JP2012036030A

JP2012036030A - 半導体ウェハの製造方法

Info

Publication number: JP2012036030A
Application number: JP2010175830A
Authority: JP
Inventors: Ken Sato; 憲佐藤
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2010-08-05
Filing date: 2010-08-05
Publication date: 2012-02-23
Also published as: US8652949B2; US20120034768A1

Abstract

【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層５と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板１の前記外周領域に設けられたテーパ部１２の上に前記化合物半導体層５が成長することを阻止する成長阻止層４を形成するステップと、
前記成長阻止層４が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層５を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン基板上に形成された化合物半導体層を備える半導体ウェハの製造方法に関する。

下記特許文献１は、結晶欠陥の少ない半導体層を形成するために、シリコンからなる半導体結晶成長用基板の少なくとも外周側面に膜厚が１００ｎｍの窒化シリコンからなる保護膜を形成し、半導体結晶成長用基板の表面のうち保護膜が形成されていない領域上に窒化アルミニウムからなるバッファ層を形成し、バッファ層上に窒化ガリウムからなる半導体層を形成してなる半導体ウェハの製造方法を開示する。

特許文献１に記載される従来の半導体ウェハの製造方法によれば、バッファ層及び半導体層の結晶成長ステップにおいて、歪みによる応力集中によって半導体結晶成長用基板の外周領域にクラックが発生し、半導体結晶成長用基板内にガリウムが侵入することを抑制することができる。

特開２００９−２５６１５４号公報

しかしながら、従来の半導体ウェハの製造方法は、半導体結晶成長用基板及び半導体層に発生する応力を緩和することを目的としていないため、特に半導体ウェハの外周領域において応力に起因するクラックが発生することがあった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とする。

本願発明者は、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法について検討し、半導体ウェハの外周領域に設けられたテーパ部に成長する化合物半導体層によりクラックが発生していることを解明した。そして、本願発明者は、テーパ部の上に化合物半導体層が成長することを阻止する成長阻止層を形成することで、ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できることを見出して本願発明を完成させた。

上記課題を解決するために本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板の前記外周領域に設けられたテーパ部の上に前記化合物半導体層が成長することを阻止する成長阻止層を形成するステップと、
前記成長阻止層が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。

また、本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、前記半導体基板の前記外周領域におけるテーパ部から平坦部に向かって延伸して形成されることを特徴とする。

また、本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周の少なくとも一部が前記半導体基板の外周と平行にならないように形成されることを特徴とする。

また、本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周が略円形になるように形成されることを特徴とする。

本発明によれば、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供することができる。

本発明の実施例１に係る半導体ウェハの製造方法を示す工程断面図である。本発明の実施例２に係る半導体ウェハの構造を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る半導体ウェハの製造方法を、図面を参照しながら詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

図面を参照して本発明の実施例に係る半導体ウェハ及びその製造方法について説明する。
図１は、本発明の実施例１に係る半導体ウェハの製造方法を示す工程断面図である。本実施例に係る半導体ウェハは半導体基板１と、半導体基板１のテーパ部１２の上に形成された成長阻止層３と、半導体基板１の上に形成された化合物半導体層５と、を備える。また、本実施例に係る半導体ウェハの製造方法は、半導体基板１の外周領域に設けられたテーパ部１２の上に成長阻止層３を形成するステップと、成長阻止層３が形成された半導体基板１の上に化合物半導体層５を成長させるステップと、を備える。

図１を参照して本実施例に係る半導体ウェハの製造方法について説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１を準備し、半導体基板１の中央領域及び外周領域における平坦部（主面）１１とテーパ部１２との表面上に保護膜２を形成する。半導体基板１は、シリコン（Ｓｉ）からなる。半導体基板１は、平面的に見て鏡面加工され半導体素子が形成される中央領域及び平坦部１１と、搬送時の保持部として設けられる外周領域及びテーパ部１２と、を有する。テーパ部１２は、平坦部１１に対して所定の角度を有して形成される。保護膜２は、保護膜２の上に化合物半導体が成長されない材料からなり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の材料から選択され、ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、蒸着及び熱酸化等の方法により形成されるが、本実施例においてはＳｉＯｘからなり、熱酸化によって形成される。保護膜２は、半導体基板１の平坦部１１及びテーパ部１２の表面上に形成され、数十〜数百μｍの厚みに形成される。

次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１の外周領域における保護膜２の上にマスク３を形成する。マスク３はフォトレジスト材料からなり、周知のフォトリソグラフィ法によって形成される。マスク３は、成長阻止層４が形成される位置に設けられ、少なくとも半導体基板１のテーパ部１２を覆うように形成される。

次に、図１（ｃ）に示すように、半導体基板１の外周領域に成長阻止層４を形成する。成長阻止層４は、マスク３が形成された保護膜２を周知のウェットエッチング又はドライエッチングによってパターニングし、マスク３を除去することで形成される。成長阻止層４は、半導体基板１の外周端から中央領域に向かって所定の幅を有し、少なくとも半導体基板１のテーパ部１２の表面上を全て覆うように形成され、さらに半導体基板１の平坦部１１の一部を覆うように形成されても良い。

次に、図１（ｄ）に示すように、成長阻止層３が形成された半導体基板１の上に化合物半導体層５を成長する。化合物半導体層５は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミ窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）及び窒化インジウム（ＩｎＮ）等又はこれらの混晶を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、本実施例においてはＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表わされる単層又は多層構造からなる。化合物半導体層５は、ＣＶＤや分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）によって少なくとも半導体基板１の中央領域における平坦部１１の上に形成される。化合物半導体層５を成長するステップにおいて、化合物半導体層５が膜厚方向（図１（ｄ）における垂直方向）だけでなく幅方向（図１（ｄ）における水平方向）にも成長して成長阻止層４の上に形成されても良い。

従来の半導体ウェハの製造方法においては、テーパ部１２の結晶方位と平坦部１１の結晶方位とは互いに異なるため、半導体基板１上には、平坦部１１の結晶方位に基づいた化合物半導体層とテーパ部１２の結晶方位に基づいた化合物半導体層とが成長される。テーパ部１２上に形成される化合物半導体層は、結晶方位、結晶性及び成長レート等が平坦部１１上のそれらと異なるため、テーパ部１２の付近において応力が発生しやすかった。あるいは、平坦部１１上の化合物半導体層とテーパ部上の化合物半導体層との界面において応力が発生しやすく、半導体ウェハの外周領域においてクラックが生じる要因になっていたと考えられる。

一方、本実施例に係る半導体ウェハの製造方法によれば、少なくとも半導体基板１のテーパ部１２上の表面上を除いて化合物半導体層５が形成される。これによって半導体基板１上には、平坦部１１の結晶方位（例えば（１１１）面）に基づいた均質な化合物半導体層５が成長されるため、半導体ウェハの外周領域には応力が発生しにくい。従って、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制することができる。

図２は、本発明の実施例２に係る半導体ウェハの構造を示す断面図である。本実施例に係る半導体ウェハは、成長阻止層４ａの内周が円形になるように形成される点で実施例１に係る半導体ウェハと異なり、それ以外は実質的に同一に構成される。なお、図２（ａ）は、本実施例に係る半導体ウェハの平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。

図２（ａ）に示すように、半導体基板１はオリエンテーション・フラット（ＯＦ）部と呼ばれる形状を有し、外周端の形状は円形ではない。一方、本実施例に係る成長阻止層４ａは、その内周の一部が半導体基板１の外周端と並行ではなく、ＯＦ部と対向する部分を含めて円形になるように形成される。詳細には、図２（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ＯＦ部近傍における成長阻止層４ｃの幅とそれ以外の部分における成長阻止層４ｂの幅とは互いに異なり、ＯＦ部近傍の成長阻止層４ｃは、テーパ部１２の表面上を覆い且つ成長阻止層４ｂの幅よりも狭幅に形成される。

本実施例に係る半導体ウェハの製造方法によれば、実施例１に係る半導体ウェハの製造方法と同一の効果が得られる。さらに、化合物半導体層５が平面的に見て円形に成長されるため、半導体ウェハの外周に発生する応力が外周に沿って均一化される。従って、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生及び半導体ウェハの反りを抑制することができる。

以上、本発明の実施例の一例について説明したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

１半導体基板
２保護膜
３マスク
４、４ａ、４ｂ、４ｃ成長阻止層
５化合物半導体層
１１平坦部
１２テーパ部

Claims

シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板の前記外周領域に設けられたテーパ部の上に前記化合物半導体層が成長することを阻止する成長阻止層を形成するステップと、
前記成長阻止層が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層を成長させるステップと、を備えることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、前記半導体基板の前記外周領域におけるテーパ部から平坦部に向かって延伸して形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法。
前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周の少なくとも一部が前記半導体基板の外周と平行にならないように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウェハの製造方法。
前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周が略円形になるように形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウェハの製造方法。