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JP2012015431A - Dicing die bond film - Google Patents

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JP2012015431A
JP2012015431A JP2010152699A JP2010152699A JP2012015431A JP 2012015431 A JP2012015431 A JP 2012015431A JP 2010152699 A JP2010152699 A JP 2010152699A JP 2010152699 A JP2010152699 A JP 2010152699A JP 2012015431 A JP2012015431 A JP 2012015431A
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JP
Japan
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dicing
die
film
adhesive layer
polymer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2010152699A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Kamiya
克彦 神谷
Takeshi Matsumura
健 松村
Shuhei Murata
修平 村田
Hironao Otake
宏尚 大竹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Priority to KR1020110065998A priority patent/KR20120003815A/en
Priority to TW100123545A priority patent/TW201207070A/en
Priority to CN2011101886340A priority patent/CN102311711A/en
Priority to US13/176,205 priority patent/US20120003470A1/en
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    • H10W72/354

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  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

【課題】ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムで、(1)半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力、基材からの半導体チップの良好な剥離性、(2)環境や人体に与える影響が小さい、(3)取扱いが容易なダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンドフィルム11は、基材1上に粘着剤層2を有するダイシングフィルムと、ダイボンドフィルム3’とを有し該粘着剤層は紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物を含み、該ポリマー(P)は、主モノマーとしてアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含む成分から構成されるポリマー(A)と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物(B)とを反応させて得られ、該ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含む。
【選択図】図2
A dicing die-bonding film having a dicing film and a die-bonding film. (1) Regardless of the size and thickness of a semiconductor wafer or a semiconductor chip, good holding power for the semiconductor wafer during dicing, and a semiconductor from a substrate Provided is a dicing die-bonding film that has good chip releasability, (2) little influence on the environment and human body, and (3) easy handling.
A dicing die-bonding film 11 includes a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer 2 on a substrate 1 and a die-bonding film 3 ', and the pressure-sensitive adhesive layer is formed by curing a polymer (P) by ultraviolet irradiation. The polymer (P) contains a polymer (A) composed of components including an acrylate ester and a carboxyl group-containing monomer as main monomers, and an oxazoline group containing an oxazoline group and a radical-reactive carbon-carbon double bond. The die-bonding film obtained by reacting with the compound (B) contains an epoxy resin.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。具体的には、ワーク(半導体ウェハ等)のダイシングに供するフィルムであって、チップ状ワーク(半導体チップ等)と電極部材とを固着するための接着剤をダイシング前において既にワーク(半導体ウェハ等)に付設された状態とすることができる、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。   The present invention relates to a dicing die bond film. Specifically, it is a film used for dicing a workpiece (semiconductor wafer, etc.), and an adhesive for fixing the chip-like workpiece (semiconductor chip, etc.) and the electrode member is already applied before dicing. It is related with the dicing die-bonding film which can be set as the state attached to.

回路パターンを形成した半導体ウェハ(ワーク)は、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップ(チップ状ワーク)にダイシングされる(ダイシング工程)。ダイシング工程においては、一般的に、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧(通常、2kg/cm程度)で洗浄する。次に、上記ダイシングされた半導体チップは、接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着される(マウント工程)。続いて、上記被着体に固着された半導体チップに対して、ボンディングが施される(ボンディング工程)。 The semiconductor wafer (work) on which the circuit pattern is formed is diced into a semiconductor chip (chip-shaped work) after adjusting the thickness by backside polishing as necessary (dicing step). In the dicing process, generally, the semiconductor wafer is washed with an appropriate liquid pressure (usually about 2 kg / cm 2 ) in order to remove the cut layer. Next, the diced semiconductor chip is fixed to an adherend such as a lead frame with an adhesive (mounting process). Subsequently, bonding is performed on the semiconductor chip fixed to the adherend (bonding step).

上記マウント工程においては、上記接着剤は、リードフレームや半導体チップの表面に塗布される。しかし、接着剤の塗布に際しては、特殊な装置が必要であるという問題や、作業に長時間を要するという問題がある。また、塗布という作業の性格上、接着剤層の均一化が困難であるという問題がある。   In the mounting step, the adhesive is applied to the surface of the lead frame or semiconductor chip. However, when applying the adhesive, there is a problem that a special device is required and a problem that a long time is required for the work. In addition, there is a problem that it is difficult to make the adhesive layer uniform because of the nature of the work of application.

上記のような問題を解決するため、ダイシング工程においては半導体ウェハを接着保持できるとともに、マウント工程における被着体固着用の接着剤層を付与できる、ダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In order to solve the above problems, a dicing die bond film has been proposed that can adhere and hold a semiconductor wafer in a dicing process and can provide an adhesive layer for fixing an adherend in a mounting process (for example, Patent Document 1).

特許文献1に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなる。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングした後、支持基材を延伸し、半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収し、回収した接着剤層付半導体チップの接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させる。   The dicing die-bonding film described in Patent Document 1 is provided with an adhesive layer that can be peeled off on a supporting substrate. That is, after the semiconductor wafer is diced while being held by the adhesive layer, the support base is stretched, the semiconductor chip is peeled off together with the adhesive layer, and this is recovered individually, and the recovered semiconductor chip with the adhesive layer is bonded. It adheres to adherends, such as a lead frame, through an agent layer.

上記のようなダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミスなどが生じないように、半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを接着剤層と一体に支持基材から剥離しうる良好な剥離性とが望まれる。   The adhesive layer of the dicing die-bonding film as described above has a good holding power for the semiconductor wafer and a support base for the semiconductor chip after dicing integrated with the adhesive layer so that dicing is not impossible and dimensional errors do not occur. Good peelability that can be peeled from the material is desired.

しかし、上記の両特性、すなわち、良好な保持力と良好な剥離性とをバランス良く発現させることは困難であるという問題がある。特に、半導体ウェハを回転丸刃などでダイシングする方式などのように、接着剤層に大きな保持力が要求される場合には、上記の両特性をバランス良く発現できるダイシング・ダイボンドフィルムを得ることは困難である。   However, there is a problem that it is difficult to express both of the above characteristics, that is, good holding power and good peelability in a well-balanced manner. In particular, when a large holding force is required for the adhesive layer, such as a method of dicing a semiconductor wafer with a rotating round blade or the like, it is possible to obtain a dicing die bond film that can express both of the above characteristics in a balanced manner. Have difficulty.

上記のような問題を解決するため、ダイシング・ダイボンドフィルムに関して、種々の改良法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。   In order to solve the above problems, various improved methods have been proposed for dicing and die-bonding films (see, for example, Patent Document 2).

特許文献2に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、支持基材と接着剤層との間に紫外線硬化が可能な粘着剤層が介在している。この粘着剤層をダイシング後に紫外線硬化させることにより、粘着剤層と接着剤層との間の接着力を低下させる。この接着力の低下により、粘着剤層と接着剤層とが剥離し易くなり、半導体チップのピックアップが容易になる。   In the dicing die-bonding film described in Patent Document 2, a pressure-sensitive adhesive layer capable of ultraviolet curing is interposed between the support substrate and the adhesive layer. The adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is reduced by curing the pressure-sensitive adhesive layer with ultraviolet rays after dicing. Due to the decrease in the adhesive force, the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are easily peeled off, and the semiconductor chip can be easily picked up.

しかしながら、上記の改良法によっても、ダイシング時の良好な保持力とその後の良好な剥離性とをバランス良く発現できるダイシング・ダイボンドフィルムとすることは困難である。例えば、10mm×10mm以上の大型の半導体チップを得る場合には、その面積が大きいため、一般のダイボンダーを用いて半導体チップをピックアップすることが容易でない。   However, even with the improved method, it is difficult to obtain a dicing die-bonding film that can express a good holding power during dicing and a good peelability thereafter. For example, when obtaining a large semiconductor chip of 10 mm × 10 mm or more, since the area is large, it is not easy to pick up the semiconductor chip using a general die bonder.

上記のような問題を解決するため、ダイシング・ダイボンドフィルムに関して、さらに種々の改良法が提案されている(例えば、特許文献3参照)。   In order to solve the above problems, various improved methods have been proposed for dicing die-bonding films (see, for example, Patent Document 3).

特許文献3に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、ポリマー中の水酸基と、水酸基と反応するイソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物を反応させた粘着剤が使用されている。このような粘着剤を用いることにより、容易に半導体チップをピックアップさせている。   In the dicing die-bonding film described in Patent Document 3, a pressure-sensitive adhesive obtained by reacting a hydroxyl group in a polymer with a compound having an isocyanate group that reacts with the hydroxyl group and a radical-reactive carbon-carbon double bond is used. By using such an adhesive, a semiconductor chip is easily picked up.

しかしながら、イソシアネート基含有化合物と水酸基含有ポリマーとの反応を促進させるためには、錫系触媒を添加する場合があり、環境に与える影響が大きいという問題がある。また、イソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物は、水と反応して失活するという問題がある。さらに、イソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物は、揮発性であるために環境や人体に与える影響が大きいという問題があり、取り扱いには十分な注意が必要である。   However, in order to promote the reaction between the isocyanate group-containing compound and the hydroxyl group-containing polymer, a tin-based catalyst may be added, which has a problem of having a great influence on the environment. Moreover, the compound which has an isocyanate group and a radical reactive carbon-carbon double bond has the problem of reacting with water and deactivating. Furthermore, the compound having an isocyanate group and a radical-reactive carbon-carbon double bond has a problem that it has a large influence on the environment and the human body because it is volatile, and sufficient care is required for handling.

特開昭60−57642号公報JP-A-60-57642 特開平2−248064号公報JP-A-2-24864 特開2009−170786号公報JP 2009-170786 A

本発明の課題は、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、(1)半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現でき、(2)環境や人体に与える影響が小さく、(3)取扱いが容易な、ダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。   An object of the present invention is a dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a base material and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer, and (1) a semiconductor wafer or a semiconductor chip Regardless of size and thickness, good holding power to the semiconductor wafer at the time of dicing and good releasability that can peel the semiconductor chip after dicing from the base material integrally with the die bond film can be expressed in a balanced manner, (2) To provide a dicing die-bonding film that has little influence on the environment and the human body and (3) is easy to handle.

本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、
基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
該粘着剤層は、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物を含み、
該ポリマー(P)は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー(A)と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物(B)とを反応させて得られ、
該ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂を含む。
The dicing die-bonding film of the present invention is
A dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, and a dicing film having a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a cured product of polymer (P) by ultraviolet irradiation,
The polymer (P) includes a polymer (A) composed of a monomer component including an acrylic acid ester as a main monomer and a carboxyl group-containing monomer, and an oxazoline group having a oxazoline group and a radical-reactive carbon-carbon double bond. Obtained by reacting with compound (B),
The die bond film includes an epoxy resin.

好ましい実施形態においては、上記カルボキシル基含有モノマーが、(メタ)アクリル酸およびカルボキシアルキル(メタ)アクリレートから選ばれる少なくとも1種である。   In a preferred embodiment, the carboxyl group-containing monomer is at least one selected from (meth) acrylic acid and carboxyalkyl (meth) acrylate.

好ましい実施形態においては、上記オキサゾリン基含有化合物(B)が、2−ビニル−2−オキサゾリン、4−メチル−2−ビニル−2−オキサゾリン、5−メチル−2−ビニル−2−オキサゾリン、2−ビニル−4,4−ジメチル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、4−メチル−2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、5−メチル−2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、および2−イソプロペニル−4,4−ジメチル−2−オキサゾリンから選ばれる少なくとも1種である。   In a preferred embodiment, the oxazoline group-containing compound (B) is 2-vinyl-2-oxazoline, 4-methyl-2-vinyl-2-oxazoline, 5-methyl-2-vinyl-2-oxazoline, 2- Vinyl-4,4-dimethyl-2-oxazoline, 2-isopropenyl-2-oxazoline, 4-methyl-2-isopropenyl-2-oxazoline, 5-methyl-2-isopropenyl-2-oxazoline, and 2- It is at least one selected from isopropenyl-4,4-dimethyl-2-oxazoline.

好ましい実施形態においては、上記アクリル酸エステルは、CH=CHCOOR(式中、Rは炭素数が6〜10のアルキル基)で表されるアクリル酸エステルである。 In a preferred embodiment, the acrylic ester is an acrylic ester represented by CH 2 ═CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms).

好ましい実施形態においては、上記ポリマー(P)のガラス転移温度が、−70℃〜−10℃である。   In preferable embodiment, the glass transition temperature of the said polymer (P) is -70 degreeC--10 degreeC.

本発明によれば、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、(1)半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現でき、(2)環境や人体に与える影響が小さく、(3)取扱いが容易な、ダイシング・ダイボンドフィルムを提供することができる。   According to the present invention, there is provided a dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a base material and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer, wherein (1) a semiconductor wafer or a semiconductor chip Regardless of size and thickness, good holding power to the semiconductor wafer at the time of dicing and good releasability that can peel the semiconductor chip after dicing from the base material integrally with the die bond film can be expressed in a balanced manner, (2) A dicing die-bonding film that has a small influence on the environment and the human body and (3) is easy to handle can be provided.

本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the dicing die-bonding film by preferable embodiment of this invention. 本発明の別の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the dicing die-bonding film by another preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device using the dicing die-bonding film by preferable embodiment of this invention.

本発明について図を用いて説明する場合、該図中、説明に不要な部分は記載を省略している場合がある。また、本発明について図を用いて説明する場合、説明を容易にするため、該図の一部または全部を拡大または縮小している場合がある。
≪A.ダイシング・ダイボンドフィルム≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムである。
When the present invention is described with reference to the drawings, the description of the portions unnecessary for the description may be omitted in the drawings. Further, when the present invention is described with reference to the drawings, some or all of the drawings may be enlarged or reduced for easy description.
≪A. Dicing die bond film >>
The dicing die-bonding film of the present invention is a dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a base material and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer.

図1は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの好ましい実施形態の一例の概略断面図である。図1において、ダイシング・ダイボンドフィルム10は、基材1上に粘着剤層2を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層2上に設けられたダイボンドフィルム3とを有する。粘着剤層2は、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物を全体的に含んでいる。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a preferred embodiment of the dicing die-bonding film of the present invention. In FIG. 1, a dicing die-bonding film 10 includes a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer 2 on a substrate 1 and a die-bonding film 3 provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. The pressure-sensitive adhesive layer 2 entirely contains a cured product of the polymer (P) by ultraviolet irradiation.

図2は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの別の好ましい実施形態の一例の概略断面図である。図2において、ダイシング・ダイボンドフィルム11は、基材1上に粘着剤層2を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層2上に設けられたダイボンドフィルム3´とを有する。図2におけるダイボンドフィルム3´は、粘着剤層2上において、半導体ウェハ4の貼り付け部分にのみ形成されている。粘着剤層2は、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物からなる部分2aと、紫外線照射されずに硬化していないポリマー(P)からなる部分2bとを含む。このように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、粘着剤層2は、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物を全体的に含んでいる必要はなく、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物を部分的に含んでいても良い。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an example of another preferred embodiment of the dicing die-bonding film of the present invention. In FIG. 2, a dicing die bond film 11 includes a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer 2 on a substrate 1 and a die bond film 3 ′ provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. The die bond film 3 ′ in FIG. 2 is formed only on the adhesive layer 2 where the semiconductor wafer 4 is attached. The pressure-sensitive adhesive layer 2 includes a portion 2a made of a cured product of the polymer (P) by ultraviolet irradiation and a portion 2b made of a polymer (P) not cured without being irradiated with ultraviolet light. Thus, in the dicing die-bonding film of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer 2 does not need to contain the entire cured product of the polymer (P) by ultraviolet irradiation, and the polymer (P) is cured by ultraviolet irradiation. A thing may be included partially.

本発明のダイシング・ダイボンドフィルムには、帯電防止能を持たせることができる。ダイシング・ダイボンドフィルムに帯電防止能を持たせることにより、その接着時および剥離時等における静電気の発生やそれによるワーク(半導体ウェハ等)の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。   The dicing die-bonding film of the present invention can have antistatic ability. By providing the dicing die-bonding film with antistatic ability, it is possible to prevent the circuit from being destroyed due to the generation of static electricity at the time of bonding and peeling, and the charging of the workpiece (semiconductor wafer, etc.). .

ダイシング・ダイボンドフィルムに帯電防止能を付与する方法としては、基材、粘着剤層、あるいはダイボンドフィルムへ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層を基材上に付設する方法などが挙げられる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。   As a method of imparting antistatic ability to the dicing die bond film, a method of adding an antistatic agent or a conductive substance to a base material, an adhesive layer, or a die bond film, a conductive layer made of a charge transfer complex, a metal film, or the like. The method of attaching on a base material etc. are mentioned. As these methods, a method in which impurity ions that may change the quality of the semiconductor wafer are less likely to be generated is preferable.

導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質(導電フィラー)としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。   As a conductive substance (conductive filler) blended for the purpose of imparting conductivity and improving thermal conductivity, spherical, needle-like, and flaky shapes such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, and conductive alloys Examples thereof include metal powders, metal oxides such as alumina, amorphous carbon black, and graphite.

ダイボンドフィルムは、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。   The die bond film is preferably non-conductive from the viewpoint of preventing electrical leakage.

ダイボンドフィルムは、セパレータにより保護されていることが好ましい。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有する。また、セパレータは、さらに、粘着剤層にダイボンドフィルムを転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム、紙などが挙げられる。   The die bond film is preferably protected by a separator. A separator has a function as a protective material which protects a die-bonding film until it uses for practical use. Further, the separator can be used as a support base material when transferring the die bond film to the pressure-sensitive adhesive layer. The separator is peeled off when the workpiece is stuck on the die bond film of the dicing die bond film. Examples of the separator include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a plastic film whose surface is coated with a release agent such as a fluorine-type release agent and a long-chain alkyl acrylate-type release agent, and paper.

≪A−1.基材≫
基材は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となる。
<< A-1. Base material >>
The base material is a strength matrix of the dicing die bond film.

基材は、紫外線透過性を有することが好ましい。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムが有する粘着剤層に含まれるポリマー(P)は、予め紫外線照射により硬化されている必要があるからである。   It is preferable that the substrate has ultraviolet transparency. This is because the polymer (P) contained in the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing die-bonding film of the present invention needs to be cured in advance by ultraviolet irradiation.

基材の厚みは、任意の適切な厚みを採用し得る。好ましくは、5μm〜200μmである。   Arbitrary appropriate thickness can be employ | adopted for the thickness of a base material. Preferably, it is 5 micrometers-200 micrometers.

基材の材料としては、本発明の効果を発現できる範囲内において、任意の適切な材料を採用し得る。基材の材料としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、アイオノマー樹脂等のポリオレフィン系樹脂;ポリスチレン、ABS樹脂、AS樹脂、AAS樹脂、ACS樹脂、AES樹脂、MS樹脂、SMA樹脂、MBS樹脂等のスチレン系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の塩素系樹脂;ポリウレタン等のウレタン系樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂;ポリアミド、全芳香族ポリアミド(アラミド)、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニルスルフィド等のエンジリアリングプラスチック;ガラス;ガラスクロス;フッ素樹脂;セルロース系樹脂;シリコーン樹脂;金属(箔);紙;などが挙げられる。基材の材料としては、また、上記樹脂等の架橋体も挙げられる。   Any appropriate material can be adopted as the material for the base material as long as the effects of the present invention can be exhibited. Examples of the base material include low density polyethylene, linear low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, ultra high molecular weight polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, and homopolypropylene. Len, polybutene, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer Polyolefin resins such as ethylene-hexene copolymer and ionomer resin; Styrene resins such as polystyrene, ABS resin, AS resin, AAS resin, ACS resin, AES resin, MS resin, SMA resin, MBS resin; polyvinyl chloride Chlorine such as polyvinylidene chloride Fats; Urethane resins such as polyurethane; Polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate; Polyamide, fully aromatic polyamide (aramid), polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyetherimide, polyphenylsulfide, etc. Examples include rearing plastic; glass; glass cloth; fluororesin; cellulose resin; silicone resin; metal (foil); Examples of the material for the base material include cross-linked materials such as the above-mentioned resins.

基材は、1種の材料のみから形成されていても良いし、2種以上の材料から形成されていても良い。また、基材は単層でも良いし、2種以上の複層でも良い。   The base material may be formed of only one kind of material or may be formed of two or more kinds of materials. The substrate may be a single layer or two or more types.

基材は、無延伸の基材を用いても良いし、一軸延伸や二軸延伸などの延伸処理を施した基材を用いても良い。   As the substrate, an unstretched substrate may be used, or a substrate subjected to a stretching process such as uniaxial stretching or biaxial stretching may be used.

延伸処理を施した基材を用いると、ダイシング後に該基材を熱収縮させることにより、粘着剤層とダイボンドフィルムとの接着面積を低下させることができ、半導体チップの回収を容易に行うことができる。   When a base material that has been subjected to a stretching process is used, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film can be reduced by thermally shrinking the base material after dicing, and the semiconductor chip can be easily recovered. it can.

基材の表面は、隣接する層との密着性や保持性などを高めるために、任意の適切な表面処理が施されても良い。このような表面処理としては、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理;下塗剤(例えば、後述する粘着物質)によるコーティング処理;などが挙げられる。   The surface of the base material may be subjected to any appropriate surface treatment in order to improve adhesion and retention with an adjacent layer. Examples of such surface treatment include chemical or physical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage impact exposure, ionizing radiation treatment, etc .; coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later); Etc.

基材には、帯電防止能を付与するため、該基材上に、金属、合金、これらの酸化物等からなる導電性物質の蒸着層を設けることができる。このような蒸着層の厚みは、好ましくは30Å〜500Åである。   In order to impart an antistatic ability to the base material, a deposited layer of a conductive substance made of a metal, an alloy, an oxide thereof, or the like can be provided on the base material. The thickness of such a vapor deposition layer is preferably 30 to 500 mm.

≪A−2.粘着剤層≫
粘着剤層は、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物を含む。
<< A-2. Adhesive layer >>
An adhesive layer contains the hardened | cured material of the polymer (P) by ultraviolet irradiation.

紫外線照射によりポリマー(P)を硬化させることにより、架橋度を増大させてポリマー(P)の粘着力を低下させることができる。例えば、図2に示す粘着剤層2は、半導体ウェハ貼り付け部分に紫外線照射させてポリマー(P)を硬化させた硬化物からなる部分2aと、紫外線照射されずに硬化していないポリマー(P)からなる部分2bとを含み、部分2aと部分2bとの粘着力に差が設けられている。   By curing the polymer (P) by ultraviolet irradiation, the degree of crosslinking can be increased and the adhesive strength of the polymer (P) can be reduced. For example, the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. 2 includes a portion 2a made of a cured product obtained by curing a polymer (P) by irradiating a semiconductor wafer attachment portion with ultraviolet rays, and a polymer (P ), And a difference is provided in the adhesive force between the portion 2a and the portion 2b.

図2においては、ダイボンドフィルム3´は、紫外線照射してポリマー(P)が硬化することで粘着力が低下した部分2aの全部および紫外線照射されずに硬化していないポリマー(P)からなる部分2bの一部に貼付けられる。図2において、粘着剤層2の部分2aとダイボンドフィルム3´との界面は、部分2aの粘着力が低下しているので、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、図2において、部分2bとダイボンドフィルム3´との界面は、部分2bが十分な粘着力を有しているので、ダイボンドフィルム3´と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。   In FIG. 2, the die bond film 3 ′ is composed of all of the portion 2 a whose adhesive strength is reduced by curing the polymer (P) when irradiated with ultraviolet rays and the portion of the polymer (P) that is not cured without being irradiated with ultraviolet rays. Affixed to a part of 2b. In FIG. 2, the interface between the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond film 3 'has a property of easily peeling off at the time of pickup because the adhesive strength of the portion 2a is reduced. On the other hand, in FIG. 2, the interface between the portion 2b and the die bond film 3 ′ is secured to the die bond film 3 ′ by adhering to the die bond film 3 ′ because the portion 2b has sufficient adhesive strength.

上記のように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、粘着剤層を適切に設計することにより、ダイボンドフィルムを、接着性・剥離性の両面でバランスよく支持することができる。   As described above, the dicing die-bonding film of the present invention can support the die-bonding film with a good balance in terms of both adhesiveness and peelability by appropriately designing the pressure-sensitive adhesive layer.

図2に示す粘着剤層2において、紫外線照射されずに硬化していないポリマー(P)からなる部分2bは、ダイシングリングを固定することができる。ダイシングリングは、例えば、ステンレス製などの金属からなるものや樹脂製のものを使用できる。   In the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. 2, the dicing ring can be fixed to the portion 2b made of the polymer (P) that has not been irradiated with ultraviolet rays and has not been cured. For example, a dicing ring made of a metal such as stainless steel or a resin can be used.

ポリマー(P)は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー(A)と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物(B)とを反応させて得られる。   The polymer (P) is a polymer (A) composed of a monomer component including an acrylate ester as a main monomer and a carboxyl group-containing monomer, and an oxazoline group-containing compound having an oxazoline group and a radical-reactive carbon-carbon double bond Obtained by reacting with (B).

ポリマー(P)のガラス転移温度は、下限値として、好ましくは−70℃以上であり、より好ましくは−65℃以上であり、さらに好ましくは−60℃以上であり、特に好ましくは−55℃以上であり、上限値として、好ましくは−10℃以下であり、より好ましくは−20℃以下であり、さらに好ましくは−30℃以下であり、特に好ましくは−40℃以下である。   The glass transition temperature of the polymer (P) is preferably −70 ° C. or higher, more preferably −65 ° C. or higher, further preferably −60 ° C. or higher, particularly preferably −55 ° C. or higher, as the lower limit. The upper limit is preferably −10 ° C. or lower, more preferably −20 ° C. or lower, still more preferably −30 ° C. or lower, and particularly preferably −40 ° C. or lower.

ポリマー(P)のガラス転移温度が−10℃を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の接着性が低下し、ダイシングの際にいわゆる「チップ飛び」が発生するおそれがある。   When the glass transition temperature of the polymer (P) exceeds −10 ° C., the adhesiveness between the pressure-sensitive adhesive layer and the die bond film is lowered, and so-called “chip jump” may occur during dicing.

ポリマー(P)は、清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいことが好ましい。このため、ポリマー(P)の重量平均分子量は、下限値として、好ましくは35万以上であり、より好ましくは45万以上であり、上限値として、好ましくは100万以下であり、より好ましくは80万以下である。   The polymer (P) preferably has a low content of a low molecular weight substance from the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend. For this reason, the weight average molecular weight of the polymer (P) is preferably 350,000 or more, more preferably 450,000 or more as the lower limit, and preferably 1 million or less, more preferably 80,000 as the upper limit. 10,000 or less.

アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸アルキルエステル(例えば、アクリル酸メチルエステル、アクリル酸エチルエステル、アクリル酸プロピルエステル、アクリル酸イソプロピルエステル、アクリル酸ブチルエステル、アクリル酸イソブチルエステル、アクリル酸sec−ブチルエステル、アクリル酸t−ブチルエステル、アクリル酸ペンチルエステル、アクリル酸イソペンチルエステル、アクリル酸ヘキシルエステル、アクリル酸ヘプチルエステル、アクリル酸オクチルエステル、アクリル酸2−エチルヘキシルエステル、アクリル酸イソオクチルエステル、アクリル酸ノニルエステル、アクリル酸デシルエステル、アクリル酸イソデシルエステル、アクリル酸ウンデシルエステル、アクリル酸ドデシルエステル、アクリル酸トリデシルエステル、アクリル酸テトラデシルエステル、アクリル酸ヘキサデシルエステル、アクリル酸オクタデシルエステル、アクリル酸エイコシルエステル等の、アルキル基の炭素数が、好ましくは1〜30、より好ましくは4〜18の、直鎖状または分岐鎖状のアクリル酸アルキルアルキルエステル)、アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、アクリル酸シクロペンチルエステル、アクリル酸シクロヘキシルエステル等)などが挙げられる。   Examples of the acrylic acid ester include an acrylic acid alkyl ester (for example, acrylic acid methyl ester, acrylic acid ethyl ester, acrylic acid propyl ester, acrylic acid isopropyl ester, acrylic acid butyl ester, acrylic acid isobutyl ester, and acrylic acid sec-butyl. Ester, t-butyl acrylate, pentyl acrylate, isopentyl acrylate, hexyl acrylate, heptyl acrylate, octyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isooctyl acrylate, acrylic acid Nonyl ester, acrylic acid decyl ester, acrylic acid isodecyl ester, acrylic acid undecyl ester, acrylic acid dodecyl ester, acrylic The carbon number of the alkyl group, such as tridecyl ester, acrylic acid tetradecyl ester, acrylic acid hexadecyl ester, acrylic acid octadecyl ester, acrylic acid eicosyl ester, etc. is preferably 1-30, more preferably 4-18, Straight chain or branched alkyl alkyl ester) and acrylic acid cycloalkyl ester (for example, acrylic acid cyclopentyl ester, acrylic acid cyclohexyl ester, etc.).

アクリル酸エステルは、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only one type of acrylic ester may be used, or two or more types may be used in combination.

アクリル酸エステルとしては、好ましくは、CH=CHCOOR(Rはアルキル基またはシクロアルキル基である。Rの炭素数は、下限値として、好ましくは6以上であり、より好ましくは8以上であり、上限値として、好ましくは10以下であり、より好ましくは9以下である。Rの炭素数は、例えば、好ましくは6〜10である。)で表されるアクリル酸エステルが挙げられる。 The acrylate ester is preferably CH 2 ═CHCOOR (R is an alkyl group or a cycloalkyl group. The carbon number of R is preferably 6 or more, more preferably 8 or more, as a lower limit value. As an upper limit, Preferably it is 10 or less, More preferably, it is 9. The carbon number of R is, for example, Preferably it is 6-10.

Rの炭素数が6未満の場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれがある。   When the carbon number of R is less than 6, the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the die bond film becomes too large, and the pick-up property may be lowered.

Rの炭素数が10を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の接着性が低下し、ダイシングの際にいわゆる「チップ飛び」が発生するおそれがある。   When the carbon number of R exceeds 10, the adhesiveness between the pressure-sensitive adhesive layer and the die bond film is lowered, and so-called “chip jump” may occur during dicing.

本発明において特に好ましいアクリル酸エステルとしては、アクリル酸2−エチルヘキシルエステル、アクリル酸イソオクチルエステルが挙げられる。   Particularly preferred acrylic esters in the present invention include 2-ethylhexyl acrylate and isooctyl acrylate.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合は、下限値として、好ましくは40重量%以上であり、より好ましくは50重量%以上であり、さらに好ましくは60重量%以上であり、特に好ましくは65重量%以上であり、上限値として、好ましくは97重量%以下であり、より好ましくは95重量%以下であり、さらに好ましくは93重量%以下であり、特に好ましくは91重量%以下である。   Arbitrary appropriate content rates can be employ | adopted for the content rate of the acrylic ester in the monomer component which comprises a polymer (A) in the range which does not impair the effect of this invention. The content ratio of the acrylate ester in the monomer component constituting the polymer (A) is preferably 40% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and further preferably 60% by weight or more as a lower limit. The upper limit is preferably 97% by weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 93% by weight or less, and particularly preferably 91% by weight. % Or less.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合が40重量%未満の場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれがある。   When the content ratio of the acrylate ester in the monomer component constituting the polymer (A) is less than 40% by weight, the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film becomes too large, and the pickup property may be lowered. is there.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合が97重量%を超える場合、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。   When the content ratio of the acrylic acid ester in the monomer component constituting the polymer (A) exceeds 97% by weight, the curability of the polymer (P) due to ultraviolet irradiation is lowered, and the pickup property may be lowered.

カルボキシル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。カルボキシル基含有モノマーとしては、特に好ましくは、(メタ)アクリル酸およびカルボキシアルキル(メタ)アクリレートから選ばれる少なくとも1種である。   Examples of the carboxyl group-containing monomer include (meth) acrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. The carboxyl group-containing monomer is particularly preferably at least one selected from (meth) acrylic acid and carboxyalkyl (meth) acrylate.

カルボキシル基含有モノマーは、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only one type of carboxyl group-containing monomer may be used, or two or more types may be used in combination.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合は、下限値として、好ましくは3重量%以上であり、より好ましくは5重量%以上であり、さらに好ましくは7重量%以上であり、特に好ましくは9重量%以上であり、上限値として、好ましくは20重量%以下であり、より好ましくは18重量%以下であり、さらに好ましくは16重量%以下であり、特に好ましくは15重量%以下である。   Arbitrary appropriate content rates can be employ | adopted for the content rate of the carboxyl group-containing monomer in the monomer component which comprises a polymer (A) in the range which does not impair the effect of this invention. The content ratio of the carboxyl group-containing monomer in the monomer component constituting the polymer (A) is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, and further preferably 7% by weight or more, as a lower limit. The upper limit is preferably 20% by weight or less, more preferably 18% by weight or less, still more preferably 16% by weight or less, and particularly preferably 15% by weight or more. % By weight or less.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合が3重量%未満の場合、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。   When the content ratio of the carboxyl group-containing monomer in the monomer component constituting the polymer (A) is less than 3% by weight, the curability of the polymer (P) due to ultraviolet irradiation is lowered, and the pickup property may be lowered.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合が20重量%を超える場合、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。   When the content ratio of the carboxyl group-containing monomer in the monomer component constituting the polymer (A) exceeds 20% by weight, the amount of residual carboxyl groups in the pressure-sensitive adhesive layer increases, and the interaction with the die bond film increases. As a result, the peelability may be reduced, and the pick-up property may be reduced.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中には、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、上記アクリル酸エステルと共重合可能な、他のモノマーを含んでいても良い。   The monomer component constituting the polymer (A) may contain other monomers copolymerizable with the acrylate ester as necessary for the purpose of modifying cohesive strength, heat resistance and the like.

他のモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド;アクリロニトリル;などが挙げられる。   Examples of other monomers include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, (meth ) Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth ) Acrylio Sulfonic acid group-containing monomers shea naphthalene sulfonic acid; 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate, etc. of a phosphate group-containing monomers; acrylamide; acrylonitrile; and the like.

他のモノマーは、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Other monomers may be used alone or in combination of two or more.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー(A)を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合は、下限値として、好ましくは0重量%以上であり、上限値として、好ましくは40重量%以下であり、より好ましくは35重量%以下であり、さらに好ましくは30重量%以下である。   Arbitrary appropriate content rates can be employ | adopted for the content rate of the other monomer in the monomer component which comprises a polymer (A) in the range which does not impair the effect of this invention. The content of other monomers in the monomer component constituting the polymer (A) is preferably 0% by weight or more as the lower limit, preferably 40% by weight or less, more preferably 35% as the upper limit. % Or less, and more preferably 30% by weight or less.

ポリマー(A)を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合が40重量%を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれや、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。   When the content ratio of the other monomer in the monomer component constituting the polymer (A) exceeds 40% by weight, the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the die bond film becomes too large, and the pickup property may be reduced. The curability of the polymer (P) due to ultraviolet irradiation is lowered, and the pick-up property may be lowered.

ポリマー(A)は、好ましくは、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分を重合して得られる。   The polymer (A) is preferably obtained by polymerizing a monomer component containing an acrylate ester as a main monomer and a carboxyl group-containing monomer.

重合の方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。重合の方法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などが挙げられる。   Any appropriate method can be adopted as a polymerization method. Examples of the polymerization method include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like.

オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物(B)としては、例えば、2−ビニル−2−オキサゾリン、4−メチル−2−ビニル−2−オキサゾリン、5−メチル−2−ビニル−2−オキサゾリン、2−ビニル−4,4−ジメチル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、4−メチル−2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、5−メチル−2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−4,4−ジメチル−2−オキサゾリン等が挙げられる。   Examples of the oxazoline group-containing compound (B) having an oxazoline group and a radical-reactive carbon-carbon double bond include 2-vinyl-2-oxazoline, 4-methyl-2-vinyl-2-oxazoline, 5-methyl- 2-vinyl-2-oxazoline, 2-vinyl-4,4-dimethyl-2-oxazoline, 2-isopropenyl-2-oxazoline, 4-methyl-2-isopropenyl-2-oxazoline, 5-methyl-2- Examples include isopropenyl-2-oxazoline and 2-isopropenyl-4,4-dimethyl-2-oxazoline.

オキサゾリン基含有化合物(B)は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only 1 type may be used for an oxazoline group containing compound (B), and it may use 2 or more types together.

オキサゾリン基含有化合物(B)の使用量は、ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、下限値として、好ましくは80モル%以上であり、より好ましくは85モル%以上であり、さらに好ましくは90モル%以上であり、上限値として、好ましくは150モル%以下であり、より好ましくは100モル%以下であり、さらに好ましくは98モル%以下である。   The amount of the oxazoline group-containing compound (B) to be used is preferably 80 mol% or more, more preferably 85 mol%, as a lower limit with respect to the carboxyl group-containing monomer in the monomer component constituting the polymer (A). More preferably, it is 90 mol% or more, and the upper limit is preferably 150 mol% or less, more preferably 100 mol% or less, and further preferably 98 mol% or less.

オキサゾリン基含有化合物(B)の使用量が、ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、80モル%未満の場合、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。   When the amount of the oxazoline group-containing compound (B) used is less than 80 mol% with respect to the carboxyl group-containing monomer in the monomer component constituting the polymer (A), the amount of residual carboxyl groups in the pressure-sensitive adhesive layer is large. Therefore, the peelability is lowered due to the high interaction with the die bond film, and the pickup property may be lowered.

オキサゾリン基含有化合物(B)の使用量が、ポリマー(A)を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、150モル%を超える場合、粘着剤層中の残存オキサゾリン基含有化合物(B)の量およびそれ由来の低分子量物質の量が増加してしまい、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれや、残存オキサゾリン基含有化合物(B)の揮発により環境や人体に与える影響が大きくなってしまうおそれがある。   When the amount of the oxazoline group-containing compound (B) used exceeds 150 mol% with respect to the carboxyl group-containing monomer in the monomer component constituting the polymer (A), the residual oxazoline group-containing compound (B ) And the amount of the low molecular weight substance derived therefrom, the peel force between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film becomes too large, and the pick-up property may decrease, and the residual oxazoline group-containing compound ( The volatilization of B) may increase the impact on the environment and human body.

ポリマー(A)とオキサゾリン基含有化合物(B)とを反応させてポリマー(P)を得る方法としては、任意の適切な反応方法を採用し得る。例えば、ポリマー(A)にオキサゾリン基含有化合物(B)を加えて、任意の適切な反応条件(例えば、空気中、20〜70℃の範囲内の反応温度、10〜100時間の反応時間)にて付加反応を行う方法が挙げられる。   Any appropriate reaction method can be adopted as a method of obtaining the polymer (P) by reacting the polymer (A) with the oxazoline group-containing compound (B). For example, the oxazoline group-containing compound (B) is added to the polymer (A) to any appropriate reaction conditions (for example, a reaction temperature in the range of 20 to 70 ° C., a reaction time of 10 to 100 hours in air). And a method of performing an addition reaction.

ポリマー(P)の硬化物は、紫外線照射によってポリマー(P)を架橋反応させることにより得ることができる。   The cured product of the polymer (P) can be obtained by causing the polymer (P) to undergo a crosslinking reaction by ultraviolet irradiation.

紫外線照射によってポリマー(P)を架橋反応させるために、好ましくは、ポリマー(P)に対して、任意の適切な架橋剤および任意の適切な光重合開始剤を用いる。   In order to cause the polymer (P) to undergo a crosslinking reaction by ultraviolet irradiation, any appropriate crosslinking agent and any appropriate photopolymerization initiator are preferably used for the polymer (P).

架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等が挙げられる。   Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, aziridine compounds, melamine-based crosslinking agents, and the like.

架橋剤は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only 1 type may be used for a crosslinking agent and it may use 2 or more types together.

架橋剤の使用量は、ポリマー(P)の種類等によって、任意の適切な量を採用し得る。架橋剤の使用量は、例えば、ポリマー(P)に対して、下限値として、好ましくは0.01重量%以上であり、より好ましくは0.1重量%以上であり、上限値として、好ましくは20重量%以下であり、より好ましくは10重量%以下である。   Any appropriate amount of the cross-linking agent can be adopted depending on the type of the polymer (P). The amount of the crosslinking agent used is, for example, preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 0.1% by weight or more, preferably as the upper limit, relative to the polymer (P). It is 20 weight% or less, More preferably, it is 10 weight% or less.

光重合開始剤としては、例えば、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α´−ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1等のアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物;2−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェノン−1,1―プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム等の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3´−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート;などが挙げられる。   Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) Acetophenone compounds such as -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenesulfonyl chloride Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 1; -phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; photoactive oxime compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate;

光重合開始剤は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only 1 type may be used for a photoinitiator and it may use 2 or more types together.

光重合開始剤の使用量は、ポリマー(P)の種類等によって、任意の適切な量を採用し得る。光重合開始剤の使用量は、例えば、ポリマー(P)に対して、下限値として、好ましくは0.01重量%以上であり、より好ましくは0.05重量%以上であり、上限値として、好ましくは20重量%以下であり、より好ましくは10重量%以下である。   Arbitrary appropriate quantity can be employ | adopted for the usage-amount of a photoinitiator by the kind etc. of polymer (P). The use amount of the photopolymerization initiator is, for example, as a lower limit for the polymer (P), preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, Preferably it is 20 weight% or less, More preferably, it is 10 weight% or less.

粘着剤層中には、ポリマー(P)の硬化物以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、他の成分を含んでいても良い。   The pressure-sensitive adhesive layer may contain other components in addition to the polymer (P) cured product as long as the effects of the present invention are not impaired.

他の成分としては、例えば、硬化していないポリマー(P);カルボキシル基と反応する化合物;紫外線硬化性モノマー;紫外線硬化性オリゴマー;粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤;などが挙げられる。   Examples of other components include an uncured polymer (P); a compound that reacts with a carboxyl group; an ultraviolet curable monomer; an ultraviolet curable oligomer; an additive such as a tackifier and an antiaging agent; .

カルボキシル基と反応する化合物は、例えば、粘着剤層中に存在する残存カルボキシル基の量を調整するために用い得る。カルボキシル基と反応する化合物は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な量を用い得る。   A compound that reacts with a carboxyl group can be used, for example, to adjust the amount of residual carboxyl group present in the pressure-sensitive adhesive layer. Any appropriate amount of the compound that reacts with the carboxyl group may be used as long as the effects of the present invention are not impaired.

カルボキシル基と反応する化合物としては、例えば、アミノ基含有化合物、エポキシ基含有化合物、イソシアネート基含有化合物、カルボジイミド基含有化合物などが挙げられる。   Examples of the compound that reacts with a carboxyl group include an amino group-containing compound, an epoxy group-containing compound, an isocyanate group-containing compound, and a carbodiimide group-containing compound.

カルボキシル基と反応する化合物は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only 1 type may be used for the compound which reacts with a carboxyl group, and 2 or more types may be used together.

紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーは、例えば、紫外線照射前の粘着力や紫外線照射後の粘着力を調整するために用い得る。   The ultraviolet curable monomer or the ultraviolet curable oligomer can be used, for example, to adjust the adhesive strength before ultraviolet irradiation or the adhesive strength after ultraviolet irradiation.

紫外線硬化性モノマーとしては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Examples of the ultraviolet curable monomer include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, Examples thereof include dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate and the like.

紫外線硬化性モノマーは、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only one type of ultraviolet curable monomer may be used, or two or more types may be used in combination.

紫外線硬化性オリゴマーとしては、例えば、ウレタン系オリゴマー、ポリエーテル系オリゴマー、ポリエステル系オリゴマー、ポリカーボネート系オリゴマー、ポリブタジエン系オリゴマー等が挙げられる。   Examples of the ultraviolet curable oligomer include urethane oligomers, polyether oligomers, polyester oligomers, polycarbonate oligomers, polybutadiene oligomers, and the like.

紫外線硬化性オリゴマーは、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only 1 type may be used for an ultraviolet curable oligomer and it may use 2 or more types together.

紫外線硬化性オリゴマーの分子量は、好ましくは100〜30000である。   The molecular weight of the ultraviolet curable oligomer is preferably 100 to 30000.

紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーは、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な量を用い得る。紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーの使用量は、それらの合計が、例えば、ポリマー(P)に対して、下限値として、好ましくは5重量%以上であり、より好ましくは40重量%以上であり、上限値として、好ましくは500重量%以下であり、より好ましくは150重量%以下である。   Any appropriate amount of the ultraviolet curable monomer and the ultraviolet curable oligomer may be used as long as the effects of the present invention are not impaired. The total amount of the ultraviolet curable monomer and the ultraviolet curable oligomer used is, for example, preferably 5% by weight or more, more preferably 40% by weight or more as a lower limit value with respect to the polymer (P). The upper limit is preferably 500% by weight or less, and more preferably 150% by weight or less.

粘着剤層の酸価は、好ましくは、10以下である。粘着剤層の酸価が10を超えると、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。   The acid value of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 10 or less. When the acid value of the pressure-sensitive adhesive layer exceeds 10, the amount of residual carboxyl groups in the pressure-sensitive adhesive layer increases, and the releasability decreases due to an increase in interaction with the die bond film, resulting in a decrease in pickup performance. There is a fear.

粘着剤層の酸価は、粘着剤層の形成で用い得るオキサゾリン基含有化合物(B)などの各種化合物の使用量の調整などによって調節できる。   The acid value of the pressure-sensitive adhesive layer can be adjusted by adjusting the amount of various compounds such as the oxazoline group-containing compound (B) that can be used in forming the pressure-sensitive adhesive layer.

酸価は、JIS K 0070−1992(電位差滴定法)に準じて評価を行うことができる。   The acid value can be evaluated according to JIS K 0070-1992 (potentiometric titration method).

粘着剤層を形成する方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。粘着剤層を形成する方法としては、例えば、基材上に直接に粘着剤層を形成する方法や、セパレータ上に設けた粘着剤層を基材上に転写する方法が挙げられる。   Arbitrary appropriate methods can be employ | adopted as a method of forming an adhesive layer. Examples of the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer include a method for directly forming the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and a method for transferring the pressure-sensitive adhesive layer provided on the separator onto the substrate.

粘着剤層において、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化は、ダイボンドフィルムを貼り合わせる前に実施しても良いし、ダイボンドフィルムを貼り合わせた後に実施しても良い。   In the pressure-sensitive adhesive layer, curing of the polymer (P) by ultraviolet irradiation may be performed before the die bond film is bonded, or may be performed after the die bond film is bonded.

粘着剤層において、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化は、図2に示すように、ポリマー(P)の一部のみを紫外線照射によって硬化することができる(硬化部分が部分2a、未硬化部分が部分2b)。   In the pressure-sensitive adhesive layer, the polymer (P) can be cured by ultraviolet irradiation, as shown in FIG. 2, only a part of the polymer (P) can be cured by ultraviolet irradiation (the cured portion is the portion 2a, the uncured portion). Part 2b).

紫外線照射によるポリマー(P)の硬化を部分的に行う方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。紫外線照射によるポリマー(P)の硬化を部分的に行う方法としては、例えば、部分的に紫外線を照射する方法や、基材の少なくとも片面に紫外線を遮光する材料を印刷や蒸着等で設ける方法が挙げられる。   Any appropriate method can be adopted as a method of partially curing the polymer (P) by ultraviolet irradiation. As a method of partially curing the polymer (P) by ultraviolet irradiation, for example, a method of partially irradiating ultraviolet rays or a method of providing a material that shields ultraviolet rays on at least one side of a substrate by printing or vapor deposition is used. Can be mentioned.

ポリマー(P)を硬化させるための紫外線の照射積算光量は、好ましくは50〜500mJ/cmである。ポリマー(P)を硬化させるための紫外線の照射積算光量を上記範囲内とすることにより、ダイシングの際のいわゆる「チップ飛び」が発生することを抑制できるだけの接着性を保持できるとともに、ピックアップの際には良好なピックアップ性を発現できる。 The cumulative amount of irradiated ultraviolet light for curing the polymer (P) is preferably 50 to 500 mJ / cm 2 . By setting the cumulative amount of irradiation of ultraviolet rays for curing the polymer (P) within the above range, it is possible to maintain adhesiveness that can suppress the occurrence of so-called “chip jump” during dicing, and at the time of pickup. Can exhibit good pickup properties.

ポリマー(P)への紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合には、粘着剤層の表面から酸素を遮断することが好ましい。酸素を遮断する方法としては、例えば、粘着剤層の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガスなどの不活性ガスの雰囲気中で紫外線照射を行う方法が挙げられる。   When the polymer (P) is irradiated with ultraviolet rays and curing inhibition occurs due to oxygen, it is preferable to block oxygen from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the method for blocking oxygen include a method in which the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is covered with a separator, and a method in which ultraviolet irradiation is performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas.

粘着剤層の厚みは、任意の適切な厚みを採用し得る。粘着剤層の厚みは、例えば、下限値として、好ましくは1μm以上であり、より好ましくは2μm以上であり、さらに好ましくは5μm以上であり、上限値として、好ましくは50μm以下であり、より好ましくは30μm以下であり、さらに好ましくは25μm以下である。粘着剤層の厚みが上記範囲内にあることにより、チップ切断面の欠けが防止できるとともに、ダイボンドフィルムを、接着性・剥離性の両面でバランスよく支持することができる。   Arbitrary appropriate thickness can be employ | adopted for the thickness of an adhesive layer. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is, for example, preferably 1 μm or more as a lower limit, more preferably 2 μm or more, still more preferably 5 μm or more, and the upper limit is preferably 50 μm or less, more preferably. It is 30 μm or less, more preferably 25 μm or less. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is in the above range, chipping of the chip cut surface can be prevented and the die bond film can be supported in a well-balanced manner in terms of both adhesiveness and peelability.

≪A−3.ダイボンドフィルム≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有する。
<< A-3. Die bond film >>
The dicing die-bonding film of the present invention has a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer.

ダイボンドフィルムは、例えば、接着剤層の単層のみからなる構成としても良いし、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂や熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂などを適宜に組み合わせて、2層以上の多層構造としても良い。   For example, the die bond film may be composed of only a single adhesive layer, or two or more layers by appropriately combining thermoplastic resins having different glass transition temperatures or thermosetting resins having different thermosetting temperatures. A multilayer structure may be used.

半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用するため、ダイボンドフィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率を有するダイボンドフィルムを基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤としては、透湿性の高いコア材料をダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階で水蒸気がフィルムを通じて拡散するため、上記の浮きが発生する問題を回避することができる。   Since cutting water is used in the dicing process of the semiconductor wafer, the die bond film may absorb moisture, resulting in a moisture content higher than normal. When a die bond film having such a high water content is bonded to a substrate or the like, water vapor may accumulate at the bonding interface in the after-curing stage, and floating may occur. Therefore, as a die-bonding adhesive, water vapor diffuses through the film at the stage of after-curing by adopting a structure in which a core material with high moisture permeability is sandwiched between the die-adhesives. It can be avoided.

上記の観点から、ダイボンドフィルムは、コア材料の片面または両面に接着剤層を形成した多層構造としても良い。   From the above viewpoint, the die bond film may have a multilayer structure in which an adhesive layer is formed on one side or both sides of the core material.

上記コア材料としては、例えば、フィルム(例えば、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等)、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板、ガラス基板等が挙げられる。   Examples of the core material include a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film), a resin substrate reinforced with glass fiber or plastic non-woven fiber, a silicon substrate, A glass substrate etc. are mentioned.

ダイボンドフィルムは、接着剤層中にエポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないという利点を有する。   The die bond film includes an epoxy resin in the adhesive layer. Epoxy resins have the advantage of containing less ionic impurities that corrode semiconductor elements.

ダイボンドフィルムの接着剤層中のエポキシ樹脂の含有割合は、下限値で、好ましくは50重量%以上、より好ましくは70重量%以上、さらに好ましくは90重量%以上、特に好ましくは95重量%以上であり、上限値は、100重量%以下である。   The content ratio of the epoxy resin in the adhesive layer of the die bond film is a lower limit value, preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, further preferably 90% by weight or more, and particularly preferably 95% by weight or more. Yes, the upper limit is 100% by weight or less.

エポキシ樹脂としては、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば、任意の適切なエポキシ樹脂を採用し得る。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂;ヒダントイン型エポキシ樹脂;トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂;グリシジルアミン型エポキシ樹脂;等が挙げられる。   Any appropriate epoxy resin can be adopted as the epoxy resin as long as it is generally used as an adhesive composition. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, and orthocresol. Bifunctional epoxy resins and polyfunctional epoxy resins such as novolak type, trishydroxyphenylmethane type, and tetraphenylolethane type; hydantoin type epoxy resin; trisglycidyl isocyanurate type epoxy resin; glycidylamine type epoxy resin;

エポキシ樹脂は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Only one type of epoxy resin may be used, or two or more types may be used in combination.

エポキシ樹脂としては、特に好ましくは、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れる。   Particularly preferable examples of the epoxy resin include novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins, and tetraphenylolethane type epoxy resins. These epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent, and are excellent in heat resistance and the like.

ダイボンドフィルムの接着剤層中には、適宜必要に応じて、その他の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が含まれていても良い。これらの樹脂は、1種のみ用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   In the adhesive layer of the die bond film, other thermosetting resins and thermoplastic resins may be included as necessary. These resins may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。   Examples of the thermosetting resin include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, thermosetting polyimide resin, and the like.

エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。   As a curing agent for the epoxy resin, a phenol resin is preferable.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;レゾール型フェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;等が挙げられる。   The phenol resin can act as a curing agent for the epoxy resin. For example, a novolak type phenol resin such as a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, a tert-butylphenol novolak resin, or a nonylphenol novolak resin; Resin; polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene; and the like.

フェノール樹脂としては、特に好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が挙げられる。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   As the phenol resin, a phenol novolac resin and a phenol aralkyl resin are particularly preferable. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりのフェノール樹脂中の水酸基が、下限値として、好ましくは0.5当量以上であり、より好ましくは0.8当量以上であり、上限値として、好ましくは2.0当量以下であり、より好ましくは1.2当量以下である。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合が上記範囲から外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるおそれがある。   The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is such that the hydroxyl group in the phenol resin per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component is preferably at least 0.5 equivalent, more preferably at least 0.8 equivalent, as the lower limit. The upper limit is preferably 2.0 equivalents or less, more preferably 1.2 equivalents or less. If the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is out of the above range, a sufficient curing reaction does not proceed, and the properties of the cured epoxy resin may be easily deteriorated.

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチレン―アクリル酸共重合体、エチレン―アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。   Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, Examples thereof include thermoplastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins.

熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できる点で、アクリル樹脂が特に好ましい。   As the thermoplastic resin, an acrylic resin is particularly preferable in that it has few ionic impurities and high heat resistance, and can ensure the reliability of the semiconductor element.

アクリル樹脂としては、任意の適切なアクリル樹脂を採用し得る。アクリル樹脂としては、例えば、炭素数が、下限値で、好ましくは4以上であり、上限値で、好ましくは30以下であり、より好ましくは18以下である、直鎖または分岐のアルキル基を有するアクリル酸またはメタクリル酸のエステルの1種または2種以上を含むモノマー成分を重合して得られる重合体が挙げられる。   Any appropriate acrylic resin can be adopted as the acrylic resin. The acrylic resin has a linear or branched alkyl group having, for example, a lower limit value, preferably 4 or more, and an upper limit value, preferably 30 or less, more preferably 18 or less. The polymer obtained by superposing | polymerizing the monomer component containing 1 type, or 2 or more types of the ester of acrylic acid or methacrylic acid is mentioned.

アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、ドデシル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2- Examples include ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, dodecyl group and the like.

アクリル樹脂を形成する上記モノマー成分中には、任意の適切な他のモノマーを含んでいても良い。   Any appropriate other monomer may be contained in the monomer component forming the acrylic resin.

他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の燐酸基含有モノマー;などが挙げられる。   Examples of other monomers include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, and other carboxyl group-containing monomers; maleic anhydride, itaconic anhydride, and other acids. Anhydride monomer; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 8 Hydroxyl group-containing monomers such as -hydroxyoctyl, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methyl acrylate; styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, -Sulphonic acid group-containing monomers such as (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid; 2-hydroxyethylacryloyl phosphate And the like, and the like.

ダイボンドフィルムの接着剤層には、予めある程度架橋をさせておくため、作製に際し、接着剤層中に含まれる重合体の分子鎖末端の官能基等と反応し得る多官能性化合物を架橋剤として添加させておいても良い。このような多官能性化合物を添加することにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。多官能性化合物は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Since the adhesive layer of the die bond film is previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound capable of reacting with a functional group at the molecular chain terminal of the polymer contained in the adhesive layer is used as a crosslinking agent in the production. It may be added. By adding such a polyfunctional compound, it is possible to improve adhesive properties at high temperatures and improve heat resistance. Only 1 type may be used for a polyfunctional compound and it may use 2 or more types together.

ダイボンドフィルムの接着剤層には、必要に応じて、任意の適切な他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。   Any appropriate other additive can be appropriately blended in the adhesive layer of the die bond film as necessary. Other additives may be used alone or in combination of two or more.

他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。   Examples of other additives include flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents.

難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。   Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like.

シランカップリング剤としては、例えば、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like.

イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。   Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide.

ダイボンドフィルムの厚みとしては、任意の適切な厚みを採用し得る。ダイボンドフィルムの厚みとしては、下限値として、好ましくは5μm以上であり、上限値として、好ましくは100μm以下であり、より好ましくは50μm以下である。   Any appropriate thickness can be adopted as the thickness of the die bond film. The lower limit of the thickness of the die bond film is preferably 5 μm or more, and the upper limit is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less.

≪B.ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシング・ダイボンドフィルム11(図2、図3(a))を例にして説明する。
≪B. Manufacturing method of dicing die bond film >>
The manufacturing method of the dicing die-bonding film of this invention is demonstrated taking the dicing die-bonding film 11 (FIG. 2, FIG. 3 (a)) as an example.

基材1は、任意の適切な製膜方法により製膜することができる。このような製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。   The substrate 1 can be formed by any appropriate film forming method. Examples of such a film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.

次に、基材1上に粘着剤を含む組成物を塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架橋させて)、粘着剤層を形成する。粘着剤を含む組成物を塗布する方式としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。塗布は、直接に基材1上に行っても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布した後に基材1に転写しても良い。その後、ダイボンドフィルムが貼り合わされる部分よりも若干小さい領域のみに紫外線を照射して粘着剤を硬化させ、硬化部分2aと未硬化部分2bとを含む粘着剤層2とする。   Next, a composition containing a pressure-sensitive adhesive is applied on the substrate 1 and dried (heat-crosslinked as necessary) to form a pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the method for applying the composition containing the pressure-sensitive adhesive include roll coating, screen coating, and gravure coating. The application may be performed directly on the substrate 1 or may be transferred to the substrate 1 after being applied to a release paper or the like whose surface has been subjected to a release treatment. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive is cured by irradiating only a region slightly smaller than the portion to which the die-bonding film is bonded, to form a pressure-sensitive adhesive layer 2 including a cured portion 2a and an uncured portion 2b.

次に、ダイボンドフィルム3を形成するための形成材料を剥離紙上に所定厚みとなるように塗布し、さらに所定条件下で乾燥して、塗布層を形成する。この塗布層をカットし、粘着剤層2a上に転写することにより、ダイボンドフィルム3を形成する。   Next, a forming material for forming the die bond film 3 is applied on the release paper so as to have a predetermined thickness, and further dried under predetermined conditions to form a coating layer. The die-bonding film 3 is formed by cutting this coating layer and transferring it onto the pressure-sensitive adhesive layer 2a.

または、ダイボンドフィルム3を形成するための形成材料を粘着剤層2a上に直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても、ダイボンドフィルム3を形成することができる。   Alternatively, the die-bonding film 3 can also be formed by directly applying a forming material for forming the die-bonding film 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 2a and then drying it under predetermined conditions.

以上により、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルム11を得ることができる。なお、この例では、粘着剤への紫外線照射はダイボンドフィルムを貼り合せる前に実施しているが、ダイボンドフィルムを貼り合せた後に実施してもかまわない。   As described above, the dicing die-bonding film 11 according to the present invention can be obtained. In addition, in this example, although the ultraviolet irradiation to an adhesive is implemented before bonding a die-bonding film, you may implement after bonding a die-bonding film.

≪C.半導体装置の製造方法≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルム上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次のように使用され得る。以下では、図3を参照しながら、ダイシング・ダイボンドフィルム11を用いた場合を例にして、半導体装置の製造方法について説明する。
≪C. Manufacturing method of semiconductor device >>
The dicing die-bonding film of the present invention can be used as follows by appropriately peeling a separator arbitrarily provided on the die-bonding film. Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device will be described with reference to FIG. 3, taking as an example the case where the dicing die-bonding film 11 is used.

まず、図3(a)に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム11におけるダイボンドフィルム3´上に半導体ウェハ4を圧着し、これを接着保持させて固定する(マウント工程)。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。   First, as shown to Fig.3 (a), the semiconductor wafer 4 is crimped | bonded on the die-bonding film 3 'in the dicing die-bonding film 11, this is adhere | attached and hold | maintained (mounting process). This step is performed while pressing with a pressing means such as a pressure roll.

次に、図3(b)に示すように、半導体ウェハ4のダイシングを行う(ダイシング工程)。ダイシングにより、半導体ウェハ4を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ5を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウェハ4の回路面側から常法に従って行われる。本工程では、例えば、ダイシング・ダイボンドフィルム11まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては、任意の適切な装置を用いることができる。半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム11により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ4の破損も抑制できる。   Next, as shown in FIG. 3B, the semiconductor wafer 4 is diced (dicing step). By dicing, the semiconductor wafer 4 is cut into a predetermined size and separated into individual pieces to manufacture the semiconductor chip 5. For example, dicing is performed from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4 according to a conventional method. In this step, for example, a cutting method called full cut for cutting up to the dicing die-bonding film 11 can be adopted. Any appropriate apparatus can be used as the dicing apparatus used in this step. Since the semiconductor wafer is bonded and fixed by the dicing die bond film 11, chip chipping and chip jump can be suppressed, and damage to the semiconductor wafer 4 can also be suppressed.

次に、図3(c)に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム11に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ5のピックアップを行う(ピックアップ工程)。ピックアップの方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。ピックアップの方法としては、例えば、個々の半導体チップ5をダイシング・ダイボンドフィルム11側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。   Next, as shown in FIG. 3C, the semiconductor chip 5 is picked up in order to peel off the semiconductor chip adhered and fixed to the dicing die bond film 11 (pickup process). Any appropriate method can be adopted as the pickup method. Examples of the pick-up method include a method in which each semiconductor chip 5 is pushed up by a needle from the dicing die-bonding film 11 side, and the pushed-up semiconductor chip 5 is picked up by a pickup device.

次に、図3(d)に示すように、ピックアップした半導体チップ5を、ダイボンドフィルム3aを介して被着体6に接着固定する(ダイボンド工程)。被着体6はヒートブロック9上に載置されている。被着体6としては、リードフレーム、TABフィルム、基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体6は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であっても良いし、変形することが困難である非変形型被着体(半導体ウェハ等)であっても良い。上記基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。上記リードフレームとしては、Cuリードフレームや42Alloyリードフレーム等の金属リードフレーム、ガラスエポキシ、BT(ビスマレイミド−トリアジン)、ポリイミド等からなる有機基板などが挙げられる。被着体6は、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板であっても良い。ダイボンドフィルム3aが熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ5を被着体6に接着固定し、耐熱強度を向上させる。なお、半導体ウェハ貼り付け部分3aを介して半導体チップ5が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。   Next, as shown in FIG. 3D, the picked-up semiconductor chip 5 is bonded and fixed to the adherend 6 through the die-bonding film 3a (die-bonding step). The adherend 6 is placed on the heat block 9. Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed, or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform. . Any appropriate substrate can be adopted as the substrate. Examples of the lead frame include a metal lead frame such as a Cu lead frame and a 42 Alloy lead frame, an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, and the like. The adherend 6 may be a circuit board that can be used by mounting a semiconductor element and electrically connecting the semiconductor element. In the case where the die bond film 3a is a thermosetting type, the semiconductor chip 5 is bonded and fixed to the adherend 6 by heat curing to improve the heat resistance strength. In addition, what the semiconductor chip 5 adhere | attached and fixed to the board | substrate etc. via the semiconductor wafer bonding part 3a can be used for a reflow process.

続いて、図3(e)に示すように、被着体6の端子部(インナーリード)の先端と半導体チップ5上の電極パッド(図示しない)とをボンディングワイヤー7で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う(ボンディング工程)。その後、半導体チップを封止樹脂8で封止し、該封止樹脂8をアフターキュアする。   Subsequently, as shown in FIG. 3 (e), a wire for electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 with a bonding wire 7. Bonding is performed (bonding process). Thereafter, the semiconductor chip is sealed with a sealing resin 8, and the sealing resin 8 is after-cured.

以上により、半導体装置が製造される。   Thus, the semiconductor device is manufactured.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。なお、実施例等における、試験および評価方法は以下のとおりである。また、部は重量部を意味する。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these Examples at all. In addition, the test and evaluation method in an Example etc. are as follows. Moreover, a part means a weight part.

<ガラス転移温度の測定>
レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「ARES」を用いて、サンプル厚さ約1.5mmで、φ7.9mmパラレルプレ−トの治具を用い、周波数1Hz、昇温速度5℃/分にて測定し、得られた損失弾性率のピーク点の温度をガラス転移温度とした。
<Measurement of glass transition temperature>
Using a dynamic viscoelasticity measuring device “ARES” manufactured by Rheometric Co., Ltd., using a jig with a sample thickness of about 1.5 mm and a φ7.9 mm parallel plate, a frequency of 1 Hz, and a heating rate of 5 ° C./min. The temperature at the peak point of the obtained loss modulus was taken as the glass transition temperature.

<ピックアップ性の評価>
各実施例および比較例におけるダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、半導体ウェハのダイシングを行った後にピックアップを行い、各ダイシング・ダイボンドフィルムのピックアップ性を評価した。
半導体ウェハ(直径8インチ、厚さ0.6mm)を裏面研磨処理(研削装置:ディスコ社製「DFG−8560」)し、厚さ0.075mmのミラーウェハをワークとして用いた。
ダイシング・ダイボンドフィルムからセパレータを剥離した後、そのダイボンドフィルム上に上記ミラーウェハを40℃でロール圧着して貼り合わせ(貼り付け装置:日東精機製「MA−3000II」、貼り付け速度:10mm/min、貼り付け圧力:0.15MPa、貼り付け時のステージ温度:40℃)、さらにダイシングを行った。ダイシングは10mm角のチップサイズとなる様にフルカットした。
ダイシング条件は、下記の通りであった。
ダイシング装置:ディスコ社製「DFD−6361」
ダイシングリング:2−8−1(ディスコ社製)
ダイシング速度:80mm/sec
ダイシングブレード(Z1):ディスコ社製「2050HEDD」
ダイシングブレード(Z2):ディスコ社製「2050HEBB」
ダイシングブレード回転数(Z1):40000rpm
ダイシングブレード回転数(Z2):40000rpm
ブレード高さ(Z1):0.170mm(半導体ウェハの厚みによる(ウェハ厚みが75μmの場合、0.170mm))
ブレード高さ(Z2):0.085mm
カット方式:Aモード/ステップカット
ウェハチップサイズ:10.0mm角
次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。
さらに、各ダイシング・ダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップし、ピックアップ性の評価を行った。
具体的には、400個の半導体チップを連続してピックアップし、表1に示す条件Aおよび条件Bで行ったときの成功率が共に100%の場合を◎とし、条件Aで行ったときの成功率が100%であり、かつ、条件Bで行ったときの成功率が100%でなかった場合を○とし、条件Aおよび条件B共に成功率が100%でなかった場合を×とした。
<Evaluation of pickup property>
Using the dicing die-bonding film in each example and comparative example, picking up was performed after dicing the semiconductor wafer in the following manner, and the pick-up property of each dicing die-bonding film was evaluated.
A semiconductor wafer (diameter 8 inches, thickness 0.6 mm) was subjected to a back surface polishing process (grinding apparatus: “DFG-8560” manufactured by Disco Corporation), and a mirror wafer having a thickness of 0.075 mm was used as a workpiece.
After separating the separator from the dicing die-bonding film, the mirror wafer is roll-bonded onto the die-bonding film at 40 ° C. and bonded together (bonding device: “MA-3000II” manufactured by Nitto Seiki, bonding speed: 10 mm / min. , Pasting pressure: 0.15 MPa, stage temperature during pasting: 40 ° C.), and further dicing was performed. Dicing was fully cut so as to obtain a 10 mm square chip size.
Dicing conditions were as follows.
Dicing machine: “DFD-6361” manufactured by DISCO
Dicing ring: 2-8-1 (manufactured by Disco)
Dicing speed: 80mm / sec
Dicing blade (Z1): “2050HEDD” manufactured by DISCO
Dicing blade (Z2): “2050HEBB” manufactured by Disco Corporation
Dicing blade rotation speed (Z1): 40000 rpm
Dicing blade rotation speed (Z2): 40000 rpm
Blade height (Z1): 0.170 mm (depending on the thickness of the semiconductor wafer (0.170 mm when the wafer thickness is 75 μm))
Blade height (Z2): 0.085mm
Cut method: A mode / step cut Wafer chip size: 10.0 mm square Next, each dicing die-bonding film was stretched, and an expanding process was performed in which each chip had a predetermined interval.
Further, the semiconductor chip was picked up from the base material side of each dicing die-bonding film by a needle push-up method, and the pickup property was evaluated.
Specifically, when 400 semiconductor chips are picked up continuously and the success rate when both are performed under the conditions A and B shown in Table 1 is 100%, ◎ A case where the success rate was 100% and the success rate when it was performed under condition B was not 100%, and a case where the success rate was not 100% for both conditions A and B was indicated as x.

Figure 2012015431
Figure 2012015431

<酸価の測定>
酸価は、JIS K 0070−1992(電位差滴定法)に準じて評価を行った。
具体的には、乾燥させた粘着剤層中の粘着剤約3gにアセトン100mlを加え、撹拌して溶解させた。これに水25mlを加え撹拌した。この溶液を0.05mol/lの水酸化ナトリウム溶液で滴定を行った。試料1gを中和するのに必要な水酸化カリウムのmg数を酸価とした。
<Measurement of acid value>
The acid value was evaluated according to JIS K 0070-1992 (potentiometric titration method).
Specifically, 100 ml of acetone was added to about 3 g of the pressure-sensitive adhesive in the dried pressure-sensitive adhesive layer, and dissolved by stirring. To this, 25 ml of water was added and stirred. This solution was titrated with 0.05 mol / l sodium hydroxide solution. The number of mg of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of the sample was taken as the acid value.

〔実施例1〕
<ダイシングフィルムの作製>
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸2−エチルヘキシル(以下、「2EHA」という。)90部、アクリル酸(以下、「AA」という。)10部、過酸化ベンゾイル0.2部、および酢酸エチル150部を入れ、窒素気流中で61℃にて6時間重合処理し、アクリル系ポリマーAを得た。
このアクリル系ポリマーAに2−ビニル−2−オキサゾリン(以下、「VO」という。)12.8部(AAに対し95mol%)を加え、空気気流中で50℃にて48時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーA´を得た。アクリル系ポリマーA´のガラス転位温度は−49℃であった。
次に、アクリル系ポリマーA´100部に対し、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン(株)製)4部、および光重合開始剤(商品名「イルガキュア651」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製)5部を加えて、粘着剤溶液を作製した。
上記粘着剤溶液を、PET剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、120℃で2分間加熱架橋して、厚さ10μmの粘着剤層を形成した。
次いで、粘着剤層の表面に、厚さ100μmのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。
50℃にて24時間保存をした後、ダイボンドフィルムが貼り合せられる部分に紫外線を照射し、ダイシングフィルムを作製した。紫外線照射(紫外線(UV)照射装置:日東精機製「UM−810」、紫外線照射積算光量:300mJ/cm)はポリオレフィンフィルム側から行った。
<ダイボンドフィルムの作製>
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製「パラクロンW−197CM」)100部に対して、エポキシ樹脂1(JER(株)製「エピコート1004」)59部、エポキシ樹脂2(JER(株)製「エピコート827」)53部、フェノール樹脂(三井化学(株)製「ミレックスXLC−4L」)121部、球状シリカ(アドマテックス(株)製「SO−25R」)222部を加え、メチルエチルケトンに溶解して、濃度23.6重量%の接着剤組成物溶液を得た。
得られた接着剤組成物溶液を、剥離ライナー(セパレータ)として、シリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させた。これにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムを作製した。
<ダイシング・ダイボンドフィルムの作製>
ダイボンドフィルムをダイシングフィルムにおける粘着剤層側に転写して、ダイシング・ダイボンドフィルム(1)を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム(1)について、各種評価を行った。結果を表2に示した。
なお、表2中に記載する略称の意味は次の通りである。
2EHA:アクリル酸2−エチルヘキシル
i−OA:アクリル酸イソオクチル
BA:アクリル酸n−ブチル
AA:アクリル酸
VO:2−ビニル−2−オキサゾリン
[Example 1]
<Production of dicing film>
In a reaction vessel equipped with a cooling pipe, a nitrogen introduction pipe, a thermometer, and a stirring device, 90 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter referred to as “2EHA”), 10 parts of acrylic acid (hereinafter referred to as “AA”), 0.2 parts of benzoyl peroxide and 150 parts of ethyl acetate were added and polymerized in a nitrogen stream at 61 ° C. for 6 hours to obtain an acrylic polymer A.
To this acrylic polymer A, 12.8 parts of 2-vinyl-2-oxazoline (hereinafter referred to as “VO”) (95 mol% with respect to AA) was added, and an addition reaction treatment was performed at 50 ° C. for 48 hours in an air stream. As a result, an acrylic polymer A ′ was obtained. The glass transition temperature of the acrylic polymer A ′ was −49 ° C.
Next, with respect to 100 parts of acrylic polymer A ′, 4 parts of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, Ciba Special) 5 parts) (manufactured by T Chemicals) was added to prepare an adhesive solution.
The pressure-sensitive adhesive solution was applied on the surface of the PET release liner that had been subjected to the silicone treatment, and heat-crosslinked at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm.
Next, a polyolefin film having a thickness of 100 μm was bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
After storing at 50 ° C. for 24 hours, a portion to which the die bond film was bonded was irradiated with ultraviolet rays to produce a dicing film. Ultraviolet irradiation (ultraviolet (UV) irradiation apparatus: “UM-810” manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd., ultraviolet irradiation integrated light quantity: 300 mJ / cm 2 ) was performed from the polyolefin film side.
<Production of die bond film>
Epoxy resin 1 (“Epicoat 1004” manufactured by JER Co., Ltd.) with respect to 100 parts of an acrylic ester polymer (“Paraklon W-197CM” manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) mainly composed of ethyl acrylate-methyl methacrylate. 59 parts, epoxy resin 2 (“Epicoat 827” manufactured by JER Corporation) 53 parts, phenol resin (“Millex XLC-4L” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) 121 parts, spherical silica (manufactured by Admatechs Corporation “SO” −25R ”) 222 parts were added and dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 23.6% by weight.
The obtained adhesive composition solution was applied as a release liner (separator) onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm after silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. . Thus, a die bond film having a thickness of 25 μm was produced.
<Production of dicing die bond film>
The die bond film was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing film to produce a dicing die bond film (1).
Various evaluation was performed about the obtained dicing die-bonding film (1). The results are shown in Table 2.
In addition, the meaning of the abbreviation described in Table 2 is as follows.
2EHA: 2-ethylhexyl acrylate i-OA: isooctyl acrylate BA: n-butyl acrylate AA: acrylic acid VO: 2-vinyl-2-oxazoline

〔実施例2〜5〕
表2に示す組成および含有量に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルム(2)〜(5)を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム(2)〜(5)について、各種評価を行った。結果を表2に示した。
[Examples 2 to 5]
Dicing die-bonding films (2) to (5) were produced in the same manner as in Example 1 except that the composition and content shown in Table 2 were changed.
Various evaluation was performed about the obtained dicing die-bonding films (2) to (5). The results are shown in Table 2.

〔比較例1〜2〕
表2に示す組成および含有量に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルム(C1)〜(C2)を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム(C1)〜(C2)について、各種評価を行った。結果を表2に示した。
[Comparative Examples 1-2]
Dicing die-bonding films (C1) to (C2) were produced in the same manner as in Example 1 except that the composition and content shown in Table 2 were changed.
Various evaluation was performed about the obtained dicing die-bonding films (C1) to (C2). The results are shown in Table 2.

Figure 2012015431
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表2に示すように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ピックアップ性が良好であることが判る。すなわち、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現できていることが判る。また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、従来の粘着剤で用いられている錫系触媒を用いないので、環境に悪影響を与えないことが判る。さらに、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、粘着剤層中における揮発性物質の残存が抑制できるので、環境や人体に悪影響を与えないことや、取扱いが容易であることが判る。   As shown in Table 2, it can be seen that the dicing die-bonding film of the present invention has good pickup properties. That is, the dicing die-bonding film of the present invention has a good balance between a good holding force for the semiconductor wafer during dicing and a good peelability that allows the semiconductor chip after dicing to be peeled off from the substrate integrally with the die-bonding film. It can be seen that it is well expressed. Moreover, since the dicing die-bonding film of this invention does not use the tin-type catalyst used with the conventional adhesive, it turns out that it does not have a bad influence on an environment. Furthermore, in the dicing die-bonding film of the present invention, it can be seen that volatile substances remaining in the pressure-sensitive adhesive layer can be suppressed, so that it does not adversely affect the environment and the human body and is easy to handle.

本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、例えば、半導体装置製造の際のワーク(半導体ウェハ等)のダイシングに好適に用いることができる。   The dicing die-bonding film of the present invention can be suitably used, for example, for dicing a workpiece (semiconductor wafer or the like) when manufacturing a semiconductor device.

1 基材
2 粘着剤層
2a 粘着剤層の硬化部分
2b 粘着剤層の未硬化部分
3 ダイボンドフィルム
3´ ダイボンドフィルム
3a ダイボンドフィルム
4 半導体ウェハ
5 半導体チップ5
6 被着体
7 ボンディングワイヤー
8 封止樹脂
9 ヒートブロック
10 ダイシング・ダイボンドフィルム
11 ダイシング・ダイボンドフィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Adhesive layer 2a Cured part 2b of an adhesive layer Uncured part 3 of an adhesive layer 3 Die bond film 3 'Die bond film 3a Die bond film 4 Semiconductor wafer 5 Semiconductor chip 5
6 Substrate 7 Bonding wire 8 Sealing resin 9 Heat block 10 Dicing die bond film 11 Dicing die bond film

Claims (5)

基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
該粘着剤層は、紫外線照射によるポリマー(P)の硬化物を含み、
該ポリマー(P)は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー(A)と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物(B)とを反応させて得られ、
該ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂を含む、
ダイシング・ダイボンドフィルム。
A dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, and a dicing film having a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a cured product of polymer (P) by ultraviolet irradiation,
The polymer (P) includes a polymer (A) composed of a monomer component including an acrylic acid ester as a main monomer and a carboxyl group-containing monomer, and an oxazoline group having a oxazoline group and a radical-reactive carbon-carbon double bond. Obtained by reacting with compound (B),
The die bond film includes an epoxy resin,
Dicing die bond film.
前記カルボキシル基含有モノマーが、(メタ)アクリル酸およびカルボキシアルキル(メタ)アクリレートから選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The dicing die-bonding film according to claim 1, wherein the carboxyl group-containing monomer is at least one selected from (meth) acrylic acid and carboxyalkyl (meth) acrylate. 前記オキサゾリン基含有化合物(B)が、2−ビニル−2−オキサゾリン、4−メチル−2−ビニル−2−オキサゾリン、5−メチル−2−ビニル−2−オキサゾリン、2−ビニル−4,4−ジメチル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、4−メチル−2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、5−メチル−2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、および2−イソプロペニル−4,4−ジメチル−2−オキサゾリンから選ばれる少なくとも1種である、請求項1または2に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The oxazoline group-containing compound (B) is 2-vinyl-2-oxazoline, 4-methyl-2-vinyl-2-oxazoline, 5-methyl-2-vinyl-2-oxazoline, 2-vinyl-4,4- Dimethyl-2-oxazoline, 2-isopropenyl-2-oxazoline, 4-methyl-2-isopropenyl-2-oxazoline, 5-methyl-2-isopropenyl-2-oxazoline, and 2-isopropenyl-4,4 The dicing die-bonding film according to claim 1 or 2, which is at least one selected from -dimethyl-2-oxazoline. 前記アクリル酸エステルは、CH=CHCOOR(式中、Rは炭素数が6〜10のアルキル基)で表されるアクリル酸エステルである、請求項1から3までのいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。 The dicing product according to any one of claims 1 to 3, wherein the acrylic ester is an acrylic ester represented by CH 2 = CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms). Die bond film. 前記ポリマー(P)のガラス転移温度が、−70℃〜−10℃である、請求項1から4までのいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。


The dicing die-bonding film according to any one of claims 1 to 4, wherein the polymer (P) has a glass transition temperature of -70 ° C to -10 ° C.


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