JP2012094794A - Cleaning method, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
【課題】露光液体LQ1と接触する液浸部材6を良好に洗浄できる技術の案出が望まれている。
【解決手段】
露光装置EXは、露光液体LQ1と接触する液浸部材6を備えている。液浸部材6と振動部材Cとの間で液浸空間LSを形成した状態で、振動部材Cを振動させ、音波を液浸部材6に伝播することで、液浸部材6の洗浄を行う。液浸部材6のうち洗浄する場所によって、液浸部材6と振動部Cとの位置関係もしくは、音波の波長の少なくとも一方を変更する。
【選択図】図5It is desired to devise a technique that can satisfactorily clean a liquid immersion member 6 that contacts an exposure liquid LQ1.
[Solution]
The exposure apparatus EX includes a liquid immersion member 6 that comes into contact with the exposure liquid LQ1. In a state where the immersion space LS is formed between the liquid immersion member 6 and the vibration member C, the vibration member C is vibrated and the sound wave is propagated to the liquid immersion member 6, thereby cleaning the liquid immersion member 6. Depending on the location of the liquid immersion member 6 to be cleaned, at least one of the positional relationship between the liquid immersion member 6 and the vibration part C or the wavelength of the sound wave is changed.
[Selection] Figure 5
Description
本発明は、洗浄方法、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a cleaning method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.
半導体デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置の部材、部品が汚染されると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているような、露光装置内の所定部材を洗浄する技術が案出されている。 In a manufacturing process of a micro device such as a semiconductor device, an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light is used. When a member or component of the exposure apparatus is contaminated, for example, an exposure failure such as a defect formed in a pattern formed on the substrate may occur, and as a result, a defective device may occur. Therefore, for example, a technique for cleaning a predetermined member in an exposure apparatus has been devised as disclosed in the following patent document.
露光不良の発生を抑制するために、所定部材を洗浄することは有効である。そのため、露光装置内の所定部材を良好に洗浄できる技術の案出が望まれる。 In order to suppress the occurrence of exposure failure, it is effective to clean the predetermined member. Therefore, it is desired to devise a technique that can satisfactorily clean a predetermined member in the exposure apparatus.
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる洗浄方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 An object of an aspect of the present invention is to provide a cleaning method capable of suppressing the occurrence of exposure failure. Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can suppress the occurrence of exposure failure. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method that can suppress the occurrence of defective devices.
本発明の第1の態様に従えば、第1液体を介して基板を露光する露光装置の、第1液体に接触する接液部材の洗浄方法であって、接液部材を、第2液体に接触させることと、振動部を振動させることによって、第2液体中に発生する音波を第2液体中で伝播させ、接液部材の表面の第1点に所定方向から到達させることで、第1点を洗浄することと、振動部を振動させることによって、第2液体中に発生する音波を第2液体中で伝播させ、接液部材の表面の第1点とは異なる第2点に所定方向から到達させることで、第2点を洗浄することと、第1点の洗浄と第2点の洗浄とで、音波の波長と、接液部材と振動部との所定方向の位置関係との少なくとも一方を変更することと、を含む洗浄方法が、提供される。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a liquid contact member in contact with a first liquid of an exposure apparatus that exposes a substrate through the first liquid, wherein the liquid contact member is changed to the second liquid. By making contact and oscillating the vibration part, the sound wave generated in the second liquid is propagated in the second liquid, and reaches the first point on the surface of the liquid contact member from a predetermined direction. By cleaning the point and vibrating the vibration part, the sound wave generated in the second liquid is propagated in the second liquid, and the second point different from the first point on the surface of the wetted member is in a predetermined direction. At least the relationship between the wavelength of the sound wave and the positional relationship between the wetted member and the vibrating portion in a predetermined direction by cleaning the second point, cleaning the first point, and cleaning the second point. A method of cleaning is provided that includes changing one.
本発明の第2の態様に従えば、第1の態様の洗浄方法で、接液部材を洗浄することと、基板を露光することと、露光した基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法が、提供される。 According to the second aspect of the present invention, in the cleaning method according to the first aspect, manufacturing a device including cleaning the liquid contact member, exposing the substrate, and developing the exposed substrate. A method is provided.
本発明の第3の態様に従えば、第1液体を介して基板を露光する露光装置であって、第1液体に接触する接液部材と、振動部と、を備え、接液部材と、第2液体とを接触させた状態で、振動部を振動させることによって、第2液体中に発生する音波を接液部材に伝播し、接液部材の表面に所定方向から到達させることで、接液部材を洗浄する場合に、所定方向からの音波を到達することで、接液部材の表面の第1点を洗浄する時と、所定方向からの音波を到達することで、接液部材の表面の第1点とは異なる第2点を洗浄する時とで、音波の波長と、接液部材と振動部との所定方向の位置関係との少なくとも一方を変更する露光装置が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate through a first liquid, comprising: a liquid contact member that contacts the first liquid; and a vibration part, and the liquid contact member; By vibrating the vibration portion in a state where it is in contact with the second liquid, the sound wave generated in the second liquid is propagated to the liquid contact member and reaches the surface of the liquid contact member from a predetermined direction. When cleaning the liquid member, the surface of the liquid contact member is reached by cleaning the first point on the surface of the liquid contact member by reaching the sound wave from the predetermined direction and by reaching the sound wave from the predetermined direction. An exposure apparatus is provided that changes at least one of the wavelength of the sound wave and the positional relationship between the liquid contact member and the vibrating portion in a predetermined direction when the second point different from the first point is cleaned.
本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光装置で接液部材を洗浄することと、基板を露光することと、露光した基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising: cleaning the liquid contact member with the exposure apparatus according to the third aspect; exposing the substrate; and developing the exposed substrate. Is provided.
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制することができる。 According to the aspect of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
〈第1実施形態〉
図1は、本実施形態における露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、露光液体LQ1を介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ELの光路の少なくとも一部が露光液体LQ1で満たされるように液浸空間LSが形成される。液浸空間は、液体で満たされた部分(空間、領域)である。基板Pは、液浸空間LSの露光液体LQ1を介して露光光ELで露光される。本実施形態においては、露光液体LQ1として、水(純水)を用いる。本実施形態の露光装置EXは、基板Pの一部に液浸空間LSを形成し、基板Pを露光する局所液浸方式を用いる。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX in the present embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through an exposure liquid LQ1. In the present embodiment, the immersion space LS is formed so that at least a part of the optical path of the exposure light EL is filled with the exposure liquid LQ1. The immersion space is a portion (space, region) filled with liquid. The substrate P is exposed with the exposure light EL through the exposure liquid LQ1 in the immersion space LS. In the present embodiment, water (pure water) is used as the exposure liquid LQ1. The exposure apparatus EX of the present embodiment uses a local immersion method in which the immersion space LS is formed in a part of the substrate P and the substrate P is exposed.
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測部材(計測器)を保持して移動可能な計測ステージIと、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が露光液体LQ1で満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材6と、露光装置EX全体の動作を制御する不図示の制御装置とを備えている。
In FIG. 1, an exposure apparatus EX measures a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a
なお、基板を保持して移動可能な基板ステージ2と、基板を保持せずに、露光光を計測する計測部材(計測器)を保持して移動可能な計測ステージIとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されており、その内容を援用して本文の記載の一部とする。
An exposure apparatus including a
ここで、本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き(逆向き)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。なお、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとの走査方向を同じ向きに同期移動し露光する走査型露光装置でも構わない。以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をY軸方向、Z軸方向及びY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をX軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 Here, in the present embodiment, as the exposure apparatus EX, scanning exposure is performed in which the pattern formed on the mask M is exposed on the substrate P while the mask M and the substrate P are synchronously moved in different directions (reverse directions) in the scanning direction. A case where an apparatus (so-called scanning stepper) is used will be described as an example. Note that the exposure apparatus EX may be a scanning exposure apparatus that performs exposure by synchronously moving the scanning directions of the mask M and the substrate P in the same direction. In the following description, the direction that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction, the synchronous movement direction (scanning direction) between the mask M and the substrate P in the plane perpendicular to the Z-axis direction is the Y-axis direction, A direction (non-scanning direction) perpendicular to the Z-axis direction and the Y-axis direction is taken as an X-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively. Here, the “substrate” includes a semiconductor wafer coated with a resist, and the “mask” includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.
照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。なお、レーザ光源から射出される露光光ELを照明領域IRに引き回すための光学系は、例えば、米国特許出願公開第2009/0316132号明細書に一例が開示されている。 The illumination system IL irradiates the predetermined illumination area IR with the exposure light EL. The illumination area IR includes a position where the exposure light EL emitted from the illumination system IL can be irradiated. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light, which is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light), is used as the exposure light EL. An example of an optical system for routing the exposure light EL emitted from the laser light source to the illumination region IR is disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2009/0316132.
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。 The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The mask M includes a transmission type mask having a transparent plate such as a glass plate and a pattern formed on the transparent plate using a light shielding material such as chromium. A reflective mask can also be used as the mask M.
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IRを含む不図示のベース部材のガイド面上を移動可能である。マスクステージ1は、例えばリニアモータ等を含む駆動システムの作動により、ガイド面上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。 The mask stage 1 can move on a guide surface of a base member (not shown) including the illumination region IR while holding the mask M. The mask stage 1 is movable in six directions on the guide surface, such as an X axis, a Y axis, a Z axis, a θX, a θY, and a θZ direction, by an operation of a drive system including, for example, a linear motor.
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影領域PRは、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸は、Z軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。投影光学系PLは、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面11を有する終端光学素子10を備えている。終端光学素子10は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い光学素子である。
The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection region PR includes a position where the exposure light EL emitted from the projection optical system PL can be irradiated. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis of the projection optical system PL is parallel to the Z axis. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image. The projection optical system PL includes a terminal
基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。また、基板Pが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Pが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)を含んでもよい。 The substrate P is a substrate for manufacturing a device. The substrate P includes, for example, a base material such as a semiconductor wafer and a photosensitive film formed on the base material. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist). Further, the substrate P may include another film in addition to the photosensitive film. For example, the substrate P may include an antireflection film or a protective film (topcoat film) that protects the photosensitive film.
液浸部材6は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子10の近傍に配置される。本実施形態においては、液浸部材6の少なくとも一部が、終端光学素子10の周囲に配置されている。液浸部材6により形成される液浸空間LSと、液浸部材6の少なくとも一部とは接触する。
The
終端光学素子10の射出面11と、露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に対向して配置される物体の間の露光光ELの光路が露光液体LQ1で満たされるように、液浸部材6は液浸空間LSを形成することができる。本実施形態において、投影領域PRに配置可能な物体は、投影光学系PLの像面側(終端光学素子10の射出面11側)で投影領域PRに対して移動可能な物体であり、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、計測ステージIを含む。
The liquid of the exposure liquid LQ1 fills the optical path of the exposure light EL between the
図2に示すように、液浸部材6は、露光液体LQ1を供給する供給部7と、露光液体LQ1を回収する回収部8と、射出面11から射出される露光光ELが通過する開口6Kを備える平坦部材Fとを備えている。図2は、本実施形態における液浸部材6の一例を示す図である。なお、液浸部材6として、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書、欧州特許出願公開第1768170号明細書に開示されているような液浸部材(ノズル部材)を用いることができる。
As shown in FIG. 2, the
供給部7により露光液体LQ1を供給し、供給された露光液体LQ1を回収部8で回収することにより、液浸空間LSを形成する。形成される液浸空間LSと、回収部8の少なくとも一部及び平坦部材Fの少なくとも一部とが接触する。本実施形態においては、図2に示すように、終端光学素子10と回収部8との間に供給部7が配置される。すなわち、回収部8に比べて、供給部7は終端光学素子10に近い側に配置される。また、回収部8は、平坦部材Fを囲んでいる。すなわち、開口6Kを通過する露光光ELの光路を囲むように、露光液体LQ1を回収することが可能である。なお、図2においては、終端光学素子10の射出面11と、基板Pとの間を露光液体LQ1で満たしてしている様子を示している。本実施形態において、液浸部材6の表面には、回収部8の少なくとも一部及び平坦部材Fの少なくとも一部が含まれる。
The exposure liquid LQ1 is supplied by the
供給部7は、供給口7aを有する。供給部7は、液体供給装置に接続され、液体供給装置を動作させることで、供給口7aから露光液体LQ1を供給することができる。供給口7aから供給された露光液体LQ1は、開口6Kを通過する。液浸部材6と物体とが対向して配置される場合に、開口6K6Kを通過した露光液体LQ1により、終端光学素子10の射出面11と、物体との間の露光光ELの光路が露光液体LQ1で満たされる。
The
本実施形態においては、液体供給装置は、露光液体LQ1とは異なる液体(非露光液体LQ2)を供給することが可能である。非露光液体LQ2は、例えば、物質を含む水溶液である。物質を含む水溶液は、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液、コリン水溶液、オゾンを含む水溶液、過酸化水素を含む水溶液である。また、非露光液体LQ2は、水溶液に限られず、例えば、メチルアルコールやイソプロピルアルコールなどのアルコールを含む液体でも構わない。 In the present embodiment, the liquid supply apparatus can supply a liquid (non-exposure liquid LQ2) different from the exposure liquid LQ1. The non-exposure liquid LQ2 is an aqueous solution containing a substance, for example. The aqueous solution containing the substance is, for example, an aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution, an aqueous choline solution, an aqueous solution containing ozone, or an aqueous solution containing hydrogen peroxide. Further, the non-exposure liquid LQ2 is not limited to an aqueous solution, and may be a liquid containing an alcohol such as methyl alcohol or isopropyl alcohol.
図3には、本実施形態における回収部8の一例を示している。本実施形態において、回収部8は、投影領域PRの少なくとも一部に配置される物体と対向可能な回収口8aを有する。回収口8aには、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材19が配置されている。なお、回収部8に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。回収部8の下面8bには、多孔部材19が含まれる。
FIG. 3 shows an example of the
回収部8は、液体回収装置に接続され、液体回収装置を動作させることで、回収口8aから液体を回収することができる。供給口7aから供給される露光液体LQ1は、開口6Kを通過し、平坦部材Fと対向して配置される物体との間の空間を介して、回収口8aで回収される。
The
本実施形態においては、基板Pに露光光ELが照射されているとき(露光時)に形成される液浸空間LSの界面(メニスカス、エッジ)の少なくとも一部は、回収部8の下面8bと基板Pの表面との間に形成される。また、露光時に形成される液浸空間LSの界面は、回収部8の下面8bのうち、多孔部材19に形成される。
In the present embodiment, at least a part of the interface (meniscus, edge) of the immersion space LS formed when the substrate P is irradiated with the exposure light EL (during exposure) is connected to the
図4には、本実施形態における多孔部材19の一例を示している。本実施形態において、下面8aには凹凸部Oが含まれている。凹凸部Oは、多孔部材19に配置されている。したがって、本実施形態における多孔部材19の形状は、凹凸を含む。凹凸部Oは、凹部Bと凸部Dとが含まれている。したがって、凹凸部Oは、XY平面において、凹部Bと凸部DのZ軸方向の位置が異なる。本実施形態では、Z軸方向に沿って、凸部Dと凹部BはギャップG離れている。ギャップGの距離は、後述する音波の波長の1/4よりも大きい。
FIG. 4 shows an example of the
本実施形態における、回収口8aの位置情報は、制御装置に記憶されている。例えば、投影光学系PLの光軸から多孔部材19の距離である。また、多孔部材19の位置情報として、多孔部材19に配置される凹凸部Oの凹部Bと凸部DのギャップGの距離に関する情報も記憶されている。したがって、多孔部材19と対向する物体の所定の場所と投影光学系PLの光軸との距離に基づいて、所定の場所と多孔部材19との位置関係が算出できる。また、所定の場所と、対向する(例えば、Z軸方向)多孔部材19の形状の凹凸部Oの情報(凹部Bと凸部DのギャップGの有無など)が分かる。
The position information of the
基板ステージ2は、基板Pを支持するものであって、基板Pを脱着可能に保持する基板保持部PHを介して保持するZステージ21と、Zステージ21を支持するXYステージ22とを備えている。Zステージ21及びXYステージ22を含む基板ステージ2はステージベースBに支持されている。基板ステージ2はリニアモータ等の駆動システムにより駆動され、投影領域PRを含むベース部材Bの表面Ba上を移動可能である。Zステージ21を駆動することにより、Zステージ21に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置が制御される。また、XYステージ22を駆動することにより、基板PのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)が制御される。すなわち、Zステージ21は、基板Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込み、XYステージ22は、基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。なお、Zステージ21とXYステージ22とを一体的に設けてよいことは言うまでもない。基板保持部PHの周囲には、Zステージ21の表面Hが配置される。Zステージ21の表面Hは、基板保持部PHに保持された基板Pの表面の周囲に配置される。表面Hはほぼ平坦であり、基板保持部PHに保持された基板Pの表面とほぼ同一平面内(XY平面内)に配置される。すなわち、Zステージの表面Hと、基板保持部PHに保持された基板Pの表面とは、ほぼ面一である。
The
計測ステージIは、振動を発生することが可能な振動部材Cと、不図示の計測部材(計測器)とを保持するものであって、振動部材Cを保持するZステージI1と、ZステージI1を支持するXYステージI2とを備えている。ZステージI1及びXYステージI2を含む計測ステージIはステージベースBに支持されている。計測ステージIは、リニアモータ等の駆動システムにより駆動され、投影領域PRを含むベース部材Bの表面Ba上を移動可能である。ZステージI1を駆動することにより、ZステージI1に保持される振動部材CのZ軸方向における位置、及びθX、θY方向における位置が制御される。また、XYステージI2を駆動することにより、振動部材CのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)が制御される。したがって、ZステージI1を駆動することにより、振動部材Cと、振動部材Cと対向する物体との位置関係を、Z軸方向における位置、及びθX、θY方向において変更することが可能である。また、XYステージI2を駆動することにより、振動部材Cと、振動部材Cと対向する物体との位置関係を、XY方向において変更することが可能である。振動部材Cと対向する物体とは、例えば、液浸部材6の回収部8の多孔部材19がある。したがって、振動部材Cと多孔部材19の位置関係から、例えばZ軸方向に沿う振動部材Cと対向する多孔部材19の形状に関する情報が分かる。さらに、振動部材CのZ軸方向の位置が制御されているので、Z軸方向に沿った振動部材Cと多孔部材19との距離を算出することができる。
The measurement stage I holds a vibration member C capable of generating vibration and a measurement member (measuring instrument) (not shown), and includes a Z stage I1 that holds the vibration member C, and a Z stage I1. And an XY stage I2 supporting the above. The measurement stage I including the Z stage I1 and the XY stage I2 is supported by the stage base B. The measurement stage I is driven by a drive system such as a linear motor, and can move on the surface Ba of the base member B including the projection region PR. By driving the Z stage I1, the position of the vibrating member C held by the Z stage I1 in the Z-axis direction and the positions in the θX and θY directions are controlled. Further, by driving the XY stage I2, the position of the vibrating member C in the XY direction (position in a direction substantially parallel to the image plane of the projection optical system PL) is controlled. Therefore, by driving the Z stage I1, the positional relationship between the vibrating member C and the object facing the vibrating member C can be changed in the position in the Z-axis direction and in the θX and θY directions. Further, by driving the XY stage I2, it is possible to change the positional relationship between the vibrating member C and the object facing the vibrating member C in the XY direction. The object facing the vibration member C is, for example, the
なお、ZステージI1とXYステージI2とを一体的に設けてよいことは言うまでもない。なお、ZステージI1は、振動部材Cを脱着可能に保持しても構わない。振動部材Cの周囲には、ZステージI1の表面Sが配置される。ZステージI1の表面Sは、振動部材Cの表面Caの周囲に配置される。表面Caはほぼ平坦であり、振動部材Cの表面Caとほぼ同一平面内に(XY平面内)に配置される。すなわち、Zステージ21の表面Hと、振動部材Cの表面Caとは、ほぼ面一である。
Needless to say, the Z stage I1 and the XY stage I2 may be provided integrally. The Z stage I1 may hold the vibration member C so as to be removable. Around the vibration member C, the surface S of the Z stage I1 is disposed. The surface S of the Z stage I1 is disposed around the surface Ca of the vibration member C. The surface Ca is substantially flat and is disposed in substantially the same plane (in the XY plane) as the surface Ca of the vibration member C. That is, the surface H of the
本実施形態において、振動部材Cは周波数950KHzの振動を発生することが可能である。振動部材Cは、圧電セラミック素子を作動させることにより、振動を発生する。なお、振動部材Cは950KHzに限られず、1KHz〜2MHz程度の振動子を搭載することが可能である。なお、振動部材Cは、例えば圧電セラミック素子に限られず、圧電高分子膜、ZnO薄膜振動子でも構わない。 In the present embodiment, the vibrating member C can generate vibrations having a frequency of 950 KHz. The vibration member C generates vibration by operating the piezoelectric ceramic element. The vibrating member C is not limited to 950 KHz, and a vibrator of about 1 KHz to 2 MHz can be mounted. The vibrating member C is not limited to a piezoelectric ceramic element, for example, and may be a piezoelectric polymer film or a ZnO thin film vibrator.
振動部材Cが発生する振動は、液体にて音波として伝播することができる。液体に伝播する音波の波長は、以下の式1で示すことができる。 The vibration generated by the vibration member C can be propagated as a sound wave in the liquid. The wavelength of the sound wave propagating to the liquid can be expressed by the following formula 1.
音波の波長 = 液体中での音波の速度 / 振動部材Cの周波数 --- 式1
したがって、本実施形態において振動部材Cの周波数は、950KHzおよび、音波が電波する液体における音波の速度に基づいて、その音波の波長が定まる。
Wavelength of sound wave = Speed of sound wave in liquid / Frequency of vibrating member C --- Formula 1
Therefore, in this embodiment, the frequency of the vibration member C is 950 KHz and the wavelength of the sound wave is determined based on the speed of the sound wave in the liquid in which the sound wave is transmitted.
図5において、液体に伝播する音波の様子を示している。振動部材Cにより液体に与えた振動は振幅が生じる。液体には、伝播する音波の方向に沿って振幅の大きい腹部分Rが所定の間隔で生じ、各腹部分Rの間には節部分Fが生じる。本実施形態における1波長には、図5に示すように二つの腹と、二つの節が含まれる。すなわち1/2波長は、腹部分Rが一つと、節部分Fが二つ含まれる。本実施形態において、1/4波長には、腹部分Rが一つと、節部分Fが一つ含まれる。したがって、1/4波長以内には、必ず腹部分Rが含まれることになる。振動を音波として対象物に伝播する場合に、腹部分Rで到達した場合に対象物に到達する振動と、節部分Fで到達した場合に対象物に到達する振動とは異なる。本実施形態においては、振動を腹部分Rで到達した場合の振動が、節部分Fで到達した場合の振動よりも大きい。 FIG. 5 shows the state of sound waves propagating to the liquid. The vibration applied to the liquid by the vibration member C generates an amplitude. In the liquid, abdominal portions R having a large amplitude are generated at predetermined intervals along the direction of the propagating sound wave, and node portions F are generated between the abdominal portions R. One wavelength in this embodiment includes two antinodes and two nodes as shown in FIG. That is, the half wavelength includes one antinode portion R and two node portions F. In the present embodiment, the quarter wavelength includes one antinode portion R and one nodal portion F. Therefore, the antinode portion R is always included within the quarter wavelength. When the vibration is propagated to the object as a sound wave, the vibration that reaches the object when it reaches the abdomen R and the vibration that reaches the object when it reaches the node part F are different. In the present embodiment, the vibration when the vibration reaches the abdominal part R is larger than the vibration when the vibration reaches the node part F.
本実施形態においては、振動部材Cの振動により、図4に示すように、液体に発生する音波は直進しながら、伝播する。したがって、振動部材Cによる対象物の洗浄は、振動部材Cにより発生した音波が直進し、対象物において、音波が到達した部分のみが、振動部材Cにより洗浄される。したがって、XY平面において、振動部材Cにより発生する音波の断面積で、断面積よりも広い面積の対象物を洗浄する場合には、XY平面において、振動部材Cと対象物とを相対移動させる必要がある。XY平面において、振動部材Cにより発生する音波の断面積は、振動部材Cの面積と同じである。なお、XY平面において、振動部材Cにより発生する音波の断面積は、振動部材Cの面積と異なっていても構わない。 In the present embodiment, due to the vibration of the vibration member C, as shown in FIG. 4, the sound wave generated in the liquid propagates while traveling straight. Therefore, in the cleaning of the object by the vibration member C, the sound wave generated by the vibration member C goes straight, and only the portion of the object where the sound wave has reached is cleaned by the vibration member C. Therefore, in the case where the cross-sectional area of the sound wave generated by the vibration member C on the XY plane is to be cleaned, it is necessary to relatively move the vibration member C and the target object on the XY plane. There is. In the XY plane, the cross-sectional area of the sound wave generated by the vibrating member C is the same as the area of the vibrating member C. In the XY plane, the cross-sectional area of the sound wave generated by the vibrating member C may be different from the area of the vibrating member C.
振動部材Cの表面Caは、露光液体LQ1に対して撥液性である。本実施形態では、接触角は90°以上であることが望ましい。なお、振動部材Cの表面Caは撥液性でなくても構わなく、例えば親液性でも構わない。 The surface Ca of the vibrating member C is liquid repellent with respect to the exposure liquid LQ1. In the present embodiment, the contact angle is desirably 90 ° or more. The surface Ca of the vibration member C may not be liquid repellent, and may be lyophilic, for example.
計測部材(計測器)は、アライメントセンサ用のマークのような基準マークが形成された基準部材、各種の光電センサを含む。計測器は、例えば米国特許第4,465,368号に開示される照度むらセンサ、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号に開示される、投影光学系PLにより投影されるパターンの空間像(投影像)の光強度を計測する空間像計測器、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号に開示される照度モニタ、及び欧州特許第1,079,223号に開示される波面収差計測器である。計測器は、アライメントセンサ用のマークのような基準マークが形成された基準部材、各種の光電センサを含む。計測器は、例えば米国特許第4,465,368号に開示される照度むらセンサ、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号に開示される、投影光学系PLにより投影されるパターンの空間像(投影像)の光強度を計測する空間像計測器、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号に開示される照度モニタ、及び欧州特許第1,079,223号に開示される波面収差計測器である。 The measuring member (measuring instrument) includes a reference member on which a reference mark such as an alignment sensor mark is formed, and various photoelectric sensors. The measuring instrument is an aerial image of a pattern projected by the projection optical system PL disclosed in, for example, an uneven illuminance sensor disclosed in US Pat. No. 4,465,368, for example, US 2002/0041377. An aerial image measuring instrument that measures the light intensity of a projected image, for example, an illuminance monitor disclosed in US Patent Application Publication No. 2002/0061469, and a wavefront aberration measuring instrument disclosed in European Patent No. 1,079,223. is there. The measuring instrument includes a reference member on which a reference mark such as an alignment sensor mark is formed, and various photoelectric sensors. The measuring instrument is an aerial image of a pattern projected by the projection optical system PL disclosed in, for example, an uneven illuminance sensor disclosed in US Pat. No. 4,465,368, for example, US 2002/0041377. An aerial image measuring instrument that measures the light intensity of a projected image, for example, an illuminance monitor disclosed in US Patent Application Publication No. 2002/0061469, and a wavefront aberration measuring instrument disclosed in European Patent No. 1,079,223. is there.
次に上述の露光装置EXの動作の一例について説明する。 Next, an example of the operation of the above-described exposure apparatus EX will be described.
まず、露光前の基板Pは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ2にロ−ドされる。
First, the substrate P before exposure is loaded onto the
露光前の基板Pが基板ステージ2に保持された後に、終端光学素子10と計測ステージIとの間に形成されている液浸空間LSを、基板ステージ2に移動させる。終端光学素子10と基板Pとが対向するように、基板ステージ2を投影光学系PLの下方に移動し、基板ステージ2と計測ステージIとが近接または接触した状態で、液浸空間LSを計測ステージの表面Sから、基板ステージ2の表面Hに移動させる。基板ステージ2を移動させることで、液浸空間LSを基板ステージ2の表面Hから基板Pの表面に移動させる。したがって、射出面11と基板Pの表面とが対向し、基板Pの表面の一部に投影領域PRが配置される。射出面11と対向する基板Pの表面の一部の領域を覆うように、液浸空間LSが配置される。
After the substrate P before exposure is held on the
終端光学素子11と基板Pとの間の露光光ELの光路が露光液体LQ1で満たされた状態で、照明系ILより露光光ELが射出される。射出面11より射出された露光光ELは、マスクMを照明する。マスクMを介した露光光ELは、投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して、基板Pに照射される。これにより、マスクMのパタ−ンの像が基板Pの表面Paに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。上述したように、露光時においては、液浸空間LSの露光液体LQ1と液浸部材6(例えば、回収口8a)とが接触する。
In the state where the optical path of the exposure light EL between the last
基板Pの露光が終了した後に、基板ステージ2に計測ステージIが近接又は接触する。投影光学系PLの下方に液浸空間LSを維持した状態で、液浸空間LSを基板Pの上から基板ステージ2の表面Hに移動させ、基板ステージ2の表面Hから計測ステージIの表面Sに液浸空間LSを移動させる。この間、液浸空間LSの露光液体LQ1と、射出面11とが接触している。露光光ELで露光された基板P(露光後の基板P)は、基板保持部PHからアンロードされる。
After the exposure of the substrate P is completed, the measurement stage I approaches or contacts the
基板ステージが所定の位置にて、露光した基板Pをアンロードし、露光前の基板Pをロードしている間に、計測ステージIの計測器は、計測ステージIの表面Sに液浸空間LSを維持した状態で、液浸空間LSの液体を介した状態で、計測する。 While the substrate stage unloads the exposed substrate P at a predetermined position and loads the unexposed substrate P, the measuring instrument of the measurement stage I is immersed in the immersion space LS on the surface S of the measurement stage I. In a state where the above is maintained, the measurement is performed while the liquid is in the immersion space LS.
ところで、基板Pの露光中、基板Pから発生(溶出)した物質(例えば感光材等の有機物)が、異物(汚染物、パーティクル)として液浸空間LSの露光液体LQ1中に混入する可能性がある。液浸空間LSの露光液体LQ1中に異物が混入すると、液浸部材6の回収部8に異物が付着する可能性がある。それら露光液体LQ1と接触する露光装置EX内の所定部材の表面(液体接触面)に異物が付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Pに付着する可能性がある。また、液浸部材6の回収部8が汚染されると、例えば液浸空間LSを良好に形成できなくなる可能性もある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。
By the way, during exposure of the substrate P, a substance (e.g., an organic substance such as a photosensitive material) generated (eluted) from the substrate P may be mixed into the exposure liquid LQ1 in the immersion space LS as a foreign substance (contaminant, particle). is there. If foreign matter is mixed in the exposure liquid LQ1 in the immersion space LS, there is a possibility that the foreign matter adheres to the
本実施形態では、露光液体LQ1と接触する部材の内、液浸部材6の回収部8の多孔部材19に付着した異物を除去する洗浄を例に説明する。なお、洗浄する場所は、多孔部材19に限られず、例えば、終端光学素子10、平坦部材Fでも構わない。
In the present embodiment, cleaning that removes foreign matter adhering to the
本実施形態においては、計測ステージIに搭載される振動部材Cを用いて多孔部材19に付着した異物を除去する洗浄を行なう。本実施形態では、多孔部材19の洗浄では、露光液体LQ1を用いる。
In the present embodiment, cleaning is performed to remove foreign matter adhering to the
本実施形態では、所定枚数の基板の露光、若しくは所定期間の露光をした後に、多孔部材19の洗浄を行う。なお、不図示の観察装置(例えば、カメラ)を用い、例えば下面8aを観察し、異物を除去する洗浄が必要だと判断された場合に、多孔部材19の洗浄を開始しても構わない。この場合に、多孔部材19とは異なる場所(例えば基板ステージ2の表面H)を観察し、多孔部材19に付着している異物を除去する洗浄の必要の有無を判断しても構わない。
In this embodiment, the
図6に示すように、多孔部材19の洗浄では、液浸部材6と計測ステージIとを対向した状態で、露光液体LQ1による液浸空間LSを形成する。供給口7aから露光液体LQ1を供給し、供給された露光液体LQ1は、回収口8aから回収することで、露光液体LQ1による液浸空間LSを形成する。多孔部材19の洗浄時は、露光液体LQ1による液浸空間LSと多孔部材19とが接触する。また、基板Pの露光時においては、露光液体LQ1の界面が、多孔部材19にあったが、多孔部材19の洗浄時には、露光液体LQ1の界面は、多孔部材19の外側(開口6Kに対して、外側)にある方が望ましい。基板Pの露光時の露光液体LQ1の液浸空間LSの大きさと、多孔部材19の洗浄時の非露光液体LQ2の液浸空間LSの大きさとは、同じでなくても構わない。
As shown in FIG. 6, in the cleaning of the
供給口7aからの露光液体LQ1の供給と、供給された露光液体LQ1の回収口8aの回収とを行いながら、液浸空間LSを形成した状態で、露光液体LQ1を介して、振動部材Cと多孔部材19とを対向させる。本実施形態においては、XY平面において、振動部材Cの振動により露光液体LQ1に発生する音波の断面積で、その断面積よりも広い面積の多孔部材19を洗浄するので、XY平面において、計測ステージIを駆動させることにより振動部材Cを移動させる。すなわち、XY平面において、振動部材Cの面積は、多孔部材19の面積よりも小さい。振動部材Cを移動させることで、多孔部材19において、音波が到達する部分が変わる。本実施形態においては、図4に示す凹部Bを洗浄した後に、振動部材Cを移動させて、凸部Dの洗浄を行う。なお、凸部Dを凹部Bよりも先に洗浄しても構わない。
While the immersion liquid LS is formed while supplying the exposure liquid LQ1 from the
ところで、上述したように、多孔部材19には凹部Bと凸部Dとが含まれているので、XY平面に沿って振動部材Cを移動させると、凹部Bを洗浄するときの凹部と振動部材CとのZ軸方向における距離と、凸部Dを洗浄するときの凸部Dと振動部材CとのZ軸方向における距離とが異なる。本実施形態において、振動部材Cの表面は、XY平面と平行なので、振動部材Cの振動による音波は、Z軸方向に沿って伝播する。したがって、凹部Bを洗浄するときの露光液体LQ1を音波が伝播する距離と、凸部Dを洗浄するときの露光液体LQ1を音波が伝播する距離とは異なる。したがって、凹部Bと凸部Dとに、音波の腹部分Rが到達しないために、凹部Bと凸部Dとに到達する音波の振動が、腹部分Rに比べて小さくなり、洗浄効率が低下する可能性がある。
Incidentally, as described above, since the
本実施形態においては、XY平面に沿って振動部材Cを移動させると、凹部Bでは音波の腹部分Rでの洗浄、凸部Dでは音波の節部分Fでの洗浄になる場合を例に説明する。 In the present embodiment, when the vibrating member C is moved along the XY plane, cleaning is performed on the antinode portion R of the sound wave in the concave portion B, and cleaning is performed on the node portion F of the sound wave in the convex portion D. To do.
凹部Bの洗浄では、振動部材CのZ軸方向の位置と凹部BのZ軸方向の位置とが算出され、Z軸方向に沿った振動部材Cと凹部Bとの距離が算出される。また、本実施形態では、すでに洗浄に用いる液体(露光液体LQ1)と、振動部材Cの周波数とから、音波の波長が算出される。これらに基づいて、凹部Bの洗浄では、音波の腹部分Rが到達するための、振動部材Cの位置が決定される。 In cleaning the recess B, the position of the vibration member C in the Z-axis direction and the position of the recess B in the Z-axis direction are calculated, and the distance between the vibration member C and the recess B along the Z-axis direction is calculated. In the present embodiment, the wavelength of the sound wave is calculated from the liquid (exposure liquid LQ1) already used for cleaning and the frequency of the vibrating member C. Based on these, in the cleaning of the recess B, the position of the vibrating member C for the arrival of the anti-node portion R of the sound wave is determined.
本実施形態では、凹部Bの洗浄した後に、XY平面に沿って振動部材Cを、凸部Dを洗浄する場所まで移動させる。凸部Dで音波の腹部分Rでの洗浄となるように、音波の伝播するZ軸方向に沿った、振動部材Cと凸部Dとの距離が、変更される。すでに算出した振動部材Cの振動により露光液体LQ1に発生する音波の波長から、腹部分Rでの洗浄となるように振動部材Cと凸部Dとの距離を算出する。算出された距離となるように、凸部Dを洗浄する場所において、振動部材CをZ軸方向に沿って移動させる。上述したように、液体中を伝播する音波は、腹部分Rと節部分Fとが1/4波長毎に繰り返すので、凸部Dを洗浄する場所において、振動部材CをZ軸方向に沿って、1/4波長よりも短い範囲内で移動させる。移動する方向は、振動部材Cと多孔部材19との距離を短くする+Z軸方向でも構わないし、振動部材Cと多孔部材19との距離を長くする−Z軸方向でも構わない。振動部材Cの移動距離が短くなるように、+Z軸方向、−Z軸方向に移動させるのが望ましい。本実施形態では、多孔部材19に凹凸部Oが含まれている場合でも、多孔部材19の全てに音波の腹部分Rを到達させ、多孔部材19を洗浄することができる。多孔部材19の洗浄が終了した後に、基板ステージ2に保持された基板Pの露光を開始する。
In the present embodiment, after cleaning the concave portion B, the vibrating member C is moved along the XY plane to a place where the convex portion D is cleaned. The distance between the vibrating member C and the convex portion D along the Z-axis direction through which the sound wave propagates is changed so that the convex portion D is cleaned at the antinode portion R of the acoustic wave. The distance between the vibrating member C and the convex portion D is calculated from the wavelength of the sound wave generated in the exposure liquid LQ1 by the vibration of the vibrating member C that has already been calculated so as to perform cleaning at the abdominal portion R. The vibrating member C is moved along the Z-axis direction at the place where the convex portion D is cleaned so that the calculated distance is obtained. As described above, since the sound wave propagating in the liquid repeats the abdominal part R and the node part F every quarter wavelength, the vibration member C is moved along the Z-axis direction at the place where the convex part D is cleaned. , And move within a range shorter than ¼ wavelength. The moving direction may be the + Z-axis direction in which the distance between the vibrating member C and the
なお、本実施形態では、多孔部材19の凹凸部Oには凹部Bと凸部Dがそれぞれ一つ設けられているが、複数設けられていても構わない。また、本実施形態では、凹部Bと凸部Dとが隣りあって設けられていたが、所定面において、凹部Bと凸部Dとが別々に、分離して設けられていても構わない。
In this embodiment, the concave and convex portion O of the
なお、上述したように、Z軸方向において、凸部Dと凹部Bとは1/4波長以上離れているので、凸部Dを洗浄する際に、振動部材Cを1/4波長以上の範囲で移動させても構わない。例えば、凹部Bの洗浄で、腹部分Rが到達する様な凹部Bと振動部Cとの距離を算出したが、その算出された距離を維持したまま、多孔部材19の凹凸部Oの形状に基づいて、振動部材Cを移動させ、洗浄しても構わない。
As described above, since the convex portion D and the concave portion B are separated by a quarter wavelength or more in the Z-axis direction, when the convex portion D is cleaned, the vibration member C is in a range of the quarter wavelength or more. You may move it with. For example, the distance between the concave portion B and the vibrating portion C where the abdominal portion R reaches is calculated by cleaning the concave portion B, but the shape of the uneven portion O of the
なお、本実施形態では、凹部Bを洗浄した後に、XY平面に沿って振動部Cを移動させ、凸部Dの洗浄をするために、Z軸方向に振動部Cを移動させたが、振動部Cの移動方向はこれに限られない。例えば、凹部Bを洗浄した後に、XY平面と交差する平面に沿って振動部Cを移動させても構わない。 In this embodiment, after cleaning the concave portion B, the vibrating portion C is moved along the XY plane, and the vibrating portion C is moved in the Z-axis direction to clean the convex portion D. The moving direction of the part C is not limited to this. For example, after cleaning the recess B, the vibrating part C may be moved along a plane intersecting the XY plane.
以上、説明したように、本実施形態では、液浸部材6を洗浄する場合に、液浸部材6のうち洗浄する場所によって、液浸部材6と振動部Cとの位置関係を変更した。したがって、液浸部材6に対して、振動部材Cの振動により発生する音波の腹部分Rを到達することができる。したがって、振動部Cを用い、液浸部材6を良好に洗浄することができる。したがって、露光不良を抑制することができる。
As described above, in the present embodiment, when the
〈第2実施形態〉
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については、同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
本実施形態では、多孔部材19を洗浄する際に、多孔部材19と振動部材Cとの間の露光液体LQ1の温度を調整する。
In this embodiment, when cleaning the
上述した通り、液体中の音波の速度に基づいて、音波の波長は変わる。また、その液体の温度に基づいて、液体中の音波の速度は変わる。そこで、本実施形態では、多孔部材19を洗浄する際に、多孔部材19と振動部材Cとの間の露光液体LQ1の温度を調整し、露光液体LQ1中の音波の波長を変える。本実施形態では、予め露光形態LQ1の各温度における、所定周波数の振動部材Cにより発生する露光液体LQ1中の音波の波長の情報を、制御装置が記憶している。
As described above, the wavelength of the sound wave changes based on the speed of the sound wave in the liquid. Further, the speed of the sound wave in the liquid changes based on the temperature of the liquid. Therefore, in this embodiment, when cleaning the
本実施形態においては、XY平面に沿って振動部材Cを移動させると、凹部Bでは音波の腹部分Rでの洗浄、凸部Dでは音波の節部分Fでの洗浄になる場合を例に説明する。 In the present embodiment, when the vibrating member C is moved along the XY plane, cleaning is performed on the antinode portion R of the sound wave in the concave portion B, and cleaning is performed on the node portion F of the sound wave in the convex portion D. To do.
凹部Bでの洗浄した後に、XY平面に沿って振動部材Cを移動させたときの、Z軸方向に沿った凹部Bと振動部材Cとの距離を算出する。記憶されている、露光液体LQ1の各温度における、露光液体LQ1での音波の波長と、算出されたZ軸方向に沿った凹部Bと振動部材Cとの距離とから、凸部Dに腹部分Rを到達させるために必要な露光液体LQ1の温度を算出する。算出された温度となるように、供給部7から供給される露光液体LQ1の温度を、液体供給装置を用いて調整する。
After the cleaning in the recess B, the distance between the recess B and the vibration member C along the Z-axis direction when the vibration member C is moved along the XY plane is calculated. From the stored wavelength of the sound wave in the exposure liquid LQ1 at each temperature of the exposure liquid LQ1 and the calculated distance between the recess B and the vibration member C along the Z-axis direction, The temperature of the exposure liquid LQ1 necessary for reaching R is calculated. The temperature of the exposure liquid LQ1 supplied from the
なお、液体中の音波の波長と、液浸部材6と振動部材Cとの位置関係の一方のみではなく、両方を変更しても構わない。また、洗浄において液体の温度変化にともない、液体中の音波の波長が変化しないように、所定温度の液体を振動部材Cに供給するようにしても構わない。
In addition, not only one of the wavelength of the sound wave in the liquid and the positional relationship between the
以上、本実施形態では、液浸部材6を洗浄する場合に、液浸部材6のうち洗浄する場所によって、液体中の音波の波長を変更した。したがって、液浸部材6に対して、振動部材Cの振動により発生する音波の腹部分Rを到達することができる。したがって、振動部材Cを用い、液浸部材6を良好に洗浄することができる。したがって、露光不良を抑制することができる。
As described above, in the present embodiment, when cleaning the
〈第3実施形態〉
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については、同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
本実施形態においては、多孔部材19を洗浄する際に、多孔部材19と振動部材Cとの間を非露光液体LQ2で満たして、多孔部材19の洗浄を実行する。本実施形態では、非露光液体LQ2として、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いる。
In the present embodiment, when the
多孔部材19の洗浄では、液浸部材6と計測ステージIとを対向した状態で、非露光液体LQ2による液浸空間LSを形成する。供給口7aから非露光液体LQ2を供給し、供給された非露光液体LQ2は、回収口8aから回収することで、非露光液体LQ2による液浸空間LSを形成する。多孔部材19の洗浄時は、非露光液体LQ2による液浸空間LSと多孔部材19とが接触する。また、基板Pの露光時においては、露光液体LQ1の界面が、多孔部材19にあったが、多孔部材19の洗浄時には、非露光液体LQ2の界面は、多孔部材19の外側(開口6Kに対して、外側)にある方が望ましい。基板Pの露光時の露光液体LQ1の液浸空間LSの大きさと、多孔部材19の洗浄時の非露光液体LQ2の液浸空間LSの大きさとは、異なっていても構わない。
In the cleaning of the
本実施形態においては、第1の実施形態における露光液体LQ1を用いた多孔部材19の洗浄した後に、露光液体LQ1とは異なる非露光液体LQ2を用いた多孔部材19の洗浄を行う場合を説明する。本実施形態では、予め液体の種類毎の、所定周波数の振動部材Cにより発生する液体中の音波の波長の情報を、制御装置が記憶している。
In the present embodiment, a case where the
露光液体LQ1と非露光液体LQ2で液体の種類が異なるので、それぞれの液体中での音波の速度が異なる。したがって、露光液体LQ1と非露光液体LQ2での音波の波長が異なる。そこで、本実施形態では、非露光液体のLQ2の音波の波長から、凹部Bに腹部分Rが到達するように、Z軸方向に沿った凹部Bと振動部材Cとの距離、凸部Dと振動部材Cとの距離を算出し、算出された距離に基づいて洗浄を行う。本実施形態において、露光液体LQ1と非露光液体LQ2とは異なり、液体中の音波の波長が異なるので、算出される距離も液体の種類によって異なる。 Since the types of liquid are different between the exposure liquid LQ1 and the non-exposure liquid LQ2, the speed of sound waves in each liquid is different. Therefore, the wavelength of the sound wave differs between the exposure liquid LQ1 and the non-exposure liquid LQ2. Therefore, in the present embodiment, the distance between the concave portion B and the vibration member C along the Z-axis direction, the convex portion D, and the convex portion D so that the antinode portion R reaches the concave portion B from the wavelength of the sound wave of the non-exposure liquid LQ2. The distance from the vibration member C is calculated, and cleaning is performed based on the calculated distance. In the present embodiment, unlike the exposure liquid LQ1 and the non-exposure liquid LQ2, since the wavelength of the sound wave in the liquid is different, the calculated distance also differs depending on the type of liquid.
なお、上述の実施形態では、供給口7aから供給される非露光液体LQ2により液浸空間LSを形成したが、供給口7aとは異なる場所から供給される非露光液体LQ2により液浸空間LSを形成しても構わない。例えば、液浸部材6の供給口7aとは異なる、非露光液体LQ2を供給する供給口を、液浸部材6の回収口8の外側に設け、非露光液体LQ2を供給しても構わない。また、例えば、計測ステージIに非露光液体LQ2を供給する供給口を設け、非露光液体LQ2を供給しても構わない。また、例えば、液浸部材6の回収口8から非露光液体LQ2を供給しても構わない。この場合に、供給された非露光液体LQ2を回収可能な回収口を回収部8の外側に設け、供給された非露光液体LQ2を回収しても構わない。
In the above-described embodiment, the immersion space LS is formed by the non-exposure liquid LQ2 supplied from the
なお、非露光液体LQ2の洗浄は、露光液体LQ1の洗浄した後でなくても構わない。また、非露光液体LQ2の洗浄は、用いる液体の種類を変えて複数回行っても構わない。また、露光液体LQ1の洗浄と非露光液体LQ2の洗浄とを複数回繰り返しても構わない。 The non-exposure liquid LQ2 may not be cleaned after the exposure liquid LQ1 is cleaned. Further, the cleaning of the non-exposure liquid LQ2 may be performed a plurality of times by changing the type of liquid used. Further, the cleaning of the exposure liquid LQ1 and the cleaning of the non-exposure liquid LQ2 may be repeated a plurality of times.
以上、説明したように、本実施形態では、液浸部材6を洗浄する場合に、液浸部材6と振動部材Cとの間の液体の種類に基づいて、液体中の音波の波長を算出した。算出された音波の波長に基づいて、液浸部材6のうち洗浄する場所によって、液浸部材6と振動部材Cとの位置関係を変更した。したがって、液浸部材6に対して、振動部材Cの振動により発生する音波の腹部分Rを到達することができる。したがって、振動部材Cを用い、液浸部材6を良好に洗浄することができる。したがって、露光不良を抑制することができる。
As described above, in this embodiment, when cleaning the
なお、液浸部材6と振動部材Cとの位置関係を変更する場合は、上述の凹凸部Oに限られない。例えば、多孔部材19にZ軸方向に対して垂直なXY平面と交差する傾斜部を備えている場合も、液浸部材6と振動部材Cとの位置関係を変更する。図7には、傾斜部を備える多孔部材19の一例を示している。図7に示すように、傾斜部の第1部分Jと、傾斜部の第2部分Kとを洗浄する場合を例に説明する。傾斜部の場合においても、第1点の洗浄でのZ軸方向における振動部材Cと第1点Jとの距離と、第2点の洗浄でのZ軸方向における振動部材Cと第2点Kとの距離とが異なる。したがって、凹凸部Dと同様に、洗浄対象に音波の腹部分Rが到達するように、傾斜部と振動部材Cとの位置関係を変更する。
In addition, when changing the positional relationship of the
なお、振動部材Cの振動による液体中の音波が伝播する距離を、振動部材CをZ軸方向に沿って移動して変えたがこれに限られない。例えば、洗浄対象である液浸部材6を駆動可能として、Z軸方向に沿って移動させても構わない。また、例えば、図8に示すように、振動部材Cを、Y軸を中心に(θY)傾けることで、液体中の音波が液浸部材6までの伝播する距離を変えることができる。液体中の音波が伝播する方向は、また、例えば、図9に示すように、液体中の音波を反射する反射部材を配置することで、音波の伝播する距離を変えることができる。
In addition, although the distance which the sound wave in the liquid by the vibration of the vibration member C propagates is changed by moving the vibration member C along the Z-axis direction, it is not limited to this. For example, the
なお、上述の実施形態では、計測ステージIに振動部材Cを搭載して、振動部材Cを振動させて、液浸部材6を洗浄したが、振動を発生する方法はこれに限られない。例えば、計測ステージIと液浸部材6との間に液浸空間LSを形成した状態で、計測ステージIを所定の周期で振動させ、液浸空間LSに音波を発生させても構わない。
In the above-described embodiment, the vibration member C is mounted on the measurement stage I, the vibration member C is vibrated, and the
なお、上述の実施形態では、振動部材Cを搭載させる場所は、計測ステージIに限られない。例えば、基板ステージ2でも構わない。この場合に、基板に振動子Cを搭載し、振動子Cを搭載した基板を、基板保持部PHで保持しても構わない。また、基板ステージ2及び計測ステージIとは異なるステージを設け、その異なるステージに振動子Cを搭載しても構わない。
In the above-described embodiment, the place where the vibration member C is mounted is not limited to the measurement stage I. For example, the
なお、上述の実施形態では、計測ステージIのZステージI1をZ軸方向に沿って移動させ、Z軸方向に沿って振動部材Cを移動させたが、振動部材Cの位置の変更方法はこれに限られない。例えば、計測ステージIと独立して振動部材Cを駆動可能としても構わない。 In the above-described embodiment, the Z stage I1 of the measurement stage I is moved along the Z-axis direction and the vibration member C is moved along the Z-axis direction. However, the method for changing the position of the vibration member C is as follows. Not limited to. For example, the vibrating member C may be driven independently of the measurement stage I.
なお、上述の実施形態では、一つの振動部材Cを搭載したが、複数の振動部材Cを搭載しても構わない。例えば、複数の振動部材CのZ軸方向における位置が異なっていても構わない。Z軸方向において振動部材Cの位置が異なるので、Z軸方向における振動部材Cと洗浄対象との距離も、複数の振動部材Cのそれぞれで異なる。したがって、複数の振動部材Cの内、洗浄対象において、腹部分Rの音波を到達できる振動部材Cを、複数の振動部材Cの中から選択して、洗浄に使用しても構わない。 In the above-described embodiment, one vibration member C is mounted, but a plurality of vibration members C may be mounted. For example, the positions in the Z-axis direction of the plurality of vibration members C may be different. Since the position of the vibration member C is different in the Z-axis direction, the distance between the vibration member C and the object to be cleaned in the Z-axis direction is also different for each of the plurality of vibration members C. Therefore, among the plurality of vibration members C, the vibration member C that can reach the sound wave of the abdominal part R in the object to be cleaned may be selected from the plurality of vibration members C and used for cleaning.
なお、上述の実施形態では、振動部材Cから発生する振動の周波数は、一つであったが、複数の周波数から選択できるようにしても構わない。上述したように、周波数に基づいて、発生する音波の波長を変えることができる。したがって、複数の周波数の内、洗浄対象において、腹部分Rの音波を到達できる周波数を、複数の周波数の中から選択して、洗浄に使用しても構わない。 In the above-described embodiment, the frequency of vibration generated from the vibration member C is one, but it may be selected from a plurality of frequencies. As described above, the wavelength of the generated sound wave can be changed based on the frequency. Therefore, among the plurality of frequencies, a frequency at which the sound wave of the abdominal portion R can reach the object to be cleaned may be selected from the plurality of frequencies and used for cleaning.
なお、上述の実施形態では、液浸部材6と振動部材Cを搭載した計測ステージとを対向して、液浸部材6を洗浄したが、対向させる物体を、露光装置EXの外部から内部に搬入し、洗浄しても構わない。例えば、米国特許出願公開第2008/018867号明細書に開示されているようなメンテナンス機器を対向して、洗浄しても構わない。メンテナンス機器に搭載した振動部材と液浸部材との位置関係を変更しても構わない。
In the above-described embodiment, the
なお、上述の各実施形態においては、露光液体LQ1として水を用いているが、水以外の液体であってもよい。露光液体LQ1としては、露光光ELに対して透過性であり、露光光ELに対して高い屈折率を有し、投影光学系PLあるいは基板Pの表面を形成する感光材(フォトレジスト)などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、露光液体LQ1として、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、露光液体LQ1として、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 In each of the above-described embodiments, water is used as the exposure liquid LQ1, but a liquid other than water may be used. The exposure liquid LQ1 is transmissive to the exposure light EL, has a high refractive index with respect to the exposure light EL, and is a photosensitive material (photoresist) that forms the surface of the projection optical system PL or the substrate P. Those that are stable to the membrane are preferred. For example, as the exposure liquid LQ1, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, or the like can be used. In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the exposure liquid LQ1.
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
なお、露光装置EXとしては、スキャニングステッパを用いた、露光装置はこれに限らない。マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次移動させるステップ・リピート方式でも構わない。 The exposure apparatus EX is not limited to the exposure apparatus using a scanning stepper. A step / repeat method in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the mask M and the substrate P are stationary and the substrate P is sequentially moved may be employed.
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system, and one shot on the substrate is obtained by one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of a region almost simultaneously. The present invention can also be applied to proximity type exposure apparatuses, mirror projection aligners, and the like.
また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。 The present invention also relates to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ), An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, a reticle, a mask, or the like.
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。 In each of the above-described embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as exposure light EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. A harmonic generator that outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used, including a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、反射型マスクでも構わない。また、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。 In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. You can use a mask. Further, as disclosed in, for example, U.S. Pat. No. 6,778,257, a variable shaping mask (an electronic mask, an active mask, an active mask, or the like) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. Alternatively, an image generator may be used. The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. As a self-luminous type image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission Display) And a plasma display panel (PDP).
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。 In each of the above embodiments, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example. However, the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL.
また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line and space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied to.
以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 As described above, the exposure apparatus EX according to the embodiment of the present application maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図10に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること(露光処理)、及び露光された基板を現像することを含む基板処理を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 10, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.
6---液浸部材、C---振動部材、LQ1---露光液体、LS---液浸空間 6 --- Immersion member, C --- Vibration member, LQ1 --- Exposure liquid, LS --- Immersion space
Claims (29)
前記接液部材を、第2液体に接触させることと、
振動部を振動させることによって、前記第2液体中に発生する音波を前記第2液体中で伝播させ、前記接液部材の表面の第1点に所定方向から到達させることで、前記第1点を洗浄することと、
前記振動部を振動させることによって、前記第2液体中に発生する音波を前記第2液体中で伝播させ、前記接液部材の表面の前記第1点とは異なる第2点に前記所定方向から到達させることで、前記第2点を洗浄することと、
前記第1点の洗浄と前記第2点の洗浄とで、前記音波の波長と、前記接液部材と前記振動部との前記所定方向の位置関係との少なくとも一方を変更することと、を含む洗浄方法。 A method for cleaning a liquid contact member in contact with the first liquid of an exposure apparatus that exposes a substrate through the first liquid,
Contacting the liquid contact member with a second liquid;
By vibrating the vibration part, the sound wave generated in the second liquid is propagated in the second liquid, and reaches the first point on the surface of the liquid contact member from a predetermined direction. Cleaning and
By vibrating the vibrating portion, sound waves generated in the second liquid are propagated in the second liquid, and the second point different from the first point on the surface of the liquid contact member is moved from the predetermined direction. Cleaning the second point by reaching,
Changing at least one of the wavelength of the sound wave and the positional relationship of the liquid contact member and the vibrating portion in the predetermined direction between the cleaning of the first point and the cleaning of the second point. Cleaning method.
前記凹凸に、前記第1、第2点が配置される請求項3又は4に記載の洗浄方法。 The shape of the surface of the liquid contact member includes irregularities,
The cleaning method according to claim 3, wherein the first and second points are arranged on the unevenness.
前記接液部材の表面の形状には、前記投影光学系の光軸に対して垂直な面に対する傾斜部分が含まれ、
前記傾斜部分に前記第1、第2点が配置される請求項3〜5の何れか一項に記載の洗浄方法。 The exposure apparatus includes a projection optical system that emits the exposure light,
The shape of the surface of the liquid contact member includes an inclined portion with respect to a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system,
The cleaning method according to claim 3, wherein the first and second points are arranged on the inclined portion.
前記接液部材は、前記第1液体を供給する供給口と前記供給された第1液体を回収する回収口との少なくとも一方を備える請求項1〜7のいずれか一項に記載の洗浄方法。 The liquid contact member holds the first liquid with the substrate so that at least a part of the optical path of the exposure light is filled with the first liquid,
The cleaning method according to any one of claims 1 to 7, wherein the liquid contact member includes at least one of a supply port for supplying the first liquid and a recovery port for recovering the supplied first liquid.
前記ステージに、前記振動部が搭載される請求項11に記載の洗浄方法。 The object includes a movable stage;
The cleaning method according to claim 11, wherein the vibration unit is mounted on the stage.
前記基板を露光することと、
前記露光した前記基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法。 Washing the liquid contact member with the cleaning method according to any one of claims 1 to 14,
Exposing the substrate;
Developing the exposed substrate. A device manufacturing method.
前記第1液体に接触する接液部材と、
振動部と、を備え、
前記接液部材と、第2液体とを接触させた状態で、前記振動部を振動させることによって、前記第2液体中に発生する音波を前記接液部材に伝播し、前記接液部材の表面に所定方向から到達させることで、前記接液部材を洗浄する場合に、前記所定方向からの前記音波を到達することで、前記接液部材の表面の第1点を洗浄する時と、前記所定方向からの前記音波を到達することで、前記接液部材の表面の前記第1点とは異なる第2点を洗浄する時とで、前記音波の波長と、前記接液部材と前記振動部との前記所定方向の位置関係との少なくとも一方を変更する露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate through a first liquid,
A liquid contact member in contact with the first liquid;
A vibration part,
In the state where the liquid contact member and the second liquid are in contact with each other, by vibrating the vibration portion, a sound wave generated in the second liquid is propagated to the liquid contact member, and the surface of the liquid contact member When the liquid contact member is cleaned by reaching the liquid contact member in a predetermined direction, the first point on the surface of the liquid contact member is cleaned by reaching the sound wave from the predetermined direction. When the sound wave from the direction is reached to clean a second point different from the first point on the surface of the liquid contact member, the wavelength of the sound wave, the liquid contact member, and the vibration unit An exposure apparatus that changes at least one of the positional relationship in the predetermined direction.
前記凹凸に、前記第1、第2点が配置される請求項18又は19に記載の露光装置。 The shape of the surface of the liquid contact member includes irregularities,
The exposure apparatus according to claim 18, wherein the first and second points are arranged on the unevenness.
前記接液部材の表面の形状には、前記投影光学系の光軸に対して垂直な面に対する傾斜部が含まれ、
前記傾斜部に前記第1、第2点が配置される請求項18〜20の何れか一項に記載の露光装置。 And a projection optical system for emitting the exposure light,
The shape of the surface of the liquid contact member includes an inclined portion with respect to a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system,
21. The exposure apparatus according to any one of claims 18 to 20, wherein the first and second points are arranged on the inclined portion.
前記第2液体は、前記接液部材に対向して前記ステージが配置された状態で供給される請求項16〜25の何れか一項に記載の露光装置。 Furthermore, the vibration part is mounted, and a movable stage is provided.
The exposure apparatus according to any one of claims 16 to 25, wherein the second liquid is supplied in a state where the stage is disposed to face the liquid contact member.
前記基板を露光することと、
前記露光した前記基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法。 In the exposure apparatus according to any one of claims 16 to 28, washing the liquid contact member;
Exposing the substrate;
Developing the exposed substrate. A device manufacturing method.
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| JP2010243052A Pending JP2012094794A (en) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | Cleaning method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012094794A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023501129A (en) * | 2019-11-18 | 2023-01-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Fluid handling system, method and lithographic apparatus |
-
2010
- 2010-10-29 JP JP2010243052A patent/JP2012094794A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023501129A (en) * | 2019-11-18 | 2023-01-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Fluid handling system, method and lithographic apparatus |
| JP7594586B2 (en) | 2019-11-18 | 2024-12-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Fluid handling system, method and lithographic apparatus - Patents.com |
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