JP2012033884A - 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置用パッケージは、樹脂部３の開口内に露出する部分において、リードフレーム１，２と保持樹脂６との界面を被覆することにより、リードフレーム１，２と樹脂との間の隙間１８を塞ぎ、リードフレーム１，２と保持樹脂６との隙間１８からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。特に、水分の浸入を防ぐことで水分の膨張および収縮によるパッケージの破壊を防止することができる。
【選択図】図１

Description

リードフレームを保持しながら半導体素子の搭載領域を形成する樹脂部内に封止樹脂が設けられる半導体装置とそれに用いる半導体装置用パッケージに関する。

従来の半導体装置用パッケージについて図７を用いて説明する。
図７は従来の半導体装置用パッケージの構成を示す概略図であり、図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＸ−Ｘ’断面図、図７（ｃ）は従来の半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を示す図である。

従来の半導体装置用パッケージは、図７に示すように、インナーリードに半導体素子の搭載領域を備えるリードフレーム２１と、インナーリードに半導体素子との接続領域を備えるリードフレーム２２と、リードフレーム２１およびリードフレーム２２上面においてこれらを保持すると共に半導体素子の搭載領域を開口して形成される樹脂部２３と、リードフレーム２１およびリードフレーム２２の側面および底面に設けられてリードフレーム２１およびリードフレーム２２を保持する樹脂２４とからなる。

このような半導体装置用パッケージを用いる半導体装置は、半導体装置用パッケージの搭載領域に半導体素子２５を搭載し、半導体素子２５と接続領域をワイヤ２６で接続し、半導体素子２５とワイヤ２６を封止するように、樹脂部２３の開口内部に封止樹脂２７を充填することにより形成される。

特開２０１０−９８２７６号公報

しかしながら、従来半導体装置用パッケージでは、リードフレーム２１，２２と樹脂２４または樹脂部２３との密着力が不足する場合がある。例えば、樹脂２４または樹脂部２３の形成時に、樹脂注入後冷却工程における熱収縮により、リードフレーム２１，２２と樹脂２４との間に隙間２８が生じる場合がある。また、外力等の応力によりリードフレーム２１，２２と樹脂２４との間に隙間２８が生じる場合がある。このように、リードフレーム２１，２２と樹脂２４との間に隙間２８が生じると、半導体装置の形成時における封止樹脂２７のポッティングの際に封止樹脂２７が隙間２８から漏れ出し、外観不良や樹脂部２３の開口内部の封止樹脂２７不足、あるいは、漏れ出した封止樹脂２７が外部端子に付着して接続不良や実装不良を引き起こす問題点があった。また、隙間２８から外気や水分が封止樹脂２７に浸入し、封止樹脂２７に気泡が発生したり、封止樹脂２７の耐湿性が低化したりする問題点もあった。

本発明は、上記問題点を解決するものであり、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用パッケージは、主面に素子搭載領域を備える１または複数の第１のリードフレームと、主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される１または複数の第２のリードフレームと、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を開口して形成される樹脂部と、前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームの前記主面に対する側面の少なくとも一部および前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとの間隙に設けられる保持樹脂と、少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームと前記保持樹脂との境界上を被覆する被覆部とを有することを特徴とする。

また、前記被覆部を前記主面および前記主面に対する裏面の両面に形成することが好ましい。
また、前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と同一材料からなることが好ましい。

また、前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と異なる材料からなる構成でも良い。
また、前記被覆部が非導電性接着剤を介して接着された非導電性の板であっても良い。

また、前記被覆部として、直接塗布された被覆材料を用いても良い。
また、前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いても良い。

また、前記樹脂部がリフレクタであり、前記板が銀板であり、光半導体装置用パッケージとして用いても良い。
また、前記樹脂部の開口内で露出する前記被覆部の表面に凹凸が形成されても良い。

また、前記凹凸を複数の突起で形成しても良い。
また、前記凹凸を複数の凹みで形成しても良い。
また、前記凹凸を１または複数の溝で形成しても良い。

さらに、本発明の半導体装置用パッケージの製造方法は、リードフレームを金型内に載置する金型工程と、前記金型内に樹脂を注入して素子搭載領域を開口する樹脂部および前記リードフレームを保持する保持樹脂ならびに少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を形成する樹脂注入工程とを有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする。

また、素子搭載領域を開口する樹脂部およびリードフレームを保持する保持樹脂を樹脂成型する工程と、少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を樹脂成型する工程とを有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする。

さらに、本発明の半導体装置は、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記樹脂部の開口部の内部を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。

また、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、前記光半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記リフレクタの開口部の内部を封止する透光性樹脂とを有し、光半導体装置であることを特徴とする。

以上により、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。

樹脂部の開口内に露出する部分において、リードフレームと樹脂との界面を被覆することにより、リードフレームと樹脂との間の隙間を塞ぎ、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。特に、水分の浸入を防ぐことで水分の膨張および収縮によるパッケージの破壊を防止することができる。

実施の形態１における半導体装置用パッケージの構成を示す図 実施の形態１における半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図 実施の形態２における半導体装置用パッケージの構成を例示する図 実施の形態２における半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図 実施の形態３の半導体装置用パッケージにおける被覆部の構成を示す図 実施の形態４における半導体装置の構成を示す図 従来の半導体装置用パッケージの構成を示す概略図

（実施の形態１）
まず、図１，図２を用いて実施の形態１における半導体装置用パッケージの構成および製造方法を説明する。

図１は実施の形態１における半導体装置用パッケージの構成を示す図であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＸ−Ｘ’断面図、図１（ｃ）は３端子の半導体装置用パッケージの構成を示す図である。図２は実施の形態１における半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図である。

図１において、１はインナーリードに半導体素子の搭載領域４を備えるリードフレーム、２はインナーリードに半導体装置との接続領域５を備えるリードフレーム、３はリードフレーム１およびリードフレーム２上に形成されてこれらを保持すると共に搭載領域４と接続領域５を囲んで保護する樹脂部、６はリードフレーム１、２の間隙、側面、必要に応じて裏面に設けられてリードフレーム１、２を保持する保持樹脂、１０はリードフレーム１、２の間隙に設けられる保持樹脂６上にリードフレーム１，２と保持樹脂６との境界を完全に被覆するように設けられる被覆樹脂である。本発明の半導体装置用パッケージは、樹脂部３から開口内部で露出するリードフレーム１，２と保持樹脂６との境界を被覆樹脂１０で被覆することにより、リードフレーム１，２と保持樹脂６との間の隙間１８を塞ぐことができる。また、被覆樹脂１０が熱収縮等したとしても、リードフレーム１，２の方向に収縮するため、被覆樹脂１０とリードフレーム１，２との間に隙間が生じることはない。ここで、被覆樹脂１０は、樹脂部３の開口内において、図１に示すようにリードフレーム１，２間の保持樹脂６上を含めてリードフレーム１，２と保持樹脂６との境界を越えてリードフレーム１，２上に一部がかかるように形成しても良いが、少なくともリードフレーム１，２と保持樹脂６との境界を覆うように形成すれば良い。

以上の説明は、リードフレーム２を１本備える２端子の半導体装置用パッケージを用いて行っているが、図１（ｃ）に例示するように、リードフレーム２を複数備える構成であってもかまわない。その場合、被覆樹脂１０を、開口内部で樹脂部３から露出する領域における、隣接するリードフレーム２間のリードフレーム２と保持樹脂６との境界にも形成することが望ましい。

また、図１に示すように、リードフレーム１，２の裏面に保持樹脂６を形成しないことが半導体装置用パッケージの薄型化および高放熱効率化のため望ましいが、リードフレーム１，２の保持力を大きくする必要がある場合には、リードフレーム１，２の裏面にも保持樹脂６を形成しても良く、後出の他の実施の形態における半導体装置用パッケージでも同様である。

次に、図２を用いて実施の形態１における半導体装置用パッケージの製造方法を説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、樹脂部３を形成するための金型７内にリードフレーム１，２を所定の位置関係で載置する。ここで、金型７には、樹脂部３、保持樹脂６の形成領域に加え、リードフレーム１，２と保持樹脂６との境界上に被覆樹脂１０の形成領域となる空間が設けられている。この状態で、金型７の樹脂注入口８から樹脂を注入する。注入された樹脂は、金型７内の空間に充填され、樹脂部３および保持樹脂６ならびに被覆樹脂１０を形成する。

その後、図２（ｂ）に示すように、樹脂を硬化させた後、金型７を外すことにより、リードフレーム１，２上に樹脂部３を設け、少なくともリードフレーム１，２の側面および間隙の保持樹脂６と樹脂部３とでリードフレーム１，２を保持し、リードフレーム１，２と保持樹脂６との境界上に被覆樹脂１０が形成された半導体装置用パッケージが完成する。

このように、リードフレーム１，２と保持樹脂６との境界上の少なくとも開口内部で樹脂部３から露出する部分に被覆樹脂１０を形成することにより、少なくとも封止樹脂が注入される部分のリードフレーム１，２と保持樹脂６との間の隙間１８が塞がれるため、樹脂部３の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。特に、水分の浸入を防ぐことで、封止樹脂に浸入した水分の膨張および収縮により、封止樹脂や樹脂部３が破壊されることによるパッケージの破壊を防止することができる。また、被覆樹脂１０が十分な強度を有する場合には、隙間１８があったとしてもリードフレーム１，２の保持力が向上し、樹脂によるリードフレームの固定を確実に行うことができるので、半導体素子の搭載位置精度が向上し、半導体素子の接続が安定する。

上記説明では、被覆樹脂１０をリードフレーム１，２の搭載領域４が存在する面である主面側に形成したが、リードフレーム１，２の主面に対する裏面側に形成しても、両面に形成しても良い。例えば、両面に被覆樹脂１０を形成する場合には、図２で示した製造工程において、金型７に代わり、図２（ｃ）に示す金型９を用いることにより、樹脂成型することができる。
（実施の形態２）
次に、図３，図４を用いて実施の形態２における半導体装置用パッケージの構成および製造方法を説明する。

図３は実施の形態２における半導体装置用パッケージの構成を例示する図であり、被覆部の構成例を示す図である。図４は実施の形態２における半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図である。

実施の形態１では、被覆樹脂１０を保持樹脂６および樹脂部３と同時に同じ樹脂材料で樹脂成型して形成したが、被覆樹脂１０を別の樹脂成型工程で形成しても良く、また、図３（ａ）に示すように、別の樹脂材料で形成した被覆樹脂１１としても良い。別工程で形成することにより、被覆樹脂１１が形成工程で収縮しないように特に管理した条件で形成することができる。また、被覆樹脂１１はリードフレーム１，２を保持する効果は必要ないので、保持力が小さいとしても、隙間１８を被覆できる樹脂材料を選択することができ、また、収縮が生じ難い材料を選択することもできる。これにより、より確実に隙間１８を塞ぐことが可能となる。

また、隙間１８の被覆は樹脂により行うことに限定する必要はなく、図３（ｂ）に示すように、セラミックやプラスティック製の非導電性の板１２により被覆する構成としても良い。この場合、リードフレーム１，２に保持樹脂６と樹脂部３を設けた後（図４（ａ））、リードフレーム１，２間の保持樹脂６上を含めてリードフレーム１，２と保持樹脂６との境界を越えてリードフレーム１，２上に一部がかかるように非導電性の接着剤１６を塗付し（図４（ｂ））、接着剤１６を介して板１２を保持樹脂６上からリードフレーム１，２上にわたる領域に貼り付ける（図４（ｃ））。このように、板１２によって隙間１８を被覆することにより、樹脂部３の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。

さらには、リードフレーム１，２と保持樹脂６との境界上に、封止樹脂や水分を透過しない被覆材料を直接塗布することにより、隙間１８を被覆することも可能である。
このように、隙間１８が生じる領域であるリードフレーム１，２と保持樹脂６との境界上に、隙間１８を被覆するように、樹脂や板、被覆材料等の被覆部を設けることにより、リードフレーム１，２と保持樹脂６との間の隙間１８が塞がれるため、樹脂部３の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。

上記実施の形態１および実施の形態２の半導体装置用パッケージにおいて、リードフレーム１，２の上面の樹脂部３をリフレクタとすることにより、光半導体装置用パッケージとすることもできる。この場合、リフレクタの材料となる樹脂を光の反射率の高い樹脂を用いるか、リフレクタの素子搭載面側の表面を光の反射率の高い材料でコーティングすることにより発光効率を向上することができ、好ましい。また、リフレクタの素子搭載面側の表面に素子搭載面側に向かう傾斜を設けることが、発光効率の向上のために好ましい。さらに、被覆樹脂１０，１１として光の反射率の高い樹脂を用いることが同様に好ましく、板１２を銀板等の光の反射率の高い板とすることが好ましい。
（実施の形態３）
次に、図５を用いて実施の形態３における半導体装置用パッケージの構成を説明する。

図５は実施の形態３の半導体装置用パッケージにおける被覆部の構成を示す図であり、図５（ａ）は凹凸として突起を設ける場合を例示する要部斜視図、図５（ｂ）は凹凸として凹みを設ける場合を例示する要部斜視図、図５（ｃ）は凹凸として溝を設ける場合を例示する要部斜視図である。

実施の形態３における半導体装置用パッケージは、実施の形態１における被覆樹脂１０の表面、あるいは実施の形態２における半導体装置用パッケージの被覆樹脂１１（図３（ａ）参照。以下同様）または板１２（図３（ｂ）参照。以下同様）等の被覆部の表面に凹凸を形成することを特徴とする。

図５に示すように、被覆樹脂１０、被覆樹脂１１および板１２は樹脂部３の開口内において、リードフレーム１，２と保持樹脂６との境界上を覆うように形成される。このような、被覆樹脂１０、被覆樹脂１１または板１２の樹脂部３の開口内から露出している表面に凹凸を形成する。あらかじめ被覆樹脂１０、被覆樹脂１１または板１２の露出表面に凹凸を形成しておくことにより、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制しながら、半導体装置用パッケージに半導体装置を搭載し、樹脂部３で囲まれた領域に封止樹脂を封止する場合に、被覆樹脂１０、被覆樹脂１１または板１２と封止樹脂との接触面積が増加し、被覆樹脂１０、被覆樹脂１１または板１２と封止樹脂との密着性が向上するため、封止樹脂のはがれを防止し、確実に封止樹脂を封止することができる。

凹凸の具体的な形状は、例えば、被覆樹脂１０、被覆樹脂１１または板１２の表面に複数の突起３１を形成する形状（図５（ａ））、複数の凹み３２を形成する形状（図５（ｂ））、１または複数の溝３３を、リードフレーム１の側面のリードフレーム２と対向する面と平行な方向、直行する方向、あるいはそれらを組み合わせた方向等、任意の方向に形成する形状（図５（ｃ））、あるいはこれらの突起３１、凹み３２、溝３３を組み合わせた形状とすることができる。突起３１あるいは凹み３２の形状は任意であり、球面、角柱、角錐等とすることができ、また、これらを組み合わせても良い。突起３１あるいは凹み３２の大きさは任意であり、様々な大きさの突起３１あるいは凹み３２を複数設けても良いし、大きさを統一しても良い。また、突起３１あるいは凹み３２を規則的に整列させても良いし、不規則に配置しても良い。また、溝３３の長さ、幅、深さ等のサイズも任意である。

上記のような凹凸を形成する際には、図２の金型７に、凹凸を形成するための形状を形成しておくことにより、樹脂部３および保持樹脂６の形成と同時に表面に凹凸が形成された被覆樹脂１０を形成することができる。また、特に板１２の場合は、板１２の形成後に、切削やエッチング等の加工により凹凸を形成しても良い。

さらに、実施の形態２における被覆樹脂１１を備える半導体装置用パッケージの場合、保持樹脂６の被覆樹脂１１との接触面に凹凸を形成することにより、保持樹脂６と被覆樹脂１１との密着性も向上し、被覆樹脂１１のはがれも防止することができる。
（実施の形態４）
次に、図６を用いて実施の形態１〜実施の形態３における半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を説明する。

図６は実施の形態４における半導体装置の構成を示す図であり、図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ−Ｘ’断面図、図６（ｃ）は被覆部として板を用いた実施例を示す図である。

実施の形態４における半導体装置は、図６に示すように、実施の形態１〜実施の形態３における半導体装置用パッケージの搭載領域４上に導電性接着剤等で半導体素子１３を固着し、半導体素子１３と接続領域５とをワイヤ１４等の導電性材料で電気的に接続し、半導体素子１３とワイヤ１４とを封止するように、樹脂部３とリードフレーム１，２とで囲まれた領域に封止樹脂１５を形成することにより形成される。この時、リードフレーム１，２の裏面に樹脂を設けない半導体装置用パッケージを用いた場合には、半導体素子１３の動作時に発生する熱を素早く放出することができる。また、半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。

このように、リードフレーム１，２と保持樹脂６との境界上の少なくとも開口内部で樹脂部３から露出する部分に被覆樹脂１０，１１あるいは板１２（図３，図４参照）等で被覆部を形成することにより、リードフレーム１，２と保持樹脂６との間の隙間１８が塞がれるため、樹脂部３の開口内からの封止樹脂１５の漏れ出しや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。

ここで、上述の光半導体装置用パッケージを用い、半導体素子１３として光半導体素子を搭載し、封止樹脂１５として透光性樹脂を用いることにより、光半導体装置を形成することもできる。その場合、図６（ｃ）に示すように、板１２（図３，図４参照）として銀板１７を用いることにより、光半導体素子からの出射光が銀板１７で反射するため、光半導体装置の発光効率を向上させることができる。

本発明は、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することができ、リードフレームを保持しながら半導体素子の搭載領域を形成する樹脂部内に封止樹脂が設けられる半導体装置とそれに用いる半導体装置用パッケージ等に有用である。

１ リードフレーム
２ リードフレーム
３ 樹脂部
４ 搭載領域
５ 接続領域
６ 保持樹脂
７ 金型
８ 注入口
９ 金型
１０ 被覆樹脂
１１ 被覆樹脂
１２ 板
１３ 半導体素子
１４ ワイヤ
１５ 封止樹脂
１６ 接着剤
１７ 銀板
１８ 隙間
２１ リードフレーム
２２ リードフレーム
２３ 樹脂部
２４ 樹脂
２５ 半導体素子
２６ ワイヤ
２７ 封止樹脂
２８ 隙間

Claims (16)

1. 主面に素子搭載領域を備える１または複数の第１のリードフレームと、
   主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される１または複数の第２のリードフレームと、
   前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を開口して形成される樹脂部と、
   前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームの前記主面に対する側面の少なくとも一部および前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとの間隙に設けられる保持樹脂と、
   少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームと前記保持樹脂との境界上を被覆する被覆部と
   を有することを特徴とする半導体装置用パッケージ。
2. 前記被覆部を前記主面および前記主面に対する裏面の両面に形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
3. 前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と同一材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
4. 前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と異なる材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
5. 前記被覆部が非導電性接着剤を介して接着された非導電性の板であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
6. 前記被覆部として、直接塗布された被覆材料を用いることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
7. 前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
8. 前記樹脂部がリフレクタであり、前記板が銀板であり、光半導体装置用パッケージとして用いることを特徴とする請求項５記載の半導体装置用パッケージ。
9. 前記樹脂部の開口内で露出する前記被覆部の表面に凹凸が形成されることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
10. 前記凹凸を複数の突起で形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージ。
11. 前記凹凸を複数の凹みで形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージ。
12. 前記凹凸を１または複数の溝で形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージ。
13. リードフレームを金型内に載置する金型工程と、
    前記金型内に樹脂を注入して素子搭載領域を開口する樹脂部および前記リードフレームを保持する保持樹脂ならびに少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を形成する樹脂注入工程と
    を有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。
14. 素子搭載領域を開口する樹脂部およびリードフレームを保持する保持樹脂を樹脂成型する工程と、
    少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を樹脂成型する工程と
    を有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。
15. 請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージと、
    前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、
    前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、
    前記樹脂部の開口部の内部を封止する封止樹脂と
    を有することを特徴とする半導体装置。
16. 請求項７または請求項８のいずれかに記載の半導体装置用パッケージと、
    前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、
    前記光半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、
    前記リフレクタの開口部の内部を封止する透光性樹脂と
    を有し、光半導体装置であることを特徴とする半導体装置。

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