JP2012030592A - Laminate having porous silica film, and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シリカ多孔質膜を有する積層体及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a laminate having a porous silica membrane and a method for producing the same.
反射防止用途の多孔質シリカ膜としては、特許文献1〜5が知られている。
特許文献1、2は、鋳型材として有機ポリマーを使用して多孔質シリカ膜を形成するが、有機ポリマーの除去は加熱によるため、膜の収縮が発生し、十分な耐摩耗性が得られない。
特許文献3では、Tgの低い基材は使用されていない。
Patent Documents 1 to 5 are known as porous silica films for antireflection applications.
In Patent Documents 1 and 2, a porous silica film is formed using an organic polymer as a template material. However, since the removal of the organic polymer is due to heating, the film shrinks and sufficient wear resistance cannot be obtained. .
In Patent Document 3, a substrate having a low Tg is not used.
特許文献4には、透明熱可塑性基板上に数珠状シリカストリングを用いた多孔性シリカ層を形成している。このシリカ含有積層体は、鉛筆硬度による膜強度は大きいが、耐摩耗性は低いと考えられる。
特許文献5は、粒径10〜60nmのシリカ粒子を含む液をガラスに塗布し、600℃以上の温度をかけることで低屈折率と耐摩耗性を得ている。この方法は、600℃以上の温度をかけることが必要であるため、Tgの低い基材には使用できない。
In Patent Document 4, a porous silica layer using a beaded silica string is formed on a transparent thermoplastic substrate. This silica-containing laminate is considered to have a high film strength due to pencil hardness but low wear resistance.
また、特許文献1には、アルコキシシラン類、有機溶媒、水を含有したシリカ系組成物により、多孔質シリカ膜を形成している。特許文献1には、有機化合物を併用することも記載されているが、ここでは、有機ポリマーを使用したテンプレート法による多孔質膜は、有機ポリマーが取り除かれることで空孔が歪んだり、潰れたりして、膜構造が不安定な状態になってしまうと記載している。そのため、用いている有機化合物の分子量は小さく、有機ポリマーのような高分子量化合物を使用していない。その結果、得られる多孔性シリカ膜の多孔度を高く維持することが困難であり、低屈折率な多孔性シリカ膜を安定して製造することができないという欠点があった。 In Patent Document 1, a porous silica film is formed from a silica-based composition containing alkoxysilanes, an organic solvent, and water. Patent Document 1 also describes that an organic compound is used in combination, but here, the porous film by the template method using an organic polymer is distorted or crushed by removing the organic polymer. It is described that the film structure becomes unstable. For this reason, the molecular weight of the organic compound used is small, and no high molecular weight compound such as an organic polymer is used. As a result, it is difficult to maintain a high porosity of the resulting porous silica film, and there is a drawback that a porous silica film having a low refractive index cannot be produced stably.
反射防止用途の多孔質シリカ膜を有する積層体としては、基材と多孔質シリカ膜との密着性が高く、可視光線透過率が高いものが求められているが、従来技術では両方を十分満足するものは無かった。
本発明の課題は、基材と多孔質シリカ膜との密着性が高く、可視光線透過率が高い、多孔質シリカ膜を有する積層体を提供することにある。
As a laminate having a porous silica film for antireflection use, a material having high adhesion between the substrate and the porous silica film and high visible light transmittance is required, but the conventional technology sufficiently satisfies both. There was nothing to do.
The subject of this invention is providing the laminated body which has the high adhesiveness of a base material and a porous silica film | membrane, and has a visible light transmittance | permeability and which has a porous silica film | membrane.
本発明者らが鋭意検討した結果、特定の耐摩耗性を持つ積層体が、基材と多孔質シリカ膜との密着性が高いことを見出した。
また、Tgが200℃以下の透光性基材上に、屈折率1.20〜1.35の多孔質シリカ膜を積層させることにより、積層体の可視光線透過率が向上することを見出した。
また、多孔質シリカ膜形成工程において、鋳型材として有機ポリマーを使用し、有機ポリマーの抽出作業を行なうことにより、Tg200℃以下の透光性基材へ本発明の多孔質シリカ膜を形成することを可能にした。
As a result of intensive studies by the present inventors, it has been found that a laminate having a specific wear resistance has high adhesion between the substrate and the porous silica film.
Moreover, it discovered that the visible light transmittance | permeability of a laminated body improved by laminating | stacking a porous silica film | membrane with a refractive index of 1.20-1.35 on the translucent base material whose Tg is 200 degrees C or less. .
Further, in the porous silica film forming step, the organic polymer is used as a template material, and the organic polymer is extracted to form the porous silica film of the present invention on a translucent substrate having a Tg of 200 ° C. or lower. Made possible.
すなわち、本発明の第1の要旨は、Tgが200℃以下の透光性基材上に、屈折率が1.20〜1.35である多孔質シリカ膜を有する積層体であって、ミルスペックMIL−CCC−c−440に記載のチーズクロスを荷重500g/cm2で前記多孔質シリカ膜表面上を20往復させる耐摩耗性試験において、前記積層体の可視光線透過率の変化量が、試験前の前記積層体の可視光線透過率に対して5%未満であることを特徴とする積層体に存する(請求項1)。 That is, the first gist of the present invention is a laminate having a porous silica film having a refractive index of 1.20 to 1.35 on a translucent substrate having a Tg of 200 ° C. or less, In the abrasion resistance test in which the cheese cloth described in the specification MIL-CCC-c-440 is reciprocated 20 times on the surface of the porous silica film with a load of 500 g / cm 2 , the amount of change in the visible light transmittance of the laminate is It exists in the laminated body characterized by being less than 5% with respect to the visible light transmittance | permeability of the said laminated body before a test (Claim 1).
本発明の第2の要旨は、Tgが200℃以下の透光性基材上に多孔質シリカ膜を有する積層体の製造方法であって、アルコキシシラン化合物、水、有機溶媒、および有機ポリマーを含む組成物をTgが200℃以下の透光性基材上に湿式塗布した後、前記有機ポリマーを抽出する工程を含むことを特徴とする多孔質シリカ膜を有する積層体の製造方法に存する(請求項4)。 The second gist of the present invention is a method for producing a laminate having a porous silica film on a translucent substrate having a Tg of 200 ° C. or less, comprising an alkoxysilane compound, water, an organic solvent, and an organic polymer. A method for producing a laminate having a porous silica film is characterized by including a step of wet-coating a composition containing Tg on a light-transmitting substrate having a Tg of 200 ° C. or less and then extracting the organic polymer ( Claim 4).
本発明によれば、基材と多孔質シリカ膜との密着性が高く、可視光線透過率が高い積層体を提供できる。上記のような高い密着性は高い耐磨耗性だけではなく、耐環境性試験により生じる局所的な多孔質シリカ膜の剥離、または膜歪の増大による膜のクラックを抑制できる。同時に剥離強度の向上に伴い、膜の清掃においても容易に汚れ拭き取りなどができ、易清掃の著しい向上が可能となる。 According to the present invention, it is possible to provide a laminate having high adhesion between the substrate and the porous silica film and high visible light transmittance. The high adhesion as described above can suppress not only high wear resistance but also local peeling of the porous silica film caused by an environmental resistance test, or cracking of the film due to an increase in film distortion. At the same time, as the peel strength is improved, dirt can be easily wiped off in the cleaning of the film, and the easy cleaning can be significantly improved.
また、本発明の積層体の製造に適した製造方法を提供できる。 Moreover, the manufacturing method suitable for manufacture of the laminated body of this invention can be provided.
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、任意に変更して実施できる。
1.多孔質シリカ膜積層体
本発明の積層体は、透光性基材上に多孔質シリカ膜を有する。
[耐摩耗性]
本発明の積層体は、ミルスペックMIL−CCC−c−440に記載のチーズクロスを荷重500g/cm2で前記多孔質シリカ膜表面上を20往復させる耐摩耗性試験において、積層体の可視光線透過率の変化量が、試験前の積層体の可視光線透過率に対して5%未満であることを特徴とする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist of the present invention.
1. Porous silica membrane laminate The laminate of the present invention has a porous silica membrane on a translucent substrate.
[Abrasion resistance]
In the abrasion resistance test in which the cheese cloth described in MIL-Spec MIL-CCC-c-440 is reciprocated 20 times on the surface of the porous silica film with a load of 500 g / cm 2 , the laminate of the present invention is visible light of the laminate. The amount of change in transmittance is less than 5% with respect to the visible light transmittance of the laminate before the test.
本発明の積層体は、上記の特定の耐摩耗性を有することにより、透光性基材と多孔質シリカ膜との密着性が良好となり、その結果、易接着層やハードコート層を必要とせず、生産しやすいという利点がある。
チーズクロスはミルスペックMIL−CCC−c−440に記載のチーズクロスと同等品を使用する。
The laminate of the present invention has the above-mentioned specific wear resistance, so that the adhesion between the translucent substrate and the porous silica film is improved, and as a result, an easy adhesion layer and a hard coat layer are required. There is an advantage that it is easy to produce.
As the cheese cloth, an equivalent product to the cheese cloth described in Mil-Spec MIL-CCC-c-440 is used.
可視光透過率測定は、耐摩耗性試験を行なった部分のみを対象とする。
可視光透過率とは、波長380nm〜780nmまでの光の透過率を言う。測定には分光光度計や可視光線透過率計を用いることができる。
上記耐摩耗性試験前の積層体の可視光線透過率に対する、耐摩耗性試験における積層体
の可視光線透過率の変化量は、少ない方が好ましく、好ましくは3%以下、通常は0%以上である。
Visible light transmittance measurement is intended only for the part subjected to the abrasion resistance test.
Visible light transmittance refers to the transmittance of light having a wavelength of 380 nm to 780 nm. A spectrophotometer or a visible light transmittance meter can be used for the measurement.
The amount of change in the visible light transmittance of the laminate in the abrasion resistance test relative to the visible light transmittance of the laminate before the abrasion resistance test is preferably smaller, preferably 3% or less, usually 0% or more. is there.
[透光性基材]
基材はTg200℃以下の透光性基材を用いる。なお、透光性基材とは、所定の波長の光の透過性が高い基材をいうこととし、該波長は、透光性基材の用途に応じて適宜選択される。また、透光性基材は性能に影響を及ぼさない限り、散乱やヘーズを有していてもよい。なお、該波長は、可視光の範囲に限定されないが、レンズや、ディスプレイ、太陽電池、太陽熱発電などの光デバイス、建材や自動車の内外装の用途においては、可視光線領域の高い透過性が好ましい。通常は、全光線透過率が60%以上であるものが使用される。
[Translucent substrate]
A light-transmitting substrate having a Tg of 200 ° C. or lower is used as the substrate. In addition, a translucent base material means a base material with a high transmittance | permeability of the light of a predetermined wavelength, and this wavelength is suitably selected according to the use of a translucent base material. The translucent substrate may have scattering and haze as long as it does not affect the performance. The wavelength is not limited to the range of visible light, but high transmittance in the visible light region is preferable for use in optical devices such as lenses, displays, solar cells, solar thermal power generation, building materials, and interior and exterior of automobiles. . Usually, the total light transmittance is 60% or more.
透光性基材の材料の例を挙げると、ポリメタクリル酸メチル、架橋アクリレート等のアクリル樹脂、ビスフェノールAポリカーボネート等の芳香族ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリシクロオレフィン等の非晶性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン等のスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂等の合成樹脂などが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリカーボネート、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体(ETFE)が好ましい。これらは1種単独で、または2種以上を任意の組合せで用いることができる。 Examples of translucent substrate materials include polymethyl methacrylate, acrylic resins such as cross-linked acrylates, aromatic polycarbonate resins such as bisphenol A polycarbonate, polyester resins such as polyethylene terephthalate, and amorphous such as polycycloolefins. Examples thereof include polyolefin resins, epoxy resins, styrene resins such as polystyrene, synthetic resins such as polysulfone resins, imide resins, and fluorine resins. Among these, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate, and tetrafluoroethylene-ethylene copolymer (ETFE) are preferable. These can be used alone or in any combination of two or more.
本発明に用いられる基材の寸法は任意である。ただし、透光性基材として板状の基板を用いる場合には、当該基板の厚さは、機械的強度及びガスバリア性の観点から、0.01mm以上が好ましく、0.05mm以上がより好ましく、0.1mm以上がより好ましい。また、当該厚さは、軽量化及び光線透過率の観点から、80mm以下が好ましく、50mm以下がより好ましく、30mm以下がより好ましく、10mm以下がより好ましく、3mm以下が特に好ましい。さらに透光性基材の大きさとしては、光学的な効果を得る観点から0.1m2以上が好ましく、0.5m2以上がより好ましく、1m2以上が特に好ましい。上限には特に制限はないが、通常100m2以下が好ましく、50m2以下がより好ましい。 The dimensions of the substrate used in the present invention are arbitrary. However, when a plate-like substrate is used as the translucent substrate, the thickness of the substrate is preferably 0.01 mm or more, more preferably 0.05 mm or more, from the viewpoint of mechanical strength and gas barrier properties. 0.1 mm or more is more preferable. The thickness is preferably 80 mm or less, more preferably 50 mm or less, more preferably 30 mm or less, more preferably 10 mm or less, and particularly preferably 3 mm or less from the viewpoint of weight reduction and light transmittance. Furthermore, as a magnitude | size of a translucent base material, 0.1 m < 2 > or more is preferable from a viewpoint of obtaining an optical effect, 0.5 m < 2 > or more is more preferable, and 1 m < 2 > or more is especially preferable. Although there is no restriction | limiting in particular in an upper limit, Usually, 100 m < 2 > or less is preferable and 50 m < 2 > or less is more preferable.
また、透光性基材の塗工面の中心線平均粗さも任意である。ただし、積層する多孔質シリカ膜の製膜性の観点から、当該中心線平均粗さは10nm以下が好ましく、8nm以下がより好ましく、5nm以下が更に好ましく、3nm以下が特に好ましい。中心線平均粗さは、JIS−B0601:1994に従った汎用の表面粗さ計(例えば、(株)東京精密社製サーフコム570A)により測定される。 Moreover, the center line average roughness of the coating surface of a translucent base material is also arbitrary. However, from the viewpoint of the film forming property of the porous silica film to be laminated, the center line average roughness is preferably 10 nm or less, more preferably 8 nm or less, still more preferably 5 nm or less, and particularly preferably 3 nm or less. The center line average roughness is measured by a general-purpose surface roughness meter (for example, Surfcom 570A manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) according to JIS-B0601: 1994.
[多孔質シリカ膜]
<屈折率>
本発明の多孔質シリカ膜の屈折率は1.20以上1.35以下である。中でも、1.28以下がより好ましく、1.25以下が特に好ましい。また、1.23以上であることが好ましい。屈折率が大きすぎると、積層体の可視光線透過率が低下し、十分な光学効果が得られない。一方、屈折率が小さすぎると、積層体の可視光線透過率が低下し、多孔質シリカ膜(以下、「シリカ体」ということがある)の機械的強度が低下する可能性がある。
[Porous silica membrane]
<Refractive index>
The refractive index of the porous silica film of the present invention is 1.20 or more and 1.35 or less. Among these, 1.28 or less is more preferable, and 1.25 or less is particularly preferable. Moreover, it is preferable that it is 1.23 or more. When the refractive index is too large, the visible light transmittance of the laminate is lowered, and a sufficient optical effect cannot be obtained. On the other hand, if the refractive index is too small, the visible light transmittance of the laminate is lowered, and the mechanical strength of the porous silica film (hereinafter sometimes referred to as “silica body”) may be lowered.
Tgが200℃以下の透光性基材の屈折率は1.5前後になる材料が多く、低反射性を付与するためには、積層する膜の屈折率は1.20〜1.35が好ましい。
なお、屈折率は、分光エリプソメーター法、反射率測定、反射分光スペクトル測定或いはプリズムカプラーなどの光学的手法で測定された波長400nm〜700nmにおける値をいい、好ましくは分光エリプソメーターで測定されたものをいう。分光エリプソメー
ターで測定する場合、測定値をCauthyモデルまたはTauc−Lorentzモデルでフィッティングすることで、屈折率を見積もることができる。
In many materials, the refractive index of a translucent substrate having a Tg of 200 ° C. or lower is about 1.5. In order to impart low reflectivity, the refractive index of the laminated film is 1.20 to 1.35. preferable.
The refractive index means a value at a wavelength of 400 nm to 700 nm measured by an optical technique such as a spectroscopic ellipsometer method, reflectance measurement, reflection spectroscopic spectrum measurement or prism coupler, and preferably measured by a spectroscopic ellipsometer. Say. When measuring with a spectroscopic ellipsometer, the refractive index can be estimated by fitting the measured value with a Cauchy model or a Tauc-Lorentz model.
<組成>
多孔質シリカ膜中のシリカ含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り、特に制限はないが、例えば、酸化ケイ素組成において、ケイ素を含む全ての陽性元素に対するケイ素の割合が、通常50mol%以上、好ましくは70mol%以上、より好ましくは80mol%以上、特に好ましくは90mol%以上であることをいう。前記のケイ素の含有割合が小さすぎると、シリカ系多孔質体の表面粗さが大きくなり、機械的強度も低下する可能性がある。また、ケイ素の含有割合が高いほど表面平滑性のよい多孔質シリカ膜が形成される。なお、上限は理想的には100mol%である。
<Composition>
The silica content in the porous silica film is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. For example, in the silicon oxide composition, the ratio of silicon to all positive elements including silicon is usually 50 mol%. As mentioned above, it means 70 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, and particularly preferably 90 mol% or more. If the silicon content is too small, the surface roughness of the silica-based porous body may increase and the mechanical strength may also decrease. Moreover, the higher the content ratio of silicon, the more porous the silica film that has better surface smoothness. The upper limit is ideally 100 mol%.
<多孔質構造>
本発明の多孔質シリカ膜は、屈折率を低く維持するために空孔を有した多孔質構造を有する。その構造は特に制限はなく、その空孔は、通常、トンネル状や独立空孔がつながった連結孔であるが、詳細な空孔の構造にも特に制限はない。ただし、当該空孔の構造としては連続的な空孔が好ましく、こうした連続的な空孔は電子顕微鏡により確認することができる。
<Porous structure>
The porous silica film of the present invention has a porous structure having pores in order to keep the refractive index low. The structure is not particularly limited, and the hole is usually a connecting hole in which tunnels or independent holes are connected, but the detailed structure of the hole is not particularly limited. However, as the structure of the holes, continuous holes are preferable, and such continuous holes can be confirmed by an electron microscope.
また、機械強度の高い骨格とするためには、規則構造を有さない方がよく、具体的には、XRDパターン(X線回折パターン)において、回折角(2θ)=0.5°〜10°の領域に、回折ピーク強度(面積)が標準偏差の2倍(即ち、2σ)以上の回折ピークを有さないことが好ましい。ここで、回折ピークとは、以下の定義により算出される周期構造サイズDが10Å以上となる回折ピークをいう。また、σは標準偏差を表わす。 In order to obtain a skeleton with high mechanical strength, it is better not to have a regular structure. Specifically, in an XRD pattern (X-ray diffraction pattern), a diffraction angle (2θ) = 0.5 ° to 10 °. It is preferable not to have a diffraction peak whose diffraction peak intensity (area) is twice the standard deviation (that is, 2σ) or more in the region of °. Here, the diffraction peak means a diffraction peak having a periodic structure size D calculated by the following definition of 10 cm or more. Σ represents a standard deviation.
周期構造サイズDは、下記式(i)に示すScherrer式に基づき算出できる。なお、式(i)において、Scherrer定数Kは0.9であり、測定に用いたX線波長をλとする。ブラッグ角θおよび実測半価幅βoは、それぞれプロファイルフィティング法により算出する。試料由来の半価幅βは、下記式(ii)を用いて補正計算する。標準Siの回折ピークより計算した実測半価幅の回帰曲線を作成し、該当する角度の半価幅を読み取り装置由来半価幅βiとする。なお、Dの単位はÅ(オングストローム)であり、β、βo及びβiの単位はラジアンとする。 The periodic structure size D can be calculated based on the Scherrer equation shown in the following equation (i). In equation (i), the Scherrer constant K is 0.9, and the X-ray wavelength used for the measurement is λ. The Bragg angle θ and the measured half-value width βo are each calculated by a profile fitting method. The half width β derived from the sample is corrected and calculated using the following formula (ii). A regression curve of the measured half-value width calculated from the diffraction peak of standard Si is created, and the half-value width of the corresponding angle is set as a reading device-derived half-value width βi. The unit of D is Å (angstrom), and the units of β, βo, and βi are radians.
標準偏差σは、以下のように定義される。 The standard deviation σ is defined as follows.
また、空孔サイズや空隙率は調整することで、屈折率、誘電率、密度を調整することができ、それらを調整することで、光学用途の他にも、様々な用途にも応用することができる。
空孔サイズには特に制限はないが、平均空孔サイズは通常0.1〜300nmで、機械強度の優れた多孔質体となる。好ましくは0.5〜200nmが好ましく、0.8〜100nmがさらに好ましく、1〜80nmがもっとも好ましい。小さすぎると毛管力により空孔内に水蒸気が入り、それにより屈折率が変化したり、光学特性に影響を与える恐れがある。一方、大きすぎると、表面に欠陥ができ、表面性が悪化したり、散乱等のヘーズが生じる危険性がある。
In addition, the refractive index, dielectric constant, and density can be adjusted by adjusting the pore size and porosity. By adjusting them, it can be applied to various applications in addition to optical applications. Can do.
Although there is no restriction | limiting in particular in a void | hole size, an average void | hole size is 0.1-300 nm normally, and becomes a porous body excellent in mechanical strength. Preferably it is 0.5 to 200 nm, more preferably 0.8 to 100 nm, and most preferably 1 to 80 nm. If it is too small, water vapor enters the pores due to capillary force, which may change the refractive index or affect the optical characteristics. On the other hand, if it is too large, there is a risk that the surface is defective, the surface property is deteriorated, and haze such as scattering occurs.
空隙率には特に制限はないが、平均空隙率は10〜90%が好ましく、平均空隙率は20〜85%がより好ましく、平均空隙率は30〜80%がさらに好ましい。小さすぎると屈折率が低くならず、十分な光学特性が得られない恐れがある。一方、大きすぎると、表面に欠陥ができ、表面性が悪化したり、散乱等のヘーズが生じる危険性がある。
<厚さ>
本発明の多孔質シリカ膜の厚さには特に制限はないが、光学機能層として用いるためには、0.05〜10μmが好ましく、0.08〜8μmがより好ましく、0.1〜5μmがさらに好ましく、0.13〜3μmがもっとも好ましい。0.05μmより薄いと、基材の平面度を向上させる必要がある場合があり、特に基材の大面積化の観点で、製膜工程が困難になる場合がある。一方、10μmを越えると、加熱工程において、シリカ系前駆体−基材界面でゾル−ゲル反応の進行が不均質になり、多孔質体に歪みが残存し易くなる可能性がある。
The porosity is not particularly limited, but the average porosity is preferably 10 to 90%, the average porosity is more preferably 20 to 85%, and the average porosity is more preferably 30 to 80%. If it is too small, the refractive index will not be low, and sufficient optical properties may not be obtained. On the other hand, if it is too large, there is a risk that the surface is defective, the surface property is deteriorated, and haze such as scattering occurs.
<Thickness>
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the porous silica film | membrane of this invention, in order to use as an optical functional layer, 0.05-10 micrometers is preferable, 0.08-8 micrometers is more preferable, 0.1-5 micrometers is 0.1-5 micrometers. More preferably, 0.13 to 3 μm is most preferable. When the thickness is less than 0.05 μm, it may be necessary to improve the flatness of the substrate, and in particular, from the viewpoint of increasing the area of the substrate, the film forming process may be difficult. On the other hand, if it exceeds 10 μm, in the heating step, the progress of the sol-gel reaction at the silica-based precursor-substrate interface becomes heterogeneous, and there is a possibility that strain is likely to remain in the porous body.
<形状>
本発明の多孔質シリカ膜の形状は特に制限はないが、膜状であることが好ましい。多孔質シリカ膜の厚さは上記の膜厚と同様とすることができる。また、多孔質シリカ膜を光学機能層として使用する場合、多孔質シリカ膜は一定サイズ以上の基材に備えることが好ましい。即ち0.0025m2以上が好ましく、0.05m2以上がより好ましく、0.1m2以上がさらに好ましく、1m2以上がもっとも好ましい。かかるサイズより小さいと、光学特性が十分に現れない可能性がある。
<Shape>
The shape of the porous silica membrane of the present invention is not particularly limited, but is preferably a membrane. The thickness of the porous silica film can be the same as the above film thickness. Moreover, when using a porous silica film | membrane as an optical function layer, it is preferable to provide a porous silica film | membrane in the base material more than fixed size. That 0.0025M 2 or more, more preferably 0.05 m 2 or more, more preferably 0.1 m 2 or more, 1 m 2 or more is most preferred. If it is smaller than this size, there is a possibility that the optical characteristics do not sufficiently appear.
<表面性>
本発明の積層体は、用途に応じて、基材と多孔質シリカ膜との間に他の層を設けたり、多孔質シリカ膜上に他の層を積層することがある。こうした場合、多孔質シリカ膜表面の静的接触角を制御することが好ましく、具体的には、1時間の加熱処理後の水に対する静的接触角が、通常25°以上、中でも30°以上、特には33°以上であることが好ましく、また、通常90°以下、中でも87°以下、更には85°以下、特には82°以下が好ましい。前記の静的接触角が小さすぎると、シリカ体の親水性が高くなりすぎて、その表面に水分が吸着しやすくなり、他の層との密着性が低下する可能性がある。一方、前記の静的接触角が大きすぎると、シリカ体の表面が疎水状態となり、積層する層や基材の制限が大きくなる可能性がある。
<Surface property>
The laminated body of this invention may provide another layer between a base material and a porous silica film according to a use, or may laminate | stack another layer on a porous silica film. In such a case, it is preferable to control the static contact angle on the surface of the porous silica film. Specifically, the static contact angle with respect to water after heat treatment for 1 hour is usually 25 ° or more, particularly 30 ° or more. In particular, it is preferably 33 ° or more, and usually 90 ° or less, particularly 87 ° or less, more preferably 85 ° or less, and particularly preferably 82 ° or less. If the static contact angle is too small, the hydrophilicity of the silica body becomes too high, moisture tends to be adsorbed on the surface, and adhesion to other layers may be reduced. On the other hand, when the static contact angle is too large, the surface of the silica body is in a hydrophobic state, and there is a possibility that the limitation of the layer to be laminated or the substrate becomes large.
なお、前記の静的接触角は、以下の要領で測定できる。即ち、常温・常湿の雰囲気下で水滴の静的接触角を測定する。静的接触角は、水滴をシリカ体の表面に滴下させ、その際の水滴の接触角を測定する。測定は常温・常湿の雰囲気下で行ない、水滴サイズ2μlを滴下し、1分以内に測定、これを5回以上繰り返し、その平均値を前記の静的接触角として求める。 The static contact angle can be measured as follows. That is, the static contact angle of water droplets is measured in an atmosphere of normal temperature and normal humidity. For the static contact angle, a water droplet is dropped on the surface of the silica body, and the contact angle of the water droplet at that time is measured. The measurement is performed in an atmosphere of normal temperature and normal humidity, and a water droplet size of 2 μl is dropped, measurement is performed within 1 minute, this is repeated 5 times or more, and the average value is obtained as the static contact angle.
<耐水性>
本発明の多孔質シリカ膜を光学用途に使用する場合には、光学膜厚(屈折率と膜厚の積)を制御することが重要であるため、水中に浸漬処理の前後での膜厚の変化が少ない方が好ましい。具体的には、水浸漬処理の前後での膜厚の変化率は、50%以下が好ましく、30%以下がより好ましく、20%以下が更に好ましく、10%以下が特に好ましい。変化率が大きすぎると光学用途の適用において性能が低下する可能性がある。
<Water resistance>
When the porous silica film of the present invention is used for optical applications, it is important to control the optical film thickness (product of refractive index and film thickness). Less change is preferred. Specifically, the change rate of the film thickness before and after the water immersion treatment is preferably 50% or less, more preferably 30% or less, still more preferably 20% or less, and particularly preferably 10% or less. If the rate of change is too large, performance may be reduced in the application of optical applications.
なお、膜厚の測定は、ケーエルエー・テンコール社製P−15型接触式表面粗さ計を用い、測定条件はスタイラス・フォース(触圧)0.2mg、スキャン速度10um/秒として行なえばよい。また分光エリプソメーター、反射分光スペクトル法、プリズムカプラによっても評価できる。
また、多孔質シリカ膜は、水浸漬処理した後にクラックが少ないものが好ましく、そのクラックは目視若しくは光学顕微鏡で観測できる。具体的には、クラックのサイズが100μm以下が好ましく、10μm以下がより好ましい、1μm以下がさらに好ましい。100μmを越えると基材との密着性の低下やヘーズが大きくなる可能性がある。さらに1mm×1mm内に前記クラックが存在しない領域の面積合計がシリカ体表面に対して50%以上であることが好ましく、70%以下がより好ましく、85%以上がさらに好ましい。50%未満の場合、光学用途として光学性能の安定性や外観が低下する可能性がある。
The film thickness may be measured by using a P-15 type contact surface roughness meter manufactured by KLA-Tencor, Inc., and the measurement conditions may be stylus force (contact pressure) 0.2 mg and scan speed 10 um / sec. It can also be evaluated by a spectroscopic ellipsometer, reflection spectroscopic method, and prism coupler.
The porous silica film preferably has few cracks after being immersed in water, and the cracks can be observed visually or with an optical microscope. Specifically, the crack size is preferably 100 μm or less, more preferably 10 μm or less, and even more preferably 1 μm or less. If it exceeds 100 μm, the adhesion to the substrate may be lowered and haze may be increased. Furthermore, it is preferable that the total area of the region where no crack exists within 1 mm × 1 mm is 50% or more, more preferably 70% or less, and still more preferably 85% or more with respect to the surface of the silica body. If it is less than 50%, the stability and appearance of the optical performance may be lowered as an optical application.
水浸漬処理とは、多孔質シリカ膜を常温・常湿(温度18℃〜28℃、湿度20%〜80%RH)の条件下で水に浸し、24時間後に取り出し、乾燥させる。乾燥は、100℃以上の加熱で行わず、風乾により行なう
また、耐湿熱性の評価として、「高温高湿処理」もある。即ち、本発明のシリカ体の波長550nmにおける屈折率n1を事前に測定した後、このシリカ体を温度85℃、湿度85%RH、又は温度60℃、湿度90%RHの条件下に静置し、500時間後に取り出す。その後、この多孔質シリカ膜の波長550nmにおける屈折率n2を再度測定する。このときの屈折率差の絶対値Δn´=|n2−n1|は0.001〜0.15が好ましく、0.003〜0.12がより好ましく、0.005〜0.1が更に好ましく、0.008〜0.08が特に好ましい。
In the water immersion treatment, the porous silica film is immersed in water under conditions of normal temperature and normal humidity (temperature 18 ° C. to 28 ° C., humidity 20% to 80% RH), taken out after 24 hours, and dried. Drying is not performed by heating at 100 ° C. or higher, but by air drying. As an evaluation of moisture and heat resistance, there is “high temperature and high humidity treatment”. That is, after the refractive index n1 of the silica body of the present invention at a wavelength of 550 nm is measured in advance, the silica body is allowed to stand under conditions of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% RH, or a temperature of 60 ° C. and a humidity of 90% RH. Take out after 500 hours. Thereafter, the refractive index n2 of the porous silica film at a wavelength of 550 nm is measured again. The absolute value Δn ′ = | n2-n1 | of the refractive index difference at this time is preferably 0.001 to 0.15, more preferably 0.003 to 0.12, and still more preferably 0.005 to 0.1. 0.008 to 0.08 is particularly preferable.
2.多孔質シリカ膜の製造方法
本発明の多孔質シリカ膜の製造方法において用いる組成物には、アルコキシシラン化合物、水、有機溶媒、有機ポリマーが含まれる。
特に組成物が、2種以上のアルコキシシラン、その加水分解物及び部分縮合物と、水と、有機溶媒と、鋳型剤と触媒とを含み、該組成物中の全アルコキシシラン類由来の珪素原子に対する水の割合(mol/mol)が10以上50以下であることが好ましい。以下に詳細を述べる。
2. Method for Producing Porous Silica Membrane The composition used in the method for producing a porous silica membrane of the present invention includes an alkoxysilane compound, water, an organic solvent, and an organic polymer.
In particular, the composition includes two or more types of alkoxysilanes, hydrolysates and partial condensates thereof, water, an organic solvent, a templating agent, and a catalyst, and silicon atoms derived from all alkoxysilanes in the composition The ratio of water to mol (mol / mol) is preferably 10 or more and 50 or less. Details are described below.
2−1.組成物
2−1−1.アルコキシシラン
本発明で使用するアルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン、モノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジアルコキシシラン、トリアルキルアルコキシシラン、これらの加水分解物及び部分縮合物(オリゴマー等)などが挙げられる。
2-1. Composition 2-1-1. Alkoxysilane Examples of the alkoxysilane used in the present invention include tetraalkoxysilane, monoalkyltrialkoxysilane, dialkyldialkoxysilane, trialkylalkoxysilane, hydrolysates and partial condensates (oligomers, etc.) thereof.
アルコキシシランは、2種以上併用することが好ましく、また、これらのアルコキシシランの加水分解物及び部分縮合物を含むことが好ましい。
〔テトラアルコキシシラン〕
テトラアルコキシシランの種類に制限は無い。好適なものの例を挙げると、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ(n−プロポキシ)シラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ(n−ブトキシ)シラン、テトラ(t−ブトキシ)シラン、テトラ(n−ペントキシ)シラン、テトラ(イソペントキシ)シランなどが挙げられる。
Two or more alkoxysilanes are preferably used in combination, and preferably contain a hydrolyzate and partial condensate of these alkoxysilanes.
[Tetraalkoxysilane]
There is no restriction | limiting in the kind of tetraalkoxysilane. Examples of suitable ones include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra (n-propoxy) silane, tetraisopropoxysilane, tetra (n-butoxy) silane, tetra (t-butoxy) silane, tetra (n-pentoxy). ) Silane, tetra (isopentoxy) silane, and the like.
粗乾燥工程におけるシリカ系前駆体の安定性の観点では、テトラメトキシシラン及びテトラエトキシシラン並びにそれらのオリゴマーが好ましく、テトラエトキシシランがさらに好ましい。
ただし、テトラアルコキシシランは経時的に加水分解及び部分縮合を生じやすいため、テトラアルコキシシランのみを用意した場合でも、通常はそのテトラアルコキシシランの加水分解物及び部分縮合物がテトラアルコキシシランと共存することが多い。
From the viewpoint of stability of the silica-based precursor in the rough drying step, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and oligomers thereof are preferable, and tetraethoxysilane is more preferable.
However, since tetraalkoxysilane tends to undergo hydrolysis and partial condensation over time, even when only tetraalkoxysilane is prepared, the hydrolyzate and partial condensate of tetraalkoxysilane usually coexists with tetraalkoxysilane. There are many cases.
〔モノアルキルトリアルコキシシラン〕
モノアルキルトリアルコキシシランの種類に制限は無い。好適なものの例を挙げると、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリ−n−プロポキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、イソプロピルトリ−n−プロポキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロエチルトリメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリエトキシシラン、ヘプタデカトリフルオロデシルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、トリエトキシ−1H、1H、2H、2H−トリデカフルオロ−n−オクチルシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン。
また、ケイ素原子に置換するアルキル基が反応性官能基を有する3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3-ジ
メチル-ブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、N−(ビニルベンジル)−2−アミノエチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロイロキシプロピルトリメトキシシラン、3−カルボキシプロピルトリメトキシシラン、3−トリハイドロキシシリル−1−プロパン-スルフォン酸等がある。
[Monoalkyltrialkoxysilane]
There is no restriction | limiting in the kind of monoalkyl trialkoxysilane. Examples of suitable ones include trimethoxysilane, triethoxysilane, tri-n-propoxysilane, triisopropoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltriisopropoxysilane Ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-propoxysilane, isopropyltri Methoxysilane, isopropyltriethoxysilane, isopropyltri-n-propoxysilane, fluorotrimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, isopropyltri-n-propoxysilane, trif Oromethyltrimethoxysilane, pentafluoroethyltrimethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) triethoxysilane, heptadecatrifluorodecyltrimethoxy Silane, trifluoromethyltrimethoxysilane, pentafluorophenyltrimethoxysilane, pentafluorophenyltriethoxysilane, triethoxy-1H, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octylsilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxy Silane, phenyltri-n-propoxysilane, phenyltriisopropoxysilane.
In addition, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, in which an alkyl group substituted on a silicon atom has a reactive functional group, 3 -Triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (vinylbenzyl) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-carboxypropyltrimethoxysilane, 3-trihydroxysilyl -1-Pro Down - some, such as sulfonic acid.
〔ジアルキルジアルコキシシラン〕
ジアルキルジアルコキシシランの種類に制限は無い。好適なものの例を挙げると、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルジ−n−プロポキシシラン、メチルジイソプロポキシシラン、エチルジメトキシシラン、エチルジエトキシシラン、エチルジ−n−プロポキシシラン、エチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−n−プロポキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−n
−プロポキシシラン、ジエチルジイソプロポキシシラン、ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピルエトキシシラン、ジ−n−プロピルジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−プロピルジイソプロポキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピルエトキシシラン、ジイソプロピルジ−n−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチルエトキシシラン、ジ−n−ブチルジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−sec−ブチルジメトキシシラン、ジ−sec−ブチルエトキシシラン、ジ−sec−ブチルジ−sec−プロポキシシラン、ジ−sec−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−tert−ブチルジメトキシシラン、ジ−tert−ブチルエトキシシラン、ジ−tert−ブチルジ−n−プロポキシシラン、ジ−tert−ブチルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−n−プロポキシシラン、ジフェニルジイソプロポキシシラン等がある。また、ケイ素原子に置換するアルキル基が反応性官能基を有するN-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン等がある。
[Dialkyl dialkoxysilane]
There is no restriction | limiting in the kind of dialkyl dialkoxysilane. Examples of suitable ones are methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, methyldi-n-propoxysilane, methyldiisopropoxysilane, ethyldimethoxysilane, ethyldiethoxysilane, ethyldi-n-propoxysilane, ethyldiisopropoxy. Silane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldi-n-propoxysilane, dimethyldiisopropoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyldi-n
-Propoxysilane, diethyldiisopropoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propylethoxysilane, di-n-propyldi-n-propoxysilane, di-n-propyldiisopropoxysilane, diisopropyldimethoxysilane , Diisopropylethoxysilane, diisopropyldi-n-propoxysilane, diisopropyldiisopropoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butylethoxysilane, di-n-butyldi-n-propoxysilane, di-n- Butyldiisopropoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butylethoxysilane, di-sec-butyldi-sec-propoxysilane, di-sec-butyldiisopropoxysilane, di-tert-butyldimeth Sisilane, di-tert-butylethoxysilane, di-tert-butyldi-n-propoxysilane, di-tert-butyldiisopropoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldi-n-propoxysilane, diphenyldi Isopropoxysilane and the like. Further, there are N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane and the like in which an alkyl group substituted on a silicon atom has a reactive functional group.
〔トリアルキルアルコキシシラン〕
トリアルキルアルコキシシランの種類に制限は無い。好適なものの例を挙げると、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリ−n−プロピルメトキシシラン、トリ−n−プロピルエトキシシラン等がある。
〔他のアルコキシシラン〕
他のアルコキシシランを挙げると、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エタン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3,5−トリス(トリメトキシシリル)ベンゼン等の有機残基が2つ以上のトリアルコキシシリル基を結合したものがある。
[Trialkylalkoxysilane]
There is no limitation on the type of trialkylalkoxysilane. Examples of suitable ones include trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, triethylethoxysilane, tri-n-propylmethoxysilane, tri-n-propylethoxysilane and the like.
[Other alkoxysilanes]
Other alkoxysilanes include bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1, An organic residue such as 4-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3,5-tris (trimethoxysilyl) benzene has two or more trialkoxysilyl groups. There is a combination.
アルコキシシランの中でも、多孔質構造の骨格を強固にするためには、テトラアルコキシシラン、モノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジアルコキシシランが好ましく、テトラアルコキシシランがより好ましい。
さらに、多孔質膜の耐環境性の観点では、芳香族炭化水素基又は脂肪族炭化水素基を有するモノアルキルトリアルコキシシラン及びジアルキルジアルコキシシランが好ましい。具体的には、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエチルシランなどが好ましいものとして挙げられる。
Among alkoxysilanes, tetraalkoxysilane, monoalkyltrialkoxysilane, and dialkyldialkoxysilane are preferable, and tetraalkoxysilane is more preferable in order to strengthen the skeleton of the porous structure.
Furthermore, from the viewpoint of environmental resistance of the porous membrane, monoalkyltrialkoxysilanes and dialkyldialkoxysilanes having an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group are preferred. Specifically, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethylsilane and the like are preferable.
〔好ましい組み合わせ〕
アルコキシシランを2種以上併用する場合、ゾル−ゲル反応の制御という観点では、その組み合わせとしては、テトラアルコキシシランとモノアルキルトリアルコキシシラン、モノアルキルトリアルコキシシラン同士が好ましい。
基材への濡れ性の観点では、テトラアルコキシシランとジアルキルジアルコキシシラン、モノアルキルトリアルコキシシランとジアルキルジアルコキシシランが好ましい。
[Preferred combinations]
When two or more alkoxysilanes are used in combination, tetraalkoxysilane, monoalkyltrialkoxysilane, and monoalkyltrialkoxysilane are preferable from the viewpoint of controlling the sol-gel reaction.
From the viewpoint of wettability to the substrate, tetraalkoxysilane and dialkyl dialkoxysilane, monoalkyltrialkoxysilane and dialkyl dialkoxysilane are preferable.
膜の平滑性向上の観点からは、3種以上のアルコキシシランを用いることが好ましい。
〔アルコキシシランの比率〕
2種以上のアルコキシシランを併用する場合、その配合比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限はない。2種のアルコキシシランを併用する場合、例えば、形成されるシリカ体の耐水性の観点から、アルコキシシランのケイ素原子換算で、2:8〜5:5が好ましく、3:7〜5:5がより好ましく、4:6〜5:5がもっとも好ましい。
From the viewpoint of improving the smoothness of the film, it is preferable to use three or more types of alkoxysilanes.
[Ratio of alkoxysilane]
When using together 2 or more types of alkoxysilane, the compounding ratio will not have a restriction | limiting in particular unless the effect of this invention is impaired remarkably. When two types of alkoxysilanes are used in combination, for example, from the viewpoint of water resistance of the formed silica body, 2: 8 to 5: 5 is preferable in terms of silicon atoms of alkoxysilane, and 3: 7 to 5: 5 is preferable. More preferably, 4: 6 to 5: 5 is most preferable.
さらに、多孔質構造の骨格を強固する観点では、テトラアルコキシシランを含むことが
有効であり、テトラアルコキシシラン由来のケイ素原子の、全アルコキシシランのケイ素原子に対する割合が、通常0.15(mol/mol)以上、好ましくは0.3(mol/mol)以上、より好ましくは0.35(mol/mol)以上であり、また、通常0.9(mol/mol)以下、好ましくは0.8(mol/mol)以下、より好ましくは0.7(mol/mol)以下である。
Further, from the viewpoint of strengthening the skeleton of the porous structure, it is effective to contain tetraalkoxysilane, and the ratio of silicon atoms derived from tetraalkoxysilane to silicon atoms of all alkoxysilanes is usually 0.15 (mol / mol) or more, preferably 0.3 (mol / mol) or more, more preferably 0.35 (mol / mol) or more, and usually 0.9 (mol / mol) or less, preferably 0.8 (mol / mol). mol / mol) or less, more preferably 0.7 (mol / mol) or less.
ここで、全アルコキシシランのケイ素原子とは、組成物に含有される全てのアルコキシシランが有するケイ素原子の数の合計をいう。したがって、組成物がアルコキシシラン以外にケイ素原子を有する化合物を含有していたとしても、当該化合物が有するケイ素原子は前記の割合の算出には関与しない。なお、前記のアルコキシシランのケイ素原子の割合は、Si−NMRにより測定することができる。 Here, the silicon atoms of all alkoxysilanes refer to the total number of silicon atoms possessed by all alkoxysilanes contained in the composition. Therefore, even if the composition contains a compound having a silicon atom in addition to alkoxysilane, the silicon atom contained in the compound is not involved in the calculation of the ratio. In addition, the ratio of the silicon atom of the alkoxysilane can be measured by Si-NMR.
組成物中に、ケイ素を含有する化合物(ケイ素原子含有化合物)は、通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、さらに好ましくは1重量%以上含有されていることが好ましく、また通常50重量%以下、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは15重量%以下含有されていることが好ましい。0.01重量%を下回ると、加熱工程において多孔質体の表面性が悪化し、外観不良になる恐れがある。一方、50重量%を越えると基材の平面性の影響を受けやすくなり、製膜工程におけるゾル−ゲル反応が面方向で不均一になる恐れがある。 In the composition, the compound containing silicon (silicon atom-containing compound) is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and further preferably 1% by weight. % Or more, and usually 50% by weight or less, preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and still more preferably 15% by weight or less. If it is less than 0.01% by weight, the surface properties of the porous body may be deteriorated in the heating step, resulting in a poor appearance. On the other hand, if it exceeds 50% by weight, it tends to be affected by the planarity of the substrate, and the sol-gel reaction in the film forming process may become non-uniform in the surface direction.
また、得られる多孔質シリカ膜の膜厚制御の観点から、前記ケイ素原子含有化合物や下記に説明する鋳型材などを含む固形分濃度は通常0.02重量%以上であり、好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上である。また通常50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ましく、35重量%以下がさらに好ましい。
2−1−2.水
本発明で用いる組成物は水を含有する。水はゾル−ゲル反応においては必須であるが、本発明では組成物の表面張力を制御し、製膜工程において良質なシリカ系前駆体を形成する上で重要な役割をする。用いる水の純度には特に制限はないが、通常は、イオン交換及び蒸留のうち、いずれか一方または両方の処理を施した水を用いればよい。ただし、例えば光学用途積層体のような微小不純物を特に嫌う用途分野に、得られたシリカ体を用いる場合には、より純度の高い多孔質シリカ膜が望ましいため、蒸留水をさらにイオン交換した超純水を用いることが好ましい。また、不純物の中でも100nm以上のコンタミはシリカ系組成物におけるゾル−ゲル反応の進行に影響を与える恐れがある。例えば0.01μm〜0.5μmの孔径を有するフィルターを通した水を用いればよい。
Further, from the viewpoint of controlling the film thickness of the resulting porous silica film, the solid content concentration including the silicon atom-containing compound and the template material described below is usually 0.02% by weight or more, preferably 0.5%. % By weight or more, more preferably 1% by weight or more. Further, it is usually preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight or less, and further preferably 35% by weight or less.
2-1-2. Water The composition used in the present invention contains water. Although water is essential in the sol-gel reaction, in the present invention, it plays an important role in controlling the surface tension of the composition and forming a high-quality silica-based precursor in the film forming process. Although there is no restriction | limiting in particular in the purity of the water to be used, Usually, the water which performed any one or both processing among ion exchange and distillation should just be used. However, when the obtained silica body is used in an application field that particularly dislikes minute impurities such as a laminated body for optical applications, a porous silica film with higher purity is desirable. It is preferable to use pure water. Further, among impurities, contamination of 100 nm or more may affect the progress of the sol-gel reaction in the silica-based composition. For example, water passed through a filter having a pore size of 0.01 μm to 0.5 μm may be used.
水の使用量として、全アルコキシシランのケイ素原子に対する水の割合が、通常10(mol/mol)以上、好ましくは11(mol/mol)以上、より好ましくは12(mol/mol)以上とする。また、30(mol/mol)以下、20(mol/mol)以下とする。全アルコキシシランのケイ素原子に対する水の割合が前記の範囲よりも小さいと、ゾル−ゲル反応のコントロールが難しく、ポットライフも短く、また、不均質な状態で膜が形成され、表面が荒れて耐摩耗性が劣る可能性がある。また、前記の範囲よりも大きいと、ゾル−ゲル反応が進みにくくなるため反応に時間がかかってしまうため耐水性が低下する可能性がある。なお、水の量は、カールフィッシャー法(電量滴定法)により算出できる。 As the amount of water used, the ratio of water to silicon atoms in all alkoxysilanes is usually 10 (mol / mol) or more, preferably 11 (mol / mol) or more, more preferably 12 (mol / mol) or more. Moreover, it shall be 30 (mol / mol) or less and 20 (mol / mol) or less. If the ratio of water to silicon atoms in the total alkoxysilane is smaller than the above range, it is difficult to control the sol-gel reaction, the pot life is short, a film is formed in a non-homogeneous state, the surface is rough, and the Abrasion may be inferior. On the other hand, if it is larger than the above range, the sol-gel reaction becomes difficult to proceed, and the reaction takes time, so that the water resistance may be lowered. The amount of water can be calculated by the Karl Fischer method (coulometric titration method).
2−1−3.有機溶媒
本発明で用いる組成物は有機溶媒を含有する。溶媒としてはアルコール類が最も適している。アルコール類は、前記アルコキシシラン、その加水分解物、さらには部分縮合物に対して親和性を有するため、多孔質体形成中のゾル−ゲル反応を均質に進行させるために
好ましい。さらに製膜工程に生じる気−液(組成物)界面、固(基材)−液(組成物)界面において安定した状態を保つことで、良質なシリカ系前駆体をえることができる。
2-1-3. Organic solvent The composition used in the present invention contains an organic solvent. Alcohols are most suitable as the solvent. Alcohols have an affinity for the alkoxysilane, its hydrolyzate, and further a partial condensate, and therefore are preferable for causing the sol-gel reaction during the formation of the porous body to proceed homogeneously. Furthermore, a high-quality silica-based precursor can be obtained by maintaining a stable state at the gas-liquid (composition) interface and the solid (base material) -liquid (composition) interface generated in the film forming process.
アルコール類の種類に制限は無い。好適なものの例を挙げると、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、t−ブタノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、2,2−ジメチル−1−プロパノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、2−エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどの1価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコールなどの2価アルコール、グリセリンなどの3価アルコール、シクロヘキサノールなどの脂環式アルコール、ベンジルアルコールなどの芳香族アルコール、などが挙げられる。なお、これらの1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 There is no restriction on the type of alcohol. Examples of suitable ones include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, t-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, 2-methyl -1-butanol, 3-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-butanol, 3-methyl-2-butanol, 2,2-dimethyl-1-propanol, 1-hexanol, 2-hexanol, 3-hexanol , Monohydric alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, 2-ethoxyethanol, propylene glycol monomethyl ether, dihydric alcohols such as ethylene glycol and diethylene glycol, trihydric alcohols such as glycerin, alicyclic alcohols such as cyclohexanol, benzyl alcohol Which aromatic alcohols, and the like. In addition, these 1 type may be used independently and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.
これらの中でも、含有するアルコキシシランの加水分解反応の進行の観点から1価アルコール、2価アルコールが好ましく、1価アルコールがより好ましい。
また、得られるシリカ体の表面性の観点から、メタノール、エタノール、1−プロパノール、t−ブタノール、2−プロパノール、2−メチル−1−プロパノール、1−ブタノール、1−ペンタノール、エチルアセテート、酢酸メチル、イソブチルアセテートなどが好ましい。したがって、これらの中から選ばれる少なくとも2種を用いることが好ましい。
Among these, monohydric alcohols and dihydric alcohols are preferable from the viewpoint of the hydrolysis reaction of the alkoxysilane contained, and monohydric alcohols are more preferable.
Further, from the viewpoint of the surface properties of the resulting silica body, methanol, ethanol, 1-propanol, t-butanol, 2-propanol, 2-methyl-1-propanol, 1-butanol, 1-pentanol, ethyl acetate, acetic acid Methyl, isobutyl acetate and the like are preferable. Therefore, it is preferable to use at least two selected from these.
また、製膜工程におけるシリカ系前駆体の構造形成を容易にし、基材との濡れ性向上の観点から、沸点は110℃以下が好ましく、100℃以下がより好ましく、90℃以下がさらに好ましい。例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、t−ブタノール、2−プロパノールなどが好ましい。
一方、加熱工程において多孔質構造の変形を抑制する観点から、沸点は100℃以上が好ましく、110℃以上がより好ましく、120℃以上がより好ましい。例えば、2−メチル−1−プロパノール、1−ブタノール、1−ペンタノールが好ましい。
In addition, the boiling point is preferably 110 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower, and even more preferably 90 ° C. or lower from the viewpoint of facilitating the formation of the structure of the silica-based precursor in the film forming step and improving wettability with the substrate. For example, methanol, ethanol, 1-propanol, t-butanol, 2-propanol and the like are preferable.
On the other hand, from the viewpoint of suppressing deformation of the porous structure in the heating step, the boiling point is preferably 100 ° C or higher, more preferably 110 ° C or higher, and more preferably 120 ° C or higher. For example, 2-methyl-1-propanol, 1-butanol, and 1-pentanol are preferable.
さらに上記の沸点が異なるアルコール類を混合してもよく、その際、各工程における共沸を抑制するために、組み合わせるアルコール類の沸点の差は5℃以上であることが好ましく、10℃以上がより好ましく、20℃以上がさらに好ましい。また、全アルコール類に対する高沸点側のアルコール類の割合は、通常5重量%以上であり、好ましくは10重量%以上、より好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは60重量%以上、特に好ましくは80重量%以上とする。なお、当該割合の上限は通常98重量%である。上限を超えると、得られる多孔質シリカ膜の表面性が低下する恐れがあり、下限を下回ると十分な効果が得られない危険性がある。 Further, alcohols having different boiling points may be mixed. In this case, in order to suppress azeotropy in each step, the difference in boiling points of the combined alcohols is preferably 5 ° C. or more, preferably 10 ° C. or more. More preferably, 20 degreeC or more is further more preferable. Further, the ratio of alcohols on the high boiling point side to the total alcohols is usually 5% by weight or more, preferably 10% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, further preferably 60% by weight or more, particularly preferably. 80% by weight or more. In addition, the upper limit of the said ratio is 98 weight% normally. If the upper limit is exceeded, the surface properties of the resulting porous silica film may be lowered, and if it is less than the lower limit, there is a risk that sufficient effects cannot be obtained.
本発明で用いるシリカ系組成物には上記アルコール類以外の有機溶媒を含有してもよい。基材との濡れ性や製膜工程における造膜性をより向上させるために、アルコール類以外の有機溶媒を用いることができる。
好適な有機溶媒の例を挙げると、酢酸メチル、エチルアセテート、イソブチルアセテート、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエーテル類またはエステル類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリン、N−アセチルモルホリン、N−ホルミルピペリジン
、N−アセチルピペリジン、N−ホルミルピロリジン、N−アセチルピロリジン、N,N’−ジホルミルピペラジン、N,N’−ジホルミルピペラジン、N,N’−ジアセチルピペラジン等のアミド類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;テトラメチルウレア、N,N’−ジメチルイミダゾリジン等のウレア類;ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。
The silica-based composition used in the present invention may contain an organic solvent other than the above alcohols. In order to further improve the wettability with the substrate and the film-forming property in the film-forming process, an organic solvent other than alcohols can be used.
Examples of suitable organic solvents include: ethers or esters such as methyl acetate, ethyl acetate, isobutyl acetate, ethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; formamide, N-methylformamide N-ethylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N-methylacetamide, N-ethylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methylpyrrolidone, N -Formylmorpholine, N-acetylmorpholine, N-formylpiperidine, N-acetylpiperidine, N-formylpyrrolidine, N-acetylpyrrolidine, N, N'-diformylpiperazine, N, Amides such as N′-diformylpiperazine and N, N′-diacetylpiperazine; Lactones such as γ-butyrolactone; Ureas such as tetramethylurea and N, N′-dimethylimidazolidine; Dimethylsulfoxide and the like .
また、有機溶媒全体の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。ただし、通常0.05重量%以上、中でも0.1重量%以上が好ましく、1重量%以上がより好ましく、10重量%以上がさらに好ましい。また、通常50重量%以下、中でも40重量%以下が好ましく、30重量%以下がより好ましい。有機溶媒の使用量が少なすぎても、多すぎても十分な効果を得られない可能性がある。 Moreover, the usage-amount of the whole organic solvent is arbitrary unless the effect of this invention is impaired remarkably. However, it is usually 0.05% by weight or more, particularly 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more, and more preferably 10% by weight or more. Further, it is usually 50% by weight or less, particularly 40% by weight or less, and more preferably 30% by weight or less. If the amount of the organic solvent used is too small or too large, there is a possibility that a sufficient effect cannot be obtained.
2−1−4.有機ポリマー
本発明の製造方法で用いる組成物は鋳型材として有機ポリマーを含有する。有機ポリマーを含有する組成物を基材に塗布してシリカ系前駆体を形成した後、抽出工程で有機ポリマーの全部または一部を除去することで、多孔質構造を有するシリカ膜が得られる。
多孔質構造形成の観点から有機ポリマーの重量平均分子量は、通常500以上であり、1,000以上が好ましく、2,000以上がより好ましく、5,000以上が特に好ましい。重量平均分子量が小さすぎると、多孔質シリカ膜の多孔度を高く維持することが困難な場合があり、低屈折率ナ多孔質シリカ膜を安定して製造することができない可能性がある。一方、重量平均分子量の上限に制限はないが、通常100,000以下、好ましくは70,000以下、より好ましくは40,000以下である。重量平均分子量が大きすぎると組成物が増粘し、造膜性が低下する可能性がある。
2-1-4. Organic Polymer The composition used in the production method of the present invention contains an organic polymer as a template material. After applying a composition containing an organic polymer to a substrate to form a silica-based precursor, a silica film having a porous structure is obtained by removing all or part of the organic polymer in an extraction step.
From the viewpoint of forming a porous structure, the weight average molecular weight of the organic polymer is usually 500 or more, preferably 1,000 or more, more preferably 2,000 or more, and particularly preferably 5,000 or more. If the weight average molecular weight is too small, it may be difficult to maintain the porosity of the porous silica film high, and the low refractive index nanoporous silica film may not be stably produced. On the other hand, although there is no restriction | limiting in the upper limit of a weight average molecular weight, Usually, it is 100,000 or less, Preferably it is 70,000 or less, More preferably, it is 40,000 or less. If the weight average molecular weight is too large, the composition thickens and the film-forming property may be lowered.
有機ポリマーの種類は本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限はないが、例えば、(メタ)アクリレート系高分子、ポリアンハイドライド系高分子、ポリエーテル系高分子、ポリカーボネート系高分子、ポリエステル系高分子等の有機高分子が挙げられる。
(メタ)アクリレート系高分子は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、それらの誘導体より構成される。具体例として、ジエチレングリコールアクリレート、ジプロピレングリコールアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、アクリルアミド、ビニルピリジン、N−メチルアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、ジエチレングリコールメタクリレート、ジプロピレングリコールメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、メタクリルアミド、N−メチルメタクリルアミド、N,N−ジメチルメタクリルアミド、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、アミルアクリレート、2−メトキシプロピルアクリレート、2−エトキシプロピルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、2−メトキシプロピルメタクリレート、2−エトキシプロピルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、等が挙げられる。これらは1種または2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The type of the organic polymer is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. For example, (meth) acrylate polymer, polyanhydride polymer, polyether polymer, polycarbonate polymer, polyester polymer Examples thereof include organic polymers such as molecules.
The (meth) acrylate polymer is composed of acrylic acid, methacrylic acid, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and derivatives thereof. Specific examples include diethylene glycol acrylate, dipropylene glycol acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, acrylamide, vinyl pyridine, N-methyl acrylamide, N, N-dimethyl acrylamide, diethylene glycol methacrylate, dipropylene glycol methacrylate, methoxy. Diethylene glycol methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, methacrylamide, N-methylmethacrylamide, N, N-dimethylmethacrylamide, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, amyl acrylate, 2-methoxypropyl acrylate, 2-Ethoxypropyl acrylate , 2-ethylhexyl acrylate, benzyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, 2-methoxypropyl methacrylate, 2-ethoxyethyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, benzyl methacrylate, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
ポリアンハイドライド系高分子は、炭素数2以上の脂肪族ジカルボン酸から得られる。具体例として、ポリマロニックアンハイドライド、ポリスクシニックアンハイドライド、ポリオキサリックアンハイドライド、ポリグルタリックアンハイドライド等、それらのメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステルが挙げられる。これらは1種または2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The polyanhydride polymer is obtained from an aliphatic dicarboxylic acid having 2 or more carbon atoms. Specific examples thereof include polymalonic anhydride, polysuccinic anhydride, polyoxalic anhydride, polyglutaric anhydride, and the like, methyl esters, ethyl esters, and propyl esters thereof. These may be used alone or in combination of two or more.
ポリエーテル系高分子は、炭素数2以上のポリアルキレングリコール化合物から構成される。具体例として、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリトリメ
チレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリペンタメチレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールブロック共重合体、ポリエチレングリコール−ポリテトラメチレングリコールブロック共重合体、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール−ポリエチレングリコールブロック共重合体等、それらのメチルエーテル、エチルエーテル;ポリエチレングリコールモノ−p−メチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−p−エチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−p−プロピルフェニルエーテル、それらのメチルエーテル、エチルエーテル;ポリエチレングリコールモノペンタン酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘキサン酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘプタン酸エステル、それらのメチルエーテル、エチルエーテル等が挙げられる。これらは1種または2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The polyether polymer is composed of a polyalkylene glycol compound having 2 or more carbon atoms. Specific examples include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polytrimethylene glycol, polytetramethylene glycol, polypentamethylene glycol, polyethylene glycol-polypropylene glycol block copolymer, polyethylene glycol-polytetramethylene glycol block copolymer, polyethylene glycol- Polypropylene glycol-polyethylene glycol block copolymer, etc., methyl ether, ethyl ether thereof; polyethylene glycol mono-p-methylphenyl ether, polyethylene glycol mono-p-ethylphenyl ether, polyethylene glycol mono-p-propylphenyl ether, them Methyl ether, ethyl ether; polyethylene glycol monopentanoic acid Ester, polyethylene glycol mono-hexanoic acid ester, polyethylene glycol mono-heptanoic acid esters, their methyl ether, ethyl ether, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
ポリカーボネート系高分子は、炭素数2以上の脂肪族ポリカーボネートであり、具体例として、ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート、ポリトリメチレンカーボネート、ポリペンタメチレンカーボネート、それらのメチルエーテル、エチルエーテルが挙げられる。これらは1種または2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリエステル系高分子は炭素数2以上の脂肪族鎖及びエステル結合からなる化合物で構成されている。具体例として、ポリエチレンオキサレート、ポリエチレンマロネート、ポリエチレンスクシネート、ポリエチレングリタレート、ポリプロピレンオキサレート、ポリプロピレンマロネート、ポリプロピレンスクシネート、ポリプロピレングリタレート、これらのメチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル等が挙げられる。これらは1種または2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The polycarbonate polymer is an aliphatic polycarbonate having 2 or more carbon atoms, and specific examples thereof include polyethylene carbonate, polypropylene carbonate, polytrimethylene carbonate, polypentamethylene carbonate, their methyl ether, and ethyl ether. These may be used alone or in combination of two or more.
The polyester polymer is composed of a compound comprising an aliphatic chain having 2 or more carbon atoms and an ester bond. Specific examples include polyethylene oxalate, polyethylene malonate, polyethylene succinate, polyethylene glutarate, polypropylene oxalate, polypropylene malonate, polypropylene succinate, polypropylene glutarate, their methyl ether, ethyl ether, propyl ether and the like. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
シリカ体のポットライフ、製膜工程におけるシリカ体の安定性の観点から、(メタ)アクリル系高分子、ポリエーテル系高分子が好ましく、ポリエーテル系高分子がより好ましい。中でも加水分解基含有シランとの親和性の観点から、ポリエーテル系高分子を構成する繰り返し単位のアルキレングリコール化合物の炭素数2〜4が好ましく、2若しくは3がより好ましい。 From the viewpoint of the pot life of the silica body and the stability of the silica body in the film forming step, (meth) acrylic polymers and polyether polymers are preferred, and polyether polymers are more preferred. Among these, from the viewpoint of affinity with the hydrolyzable group-containing silane, the alkylene glycol compound of the repeating unit constituting the polyether polymer preferably has 2 to 4 carbon atoms, and more preferably 2 or 3.
さらにシリカ系前駆体の構造を製膜工程から加熱工程まで安定に維持するためには、炭素数の異なるアルキレングリコール化合物を組み合わせた共重合体が好ましい。この際、炭素数の短い、つまり加水分解基含有シランのシラノール基との親和性の高いアルキレングリコール化合物の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常20重量%以上、好ましくは23重量%以上、より好ましくは25重量%以上であり、また、通常100重量%以下、好ましくは90重量%以下、より好ましくは85重量%以下である。上記の範囲に収まることで、加水分解基含有シランのゾル−ゲル反応中において形成される加水分解基含有シランの加水分解物や縮合物に対して、鋳型材がさらに安定に存在することができる。 Furthermore, in order to stably maintain the structure of the silica-based precursor from the film forming step to the heating step, a copolymer obtained by combining alkylene glycol compounds having different carbon numbers is preferable. At this time, the content of the alkylene glycol compound having a short carbon number, that is, having a high affinity with the silanol group of the hydrolyzable group-containing silane is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 20% by weight or more. , Preferably 23% by weight or more, more preferably 25% by weight or more, and usually 100% by weight or less, preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less. By being within the above range, the template material can exist more stably with respect to the hydrolyzate or condensate of the hydrolyzable group-containing silane formed during the sol-gel reaction of the hydrolyzable group-containing silane. .
組成物に含有される有機ポリマーは、0.1重量%以上であることが好ましく、1重量%以上であることがより好ましく、1.2重量%以上がさらに好ましく、1.4重量%以上が特に好ましい。これは製膜工程における加水分解基含有シランのゾル−ゲル反応を安定にし、製造することができる。上限値に制限はないが、50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ましく、30重量%以下が特に好ましい。上限値を超えると組成物が増粘し、造膜性が低下する可能性がある。 The organic polymer contained in the composition is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, further preferably 1.2% by weight or more, and 1.4% by weight or more. Particularly preferred. This can stabilize and produce the sol-gel reaction of the hydrolyzable group-containing silane in the film forming process. Although there is no restriction | limiting in an upper limit, 50 weight% or less is preferable, 40 weight% or less is more preferable, and 30 weight% or less is especially preferable. If the upper limit is exceeded, the composition may thicken and the film-forming property may decrease.
2−1−5.界面活性剤
本発明で用いる組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限りは界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤とは公知の何れを用いることができる。特に基材の大面積化においては、添加することで造膜性が著しく向上する場合がある。その種類、組み合わせ、比
率には特に制限はなく、以下の2種以上の界面活性剤を用いてもよい。具体的な例として、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリイソブチレングリコールなどのノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、親油基がフッ化炭素基のフッ素系界面活性剤、親油基がシロキサン鎖のシリコーン系界面活性剤、親油基がアルキル基の界面活性剤等から2種以上が選択されることが好ましく、中でもノニオン系界面活性剤とフッ素系界面活性剤(特にパーフルオロアルキル基を含有するもの)との組合せ、及びノニオン系界面活性剤とシリコーン系界面活性剤(特にシロキサン結合を含有するもの)との組合せから選択されることが好ましい。これらの界面活性剤の親水基は、例えば、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基等が好ましい。またポリエーテル、ポリグリセリン等も好ましい。
2-1-5. Surfactant The composition used in the present invention may contain a surfactant as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Any known surfactant can be used. In particular, in increasing the area of the base material, the film forming property may be remarkably improved by adding. There is no restriction | limiting in particular in the kind, combination, and ratio, You may use the following 2 or more types of surfactant. Specific examples include nonionic surfactants such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyisobutylene glycol, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants, and fluorine whose lipophilic group is a fluorocarbon group. It is preferable to select two or more types of surfactants, silicone surfactants whose oleophilic groups are siloxane chains, surfactants whose oleophilic groups are alkyl groups, etc. Among them, nonionic surfactants and fluorine-based surfactants are preferred. It is preferably selected from combinations of surfactants (particularly those containing perfluoroalkyl groups) and combinations of nonionic surfactants and silicone surfactants (particularly those containing siloxane bonds). The hydrophilic group of these surfactants is preferably, for example, a hydroxyl group, a carbonyl group, a carboxyl group or the like. Polyether, polyglycerin and the like are also preferable.
フッ素系界面活性剤として、例えば、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、1,1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2、−テトラフロロプロピル)エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。
またシリコーン系界面活性剤として、例えばSH21シリーズ、SH28シリーズ(東レ・ダウコーニング株式会社)などが挙げられる。
Examples of the fluorosurfactant include hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2). , -Tetrafluoropropyl) ether, sodium perfluorododecyl sulfonate, and the like.
Examples of the silicone surfactant include SH21 series and SH28 series (Toray Dow Corning Co., Ltd.).
また、全加水分解基含有シランのケイ素原子に対する界面活性剤の割合として、得られるシリカ体の表面性の観点から、通常0.001(mol/mol)以上、好ましくは0.002(mol/mol)以上、より好ましくは0.003(mol/mol)以上、また、通常0.05(mol/mol)以下、好ましくは0.04(mol/mol)以下、より好ましくは0.03(mol/mol)以下となるようにする。 Further, the ratio of the surfactant to the silicon atoms of the total hydrolyzable group-containing silane is usually 0.001 (mol / mol) or more, preferably 0.002 (mol / mol) from the viewpoint of the surface properties of the resulting silica body. ) Or more, more preferably 0.003 (mol / mol) or more, and usually 0.05 (mol / mol) or less, preferably 0.04 (mol / mol) or less, more preferably 0.03 (mol / mol). mol) or less.
2−1−6.触媒
組成物には触媒を含有していてもよく、例えば上述したアルコキシシランの加水分解および脱水縮合反応を促進させる物質を任意に用いることができる。
その例を挙げると、フッ酸、燐酸、ホウ酸、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、ステアリン酸、リノレイン酸、安息香酸、フタル酸、クエン酸、コハク酸などの酸類;アンモニア、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類;ピリジンなどの塩基類;アルミニウムのアセチルアセトン錯体などのルイス酸類;などが挙げられる。
2-1-6. The catalyst composition may contain a catalyst. For example, a substance that promotes the hydrolysis and dehydration condensation reaction of the alkoxysilane described above can be arbitrarily used.
Examples include hydrofluoric acid, phosphoric acid, boric acid, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, stearic acid, linolenic acid, benzoic acid, phthalic acid, citric acid, succinic acid. Acids such as acids; Amines such as ammonia, butylamine, dibutylamine and triethylamine; Bases such as pyridine; Lewis acids such as acetylacetone complex of aluminum;
また、触媒の例としては、金属キレート化合物も挙げられる。この金属キレート化合物の金属種としては、例えば、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、スズ、アンチモン等が挙げられる。金属キレート化合物の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。
アルミニウム錯体としては、例えば、ジ−エトキシ・モノ(アセチルアセトナート)アルミニウム、ジ−n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)アルミニウム、ジ−イソプロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)アルミニウム、ジ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)アルミニウム、ジ−sec−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)アルミニウム、ジ−tert−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)アルミニウム、モノエトキシ・ビス(アセチルアセトナート)アルミニウム、モノ−n−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)アルミニウム、モノイソプロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)アルミニウム、モノ−n−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)アルミニウム、モノ−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)アルミニウム、モノ−tert−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)アルミニウム、トリス(アセチルアセトナート)アルミニウム、ジエトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)アルミニウム、ジ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)アルミニウム、ジイソプロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)アルミニウム、ジ−n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)アルミニウム、ジ−sec−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテー
ト)アルミニウム、ジ−tert−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)アルミニウム、モノエトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、モノ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、モノイソプロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、モノ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、モノ−sec−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、モノ−tert−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウム等のアルミニウムキレート化合物等を挙げることができる。
Moreover, a metal chelate compound is also mentioned as an example of a catalyst. Examples of the metal species of the metal chelate compound include titanium, aluminum, zirconium, tin, and antimony. Specific examples of the metal chelate compound include the following.
Examples of the aluminum complex include di-ethoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-n-propoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-isopropoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-n- Butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-sec-butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-tert-butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, monoethoxy bis (acetylacetonato) aluminum, mono -N-propoxy bis (acetylacetonato) aluminum, monoisopropoxy bis (acetylacetonato) aluminum, mono-n-butoxy bis (acetylacetonato) aluminum, mono-sec-but Si-bis (acetylacetonato) aluminum, mono-tert-butoxy bis (acetylacetonato) aluminum, tris (acetylacetonato) aluminum, diethoxy mono (ethylacetoacetate) aluminum, di-n-propoxy mono ( Ethyl acetoacetate) aluminum, diisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, di-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, di-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, di-tert- Butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, monoethoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono Sopropoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-tert-butoxy bis (ethyl acetoacetate) Examples thereof include aluminum chelate compounds such as aluminum and tris (ethylacetoacetate) aluminum.
チタン錯体としては、トリエトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリイソプロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−sec−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−tert−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、ジエトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジイソプロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−tert−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、モノエトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−n−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノイソプロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−n−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−sec−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−tert−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、テトラキス(アセチルアセトナート)チタン、トリエトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリイソプロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−sec−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−tert−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、ジエトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジイソプロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−sec−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−tert−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、モノエトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−n−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノイソプロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−n−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−sec−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−tert−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、テトラキス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ(アセチルアセトナート)トリス(エチルアセトアセテート)チタン、ビス(アセチルアセトナート)ビス(エチルアセトアセテート)チタン、トリス(アセチルアセトナート)モノ(エチルアセトアセテート)チタン等を挙げることができる。 Titanium complexes include triethoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) titanium, triisopropoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-n-butoxy mono (acetyl). Acetonato) titanium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-tert-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, diethoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-n-propoxy bis (Acetylacetonato) titanium, diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-sec-butoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-tert -Butoxy bis (ace Ruacetonate) titanium, monoethoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonato) titanium, monoisopropoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-butoxy tris (acetyl) Acetonato) titanium, mono-sec-butoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-tert-butoxy-tris (acetylacetonato) titanium, tetrakis (acetylacetonato) titanium, triethoxy mono (ethylacetoacetate) titanium , Tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, triisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-sec-butyl Xy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-tert-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, diiso Propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-tert-butoxy bis (ethyl acetoacetate) Titanium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) Acetate) titanium, mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-tert-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, tetrakis (ethyl acetoacetate) titanium, mono (acetylacetonate) tris (ethyl aceto) Acetate) titanium, bis (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) titanium, tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) titanium and the like.
上述したものの中でも、アルコキシシラン化合物の加水分解および脱水縮合反応をより容易に制御するためには、酸類若しくは金属キレート化合物が好ましく、酸類がさらに好ましい。
なお、触媒は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
Among those described above, acids or metal chelate compounds are preferable and acids are more preferable in order to more easily control the hydrolysis and dehydration condensation reaction of the alkoxysilane compound.
In addition, a catalyst may use only 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
触媒の使用量は本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。ただし、アルコキシシランに対して、通常0.001mol倍以上、中でも0.003mol倍以上、特には0.005mol倍以上が好ましく、また、通常0.8mol倍以下、中でも0.5mo
l倍以下、特には0.1mol倍以下が好ましい。触媒の使用量が少なすぎると加水分解反応が適度に進まず、製造後にシリカ体中にシラノール基などの活性基が残存しやすくなり、シリカ体の耐水性が低下する可能性があり、多すぎると反応制御が困難になり、製造中に触媒濃度が更に高くなることで、シリカ体の表面性が低下する可能性がある。
The amount of the catalyst used is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. However, it is usually 0.001 mol times or more, preferably 0.003 mol times or more, particularly preferably 0.005 mol times or more, and usually 0.8 mol times or less, especially 0.5 mol to the alkoxysilane.
It is preferably 1 times or less, particularly preferably 0.1 mol times or less. If the amount of the catalyst used is too small, the hydrolysis reaction does not proceed properly, and active groups such as silanol groups are likely to remain in the silica body after production, which may reduce the water resistance of the silica body and is too high. It becomes difficult to control the reaction, and the surface concentration of the silica body may be lowered by further increasing the catalyst concentration during the production.
また、造膜性の観点で組成物のpHが6以下であることが好ましい。より好ましくは5以下、さらに好ましくは3以下、特に好ましくは2以下である。この範囲にすることで製造時に基材の表面改質を同時に行うことができ、より造膜性が向上する傾向になる。
2−1−7.その他
本発明で用いる組成物には、上述したアルコキシシラン化合物、水、有機溶媒、触媒、鋳型材以外の成分を含有していても良い。また、当該成分は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
Moreover, it is preferable that pH of a composition is 6 or less from a film-forming viewpoint. More preferably, it is 5 or less, More preferably, it is 3 or less, Most preferably, it is 2 or less. By making it in this range, the surface modification of the substrate can be performed simultaneously during production, and the film-forming property tends to be improved.
2-1-7. Others The composition used in the present invention may contain components other than the alkoxysilane compound, water, organic solvent, catalyst, and template material described above. Moreover, the said component may use only 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
2−2.組成物の調製
上述した組成物を構成する各成分を混合して、組成物を調製する。この際、各成分の混合の順番に制限は無い。また、各成分は、全量を一回で混合しても良く、2回以上に分けて連続又は断続的に混合しても良い。
ただし、従来、制御困難とされているゾル−ゲル反応を制御して、組成物をより工業的に調合するためには、以下の要領で混合することが好ましい。即ち、アルコキシシラン、水及び溶媒を混合し、その混合物を一定のゾル−ゲル反応(熟成)させることでアルコキシシランをある程度加水分解及び脱水重縮合させる。そして、その混合物に鋳型材を混合して組成物を調合する。これにより、ゾル−ゲル反応条件下で、アルコキシシランと鋳型材との親和性を維持することができる。なお、熟成は前記の混合物と鋳型材とを混合した後で行なってもよい。
2-2. Preparation of composition A composition is prepared by mixing the components constituting the composition described above. At this time, there is no limitation on the order of mixing the components. In addition, each component may be mixed all at once, or may be mixed continuously or intermittently in two or more times.
However, in order to control the sol-gel reaction which has heretofore been difficult to control and to prepare the composition more industrially, it is preferable to mix in the following manner. That is, alkoxysilane, water, and a solvent are mixed, and the mixture is subjected to a certain sol-gel reaction (aging), whereby alkoxysilane is hydrolyzed and dehydrated and polycondensed to some extent. Then, a mold material is mixed with the mixture to prepare a composition. Thus, the affinity between the alkoxysilane and the template material can be maintained under the sol-gel reaction conditions. The aging may be performed after the mixture and the mold material are mixed.
前記熟成の際、アルコキシシランの加水分解・脱水重縮合反応を進めるためには、加熱することが好ましい。加熱条件として、用いる溶媒の沸点を超えなければ、特に制限は無いが、通常30℃以上、中でも40℃以上、50℃以上とすることがさらに好ましく、55℃以上とすることがもっとも好ましい。加熱温度が低すぎると反応時間が長くなり、十分なゾル−ゲル反応が進まず、アルコキシシランと鋳型材との親和性が得られない可能性がある。一方、加熱温度の上限は、90℃以下が好ましく、80℃以下がより好ましい。90℃を超えると組成物中の鋳型材の分子運動が激しくなり、上記同様、アルコキシシランと鋳型材との親和性が制御できなくなる可能性がある。 During the aging, heating is preferably performed in order to promote hydrolysis / dehydration polycondensation reaction of alkoxysilane. The heating condition is not particularly limited as long as it does not exceed the boiling point of the solvent to be used, but is usually 30 ° C. or higher, more preferably 40 ° C. or higher, 50 ° C. or higher, and most preferably 55 ° C. or higher. If the heating temperature is too low, the reaction time becomes long, and a sufficient sol-gel reaction does not proceed, and there is a possibility that the affinity between the alkoxysilane and the template material cannot be obtained. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 90 ° C. or less, and more preferably 80 ° C. or less. When the temperature exceeds 90 ° C., the molecular motion of the template material in the composition becomes intense, and as described above, the affinity between the alkoxysilane and the template material may not be controlled.
また、加熱を伴う熟成時間に制限は無いが、通常10分以上、好ましくは20分以上、より好ましくは30分以上、より好ましくは60分以上、また、通常20時間以下、好ましくは15時間以下、より好ましくは8時間以下、さらに好ましくは4時間以下である。熟成時間が短すぎると均一に反応を進めることが難しくなる可能性があり、長すぎると熟成温度を低くする必要があり、十分なゾル−ゲル反応が進まず、アルコキシシランと鋳型材との親和性が得られない可能性がある。 The aging time with heating is not limited, but is usually 10 minutes or more, preferably 20 minutes or more, more preferably 30 minutes or more, more preferably 60 minutes or more, and usually 20 hours or less, preferably 15 hours or less. More preferably, it is 8 hours or less, More preferably, it is 4 hours or less. If the aging time is too short, it may be difficult to proceed the reaction uniformly. If the aging time is too long, it is necessary to lower the aging temperature, and the sol-gel reaction does not proceed sufficiently. May not be possible.
さらに、熟成時の圧力条件に制限は無いが、通常は常圧で熟成を行なうことが好ましい。圧力が変化すると溶媒の沸点も変化し、熟成中の溶媒が揮発(蒸発)することで、組成比が変化して、シリカ系組成物の安定性が低くなる可能性がある。
また、熟成後、塗布工程前に用いる組成物は有機溶媒を更に混合して希釈することが好ましい。これにより、組成物内でのゾル−ゲル反応速度を低下させることができ、組成物のポットライフを長く維持することが可能となる。また、多孔質シリカ膜の製造における歩留まりの観点では、加熱を伴わない熟成を行うことが好ましい。加熱を伴わない熟成は、組成物の調製後に行ってもよい。
組成物のポットライフの観点では、中和工程を行ったり、触媒除去工程を行ってもよい。
Furthermore, although there is no restriction | limiting in the pressure conditions at the time of ripening, Usually, it is preferable to age | cure | ripen by a normal pressure. When the pressure changes, the boiling point of the solvent also changes, and the solvent during aging volatilizes (evaporates), so that the composition ratio may change and the stability of the silica-based composition may be lowered.
Further, it is preferable that the composition used after the aging and before the coating step is further mixed with an organic solvent and diluted. Thereby, the sol-gel reaction rate in a composition can be reduced, and it becomes possible to maintain the pot life of a composition long. Further, from the viewpoint of yield in the production of the porous silica film, it is preferable to perform aging without heating. Aging without heating may be performed after the preparation of the composition.
From the viewpoint of the pot life of the composition, a neutralization step or a catalyst removal step may be performed.
2−3.多孔質シリカ膜を有する積層体の製造方法
本発明の多孔質シリカ膜の製造方法では、アルコキシシラン、水、有機溶媒、有機ポリマーを含む組成物をTg200℃以下の透光性基板上に塗布し、有機ポリマーの抽出工程を経て多孔質シリカ膜を有する積層体を得ることを特徴とする。
本発明においては、上記組成物を用い、さらに、上記の抽出工程を経ることから、屈折率が1.20〜1.35以下と低く、かつ透光性基材との密着性に優れた多孔質シリカ膜を有する積層体を製造することができる。
2-3. Method for Producing Laminate Having Porous Silica Membrane In the method for producing a porous silica membrane of the present invention, a composition containing alkoxysilane, water, an organic solvent, and an organic polymer is applied onto a translucent substrate having a Tg of 200 ° C. or lower. A laminate having a porous silica film is obtained through an organic polymer extraction step.
In the present invention, since the composition is used and the extraction process is further performed, the refractive index is as low as 1.20 to 1.35 or less, and the porous structure has excellent adhesion to a light-transmitting substrate. A laminate having a porous silica film can be produced.
以下、本発明の製造方法について詳細に説明する。
2−3−1.製膜工程
本発明の多孔質シリカ膜を有する積層体の製造方法では、前述の組成物をTg200℃以下の透光性基材上に展開することで、シリカ系前駆体を製造する。
[製膜方法]
本発明において、その製膜方法に特に制限はなく、例えば、スプレーコーター、ダイコーター、バーコーター、テーブルコーター、アプリケーター、ドクターブレードコーター、ディップコーター、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法などが挙げられる。
Hereinafter, the production method of the present invention will be described in detail.
2-3-1. Film-forming step In the method for producing a laminate having a porous silica film of the present invention, a silica-based precursor is produced by developing the composition described above on a translucent substrate having a Tg of 200 ° C. or lower.
[Film forming method]
In the present invention, the film forming method is not particularly limited. For example, spray coater, die coater, bar coater, table coater, applicator, doctor blade coater, dip coater, ink jet method, screen printing method, gravure printing method, flexographic printing. Law.
特に、製膜時のゾル−ゲル反応を組成物の組成に依らず、安定した状態でシリカ系前駆体とするためには、組成物の吐出部と基材との距離を制御し、さらに該組成物を流延することが好ましい。吐出部と基材からできる限られた空間の中で膜化することで、一定の環境下でゾル−ゲル反応を進めることができ、均質なシリカ系前駆体を形成できる。具体的には組成物の吐出部と基材との距離は100μm以下が好ましく、80μm以下がより好ましく、70μm以下がさらに好ましく、50μm以下がもっとも好ましい。100μmを超えると、吐出部周辺と基材周辺でゾル−ゲル反応の進行に違いが生じ、ウェット状態で膜中に対流が発生するため、安定してシリカ体を得ることができない傾向がある。一方、下限としては0.1μm以上が好ましく、0.3μm以上がより好ましく、0.5μm以上がさらに好ましく、0.8μm以上がもっとも好ましい。0.1μmを下回ると組成物への流延時のシェアが大きくなり、ゾル−ゲル反応が安定に進まない恐れがある。 In particular, in order to make the sol-gel reaction during film formation a silica-based precursor in a stable state regardless of the composition of the composition, the distance between the discharge part of the composition and the substrate is controlled, and It is preferred to cast the composition. By forming a film in a limited space formed from the discharge part and the base material, the sol-gel reaction can be advanced in a certain environment, and a homogeneous silica-based precursor can be formed. Specifically, the distance between the discharge part of the composition and the substrate is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less, further preferably 70 μm or less, and most preferably 50 μm or less. If it exceeds 100 μm, a difference in the progress of the sol-gel reaction occurs around the discharge part and around the substrate, and convection occurs in the film in a wet state, so that there is a tendency that a silica body cannot be obtained stably. On the other hand, the lower limit is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.3 μm or more, further preferably 0.5 μm or more, and most preferably 0.8 μm or more. If it is less than 0.1 μm, the share at the time of casting into the composition increases, and the sol-gel reaction may not proceed stably.
さらに、光学機能層として信頼性の高い膜厚制御を広範囲(大面積)で実現するためには、ダイコーター、バーコーター、テーブルコーター、アプリケーター、ドクターブレードコーターなどが好ましく、ダイコーターがより好ましい。
ダイコート法により製膜する場合、溶液供給点よりシリカ系組成物を一定流量で供給し、それをスリットを経てダイリップより吐出することにより基材表面上にシリカ系前駆体を形成させるもので、基材を一定速度で搬送させることにより、目的とする多孔質シリカ膜を形成し得るものである。
Furthermore, a die coater, a bar coater, a table coater, an applicator, a doctor blade coater, or the like is preferable, and a die coater is more preferable in order to realize highly reliable film thickness control as an optical functional layer in a wide range (large area).
When forming a film by the die coating method, a silica-based composition is supplied from a solution supply point at a constant flow rate and discharged from a die lip through a slit to form a silica-based precursor on the surface of the substrate. By conveying the material at a constant speed, the intended porous silica film can be formed.
スリットの幅には特に制限はないが、通常5μm以上、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上、また、通常、100μm以下、好ましくは80μm以下、より好ましくは50μm以下である。下限値を下回るとコンタミにより目詰まりを起こす恐れがあり、上限値を超えると均一な膜を製膜できない恐れがある。
ダイリップ(スリット)と基板との間隔(距離)であるGapには特に制限はないが、通常、5μm以上、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上、さらに好ましくは30μm以上、また、通常、100μm以下、好ましくは80μm以下、より好ましくは50μm以下の範囲にすることにより、良質なシリカ系前駆体を得ることができる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the width | variety of a slit, Usually, 5 micrometers or more, Preferably it is 10 micrometers or more, More preferably, it is 20 micrometers or more, Usually, 100 micrometers or less, Preferably it is 80 micrometers or less, More preferably, it is 50 micrometers or less. If the lower limit is not reached, clogging may occur due to contamination, and if the upper limit is exceeded, a uniform film may not be formed.
The gap (distance) between the die lip (slit) and the substrate is not particularly limited, but is usually 5 μm or more, preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, more preferably 30 μm or more, and usually 100 μm. Hereinafter, a good quality silica-based precursor can be obtained by setting the thickness within the range of preferably 80 μm or less, more preferably 50 μm or less.
吐出する流量には特に制限はないが、通常、1〜100cc/分、好ましくは1〜50
cc/分、より好ましくは1〜20cc/分、さらに好ましくは2〜10cc/分、もっとも好ましくは3〜6cc/分である。下限値を下回ると流延時のスリット速度精度を厳密にしなければいけなくなるため、基材の大面積化が難しくなる傾向がある。一方、上限値を超えるとシリカ系組成物に対流が生じ、安定なウェット膜を形成することができなくなる場合がある。
Although there is no restriction | limiting in particular in the discharge flow rate, Usually, 1-100 cc / min, Preferably it is 1-50.
cc / min, more preferably 1 to 20 cc / min, still more preferably 2 to 10 cc / min, most preferably 3 to 6 cc / min. If the value is below the lower limit value, the slit speed accuracy at the time of casting must be strict, so that it is difficult to increase the area of the substrate. On the other hand, if the upper limit is exceeded, convection will occur in the silica-based composition, and it may not be possible to form a stable wet film.
塗工速度には特に制限はないが、通常、5〜300mm/秒、好ましくは10〜200mm/秒、より好ましくは20〜100mm/秒、さらに好ましくは30〜80mm/秒、もっとも好ましくは40〜60mm/秒である。下限値を下回ると製膜工程におけるシリカ系前駆体の流延条件を精密に制御しなければならず、生産性を損なう恐れがあり、上限値を超えると製膜工程においてシリカ系前駆体にせん断応力がかかり、鋳型材とシリカ成分とで構成される構造を破壊する恐れがある。 Although there is no restriction | limiting in particular in a coating speed, Usually, 5-300 mm / second, Preferably it is 10-200 mm / second, More preferably, it is 20-100 mm / second, More preferably, it is 30-80 mm / second, Most preferably, 40- 60 mm / sec. If the lower limit is not reached, the casting conditions of the silica-based precursor in the film-forming process must be precisely controlled, which may impair productivity. If the upper limit is exceeded, the silica-based precursor is sheared in the film-forming process. There is a risk that stress is applied and the structure composed of the mold material and the silica component is destroyed.
塗工停止時間には特に制限はないが、通常、0.1〜3秒、好ましくは0.1〜2秒、より好ましくは0.2〜1秒、さらに好ましくは0.2〜0.8秒、もっとも好ましくは0.3〜0.6秒である。下限値を下回ると透光性基材とシリカ系前駆体の界面状態が安定せず、透光性基材との密着性が低下したり、膜表面のレベリングが進まず、膜の外観が悪化する恐れがあり、上限値を超えると基材とシリカ系前駆体の界面でのゾル−ゲル反応が進行しすぎてしまい、流延時に局所的な欠陥が生じる恐れがある。 Although there is no restriction | limiting in particular in coating stop time, Usually, 0.1 to 3 second, Preferably it is 0.1 to 2 second, More preferably, it is 0.2 to 1 second, More preferably, it is 0.2 to 0.8 Seconds, most preferably 0.3 to 0.6 seconds. Below the lower limit, the interface state between the translucent substrate and the silica-based precursor is not stable, the adhesion with the translucent substrate is reduced, the leveling of the membrane surface does not progress, and the appearance of the membrane deteriorates. If the upper limit is exceeded, the sol-gel reaction at the interface between the substrate and the silica-based precursor will proceed excessively, and local defects may occur during casting.
塗工距離には特に制限はないが、通常、0.05〜500m、好ましくは0.1〜300m、より好ましくは0.5〜100m、さらに好ましくは0.8〜50m、もっとも好ましくは1〜5mである。下限値を下回ると製膜工程における流延初期の不安定な状態を前駆体全体に及ぼす恐れがあり、上限値を超えると組成物中の局所的な不均一構造が得られる多孔質シリカ膜の表面性に影響を与える恐れがある。 Although there is no restriction | limiting in particular in a coating distance, Usually, 0.05-500m, Preferably it is 0.1-300m, More preferably, it is 0.5-100m, More preferably, it is 0.8-50m, Most preferably 5 m. If the lower limit is not reached, there may be an unstable state in the initial stage of casting in the film forming process on the entire precursor, and if the upper limit is exceeded, a local non-uniform structure in the composition can be obtained. May affect surface properties.
ダイリップと基板支持台の水平出し精度は、通常、±5μm以下、好ましくは±2μm以下、より好ましくは±1μm以下とすることで再現性よく塗布することができる。
使用し得るダイの形状としては、溶液等を横方向に均一に分配し得るものであれば特に制限はない。例としては、一般のフィルムキャスティング時に使用されるTダイ形状のもの、あるいはフィッシュテイルダイ形状のもの、あるいはコートハンガーダイ形状のもの等が挙げられる。さらには、ダイ横方向への分配をより均一にしやすくするために、ダイリップ間隔の調整機構を有するものであることが望ましい。
The leveling accuracy of the die lip and the substrate support is usually ± 5 μm or less, preferably ± 2 μm or less, more preferably ± 1 μm or less, so that the coating can be performed with good reproducibility.
The shape of the die that can be used is not particularly limited as long as the solution can be uniformly distributed in the lateral direction. Examples include a T-die shape, a fishtail die shape, or a coat hanger die shape that is used during general film casting. Furthermore, it is desirable to have a die lip interval adjustment mechanism in order to make the distribution in the die lateral direction more uniform.
製膜時のウェット膜厚には特に制限はないが、通常、0.1〜100μmであり、0.5〜80μmが好ましく、1〜55μmがより好ましく、5〜40μmがさらに好ましく、10〜25μmがもっとも好ましい。この範囲を超えると製膜工程における組成物のゾル−ゲル反応の進行を制御することが難しくなり、基材との濡れ性の影響を受けやすくなったり、それに伴い膜のレベリング効果が劣り、膜の外観が悪化する恐れがある。 Although there is no restriction | limiting in particular in the wet film thickness at the time of film forming, Usually, it is 0.1-100 micrometers, 0.5-80 micrometers is preferable, 1-55 micrometers is more preferable, 5-40 micrometers is more preferable, 10-25 micrometers Is most preferred. If this range is exceeded, it will be difficult to control the progress of the sol-gel reaction of the composition in the film-forming process, and the film will be easily affected by the wettability with the base material. The appearance may deteriorate.
例えば、ダイコートの場合、該ウェット膜厚は吐出液量と基板の移動速度で制御する機構が好ましく、通常、5μm以上、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上、また、通常、60μm以下、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下の範囲にすることにより、塗布ムラの少ない均一な多孔質シリカ膜を得ることができる。
<製膜工程の環境>
製膜工程を行う際の相対湿度には特に制限はないが、相対湿度を制御することによりさらに安定した連続コーティングが可能となる。
For example, in the case of die coating, a mechanism in which the wet film thickness is controlled by the discharge liquid amount and the moving speed of the substrate is preferable, usually 5 μm or more, preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, and usually 60 μm or less, preferably Is 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, a uniform porous silica film with little coating unevenness can be obtained.
<Environment of film forming process>
Although there is no restriction | limiting in particular in the relative humidity at the time of performing a film forming process, The more stable continuous coating is attained by controlling a relative humidity.
例えば、相対湿度が通常20%RH以上、好ましくは25%RH以上、より好ましくは30%RH以上、さらに好ましくは35%RH、また、通常85%RH以下、好ましくは
80%RH以下、より好ましくは75%以下RHの環境下においてシリカ系前駆体の製膜を行なうようにすることが好ましい。
製膜工程を行なう際の温度に制限は無いが、通常0℃以上、好ましくは10℃以上、より好ましくは15℃以上、さらに好ましくは20℃以上、もっとも好ましくは25℃以上、また、通常100℃以下、好ましくは80℃以下、より好ましくは70℃以下、さら好ましくは60℃以下、もっとも好ましくは50℃以下である。シリカ系前駆体を製造する際の温度が低すぎるとゾル−ゲル反応の進行が遅くなり、均質なシリカ系前駆体を得られない恐れがあり、高すぎると縮合反応が急速に起こることで、未加水分解のアルコキシシランが多く残存することで、多孔質シリカ膜の耐久性に影響を与える恐れがある。
For example, the relative humidity is usually 20% RH or more, preferably 25% RH or more, more preferably 30% RH or more, more preferably 35% RH, and usually 85% RH or less, preferably 80% RH or less, more preferably It is preferable to form a silica precursor film in an environment of 75% or less RH.
Although there is no restriction | limiting in the temperature at the time of performing a film forming process, Usually 0 degreeC or more, Preferably it is 10 degreeC or more, More preferably, it is 15 degreeC or more, More preferably, it is 20 degreeC or more, Most preferably, it is 25 degreeC or more, Usually, 100 ° C or lower, preferably 80 ° C or lower, more preferably 70 ° C or lower, more preferably 60 ° C or lower, and most preferably 50 ° C or lower. If the temperature at the time of producing the silica-based precursor is too low, the progress of the sol-gel reaction may be slow and a homogeneous silica-based precursor may not be obtained, and if it is too high, the condensation reaction occurs rapidly. A large amount of unhydrolyzed alkoxysilane remains, which may affect the durability of the porous silica film.
さらに、製造工程を行う際のクリーン度には特に制限はないが、基材上に存在するコンタミを核とした膜欠陥や核周辺でのゾル−ゲル反応の進行を抑制する観点から、通常、塵埃径0.5μm以上の塵埃数3,000,000以下が好ましく、50,000以下がより好ましく、5,000以下がさらに好ましい。
また、製造工程における雰囲気に制限は無い。例えば、空気雰囲気中でシリカ系前駆体の製膜を行なっても良く、例えばアルゴン等の不活性雰囲気中でシリカ系前駆体の塗布を行なってもよい。
Furthermore, the degree of cleanliness when performing the production process is not particularly limited, but from the viewpoint of suppressing the progress of the sol-gel reaction around the film defects and the nucleus around the contamination present on the substrate, The number of dust having a dust diameter of 0.5 μm or more is preferably 3,000,000 or less, more preferably 50,000 or less, and even more preferably 5,000 or less.
Moreover, there is no restriction | limiting in the atmosphere in a manufacturing process. For example, a silica-based precursor may be formed in an air atmosphere, and for example, the silica-based precursor may be applied in an inert atmosphere such as argon.
<前処理>
本発明の製造方法では、組成物を透光性基材上に塗布するのに先立って、組成物の濡れ性、製造されるシリカ系前駆体の密着性の観点から、透光性基材に表面処理を施しておいてもよい。そのような透光性基材の表面処理の例を挙げると、シランカップリング処理、コロナ処理、UVオゾン処理、プラズマ処理などが挙げられる。また、表面処理は、1種のみを行なってもよく、2種以上を任意に組み合わせて行なってもよい。なお、シランカップリング処理として、後述するシリル化剤を用いることもできる。
<Pretreatment>
In the production method of the present invention, prior to coating the composition on the translucent substrate, from the viewpoint of the wettability of the composition and the adhesion of the silica-based precursor to be produced, the translucent substrate is applied. A surface treatment may be applied. Examples of such surface treatment of the translucent substrate include silane coupling treatment, corona treatment, UV ozone treatment, plasma treatment and the like. Moreover, only 1 type may be performed for a surface treatment and you may perform it combining 2 or more types arbitrarily. In addition, the silylating agent mentioned later can also be used as a silane coupling process.
また、製造工程は一回で行なってもよいが、二回以上に分けて行なってもよい。例えば、後述する粗乾燥工程を介して、製造工程を二回以上行なうようにすれば、積層構造を有する多孔質シリカ膜を形成することが可能である。これは、例えば屈折率が異なる層を積層したい場合などに有用である。
<後処理>
本発明の製造方法では、上述の製膜工程の後に、シリカ系前駆体中のアルコール類または触媒を除去することを目的として、シリカ系前駆体を粗乾燥させる粗乾燥工程を行なってもよい。粗乾燥工程を行なうことで、シリカ系前駆体中のアルコール類や水や触媒が除去されることで、前駆体中に存在する鋳型材とシリカ成分が安定した状態で構造を形成し、シリカ系前駆体の構造を安定化することができる。
Moreover, although a manufacturing process may be performed once, you may divide into two or more times. For example, a porous silica film having a laminated structure can be formed by performing the production process twice or more through a rough drying process described later. This is useful, for example, when it is desired to stack layers having different refractive indexes.
<Post-processing>
In the production method of the present invention, a rough drying step of roughly drying the silica-based precursor may be performed after the film forming step for the purpose of removing alcohols or catalyst in the silica-based precursor. By performing the rough drying process, the alcohol, water and catalyst in the silica-based precursor are removed, thereby forming a structure in a stable state of the template material and the silica component present in the precursor. The structure of the precursor can be stabilized.
粗乾燥工程における粗乾燥の手法は制限されない。例えば加熱乾燥、減圧乾燥、通風乾燥等が挙げられる。これらは1種を単独で実施してもよく、2種以上を組み合わせて実施してもよい。
粗乾燥の手段も任意である。例えば粗乾燥を加熱乾燥により行なう場合、加熱乾燥の手段の例として、ホットプレート、オーブン、赤外線照射、電磁波照射等が挙げられる。また通風加熱乾燥の手段としては、例えば送風乾燥オーブン等が挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
The method of rough drying in the rough drying step is not limited. For example, heating drying, reduced pressure drying, ventilation drying, etc. are mentioned. These may be implemented alone or in combination of two or more.
The means for rough drying is also optional. For example, when rough drying is performed by heat drying, examples of the heat drying means include a hot plate, an oven, infrared irradiation, electromagnetic wave irradiation, and the like. Moreover, as a means of ventilation heating drying, a ventilation drying oven etc. are mentioned, for example. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
粗乾燥時の温度は制限されないが、通常は室温以上であることが好ましい。特に加熱乾燥を行なう場合、その温度は通常20℃以上、好ましくは30℃以上、さらに好ましくは40℃以上、もっとも好ましくは60℃以上、また、通常200℃以下、好ましくは180℃以下、さらに好ましくは150℃以下、もっとも好ましくは100℃以下の範囲が望ましい。なお、加熱乾燥時の温度は一定でもよいが、変動してもよい。 Although the temperature at the time of rough drying is not limited, it is usually preferably room temperature or higher. In particular, when performing heat drying, the temperature is usually 20 ° C. or higher, preferably 30 ° C. or higher, more preferably 40 ° C. or higher, most preferably 60 ° C. or higher, and usually 200 ° C. or lower, preferably 180 ° C. or lower, more preferably. Is preferably 150 ° C. or lower, most preferably 100 ° C. or lower. In addition, the temperature at the time of heat drying may be constant, but may vary.
粗乾燥時の圧力も制限されないが、特に減圧乾燥を行なう場合、通常は常圧以下、好ましくは10kPa以下、より好ましくは1kPa以下がより好ましい。
粗乾燥時の湿度も制限されないが、シリカ系前駆体の吸湿を防ぐため、通常は60%RH程度以下とすることが望ましく、好ましくは常圧で30%RH以下、或いは真空状態(湿度0%RH)とすることが望ましい。
The pressure at the time of rough drying is not limited, but particularly when drying under reduced pressure, it is usually not more than normal pressure, preferably not more than 10 kPa, more preferably not more than 1 kPa.
Although the humidity during the rough drying is not limited, in order to prevent moisture absorption of the silica-based precursor, it is usually preferably about 60% RH or less, preferably 30% RH or less at normal pressure, or a vacuum state (humidity 0%) RH).
粗乾燥時の雰囲気も制限されず、大気雰囲気でも、窒素雰囲気等の不活性ガス雰囲気でも、真空雰囲気でもよい。これらはシリカ系前駆体の特性等を考慮して選択すればよい。但し、通常はクリーンな雰囲気であることが好ましい。
粗乾燥時間も制限されず、シリカ系前駆体中のアルコール類や水や触媒が除去できれば任意であるが、粗乾燥時の温度・圧力・湿度等の条件や、組成物中に含まれるアルコール類や溶媒の沸点、プロセス速度、シリカ系前駆体の特性等を考慮して決定することが好ましい。通常1秒以上、好ましくは1分以上、より好ましくは1時間以上、また、通常100時間以下、好ましくは24時間以下、より好ましくは3時間以下の範囲が望ましい。
The atmosphere during rough drying is not limited, and may be an air atmosphere, an inert gas atmosphere such as a nitrogen atmosphere, or a vacuum atmosphere. These may be selected in consideration of the characteristics of the silica precursor. However, it is usually preferable to have a clean atmosphere.
The rough drying time is not limited, and any alcohol, water, or catalyst in the silica-based precursor can be removed, but conditions such as temperature, pressure, and humidity during rough drying, and alcohols contained in the composition And the boiling point of the solvent, the process speed, the characteristics of the silica-based precursor, and the like are preferable. The range is usually 1 second or longer, preferably 1 minute or longer, more preferably 1 hour or longer, and usually 100 hours or shorter, preferably 24 hours or shorter, more preferably 3 hours or shorter.
2−3−2.酸・塩基処理工程
上述した製膜工程の後に、シリカ系前駆体を酸または、塩基と接触させることもできる。この工程により、シリカ系前駆体のアルコキシシラン類の加水分解縮合反応を促進させ、シリカ系前駆体の構造体を維持して安定した多孔質膜を形成できて、好ましい。接触させる好ましい酸としては、塩化水素、ぎ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸などの気化しやすい酸類が挙げられる。また、好ましい塩基としては、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン,トリメチルアミン、アチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン等、が挙げられる。
2-3-2. Acid / base treatment step The silica-based precursor can be brought into contact with an acid or a base after the film formation step described above. This step is preferable because the hydrolysis condensation reaction of the alkoxysilanes of the silica-based precursor can be promoted, and a stable porous film can be formed while maintaining the structure of the silica-based precursor. Preferable acids to be contacted include acids that are easily vaporized such as hydrogen chloride, formic acid, acetic acid, and trifluoroacetic acid. Preferred bases include ammonia, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, acylamine, diethylamine, triethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, cyclopentylamine, cyclohexylamine, and the like.
シリカ系前駆体を酸または塩基と接触させる方法としては、酸または塩基の液体又は溶液もしくは蒸気が用いられる。また、後述する抽出工程で使用する有機溶媒に酸または塩基を溶解し抽出工程と同時に接触させることもできる。
また、酸・塩基処理の際に加熱を行なってもよい。加熱温度は、通常室温以上40℃以上100℃以上で、好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下、特に好ましくは120℃以下である。
As a method of bringing the silica-based precursor into contact with an acid or a base, an acid or base liquid, solution or vapor is used. Moreover, an acid or a base can be dissolved in an organic solvent used in the extraction step described later and contacted simultaneously with the extraction step.
Further, heating may be performed during the acid / base treatment. The heating temperature is usually from room temperature to 40 ° C to 100 ° C, preferably 200 ° C or less, more preferably 180 ° C or less, and particularly preferably 120 ° C or less.
アルカリ接触処理を行なう時間は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常30秒以上、好ましくは10分以上、より好ましくは30分以上、また、通常5時間以下、好ましくは2時間以下、より好ましくは1時間以下である。
アルカリ処理を行なう際の圧力は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、減圧環境としてもよく、加熱工程では、圧力を、通常0.2MPa以下、好ましくは0.15MPa以下、より好ましくは0.1MPa以下とする。一方、圧力の下限に制限は無いが、通常10−4MPa以上、好ましくは10−3MPa以上、より好ましくは10−2MPa以上である。圧力が低すぎるとアルコキシシランのゾル−ゲル反応よりもアルコール類の揮発が進行し、吸湿性の高い多孔質シリカ膜となりやすく、光学特性の環境依存性に影響を与える恐れがある。
The time for performing the alkali contact treatment is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 30 seconds or more, preferably 10 minutes or more, more preferably 30 minutes or more, and usually 5 hours or less, preferably 2 hours. Hereinafter, more preferably, it is 1 hour or less.
The pressure at the time of performing the alkali treatment is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but may be a reduced pressure environment. In the heating step, the pressure is usually 0.2 MPa or less, preferably 0.15 MPa or less, more preferably. Is 0.1 MPa or less. On the other hand, the lower limit of the pressure is not limited, but is usually 10 −4 MPa or more, preferably 10 −3 MPa or more, more preferably 10 −2 MPa or more. If the pressure is too low, the volatilization of alcohol proceeds more than the sol-gel reaction of alkoxysilane, and a porous silica film with high hygroscopicity is likely to be formed, which may affect the environmental dependence of optical properties.
2−3−3.抽出工程
上述した製膜工程の後に、シリカ系前駆体を溶剤と接触させることで、シリカ多孔質体とする鋳型材の抽出工程を行なう。溶剤との接触により、鋳型材をアルコキシシランからなるシリカ成分により形成された構造から、鋳型材を除去することで、多孔質構造を得ることができる。さらに得られた多孔質シリカ膜は低い屈折率を有するため、高い光学特性が実現される。
2-3-3. Extraction process After the film-forming process described above, a silica-based precursor is brought into contact with a solvent to perform a template material extraction process for making a porous silica material. A porous structure can be obtained by removing the template material from the structure formed by the silica component made of alkoxysilane by contact with the solvent. Furthermore, since the obtained porous silica film has a low refractive index, high optical characteristics are realized.
抽出に使用する溶剤としては、特に制限されないが、鋳型材と親和性の高い物質がよい。親和性の高い溶剤であれば、鋳型材を溶解しやすく、シリカ成分により形成された構造から鋳型材を除去しやすいためである。溶剤としては、極性溶剤が好ましく、中でも一価アルコール類、多価アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、アミド類の1種
、又は2種以上の親水性溶剤が好ましい。2種類以上の親水性溶剤を組み合わせる際は、混合して用いても、それぞれの溶媒で単独に処理して組み合わせることもできる。さらには、同種の処理液を繰り返し作用させることもできる。
The solvent used for extraction is not particularly limited, but a substance having a high affinity with the mold material is preferable. This is because if the solvent has a high affinity, the mold material can be easily dissolved and the mold material can be easily removed from the structure formed by the silica component. As the solvent, polar solvents are preferable, and among them, monohydric alcohols, polyhydric alcohols, ketones, ethers, esters, amides, or two or more hydrophilic solvents are preferable. When combining two or more types of hydrophilic solvents, they can be used in combination or can be combined by treating each solvent alone. Furthermore, the same kind of treatment liquid can be repeatedly acted on.
抽出方法は特に制限されない。例えばシリカ系前駆体を溶剤中に浸漬すること、表面を溶剤で洗浄すること、溶剤を噴霧すること、蒸気を吹きつけることなどが挙げられる。また、前駆体を溶剤に浸漬して、超音波を利用したり、溶剤を攪拌したりして、積極的に鋳型材を抽出することも可能である。
また、抽出の際に加熱をしてもよい。加熱温度は通常200℃以下であればよい。好ましくは180℃以下、より好ましくは120℃以下である。また、通常室温以上、好ましくは40℃以上、より好ましくは60℃以上である。
The extraction method is not particularly limited. For example, the silica-based precursor is immersed in a solvent, the surface is washed with a solvent, the solvent is sprayed, and steam is blown. It is also possible to extract the mold material positively by immersing the precursor in a solvent and utilizing ultrasonic waves or stirring the solvent.
Moreover, you may heat in the case of extraction. The heating temperature may usually be 200 ° C. or lower. Preferably it is 180 degrees C or less, More preferably, it is 120 degrees C or less. Moreover, it is usually room temperature or higher, preferably 40 ° C. or higher, more preferably 60 ° C. or higher.
以上のように、抽出処理を行なうことにより多孔質シリカ膜を有する積層体を得ることができるが、加熱工程の後に、必要に応じて冷却工程や後処理工程等を実施することも可能である。
2−3−4.乾燥工程
乾燥工程とは、抽出工程で抽出に使用した溶剤を多孔質シリカ膜より除去する工程である。
As described above, a laminate having a porous silica film can be obtained by performing an extraction treatment, but it is also possible to carry out a cooling step, a post-treatment step, etc. as necessary after the heating step. .
2-3-4. Drying step The drying step is a step of removing the solvent used for extraction in the extraction step from the porous silica membrane.
この際、冷却速度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常200℃以下、好ましくは180℃以下、より好ましくは120℃以下、更に好ましくは100℃以下で、また通常室温以上、好ましくは40℃以上、より好ましくは60℃以上である。
また、乾燥工程における雰囲気は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であり、例えば、真空環境、不活性ガス環境であってもよい。
At this time, the cooling rate is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 200 ° C. or less, preferably 180 ° C. or less, more preferably 120 ° C. or less, further preferably 100 ° C. or less, and usually room temperature or more. The temperature is preferably 40 ° C. or higher, more preferably 60 ° C. or higher.
Moreover, the atmosphere in a drying process is arbitrary unless the effect of this invention is impaired remarkably, For example, a vacuum environment and an inert gas environment may be sufficient.
2−3−5.後処理工程
後処理工程で行なう具体的な操作に制限は無いが、例えば、得られた多孔質シリカ膜をシリル化剤で処理することで、多孔質シリカ膜の表面をより機能性に優れたものにできる。具体例を挙げると、シリル化剤で処理することにより、多孔質シリカ膜に撥水性、撥油性、防汚性、防曇性、光触媒能、滑雪性などを付与することが可能である。
2-3-5. Post-treatment step Although there is no limitation on the specific operation performed in the post-treatment step, for example, by treating the obtained porous silica membrane with a silylating agent, the surface of the porous silica membrane is more excellent in functionality. Can be a thing. As a specific example, by treating with a silylating agent, it is possible to impart water repellency, oil repellency, antifouling property, antifogging property, photocatalytic activity, snow sliding property and the like to the porous silica film.
シリル化剤としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ジメチルビニルメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類;トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルビニルジクロロシラン、メチルクロロジシラン、トリフェニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、ジフェニルジクロロシランなどのクロロシラン類;ヘキサメチルジシラザン、N,N’−ビス(トリメチルシリル)ウレア、N−トリメチルシリルアセトアミド、ジメチルトリメチルシリルアミン、ジエチルトリエチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾールなどのシラザン類;(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキ
シシラン等のフッ化アルキル基やフッ化アリール基を有するアルコキシシラン類;などが挙げられる。なお、シリル化剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
Examples of the silylating agent include trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethylethoxysilane, methyldiethoxysilane, dimethylvinylmethoxysilane, and dimethyl. Alkoxysilanes such as vinylethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane; trimethylchlorosilane, dimethyldichlorosilane, methyltrichlorosilane, methyldichlorosilane, dimethylchlorosilane, dimethylvinylchlorosilane, Methyl vinyl dichlorosilane, methyl chloro disilane, triphenyl chloro silane, methyl diphenyl chloro Chlorosilanes such as silane and diphenyldichlorosilane; Silazanes such as hexamethyldisilazane, N, N′-bis (trimethylsilyl) urea, N-trimethylsilylacetamide, dimethyltrimethylsilylamine, diethyltriethylsilylamine, trimethylsilylimidazole; 3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) triethoxysilane, pentafluorophenyltrimethoxysilane, pentafluorophenyltriethoxysilane, etc. Alkoxysilanes having a group; and the like. In addition, a silylating agent may use only 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
シリル化の具体的操作としては、例えば、シリル化剤を多孔質シリカ膜に塗布したり、シリル化剤中に多孔質シリカ膜を浸漬したり、多孔質シリカ膜をシリル化剤の蒸気中に曝したりすることにより、行なうことができる。
また、後処理の別の例としては、本発明の多孔質シリカ膜を多湿条件下で熟成することで、多孔質構造中に存在する未反応シラノールを減らすことができ、これにより、シリカ体の耐環境性をより向上させることも可能である。さらには、多孔質シリカ膜の上に他の無機酸化物膜を形成することで、機械強度や耐アルカリ性を向上させることも可能である。
Specific operations of silylation include, for example, applying a silylating agent to the porous silica film, immersing the porous silica film in the silylating agent, or placing the porous silica film in the vapor of the silylating agent. It can be done by exposing.
Further, as another example of the post-treatment, the porous silica film of the present invention is aged under high humidity conditions, so that unreacted silanol present in the porous structure can be reduced. It is also possible to further improve the environmental resistance. Furthermore, it is possible to improve mechanical strength and alkali resistance by forming another inorganic oxide film on the porous silica film.
2−3−6.その他
本発明の多孔質シリカ膜の製造方法では、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述した各工程の工程前、工程中及び工程後の任意の段階で、任意の工程を行なってもよい。
2−4.光学用途積層体
また、本発明の多孔質シリカ膜は、直接又は他の層を介して基材上に設けられることになるが、通常は、本発明の多孔質シリカ膜は膜状に設けられることになる。
2-3-6. Others In the method for producing a porous silica membrane of the present invention, unless the effects of the present invention are significantly impaired, an arbitrary process may be performed at any stage before, during and after the above-described processes. .
2-4. Laminate for optical use In addition, the porous silica film of the present invention is provided on a substrate directly or via another layer. Usually, the porous silica film of the present invention is provided in a film form. It will be.
多孔質シリカ膜は、他の層と組み合わせることもできる。用いられる用途に応じて適宜選択され、他の層と組み合わせることで、上記の表面反射防止膜の他に、紫外線反射膜、近赤外線反射膜、赤外線反射膜等、さらには、ディスプレイ等の発光デバイスに適用することで光取り出し膜(または輝度向上膜)としても用いることができる。組み合わせる他の層の具体例として、高屈折率層、散乱層、金属層、偏光層、熱線遮断層、紫外線劣化防止層、親水性層、防汚性層、防曇層、防湿層、防曇層、光触媒層、耐腐食層、耐指紋性層、接着層、ハード層、ガスバリア層、導電性層、アンチグレア層、拡散層等が挙げられる。これらの層は、透光基材のいずれの面に形成されていてもよく、また多孔質シリカ膜上に積層されていてもよい。なお、これらの層は光学フィルター中に、1種単独で用いてもよく、また2種以上を任意の組合せで用いてもよい。また、特性に影響を及ぼさない限り、上記の各構成間に他の層があっても構わない。 The porous silica film can be combined with other layers. In addition to the above-mentioned surface antireflection film, it is appropriately selected according to the application to be used, and in addition to the above-mentioned surface antireflection film, an ultraviolet reflection film, a near infrared reflection film, an infrared reflection film, etc., and a light emitting device such as a display Can be used as a light extraction film (or brightness enhancement film). Specific examples of other layers to be combined include a high refractive index layer, a scattering layer, a metal layer, a polarizing layer, a heat ray blocking layer, an ultraviolet deterioration preventing layer, a hydrophilic layer, an antifouling layer, an antifogging layer, a moisture proof layer, and an antifogging layer. Examples include a layer, a photocatalyst layer, a corrosion-resistant layer, a fingerprint-resistant layer, an adhesive layer, a hard layer, a gas barrier layer, a conductive layer, an antiglare layer, and a diffusion layer. These layers may be formed on any surface of the translucent substrate, and may be laminated on the porous silica film. In addition, these layers may be used individually by 1 type in an optical filter, and may use 2 or more types by arbitrary combinations. Further, as long as the characteristics are not affected, there may be other layers between the above-described structures.
また、本発明の光学用途積層体には、多孔質シリカ膜が形成された面とは反対側の面に電極を有することもできる。透光性基材の多孔質シリカ膜が形成された面とは反対側の面に電極を有する光学積層体とすることで、ディスプレイや太陽電池といった光デバイスの部材として好適である
ここで、本発明の光学用途積層体を太陽電池として構成した一例を図1に示す。例えば、本発明の光学用途積層体を太陽電池として構成する場合には、通常多孔質シリカ膜6及び透光性基材5を、太陽電池の光エネルギーを取り入れる受光面側の被覆に用いる構成とする。
Moreover, the optical use laminated body of this invention can also have an electrode in the surface on the opposite side to the surface in which the porous silica film was formed. It is suitable as a member of an optical device such as a display or a solar cell by forming an optical laminate having an electrode on the surface opposite to the surface on which the porous silica film of the translucent substrate is formed. An example in which the optical application laminate of the invention is configured as a solar cell is shown in FIG. For example, when the optical application laminate of the present invention is configured as a solar cell, the
更に、太陽電池では、通常は一対の電極1及び3を設け、当該電極1及び3の間に半導体層2が位置するように構成する。
また、透光性基材5と電極3との間に中間層4があってもよい。さらには、熱線遮断層、紫外線劣化防止層、親水性層、防汚性層、防曇層、防湿層、粘着層、ハード層、導電性層、反射層、アンチグレア層、拡散層等(図示せず)と組み合わせてもよい。
Further, the solar cell is usually configured such that a pair of electrodes 1 and 3 are provided, and the semiconductor layer 2 is positioned between the electrodes 1 and 3.
Further, the intermediate layer 4 may be present between the
ここで、太陽電池とは、光起電力効果を利用して、光エネルギーを電力に変換することのできる素子または装置であり、例として、単結晶シリコン太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池などのシリコン系太陽電池、CIS系太陽電池、
CIGS系太陽電池、GaAs系太陽電池などの化合物太陽電池、色素増感太陽電池、有機薄膜太陽電池、また多接合型太陽電池、HIT太陽電池が挙げられるが、特にこれらに限定するものではない。
Here, the solar cell is an element or device that can convert light energy into electric power by utilizing the photovoltaic effect, and examples thereof include a single crystal silicon solar cell, a polycrystalline silicon solar cell, and amorphous silicon. Silicon solar cells such as solar cells, CIS solar cells,
Examples include, but are not limited to, compound solar cells such as CIGS solar cells and GaAs solar cells, dye-sensitized solar cells, organic thin film solar cells, multi-junction solar cells, and HIT solar cells.
半導体層は、半導体材料を含有する層である。太陽電池では、通常、光を取り込むことで半導体層で電気エネルギーが生じ、その電気エネルギーを取り出すことで電池として機能するようになっている。
この際、半導体層に用いられる半導体の種類に制限は無い。また、半導体は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。さらに、半導体層には、太陽電池としての機能を著しく損なわない限りその他の材料が含有されていても良い。
The semiconductor layer is a layer containing a semiconductor material. In a solar cell, electric energy is usually generated in a semiconductor layer by taking in light, and functions as a battery by taking out the electric energy.
At this time, there is no limitation on the type of semiconductor used for the semiconductor layer. Moreover, only 1 type may be used for a semiconductor and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio. Further, the semiconductor layer may contain other materials as long as the function as a solar cell is not significantly impaired.
また、半導体層は、単一の膜のみによって構成されていてもよく、2以上の膜によって構成されていても良い。具体的な型式でいえば、太陽電池における半導体層としては、例えば、バルクヘテロ接合型、積層型(ヘテロpn接合型)、ショットキー型、ハイブリッド型などのいずれであってもよい。
なお、半導体層の厚さに特に制限はないが、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常10μm以下、好ましくは5μm以下の寸法で形成する。
Moreover, the semiconductor layer may be composed of only a single film or may be composed of two or more films. As a specific type, the semiconductor layer in the solar cell may be any of a bulk heterojunction type, a stacked type (hetero pn junction type), a Schottky type, a hybrid type, and the like.
The thickness of the semiconductor layer is not particularly limited, but is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 10 μm or less, preferably 5 μm or less.
一方、電極は、導電性を有する任意の材料により形成することが可能である。電極は、半導体層で生じた電気エネルギーを取り出すためのものである。ただし、半導体層の種類に応じて一対の電極のうち、少なくとも一方は透明である(即ち、太陽電池が発電するために半導体層が吸収する光を透過させる)ことが好ましい。
また、電極は直接又は他の層を介して基板に設けることができる。電極としてアルミニウム、錫、マグネシウム、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、白金、又はこれらを含む合金、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウム、酸化亜鉛などが挙げられる。中でも透明性の観点で酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウム、酸化亜鉛、又はこれを主組成としたものが好ましく、これらは1種単独で、または2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いることができる。またその膜厚は通常10nm以上、好ましくは40nm以上、より好ましくは80nm以上、さらに好ましくは100nm以上である。また通常500nm以下、好ましくは400nm以下、より好ましくは300nm以下、さらに好ましくは200nm以下である。10nmを下回ると膜に欠陥ができ易くなる傾向があり、500nmを越えると透明性を損なう可能性がある。
On the other hand, the electrode can be formed of any material having conductivity. The electrode is for taking out electric energy generated in the semiconductor layer. However, it is preferable that at least one of the pair of electrodes is transparent in accordance with the type of the semiconductor layer (that is, the light absorbed by the semiconductor layer for generating power by the solar cell is transmitted).
Moreover, an electrode can be provided in a board | substrate directly or through another layer. Examples of the electrode include aluminum, tin, magnesium, gold, silver, copper, nickel, palladium, platinum, or an alloy containing these, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium oxide, and zinc oxide. Among them, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium oxide, zinc oxide, or a main composition thereof is preferable from the viewpoint of transparency. These are one kind alone, or two or more kinds are arbitrarily selected. Can be used in any combination and ratio. The film thickness is usually 10 nm or more, preferably 40 nm or more, more preferably 80 nm or more, and further preferably 100 nm or more. Moreover, it is 500 nm or less normally, Preferably it is 400 nm or less, More preferably, it is 300 nm or less, More preferably, it is 200 nm or less. If the thickness is less than 10 nm, defects tend to be formed in the film, and if it exceeds 500 nm, the transparency may be impaired.
さらに、電極は2層以上積層してもよく、表面処理による特性(電気特性やぬれ特性等)を改良してもよい。
また、本発明の光学用途積層体を太陽電池として構成する場合には、多孔質シリカ膜から半導体層までのC光の全光線透過率を、80%以上とすることが好ましく、83%以上とすることがより好ましく、86%以上とすることがさらに好ましく、90%以上とすることが特に好ましい。光の透過率が高いほど太陽電池が効率よく発電できるからである。また、前記全光線透過率は理想的には100%であるが、光学用途積層体の表面での部分反射を考慮すると通常99%以下である。本発明のシリカ体は、低屈折率を有するとともに耐摩耗性、耐水性に優れるため、このように太陽電池に非常に適した性能を発揮することが可能である。
Furthermore, two or more electrodes may be laminated, and characteristics (electric characteristics, wetting characteristics, etc.) due to surface treatment may be improved.
When the optical application laminate of the present invention is configured as a solar cell, the total light transmittance of C light from the porous silica film to the semiconductor layer is preferably 80% or more, and 83% or more. More preferably, it is more preferably 86% or more, and particularly preferably 90% or more. This is because the higher the light transmittance, the more efficiently the solar cell can generate power. The total light transmittance is ideally 100%, but is usually 99% or less in consideration of partial reflection on the surface of the optical use laminate. Since the silica body of the present invention has a low refractive index and is excellent in abrasion resistance and water resistance, it is possible to exhibit performance very suitable for solar cells in this way.
なお、本発明の光学用途積層体を太陽電池以外の光学用途に用いる場合であっても、通常は、多孔質シリカ膜の光線透過率は高いことが好ましい。これにより、本発明の光学用途積層体に、光学用途部材を構成する部材として有効な光学性能と性能の安定性とを備えさせることができるからである。
また、本発明の光学用途積層体は、耐摩耗性、耐水性に優れ、平滑な表面を有する点において、エレクトロルミネッセンス(EL)素子にも好適である。
In addition, even if it is a case where the optical use laminated body of this invention is used for optical uses other than a solar cell, it is preferable that the light transmittance of a porous silica film is high normally. Thereby, the optical use laminate of the present invention can be provided with optical performance and stability of performance effective as a member constituting the optical use member.
Moreover, the optical use laminated body of this invention is suitable also for an electroluminescent (EL) element in the point which is excellent in abrasion resistance and water resistance, and has a smooth surface.
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、本発明の多孔質膜、2つの電極、及び上記電極の間にエレクトロルミネッセンス層を有するものであればよく、通常、(i)電極(陰極)、(ii)エレクトロルミネッセンス層、(iii)電極(陽極)、(iv)本発明の多
孔質シリカ膜、及び(v)透光体がこの順に配置される構成をとること等が可能である。(i)〜(v)の順を維持するものであれば、それぞれの層の間に他の層を有していてもよい。例えば(iii)電極(陽極)と(iv)本発明の多孔質膜との間に、光散乱層及び/
または高屈折率層を入れること等も可能である。
The electroluminescent element of the present invention may be any one as long as it has the porous film of the present invention, two electrodes, and an electroluminescent layer between the electrodes, and is usually (i) an electrode (cathode), (ii) electro It is possible to adopt a configuration in which the luminescence layer, (iii) the electrode (anode), (iv) the porous silica film of the present invention, and (v) the light transmitting body are arranged in this order. As long as the order of (i)-(v) is maintained, you may have another layer between each layer. For example, between (iii) the electrode (anode) and (iv) the porous film of the present invention, a light scattering layer and / or
Alternatively, it is possible to insert a high refractive index layer.
(i)陰極として用いられる材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。特に、アルミニウム、錫、マグネシウム、インジウム、カルシウム、金、銀、銅、ニッケル、クロム、パラジウム、白金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等で形成される。特にアルミニウムで形成することが好ましい。陰極の厚さは、通常10nm以上、好ましくは30nm以上、より好ましくは50nm以上である。また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下、より好ましくは300nm以下である。 (I) The material used as the cathode is preferably a metal having a low work function. In particular, it is made of aluminum, tin, magnesium, indium, calcium, gold, silver, copper, nickel, chromium, palladium, platinum, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, aluminum-lithium alloy, or the like. In particular, it is preferable to form with aluminum. The thickness of the cathode is usually 10 nm or more, preferably 30 nm or more, more preferably 50 nm or more. Moreover, it is 1000 nm or less normally, Preferably it is 500 nm or less, More preferably, it is 300 nm or less.
(ii)エレクトロルミネッセンス層は、電界が印加されることにより発光現象を示す物質により成膜されたものであり、その物質としては、付活酸化亜鉛ZnS:X(ただし、Xは、Mn、Tb、Cu、Sm等の付活元素である。)、CaS:Eu、SrS:Ce、SrGa2S4:Ce、CaGa2S4:Ce、CaS:Pb、BaAl2S4:Eu等の従来使用されている無機EL物質、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体、芳香族アミン類、アントラセン単結晶等の低分子色素系の有機EL物質、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリビニルカルバゾール等の共役高分子系の有機EL物質等、従来使用されている有機EL物質を用いることができる。エレクトロルミネッセンス層の厚さは、通常10nm以上、好ましくは30nm以上、より好ましくは50nm以上であり、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下、より好ましくは200nm以下とされる。エレクトロルミネッセンス層は、蒸着やスパッタリング等の真空成膜プロセス、あるいはキシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン等を溶媒とする塗布プロセスにより形成することが可能である。 (Ii) The electroluminescent layer is formed by a material that exhibits a light emission phenomenon when an electric field is applied. The material includes activated zinc oxide ZnS: X (where X is Mn, Tb , Cu, an activation element of Sm, etc.), CaS:. Eu, SrS : Ce, SrGa 2 S 4: Ce, CaGa 2 S 4: Ce, CaS: Pb, BaAl 2 S 4: conventionally used, such as Eu Inorganic EL materials, 8-hydroxyquinoline aluminum complexes, aromatic amines, low molecular weight organic EL materials such as anthracene single crystals, poly (p-phenylene vinylene), poly [2-methoxy-5- Conjugated polymer organic EL materials such as (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene], poly (3-alkylthiophene), and polyvinylcarbazole Etc., can be used organic EL materials are conventionally used. The thickness of the electroluminescence layer is usually 10 nm or more, preferably 30 nm or more, more preferably 50 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, more preferably 200 nm or less. The electroluminescent layer can be formed by a vacuum film forming process such as vapor deposition or sputtering, or a coating process using xylene, toluene, cyclohexylbenzene or the like as a solvent.
(iii)陽極としては、錫を混合した酸化インジウム(通常ITOと呼ばれている。)
、アルミニウムを混合した酸化亜鉛(通常AZOと呼ばれている。)、インジウムを混合した酸化亜鉛(通称IZOと呼ばれている。)等の複合酸化物薄膜が好ましく用いられる。特にITOであることが好ましい。
陽極は、可視光に対して透明性を有する透明電極層とすることも可能であり、透明電極層として形成される場合、可視光波長領域における光線透過率は大きいほど好ましい。この際、下限としては通常50%以上、好ましくは60%以上、より好ましくは70%以上である。また上限としては通常99%以下である。また陽極の電気抵抗は、面抵抗値として小さいほど好ましく、通常1Ω/□(オームパースクウェア;□=1cm2)以上とさ
れ、通常100Ω/□以下、好ましくは70Ω/□以下、より好ましくは50Ω/□以下とされる。
(Iii) As an anode, indium oxide mixed with tin (usually called ITO)
A composite oxide thin film such as zinc oxide mixed with aluminum (usually called AZO) or zinc oxide mixed with indium (commonly called IZO) is preferably used. In particular, ITO is preferable.
The anode can be a transparent electrode layer that is transparent to visible light. When the anode is formed as a transparent electrode layer, the higher the light transmittance in the visible light wavelength region, the better. In this case, the lower limit is usually 50% or more, preferably 60% or more, more preferably 70% or more. The upper limit is usually 99% or less. In addition, the electrical resistance of the anode is preferably as small as the surface resistance value, and is usually 1Ω / □ (ohm per square; □ = 1 cm 2 ) or more, usually 100Ω / □ or less, preferably 70Ω / □ or less, more preferably 50Ω. / □ or less.
また陽極を透明電極とする場合の陽極の厚さとしては、上述した光線透過率及び面抵抗値を満足するものであれば特に限定されないが、通常、0.01μm以上であり、また導電性の観点から好ましくは0.03μm以上、より好ましくは0.05μm以上である。また上限としては通常、10μm以下であるが、光線透過率の観点から1μm以下が好ま
しく、より好ましくは0.5μm以下である。
Further, the thickness of the anode when the anode is a transparent electrode is not particularly limited as long as it satisfies the light transmittance and the surface resistance described above, but is usually 0.01 μm or more, and has a conductive property. From the viewpoint, it is preferably 0.03 μm or more, more preferably 0.05 μm or more. The upper limit is usually 10 μm or less, preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less from the viewpoint of light transmittance.
また、本発明の光学用途積層体には、例えば、他の光学機能層及び保護膜を備えさせても良い。他の光学機能層は、用いる用途により適宜選択することができる。また、これらの層は1層のみを備えさせてもよく、2以上の層を任意に組み合わせて備えさせるようにしても良い。
本発明の光学用途積層体は、本発明の多孔質シリカ膜を備えるため、屈折率が低く、密着性に優れる。このため、本発明の多孔質シリカ膜を使用すれば、レンズやディスプレイ、太陽電池、太陽熱発電などの光デバイス、建材や自動車の内外装に用いられる低反射層、反射防止層、光制御層などの光学機能層に好適に用いることができる。
Moreover, you may equip the optical use laminated body of this invention with another optical function layer and a protective film, for example. Other optical functional layers can be appropriately selected depending on the application to be used. Further, these layers may be provided with only one layer, or may be provided with an arbitrary combination of two or more layers.
Since the optical use laminate of the present invention includes the porous silica film of the present invention, the refractive index is low and the adhesiveness is excellent. For this reason, if the porous silica film of the present invention is used, optical devices such as lenses, displays, solar cells, solar thermal power generation, low reflection layers, antireflection layers, light control layers and the like used for interior and exterior of building materials and automobiles, etc. It can be suitably used for the optical functional layer.
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施できる。
[実施例1]
[組成物の調製]
テトラエトキシシラン(以下、TEOS)6.78g、メチルトリエトキシシラン(以下、MTES)6.92g、エタノール(沸点78.3℃)2.30g、水5.56g及び、0.3重量%の塩酸水溶液13.0gを混合し、ウォーターバス中で30分、更に室温で30分攪拌して、混合物(A)を得た。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist of the present invention.
[Example 1]
[Preparation of composition]
Tetraethoxysilane (hereinafter TEOS) 6.78 g, methyltriethoxysilane (MTES) 6.92 g, ethanol (boiling point 78.3 ° C.) 2.30 g, water 5.56 g and 0.3 wt% hydrochloric acid 13.0 g of the aqueous solution was mixed and stirred in a water bath for 30 minutes and further at room temperature for 30 minutes to obtain a mixture (A).
次に、鋳型材として、ポリエチレンオキサイド−ポリプロピレンオキサイド−ポリエチレンオキサイドトリブロックポリマー(ALDRICH製、重量平均分子量5650、エチレンオキサイド部位の割合30重量%)6.14gとエタノール3.20gとを混合した混合液(B)に、前記の混合物(A)を添加して、室温で60分攪拌し0.45μmのフィルター(ワットマンジャパン(株)社製)でろ過することで混合物(C)を調整した。 Next, a mixed solution in which 6.14 g of polyethylene oxide-polypropylene oxide-polyethylene oxide triblock polymer (made by ALDRICH, weight average molecular weight 5650, proportion of ethylene oxide portion 30% by weight) and 3.20 g of ethanol were mixed as a template material. The mixture (A) was added to (B), stirred at room temperature for 60 minutes, and filtered through a 0.45 μm filter (Whatman Japan Co., Ltd.) to prepare the mixture (C).
この混合物(C)40mlと希釈溶媒として1−ブタノール(沸点117.3℃)36mlとを混合し、室温で30分攪拌することでシリカ系組成物を得た。
[製膜工程]
得られた組成物を、透光性基材として1mm厚みのアクリル板(三菱レイヨン製 メタクリル樹脂板 アクリライト)を使用して、ディップコーター(MATSUTAME社製
卓上ディップコーター TD−150)で基材の両面に塗布した。ディップコーターは、引き上げ速度1.7mm/secで行なった。
40 ml of this mixture (C) and 36 ml of 1-butanol (boiling point 117.3 ° C.) as a diluent solvent were mixed and stirred at room temperature for 30 minutes to obtain a silica-based composition.
[Film forming process]
Using the obtained composition as a light-transmitting substrate, a 1 mm thick acrylic plate (Mitsubishi Rayon methacrylic resin plate Acrylite), and using a dip coater (Matsutama Corp. tabletop dip coater TD-150) It was applied on both sides. The dip coater was performed at a lifting speed of 1.7 mm / sec.
[後処理工程(粗乾燥)]
次に120℃に設定したオーブンに置き、大気雰囲気下で120分間加熱することで、基材上に外観の良好なシリカ系前駆体を得た。
[酸・アルカリ処理工程]
次にガラスビーカー内にアンモニア水を2ml入れたアンモニア雰囲気で満たされたガラスビーカー内で室温で30分さらした。
[Post-treatment process (coarse drying)]
Next, it was placed in an oven set at 120 ° C. and heated in an air atmosphere for 120 minutes to obtain a silica-based precursor having a good appearance on the substrate.
[Acid / alkali treatment process]
Next, the glass beaker was exposed for 30 minutes at room temperature in a glass beaker filled with an ammonia atmosphere containing 2 ml of aqueous ammonia.
[抽出処理工程]
次に、室温でエタノール溶液中に1分間浸し、超音波洗浄機(本多電子株式会社製 卓
上型超音波洗浄機W−113)で1分間かけて、鋳型材を除去した。
[乾燥工程]
次に、60℃に設定したオーブンに置き、大気雰囲気下で10分間加熱乾燥することで外観の良好なシリカ膜積層体を得た。
[Extraction process]
Next, it was immersed in an ethanol solution at room temperature for 1 minute, and the mold material was removed with an ultrasonic cleaner (desktop ultrasonic cleaner W-113 manufactured by Honda Electronics Co., Ltd.) over 1 minute.
[Drying process]
Next, it was placed in an oven set at 60 ° C., and dried for 10 minutes in an air atmosphere to obtain a silica film laminate having a good appearance.
《屈折率、膜厚算出》
分光膜厚計(大塚電子製FE−3000)により、反射率を測定した結果、透光性基材上に得られた多孔質シリカ膜の550nmにおける最小反射率は1.38%であり、フレネルの式を用いて屈折率を算出した結果、1.231であった。また、算出した屈折率と前記の波長より膜厚を算出した結果、164nmであった。積層体の可視光線透過率は97%であった。
<< Calculation of refractive index and film thickness >>
As a result of measuring the reflectance with a spectral film thickness meter (FE-3000 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.), the minimum reflectance at 550 nm of the porous silica film obtained on the translucent substrate was 1.38%. As a result of calculating the refractive index using the formula: Moreover, it was 164 nm as a result of calculating a film thickness from the calculated refractive index and the said wavelength. The visible light transmittance of the laminate was 97%.
《摩耗試験》
ミルスペックMIL−CCC−c−440に記載のチーズクロスを荷重500g/cm2で得られた多孔質シリカ膜表面上を20往復させた結果、積層体の可視光線透過率は96%で、摩耗試験前の可視光線透過率との変化量は1%であった。
《剥離試験》
Scotchテープ(住友スリーエム株式会社製)を得られた多孔質シリカ膜表面に空気が入らないように貼り付けたあと、引き剥がした。結果は、基材と多孔質シリカ膜との接着性が良好である場合(テープに付着物がない場合)には○、接着が不良の場合(テープに付着物がある場合)には×とした。
《Abrasion test》
As a result of reciprocating 20 times on the surface of the porous silica film obtained by loading the cheese cloth described in Mil-Spec MIL-CCC-c-440 with a load of 500 g / cm 2 , the visible light transmittance of the laminate was 96%, and wear The amount of change from the visible light transmittance before the test was 1%.
<Peel test>
A Scotch tape (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.) was applied to the surface of the obtained porous silica film so as not to enter air, and then peeled off. The result is ○ when the adhesion between the base material and the porous silica film is good (when there is no deposit on the tape), and x when the adhesion is poor (when there is a deposit on the tape). did.
実施例1の剥離試験の結果は、テープには、何も付着せず、基材と多孔質シリカ膜との接着性は良好であった。
[比較例1]
実施例1の[酸・アルカリ処理工程]及び[抽出処理工程]を行なわない以外は、実施例1と同様に多孔質シリカ膜を有する積層体を得た。
As a result of the peeling test of Example 1, nothing adhered to the tape, and the adhesion between the substrate and the porous silica film was good.
[Comparative Example 1]
A laminate having a porous silica film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the [acid / alkali treatment step] and the [extraction treatment step] in Example 1 were not performed.
《屈折率、膜厚算出》《摩耗試験》《剥離試験》も実施例1と同様に行い、550nmにおける最小反射率は3.56%であり、屈折率は1.455、膜厚は130nmであった。可視光線透過率は95%であった。摩耗試験後の可視光線透過率は72%で、摩耗試験前の可視光線透過率との変化量は23%であった。また、剥離試験においてはテープに多孔質シリカ膜が付着し、透光性基材と多孔質シリカ膜との接着性が十分でないことが確認された。 << Refractive index and film thickness calculation >> << Abrasion test >> << Peel test >> were also performed in the same manner as in Example 1. The minimum reflectance at 550 nm was 3.56%, the refractive index was 1.455, and the film thickness was 130 nm. there were. The visible light transmittance was 95%. The visible light transmittance after the abrasion test was 72%, and the change from the visible light transmittance before the abrasion test was 23%. In the peel test, it was confirmed that the porous silica film adhered to the tape, and the adhesion between the translucent substrate and the porous silica film was not sufficient.
[比較例2]
実施例1の製膜工程で、透光性基材として大判スライドガラス(松浪硝子工業株式会社製 S112)を使用して、スピンコーター(ミカサ製MS−A150)で塗布した。スピンコーターは、回転数500rpm、回転時間120秒、塗布液量1mlとした。次に450℃に設定したオーブンに10分間加熱することで、透光性基材上に概観の良好な多孔質シリカ膜を有する積層体を得た。
[Comparative Example 2]
In the film forming process of Example 1, a large slide glass (S112 manufactured by Matsunami Glass Industrial Co., Ltd.) was used as a translucent substrate, and coating was performed with a spin coater (MS-A150 manufactured by Mikasa). The spin coater was set to a rotation speed of 500 rpm, a rotation time of 120 seconds, and a coating liquid amount of 1 ml. Next, by heating for 10 minutes in an oven set at 450 ° C., a laminate having a porous silica film having a good appearance on a translucent substrate was obtained.
《屈折率、膜厚算出》《摩耗試験》《剥離試験》も実施例1と同様に行い、550nmにおける最小反射率は0.15%であり、屈折率は1.26、膜厚は105nmであった。可視光線透過率は95%であった。摩耗試験後の可視光線透過率は89%で、摩耗試験前の可視光線透過率との変化量は6%であった。また、剥離試験においてはテープに多孔質シリカ膜が付着し、透光性基材と多孔質シリカ膜との接着性が十分でないことが確認された。 << Refractive index and film thickness calculation >> << Abrasion test >> << Peel test >> were also performed in the same manner as in Example 1. The minimum reflectance at 550 nm was 0.15%, the refractive index was 1.26, and the film thickness was 105 nm. there were. The visible light transmittance was 95%. The visible light transmittance after the abrasion test was 89%, and the change from the visible light transmittance before the abrasion test was 6%. In the peel test, it was confirmed that the porous silica film adhered to the tape, and the adhesion between the translucent substrate and the porous silica film was not sufficient.
実施例1、比較例1、2の評価結果を、表1に示す。 The evaluation results of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 are shown in Table 1.
1、3 電極
2 半導体層
4 中間層
5 透明基板
6 多孔質体
1, 3 electrodes
2 Semiconductor layer
4 middle class
5 Transparent substrate
6 Porous material
Claims (5)
Priority Applications (1)
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