[go: up one dir, main page]

JP2012018921A - プラズマ発生装置 - Google Patents

プラズマ発生装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012018921A
JP2012018921A JP2011143970A JP2011143970A JP2012018921A JP 2012018921 A JP2012018921 A JP 2012018921A JP 2011143970 A JP2011143970 A JP 2011143970A JP 2011143970 A JP2011143970 A JP 2011143970A JP 2012018921 A JP2012018921 A JP 2012018921A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna
plasma
antenna coils
generating apparatus
coils
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011143970A
Other languages
English (en)
Inventor
Hyong-Jun Kim
亨 準 金
Sang-Jean Jeon
尚 珍 全
Tolmachev Yuriy
トルマチョフ ユリ
Pashkovsky Vasily
パシュコフスキー バシリ
San-Heon Yi
尚 憲 李
Yun-Gu Chon
允 ▲ぐぁん▼ 全
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2012018921A publication Critical patent/JP2012018921A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ密度を高め、誘導結合効率の高い高密度プラズマを均一に分布させることができるプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】アンテナシステム20を構成する並列構造の3本のアンテナコイル22,23,24は、仮想円の中心を基準に、各アンテナコイル22,23,24のパワーエンドPとグラウンドエンドGを、相互対称の位置にさせ、各アンテナコイル22,23,24は、互いに一定の間隔で交差するように巻かれて三重螺旋状に形成される。
【選択図】図5

Description

均一な高密度プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置に関するものである。
プラズマ(Plasma)は、イオン化した気体であって、イオン、電子、ラジカル(radical)などからなるもので、電気的性質及び熱的性質が普通の気体とは極めて異なっていることから、物質の第4状態とも呼ばれる。プラズマは、イオン化した気体を含んでいるため、電場または磁場が印加されると、プラズマ内でまたはプラズマと接している固体の表面上にプラズマ粒子が加速したり拡散したりして、固体の表面で化学的反応及び物理的反応を起こすこととなる。したがって、半導体ウエハーや液晶ディスプレイ装置のガラス基板などのように、微細パターンを形成しなければならない半導体製造工程において、プラズマを用いてエッチング(Etching)、蒸着(Deposition)等の各種の表面処理工程を行っている。
最近では、半導体の高集積度化に伴って微細パターンの線幅が狭くなりつつあり、よって、微細パターンを形成する工程に用いられるプラズマの均一度を向上させるために、高密度プラズマを発生させうるプラズマ発生装置が要求されている。このような高密度プラズマ発生装置には、誘導結合型プラズマ(Inductive coupled plasma;ICP)発生装置と容量結合型プラズマ発生装置(Capacitive coupled plasma;CCP)が用いられている。特に、誘導結合型プラズマ(ICP)発生装置は、プラズマ発生のための電磁気エネルギーを提供する際に、半導体ウエハーやガラス基板などの試料が電磁気場の影響を受けないようにしながらも、プラズマの損失が少ないという利点から、広く用いられてきている。
誘導結合型プラズマ(ICP)発生装置は、プラズマが発生するチャンバーの上部に、高周波(RF)パワーが接続されているアンテナを設置し、アンテナに高周波(RF)パワーを印加することによってチャンバー中に誘導電場を発生させる。この誘導電場は、チャンバー中に注入されるガスをイオン化してプラズマを発生させる役割を果たす。このプラズマは、チャンバー中のチャックに搭載された半導体ウエハーやガラス基板などの試料を、エッチング及び蒸着する。
しかしながら、誘導結合型プラズマ発生装置は、アンテナを構成する各誘導コイルが直列に連結されている構造となっており、アンテナによる電圧降下が増大するため、プラズマとの容量性結合による影響が増加する。そのため、パワー効率が低下する他、プラズマの均一性も維持し難い。特に、大面積の試料を処理しなければならない場合、プラズマの密度が低いため、プラズマを均一に分布させることが困難である。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は、プラズマ密度を高め、誘導結合効率の高い高密度プラズマを均一に分布させることができるプラズマ発生装置のアンテナ構造を提供することにある。
そのために、本発明の一側面によるプラズマ発生装置は、高周波パワーを供給する高周波発生器と、高周波パワーを受けて誘導電場を発生させる複数本のアンテナコイルを有するアンテナシステムと、誘導電場を用いて反応ガスをイオン化してプラズマを発生させる反応チャンバーと、を含み、複数本のアンテナコイルは、一定の間隔で互いに交差して設けられて、電気的に並列構造を形成する。
好適には、複数本のアンテナコイルは、互いに交差した形態を保持するようにボビンに巻き取られている。
好適には、複数本のアンテナコイルにはキャパシタをそれぞれ設置し、複数個のキャパシタは、複数本のアンテナコイルと接地との間に介設される。
好適には、複数本のアンテナコイルと複数個のキャパシタとを連結する連結部には、バランスリングを挿入する。
バランスリングは、電気的に導体の性質を有する金属材質からなる。
また、本発明の他の側面によるプラズマ発生装置は、プラズマを発生させる反応チャンバーと、プラズマ発生のための高周波パワーを供給する高周波発生器と、高周波パワーを受けて誘導電場を発生させる複数本のアンテナコイルと、を含み、複数本のアンテナコイルは、一定の間隔で互いに交差して設けられて、電気的に並列構造を形成する。
本発明のプラズマ発生装置のアンテナ構造によれば、均一な高密度プラズマを発生させるために、少なくとも2本のアンテナコイルを電気的に並列に設置し、それぞれのアンテナコイルと接地との間にキャパシタを設置してアンテナ電圧を最小化することによって、アンテナ電圧により生じうる容量性結合による影響を最小化する。これにより、チャンバーの内壁におけるスパッタリング反応を抑制し、プラズマ均一度を向上させることができる。
また、それぞれのアンテナコイルとキャパシタとの連結部を金属材質のバランスリングで連結することによって、それぞれのアンテナコイルに設置されるキャパシタに容量誤差(5〜10%)があっても、それぞれのアンテナコイルに流れる電流の差を最小化し、均一な高密度プラズマを発生させることができる。
本発明の実施例によるプラズマ発生装置を示す図である。 本発明の実施例によるプラズマ発生装置におけるアンテナシステムの斜視図である。 図2に示すアンテナシステムの平面図である。 図2に示すアンテナシステムの等価回路図である。 本発明の他の実施例によるアンテナシステムの斜視図である。 図5に示すアンテナシステムの平面図である。 図5に示すアンテナシステムの等価回路図である。 本発明の実施例によるプラズマ発生装置においてアンテナコイルにかかる電圧の曲線を示すグラフである。
以下、本発明の実施例を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例によるプラズマ発生装置を示す図である。同図で、本発明のプラズマ発生装置は、誘導結合型プラズマ(ICP)発生装置の基本的な形態、すなわち、ガスをイオン化して発生させたプラズマを貯留する真空状態の反応チャンバー10と、反応チャンバー10の上部に設けられ、高周波(RF)パワーが供給されるアンテナシステム20と、を含む。
反応チャンバー10は、プラズマを用いた半導体製造工程がなされるプロセス領域を形成するもので、このプロセス領域を真空及び一定温度に維持させる機能を果たす。この反応チャンバー10には、外部から反応ガスを注入するためのガス注入口11と、内部を真空に維持し、反応済みのガスを排出させるための真空ポンプ12及びガス排出口13と、が設けられる。また、反応チャンバー10の内部には、半導体ウエハーまたはガラス基板などの試料14を搭載するための静電チャック15が設けられている。
一方、図示してはいないが、反応チャンバー10とアンテナシステム20との間には、アンテナシステム20と(反応チャンバー内部に発生する)プラズマとの容量性結合を遮断することによって、高周波パワーのエネルギーが誘導性結合によってのみプラズマに伝達されるように、誘電体窓(Dielectric Window)を設けることができる。この誘電体窓は、アルミナ(alumina)や石英(quartz)のような誘電体などからなる。
また、本発明のプラズマ発生装置は、アンテナシステム20に供給するための高周波パワーを発生する高周波発生器30と、この高周波発生器30で発生する高周波パワーをアンテナシステム20に損失なしに伝達するためのインピーダンス整合器40と、をさらに含む。
図2は、本発明の一実施例によるプラズマ発生装置におけるアンテナシステムを示す斜視図であり、図3は、図2に示すアンテナシステムの平面図である。
図2及び図3で、アンテナシステム20は、一定の厚さを有する平板ドーナッツ状のボビン21と、このボビン21に巻き取られている少なくとも2本(例えば、2本)のアンテナコイル22,23と、を含む。
このようなアンテナシステム20の構造は、均一な高密度プラズマを発生させるように、2本のアンテナコイル22,23が互いに一定の間隔で交差して設けられて並列構造とされる。
アンテナシステム20を構成する並列構造の2本のアンテナコイル22,23は、仮想円の中心Cを基準に、各アンテナコイル22,23のパワーエンドP及びグラウンドエンドGが相互対称の位置となり、また、各アンテナコイル22,23は、互いに一定の間隔で交差するように巻かれて二重螺旋状に形成される。
各アンテナコイル22,23のパワーエンドPは、反応チャンバー10から遠く離れた垂直の位置にさせ、各アンテナコイル22,23のグラウンドエンドGは、反応チャンバー10から近い垂直の位置にさせる。
このように、本実施例において、アンテナシステム20を構成する各アンテナコイル22,23は、互いに一定の間隔で交差して二重螺旋状に巻かれることで同一半径に位置する並列構造とされ、各アンテナコイル22,23のパワーエンドPは、反応チャンバー10から相対的に遠い側、すなわち、相対的に上部に配置させ、グラウンドエンドGは反応チャンバー10から近い側、すなわち、パワーエンドPよりも下部に配置させることで、パワーエンドP側に高電圧が印加されて、イオン損失によってプラズマ密度が降下することを最小化することができる。
また、本発明の実施例によるアンテナシステム20は、2本のアンテナコイル22,23にキャパシタ(capacitor)25,26をそれぞれ設ける。2本のアンテナコイル22,23にそれぞれ設けられる2個のキャパシタ25,26は、各アンテナコイル22,23にかかる電圧を最小化する役割を果たす。
また、本発明の実施例によるアンテナシステム20は、2本のアンテナコイル22,23と2個のキャパシタ25,26とを連結する連結部に、バランスリング(Balance Ring)28−1を挿入する。このバランスリング28−1は、電気的に導体の性質を有する金属材質からなり、2本のアンテナコイル22,23と2個のキャパシタ25,26とを連結する連結部を電気的にショートさせることで、それぞれのアンテナコイル22,23にかかる電圧を同一にさせる。
図4は、図2に示すアンテナシステムの等価回路図である。同図で、アンテナシステム20は、2本のアンテナコイル22,23が電気的に並列に設置される並列構造のアンテナとする。
各アンテナコイル22,23の一側22a,23aは、高周波発生器30から供給される高周波パワーの入力端RF INに連結され、各アンテナコイル22,23の他側22b,23bは、接地端子29に連結される。
そして、各アンテナコイル22,23と接地端子29との間には、キャパシタ25,26がそれぞれ設置される。それぞれのアンテナコイル22,23と接地端子29との間に設置される2個のキャパシタ25,26は、各アンテナコイル22,23の上端22a、23aと下端22b,23b、すなわち、アンテナコイル22,23の両端にかかる電圧差は同一に維持させながら、接地端子29に向かうアンテナコイル22,23の端部の電圧を下げることができる。
また、それぞれのアンテナコイル22,23とそれぞれのキャパシタ25,26とを連結する連結部には、バランスリング28−1が挿入される。それぞれのアンテナコイル22,23とそれぞれのキャパシタ25,26とを連結する連結部に挿入されるバランスリング28−1は、それぞれのアンテナコイル22,23に設置されるキャパシタ25,26に容量誤差があっても、それぞれのアンテナコイル22,23にかかる電圧を同一にさせることができる。
図5は、本発明の他の実施例によるアンテナシステムを示す斜視図であり、図6は、図5に示すアンテナシステムの平面図であり、ここでは、図2及び図3と同じ部分については同一符号及び同一名称を使用し、可能な限り重複説明は避けるものとする。
図5及び図6で、本実施例によるアンテナシステム20は、ボビン21と、このボビン21に巻き取られる少なくとも2本以上(例えば、3本)のアンテナコイル22,23,24と、を含む。
このようなアンテナシステム20の構造は、均一な高密度プラズマを発生させるために、3本のアンテナコイル22,23,24は、互いに一定の間隔で交差して並列構造とされる。
アンテナシステム20を構成する並列構造の3本のアンテナコイル22,23,24は、仮想円の中心Cを基準に、各アンテナコイル22,23,24のパワーエンドPとグラウンドエンドGを、相互対称の位置にさせ、各アンテナコイル22,23,24は、互いに一定の間隔で交差するように巻かれて三重螺旋状に形成される。
各アンテナコイル22,23,24のパワーエンドPは、反応チャンバー10から遠い垂直の位置にさせ、アンテナコイル22,23、24のグラウンドエンドGは、反応チャンバー10から近い垂直の位置にさせる。
このように、本実施例でアンテナシステム20を構成する各アンテナコイル22,23,24は、互いに一定の間隔で交差して三重螺旋状に巻かれることで同一半径に位置する並列構造とされ、各アンテナコイル22,23,24のパワーエンドPは、反応チャンバー10から遠い側、すなわち、相対的に上部に位置し、グラウンドエンドGは、反応チャンバー10から近い側、すなわち、パワーエンドPよりも下部に位置させることによって、パワーエンドP側に高電圧が印加され、イオン損失によってプラズマ密度が降下することを最小化することができる。
また、本発明の他の実施例によるアンテナシステム20は、3本のアンテナコイル22,23,24にキャパシタ25,26,27をそれぞれ設置する。3本のアンテナコイル22,23,24にそれぞれ設置された3個のキャパシタ25,26,27は、各アンテナコイル22,23,24にかかる電圧を最小化する役割を果たす。
また、本発明の他の実施例によるアンテナシステム20は、3本のアンテナコイル22,23,24と3個のキャパシタ25,26,27とを連結する連結部に、バランスリング28−2を挿入する。このバランスリング28−2は、電気的に導体の性質を有する金属材質からなり、3本のアンテナコイル22,23,24と3個のキャパシタ25,26,27とを連結する連結部を電気的にショートさせることによって、それぞれのアンテナコイル22,23,24にかかる電圧を同一にさせる。
図7は、図5に示すアンテナシステムの等価回路図である。図7で、アンテナシステム20は、3本のアンテナコイル22,23,24が電気的に並列に設置される並列構造のアンテナとする。
各アンテナコイル22,23,24の一側22a,23a,24aは、高周波発生器30から供給される高周波パワーの入力端RF INに連結され、各アンテナコイル22,23,24の他側22b,23b,24bは、接地端子29に連結される。
そして、各アンテナコイル22,23,24と接地端子29との間には、キャパシタ25,26,27がそれぞれ設置される。それぞれのアンテナコイル22,23,24と接地端子29との間に設置される3個のキャパシタ25,26,27は、各アンテナコイル22,23,24の上端22a,23a,24aと下端22b,23b,24b、すなわち、アンテナコイル22,23,24の両端にかかる電圧差は同一に維持しながら、接地端子29に向かうアンテナコイル22,23,24の端部の電圧を下げることができる。
また、それぞれのアンテナコイル22,23,24とそれぞれのキャパシタ25,26,27とを連結する連結部には、バランスリング28−2が挿入される。それぞれのアンテナコイル22,23,24とそれぞれのキャパシタ25,26,27とを連結する連結部に挿入されるバランスリング28−2は、それぞれのアンテナコイル22,23,24に設置されるキャパシタ25,26,27に容量誤差があっても、それぞれのアンテナコイル22,23,24にかかる電圧を同一にさせることができる。
以下、上記のように構成されたプラズマ発生装置のアンテナシステムにおいて均一な高密度プラズマを発生する動作過程及び作用効果について説明する。
図1で、まず、反応チャンバー10の内部が真空ポンプにより真空状態になるように排気された後、ガス注入口からプラズマを生成するための反応ガスが注入されて、必要な圧力に維持される。
このような状態で、アンテナシステム20に高周波発生器30から高周波パワーを印加する。高周波発生器30から高周波パワーが印加されると、アンテナシステム20がなす平面と垂直の方向に時変する磁場が形成され、この磁場は、反応チャンバー10の内部に誘導電場を形成する。この誘導電場は、反応チャンバー10中の反応ガス粒子を加速させ、加速された粒子は互いに衝突してイオン及びラジカルを生成し、生成されたプラズマ状態のイオン及びラジカルは、反応チャンバー10内のチャック15に搭載された試料14のエッチング及び蒸着に用いられる。
このようなプラズマ発生装置において誘導結合効率の高い高密度プラズマを均一に分布させうるアンテナシステム20の構造について説明する。
まず、本発明の実施例によるアンテナシステム20は、図2及び図3に示すように、一定の厚さを有する平板ドーナッツ状のボビン21に、2本のアンテナコイル22,23が互いに一定の間隔で巻き取られている。ここで、2本のアンテナコイル22,23は、二重螺旋状に交差して同一半径に位置する並列構造となる。
それぞれのアンテナコイル22,23は、高周波電流の増加によってアンテナコイル22,23の高周波パワー入力端、すなわち、高周波発生器30からの電圧が増大することとなる。
そこで、本発明の実施例によるアンテナシステム20では、2本のアンテナコイル22,23と接地端子29との間にキャパシタ25,26をそれぞれ設けることによって、図4に示すように、各アンテナコイル22,23の上端22a,23aと下端22b,23b、すなわち、アンテナコイル22,23の両端にかかる電圧差は同一に維持しながら、接地端子29に向かうアンテナコイル22,23の端部の電圧を下げることができる。したがって、アンテナ電圧により発生する静電場(Static E-field)を下げることによって、アンテナ電圧により生じうる容量性結合による影響を最小化し、反応チャンバー10の内壁におけるスパッタリング(sputtering)反応を抑制し、結果としてプラズマ均一度を向上させることができる。
しかしながら、2本のアンテナコイル22,23と接地端子29との間、すなわち、各アンテナコイル22,23の接地端子29にキャパシタ25,26を介設すると、通常のキャパシタ容量誤差(5〜10%)によって2本のアンテナコイル22,23に流れる電流に差が発生することがある。
そこで、本発明の実施例によるアンテナシステム20では、2本のアンテナコイル22,23と2個のキャパシタ25,26との連結部を金属材質のバランスリング28−1で連結して、それぞれのアンテナコイル22,23にかかる電圧を同一にさせることによって、各アンテナコイル22,23の両端に流れる電流を同一にさせ、結果として、均一な高密度プラズマを発生させることができる。
また、本発明の他の実施例によるアンテナシステム20は、図5及び図6に示すように、平板ドーナッツ状のボビン21に、3本のアンテナコイル22,23,24が互いに一定の間隔で巻き取られている。ここで、3本のアンテナコイル22,23,24は三重螺旋状に交差して巻かれて同一半径に位置する並列構造とする。
それぞれのアンテナコイル22,23,24は、高周波電流の増加によってアンテナコイル22,23,24の高周波パワー入力端、すなわち、高周波発生器30からの電圧が高くなる。
そこで、本発明の他の実施例によるアンテナシステム20では、3本のアンテナコイル22,23,24と接地端子29との間にキャパシタ25,26,27をそれぞれ設けることによって、図7に示すように、各アンテナコイル22,23,24の上端22a,23a,24aと下端22b,23b,24b、すなわち、アンテナコイル22,23,24の両端にかかる電圧差は同一に維持させながら、接地端子29に向かうアンテナコイル22,23,24の端部の電圧を下げることができる。したがって、アンテナ電圧により生じうる容量性結合による影響を最小化することによって、反応チャンバー10の内壁におけるスパッタリング反応を抑制し、プラズマ均一度を向上させることができる。
しかし、3本のアンテナコイル22,23,24と接地端子29との間、すなわち、各アンテナコイル22,23,24の接地端子29にキャパシタ25,26,27を介設すると、通常のキャパシタ容量誤差(5〜10%)によって3本のアンテナコイル22,23,24に流れる電流に差が発生することがある。
そこで、本発明の他の実施例によるアンテナシステム20では、3本のアンテナコイル22,23,24と3個のキャパシタ25,26、27との連結部を、金属材質のバランスリング28で連結して、それぞれのアンテナコイル22,23,24にかかる電圧を同一にさせることによって、各アンテナコイル22,23,24の両端に流れる電流を同一にさせ、結果として均一な高密度プラズマを発生させることができる。
図8は、本発明の実施例によるプラズマ発生装置においてアンテナコイルにかかる電圧の曲線を示すグラフである。図8に示すように、アンテナコイル22,23または24の上端22a,23aまたは24aにかかる電圧と、アンテナコイル22,23または24の下端22b,23bまたは24bにかかる電圧とは、接地端子29を基準にその絶対値が互いに同一であることがわかる。これにより、各アンテナコイル22,23または24のパワーエンドPと各アンテナコイル22,23または24のグラウンドエンドGとの間にかかる電圧の大きさを半分に減らすことによって、反応チャンバー10の下端部に発生するスパッタリング効果を減少させることができる。
一方、上記の実施例では、少なくとも2本以上(2本または3本)のアンテナコイル22,23または24が、互いに一定の間隔で交差して並列構造とされたアンテナシステム20を取り上げたが、本発明はこれに限定されず、様々な構造のアンテナシステムにおいても、キャパシタとバランスリングを設けることによって上記の実施例と同一の目的及び効果を達成することができる。
10 反応チャンバー
11 ガス注入口
12 真空ポンプ
13 排出口
14 試料
15 静電チャック
20 アンテナシステム
21 ボビン
22,23,24 アンテナコイル
25,26,27 キャパシタ
28−1,28−2 バランスリング
29 接地端子
30 高周波発生器
40 インピーダンス整合器

Claims (12)

  1. 高周波パワーを供給する高周波発生器と、
    前記高周波パワーを受けて誘導電場を発生する複数本のアンテナコイルを有するアンテナシステムと、
    前記誘導電場を用いて反応ガスをイオン化してプラズマを発生させる反応チャンバーと、
    を含み、
    前記複数本のアンテナコイルは、一定の間隔で互いに交差して設けられて、電気的に並列構造を形成するプラズマ発生装置。
  2. 前記複数本のアンテナコイルは、互いに交差する形態を保持するようにボビンに巻き取られている、請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  3. 前記複数本のアンテナコイルにはキャパシタをそれぞれ設置する、請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  4. 前記複数個のキャパシタは、前記複数本のアンテナコイルと接地との間に介設される、請求項3に記載のプラズマ発生装置。
  5. 前記複数本のアンテナコイルと前記複数個のキャパシタとを連結する連結部にはバランスリングを設ける、請求項3に記載のプラズマ発生装置。
  6. 前記バランスリングは、電気的に導体の性質を有する金属材質からなる、請求項5に記載のプラズマ発生装置。
  7. プラズマを発生させる反応チャンバーと、
    前記プラズマ発生のための高周波パワーを供給する高周波発生器と、
    前記高周波パワーを受けて誘導電場を発生させる複数本のアンテナコイルと、
    を含み、
    前記複数本のアンテナコイルは、一定の間隔で互いに交差して設けられて、電気的に並列構造を形成する、プラズマ発生装置。
  8. 前記複数本のアンテナコイルは、互いに交差する形態を保持するようにボビンに巻き取られる、請求項7に記載のプラズマ発生装置。
  9. 前記複数本のアンテナコイルにはキャパシタをそれぞれ設置する、請求項7に記載のプラズマ発生装置。
  10. 前記複数個のキャパシタは、前記複数本のアンテナコイルと接地との間に介設される、請求項9に記載のプラズマ発生装置。
  11. 前記複数本のアンテナコイルと前記複数個のキャパシタとを連結する連結部には、バランスリングを設ける、請求項9に記載のプラズマ発生装置。
  12. 前記バランスリングは、電気的に導体の性質を有する金属材質からなる、請求項11に記載のプラズマ発生装置。
JP2011143970A 2010-07-06 2011-06-29 プラズマ発生装置 Withdrawn JP2012018921A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100064685A KR20120004040A (ko) 2010-07-06 2010-07-06 플라즈마 발생장치
KR10-2010-0064685 2010-07-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012018921A true JP2012018921A (ja) 2012-01-26

Family

ID=45438103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011143970A Withdrawn JP2012018921A (ja) 2010-07-06 2011-06-29 プラズマ発生装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120007503A1 (ja)
JP (1) JP2012018921A (ja)
KR (1) KR20120004040A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5638727B1 (ja) * 2014-03-31 2014-12-10 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置及びこれに用いられるコイル

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6040362B2 (ja) * 2011-07-16 2016-12-07 イマジニアリング株式会社 内燃機関
EP2760259B1 (en) * 2011-09-22 2016-12-28 Imagineering, Inc. Plasma generating device, and internal combustion engine
KR101310753B1 (ko) * 2012-04-26 2013-09-24 한국표준과학연구원 유도 안테나
KR101873066B1 (ko) 2012-06-29 2018-06-29 타이코에이엠피 주식회사 퓨즈 장치 및 그 제조방법
KR102133351B1 (ko) * 2013-12-30 2020-07-13 주식회사 선익시스템 Oled 기판 플라즈마 처리장치
KR101595365B1 (ko) * 2014-07-21 2016-02-18 한국단자공업 주식회사 자동차용 박스
KR101773448B1 (ko) * 2016-04-29 2017-09-01 세메스 주식회사 안테나 및 그를 이용하는 기판 처리 장치
KR102026880B1 (ko) * 2016-10-13 2019-09-30 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치
KR101972783B1 (ko) * 2017-10-13 2019-08-16 주식회사 유진테크 Icp 안테나 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
JP7394632B2 (ja) * 2020-01-16 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 アレーアンテナ及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4792732A (en) * 1987-06-12 1988-12-20 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Radio frequency plasma generator
US6239760B1 (en) * 1995-08-14 2001-05-29 Vortekx, Inc. Contrawound toroidal helical antenna
US6264812B1 (en) * 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US6268700B1 (en) * 1996-06-10 2001-07-31 Lam Research Corporation Vacuum plasma processor having coil with intermediate portion coupling lower magnetic flux density to plasma than center and peripheral portions of the coil
US6164241A (en) * 1998-06-30 2000-12-26 Lam Research Corporation Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems
JP3374796B2 (ja) * 1999-08-06 2003-02-10 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法及び装置
US6527912B2 (en) * 2001-03-30 2003-03-04 Lam Research Corporation Stacked RF excitation coil for inductive plasma processor
US7571697B2 (en) * 2001-09-14 2009-08-11 Lam Research Corporation Plasma processor coil
EP1552727A4 (en) * 2002-07-26 2007-06-06 Plasmart Co Ltd INDUCTIVE-COUPLED PLASMAGENERATOR WITH LOWER SIDE TRIM
KR100486724B1 (ko) * 2002-10-15 2005-05-03 삼성전자주식회사 사행 코일 안테나를 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치
EP1480250A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-24 HELYSSEN S.à.r.l. A high density plasma reactor and RF-antenna therefor
JP4657620B2 (ja) * 2004-04-13 2011-03-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20070170867A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma Immersion Ion Source With Low Effective Antenna Voltage
US7591232B2 (en) * 2006-03-31 2009-09-22 Tokyo Electron Limited Internal coil with segmented shield and inductively-coupled plasma source and processing system therewith
WO2008089168A2 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma immersion chamber
JP2010519448A (ja) * 2007-02-16 2010-06-03 エイディー アストラ ロケット カンパニー 改良型プラズマ源
US20090004836A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma doping with enhanced charge neutralization

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5638727B1 (ja) * 2014-03-31 2014-12-10 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置及びこれに用いられるコイル
WO2015151150A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置及びこれに用いられるコイル

Also Published As

Publication number Publication date
US20120007503A1 (en) 2012-01-12
KR20120004040A (ko) 2012-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012018921A (ja) プラズマ発生装置
JP3905502B2 (ja) 誘導結合プラズマ発生装置
KR101094124B1 (ko) 균일한 프로세스 레이트를 발생시키는 안테나
KR200253559Y1 (ko) 회전방향으로 균일한 플라즈마 밀도를 발생시키는유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나구조
TWI580325B (zh) 電感耦合電漿產生天線,電感耦合電漿產生器與其驅動方法
KR20100031960A (ko) 플라즈마 발생장치
TWI723406B (zh) 電漿處理裝置
KR20100129370A (ko) 대면적 플라즈마를 이용한 연속 기판 처리 시스템
KR101167952B1 (ko) 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기
KR100488363B1 (ko) 회전방향으로 균일한 플라즈마 밀도를 발생시키는유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나구조
KR20100129368A (ko) 복합 주파수를 이용한 대면적 플라즈마 반응기
KR20110032374A (ko) 다중 플라즈마 영역을 갖는 플라즈마 반응기
KR20080024693A (ko) 대면적 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20090073327A (ko) 고밀도 원격 플라즈마 처리 장치
KR100806522B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR101585891B1 (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
KR20100129369A (ko) 수직 듀얼 챔버로 구성된 대면적 플라즈마 반응기
KR100817290B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 발생장치용 안테나
KR20070032758A (ko) 유도결합형 플라즈마 발생장치용 안테나
KR100625319B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치
KR101139824B1 (ko) 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기
KR101002260B1 (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
KR101161200B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR100845885B1 (ko) 대면적 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20100047723A (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140902