[go: up one dir, main page]

JP2012004570A - パターン付基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法 - Google Patents

パターン付基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012004570A
JP2012004570A JP2011134205A JP2011134205A JP2012004570A JP 2012004570 A JP2012004570 A JP 2012004570A JP 2011134205 A JP2011134205 A JP 2011134205A JP 2011134205 A JP2011134205 A JP 2011134205A JP 2012004570 A JP2012004570 A JP 2012004570A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
silicon
substrate
bonded
oxygen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011134205A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Aoki
智幸 青木
Koji Oriki
浩二 大力
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2011134205A priority Critical patent/JP2012004570A/ja
Publication of JP2012004570A publication Critical patent/JP2012004570A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3649—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer made of metals other than silver
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10W70/098—
    • H10W70/69—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10P72/74—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、スクリーン印刷法を用いて形成された絶縁膜、導電膜、半導体膜等のパターン
付基板、及びその形成方法に関する。また、スクリーン印刷法により形成された膜パター
ンを有する半導体装置及びその作製方法に関する。
スクリーン印刷法は、図２（Ｂ）に示すように、基板１０１の上方に、枠１０３に金網（
メッシュ）１０４及びマスク用の乳剤１０５を有するスクリーン印刷版１００を設け、図
２（Ａ）に示すように、スクリーン印刷版上に組成物１０６を設け、スキージ１０７やロ
ーラー等を用いて組成物１０６を押しつけながら押し出して、基板１０１の表面に塗布す
る方法である。ここでは、図２（Ｂ）はスクリーン印刷版を設けた基板の斜視図であり、
Ａ−Ｂの断面図を図２（Ａ）に示す。
この後、図２（Ｃ）に示すように、基板１０１上に塗布された組成物１１１を、乾燥及び
焼成して、図２（Ｄ）及び（Ｅ）に示すような、膜パターン１３１を形成する。
スクリーン印刷法は、工程数や必要な装置の数が少なく、製造方法が比較的簡便であるた
め、製造コストやスループットの面で有利である。このため、基板上に設けられる配線、
プラズマディスプレイパネルや発光表示装置に含まれる隔壁、画素電極、、ＩＣやＬＳＩ
などのはんだバンプや半導体素子を覆うパッケージなどの形成工程に採用されている。
しかしながら、スクリーン印刷法によって組成物を基板上に印刷する場合、網目の開口部
を充填して塗布された組成物同士が、接して繋がり、線状の組成物となる。このため、開
口部を充填して塗布された組成物の領域１３２と、接続した組成物の領域１３３とでは、
図２（Ｅ）の上面図に示すように、マスクの形状と異なり、側面において湾曲した（うね
った）形状の組成物が形成される。即ち、隣接する膜パターン１３１同士の間隔１３４が
異なる。また、組成物の表面もマスクの開口部に対応して膜厚が異なり、表面が凹凸状と
なる。
このような形状のペ−ストを焼成した膜パターンも同様に、隣接する膜パターンの間隔が
異なる。また、表面が凹凸状である。
このような膜パターンを用いて無線によるデータの受信や送信が可能な無線チップ（ＩＤ
タグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、無線タグ
、電子タグ、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏ
ｎ）ともよばれる）等のアンテナを形成すると、アンテナのインダクタンスが変化し、共
振周波数の低下と、それに伴う起電力の低下が生じるという問題があった。また、隣接す
るアンテナと短絡しやすいという問題がある。
また、組成物の線幅が狭い領域１３３では、組成物同士が分離しやすく、歩留まりの低下
を招くという問題がある。更には、組成物の粘度によっては、導電膜の膜厚が薄くなる。
これを回避する手法として、組成物を複数回印刷する方法が挙げられるが、工程数が増大
するとともに、隣接する組成物が繋がってしまうという問題がある。
そこで本発明は、隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作
製方法を提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあ
るパターン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが
少なく、起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また
、歩留まり高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
本発明の一は、基板、絶縁膜又は導電膜上に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活
性な基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結
合する膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成する
ことを特徴とする膜パターン付基板の形成方法、及び半導体装置の作製方法である。
珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は、基板、絶縁膜又は導電
膜の表面の一面に形成する。
膜パターンは、導電膜、絶縁膜、又は半導体膜である。
膜パターンが導電膜の場合、膜パターンはアンテナ、画素電極、配線として機能する。ま
た、膜パターンが絶縁膜の場合、隔壁層として機能する。また、膜パターンが半導体膜の
場合、半導体素子の活性領域として機能する。
また、本発明の一は、基板上に半導体素子を形成し、半導体素子を覆い、且つ半導体素子
に接続する導電膜の一部を露出する開口部を有する絶縁膜を形成し、絶縁膜及び露出され
た前記導電膜上に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成
し、前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜上に印刷法を用い
て組成物を印刷し、前記組成物を焼成して導電膜を形成することを特徴とする半導体装置
の作製方法である。
珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は、絶縁膜及び露出された
前記導電膜の表面の一面に形成する。
また、本発明の一は、基板上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜と、前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜上に形成され
るパターン付基板である。
珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は、基板において膜パター
ンが形成される面の一面に形成される。
膜パターンは、導電膜、絶縁膜、又は半導体膜である。
膜パターンが導電膜の場合、膜パターンはアンテナ、画素電極、配線として機能する。ま
た、膜パターンが絶縁膜の場合、隔壁層として機能する。また、膜パターンが半導体膜の
場合、半導体素子の活性領域として機能する。
また、本発明の一は、基板上に半導体素子と、且つ前記半導体素子のソース領域又はドレ
イン領域に接続する導電膜と前記導電膜表面に形成される珪素及び酸素が結合し且つ前記
珪素に不活性な基が結合する膜と、前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基
が結合する膜上に形成される導電膜とを有することを特徴とする半導体装置である。
珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は、導電膜表面の一面に形
成される。
珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜の不活性な基は、フルオロ
アルキル基、アルキル基、フルオロアリル基、及びアリル基から選ばれた少なくとも一種
の官能基である。
本発明において、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜上に印刷
法により組成物を塗布することで、膜パターンの側面の凹凸、即ちうねりを低減すること
ができる。このため、幅や隣接間隔が均一な膜パターンを形成することができる。
このような膜パターンをアンテナに用いることで、インダクタンスのばらつきの少ないア
ンテナを形成することが出来る。また、起電力の高いアンテナを形成することができる。
また、このような膜パターンを配線や隔壁層等に用いることで、バラツキの少ない半導体
装置を作製することが可能である。
本発明の膜パターンを形成する工程を示した断面図及び斜視図である。 本発明の膜パターンを形成する工程を示した断面図及び斜視図である。 本発明のアンテナを形成する工程を示した断面図及び斜視図である。 本発明の半導体装置の構造を示した断面図である。 本発明の半導体装置の構造を示した断面図である。 本発明の半導体装置の構造を示した上面図及び断面図である。 本発明の半導体装置を作製する工程を示した断面図である。 本発明の半導体装置を作製する工程を示した断面図である。 本発明の半導体装置を作製する工程を示した断面図である。 本発明の半導体装置を作製する工程を示した断面図である。 本発明の半導体装置を作製する工程を示した断面図である。 本発明の半導体装置を作製する工程を示した断面図である。 本本発明の半導体装置の構造を示した上面図である。 本発明の半導体装置の構造を示した図である。 本発明の半導体装置の応用例を示す図である。 スクリーン印刷版の開口部の幅の設計値と膜パターンの幅の平均値の関係を示す図である。 改質されたガラス基板の表面構造を示した図である。 膜パターン断面ＳＥＭ図を示した図である。 膜パターンの抵抗率を測定する素子の構造を示した図である。
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる
態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその
形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するた
めの全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰
り返しの説明は省略する。
ここでは、基板上にスクリーン印刷法により膜パターンを形成する工程について、図１
を用いて説明する。
図１（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｄ）はパターン付基板の断面図であり、図１（Ｂ）、（Ｅ）は
、パターン付基板の斜視図である。また、図１（Ｂ）におけるＡ−Ｂの断面図を図１（Ａ
）に示し、図１（Ｅ）におけるＡ−Ｂの断面図を図１（Ｄ）に示す。
基板１０１上に、酸素、珪素及び不活性な基を有する膜１０２を形成する。次に、酸素、
珪素及び不活性な基を有する膜１０２上に、スクリーン印刷法により組成物を塗布する。
具体的には、金網（メッシュ）１０４及びマスク用の乳剤１０５が枠１０３に設けられた
スクリーン印刷版１００を基板上に設ける。次に、スクリーン印刷版上に組成物（ペース
ト）１０６を設け、スキージ１０７やローラー等を用いて組成物１０６を押し出す。この
結果、酸素、珪素及び不活性な基を有する膜１０２上に組成物１１１を塗布することがで
きる（図１（Ａ）〜（Ｃ）参照）。なお、スキージやローラーで組成物を押し出す前に、
スクレッパで組成物をスクリーン印刷版上に広げてもよい。
次に、塗布された組成物１１１を乾燥及び焼成することで、膜パターン１１２を形成する
ことができる（図１（Ｄ）及び（Ｅ）参照。）。
基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、アルミナなどのセラミック等絶縁物質で形
成される基板、プラスチック基板、シリコンウェハ、金属板等を用いることができる。
プラスチック基板の代表例としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（
ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリ
プロピレンサルファイド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルイミド、ポリフェニ
レンスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド、ナイ
ロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテ
ルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ
）、またはポリイミドからなるプラスチック基板、直径数ｎｍの無機粒子が分散された有
機材料で形成される基板等が挙げられる。また、基板１０１は可とう性を有するものでも
よい。ここでは、基板１０１としてポリカーボネートを用いる。
また、酸素、珪素及び不活性な基を有する膜１０２は、Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ（４−ｎ）（ｎ＝
１、２、３）の化学式で表される有機シランの組成物を用いて形成する。Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ
（４−ｎ）（ｎ＝１、２、３）の化学式で表される有機シランのＲは、フルオロアルキル
基、アルキル基、フルオロアリル基、アリル基などの比較的不活性な基である。また、Ｘ
はハロゲン、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブト
キシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、アセトキシ基など、基質表
面の水酸基と結合が可能な加水分解基からなる。
有機シランの一例として、Ｒにフルオロアルキル基を有するフルオロアルキルシラン（以
下、ＦＡＳと示す。）を用いることができる。ＦＡＳのＲは、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（
ＣＨ２）ｙ（ｘ：０以上１０以下の整数、ｙ：０以上４以下の整数）で表される構造を持
ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じで
も良いし、異なっていてもよい。代表的なＦＡＳとしては、ヘプタデカフルオロテトラヒ
ドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリクロロシラ
ン、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルト
リメトキシシラン等が挙げられる。
また、有機シランの一例として、Ｒにアルキル基を有するアルコキシシランを用いること
ができる。アルコキシシランとしては、炭素数２〜３０のアルキル基が好ましい。代表的
には、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシ
シラン、デシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン（ＯＤＳ）、エイ
コシルトリエトキシシラン、トリアコンチルトリエトキシシランがあげられる。
また、有機シランの一例として、Ｒにアリル基を有するアルコキシシランを用いることが
できる。アルコキシシランとしては、炭素数６〜８のアリル基を有するアルコキシシラン
が好ましく、代表的には、フェニルトリエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、
フェネチルトリエトキシシラン、トルイルトリエトキシシランなどがある。
また、有機シランの一例として、Ｒにフルオロアリル基を有するアルコキシシランを用い
ることができる。アルコキシシランとしては、炭素数６〜９のフルオロアリル基を有する
アルコキシシランが好ましく、代表的には、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン
、（ペンタフルオロフェニル）プロピルトリエトキシシランなどがある。
ここで、基板としてガラス基板を用い、その表面を有機シランの一例としてＣＦ３（ＣＦ
２）ｋＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３で処理した場合のガラス基板表面の構造を図１７
に示す。ガラス基板表面と酸素が結合し、当該酸素と珪素が結合し、当該珪素と比較的不
活性な基であるＣＦ３（ＣＦ２）ｋＣＨ２ＣＨ２とが結合している。さらには、隣接する
珪素は酸素を介して結合している。
すなわち、基板表面を比較的不活性な基が覆っているため、表面における表面エネルギー
は相対的に小さくなる。また、表面エネルギーの異なる組成物は、当該膜上で弾かれやす
くなる。例えば水に対する接触角は、ＣＦ＜ＣＦ２＜ＣＦ３の順に増大し、表面エネルギ
ーは相対的に小さくなる。また、フッ化炭素鎖長が長いほど、接触角が大きくなり、表面
エネルギーが相対的に小さくなる傾向にある。この結果、組成物は表面エネルギーの小さ
な膜の表面を流動し、安定な形状にとどまる。
以下、基板または部材表面を有機シランで処理して形成した膜を、珪素及び酸素が結合し
且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜と示す。
有機シランの組成物の溶媒としては、ｎーペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−
オクタン、ｎ−デカン、ジシクロペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、
インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワランなどの炭化水素
系溶媒又はテトラヒドロフランなどを用いる。
上記材料を用いて珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１０２を
形成する場合、上記材料を、塗布法、液相法、蒸着法等を用いて形成する。また、上記材
料を基板１０１表面に化学吸着させて形成しても良い。化学吸着させることで、単分子膜
を形成することができる。
珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１０２を単分子膜で形成す
ると、後に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜の一部を分解す
るとき、短時間で分解することが可能である。また、厚さが均一であるため、バラツキな
く珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を分解することが可能で
ある。単分子膜の形成方法としては、密閉容器内に基板及び有機シランを有する組成物を
配置し蒸発させて絶縁膜表面に有機シランを化学吸着させた後、アルコールで洗浄するこ
とで、酸素、珪素及び不活性な基を有する単分子膜を形成することができる。また、有機
シランを有する溶液中に、基板を浸漬することで、絶縁膜表面に有機シランが化学吸着し
て単分子膜となり、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成
することが可能である。
ここでは、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１０２としては
、ＦＡＳ試薬を含む密閉容器に基板を封入し、５０度〜２００度、好ましくは１００〜２
００度で５分以上加熱して、ＦＡＳを基板１０１表面に吸着させて形成する。
組成物１０６としては、形成する膜パターンの構成に応じて適宜用いることができる。導
電性の膜パターンを形成する場合、組成物としては導電性ペーストを用いればよい。導電
性ペーストとしては、径が数ｎｍ〜数μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解又は分散させた
ものを用いる。導電性粒子としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ
、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＢａのいずれか一つ以上
の元素微粒子、ハロゲン化銀の微粒子、又は分散性ナノ粒子を用いることができる。また
、これらの材料からなる導電膜を積層して膜パターン１１２を形成することができる。ま
た、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子を凝集させるバインダー、溶媒、分
散剤、及び被覆剤として機能する有機樹脂から選ばれた一つ又は複数を用いることができ
る。代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。
絶縁性の膜パターンを形成する場合、組成物としては、絶縁性ペーストを用いればよい。
絶縁性ペーストとしては、絶縁性粒子とバインダーからなるペーストを用いることができ
る。絶縁性粒子としては、シリカ、アルミナなどが挙げられる。
また、絶縁性ペーストとして、熱硬化型樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができる。代
表的には、ポリイミド、アクリル、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、珪素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポ
リビニルアルコール、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン、、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド（ナイロン）等を含むペーストがあ
り、レジストも含まれる。また、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）
、シリケート系ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、及びポリシラザン系ＳＯＧ、並
びにアルコキシシリケート系ＳＯＧ、ポリメチルシロキサン等が挙げられる。
また、組成物として、導電性粒子が分散された異方性導電ペーストを用いることができる
。
組成物は、フルオロアルキル基やアルキル基などの比較的不活性な基、酸素、及び珪素を
有する膜上に印刷されるため、組成物の表面エネルギーが安定化するような形状となる。
このため、組成物の側面の凸凹（うねり）が低減される。このような組成物を乾燥及び焼
成することで、凸凹が低減された膜パターンを形成することが可能である。
ここでは、異なる幅の開口部が設けられた乳剤を有するスクリーン印刷版を用いて、導電
性の組成物を塗布し焼成したときの膜パターンの幅について図１６を用いて説明する。こ
こでは、基板として、ガラス基板と、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が
結合する膜を有するガラス基板との２種類を用いた。また、導電性の組成物として、住友
電気工業株式会社製、製品名ＡＧＥＰ−２０１Ｘ（銀粒子、酢酸２−（２−ブトキシエト
キシ）エチル、エポキシ樹脂を含む）のＡｇペーストを用いた。また、金網の太さ１４μ
ｍ、金網の開口部の幅が５３μｍであるスクリーン印刷版を用いた。また、スクリーン印
刷版の乳剤の開口部の幅は、３０μｍ〜１８０μｍまで１０μｍごとに設定した。
珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を有するガラス基板の作製
方法としては、１７０度に加熱したホットプレート上に、ガラス基板及びその周囲にＦＡ
Ｓが設けられたトレイを設置し、トレイを封して、１０分加熱してガラス基板の表面にＦ
ＡＳを吸着させた。この後、ガラス基板表面をエタノールで洗浄して、均一な膜厚の珪素
及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成した。
次に、各基板の表面から１．６６５ｍｍの間隔をおいてスクリーン印刷版を設置した。次
に、スクレッパを用いてＡｇペーストをスクリーン印刷版の上に広げた。このときの条件
を、スクレッパ圧力０．１８２ＭＰａ、スキージストローク速度２０ｍｍ／ｓｅｃとした
。
次に、スキージを押下して、Ａｇペーストを基板表面に印刷した。このときの条件を、ス
キージ圧力０．１６５ＭＰａ、スキージ角度８０度、スキージ硬さ８０、スキージストロ
ーク速度８ｍｍ／ｓｅｃとした。この後、２００度で３０分加熱して、Ａｇペ−ストを焼
成して膜パターンを形成した。
このときの、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を有するガラ
ス基板上に形成した膜パターンの幅（実測値）の平均値を表１〜表３に示す。表１は、粘
度が４０Ｐａ・ｓのＡｇペーストを用いて形成した膜パターン（試料１）の幅（実測値）
の平均値を示し、表２には、粘度が２００Ｐａ・ｓのＡｇペーストを用いて形成した膜パ
ターン（試料２）の幅（実測値）の平均値を示し、表３には、粘度が４００Ｐａ・ｓのＡ
ｇペーストを用いて形成した膜パターン（試料３）の幅（実測値）の平均値を示す。また
、ガラス基板上の膜パターンの幅（実測値）の平均値を表４〜６に示す。表４には、粘度
が４０Ｐａ・ｓのＡｇペーストを用いて形成した膜パターン（比較試料１）の幅（実測値
）の平均値を示し、表５には、粘度が２００Ｐａ・ｓのＡｇペーストを用いて形成した膜
パターン（比較試料２）の幅（実測値）の平均値を示し、表６には、粘度が４００Ｐａ・
ｓのＡｇペーストを用いて形成した膜パターン（比較試料３）の幅（実測値）の平均値を
示す。また、表１〜表６をもとに、それぞれの基板におけるスクリーン印刷版の開口部の
幅の設計値と膜パターンの幅の関係を図１６に示す。
図１６において、横軸をスクリーン印刷版の開口部の幅の設計値、縦軸を膜パターンの幅
（実測値）の平均値とした。また、実線により、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不
活性な基が結合する膜が形成されたガラス基板上での膜パターン（試料１〜３）の幅を示
し、破線により、ガラス基板上での膜パターン（比較試料１〜３）の幅を示した。また、
それぞれ丸印はＡｇペーストの粘度が４０Ｐａ・ｓのときの膜パターン（試料１及び比較
試料１）の幅（実測値）の平均値を示し、三角印はＡｇペーストの粘度が２００Ｐａ・ｓ
ときの膜パターン（試料２及び比較試料２）の幅（実測値）の平均値を示し、四角印はＡ
ｇペーストの粘度が４００Ｐａ・ｓのときの膜パターン（試料３及び比較試料３）の幅（
実測値）の平均値を示した。
図１６に示すように、ガラス基板上に形成された膜パターンは、スクリーン印刷版の設計
値より太くなっている。一方、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜上に形成された膜パターンは、スクリーン印刷版の設計値が３０〜８０μｍの間では
、スクリーン印刷版の設計値と比較して若干太くなった。なお、このときの膜パターンの
幅は、ガラス基板上に形成した膜パターンの幅よりも細くなった。また、スクリーン印刷
版の設計値が９０〜１００μｍの間では、スクリーン印刷版設計値とほぼ同じ幅となった
。また、スクリーン印刷版の設計値が１１０〜１８０μｍの間では、ほぼスクリーン印刷
版の設計値と比較して若干細くなった。
以上の結果から、スクリーン印刷法により、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性
な基が結合する膜上に組成物を塗布することで、膜パターンの幅の制御が可能である。
次に、上記条件により、乳剤の開口部の幅が１１０μｍのスクリーン印刷版を用いて形成
した膜パターンの断面ＳＥＭ図（前面上方から観察）を、図１８に示す。
図１８（Ａ）は、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を有する
ガラス基板１８０１上に形成された膜パターン１８０２である。なお、珪素及び酸素が結
合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は単分子膜であるため、ＳＥＭで観察するこ
とが困難であった。膜パターンの幅は９８μｍであり、最大膜厚が１９μｍであった。一
方、図１８（Ｂ）は、ガラス基板１８１１上に形成された膜パターン１８１２である。膜
パターンの幅は１４８μｍであり、最大膜厚が１３μｍであった。以上の図より、酸素、
珪素及び不活性な基を有するガラス基板上に組成物を印刷すると、開口部とほぼ同様の幅
を有し、且つ側面の凸凹が低減された膜パターンを形成することが可能である。
次に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を介して導電膜の電
気抵抗を測定した。その測定結果について図１９を用いて説明する。
図１９（Ａ）に示すように、ガラス基板１９０１上に、スパッタリング法により膜厚５μ
ｍのアルミニウム膜１９０２を形成した。次に、アルミニウム膜１９０２上に、上記方法
によりＦＡＳを吸着させた後、アルコールで洗浄して、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪
素に不活性な基が結合する膜１９０３を形成した。このときの珪素及び酸素が結合し且つ
前記珪素に不活性な基が結合する膜は、膜厚がきわめて薄く、ＳＥＭで観察が困難であっ
た。次に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１９０３上に、
上記方法によりＡｇペーストを塗布し焼成して膜厚５μｍのＡｇ膜１９０４ａ、１９０４
ｂを形成して、試料Ａを作製した。また、図１９（Ｂ）に示すように、ガラス基板１９０
１上にスパッタリング法により膜厚５μｍのアルミニウム膜１９０２を形成し、アルミニ
ウム膜上に印刷法によりＡｇペーストを塗布し焼成して、膜厚５μｍのＡｇ膜１９０４ａ
、１９０４ｂを形成して、試料Ｂを作製した。
この後、試料Ａ及び試料Ｂそれぞれにおいて、Ａｇ膜１９０４ａ、１９０４ｂの間の電気
抵抗率を、テスターを用いて測定したところ、試料Ａ及び試料Ｂの抵抗率は、それぞれ０
．２Ωであった。この結果から、導電膜は、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性
な基が結合する膜を介して導通をとることが可能であることがわかった。
本実施例では、本発明を用いて導電性を有する膜パターン及び当該膜パターンを有する
半導体装置を形成する工程について図３を用いて説明する。半導体装置として無線チップ
、無線タグ、無線ＩＣ、ＲＦＩＤ、ＩＣタグなどの半導体装置を用いて説明する。また、
本実施例においては、導電性を有する膜パターンとして、無線によるデータの受信や送信
が可能なアンテナを用いて説明する。
図３（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｄ）はアンテナを有する基板の断面図であり、図３（Ｂ）、（
Ｅ）は、アンテナを有する基板の斜視図である。また、図３（Ｂ）におけるＡ−Ｂの断面
図を図３（Ａ）に示し、図３（Ｅ）におけるＡ−Ｂの断面図を図３（Ｄ）に示す。
基板１０１上に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１０２を
形成する。次に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１０２上
に、スクリーン印刷法により組成物を塗布する。具体的には、金網（メッシュ）１０４及
びマスク用の乳剤１０５が枠１０３に設けられたスクリーン版を基板上に設ける。次に、
スクリーン印刷版１００上に導電性の組成物３０６を設け、スキージ１０７を用いて導電
性の組成物３０６を押し出す。この結果、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜１０２上に、導電性の組成物３１３を塗布することができる（図３（Ａ）
〜（Ｃ）参照）。
ここでは、基板１０１としてガラス基板を用いる。また、珪素及び酸素が結合し且つ前記
珪素に不活性な基が結合する膜１０２は、ＦＡＳを基板表面に吸着させて形成する。また
、導電性の組成物３０６は、Ａｇペーストを用いる。
次に、塗布された導電性の組成物３１３を乾燥及び焼成することで、コイル状のアンテナ
３１２を形成することができる（図３（Ｄ）及び（Ｅ）参照。）。
以上の工程により、側面における凹凸を低減したアンテナを形成することができる。また
、アンテナを有する基板を形成することができる。導電膜の間隔も均一となる。この結果
、インダクタンスにばらつきの少なく、起電力の高いアンテナを形成することができる。
次に、上記アンテナを有する基板を用いて形成された無線チップに代表される半導体装置
について図４及び図５を用いて説明する。
本発明の半導体装置は、複数の回路が集積された構成を有し、複数の電界効果トランジス
タを有する層５３０が形成されている。また、アンテナが基板上に形成されている。ここ
では、実施形態１で形成される膜パターンをアンテナとして有する基板５３１を示す（図
４（Ａ）参照。）。複数の電界効果トランジスタを有する層５３０は様々な複数の電界効
果トランジスタを有する。
まず、複数の電界効果トランジスタを有する層５３０の断面構造について説明する。単結
晶半導体基板５００上には、素子分離領域５０６ａ〜５０６ｃを介して電界効果トランジ
スタ５１１、５１２が形成されている。電界効果トランジスタ５１１、５１２は公知の手
法を用いて形成することができる。
一方、アンテナ３２１を有する基板５３１には、導電膜の接続端子３１２ａが形成されて
いる。
図４に示すように、電界効果トランジスタ５１１の導電層５４１と接続端子３１２ａとを
接続させて半導体装置が形成される。具体的には、アンテナを有する基板５３１と、複数
の電界効果トランジスタを有する層５３０とが、異方性導電接着剤５５２で接着されてい
る。また、異方性導電接着剤５５２には、導電性粒子５５１が分散されており、当該導電
性粒子５５１を介してアンテナの接続端子３１２ａと、電界効果トランジスタ５１１のソ
ース電極又はドレイン電極として機能する導電層５４１とが接続されている。
異方性導電接着剤の代表例としては、分散した導電性粒子５５１（粒径が、数ｎｍ〜数十
μｍ）を含有する接着性樹脂であり、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。ま
た、導電性粒子５５１は、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若し
くは複数の元素で形成される。また、これらの元素の多層構造を有する粒子でも良い。更
には、樹脂で形成された粒子の表面に、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた
一元素、若しくは複数の元素で形成される薄膜が形成された導電性粒子を用いてもよい。
導電性粒子５５１が、直径が１〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍである場合、一つ
又は複数の導電性粒子５５１と接続端子３１２ａが接続する。この場合、一つ又は複数の
導電性粒子５５１で接続端子３１２ａと導電層５４１の間隔を保持する。
また、図４（Ｃ）に示すように、直径が０．５〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍの導
電性粒子５５３が含まれる接着層５５４を用いても良い。この場合、導電層５４１と接続
端子３１２ａは、垂直方向に押しつぶされた形状の導電性粒子５５３で接続される。この
ときは、導電性粒子５５３で導電層５４１と接続端子３１２ａの間隔を保持する。
電界効果トランジスタの代わりに、絶縁基板上に設けられたＴＦＴを有する層を用いても
よい。
次に、単結晶半導体基板の代わりにＴＦＴを用いて回路を形成し、アンテナをＴＦＴの裏
面にて接続する例を、図５を用いて説明する。ここで、ＴＦＴの裏面とは、ＴＦＴが形成
される絶縁膜７０３側のことをいう。
図５（Ａ）に示すように、基板上に設けられたＴＦＴ７０１、７０２を有する層上に基体
７５０を設け、基板からＴＦＴ７０１、７０２を有する層を剥離し、剥離した面にアンテ
ナ３２１を有する基板５３１を、異方性導電接着剤５６２で貼りあわせることが可能であ
る（図５（Ａ）参照）。
なお、ここでは、ＴＦＴ７０１のソース配線又はドレイン配線として機能する導電膜７２
４ａは、絶縁膜７２３、７２２、７０３の開口部を充填する領域７２４ｃを有する。この
ため、絶縁膜７０３の開口部に導電膜が露出するため、ＴＦＴの裏面にて、アンテナとし
て機能する導電膜とＴＦＴとを接続することが可能である。絶縁膜７２３、７２２、７０
３の開口部は、絶縁膜７２３、７２２をエッチングしてソース領域及びドレイン領域７１
９ａ、７１９ｂ及び絶縁膜７０３を露出した後、絶縁膜７０３の露出部をエッチングし開
口部を形成することで、形成することができる。
基体７５０としては、実施の形態で示される基板１０１やフィルムを用いることが可能で
ある。フィルムとしては、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、
塩化ビニルなどからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステ
ル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合
成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルム等を利用することができる。また、フ
ィルムと被処理体には、加熱処理や加圧処理のような熱圧着が行われる。加熱処理と加圧
処理を行う際には、フィルムの最表面に設けられた接着層か、又は最外層に設けられた層
（接着層ではない）を加熱処理によって溶かし、加圧により接着する。
また、フィルムの表面には接着層が設けられていてもよいし、接着層が設けられていなく
てもよい。接着層は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤等の接着剤を
含む層に相当する。シート材にシリカコートを用いることが好ましく、例えば、接着層と
ポリエステル等のフィルムとシリカコートを積層させたシート材を利用することができる
。
基板からＴＦＴ７０１、７０２を有する層を剥離する方法としては、（１）基板に、３０
０〜５００度程度の耐熱性を有する基板を用い、当該基板と絶縁膜７０３との間に金属酸
化膜を設け、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、当該ＴＦＴ７０１、７０２を有
する層を物理的に剥離する方法、（２）基板と絶縁膜７０３との間に、水素を含む非晶質
珪素膜を設けレーザ光を照射する、またはガスや溶液でのエッチングにより当該非晶質珪
素膜を除去することで、当該ＴＦＴ７０１、７０２を有する層を剥離する方法、（３）Ｔ
ＦＴ７０１、７０２を有する層が形成された基板を機械的に削除、又は溶液によるエッチ
ング除去により、当該ＴＦＴ７０１、７０２を有する層を切り離す方法、（４）耐熱性の
高い基板と絶縁膜７０３の間に剥離層及び金属酸化膜を設け、当該金属酸化膜を結晶化に
より脆弱化し、剥離層の一部を溶液やＣＦ３等のガスによりエッチングで除去した後、脆
弱化された金属酸化膜において物理的に剥離する方法等を用いればよい。
異方性導電接着剤５６２は、異方性導電接着剤５５２と同様に導電性粒子５６１が分散さ
れた接着剤である。ＴＦＴ７０１、７０２を有する層と、導電膜を有する基板５３１とを
圧着することで、これらを接着することが可能であり、且つ絶縁膜７０３、７２２、７２
３の開口部を充填する領域７２４ｃと導電膜の接続端子３２１ａとを、導電性粒子５６１
を介して電気的に接続することが可能である。
更には、ＴＦＴ７０１、７０２を有する層の裏面と共に、表面にアンテナを有する基板５
８１を、異方性導電接着剤５７２を用いて貼り合せてもよい（図５（Ｂ）参照。）。代表
的には、露出させたＴＦＴ７０２のソース電極又はドレイン電極７２４ｂの一部と、アン
テナを有する基板５８１上に形成された導電膜の接続端子１２１ａとを異方性導伝粒子５
７１で電気的に接続させることが可能である。
上記のように、剥離したＴＦＴ７０１、７０２を有する層を、フレキシブル基板やフィル
ムに貼り合わせると、厚さが薄く、軽く、落下しても割れにくい半導体装置を提供するこ
とができる。また、フレキシブル基板は可撓性を有するため、曲面や異形の形状上に貼り
合わせることが可能となり、多種多様の用途が実現する。また、基板を再利用すれば、安
価な半導体装置の提供が可能である。
また、複数のアンテナを有する場合、一つのアンテナが破損しても、他のアンテナで外部
装置から供給される電磁波を受信することが可能であるため、耐久性を向上させることが
可能である。また、複数のアンテナの通信する周波数帯が異なる場合、複数の周波数帯を
受信することが可能であるため、リーダライタの選択幅が広がる。
以上の構成により、無線チップなどの半導体装置が作製される。
本実施例では、本発明を用いて導電性を有する膜パターン及び当該膜パターンを有する半
導体装置を形成する工程について図６及び図７を用いて説明する。本実施例において、導
電性を有する膜パターンとして画素電極を用い、半導体装置として発光表示装置を用いて
説明する。
図６（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図６（Ａ）中の鎖線Ａ
−Ａ’で切断した断面図が図６（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図６（Ｃ
）である。
第１の基板２１０上には、珪素、酸素及び不活性な基を有する膜２１２が形成され、その
上にストライプ状に複数の第１の電極２１３が等間隔で配置されている。また、第１の電
極２１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁２１４が設けられ、開口部を有す
る隔壁２１４は、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド
、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、若しくはＳＯＧ膜（例えば
、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。また、上記材料に黒色顔料やカー
ボンブラックを分散させて、遮光性を有する隔壁としてもよい。このように遮光性をもた
せることで、開口部を有する隔壁２１４はブラックマトリクス（ＢＭ）として機能させて
いる。なお、各画素に対応する開口部が発光領域２２１となる。
開口部を有する隔壁２１４上に、第１の電極２１３と交差する互いに平行な複数の逆テ
ーパ状の隔壁２２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁２２２はフォトリソグラフィ法に従
い、未露光部分がパターンとして残るポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多
くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。この
逆テーパ状の隔壁２２２も上述した遮光性を有する材料で形成し、さらにコントラストの
向上を図ってもよい。
逆テーパ状の隔壁２２２の高さは、有機化合物を含む層２１５Ｒ、２１５Ｇ、２１５Ｂ及
び第２の電極２１６の膜厚より大きく設定することで、それぞれの有機化合物を含む層２
１５Ｒ、２１５Ｇ、２１５Ｂと、第２の電極２１６とが電気的に独立して形成される。第
２の電極２１６は、第１の電極２１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ
状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁２２２上にも有機化合物を含む膜及び導電膜が
形成される。
ここでは、有機化合物を含む層２１５Ｒ、２１５Ｇ、２１５Ｂを選択的に形成し、３種類
（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示してい
る。有機化合物を含む層２１５Ｒ、２１５Ｇ、２１５Ｂはそれぞれ互いに平行なストライ
プパターンで形成されている。
また、全面に有機化合物を含む層を形成し、単色の発光素子を設けてもよく、モノクロ表
示可能な発光装置、或いはエリアカラー表示可能な発光装置としてもよい。また、白色発
光が得られる発光装置として、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表
示可能な発光装置としてもよい。隔壁２１４を遮光性を有する材料で形成することで、ブ
ラックマトリクスとして機能するため、着色層のみからなるカラーフィルタを用いること
ができる。
また、発光素子の封止は、シール材を用いて第２の基板を貼り合わせることによって行う
。必要があれば、第２の電極２１６を覆う保護膜を形成してもよい。なお、第２の基板と
しては、水分に対するバリア性の高い基板が好ましい。また、必要であれば、シール材で
囲まれた領域内に乾燥剤を配置してもよい。
また、第１の電極２１３を光反射性を有する導電材料とし、第２の電極２１６を透光性を
有する導電材料とした場合には、発光素子からの発光を第２の基板を通過させて取り出す
トップエミッション型の発光装置とすることができる。第１の電極２１３として、炭素及
びニッケルを含むアルミニウム合金膜を、単層、或いは透明導電膜との積層の下層側に用
いると、通電、或いは熱処理によりＩＴＯや酸化珪素を有するＩＴＯと、炭素及びニッケ
ルを含むアルミニウム合金膜とのコンタクト抵抗値に大きな変動がないため好ましい。
また、第１の電極２１３を、透光性を有する導電材料とし、第２の電極２１６を光反射性
を有する導電材料とした場合には、発光素子からの発光を第１の基板２１０を通過させて
取り出すボトムエミッション型の発光装置とすることができる。
また、第１の電極２１３および第２の電極２１６をともに透光性を有する導電材料とした
場合には、発光素子からの発光を第１の基板及び第２の基板の両方を透過させることを両
方行うことが可能な発光装置とすることができる。
次に、図６に示す表示装置の作製方法を図７を用いて説明する。
図６（Ｂ）に示す領域の作製工程を図７（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、及び（Ｇ）に示し、図
６（Ｃ）に示す領域の作製工程を図７（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）、及び（Ｈ）に示す。
基板２１０上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜２１２を形
成し、スクリーン印刷法により酸化亜鉛、酸化インジウムを有する組成物を塗布し、乾燥
及び焼成を行ってストライプ状の第１の電極２１３を形成する（図７（Ａ）及び（Ｂ）参
照。）。
次に、第１の電極２１３上に、各画素に対応する開口部を有する隔壁２１４を形成する。
隔壁は、上記材料を用いてスクリーン印刷法や、塗布法及びエッチング法等の公知の手法
により形成することができる。ここでは、黒色顔料やカーボンブラックを分散させてなる
感光性または非感光性の有機材料を印刷し、乾燥及び焼成して開口部を有する隔壁２１４
を形成する。
次に、開口部を有する隔壁２１４上に、第１の電極２１３と交差し、且つ互いに平行な複
数の逆テーパ状の隔壁２２２を形成する。ここでは、ポジ型感光性樹脂を塗布し、乾燥焼
成した後、フォトリソグラフィ法に従い露光した後現像して、未露光部で形成される逆テ
ーパ状の隔壁を形成する。このとき、隔壁の下部がより多くエッチングされるように露光
量または現像時間を調節することによって、逆テーパ状とすることができる。この逆テー
パ状の隔壁２２２も上述した遮光性を有する材料で形成することで、さらにコントラスト
の向上を図ることができる（図７（Ｃ）及び（Ｄ）参照。）。
次に、有機化合物を含む層２１５Ｒ、２１５Ｇ、２１５Ｂを選択的に形成する。有機化合
物を含む層２１５Ｒ、２１５Ｇ、２１５Ｂは、それぞれ互いに平行なストライプパターン
で形成されている。この結果、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可
能な発光装置を形成することが可能である（図７（Ｅ）及び（Ｆ）参照。）。
次に、第２の電極２１６を形成する。なお、第２の電極として、反射性を有する導電層を
スパッタリング法や蒸着法等の公知の手法により形成する。なお、ここでは、逆テーパを
有する隔壁２２２で、各画素部が区切られている。このため、有機化合物を含む層２１５
Ｒ、２１５Ｇ、２１５Ｂ及び第２の電極２１６は、逆テーパ状の隔壁２２２の頭部によっ
て形成が妨げられる。このため、公知のフォトリソグラフィ工程を用いずとも、逆テーパ
状の隔壁２２２ごとに、有機化合物を含む層及び第２の電極を分断することができる。
この後、基板２１０を対向基板で封止することで、表示装置を形成することができる。封
止を行った後、ＦＰＣなどを実装した表示装置の上面図を図１３に示す。
なお、本明細書中における表示装置は、表示装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘ
ｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が
取り付けられたモジュール、若しくはＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設け
られたモジュール、若しくは表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
基板１３０１と対向基板１３１０が対向するようにシール材１３１１で貼り付けられて
いる。シール材１３１１としては光硬化樹脂を用いれば良く、脱ガスが少なく、吸湿性の
低い材料が好ましい。また、シール材１３１１は基板間隔を一定に保つため、フィラー（
棒状またはファイバー状のスペーサ）や球状のスペーサを添加したものであっても良い。
なお、対向基板１３１０としては基板１３０１と熱膨張係数が同一の材料が好ましく、ガ
ラス（石英ガラスを含む）もしくはプラスチックを用いることができる。
図１３に示すように画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交す
るように交差している。
図６における第１の電極２１３が図１３のデータ線１３０３に相当し、第２の電極２１６
が走査線１３０２に相当し、逆テーパ状の隔壁２２２が隔壁１３０４に相当する。データ
線１３０３と走査線１３０２の間には有機化合物を含む層が挟まれており、１３０５で示
される交差部が画素１つ分となる。
なお、データ線１３０３は配線端で入力端子１３０７と電気的に接続され、入力端子１３
０７を介してＦＰＣ１３０９ｂに接続される。また、走査線１３０２は入力端子１３０６
を介してＦＰＣ１３０９ａに接続される。
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（
λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、
偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡
散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また偏光板、又は円
偏光板に加熱処理を施すアンチリフレクション処理を施してもよい。その後さらに、外部
衝撃から保護するためハードコート処理を施すとよい。ただし、偏光板、又は円偏光板を
用いると、偏光板、又は円偏光板により光の取り出し効率が低下してしまう。また、偏光
板、又は円偏光板自体のコストが高く、且つ、劣化しやすい。
以上の工程により、画素電極及び発光表示装置を形成することが可能である。
本実施例では、ＴＦＴに接続される導電膜を有する半導体装置の作製方法について、図８
を用いて説明する。基板７００上に複数のトランジスタを有する層が設けられている。こ
れらのＴＦＴは、ｐチャネル型ＴＦＴ、ｎチャネル型ＴＦＴ等を適宜組み合わせて構成す
ることが可能である。ここでは、ＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴで示す。
ＴＦＴ７０１、７０２は、基板７００上に形成された絶縁膜７０３上に設けられている。
また、ＴＦＴ７０１、７０２と、パッシベーション膜として機能する絶縁膜７２２を覆う
ように、絶縁膜７２３が設けられており、これらの絶縁膜７２３は、表面を平坦化するた
めに設けられている。ソース配線又はドレイン配線として機能する導電膜７２４ａ、７２
４ｂは、ソース領域及びドレイン領域７１９ａ、７１９ｂに接し、絶縁膜７２３に設けら
れたコンタクトホールを充填する。
また、導電膜７２４ａ、７２４ｂを覆うように、絶縁膜７２６、７２７が設けられている
。これらの絶縁膜７２６、７２７は、表面を平坦化する目的と、ＴＦＴ７０１、７０２及
び導電膜７２４ａ、７２４ｂを保護する目的で設けられている。
絶縁膜７２６、７２７を形成した後、絶縁膜７２６、７２７に、一部開口部を設けて、導
電膜７２４ａを露出する。次に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合
する膜７２８を形成する。ここでは、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が
結合する膜７２８としては、実施形態に示す珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性
な基が結合する膜１０２と同様の物質を適宜用いることができる（図８（Ａ）参照。）。
次に、開口部上に形成された珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する
膜７２８上に、スクリーン印刷法を用いて導電性の組成物を塗布する。この結果、所望の
形状を有する導電性の組成物７３１が珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が
結合する膜７２８上に塗布される。導電性の組成物は実施の形態に示す導電性の組成物を
適宜用いることができる（図８（Ｂ）参照。）。
次に、以上の工程により、所望の形状を有する導電性の組成物を乾燥及び焼成してＴＦＴ
に接続する導電膜７４１を形成することができる。なお、導電膜７４１は、接続端子、配
線やアンテナとして機能する。
本実施例では、ＴＦＴに接続される導電膜を有する半導体装置の作製方法について、図９
を用いて説明する。ここでは、スクリーン印刷法により形成する導電膜として画素電極を
形成し、半導体装置として液晶表示装置を形成する。
実施例４と同様に、基板７００上にＴＦＴ７０１、及びＴＦＴ７０１覆う絶縁膜７２２
、７２３を形成する。次に、絶縁膜７２２、７２３の一部をエッチングして開口部を設け
た後、ソース領域及びドレイン領域７１９ａに接続する導電膜７２４ａを形成する。
次に、絶縁膜７２３及び導電膜７２４ａ上に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活
性な基が結合する膜７５１を形成する。
次に、スクリーン印刷法により、珪素、酸素及び不活性な基を有する膜７５１上に、実施
の形態１と同様に第１の画素電極７５２を印刷する（図９（Ｂ）参照。）。
画素電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛
（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化珪素を含む酸化インジウムス
ズなどを含む組成物を用いて印刷し、焼成して、透光性を有する画素電極を形成すること
ができる。このような画素電極を用いることで、透過型液晶表示装置を作製することがで
きる。
また、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウ
ム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いて印刷し、焼成して、反射性を有する画
素電極を形成することができる。このような画素電極を用いることで、反射型液晶表示装
置を作製することができる。
さらには、上記透光性を有する画素電極及び反射性を有する画素電極を一画素ごとに設け
ることで、半透過型液晶表示装置を作製することができる。
以上の工程により、アクティブマトリクス基板を形成することができる。
次に、印刷法やスピンコート法により、絶縁膜を成膜し、ラビングを行って配向膜７５
３を形成する。なお、配向膜７５３は、斜方蒸着法により形成することもできる。
次に、図示しないが、配向膜７６４、第２の画素電極（対向電極）７６３、及び着色層
７６２が設けられた対向基板７６１において、画素部の周辺の領域に液滴吐出法により閉
ループ状のシール材を形成する。シール材には、フィラーが混入されていてもよく、さら
に、対向基板７６１にはカラーフィルタや遮蔽膜（ブラックマトリクス）などが形成され
ていても良い。
次に、ディスペンサ式（滴下式）により、シール材で形成された閉ループ内側に、液晶
材料を滴下したのち、真空中で、対向基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、
紫外線硬化を行って、液晶材料が充填された液晶層７６５を形成する。なお、液晶層７６
５を形成する方法として、ディスペンサ式（滴下式）の代わりに、対向基板を貼り合わせ
てから毛細管現象を用いて液晶材料を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いることが
できる。
この後、走査線、信号線の接続端子部に、接続導電層を介して配線基板、代表的にはＦ
ＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｒｃｕｉｔ）を貼り付ける。以上の工程により
、液晶表示装置を形成することができる。
なお、静電破壊防止のための保護回路、代表的にはダイオードなどを、接続端子とソース
配線（ゲート配線）の間または画素部に設けてもよい。この場合、上記したＴＦＴと同様
の工程で作製し、画素部のゲート配線層とダイオードのドレイン又はソース配線層とを接
続することにより、静電破壊を防止することができる。
本実施形態では、半導体装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。
基板１１００の一表面に、絶縁膜１００１、剥離層１１０２ａ、１１０２ｂを形成する（
図１０（Ａ）参照。）。
基板１１００は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁膜を
形成したもの等を用いる。上記に挙げた基板１１００には、大きさや形状に制約がないた
め、例えば、基板１１００として、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用い
れば、生産性を格段に向上させることができる。この利点は、円形のシリコン基板を用い
る場合と比較すると、大きな優位点である。
剥離層１１０２ａ、１１０２ｂは、基板１１００の一表面に絶縁膜１００１を形成した後
、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成した後、該レジストを用いて選択的
に導電層をエッチングして形成する。剥離層１１０２ａ、１１０２ｂは、公知の手段（ス
パッタリング法やプラズマＣＶＤ法等）により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ
）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト
（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ
）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から
選択された元素、又は前記元素を主成分とする合金材料、若しくは前記元素を主成分とす
る化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非
晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
剥離層１１０２ａ、１１０２ｂが単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブ
デン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステ
ンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む
層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成
する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデ
ンの合金がある。
剥離層１１０２ａ、１１０２ｂが積層構造の場合、１層目としてタングステン層、モリブ
デン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タン
グステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒
化物又は窒化酸化物を含む層を形成することが好ましい。
剥離層１１０２ａ、１１０２ｂとして、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を
含む層の積層構造を形成する場合として、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸
化珪素を含む層を形成することで、タングステン層と酸化珪素層との界面に、タングステ
ンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む
層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、Ｎ２Ｏプラズマ処理、オゾン水等の酸化力
の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。これは
、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様であ
り、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化
珪素層を形成するとよい。
タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表される。Ｘは２≦ｘ≦３の範囲内にあり、ｘが２の
場合（ＷＯ２）、ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、
ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。
また、上記の工程によると、基板１１００と剥離層１１０２ａ、１１０２ｂとの間に絶縁
膜１００１を設けているが、本発明はこの工程に制約されない。基板１１００に接するよ
うに剥離層１１０２ａ、１１０２ｂを形成してもよい。
ここでは、基板１１００としてガラス基板を用い、絶縁膜１１０１として厚さ１００ｎｍ
の酸化窒化珪素膜をＣＶＤ法により形成し、剥離層１１０２ａ、１１０２ｂとして、厚さ
３０ｎｍのタングステン層をスパッタリング法により形成する。
次に、図１０（Ｂ）に示すように、剥離層１１０２ａ、１１０２ｂを覆うように、下地と
なる絶縁膜１１０５を形成する。絶縁膜１１０５は、公知の手段（スパッタリング法やプ
ラズマＣＶＤ法等）により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜を、単層又は積層
で形成する。下地となる絶縁膜は、基板１１００からの不純物の侵入を防止するブロッキ
ング膜として機能する。
ここでは、下地となる絶縁膜１１０５として、スパッタリング法により厚さ２００ｎｍの
酸化珪素膜を形成する。
次に、絶縁膜１１０５上に、非晶質半導体膜（例えば非晶質珪素を含む膜）を形成する。
続いて、非晶質半導体膜を公知の結晶化法（レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニ
ール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助
長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み合わせた方法等）により結晶
化して、結晶質半導体膜を形成する。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエ
ッチングして結晶質半導体膜１１２７〜１１３０を形成する。
結晶質半導体膜１１２７〜１１３０の作製工程の具体例を挙げると、まず、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いて、膜厚６６ｎｍの非晶質半導体膜を形成する。次に、結晶化を助長する金属
元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後、非晶質半導体膜に脱
水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０℃、４時間）を行って結
晶質半導体膜を形成する。その後、必要に応じて連続発振またはパルス発振のレーザ光を
照射し、フォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクを用いて選択的に結晶性半
導体膜をエッチングして結晶質半導体膜１１２７〜１１３０を形成する。
また、結晶質半導体膜上に、ゲッタリングサイトとして機能する非晶質半導体膜を形成す
るとよい。ゲッタリングサイトとなる非晶質半導体膜には、リンやアルゴンの不純物元素
を含有させる必要があるため、好適には、アルゴンを高濃度に含有させることが可能なス
パッタリング法で形成するとよい。その後、加熱処理（ＲＴＡ法やファーネスアニール炉
を用いた熱アニール等）を行って、非晶質半導体膜中に金属元素を拡散させ、続いて、当
該金属元素を含む非晶質半導体膜を除去する。そうすると、結晶質半導体膜中の金属元素
の含有量を低減又は除去することができる。
次に、結晶質半導体膜１１２７〜１１３０を覆う絶縁膜を形成する。絶縁膜は、プラズマ
ＣＶＤ法やスパッタリング法により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化窒化珪素膜を
、単層又は積層して形成する。
ここでは、絶縁膜として、酸化窒化珪素膜をＣＶＤ法により形成する。
次に、絶縁膜上に、第１の導電膜と第２の導電膜を積層して形成する。第１の導電膜は、
公知の手段（プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法）により、２０〜１００ｎｍの厚さで
形成する。第２の導電膜は、公知の手段により、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。
第１の導電膜と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ
）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ
（Ｎｂ）等から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物
材料で形成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される
半導体材料により形成する。
第１の導電膜と第２の導電膜との組み合わせの例を挙げると、窒化タンタル（ＴａＮ）層
とタングステン（Ｗ）層、窒化タングステン（ＷＮ）層とタングステン層、窒化モリブデ
ン（ＭｏＮ）層とモリブデン（Ｍｏ）層等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは
、耐熱性が高いため、第１の導電膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とし
た加熱処理を行うことができる。
ここでは、第１の導電膜として厚さ３０ｎｍのタンタル窒化物層を形成し、第２の導電膜
として厚さ３７０ｎｍのタングステン層を形成する。
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極を形
成するためのエッチング処理を行って、ゲート電極として機能する導電膜（ゲート電極と
よぶことがある）１１０７〜１１１０を形成する。
次に、結晶質半導体膜１１２７〜１１３０に、イオンドープ法又はイオン注入法により、
ｎ型導電性を付与する不純物元素を低濃度に添加して、ｎ型不純物領域及びｐ型不純物領
域を形成する。
次に、絶縁膜と導電膜１１０７〜１１１０を覆うように、絶縁膜を形成する。絶縁膜は、
公知の手段（プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法）により、珪素、珪素の酸化物又は珪
素の窒化物の無機材料を含む膜（無機膜と表記することがある）や、有機樹脂などの有機
材料を含む膜（有機膜と表記することがある）を、単層又は積層して形成する。
ここでは、絶縁膜としてＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜を形成する。
次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして
、導電膜１１０７〜１１１０の側面に接する絶縁膜（以下、サイドウォール絶縁膜とよぶ
）１１１５〜１１１８を形成する。サイドウォール絶縁膜１１１５〜１１１８は、後にソ
ース領域及びドレイン領域を形成するためのドーピング用のマスクとして用いる。
なお、サイドウォール絶縁膜１１１５〜１１１８を形成するためのエッチング工程により
、絶縁膜もエッチングされ、ゲート絶縁膜１１１９〜１１２２が形成される。ゲート絶縁
膜１１１９〜１１２２は、導電膜１１０７〜１１１０及びサイドウォール絶縁膜１１１５
〜１１１８と重なる膜である。このように、ゲート絶縁膜がエッチングされてしまうのは
、ゲート絶縁膜とサイドウォール絶縁膜１１１５〜１１１８の材料のエッチングレートが
同じであるためであり、図１０（Ｂ）ではその場合を示している。従って、ゲート絶縁膜
とサイドウォール絶縁膜１１１５〜１１１８の材料のエッチングレートが異なる場合には
、サイドウォール絶縁膜１１１５〜１１１８を形成するためのエッチング工程を経ても、
ゲート絶縁膜が残存する場合がある。
続いて、サイドウォール絶縁膜１１１５、１１１７をマスクとして、結晶質半導体膜１１
２７、１１２９にｎ型の導電性を付与する不純物元素を添加して、第１のｎ型不純物領域
（ＬＤＤ領域ともよぶ）１１２３ａ、１１２３ｃと、第２のｎ型不純物領域（ソース領域
及びドレイン領域ともよぶ）１１２４ａ、１１２４ｃとを形成する。
また、結晶質半導体膜１１２８、１１３０にｐ型の導電性を付与する不純物元素を添加し
て、第１のｐ型不純物領域（ＬＤＤ領域ともよぶ）１１２３ｂ、１１２３ｄと、第２のｐ
型不純物領域（ソース領域及びドレイン領域ともよぶ）１１２４ｂ、１１２４ｄとを形成
する。
第１のｎ型不純物領域１１２３ａ、１１２３ｃが含む不純物元素の濃度は、第２のｎ型不
純物領域１１２４ａ、１１２４ｃの不純物元素の濃度よりも低い。また、第１のｐ型不純
物領域１１２３ｂ、１１２３ｄが含む不純物元素の濃度は、第２のｐ型不純物領域１１２
４ｂ、１１２４ｄの不純物元素の濃度よりも低い。
上記工程を経て、ｎ型の薄膜トランジスタ１１３１、１１３３が完成する。また、ｐ型の
薄膜トランジスタ１１３２、１１３４が完成する。
ｎ型の薄膜トランジスタ１１３１、１１３３は、ＬＤＤ構造を有し、第１のｎ型不純物領
域と第２のｎ型不純物領域とチャネル形成領域を含む活性層と、ゲート絶縁膜と、ゲート
電極として機能する導電膜とを有する。また、ｐ型の薄膜トランジスタ１１３２、１１３
４は、ＬＤＤ構造を有し、第１のｎ型不純物領域と第２のｎ型不純物領域とチャネル形成
領域を含む活性層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する導電膜とを有する。
次に、薄膜トランジスタ１１３１〜１１３４を覆うように、単層又は積層で絶縁膜を形成
する。ここでは、薄膜トランジスタ１１３１〜１１３４を覆うように、絶縁膜を２層積層
して形成した場合を示し、１層目の絶縁膜１１４１として厚さ５０ｎｍの酸化窒化珪素を
含む膜を形成し、２層目の絶縁膜１１４２として厚さ６００ｎｍの酸化珪素を含む膜を形
成する。
なお、絶縁膜１１４１、１１４２を形成する前、又は絶縁膜１１４１、１１４２のうちの
１つ又は複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加された不
純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には
、熱アニール、レーザアニール法又はＲＴＡ法などを適用するとよい。
次に、フォトリソグラフィ法により絶縁膜１１４１、１１４２をエッチングして、ｎ型不
純物領域１１２４ａ、１１２４ｃ、ｐ型不純物領域１１２４ｂ、１１２４ｄを露出させる
コンタクトホールを形成する（図１０（Ｃ）参照。）。
次に、コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜をパターン加工
して、導電膜１１５５〜１１６２を形成する。導電膜１１５５〜１１６２は、ＴＦＴのソ
ース配線又はドレイン配線として機能する。
導電膜１１５５〜１１６２は、公知の手段（プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法）によ
り、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選択された元素、
又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成す
る。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッ
ケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は
両方とを含む合金材料に相当する。
ここでは、導電膜１１５５〜１１６２として、絶縁膜１１４２側から順に厚さ６０ｎｍの
チタン層、４０ｎｍのチタン窒化物層、５００ｎｍのアルミニウム層、６０ｎｍのチタン
層、４０ｎｍのチタン窒化物層をスパッタリング法により形成する。
次に、導電膜１１５５〜１１６２を覆うように、単層又は積層で絶縁膜１１６３を形成す
る（図１０（Ｄ）参照。）。導電膜１１５５〜１１６２を覆う絶縁膜１１６３は、ここで
は、無機絶縁膜で形成する。無機絶縁膜として、厚さ１．５μｍのシロキサンポリマーを
塗布し、乾燥及び焼成を行って絶縁膜１１６３を形成する。
次に、薄膜トランジスタを覆う絶縁膜１１４２と同様に導電膜１１５５〜１１６２を覆う
絶縁膜１１６３にコンタクトホールを形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に
不活性な基が結合する膜１１６４を形成する。ここでは、ＦＡＳを絶縁膜１１６３に化学
吸着させて、単分子で形成される珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合
する膜１１６４を形成する。
次に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１１６４上に、スク
リーン印刷法により、導電性の組成物を印刷したのち、乾燥及び焼成を行って厚さ５〜４
０μｍの導電膜１１６５を形成する。導電膜１１６５は、アンテナの一部として機能する
。
ここでは、導電膜１１６５として、Ａｇペーストを用いる。以上の工程により、ＴＦＴに
接続するアンテナとして機能する導電膜１１６５を形成することができる。
この後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１１６４及びアン
テナとして機能する導電膜１１６５上に、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの
炭素を含む膜、窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜等の保護膜を形成しても良い。
次に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜１１６４及び導電膜
１１６５上に、絶縁膜１１８１を形成する。絶縁膜１１８１は、後の剥離工程での保護膜
として設けるため、平坦化膜であることが好ましい（図１０（Ｅ）参照。）。
ここでは、絶縁膜１１８１として、スクリーン印刷法により厚さ１５μｍのエポキシ樹脂
層を形成する。なお、絶縁膜１１０５から絶縁膜１１８１まで積層された層を、以下複数
の薄膜トランジスタを有する層１１７０とする。
次に、剥離層１１０２ａ、１１０２ｂが露出するように、開口部１１８２を形成する。開
口部１１８２は、レーザアブレーション法やフォトリソグラフィ法により絶縁膜１１０５
、１１４１、１１４２、１１６３、１１８１の一部を除去して形成する。
ここでは、紫外線レーザから射出されるレーザビームを照射して、開口部１１８２を形成
する（図１１（Ａ）参照。）。
次に、開口部１１８２にエッチング剤を導入して、剥離層１１０２ａ、１１０２ｂの一部
を除去する（図１１（Ｂ）参照。）。一部エッチングされた剥離層を残存する剥離層１１
８３、１１８４と示す。エッチング剤は、ウエットエッチングであれば、フッ酸を水やフ
ッ化アンモニウムで希釈した混合液、フッ酸と硝酸の混合液、フッ酸と硝酸と酢酸の混合
液、過酸化水素と硫酸の混合液、過酸化水素とアンモニア水と水の混合液、過酸化水素と
塩酸と水の混合液等を用いる。また、ドライエッチングであれば、フッ素等のハロゲン系
の原子や分子を含む気体、又は酸素を含む気体を用いる。好ましくは、エッチング剤とし
て、フッ化ハロゲン又はハロゲン化合物を含む気体又は液体を使用する。
ここでは、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を使用して、剥離層の一部をエッチングする。残存
する剥離層を１１８３、１１８４と示す。
次に、複数のトランジスタを有する層１１７０において絶縁膜１１８１の表面と基体１１
８６とを粘着剤１１８５を用いて接着させると共に、基板１１００及び剥離層１１０２ａ
、１１０２ｂを剥がす（図１１（Ｃ）参照。）。
ここでは、粘着性の低いフィルムが設けられた転置用ローラーを基体１１８６として、粘
着剤１１８５を絶縁膜１１８１に押しつけながらローラーを回転することで、絶縁膜１１
０５上に設けられた複数のトランジスタを有する層１１７０のみが転置される。このよう
な転置用ローラーは、シリコン系樹脂、又はフッ素系樹脂により形成することができる。
このとき、基体１１８６と複数のトランジスタを有する層１１７０との接着強度は、基板
１１００と絶縁膜１１０５との密着強度より高くなるように設定する。そして、絶縁膜１
１０５上に設けられた複数のトランジスタを有する層のみを基板から剥離する。
次に、複数のトランジスタを有する層１１７０から基体１１８６を剥離する。
次に、フィルム１１９１を絶縁膜１１０５に貼り付ける（図１２（Ａ）参照。）。フィル
ム１１９１として、実施例２に開示した基体７５０を適宜用いることができる。ここでは
、接着層とＰＥＴフィルムとシリカコートを積層させたシート材をフィルム１１９１とし
て用いると、封止後に内部への水分等の侵入を防ぐことが可能である。
次に、粘着剤１１８５を絶縁膜１１８１から除去する（図１２（Ｂ）参照。）。
ここでは、紫外線を粘着剤１１８５に照射して粘着剤１１８５を除去する。
次に、フィルム１１９２を複数のトランジスタを有する層１１７０の表面及びフィルム１
１９１に接着して、複数のトランジスタを有する層１１７０を封止する（図１２（Ｃ）参
照、）。フィルム１１９２も、フィルム１１９１と同様の物を適宜用いることができる。
ここでは、フィルム１１９２として、接着層とＰＥＴフィルムとシリカコートを積層させ
たシート材をフィルム１１９２として用いる。
その後、フィルム１１９１、１１９２の接着領域において、複数のトランジスタを有する
層を個々に切断する。その結果、無線チップを形成することが可能である。
本実施例では無線チップに代表される半導体装置の構成について、図１４を参照して説明
する。図１４に示すように、本発明の半導体装置２０は、非接触でデータを交信する機能
を有し、電源回路１１、クロック発生回路１２、データ復調／変調回路１３、他の回路を
制御する制御回路１４、インターフェイス回路１５、記憶回路１６、データバス１７、ア
ンテナ（アンテナコイル）１８、センサ２１、センサ回路２２を有する。
電源回路１１は、アンテナ１８から入力された交流信号を基に、半導体装置２０の内部の
各回路に供給する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路１２は、アンテナ１
８から入力された交流信号を基に、半導体装置２０の内部の各回路に供給する各種クロッ
ク信号を生成する回路である。データ復調／変調回路１３は、リーダライタ１９と交信す
るデータを復調／変調する機能を有する。制御回路１４は、記憶回路１６を制御する機能
を有する。アンテナ１８は、電磁界或いは電波の送受信を行う機能を有する。リーダライ
タ１９は、半導体装置との交信、制御及びそのデータに関する処理を制御する。なお、半
導体装置は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリミッタ回路や暗号処理専用ハー
ドウエアといった他の要素を追加した構成であってもよい。
記憶回路１６は、一対の導電膜間に有機化合物層又は相変化層が挟まれた記憶素子を有す
ることを特徴とする。なお、記憶回路１６は、一対の導電膜間に有機化合物層又は相変化
層が挟まれた記憶素子のみを有していてもよいし、他の構成の記憶回路を有していてもよ
い。他の構成の記憶回路とは、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、マスクＲＯＭ
、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリから選択される１つ又は複
数に相当する。
センサ２１は抵抗素子、容量結合素子、誘導結合素子、光起電力素子、光電変換素子、熱
起電力素子、トランジスタ、サーミスタ、ダイオードなどの素子で形成される。センサ回
路２２はインピーダンス、リアクタンス、インダクタンス、電圧又は電流の変化を検出し
、アナログ／デジタル変換（Ａ／Ｄ変換）して制御回路１４に信号を出力する。
本発明により無線チップとして機能する半導体装置を形成することができる。半導体装置
の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運
転免許証や住民票等、図１５（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１５（
Ｃ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１５（Ｂ）参照）、乗物類（
自転車等、図１５（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、衣類、生活用品類
、電子機器等の商品や荷物の荷札（図１５（Ｅ）、図１５（Ｆ）参照）等の物品に設けて
使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置
（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。ま
た、植物類、動物類、人体等に用いることが出来る。
半導体装置は、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして、物品に固定される。例
えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込
んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に無線チップを設
けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回
り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に無線チップを設けることにより、検品シ
ステムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。本発明より形成するこ
とが可能な無線チップは、基板上に形成した薄膜集積回路を、公知の剥離工程により剥離
した後、カバー材に設けるため、小型、薄型、軽量であり、物品に実装しても、デザイン
性を損なうことがない。更には、可とう性を有するため、瓶やパイプなど曲面を有するも
のにも用いることが可能である。
また、本発明より形成することが可能な半導体装置を、物の管理や流通のシステムに応用
することで、システムの高機能化を図ることができる。例えば、荷札に設けられる半導体
装置に記録された情報を、ベルトコンベアの脇に設けられたリーダライタで読み取ること
で、流通過程及び配達先等の情報が読み出され、商品の検品や荷物の分配を簡単に行うこ
とができる。

Claims (21)

  1. 基板上に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜と、
    前記酸素、珪素及び不活性な基を有する膜上に形成される膜パターンとを有することを特徴とするパターン付基板。
  2. 請求項１において、
    前記膜パターンは導電膜、絶縁膜、または半導体膜であることを特徴とするパターン付基板。
  3. 請求項１または２において、
    前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は、前記基板において前記膜パターンが形成される面の一面に形成されることを特徴とするパターン付基板。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記不活性な基は、フルオロアルキル基又はアルキル基であることを特徴とするパターン付基板。
  5. 基板上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成した後、前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、
    前記組成物を焼成して膜パターンを形成することを特徴とするパターン付基板の作製方法。
  6. 請求項５において、
    前記膜パターンは導電膜、絶縁膜、または半導体膜であることを特徴とするパターン付基板の作製方法。
  7. 請求項５または６において、
    前記基板表面の一面に前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成することを特徴とするパターン付基板の作製方法。
  8. 請求項５乃至７のいずれか一項において、
    前記不活性な基は、フルオロアルキル基又はアルキル基であることを特徴とするパターン付基板の作製方法。
  9. 絶縁膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜と、
    前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜上に形成される導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項９において、
    前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は、前記絶縁膜において前記導電膜が形成される面の一面に形成されることを特徴とする半導体装置。
  11. 基板上に半導体素子と、且つ前記半導体素子に接続する第１導電膜と、
    前記半導体素子を覆い、且つ前記第１導電膜の一部を露出する開口部を有する絶縁膜と、
    露出された前記第１導電膜及び前記絶縁膜表面に形成される珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜と、
    前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜上に形成される第２導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項１１において、
    前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜は、前記半導体素子に接続する導電膜及び前記絶縁膜表面において、前記導電膜が形成される面の一面に形成されることを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項１１または１２において、
    前記導電膜はアンテナ、画素電極、または配線として機能することを特徴とする半導体装置。
  14. 請求項１１乃至１３のいずれか一項において、
    前記不活性な基は、フルオロアルキル基又はアルキル基であることを特徴とする半導体装置。
  15. 絶縁膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成した後、前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、
    前記組成物を焼成して膜パターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  16. 請求項１５において、
    前記絶縁膜表面の一面に前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  17. 請求項１５または１６において、
    前記膜パターンは導電膜、絶縁膜、または半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  18. 基板上に半導体素子を形成し、
    前記半導体素子を覆い、且つ前記半導体素子に接続する導電膜の一部を露出する開口部を有する絶縁膜を形成し、
    前記絶縁膜及び露出された前記導電膜上に、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成し、
    前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜上に印刷法を用いて組成物を印刷し、
    前記組成物を焼成して導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  19. 請求項１８において、
    前記絶縁膜及び露出された前記導電膜の表面の一面に前記珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  20. 請求項１１または１９において、
    前記導電膜はアンテナ、電極、または配線として機能する導電膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  21. 請求項１５乃至２０のいずれか一項において、
    前記不活性な基は、フルオロアルキル基又はアルキル基であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
JP2011134205A 2005-01-28 2011-06-16 パターン付基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法 Withdrawn JP2012004570A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011134205A JP2012004570A (ja) 2005-01-28 2011-06-16 パターン付基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005022312 2005-01-28
JP2005022312 2005-01-28
JP2011134205A JP2012004570A (ja) 2005-01-28 2011-06-16 パターン付基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006009791A Division JP2006245544A (ja) 2005-01-28 2006-01-18 パターン付基板及びその形成方法、並びに半導体装置及びその作製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012004570A true JP2012004570A (ja) 2012-01-05

Family

ID=36755642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011134205A Withdrawn JP2012004570A (ja) 2005-01-28 2011-06-16 パターン付基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7915058B2 (ja)
JP (1) JP2012004570A (ja)
KR (1) KR101236236B1 (ja)
CN (1) CN1832151B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015125429A1 (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6965124B2 (en) * 2000-12-12 2005-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of fabricating the same
DE10260149A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Vorrichtung zur Bestimmung des Leitwertes von Wäsche, Wäschetrockner und Verfahren zur Verhinderung von Schichtbildung auf Elektroden
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US20060240275A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Gadkaree Kishor P Flexible display substrates
JP5013048B2 (ja) * 2006-04-06 2012-08-29 ソニー株式会社 赤色有機発光素子およびこれを備えた表示装置
EP1976001A3 (en) * 2007-03-26 2012-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8143511B2 (en) * 2007-09-13 2012-03-27 Silicon China (Hk) Limited Texture process and structure for manufacture of composite photovoltaic device substrates
DE102010029999A1 (de) * 2010-06-11 2012-03-15 Technische Universität Chemnitz Wicklung für elektrische Energiewandler
FR2965749B1 (fr) * 2010-10-12 2014-02-14 Univ Troyes Technologie Structure multicouche comprenant un métal précieux accroche sur un substrat diélectrique procédé et utilisation associes
JP5852855B2 (ja) 2010-11-24 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、照明装置、及び電子機器
US8659015B2 (en) * 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20140019699A (ko) * 2012-08-07 2014-02-17 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
DE202012008804U1 (de) 2012-09-13 2014-01-09 Technische Universität Chemnitz Elektrische Wicklung für elektrische Maschinen und elektrische Maschine mit einer solchen
JP6336744B2 (ja) * 2012-12-03 2018-06-06 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 電極部材及びこれを含むタッチパネル
US9496171B2 (en) * 2014-09-26 2016-11-15 Texas Instruments Incorporated Printed interconnects for semiconductor packages
WO2016086168A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 President And Fellows Of Harvard College Deposition of rfid tags
US10403537B2 (en) * 2017-03-10 2019-09-03 Facebook Technologies, Llc Inorganic light emitting diode (ILED) assembly via direct bonding
JP7234573B2 (ja) * 2017-12-25 2023-03-08 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサ
DE102019122126A1 (de) * 2019-08-16 2021-02-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Siebdruckform zur Verwendung in einem Siebdruckverfahren, Siebdruckvorrichtung und Siebdruckverfahren
CN115136144B (zh) * 2020-02-13 2025-08-26 旭化成株式会社 透明天线和rf标签

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006700A (ja) * 2002-03-27 2004-01-08 Seiko Epson Corp 表面処理方法、表面処理基板、膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3793717A (en) * 1971-04-01 1974-02-26 Rca Corp Method of controlling resistance values of thick-film resistors
KR960004150B1 (ko) * 1991-02-16 1996-03-27 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 표시장치
US6028333A (en) * 1991-02-16 2000-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors
US5521107A (en) * 1991-02-16 1996-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a field-effect transistor including anodic oxidation of the gate
JP3556679B2 (ja) * 1992-05-29 2004-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
EP0499979A3 (en) * 1991-02-16 1993-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US5854494A (en) * 1991-02-16 1998-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors
USRE36314E (en) * 1991-03-06 1999-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulated gate field effect semiconductor devices having a LDD region and an anodic oxide film of a gate electrode
KR960001611B1 (ko) * 1991-03-06 1996-02-02 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 절연 게이트형 전계 효과 반도체 장치 및 그 제작방법
JP2794678B2 (ja) * 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
US5468987A (en) * 1991-03-06 1995-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5281323A (en) * 1991-03-20 1994-01-25 Fujitsu Limited Electrolyte composition for screen printing and miniaturized oxygen electrode and production process thereof
TW476451U (en) 1991-08-23 2002-02-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP2845303B2 (ja) * 1991-08-23 1999-01-13 株式会社 半導体エネルギー研究所 半導体装置とその作製方法
US5545571A (en) * 1991-08-26 1996-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making TFT with anodic oxidation process using positive and negative voltages
US5650338A (en) * 1991-08-26 1997-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming thin film transistor
US5495121A (en) * 1991-09-30 1996-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US5485019A (en) * 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
TW222345B (en) * 1992-02-25 1994-04-11 Semicondustor Energy Res Co Ltd Semiconductor and its manufacturing method
US6709907B1 (en) * 1992-02-25 2004-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor
US6624450B1 (en) * 1992-03-27 2003-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
TW223178B (en) * 1992-03-27 1994-05-01 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and its production method
US5899709A (en) * 1992-04-07 1999-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device using anodic oxidation
US6525261B1 (en) * 1994-09-22 2003-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Resin composition and an electronic device using the same
US5834840A (en) * 1995-05-25 1998-11-10 Massachusetts Institute Of Technology Net-shape ceramic processing for electronic devices and packages
DE69709800T2 (de) 1996-08-19 2002-09-26 Central Glass Co., Ltd. Wasserabweisende Glasscheibe und Verfahren zu deren Herstellung
JP3672688B2 (ja) 1996-12-13 2005-07-20 セントラル硝子株式会社 撥水性ガラスの製法
JPH10259038A (ja) 1997-01-24 1998-09-29 Samsung Corning Co Ltd 耐久性撥水ガラス及びその製造方法
US6210750B1 (en) * 1997-06-26 2001-04-03 Samsung Corning Co., Ltd. Water-repellent glass and process for preparing same
JP4074027B2 (ja) 1998-03-13 2008-04-09 Ｈｏｙａ株式会社 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体
US6580035B1 (en) * 1998-04-24 2003-06-17 Amerasia International Technology, Inc. Flexible adhesive membrane and electronic device employing same
JP2000208899A (ja) 1999-01-13 2000-07-28 Noritake Co Ltd 厚膜パタ―ンの形成方法
US6630080B2 (en) * 2000-02-25 2003-10-07 Alps Electric Co., Ltd. Conductive resin composition and encoder switch using the same
JP4035968B2 (ja) * 2000-06-30 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法
JP2003080694A (ja) * 2001-06-26 2003-03-19 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP2003309344A (ja) * 2002-04-18 2003-10-31 Dainippon Printing Co Ltd 導電性パターン基材の製造方法
US7749684B2 (en) * 2002-08-28 2010-07-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for manufacturing conductive pattern forming body
JP4266597B2 (ja) 2002-08-28 2009-05-20 大日本印刷株式会社 導電性パターン形成体の製造方法
JP4742487B2 (ja) 2003-05-09 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 膜パターン形成方法
US7181966B2 (en) * 2004-09-08 2007-02-27 Nippon Soken, Inc. Physical quantity sensor and method for manufacturing the same
US7687326B2 (en) * 2004-12-17 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7449372B2 (en) * 2004-12-17 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of substrate having conductive layer and manufacturing method of semiconductor device
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI445178B (zh) * 2005-01-28 2014-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006700A (ja) * 2002-03-27 2004-01-08 Seiko Epson Corp 表面処理方法、表面処理基板、膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015125429A1 (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
JP2015159148A (ja) * 2014-02-21 2015-09-03 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
US9865664B2 (en) 2014-02-21 2018-01-09 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor array and manufacturing method of the same
TWI646669B (zh) * 2014-02-21 2019-01-01 日商凸版印刷股份有限公司 Thin film transistor array and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN1832151B (zh) 2011-07-13
KR20060087460A (ko) 2006-08-02
US20060170077A1 (en) 2006-08-03
CN1832151A (zh) 2006-09-13
KR101236236B1 (ko) 2013-02-22
US7915058B2 (en) 2011-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012004570A (ja) パターン付基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法
KR101442522B1 (ko) 반도체 장치, 및 그 제작 방법
KR101022352B1 (ko) 반도체장치
TWI390735B (zh) 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
KR101293510B1 (ko) 반도체 디바이스의 제조방법
JP5364242B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP4761981B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP4785447B2 (ja) 半導体装置の作製方法
KR101218564B1 (ko) 반도체 장치를 제조하는 방법
JP2006245544A (ja) パターン付基板及びその形成方法、並びに半導体装置及びその作製方法
JP5171003B2 (ja) 半導体装置
JP4864649B2 (ja) 機能性を有する層、及びそれを有する可撓性基板の形成方法、並びに半導体装置の作製方法
JP5100070B2 (ja) 半導体装置の作製方法
KR20250153475A (ko) 광학 적층체, 이를 포함하는 투명 디스플레이 및 그 제조 방법
KR20250159489A (ko) 광학 적층체, 이를 포함하는 투명 디스플레이 및 그 제조 방법
JP2006196883A (ja) 導電層を有する基板の作製方法、並びに半導体装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120925

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121031

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130514

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20130729