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JP2012021913A - Radiation detector and radiation image photographing apparatus - Google Patents

Radiation detector and radiation image photographing apparatus Download PDF

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JP2012021913A
JP2012021913A JP2010160978A JP2010160978A JP2012021913A JP 2012021913 A JP2012021913 A JP 2012021913A JP 2010160978 A JP2010160978 A JP 2010160978A JP 2010160978 A JP2010160978 A JP 2010160978A JP 2012021913 A JP2012021913 A JP 2012021913A
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Japan
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bimetal
radiation detector
scintillator layer
radiation
thermal expansion
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Application number
JP2010160978A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoyuki Nishino
直行 西納
Yasuyoshi Ota
恭義 大田
Haruyasu Nakatsugawa
晴康 中津川
Shoji Nariyuki
書史 成行
Naoto Iwakiri
直人 岩切
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Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】入射する放射線Xを光に変換するシンチレータ層36と、面上にシンチレータ層36が設けられ、シンチレータ層36から放出された光を電荷に変換する光検出基板30と、熱膨張率が互いに異なる二枚の金属板を接合して構成され、光検出基板30側又はシンチレータ層36側に設けられ、設けられた場所の熱膨張率と近い一方の金属板が内側に配置され、他方の金属板が外側に配置されて、光検出基板30の反りを抑制するバイメタル60と、を備える。
【選択図】図4
A radiation detector and a radiographic imaging apparatus capable of suppressing warpage due to a temperature change regardless of adhesive strength.
A scintillator layer that converts incident radiation X into light, a scintillator layer provided on the surface, a light detection substrate that converts light emitted from the scintillator layer into electric charge, and a coefficient of thermal expansion. Are formed by joining two different metal plates, provided on the light detection substrate 30 side or the scintillator layer 36 side, one metal plate close to the coefficient of thermal expansion of the provided location is arranged on the inside, and the other And a bimetal 60 that suppresses the warpage of the light detection substrate 30.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。   The present invention relates to a radiation detector and a radiation image capturing apparatus.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器は、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがある。なお、放射線検出器には、放射線を変換する方式として、放射線をシンチレータで光に変換した後にフォトダイオード等の半導体層で電荷に変換する間接変換方式や、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式等があり、各方式でも半導体層に使用可能な材料が種々存在する。   In recent years, radiation detectors such as an FPD (Flat Panel Detector) capable of directly converting radiation into digital data by arranging a radiation sensitive layer on a TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrate have been put into practical use. This radiation detector has an advantage that an image can be confirmed immediately and a moving image can be confirmed as compared with a conventional imaging plate. Radiation detectors convert radiation into indirect conversion methods in which radiation is converted into light by a scintillator and then converted into charges in a semiconductor layer such as a photodiode, or radiation is charged in a semiconductor layer such as amorphous selenium. There are various types of materials that can be used for the semiconductor layer in each method.

この放射線検出器を内蔵し、放射線検出器から出力される放射線画像データを記憶する放射線画像撮影装置(以下、電子カセッテともいう)も実用化されている。   A radiographic imaging apparatus (hereinafter also referred to as an electronic cassette) that incorporates this radiation detector and stores radiation image data output from the radiation detector has been put into practical use.

この電子カセッテは、可搬性を有するため、ストレッチャーやベッドに載せたまま患者(患者)を撮影することもでき、電子カセッテの位置を変更することにより撮影箇所を調整することができるため、動けない患者に対しても柔軟に対処することができる。   Since this electronic cassette has portability, the patient (patient) can be photographed while being placed on a stretcher or bed, and the photographing location can be adjusted by changing the position of the electronic cassette. It is possible to flexibly deal with patients who are not.

ところで、電子カセッテに内蔵される放射線検出器は、当該放射線検出器を構成するアクティブマトリクス基板と放射線感応層の熱膨張率(係数)、或いはアクティブマトリクス基板と放射線感応層を蒸着するための基板の熱膨張率が互いに異なっていると、電子カセッテ内部の温度変化により熱膨張して面外方向へ反る場合がある。   By the way, the radiation detector built in the electronic cassette is a thermal expansion coefficient (coefficient) of the active matrix substrate and the radiation sensitive layer constituting the radiation detector or the substrate for depositing the active matrix substrate and the radiation sensitive layer. If the coefficients of thermal expansion are different from each other, thermal expansion may occur due to a temperature change inside the electronic cassette and warp in the out-of-plane direction.

そこで、特許文献1には、光変換層と、前記光変換層の熱膨張率と相違する熱膨張率を有する基板と、前記光変換層に設けられ、熱膨張による光変換層及び基板の変形を抑制する変形抑制層と、を備えた固体検出器が開示されている。具体的には、基板の熱膨張率が光変換層の熱膨張率より小さい場合には、変形抑制層の熱膨張率を光変換層の熱膨張率より小さくし、逆に基板の熱膨張率が光変換層の熱膨張率より大きい場合には、変形抑制層の熱膨張率を光変換層の熱膨張率より大きくして、熱膨張による光変換層及び基板の変形を抑制している。   Therefore, Patent Document 1 discloses a light conversion layer, a substrate having a coefficient of thermal expansion different from that of the light conversion layer, and a deformation of the light conversion layer and the substrate that are provided in the light conversion layer and are caused by thermal expansion. There is disclosed a solid state detector comprising a deformation suppressing layer for suppressing the above. Specifically, when the thermal expansion coefficient of the substrate is smaller than the thermal expansion coefficient of the light conversion layer, the thermal expansion coefficient of the deformation suppression layer is made smaller than the thermal expansion coefficient of the light conversion layer, and conversely the thermal expansion coefficient of the substrate. Is larger than the thermal expansion coefficient of the light conversion layer, the thermal expansion coefficient of the deformation suppression layer is made larger than the thermal expansion coefficient of the light conversion layer to suppress deformation of the light conversion layer and the substrate due to thermal expansion.

また、特許文献2には、光導電層と、前記光導電層より熱膨張率が小さい熱膨張率を有する基板と、前記基板に接着剤により固定され、前記基板の熱膨張率より大きい熱膨張率を有する変形抑制層と、を備えた放射線検出器が開示されている。   Patent Document 2 discloses a photoconductive layer, a substrate having a thermal expansion coefficient smaller than that of the photoconductive layer, and a thermal expansion larger than the thermal expansion coefficient of the substrate fixed to the substrate with an adhesive. A radiation detector comprising a deformation suppression layer having a rate is disclosed.

特開平2003−209232号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-209232 特開平2008−235657号公報JP 2008-235657 A

しかしながら、特許文献1の構成では、変形抑制層を光変換層に接着剤等で固定する必要があるが、変形抑制層と光変換層の熱膨張率は相違するので、温度変化があった場合に変形抑制層と光変換層の熱膨張量が相違して、これらを接着固定する接着剤の接着強度によっては接着剤が剥がれて、変形抑制層が機能しなくなる虞がある。   However, in the configuration of Patent Document 1, it is necessary to fix the deformation suppression layer to the light conversion layer with an adhesive or the like. However, since the thermal expansion coefficients of the deformation suppression layer and the light conversion layer are different, there is a temperature change. However, the thermal expansion amounts of the deformation suppression layer and the light conversion layer are different, and depending on the adhesive strength of the adhesive that bonds and fixes them, the adhesive may be peeled off and the deformation suppression layer may not function.

同様に、特許文献2の構成では、変形抑制層を基板に接着剤で固定しているが、変形抑制層と基板の熱膨張率は相違するので、温度変化があった場合に変形抑制層と基板の熱膨張量が相違して、これらを接着固定する接着剤の接着強度によっては接着剤が剥がれて、変形抑制層が機能しなくなる虞がある。   Similarly, in the configuration of Patent Document 2, the deformation suppression layer is fixed to the substrate with an adhesive. However, since the coefficient of thermal expansion of the deformation suppression layer and the substrate is different, the deformation suppression layer The thermal expansion amounts of the substrates are different, and depending on the adhesive strength of the adhesive that bonds and fixes them, the adhesive may be peeled off and the deformation suppression layer may not function.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described facts, and an object of the present invention is to provide a radiation detector and a radiographic imaging apparatus capable of suppressing warpage due to a temperature change regardless of adhesive strength.

本発明の第1態様に係る放射線検出器は、入射する放射線を光に変換するシンチレータ層と、面上に前記シンチレータ層が設けられ、前記シンチレータ層から放出された光を電荷に変換する光検出基板と、熱膨張率が互いに異なる二枚の金属板を接合して構成され、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側に設けられ、設けられた場所の熱膨張率と近い一方の金属板が内側に配置され、他方の金属板が外側に配置されて、前記光検出基板の反りを抑制するバイメタルと、を備える。   The radiation detector according to the first aspect of the present invention includes a scintillator layer that converts incident radiation into light, and a photodetection that includes the scintillator layer on a surface and converts light emitted from the scintillator layer into electric charge. A substrate and two metal plates having different thermal expansion coefficients are joined to each other, provided on the light detection substrate side or the scintillator layer side, and one metal plate close to the thermal expansion coefficient at the provided location. A bimetal disposed on the inner side and the other metal plate disposed on the outer side to suppress warpage of the light detection substrate.

この構成によれば、バイメタルが設けられた場所、すなわち光検出基板又はシンチレータ層の熱膨張率と近い一方の金属板が内側(前記設けられた場所側)に配置されるので、互いに向かい合うこととなる、バイメタルが設けられた場所とバイメタルの一方の金属板との熱膨張量の差を小さくでき、仮にバイメタルが設けられた場所と一方の金属板が接着強度の低い接着剤で貼り合わされていても、温度変化があったときの熱膨張量の差により接着剤が剥がれるということを抑制できる。また、温度変化により発生する光検出基板の反りは、二枚の金属板で構成されたバイメタルにより抑制することができる。
従って、接着強度が低くても反りを抑制できることから、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器を提供することができる。
According to this configuration, the place where the bimetal is provided, that is, one metal plate close to the coefficient of thermal expansion of the light detection substrate or the scintillator layer is arranged on the inner side (the place where the scintillator is provided). The difference in thermal expansion between the place where the bimetal is provided and one metal plate of the bimetal can be reduced, and the place where the bimetal is provided and the one metal plate are pasted together with an adhesive having low adhesive strength. Moreover, it can suppress that an adhesive peels according to the difference in the amount of thermal expansion when there is a temperature change. In addition, the warp of the light detection substrate caused by a temperature change can be suppressed by a bimetal composed of two metal plates.
Accordingly, since the warpage can be suppressed even when the adhesive strength is low, it is possible to provide a radiation detector capable of suppressing the warpage due to the temperature change regardless of the adhesive strength.

本発明の第2態様に係る放射線検出器は、前記シンチレータ層側には、前記シンチレータ層の支持体が設けられ、前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体に設けられる。   In the radiation detector according to the second aspect of the present invention, a support for the scintillator layer is provided on the scintillator layer side, and the bimetal is provided on the light detection substrate or the support.

このようにシンチレータ層側に当該シンチレータ層の支持体が設けられていても、バイメタルが光検出基板又は支持体に設けられているため、光検出基板の反りを抑制することが可能となる。   Thus, even if the scintillator layer support is provided on the scintillator layer side, since the bimetal is provided on the photodetection substrate or the support, warpage of the photodetection substrate can be suppressed.

本発明の第3態様に係る放射線検出器は、前記支持体は、前記光検出基板よりも熱膨張率が高い。   In the radiation detector according to the third aspect of the present invention, the support has a higher coefficient of thermal expansion than the photodetection substrate.

この構成によれば、温度変化があったときに支持体の熱膨張量が光検出基板の熱膨張量よりも大きくなり、光検出基板及び支持体の反る可能性が高くなるが、このような場合であっても、バイメタルよって光検出基板及び支持体の反りを確実に抑制することができる。   According to this configuration, when the temperature changes, the thermal expansion amount of the support becomes larger than the thermal expansion amount of the light detection substrate, and the possibility that the light detection substrate and the support warp increases. Even in such a case, the bimetal can surely suppress the warpage of the light detection substrate and the support.

本発明の第4態様に係る放射線検出器は、前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶体を含んで構成される。   In the radiation detector according to the fourth aspect of the present invention, the scintillator layer includes a plurality of columnar crystals.

このように、シンチレータ層を複数の柱状結晶体を含んで構成することもできる。   Thus, the scintillator layer can also be configured to include a plurality of columnar crystals.

本発明の第5態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体のうち熱膨張率が高い側に設けられる。   In the radiation detector according to a fifth aspect of the present invention, the bimetal is provided on a side of the photodetection substrate or the support that has a high coefficient of thermal expansion.

この構成によれば、反りの原因となっている光検出基板又は支持体にバイメタルが設けられることになるので、確実に放射線検出器の反りを抑制できる。   According to this configuration, since the bimetal is provided on the light detection substrate or the support that causes the warp, it is possible to reliably suppress the warp of the radiation detector.

本発明の第6態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは前記支持体に設けられ、前記光検出基板が放射線の照射面とされている。   In the radiation detector according to the sixth aspect of the present invention, the bimetal is provided on the support, and the light detection substrate is a radiation irradiation surface.

この構成によれば、放射線は、光検出基板を透過した後、シンチレータ層に照射される。すなわち、バイメタルを介さずシンチレータ層に照射されることになるので、バイメタルが放射線の邪魔とならず、放射線から得られる画質が劣化することを防止できる。   According to this configuration, the radiation is applied to the scintillator layer after passing through the light detection substrate. That is, since the scintillator layer is irradiated without going through the bimetal, the bimetal does not interfere with the radiation, and the image quality obtained from the radiation can be prevented from deteriorating.

本発明の第7態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側において、熱膨張により反りが発生する部分に設けられている。   In the radiation detector according to the seventh aspect of the present invention, the bimetal is provided in a portion where warpage occurs due to thermal expansion on the light detection substrate side or the scintillator layer side.

この構成によれば、光検出基板の熱膨張による反りを確実に抑制できる。   According to this structure, the curvature by the thermal expansion of a photon detection board | substrate can be suppressed reliably.

本発明の第8態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の中心部分に設けられている。   In the radiation detector according to the eighth aspect of the present invention, the bimetal is provided in a central portion on the light detection substrate side or the scintillator layer side.

この構成によれば、温度変化による反り量が大きい中心部分の反りを確実に抑制できる。   According to this configuration, it is possible to reliably suppress the warpage of the central portion where the warpage amount due to the temperature change is large.

本発明の第9態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の破壊強度の低い部分に設けられている。   In the radiation detector according to the ninth aspect of the present invention, the bimetal is provided in a portion having a low breaking strength on the light detection substrate side or the scintillator layer side.

この構成によれば、破壊され易い箇所の反りを確実に抑制して、当該破壊を防止することができる。   According to this configuration, it is possible to reliably suppress warpage of a portion that is easily destroyed and prevent the destruction.

本発明の第10態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記設けられた場所と接着剤で貼り合わされている。   In the radiation detector according to the tenth aspect of the present invention, the bimetal is bonded to the provided place with an adhesive.

このように、バイメタルが、当該バイメタルの設けられた場所と接着剤で貼り合わせられていても、互いに向かい合うこととなる、バイメタルの設けられた場所とバイメタルの一方の金属板との熱膨張量の差を小さくできるため、熱膨張量の差により接着剤が剥がれる心配がない。   In this way, even when the bimetal is bonded to the place where the bimetal is provided with an adhesive, the amount of thermal expansion between the place where the bimetal is provided and one of the metal plates of the bimetal is opposed to each other. Since the difference can be reduced, there is no fear of the adhesive peeling due to the difference in thermal expansion.

本発明の第11態様に係る放射線検出器は、筐体と、前記筐体に格納され、上記何れか1つに記載の放射線検出器と、を備え、前記放射線検出器の前記バイメタルは、前記筐体に取り付けられ、前記放射線検出器の他の構成と離間している。   A radiation detector according to an eleventh aspect of the present invention includes a housing and the radiation detector according to any one of the above, which is stored in the housing, and the bimetal of the radiation detector includes the bimetal Attached to the housing and spaced apart from the other components of the radiation detector.

この構成によれば、バイメタルは、筐体に取り付けられているため、温度変化があったときには放射線検出器の他の構成方向に反ることになり、光検出基板、ひいては放射線検出器の反りを抑制できる。即ち、バイメタルが放射線検出器の他の構成と接着剤により貼り合わされていなくても(接着強度が0でも)、温度変化によりバイメタルが光検出基板の反りを抑制するように反ることが可能となる。
また、バイメタルが放射線検出器の他の構成と離間しているので、温度変化によりバイメタルが反って放射線検出器の他の構成に当接した後に、バイメタルの反り力を光検出基板に作用させて光検出基板の反りを抑制することになる。この結果、当該当接前までは光検出基板の反りを容認し、光検出基板にバイメタルの反り力を作用させる頻度を減らし、光検出基板又はシンチレータ層等にクラックが入ったりすることを抑制することができる。
According to this configuration, since the bimetal is attached to the housing, when there is a temperature change, it will warp in the other configuration direction of the radiation detector, and the warp of the light detection substrate and thus the radiation detector will be Can be suppressed. That is, even if the bimetal is not bonded to the other components of the radiation detector by an adhesive (even if the adhesive strength is 0), the bimetal can be warped so as to suppress the warpage of the light detection substrate due to a temperature change. Become.
Also, since the bimetal is separated from the other components of the radiation detector, the bimetal warps due to temperature changes and comes into contact with the other components of the radiation detector, and then the bimetallic warping force is applied to the light detection substrate. The warp of the light detection substrate is suppressed. As a result, the warpage of the light detection substrate is accepted before the contact, the frequency of applying the bimetallic warping force to the light detection substrate is reduced, and the occurrence of cracks in the light detection substrate or the scintillator layer is suppressed. be able to.

本発明の第12態様に係る放射線画像撮影装置は、上記何れか1つに記載の放射線検出器と、前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第1温度センサと、前記バイメタルの温度を検出する第2温度センサと、前記第1温度センサと前記第2温度センサとの検出温度に基づき、前記放射線検出器が反ると判断した場合に、警告を発する警告手段と、を備える。   A radiographic imaging device according to a twelfth aspect of the present invention includes a radiation detector according to any one of the above, a first temperature sensor that detects a temperature of the photodetection substrate or the scintillator layer, and a temperature of the bimetal. And a warning means for issuing a warning when it is determined that the radiation detector is warped based on the detected temperatures of the first temperature sensor and the second temperature sensor.

この構成によれば、例えば、第1温度センサと第2温度センサとの検出温度が大きく相違、即ち光検出基板又はシンチレータ層とバイメタルの温度が大きく相違していた場合、バイメタルの反り量が光検出基板及びシンチレータ層の反り量を抑制する量未満になったり超えたりして、バイメタルがあったとしても光検出基板及びシンチレータ層、すなわち放射線検出器が反る場合がある。このような場合でも、警告手段が第1温度センサと第2温度センサとの検出温度に基づき、放射線検出器が反ると判断して警告を発することができるので、放射線検出器に反りがあるときに撮影動作を開始させる等の誤動作を防止することができる。   According to this configuration, for example, when the detected temperatures of the first temperature sensor and the second temperature sensor are greatly different, that is, when the temperature of the light detection substrate or scintillator layer and the bimetal is greatly different, the amount of warpage of the bimetal is less than the light amount. Even if there is a bimetal, the photodetection substrate and the scintillator layer, that is, the radiation detector may be warped because the amount of warpage of the detection substrate and the scintillator layer is less than or exceeded. Even in such a case, since the warning means can determine that the radiation detector is warped based on the detected temperatures of the first temperature sensor and the second temperature sensor and issue a warning, the radiation detector is warped. It is possible to prevent malfunctions such as sometimes starting a shooting operation.

本発明の第13態様に係る放射線画像撮影装置は、上記何れか1つに記載の放射線検出器と、前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第1温度センサと、前記バイメタルの温度を検出する第2温度センサと、前記第1温度センサと前記第2温度センサとの検出温度に差異があった場合に、前記光検出基板及び前記シンチレータ層の温度と前記バイメタルの温度とを同一とする温度調整機構と、を備える。   A radiographic imaging device according to a thirteenth aspect of the present invention is the radiation detector according to any one of the above, a first temperature sensor that detects a temperature of the light detection substrate or the scintillator layer, and a temperature of the bimetal. When there is a difference in detection temperature between the second temperature sensor for detecting the temperature and the first temperature sensor and the second temperature sensor, the temperature of the photodetection substrate and the scintillator layer is equal to the temperature of the bimetal. And a temperature adjusting mechanism.

この構成によれば、光検出基板又はシンチレータ層の温度とバイメタルの温度に差異が生じても、温度調整機構により光検出基板及びシンチレータ層と、バイメタルの温度とが同一とされるので、放射線検出器の反りを確実に抑制することができる。   According to this configuration, even if there is a difference between the temperature of the light detection substrate or scintillator layer and the temperature of the bimetal, the temperature adjustment mechanism makes the temperature of the light detection substrate and scintillator layer the same as that of the bimetal. The warpage of the vessel can be reliably suppressed.

本発明の第14態様に係る放射線画像撮影装置は、上記何れか1つに記載の放射線検出器と、前記バイメタルに電流を流し、前記バイメタルの反り量を制御するバイメタル制御手段と、を備える。   A radiographic imaging device according to a fourteenth aspect of the present invention includes the radiation detector according to any one of the above, and a bimetal control unit that controls the amount of warpage of the bimetal by causing a current to flow through the bimetal.

この構成によれば、例えば光検出基板の反りに応じて、当該反りが抑制できるように、バイメタルの反り量を適宜制御することができる。   According to this configuration, the amount of warp of the bimetal can be appropriately controlled so that the warp can be suppressed, for example, according to the warp of the light detection substrate.

本発明によれば、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the radiation detector and radiographic imaging apparatus which can suppress the curvature by a temperature change irrespective of adhesive strength can be provided.

放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。It is the schematic which shows arrangement | positioning of the electronic cassette at the time of radiographic image photography. 電子カセッテの内部構造を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the internal structure of an electronic cassette. 電子カセッテの回路図を示す図である。It is a figure which shows the circuit diagram of an electronic cassette. 本発明の第1実施形態に係る電子カセッテの断面構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cross-sectional structure of the electronic cassette concerning 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cross-sectional structure of the radiation detector which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る放射線検出器の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the radiation detector which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cross-sectional structure of the radiation detector which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る放射線検出器の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the radiation detector which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cross-sectional structure of the radiation detector which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る放射線検出器の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the radiation detector which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの断面構成を示した断面図であって、(A)は温度変化前の状態を示す図であり、(B)は温度変化後の状態を示す図である。It is sectional drawing which showed the cross-sectional structure of the electronic cassette as an example of the radiographic imaging apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention, (A) is a figure which shows the state before temperature change, (B) is It is a figure which shows the state after temperature change. 本発明の第5実施形態に係る放射線画像撮影システムの電気系の要部構成を示す図である。It is a figure which shows the principal part structure of the electric system of the radiographic imaging system which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態に係る電子カセッテの断面構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cross-sectional structure of the electronic cassette concerning 5th Embodiment of this invention. 電子カセッテのカセッテ制御部におけるCPUにより実行される警告プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the warning program performed by CPU in the cassette control part of an electronic cassette. バイメタルの変形例を示す図であり、放射線検出器の上面図である。It is a figure which shows the modification of a bimetal, and is a top view of a radiation detector.

(第1実施形態)
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器及び放射線画像撮影装置について具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材(構成要素)には同じ符号を付して適宜説明を省略する。
(First embodiment)
Hereinafter, the radiation detector and the radiographic imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, members (components) having the same or corresponding functions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate.

−放射線画像撮影装置の全体構成−
まず、本発明の第1実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの構成を説明する。
-Overall configuration of radiographic imaging device-
First, the configuration of an electronic cassette as an example of a radiographic imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described.

本発明の第1実施形態に係る電子カセッテは、可搬性を有し、被写体を透過した放射線源からの放射線を検出し、その検出した放射線により表わされる放射線画像の画像情報を生成し、その生成した画像情報を記憶可能な放射線画像撮影装置であり、具体的には以下に示すように構成されている。なお、電子カセッテは、生成した画像情報を記憶しない構成であっても良い。   The electronic cassette according to the first embodiment of the present invention has portability, detects radiation from a radiation source that has passed through the subject, generates image information of a radiographic image represented by the detected radiation, and generates the same The radiographic image capturing apparatus is capable of storing the obtained image information, and is specifically configured as follows. The electronic cassette may be configured not to store the generated image information.

図1は、放射線画像撮影時における電子カセッテ10の配置を示す概略図である。   FIG. 1 is a schematic view showing the arrangement of the electronic cassette 10 at the time of radiographic imaging.

電子カセッテ10は、放射線画像の撮影時において、放射線Xを発生させる放射線源としての放射線発生部12と間隔を空けて配置される。このときの放射線発生部12と電子カセッテ10との間は、被写体としての患者14が位置するための撮影位置とされており、放射線画像の撮影が指示されると、放射線発生部12は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Xを射出する。放射線発生部12から射出された放射線Xは、撮影位置に位置している患者14を透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ10に照射される。   The electronic cassette 10 is arranged at a distance from the radiation generation unit 12 as a radiation source for generating the radiation X at the time of capturing a radiation image. The space between the radiation generation unit 12 and the electronic cassette 10 at this time is an imaging position for the patient 14 as a subject to be positioned. When an instruction to capture a radiographic image is given, the radiation generation unit 12 gives in advance. Radiation X having a radiation dose according to the imaging conditions is emitted. The radiation X emitted from the radiation generation unit 12 passes through the patient 14 located at the imaging position, and is applied to the electronic cassette 10 after carrying image information.

図2は、電子カセッテ10の内部構造を示す概略斜視図である。   FIG. 2 is a schematic perspective view showing the internal structure of the electronic cassette 10.

電子カセッテ10は、放射線Xを透過させる材料から成り、所定の厚みを有する平板状の筐体16を備えている。そして、この筐体16の内部に、放射線Xが照射される筐体16の照射面18側から、患者14を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、及び当該放射線検出器20を制御する制御基板22が順に設けられている。   The electronic cassette 10 is made of a material that transmits the radiation X, and includes a flat housing 16 having a predetermined thickness. And the radiation detector 20 which detects the radiation X which permeate | transmitted the patient 14 from the irradiation surface 18 side of the housing | casing 16 where radiation X is irradiated inside this housing | casing 16, and the said radiation detector 20 are controlled. A control board 22 is provided in order.

図3は、電子カセッテ10の回路図を示す図である。   FIG. 3 is a circuit diagram of the electronic cassette 10.

放射線検出器20は、上部電極と半導体層と下部電極を備え、光を受けて電荷を蓄積するセンサ部24と、センサ部24に蓄積された電荷を読み出すためのTFTスイッチ26と、を含んで構成される画素28が2次元状に多数設けられたTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板30(以下、TFT基板という)を備えている   The radiation detector 20 includes an upper electrode, a semiconductor layer, and a lower electrode, and includes a sensor unit 24 that receives light and accumulates charges, and a TFT switch 26 for reading out the charges accumulated in the sensor unit 24. The configured pixel 28 includes a TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrate 30 (hereinafter referred to as a TFT substrate) provided with a number of two-dimensionally provided pixels.

また、TFT基板30には、前述したTFTスイッチ26をON/OFFするための複数の走査配線32と、センサ部24に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線34と、が互いに交差して設けられている。   Further, on the TFT substrate 30, a plurality of scanning wirings 32 for turning on / off the above-described TFT switch 26 and a plurality of signal wirings 34 for reading out charges accumulated in the sensor unit 24 intersect each other. Is provided.

本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20では、TFT基板30の表面にシンチレータ層36が貼り付けられている。   In the radiation detector 20 according to the first embodiment of the present invention, the scintillator layer 36 is attached to the surface of the TFT substrate 30.

シンチレータ層36は、照射されたX線、γ線などの放射線Xを光に変換する。センサ部24は、シンチレータ層36から照射された光を受けて電荷を蓄積する。   The scintillator layer 36 converts the irradiated radiation X such as X-rays and γ-rays into light. The sensor unit 24 receives the light emitted from the scintillator layer 36 and accumulates electric charges.

そして、各信号配線34には、信号配線34に接続された何れかのTFTスイッチ26がONされることによりセンサ部24に蓄積された電荷量に応じて放射線画像を示す電気信号(画像信号)が流れるようになっている。   Each signal wiring 34 has an electrical signal (image signal) indicating a radiation image in accordance with the amount of charge accumulated in the sensor unit 24 when any TFT switch 26 connected to the signal wiring 34 is turned on. Is flowing.

また、放射線検出器20の信号配線34方向の一端側には、結線用のコネクタ38が複数個並んで設けられ、走査配線32方向の一端側には、コネクタ40が複数個並んで設けられている。そして、各信号配線34はコネクタ38に接続され、各走査配線32はコネクタ40に接続されている。   Further, a plurality of connection connectors 38 are arranged side by side on one end side in the signal wiring 34 direction of the radiation detector 20, and a plurality of connectors 40 are arranged on one end side in the scanning wiring 32 direction. Yes. Each signal wiring 34 is connected to a connector 38, and each scanning wiring 32 is connected to a connector 40.

これらコネクタ38には、フレキシブルケーブル42の一端が電気的に接続されている。また、コネクタ40には、フレキシブルケーブル44の一端が電気的に接続されている。
そして、これらフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44は、制御基板22に結合されている。
One end of a flexible cable 42 is electrically connected to these connectors 38. One end of the flexible cable 44 is electrically connected to the connector 40.
The flexible cable 42 and the flexible cable 44 are coupled to the control board 22.

この制御基板22には、放射線検出器20による撮影動作の制御、及び各信号配線34に流れる電気信号に対する信号処理の制御を行う制御部46が設けられ、制御部46は、信号検出回路48と、スキャン信号制御回路50と、を備えている。   The control board 22 is provided with a control unit 46 for controlling the imaging operation by the radiation detector 20 and controlling the signal processing for the electric signal flowing through each signal wiring 34. The control unit 46 includes a signal detection circuit 48 and a control unit 46. And a scan signal control circuit 50.

信号検出回路48には、複数個のコネクタ52が設けられており、これらのコネクタ52に、上述したフレキシブルケーブル42の他端が電気的に接続されている。信号検出回路48は、信号配線34毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。この構成により、信号検出回路48は、各信号配線34より入力される電気信号を増幅回路により増幅して検出することで、画像を構成する各画素28の情報として、各センサ部24に蓄積された電荷量を検出する。   The signal detection circuit 48 is provided with a plurality of connectors 52, and the other end of the flexible cable 42 described above is electrically connected to these connectors 52. The signal detection circuit 48 incorporates an amplification circuit for amplifying an input electric signal for each signal wiring 34. With this configuration, the signal detection circuit 48 amplifies and detects the electric signal input from each signal wiring 34 by the amplification circuit, and is stored in each sensor unit 24 as information of each pixel 28 constituting the image. Detect the amount of charge.

一方、スキャン信号制御回路50には、複数個のコネクタ54が設けられており、これらのコネクタ54に、上述したフレキシブルケーブル44の他端が電気的に接続されており、スキャン信号制御回路50が各走査配線32にTFTスイッチ26をON/OFFするための制御信号を出力可能とされている。   On the other hand, the scan signal control circuit 50 is provided with a plurality of connectors 54, and the other end of the flexible cable 44 described above is electrically connected to these connectors 54. A control signal for turning on / off the TFT switch 26 can be output to each scanning wiring 32.

このような構成において放射線画像の撮影を行う場合、放射線検出器20には患者14を透過した放射線Xが照射される。照射された放射線Xはシンチレータ層36で光に変換され、センサ部24に照射される。センサ部24は、シンチレータ層36から照射された光を受けて電荷を蓄積する。   When taking a radiographic image in such a configuration, the radiation detector 20 is irradiated with the radiation X transmitted through the patient 14. The irradiated radiation X is converted into light by the scintillator layer 36 and irradiated to the sensor unit 24. The sensor unit 24 receives the light emitted from the scintillator layer 36 and accumulates electric charges.

画像読出時には、スキャン信号制御回路50から放射線検出器20のTFTスイッチ26のゲート電極に走査配線32を介して順次ON信号(+10〜20V)が印加される。これにより、放射線検出器20のTFTスイッチ26が順次ONされることによりセンサ部24に蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線34に流れ出す。信号検出回路48は、放射線検出器20の信号配線34に流れ出した電気信号に基づいて各センサ部24に蓄積された電荷量を、画像を構成する各画素28の情報として検出する。これにより、放射線検出器20に照射された放射線により示される画像を示す画像情報を得る。   At the time of image reading, an ON signal (+10 to 20 V) is sequentially applied from the scan signal control circuit 50 to the gate electrode of the TFT switch 26 of the radiation detector 20 via the scanning wiring 32. Thereby, when the TFT switch 26 of the radiation detector 20 is sequentially turned on, an electrical signal corresponding to the amount of charge accumulated in the sensor unit 24 flows out to the signal wiring 34. The signal detection circuit 48 detects the amount of electric charge accumulated in each sensor unit 24 based on the electric signal that has flowed out to the signal wiring 34 of the radiation detector 20 as information of each pixel 28 constituting the image. Thereby, the image information which shows the image shown with the radiation irradiated to the radiation detector 20 is obtained.

−電子カセッテ10の構成−
次に、本発明の第1実施形態に係る電子カセッテ10の構成についてより具体的に説明する。図4は、本発明の第1実施形態に係る電子カセッテ10の断面構成を示した断面図である。
-Configuration of electronic cassette 10-
Next, the configuration of the electronic cassette 10 according to the first embodiment of the present invention will be described more specifically. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of the electronic cassette 10 according to the first exemplary embodiment of the present invention.

同図に示すように、電子カセッテ10は、その筐体16内部に、放射線Xが照射される照射面18の逆側から順に、上述の制御基板22と、基台56と、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20と、を内蔵している。   As shown in the figure, the electronic cassette 10 is arranged in the housing 16 in order from the opposite side of the irradiation surface 18 irradiated with the radiation X, the control board 22, the base 56, and the first of the present invention. The radiation detector 20 according to one embodiment is incorporated.

基台56は、筐体16内部の底面上に、支持脚58を介して載置されている。そして、この基台56の下面に制御基板22が固定されている。この制御基板22には、上述のフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44を介して、放射線検出器20が連結されている。
なお、以下、実施形態で「上」とは、制御基板22側から放射線検出器20側の方向であり、「下」とは放射線検出器20側から制御基板22側の方向を指すものとする。
The base 56 is placed on the bottom surface inside the housing 16 via support legs 58. The control board 22 is fixed to the lower surface of the base 56. The radiation detector 20 is connected to the control board 22 via the flexible cable 42 and the flexible cable 44 described above.
In the following embodiments, “up” refers to the direction from the control board 22 side to the radiation detector 20 side, and “down” refers to the direction from the radiation detector 20 side to the control board 22 side. .

本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20は、矩形平板状とされ、上述のように患者14を透過した放射線Xにより現される放射線画像を検出するものであり、TFT基板30と、シンチレータ層36と、バイメタル60と、から構成されている。   The radiation detector 20 according to the first embodiment of the present invention has a rectangular flat plate shape and detects a radiation image expressed by the radiation X transmitted through the patient 14 as described above. It consists of a scintillator layer 36 and a bimetal 60.

TFT基板30は、基台56上に後述するバイメタル60を介して載置されており、上述のTFTスイッチ26とセンサ部24とが不図示の基板上に形成されて構成されたものである。   The TFT substrate 30 is placed on a base 56 via a bimetal 60 which will be described later, and the TFT switch 26 and the sensor unit 24 described above are formed on a substrate (not shown).

TFT基板30の基板材料は、本第1実施形態においては、シンチレータ層36よりも熱膨張率が高いものであれば特に限定されない。この基板材料としては、基板として一般的に用いられるもの全てを用いることができるが、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料の他、飽和ポリエステル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)系樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、架橋フマル酸ジエステル系樹脂、ポリカーボネート(PC)系樹脂、ポリエーテルスルフォン(PES)樹脂、ポリスルフォン(PSF,PSU)樹脂、ポリアリレート(PAR)樹脂、アリルジグリコールカーボネート、環状ポリオレフィン(COP,COC)樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド(PI)樹脂、ポリアミドイミド(PAI)樹脂、マレイミド−オレフィン樹脂、ポリアミド(Pa)樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂フィルム、ポリベンズアゾール系樹脂、エピスルフィド化合物、液晶ポリマー(LCP)、シアネート系樹脂、芳香族エーテル系樹脂などの有機材料などが挙げられる。その他にも酸化ケイ素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子・無機酸化物ナノ粒子・無機窒化物ナノ粒子などとの複合プラスチック材料、金属系・無機系のナノファイバー及び/又はマイクロファイバーとの複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレーク・ガラスファイバー・ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料や無機層(例えばSiO, Al, SiO)と上述した材料からなる有機層を交互に積層することで、少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属積層材料、アルミニウム基板、あるいは表面に酸化処理(例えば、陽極酸化処理)を施すことで表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板を使用することもできる。前記有機材料の場合、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。 The substrate material of the TFT substrate 30 is not particularly limited as long as it has a higher thermal expansion coefficient than the scintillator layer 36 in the first embodiment. As the substrate material, all materials generally used as substrates can be used. For example, in addition to inorganic materials such as YSZ (zirconia stabilized yttrium) and glass, saturated polyester resins, polyethylene terephthalate (PET) systems. Resin, polyethylene naphthalate (PEN) resin, polybutylene terephthalate resin, polystyrene, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), crosslinked fumaric acid diester resin, polycarbonate (PC) resin, polyether Sulphone (PES) resin, polysulfone (PSF, PSU) resin, polyarylate (PAR) resin, allyl diglycol carbonate, cyclic polyolefin (COP, COC) resin, cellulosic resin, polyimide (PI) resin, polyamideimide ( AI) resin, maleimide-olefin resin, polyamide (Pa) resin, acrylic resin, fluorine resin, epoxy resin, silicone resin film, polybenzazole resin, episulfide compound, liquid crystal polymer (LCP), cyanate resin And organic materials such as aromatic ether resins. Other composite plastic materials with silicon oxide particles, composite plastic materials with metal nanoparticles / inorganic oxide nanoparticles / inorganic nitride nanoparticles, composites with metal / inorganic nanofibers and / or microfibers Plastic material, carbon fiber, composite plastic material with carbon nanotube, composite plastic material with glass ferret, glass fiber, glass bead, composite plastic material with clay mineral or particles with mica derived crystal structure, thin glass and above alone By alternately laminating a laminated plastic material or inorganic layer (for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , SiO x N y ) having at least one bonding interface with an organic material and an organic layer made of the above-described material. , Having a barrier performance having at least one bonding interface Aluminum with an oxide film whose surface insulation is improved by applying an oxidation treatment (for example, anodizing treatment) to a composite material, stainless steel, or a metal laminate material obtained by laminating stainless and different metals, an aluminum substrate, or the surface. A substrate can also be used. In the case of the organic material, it is preferable that the organic material is excellent in dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, workability, low air permeability, low hygroscopicity, and the like.

また、TFT基板30の基板材料としては、バイオナノファイバも用いることができる。バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄くTFT基板30を形成できる。
また、無色透明のアラミドフィルムを用いることもできる。このアラミドフィルムは、315℃までの耐熱性があり、ガラス基板と熱膨張率が近いために製造後の反りが少なく、かつ割れにくいという有利な特徴を持つ。
Further, as a substrate material of the TFT substrate 30, bionanofiber can also be used. The bionanofiber is a composite of a cellulose microfibril bundle (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60-70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. A thin TFT substrate 30 can be formed.
A colorless and transparent aramid film can also be used. This aramid film has heat resistance up to 315 ° C., and has an advantageous feature that it has a low coefficient of thermal expansion since it has a thermal expansion coefficient close to that of a glass substrate, and is difficult to break.

このTFT基板30の上面には、上述のシンチレータ層36が貼り付けられている。
シンチレータ層36の材料は、本第1実施形態においては、TFT基板30よりも熱膨張率が低いものであれば、特に限定されない。このシンチレータ層36の材料としては、シンチレータとして一般的に用いられるもの全てを用いることができるが、例えば、GOS(GdS:Tb)等が挙げられる。
The above-described scintillator layer 36 is attached to the upper surface of the TFT substrate 30.
In the first embodiment, the material of the scintillator layer 36 is not particularly limited as long as the coefficient of thermal expansion is lower than that of the TFT substrate 30. As the material of the scintillator layer 36, any material generally used as a scintillator can be used, and examples thereof include GOS (Gd 2 O 2 S: Tb).

このシンチレータ層36の上面側には、隙間を介して筐体16の照射面18が配置されており、この照射面18から、放射線Xが表面照射される。すなわち、放射線検出器20のシンチレータ層36が堆積された表側から照射されることになり、放射線検出器20単体でみると、シンチレータ層36の上端面36Aが放射線Xの照射面となる。   On the upper surface side of the scintillator layer 36, the irradiation surface 18 of the housing 16 is disposed through a gap, and the radiation X is irradiated on the surface from the irradiation surface 18. That is, irradiation is performed from the front side where the scintillator layer 36 of the radiation detector 20 is deposited, and the upper end surface 36A of the scintillator layer 36 becomes an irradiation surface of the radiation X when viewed by the radiation detector 20 alone.

ここで、TFT基板30とシンチレータ層36の熱膨張率は相違しているため、温度変化によってTFT基板30及びシンチレータ層36が反る虞がある。   Here, since the thermal expansion coefficients of the TFT substrate 30 and the scintillator layer 36 are different, the TFT substrate 30 and the scintillator layer 36 may be warped due to temperature changes.

そこで、本発明の第1実施形態では、TFT基板30及びシンチレータ層36の反りを抑制するバイメタル60をTFT基板30に設けている。以下、図5を用いて、具体的に説明する。   Therefore, in the first embodiment of the present invention, the bimetal 60 that suppresses the warpage of the TFT substrate 30 and the scintillator layer 36 is provided on the TFT substrate 30. Hereinafter, this will be specifically described with reference to FIG.

−放射線検出器20の断面構成−
図5は、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、シンチレータ層36が堆積されていない側のTFT基板30には、接着剤62を介してバイメタル60が貼り合わされている。
-Cross-sectional structure of the radiation detector 20-
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of the radiation detector 20 according to the first exemplary embodiment of the present invention.
As shown in the figure, a bimetal 60 is bonded to the TFT substrate 30 on the side where the scintillator layer 36 is not deposited via an adhesive 62.

バイメタル60の大きさは、特に限定されないが、例えばバイメタル60の面内方向の長さは、TFT基板30の面内方向の長さと同一である。
バイメタル60は、熱膨張率が相違する二枚の金属板を接合して構成されている。そして、これら二枚の金属板のうち熱膨張率が高い一方の金属板が、放射線検出器20の面外方向Zの内側に配置、即ちTFT基板30側に配置され、TFT基板30と貼り合わされている。また、他方の金属板が、放射線検出器20の面外方向Zの外側に配置されている。以下、バイメタル60の二枚の金属板のうち、TFT基板30に貼り合わせる側の一方の金属板を、高熱膨張板60Aと称し、他方の金属板を低熱膨張板60Bと称す場合がある。
The size of the bimetal 60 is not particularly limited. For example, the length in the in-plane direction of the bimetal 60 is the same as the length in the in-plane direction of the TFT substrate 30.
The bimetal 60 is configured by joining two metal plates having different thermal expansion coefficients. Of these two metal plates, one metal plate having a high thermal expansion coefficient is disposed inside the out-of-plane direction Z of the radiation detector 20, that is, disposed on the TFT substrate 30 side, and bonded to the TFT substrate 30. ing. The other metal plate is disposed outside the out-of-plane direction Z of the radiation detector 20. Hereinafter, of the two metal plates of the bimetal 60, one metal plate to be bonded to the TFT substrate 30 may be referred to as a high thermal expansion plate 60A, and the other metal plate may be referred to as a low thermal expansion plate 60B.

このように、二枚の金属板60A,60Bのうち高熱膨張板60Aを、シンチレータ層36よりも高い熱膨張率を有するTFT基板30に貼り合わせる、即ち、熱膨張率が高いもの同士を貼り合せることで、TFT基板30の熱膨張率と近い金属板60Aが、TFT基板30側に配置されるようにしている。   Thus, of the two metal plates 60A and 60B, the high thermal expansion plate 60A is bonded to the TFT substrate 30 having a higher thermal expansion coefficient than that of the scintillator layer 36, that is, those having a higher thermal expansion coefficient are bonded together. Thus, the metal plate 60A close to the coefficient of thermal expansion of the TFT substrate 30 is arranged on the TFT substrate 30 side.

−作用−
以上、本発明の第1実施形態の放射線検出器20によれば、バイメタル60の二枚の金属板60A,60Bのうち、シンチレータ層36の熱膨張率と近い高熱膨張板60Aが、TFT基板30側に配置されているので、TFT基板30とTFT基板30側に配置された高熱膨張板60Aとの熱膨張量の差を小さくでき、仮にTFT基板30と高熱膨張板60Aが接着強度の低い接着剤62で貼り合わされていても、温度変化があったときの熱膨張量の差により接着剤62が剥がれるということを抑制できる。
-Action-
As described above, according to the radiation detector 20 of the first embodiment of the present invention, the high thermal expansion plate 60A close to the thermal expansion coefficient of the scintillator layer 36 among the two metal plates 60A and 60B of the bimetal 60 is the TFT substrate 30. Therefore, the difference in thermal expansion between the TFT substrate 30 and the high thermal expansion plate 60A arranged on the TFT substrate 30 side can be reduced, and the TFT substrate 30 and the high thermal expansion plate 60A are temporarily bonded with low adhesive strength. Even if the adhesive 62 is bonded, it is possible to prevent the adhesive 62 from being peeled off due to a difference in thermal expansion when there is a temperature change.

ここで、シンチレータ層36の熱膨張率よりもTFT基板30の熱膨張率が高いため、温度変化があったときに、放射線検出器20の面外方向Zの二方向のうち一方に、シンチレータ層36及びTFT基板30が反る虞がある。しかしながら、本発明の第1実施形態の放射線検出器20によれば、バイメタル60の二枚の金属板60A,60Bのうち、高熱膨張板60Aを放射線検出器20の面外方向Zの内側に配置し、低熱膨張板60Bを放射線検出器20の面外方向Zの外側に配置しているため、シンチレータ層36及びTFT基板30の反り方向とは逆方向に反り力が発生する。そして、この逆方向の反り力は、シンチレータ層36及びTFT基板30に作用し、シンチレータ層36及びTFT基板30の反り抑制することができる。
以上より、接着剤62の接着強度が低くてもシンチレータ層36及びTFT基板30の反りを抑制できることから、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器20を提供することができる。
Here, since the coefficient of thermal expansion of the TFT substrate 30 is higher than the coefficient of thermal expansion of the scintillator layer 36, the scintillator layer is arranged in one of the two out-of-plane directions Z of the radiation detector 20 when there is a temperature change. 36 and the TFT substrate 30 may be warped. However, according to the radiation detector 20 of the first embodiment of the present invention, of the two metal plates 60A and 60B of the bimetal 60, the high thermal expansion plate 60A is arranged inside the out-of-plane direction Z of the radiation detector 20. Since the low thermal expansion plate 60B is disposed outside the out-of-plane direction Z of the radiation detector 20, a warping force is generated in a direction opposite to the warping direction of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30. The warping force in the reverse direction acts on the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 and can suppress warping of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30.
As described above, since the warpage of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 can be suppressed even when the adhesive strength of the adhesive 62 is low, it is possible to provide the radiation detector 20 capable of suppressing the warpage due to the temperature change regardless of the adhesive strength. Can do.

また、放射線検出器20では、シンチレータ層36の上端面36Aが放射線Xの照射面となることから、放射線検出器20に放射線Xが照射されても、放射線Xはバイメタル60を通過する前にシンチレータ層36に当たることになる。従って、バイメタル60が放射線Xの照射の邪魔とならず、放射線Xから得られる画質が劣化することを防止できる。   Further, in the radiation detector 20, since the upper end surface 36 </ b> A of the scintillator layer 36 is an irradiation surface of the radiation X, even when the radiation X is irradiated to the radiation detector 20, the radiation X is passed before passing through the bimetal 60. It will hit layer 36. Therefore, the bimetal 60 does not interfere with the irradiation of the radiation X, and the image quality obtained from the radiation X can be prevented from deteriorating.

−変形例−
次に、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の変形例について説明する。
-Modification-
Next, a modification of the radiation detector 20 according to the first embodiment of the present invention will be described.

本第1実施形態の放射線検出器20では、シンチレータ層36及びTFT基板30の反りを抑制するために、シンチレータ層36とTFT基板30のうち、TFT基板30側にバイメタル60を設ける場合を説明したが、図6に示すように、変形例の放射線検出器20Aでは、シンチレータ層36側にバイメタル70を設けるようにしてもよい。なお、バイメタル70は、上記バイメタル60と同様の構成であり、高熱膨張板70Aと低熱膨張板70Bの二枚の金属板を接合して構成されている。
ただし、この場合には、シンチレータ層36がTFT基板30よりも低い熱膨張率を有しているので、バイメタル70の二枚の金属板70A,70Bのうち、低熱膨張板70Bをシンチレータ層36に貼り合せる、即ち、熱膨張率が低いもの同士を貼り合せることで、シンチレータ層36の熱膨張率と近い金属板70Bが、シンチレータ層36側に配置されるようにしている。
In the radiation detector 20 of the first embodiment, the case where the bimetal 60 is provided on the TFT substrate 30 side of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 in order to suppress warpage of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 has been described. However, as shown in FIG. 6, in the radiation detector 20 </ b> A of the modification, a bimetal 70 may be provided on the scintillator layer 36 side. The bimetal 70 has the same configuration as the bimetal 60, and is configured by joining two metal plates, a high thermal expansion plate 70A and a low thermal expansion plate 70B.
However, in this case, since the scintillator layer 36 has a lower coefficient of thermal expansion than the TFT substrate 30, the low thermal expansion plate 70 B of the two metal plates 70 A and 70 B of the bimetal 70 is used as the scintillator layer 36. The metal plates 70B close to the thermal expansion coefficient of the scintillator layer 36 are arranged on the scintillator layer 36 side by bonding them together, that is, by bonding together those having a low thermal expansion coefficient.

このような変形例によれば、第1実施形態と同様に、シンチレータ層36の熱膨張率と近い低熱膨張板70Bが、シンチレータ層36側に配置されているので、シンチレータ層36とシンチレータ層36側に配置された低熱膨張板70Bとの熱膨張量の差を小さくでき、仮にシンチレータ層36と低熱膨張板70Bが接着強度の低い接着剤62で貼り合わされていても、温度変化があったときの熱膨張量の差により接着剤62が剥がれるということを抑制できる。また、温度変化により発生するシンチレータ層36及びTFT基板30の反りは、二枚の金属板70A,70Bで構成されたバイメタル70により抑制することができる。   According to such a modification, as in the first embodiment, the low thermal expansion plate 70B close to the thermal expansion coefficient of the scintillator layer 36 is disposed on the scintillator layer 36 side, so that the scintillator layer 36 and the scintillator layer 36 are arranged. The difference in thermal expansion amount with the low thermal expansion plate 70B arranged on the side can be reduced, and even if the scintillator layer 36 and the low thermal expansion plate 70B are bonded with the adhesive 62 having low adhesive strength, there is a change in temperature. It is possible to prevent the adhesive 62 from being peeled off due to the difference in thermal expansion amount. Further, the warpage of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 caused by the temperature change can be suppressed by the bimetal 70 constituted by the two metal plates 70A and 70B.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器について説明する。
(Second Embodiment)
Next, a radiation detector according to the second embodiment of the present invention will be described.

−放射線検出器の構成−
図7は、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器100の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器100の構成は、第1実施形態で説明した図5に示す構成と同様であるが、各構成の熱膨張率の関係が異なる。
−Configuration of radiation detector−
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of the radiation detector 100 according to the second exemplary embodiment of the present invention.
As shown in the figure, the configuration of the radiation detector 100 according to the second embodiment of the present invention is the same as the configuration shown in FIG. 5 described in the first embodiment, but the relationship between the thermal expansion coefficients of the respective configurations. Is different.

具体的には、第1実施形態では、TFT基板30が、シンチレータ層36よりも高い熱膨張率を有しているのに対し、第2実施形態では、TFT基板102が、シンチレータ層104よりも低い熱膨張率を有している。また、第1実施形態では、バイメタル60の二枚の金属板60A,60Bのうち、高熱膨張板60AがTFT基板30と貼り合わされているのに対し、第2実施形態では、バイメタル106の二枚の金属板106A, 106Bのうち、低熱膨張板106BがTFT基板102と貼り合わされている。   Specifically, in the first embodiment, the TFT substrate 30 has a higher coefficient of thermal expansion than the scintillator layer 36, whereas in the second embodiment, the TFT substrate 102 is more than the scintillator layer 104. It has a low coefficient of thermal expansion. In the first embodiment, of the two metal plates 60A and 60B of the bimetal 60, the high thermal expansion plate 60A is bonded to the TFT substrate 30, whereas in the second embodiment, two of the bimetal 106 are used. Of these metal plates 106A and 106B, the low thermal expansion plate 106B is bonded to the TFT substrate 102.

このように、バイメタル106の二枚の金属板106A, 106Bのうち低熱膨張板106Bを、シンチレータ層104よりも低い熱膨張率を有するTFT基板102に貼り合わせる、即ち、熱膨張率が低いもの同士を貼り合せることで、TFT基板30の熱膨張率と近い金属板106Bが、TFT基板102側に配置されるようにしている。   Thus, of the two metal plates 106A and 106B of the bimetal 106, the low thermal expansion plate 106B is bonded to the TFT substrate 102 having a thermal expansion coefficient lower than that of the scintillator layer 104, that is, those having a low thermal expansion coefficient. Is attached so that the metal plate 106B having a thermal expansion coefficient close to that of the TFT substrate 30 is arranged on the TFT substrate 102 side.

−作用−
以上、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器100によれば、TFT基板102にバイメタル106を設け、かつバイメタル106の二枚の金属板106A,106Bのうち、TFT基板102の熱膨張率と近い金属板106Bが、TFT基板102側に配置されているため、第1実施形態と同様に、接着剤62の接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能となる。
-Action-
As described above, according to the radiation detector 100 according to the second embodiment of the present invention, the bimetal 106 is provided on the TFT substrate 102, and the thermal expansion coefficient of the TFT substrate 102 among the two metal plates 106 </ b> A and 106 </ b> B of the bimetal 106. Since the metal plate 106 </ b> B close to the TFT substrate 102 is disposed on the TFT substrate 102 side, warpage due to temperature change can be suppressed regardless of the adhesive strength of the adhesive 62 as in the first embodiment.

−変形例−
次に、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器100の変形例について説明する。
-Modification-
Next, a modification of the radiation detector 100 according to the second embodiment of the present invention will be described.

本第2実施形態の放射線検出器100では、シンチレータ層104及びTFT基板102の反りを抑制するために、シンチレータ層104とTFT基板102のうち、TFT基板102側にバイメタル106を設ける場合を説明したが、図8に示すように、変形例の放射線検出器100Aでは、シンチレータ層104側にバイメタル110を設けるようにしてもよい。なお、バイメタル110は、上記バイメタル106と同様の構成であり、高熱膨張板110Aと低熱膨張板110Bの二枚の金属板を接合して構成されている。
ただし、この場合には、シンチレータ層104がTFT基板30よりも高い熱膨張率を有しているので、バイメタル110の二枚の金属板110A, 110Bのうち、高熱膨張板110Aをシンチレータ層104に貼り合せる、即ち、熱膨張率が高いもの同士を貼り合せることで、シンチレータ層104の熱膨張率と近い金属板110Aが、シンチレータ層104側に配置されるようにしている。
In the radiation detector 100 of the second embodiment, the case where the bimetal 106 is provided on the TFT substrate 102 side of the scintillator layer 104 and the TFT substrate 102 in order to suppress the warpage of the scintillator layer 104 and the TFT substrate 102 has been described. However, as shown in FIG. 8, in the radiation detector 100 </ b> A of the modification, a bimetal 110 may be provided on the scintillator layer 104 side. The bimetal 110 has the same configuration as the bimetal 106, and is formed by joining two metal plates, a high thermal expansion plate 110A and a low thermal expansion plate 110B.
However, in this case, since the scintillator layer 104 has a higher coefficient of thermal expansion than the TFT substrate 30, the high thermal expansion plate 110A of the two metal plates 110A and 110B of the bimetal 110 is used as the scintillator layer 104. The metal plates 110A close to the thermal expansion coefficient of the scintillator layer 104 are arranged on the scintillator layer 104 side by bonding them together, that is, by bonding together those having a high thermal expansion coefficient.

(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る放射線検出器について説明する。
(Third embodiment)
Next, a radiation detector according to a third embodiment of the present invention will be described.

−放射線検出器の構成−
図9は、本発明の第3実施形態に係る放射線検出器200の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、本発明の第3実施形態に係る放射線検出器200の構成は、第1実施形態で説明した図5に示す構成と同様の構成を備え、さらに蒸着用基板202が追加されている。
−Configuration of radiation detector−
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of a radiation detector 200 according to the third exemplary embodiment of the present invention.
As shown in the figure, the configuration of the radiation detector 200 according to the third embodiment of the present invention is the same as the configuration shown in FIG. 5 described in the first embodiment, and an additional deposition substrate 202 is added. Has been.

具体的には、第1実施形態の放射線検出器20では、TFT基板30が、シンチレータ層36よりも高い熱膨張率を有しているのに対し、第3実施形態の放射線検出器200では、シンチレータ層204がCsI:Tl、CsI:Na(ナトリウム賦活ヨウ化セシウム)、ZnS:Cu又はCsBr等からなる柱状構造とされており、柱状結晶体同士の間に不図示の隙間が形成されている。そして、この隙間があることから、温度変化によるシンチレータ層204の熱膨張量が無視できる程度ものと仮定し、シンチレータ層204とTFT基板206の熱膨張率の関係は考慮しない(同一でも相違していてもよい)。その代わり、TFT基板206と蒸着用基板202の熱膨張率が相違しており、蒸着用基板202がTFT基板206よりも高い熱膨張率を有している。   Specifically, in the radiation detector 20 of the first embodiment, the TFT substrate 30 has a higher coefficient of thermal expansion than the scintillator layer 36, whereas in the radiation detector 200 of the third embodiment, The scintillator layer 204 has a columnar structure made of CsI: Tl, CsI: Na (sodium activated cesium iodide), ZnS: Cu, CsBr, or the like, and a gap (not shown) is formed between the columnar crystals. . Since there is this gap, it is assumed that the amount of thermal expansion of the scintillator layer 204 due to temperature change is negligible, and the relationship between the thermal expansion coefficients of the scintillator layer 204 and the TFT substrate 206 is not considered (the same or different). May be) Instead, the coefficient of thermal expansion of the TFT substrate 206 is different from that of the vapor deposition substrate 202, and the vapor deposition substrate 202 has a higher coefficient of thermal expansion than the TFT substrate 206.

この蒸着用基板202は、シンチレータ層204を気相堆積法により蒸着して形成する際に用いる基板である。
この蒸着用基板202の材料は、TFT基板206よりも高い熱膨張率を有するものであれば特に限定されず、上述したTFT基板206の基板材料と同様のものを用いることができる。好適には、高剛性、X線透過が高い、均質で材質ムラがない、耐熱性がある、熱膨張率がガラスに近い、耐薬品性がある、及び導電性があるという点でカーボンを用いることができる。また、カーボンよりも熱伝導性が高く、コストが安いという点でアルミニウムを用いることもできる。また、バイオナノファイバ、アラミドフィルムを用いることもできる。
蒸着用基板202の厚みは、気相堆積法による蒸着工程において、ハンドリング性の向上、シンチレータ層204の重みによる反り防止、及び輻射熱による変形防止等の観点から厚い方が好ましい。
The deposition substrate 202 is a substrate used when the scintillator layer 204 is formed by vapor deposition by a vapor deposition method.
The material of the evaporation donor substrate 202 is not particularly limited as long as it has a higher coefficient of thermal expansion than the TFT substrate 206, and the same material as the substrate material of the TFT substrate 206 described above can be used. Preferably, carbon is used in terms of high rigidity, high X-ray transmission, homogeneity, no material unevenness, heat resistance, thermal expansion coefficient close to glass, chemical resistance, and conductivity. be able to. Aluminum can also be used because it has higher thermal conductivity than carbon and is cheaper. Moreover, a bionanofiber and an aramid film can also be used.
The thickness of the evaporation donor substrate 202 is preferably thicker from the viewpoints of improving handling properties, preventing warpage due to the weight of the scintillator layer 204, preventing deformation due to radiant heat, and the like in an evaporation process using a vapor deposition method.

また、第1実施形態では、バイメタル60がTFT基板30と貼り合わされているのに対し、第3実施形態では、バイメタル208が蒸着用基板202と貼り合わされている。具体的には、第1実施形態では、バイメタル60の二枚の金属板60A,60Bのうち、高熱膨張板60AがTFT基板30と貼り合わされているのに対し、第3実施形態では、バイメタル208の二枚の金属板208A, 208Bのうち、高熱膨張板208Aが蒸着用基板202と接着剤62で貼り合わされている。   In the first embodiment, the bimetal 60 is bonded to the TFT substrate 30, whereas in the third embodiment, the bimetal 208 is bonded to the deposition substrate 202. Specifically, in the first embodiment, of the two metal plates 60A and 60B of the bimetal 60, the high thermal expansion plate 60A is bonded to the TFT substrate 30, whereas in the third embodiment, the bimetal 208 is used. Of these two metal plates 208A and 208B, the high thermal expansion plate 208A is bonded to the vapor deposition substrate 202 with an adhesive 62.

このように、バイメタル208の二枚の金属板208A, 208Bのうち高熱膨張板208Aを、TFT基板206よりも高い熱膨張率を有する蒸着用基板202に貼り合わせる、即ち、熱膨張率が高いもの同士を貼り合せることで、蒸着用基板202の熱膨張率と近い金属板208Aが、蒸着用基板202側に配置されるようにしている。   Thus, the high thermal expansion plate 208A of the two metal plates 208A and 208B of the bimetal 208 is bonded to the deposition substrate 202 having a higher thermal expansion coefficient than the TFT substrate 206, that is, the one having a high thermal expansion coefficient. By bonding them together, a metal plate 208A having a thermal expansion coefficient close to that of the vapor deposition substrate 202 is arranged on the vapor deposition substrate 202 side.

なお、このような場合、放射線Xが表面照射される構成、即ち、バイメタル208の一面(図9中上面)が照射面とされた場合、放射線Xの照射の邪魔となるので、放射線Xが裏面照射、即ちTFT基板206の一面(図9中下面)を照射面としている。
この構成によれば、放射線Xは、TFT基板206を透過した後、シンチレータ層204に照射される。すなわち、バイメタル208を介さずシンチレータ層204に照射されることになるので、バイメタル208が放射線Xの邪魔とならず、放射線Xから得られる画質が劣化することを防止することができる。
In such a case, the configuration in which the radiation X is irradiated on the front surface, that is, when one surface (the upper surface in FIG. 9) of the bimetal 208 is the irradiation surface, it interferes with the radiation X irradiation. Irradiation, that is, one surface (the lower surface in FIG. 9) of the TFT substrate 206 is an irradiation surface.
According to this configuration, the radiation X is applied to the scintillator layer 204 after passing through the TFT substrate 206. That is, since the scintillator layer 204 is irradiated without passing through the bimetal 208, the bimetal 208 does not interfere with the radiation X, and it is possible to prevent the image quality obtained from the radiation X from deteriorating.

−作用−
以上、本発明の第3実施形態に係る放射線検出器200によれば、蒸着用基板202にバイメタル208を設け、かつバイメタル208の二枚の金属板208A, 208Bのうち、蒸着用基板202の熱膨張率と近い金属板208Aが、蒸着用基板202側に配置されているため、第1実施形態と同様に、接着剤62の接着強度に関らず、温度変化による蒸着用基板202、シンチレータ層204及びTFT基板206の反りを抑制可能となる。
-Action-
As described above, according to the radiation detector 200 according to the third embodiment of the present invention, the bimetal 208 is provided on the vapor deposition substrate 202 and the heat of the vapor deposition substrate 202 out of the two metal plates 208A and 208B of the bimetal 208. Since the metal plate 208A having a coefficient of expansion close to that of the vapor deposition substrate 202 is disposed, the vapor deposition substrate 202 and the scintillator layer due to the temperature change, regardless of the adhesive strength of the adhesive 62, as in the first embodiment. 204 and the warpage of the TFT substrate 206 can be suppressed.

また、バイメタル208が、蒸着用基板202及びTFT基板206のうち熱膨張率が高い側、即ち、反りの原因となっている蒸着用基板202に設けられるため、確実に放射線検出器200の反りを抑制できる。   In addition, since the bimetal 208 is provided on the evaporation substrate 202 and the TFT substrate 206 on the side having a high coefficient of thermal expansion, that is, on the evaporation deposition substrate 202 that causes warping, the radiation detector 200 is reliably warped. Can be suppressed.

また、TFT基板206の一面(図9中下面)を照射面としているので、放射線Xは、TFT基板206を透過した後、シンチレータ層204に照射される。すなわち、バイメタル208を介さずシンチレータ層204に照射されることになるので、バイメタル208が放射線Xの邪魔とならず、放射線Xから得られる画質が劣化することを防止することができる。   Further, since one surface (the lower surface in FIG. 9) of the TFT substrate 206 is an irradiation surface, the radiation X passes through the TFT substrate 206 and is irradiated to the scintillator layer 204. That is, since the scintillator layer 204 is irradiated without passing through the bimetal 208, the bimetal 208 does not interfere with the radiation X, and it is possible to prevent the image quality obtained from the radiation X from deteriorating.

−変形例−
次に、本発明の第3実施形態に係る放射線検出器200の変形例について説明する。
-Modification-
Next, a modification of the radiation detector 200 according to the third embodiment of the present invention will be described.

本第3実施形態の放射線検出器200では、蒸着用基板202、シンチレータ層204及びTFT基板206の反りを抑制するために、蒸着用基板202とTFT基板206のうち、蒸着用基板202側にバイメタル208を設ける場合を説明したが、図10に示すように、変形例の放射線検出器200Aでは、TFT基板206側にバイメタル210を設けるようにしてもよい。なお、バイメタル210は、上記バイメタル208と同様の構成であり、高熱膨張板210Aと低熱膨張板210Bの二枚の金属板を接合して構成されている。   In the radiation detector 200 of the third embodiment, in order to suppress warping of the deposition substrate 202, the scintillator layer 204, and the TFT substrate 206, the deposition substrate 202 of the deposition substrate 202 and the TFT substrate 206 are bimetallic on the deposition substrate 202 side. Although the case where 208 is provided has been described, as shown in FIG. 10, in the radiation detector 200A of the modification, a bimetal 210 may be provided on the TFT substrate 206 side. The bimetal 210 has the same configuration as the bimetal 208, and is formed by joining two metal plates, a high thermal expansion plate 210A and a low thermal expansion plate 210B.

ただし、この場合には、TFT基板206が蒸着用基板202よりも低い熱膨張率を有しているので、バイメタル210の二枚の金属板210A, 210Bのうち、低熱膨張板210BをTFT基板206に貼り合せる、即ち、熱膨張率が低いもの同士を貼り合せることで、TFT基板206の熱膨張率と近い金属板210Bが、TFT基板206側に配置されるようにしている。
なお、このような場合、放射線Xが裏面照射、即ち、バイメタル210の一面(図10中下面)が照射面とされた場合、放射線Xの照射の邪魔となるので、放射線Xが表面照射される構成、即ち蒸着用基板202の一面(図10中上面)を照射面としている。
However, in this case, since the TFT substrate 206 has a lower coefficient of thermal expansion than the vapor deposition substrate 202, the low thermal expansion plate 210B of the two metal plates 210A and 210B of the bimetal 210 is used as the TFT substrate 206. The metal plates 210B close to the thermal expansion coefficient of the TFT substrate 206 are arranged on the TFT substrate 206 side by bonding together those having low thermal expansion coefficients.
In such a case, if the radiation X is irradiated on the back surface, that is, if one surface of the bimetal 210 (the lower surface in FIG. 10) is an irradiation surface, the radiation X is obstructed, so the surface of the radiation X is irradiated. The surface of the deposition substrate 202 (upper surface in FIG. 10) is the irradiation surface.

(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
(Fourth embodiment)
Next, a radiographic imaging device according to the fourth exemplary embodiment of the present invention will be described.

−放射線画像撮影装置の構成−
図11は、本発明の第4実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテ300の断面構成を示した断面図であって、(A)は温度変化前の状態を示す図であり、(B)は温度変化後の状態を示す図である。
-Configuration of radiographic imaging device-
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of an electronic cassette 300 as an example of a radiographic image capturing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and (A) is a view showing a state before a temperature change. (B) is a figure which shows the state after a temperature change.

本発明の第4実施形態に係る電子カセッテ300は、第1実施形態で説明した図4に示す電子カセッテ10と同様の構成を有しているが、バイメタルの構成及び配置が異なる。   The electronic cassette 300 according to the fourth embodiment of the present invention has the same configuration as the electronic cassette 10 shown in FIG. 4 described in the first embodiment, but the configuration and arrangement of bimetals are different.

具体的には、第1実施形態の放射線検出器20の反りを抑制するバイメタル60は、TFT基板30と貼り合わされているのに対し、第4実施形態の放射線検出器302の反りを抑制するバイメタル304は、図11(A)に示すように、TFT基板30やシンチレータ層36と貼り合わされておらず、温度変化による反りが可能なように、電子カセッテ300の筐体16に取り付けられ、放射線検出器302のTFT基板30及びシンチレータ層36と離間している。   Specifically, the bimetal 60 that suppresses the warp of the radiation detector 20 of the first embodiment is bonded to the TFT substrate 30, whereas the bimetal that suppresses the warp of the radiation detector 302 of the fourth embodiment. As shown in FIG. 11A, 304 is not attached to the TFT substrate 30 or the scintillator layer 36, and is attached to the casing 16 of the electronic cassette 300 so that it can be warped due to a temperature change. The TFT 302 is separated from the TFT substrate 30 and the scintillator layer 36 of the vessel 302.

また、シンチレータ層36がTFT基板30よりも低い熱膨張率を有していることから、バイメタル304の反りをシンチレータ層36及びTFT基板30の反りと上下対称にするため、バイメタル304の二枚の金属板304A,304Bのうち、低熱膨張板304Bをシンチレータ層36側に配置している。   Further, since the scintillator layer 36 has a lower coefficient of thermal expansion than the TFT substrate 30, the bimetal 304 is warped vertically and symmetrically with the warp of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30. Of the metal plates 304A and 304B, the low thermal expansion plate 304B is disposed on the scintillator layer 36 side.

−作用−
本発明の第4実施形態に係る電子カセッテ300によれば、バイメタル304は、筐体16に取り付けられているため、図11(B)に示すように温度変化があったときには、シンチレータ層36及びTFT基板30方向に反ることになり、シンチレータ層36及びTFT基板30の反りを抑制できる。即ち、シンチレータ層36又はTFT基板30にバイメタル304が接着剤62により貼り合わされていなくても(接着強度が0でも)、温度変化によりバイメタル304がシンチレータ層36及びTFT基板30の反りを抑制するように反ることが可能となる。
-Action-
According to the electronic cassette 300 according to the fourth exemplary embodiment of the present invention, since the bimetal 304 is attached to the housing 16, when the temperature changes as shown in FIG. 11B, the scintillator layer 36 and The warpage of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 can be suppressed by warping in the direction of the TFT substrate 30. That is, even if the bimetal 304 is not bonded to the scintillator layer 36 or the TFT substrate 30 by the adhesive 62 (even if the adhesive strength is 0), the bimetal 304 suppresses the warpage of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 due to the temperature change. It becomes possible to warp.

また、バイメタル304がシンチレータ層36及びTFT基板30と離間しているので、温度変化によりバイメタル304が反ってシンチレータ層36に当接した後に、バイメタル304の反り力をシンチレータ層36に作用させてシンチレータ層36及びTFT基板30の反りを抑制することになる。この結果、当該当接前まではシンチレータ層36及びTFT基板30の反りを容認し、シンチレータ層36にバイメタルの反り力を作用させる頻度を減らし、シンチレータ層36にクラックが入ったりすることを抑制することができる。   In addition, since the bimetal 304 is separated from the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30, the bimetal 304 is warped against the scintillator layer 36 due to a temperature change, and then the warping force of the bimetal 304 is applied to the scintillator layer 36. The warpage of the layer 36 and the TFT substrate 30 is suppressed. As a result, the warpage of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 is accepted before the contact, the frequency of applying the bimetallic warp force to the scintillator layer 36 is reduced, and the scintillator layer 36 is prevented from cracking. be able to.

(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態に係る放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システムについて図面に基づき説明する。
(Fifth embodiment)
Next, a radiographic image capturing apparatus and a radiographic image capturing system according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

−放射線画像撮影システムの構成−
図12は、本発明の第5実施形態に係る放射線画像撮影システム400の電気系の要部構成を示す図である。
同図に示すように、本発明の第5実施形態に係る放射線画像撮影システム400は、電子カセッテ410と、コンソール430と、放射線発生装置460と、を含んで構成されている。
-Configuration of radiographic imaging system-
FIG. 12 is a diagram showing the main configuration of the electrical system of the radiation image capturing system 400 according to the fifth embodiment of the present invention.
As shown in the figure, the radiographic image capturing system 400 according to the fifth embodiment of the present invention includes an electronic cassette 410, a console 430, and a radiation generator 460.

電子カセッテ410は、例えば第1実施形態の放射線検出器20を収納しており、当該放射線検出器20のTFT基板30の各信号配線34に電気的に接続された信号検出回路48を備えている。
信号検出回路48は、個々の信号配線34毎に設けられた増幅器およびサンプルホールド回路を備えており、個々の信号配線34を伝送された電荷信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電荷信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。
The electronic cassette 410 contains, for example, the radiation detector 20 of the first embodiment, and includes a signal detection circuit 48 that is electrically connected to each signal wiring 34 of the TFT substrate 30 of the radiation detector 20. .
The signal detection circuit 48 includes an amplifier and a sample hold circuit provided for each signal wiring 34, and the charge signal transmitted through each signal wiring 34 is amplified by the amplifier and then held in the sample hold circuit. The Further, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter are sequentially connected to the output side of the sample and hold circuit, and the charge signals held in the individual sample and hold circuits are sequentially (serially) input to the multiplexer. The digital image data is converted by an A / D converter.

信号検出回路48には画像メモリ412が接続されており、信号検出回路48のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ412に順に記憶される。画像メモリ412は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ412に順次記憶される。   An image memory 412 is connected to the signal detection circuit 48, and image data output from the A / D converter of the signal detection circuit 48 is sequentially stored in the image memory 412. The image memory 412 has a storage capacity capable of storing image data for a plurality of frames, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 412 each time a radiographic image is captured.

画像メモリ412は、電子カセッテ410全体の動作を制御するカセッテ制御部414と接続されている。カセッテ制御部414はマイクロコンピュータを含んで構成されており、CPU(中央処理装置)414A、ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory)を含むメモリ414B、HDD(ハードディスク・ドライブ)やフラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部414Cを備えている。   The image memory 412 is connected to a cassette control unit 414 that controls the operation of the entire electronic cassette 410. The cassette control unit 414 includes a microcomputer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 414A, a memory 414B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), an HDD (Hard Disk Drive), and a flash memory. A non-volatile storage unit 414C made up of and the like is provided.

また、カセッテ制御部414にはブザー416や温度センサ418が接続されており、ブザー416の作動は、カセッテ制御部414に設けられたCPU414Aによって制御される一方、CPU414Aは、温度センサ418によって検出された温度を把握することができる。   Also, a buzzer 416 and a temperature sensor 418 are connected to the cassette control unit 414. The operation of the buzzer 416 is controlled by a CPU 414A provided in the cassette control unit 414, while the CPU 414A is detected by the temperature sensor 418. Temperature can be grasped.

また、カセッテ制御部414には、接続端子410Aに接続され、通信ケーブル420を介してコンソール430に接続された状態でコンソール430との間で各種情報の送受信を行う通信インタフェース(I/F)部422が接続されている。   In addition, the cassette control unit 414 is connected to the connection terminal 410A and is a communication interface (I / F) unit that transmits and receives various information to and from the console 430 while being connected to the console 430 via the communication cable 420. 422 is connected.

また、電子カセッテ410には電源部424が設けられている。この電源部424は、電子カセッテ410の可搬性を損なわないように、不図示のバッテリ(二次電池)を内蔵しており、充電されたバッテリから予め定められた部位へ電力を供給する。なお、図12では、電源部424と電力供給先の各部とを接続する配線の図示を省略している。   The electronic cassette 410 is provided with a power supply unit 424. The power supply unit 424 incorporates a battery (secondary battery) (not shown) so as not to impair the portability of the electronic cassette 410, and supplies power from a charged battery to a predetermined part. In FIG. 12, illustration of wirings that connect the power supply unit 424 and each unit of the power supply destination is omitted.

本第5実施形態に係る放射線画像撮影システム400では、電子カセッテ410とコンソール430との間を通信ケーブル420により接続して各種情報の送受信を行うが、通信ケーブル420には電力供給線も含まれており、電子カセッテ410の各部に対する駆動用の電力は通信ケーブル420を介してコンソール430から供給される。   In the radiographic image capturing system 400 according to the fifth embodiment, the electronic cassette 410 and the console 430 are connected by the communication cable 420 to transmit and receive various types of information. The communication cable 420 includes a power supply line. Power for driving each part of the electronic cassette 410 is supplied from the console 430 via the communication cable 420.

上記不図示のバッテリは、電子カセッテ410が通信ケーブル420によりコンソール430に接続されていない場合に、電子カセッテ410の必要最低限の部位に対して駆動用の電力を供給するものであり、本実施の形態に係る電子カセッテ410では、この場合にカセッテ制御部414に対して駆動用の電力を供給すると共に、必要に応じてブザー416及び温度センサ418に対して駆動用の電力を供給する。   The battery (not shown) supplies driving power to the minimum necessary part of the electronic cassette 410 when the electronic cassette 410 is not connected to the console 430 by the communication cable 420. In this case, the electronic cassette 410 according to the embodiment supplies driving power to the cassette control unit 414 and supplies driving power to the buzzer 416 and the temperature sensor 418 as necessary.

一方、コンソール430は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ432と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル434と、を備えている。   On the other hand, the console 430 is configured as a server computer, and includes a display 432 that displays an operation menu, a captured radiographic image, and the like, and a plurality of keys, and inputs various information and operation instructions. An operation panel 434.

また、本実施の形態に係るコンソール430は、装置全体の動作を司るCPU436と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM438と、各種データを一時的に記憶するRAM440と、各種データを記憶して保持するHDD442と、ディスプレイ432への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ444と、操作パネル434に対する操作状態を検出する操作入力検出部446と、を備えている。   The console 430 according to the present embodiment includes a CPU 436 that controls the operation of the entire apparatus, a ROM 438 that stores various programs including a control program in advance, a RAM 440 that temporarily stores various data, and various data. An HDD 442 that stores and holds, a display driver 444 that controls display of various types of information on the display 432, and an operation input detection unit 446 that detects an operation state of the operation panel 434 are provided.

また、コンソール430は、接続端子430Aに接続され、通信ケーブル448を介して放射線発生装置460に接続された状態で放射線発生装置460との間で各種情報の送受信を行う通信I/F部450と、接続端子430Bに接続され、通信ケーブル420を介して電子カセッテ410に接続された状態で電子カセッテ410との間で各種情報の送受信を行う通信I/F部452と、を備えている。   The console 430 is connected to the connection terminal 430A, and is connected to the radiation generator 460 via the communication cable 448. The console 430 transmits and receives various information to and from the radiation generator 460. The communication I / F unit 452 is connected to the connection terminal 430B and transmits / receives various information to / from the electronic cassette 410 while being connected to the electronic cassette 410 via the communication cable 420.

CPU436、ROM438、RAM440、HDD442、ディスプレイドライバ444、操作入力検出部446、通信I/F部450、および通信I/F部452は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU436は、ROM438、RAM440、HDD442へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ444を介したディスプレイ432への各種情報の表示の制御、通信I/F部450および通信I/F部452を介した放射線発生装置460および電子カセッテ410との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、CPU436は、操作入力検出部446を介して操作パネル434に対するユーザの操作状態を把握することができる。   The CPU 436, the ROM 438, the RAM 440, the HDD 442, the display driver 444, the operation input detection unit 446, the communication I / F unit 450, and the communication I / F unit 452 are connected to each other via the system bus BUS. Therefore, the CPU 436 can access the ROM 438, the RAM 440, and the HDD 442, and controls the display of various information on the display 432 via the display driver 444, the communication I / F unit 450 and the communication I / F unit 452. Control of transmission and reception of various types of information with the radiation generator 460 and the electronic cassette 410 can be performed. Further, the CPU 436 can grasp the operation state of the user with respect to the operation panel 434 via the operation input detection unit 446.

一方、放射線発生装置460は、放射線源462と、接続端子460Aに接続され、通信ケーブル448を介してコンソール430に接続された状態でコンソール430との間で曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信I/F部464と、受信した曝射条件に基づいて放射線源462を制御する線源制御部466と、を備えている。   On the other hand, the radiation generator 460 is connected to the radiation source 462 and the connection terminal 460A, and transmits and receives various information such as exposure conditions to and from the console 430 while being connected to the console 430 via the communication cable 448. A communication I / F unit 464 to perform and a radiation source control unit 466 that controls the radiation source 462 based on the received exposure conditions are provided.

線源制御部466もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール430から受信する曝射条件には管電圧、管電流、曝射期間等の情報が含まれている。線源制御部466は、受信した曝射条件に基づいて放射線源462から放射線Xを照射させる。   The radiation source control unit 466 is also configured to include a microcomputer, and stores the received exposure conditions and the like. The exposure conditions received from the console 430 include information such as tube voltage, tube current, and exposure period. The radiation source control unit 466 irradiates the radiation X from the radiation source 462 based on the received exposure conditions.

−電子カセッテの構成−
次に、図12に示した電子カセッテ410の内部構成について、図13を参照しながら具体的に説明する。図13は、本第5実施形態に係る電子カセッテ410の断面構成を示した断面図である。
-Electronic cassette configuration-
Next, the internal configuration of the electronic cassette 410 shown in FIG. 12 will be specifically described with reference to FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of an electronic cassette 410 according to the fifth embodiment.

本第5実施形態に係る電子カセッテ410は、上記の第1実施形態の電子カセッテ10の構成において、さらに上述のブザー416と、温度センサ418とが追加されている。   In the electronic cassette 410 according to the fifth embodiment, the above-described buzzer 416 and a temperature sensor 418 are further added to the configuration of the electronic cassette 10 of the first embodiment.

ブザー416は、警告手段の一種であり、温度変化により放射線検出器20が反る時等に、音で警告を発するものである。ブザー416の配置は、特に限定されないが、例えば図13に示すように、基台56の下面に取り付けられている。   The buzzer 416 is a kind of warning means, and emits a warning by sound when the radiation detector 20 warps due to a temperature change. The arrangement of the buzzer 416 is not particularly limited, but is attached to the lower surface of the base 56 as shown in FIG.

温度センサ418は、シンチレータ層36(及びTFT基板30)の温度を検出する第1温度センサ418Aと、バイメタル60の温度を検出する第2温度センサ418Bと、の2つの温度センサで構成されている。   The temperature sensor 418 includes two temperature sensors, a first temperature sensor 418A that detects the temperature of the scintillator layer 36 (and the TFT substrate 30) and a second temperature sensor 418B that detects the temperature of the bimetal 60. .

第1温度センサ418Aは、例えばシンチレータ層36の上端面36Aに取り付けられている。また、第2温度センサ418Bは、例えばバイメタル60の面内方向側面に取り付けられている。   The first temperature sensor 418A is attached to the upper end surface 36A of the scintillator layer 36, for example. Further, the second temperature sensor 418B is attached to, for example, an in-plane direction side surface of the bimetal 60.

−作用−
次に、本発明の第5実施形態に係る電子カセッテ410の作用について説明する。
-Action-
Next, the operation of the electronic cassette 410 according to the fifth exemplary embodiment of the present invention will be described.

図14は、予め定められた期間(本実施の形態では、10秒間)毎に電子カセッテ410のカセッテ制御部414におけるCPU414Aにより実行される警告プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該警告プログラムはメモリ414BのROMの所定領域に予め記憶されている。以下、括弧内は図中のステップ識別符号である。   FIG. 14 is a flowchart showing a processing flow of a warning program executed by the CPU 414A in the cassette control unit 414 of the electronic cassette 410 every predetermined period (in this embodiment, 10 seconds). Is stored in advance in a predetermined area of the ROM of the memory 414B. In the following, the step identification codes in the figure are in parentheses.

(S1000)第1温度センサ418Aから検出温度T1を取得する。
(S1002)第2温度センサ418Bから検出温度T2を取得する。
(S1004)取得した検出温度T1と検出温度T2の差が大きく、例えば放射線検出器20が反る温度差Cであるか否か判定する。そして、肯定判定した場合にはステップS1006に進み、否定判定した場合には処理を終える。
(S1006)ブザー416を制御して、例えば10秒間警告音を発する。
(S1000) The detected temperature T1 is acquired from the first temperature sensor 418A.
(S1002) The detected temperature T2 is acquired from the second temperature sensor 418B.
(S1004) It is determined whether or not the difference between the acquired detection temperature T1 and the detection temperature T2 is large, for example, a temperature difference C in which the radiation detector 20 warps. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S1006, and if the determination is negative, the process ends.
(S1006) The buzzer 416 is controlled to emit a warning sound for 10 seconds, for example.

ここで、例えば、第1温度センサ418Aと第2温度センサ418Bとの検出温度が大きく相違、即ちシンチレータ層36及びTFT基板30とバイメタル60の温度が大きく相違していた場合、バイメタル60の反り量がシンチレータ層36及びTFT基板30の反り量を抑制する量未満になったり超えたりして、バイメタル60があったとしても放射線検出器20が反る場合がある。しかし、本発明の第5実施形態の構成によれば、このような場合でも、カセッテ制御部414が第1温度センサ418Aと第2温度センサ418Bとの検出温度に基づき、放射線検出器20が反ると判断し、ブザー416を制御して警告音を発することができるので、放射線検出器20に反りがあるときに撮影動作を開始させる等の誤動作を防止することができる。   Here, for example, when the detected temperatures of the first temperature sensor 418A and the second temperature sensor 418B are greatly different, that is, when the temperatures of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 and the bimetal 60 are greatly different, the amount of warpage of the bimetal 60 However, even if the bimetal 60 is present, the radiation detector 20 may be warped because the amount of warpage of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 is less than or exceeded. However, according to the configuration of the fifth embodiment of the present invention, even in such a case, the cassette control unit 414 operates the radiation detector 20 on the basis of the detected temperatures of the first temperature sensor 418A and the second temperature sensor 418B. Therefore, it is possible to control the buzzer 416 and emit a warning sound, so that it is possible to prevent malfunction such as starting an imaging operation when the radiation detector 20 is warped.

(変形例)
なお、本発明を特定の第1〜第5実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わされて実施可能である。また、以下の変形例を、適宜、組み合わせてもよい。
(Modification)
In addition, although this invention was demonstrated in detail about specific 1st-5th embodiment, this invention is not limited to this embodiment, Other various embodiment is possible within the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art. For example, the above-described plurality of embodiments can be implemented in combination as appropriate. Moreover, you may combine the following modifications suitably.

例えば、第1実施形態では、筐体16の内部には、放射線Xが照射される筐体16の照射面18側から、患者14を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、及び制御基板22が順に設けられている場合を説明したが、放射線Xが照射される照射面18側から順に、患者14を透過することに伴って生ずる放射線Xの散乱線を除去するグリッド、放射線検出器20、及び放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板が収容されていてもよい。   For example, in the first embodiment, the housing 16 includes a radiation detector 20 that detects the radiation X that has passed through the patient 14 from the irradiation surface 18 side of the housing 16 that is irradiated with the radiation X, and a control board. Although the case where 22 is provided in order has been described, in order from the irradiation surface 18 side where the radiation X is irradiated, the grid and the radiation detector 20 that remove scattered radiation of the radiation X caused by passing through the patient 14. , And a lead plate that absorbs backscattered radiation X may be accommodated.

また、第1実施形態では、筐体16の形状が矩形平板状である場合を説明したが、特に限定されるものではなく、例えば正面視が正方形や円形になるようにしてもよい。   Moreover, although the case where the shape of the housing | casing 16 was a rectangular flat plate shape was demonstrated in 1st Embodiment, it is not specifically limited, For example, a front view may be made into a square or a circle.

また、第1実施形態では、制御基板22を1つで形成した場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、制御基板22が機能毎に複数に分かれていてもよい。さらに、制御基板22を、放射線検出器20と垂直方向(筐体16の厚み方向)に並んで配置する場合を説明したが、放射線検出器20と水平方向に並んで配置するようにしてもよい。   Moreover, although 1st Embodiment demonstrated the case where the control board 22 was formed by one, this invention is not limited to this embodiment, Even if the control board 22 is divided into several for every function. Good. Furthermore, although the case where the control board 22 is arranged side by side in the vertical direction (thickness direction of the housing 16) with the radiation detector 20 has been described, it may be arranged side by side with the radiation detector 20 in the horizontal direction. .

また、バイメタル60の面内方向の長さは、TFT基板30の面内方向の長さと同一である場合を説明したが、同一でなくてもよく、大きさも特に限定されない。従って、例えば、バイメタル60は、TFT基板30又はシンチレータ層36の、熱膨張により反りが発生する一部分に設けるようにしてもよい。具体的には、図15に示すように、温度変化による反り量が大きいTFT基板30又はシンチレータ層36の少なくとも中心部分を含んだ一部分に設けたり、破壊防止の為に、TFT基板30又はシンチレータ層36の破壊強度の低い部分(例えば配線等を含んだTCP(Tape-Carrier Package)部)に設けたりすることができる。   Further, the case where the length in the in-plane direction of the bimetal 60 is the same as the length in the in-plane direction of the TFT substrate 30 has been described, but the length may not be the same and the size is not particularly limited. Therefore, for example, the bimetal 60 may be provided on a part of the TFT substrate 30 or the scintillator layer 36 where warpage occurs due to thermal expansion. Specifically, as shown in FIG. 15, the TFT substrate 30 or the scintillator layer is provided in a part including at least the central portion of the TFT substrate 30 or the scintillator layer 36 that has a large amount of warping due to a temperature change. 36 may be provided in a portion having a low breaking strength (for example, a TCP (Tape-Carrier Package) portion including wiring or the like).

また、第5実施形態のブザー416の代わりに、第1温度センサ418Aと前記第2温度センサ418Bとの検出温度に差異があった場合に、シンチレータ層36及びTFT基板30の温度とバイメタル60の温度を同一とするヒーター等の温度調整機構、を備えるようにしてもよい。このような構成によれば、シンチレータ層36及びTFT基板30の温度とバイメタル60の温度に差異が生じても、温度調整機構によりシンチレータ層36及びTFT基板30の温度とバイメタル60の温度が同一となるので、放射線検出器20の反りを確実に抑制することができる。   Further, instead of the buzzer 416 of the fifth embodiment, when there is a difference in the detected temperature between the first temperature sensor 418A and the second temperature sensor 418B, the temperature of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 and the bimetal 60 A temperature adjusting mechanism such as a heater having the same temperature may be provided. According to such a configuration, even if a difference occurs between the temperature of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 and the temperature of the bimetal 60, the temperature of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30 is equal to the temperature of the bimetal 60 by the temperature adjustment mechanism. Therefore, the curvature of the radiation detector 20 can be reliably suppressed.

また、第5実施形態のブザー416の代わりに、バイメタル60に電流を流し、バイメタル60の反り量を制御するバイメタル制御手段を備えるようにしてもよい。このような構成によれば、例えばシンチレータ層36及びTFT基板30の反りに応じて、当該反りが抑制できるように、バイメタル60の反り量を適宜制御することができる。   Further, instead of the buzzer 416 of the fifth embodiment, a bimetal control unit that controls the amount of warpage of the bimetal 60 by passing a current through the bimetal 60 may be provided. According to such a configuration, for example, according to the warp of the scintillator layer 36 and the TFT substrate 30, the warp amount of the bimetal 60 can be appropriately controlled so that the warp can be suppressed.

また、第5実施形態のブザー416の代わりに、匂い、光、又は振動で警告を発するようにしてもよい。また、コンソール430のディスプレイ432の画面上に警告表示をするようにしてもよい。   Further, instead of the buzzer 416 of the fifth embodiment, a warning may be issued by smell, light, or vibration. Further, a warning may be displayed on the screen of the display 432 of the console 430.

10 電子カセッテ(放射線画像撮影装置)
16 筐体
20 放射線検出器
20A 放射線検出器
30 TFT基板(光検出基板)
36 シンチレータ層
60 バイメタル
62 接着剤
70 バイメタル
100 放射線検出器
100A 放射線検出器
102 TFT基板(光検出基板)
104 シンチレータ層
106 バイメタル
110 バイメタル
200 放射線検出器
200A 放射線検出器
202 蒸着用基板(支持体)
204 シンチレータ層
206 TFT基板(光検出基板)
208 バイメタル
210 バイメタル
300 電子カセッテ(放射線画像撮影装置)
302 放射線検出器
304 バイメタル
410 電子カセッテ(放射線画像撮影装置)
414 カセッテ制御部(警告手段、温度調整機構、バイメタル制御手段)
416 ブザー(警告手段)
418 温度センサ(第1温度センサ、第2温度センサ)
418A 第1温度センサ
418B 第2温度センサ
T1 検出温度
T2 検出温度
X 放射線
10 Electronic cassette (radiation imaging equipment)
16 Housing 20 Radiation detector 20A Radiation detector 30 TFT substrate (light detection substrate)
36 scintillator layer 60 bimetal 62 adhesive 70 bimetal 100 radiation detector 100A radiation detector 102 TFT substrate (light detection substrate)
104 Scintillator layer 106 Bimetal 110 Bimetal 200 Radiation detector 200A Radiation detector 202 Deposition substrate (support)
204 Scintillator layer 206 TFT substrate (photodetection substrate)
208 Bimetal 210 Bimetal 300 Electronic cassette (Radiation imaging equipment)
302 Radiation detector 304 Bimetal 410 Electronic cassette (radiation imaging device)
414 cassette control unit (warning means, temperature adjustment mechanism, bimetal control means)
416 Buzzer (Warning means)
418 Temperature sensor (first temperature sensor, second temperature sensor)
418A First temperature sensor 418B Second temperature sensor T1 Detection temperature T2 Detection temperature X Radiation

Claims (14)

入射する放射線を光に変換するシンチレータ層と、
面上に前記シンチレータ層が設けられ、前記シンチレータ層から放出された光を電荷に変換する光検出基板と、
熱膨張率が互いに異なる二枚の金属板を接合して構成され、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側に設けられ、設けられた場所の熱膨張率と近い一方の金属板が内側に配置され、他方の金属板が外側に配置されて、前記光検出基板の反りを抑制するバイメタルと、
を備える放射線検出器。
A scintillator layer that converts incident radiation into light;
The scintillator layer is provided on a surface, and a light detection substrate that converts light emitted from the scintillator layer into an electric charge;
Two metal plates with different coefficients of thermal expansion are joined to each other, provided on the light detection substrate side or the scintillator layer side, and one metal plate close to the coefficient of thermal expansion at the provided location is placed inside The other metal plate is arranged on the outside, the bimetal for suppressing the warp of the light detection substrate,
A radiation detector comprising:
前記シンチレータ層側には、前記シンチレータ層の支持体が設けられ、
前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体に設けられる、
請求項1に記載の放射線検出器。
On the scintillator layer side, a support for the scintillator layer is provided,
The bimetal is provided on the light detection substrate or the support.
The radiation detector according to claim 1.
前記支持体は、前記光検出基板よりも熱膨張率が高い、
請求項2に記載の放射線検出器。
The support has a higher coefficient of thermal expansion than the photodetection substrate.
The radiation detector according to claim 2.
前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶体を含んで構成される、
請求項2又は請求項3に記載の放射線検出器。
The scintillator layer is configured to include a plurality of columnar crystals.
The radiation detector of Claim 2 or Claim 3.
前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体のうち熱膨張率が高い側に設けられる、
請求項2〜請求項4の何れか1項に記載の放射線検出器。
The bimetal is provided on the side of the photodetection substrate or the support that has a high coefficient of thermal expansion.
The radiation detector of any one of Claims 2-4.
前記バイメタルは前記支持体に設けられ、前記光検出基板が放射線の照射面とされている、
請求項2〜請求項5の何れか1項に記載の放射線検出器。
The bimetal is provided on the support, and the light detection substrate is a radiation irradiation surface.
The radiation detector of any one of Claims 2-5.
前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側において、熱膨張により反りが発生する部分に設けられている、
請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の放射線検出器。
The bimetal is provided on the light detection substrate side or the scintillator layer side where warpage occurs due to thermal expansion.
The radiation detector of any one of Claims 1-6.
前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の中心部分に設けられている、
請求項7に記載の放射線検出器。
The bimetal is provided in a central portion on the light detection substrate side or the scintillator layer side,
The radiation detector according to claim 7.
前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の破壊強度の低い部分に設けられている、
請求項7又は請求項8に記載の放射線検出器。
The bimetal is provided in a portion having a low breaking strength on the light detection substrate side or the scintillator layer side,
The radiation detector according to claim 7 or 8.
前記バイメタルは、前記設けられた場所と接着剤で貼り合わされている、
請求項1〜請求項9の何れか1項に記載の放射線検出器。
The bimetal is bonded to the provided place with an adhesive,
The radiation detector of any one of Claims 1-9.
筐体と、
前記筐体に格納され、請求項1〜請求項9の何れか1項に記載の放射線検出器と、を備え、
前記放射線検出器の前記バイメタルは、前記筐体に取り付けられ、前記放射線検出器の他の構成と離間している、
放射線画像撮影装置。
A housing,
The radiation detector according to any one of claims 1 to 9, wherein the radiation detector is stored in the housing.
The bimetal of the radiation detector is attached to the housing and spaced apart from other configurations of the radiation detector;
Radiation imaging device.
請求項1〜請求項10の何れか1項に記載の放射線検出器と、
前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第1温度センサと、
前記バイメタルの温度を検出する第2温度センサと、
前記第1温度センサと前記第2温度センサとの検出温度に基づき、前記放射線検出器が反ると判断した場合に、警告を発する警告手段と、
を備える放射線画像撮影装置。
The radiation detector according to any one of claims 1 to 10,
A first temperature sensor for detecting a temperature of the light detection substrate or the scintillator layer;
A second temperature sensor for detecting the temperature of the bimetal;
Warning means for issuing a warning when it is determined that the radiation detector is warped based on the detected temperatures of the first temperature sensor and the second temperature sensor;
A radiographic imaging apparatus comprising:
請求項1〜請求項10の何れか1項に記載の放射線検出器と、
前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第1温度センサと、
前記バイメタルの温度を検出する第2温度センサと、
前記第1温度センサと前記第2温度センサとの検出温度に差異があった場合に、前記光検出基板及び前記シンチレータ層の温度と前記バイメタルの温度とを同一とする温度調整機構と、
を備える放射線画像撮影装置。
The radiation detector according to any one of claims 1 to 10,
A first temperature sensor for detecting a temperature of the light detection substrate or the scintillator layer;
A second temperature sensor for detecting the temperature of the bimetal;
When there is a difference in detection temperature between the first temperature sensor and the second temperature sensor, a temperature adjustment mechanism that makes the temperature of the photodetection substrate and the scintillator layer the same as the temperature of the bimetal;
A radiographic imaging apparatus comprising:
請求項1〜請求項10の何れか1項に記載の放射線検出器と、
前記バイメタルに電流を流し、前記バイメタルの反り量を制御するバイメタル制御手段と、
を備える放射線画像撮影装置。
The radiation detector according to any one of claims 1 to 10,
Bimetal control means for controlling the amount of warpage of the bimetal by passing a current through the bimetal;
A radiographic imaging apparatus comprising:
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