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JP2012005988A - Pattern forming method and pattern forming apparatus - Google Patents

Pattern forming method and pattern forming apparatus Download PDF

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JP2012005988A
JP2012005988A JP2010145964A JP2010145964A JP2012005988A JP 2012005988 A JP2012005988 A JP 2012005988A JP 2010145964 A JP2010145964 A JP 2010145964A JP 2010145964 A JP2010145964 A JP 2010145964A JP 2012005988 A JP2012005988 A JP 2012005988A
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Japan
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speed
substrate
nozzle
pattern
paste
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JP2010145964A
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Japanese (ja)
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Takatsugu Furuichi
考次 古市
Masanobu Iwashima
正信 岩島
Masakazu Sanada
雅和 真田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus capable of uniformly forming a pattern, such as a finger wiring pattern for a solar battery, including a start end.SOLUTION: Viscosity change (viscosity characteristics) of paste corresponding to increase in shearing stress applied to the paste is measured (Step S10). In accordance with the measured viscosity characteristics, conditions of moving speed of a substrate when discharge of the paste from a nozzle is started are adjusted (Step S20). The substrate is moved in the adjusted speed conditions and the paste is linearly discharged from the nozzle to perform application and formation of the linear finger wiring pattern on the substrate (Step S30).

Description

本発明は、例えば、太陽電池素子用の基板上に配線パターンなどのパターンを形成する技術に関する。   The present invention relates to a technique for forming a pattern such as a wiring pattern on a substrate for a solar cell element, for example.

一般に、図13(a)に示すように太陽電池素子用の基板9の表面には出力を取り出すためのバス配線93と、このバス配線93に対して直交する方向に交差するとともに互いに平行に設けられた複数のフィンガー配線91が形成されている(例えば、特許文献1参照)。基板9は例えばシリコン基板であり、その表面にはn型拡散層が形成され、このn型拡散層の表面にバス配線93とフィンガー配線91が形成されている。また、バス配線93とフィンガー配線91を除くn型拡散層の表面には反射防止膜が形成されている。なお、基板9の裏面には図13(b)に示すように裏面用のバス配線97が形成されている。また、バス配線97を除く基板9の裏面のほぼ全面に集電用電極95が形成されている。   In general, as shown in FIG. 13 (a), on the surface of the substrate 9 for solar cell elements, there are provided a bus wiring 93 for taking out an output, and intersecting the bus wiring 93 in a direction orthogonal to each other and parallel to each other. A plurality of finger wirings 91 are formed (see, for example, Patent Document 1). The substrate 9 is, for example, a silicon substrate, an n-type diffusion layer is formed on the surface thereof, and bus wiring 93 and finger wiring 91 are formed on the surface of the n-type diffusion layer. Further, an antireflection film is formed on the surface of the n-type diffusion layer excluding the bus wiring 93 and the finger wiring 91. Note that, as shown in FIG. 13B, bus wiring 97 for the back surface is formed on the back surface of the substrate 9. A current collecting electrode 95 is formed on almost the entire back surface of the substrate 9 excluding the bus wiring 97.

上述のバス配線93、フィンガー配線91などの各配線を形成する方法として、スクリーン印刷法を用い、基板上に導電性のペーストを印刷して配線を形成する方法が知られている。スクリーン印刷法により形成されるフィンガー配線は、例えば、その線幅が120μmで、その高さが20μmであり、その断面は扁平な凸形状である。   As a method of forming each wiring such as the bus wiring 93 and the finger wiring 91 described above, a method of forming a wiring by printing a conductive paste on a substrate using a screen printing method is known. The finger wiring formed by the screen printing method has, for example, a line width of 120 μm, a height of 20 μm, and a flat convex shape in cross section.

近年、太陽電池素子による光電変換効率を向上させるために、上記フィンガー配線91の線幅を小さくして、基板9の表面における受光面積を大きくすることが検討されている。しかしながら、フィンガー配線91の線幅を小さくすると、フィンガー配線91の断面積が小さくなる。この結果、フィンガー配線91の電気抵抗が大きくなり、フィンガー配線91による集電能力が低下する、という問題が発生する。   In recent years, in order to improve the photoelectric conversion efficiency by the solar cell element, it has been studied to reduce the line width of the finger wiring 91 and increase the light receiving area on the surface of the substrate 9. However, when the line width of the finger wiring 91 is reduced, the cross-sectional area of the finger wiring 91 is reduced. As a result, the electrical resistance of the finger wiring 91 increases, and the problem that the current collection capability of the finger wiring 91 decreases occurs.

集電能力の低下を防止するためにフィンガー配線91を厚膜化することにより、電気抵抗の増加を抑制する方法が考えられる。換言すれば、フィンガー配線91の線幅は小さくするが、その高さを大きくして高アスペクト比の配線を形成することによりフィンガー配線91の断面積を大きくし、電気抵抗の増加を抑制する方法が考えられる。しかしながら、スクリーン印刷法により配線を厚膜化することは難しく、高アスペクト比のフィンガー配線91を容易に形成することができない、という問題が発生する。   A method of suppressing an increase in electrical resistance by increasing the thickness of the finger wiring 91 in order to prevent a decrease in current collecting capability can be considered. In other words, although the line width of the finger wiring 91 is reduced, the height of the finger wiring 91 is increased to form a high aspect ratio wiring, thereby increasing the cross-sectional area of the finger wiring 91 and suppressing an increase in electrical resistance. Can be considered. However, it is difficult to thicken the wiring by the screen printing method, and there is a problem that the finger wiring 91 having a high aspect ratio cannot be easily formed.

そこで、スクリーン印刷法に替えて、例えば特許文献2に記載されるような塗布方法を用いて配線パターンを塗布形成する方法が考えられる。このパターン形成方法によれば基板上に導電性のペーストを複数の吐出口から線状に供給するとともに、基板上に供給されたペーストに光を照射してペーストを硬化させることによって、厚膜(高アスペクト比)の線状パターンを形成することができる。   Therefore, instead of the screen printing method, for example, a method of coating and forming a wiring pattern using a coating method described in Patent Document 2 is conceivable. According to this pattern forming method, a conductive paste is supplied linearly from a plurality of ejection openings onto a substrate, and the paste supplied on the substrate is irradiated with light to cure the paste, thereby forming a thick film ( High aspect ratio) linear patterns can be formed.

特開2005‐353851号公報(例えば、図1、図2)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-353851 (for example, FIGS. 1 and 2) 特開2002‐184303号公報(例えば、図3)Japanese Patent Laid-Open No. 2002-184303 (for example, FIG. 3)

しかしながら、上述のパターン形成方法を用いて基板9上に線状パターンであるフィンガー配線91を形成すると次のような問題が発生する。すなわち、図14(a)に示すように、フィンガー配線91のパターン寸法はその延設方向に亘って均一である必要があり、フィンガー配線91の先端部においてもパターン寸法を均一に形成する必要がある。ところが、上述のパターン形成方法によると、図14(b),(c)に示すようにフィンガー配線91の先端部において、パターン寸法が均一にならないという、問題が発生する。   However, when the finger wiring 91 that is a linear pattern is formed on the substrate 9 by using the above-described pattern forming method, the following problem occurs. That is, as shown in FIG. 14A, the pattern dimension of the finger wiring 91 needs to be uniform over the extending direction, and it is necessary to form the pattern dimension uniformly also at the tip of the finger wiring 91. is there. However, according to the above-described pattern forming method, there arises a problem that the pattern dimension is not uniform at the tip of the finger wiring 91 as shown in FIGS.

図14(b)は、フィンガー配線91の先端部に線幅寸法が小さい細線部91nが形成されている状態を示す。図14(c)は、フィンガー配線91の先端部に細線部91nと、細線部91nから離間した島部91iとが形成され、細線部91nと91iとの間に断線箇所91bが発生している状態を示す。図14(b),(c)に示すように、フィンガー配線91の先端部におけるパターン寸法が不均一であると、フィンガー配線91による集電能力が低下する、という問題が発生する。   FIG. 14B shows a state in which a thin line portion 91 n having a small line width dimension is formed at the tip end portion of the finger wiring 91. In FIG. 14 (c), a thin wire portion 91n and an island portion 91i spaced from the thin wire portion 91n are formed at the tip of the finger wiring 91, and a broken portion 91b is generated between the thin wire portions 91n and 91i. Indicates the state. As shown in FIGS. 14B and 14C, if the pattern dimension at the tip of the finger wiring 91 is non-uniform, there arises a problem that the current collecting ability by the finger wiring 91 is lowered.

本発明の目的は、上述のような点に鑑み、例えば太陽電池用のフィンガー配線パターンなどのパターンを、その開始端も含めて均一に形成することができるパターン形成方法およびパターン形成装置を提供することにある。   In view of the above points, an object of the present invention is to provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus capable of uniformly forming a pattern such as a finger wiring pattern for a solar cell including its starting end. There is.

請求項1に係る発明(パターン形成方法)は、パターンを形成するための材料のせん断応力に応じた粘度特性を測定する粘度特性測定工程と、粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、ノズルに対して相対移動する基板に向けてノズルから前記材料の吐出を開始する際の基板の速度条件を調整する速度調整工程と、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、速度調整工程によって調整された速度条件で、基板をノズルに対して相対移動させるとともに、ノズルから基板に向けて前記材料を吐出して、基板上に前記材料による線状パターンを形成する塗布工程と、を含むことを特徴とする。   The invention according to claim 1 (pattern forming method) is based on a viscosity characteristic measuring step for measuring a viscosity characteristic according to a shear stress of a material for forming a pattern, and a viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measuring step. A speed adjusting step for adjusting the speed condition of the substrate when starting the discharge of the material from the nozzle toward the substrate that moves relative to the nozzle; and a speed adjusting step for starting the discharging of the material from the nozzle And an application step of forming a linear pattern on the substrate by discharging the material from the nozzle toward the substrate under a speed condition adjusted by It is characterized by that.

請求項2に係る発明は、請求項1に記載されるパターン形成方法において、速度調整工程が粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、ノズルに対する基板の相対加速度を調整する工程であることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the pattern forming method according to claim 1, wherein the speed adjustment step is a step of adjusting the relative acceleration of the substrate with respect to the nozzle based on the viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measurement step. It is characterized by that.

請求項3に係る発明は、請求項1に記載されるパターン形成方法において、前記速度条件が、ノズルの吐出口から前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで増加させる途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、速度調整工程が粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、前記一定速度の値を調整する工程であることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the pattern forming method according to the first aspect, the relative speed of the substrate is increased to a predetermined speed when the speed condition starts the discharge of the material from the discharge port of the nozzle. The speed condition has a period that is a constant speed lower than a predetermined speed in the middle of the process, and the speed adjustment step is a step of adjusting the value of the constant speed based on the viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measurement step. It is characterized by that.

請求項4に係る発明は、請求項1に記載されるパターン形成方法において、前記速度条件が、ノズルの吐出口から前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで増加させる途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、速度調整工程が粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、前記一定速度である期間の長さを調整する工程であることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the pattern forming method according to the first aspect, the relative speed of the substrate is increased to a predetermined speed when the speed condition starts the discharge of the material from the discharge port of the nozzle. The speed condition has a period that is a constant speed lower than a predetermined speed, and the speed adjustment process adjusts the length of the constant speed period based on the viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measurement process. It is a process to perform.

請求項5に係る発明(パターン形成方法)は、パターンを形成するための材料を、ノズルに対して相対移動する基板に向けてノズルから吐出することにより基板上に形成された線状パターンの開始端の形状を観察する観察工程と、観察工程により観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、ノズルに対して相対移動する基板にノズルから前記材料の吐出を開始する際の基板の速度条件を調整する速度調整工程と、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、速度調整工程によって調整された速度条件で、基板をノズルに対して相対移動させるとともに、ノズルから基板に向けて前記材料を吐出して、基板上に前記材料による線状パターンを形成する塗布工程と、を含むことを特徴とする。   The invention according to claim 5 (pattern forming method) starts the linear pattern formed on the substrate by discharging the material for forming the pattern from the nozzle toward the substrate that moves relative to the nozzle. An observation process for observing the shape of the edge, and a substrate at the time of starting discharging the material from the nozzle to the substrate that moves relative to the nozzle based on the shape of the start end of the linear pattern observed in the observation process When starting the ejection of the material from the nozzle, the substrate is moved relative to the nozzle at the speed adjusting step for adjusting the speed condition, and from the nozzle toward the substrate. And a coating step of discharging the material to form a linear pattern of the material on the substrate.

請求項6に係る発明は、請求項5に記載されるパターン形成方法において、速度調整工程が観察工程によって観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、ノズルに対する基板の相対加速度を調整する工程であることを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the pattern forming method according to claim 5, wherein the speed adjustment step adjusts the relative acceleration of the substrate with respect to the nozzle based on the shape of the starting end of the linear pattern observed in the observation step. It is a process to perform.

請求項7に係る発明は、請求項5に記載されるパターン形成方法において、前記速度条件が、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで増加させる途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、速度調整工程が観察工程によって観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、前記速度条件として前記一定速度の値を調整する工程であることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the pattern forming method according to the fifth aspect, when the speed condition starts to discharge the material from the nozzle, the relative movement speed of the substrate is increased to a predetermined speed. , A speed condition having a period of a constant speed lower than a predetermined speed, and based on the shape of the start end of the linear pattern observed by the speed adjustment process in the observation process, the value of the constant speed as the speed condition It is the process of adjusting, It is characterized by the above-mentioned.

請求項8に係る発明は、請求項5に記載されるパターン形成方法において、前記速度条件が、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで加速する途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、速度調整工程が観察工程によって観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、前記一定速度である期間の長さを調整する工程であることを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the pattern forming method according to the fifth aspect, when the speed condition starts discharging the material from the nozzle, the relative movement speed of the substrate is accelerated to a predetermined speed. , A speed condition having a period of a constant speed lower than a predetermined speed, and the length of the period of the constant speed is determined based on the shape of the start end of the linear pattern observed by the observation process in the speed adjustment process. It is the process of adjusting, It is characterized by the above-mentioned.

請求項9に係る発明は、請求項1から請求項8のいずれかに記載されるパターン形成方法において、基板が太陽電池素子用の基板であり、前記材料が導電性を有する導電性のペーストであり、線状パターンがフィンガー配線用のパターンであることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the pattern forming method according to any one of claims 1 to 8, wherein the substrate is a substrate for a solar cell element, and the material is a conductive paste having conductivity. And the linear pattern is a pattern for finger wiring.

請求項10に係る発明(パターン形成装置)は、パターンを形成するための材料を線状に吐出するノズルと、ノズルに対して基板を相対移動させる移動手段と、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、移動手段によりノズルに対して基板を速度条件に基づいて相対移動させるとともに、当該基板に向けてノズルから前記材料を線状に吐出させる制御手段とを備え、前記速度条件が前記材料のせん断応力に応じた粘度特性に基づいて予め調整された速度条件であることを特徴とする。   The invention according to claim 10 (pattern forming apparatus) starts a discharge of the material from the nozzle, a nozzle that discharges the material for forming the pattern linearly, a moving means that moves the substrate relative to the nozzle, and And a control means for causing the substrate to move relative to the nozzle based on the speed condition by the moving means, and to discharge the material linearly from the nozzle toward the substrate, wherein the speed condition is the material. The speed condition is preliminarily adjusted based on the viscosity characteristic corresponding to the shear stress.

請求項11に係る発明(パターン形成装置)は、パターンを形成するための材料を線状に吐出するノズルと、ノズルに対して基板を相対移動させる移動手段と、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、移動手段によりノズルに対して基板を速度条件に基づいて相対移動させるとともに、当該基板に向けてノズルから前記材料を線状に吐出させる制御手段とを備え、前記速度条件が前記材料により基板上に塗布形成された線状パターンの開始端の形状を観察することにより予め調整された速度条件であることを特徴とする。   According to an eleventh aspect of the present invention (pattern forming apparatus), a nozzle that linearly discharges a material for forming a pattern, a moving unit that moves the substrate relative to the nozzle, and discharge of the material from the nozzle are started. And a control means for causing the substrate to move relative to the nozzle based on the speed condition by the moving means, and to discharge the material linearly from the nozzle toward the substrate, wherein the speed condition is the material. The speed condition is adjusted in advance by observing the shape of the starting end of the linear pattern applied and formed on the substrate.

請求項1から請求項11のいずれかに係る発明によれば、例えば太陽電池用のフィンガー配線パターンなどのパターンを、その開始端も含めて均一に形成することができる。   According to the invention of any one of claims 1 to 11, for example, a pattern such as a finger wiring pattern for a solar cell can be uniformly formed including its start end.

本発明の実施形態であるパターン形成装置1を示す側面図である。It is a side view which shows the pattern formation apparatus 1 which is embodiment of this invention. ノズルの側断面図(a)および底面図(b),(c)である。It is side sectional drawing (a) and bottom view (b), (c) of a nozzle. 実施形態の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of embodiment. 第1実施形態の動作の流れを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of 1st Embodiment. 塗布工程の流れを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the flow of an application | coating process. フィンガー配線パターンの塗布状態を示す図である。It is a figure which shows the application | coating state of a finger wiring pattern. バス配線パターンの塗布状態を示す図である。It is a figure which shows the application | coating state of a bus wiring pattern. ペーストのせん断応力に応じた粘度特性を示す図である。It is a figure which shows the viscosity characteristic according to the shear stress of the paste. 塗布開始時における基板の速度条件を示す図である。It is a figure which shows the speed condition of the board | substrate at the time of an application | coating start. 塗布開始時における基板の速度条件を示す図である。It is a figure which shows the speed condition of the board | substrate at the time of an application | coating start. 第2実施形態の動作の流れを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of 2nd Embodiment. フィンガー配線パターンの開始端の状態を示す図である。It is a figure which shows the state of the starting end of a finger wiring pattern. 太陽電池素子用の基板の表面(a)および裏面(b)を示す図である。It is a figure which shows the surface (a) and back surface (b) of the board | substrate for solar cell elements. フィンガー配線の開始端の状態を示す図である。It is a figure which shows the state of the starting end of finger wiring.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。図1は本発明の実施形態であるパターン形成装置1を模式的に示す側面図である。パターン形成装置1は例えば図13に示す太陽電池用の基板9上にバス配線91用のバス配線パターン71およびフィンガー配線93用のフィンガー配線パターン73をペースト7により塗布形成するものである。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a side view schematically showing a pattern forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. In the pattern forming apparatus 1, for example, a bus wiring pattern 71 for a bus wiring 91 and a finger wiring pattern 73 for a finger wiring 93 are applied and formed on a substrate 9 for a solar cell shown in FIG.

基板9は、例えば、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどからなるp型半導体であるシリコン基板である。また、上記バス配線93およびフィンガー配線91が形成される基板9の表面側にはn型拡散層が形成され、このn型拡散層上には反射防止膜が形成されている。   The substrate 9 is a silicon substrate which is a p-type semiconductor made of, for example, single crystal silicon or polycrystalline silicon. An n-type diffusion layer is formed on the surface side of the substrate 9 on which the bus wiring 93 and the finger wiring 91 are formed, and an antireflection film is formed on the n-type diffusion layer.

パターン形成装置1は、図1に示すように基板載置部20、駆動部30、第1形成部40および第2形成部50を備える。基板載置部20は上からステージ21、昇降部22、ターンテーブル23およびナット部25が積層された構造を有する。ステージ21はその上面にて基板9を水平に保持する。ターンテーブル23はステージ21を水平面内において90度、回動させる。ナット部25はターンテーブル23の下面に固定されている。   As shown in FIG. 1, the pattern forming apparatus 1 includes a substrate mounting unit 20, a driving unit 30, a first forming unit 40, and a second forming unit 50. The substrate platform 20 has a structure in which a stage 21, a lift unit 22, a turntable 23, and a nut unit 25 are stacked from above. The stage 21 holds the substrate 9 horizontally on its upper surface. The turntable 23 rotates the stage 21 by 90 degrees in the horizontal plane. The nut portion 25 is fixed to the lower surface of the turntable 23.

さらに、ターンテーブル23とステージ21との間には、昇降部22が設けられている。昇降部22は、ターンテーブル23に対してステージ21を昇降させ、ステージ21に載置された基板9の高さ(Z方向位置)を位置決めする。昇降部22としては、例えばソレノイドや圧電素子などのアクチュエータによるもの、ギヤによるもの、楔の噛み合わせによるものなどを用いることができる。   Further, an elevating unit 22 is provided between the turntable 23 and the stage 21. The elevating unit 22 elevates the stage 21 with respect to the turntable 23 and positions the height (Z-direction position) of the substrate 9 placed on the stage 21. As the elevating part 22, for example, an actuator such as a solenoid or a piezoelectric element, a gear, or a wedge meshing can be used.

駆動部30は、基台31の(+X)側端の上面に固定されたモータ35を備える。モータ35はサーボモータでありエンコーダを内蔵している。モータ35の回転軸にはボール螺子33が固定されている。ボール螺子33の(−X)側端部は基台31の(−X)側端部の上面に、X軸周りに回転自在に固定されている。ボール螺子33は上記ナット部25に螺合されている。Y方向に並列配置された一対のガイドレール37は基台31の上面にX方向に沿って延設されている。ガイドレール37は上記ナット部25を滑動自在に支持するとともに基板載置部20の移動方向を規定する。なお、基板載置部20および駆動部30が本発明の移動手段に相当する。   The drive unit 30 includes a motor 35 that is fixed to the upper surface of the (+ X) side end of the base 31. The motor 35 is a servo motor and incorporates an encoder. A ball screw 33 is fixed to the rotating shaft of the motor 35. The (−X) side end of the ball screw 33 is fixed to the upper surface of the (−X) side end of the base 31 so as to be rotatable around the X axis. The ball screw 33 is screwed into the nut portion 25. A pair of guide rails 37 arranged in parallel in the Y direction is extended on the upper surface of the base 31 along the X direction. The guide rail 37 slidably supports the nut portion 25 and defines the moving direction of the substrate platform 20. The substrate placement unit 20 and the drive unit 30 correspond to the moving unit of the present invention.

第1形成部40はフィンガー配線用の配線パターン(フィンガー配線パターン71)を基板9の主面に形成するための形成部である。なお、フィンガー配線パターン71が本発明の線状パターンに相当する。第1形成部40はパターンを形成するための材料である例えば導電性を有する高粘度のペースト7を吐出する複数の第1ノズル47を備える。複数の第1ノズル47はY方向に延びる第1ヘッド41の下部にY方向に沿って列状に設けられている。第1ヘッド41は基板載置部20をY方向に沿って跨ぐように基台31に設けられたフレーム81の梁部の下面に取り付けられている。   The first forming portion 40 is a forming portion for forming a wiring pattern for finger wiring (finger wiring pattern 71) on the main surface of the substrate 9. The finger wiring pattern 71 corresponds to the linear pattern of the present invention. The first forming unit 40 includes a plurality of first nozzles 47 that discharge, for example, conductive high-viscosity paste 7 that is a material for forming a pattern. The plurality of first nozzles 47 are provided in a row along the Y direction below the first head 41 extending in the Y direction. The 1st head 41 is attached to the lower surface of the beam part of the flame | frame 81 provided in the base 31 so that the board | substrate mounting part 20 might be straddled along a Y direction.

第1ヘッド41には配管42の一方端が流路接続されている。配管42の他方端は図示しないエア(空気)の供給源に流路接続されている。配管42の途中には配管42の流路を開閉するためのバルブ45と、第1ヘッド41に供給するエアの圧力を調整するレギュレータ46が介装されている。また、第1ヘッド41内にペースト7を供給する図示しないペースト供給機構が設けられている。   One end of a pipe 42 is connected to the first head 41 through a flow path. The other end of the pipe 42 is connected to an air supply source (not shown). In the middle of the pipe 42, a valve 45 for opening and closing the flow path of the pipe 42 and a regulator 46 for adjusting the pressure of air supplied to the first head 41 are interposed. Further, a paste supply mechanism (not shown) for supplying the paste 7 into the first head 41 is provided.

パターンを形成するための高粘度材料であるペースト7は導電性および光硬化性を有し、例えば、導電性粒子、有機ビヒクル(溶剤、樹脂、増粘剤等の混合物)および光重合開始剤を含む。導電性粒子は例えば銀粉末であり、有機ビヒクルは樹脂材料としてのエチルセルロースと有機溶剤を含む。   The paste 7 which is a high-viscosity material for forming a pattern has conductivity and photocurability, and includes, for example, conductive particles, an organic vehicle (a mixture of solvent, resin, thickener, etc.) and a photopolymerization initiator. Including. The conductive particles are, for example, silver powder, and the organic vehicle contains ethyl cellulose as a resin material and an organic solvent.

図2(a)に示すように第1ヘッド41の内部にはマニホールド(内部空間)87が形成されている。また、第1ヘッド41の内部にはマニホールド87をその上方空間と下方空間(液溜り部)とに仕切るとともに、Z方向に摺動自在なピストン83が設けられる。ピストン83より上方にあるマニホールド87の上方空間には配管42が流路接続されている。また、ピストン83より下方にあるマニホールド87の下方空間にはペースト7が充填されている。マニホールド87の下方空間は、第1ノズル47の流路に向かうに連れて、その断面積(単位長さ当たりの容積)が小さくなる先細り形状となっている。   As shown in FIG. 2A, a manifold (internal space) 87 is formed inside the first head 41. In addition, the first head 41 is provided with a piston 83 that partitions the manifold 87 into an upper space and a lower space (a liquid reservoir) and is slidable in the Z direction. A pipe 42 is connected to the upper space of the manifold 87 above the piston 83. The space below the manifold 87 below the piston 83 is filled with the paste 7. The space below the manifold 87 has a tapered shape in which the cross-sectional area (volume per unit length) decreases as it goes toward the flow path of the first nozzle 47.

図2(a),(b)に示すように第1ヘッド41の下部に複数(例えば16個)の第1ノズル47が鉛直下向き(−Z方向向き)、かつ、Y方向に列状に設けられる。第1ノズル47の下端部には円形の吐出口85が設けられ、この吐出口85とマニホールド87の下方空間とが、第1ノズル47内に形成された流路によって連通している。なお、第1ノズル47の流路内の容積(体積)はマニホールド87の下方空間内の容積(体積)よりも小さい。吐出口85のY方向の幅寸法(直径寸法)は、形成すべきフィンガー配線パターン71の幅寸法とほぼ等しく、例えば50μmであり、複数の吐出口85の間隔は複数本のフィンガー配線パターン71の間隔とほぼ等しい。   As shown in FIGS. 2A and 2B, a plurality (for example, 16) of first nozzles 47 are provided vertically downward (in the −Z direction) and in a row in the Y direction below the first head 41. It is done. A circular discharge port 85 is provided at the lower end of the first nozzle 47, and the discharge port 85 communicates with the space below the manifold 87 through a flow path formed in the first nozzle 47. The volume (volume) in the flow path of the first nozzle 47 is smaller than the volume (volume) in the lower space of the manifold 87. The width dimension (diameter dimension) of the discharge port 85 in the Y direction is substantially equal to the width dimension of the finger wiring pattern 71 to be formed, for example, 50 μm, and the interval between the plurality of discharge ports 85 is that of the plurality of finger wiring patterns 71. It is almost equal to the interval.

図1に戻り、第1形成部40は複数(例えば16個)の第1光照射部61を備える。複数の第1光照射部61は複数の第1ノズル47の(+X)側の位置に所定間隔を空けて、それぞれ第1ノズル47に並設されるようにフレーム81に固定されている。つまり、第1ヘッド41の第1ノズル47と第1光照射部61はフレーム81に一体的に固定されている。第1照射部47には光ファイバー62の一方端が光学的に接続されている。光ファイバー62の他方端は第1光源部63に光学的に接続されている。第1光源部63は紫外線を放射する光源と、光源と光ファイバー63との間に配置されたシャッター機構を有する。   Returning to FIG. 1, the first forming unit 40 includes a plurality of (for example, 16) first light irradiation units 61. The plurality of first light irradiation parts 61 are fixed to the frame 81 so as to be arranged in parallel with the first nozzles 47 at predetermined intervals at positions on the (+ X) side of the plurality of first nozzles 47. That is, the first nozzle 47 and the first light irradiation unit 61 of the first head 41 are integrally fixed to the frame 81. One end of an optical fiber 62 is optically connected to the first irradiation unit 47. The other end of the optical fiber 62 is optically connected to the first light source unit 63. The first light source unit 63 includes a light source that emits ultraviolet light, and a shutter mechanism that is disposed between the light source and the optical fiber 63.

第2形成部50は第1形成部40より(+X)側に配置されている。第2形成部50はバス配線用のパターン(バス配線パターン73)を基板9の主面に形成するための形成部である。第2形成部50はパターンを形成するための材料であるペースト7を吐出する複数の第2ノズル57を備える。複数の第2ノズル57はY方向に延びる第2ヘッド51の下部にY方向に沿って列状に設けられている。第2ヘッド51は基板載置部20をY方向に沿って跨ぐように基台31に設けられたフレーム82の梁部の下面に取り付けられている。   The second forming unit 50 is disposed on the (+ X) side from the first forming unit 40. The second forming unit 50 is a forming unit for forming a bus wiring pattern (bus wiring pattern 73) on the main surface of the substrate 9. The second forming unit 50 includes a plurality of second nozzles 57 that discharge the paste 7 that is a material for forming a pattern. The plurality of second nozzles 57 are provided in a row along the Y direction below the second head 51 extending in the Y direction. The 2nd head 51 is attached to the lower surface of the beam part of the flame | frame 82 provided in the base 31 so that the board | substrate mounting part 20 might be straddled along a Y direction.

第2ヘッド51には配管52の一方端が流路接続されている。配管52の他方端は図示しないエア(空気)の供給源に流路接続されている。配管52の途中には配管52の流路を開閉するためのバルブ55と、第2ヘッド51に供給するエアの圧力を調整するレギュレータ56が介装されている。また、第2ヘッド51内にペースト7を供給する図示しないペースト供給機構が設けられている。   One end of a pipe 52 is connected to the second head 51 through a flow path. The other end of the pipe 52 is connected to a supply source of air (air) (not shown). In the middle of the pipe 52, a valve 55 for opening and closing the flow path of the pipe 52 and a regulator 56 for adjusting the pressure of air supplied to the second head 51 are interposed. Further, a paste supply mechanism (not shown) for supplying the paste 7 is provided in the second head 51.

図2(a)に示すように、第2ヘッド51は、第1ヘッド41と同様に、その内部にはマニホールド88が形成され、また、ピストン84が設けられる。ピストン84より上方にあるマニホールド87の上方空間には配管52が流路接続されている。また、ピストン84より下方にあるマニホールド88の下方空間にはペースト7が充填されている。   As shown in FIG. 2A, the second head 51 has a manifold 88 formed therein and a piston 84, similarly to the first head 41. A pipe 52 is connected to the space above the manifold 87 above the piston 84. The space below the manifold 88 below the piston 84 is filled with the paste 7.

図2(a),(c)に示すように第2ヘッド51の下部に複数(例えば2個)の第2ノズル57が鉛直下向き(−Z方向向き)、かつ、Y方向に列状に設けられる。第2ノズル57の下端部には矩形の吐出口86が設けられ、この吐出口86とマニホールド88の下方空間とが、第2ノズル57内に形成された流路によって連通している。吐出口86のY方向の幅寸法は、形成すべきバス配線パターン73の幅寸法とほぼ等しく、例えば2mmであり、複数の吐出口86の間隔は複数本のバス配線パターン73の間隔とほぼ等しい。   As shown in FIGS. 2A and 2C, a plurality of (for example, two) second nozzles 57 are provided vertically downward (in the −Z direction) and in a row in the Y direction below the second head 51. It is done. A rectangular discharge port 86 is provided at the lower end of the second nozzle 57, and the discharge port 86 and the space below the manifold 88 communicate with each other through a flow path formed in the second nozzle 57. The width dimension of the discharge port 86 in the Y direction is substantially equal to the width dimension of the bus wiring pattern 73 to be formed, for example, 2 mm, and the interval between the plurality of discharge ports 86 is approximately equal to the interval between the plurality of bus wiring patterns 73. .

図1に戻り、第2形成部50は複数(例えば2個)の第2光照射部64をさらに備える。第2光照射部64は第2ノズル57の(+X)側の位置に所定間隔を空けて、それぞれ第2ノズル57に並設されるようにフレーム82に固定されている。つまり、第2ヘッド51の第2ノズル57と第2光照射部64はフレーム82に一体的に固定されている。第2光照射部64には光ファイバー65の一方端が光学的に接続されている。光ファイバー65の他方端は第2光源部66に光学的に接続されている。第2光源部66は紫外線を放射する光源と、光源と光ファイバー65との間に配置されたシャッター機構を有する。   Returning to FIG. 1, the second forming unit 50 further includes a plurality of (for example, two) second light irradiation units 64. The second light irradiation unit 64 is fixed to the frame 82 so as to be arranged in parallel with the second nozzle 57 at a predetermined interval at a position on the (+ X) side of the second nozzle 57. That is, the second nozzle 57 and the second light irradiation unit 64 of the second head 51 are integrally fixed to the frame 82. One end of an optical fiber 65 is optically connected to the second light irradiation unit 64. The other end of the optical fiber 65 is optically connected to the second light source unit 66. The second light source unit 66 includes a light source that emits ultraviolet light and a shutter mechanism that is disposed between the light source and the optical fiber 65.

図3はパターン形成装置1の電気的構成を示すブロック図である。制御部60はCPU、RAMおよびROMなどから構成されるコンピュータである。ROMにはパターン形成装置1の動作を制御するためのプログラムやステージ21の移動速度(すなわち基板9の移動速度)を制御するための速度条件である速度パラメータなどが記憶されている。なお、速度条件は後述する速度調整工程(図4のステップS20または図11のステップS21)によって予め調整された速度条件である。   FIG. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of the pattern forming apparatus 1. The control unit 60 is a computer including a CPU, a RAM, a ROM, and the like. The ROM stores a program for controlling the operation of the pattern forming apparatus 1, a speed parameter that is a speed condition for controlling the moving speed of the stage 21 (that is, the moving speed of the substrate 9), and the like. The speed condition is a speed condition adjusted in advance by a speed adjustment step (step S20 in FIG. 4 or step S21 in FIG. 11) described later.

制御部60はターンテーブル23に電気的に接続され、ターンテーブル23の回動動作を制御する。制御部60は昇降部22に電気的に接続され、昇降部22の昇降動作を制御する。制御部60はバルブ45,55に電気的に接続され、各バルブの開閉動作を制御する。制御部60は第1光源部63および第2光源部66にそれぞれ電気的に接続され、各光源部内の光源の点灯・消灯やシャッター機構の開閉動作を制御する。   The control unit 60 is electrically connected to the turntable 23 and controls the turning operation of the turntable 23. The controller 60 is electrically connected to the elevating unit 22 and controls the elevating operation of the elevating unit 22. The control unit 60 is electrically connected to the valves 45 and 55, and controls the opening / closing operation of each valve. The control unit 60 is electrically connected to the first light source unit 63 and the second light source unit 66, respectively, and controls turning on / off of the light source in each light source unit and opening / closing operation of the shutter mechanism.

また、制御部60はモータ35に電気的に接続され、モータ35の駆動・停止、回転数および回転方向などを制御するとともに、モータ35からのフィードバック情報を取得する。なお、モータ35の回転数は上記速度パラメータに応じて制御部60により制御される。また、制御部60はモータ35からのフィードバック情報に基づいて基板載置部20のX方向における原点位置からの移動距離を算出して検出する。換言すれば、制御部60はステージ21に載置された基板9のX方向における位置を算出して検出する。なお、制御部60は本発明の制御手段に相当する。   The control unit 60 is electrically connected to the motor 35, controls the driving / stopping of the motor 35, the rotation speed and the rotation direction, and acquires feedback information from the motor 35. The rotation speed of the motor 35 is controlled by the control unit 60 in accordance with the speed parameter. Further, the control unit 60 calculates and detects the movement distance from the origin position in the X direction of the substrate platform 20 based on feedback information from the motor 35. In other words, the control unit 60 calculates and detects the position of the substrate 9 placed on the stage 21 in the X direction. The control unit 60 corresponds to the control means of the present invention.

<第1実施形態>
次にパターン形成動作の第1実施形態について、図4に示すフロー図を参照して説明する。図4に示すように粘度特性測定工程(ステップS10)、速度調整工程(ステップS20)および塗布工程(ステップS30)が順次実行される。順序は前後するが、まず、塗布工程(ステップS30)について説明する。ステップS30において、パターン形成装置1により基板9の主面上にフィンガー配線パターン71およびバス配線パターン73を塗布形成する(塗布工程)。この塗布工程(ステップS30)の詳細は次の通りである。
<First Embodiment>
Next, a first embodiment of the pattern forming operation will be described with reference to the flowchart shown in FIG. As shown in FIG. 4, the viscosity characteristic measurement step (step S10), the speed adjustment step (step S20), and the coating step (step S30) are sequentially executed. First, the coating process (step S30) will be described. In step S30, the finger wiring pattern 71 and the bus wiring pattern 73 are applied and formed on the main surface of the substrate 9 by the pattern forming apparatus 1 (application process). The details of this coating process (step S30) are as follows.

すなわち、図5に示すステップS31において、図1の(−X)側端部(原点位置)に配置されたステージ21上の所定位置に図示しない搬送ロボットまたは操作者により基板9が載置される。基板9がステージ21に載置されると、制御部60はモータ35の駆動を開始してボール螺子33を回転駆動させる。ボール螺子33が回転駆動されるとナット部25が(+X)方向に駆動されて、ステージ21を含む基板載置部20が(+X)方向への移動を開始する。制御部60は、基板9の先端部(+X方向端部)が第1形成部40の第1ノズル47の下方に到達したことを、モータ35からのフィードバック情報に基づいて検出すると、モータ35の駆動を停止し、ステージ21の移動を停止する。この停止位置において、第1ノズル47と基板9の先端部におけるフィンガー配線パターン71の塗布開始位置とが対向している(基板搬入工程)。   That is, in step S31 shown in FIG. 5, the substrate 9 is placed at a predetermined position on the stage 21 arranged at the end (−X) side (origin position) in FIG. . When the substrate 9 is placed on the stage 21, the control unit 60 starts driving the motor 35 to rotate the ball screw 33. When the ball screw 33 is rotationally driven, the nut portion 25 is driven in the (+ X) direction, and the substrate platform 20 including the stage 21 starts moving in the (+ X) direction. When the control unit 60 detects that the front end portion (+ X direction end portion) of the substrate 9 has reached the lower side of the first nozzle 47 of the first forming unit 40 based on feedback information from the motor 35, The driving is stopped and the movement of the stage 21 is stopped. At this stop position, the first nozzle 47 and the application start position of the finger wiring pattern 71 at the tip of the substrate 9 are opposed to each other (substrate loading step).

次にステップS32においてフィンガー配線パターン71の形成工程が実行される。具体的には、制御部60がモータ35を駆動してステージ21の(+X)方向への移動を開始するとともに、バルブ45を開ける。このときステージ21が後述するステップS20で予め調整された速度条件(速度パラメータ)に基づき速度を増加させて、一定速度に移行するように制御部60はモータ35の回転数を制御する。   Next, the formation process of the finger wiring pattern 71 is performed in step S32. Specifically, the control unit 60 drives the motor 35 to start moving the stage 21 in the (+ X) direction and opens the valve 45. At this time, the control unit 60 controls the rotational speed of the motor 35 so that the stage 21 increases the speed based on the speed condition (speed parameter) adjusted in advance in step S20 described later, and shifts to a constant speed.

制御部60によってバルブ45が開けられると、加圧されたエアが配管42を介して第1ヘッド41内のマニホールド87の上方空間に供給される。上方空間に供給されたエアの圧力によってピストン83が押し下げられ、この結果、マニホールド87の下方空間に充填されたペースト7が複数の吐出口85からそれぞれ吐出される。   When the valve 45 is opened by the control unit 60, pressurized air is supplied to the space above the manifold 87 in the first head 41 via the pipe 42. The piston 83 is pushed down by the pressure of the air supplied to the upper space, and as a result, the paste 7 filled in the lower space of the manifold 87 is discharged from the plurality of discharge ports 85, respectively.

吐出口85から吐出されたペースト7は、移動を開始した基板9の塗布開始位置に供給される。その後、吐出口85からのペースト7の供給が継続されるとともに、基板9の移動速度は所定速度まで増加した後、所定速度を維持する。制御部60がモータ35からのフィードバック情報に基づいて、第1ノズル47の下方に基板9の(−X)側端部にある塗布終了位置が到達したことを検出すると、制御部60はバルブ45を閉じて吐出口85からのペースト7の吐出を停止する。   The paste 7 discharged from the discharge port 85 is supplied to the application start position of the substrate 9 that has started moving. Thereafter, the supply of the paste 7 from the discharge port 85 is continued, and the moving speed of the substrate 9 is increased to a predetermined speed, and then the predetermined speed is maintained. When the controller 60 detects that the application end position at the (−X) side end of the substrate 9 has reached the lower side of the first nozzle 47 based on feedback information from the motor 35, the controller 60 detects the valve 45. Is closed and the discharge of the paste 7 from the discharge port 85 is stopped.

上述の動作によって、図6(a)に示すように第1ノズル47の16個の吐出口85から吐出されたペースト7はX方向に移動する基板9の主面にそれぞれ線状に供給される。また、基板9の主面上に供給されたペースト7に対して光照射部61から光(紫外線)が照射されてペースト7が硬化する。この結果、図6(b)に示すようにX方向に沿うとともに互いに平行な16本のフィンガー配線パターン71が形成される(フィンガー配線形成工程)。   By the above-described operation, as shown in FIG. 6A, the paste 7 discharged from the 16 discharge ports 85 of the first nozzle 47 is supplied linearly to the main surface of the substrate 9 moving in the X direction. . Further, the paste 7 supplied to the main surface of the substrate 9 is irradiated with light (ultraviolet rays) from the light irradiation unit 61 and the paste 7 is cured. As a result, as shown in FIG. 6B, 16 finger wiring patterns 71 are formed along the X direction and parallel to each other (finger wiring forming step).

上述のように第1ノズル47の吐出口85から吐出された直後のペースト7の形状がほぼ維持された状態でペースト7が硬化するため、フィンガー配線パターン71の断面寸法を例えば幅が50μm、高さが50μmとすることができる。従来のスクリーン印刷法を用いた場合のフィンガー配線の断面寸法は例えば幅が120μm、高さが20μmであり、本実施形態のパターン形成方法を用いる方が、厚膜の配線パターンを形成することができる。すなわち、本実施形態のパターン形成方法によれば、断面寸法の幅に対する高さの比を大きくすることができ、高アスペクト化を図ることができる。   As described above, since the paste 7 is cured while the shape of the paste 7 immediately after being discharged from the discharge port 85 of the first nozzle 47 is substantially maintained, the cross-sectional dimension of the finger wiring pattern 71 is, for example, 50 μm wide and high Can be 50 μm. When the conventional screen printing method is used, the finger wiring has a cross-sectional dimension of, for example, a width of 120 μm and a height of 20 μm. Using the pattern forming method of the present embodiment, a thick film wiring pattern can be formed. it can. That is, according to the pattern forming method of this embodiment, the ratio of the height to the width of the cross-sectional dimension can be increased, and the aspect ratio can be increased.

また、フィンガー配線パターン71の開始端部(+X側端部)においても、開始端部以外の断面寸法とほぼ同じ断面寸法に形成することができて、この結果、フィンガー配線パターン71の長手方向(X方向)に亘ってほぼ均一な断面寸法で、フィンガー配線パターン71を形成することができる。   Also, the starting end portion (+ X side end portion) of the finger wiring pattern 71 can be formed to have substantially the same cross-sectional dimensions as the cross-sectional dimensions other than the starting end portion. As a result, the longitudinal direction of the finger wiring pattern 71 ( The finger wiring pattern 71 can be formed with a substantially uniform cross-sectional dimension over the X direction.

次にステップS33において、制御部60がターンテーブル23を回動させて、基板9を保持したステージ21を90度、回動させる。ステージ21が90度、回動すると基板9上に形成されたフィンガー配線パターン71の長手方向がY方向と平行になる(ステージ90度回動工程)。このようにステージ21を90度、回動することによってステージ21に載置された基板9の移動方向は、上述のステップS32によるフィンガー配線パターン71の形成工程における移動方向(第1方向)とは直交関係で交差する第2方向に相対的に変更されることとなる。   Next, in step S33, the control unit 60 rotates the turntable 23 to rotate the stage 21 holding the substrate 9 by 90 degrees. When the stage 21 is rotated 90 degrees, the longitudinal direction of the finger wiring pattern 71 formed on the substrate 9 becomes parallel to the Y direction (stage 90-degree rotation process). The moving direction of the substrate 9 placed on the stage 21 by rotating the stage 21 by 90 degrees in this way is the moving direction (first direction) in the step of forming the finger wiring pattern 71 in step S32 described above. It will be changed relatively in the 2nd direction which intersects by orthogonal relation.

ステップS33を実行した後、制御部60はモータ35を駆動してステージ21を(+X)方向に移動させ、基板9の(+X)側端部が第2形成部50の第2ノズル57の下方に到達したら、モータ35の駆動を停止してステージ21の移動を停止する。   After executing step S33, the controller 60 drives the motor 35 to move the stage 21 in the (+ X) direction, and the (+ X) side end of the substrate 9 is below the second nozzle 57 of the second forming unit 50. Is reached, the drive of the motor 35 is stopped and the movement of the stage 21 is stopped.

次にステップS34においてバス配線パターン73の形成工程が実行される。バス配線パターン73の形成工程は上述のステップ32によるフィンガー配線パターン71の形成工程とほぼ同様に実行される。すなわち、制御部60がモータ35を駆動してステージ21の(+X)方向への移動を開始するとともに、バルブ55を開けて第2ノズル57からのペースト7の吐出を開始する。その後、制御部60がモータ35からのフィードバック情報に基づいて、第2ノズル57の下方に基板9の(−X)側端部にある塗布終了位置が到達したことを検出すると、制御部60はバルブ55を閉じて吐出口86からのペースト7の吐出を停止する。この結果、図7(a),(b)に示すように第2ノズル57の2個の吐出口86から吐出されたペースト7は、X方向に移動する基板9の主面およびフィンガー配線パターン71上にそれぞれ線状に供給された後、硬化して、X方向に沿うとともに互いに平行な2本のバス配線パターン73が形成される(バス配線形成工程)。なお、バス配線パターン73はフィンガー配線パターン71と直交関係で交差し、また、バス配線パターン73の断面寸法は例えば、幅が2mm、高さが50μmである。   Next, in step S34, a process of forming the bus wiring pattern 73 is performed. The formation process of the bus wiring pattern 73 is performed in substantially the same manner as the formation process of the finger wiring pattern 71 in step 32 described above. That is, the control unit 60 drives the motor 35 to start moving the stage 21 in the (+ X) direction, and opens the valve 55 to start discharging the paste 7 from the second nozzle 57. Thereafter, when the control unit 60 detects that the application end position at the (−X) side end of the substrate 9 has reached the lower side of the second nozzle 57 based on the feedback information from the motor 35, the control unit 60 The valve 55 is closed and the discharge of the paste 7 from the discharge port 86 is stopped. As a result, as shown in FIGS. 7A and 7B, the paste 7 discharged from the two discharge ports 86 of the second nozzle 57 is the main surface of the substrate 9 moving in the X direction and the finger wiring pattern 71. After being supplied to each of the lines in a straight line, the resin is cured to form two bus wiring patterns 73 along the X direction and parallel to each other (bus wiring forming step). The bus wiring pattern 73 intersects the finger wiring pattern 71 in an orthogonal relationship, and the bus wiring pattern 73 has, for example, a width of 2 mm and a height of 50 μm.

次にステップS35においてステージ21が図1に示す(+X)側の端部に到達したことを制御部60が検出すると、制御部60はモータ35の駆動を停止して、ステージ21の移動を停止し、停止したステージ21上から図示しない搬送ロボットまたは操作者が基板9を受け取り搬出する(基板搬出工程)。   Next, when the control unit 60 detects that the stage 21 has reached the end on the (+ X) side shown in FIG. 1 in step S35, the control unit 60 stops driving the motor 35 and stops the movement of the stage 21. Then, a transport robot or an operator (not shown) receives and unloads the substrate 9 from the stopped stage 21 (substrate unloading step).

上述のように基板9の表面にある反射防止膜上に形成されたフィンガー配線パターン71およびバス配線パターン73は、後工程である焼成工程においてファイアースルー法により反射防止膜の下に形成されているn型拡散層に電気的に接続されることとなる。   As described above, the finger wiring pattern 71 and the bus wiring pattern 73 formed on the antireflection film on the surface of the substrate 9 are formed under the antireflection film by a fire-through method in a subsequent baking process. It will be electrically connected to the n-type diffusion layer.

図4に戻り、上記塗布工程(ステップS30)に先立つ準備工程である粘度特性測定工程(ステップS10)および速度調整工程(ステップS20)について説明する。まず、ステップS10において、高粘度材料であるペースト7に加えるせん断力に応じた粘度特性を測定する。   Returning to FIG. 4, the viscosity characteristic measurement step (step S10) and the speed adjustment step (step S20), which are preparation steps prior to the coating step (step S30), will be described. First, in step S10, the viscosity characteristic according to the shearing force applied to the paste 7 which is a high viscosity material is measured.

ここで、第1ヘッド41のピストン83が押し下げられペースト7に圧力が加わると、ペースト7はマニホールド87内から第1ノズル47の吐出口85に向かって流動する。このとき、ペースト7の吐出開始の直後においては粘度の高いペースト7をピストン83により押し下げるため、ピストン83の押し下げ速度が遅くなる。この結果、吐出開始直後において、吐出口85から吐出されるペースト7の単位時間あたりの吐出量が小さくなる。   Here, when the piston 83 of the first head 41 is pushed down and pressure is applied to the paste 7, the paste 7 flows from the inside of the manifold 87 toward the discharge port 85 of the first nozzle 47. At this time, since the paste 7 having a high viscosity is pushed down by the piston 83 immediately after the discharge of the paste 7 is started, the pushing speed of the piston 83 becomes slow. As a result, immediately after the start of discharge, the discharge amount per unit time of the paste 7 discharged from the discharge port 85 is reduced.

マニホールド87内から第1ノズル47の吐出口85に向かって流動するペースト7には、マニホールド87の内壁や第1ノズル47の流路の内壁との摩擦によるせん断力が加わり、ペースト7内にせん断応力が発生する。ペースト7はチキソトロピー性を有するので、その内部にせん断応力が発生すると粘度が低下する。ペースト7の粘度低下に伴い、ピストン83の押し下げ速度が速くなり、この結果、吐出口85から吐出されるペースト7の単位時間あたりの吐出量が増加する。   The paste 7 flowing from the inside of the manifold 87 toward the discharge port 85 of the first nozzle 47 is subjected to a shearing force due to friction between the inner wall of the manifold 87 and the inner wall of the flow path of the first nozzle 47, and the paste 7 is sheared. Stress is generated. Since the paste 7 has thixotropic properties, the viscosity decreases when shear stress is generated in the paste 7. As the viscosity of the paste 7 decreases, the pushing speed of the piston 83 increases, and as a result, the discharge amount of the paste 7 discharged from the discharge port 85 per unit time increases.

上述のようにエアの圧力によりピストン83を弾性的に押し下げているので、ピストン83の押し下げ速度は、ペースト7の粘度に依存し、ペースト7の粘度が高い吐出開始直後においては遅くなり、ピストン83の押し下げに伴いペースト7の粘度が低下すると速くなる。この結果、吐出口85からのペースト7の吐出量は、吐出開始直後は少なく、その後、次第に増加する。   Since the piston 83 is elastically pushed down by the air pressure as described above, the pushing speed of the piston 83 depends on the viscosity of the paste 7 and becomes slow immediately after the start of discharge when the viscosity of the paste 7 is high. As the viscosity of the paste 7 decreases as the pressure is reduced, the speed increases. As a result, the discharge amount of the paste 7 from the discharge port 85 is small immediately after the start of discharge, and then gradually increases.

そこで、上記塗布工程(ステップS30)に先立って、レオメーター(回転式粘度計)によりペースト7に加えるせん断力を増加させながらペースト7の粘度変化(粘度特性)を測定する。この結果、例えば、図8に実線で示すペースト7の粘度特性NC2が求められる(粘度特性測定工程)。なお、図8に破線で示す粘度特性NC1は、予め求められたペースト7とは別のペーストの粘度特性を示し、以下においては基準ペーストの粘度特性NC1と称す。また、図8に二点差線で示す粘度特性NC3は、ペースト7とはさらに別のペーストの粘度特性を示し、以下においては第2ペーストの粘度特性NC3と称す。   Therefore, prior to the coating step (step S30), the viscosity change (viscosity characteristics) of the paste 7 is measured while increasing the shearing force applied to the paste 7 with a rheometer (rotary viscometer). As a result, for example, the viscosity characteristic NC2 of the paste 7 shown by a solid line in FIG. 8 is obtained (viscosity characteristic measurement step). A viscosity characteristic NC1 indicated by a broken line in FIG. 8 indicates a viscosity characteristic of a paste different from the previously obtained paste 7, and is hereinafter referred to as a reference paste viscosity characteristic NC1. Further, the viscosity characteristic NC3 indicated by a two-dot chain line in FIG. 8 shows a viscosity characteristic of a paste different from the paste 7, and is hereinafter referred to as a viscosity characteristic NC3 of the second paste.

図8に示すようにペースト7の粘度特性NC2は、ペースト7がチキソトロピー性を有するので、ペースト7に加えるせん断力、すなわちペースト7内に発生するせん断応力が増加するに連れて、例えば、10000Pa・s(パスカル秒)から100Pa・sまで粘度が低下する傾向を示す。また、ペースト7の粘度特性NC2における粘度低下の割合は、基準ペーストの粘度特性NC1における粘度低下の割合よりも大きい。なお、第2ペーストの粘度特性NC3におけるせん断力の増加に伴う粘度低下の割合は、基準ペーストの粘度特性NC1における粘度低下の割合よりも小さい。このように各ペーストの粘度特性は異なるが、各ペーストにせん断力SO以上を加えたときに、例えば10Pa・sから1000Pa・sの範囲内にあるほぼ一定の粘度NS(例えば100Pa・s)となるようなペーストが選定される。   As shown in FIG. 8, the viscosity characteristic NC2 of the paste 7 is that the paste 7 has thixotropy, so that the shear force applied to the paste 7, that is, the shear stress generated in the paste 7 increases, for example, 10000 Pa · The viscosity tends to decrease from s (Pascal second) to 100 Pa · s. Moreover, the rate of viscosity reduction in the viscosity characteristic NC2 of the paste 7 is larger than the rate of viscosity reduction in the viscosity characteristic NC1 of the reference paste. In addition, the ratio of the viscosity reduction accompanying the increase in the shearing force in the viscosity characteristic NC3 of the second paste is smaller than the ratio of the viscosity reduction in the viscosity characteristic NC1 of the reference paste. Thus, although the viscosity characteristics of each paste are different, when a shear force SO or more is applied to each paste, for example, a substantially constant viscosity NS (eg, 100 Pa · s) within a range of 10 Pa · s to 1000 Pa · s. Such a paste is selected.

次に、ステップS20において、上述の塗布工程(ステップS30)にて第1形成部40にある基板9の移動を開始するときの速度を予め調整する。換言すれば制御部60のROMに保存すべき速度パラメータを調整する(速度調整工程)。ここで図9は、上述の塗布工程(ステップS30)にて第1形成部40にある基板9の移動を開始する際の経過時間tに対する基板9の速度Vの変化を示すグラフ(速度パラメータ)である。図9において破線で示す速度パラメータは予め実験的に求めておいた速度パラメータVp1を示し、実験的に実行された上記塗布工程のフィンガー配線形成工程(ステップS32)において、上記基準ペーストを第1ノズル47から吐出して、図12(a)に示すようにフィンガー配線パターン71の開始端を均一に形成できたときの速度パラメータである。   Next, in step S20, the speed at which the movement of the substrate 9 in the first forming unit 40 is started in the above-described coating process (step S30) is adjusted in advance. In other words, the speed parameter to be stored in the ROM of the control unit 60 is adjusted (speed adjustment process). FIG. 9 is a graph (speed parameter) showing a change in the speed V of the substrate 9 with respect to the elapsed time t when the movement of the substrate 9 in the first forming unit 40 is started in the above-described coating process (step S30). It is. The speed parameter indicated by the broken line in FIG. 9 indicates the speed parameter Vp1 that has been experimentally obtained in advance. In the finger wiring forming step (step S32) of the coating step that has been experimentally performed, the reference paste is used as the first nozzle. This is the speed parameter when the starting end of the finger wiring pattern 71 can be uniformly formed as shown in FIG.

ここで、図8に実線で示すペースト7の粘度特性NC2によると、ペースト7の粘度は、ペースト7にかかるせん断力、すなわちペースト7内に発生するせん断応力が増加するに連れて、粘度が低下する傾向を示すが、ペースト7の粘度が粘度NSに低下するまで、基準ペーストの粘度(粘度特性NC1参照)よりも大きい。   Here, according to the viscosity characteristic NC2 of the paste 7 shown by a solid line in FIG. 8, the viscosity of the paste 7 decreases as the shearing force applied to the paste 7, that is, the shear stress generated in the paste 7 increases. However, the viscosity of the paste 7 is larger than the viscosity of the reference paste (refer to the viscosity characteristic NC1) until the viscosity of the paste 7 decreases to the viscosity NS.

上述のように、基準ペーストの粘度特性NC1に対してペースト7の粘度特性NC2は相違するので、同じエア圧でピストン83により基準ペーストを押し下げたときの押し下げ速度よりも、ペースト7を押し下げたときの押し下げ速度が遅くなる。この結果、吐出口85から吐出される単位時間あたりのペースト7の吐出量は、基準ペーストの吐出量に比べて少なくなる。この結果、基準ペーストの速度パラメータVp1(図9(a))で基板9を移動させながら、ペースト7を基板9に供給すると、ペースト7の供給量が十分でないために、フィンガー配線パターン71の開始端が均一にならず、例えば図12の(b),(c)に示すようにフィンガー配線パターン71の開始端に細線部71n、島部71iおよび断線箇所71bが発生する。   As described above, since the viscosity characteristic NC2 of the paste 7 is different from the viscosity characteristic NC1 of the reference paste, when the paste 7 is pushed down more than the pushing speed when the reference paste is pushed down by the piston 83 with the same air pressure. The depressing speed of is slow. As a result, the discharge amount of the paste 7 discharged from the discharge port 85 per unit time is smaller than the discharge amount of the reference paste. As a result, if the paste 7 is supplied to the substrate 9 while the substrate 9 is moved with the reference paste speed parameter Vp1 (FIG. 9A), the supply amount of the paste 7 is not sufficient, and thus the finger wiring pattern 71 starts. The ends are not uniform, and for example, as shown in FIGS. 12B and 12C, a thin line portion 71n, an island portion 71i, and a broken portion 71b are generated at the start end of the finger wiring pattern 71.

なお、図12(a)はフィンガー配線パターン71がその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一に形成されている状態を示す平面図および側面図である。図12(b)はフィンガー配線パターン71の開始端にその線幅および高さ寸法が小さい細線部71nが形成されている状態を示す平面図および側面図である。図12(c)はフィンガー配線パターン71の開始端(塗布開始位置)にペースト7により島部71iが形成された後、ペースト7の供給が途絶えた断線箇所71bを経て、細線部71nが形成されている状態を示す平面図および側面図である。   FIG. 12A is a plan view and a side view showing a state in which the finger wiring pattern 71 has a uniform line width and height dimension including its starting end (tip). FIG. 12B is a plan view and a side view showing a state in which a thin line portion 71 n having a small line width and height is formed at the start end of the finger wiring pattern 71. In FIG. 12C, after the island portion 71i is formed by the paste 7 at the start end (application start position) of the finger wiring pattern 71, the thin wire portion 71n is formed through the broken portion 71b where the supply of the paste 7 is interrupted. It is the top view and side view which show a state.

そこで、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際には、第1形成部40の塗布開始位置から基板9の移動を開始するときの加速度を図9(a)に破線で示す加速度a1から実線で示す加速度a2に小さくした速度パラメータVp2に変更する。この速度パラメータVp2は加速度a2により速度を増加させた後、一定速度Vcに移行する速度パラメータである。このような速度パラメータVp2に変更することにより、第1ノズル47からのペースト7の吐出量が基準ペーストのときよりも減少していても、それに応じて基板9の加速度も小さくなっているため、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。ここで、「均一」とはフィンガー配線による集電能力が低下しない程度にフィンガー配線パターン71の線幅および高さ寸法が均一である状態を示し、例えば数μm程度の寸法誤差があっても良い。   Therefore, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, the acceleration when starting the movement of the substrate 9 from the application start position of the first forming unit 40 is determined from the acceleration a1 indicated by a broken line in FIG. The speed parameter Vp2 is reduced to the acceleration a2 indicated by the solid line. The speed parameter Vp2 is a speed parameter that shifts to a constant speed Vc after increasing the speed by the acceleration a2. By changing to such a speed parameter Vp2, even if the discharge amount of the paste 7 from the first nozzle 47 is smaller than that of the reference paste, the acceleration of the substrate 9 is accordingly reduced. A sufficient amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed. Here, “uniform” indicates a state in which the line width and the height dimension of the finger wiring pattern 71 are uniform to such an extent that the current collecting ability by the finger wiring does not decrease, and there may be a dimensional error of about several μm, for example. .

また、図9(b)に実線で示すように、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際に、第1形成部40の塗布開始位置から基板9の移動を開始するときに基板9を加速して一定速度Vcに移行するまでに、一定速度Vcより小さい一定速度Vsで所定期間、基板9を移動させる速度パラメータVp2を採用しても良い。このような速度パラメータVp2に変更することにより、第1ノズル47からのペースト7の吐出量が基準ペーストのときよりも減少していても、それに応じて基板9の移動開始時において、低速Vsで基板9を移動させる期間を設けているため、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   9B, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, the substrate 9 is moved when the movement of the substrate 9 is started from the application start position of the first forming unit 40. You may employ | adopt the speed parameter Vp2 which moves the board | substrate 9 for a predetermined period by the fixed speed Vs smaller than the fixed speed Vc before accelerating and shifting to the fixed speed Vc. By changing to such a speed parameter Vp2, even if the discharge amount of the paste 7 from the first nozzle 47 is smaller than that in the case of the reference paste, the movement of the substrate 9 is accordingly reduced at the low speed Vs. Since a period for moving the substrate 9 is provided, a sufficient amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

次にペースト7とは異なる第2ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成する場合を説明する。図8に二点鎖線で示す第2ペーストの粘度特性NC3によると、第2ペーストの粘度は、第2ペーストにかかるせん断力、すなわち第2ペースト内に発生するせん断応力が増加するに連れて、粘度が低下する傾向を示すが、第2ペーストの粘度が粘度NSに低下するまで、基準ペーストの粘度(粘度特性NC1参照)よりも小さい。   Next, a case where the finger wiring pattern 71 is applied and formed with a second paste different from the paste 7 will be described. According to the viscosity characteristic NC3 of the second paste indicated by a two-dot chain line in FIG. 8, the viscosity of the second paste increases as the shearing force applied to the second paste, that is, the shearing stress generated in the second paste increases. Although the viscosity tends to decrease, the viscosity of the second paste is smaller than the viscosity of the reference paste (see viscosity characteristic NC1) until the viscosity of the second paste decreases to the viscosity NS.

上述のように、基準ペーストの粘度特性NC1に対して第2ペーストの粘度特性NC3は相違するので、同じエア圧でピストン83により基準ペーストを押し下げたときの押し下げ速度よりも、第2ペーストを押し下げたときの押し下げ速度が速くなる。この結果、吐出口85から吐出される第2ペーストの吐出量は、基準ペーストの吐出量に比べて多くなり、基準ペーストの速度パラメータVp1(図9(a))で基板9を移動させながら、第2ペーストを基板9に供給すると、第2ペーストの供給量が多くなり、フィンガー配線パターン71の開始端が太くなり均一にならない。   As described above, since the viscosity characteristic NC3 of the second paste is different from the viscosity characteristic NC1 of the reference paste, the second paste is pushed down more than the pressing speed when the reference paste is pushed down by the piston 83 with the same air pressure. The push-down speed will increase. As a result, the discharge amount of the second paste discharged from the discharge port 85 is larger than the discharge amount of the reference paste, and while moving the substrate 9 with the reference paste speed parameter Vp1 (FIG. 9A), When the second paste is supplied to the substrate 9, the supply amount of the second paste increases, and the starting end of the finger wiring pattern 71 becomes thick and does not become uniform.

そこで、第2ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際には、第1形成部40の塗布開始位置から基板9の移動を開始するときの加速度を図9(a)に破線で示す加速度a1から二点差線で示す加速度a3に大きくした速度パラメータVp3に変更する。この速度パラメータVp3は加速度a3により速度を増加させた後、一定速度Vcに移行する速度パラメータである。このような速度パラメータVp3に変更することにより、第1ノズル47からの第2ペーストの吐出量が基準ペーストのときよりも増加していても、それに応じて基板9の加速度が小さくなっているため、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に適切な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Therefore, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the second paste, the acceleration a1 indicated by the broken line in FIG. 9A is the acceleration when the movement of the substrate 9 is started from the application start position of the first forming unit 40. To a speed parameter Vp3 that is increased to an acceleration a3 indicated by a two-point difference line. This speed parameter Vp3 is a speed parameter for shifting to a constant speed Vc after increasing the speed by the acceleration a3. By changing to such a speed parameter Vp3, even if the discharge amount of the second paste from the first nozzle 47 is increased as compared with the reference paste, the acceleration of the substrate 9 is correspondingly reduced. An appropriate amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

<第1実施形態の変形例>
基準ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときの基板9の速度パラメータVp1が図10(a)の破線に示すように一定速度Vcまで基板9の速度を増加させる途中において、速度Vcより低速の一定速度Vs1で所定期間だけ基板9を移動させる速度パラメータであるときは、ペーストの粘度特性に応じて次のように速度パラメータを変更しても良い。
<Modification of First Embodiment>
The speed parameter Vp1 of the substrate 9 when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the reference paste is lower than the speed Vc in the middle of increasing the speed of the substrate 9 to the constant speed Vc as shown by the broken line in FIG. When the speed parameter is a speed parameter for moving the substrate 9 for a predetermined period at a constant speed Vs1, the speed parameter may be changed as follows according to the viscosity characteristics of the paste.

すなわち、図10(a)に実線で示すように、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際に、一定速度Vcまで基板9の速度を増加させる途中において、速度Vcより低速であり、かつ、速度Vs1より低速である一定速度Vs2で所定期間だけ基板9を移動させる速度パラメータVp2に変更する。このような速度パラメータVp2に変更することにより、第1ノズル47からのペースト7の吐出量が基準ペーストのときよりも減少していても、それに応じて基板9の移動開始時において、速度Vs1より低速である速度Vs2で基板9を移動させる期間を設けているため、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   That is, as shown by a solid line in FIG. 10A, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, the speed of the substrate 9 is increased to a constant speed Vc and is lower than the speed Vc. Then, the speed is changed to a speed parameter Vp2 for moving the substrate 9 for a predetermined period at a constant speed Vs2 which is lower than the speed Vs1. By changing to such a speed parameter Vp2, even if the discharge amount of the paste 7 from the first nozzle 47 is smaller than that of the reference paste, the movement of the substrate 9 is accordingly started at the speed Vs1. Since a period in which the substrate 9 is moved at a low speed Vs2 is provided, a sufficient amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

また、第2ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際には、速度パラメータVp3に変更する。このような速度パラメータVp3に変更することにより、第1ノズル47からのペースト7の吐出量が基準ペーストのときよりも増加していても、それに応じて基板9の移動開始時において、速度Vs1より高速である速度Vs3で基板9を移動させる期間を設けているため、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に適切な量の第2ペーストを供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Further, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the second paste, the speed parameter Vp3 is changed. By changing to such a speed parameter Vp3, even if the discharge amount of the paste 7 from the first nozzle 47 is increased as compared with the reference paste, the movement of the substrate 9 is accordingly started from the speed Vs1. Since a period for moving the substrate 9 at the high speed Vs3 is provided, an appropriate amount of the second paste can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

なお、基準ペーストの速度パラメータVp1における低速期間の長さをペーストの粘度測定に応じて変更しても良い。具体的には、基準ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときの基板9の速度パラメータVp1が図10(b)の破線に示すように基板9の速度を一定速度Vcまで増加させる途中において、期間t1だけ低速の一定速度Vsで基板9を移動させる速度パラメータであるときは、ペーストの粘度特性に応じて低速期間の長さを変更しても良い。例えば、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときは低速Vsの期間をt1からt2に長くするように変更した実線で示す速度パラメータVp2を採用しても良い。このように低速期間を長くすることにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   The length of the low speed period in the reference paste speed parameter Vp1 may be changed according to the viscosity measurement of the paste. Specifically, the speed parameter Vp1 of the substrate 9 when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the reference paste is increased while the speed of the substrate 9 is increased to a constant speed Vc as shown by the broken line in FIG. In the case of the speed parameter for moving the substrate 9 at a constant speed Vs that is low during the period t1, the length of the low speed period may be changed according to the viscosity characteristics of the paste. For example, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, a speed parameter Vp2 indicated by a solid line may be adopted in which the period of the low speed Vs is changed so as to be increased from t1 to t2. By extending the low speed period in this manner, a sufficient amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

また、第2ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときは低速Vsの期間をt1からt3に短くするように変更した二点鎖線で示す速度パラメータVp3を採用しても良い。このように低速期間を短くすることにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に適切な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Further, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the second paste, a speed parameter Vp3 indicated by a two-dot chain line in which the period of the low speed Vs is shortened from t1 to t3 may be employed. Thus, by shortening the low speed period, an appropriate amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

<第2実施形態>
次にパターン形成動作の第2実施形態について、図11に示すフロー図を参照して説明する。図11に示すように第2実施形態ではペースト撹拌工程(ステップS5)、開始端観察工程(ステップS11)、速度調整工程(ステップS20)および塗布工程(ステップS30)が順次実行される。なお、塗布工程(ステップS30)の詳細は、上述の第1実施形態における塗布工程(ステップS30)と同様である。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the pattern forming operation will be described with reference to the flowchart shown in FIG. As shown in FIG. 11, in the second embodiment, the paste stirring step (step S5), the start end observation step (step S11), the speed adjustment step (step S20), and the coating step (step S30) are sequentially executed. The details of the coating process (step S30) are the same as the coating process (step S30) in the first embodiment described above.

上記塗布工程(ステップS30)に先立つ準備工程として、ステップS5においてペースト7を撹拌することにより、ペースト7を脱気処理して、ペースト7に混入している気体の量を低減させる(ペースト撹拌工程)。   As a preparatory process prior to the coating process (step S30), the paste 7 is stirred in step S5, thereby degassing the paste 7 and reducing the amount of gas mixed in the paste 7 (paste stirring process). ).

次にステップS11において、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成した後、その開始端の形状を観察する(開始端観察工程)。具体的には、第1ヘッド41のマニホールド87内にペースト7を充填し、パターン形成装置1により上述のフィンガー配線形成工程(図5のステップS32)を実験的に実行して、基板9上にフィンガー配線パターン71を塗布形成する。このステップS32における基板9の速度パラメータは、例えば図9(a)の破線で示す基準ペースト用の速度パラメータVp1とする。   Next, in step S11, after the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, the shape of the start end is observed (start end observation step). Specifically, the paste 7 is filled into the manifold 87 of the first head 41, and the above-described finger wiring formation step (step S32 in FIG. 5) is experimentally executed by the pattern forming apparatus 1 to form on the substrate 9. Finger wiring pattern 71 is applied and formed. The speed parameter of the substrate 9 in step S32 is, for example, a reference paste speed parameter Vp1 indicated by a broken line in FIG.

ステップS11の開始端観察工程において、例えば、カメラ等の撮像手段によりフィンガー配線パターン71の開始端を撮像して得られた画像を観察する。例えば、図12の(b),(c)に示すような形状を有するフィンガー配線パターン71を観察することができる。なお、フィンガー配線パターン71の開始端を直接、目視によって観察しても良い。   In the start end observation step of step S11, for example, an image obtained by imaging the start end of the finger wiring pattern 71 by an imaging means such as a camera is observed. For example, a finger wiring pattern 71 having a shape as shown in FIGS. 12B and 12C can be observed. Note that the starting end of the finger wiring pattern 71 may be directly observed visually.

上記開始端の観察工程において、例えば、図12(b)に示すようにフィンガー配線パターン71の開始端に細線部71nが形成されている形状が観察され、若しくは、図12(c)に示すように細線部71n、島部71iおよび断線箇所71bが形成された形状が観察される。この観察結果は、吐出開始時において、吐出口85から吐出されたペースト7の吐出量が十分ではなく不足していたことを示す。このようにペースト7の吐出量が不足する原因は、ペースト7に混入している気体の量が基準ペーストに混入している気体の量よりも多いためである。ペーストに混入している気体の量は、上述のペースト撹拌工程(ステップS5)によって低減されているが、その気体量(気体混入度合い)はペーストの種類によって相違する。ここで、ピストン83が押し下げられることにより、マニホールド87内に充填されたペーストには圧力がかかり圧縮され、所定圧力以上になると吐出口85からペーストが吐出される。ペーストに混入している気体はペーストより圧縮性が高いので、ペーストに混入している気体の量が多いほど所定圧力以上になるまでの時間が長くなる。この結果、ペーストに混入している気体の量が多いほど、吐出開始時における単位時間あたりの吐出量が少なくなる。   In the observation process of the start end, for example, as shown in FIG. 12B, a shape in which the thin line portion 71n is formed at the start end of the finger wiring pattern 71 is observed, or as shown in FIG. The shape in which the thin wire portion 71n, the island portion 71i, and the disconnection portion 71b are formed is observed. This observation result indicates that the discharge amount of the paste 7 discharged from the discharge port 85 was not sufficient and insufficient at the start of discharge. The reason why the discharge amount of the paste 7 is insufficient is that the amount of gas mixed in the paste 7 is larger than the amount of gas mixed in the reference paste. The amount of gas mixed in the paste is reduced by the above-described paste stirring step (step S5), but the amount of gas (degree of gas mixing) differs depending on the type of paste. Here, when the piston 83 is pushed down, the paste filled in the manifold 87 is pressurized and compressed, and when the pressure exceeds a predetermined pressure, the paste is discharged from the discharge port 85. Since the gas mixed in the paste has higher compressibility than the paste, the time until the pressure becomes higher than the predetermined pressure becomes longer as the amount of the gas mixed in the paste is larger. As a result, the larger the amount of gas mixed in the paste, the smaller the discharge amount per unit time at the start of discharge.

次に、図11に示すステップS21において、上述の塗布工程(ステップS30)にて第1形成部40にある基板9の移動を開始するときの速度を予め調整する。換言すれば制御部60のROMに保存すべき速度条件(速度パラメータ)を調整する(速度調整工程)。   Next, in step S21 shown in FIG. 11, the speed at which the movement of the substrate 9 in the first forming unit 40 is started in the above-described coating process (step S30) is adjusted in advance. In other words, the speed condition (speed parameter) to be stored in the ROM of the control unit 60 is adjusted (speed adjustment process).

具体的には、開始端観察工程(ステップS11)にて例えば図12(b),(c)に示すような開始端の形状が観察された際には、塗布開始端において第1ノズル47から十分な量のペースト7が吐出されていないと判断する。そして、例えば、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際には、第1形成部40の塗布開始位置から基板9の移動を開始するときの加速度を図9(a)に破線で示す加速度a1から実線で示す加速度a2に小さくした速度パラメータVp2に変更する。この速度パラメータVp2は加速度a2により速度を増加させた後、一定速度Vcに移行する速度パラメータである。このように加速度を小さくした速度パラメータVp2に変更することにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Specifically, when the shape of the start end as shown in FIGS. 12B and 12C is observed in the start end observation step (step S11), the first nozzle 47 at the application start end is observed. It is determined that a sufficient amount of paste 7 has not been discharged. For example, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, the acceleration when the movement of the substrate 9 is started from the application start position of the first forming unit 40 is indicated by a broken line in FIG. The speed parameter Vp2 is changed from a1 to the acceleration a2 indicated by the solid line. The speed parameter Vp2 is a speed parameter that shifts to a constant speed Vc after increasing the speed by the acceleration a2. By changing to the speed parameter Vp2 in which the acceleration is reduced in this way, a sufficient amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

また、図9(b)に実線で示すように、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際に、第1形成部40の塗布開始位置から基板9の移動を開始するときに基板9の速度を増加させて一定速度Vcに移行するまでに、一定速度Vcより小さい速度Vsで所定期間、基板9を移動させる速度パラメータVp2を採用しても良い。このように低速Vsで基板9を移動させる期間を設けた速度パラメータVp2に変更することにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Further, as shown by a solid line in FIG. 9B, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, the movement of the substrate 9 is started when the movement of the substrate 9 is started from the application start position of the first forming unit 40. A speed parameter Vp2 for moving the substrate 9 for a predetermined period at a speed Vs smaller than the constant speed Vc before the speed is increased to shift to the constant speed Vc may be adopted. Thus, by changing to the speed parameter Vp2 provided with the period during which the substrate 9 is moved at the low speed Vs, a sufficient amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

次にペースト7とは異なる第3ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成する場合を説明する。この第3ペーストの撹拌工程(図11のステップS5)後における気体の混入量(混入量)は、基準ペーストの混入量よりも少ない。上述のように、吐出開始時においてペーストが吐出に必要な所定圧力以上になるまでの時間は、ペーストに混入された気体量に依存し、気体量が多いほど時間が長くなる。したがって、吐出開始時における吐出口85から吐出される第3ペーストの吐出量は、基準ペーストの吐出量に比べて多くなる。この結果、開始端観察工程(ステップS11)にて塗布開始端が太い形状であるフィンガー配線パターン71が観察される。   Next, the case where the finger wiring pattern 71 is applied and formed with a third paste different from the paste 7 will be described. The gas mixing amount (mixing amount) after the third paste stirring step (step S5 in FIG. 11) is smaller than the mixing amount of the reference paste. As described above, the time until the paste becomes equal to or higher than the predetermined pressure required for discharge at the start of discharge depends on the amount of gas mixed in the paste, and the time increases as the amount of gas increases. Therefore, the discharge amount of the third paste discharged from the discharge port 85 at the start of discharge is larger than the discharge amount of the reference paste. As a result, the finger wiring pattern 71 having a thick coating start end is observed in the start end observation step (step S11).

そこで、第3ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際には、第1形成部40の塗布開始位置から基板9の移動を開始するときの加速度を図9(a)に破線で示す加速度a1から二点差線で示す加速度a3に大きくした速度パラメータVp3に変更する。この速度パラメータVp3は加速度a3により速度を増加させた後、一定速度Vcに移行する速度パラメータである。このように加速度を大きくした速度パラメータVp3に変更することにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に適切な量の第3ペーストを供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Therefore, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the third paste, the acceleration a1 indicated by the broken line in FIG. 9A indicates the acceleration when the movement of the substrate 9 is started from the application start position of the first forming unit 40. To a speed parameter Vp3 that is increased to an acceleration a3 indicated by a two-point difference line. This speed parameter Vp3 is a speed parameter for shifting to a constant speed Vc after increasing the speed by the acceleration a3. By changing to the speed parameter Vp3 with increased acceleration in this way, an appropriate amount of the third paste can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

<第2実施形態の変形例>
基準ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときの基板9の速度パラメータVp1が図10(a)の破線に示すように一定速度Vcまで基板9の速度を増加させる途中において、速度Vcより低速の速度Vs1で所定期間だけ基板9を移動させる速度パラメータであるときは、開始端観察工程(ステップS11)による観察結果に応じて次のように速度パラメータを変更しても良い。
<Modification of Second Embodiment>
The speed parameter Vp1 of the substrate 9 when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the reference paste is lower than the speed Vc in the middle of increasing the speed of the substrate 9 to the constant speed Vc as shown by the broken line in FIG. When the speed parameter is the speed parameter for moving the substrate 9 for a predetermined period at the speed Vs1, the speed parameter may be changed as follows according to the observation result in the start end observation step (step S11).

具体的には、上述の開始端観察工程(図11のステップS11)において、図10(a)の破線で示す基準ペーストの速度パラメータVp1により、ペースト7によるフィンガー配線パターン71の塗布形成を実験的に行い、図12(b),(c)に示す開始端の状態が観察された場合は次のように速度パラメータを変更すれば良い。すなわち、図12(b),(c)に示す開始端の状態が観察された場合は、上述のように基板9に十分な量のペースト7が供給されていないと判断する。そして、図10(a)に実線で示すように、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際に、一定速度Vcまで基板9の速度を増加させる途中において、速度Vcより低速であり、かつ、速度Vs1より低速である速度Vs2で所定期間だけ基板9を移動させる速度パラメータVp2に変更する。このように速度Vs1より低速である速度Vs2で基板9を移動させる期間を設けた速度パラメータVp2に変更することにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Specifically, in the above-described start end observation step (step S11 in FIG. 11), the finger wiring pattern 71 is formed by applying the paste 7 experimentally using the reference paste speed parameter Vp1 indicated by the broken line in FIG. When the starting end state shown in FIGS. 12B and 12C is observed, the speed parameter may be changed as follows. That is, when the start end state shown in FIGS. 12B and 12C is observed, it is determined that a sufficient amount of paste 7 is not supplied to the substrate 9 as described above. Then, as shown by the solid line in FIG. 10A, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, the speed of the substrate 9 is increased to a constant speed Vc and is lower than the speed Vc. Then, the speed is changed to the speed parameter Vp2 for moving the substrate 9 for a predetermined period at the speed Vs2 which is lower than the speed Vs1. Thus, by changing to the speed parameter Vp2 provided with the period during which the substrate 9 is moved at the speed Vs2 which is lower than the speed Vs1, a sufficient amount of the paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. it can. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

また、上記第3ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成する際には、速度Vs1より高速である速度Vs3で基板9を移動させる期間を設けた速度パラメータVp3に変更する。このような速度パラメータVp3に変更することにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に適切な量の第3ペーストを供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Further, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed by the third paste, the speed parameter Vp3 is changed to a speed parameter Vp3 provided with a period for moving the substrate 9 at a speed Vs3 higher than the speed Vs1. By changing to such a speed parameter Vp3, an appropriate amount of the third paste can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

なお、基準ペーストの速度パラメータVp1における低速期間の長さを開始端観察工程(ステップS11)による観察結果に応じて変更しても良い。具体的には、基準ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときの基板9の速度パラメータVp1が図10(b)の破線に示すように基板9の速度を一定速度Vcに増加させる途中において、期間t1だけ低速の一定速度Vsで基板9を移動させる速度パラメータであるときは、開始端観察工程(ステップS11)による観察結果に応じて低速期間の長さを変更しても良い。例えば、ペースト7によりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときは低速Vsの期間をt1からt2に長くするように変更した実線で示す速度パラメータVp2を採用しても良い。このように低速期間を長くすることにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に十分な量のペースト7を供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   The length of the low speed period in the reference paste speed parameter Vp1 may be changed according to the observation result in the start end observation step (step S11). Specifically, the speed parameter Vp1 of the substrate 9 when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the reference paste is increased while the speed of the substrate 9 is increased to a constant speed Vc as shown by the broken line in FIG. When the speed parameter is such that the substrate 9 is moved at the constant low speed Vs for the period t1, the length of the low speed period may be changed according to the observation result in the start end observation step (step S11). For example, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the paste 7, a speed parameter Vp2 indicated by a solid line may be adopted in which the period of the low speed Vs is changed so as to be increased from t1 to t2. By extending the low speed period in this manner, a sufficient amount of paste 7 can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

また、第3ペーストによりフィンガー配線パターン71を塗布形成するときは低速Vsの期間をt1からt3に短くするように変更した二点鎖線で示す速度パラメータVp3を採用しても良い。このように低速期間を短くすることにより、フィンガー配線パターン71の塗布開始端に適切な量の第3ペーストを供給することができる。この結果、図12(a)に示すようにその開始端(先端)も含めて線幅および高さ寸法が均一なフィンガー配線パターン71を形成することができる。   Further, when the finger wiring pattern 71 is applied and formed with the third paste, a speed parameter Vp3 indicated by a two-dot chain line in which the period of the low speed Vs is shortened from t1 to t3 may be employed. Thus, by shortening the low speed period, an appropriate amount of the third paste can be supplied to the application start end of the finger wiring pattern 71. As a result, as shown in FIG. 12A, a finger wiring pattern 71 having a uniform line width and height dimension including its starting end (tip) can be formed.

なお、上述の実施形態を以下のように変形実施しても良い。
上述の実施形態や変形例の速度調整工程(ステップS20またはステップS21)において、粘度特性や観察結果に基づいて速度パラメータVp1を変更して調整する際に、1回の変更では、図12(a)に示すような均一なフィンガー配線パターン71を塗布形成することができる速度パラメータが求められない場合は、複数回の速度パラメータの変更を行って、適切な速度パラメータを求めても良い。また、複数の粘度特性や塗布開始端の形状(観察結果)に応じた適切な速度パラメータとの関係を予め求めておき、粘度特性測定工程(図4のステップS10)で測定されたペーストの粘度特性や開始端観察工程(図11のステップS11)による観察結果に対応する速度パラメータを選択するように速度調整工程(ステップS20)を実行しても良い。
The above-described embodiment may be modified as follows.
In the speed adjustment process (step S20 or step S21) of the above-described embodiment or modification, when the speed parameter Vp1 is changed and adjusted based on the viscosity characteristic or the observation result, the change of FIG. If a speed parameter that can apply and form a uniform finger wiring pattern 71 as shown in FIG. 4 is not obtained, an appropriate speed parameter may be obtained by changing the speed parameter a plurality of times. In addition, a relationship between a plurality of viscosity characteristics and an appropriate speed parameter corresponding to the shape (observation result) of the coating start end is obtained in advance, and the viscosity of the paste measured in the viscosity characteristics measurement step (step S10 in FIG. 4). The speed adjustment step (step S20) may be executed so as to select the speed parameter corresponding to the observation result of the characteristics and the start end observation step (step S11 in FIG. 11).

上述の実施形態や変形例において、光硬化性を有しないペーストを用いても良い。このようなペーストは、光硬化などの硬化処理によらず溶剤の揮発のみによって固化するペーストで、例えば、導電性粒子、有機ビヒクル(溶剤、樹脂、増粘剤等の混合物)を含む。導電性粒子は例えば銀粉末であり、有機ビヒクルは樹脂材料としてのエチルセルロースと有機溶剤を含む。この場合、ペーストを光硬化するための光照射部や光源部は不要となる。なお、光硬化性を有しないペーストを加熱するなどして硬化させる構成でも良い。   In the above-described embodiments and modifications, a paste having no photocurability may be used. Such a paste is a paste that is solidified only by the volatilization of the solvent without using a curing treatment such as photocuring, and includes, for example, conductive particles and an organic vehicle (a mixture of a solvent, a resin, a thickener, and the like). The conductive particles are, for example, silver powder, and the organic vehicle contains ethyl cellulose as a resin material and an organic solvent. In this case, the light irradiation part and light source part for photocuring a paste become unnecessary. In addition, the structure hardened by heating the paste which does not have photocurability may be sufficient.

ピストン38をエア圧によって弾性的に押し下げる構成に替えて、ピストン38にロッドを連結し、このロッドをモータ及びボール螺子等を有する押下げ機構によってピストン38を押し下げても良い。   Instead of a configuration in which the piston 38 is elastically pushed down by air pressure, a rod may be connected to the piston 38, and the rod 38 may be pushed down by a push-down mechanism having a motor, a ball screw, and the like.

上記実施形態においては第1形成部40および第2形成部50に対して基板9が移動する構成であるが、固定配置された基板9に対して第1形成部40および第2形成部50をX方向に移動させても良い。または、固定配置された基板9に対して第1形成部40を所定方向(例えばX方向)に移動させるとともに第2形成部50を所定方向と直交する方向(例えばY方向)に移動させる構成でも良い。   In the above embodiment, the substrate 9 moves relative to the first forming unit 40 and the second forming unit 50. However, the first forming unit 40 and the second forming unit 50 are arranged with respect to the fixedly arranged substrate 9. It may be moved in the X direction. Alternatively, the first forming unit 40 may be moved in a predetermined direction (for example, the X direction) with respect to the fixedly arranged substrate 9 and the second forming unit 50 may be moved in a direction orthogonal to the predetermined direction (for example, the Y direction). good.

本発明によって形成するパターンは上記フィンガー配線パターンやバス配線パターンに限定されず、例えばプラズマディスプレイパネル(PDP)を製造する際に基板上に形成される隔壁パターンでも良い。また、基板上に形成される接着剤パターンでも良い。また、電池を製造する際に集電体上に形成される活物質材料を含むパターンでも良い。   The pattern formed by the present invention is not limited to the finger wiring pattern and the bus wiring pattern, and may be a partition pattern formed on a substrate when manufacturing a plasma display panel (PDP), for example. Alternatively, an adhesive pattern formed on the substrate may be used. Moreover, the pattern containing the active material material formed on a collector when manufacturing a battery may be sufficient.

1 パターン形成装置
7 ペースト
9 基板
20 基板載置部
30 駆動部
40 第1形成部
41 第1ヘッド
47 第1ノズル
50 第2形成部
51 第2ヘッド
57 第2ノズル
60 制御部
61 第1光照射部
64 第2光照射部
71 バス配線パターン
73 フィンガー配線パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pattern formation apparatus 7 Paste 9 Substrate 20 Substrate mounting part 30 Drive part 40 1st formation part 41 1st head 47 1st nozzle 50 2nd formation part 51 2nd head 57 2nd nozzle 60 Control part 61 1st light irradiation Part 64 Second light irradiation part 71 Bus wiring pattern 73 Finger wiring pattern

Claims (11)

パターンを形成するための材料のせん断応力に応じた粘度特性を測定する粘度特性測定工程と、
粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、ノズルに対して相対移動する基板に向けてノズルから前記材料の吐出を開始する際の基板の速度条件を調整する速度調整工程と、
ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、速度調整工程によって調整された速度条件で、基板をノズルに対して相対移動させるとともに、ノズルから基板に向けて前記材料を吐出して、基板上に前記材料による線状パターンを形成する塗布工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
A viscosity characteristic measuring step for measuring a viscosity characteristic according to a shear stress of a material for forming a pattern;
Based on the viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measurement step, a speed adjustment step of adjusting the speed condition of the substrate when starting the discharge of the material from the nozzle toward the substrate that moves relative to the nozzle;
When starting the discharge of the material from the nozzle, the substrate is moved relative to the nozzle under the speed condition adjusted by the speed adjustment process, and the material is discharged from the nozzle toward the substrate to be on the substrate. An application step of forming a linear pattern of the material;
A pattern forming method comprising:
請求項1に記載されるパターン形成方法において、
速度調整工程が粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、ノズルに対する基板の相対加速度を調整する工程であることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method described in Claim 1,
A pattern forming method, wherein the speed adjustment step is a step of adjusting the relative acceleration of the substrate with respect to the nozzle based on the viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measurement step.
請求項1に記載されるパターン形成方法において、
前記速度条件が、ノズルの吐出口から前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで増加させる途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、
速度調整工程が粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、前記一定速度の値を調整する工程であることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method described in Claim 1,
The speed condition is a speed condition having a period of a constant speed lower than a predetermined speed in the middle of increasing the relative movement speed of the substrate to a predetermined speed when starting the discharge of the material from the discharge port of the nozzle. ,
The pattern forming method, wherein the speed adjusting step is a step of adjusting the value of the constant speed based on the viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measuring step.
請求項1に記載されるパターン形成方法において、
前記速度条件が、ノズルの吐出口から前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで増加させる途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、
速度調整工程が粘度特性測定工程によって測定された粘度特性に基づいて、前記一定速度である期間の長さを調整する工程であることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method described in Claim 1,
The speed condition is a speed condition having a period of a constant speed lower than a predetermined speed in the middle of increasing the relative movement speed of the substrate to a predetermined speed when starting the discharge of the material from the discharge port of the nozzle. ,
The pattern forming method, wherein the speed adjusting step is a step of adjusting a length of the period of the constant speed based on the viscosity characteristic measured by the viscosity characteristic measuring step.
パターンを形成するための材料を、ノズルに対して相対移動する基板に向けてノズルから吐出することにより基板上に形成された線状パターンの開始端の形状を観察する観察工程と、
観察工程により観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、ノズルに対して相対移動する基板にノズルから前記材料の吐出を開始する際の基板の速度条件を調整する速度調整工程と、
ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、速度調整工程によって調整された速度条件で、基板をノズルに対して相対移動させるとともに、ノズルから基板に向けて前記材料を吐出して、基板上に前記材料による線状パターンを形成する塗布工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
An observation step of observing the shape of the starting end of the linear pattern formed on the substrate by discharging the material for forming the pattern from the nozzle toward the substrate moving relative to the nozzle;
Based on the shape of the starting end of the linear pattern observed in the observation step, a speed adjustment step of adjusting the speed condition of the substrate when starting the discharge of the material from the nozzle to the substrate that moves relative to the nozzle;
When starting the discharge of the material from the nozzle, the substrate is moved relative to the nozzle under the speed condition adjusted by the speed adjustment process, and the material is discharged from the nozzle toward the substrate to be on the substrate. An application step of forming a linear pattern of the material;
A pattern forming method comprising:
請求項5に記載されるパターン形成方法において、
速度調整工程が観察工程によって観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、ノズルに対する基板の相対加速度を調整する工程であることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method described in Claim 5,
A pattern forming method, wherein the speed adjustment step is a step of adjusting the relative acceleration of the substrate with respect to the nozzle based on the shape of the starting end of the linear pattern observed in the observation step.
請求項5に記載されるパターン形成方法において、
前記速度条件が、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで増加させる途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、
速度調整工程が観察工程によって観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、前記一定速度の値を調整する工程であることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method described in Claim 5,
The speed condition is a speed condition having a period of a constant speed lower than the predetermined speed in the middle of increasing the relative movement speed of the substrate to the predetermined speed when starting the discharge of the material from the nozzle,
A pattern forming method, wherein the speed adjustment step is a step of adjusting the value of the constant speed based on a shape of a starting end of the linear pattern observed in the observation step.
請求項5に記載されるパターン形成方法において、
前記速度条件が、ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、基板の相対移動速度を所定速度まで増加させる途中において、所定速度より低速の一定速度である期間を有する速度条件であり、
速度調整工程が観察工程によって観察された線状パターンの開始端の形状に基づいて、前記一定速度である期間の長さを調整する工程であることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method described in Claim 5,
The speed condition is a speed condition having a period of a constant speed lower than the predetermined speed in the middle of increasing the relative movement speed of the substrate to the predetermined speed when starting the discharge of the material from the nozzle,
A pattern forming method, wherein the speed adjustment step is a step of adjusting the length of the period of the constant speed based on the shape of the start end of the linear pattern observed in the observation step.
請求項1から請求項8のいずれかに記載されるパターン形成方法において、
基板が太陽電池素子用の基板であり、
前記材料が導電性を有する導電性のペーストであり、
線状パターンがフィンガー配線用のパターンであることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method in any one of Claims 1-8,
The substrate is a substrate for solar cell elements,
The material is a conductive paste having conductivity,
A pattern forming method, wherein the linear pattern is a pattern for finger wiring.
パターンを形成するための材料を線状に吐出するノズルと、
ノズルに対して基板を相対移動させる移動手段と、
ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、移動手段によりノズルに対して基板を速度条件に基づいて相対移動させるとともに、当該基板に向けてノズルから前記材料を線状に吐出させる制御手段とを備え、
前記速度条件が前記材料のせん断応力に応じた粘度特性に基づいて予め調整された速度条件であることを特徴とするパターン形成装置。
A nozzle that linearly discharges a material for forming a pattern;
Moving means for moving the substrate relative to the nozzle;
When starting the discharge of the material from the nozzle, the moving means moves the substrate relative to the nozzle based on the speed condition, and a control means for discharging the material from the nozzle in a linear shape toward the substrate. Prepared,
The pattern forming apparatus, wherein the speed condition is a speed condition adjusted in advance based on a viscosity characteristic corresponding to a shear stress of the material.
パターンを形成するための材料を線状に吐出するノズルと、
ノズルに対して基板を相対移動させる移動手段と、
ノズルから前記材料の吐出を開始する際に、移動手段によりノズルに対して基板を速度条件に基づいて相対移動させるとともに、当該基板に向けてノズルから前記材料を線状に吐出させる制御手段とを備え、
前記速度条件が前記材料により基板上に塗布形成された線状パターンの開始端の形状を観察することにより予め調整された速度条件であることを特徴とするパターン形成装置。
A nozzle that linearly discharges a material for forming a pattern;
Moving means for moving the substrate relative to the nozzle;
When starting the discharge of the material from the nozzle, the moving means moves the substrate relative to the nozzle based on the speed condition, and a control means for discharging the material from the nozzle in a linear shape toward the substrate. Prepared,
The pattern forming apparatus, wherein the speed condition is a speed condition adjusted in advance by observing a shape of a starting end of a linear pattern applied and formed on the substrate by the material.
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