JP2012031145A - Salt, acid generator, resist composition, and production method of resist pattern - Google Patents
Salt, acid generator, resist composition, and production method of resist pattern Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012031145A JP2012031145A JP2011134832A JP2011134832A JP2012031145A JP 2012031145 A JP2012031145 A JP 2012031145A JP 2011134832 A JP2011134832 A JP 2011134832A JP 2011134832 A JP2011134832 A JP 2011134832A JP 2012031145 A JP2012031145 A JP 2012031145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- hydrocarbon group
- formula
- carbon atoms
- represented
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 OCC1CC(CO*(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 Chemical compound OCC1CC(CO*(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 0.000 description 22
- KYKJXFLYGJWBKN-UHFFFAOYSA-N CC(C)(CC(C)(C)ON)OC(N)=O Chemical compound CC(C)(CC(C)(C)ON)OC(N)=O KYKJXFLYGJWBKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GCCZGDQMRHSGRW-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1[S+]1c(cccc2)c2Nc2c1cccc2 Chemical compound c(cc1)ccc1[S+]1c(cccc2)c2Nc2c1cccc2 GCCZGDQMRHSGRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N C=C(CC(O1)=O)C1=O Chemical compound C=C(CC(O1)=O)C1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFAVRMRREUKMLS-UHFFFAOYSA-N C=CC(C(OCC(OC(C(CC12)CC1C(O1)=O)C21[Zn])=O)=O)=[N]=C Chemical compound C=CC(C(OCC(OC(C(CC12)CC1C(O1)=O)C21[Zn])=O)=O)=[N]=C KFAVRMRREUKMLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROJONAFKLVJEQM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(CC(C)(C)OC(C=C)=O)C(OC(C)(CCO1)C1=O)=O Chemical compound CC(C)(CC(C)(C)OC(C=C)=O)C(OC(C)(CCO1)C1=O)=O ROJONAFKLVJEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GORLRWYYAFZZKH-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(C=C)=O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(C=C)=O GORLRWYYAFZZKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXBBCJSTEUOTEX-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)=O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)=O WXBBCJSTEUOTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USMVEPUAMIKHEH-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C=C)=O)=O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C=C)=O)=O USMVEPUAMIKHEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRHJIUWRULJPIZ-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1O)OC(C(C)=C)=O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1O)OC(C(C)=C)=O WRHJIUWRULJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNNAOPDUWDRBED-UHFFFAOYSA-N CC(CCI)OCC1(C2)CC(CC3C4)CC23C4C1 Chemical compound CC(CCI)OCC1(C2)CC(CC3C4)CC23C4C1 UNNAOPDUWDRBED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGALTOFDVPRRCB-UHFFFAOYSA-N CC(CCI)OCCCC1C(CC2)CC2C1 Chemical compound CC(CCI)OCCCC1C(CC2)CC2C1 YGALTOFDVPRRCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOVSNPMHLMCACF-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(C(C)=C)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(C(C)=C)=O ZOVSNPMHLMCACF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRULOWHFMKCMSZ-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(C=C)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(C=C)=O FRULOWHFMKCMSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRPSUUJJKMVNLF-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)=O MRPSUUJJKMVNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVCADYYQMIAORO-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C=C)=O)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C=C)=O)=O TVCADYYQMIAORO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZFVIZXIFITCLU-UHFFFAOYSA-N CC(OCCCC(C1)C2C(C3CC4CC3)C4C1C2)OI Chemical compound CC(OCCCC(C1)C2C(C3CC4CC3)C4C1C2)OI IZFVIZXIFITCLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNIDPEKSHOCJMR-UHFFFAOYSA-N CCC(C)(CC(C)(CC)OC(C(C)=C)=O)C(OC(C)(CCO1)C1=O)=O Chemical compound CCC(C)(CC(C)(CC)OC(C(C)=C)=O)C(OC(C)(CCO1)C1=O)=O WNIDPEKSHOCJMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDJAWVSCCJZOLD-UHFFFAOYSA-N CNC(C(OCC(OC(C(CC1C23)C2[Zn])C1OC3=O)=O)=O)=[N]=C Chemical compound CNC(C(OCC(OC(C(CC1C23)C2[Zn])C1OC3=O)=O)=O)=[N]=C LDJAWVSCCJZOLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBXAYHFSAAODNH-UHFFFAOYSA-N C[Os]c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1 Chemical compound C[Os]c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1 XBXAYHFSAAODNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZKRTNUGXXIXHK-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(OC(C1)COC1=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(OC(C1)COC1=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O AZKRTNUGXXIXHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPLWERHTGPPHDV-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(OC(C1C23C4CC1C2)C3OC4=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(OC(C1C23C4CC1C2)C3OC4=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O OPLWERHTGPPHDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDYWTZMWLBBTN-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(OC(CC1CC23)(C4)CC12C4C3=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(OC(CC1CC23)(C4)CC12C4C3=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O HEDYWTZMWLBBTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SETHWEQHKICDLS-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(OCC1CCCCC1)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(OCC1CCCCC1)=O)(F)F)(O)(=O)=O SETHWEQHKICDLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUWKUCDEZJJHV-UHFFFAOYSA-N Cc1ccc(C2(CC(C3)C4)CC4(COC(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)CC3C2)cc1 Chemical compound Cc1ccc(C2(CC(C3)C4)CC4(COC(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)CC3C2)cc1 SZUWKUCDEZJJHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KITDLYZFSAIPML-UHFFFAOYSA-N NC(OCON)=O Chemical compound NC(OCON)=O KITDLYZFSAIPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N O=C(C=C1)OC1=O Chemical compound O=C(C=C1)OC1=O FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGMWVLFYPDTQH-UHFFFAOYSA-N OC(CC1C2)(C3)C11C2(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC3C1 Chemical compound OC(CC1C2)(C3)C11C2(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC3C1 SLGMWVLFYPDTQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDTACVARVSGUJR-UHFFFAOYSA-N OC1CC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 Chemical compound OC1CC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 LDTACVARVSGUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SROMFPFXQXWGCZ-UHFFFAOYSA-N OC1CCC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC1 Chemical compound OC1CCC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC1 SROMFPFXQXWGCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXAYHYMMYKIMBY-UHFFFAOYSA-N OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 Chemical compound OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 SXAYHYMMYKIMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIMURFLTNNQWOU-UHFFFAOYSA-N OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 Chemical compound OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 VIMURFLTNNQWOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPISSZINSBQNPY-UHFFFAOYSA-N OCC1C(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 Chemical compound OCC1C(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 BPISSZINSBQNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHWIOBCWOWGPFW-UHFFFAOYSA-N OCC1CCC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC1 Chemical compound OCC1CCC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC1 PHWIOBCWOWGPFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUCCAOHIJIARNV-UHFFFAOYSA-N OS(C(C(OCC(OCC1OCCCC1)=O)=O)(F)F)(=O)=O Chemical compound OS(C(C(OCC(OCC1OCCCC1)=O)=O)(F)F)(=O)=O SUCCAOHIJIARNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
【課題】レジストパターン形成時の露光マージン(EL)及びマスクエラーファクター(MEF)に優れる塩、この塩を含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される塩、これを含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物。
[式中、R1は、置換基を有していてもよい飽和炭化水素基又は芳香族炭化水素基;R2〜R9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基又はアルコキシ基;R10及びR11は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;L1は、単結合又は2価の飽和炭化水素基;Yは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい飽和環状炭化水素基を表す。]
【選択図】なしAn object of the present invention is to provide a salt excellent in exposure margin (EL) and mask error factor (MEF) at the time of forming a resist pattern, an acid generator containing the salt, and a resist composition containing the acid generator.
A salt represented by formula (I), an acid generator containing the salt, and a resist composition containing the acid generator.
[Wherein, R 1 represents a saturated hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent; R 2 to R 9 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, or an alkyl group; Or an alkoxy group; R 10 and R 11 are each independently a fluorine atom or a perfluoroalkyl group; L 1 is a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group; Y is an optionally substituted aliphatic group; Represents a saturated cyclic hydrocarbon group which may have an aromatic hydrocarbon group or a substituent. ]
[Selection figure] None
Description
本発明は、塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。 The present invention relates to a salt, an acid generator, a resist composition, and a method for producing a resist pattern.
特許文献1には、式(X1)で表される塩と、酸発生剤としてこの塩を含むレジスト組成物とが記載されている。
Patent Document 1 describes a salt represented by the formula (X1) and a resist composition containing this salt as an acid generator.
従来の塩を酸発生剤として含むレジスト組成物では、レジストパターン形成時の露光マージン(EL)及びマスクエラーファクター(MEF)が必ずしも満足できない場合があった。 Conventional resist compositions containing a salt as an acid generator may not always satisfy the exposure margin (EL) and mask error factor (MEF) when forming a resist pattern.
本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕式(I)で表される塩。
[式(I)中、R1は、炭素数1〜12の飽和炭化水素基又は炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜6のアルキル基で置換されていてもよい。
R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。
R10及びR11は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
L1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、−SO2−又は−CO−で置き換わっていてもよい。]
The present invention includes the following inventions.
[1] A salt represented by the formula (I).
[In Formula (I), R 1 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and is included in the saturated hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group. The hydrogen atom to be substituted may be substituted with a hydroxy group, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a carbon number of 1 Represents an alkoxy group of -6.
R 10 and R 11 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, a hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom, and the divalent —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—.
Y represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the aliphatic group —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—. ]
〔2〕L1が、*−CO−O−(CH2)n−(*は、−C(R10)(R11)−との結合手を表し、nは0又は1を表す)である〔1〕の塩。
〔3〕上記〔1〕又は〔2〕の塩を含有する酸発生剤。
〔4〕上記〔3〕の酸発生剤と樹脂とを含み、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。
〔5〕さらに塩基性化合物を含む上記〔4〕のレジスト組成物。
〔6〕さらに溶剤を含む上記〔4〕又は〔5〕のレジスト組成物。
[2] L 1 is * —CO—O— (CH 2 ) n — (* represents a bond with —C (R 10 ) (R 11 ) —, and n represents 0 or 1). A salt of [1].
[3] An acid generator containing the salt of [1] or [2].
[4] The acid generator according to [3] and a resin, wherein the resin has an acid labile group and is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution. A resist composition, which is a resin that can be dissolved in
[5] The resist composition according to [4], further including a basic compound.
[6] The resist composition according to [4] or [5], further including a solvent.
〔7〕(1)上記〔6〕のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。
[7] (1) A step of applying the resist composition of [6] on a substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) A method for producing a resist pattern, comprising a step of developing the heated composition layer using a developing device.
本発明の塩によれば、該塩を含むレジスト組成物は、レジストパターン形成時の露光マージン(EL)及びマスクエラーファクター(MEF)に優れる。 According to the salt of the present invention, a resist composition containing the salt is excellent in exposure margin (EL) and mask error factor (MEF) when forming a resist pattern.
本明細書では、特に断りのない限り、同様の置換基を有するいずれの化学構造式も、炭素数を適宜選択しながら、後述する具体的な各置換基を適用することができる。直鎖状、分岐状又は環状いずれかをとることができるものは、特記ない限りそのいずれをも含み、また、同一の基において、直鎖状、分岐状及び/又は環状の部分構造が混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、それらの立体異性体の全てを包含する。
さらに、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。
In this specification, unless otherwise specified, specific chemical substituents described later can be applied to any chemical structural formula having the same substituents while appropriately selecting the number of carbon atoms. Those which can take any of linear, branched or cyclic are included unless otherwise specified, and in the same group, linear, branched and / or cyclic partial structures are mixed. It may be. When stereoisomers exist, all of those stereoisomers are included.
Further, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having a structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- ". Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.
〈式(I)で表される塩〉
本発明の塩は、式(I)で表される塩(以下「塩(I)」という場合がある)である。
[式(I)中、R1は、炭素数1〜12の飽和炭化水素基又は炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜6のアルキル基で置換されていてもよい。
R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。
R10及びR11は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
L1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、−SO2−又は−CO−で置き換わっていてもよい。]
<Salt represented by formula (I)>
The salt of the present invention is a salt represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “salt (I)”).
[In Formula (I), R 1 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and is included in the saturated hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group. The hydrogen atom to be substituted may be substituted with a hydroxy group, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a carbon number of 1 Represents an alkoxy group of -6.
R 10 and R 11 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, a hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom, and the divalent —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—.
Y represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the aliphatic group —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—. ]
R1の飽和炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1−メチルエチル基(イソプロピル基)、n−ブチル基、1,1−ジメチルエチル基(tert−ブチル基)、2,2−ジメチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1,2−ジメチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、n−ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、n−ヘキシル基、1−プロピルブチル基、ペンチル基、1−メチルペンチル基、1,4−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1−メチルヘプチル基、オクチル基等のアルキル基が挙げられる。
飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよい。例えば、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基)などの単環式の飽和環状炭化水素基が挙げられる。縮合した芳香族炭化水素基を水素化して得られる基(例えば、ヒドロナフチル基)、橋かけ環状炭化水素基(例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基)などの多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環(例えばノルボルナン環)と単環(例えばシクロヘプタン環、シクロヘキサン環)又は多環(例えば、デカヒドロナフタレン環)とが縮合した基又は橋かけ環同士が縮合した基;これらが組み合わせられた基(メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基)等が挙げられる。
Examples of the saturated hydrocarbon group for R 1 include an aliphatic hydrocarbon group and a saturated cyclic hydrocarbon group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, 1-methylethyl group (isopropyl group), n-butyl group, 1,1-dimethylethyl group (tert-butyl group), 2, 2-dimethylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1,2-dimethylpropyl group, 2,2-dimethylpropyl group, 1-ethylpropyl group, n-pentyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, n-hexyl group, 1-propylbutyl group, pentyl group, 1-methylpentyl group, 1,4-dimethylhexyl group, heptyl group, 1-methylheptyl group, octyl group, etc. Of the alkyl group.
The saturated cyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples thereof include monocyclic saturated cyclic hydrocarbon groups such as a cycloalkyl group (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group). Polycyclic saturation such as groups obtained by hydrogenating condensed aromatic hydrocarbon groups (for example, hydronaphthyl group) and bridged cyclic hydrocarbon groups (for example, adamantyl group, norbornyl group, methylnorbornyl group) A cyclic hydrocarbon group is mentioned. Further, a group in which a bridging ring (for example, norbornane ring) and a single ring (for example, cycloheptane ring, cyclohexane ring) or polycyclic (for example, decahydronaphthalene ring) or a bridging ring are condensed as described below. Groups; groups in which these are combined (methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, methylnorbornyl group) and the like.
R1の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p−メチルフェニル基、p−エチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−シクロへキシルフェニル基、p−メトキシフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
R1等のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
R2等のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基等が挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon group for R 1 include a phenyl group, a naphthyl group, a p-methylphenyl group, a p-ethylphenyl group, a p-tert-butylphenyl group, a p-cyclohexylphenyl group, and a p-methoxyphenyl group. P-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, biphenyl group, anthryl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, aryl group such as 2-methyl-6-ethylphenyl, etc. Can be mentioned.
Examples of halogen atoms such as R 1 include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
Examples of the alkoxy group such as R 2 include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentoxy group, and n-hexoxy group. Etc.
R10及びR11のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式(I)で表される塩においては、R10及びR11のペルフルオロアルキル基は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはともにフッ素原子である。
Examples of the perfluoroalkyl group represented by R 10 and R 11 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorosec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, and a perfluoropentyl group. And perfluorohexyl group.
In the salt represented by the formula (I), the perfluoroalkyl groups of R 10 and R 11 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.
L1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,2−ジイル基、1−メチルシクロヘキサン−1,2−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,2−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の飽和環状炭化水素基;
ノルボルナン−2,3−ジイル基、ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。
また、2価の飽和炭化水素基としては、上述した1価の飽和環状炭化水素基から任意の1つの水素原子を除いて結合手としたものであってもよい。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group for L 1 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic saturated cyclic hydrocarbon group, and two of these groups. A combination of the above may also be used.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group;
An alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group); For example, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl A branched alkanediyl group such as a 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, 1-methylcyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclo A monocyclic saturated cyclic hydrocarbon group which is a cycloalkanediyl group such as an octane-1,2-diyl group or a cyclooctane-1,5-diyl group;
A polycyclic group such as norbornane-2,3-diyl group, norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Saturated cyclic hydrocarbon group etc. are mentioned.
In addition, the divalent saturated hydrocarbon group may be a bond obtained by removing any one hydrogen atom from the above-described monovalent saturated cyclic hydrocarbon group.
L1の2価の飽和炭化水素基における−CH2−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(L1−1)〜式(L1−6)で表される基が挙げられる。L1は、好ましくは式(L1−1)〜式(L1−4)又は式(L1−6)で表される基、より好ましくは式(L1−1)、式(L1−2)又は式(L1−6)で表される基、さらに好ましくは式(L1−1)又は式(L1−6)で表される基が挙げられる。なお、式(L1−1)〜式(L1−6)は、その左右を式(I)に合わせて記載しており、左側でC(R10)(R11)−と結合し、右側でYと結合する。以下の式(L1−1)〜式(L1−6)の具体例も同様である。 Examples of the group in which —CH 2 — in the divalent saturated hydrocarbon group of L 1 is replaced by —O— or —CO— include groups represented by formula (L1-1) to formula (L1-6), for example. Is mentioned. L 1 is preferably a group represented by formula (L1-1) to formula (L1-4) or formula (L1-6), more preferably formula (L1-1), formula (L1-2) or formula. A group represented by (L1-6), more preferably a group represented by formula (L1-1) or formula (L1-6). Incidentally, the formula (L1-1) ~ formula (L1-6) has its left and right are described in conjunction in formula (I), and the left C (R 10) (R 11 ) - bound to, the right side Combine with Y. The same applies to specific examples of the following formulas (L1-1) to (L1-6).
式(L1−1)〜式(L1−6)中、
Lb2は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
Lb3は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
Lb4は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。
Lb5は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
Lb8は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。
Lb9及びLb11は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。
Lb10は、炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。
中でも、式(L1−1)で表される2価の基、式(L1−2)で表される2価の基及び式(L1−6)で表される2価の基が好ましい。
Lb2は、単結合又は−CH2−であることが好ましい。
Lb3は、単結合又は−CH2−であることが好ましい。
Lb4は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、炭素数6〜11の2価の飽和環状炭化水素基又は飽和環状炭化水素基とアルカンジイル基とを組み合わせた炭素数7〜11の2価の基であることが好ましく、−CH2−又はアダマンタンジイル基であることがより好ましい。
Lb9は、単結合又は炭素数1〜6の2価の飽和炭化水素基であることが好ましく、単結合又は−CH2−であることがより好ましい。
Lb10は、炭素数6〜11の2価の飽和環状炭化水素基又は飽和環状炭化水素基とアルカンジイル基とを組み合わせた炭素数7〜11の2価の基であることが好ましく、
であることがより好ましい。
Lb11は、単結合又は−CH2−であることが好ましい。
In formula (L1-1) to formula (L1-6),
L b2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L b5 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b6 and L b7 each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b8 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b9 and L b11 each independently represent a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
L b10 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
Among these, a divalent group represented by the formula (L1-1), a divalent group represented by the formula (L1-2), and a divalent group represented by the formula (L1-6) are preferable.
L b2 is preferably a single bond or —CH 2 —.
L b3 is preferably a single bond or —CH 2 —.
L b4 is an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent saturated cyclic hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms, or a divalent group having 7 to 11 carbon atoms in which a saturated cyclic hydrocarbon group and an alkanediyl group are combined. And is more preferably —CH 2 — or an adamantanediyl group.
L b9 is preferably a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and more preferably a single bond or —CH 2 —.
L b10 is preferably a divalent saturated cyclic hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms or a divalent group having 7 to 11 carbon atoms in which a saturated cyclic hydrocarbon group and an alkanediyl group are combined,
It is more preferable that
L b11 is preferably a single bond or —CH 2 —.
式(L1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (L1-1) include the following.
式(L1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (L1-2) include the following.
式(L1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (L1-3) include the following.
式(L1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (L1-4) include the following.
式(L1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (L1-5) include the following.
式(L1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (L1-6) include the following.
Yにおける脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子(但しフッ素原子を除く)、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜16の飽和環状炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2)j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜16の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)などが挙げられる。これらの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。
ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
Examples of the substituent for the aliphatic hydrocarbon group and saturated cyclic hydrocarbon group in Y include, for example, a halogen atom (excluding a fluorine atom), a hydroxy group, an oxo group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, hydroxy Group-containing C1-C12 aliphatic hydrocarbon group, C3-C16 saturated cyclic hydrocarbon group, C1-C12 alkoxy group, C6-C18 aromatic hydrocarbon group, C7 aralkyl group to 21, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, glycidyloxy group or a - (CH 2) j2 -O- CO-R b1 group (wherein, R b1 is an aliphatic C1-16 hydrocarbon Represents a hydrogen group, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, j2 represents an integer of 0 to 4). These substituents such as an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and an aralkyl group may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxy group, and an oxo group.
Examples of the hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group include a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group.
Examples of the aralkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, trityl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group and the like.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Yの脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基における−CH2−が−O−、−SO2−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、
エーテル結合又は環状エーテル基(−CH2−が−O−で置き換わった基)、
オキソ基を有する飽和環状炭化水素基(−CH2−が−CO−で置き換わった基)、
スルトン環基(隣り合う2つの−CH2−が、それぞれ−O−及び−SO2−で置き換わった基)及び
ラクトン環基(隣り合う2つの−CH2−が、それぞれ−O−及び−CO−で置き換わった基)等が挙げられる。
具体的には、以下の式(Y12)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。
Examples of the group in which —CH 2 — in the aliphatic hydrocarbon group and saturated cyclic hydrocarbon group of Y is replaced by —O—, —SO 2 — or —CO— include, for example,
An ether bond or a cyclic ether group (a group in which —CH 2 — is replaced by —O—),
A saturated cyclic hydrocarbon group having an oxo group (a group in which —CH 2 — is replaced by —CO—),
Sultone ring groups (groups in which two adjacent —CH 2 — are replaced by —O— and —SO 2 —, respectively) and lactone ring groups (two adjacent —CH 2 — are each in —O— and —CO, respectively). A group replaced with-) and the like.
Specific examples include groups represented by the following formula (Y12) to formula (Y26).
Yの脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。
Yの飽和環状炭化水素基としては、式(Y1)〜式(Y11)で表される基が挙げられる。
As the aliphatic hydrocarbon group for Y, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable.
Examples of the saturated cyclic hydrocarbon group for Y include groups represented by formulas (Y1) to (Y11).
なかでも、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。 Especially, it is preferably a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19), more preferably represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15) or formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).
脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aliphatic hydrocarbon group, include the following.
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。 Examples of Y that is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group include the following.
芳香族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。 Examples of Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group, include the following.
−(CH2)j2−O−CO−Rb1基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。 Examples of Y that is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted by — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group include the following.
なかでも、Yは、好ましくは置換基(例えば、ヒドロキシ基、オキソ基等)を有していてもよい炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基であり、より好ましくは置換基を有していてもよいシクロヘキシル基又は置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、さらに好ましくはシクロヘキシル基、アダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。 Among them, Y is preferably a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent (for example, a hydroxy group, an oxo group, etc.), and more preferably has a substituent. A cyclohexyl group which may be substituted or an adamantyl group which may have a substituent, and more preferably a cyclohexyl group, an adamantyl group, a hydroxyadamantyl group or an oxoadamantyl group.
脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン、及び脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Sulphonate anion containing Y which is an aliphatic hydrocarbon group or an unsubstituted saturated cyclic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (L1-1), and saturated saturated aliphatic hydrocarbon group Examples of the sulfonate anion containing Y which is a cyclic hydrocarbon group and the divalent group represented by the formula (L1-1) include the following.
−(CH2)j2−O−CO−Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
As the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group and a divalent group represented by the formula (L1-1), For example, the following are mentioned.
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (L1-1) include the following: Things.
芳香族炭化水素基又はアラルキル基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。 Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group or an aralkyl group and a divalent group represented by the formula (L1-1) include the following. It is done.
環状エーテルであるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a cyclic ether and the divalent group represented by the formula (L1-1) include the following.
ラクトン環であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a lactone ring and the divalent group represented by the formula (L1-1) include the following.
オキソ基を有する飽和環状炭化水素であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。 Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon having an oxo group and a divalent group represented by the formula (L1-1) include the following.
スルトン環であるYと式(L1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a sultone ring and the divalent group represented by the formula (L1-1) include the following.
脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Saturated cyclic substituted with a sulfonate anion or an aliphatic hydrocarbon group containing Y which is an aliphatic hydrocarbon group or an unsubstituted saturated cyclic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (L1-2) Examples of the sulfonate anion containing Y which is a hydrocarbon group and the divalent group represented by the formula (L1-2) include the following.
−(CH2)j2−O−CO−Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。 As the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group and a divalent group represented by the formula (L1-2), For example, the following are mentioned.
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (L1-2) include the following: Things.
芳香族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group, and a divalent group represented by the formula (L1-2) include the following.
環状エーテルであるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a cyclic ether and the divalent group represented by the formula (L1-2) include the following.
ラクトン環であるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a lactone ring and the divalent group represented by the formula (L1-2) include the following.
オキソ基を有するYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y having an oxo group and the divalent group represented by the formula (L1-2) include the following.
スルトン環であるYと式(L1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a sultone ring and a divalent group represented by the formula (L1-2) include the following.
脂肪族炭化水素基又は無置換のYと式(L1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Y which is an aliphatic hydrocarbon group or a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a sulfonate anion or an aliphatic hydrocarbon group containing an unsubstituted Y and a divalent group represented by the formula (L1-3) Examples of the sulfonate anion containing the divalent group represented by the formula (L1-3) include the following.
アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an alkoxy group, and a divalent group represented by the formula (L1-3) include the following.
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (L1-3) include the following: Things.
オキソ基を有するYと式(L1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y having an oxo group and the divalent group represented by the formula (L1-3) include the following.
脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aliphatic hydrocarbon group, and a divalent group represented by the formula (L1-4) include the following.
アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an alkoxy group and a divalent group represented by the formula (L1-4) include the following.
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (L1-4) include the following: Things.
オキソ基を有する飽和環状炭化水素基であるYと式(L1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group having an oxo group and a divalent group represented by the formula (L1-4) include the following.
ヒドロキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−5)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group, and a divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.
ヒドロキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−6)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group, and a divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.
式(I)で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、例えば、L1が式(L1−1)である以下の式(L1−1−1)〜式(L1−1−9)で表されるアニオン、L1が式(L1−6)である式(L1−6−1)又は式(L1−6−2)で表されるアニオンが好ましい。以下の式においては、置換基Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基(好ましくは、メチル基)を表す。R10、R11及びLb2は上記と同じ意味を表す。 Examples of the sulfonate anion in the salt represented by the formula (I) include the following formulas (L1-1-1) to (L1-1-9) in which L 1 is the formula (L1-1). An anion represented by formula (L1-6-1) or formula (L1-6-2), wherein L 1 is formula (L1-6), is preferred. In the following formulae, the substituents R b2 and R b3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms (preferably a methyl group). R 10 , R 11 and L b2 represent the same meaning as described above.
具体的には、式(L1−1)で表される2価の基又は式(L1−6)で表される2価の基を有する以下のスルホン酸アニオンがより好ましい。
Specifically, the following sulfonate anions having a divalent group represented by the formula (L1-1) or a divalent group represented by the formula (L1-6) are more preferable.
式(I)で表される塩としては、例えば、以下の塩が挙げられる。
Examples of the salt represented by the formula (I) include the following salts.
塩(I)は、当該分野で公知の方法によって製造することができる。
例えば、式(I−a)で表される化合物と式(I−b)で表される塩とを溶剤中で反応させることにより、式(I)で表される塩を得ることができる。
溶剤としては、クロロホルム等が挙げられる。
式(I−b)で表される塩としては、特開第2008−209917号公報に記載された方法によって製造することができる。
The salt (I) can be produced by a method known in the art.
For example, the salt represented by the formula (I) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (Ia) and the salt represented by the formula (Ib) in a solvent.
Examples of the solvent include chloroform.
The salt represented by the formula (Ib) can be produced by the method described in JP 2008-209917 A.
式(I−a)で表される塩は、式(I−c)で表される化合物と式(I−d)で表される化合物とを、酸化銀及びメタンスルホン酸存在下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。
溶剤としては、アセトニトリル等が挙げられる。
式(I−c)で表される化合物としては、フェノチアジン等が挙げられる。
式(I−d)で表される化合物としては、ヨウ化メチル等が挙げられる。
The salt represented by the formula (Ia) is obtained by combining a compound represented by the formula (Ic) and a compound represented by the formula (Id) in a solvent in the presence of silver oxide and methanesulfonic acid. It can obtain by making it react.
Examples of the solvent include acetonitrile.
Examples of the compound represented by the formula (Ic) include phenothiazine.
Examples of the compound represented by the formula (Id) include methyl iodide.
〈酸発生剤〉
本発明の酸発生剤は、塩(I)を含有する。塩(I)は、酸発生剤として使用する際、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本発明の酸発生剤は、さらに、塩(I)以外の公知の塩、塩(I)に含まれるカチオン及び公知のアニオンからなる塩並びに塩(I)に含まれるアニオン及び公知のカチオンからなる塩等を含んでいてもよい。
<Acid generator>
The acid generator of the present invention contains a salt (I). When using salt (I) as an acid generator, you may use it individually or in combination of 2 or more types. The acid generator of the present invention further comprises a known salt other than the salt (I), a salt comprising a cation and a known anion contained in the salt (I), and an anion and a known cation contained in the salt (I). The salt which consists of, etc. may be included.
〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、上述した酸発生剤と樹脂とを含む。このレジスト組成物は、さらに塩基性化合物を含むものが好ましい。また、このレジスト組成物は、さらに溶剤を含むものが好ましい。
〈樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある。〉
樹脂(A)は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。「酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。
酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマー(以下「酸に不安定な基を有するモノマー(a1)」という場合がある)を重合することによって製造することができる。酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention includes the acid generator and a resin described above. The resist composition preferably further contains a basic compound. Further, this resist composition preferably further contains a solvent.
<Resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”)>
The resin (A) is a resin having an acid labile group and insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. “Can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid” means “insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution before contact with an acid but becomes soluble in an alkaline aqueous solution after contact with an acid”. To do.
A resin that can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid is produced by polymerizing a monomer having an acid-labile group (hereinafter sometimes referred to as “monomer having an acid-labile group (a1)”). be able to. The monomer (a1) having an acid labile group may be used alone or in combination of two or more.
〈酸に不安定な基を有するモノマー(a1)〉
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基(例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、−O−が第三級炭素原子と結合した式(1)で表されるアルコキシカルボニル基が挙げられる。また、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸に不安定な基としては、ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となった式(2)で表されるものが挙げられる。以下、式(1)又は式(2)で表される基を「酸に不安定な基(1)」という場合がある。
<Monomer (a1) having an acid labile group>
The “acid-labile group” means a group that cleaves a leaving group to form a hydrophilic group (for example, a carboxy group or a hydroxy group) upon contact with an acid. Examples of the acid labile group include an alkoxycarbonyl group represented by the formula (1) in which —O— is bonded to a tertiary carbon atom. In addition, the acid-labile group in the case where the hydrophilic group is a hydroxy group is represented by the formula (2) in which the hydrogen atom of the hydroxy group is replaced with an organic residue and becomes a group containing an acetal structure. Things. Hereinafter, the group represented by formula (1) or formula (2) may be referred to as “acid-labile group (1)”.
式(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜20の飽和環状炭化水素基を表すか、或いはRa1及びRa2は互いに結合して炭素数3〜20の環を形成する。*は結合手を表す(以下同じ)。 In formula (1), R a1 to R a3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or R a1 and R a2 Combine with each other to form a ring having 3 to 20 carbon atoms. * Represents a bond (same below).
Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)基としては、下記の基が挙げられる。
式(1)では、Ra1及びRa2は互いに結合して形成する環は、好ましくは炭素数3〜12である。
また、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。
When R a1 and R a2 are bonded to each other to form a ring, examples of the —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) group include the following groups.
In the formula (1), the ring formed by combining R a1 and R a2 with each other preferably has 3 to 12 carbon atoms.
The saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 16 carbon atoms.
このようなカルボン酸エステルを有する基としては、(メタ)アクリル酸エステル、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシクロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカルボン酸エステルを有する基が挙げられる。
酸に不安定な基(1)としては、例えば、
1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、
2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び
1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。
Examples of the group having a carboxylic acid ester include a group having a (meth) acrylic acid ester, a norbornene carboxylic acid ester, a tricyclodecene carboxylic acid ester, and a tetracyclodecene carboxylic acid ester.
Examples of the acid labile group (1) include:
1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert-butoxycarbonyl group),
2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane-1- Yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).
式(2)中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、あるいは、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3〜20の環を形成する。Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基が−CH2−を有する場合、該−CH2−は、−O−、−S−又は−CO−で置き換わっていてもよい。*は結合手を表す。 In formula (2), R b1 and R b2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R b3 represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or , R b2 and R b3 are bonded to each other to form a ring having 3 to 20 carbon atoms together with the carbon atom and the oxygen atom to which they are bonded. When R b2 and R b3 are a ring formed by bonding to each other or the hydrocarbon group has —CH 2 —, the —CH 2 — is replaced by —O—, —S— or —CO—. Also good. * Represents a bond.
Rb1〜Rb3の炭化水素基は、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。ここで、脂環式炭化水素基は、Ra1〜Ra3の基として説明したものと同じである。
Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環は、Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環と同様のものが挙げられる。
Rb1〜Rb2のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
Examples of the hydrocarbon group of R b1 to R b3 include an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group. Here, the alicyclic hydrocarbon group is the same as that described as the group of R a1 to R a3 .
Examples of the ring formed by combining R b2 and R b3 with each other include the same ring formed by combining R a1 and R a2 with each other.
At least one of R b1 to R b2 is preferably a hydrogen atom.
酸に不安定な基(2)としては、以下の基が挙げられる。
Examples of the acid labile group (2) include the following groups.
酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、好ましくは、酸に不安定な基(1)と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基(1)を有する(メタ)アクリル系モノマーである。 The monomer (a1) having an acid labile group is preferably a monomer having an acid labile group (1) and a carbon-carbon double bond, more preferably an acid labile group (1). (Meth) acrylic monomer having
酸に不安定な基(1)を有する(メタ)アクリル系モノマーの中でも、炭素数5〜20の飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー(a1)を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。 Among the (meth) acrylic monomers having the acid-labile group (1), those having a saturated cyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferred. If a resin obtained by polymerizing the monomer (a1) having a bulky structure such as a saturated cyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the resist can be improved.
酸に不安定な基(1)と飽和環状炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーの中でも、式(a1−1)で表されるモノマー又は式(a1−2)で表されるモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 Among (meth) acrylic monomers having an acid labile group (1) and a saturated cyclic hydrocarbon group, a monomer represented by the formula (a1-1) or a monomer represented by the formula (a1-2) Is preferred. These may be used alone or in combination of two or more.
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
La1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は*−O−(CH2)k1−CO−O−を表す。
k1は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜10の飽和環状炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n2は0又は1の整数を表す。]
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—.
k1 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n2 represents an integer of 0 or 1. ]
La1及びLa2は、好ましくは、−O−又は*−O−(CH2)f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数を表す)、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) f1 —CO—O— (wherein f1 represents an integer of 1 to 4), more preferably —O—. It is. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
The aliphatic hydrocarbon group represented by R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms. The saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
式(a1−1)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、2−メチルアダマンタン−2−イル(メタ)アクリレート、2−エチルアダマンタン−2−イル(メタ)アクリレート及び2−イソプロピル−アダマンタン−2−イル(メタ)アクリレートが好ましく、2−メチルアダマンタン−2−イルメタクリレート、2−エチルアダマンタン−2−イルメタクリレート及び2−イソプロピルアダマンタン−2−イルメタクリレートがより好ましい。 Examples of the monomer represented by the formula (a1-1) include the following. Among them, 2-methyladamantan-2-yl (meth) acrylate, 2-ethyladamantan-2-yl (meth) acrylate and 2-isopropyl-adamantan-2-yl (meth) acrylate are preferable, and 2-methyladamantan-2 More preferred are -yl methacrylate, 2-ethyladamantan-2-yl methacrylate and 2-isopropyladamantan-2-yl methacrylate.
式(a1−2)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレートが好ましく、1−エチルシクロヘキサン−1−イルメタクリレートがより好ましい。 Examples of the monomer represented by the formula (a1-2) include the following. Among these, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate is preferable, and 1-ethylcyclohexane-1-yl methacrylate is more preferable.
樹脂(A)が式(a1−1)で表されるモノマー及び/又は式(a1−2)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-1) and / or the monomer represented by the formula (a1-2), the total content thereof is the resin (A). It is 10-95 mol% normally with respect to all the structural units of, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.
酸に不安定な基(1)と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、式(a1−3)で表されるノルボルネン環を有するモノマーが挙げられる。式(a1−3)で表されるモノマーに由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジストの解像度を向上させることができる。さらに式(a1−3)で表されるモノマーは、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入してレジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。 Examples of the monomer having an acid labile group (1) and a carbon-carbon double bond include a monomer having a norbornene ring represented by the formula (a1-3). Since the resin having a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-3) has a bulky structure, the resolution of the resist can be improved. Furthermore, the monomer represented by the formula (a1-3) can improve the dry etching resistance of the resist by introducing a rigid norbornane ring into the main chain of the resin.
[式(a1−3)中、
Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は−COORa13を表す。
Ra13は、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜20の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Ra10〜Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜20の飽和環状炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して炭素数3〜20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。]
[In the formula (a1-3),
R a9 represents a hydrogen atom, a C 1-3 aliphatic hydrocarbon group which may have a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group or —COOR a13 .
R a13 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group is hydroxy. It may be substituted with a group, and —CH 2 — contained in the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced with —O— or —CO—.
R a10 to R a12 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or R a10 and R a11 are bonded to each other to form carbon. A hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic group; —CH 2 — contained in the hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. ]
ここで、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。 Here, examples of the alkoxycarbonyl group include groups in which a carbonyl group is bonded to an alkoxy group such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group.
Ra9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基又は2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
Ra10〜Ra12としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。
Ra10、Ra11及びこれらが結合する炭素が形成する環としては、例えば、飽和環状炭化水素基が挙げられ、具体的には、シクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a hydroxy group of R a9 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, and a 2-hydroxyethyl group.
Examples of R a13 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group, and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.
Examples of R a10 to R a12 include a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a hydroxycyclohexyl group, an oxocyclohexyl group, and an adamantyl group.
Examples of the ring formed by R a10 , R a11 and the carbon to which they are bonded include saturated cyclic hydrocarbon groups, and specific examples include a cyclohexyl group and an adamantyl group.
式(a1−3)で表されるモノマーとしては、例えば、5−ノルボルネン−2−カルボン酸tert−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチルアダマンタン−2−イル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチルアダマンタン−2−イル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(アダマンタン−1−イル)−1−メチルエチルなどが挙げられる。 Examples of the monomer represented by the formula (a1-3) include tert-butyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate, and 5-norbornene-2. -Carboxylic acid 1-methylcyclohexyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-methyladamantan-2-yl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-ethyladamantan-2-yl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-methyl-1- (4-Oxocyclohexyl) ethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (adamantane) 1-yl) -1-methylethyl and the like.
樹脂(A)が式(a1−3)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-3), the content thereof is usually 10 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). , Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.
酸に不安定な基(1)と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式(a1−4)で表されるモノマーが挙げられる。
[式(a1−4)中、
R10は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。
R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
laは0〜4の整数を表す。laが2以上の整数である場合、複数のR11は同一であっても異なってもよい。
R12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表す。
Xa2は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記飽和炭化水素基に含まれるに含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、前記飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は−CO−、−O−、−S−、−SO2−又は−N(Rc)−で置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。
Ya3は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基であり、前記脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基に含まれるに含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]
Examples of the monomer having an acid labile group (1) and a carbon-carbon double bond include monomers represented by the formula (a1-4).
[In the formula (a1-4),
R 10 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom.
R 11 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group, or methacryloyl. Represents a group.
la represents an integer of 0 to 4. When la is an integer of 2 or more, the plurality of R 11 may be the same or different.
R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
X a2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the saturated hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxy group, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group is — CO—, —O—, —S—, —SO 2 — or —N (R c ) — may be substituted. R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Y a3 is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the aliphatic hydrocarbon group, saturated The hydrogen atom contained in the cyclic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an acyl having 2 to 4 carbon atoms. Group or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms may be substituted. ]
ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基、ペルヨードメチル基などが挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group which may have a halogen atom include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorosec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, and a perfluoropentyl group. Group, perfluorohexyl group, perchloromethyl group, perbromomethyl group, periodiomethyl group and the like.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, and a butyryloxy group.
Examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
R10及びR11のアルキル基としては、炭素数1〜4が好ましく、炭素数1又は2がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
R11のアルコキシ基としては、炭素数1又は2がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
R12及びR13の炭化水素基としては、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、イソボルニル基等が好ましい。
Xa2及びYa3が有していてもよい置換基としては、好ましくはヒドロキシ基である。
The alkyl group for R 10 and R 11 preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 or 2 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.
As the alkoxy group for R 11 , C 1 or 2 is more preferable, and a methoxy group is particularly preferable.
Examples of the hydrocarbon group for R 12 and R 13 include isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, A 2-alkyl-2-adamantyl group, a 1- (1-adamantyl) -1-alkyl group, an isobornyl group, and the like are preferable.
The substituent that X a2 and Y a3 may have is preferably a hydroxy group.
式(a1−4)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (a1-4) include the following monomers.
樹脂(A)が式(a1−4)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-4), the content is usually 10 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). , Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.
〈その他の酸不安定モノマー〉
さらに、酸不安定基と炭素−炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位を誘導するその他のモノマーを用いてもよい。
このようなモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
<Other acid labile monomers>
Furthermore, other monomers that derive other structural units having an acid labile group and a carbon-carbon double bond in the molecule may be used.
Examples of such a monomer include the following monomers.
樹脂(A)がその他の酸不安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常、10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。 When the resin (A) has a structural unit derived from another acid labile monomer, the content thereof is usually 10 to 95 mol% with respect to the total structural unit of the resin (A), preferably 15 It is -90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.
樹脂(A)は、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と、酸に不安定な基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある)との共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
樹脂(A)が酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。また、アダマンチル基を有するモノマー(特に酸に不安定な基を有するモノマー(a1−1))に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)100モル%に対して15モル%以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
The resin (A) is preferably a co-polymerization of a monomer (a1) having an acid labile group and a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer”). It is a coalescence. An acid stable monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
When the resin (A) is a copolymer of a monomer (a1) having an acid labile group and an acid stable monomer, the structural units derived from the monomer (a1) having an acid labile group are all Preferably it is 10-80 mol% with respect to 100 mol% of structural units, More preferably, it is 20-60 mol%. Further, the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly the monomer (a1-1) having an acid labile group) is converted to 15 mol per 100 mol% of the monomer (a1) having an acid labile group. It is preferable to set it as mol% or more. When the ratio of the monomer having an adamantyl group increases, the dry etching resistance of the resist is improved.
〈酸安定モノマー〉
酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。
<Acid stable monomer>
As the acid stable monomer, those having a hydroxy group or a lactone ring are preferred. Derived from an acid stable monomer having a hydroxy group (hereinafter referred to as “acid stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or an acid stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit to be used is used, the resolution of the resist and the adhesion to the substrate can be improved.
〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
レジスト組成物が、KrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線照射に用いられる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2−0)を使用することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などに用いられる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), irradiation with high energy rays such as an electron beam or EUV light, a phenolic hydroxy group which is a hydroxystyrene as an acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group It is preferable to use an acid-stable monomer (a2-0) having When used for short wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, an acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by formula (a2-1) is used as the acid stable monomer (a2) having a hydroxy group. It is preferable. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.
フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマー(a2−0)として、式(a2−0)で表されるp−又はm−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。
[式(a2−0)中、
R8は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。
R9は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のR9は互いに同一であっても異なってもよい。]
Examples of the monomer (a2-0) having a phenolic hydroxy group include styrene monomers such as p- or m-hydroxystyrene represented by the formula (a2-0).
[In the formula (a2-0),
R 8 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom.
R 9 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group, or methacryloyl. Represents a group.
ma represents an integer of 0 to 4. When ma is an integer greater than or equal to 2, several R < 9 > may mutually be same or different. ]
R8におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基が挙げられ、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基等が挙げられ、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、炭素数1又は2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
maは0〜2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。
Examples of the alkyl group for R 8 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, and an n-hexyl group. An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms is more preferable, and a methyl group is particularly preferable.
Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, an n-pentoxy group, and an n-hexoxy group. , An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, an alkoxy group having 1 or 2 carbon atoms is more preferable, and a methoxy group is particularly preferable.
ma is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、フェノール性ヒドロキシ基がアセチルオキシ基に置き換わったものに相当するアセチルオキシスチレン類及び共重合させるモノマーをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。
フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
When obtaining a copolymer resin having a structural unit derived from a monomer having such a phenolic hydroxy group, acetyloxystyrenes corresponding to those obtained by replacing the phenolic hydroxy group with an acetyloxy group and a monomer to be copolymerized are used. After radical polymerization, it can be obtained by deacetylation with an acid.
Examples of the monomer having a phenolic hydroxy group include the following monomers.
以上のモノマーのうち、4−ヒドロキシスチレン又は4−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが特に好ましい。 Of the above monomers, 4-hydroxystyrene or 4-hydroxy-α-methylstyrene is particularly preferred.
樹脂(A)が式(a2−0)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常5〜90モル%であり、好ましくは10〜85モル%であり、より好ましくは15〜80モル%である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-0), the content is usually 5 to 90 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). , Preferably it is 10-85 mol%, More preferably, it is 15-80 mol%.
ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。
式(a2−1)中、
La3は、−O−又は*−O−(CH2)k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。
Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.
式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2)f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
Ra14は、好ましくはメチル基である。
Ra15は、好ましくは水素原子である。
Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル(メタ)アクリレート、3,5−ジヒドロキシアダマンタン−1−イル(メタ)アクリレート及び(メタ)アクリル酸1−(3,5−ジヒドロキシアダマンタン−1−イルオキシカルボニル)メチルが好ましく、3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル(メタ)アクリレート及び3,5−ジヒドロキシアダマンタン−1−イル(メタ)アクリレートがより好ましく、3−ヒドロキシアダマンタン−1−イルメタクリレート及び3,5−ジヒドロキシアダマンタン−1−イルメタクリレートがさらに好ましい。 As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the following are mentioned, for example. Among them, 3-hydroxyadamantan-1-yl (meth) acrylate, 3,5-dihydroxyadamantan-1-yl (meth) acrylate and (meth) acrylic acid 1- (3,5-dihydroxyadamantan-1-yloxycarbonyl ) Methyl is preferred, 3-hydroxyadamantan-1-yl (meth) acrylate and 3,5-dihydroxyadamantan-1-yl (meth) acrylate are more preferred, 3-hydroxyadamantan-1-yl methacrylate and 3,5- More preferred is dihydroxyadamantan-1-yl methacrylate.
樹脂(A)が式(a2−1)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常3〜40モル%であり、好ましくは5〜35モル%であり、より好ましくは5〜30モル%であり、さらに好ましくは5〜20モル%である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1), the content is usually 3 to 40 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). , Preferably it is 5-35 mol%, More preferably, it is 5-30 mol%, More preferably, it is 5-20 mol%.
〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring and a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and another ring are preferable.
ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.
式(a3−1)〜式(a3−3)中、
La4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は*−O−(CH2)k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
Ra18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ra21は、炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1, q1 or r1 is 2 or more, a plurality of R a21 , R a22 or R a23 may be the same as or different from each other.
式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は*−O−(CH2)d1−CO−O−であることが好ましく(前記d1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
Ra18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In Formula (a3-1) to Formula (a3-3), L a4 to La 6 are each independently preferably —O— or * —O— (CH 2 ) d1 —CO—O— ( The d1 is an integer of 1 to 4, and more preferably —O—.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
γ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the acid stable monomer (a3-1) having a γ-butyrolactone ring include the following.
γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)としては、例えば以下のものが挙げられる。 Examples of the acid stable monomer (a3-2) having a condensed ring of γ-butyrolactone ring and norbornane ring include the following.
γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−3)としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the acid stable monomer (a3-3) having a condensed ring of γ-butyrolactone ring and cyclohexane ring include the following.
ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)の中でも、(メタ)アクリル酸(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロ−2−オキソ−3−フリル、(メタ)アクリル酸2−(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。 Among acid-stable monomers (a3) having a lactone ring, (meth) acrylic acid (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yl, (meth) acrylic Acid tetrahydro-2-oxo-3-furyl, 2- (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yloxy) -2-oxoethyl (meth) acrylate Are preferred, and those in the form of methacrylate are more preferred.
樹脂(A)が式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、それぞれ通常5〜50モル%であり、好ましくは10〜45モル%であり、より好ましくは15〜40モル%である。また、樹脂(A)がラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位を含む場合、その合計含有量は、樹脂(A)の全単位において、通常5〜60モル%であり、好ましくは15〜55モル%である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3), the content thereof is the total of the resin (A). It is 5-50 mol% normally with respect to a structural unit, Preferably it is 10-45 mol%, More preferably, it is 15-40 mol%. Moreover, when resin (A) contains the structural unit derived from the acid stable monomer (a3) which has a lactone ring, the total content is 5-60 mol% normally in all the units of resin (A), Preferably it is 15-55 mol%.
〈その他の酸安定モノマー(a4)〉
その他の酸安定モノマー(a4)としては、例えば、式(a4−1)で表される無水マレイン酸、式(a4−2)で表される無水イタコン酸又は式(a4−3)で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。
<Other acid stable monomers (a4)>
Examples of the other acid stable monomer (a4) include maleic anhydride represented by formula (a4-1), itaconic anhydride represented by formula (a4-2), and formula (a4-3). And acid-stable monomers having a norbornene ring.
式(a4−3)中、
Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又は−COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して−CO−O−CO−を形成し、
Ra27は、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。但し−COORa27が酸不安定基となるものは除く(即ちRa27は、第三級炭素原子が−O−と結合するものを含まない)。
In formula (a4-3),
R a25 and R a26 each independently represent a hydrogen atom, a C 1-3 aliphatic hydrocarbon group optionally having a hydroxy group, a cyano group, a carboxy group, or —COOR a27 , or R a a25 and R a26 combine with each other to form -CO-O-CO-;
R a27 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -CO-. However, those in which —COOR a27 is an acid labile group are excluded (that is, R a27 does not include those in which a tertiary carbon atom is bonded to —O—).
Ra25及びRa26のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜8、より好ましくは炭素数1〜6である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4〜18、より好ましくは炭素数4〜12である。
Ra27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基、2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a hydroxyl group for R a25 and R a26 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, and a 2-hydroxyethyl group.
The aliphatic hydrocarbon group for R a27 preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. The saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 4 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms.
Examples of R a27 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group, and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.
ノルボルネン環を有する酸安定モノマー(a4−3)としては、例えば、2−ノルボルネン、2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、5−ノルボルネン−2−メタノール、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。 Examples of the acid-stable monomer (a4-3) having a norbornene ring include 2-norbornene, 2-hydroxy-5-norbornene, 5-norbornene-2-carboxylic acid, methyl 5-norbornene-2-carboxylate, 5- Examples include norbornene-2-carboxylic acid 2-hydroxy-1-ethyl, 5-norbornene-2-methanol, and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride.
樹脂(A)が式(a4−1)、式(a4−2)又は式(a4−3)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常2〜40モル%であり、好ましくは3〜30モル%であり、より好ましくは5〜20モル%である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a4-1), the formula (a4-2), or the formula (a4-3), the content thereof is all of the resin (A). It is 2-40 mol% normally with respect to a structural unit, Preferably it is 3-30 mol%, More preferably, it is 5-20 mol%.
好ましい樹脂(A)は、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1)及びシクロへキシル基を有するモノマー(a1−2)の少なくとも1種(さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1))であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。樹脂(A)は、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造できる。 A preferred resin (A) is a copolymer obtained by polymerizing at least a monomer (a1) having an acid labile group, an acid stable monomer (a2) having a hydroxy group, and / or an acid stable monomer (a3) having a lactone ring. It is a polymer. In this preferred copolymer, the monomer (a1) having an acid labile group is more preferably at least one of a monomer (a1-1) having an adamantyl group and a monomer (a1-2) having a cyclohexyl group. A species (more preferably a monomer (a1-1) having an adamantyl group), and an acid stable monomer (a2) having a hydroxy group, preferably an acid stable monomer (a2-1) having a hydroxyadamantyl group, and a lactone The acid-stable monomer (a3) having a ring is more preferably an acid-stable monomer (a3-1) having a γ-butyrolactone ring and an acid-stable monomer (a3-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring At least one of the following. Resin (A) can be manufactured by a well-known polymerization method (for example, radical polymerization method).
樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは3,500以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは10,000以下)である。
樹脂(A)の含有量は、組成物の固形分中80質量%以上99質量%以下であることが好ましい。
なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 3,500 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, and further preferably Is 10,000 or less).
It is preferable that content of resin (A) is 80 to 99 mass% in solid content of a composition.
In the present specification, the “solid content in the composition” means the total of resist composition components excluding the solvent (E) described later. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.
〈塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物(C)を含有していることが好ましい。
塩基性化合物(C)の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01〜1質量%程度であることが好ましい。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The resist composition of the present invention preferably contains a basic compound (C).
The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 1% by mass based on the solid content of the resist composition.
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物(例えば、アミン及びアンモニウム塩)である。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物(C)として、式(C2)で表される芳香族アミン、特に式(C2−1)で表されるアニリンが挙げられる。 The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound (for example, amine and ammonium salt). The amine may be an aliphatic amine or an aromatic amine. As the aliphatic amine, any of primary amine, secondary amine and tertiary amine can be used. The aromatic amine may be any of an amino group bonded to an aromatic ring such as aniline and a heteroaromatic amine such as pyridine. Preferable basic compound (C) includes an aromatic amine represented by the formula (C2), particularly an aniline represented by the formula (C2-1).
ここで、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。
Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基)、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。
前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜6程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数5〜10程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6〜10程度である。
Rc7は、脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキル基)、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基(好ましくはシクロアルキル基)又は芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、上記と同様の置換基で置換されていてもよい。
m3は0〜3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。
Rc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Rc7のアルコキシ基は、好ましくは炭素数1〜6程度である。
Here, Ar c1 represents an aromatic hydrocarbon group.
R c5 and R c6 each independently represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkyl group or a cycloalkyl group), a saturated cyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group, the saturated cyclic hydrocarbon group or the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
The aliphatic hydrocarbon group preferably has about 1 to 6 carbon atoms, the saturated cyclic hydrocarbon group preferably has about 5 to 10 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group preferably has about carbon atoms. It is about 6-10.
R c7 represents an aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkyl group), an alkoxy group, a saturated cyclic hydrocarbon group (preferably a cycloalkyl group) or an aromatic hydrocarbon group. Hydrogen atoms contained in the aliphatic hydrocarbon group, the alkoxy group, the saturated cyclic hydrocarbon group, and the aromatic hydrocarbon group may be substituted with the same substituents as described above.
m3 represents an integer of 0 to 3. When m3 is 2 or more, the plurality of R c7 may be the same as or different from each other.
Aliphatic hydrocarbon group R c7, preferable number of carbon atoms of the saturated cyclic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group are the same as above, an alkoxy group of R c7 is independently in, preferably about 1 to 6 carbon atoms.
芳香族アミン(C2)としては、例えば、1−ナフチルアミン及び2−ナフチルアミンなどが挙げられる。
アニリン(C2−1)としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
中でもジイソプロピルアニリン(特に2,6−ジイソプロピルアニリン)が好ましい。
Examples of the aromatic amine (C2) include 1-naphthylamine and 2-naphthylamine.
Examples of aniline (C2-1) include aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.
Of these, diisopropylaniline (particularly 2,6-diisopropylaniline) is preferable.
塩基性化合物(C)としては、式(C3)〜式(C11)で表される化合物が挙げられる。
ここで、
Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。
窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11〜Rc14、Rc16〜Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。
芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23〜Rc28は、それぞれ独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。
o3〜u3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。o3〜u3のいずれかが2以上であるとき、それぞれ、複数のRc20〜Rc28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
Rc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。
Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜6程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜6程度である。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数2〜6程度である。
Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキレン基)、−CO−、−C(=NH)−、−C(=NRc3)−、−S−、−S−S−又はこれらの組合せを表す。前記2価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜6程度である。
Rc3は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
Examples of the basic compound (C) include compounds represented by the formulas (C3) to (C11).
here,
R c8 represents any of the groups described for R c7 above.
R c9 , R c10 , R c11 to R c14 , R c16 to R c19 and R c22 bonded to the nitrogen atom each independently represent any of the groups described for R c5 and R c6 .
R c20 , R c21 and R c23 to R c28 bonded to the aromatic carbon each independently represents any of the groups described for R c7 .
o3 to u3 each independently represents an integer of 0 to 3. When any of o3 to u3 is 2 or more, any of the plurality of R c20 to R c28 may be the same as or different from each other.
R c15 represents an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an alkanoyl group.
n3 represents an integer of 0 to 8. When n3 is 2 or more, the plurality of R c15 may be the same as or different from each other.
The aliphatic hydrocarbon group for R c15 preferably has about 1 to 6 carbon atoms, and the saturated cyclic hydrocarbon group preferably has about 3 to 6 carbon atoms.
Examples of the alkanoyl group include an acetyl group, a 2-methylacetyl group, a 2,2-dimethylacetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pentanoyl group, and a 2,2-dimethylpropionyl group. It is about 2-6.
L c1 and L c2 are each independently a divalent aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkylene group), —CO—, —C (═NH) —, —C (═NR c3 ) —, —S—. , -SS- or a combination thereof. The divalent aliphatic hydrocarbon group preferably has about 1 to 6 carbon atoms.
R c3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
化合物(C3)としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。 Examples of the compound (C3) include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, Tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctyl Amine, methyl dinonyl amine, methyl didecyl amine, ethyl dibutyl amine, ethyl dipentyl amine, ethyl di Silamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylene Examples include diamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and the like.
化合物(C4)としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。
化合物(C5)としては、例えば、モルホリンなどが挙げられる。
化合物(C6)としては、例えば、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
化合物(C7)としては、例えば、2,2’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
化合物(C8)としては、例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
化合物(C9)としては、例えば、ピリジン、4−メチルピリジンなどが挙げられる。
化合物(C10)としては、例えば、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。
化合物(C11)としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。
Examples of the compound (C4) include piperazine.
Examples of the compound (C5) include morpholine.
Examples of the compound (C6) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound (C7) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound (C8) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound (C9) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound (C10) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, and 1,2-di. (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide, 4, 4'-dipyridyl disulfide, 2,2'-dipyridylamine, 2,2'-dipicolylamine and the like can be mentioned.
Examples of the compound (C11) include bipyridine.
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。 As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Examples include ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline, and the like.
〈溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある〉
本発明のレジスト組成物は、溶剤(E)を、組成物中90質量%以上の量で含有していてもよい。溶剤(E)を含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤(E)の含有量は、組成物中90質量%以上(好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上)、99.9質量%以下(好ましくは99質量%以下)である。
溶剤(E)の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (sometimes referred to as "solvent (E)")
The resist composition of the present invention may contain the solvent (E) in an amount of 90% by mass or more in the composition. The resist composition of the present invention containing the solvent (E) is suitable for producing a thin film resist. The content of the solvent (E) is 90% by mass or more (preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more) and 99.9% by mass or less (preferably 99% by mass or less) in the composition.
The content of the solvent (E) can be measured by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.
溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, for example, sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes and the like can be used.
〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention mentioned above on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) The process which develops the composition layer after a heating using a image development apparatus is included.
レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。 Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.
溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が例示される。また、圧力は、1〜1.0×105Pa程度が例示される。 The removal of the solvent is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking) or by using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. The As for the temperature in this case, about 50-200 degreeC is illustrated, for example. The pressure is exemplified by about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.
得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線や、超紫外光(EUV)を照射するものであってもよい。 The obtained composition layer is exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) can be used such as those that convert the wavelength of the laser light from the above and radiate the harmonic laser light in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region. Further, the exposure machine may irradiate an electron beam or extreme ultraviolet light (EUV).
露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)が行われる。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) for promoting the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using an alkali developer using a developing device.
The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline).
After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove water remaining on the substrate and the pattern.
〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらには化学増幅型フォトレジスト組成物として好適である。
<Application>
The resist composition of the present invention includes a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, It is suitable as a chemically amplified photoresist composition.
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。例中、含有量及び使用量を表す%及び部は、特記しないかぎり質量基準である。
以下の実施例において、化合物の構造は、質量分析(LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型)で確認した。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(東ソー株式会社製HLC−8120GPC型、カラムは”TSKgel Multipore HXL−M”3本、溶媒はテトラヒドロフラン)により求めた値である。
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples. In the examples,% and parts representing the content and the amount used are based on mass unless otherwise specified.
In the following examples, the structure of the compound was confirmed by mass spectrometry (LC; Agilent 1100 type, MASS; Agilent LC / MSD type).
The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography (HLC-8120GPC type manufactured by Tosoh Corporation, three columns are “TSKgel Multipore HXL-M”, and the solvent is tetrahydrofuran) using polystyrene as a standard product.
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)
実施例1:式(B1)で表される塩の合成
酸化銀2.91部及びアセトニトリル5.81部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、メタンスルホン酸2.41部及びアセトニトリル4.82部の溶液を30分かけて添加した。23℃で30分間攪拌後、式(B1−a)で表される化合物5.00部及びアセトニトリル10.00部の溶液を仕込み、さらに、式(B1−b)で表される化合物3.56部を仕込み、23℃で15時間攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、tert−ブチルメチルエーテル28.02部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、その後、濃縮し、更にアセトニトリル50部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮することにより、式(B1−c)で表される塩5.12部を得た。
Example 1: Synthesis of a salt represented by the formula (B1)
2.91 parts of silver oxide and 5.81 parts of acetonitrile were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, a solution of 2.41 parts of methanesulfonic acid and 4.82 parts of acetonitrile was added over 30 minutes. After stirring at 23 ° C. for 30 minutes, a solution of 5.00 parts of the compound represented by the formula (B1-a) and 10.00 parts of acetonitrile was charged, and further a compound 3.56 represented by the formula (B1-b) Parts were charged, stirred at 23 ° C. for 15 hours, and filtered. The collected filtrate was concentrated, 28.02 parts of tert-butyl methyl ether was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed, then concentrated, 50 parts of acetonitrile was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and concentrated to obtain 5.12 parts of the salt represented by the formula (B1-c).
特開第2008−209917号公報に記載された方法によって得られた式(B1−d)で表される化合物3.90部及びクロロホルム58.75部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(B1−c)で表される化合物4.10部及びイオン交換水56.62部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応マスに、28%アンモニア水溶液3.00部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水29.37部を仕込み23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を3回行った。回収された有機層に、活性炭0.67部を添加し、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、tert−ブチルメチルエーテル25.83部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル20部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル28.80部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル45.75部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル20部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮することにより、式(B1)で表される塩4.10部を得た。 3.90 parts of a compound represented by the formula (B1-d) obtained by the method described in JP-A-2008-209917 and 58.75 parts of chloroform were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 4.10 parts of the compound represented by the formula (B1-c) and 56.62 parts of ion-exchanged water were charged and stirred at 23 ° C. for 15 hours. To the obtained reaction mass, 3.00 parts of a 28% aqueous ammonia solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes for liquid separation. The recovered organic layer was charged with 29.37 parts of ion-exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed three times. To the collected organic layer, 0.67 parts of activated carbon was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The collected filtrate was concentrated, 25.83 parts of tert-butyl methyl ether was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed and concentrated, and 20 parts of acetonitrile was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and concentrated. To the obtained concentrate, 28.80 parts of ethyl acetate was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and concentrated. To the obtained residue, 45.75 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed, the mixture was concentrated, 20 parts of acetonitrile was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and concentrated to obtain 4.10 parts of the salt represented by the formula (B1).
式(B1)で表される塩の同定;
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 214.1
MS(ESI(−)Spectrum):M− 271.1
Identification of the salt represented by the formula (B1);
MS (ESI (+) Spectrum): M + 214.1
MS (ESI (−) Spectrum): M − 271.1
実施例2:式(B2)で表される塩の合成
特開第2008−209917号公報に記載された方法によって得られた式(B1−d)で表される化合物3.90部及びクロロホルム58.75部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(B2−a)で表される化合物5.34部及びイオン交換水73.74部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応マスに、28%アンモニア水溶液3.00部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水38.42部を仕込み23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を3回行った。回収された有機層に、活性炭0.82部を添加し、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、tert−ブチルメチルエーテル32.24部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル20部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル28.98部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50.08部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル20.09部を加えて23℃で30分間攪拌した。その後、濃縮することにより、式(B2)で表される塩4.28部を得た。
Example 2: Synthesis of a salt represented by the formula (B2)
3.90 parts of a compound represented by the formula (B1-d) obtained by the method described in JP-A-2008-209917 and 58.75 parts of chloroform were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 5.34 parts of the compound represented by the formula (B2-a) and 73.74 parts of ion-exchanged water were charged and stirred at 23 ° C. for 15 hours. To the obtained reaction mass, 3.00 parts of a 28% aqueous ammonia solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes for liquid separation. The recovered organic layer was charged with 38.42 parts of ion-exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed three times. To the collected organic layer, 0.82 part of activated carbon was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The collected filtrate was concentrated, 32.24 parts of tert-butyl methyl ether was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed and concentrated, and 20 parts of acetonitrile was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and concentrated. To the obtained concentrate, 28.98 parts of ethyl acetate was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and concentrated. To the obtained residue, 50.08 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed, the mixture was concentrated, and 20.09 parts of acetonitrile was further added, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes. Then, 4.28 parts of salt represented by Formula (B2) was obtained by concentrating.
式(B2)で表される塩の同定;
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 276.1
MS(ESI(−)Spectrum):M− 271.1
Identification of the salt represented by the formula (B2);
MS (ESI (+) Spectrum): M + 276.1
MS (ESI (−) Spectrum): M − 271.1
実施例3:式(B3)で表される塩の合成
特開第2006−257078号公報に記載された方法によって得られた式(B3−d)で表される化合物4.80部及びクロロホルム72.31部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(B2−a)で表される化合物5.34部及びイオン交換水73.74部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応マスに、28%アンモニア水溶液3.00部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水40部を仕込み23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を3回行った。回収された有機層に、活性炭1.00部を添加し、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、tert−ブチルメチルエーテル35部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル15部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル30部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル20部を加えて23℃で30分間攪拌した。その後、濃縮することにより、式(B3)で表される塩3.22部を得た。
Example 3: Synthesis of a salt represented by the formula (B3)
4.80 parts of the compound represented by the formula (B3-d) obtained by the method described in JP-A-2006-257078 and 72.31 parts of chloroform were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 5.34 parts of the compound represented by the formula (B2-a) and 73.74 parts of ion-exchanged water were charged and stirred at 23 ° C. for 15 hours. To the obtained reaction mass, 3.00 parts of a 28% aqueous ammonia solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes for liquid separation. The recovered organic layer was charged with 40 parts of ion exchange water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed three times. To the collected organic layer, 1.00 part of activated carbon was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The collected filtrate was concentrated, 35 parts of tert-butyl methyl ether was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed and concentrated, and 15 parts of acetonitrile was further added, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes and concentration. To the obtained concentrate, 30 parts of ethyl acetate was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and concentrated. To the obtained residue, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed, the mixture was concentrated, 20 parts of acetonitrile was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, 3.22 parts of salt represented by Formula (B3) was obtained by concentrating.
式(B3)で表される塩の同定;
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 276.1
MS(ESI(−)Spectrum):M− 339.1
Identification of the salt represented by the formula (B3);
MS (ESI (+) Spectrum): M + 276.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 339.1
実施例4:式(B4)で表される塩の合成
特開第2006−257078号公報に記載された方法によって得られた式(B3−d)で表される化合物4.80部及びクロロホルム72.31部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(B1−c)で表される化合物4.10部及びイオン交換水56.62部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応マスに、28%アンモニア水溶液3.00部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水30部を仕込み23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を3回行った。回収された有機層に、活性炭1.00部を添加し、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、tert−ブチルメチルエーテル30部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル20部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル30部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて23℃で30分間攪拌した。上澄み液を除き、濃縮し、更にアセトニトリル20部を加えて23℃で30分間攪拌し、濃縮することにより、式(B4)で表される塩2.81部を得た。
Example 4: Synthesis of salt represented by formula (B4)
4.80 parts of the compound represented by the formula (B3-d) obtained by the method described in JP-A-2006-257078 and 72.31 parts of chloroform were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 4.10 parts of the compound represented by the formula (B1-c) and 56.62 parts of ion-exchanged water were charged and stirred at 23 ° C. for 15 hours. To the obtained reaction mass, 3.00 parts of a 28% aqueous ammonia solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes for liquid separation. To the recovered organic layer, 30 parts of ion-exchanged water was charged, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed three times. To the collected organic layer, 1.00 part of activated carbon was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The collected filtrate was concentrated, 30 parts of tert-butyl methyl ether was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed and concentrated, and 20 parts of acetonitrile was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and concentrated. To the obtained concentrate, 30 parts of ethyl acetate was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and concentrated. To the obtained residue, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The supernatant was removed, the mixture was concentrated, 20 parts of acetonitrile was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and concentrated to obtain 2.81 parts of the salt represented by the formula (B4).
式(B4)で表される塩の同定;
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 214.1
MS(ESI(−)Spectrum):M− 339.1
Identification of the salt represented by the formula (B4);
MS (ESI (+) Spectrum): M + 214.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 339.1
実施例5:式(B5)で表される塩の合成
式(B3)で表される塩3.08部及びアセトニトリル15.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(B5−a)で表される化合物0.85部を添加し、60℃で1時間攪拌した。得られた反応溶液をろ過し、回収されたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム20部及びイオン交換水10部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水10部を加え、23℃で30分間攪拌した。この水洗の操作をさらに3回行った。得られた有機層に活性炭0.50部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮することにより、式(B5−b)で表される塩2.89部を得た。
Example 5: Synthesis of salt represented by formula (B5)
A salt represented by the formula (B3) (3.08 parts) and acetonitrile (15.00 parts) were charged, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 0.85 part of a compound represented by the formula (B5-a) was added and stirred at 60 ° C. for 1 hour. The obtained reaction solution was filtered, and the collected filtrate was concentrated. To the obtained concentrate, 20 parts of chloroform and 10 parts of ion-exchanged water were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. To the obtained organic layer, 10 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. This washing operation was further performed 3 times. The obtained organic layer was charged with 0.50 part of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated to obtain 2.89 parts of the salt represented by the formula (B5-b).
式(B5−b)で表される化合物2.55部、ジメチルホルムアミド20.00部及び式(B5−c)で表される化合物0.69部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、炭酸カリウム0.05部を仕込み、23℃で2時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム30部及びイオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を6回行った。得られた有機層に活性炭0.60部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル10部を添加して溶解し、濃縮した。その後、これに、tert−ブチルメチルエーテル30部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した。得られた濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(B5)で表される塩1.12部を得た。 Charge 2.55 parts of the compound represented by the formula (B5-b), 20.00 parts of dimethylformamide and 0.69 parts of the compound represented by the formula (B5-c), and stir at 23 ° C. for 30 minutes. 0.05 part of potassium was charged and stirred at 23 ° C. for 2 hours. To the obtained reaction product, 30 parts of chloroform and 10 parts of ion-exchanged water were added, followed by stirring and liquid separation. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 0.60 part of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated, and 10 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate to dissolve and concentrate. Thereafter, 30 parts of tert-butyl methyl ether was added thereto and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated. The resulting concentrate was fractionated in a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain 1.12 parts of the salt represented by the formula (B5).
式(B5)で表される塩の同定;
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 276.1
MS(ESI(−)Spectrum):M− 547.2
Identification of the salt represented by the formula (B5);
MS (ESI (+) Spectrum): M + 276.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 547.2
樹脂の合成において使用したモノマーを下記に示す。
The monomers used in the resin synthesis are shown below.
〔樹脂A1の合成〕
式(A)で表されるモノマー、式(E)で表されるモノマー、式(B)で表されるモノマー、式(C)で表されるモノマー及び式(D)で表されるモノマーを、モル比30:14:6:20:30の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00mol%と3.00mol%との割合で添加し、これを75℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約7.2×103である共重合体を収率78%で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。
[Synthesis of Resin A1]
A monomer represented by formula (A), a monomer represented by formula (E), a monomer represented by formula (B), a monomer represented by formula (C) and a monomer represented by formula (D) The molar ratio was 30: 14: 6: 20: 30. Subsequently, 1.5 mass times dioxane was added with respect to the total mass of all the monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were respectively added to 1.00 mol% and 3.00 mol% with respect to the total number of moles of all monomers. And heated at 75 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times, and the weight average molecular weight is about 7.2 × 10 3. The coalescence was obtained with a yield of 78%. This copolymer has a structural unit of the following formula, and this is designated as resin A1.
〔樹脂A2の合成〕
式(A)で表されるモノマー、式(B)で表されるモノマー及び式(C)で表されるモノマーを、モル比50:25:25の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを80℃で約8時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約9.2×103である共重合体を収率60%で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。
[Synthesis of Resin A2]
The monomer represented by the formula (A), the monomer represented by the formula (B) and the monomer represented by the formula (C) are charged in a molar ratio of 50:25:25, and then the total mass of all the monomers. 1.5 times by mass of dioxane was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 80 ° C. for about 8 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (3: 1) and precipitating three times, and the weight average molecular weight is about 9.2 × 10 3. The coalescence was obtained in 60% yield. This copolymer has a structural unit of the following formula, and this is designated as resin A2.
〔レジスト組成物の調製〕
表1に示すように、各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。
(Preparation of resist composition)
As shown in Table 1, the resist composition was prepared by filtering the mixture obtained by mixing and dissolving each component with a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm.
<樹脂>
樹脂A1〜A2
樹脂A3:次式の構造単位を有するもの
<Resin>
Resins A1 to A2
Resin A3: having a structural unit of the following formula
<酸発生剤>
B1:式(B1)で表される塩
B2:式(B2)で表される塩
B3:式(B3)で表される塩
B4:式(B4)で表される塩
B5:式(B5)で表される塩
X1:式(X1)で表される塩
X2:式(X2)で表される塩
<Acid generator>
B1: Salt represented by the formula (B1)
B2: salt represented by formula (B2)
B3: salt represented by the formula (B3)
B4: salt represented by formula (B4)
B5: salt represented by the formula (B5)
X1: Salt represented by the formula (X1)
X2: salt represented by the formula (X2)
<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265部
2−ヘプタノン 20.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-Diisopropylaniline <Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts 2-heptanone 20.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts
〔レジスト組成物の評価〕
12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を、乾燥(プリベーク)後の膜厚が110nmとなるようにスピンコートした。
得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベーク(PB)した。このようにレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、2−poles on axis照明(σout=0.97、σin=0.77、Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク(PEB)を行った。
さらに、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
[Evaluation of resist composition]
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness of 78 nm. An organic antireflection film was formed. Next, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying (pre-baking) was 110 nm.
The obtained silicon wafer was pre-baked (PB) for 60 seconds on the direct hot plate at the temperature described in the “PB” column of Table 1. An ArF excimer laser stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 2-poles on axis illumination (σout = 0.97, σin) = 0.77, Y-polarized light], the line and space pattern was subjected to immersion exposure by changing the exposure amount in stages, and ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, post-exposure baking (PEB) was performed on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 1 for 60 seconds.
Further, paddle development was performed for 60 seconds with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution to obtain a resist pattern.
各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。 In forming a resist pattern from each resist composition, the exposure amount at which the line width of a 50 nm line-and-space pattern was 1: 1 was defined as effective sensitivity.
露光マージン評価(EL):実効感度±10%の露光量範囲において露光量を横軸に、その露光量で形成された50nmのラインパターンの線幅を縦軸にプロットした。
該プロットから求めた回帰直線の傾きの絶対値が、
1.1nm/(mJ/cm2)以下であるものを◎、
1.3nm/(mJ/cm2)以下のものを○、
1.3nm/(mJ/cm2)を超え、1.5nm/(mJ/cm2)以下のものを△、
1.5nm/(mJ/cm2)を超えるものを×とした。
Exposure margin evaluation (EL): The exposure amount is plotted on the horizontal axis and the line width of a 50 nm line pattern formed at the exposure amount is plotted on the vertical axis in the exposure range of effective sensitivity ± 10%.
The absolute value of the slope of the regression line obtained from the plot is
What is 1.1 nm / (mJ / cm 2 ) or less, ◎,
The one below 1.3 nm / (mJ / cm 2 ) ○
More than 1.3 nm / (mJ / cm 2 ) and 1.5 nm / (mJ / cm 2 ) or less Δ
What exceeded 1.5 nm / (mJ / cm < 2 >) was set as x.
マスクエラーファクター評価(MEF):実効感度において、マスクサイズが48nm、50nm、52nm(ピッチはともに100nm)のマスクを用いて、ラインパターンをそれぞれ形成した。マスクサイズを横軸に、各マスクサイズのマスクを用いて形成されたラインパターンの線幅を縦軸にプロットした。該プロットから求めた回帰直線の傾きが、2.3以下のものを◎、
2.5以下のものを○、
2.5を超え3.0以下のものを△、
3.0を超えるものを×とした。
これらの結果を表2に示す。
Mask error factor evaluation (MEF): Line patterns were formed using masks with mask sizes of 48 nm, 50 nm, and 52 nm (pitch are both 100 nm) in effective sensitivity. The mask size is plotted on the horizontal axis, and the line widths of line patterns formed using masks of each mask size are plotted on the vertical axis. When the slope of the regression line obtained from the plot is 2.3 or less,
○ less than 2.5
Δ over 2.5 and under 3.0
What exceeded 3.0 was set as x.
These results are shown in Table 2.
本発明の塩によれば、該塩を含むレジスト組成物は、レジストパターン形成時の露光マージン(EL)及びマスクエラーファクター(MEF)に優れる。 According to the salt of the present invention, a resist composition containing the salt is excellent in exposure margin (EL) and mask error factor (MEF) when forming a resist pattern.
Claims (7)
[式(I)中、R1は、炭素数1〜12の飽和炭化水素基又は炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜6のアルキル基で置換されていてもよい。
R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。
R10及びR11は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
L1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、−SO2−又は−CO−で置き換わっていてもよい。] A salt represented by the formula (I).
[In Formula (I), R 1 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and is included in the saturated hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group. The hydrogen atom to be substituted may be substituted with a hydroxy group, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a carbon number of 1 Represents an alkoxy group of -6.
R 10 and R 11 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, a hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom, and the divalent —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—.
Y represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the aliphatic group —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—. ]
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。 (1) The process of apply | coating the resist composition of Claim 6 on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) A method for producing a resist pattern, comprising a step of developing the heated composition layer using a developing device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011134832A JP5763433B2 (en) | 2010-06-29 | 2011-06-17 | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010147210 | 2010-06-29 | ||
| JP2010147210 | 2010-06-29 | ||
| JP2011134832A JP5763433B2 (en) | 2010-06-29 | 2011-06-17 | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012031145A true JP2012031145A (en) | 2012-02-16 |
| JP5763433B2 JP5763433B2 (en) | 2015-08-12 |
Family
ID=45844995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011134832A Active JP5763433B2 (en) | 2010-06-29 | 2011-06-17 | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5763433B2 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012093706A (en) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Jsr Corp | Radiation-sensitive resin composition and pattern formation method |
| JP2012159688A (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Fujifilm Corp | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition |
| US20120225385A1 (en) * | 2011-03-02 | 2012-09-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt and photoresist composition comprising the same |
| US20120231392A1 (en) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, resist composition and method for producing resist pattern |
| JP2014177407A (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Sulfonium salt, polymeric compound, resist material, and pattern forming method |
| JP2015096523A (en) * | 2010-02-16 | 2015-05-21 | 住友化学株式会社 | Method for producing salt and acid generator |
| JP2016006510A (en) * | 2011-02-28 | 2016-01-14 | 富士フイルム株式会社 | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film |
| JP2016106073A (en) * | 2012-09-15 | 2016-06-16 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | Onium compound and method for synthesizing the same |
| JP2016108324A (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-20 | 住友化学株式会社 | Salt, acid generator, resist composition and manufacturing method of resist pattern |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175046A (en) * | 1983-12-20 | 1985-09-09 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニ− | Radiant photosensitive composition |
| JPH06242606A (en) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Hoechst Japan Ltd | Positive radiation-sensitive mixture |
| JPH10274844A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive photosensitive composition |
| JP2000053601A (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-22 | Toyo Gosei Kogyo Kk | New onium salt and radio sensitive resin composition containing the same |
| JP2003149800A (en) * | 2001-11-12 | 2003-05-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive resist composition |
-
2011
- 2011-06-17 JP JP2011134832A patent/JP5763433B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175046A (en) * | 1983-12-20 | 1985-09-09 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニ− | Radiant photosensitive composition |
| JPH06242606A (en) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Hoechst Japan Ltd | Positive radiation-sensitive mixture |
| JPH10274844A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive photosensitive composition |
| JP2000053601A (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-22 | Toyo Gosei Kogyo Kk | New onium salt and radio sensitive resin composition containing the same |
| JP2003149800A (en) * | 2001-11-12 | 2003-05-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive resist composition |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015096523A (en) * | 2010-02-16 | 2015-05-21 | 住友化学株式会社 | Method for producing salt and acid generator |
| JP2012093706A (en) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Jsr Corp | Radiation-sensitive resin composition and pattern formation method |
| JP2012159688A (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Fujifilm Corp | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition |
| JP2016006510A (en) * | 2011-02-28 | 2016-01-14 | 富士フイルム株式会社 | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film |
| US20120225385A1 (en) * | 2011-03-02 | 2012-09-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt and photoresist composition comprising the same |
| US8557500B2 (en) * | 2011-03-02 | 2013-10-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt and photoresist composition comprising the same |
| US20120231392A1 (en) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, resist composition and method for producing resist pattern |
| US8921028B2 (en) * | 2011-03-08 | 2014-12-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, resist composition and method for producing resist pattern |
| JP2016106073A (en) * | 2012-09-15 | 2016-06-16 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | Onium compound and method for synthesizing the same |
| TWI506021B (en) * | 2013-03-13 | 2015-11-01 | 信越化學工業股份有限公司 | Barium salt, polymer compound, photoresist material and pattern forming method |
| JP2014177407A (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Sulfonium salt, polymeric compound, resist material, and pattern forming method |
| JP2016108324A (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-20 | 住友化学株式会社 | Salt, acid generator, resist composition and manufacturing method of resist pattern |
| US11556056B2 (en) | 2014-11-28 | 2023-01-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5763433B2 (en) | 2015-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5750346B2 (en) | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern | |
| JP5703700B2 (en) | Salt and resist composition for acid generator | |
| JP5763433B2 (en) | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern | |
| JP5677673B2 (en) | Salt for acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern | |
| JP6327394B2 (en) | Salt, resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP5677668B2 (en) | Salt, resist composition and method for producing resist pattern | |
| KR20120001646A (en) | Salt, Acid Generator, and Resist Compositions | |
| JP5708170B2 (en) | Salt and resist composition | |
| JP6221689B2 (en) | Compound, resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP5667463B2 (en) | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern | |
| JP2013041250A (en) | Resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP5844674B2 (en) | Salt, resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP5750317B2 (en) | Salt, acid generator and resist composition | |
| JP5909875B2 (en) | Salt and resist composition | |
| JP2012106980A (en) | Salt, resist composition, and method of producing resist pattern | |
| JP2011197067A (en) | Resist composition and method of manufacturing the same | |
| JP5977543B2 (en) | Salt, resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP5856414B2 (en) | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern | |
| JP6459480B2 (en) | Salt, resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP2012008551A (en) | Resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP2012176936A (en) | Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern | |
| JP6039280B2 (en) | Resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP2011164600A (en) | Resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP2012008550A (en) | Resist composition and method for producing resist pattern | |
| JP5894028B2 (en) | Resist composition and method for producing resist pattern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140509 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150317 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150513 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150609 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150611 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5763433 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |