JP2012032551A - 反射積層膜 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、高い反射率と良好な耐久性とを同時に実現せしめることが可能な反射積層膜を提供することを課題とした。
【解決手段】基材上に成膜される反射積層膜であり、該反射積層膜は基材上に下地層、該下地層上にAgを主成分とする反射層、該反射層上に保護層、該保護層上に透明増反射層を有し、前記反射層がNを含むものであり、前記透明増反射層がSiの酸窒化物層を含む積層体であり、該積層体はSiの酸窒化物層を含む低屈折率層と高屈折率層とを含むものであることを特徴とする反射積層膜。
【選択図】図1
【解決手段】基材上に成膜される反射積層膜であり、該反射積層膜は基材上に下地層、該下地層上にAgを主成分とする反射層、該反射層上に保護層、該保護層上に透明増反射層を有し、前記反射層がNを含むものであり、前記透明増反射層がSiの酸窒化物層を含む積層体であり、該積層体はSiの酸窒化物層を含む低屈折率層と高屈折率層とを含むものであることを特徴とする反射積層膜。
【選択図】図1
Description
本発明は、可視光反射部材及び日射反射部材として適用可能な反射積層膜に関するものである。
従来、液晶ディスプレイのバックライトユニットやプロジェクションテレビの反射鏡、LED照明用反射部材、光記録媒体の反射層、薄膜太陽電池の裏面電極膜など、様々な用途において金属膜を光反射層とした反射部材が用いられている。
金属膜を用いた光反射部材は、反射率、耐久性、コストなどをふまえて、目的に適合する様々な膜構成が取られるが、プロジェクションテレビ用の反射鏡のような、より高い反射率が求められる用途では、反射率の高い金属層と、該金属層の上層に形成される、金属層の保護と増反射を目的とした無機物の膜を含む反射積層膜が用いられることが多い(非特許文献1)。
上記反射積層膜の作製には、スパッタ法などの真空蒸着法が広く用いられており、金属層としてはAlやAgが利用される(特許文献1、特許文献2)。AgはAlに比べて高い反射率を有するため、反射率向上の観点からはAgの利用が望ましいとされるが、一方でAgは欠陥の発生や、膜の剥離等が生じやすいとされている(特許文献3)。
上記の課題を改善する方法として、Ag膜にAu、Pdなどの貴金属、もしくはCu、Alなどの金属を添加し、Ag膜を合金化する方法(特許文献4、特許文献5)、窒化珪素などの膜をAg層上部に保護層として積層する方法(特許文献6)等が提案されている。
工業調査会 内田龍男、内池平樹(監修)、フラットパネルディスプレイ大事典(2001) 197頁
前述したように、Ag膜は欠陥の発生や膜の剥離等が生じやすく、その原因のひとつとして、湿気、ハロゲンなどへの耐久性に乏しいことが挙げられる。従来のように、Ag膜にAuやPdなどの貴金属を添加し、Ag膜を合金化することによって耐久性の向上を図る方法では、耐久性は改善されるが、一方で、Ag膜の反射率が低下してしまうという問題があった。
かくして本発明は、高い反射率と良好な耐久性とを同時に実現せしめることが可能な反射積層膜を提供することを課題とした。
本発明者は、前述した課題に対して鋭意検討した結果、Nを含むAg膜は優れた反射率を維持したまま耐久性が大きく向上することを見出した。また、一方でAg上層の透明増反射層を構成する積層体の低屈折率層にSiの酸窒化物を用いることにより、耐久性をより向上できることを見出した。一般的にAg膜を用いた積層体では、積層体に用いる膜の内部応力を低くすることにより、Ag膜の耐久性を向上させているものが多いが、本発明のSiの酸窒化物はSiの酸化物よりも内部応力が高くなる傾向にあるのにも関わらず、上記の積層体に用いるとSiの酸化物膜よりも耐久性が向上することがわかった。
すなわち、本発明の反射積層膜は、基材上に成膜される反射積層膜であり、該反射積層膜は基材上に下地層、該下地層上にAgを主成分とする反射層、該反射層上に保護層、該保護層上に透明増反射層を有し、前記反射層がNを含むものであり、前記透明増反射層がSiの酸窒化物層を含む積層体であることを特徴とする。
また本発明の反射積層膜は、前記透明増反射層が、Siの酸窒化物からなる低屈折率層と、金属酸化物からなる高屈折率層とを含み、該高屈折率層の屈折率は、該低屈折率層の屈折率よりも0.4以上高いことを特徴とする。
また、本発明の反射積層膜は、前記保護層が、Zn、Sn、Ti、Al、NiCr、Cr、Zn合金、及びSn合金からなる群から選ばれる少なくともひとつを主成分とする金属、又は、金属元素に対してAl、Ga、及びSnからなる群から選ばれる少なくともひとつを1〜10質量%含むZn酸化物もしくはIn酸化物であることを特徴とする。AlまたはGaまたはSnが1質量%未満、あるいは10質量%を超える場合、酸化物層の応力が高くなることから、Ag膜との密着性が低下することがある。
また、本発明の反射積層膜は、前記下地層が、Al、Ti、Zn、In、Snの酸化物、酸窒化物、及び窒化物からなる群から選ばれる少なくともひとつを主成分とすることを特徴とする。
また、本発明の反射積層膜は、その製造方法において、スパッタリング法を用いて、基材上に下地層を成膜する工程、該下地層上に希ガスとN2との混合ガス雰囲気下でAgを主成分とする反射層を成膜する工程、該反射層上に保護層を成膜する工程、該保護層上に、希ガスとN2とO2とを含む混合ガス雰囲気下でSi酸窒化物からなる低屈折率層を成膜する工程、及び該低屈折率層上に高屈折率層を成膜する工程、を含む透明増反射層を成膜する工程を含むことを特徴とする反射積層膜の製造方法である。
また、本発明の反射積層膜の製造方法において、前記反射層を成膜する工程に用いる混合ガスは、N2を5〜40体積%含むことを特徴とする。
上記のN2ガス量は5体積%以上、40体積%以下としており、好ましくは10体積%以上、30体積%以下としてもよい。該N2ガスの量が5体積%未満の場合、塩水に対する耐久性の向上は見られず、40体積%を超えると、塩水耐久性は大きく変化しないにも関わらず反射層の成膜速度が低下し続けるため、生産性が低下することがある。
また、本発明の反射積層膜の製造方法において、前記低屈折率層を成膜する工程に用いる混合ガスは、希ガスを40〜70体積%含むことを特徴とする。
上記の希ガス量が40体積%未満の場合、膜の内部応力に起因して耐久性がやや低下することがあり、70体積%を超える場合、N2およびO2の供給量の不足に起因して、窒素もしくは酸素が不足した酸窒化物が成膜され、膜の透明性が失われることがある。さらに、該希ガス量が40〜70体積%であり、かつ低屈折率膜が成膜されるように窒素と酸素のガス流量を調節した場合、膜の成膜速度が向上することがわかった。
本発明の反射積層膜は、高い反射率と耐久性とを両立した反射積層膜である。また、本発明の好適な実施形態のひとつにおいて、反射積層膜の製造に用いるスパッタターゲットは、金属の添加を必要としないため、ターゲットの使用状態により、膜の組成ずれが起こる心配がないため、安定的に同一品質の製品を得ることが可能である。
本発明の好適な実施形態のひとつを図1に示す。該反射積層膜は、基材として板ガラス3を用い、該板ガラス3上に下地層13、該下地層13上にAgを主成分とする反射層14、該反射層14上に保護層15、該保護層15上に透明増反射層19を有し、前記反射層14がNを含むものであり、前記透明増反射層19がSiの酸窒化物からなる低屈折率層16及び該低屈折率層上に高屈折率層17を含む積層体であることを特徴とする。
前記下地層13は、Al、Ti、Zn、In、Snの酸化物、酸窒化物、及び窒化物からなる群から選ばれる少なくともひとつを主成分とした層であり、該板ガラス3と該反射層14との密着性を向上させるために用いられるものである。
前記反射層14は、Nを含んだAgを用いるものである。該反射層14の厚みは特に限定されるものではないが、好ましくは50〜500nm、より好ましくは120nm以上、200nm以下としても良い。該厚みが50nm未満の場合、可視〜赤外光が該反射層14を透過するため、充分な反射率を得ることが出来なくなる。また、上限は特に限定する必要はないが、コスト面を考慮に入れると500nm以下としても差し支えない。
前記保護層15は、前記反射層14が成膜時に酸化されるのを抑制し、なおかつ前記反射層14と前記透明増反射層19との密着性を向上させるために設けられる層であり、Zn、Sn、Ti、Al、NiCr、Cr、Zn合金、及びSn合金からなる群から選ばれる少なくともひとつを主成分とする金属、又は、金属元素に対してAl、Ga、及びSnからなる群から選ばれる少なくともひとつを1〜10質量%含むZn酸化物もしくはIn酸化物であることが好ましい。特に該Zn酸化物、該In酸化物は、Ag膜との密着性が高く、かつ、金属を用いた場合に比べて高い反射率を維持しやすいため好ましい。また、該保護層15の厚みは特に限定されるものではないが、薄すぎる場合は前記透明増反射層19の成膜時に前記反射層14が酸化される恐れがあり、厚すぎる場合は反射率の低下に繋がるため、好ましくは2〜10nmとしてもよい。
前記透明増反射層19は、屈折率が異なる2種以上の層を含む層である。該透明増反射層19は基材側から低屈折率層16、高屈折率層17の順に積層されたものが好ましく、該低屈折率層16及び該高屈折率層17が複数回積層されたものでもよい。また、該透明増反射層19は該低屈折率層16及び該高屈折率層17以外でも、反射率や耐久性を損なわないのであれば他の層が介在するものであってもよい。
前記低屈折率層16と前記高屈折率層17の屈折率差は0.40以上であることが好ましく、さらに好ましくは0.50〜1.10としてもよい。なお、増反射効果を発現させたい波長域により、該低屈折率層16と該高屈折率層17の最適な厚みは変化するため、各層の厚みは目的の波長域における反射率が高まるように適宜決められればよい。
また、該低屈折率層16はSiの酸窒化物からなるものであり、該高屈折率層17は、屈折率が2.00以上、2.70以下の金属酸化物を用いるのが好ましく、例えばTi、Zr、Nb、Ta等の酸化物が挙げられる。
該低屈折率層16の屈折率は、前記高屈折率層17との屈折率差を考慮して決定されればよいが、該高屈折率層17を上記の金属酸化物とした場合、十分な増反射効果を発現するためには、1.80以下であることが好ましく、さらに好ましくは1.46以上1.70以下としてもよい。
また、本発明の反射積層膜は、図2に示したように基材側から最も遠い空気と接する層となる最上層に、オーバーコート層18を形成してもよい。該オーバーコート層18を形成することにより、空気中の水蒸気の遮断、摩擦等の物理的な損傷への耐久性を向上させることが可能となる。該オーバーコート層18は、反射率を損なわないのであれば特に限定する必要はないが、特に窒化珪素を用いるのが好ましい。
該オーバーコート層18に窒化珪素を用いた場合、その厚みは1〜40nmとするのが好ましく、より好ましくは2〜15nmとしてもよい。該オーバーコート層18は、膜厚が厚いほど水蒸気の遮断性能が高くなるものの、反射率は低くなる傾向にあるため、厚みが1nm未満の場合、水蒸気を遮断できないことがあり、40nm以上の場合、反射率の低下が大きくなることがある。
本発明における「基材上」とは、基材に接するものでも、基材との間に他の層が介在するものであってもよい。また、各層の間には耐久性及び反射率を損なわないのであれば、他の層が介在するものでもよい。
本発明における基材には板ガラスが好適に用いられる。ガラスに特に制限はないが、石英ガラスやソーダ石灰ケイ酸塩ガラスからなるフロート板ガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸塩ガラス、低膨張ガラス、ゼロ膨張ガラス、低膨張結晶化ガラス、ゼロ膨張結晶化ガラス、TFT用ガラス、PDP用ガラス、光学フィルム用基板ガラス等が挙げられる。なお、基材には目的に応じて高分子フィルムを用いてもよい。
また、図1に示した本発明の反射積層膜の好適な実施形態の製造方法を以下に示す。該反射積層膜はスパッタリング法で成膜されるものであり、図3に示されるようなスパッタ成膜機にて成膜を行うことが好ましい。以下に図3を参照しながら説明する。
まず、該スパッタ成膜機内の所定の位置にターゲット1、基材3を設置する。基材3は基板ホルダー2で保持される。該基材3を保持した後、メインバルブ6を開放し、真空ポンプ5を用いて、真空チャンバー8内を排気する。
基材3を保持した基板ホルダー2は移動可能な構造となっており、基板ホルダーの移動速度を調節することで、成膜時の層の厚みを変えることが可能である。該移動速度は一定とし、基材が装置内を移動している間は変更しないことが好ましい。
次に、真空チャンバー8内にガス導入管7より、ターゲット1に応じた導入ガスをマスフローコントローラー(図示せず)により導入し、真空チャンバー8内の圧力を調整する。また、真空ポンプの種類は適宜選択されれば良く、特に限定されるものではない。
前記反射層14を成膜する場合、使用するターゲットにはAg金属ターゲットを用い、ガス導入管7から希ガスとN2の混合ガスを導入して成膜する。また、導入ガスは成膜される反射膜に影響を及ぼさない程度であれば、希ガス、N2ガス以外の任意の第3成分を含んでもよい。該混合ガスは、好適な耐久性と生産性を両立するために、N2が5〜40体積%含まれることが好ましい。
前記保護層15を成膜する場合、O2を含むガスを導入すると、放電時に発生する酸素プラズマにより、下層に成膜された該反射層14のAgが酸化されることがあるため、Agに影響を及ぼさない程度にO2の量が調整されているガスか、O2を含まないガスを用いて成膜される。
該透明増反射層19の低屈折率層16を成膜する場合、使用するターゲットはSiを含むセラミックターゲット、Siターゲット、どちらを用いても構わない。導入するガスは、希ガス/(希ガス+N2+O2)×100で表される希ガスの量が、40〜70体積%とし、N2ガスとO2ガスの混合比は、所望の屈折率の膜が得られるように決定されればよい。
また、前記の反射層14及び低屈折率層16を成膜する際に真空チャンバー8内に導入する希ガスは、He、Ne、Ar、Kr、Xeのいずれも用いることができるが、スパッタリング率やコストの面からArが最も好適に用いられる。
次にDC電源10を用いてターゲットに電力を投入し、搬送ロール12を作動させることにより、該基材ホルダー2に固定された該板ガラス3を搬送させる。
ターゲットへの電力の投入には直流電源、交流電源、または交流と直流を重畳した電源、いずれの電源も用いられるが、直流電源は連続生産性に優れていることから好適に用いられる。また、SiO2、Si3N4等の誘電体を成膜する場合、直流電源を用いるとターゲットのエロージョン周辺部に堆積した誘電体の電気的破壊に起因する異常放電が生じる恐れがあるため、交流電源、もしくは直流電源にパルスを印加した電源を用いるのが好ましい。
前記反射層14、前記低屈折率層16以外の膜を成膜する場合、使用するターゲットは所望の膜に合わせて適宜選択されればよく、セラミックターゲット、金属ターゲット等、いずれを用いても差し支えない。また、いずれのターゲットを用いる場合においても、成膜したい膜種に応じて導入ガスは適宜選択されれば良く、特に限定されるものではない。また、導入ガスは反射率や耐久性等を損なわない程度であれば、任意の第3成分を含んでもよい。
本発明の反射積層体は、高い反射率と耐久性を有し、液晶ディスプレイやプロジェクションテレビ等の表示素子の反射部材や、集光用反射鏡として好適に利用される。
まず、Nを含む反射層の耐久性の検討を行った。以下に参考例として示す。
板ガラス上に、厚み30nmのAlをドープしたZnO(以下、AZOと記載することもある)層、厚み150nmのAg層を順次図3に示すようなスパッタリング装置を用いて成膜した。板ガラスは厚み3mmのソーダライムガラスを用いた。
参考例1
真空チャンバー8内にターゲット1を設置し、板ガラス3を基材ホルダー2に保持させた後、真空チャンバー8内を真空ポンプ5を用いて排気した。なお、1層成膜し終える毎に導入したガスをポンプで排気し、次に成膜する膜種に応じたガスを新たに導入した。
真空チャンバー8内にターゲット1を設置し、板ガラス3を基材ホルダー2に保持させた後、真空チャンバー8内を真空ポンプ5を用いて排気した。なお、1層成膜し終える毎に導入したガスをポンプで排気し、次に成膜する膜種に応じたガスを新たに導入した。
まず、板ガラス上にAZO層を成膜した。AZO層の成膜では、ターゲット1としてZnAl(Al4質量%含有Zn)ターゲットを用い、ガス導入管7よりO2ガスを導入し、その圧力を開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を1.0kWとして、板ガラス3上にAZO膜を得た。
次に、Ag層の成膜を行った。Ag層の成膜では、ターゲット1としてAgターゲットを用い、ガス導入管7よりArとN2ガスとの混合ガス(N2ガス20体積%)を導入し、その圧力を開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を0.36kWとして、板ガラス3上にAg膜を得た。
参考例2
Ag膜を成膜する際に導入する混合ガスをArガスとした以外は参考例1と同様の方法で成膜を行った。
Ag膜を成膜する際に導入する混合ガスをArガスとした以外は参考例1と同様の方法で成膜を行った。
(塩水浸漬試験)
参考例1、2で得られたサンプルを、濃度5質量%の塩水に基材ごと浸漬した。浸漬を開始してから1時間後、5時間後にそれぞれサンプルを塩水より取出し、純水で表面を洗浄後にエアーガンで水滴を除いた。水滴除去後、目視における外観観察、及び分光光度計(U−4000、日立製作所製)を用いて、膜面側から光を入射して反射率を測定した。また、可視光反射率および日射反射率をJISR3106(1998)に記載の方法で算出した。その反射率を測定した結果を表1に示す。
参考例1、2で得られたサンプルを、濃度5質量%の塩水に基材ごと浸漬した。浸漬を開始してから1時間後、5時間後にそれぞれサンプルを塩水より取出し、純水で表面を洗浄後にエアーガンで水滴を除いた。水滴除去後、目視における外観観察、及び分光光度計(U−4000、日立製作所製)を用いて、膜面側から光を入射して反射率を測定した。また、可視光反射率および日射反射率をJISR3106(1998)に記載の方法で算出した。その反射率を測定した結果を表1に示す。
塩水浸漬試験の結果、Ag層にNを含まない参考例2は、1時間後に膜面に白濁が見られ、5時間後には白濁の程度がより強くなった。また、表1の反射率を比較しても、Ag層にNを含む参考例1は、塩水浸漬試験後も高い可視光反射率及び日射反射率を維持していた。
上記の結果を踏まえて、以下に本発明の実施例を示す。
実施例1
板ガラス3上に、厚み30nmのAlドープZnO(AZO)層13、厚み150nmのAg層14、厚み3nmのAZO層15、厚み55nmのSiの酸窒化物(以下SiONと記載することもある)層16、厚み45nmのTiO2層17を、順次成膜した。板ガラス3には厚み3mmのソーダライムガラスを用いた。
板ガラス3上に、厚み30nmのAlドープZnO(AZO)層13、厚み150nmのAg層14、厚み3nmのAZO層15、厚み55nmのSiの酸窒化物(以下SiONと記載することもある)層16、厚み45nmのTiO2層17を、順次成膜した。板ガラス3には厚み3mmのソーダライムガラスを用いた。
真空チャンバー8内にターゲット1を設置し、板ガラス3を基材ホルダー2に保持させた後、真空チャンバー8内を、真空ポンプ5を用いて排気した。なお、1層成膜し終える毎に導入したガスをポンプで排気し、次に成膜する膜種に応じたガスを新たに導入した。
まず、下地層13を成膜した。下地層13であるAZO層の成膜では、ターゲットにはZnAlを用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりO2ガスを導入し、成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を1.0kWとして、AZO膜を得た。
次に、反射層14を成膜した。反射層14であるAg層の成膜では、ターゲットにはAgを用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりArとN2との混合ガス(N2ガス20体積%)を導入した。成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を0.36kWとし、Ag層を得た。
次に、保護層15を成膜した。保護層15であるAZO層の成膜では、ターゲットにはZnO−Al2O3を用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりArガスを導入し、成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.6Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を0.50kWとし、AZO膜を得た。
次に、低屈折率層16を成膜した。低屈折率層16であるSiON層の成膜では、ターゲットにはSiを用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりAr、N2、O2の混合ガス(Arガス65体積%、N2ガス14体積%、O2ガス21体積%)を導入した。成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を2.0kWとし、DC電源に重畳して印加する交流パルスの周波数を20kHzとし、SiON層を得た。
次に、高屈折率層17を成膜した。高屈折率層17であるTiO2層の成膜では、ターゲットにはTiを用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりO2ガスを導入し、成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.4Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を3.0kWとし、DC電源に重畳して印加する交流パルスの周波数を20kHzとし、TiO2膜を成膜した。
実施例2
高屈折率層17上に、オーバーコート層18として厚み5nmのSi3N4層を成膜し、低屈折率層16の厚みを49nm、高屈折率層17の厚みを41nmとした以外は、実施例1と同様の方法で成膜を行った。
高屈折率層17上に、オーバーコート層18として厚み5nmのSi3N4層を成膜し、低屈折率層16の厚みを49nm、高屈折率層17の厚みを41nmとした以外は、実施例1と同様の方法で成膜を行った。
なお、該Si3N4層の成膜では、ターゲットにはSiを用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりArとN2との混合ガス(N2ガス70体積%)を導入し、成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を2.0kWとし、DC電源に重畳して印加する交流パルスの周波数を20kHzとし、Si3N4膜を得た。
比較例1
低屈折率層16として、厚み55nmのSiO2層を成膜した以外は、実施例1と同様の方法で成膜を行った。なお、該低屈折率層16は、ターゲットとしてSiを用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりArとO2との混合ガス(O2ガス70体積%)を導入し、成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を2.0kWとし、DC電源に重畳して印加する交流パルスの周波数を20kHzとし、SiO2膜を得た。
低屈折率層16として、厚み55nmのSiO2層を成膜した以外は、実施例1と同様の方法で成膜を行った。なお、該低屈折率層16は、ターゲットとしてSiを用い、真空チャンバー8内の雰囲気ガスに、ガス導入管7よりArとO2との混合ガス(O2ガス70体積%)を導入し、成膜中の真空チャンバー8内の圧力は、開閉バルブ6により0.3Paに調節した。更に、DC電源の出力電力を2.0kWとし、DC電源に重畳して印加する交流パルスの周波数を20kHzとし、SiO2膜を得た。
(光学特性の評価)
分光光度計(U−4000、日立製作所製)を用いて、各サンプルについて、膜面側から光を入射して反射率を測定した。また、可視光反射率および日射反射率をJISR3106(1998)に記載の方法で算出した。
分光光度計(U−4000、日立製作所製)を用いて、各サンプルについて、膜面側から光を入射して反射率を測定した。また、可視光反射率および日射反射率をJISR3106(1998)に記載の方法で算出した。
(耐久性の評価)
反射積層膜を15cm×4cmの大きさに切断し、塩水噴霧試験を行った。塩水は濃度5質量%、温度35℃とした。試験日数は3日間、5日間とし、試験終了後は純水で表面をすすいだ後にエアーガンで水滴を除いた。試験を行ったサンプルは目視における外観観察、顕微鏡における欠陥観察、分光光度計による反射率測定を行った。
反射積層膜を15cm×4cmの大きさに切断し、塩水噴霧試験を行った。塩水は濃度5質量%、温度35℃とした。試験日数は3日間、5日間とし、試験終了後は純水で表面をすすいだ後にエアーガンで水滴を除いた。試験を行ったサンプルは目視における外観観察、顕微鏡における欠陥観察、分光光度計による反射率測定を行った。
表2に各サンプルの膜構成、可視光反射率、日射反射率を示した。膜構成において括弧内に示した数字は層の厚みを表し、単位はnmである。なお、N2を含むガス雰囲気で成膜したAg層は、Ag−Nと記載した。
各実施例と各比較例の反射率は同等であったことから、反射層及び低屈折率層にNを含んでも、従来の金属を添加した反射積層膜のように、光学特性の変化が見られないことが示された。
表3に各サンプルの塩水噴霧試験後の欠陥数、欠陥形状および可視光反射率、日射反射率を示した。なお、膜の外観と欠陥形状は顕微鏡で観察した結果であり、膜の外観については、ほとんど目立たない場合は○、多く見られる場合は×とし、欠陥形状については、膜の剥離が見られない場合は○、円形状や多角形状などの膜の剥離を伴う欠陥が発生している場合は×とした。
SiON層を有する実施例1及び実施例2の反射膜では、膜の剥離を伴うような欠陥は見られなかったのに対し、SiO2層を用いた比較例1では時間の経過と共に膜の剥離を伴った円形や多角形状の欠陥が観察された。
以上より、Nを含むAg層とSiON層を用いた高反射積層膜は、高い反射率と、良好な耐久性を併せ持つことがわかった。
1 ターゲット
2 基材ホルダー
3 板ガラス
4 カソードマグネット
5 真空ポンプ
6 開閉バルブ
7 ガス導入管
8 真空チャンバー
9 電源コード
10 DC電源
11 バッキングプレート
12 搬送ロール
13 下地層
14 反射層
15 保護層
16 低屈折率膜層
17 高屈折率膜層
18 オーバーコート層
19 透明増反射層
2 基材ホルダー
3 板ガラス
4 カソードマグネット
5 真空ポンプ
6 開閉バルブ
7 ガス導入管
8 真空チャンバー
9 電源コード
10 DC電源
11 バッキングプレート
12 搬送ロール
13 下地層
14 反射層
15 保護層
16 低屈折率膜層
17 高屈折率膜層
18 オーバーコート層
19 透明増反射層
Claims (7)
- 基材上に成膜される反射積層膜であり、該反射積層膜は基材上に下地層、該下地層上にAgを主成分とする反射層、該反射層上に保護層、該保護層上に透明増反射層を有し、前記反射層がNを含むものであり、前記透明増反射層がSiの酸窒化物層を含む積層体であることを特徴とする反射積層膜。
- 前記透明増反射層が、Siの酸窒化物からなる低屈折率層と、金属酸化物からなる高屈折率層とを含み、該高屈折率層の屈折率は、該低屈折率層の屈折率よりも0.4以上高いことを特徴とする請求項1に記載の反射積層膜。
- 前記保護層が、Zn、Sn、Ti、Al、NiCr、Cr、Zn合金、及びSn合金からなる群から選ばれる少なくともひとつを主成分とする金属、又は、金属元素に対してAl、Ga、及びSnからなる群から選ばれる少なくともひとつを1〜10質量%含むZn酸化物もしくはIn酸化物であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の反射積層膜。
- 前記下地層が、Al、Ti、Zn、In、Snの酸化物、酸窒化物、及び窒化物からなる群から選ばれる少なくともひとつを主成分とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の反射積層膜。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載された反射積層膜の製造方法であって、スパッタリング法を用いて、
基材上に下地層を成膜する工程、
該下地層上に希ガスとN2との混合ガス中でAgを主成分とする反射層を成膜する工程、
該反射層上に保護層を成膜する工程、
該保護層上に、希ガスとN2とO2とを含む混合ガス中でSi酸窒化物からなる低屈折率層を成膜する工程、
及び該低屈折率層上に高屈折率層を成膜する工程、を含む透明増反射層を成膜する工程を含むことを特徴とする反射積層膜の製造方法。 - 前記反射層を成膜する工程に用いる混合ガスは、N2が5〜40体積%含まれることを特徴とする請求項5に記載の反射積層膜の製造方法。
- 前記低屈折率層を成膜する工程に用いる混合ガスは、希ガスを40〜70体積%含むことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の反射積層膜の製造方法。
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