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JP2012015231A - Tape sticking method - Google Patents

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JP2012015231A
JP2012015231A JP2010148578A JP2010148578A JP2012015231A JP 2012015231 A JP2012015231 A JP 2012015231A JP 2010148578 A JP2010148578 A JP 2010148578A JP 2010148578 A JP2010148578 A JP 2010148578A JP 2012015231 A JP2012015231 A JP 2012015231A
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Japan
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wafer
protective tape
ultraviolet
tape
ultraviolet curing
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Application number
JP2010148578A
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Japanese (ja)
Inventor
Seiki Kizaki
清貴 木崎
Minoru Matsuzawa
稔 松澤
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】紫外線硬化保護テープの剥離性を向上させることができるテープ貼着方法を提供すること。
【解決手段】表面に複数の突出した電極2が形成されたウェーハ1に紫外線硬化保護テープ3を貼着するテープ貼着方法であって、ウェーハ1の表面1aに窒素を供給する工程と、ウェーハ1の表面1aに窒素が供給されている状態でウェーハ1の表面1aに紫外線硬化保護テープ3を貼着する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図2
To provide a tape attaching method capable of improving the peelability of an ultraviolet curing protective tape.
A tape adhering method for adhering an ultraviolet curing protective tape 3 to a wafer 1 having a plurality of protruding electrodes 2 formed on the surface, the step of supplying nitrogen to a surface 1a of the wafer 1, and the wafer And a step of adhering an ultraviolet curing protective tape 3 to the surface 1a of the wafer 1 in a state where nitrogen is supplied to the surface 1a.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、ウェーハに紫外線硬化保護テープを貼着するテープ貼着方法に関する。   The present invention relates to a tape attaching method for attaching an ultraviolet curing protective tape to a wafer.

半導体デバイスの製造工程において、ウェーハ表面に分割予定ラインが格子状に形成され、この分割予定ラインによって区画された複数の領域それぞれにIC,LSIなどのデバイスが形成される。このように表面にデバイスを形成した後に、ウェーハの裏面を研削装置によって研削し、ウェーハを所定の厚さに調整する。その後、ウェーハは、切削装置によって分割予定ラインに沿って切削され、個々のデバイスごとに分割される。   In the semiconductor device manufacturing process, division lines are formed in a lattice pattern on the wafer surface, and devices such as IC and LSI are formed in each of a plurality of areas partitioned by the division lines. After the device is formed on the front surface in this way, the back surface of the wafer is ground by a grinding device, and the wafer is adjusted to a predetermined thickness. Thereafter, the wafer is cut along a planned dividing line by a cutting apparatus and divided into individual devices.

研削装置に搬入されるウェーハの表面には、裏面研削時に、表面に形成されたデバイスを保護するための保護テープが貼着されており、この保護テープは、研削加工後にウェーハから剥離される。保護テープは、紫外線硬化型粘着剤を有する紫外線硬化保護テープであり、剥離工程前に、紫外線照射される。そして、紫外線照射により、紫外線硬化型粘着剤が硬化され、粘着力が低下した紫外線硬化保護テープは、ウェーハの表面から剥離される。   A protective tape for protecting a device formed on the surface is attached to the front surface of the wafer carried into the grinding apparatus during back surface grinding, and this protective tape is peeled off from the wafer after the grinding process. The protective tape is an ultraviolet curable protective tape having an ultraviolet curable adhesive, and is irradiated with ultraviolet rays before the peeling step. Then, the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive is cured by the ultraviolet irradiation, and the ultraviolet curable protective tape having reduced adhesive strength is peeled off from the surface of the wafer.

紫外線硬化保護テープに含まれる紫外線硬化型粘着剤は、酸素阻害によって十分に紫外線硬化されないことがあるため、窒素雰囲気下で紫外線照射を行い、紫外線硬化型粘着剤を完全に硬化させる硬化工程が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   The UV curable adhesive contained in the UV curable protective tape may not be fully UV cured due to oxygen inhibition, so a curing process is proposed in which UV irradiation is performed under a nitrogen atmosphere to completely cure the UV curable adhesive. (For example, refer to Patent Document 1).

特開2008−251934号公報JP 2008-251934 A

ところで、ウェーハ表面にバンプとよばれる突出した電極が形成されている場合、このウェーハ表面に紫外線硬化保護テープを貼着すると、ウェーハと紫外線硬化保護テープとが密着せずに界面に隙間が形成されることがある。この場合、紫外線硬化保護テープへの紫外線照射を窒素雰囲気下で行ったとしても、窒素ガスが隙間内に十分に浸透しない。したがって、隙間に存在する酸素(空気)が紫外線硬化を阻害し、紫外線硬化型粘着剤が十分に紫外線硬化されず、紫外線硬化保護テープの剥離性が悪くなるという事態が発生し得る。   By the way, when protruding electrodes called bumps are formed on the wafer surface, if a UV curable protective tape is attached to the wafer surface, a gap is formed at the interface without the wafer and the UV curable protective tape being in close contact with each other. Sometimes. In this case, even when the ultraviolet curing protective tape is irradiated with ultraviolet rays in a nitrogen atmosphere, the nitrogen gas does not sufficiently penetrate into the gap. Therefore, oxygen (air) present in the gaps inhibits UV curing, and the UV curable pressure-sensitive adhesive is not sufficiently UV cured, and the peelability of the UV curable protective tape may deteriorate.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、紫外線硬化保護テープの剥離性を向上させることができるテープ貼着方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the tape sticking method which can improve the peelability of a ultraviolet curing protective tape.

本発明のテープ貼着方法は、表面に複数の突出した電極が形成されたウェーハに紫外線硬化保護テープを貼着するテープ貼着方法であって、前記ウェーハの表面に窒素を供給する工程と、前記ウェーハの表面に窒素が供給されている状態で前記ウェーハの表面に前記紫外線硬化保護テープを貼着する工程と、を含むことを特徴とする。   The tape adhering method of the present invention is a tape adhering method for adhering an ultraviolet curing protective tape to a wafer having a plurality of protruding electrodes formed on the surface, and supplying nitrogen to the surface of the wafer; Adhering the ultraviolet curing protective tape to the surface of the wafer in a state where nitrogen is supplied to the surface of the wafer.

このテープ貼着方法によれば、ウェーハの表面から電極が突出して形成される場合であっても、ウェーハと紫外線硬化保護テープとの界面に形成された隙間に窒素を充填することができる。したがって、紫外線照射によって紫外線硬化保護テープを硬化させる際に、酸素阻害を抑制し、紫外線硬化保護テープ全体を適切に硬化させることができる。この結果、紫外線硬化保護テープの剥離性を向上させることが可能となる。   According to this tape sticking method, even when the electrode is formed so as to protrude from the surface of the wafer, the gap formed at the interface between the wafer and the ultraviolet curing protective tape can be filled with nitrogen. Therefore, when the ultraviolet curing protective tape is cured by ultraviolet irradiation, oxygen inhibition can be suppressed and the entire ultraviolet curing protective tape can be appropriately cured. As a result, it becomes possible to improve the peelability of the ultraviolet curable protective tape.

本発明によれば、紫外線硬化保護テープの剥離性を向上させることができるテープ貼着方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the tape sticking method which can improve the peelability of a ultraviolet curing protective tape can be provided.

本発明の実施の形態に係るウェーハを示す断面模式図(a)およびウェーハに紫外線硬化保護テープが貼着された状態を示す断面模式図(b)である。It is the cross-sectional schematic diagram (a) which shows the wafer which concerns on embodiment of this invention, and the cross-sectional schematic diagram (b) which shows the state by which the ultraviolet curing protection tape was affixed on the wafer. ウェーハの加工工程を(a)〜(f)の順に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing process of a wafer in order of (a)-(f). ウェーハの表面と、紫外線硬化型粘着層との界面に形成された隙間を拡大して示す断面模式図(a)〜(d)である。It is a cross-sectional schematic diagram (a)-(d) which expands and shows the clearance gap formed in the interface of the surface of a wafer, and an ultraviolet curable adhesive layer.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、すべての図において、同一機能を有するものは同一符号を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In all the drawings, components having the same function are described using the same reference numerals.

(ウェーハ1について)
図1(a)は、本実施の形態に係るウェーハ1を示す断面模式図である。ウェーハ1の表面1aには、分割予定ラインが格子状に形成され、この分割予定ラインによって区画された複数の領域それぞれにIC,LSIなどの図示しないデバイスが形成されている。また、これらのデバイスと、基板等を接続するための端子として、ウェーハ1の表面1aには複数の突出した電極2が形成されている。
(About wafer 1)
FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a wafer 1 according to the present embodiment. On the surface 1 a of the wafer 1, division lines are formed in a lattice shape, and devices (not shown) such as IC and LSI are formed in each of a plurality of areas partitioned by the division lines. A plurality of protruding electrodes 2 are formed on the surface 1a of the wafer 1 as terminals for connecting these devices to a substrate or the like.

複数の電極2は、ウェーハ1の表面1aから略球状に形成されており、所定の間隔をあけて配置されている。電極2は、突出方向において、基端側から途中部分までは、幅が広がり、途中部分から先端側に向けて幅が狭くなっている。このように、電極2は、基端側において、ウェーハ1の表面1aとの間にくびれ部分を形成している。   The plurality of electrodes 2 are formed in a substantially spherical shape from the surface 1a of the wafer 1, and are arranged at a predetermined interval. In the protruding direction, the electrode 2 has a width that increases from the base end side to the middle portion, and narrows from the middle portion toward the distal end side. Thus, the electrode 2 forms a constricted portion with the surface 1a of the wafer 1 on the base end side.

図1(b)は、ウェーハ1の表面1aに紫外線硬化保護テープ3が貼着された状態を示す断面模式図である。紫外線硬化保護テープ3は、テープ基材31と、テープ基材31の一面に紫外線硬化糊を塗布して形成された紫外線硬化型粘着層32と、を有している。テープ基材31は100μmほどの厚みが好ましく、紫外線硬化型粘着層32は電極2を完全に覆うことができる厚みが好ましい。なお、電極2は、50μm〜200μmの高さを有している。   FIG. 1B is a schematic cross-sectional view showing a state in which the ultraviolet curing protective tape 3 is attached to the surface 1 a of the wafer 1. The ultraviolet curable protective tape 3 includes a tape substrate 31 and an ultraviolet curable adhesive layer 32 formed by applying an ultraviolet curable paste to one surface of the tape substrate 31. The tape substrate 31 preferably has a thickness of about 100 μm, and the ultraviolet curable adhesive layer 32 preferably has a thickness that can completely cover the electrode 2. The electrode 2 has a height of 50 μm to 200 μm.

ここで、ウェーハ1としては、特に限定されないが、例えば、シリコン(Si),ガリウムヒソ(GaAs),シリコンカーバイト(SiC)などの半導体ウェーハや、サファイア(Al)系の無機材料基板などが挙げられる。 Here, the wafer 1 is not particularly limited, but, for example, a semiconductor wafer such as silicon (Si), gallium gallium (GaAs), or silicon carbide (SiC), a sapphire (Al 2 O 3 ) -based inorganic material substrate, or the like. Is mentioned.

ウェーハ1の表面1aと、紫外線硬化型粘着層32との間には、電極2の周囲に、隙間5が形成されている。隙間5は、電極2により、紫外線硬化型粘着層32とウェーハ1との貼着が部分的に阻害されることで形成される。なお、隙間5の大きさは、紫外線硬化型粘着層32の弾性率や膜厚による。しかしながら、電極2は、基端側が両側にくびれているため、くびれ部分に紫外線硬化型粘着層32が入り込みにくくなっている。   A gap 5 is formed around the electrode 2 between the surface 1 a of the wafer 1 and the ultraviolet curable adhesive layer 32. The gap 5 is formed by the electrode 2 partially hindering the adhesion between the ultraviolet curable adhesive layer 32 and the wafer 1. The size of the gap 5 depends on the elastic modulus and film thickness of the ultraviolet curable adhesive layer 32. However, since the base end side of the electrode 2 is constricted on both sides, it is difficult for the ultraviolet curable adhesive layer 32 to enter the constricted portion.

続いて、図2に基づいて、ウェーハ1の加工工程を説明する。
(1.ウェーハ1の表面1aに窒素を供給する工程について)
図2(a)は、ウェーハ1の表面1aに窒素が供給されている状態を示す断面模式図である。チャックテーブル4上には、ウェーハ1の表面1aと対向するように、紫外線硬化保護テープ3が設置されている。また、ウェーハ1の表面1aには、窒素が供給されている。この工程においては、例えば、矢印Aで示す方向に窒素ガスを連続的に供給し、ウェーハ1および紫外線硬化保護テープ3の周囲の空気を除去するとともに、ウェーハ1および紫外線硬化保護テープ3の周囲に窒素を充填している。なお、窒素が供給されている状態とは、窒素ガスが連続的に供給されている状態や、窒素雰囲気下にある状態を指している。
Subsequently, the processing steps of the wafer 1 will be described with reference to FIG.
(1. Step of supplying nitrogen to the surface 1a of the wafer 1)
FIG. 2A is a schematic cross-sectional view showing a state where nitrogen is supplied to the surface 1 a of the wafer 1. On the chuck table 4, an ultraviolet curing protective tape 3 is installed so as to face the surface 1 a of the wafer 1. Further, nitrogen is supplied to the surface 1 a of the wafer 1. In this step, for example, nitrogen gas is continuously supplied in the direction indicated by the arrow A to remove the air around the wafer 1 and the ultraviolet curable protective tape 3 and to surround the wafer 1 and the ultraviolet curable protective tape 3. Filled with nitrogen. Note that the state in which nitrogen is supplied refers to a state in which nitrogen gas is continuously supplied or a state in a nitrogen atmosphere.

(2.ウェーハ1の表面1aに紫外線硬化保護テープ3を貼着する工程について)
図2(b)は、ウェーハ1の表面1aに紫外線硬化保護テープ3が貼着された状態を示す断面模式図である。この工程においては、窒素を供給した状態で、上方からウェーハ1が紫外線硬化保護テープ3の紫外線硬化型粘着層32に押し当てられる。このとき、紫外線硬化型粘着層32が、ウェーハ1の表面1aおよび電極2を覆うようにウェーハ1に貼着される。また、ウェーハ1と紫外線硬化型粘着層32との界面には、複数の電極2により部分的に貼着が阻害されて、隙間5が生じている。
(2. About the process of sticking the ultraviolet curing protective tape 3 on the surface 1a of the wafer 1)
FIG. 2B is a schematic cross-sectional view showing a state where the ultraviolet curing protective tape 3 is attached to the surface 1 a of the wafer 1. In this step, the wafer 1 is pressed against the ultraviolet curable adhesive layer 32 of the ultraviolet curable protective tape 3 from above with nitrogen supplied. At this time, the ultraviolet curable adhesive layer 32 is attached to the wafer 1 so as to cover the surface 1 a of the wafer 1 and the electrode 2. Further, at the interface between the wafer 1 and the ultraviolet curable adhesive layer 32, the plurality of electrodes 2 partially inhibits sticking, and a gap 5 is generated.

ウェーハ1の表面1aに窒素が供給されている状態で、ウェーハ1の表面1aに紫外線硬化保護テープ3を貼着したため、隙間5には窒素が充填されている。なお、隙間5には、隙間5が紫外線硬化を阻害しない酸素濃度となる割合で窒素が含まれていればよい。   Since the ultraviolet curing protective tape 3 is attached to the surface 1a of the wafer 1 in a state where nitrogen is supplied to the surface 1a of the wafer 1, the gap 5 is filled with nitrogen. Note that the gap 5 only needs to contain nitrogen in such a ratio that the gap 5 has an oxygen concentration that does not inhibit ultraviolet curing.

(3.研削工程について)
図2(c)は、研削工程により、所定の厚さに調整されたウェーハ1の状態を示す断面模式図である。なお、図2(c)において、破線は、研削工程前のウェーハ1の厚さを示している。
(3. Grinding process)
FIG. 2C is a schematic cross-sectional view showing the state of the wafer 1 adjusted to a predetermined thickness by the grinding process. In FIG. 2C, the broken line indicates the thickness of the wafer 1 before the grinding process.

この工程においては、研削装置に搬入されたウェーハ1が、紫外線硬化保護テープ3を下向きにしてチャックテーブル4により吸引保持され、ウェーハ1の裏面1bが研削砥石に対向してセットされる。そして、チャックテーブル4と研削砥石を相対回転させるとともに、ウェーハ1が所定の厚さになるまで研削砥石が下方に研削送りされる。   In this process, the wafer 1 carried into the grinding apparatus is sucked and held by the chuck table 4 with the ultraviolet curing protective tape 3 facing downward, and the back surface 1b of the wafer 1 is set facing the grinding wheel. The chuck table 4 and the grinding wheel are rotated relative to each other, and the grinding wheel is ground and fed downward until the wafer 1 has a predetermined thickness.

なお、ウェーハ1の表面1aに紫外線硬化保護テープ3を貼着する工程および研削工程は、同一装置のチャックテーブル4上で行ってもよいし、別装置のチャックテーブル4上で行ってもよい。   In addition, the process and the grinding | polishing process of sticking the ultraviolet curing protective tape 3 on the surface 1a of the wafer 1 may be performed on the chuck table 4 of the same apparatus, or may be performed on the chuck table 4 of another apparatus.

(4.硬化工程について)
図2(d)は、紫外線硬化保護テープ3に紫外線が照射されている状態を示す断面模式図である。紫外線硬化保護テープ3に紫外線を照射する前に、紫外線硬化保護テープ3の周囲に窒素を供給する。この工程においては、例えば、矢印Aで示す方向に窒素ガスを連続的に供給し、紫外線硬化保護テープ3の周囲の空気を除去するとともに、紫外線硬化保護テープ3の周囲に窒素を充填している。
(4. Curing process)
FIG. 2D is a schematic cross-sectional view showing a state in which the ultraviolet curing protective tape 3 is irradiated with ultraviolet rays. Before irradiating the ultraviolet curing protective tape 3 with ultraviolet rays, nitrogen is supplied around the ultraviolet curing protective tape 3. In this step, for example, nitrogen gas is continuously supplied in the direction indicated by the arrow A to remove the air around the ultraviolet curing protective tape 3 and to fill the nitrogen around the ultraviolet curing protective tape 3. .

その後、窒素雰囲気下で、紫外線照射部6から紫外線硬化保護テープ3に、矢印Bで示す方向から紫外線を照射する。紫外線硬化型粘着層32中には、光重合開始剤が含まれており、紫外線照射によってこの光重合開始剤から生じるラジカルに起因した光重合反応により、紫外線硬化型粘着層32は硬化する。また、紫外線硬化保護テープ3の周囲における酸素濃度が低下しているため、酸素による紫外線硬化阻害の影響を受けることなく、紫外線硬化型粘着層32を紫外線硬化させることができる。   Thereafter, ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet irradiation unit 6 to the ultraviolet curing protective tape 3 from the direction indicated by the arrow B in a nitrogen atmosphere. The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 32 contains a photopolymerization initiator, and the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 32 is cured by a photopolymerization reaction caused by radicals generated from the photopolymerization initiator by ultraviolet irradiation. In addition, since the oxygen concentration around the ultraviolet curable protective tape 3 is reduced, the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 32 can be ultraviolet cured without being affected by the inhibition of ultraviolet curing by oxygen.

このとき、隙間5にも窒素が充填されているため、隙間5の周囲の紫外線硬化型粘着層32も、酸素による紫外線硬化阻害の影響を受けることなく、紫外線硬化させることができる。   At this time, since the gap 5 is also filled with nitrogen, the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 32 around the gap 5 can be ultraviolet-cured without being affected by ultraviolet-curing inhibition by oxygen.

なお、紫外線硬化保護テープ3の周囲や隙間5が、紫外線硬化を阻害しない酸素濃度となるのであれば、窒素ガス以外の紫外線硬化反応に対して不活性なガス、例えば、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素あるいはこれらの混合ガスの雰囲気下で、紫外線硬化保護テープ3を貼着する工程および硬化工程を行ってもよい。   In addition, if the circumference | surroundings and the clearance gap 5 of the ultraviolet curing protective tape 3 become the oxygen concentration which does not inhibit ultraviolet curing, gases inert to ultraviolet curing reaction other than nitrogen gas, for example, helium, argon, carbon dioxide Or you may perform the process and the hardening process of sticking the ultraviolet curing protective tape 3 in the atmosphere of these mixed gas.

(5.ダイシングテープ7の貼着工程について)
図2(e)は、ウェーハ1の裏面1bに、ダイシングテープ7を貼着した状態を示す断面模式図である。この工程においては、ウェーハ1の紫外線硬化保護テープ3側を上側に向けた状態となっている。ダイシングテープ7は、環状フレーム8の開口部を覆うように外周部が環状フレーム8に貼着されており、ウェーハ1はダイシングテープ7を介して環状フレーム8に支持された状態となる。
(5. About sticking process of dicing tape 7)
FIG. 2E is a schematic cross-sectional view showing a state where the dicing tape 7 is attached to the back surface 1 b of the wafer 1. In this process, the ultraviolet curing protective tape 3 side of the wafer 1 is directed upward. The dicing tape 7 has an outer peripheral portion attached to the annular frame 8 so as to cover the opening of the annular frame 8, and the wafer 1 is supported by the annular frame 8 via the dicing tape 7.

なお、上記では、硬化工程の後に、ウェーハ1の裏面1bをダイシングテープ7に貼着する工程を行う場合について説明したが、この2つの工程は、順序が逆でも構わない。すなわち、ウェーハ1の裏面1bをダイシングテープ7に貼着する工程の後に、硬化工程を行ってもよい。   In addition, although the case where the process of sticking the back surface 1b of the wafer 1 to the dicing tape 7 is performed after the curing process has been described above, the order of the two processes may be reversed. That is, after the process of sticking the back surface 1b of the wafer 1 to the dicing tape 7, a curing process may be performed.

(6.剥離工程について)
図2(f)は、硬化後の紫外線硬化保護テープ3が剥離され、ウェーハ1の表面1aおよび電極2が露出した状態を示す断面模式図である。硬化後の紫外線硬化保護テープ3を剥離する方法としては、例えば、ウェーハ1に貼着された紫外線硬化保護テープ3の外周を把持して紫外線硬化保護テープ3を剥離する方法や、ウェーハ1の任意端部から他の端部へ向けてローラーを接触させることにより紫外線硬化保護テープ3を剥離する方法などがあげられる。
(6. About the peeling process)
FIG. 2F is a schematic cross-sectional view showing a state where the cured ultraviolet curing protective tape 3 is peeled and the surface 1a and the electrode 2 of the wafer 1 are exposed. As a method of peeling off the ultraviolet curing protective tape 3 after curing, for example, a method of peeling the ultraviolet curing protective tape 3 by gripping the outer periphery of the ultraviolet curing protective tape 3 attached to the wafer 1 or any arbitrary one of the wafer 1 Examples thereof include a method of peeling the ultraviolet curing protective tape 3 by bringing a roller into contact from one end to the other end.

紫外線硬化保護テープ3は、紫外線硬化型粘着層32全体が適切に硬化しているため、粘着力が低下し、かつ、剥離性が向上している。したがって、紫外線硬化保護テープ3を剥離する際に、紫外線硬化型粘着層32の貼着力に起因したウェーハ1や、ウェーハ1の表面1aに形成されたデバイスおよび電極2の破損を防ぐことができる。   Since the entire ultraviolet curable adhesive layer 32 is appropriately cured, the ultraviolet curable protective tape 3 has a reduced adhesive force and an improved peelability. Therefore, when the ultraviolet curable protective tape 3 is peeled off, damage to the wafer 1 and the devices and electrodes 2 formed on the surface 1a of the wafer 1 due to the adhesive force of the ultraviolet curable adhesive layer 32 can be prevented.

次に、図3に基づいて、本発明の特徴部分について詳細に説明する。ここでは、隙間5に窒素が充填されている場合と、隙間5に酸素が充填されている場合とを比較して説明する。   Next, a characteristic part of the present invention will be described in detail with reference to FIG. Here, the case where the gap 5 is filled with nitrogen and the case where the gap 5 is filled with oxygen will be described in comparison.

まず、隙間5に窒素が充填されている場合について説明する。図3(a)は、窒素が充填されている隙間5を拡大して示す断面模式図である。紫外線硬化保護テープ3への紫外線照射を窒素雰囲気下で行ったとしても、この隙間5内には、窒素ガスが十分に浸透しない。しかし、隙間5には窒素が充填されているため、紫外線硬化を阻害する濃度の酸素は含まれていない。そのため、隙間5の周囲の紫外線硬化型粘着層32において、紫外線硬化反応の酸素阻害は生じず、紫外線硬化型粘着層32全体が適切に硬化する。   First, the case where the gap 5 is filled with nitrogen will be described. FIG. 3A is a schematic cross-sectional view showing the gap 5 filled with nitrogen in an enlarged manner. Even if the ultraviolet curing irradiation of the ultraviolet curing protective tape 3 is performed in a nitrogen atmosphere, the nitrogen gas does not sufficiently penetrate into the gap 5. However, since the gap 5 is filled with nitrogen, it does not contain oxygen at a concentration that inhibits ultraviolet curing. Therefore, in the ultraviolet curable adhesive layer 32 around the gap 5, oxygen inhibition of the ultraviolet curable reaction does not occur, and the entire ultraviolet curable adhesive layer 32 is appropriately cured.

図3(b)は、全体が適切に硬化した紫外線硬化型粘着層32の剥離工程を示す断面模式図である。この場合、剥離工程においてウェーハ1の表面1aや電極2に紫外線硬化型粘着層32が付着することなく、ウェーハ1の表面1aから紫外線硬化型粘着層32を剥離できる。   FIG. 3B is a schematic cross-sectional view showing a peeling process of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 32 that has been properly cured as a whole. In this case, the ultraviolet curable adhesive layer 32 can be peeled from the surface 1 a of the wafer 1 without the ultraviolet curable adhesive layer 32 adhering to the surface 1 a of the wafer 1 or the electrode 2 in the peeling step.

続いて、隙間5に窒素ではなく、酸素が充填されている場合について説明する。図3(c)は、酸素が充填されている隙間5を拡大して示す断面模式図である。紫外線硬化保護テープ3への紫外線照射を窒素雰囲気下で行ったとしても、この隙間5内には、窒素ガスが十分に浸透しない。したがって、隙間5内には、紫外線硬化を阻害する濃度の酸素が含まれることになる。そのため、隙間5の周囲の紫外線硬化型粘着層32において、紫外線硬化反応の酸素阻害が生じ、紫外線硬化型粘着層32の未硬化部分32aが残ってしまう。   Next, a case where the gap 5 is filled with oxygen instead of nitrogen will be described. FIG.3 (c) is a cross-sectional schematic diagram which expands and shows the clearance gap 5 filled with oxygen. Even if the ultraviolet curing irradiation of the ultraviolet curing protective tape 3 is performed in a nitrogen atmosphere, the nitrogen gas does not sufficiently penetrate into the gap 5. Therefore, the gap 5 contains oxygen at a concentration that inhibits ultraviolet curing. Therefore, in the ultraviolet curable adhesive layer 32 around the gap 5, oxygen inhibition of the ultraviolet curable reaction occurs, and the uncured portion 32a of the ultraviolet curable adhesive layer 32 remains.

図3(d)は、未硬化部分32aが残った紫外線硬化型粘着層32を剥離する状態を示す断面模式図である。紫外線硬化型粘着層32の未硬化部分32aは、剥離工程においてウェーハ1の表面1aや電極2に付着し、ウェーハ1が汚染する原因となる。あるいは、ウェーハ1の表面1aから紫外線硬化保護テープ3を剥離できずに、ウェーハ1が破損する原因となる。   FIG. 3D is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which the ultraviolet curable adhesive layer 32 in which the uncured portion 32a remains is peeled off. The uncured portion 32a of the ultraviolet curable adhesive layer 32 adheres to the surface 1a of the wafer 1 and the electrode 2 in the peeling process, and causes the wafer 1 to be contaminated. Alternatively, the ultraviolet curing protective tape 3 cannot be peeled off from the surface 1a of the wafer 1, causing the wafer 1 to be damaged.

ここで、隙間5の周囲の紫外線硬化型粘着層32は、もともとウェーハ1の表面1aや電極2に接していないため、ウェーハ1の汚染などの問題は生じないとも考えられる。しかし、図3(d)に示すように、剥離の途中で、紫外線硬化型粘着層32の未硬化部分32aが、ウェーハ1の表面1aや電極2に接触することもある。この場合、ウェーハ1の汚染などの問題が生じることとなる。   Here, since the ultraviolet curable adhesive layer 32 around the gap 5 is not originally in contact with the surface 1a or the electrode 2 of the wafer 1, it is considered that problems such as contamination of the wafer 1 do not occur. However, as shown in FIG. 3D, the uncured portion 32 a of the ultraviolet curable adhesive layer 32 may come into contact with the surface 1 a of the wafer 1 or the electrode 2 during the peeling. In this case, problems such as contamination of the wafer 1 occur.

したがって、紫外線硬化型粘着層32の未硬化部分32aが残っている場合は、紫外線硬化型粘着層32全体が適切に硬化した場合と比較して、紫外線硬化後の紫外線硬化保護テープ3の剥離性が悪くなるといえる。   Therefore, when the uncured portion 32a of the UV curable adhesive layer 32 remains, the peelability of the UV curable protective tape 3 after UV curing is higher than when the entire UV curable adhesive layer 32 is properly cured. Can be said to be worse.

以上説明したように、実施の形態にかかるテープ貼着方法によれば、ウェーハの表面から電極が突出して形成される場合であっても、ウェーハと紫外線硬化保護テープとの界面に形成された隙間に窒素を充填することができる。したがって、紫外線照射によって紫外線硬化保護テープを硬化させる際に、酸素阻害を抑制し、紫外線硬化保護テープ全体を適切に硬化させることができる。この結果、紫外線硬化保護テープの剥離性を向上させることが可能となる。   As described above, according to the tape adhering method according to the embodiment, even when the electrode protrudes from the surface of the wafer, the gap formed at the interface between the wafer and the UV curable protective tape. Can be filled with nitrogen. Therefore, when the ultraviolet curing protective tape is cured by ultraviolet irradiation, oxygen inhibition can be suppressed and the entire ultraviolet curing protective tape can be appropriately cured. As a result, it becomes possible to improve the peelability of the ultraviolet curable protective tape.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、上記実施の形態においては、ウェーハ1の表面1aに略球状の電極2が形成された場合について説明している。しかしながら、上記構成に限定されるものではなく、電極2は任意の形状を適用することができる。   For example, in the above embodiment, the case where the substantially spherical electrode 2 is formed on the surface 1a of the wafer 1 is described. However, it is not limited to the said structure, The electrode 2 can apply arbitrary shapes.

また、上記実施の形態にかかるテープ貼着方法は、ウェーハ1の表面1aに電極2が形成されている場合に限らず適用することができる。例えば、ウェーハ1の表面1aに形成されたデバイスや、切削溝などに起因して、ウェーハ1の表面1aに凹凸形状が生じている場合や、紫外線硬化保護テープ3をウェーハ1の表面1aに密着して貼着できない場合など、ウェーハ1と紫外線硬化保護テープ3との界面に隙間5が形成され得るあらゆる場合に、有用である。   Moreover, the tape sticking method according to the above embodiment can be applied not only when the electrode 2 is formed on the surface 1 a of the wafer 1. For example, when an uneven shape is formed on the surface 1a of the wafer 1 due to a device or a cutting groove formed on the surface 1a of the wafer 1, or when the ultraviolet curing protective tape 3 is in close contact with the surface 1a of the wafer 1. This is useful in all cases where the gap 5 can be formed at the interface between the wafer 1 and the UV curable protective tape 3, such as when it cannot be attached.

以上説明したように、本発明は、紫外線硬化保護テープの剥離性を向上させることができるという効果を有し、特に、表面にバンプとよばれる突出した電極が形成されているウェーハに紫外線硬化保護テープを貼着する際に有用である。   As described above, the present invention has the effect of improving the peelability of the ultraviolet curing protective tape, and in particular, the ultraviolet curing protection is applied to a wafer on which protruding electrodes called bumps are formed on the surface. Useful when sticking tapes.

1 ウェーハ
2 電極
3 紫外線硬化保護テープ
31 テープ基材
32 紫外線硬化型粘着層
32a 紫外線硬化型粘着層の未硬化部分
4 チャックテーブル
5 隙間
6 紫外線照射部
7 ダイシングテープ
8 環状フレーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Electrode 3 UV-curing protection tape 31 Tape base material 32 UV-curing adhesive layer 32a Uncured part of UV-curing adhesive layer 4 Chuck table 5 Gap 6 Ultraviolet irradiation part 7 Dicing tape 8 Ring frame

Claims (1)

表面に複数の突出した電極が形成されたウェーハに紫外線硬化保護テープを貼着するテープ貼着方法であって、
前記ウェーハの表面に窒素を供給する工程と、
前記ウェーハの表面に窒素が供給されている状態で前記ウェーハの表面に前記紫外線硬化保護テープを貼着する工程と、を含むことを特徴とするテープ貼着方法。
A tape adhering method for adhering an ultraviolet curing protective tape to a wafer having a plurality of protruding electrodes formed on the surface,
Supplying nitrogen to the surface of the wafer;
A step of adhering the ultraviolet curing protective tape to the surface of the wafer in a state where nitrogen is supplied to the surface of the wafer.
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