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JP2012141199A - Measuring device - Google Patents

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JP2012141199A
JP2012141199A JP2010293447A JP2010293447A JP2012141199A JP 2012141199 A JP2012141199 A JP 2012141199A JP 2010293447 A JP2010293447 A JP 2010293447A JP 2010293447 A JP2010293447 A JP 2010293447A JP 2012141199 A JP2012141199 A JP 2012141199A
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Japan
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switching elements
voltage
wafer
measuring
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JP2010293447A
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Japanese (ja)
Inventor
Shige Ogasa
樹 織笠
Masahiko Akutsu
正彦 阿久津
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the possibility of breakage of a switching element at the time of measurement.SOLUTION: A measuring device that measures leakage current of a plurality of switching elements formed on a wafer is provided. The device comprises: probes electrically connecting with respective terminals of the plurality of switching elements formed on the wafer; a voltage application part for applying change voltages, that change with phases different from each other via probes, to the plurality of respective switching elements formed on the wafer; and a current measuring part for measuring the leakage current carried to the plurality of respective switching elements in an off-state.

Description

本発明は、スイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置に関する。   The present invention relates to a measuring apparatus for measuring a leakage current of a switching element.

スイッチング素子のオフ時のリーク電流を測定する測定装置が知られている。特許文献１に記載された測定装置は、インバータモジュールに内蔵されたスイッチング素子のオフ時のリーク電流を測定する。   A measuring apparatus for measuring a leakage current when the switching element is off is known. The measuring apparatus described in Patent Document 1 measures a leakage current when the switching element built in the inverter module is off.

特許文献１ 特開２００８−３０４２４１号公報   Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-304241

ところで、測定装置は、スイッチング素子がウエハから切り出されていない状態でリーク電流を測定してもよい。これにより、測定装置は、スイッチング素子の良否をモジュールへの組み込み前に判定することができる。   By the way, the measuring apparatus may measure the leakage current in a state where the switching element is not cut out from the wafer. Thereby, the measuring apparatus can determine the quality of a switching element before incorporating in a module.

ここで、スイッチング素子のリーク電流を測定する場合、オフ状態のスイッチング素子に対して直流電圧を印加する。しかし、スイッチング素子に直流電圧を印加した場合、電圧の印加タイミングまたは終了タイミングにおいて、大きなサージ電圧が発生する。サージ電圧が発生すると、スイッチング素子を損傷させたり、スイッチング素子を破壊してしまったりする。   Here, when measuring the leakage current of the switching element, a DC voltage is applied to the switching element in the off state. However, when a DC voltage is applied to the switching element, a large surge voltage is generated at the voltage application timing or end timing. When the surge voltage is generated, the switching element is damaged or the switching element is destroyed.

特に、ウエハ状態のスイッチング素子が損傷したり破壊したりすると、隣接して配置されるスイッチング素子の品質にも影響を与えてしまう。また、スイッチング素子が破壊すると、測定装置のプローブ等に溶融物が付着してその後のメンテナンスの負担が大きくなってしまう。   In particular, if the switching element in the wafer state is damaged or destroyed, the quality of the adjacent switching element is affected. In addition, when the switching element is broken, the melt adheres to the probe or the like of the measuring apparatus, and the subsequent maintenance burden increases.

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、前記ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、前記ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれに前記プローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、オフ状態における前記複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部とを備える測定装置を提供する。   In order to solve the above problems, in a first aspect of the present invention, there is provided a measuring apparatus for measuring leakage currents of a plurality of switching elements formed on a wafer, wherein the plurality of switching elements formed on the wafer are measured. A probe that is electrically connected to each terminal; a voltage application unit that applies change voltages that change in different phases to each of the plurality of switching elements formed on the wafer; Provided is a measuring device including a current measuring unit that measures a leakage current flowing through each of a plurality of switching elements.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

本実施形態に係る測定装置１０の構成およびウエハ２００を示す。1 shows a configuration of a measuring apparatus 10 and a wafer 200 according to the present embodiment. 本実施形態に係る測定部３０の構成を測定対象となる複数のスイッチング素子２１０とともに示す。The structure of the measurement part 30 which concerns on this embodiment is shown with the several switching element 210 used as a measuring object. 本実施形態に係る測定部３０によって複数のスイッチング素子２１０に印加される変化電圧の一例を示す。An example of the change voltage applied to the plurality of switching elements 210 by the measurement unit 30 according to the present embodiment is shown. 本実施形態に係る測定部３０によって複数のスイッチング素子２１０に印加される変化電圧の他の一例を示す。The other example of the change voltage applied to the several switching element 210 by the measurement part 30 which concerns on this embodiment is shown.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図１は、本実施形態に係る測定装置１０の構成およびウエハ２００を示す。測定装置１０は、ウエハ２００に形成された複数のスイッチング素子２１０のそれぞれのオフ時におけるリーク電流を測定する。   FIG. 1 shows a configuration of a measuring apparatus 10 and a wafer 200 according to the present embodiment. The measuring apparatus 10 measures the leakage current when each of the plurality of switching elements 210 formed on the wafer 200 is off.

本実施形態において、ウエハ２００に形成された複数のスイッチング素子２１０のそれぞれは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴという場合もある）およびＳｉＣ（シリコンカーバイト）バイポーラトランジスタ等の縦型パワーデバイスである。ＳｉＣバイポーラトランジスタの製造方法は、一例として、特開２００８−１７７２７４号公報等に記載されている。複数のスイッチング素子２１０のそれぞれは、ＩＧＢＴおよびＳｉＣバイポーラトランジスタ等の縦型パワーデバイスに代えて、他の半導体材料により製造されたパワーＭＯＳＦＥＴ等の他の高耐圧スイッチングデバイスであってもよい。   In the present embodiment, each of the plurality of switching elements 210 formed on the wafer 200 is a vertical power device such as an insulated gate bipolar transistor (sometimes referred to as an IGBT) and a SiC (silicon carbide) bipolar transistor. An example of a method for manufacturing a SiC bipolar transistor is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-177274. Each of the plurality of switching elements 210 may be other high-voltage switching devices such as power MOSFETs made of other semiconductor materials instead of vertical power devices such as IGBTs and SiC bipolar transistors.

測定装置１０は、複数のプローブ２０と、測定部３０とを備える。複数のプローブ２０のそれぞれは、ウエハ２００に形成された複数のスイッチング素子２１０のうち、選択された複数のスイッチング素子２１０のそれぞれの端子と電気的に接続する。   The measurement apparatus 10 includes a plurality of probes 20 and a measurement unit 30. Each of the plurality of probes 20 is electrically connected to each terminal of the selected plurality of switching elements 210 among the plurality of switching elements 210 formed on the wafer 200.

本実施形態においては、複数のプローブ２０のそれぞれは、対応するスイッチング素子２１０のコレクタまたはエミッタに接続する。例えば、スイッチング素子２１０の表面側に設けられた複数のプローブ２０のそれぞれは、対応するスイッチング素子２１０のエミッタに接続する。また、スイッチング素子２１０の裏面側に設けられた複数のプローブ２０のそれぞれは、対応するスイッチング素子２１０のコレクタに接続する。   In the present embodiment, each of the plurality of probes 20 is connected to the collector or emitter of the corresponding switching element 210. For example, each of the plurality of probes 20 provided on the surface side of the switching element 210 is connected to the emitter of the corresponding switching element 210. Each of the plurality of probes 20 provided on the back side of the switching element 210 is connected to the collector of the corresponding switching element 210.

測定部３０は、オフ状態とされた複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに対して、対応するプローブ２０を介して電圧を印加しながらリーク電流を測定する。本実施形態においては、測定部３０は、オフ状態とされた複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに対して、コレクタ−エミッタ間に順方向の電圧を印加しながら、コレクタ−エミッタ間に流れるリーク電流を測定する。   The measurement unit 30 measures the leakage current while applying a voltage to each of the plurality of switching elements 210 in the off state via the corresponding probe 20. In the present embodiment, the measurement unit 30 applies a forward voltage between the collector and the emitter to each of the plurality of switching elements 210 that are turned off, and generates a leakage current that flows between the collector and the emitter. taking measurement.

このような測定装置１０は、ウエハ２００に形成された複数のスイッチング素子２１０のそれぞれのリーク電流を測定することができる。これにより、測定装置１０は、ウエハ２００に形成された複数のスイッチング素子２１０が仕様により定められた基準リーク電流よりも大きなリーク電流が流れるか否かを判定することができる。   Such a measuring apparatus 10 can measure the leakage currents of the plurality of switching elements 210 formed on the wafer 200. Thereby, the measuring apparatus 10 can determine whether or not a plurality of switching elements 210 formed on the wafer 200 flow a leak current larger than a reference leak current determined by the specification.

図２は、本実施形態に係る測定部３０の構成を測定対象となる複数のスイッチング素子２１０とともに示す。図３は、本実施形態に係る測定部３０によって複数のスイッチング素子２１０に印加される変化電圧の一例を示す。   FIG. 2 shows the configuration of the measurement unit 30 according to the present embodiment, together with a plurality of switching elements 210 to be measured. FIG. 3 shows an example of a change voltage applied to the plurality of switching elements 210 by the measurement unit 30 according to the present embodiment.

測定部３０は、電圧印加部３４と、電流測定部３６とを有する。本実施形態においては、測定部３０は、ウエハ２００に形成された複数のスイッチング素子２１０のうち、測定対象として選択された３つのスイッチング素子２１０のオフ状態におけるリーク電流を測定する。   The measurement unit 30 includes a voltage application unit 34 and a current measurement unit 36. In the present embodiment, the measurement unit 30 measures the leakage current in the off state of the three switching elements 210 selected as the measurement target among the plurality of switching elements 210 formed on the wafer 200.

なお、本実施形態においては、ＩＧＢＴであるスイッチング素子２１０は、ゲートに電圧を印加しない状態でオフとなる。しかし、測定部３０は、スイッチング素子２１０をオフ状態とするための制御電圧を複数のスイッチング素子２１０のそれぞれの制御端子に与えてもよい。   In the present embodiment, the switching element 210 that is an IGBT is turned off in a state where no voltage is applied to the gate. However, the measurement unit 30 may supply a control voltage for turning off the switching element 210 to each control terminal of the plurality of switching elements 210.

電圧印加部３４は、選択された複数のスイッチング素子２１０のそれぞれにプローブ２０を介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する。電圧印加部３４は、一例として、複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに互いに異なる位相の同一周期のサイン波形の変化電圧を印加する。   The voltage application unit 34 applies change voltages that change in different phases to each of the selected switching elements 210 via the probe 20. As an example, the voltage application unit 34 applies a change voltage of a sine waveform having the same period and a different phase to each of the plurality of switching elements 210.

この場合において、電圧印加部３４は、一例として、最大電圧時においても最小電圧時においてもスイッチング素子２１０に順方向の電圧となる変化電圧を印加する。電圧印加部３４は、一例として、振幅の１／２以上の直流電圧により順方向にバイアスがされたサイン波形の変化電圧を複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに印加する。   In this case, for example, the voltage application unit 34 applies a change voltage that is a forward voltage to the switching element 210 at both the maximum voltage and the minimum voltage. As an example, the voltage application unit 34 applies a change voltage of a sine waveform biased in the forward direction by a DC voltage having a half or more of amplitude to each of the plurality of switching elements 210.

本実施形態においては、電圧印加部３４は、図３に示されるような３相の変化電圧を、測定対象として選択された３つのスイッチング素子２１０のそれぞれにおけるエミッタ−コレクタ間に印加する。即ち、電圧印加部３４は、測定対象として選択された３つのスイッチング素子２１０のそれぞれにおけるエミッタ−コレクタ間に、振幅の１／２の直流電圧により順方向にバイアスがされ、互いに１２０度位相がずれたサイン波形の変化電圧を印加する。   In the present embodiment, the voltage application unit 34 applies a three-phase change voltage as shown in FIG. 3 between the emitter and the collector in each of the three switching elements 210 selected as the measurement target. That is, the voltage application unit 34 is forward-biased by a DC voltage having a half amplitude between the emitter and collector of each of the three switching elements 210 selected as the measurement target, and is 120 degrees out of phase with each other. Apply the change voltage of the sine waveform.

電圧印加部３４は、一例として、バイアス発生部４０と、３つの電圧発生部４２（４２−１、４２−２、４２−３）とを含む。バイアス発生部４０は、直流のバイアス電圧を発生する。バイアス発生部４０は、３００Ｖから１２５０Ｖ程度の直流電圧を発生する。バイアス発生部４０のマイナス端子は、電流測定部３６を介して、３つのスイッチング素子２１０のそれぞれのエミッタに接続される。   As an example, the voltage application unit 34 includes a bias generation unit 40 and three voltage generation units 42 (42-1, 42-2, 42-3). The bias generator 40 generates a DC bias voltage. The bias generator 40 generates a DC voltage of about 300V to 1250V. The negative terminal of the bias generation unit 40 is connected to the emitters of the three switching elements 210 via the current measurement unit 36.

３つの電圧発生部４２のそれぞれは、測定対象として選択された３つのスイッチング素子２１０のそれぞれに対応して設けられる。３つの電圧発生部４２のそれぞれは、バイアス発生部４０のプラス側端子と、対応するスイッチング素子２１０のコレクタとの間に設けられる。   Each of the three voltage generators 42 is provided corresponding to each of the three switching elements 210 selected as the measurement target. Each of the three voltage generators 42 is provided between the positive terminal of the bias generator 40 and the collector of the corresponding switching element 210.

そして、３つの電圧発生部４２のそれぞれは、互いに１２０度ずつ位相がずれた同一周波数のサイン波形の変化電圧を発生する。このような電圧印加部３４は、選択された３つのスイッチング素子２１０のそれぞれにおけるエミッタ−コレクタ間に、振幅の１／２の直流電圧により順方向にバイアスがされ、互いに１２０度位相がずれたサイン波形の変化電圧を印加することができる。   Each of the three voltage generators 42 generates a change voltage having a sine waveform having the same frequency and shifted in phase by 120 degrees. Such a voltage application unit 34 is forward-biased by a DC voltage having a half of the amplitude between the emitter and collector of each of the three selected switching elements 210, and has a sign shifted by 120 degrees from each other. A waveform change voltage can be applied.

電流測定部３６は、電圧印加部３４により変化電圧が印加されたオフ状態における複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに流れるリーク電流を測定する。この場合において、電流測定部３６は、複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに流れるリーク電流のピーク値を測定する。   The current measurement unit 36 measures a leakage current flowing through each of the plurality of switching elements 210 in the off state to which the change voltage is applied by the voltage application unit 34. In this case, the current measurement unit 36 measures the peak value of the leak current flowing through each of the plurality of switching elements 210.

電流測定部３６は、一例として、測定対象として選択された３つのスイッチング素子２１０のそれぞれに対応する３つの電流計４４（４４−１、４４−２、４４−３）を含む。３つの電流計４４のそれぞれは、対応するスイッチング素子２１０のエミッタとバイアス発生部４０のマイナス側端子との間に流れる電流を測定する。これに代えて、３つの電流計４４のそれぞれは、対応する電圧発生部４２と対応するスイッチング素子２１０のコレクタとの間に流れる電流を測定してもよい。   As an example, the current measuring unit 36 includes three ammeters 44 (44-1, 44-2, 44-3) corresponding to the three switching elements 210 selected as the measurement target. Each of the three ammeters 44 measures the current flowing between the emitter of the corresponding switching element 210 and the negative terminal of the bias generator 40. Instead, each of the three ammeters 44 may measure the current flowing between the corresponding voltage generator 42 and the collector of the corresponding switching element 210.

そして、３つの電流計４４のそれぞれは、電流を測定する機能とともに、検出した電流のピーク値をホールドする機能を有する。これに代えて、３つの電流計４４のそれぞれは、対応する電流計４４から発生される変化電圧におけるピークタイミングに同期して、電流を測定する機能を有していてもよい。これにより、３つの電流計４４のそれぞれは、３つのスイッチング素子２１０のそれぞれに流れるリーク電流のピーク値を測定することができる。   Each of the three ammeters 44 has a function of measuring the current and holding a peak value of the detected current. Instead of this, each of the three ammeters 44 may have a function of measuring a current in synchronization with the peak timing of the change voltage generated from the corresponding ammeter 44. Thereby, each of the three ammeters 44 can measure the peak value of the leakage current flowing through each of the three switching elements 210.

このような測定装置１０は、複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに例えばサイン波形等の変化電圧を印加するので、印加開始時および印加終了時に発生するサージ電圧を低減することができる。また、このような測定装置１０は、変化電圧を印加するので複数のスイッチング素子２１０のそれぞれのオフ耐圧が仕様よりも低い場合であっても、ピーク時以外は電圧が低くなるので、過大なリーク電流を流させないことができる。以上により、測定装置１０によれば、測定時におけるスイッチング素子２１０の破損の可能性を低くして、素子破壊によるプローブの破損および破壊物の付着等を無くすことができる。   Since such a measuring apparatus 10 applies a change voltage such as a sine waveform to each of the plurality of switching elements 210, the surge voltage generated at the start and end of application can be reduced. In addition, since such a measuring apparatus 10 applies a change voltage, even if the off breakdown voltage of each of the plurality of switching elements 210 is lower than the specification, the voltage becomes low except during the peak time, so excessive leakage is caused. It is possible to prevent current from flowing. As described above, according to the measuring apparatus 10, it is possible to reduce the possibility of the switching element 210 being damaged at the time of measurement, and to eliminate the damage of the probe due to the element destruction and the attachment of the destructive material.

また、このような測定装置１０は、複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに、互いに位相を変えた変化電圧を印加するので、複数のスイッチング素子２１０に同時に過大な電圧を印加させないことができる。これにより、測定装置１０によれば、測定時に必要な最大電力量を低く抑えることができる。   Moreover, since such a measuring apparatus 10 applies the change voltage which mutually changed the phase to each of the several switching element 210, it can prevent an excessive voltage from being simultaneously applied to the several switching element 210. FIG. Thereby, according to the measuring apparatus 10, the maximum electric energy required at the time of a measurement can be restrained low.

図４は、本実施形態に係る測定部３０によって複数のスイッチング素子２１０に印加される変化電圧の他の一例を示す。電圧印加部３４は、滑らかに立ち上がり、滑らかに立ち下がる波形であれば、サイン波形に代えて他の波形の変化電圧をスイッチング素子２１０に印加してもよい。   FIG. 4 shows another example of the change voltage applied to the plurality of switching elements 210 by the measurement unit 30 according to the present embodiment. The voltage application unit 34 may apply a change voltage of another waveform to the switching element 210 instead of the sine waveform as long as the waveform smoothly rises and falls smoothly.

例えば、電圧印加部３４は、一例として、図４に示されるように、複数のスイッチング素子２１０のそれぞれに、立ち上がりおよび立下り波形が滑らかであってピークが平坦となった波形の変化電圧を印加してもよい。このような波形の変化電圧を印加した場合にも、測定装置１０は、印加開始時および印加終了時に発生するサージ電圧を低減することができる。   For example, as shown in FIG. 4, for example, the voltage application unit 34 applies a change voltage having a waveform in which the rising and falling waveforms are smooth and the peak is flat to each of the plurality of switching elements 210. May be. Even when such a waveform changing voltage is applied, the measuring apparatus 10 can reduce the surge voltage generated at the start and end of the application.

また、このような波形の変化電圧を印加した場合において、電流測定部３６は、変化電圧がピークとなったタイミング、即ち、変化電圧が平坦となった期間において、リーク電流を測定する。これにより、電流測定部３６は、ピークとなっている期間が長くなるので、ピーク電圧が印加されたタイミングにおける電流を精度良く測定することができる。これにより、測定装置１０は、複数のスイッチング素子２１０のそれぞれのリーク電流を精度良く測定することができる。   In addition, when a change voltage having such a waveform is applied, the current measurement unit 36 measures the leakage current at the timing when the change voltage reaches a peak, that is, the period when the change voltage becomes flat. Thereby, since the period when it is a peak becomes long, the current measuring unit 36 can accurately measure the current at the timing when the peak voltage is applied. Thereby, the measuring apparatus 10 can measure each leakage current of the plurality of switching elements 210 with high accuracy.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

１０ 測定装置
２０ プローブ
３０ 測定部
３４ 電圧印加部
３６ 電流測定部
４０ バイアス発生部
４２ 電圧発生部
４４ 電流計
２００ ウエハ
２１０ スイッチング素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Measurement apparatus 20 Probe 30 Measurement part 34 Voltage application part 36 Current measurement part 40 Bias generation part 42 Voltage generation part 44 Ammeter 200 Wafer 210 Switching element

Claims (7)

ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、
前記ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、
前記ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれに前記プローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、
オフ状態における前記複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部と
を備える測定装置。 A measuring device for measuring leakage currents of a plurality of switching elements formed on a wafer,
A probe electrically connected to each terminal of a plurality of switching elements formed on the wafer;
A voltage applying unit that applies change voltages that change in different phases to each of a plurality of switching elements formed on the wafer via the probe;
A current measuring unit that measures a leakage current flowing through each of the plurality of switching elements in an off state. 前記プローブは、前記ウエハに形成された複数のスイッチング素子のうち選択された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続する
請求項１に記載の測定装置。 The measuring apparatus according to claim 1, wherein the probe is electrically connected to terminals of a plurality of switching elements selected from the plurality of switching elements formed on the wafer. 前記電圧印加部は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに互いに異なる位相の同一周期のサイン波形の前記変化電圧を印加する
請求項１または２に記載の測定装置。 The measurement apparatus according to claim 1, wherein the voltage application unit applies the change voltage having a sine waveform with the same period and a different phase to each of the plurality of switching elements. 前記電流測定部は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流のピーク値を測定する
請求項１から３の何れか１項に記載の測定装置。 The measuring apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the current measuring unit measures a peak value of a leakage current flowing through each of the plurality of switching elements. 前記ウエハに形成された前記複数のスイッチング素子のそれぞれは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタまたはＳｉＣバイポーラトランジスタである
請求項１から４の何れか１項に記載の測定装置。 5. The measuring apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of switching elements formed on the wafer is an insulated gate bipolar transistor or a SiC bipolar transistor. 前記電圧印加部は、選択された３つの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタまたはＳｉＣバイポーラトランジスタのそれぞれにおけるエミッタ−コレクタ間に、互いに１２０度位相がずれたサイン波形の前記変化電圧を印加する
請求項５に記載の測定装置。 The voltage application unit applies the change voltage having a sine waveform that is 120 degrees out of phase with each other between the emitter and collector of each of the three selected insulated gate bipolar transistors or SiC bipolar transistors. Measuring device. 前記電圧印加部は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに、ピークが平坦となった波形の前記変化電圧を印加し、
前記電流測定部は、前記変化電圧がピークとなったタイミングにおいて、前記リーク電流を測定する
請求項１または２に記載の測定装置。 The voltage application unit applies the change voltage having a waveform with a flat peak to each of the plurality of switching elements,
The measuring apparatus according to claim 1, wherein the current measuring unit measures the leakage current at a timing when the change voltage reaches a peak.
JP2010293447A 2010-12-28 2010-12-28 Measuring device Pending JP2012141199A (en)

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