, FIG. As shown in b), both are substantially spherical. Thus, the “thinned silver powder” as used in the present invention is defined as a thickness average of 1 to 6 μm and a flat portion major axis average of 4 to 20 μm.
[導電ペーストの構成]
本発明に係る導電ペーストは、導電性粉末として、前述したアトマイズ銀薄片粉末を含有しているが、これ以外の公知の導電性粉末を含有してもよい。例えば、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)、ニッケル(Ni)および銅(Cu)の群から選択される少なくとも1種の金属の粉末を併用することができる。つまり、本発明に係る導電ペーストは、導電性粉末として、前記アトマイズ銀薄片粉末以外に、Pd粉末、Pt粉末、Au粉末、Ni粉末、またはCu粉末を含有してもよいし、Pd粉末、Pt粉末、Au粉末、Ni粉末およびCu粉末の中から選択される2種以上の粉末を含有してもよい。さらに本発明に係る導電ペーストにおいては、要求される特性等に応じて、前記群の金属の粉末以外に、他の金属の粉末を含んでもよい。
[Configuration of conductive paste]
The conductive paste according to the present invention contains the above-described atomized silver flake powder as the conductive powder, but may contain other known conductive powders. For example, at least one metal powder selected from the group consisting of palladium (Pd), platinum (Pt), gold (Au), nickel (Ni), and copper (Cu) can be used in combination. That is, the conductive paste according to the present invention may contain Pd powder, Pt powder, Au powder, Ni powder, or Cu powder as the conductive powder in addition to the atomized silver flake powder, or Pd powder, Pt You may contain 2 or more types of powder selected from powder, Au powder, Ni powder, and Cu powder. Furthermore, in the conductive paste according to the present invention, other metal powders may be included in addition to the metal powders of the group, depending on required characteristics and the like.
本発明に係る導電ペーストは、前記導電性粉末に加えて有機ビヒクルを含有しており、当該有機ビヒクル中に前記導電性粉末を分散させた構成となっている。 The conductive paste according to the present invention contains an organic vehicle in addition to the conductive powder, and the conductive powder is dispersed in the organic vehicle.
本発明で用いられる有機ビヒクルの具体的な構成は特に限定されず、導電ペーストの分野で公知の樹脂を好適に用いることができる。具体的には、例えば、特に限定されないが、エポキシ樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂、ブチラール系樹脂、変性セルロース等が挙げられる。これら樹脂には公知の共重合体あるいは変性樹脂が含まれる。また、これら樹脂は1種類のみで用いられてもよいし、2種類以上が適宜選択されて用いられてもよい。 The specific structure of the organic vehicle used in the present invention is not particularly limited, and a resin known in the field of conductive paste can be suitably used. Specific examples include, but are not limited to, epoxy resins, polyester resins, urethane resins, (meth) acrylic resins, imide resins, amide resins, butyral resins, and modified cellulose. These resins include known copolymers or modified resins. Moreover, these resin may be used only by 1 type, and 2 or more types may be selected suitably and used.
本発明に係る導電ペーストは、前記導電性粉末および前記有機ビヒクル以外に公知の添加剤等が加えられてもよい。添加剤としては、具体的には、例えば、導電性粉末の分散性を向上させる分散剤、導電ペーストの粘度や流動性等を調節するための増粘剤または溶剤、導電ペーストのチキソ性を調節するためのチクソトロピック付与剤、導電ペーストを焼成した後の接着力を向上させるガラスフリット、有機金属化合物等が挙げられる。これら添加剤は、本発明に係る導電ペーストの特性(特に、焼成に伴う反りの発生の抑制)を低下させない範囲で、公知の量を添加することができる。 In the conductive paste according to the present invention, known additives and the like may be added in addition to the conductive powder and the organic vehicle. Specifically, for example, a dispersant that improves the dispersibility of the conductive powder, a thickener or solvent for adjusting the viscosity and fluidity of the conductive paste, and the thixotropy of the conductive paste are adjusted. Examples thereof include a thixotropic imparting agent, a glass frit that improves the adhesive strength after firing the conductive paste, and an organometallic compound. These additives can be added in a known amount within a range that does not deteriorate the properties of the conductive paste according to the present invention (particularly, suppression of warpage caused by firing).
本発明に係る導電ペーストに含有される前記導電性粉末の含有量は、少なくとも95重量%以下であれば好ましく、70〜95重量%の範囲内であればより好ましく、80〜92重量%の範囲内であるとさらに好ましい。また、有機ビヒクルの含有量は5〜30重量%の範囲内であれば好ましく、8〜20重量%の範囲内であるとより好ましい。導電性粉末が95重量%超または有機ビヒクルが5重量%未満であれば、ペースト状の組成物を得ることが困難となる場合がある。一方、導電性粉末が70重量%未満または有機ビヒクルが30重量%超であれば、焼成時の導電ペーストの乾燥性が低下するとともに、焼成時の導電ペーストの収縮率が大きくなる傾向にある。 The content of the conductive powder contained in the conductive paste according to the present invention is preferably at least 95% by weight or less, more preferably in the range of 70 to 95% by weight, and in the range of 80 to 92% by weight. It is more preferable that it is within. Further, the content of the organic vehicle is preferably in the range of 5 to 30% by weight, and more preferably in the range of 8 to 20% by weight. If the conductive powder exceeds 95% by weight or the organic vehicle is less than 5% by weight, it may be difficult to obtain a paste-like composition. On the other hand, if the conductive powder is less than 70% by weight or the organic vehicle is more than 30% by weight, the drying property of the conductive paste at the time of firing tends to decrease and the shrinkage rate of the conductive paste at the time of firing tends to increase.
なお、前記含有量は、導電性粉末および有機ビヒクルの合計が100重量%となるときの組成であるが、これら以外の添加剤等を含んでいる場合には、導電性粉末、有機ビヒクルおよび添加剤の含有量は、当該添加剤の種類に応じて公知の範囲に適宜調整できることはいうまでもない。 The content is a composition when the total amount of the conductive powder and the organic vehicle is 100% by weight. However, when the additive other than these is included, the conductive powder, the organic vehicle and the additive are added. It goes without saying that the content of the agent can be appropriately adjusted within a known range depending on the type of the additive.
さらに、本発明に係る導電ペーストにおいては、アトマイズ銀薄片粉末は、前記導電性粉末の50重量%を超えていることが好ましい。つまり、本発明においては、アトマイズ銀薄片粉末は前記導電性粉末の主成分であればよく、併用可能なPd粉末、Pt粉末、Au粉末、Ni粉末、およびCu粉末(あるいは他の導電性粉末)を1種以上含有している場合には、これら他の金属の粉末は、50重量%以下であればよい。アトマイズ銀薄片粉末が前記導電性粉末の50重量%未満であれば、セラミックグリーンシートとともに焼成したときに、顕著な反りが発生する傾向にあるため好ましくない。ただし、導電ペーストに要求される物性等に応じて、導電性粉末中のアトマイズ銀薄片粉末の含有量を50重量%以下とすることも可能であることはいうまでもない。 Furthermore, in the conductive paste according to the present invention, the atomized silver flake powder preferably exceeds 50% by weight of the conductive powder. In other words, in the present invention, the atomized silver flake powder may be the main component of the conductive powder, and can be used together with Pd powder, Pt powder, Au powder, Ni powder, and Cu powder (or other conductive powder). In the case of containing one or more of these, the powder of these other metals should just be 50 weight% or less. If the atomized silver flake powder is less than 50% by weight of the conductive powder, it is not preferable because remarkable warpage tends to occur when fired together with the ceramic green sheet. However, it goes without saying that the content of the atomized silver flake powder in the conductive powder can be 50% by weight or less depending on the physical properties required of the conductive paste.
なお、本発明においては、アトマイズ銀薄片粉末が前記導電性粉末の主成分である限りにおいて、薄片化されていない銀粉末を併用することもできる。薄片化されていない銀粉末として、前記アトマイズ銀粉末であってもよいし、化学的還元法により製造された銀粉末であってもよい。含有量も特に限定されず、導電ペーストに要求される物性、使用条件等に応じて公知の範囲で含有させることができる。 In the present invention, as long as the atomized silver flake powder is the main component of the conductive powder, a silver powder that is not flakes can be used in combination. The silver powder that has not been sliced may be the above-described atomized silver powder or a silver powder produced by a chemical reduction method. The content is not particularly limited, and can be contained in a known range depending on the physical properties required for the conductive paste, use conditions, and the like.
本発明に係る導電ペーストの製造方法は特に限定されず、公知の方法を好適に用いることができる。一般的には、アトマイズ銀薄片粉末を含む前記導電性粉末と、有機ビヒクルと、必要に応じて種々の添加剤を複数のロールを備える公知の混練装置にて混合および混練することによって製造することができる。また、本混練の前に公知の混練装置にて予備混練してもよい。なお、導電ペーストの組成、導電ペーストに要求される物性、または添加剤の種類等の条件によっては、各成分の混合または混練方法、添加方法等の種々の製造条件を公知の範囲内で変更することができ、あるいは、混合または混練以外の公知の工程を追加することができる。 The manufacturing method of the electrically conductive paste which concerns on this invention is not specifically limited, A well-known method can be used suitably. Generally, it is produced by mixing and kneading the conductive powder containing atomized silver flake powder, an organic vehicle, and various additives as necessary with a known kneading apparatus having a plurality of rolls. Can do. Moreover, you may pre-knead with a well-known kneading apparatus before this kneading | mixing. Depending on conditions such as the composition of the conductive paste, the physical properties required for the conductive paste, or the type of additive, various manufacturing conditions such as mixing or kneading of each component, addition method, and the like are changed within a known range. Alternatively, known steps other than mixing or kneading can be added.
[導電ペーストの用途]
本発明に係る導電ペーストは、セラミックグリーンシートの導電層の形成に用いられる。当該セラミックグリーンシートは、これを複数枚積層して焼成することによって、セラミック多層回路基板が製造される。セラミックグリーンシートの導電層としては、回路基板上にパターン形成される配線電極層(いわゆる配線パターン)、上下の回路基板の導通を図るために、セラミックグリーンシートに形成されるビアホールに充填されるビアホール電極層が挙げられる。セラミック多層回路基板においては、配線電極層の大半とビアホール電極層とは各セラミック基板の間に形成されるので、これら電極層はセラミック多層回路基板の「内層」となる。また、セラミック多層回路基板の表面にも「表層」の配線電極層等が形成される。本発明に係る導電ペーストは、前記内層および表層のいずれの電極層の形成にも好適に用いることができる。
[Use of conductive paste]
The conductive paste according to the present invention is used for forming a conductive layer of a ceramic green sheet. A ceramic multilayer circuit board is manufactured by laminating and firing a plurality of the ceramic green sheets. The conductive layer of the ceramic green sheet includes a wiring electrode layer (so-called wiring pattern) patterned on the circuit board, and a via hole filled in the via hole formed in the ceramic green sheet in order to connect the upper and lower circuit boards. An electrode layer is mentioned. In the ceramic multilayer circuit board, most of the wiring electrode layers and the via-hole electrode layer are formed between the ceramic substrates, so that these electrode layers become “inner layers” of the ceramic multilayer circuit board. A “surface layer” wiring electrode layer and the like are also formed on the surface of the ceramic multilayer circuit board. The conductive paste according to the present invention can be suitably used for forming any one of the inner layer and the surface layer.
本発明において、導電ペーストが塗布される対象であるセラミックグリーンシートは、セラミック多層回路基板で公知の構成のものであればよい。一例として、ガラスフリット成分および酸化アルミニウム成分等からなるセラミック成分を含有し、公知の方法でシート状に形成された構成のセラミックグリーンシート、800〜1000℃で焼成される焼成基板用ガラスセラミックグリーンシートを挙げることができる。 In the present invention, the ceramic green sheet to which the conductive paste is applied may be a ceramic multilayer circuit board having a known configuration. As an example, a ceramic green sheet containing a ceramic component composed of a glass frit component, an aluminum oxide component, and the like and formed into a sheet shape by a known method, a glass ceramic green sheet for a fired substrate that is fired at 800 to 1000 ° C. Can be mentioned.
また、セラミックグリーンシートに導電ペーストを塗布する方法も特に限定されない。具体的には、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、スピンコート、ディップコート、バーコート、インクジェット等の公知の塗布方法を挙げることができる。これらの中でも、配線電極層(配線パターン)を形成するためにはスクリーン印刷が好適に用いられる。 Further, the method for applying the conductive paste to the ceramic green sheet is not particularly limited. Specific examples include known coating methods such as screen printing, gravure printing, offset printing, spin coating, dip coating, bar coating, and inkjet. Among these, screen printing is preferably used to form a wiring electrode layer (wiring pattern).
導電ペーストを塗布した後のセラミックグリーンシートは公知の方法で積層され、公知の条件で焼成されることによって、セラミック多層回路基板が製造される。焼成によってセラミックグリーンシートはセラミック基板となり、導電ペーストは導電性粉末が融着することで導電層となる。ここで、本発明においては、導電ペーストが導電性粉末の主成分がアトマイズ銀薄片粉末であるので、焼成時のセラミックグリーンシートの収縮率と導電性粉末の収縮率とを概ね適合させることが可能となるので、反りの発生を抑制したセラミック多層回路基板を製造することができる。 The ceramic green sheets after applying the conductive paste are laminated by a known method and fired under known conditions to produce a ceramic multilayer circuit board. The ceramic green sheet becomes a ceramic substrate by firing, and the conductive paste becomes a conductive layer by fusing the conductive powder. Here, in the present invention, since the main component of the conductive paste of the conductive powder is atomized silver flake powder, it is possible to generally match the shrinkage ratio of the ceramic green sheet during firing and the shrinkage ratio of the conductive powder. Therefore, it is possible to manufacture a ceramic multilayer circuit board in which generation of warpage is suppressed.
特に本発明においては、導電性粉末に含まれるアトマイズ銀薄片粉末が、従来の銀粉末とは異なり薄片状(フレーク状)であることから、銀粉末の形状の違いを導電ペーストの耐熱性の調整に利用することができる。それゆえ、導電ペーストの収縮率をセラミックグリーンシートの収縮率に近付けることが可能となり、収縮率のマッチングの幅を広げることが可能となる。 In particular, in the present invention, the atomized silver flake powder contained in the conductive powder is in the form of flakes (flakes) unlike conventional silver powder, so the difference in the shape of the silver powder is adjusted for the heat resistance of the conductive paste. Can be used. Therefore, the shrinkage rate of the conductive paste can be brought close to the shrinkage rate of the ceramic green sheet, and the range of shrinkage rate matching can be widened.
したがって、本発明によれば、導電性粉末中のアトマイズ銀薄片粉末の含有量を調整したり、導電ペーストの組成そのものを調整したりすることで、収縮率を幅広く変化させることができるので、セラミックグリーンシートの収縮率に対応させた導電ペーストを得ることができる。その結果、導電ペーストおよびセラミックグリーンシートと同時に焼成しても、反りが非常に少ない導体回路を形成することが可能となり、特に、高密度化されたセラミック多層回路基板の製造に有効に用いることができる。 Therefore, according to the present invention, the shrinkage rate can be widely changed by adjusting the content of the atomized silver flake powder in the conductive powder or by adjusting the composition of the conductive paste itself. A conductive paste corresponding to the shrinkage rate of the green sheet can be obtained. As a result, it is possible to form a conductor circuit with very little warp even when fired at the same time as the conductive paste and the ceramic green sheet, and it can be used particularly effectively in the production of a high-density ceramic multilayer circuit board. it can.
本発明について、実施例および比較例に基づいてより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。当業者は本発明の範囲を逸脱することなく、種々の変更、修正、および改変を行うことができる。なお、以下の実施例および比較例において、製造されたセラミック多層回路基板の反り量の測定は次に示す方法により行った。 The present invention will be described more specifically based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited to this. Those skilled in the art can make various changes, modifications, and alterations without departing from the scope of the present invention. In the following examples and comparative examples, the warpage amount of the produced ceramic multilayer circuit board was measured by the following method.
(反りの測定)
各実施例または各比較例において、得られたセラミック多層回路基板の全体の反り量を反りゲージ(デジマチック標準外側マイクロメータ、株式会社ミツトヨ製)を用いて測定し、当該全体の反り量から測定対象の基板の厚みを差し引いた値を、評価用の反り量とした。
(Measurement of warpage)
In each example or each comparative example, the total warpage amount of the obtained ceramic multilayer circuit board was measured using a warpage gauge (Digimatic Standard Outside Micrometer, manufactured by Mitutoyo Corporation) and measured from the total warpage amount. A value obtained by subtracting the thickness of the target substrate was used as a warp amount for evaluation.
(銀粉末の製造)
公知のアトマイズ法または化学的還元法により、種々の平均粒径を有する球状の銀粉末を製造し、また、そのうちの一部のアトマイズ銀粉末を前述したボールミルにより潰す方法により薄片化し、フレーク状のアトマイズ銀薄片粉末を製造した。これにより、表1に示すように合計13種類の銀粉末の試料を得た。
(Manufacture of silver powder)
A spherical silver powder having various average particle diameters is produced by a known atomizing method or chemical reduction method, and a part of the atomized silver powder is exfoliated by the above-mentioned method of pulverizing with a ball mill to obtain a flaky shape. Atomized silver flake powder was produced. Thereby, as shown in Table 1, a total of 13 types of silver powder samples were obtained.
本実施例で用いられるアトマイズ銀薄片粉末の一例を図1(a)の電子顕微鏡写真に示し、薄片化する前のアトマイズ銀粉末の一例を図1(b)の電子顕微鏡写真に示す。また、アトマイズ銀粉末は、そのままのもの(Ag1〜Ag3)、薄片化する前のもの(Ag4〜Ag8、Ag13)、およびそれらの混合物(Ag11、Ag12)のいずれも最大粒径が40μm以下となっている。 An example of the atomized silver flake powder used in this example is shown in the electron micrograph of FIG. 1 (a), and an example of the atomized silver powder before flaking is shown in the electron micrograph of FIG. 1 (b). In addition, the atomized silver powder has a maximum particle size of 40 μm or less as it is (Ag1 to Ag3), before slicing (Ag4 to Ag8, Ag13), and a mixture thereof (Ag11, Ag12). ing.
(実施例1)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示す銀粉末Ag5(薄片化前の平均粒径2.0μm)を用いた。当該銀粉末Ag5および有機ビヒクル(樹脂成分:エチルセルロース、溶剤成分:ターピネオール)を表2に示す含有量で配合し、プラネタリーミキサーで予備混練した後に、3本ロールの混練装置(株式会社EME製UFO攪拌器)で混練することにより、本実施例の導電ペーストを調製した。
Example 1
As the atomized silver flake powder, the silver powder Ag5 shown in Table 1 (average particle diameter before flaking) was used. The silver powder Ag5 and the organic vehicle (resin component: ethyl cellulose, solvent component: terpineol) were blended in the contents shown in Table 2, and after pre-kneading with a planetary mixer, a three-roll kneading apparatus (UFO manufactured by EME Co., Ltd.) The conductive paste of this example was prepared by kneading with a stirrer.
また、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび酸化ホウ素を主成分とするガラスフリット50重量部と酸化アルミニウム50重量部とを混合したものをシート化して厚み200μmのセラミックグリーンシートを調製した。 Further, a ceramic green sheet having a thickness of 200 μm was prepared by forming a sheet of a mixture of 50 parts by weight of glass frit mainly composed of silicon oxide, aluminum oxide and boron oxide and 50 parts by weight of aluminum oxide.
そして、セラミックグリーンシートの上に、本実施例の導電ペーストを10mm□の大きさでスクリーン印刷し、それらを5枚重ねて熱プレスした後に、最高温度900℃で1時間焼成することによってセラミック多層回路基板を製造し、その反りを前記の方法で測定した。その結果を表2に示す。 Then, on the ceramic green sheet, the conductive paste of the present example was screen-printed with a size of 10 mm □, five layers of them were hot-pressed, and then fired at a maximum temperature of 900 ° C. for 1 hour to thereby produce a ceramic multilayer. A circuit board was manufactured, and its warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 2.
(実施例2)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示す銀粉末Ag6(薄片化前の平均粒径5.0μm)を用い、当該銀粉末Ag6および有機ビヒクルを表2に示す含有量で配合した以外は、前記実施例1と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表2に示す。
(Example 2)
Example 1 except that the silver powder Ag6 shown in Table 1 (average particle diameter 5.0 μm before thinning) was used as the atomized silver flake powder, and the silver powder Ag6 and the organic vehicle were blended in the contents shown in Table 2. In the same manner as in Example 1, a conductive paste was prepared, a ceramic multilayer circuit board was manufactured, and the warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 2.
(実施例3)
銀粉末Ag6および有機ビヒクルを表2に示す含有量で配合した以外は、前記実施例2と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表2に示す。
(Example 3)
A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 2 except that silver powder Ag6 and an organic vehicle were blended in the contents shown in Table 2, and a ceramic multilayer circuit board was produced and the warpage was measured by the method described above. . The results are shown in Table 2.
(実施例4)
銀粉末Ag6および有機ビヒクルを表2に示す含有量で配合した以外は、前記実施例2と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表2に示す。
Example 4
A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 2 except that silver powder Ag6 and an organic vehicle were blended in the contents shown in Table 2, and a ceramic multilayer circuit board was produced and the warpage was measured by the method described above. . The results are shown in Table 2.
(実施例5)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示す銀粉末Ag7(薄片化前の平均粒径7.0μm)を用いた以外は、前記実施例1と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表2に示す。
(Example 5)
A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that the silver powder Ag7 shown in Table 1 (average particle size before thinning: 7.0 μm) shown in Table 1 was used as the atomized silver flake powder. The warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 2.
(実施例6)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示す銀粉末Ag8(薄片化前の平均粒径9μm)を用いた以外は、前記実施例1と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表2に示す。
(Example 6)
The conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that the silver powder Ag8 shown in Table 1 (average particle diameter 9 μm before thinning) shown in Table 1 was used as the atomized silver flake powder, and a ceramic multilayer circuit board was manufactured. The warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 2.
(実施例7)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示す混合銀粉末Ag11(平均粒径5.0μmの球状のアトマイズ粉末25重量%、アトマイズ薄片化前の平均粒径5μmの薄片粉末75重量%)を用いた以外は、前記実施例3と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表2に示す。
(Example 7)
Except for using the mixed silver powder Ag11 shown in Table 1 as an atomized silver flake powder (25 wt% spherical atomized powder having an average particle size of 5.0 μm, 75 wt% flake powder having an average particle size of 5 μm before atomization) A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 3, a ceramic multilayer circuit board was produced, and the warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 2.
(比較例1)
アトマイズ銀薄片粉末の代わりに、表1に示す、薄片化していない球状のアトマイズ銀粉末のAg1(平均粒径2.7μm)を用いた以外は、前記実施例1と同様にして比較導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表3に示す。
(Comparative Example 1)
Instead of the atomized silver flake powder, a comparative conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that Ag1 (average particle size: 2.7 μm) of spherical atomized silver powder that was not flakes shown in Table 1 was used. As prepared, a ceramic multilayer circuit board was manufactured and the warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 3.
(比較例2)
表1に示すアトマイズ銀粉末のAg2(平均粒径5.0μm)を用いた以外は、前記比較例1と同様にして比較導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表3に示す。
(Comparative Example 2)
A method for preparing a ceramic multilayer circuit board and preparing a ceramic multilayer circuit board in the same manner as in Comparative Example 1 except that Ag2 (average particle size: 5.0 μm) of the atomized silver powder shown in Table 1 was used. The warpage was measured with. The results are shown in Table 3.
(比較例3)
表1に示すアトマイズ銀粉末のAg3(平均粒径7.6μm)を用いた以外は、前記比較例1と同様にして比較導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表3に示す。
(Comparative Example 3)
A comparative conductive paste was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 except that Ag3 (average particle size: 7.6 μm) of atomized silver powder shown in Table 1 was used, and a ceramic multilayer circuit board was produced. The warpage was measured with. The results are shown in Table 3.
(比較例4)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示すAg4(薄片化前の平均粒径1.0μm)を用いた以外は、前記比較例1と同様にして比較導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表3に示す。
(Comparative Example 4)
A comparative conductive paste was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 except that Ag4 shown in Table 1 (average particle diameter 1.0 μm before thinning) was used as the atomized silver flake powder, and a ceramic multilayer circuit board was manufactured. Then, the warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 3.
(比較例5)
アトマイズ銀薄片粉末の代わりに、表1に示す、化学的還元法による球状の銀粉末のAg9(平均粒径5.5μm)を用い、当該銀粉末Ag9および有機ビヒクルを表3に示す含有量で配合した以外は、前記実施例1と同様にして比較導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表3に示す。
(Comparative Example 5)
Instead of atomized silver flake powder, Ag9 (average particle size 5.5 μm) of spherical silver powder by chemical reduction shown in Table 1 was used, and the silver powder Ag9 and organic vehicle were contained in the contents shown in Table 3. A comparative conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was blended, a ceramic multilayer circuit board was produced, and the warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 3.
(比較例6)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示す混合銀粉末Ag12(平均粒径5.0μmの球状のアトマイズ粉末50重量%、アトマイズ薄片化前の平均粒径5μmの薄片粉末50重量%)を用いた以外は、前記実施例3と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表3に示す。
(Comparative Example 6)
Except for using the mixed silver powder Ag12 shown in Table 1 (50% by weight of spherical atomized powder having an average particle size of 5.0 μm, 50% by weight of thin powder having an average particle size of 5 μm before atomization) as the atomized silver flake powder. A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 3, a ceramic multilayer circuit board was produced, and the warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 3.
(比較例7)
アトマイズ薄片粉末の代わりに、表1に示す、化学的還元法による球状の銀粉末をボールミルによる方法で薄片化した薄片粉末であるAg10を用いた以外は、前記実施例3と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表3に示す。
(Comparative Example 7)
In place of the atomized flake powder, the conductive paste was used in the same manner as in Example 3 except that Ag10, which is a flake powder obtained by slicing a spherical silver powder by a chemical reduction method by a ball mill, as shown in Table 1 was used. And a ceramic multilayer circuit board was manufactured, and the warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 3.
(比較例8)
アトマイズ銀薄片粉末として表1に示す銀粉末Ag13(薄片化前の平均粒径10μm)を用いた以外は、前記実施例1と同様にして導電ペーストを調製するとともに、セラミック多層回路基板を製造し、前記の方法で反りを測定した。その結果を表2に示す。
(Comparative Example 8)
A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that the silver powder Ag13 shown in Table 1 (average particle diameter before thinning) of Table 1 was used as the atomized silver flake powder, and a ceramic multilayer circuit board was manufactured. The warpage was measured by the method described above. The results are shown in Table 2.
表2および表3の結果から、本発明に係る導電ペーストを用いてセラミック多層回路基板を製造すれば、回路基板の反りの発生を有効に抑制できることがわかる。 From the results of Tables 2 and 3, it can be seen that if the ceramic multilayer circuit board is manufactured using the conductive paste according to the present invention, the occurrence of warping of the circuit board can be effectively suppressed.
すなわち、(i)実施例1〜7および比較例1〜3、6の結果から、アトマイズ銀薄片粉末を用いた本発明に係る導電ペーストを用いれば、薄片化していないアトマイズ銀粉末を用いた比較導電ペーストを用いた場合よりも、回路基板の反り量を有効に低減できることがわかった。 That is, (i) From the results of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 and 6, if the conductive paste according to the present invention using atomized silver flake powder was used, comparison using atomized silver powder that was not flakes It has been found that the amount of warping of the circuit board can be reduced more effectively than when the conductive paste is used.
また、(ii)実施例1、5および6並びに比較例7の結果から、薄片化された銀粉末であっても、銀粉末が化学的還元法で製造されたものであれば、アトマイズ銀薄片粉末に比べて回路基板の反り量が大きくなることがわかった。 In addition, (ii) from the results of Examples 1, 5 and 6 and Comparative Example 7, even if the silver powder was made into a thin piece, if the silver powder was produced by a chemical reduction method, the atomized silver thin piece It was found that the amount of warping of the circuit board was larger than that of the powder.
また、(iii)実施例2〜4、7および比較例6の結果から、アトマイズ銀薄片粉末の含有量は50重量%を超えればよいが、含有量を高くしすぎると反り量が増大することがわかった。なお、実施例4の反り量は比較例6および8の反り量より大きいが、この反り量は、銀粉末および有機ビヒクルの組成に基づく相対的な大小を比較するための結果である。それゆえ、実施例4は、本願発明の権利範囲から外れる結果を示すものではない。 Moreover, (iii) From the results of Examples 2 to 4, 7 and Comparative Example 6, the content of the atomized silver flake powder only needs to exceed 50% by weight, but if the content is too high, the amount of warpage increases. I understood. Although the warpage amount of Example 4 is larger than the warpage amounts of Comparative Examples 6 and 8, this warpage amount is a result for comparing the relative magnitudes based on the composition of the silver powder and the organic vehicle. Therefore, Example 4 does not show a result outside the scope of the present invention.
また、(iv)比較例4および8、並びに、実施例1、5および6の結果から、薄片化前の平均粒径は2〜9μmの範囲内が好ましいことがわかった。 Further, (iv) From the results of Comparative Examples 4 and 8, and Examples 1, 5 and 6, it was found that the average particle size before flaking is preferably in the range of 2 to 9 μm.
また、(v)比較例5および7の結果から、化学的還元法により製造された銀粉末を用いた場合、薄片化されていても(比較例7)いなくても(比較例5)、アトマイズ銀薄片粉末を用いた場合(実施例1〜7、特に実施例3および7)だけでなく、薄片化されてないアトマイズ銀粉末を用いた場合(比較例1〜3)に比べても反り量が大きくなることがわかった。 Further, (v) From the results of Comparative Examples 5 and 7, when using silver powder produced by a chemical reduction method, even if it was sliced (Comparative Example 7) or not (Comparative Example 5), Not only when atomized silver flake powder is used (Examples 1-7, especially Examples 3 and 7), but also when compared with the case where atomized silver powder that has not been flaked (Comparative Examples 1-3) is warped. It turns out that the amount increases.
なお、本発明は前記実施の形態の記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示した範囲内で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態や複数の変形例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 It should be noted that the present invention is not limited to the description of the above-described embodiment, and various modifications are possible within the scope shown in the scope of the claims, and are disclosed in different embodiments and a plurality of modifications. Embodiments obtained by appropriately combining the technical means are also included in the technical scope of the present invention.
本発明に係る導電ペーストは、セラミックグリーンシートを積層して製造されるセラミック多層回路基板の導電層の形成に好適に用いることができる。したがって、本発明は、セラミック多層回路基板の分野に広く好適に用いることができる。 The conductive paste according to the present invention can be suitably used for forming a conductive layer of a ceramic multilayer circuit board produced by laminating ceramic green sheets. Therefore, the present invention can be suitably used widely in the field of ceramic multilayer circuit boards.
Claims (4)
導電性粉末として少なくとも銀粉末を含有し、
当該銀粉末が、アトマイズ法により製造され、平均粒径が2〜9μmの範囲内であるとともに最大粒径が40μm以下であり、さらに薄片化されているものであることを特徴とする、セラミック多層回路基板用導電ペースト。 When manufacturing a ceramic multilayer circuit board by laminating and firing a plurality of ceramic green sheets, a conductive paste used to form a conductive layer of the ceramic green sheet,
Containing at least silver powder as conductive powder,
A ceramic multilayer, wherein the silver powder is produced by an atomizing method, has an average particle size in the range of 2 to 9 μm, a maximum particle size of 40 μm or less, and is further sliced Conductive paste for circuit boards.
4. The powder according to claim 1, wherein at least one metal powder selected from the group consisting of palladium, platinum, gold, nickel and copper is used in combination as the conductive powder other than the silver powder. The conductive paste for a ceramic multilayer circuit board according to Item.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011006698A JP5953003B2 (en) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | Conductive paste for ceramic multilayer circuit boards |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011006698A JP5953003B2 (en) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | Conductive paste for ceramic multilayer circuit boards |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014178243A Division JP2015043429A (en) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | Conductive paste for ceramic multilayer circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012151159A true JP2012151159A (en) | 2012-08-09 |
| JP5953003B2 JP5953003B2 (en) | 2016-07-13 |
Family
ID=46793181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011006698A Active JP5953003B2 (en) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | Conductive paste for ceramic multilayer circuit boards |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5953003B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018055819A (en) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 住友金属鉱山株式会社 | Thick film conductive paste and manufacturing method of ceramic multilayer laminate electronic component |
| CN115064298A (en) * | 2022-07-14 | 2022-09-16 | 上海匠聚新材料有限公司 | High-conductivity hole filling silver paste for low-temperature co-fired ceramic and preparation method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992976A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Glass-ceramic wiring board, manufacturing method thereof and conductor paste used therefor |
| JPH11163487A (en) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Conductive paste for ceramic multilayered circuit board |
-
2011
- 2011-01-17 JP JP2011006698A patent/JP5953003B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992976A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Glass-ceramic wiring board, manufacturing method thereof and conductor paste used therefor |
| JPH11163487A (en) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Conductive paste for ceramic multilayered circuit board |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018055819A (en) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 住友金属鉱山株式会社 | Thick film conductive paste and manufacturing method of ceramic multilayer laminate electronic component |
| CN115064298A (en) * | 2022-07-14 | 2022-09-16 | 上海匠聚新材料有限公司 | High-conductivity hole filling silver paste for low-temperature co-fired ceramic and preparation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5953003B2 (en) | 2016-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105705276B (en) | Copper powder | |
| CN105142824B (en) | Silver-bismuth powder, conductive paste and conductive film | |
| EP2650263A1 (en) | Low silver content paste composition and method of making a conductive film therefrom | |
| CN105060940A (en) | Alumina multilayer ceramic tungsten metallide slurry and preparation method thereof | |
| KR20150064054A (en) | Silver hybrid copper powder, method for producing same, conductive paste containing silver hybrid copper powder, conductive adhesive, conductive film and electrical circuit | |
| TWI729373B (en) | Conductive paste and sintered body | |
| JP5181434B2 (en) | Fine copper powder and method for producing the same | |
| JP2009062558A (en) | Fine silver powder, method for producing the same, and dispersion liquid for conductive paste using the fine silver powder | |
| EP3246115B1 (en) | Silver powder | |
| JP5733638B2 (en) | Bonding material and semiconductor device using the same, and wiring material and wiring for electronic element using the same | |
| JP2008223058A (en) | Mixed conductive powder and method for producing the same, conductive paste and method for producing the same | |
| JP5953003B2 (en) | Conductive paste for ceramic multilayer circuit boards | |
| JP6869531B2 (en) | Conductive paste, aluminum nitride circuit board and its manufacturing method | |
| JP7317397B2 (en) | COPPER OXIDE PASTE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT | |
| JP6060225B1 (en) | Copper powder and method for producing the same | |
| JP2015043429A (en) | Conductive paste for ceramic multilayer circuit board | |
| JP3150932B2 (en) | Conductive paste for ceramic multilayer circuit board | |
| CN113242774B (en) | Silver paste | |
| KR20130058205A (en) | Metallic paste composition for formation of an electrode comprisiing graphite and ag-graphite composite electrodes usign the same | |
| JP4441817B2 (en) | Circuit board | |
| KR101177084B1 (en) | Conductive ink composite for forming build-up bump for multilayered PCB | |
| JP2015149259A (en) | Conductive paste for multilayer circuit board and manufacturing method therefor | |
| JP7651672B1 (en) | Mixed silver powder, its manufacturing method, and metal paste for joining | |
| JP2020088353A (en) | Conductive paste for terminal electrodes of multilayer ceramic electronic components | |
| TWI728509B (en) | Low temperature co-fired ceramic paste and method for preparing high-frequency microwave dielectric unit therefrom |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130806 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140415 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140603 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150522 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151120 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160404 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160613 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5953003 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |