JP2012089769A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高精度なウエハステージの位置計測を可能とする。
【解決手段】 ウエハステージの上面のX軸方向の両端部近傍にY軸方向に延設された一対の計測面のそれぞれに対応して設けられ、対応する計測面上の第1照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの計測面からの戻り光を受光するX軸方向を計測方向とする複数の第1ヘッド65、64を含む複数のヘッドを有し、複数のヘッドの出力に基づいて少なくともXY平面内のウエハステージの位置情報を求める位置計測系を備えている。ここで、第1照射点は、計測面上において、照明光の照射中心を通るX軸方向の直線上に位置する。従って、第1ヘッドによりウエハステージの少なくともX軸方向の位置をアッベ誤差なく計測可能である。
【選択図】図5
【解決手段】 ウエハステージの上面のX軸方向の両端部近傍にY軸方向に延設された一対の計測面のそれぞれに対応して設けられ、対応する計測面上の第1照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの計測面からの戻り光を受光するX軸方向を計測方向とする複数の第1ヘッド65、64を含む複数のヘッドを有し、複数のヘッドの出力に基づいて少なくともXY平面内のウエハステージの位置情報を求める位置計測系を備えている。ここで、第1照射点は、計測面上において、照明光の照射中心を通るX軸方向の直線上に位置する。従って、第1ヘッドによりウエハステージの少なくともX軸方向の位置をアッベ誤差なく計測可能である。
【選択図】図5
Description
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に係り、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等を製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置、及び該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが、主として用いられている。
この種の露光装置では、ウエハ又はガラスプレート等の基板(以下、ウエハと総称する)上の複数のショット領域にレチクル(又はマスク)のパターンを転写するために、ウエハを保持するウエハステージが、例えばリニアモータ等により2次元方向に駆動される。ウエハステージの位置は、一般的に、長期に渡って高い安定性を有するレーザ干渉計を用いて、計測されていた。
しかるに、近年の半導体素子の高集積化に伴うパターンの微細化により、ウエハステージの位置制御性の更なる向上が要求されるようになり、レーザ干渉計のビーム路上の雰囲気の温度変化や温度勾配の影響で発生する空気揺らぎに起因する計測値の短期的な変動が、無視できなくなってきた。そこで、最近では、レーザ干渉計と同程度以上の計測分解能を有するエンコーダが採用されている(例えば、特許文献1参照)。
半導体素子の高集積化及びこれに伴うパターンの微細化は、留まることがなく、このため、特許文献1に開示されるようなエンコーダシステムであっても、近い将来、要求される計測精度を達成できなくなることは確実である。
本発明の第1の態様によれば、照明光に対して物体を第1方向に走査して前記物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、前記物体を保持して前記第1方向及びこれに直交する第2方向を含む所定平面に沿って移動する移動体と;前記移動体の上面に前記第2方向に離れて配置され、その上面に前記第1及び第2方向を周期方向とする2次元グレーティングが形成された前記第1方向に延びる一対の計測面と;前記一対の計測面のそれぞれに対応して少なくとも各1つ設けられ、対応する前記計測面上の第1照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの前記2次元グレーティングを介した戻り光を受光する少なくとも前記第2方向を計測方向とする複数の第1ヘッドを含む複数のヘッドを有し、前記複数のヘッドの出力に基づいて少なくとも前記所定平面内の前記移動体の位置情報を求める位置計測系と;を備え、前記第1照射点は、前記計測面上において、前記照明光の照射中心を通る前記第2方向の直線上に位置する露光装置が、提供される。
これによれば、複数の第1ヘッドから計測面上の第1照射点に計測ビームが照射され、その計測ビームの計測面からの戻り光が第1ヘッドによって受光される。第1照射点は、計測面上において照明光の照射中心、すなわち露光位置を通る第2方向の直線上に位置するので、第1ヘッドにより移動体の第2方向の位置をアッベ誤差なく計測可能である。従って、第1ヘッドの出力に基づいて、露光時における移動体の第2方向の位置が制御されることで、移動体の位置制御性の向上が可能となる。
本発明の第2の態様によれば、本発明の露光装置を用いて物体上にパターンを形成することと;パターンが形成された前記物体を現像することと;を含むデバイス製造方法が、提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図13に基づいて説明する。
図1には、一実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、この投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
露光装置100は、照明系10、レチクルステージRST、投影ユニットPU、ウエハステージWST及び計測ステージMSTを有するステージ装置50、及びこれらの制御系等を備えている。図1において、ウエハステージWST上には、ウエハWが載置されている。
照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータを有する照度均一化光学系、及びレチクルブラインド(いずれも不図示)を有する照明光学系とを含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステム)で規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとして、例えばArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられる。
レチクルステージRST上には、そのパターン面(図1における下面)に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図7参照)によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報(θz方向の位置(以下では、適宜θz回転(若しくはθz回転量)、又はヨーイング(若しくはヨーイング量)とも表記する)の情報を含む)は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)116によって、移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、主制御装置20(図1では不図示、図7参照)に送られる。なお、移動鏡15に代えて、レチクルステージRSTの端面に鏡面加工により形成された反射面を用いても良い。
投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に保持された投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸方向と平行な光軸AXに沿って配列される複数の光学素子(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率(例えば1/4、1/5又は1/8など)を有する。このため、照明系10によってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL(投影ユニットPU)を介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系の第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域IA(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、及び投影光学系PLによってウエハW上にレチクルRのパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
本実施形態の露光装置100には、液浸方式の露光を行うために、局所液浸装置8が設けられている。局所液浸装置8は、例えば液体供給装置5、液体回収装置6(いずれも図1では不図示、図7参照)、液体供給管31A、液体回収管31B、及びノズルユニット32等を含む。ノズルユニット32は、図1に示されるように、投影光学系PLを構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子、ここではレンズ(以下、「先端レンズ」ともいう)191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニットPUを保持する不図示のメインフレームに吊り下げ支持されている。本実施形態では、ノズルユニット32は、図1に示されるように、その下端面が先端レンズ191の下端面とほぼ同一面に設定されている。また、ノズルユニット32は、液体Lqの供給口及び回収口と、ウエハWが対向して配置され、かつ回収口が設けられる下面と、液体供給管31A及び液体回収管31Bとそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備えている。
液体供給管31Aは液体供給装置5(図1では不図示、図7参照)に、液体回収管31Bは液体回収装置6(図1では不図示、図7参照)に接続されている。ここで、液体供給装置5には、液体を貯蔵するタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。液体回収装置6には、回収した液体を貯蔵するタンク、吸引ポンプ、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。
主制御装置20(図7参照)は、液体供給装置5を制御して、液体供給管31Aを介して先端レンズ191とウエハWとの間に液体Lqを供給するとともに、液体回収装置6を制御して、液体回収管31Bを介して先端レンズ191とウエハWとの間から液体Lqを回収する。このとき、主制御装置20は、供給される液体Lqの量と回収される液体Lqの量とが常に等しくなるように、液体供給装置5と液体回収装置6とを制御する。従って、先端レンズ191とウエハWとの間には、一定量の液体Lq(図1参照)が常に入れ替わって保持され、これにより液浸領域14(図2、図4等参照)が形成される。なお、投影ユニットPUの下方に後述する計測ステージMSTが位置する場合にも、同様に先端レンズ191と計測テーブルとの間に液浸領域14を形成することができる。
本実施形態では、上記の液体として、ArFエキシマレーザ光(波長193nmの光)が透過する純水(以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する)を用いるものとする。なお、ArFエキシマレーザ光に対する水の屈折率nは、ほぼ1.44であり、水の中では、照明光ILの波長は、193nm×1/n=約134nmに短波長化される。
ステージ装置50は、図1に示されるように、ベース盤12上に配置されたウエハステージWST及び計測ステージMST、これら2つのステージWST,MSTの位置情報を計測する計測システム200(図7参照)、及び2つのステージWST,MSTを駆動するステージ駆動系124(図7参照)等を備えている。計測システム200は、図7に示されるように、干渉計システム118、エンコーダシステム150及び面位置計測システム180などを含む。
ウエハステージWST及び計測ステージMSTは、それぞれの底面に固定された不図示の非接触軸受、例えばエアベアリングなどにより、数μm程度の隙間(ギャップ)を介して、ベース盤12上に支持されている。また、2つのステージWST,MSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系124(図7参照)によって、XY平面内で独立して駆動可能である。
ウエハステージWSTは、ステージ本体91と、該ステージ本体91上に搭載されたウエハテーブルWTBとを含む。このウエハテーブルWTB及びステージ本体91は、リニアモータ及びZ・レベリング機構(ボイスコイルモータなどを含む)を含む駆動系によって、ベース盤12に対し、6自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)に駆動可能に構成されている。
ウエハテーブルWTBの上面の中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ(不図示)が設けられている。ウエハホルダ(ウエハの載置領域)の外側には、図2に示されるように、ウエハホルダよりも一回り大きな円形の開口が中央に形成され、かつ矩形状の外形(輪郭)を有するプレート(撥液板)28が設けられている。このプレート28の表面は、液体Lqに対して撥液化処理されている。なお、プレート28は、その表面の全部(あるいは一部)がウエハWの表面と同一面となるように設置されている。
プレート28は、ウエハテーブルWTBのX軸方向の中央に位置し、その中央に上述の円形の開口が形成された矩形の外形(輪郭)を有する第1撥液領域28aと、第1撥液領域28aをX軸方向に挟んでウエハテーブルWTBの+X側端部、−X側端部に位置する長方形の一対の第2撥液領域28bと、を有している。なお、本実施形態では、前述の如く液体Lqとして水を用いるので、以下では第1及び第2撥液領域28a,28bをそれぞれ第1及び第2撥水板28a,28bとも呼ぶ。
第1撥水板28aの+Y側の端部近傍には、計測プレート30が設けられている。この計測プレート30には、中央に基準マークFMが形成され、基準マークFMのX軸方向の両側に一対の空間像計測スリットパターン(スリット状の計測用パターン)SLが、形成されている。各空間像計測スリットパターンSLに対応して、それらを透過する照明光ILを、ウエハステージWST外部、具体的には、計測テーブルMTB(及びステージ本体92)に設けられた前述の受光系(不図示)に導く送光系(不図示)が、ウエハステージWSTに設けられている。
一対の第2撥水板28bには、後述のエンコーダシステムで用いられるスケールが形成されている。詳述すると、一対の第2撥水板28bには、それぞれ、スケール391,392が形成されている。スケール391,392はそれぞれ、例えばY軸方向を周期方向とする回折格子とX軸方向を周期方向とする回折格子とが組み合わされた、反射型の二次元回折格子によって構成されている。二次元回折格子の格子線のピッチは、Y軸方向及びX軸方向のいずれの方向についても、例えば1μmと設定されている。なお、図2では、図示の便宜のため、格子のピッチは、実際のピッチよりも大きく図示されている。その他の図においても同様である。
また、回折格子を保護するために、撥水性を備えた、例えば低熱膨張率のガラス板でカバーすることも有効である。ここで、ガラス板としては、厚さがウエハと同程度、例えば厚さ1mmのものを用いることができ、そのガラス板の表面がウエハ面と同じ高さ(同一面)になるよう、ウエハテーブルWTB上面に設置される。
なお、各第2撥水板28bのスケールの端付近には、後述するエンコーダヘッドとスケール間の相対位置を決めるための、不図示の位置出しパターンがそれぞれ設けられている。この位置出しパターンは例えばスケールとは反射率の異なる格子線によって構成することができる。
ウエハテーブルWTBの−Y端面,−X端面には、図2及び図4等に示されるように、後述する干渉計システムで用いられる反射面17a,反射面17bが形成されている。
計測ステージMSTは、図1に示されるように、不図示のリニアモータ等によってXY平面内で駆動されるステージ本体92と、ステージ本体92上に搭載された計測テーブルMTBとを有している。計測ステージMSTは、不図示の駆動系によりベース盤12に対し、少なくとも3自由度方向(X、Y、θz)に駆動可能に構成されている。
なお、図7では、ウエハステージWSTの駆動系と計測ステージMSTの駆動系とを含んで、ステージ駆動系124として示されている。
計測テーブルMTB(及びステージ本体92)には、各種計測用部材が設けられている。この計測用部材としては、例えば、図4に示されるように、照度むらセンサ94、空間像計測器96、波面収差計測器98、照度モニタ(不図示)などが設けられている。また、ステージ本体92には、前述の一対の送光系(不図示)に対向する配置で、一対の受光系(不図示)が設けられている。本実施形態では、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとがY軸方向に関して所定距離以内に近接した状態(接触状態を含む)において、ウエハステージWST上の計測プレート30の各空間像計測スリットパターンSLを透過した照明光ILを各送光系(不図示)で案内し、計測ステージMST内の各受光系(不図示)の受光素子で受光する、一対の空間像計測装置45A,45B(図7参照)が構成される。
計測テーブルMTBの−Y側端面には、図4に示されるように、フィデューシャルバー(以下、「FDバー」と略述する)46がX軸方向に延設されている。このFDバー46は、フルキネマティックマウント構造によって、計測ステージMST上にキネマティックに支持されている。FDバー46は、原器(計測基準)となるため、低熱膨張率の光学ガラスセラミックス、例えば、ショット社のゼロデュア(商品名)などがその素材として採用されている。FDバー46の長手方向の一側と他側の端部近傍には、そのセンターラインに関して対称な配置で、Y軸方向を周期方向とする基準格子(例えば回折格子)52がそれぞれ形成されている。また、FDバー46の上面には、複数の基準マークMが形成されている。各基準マークMとしては、後述するプライマリアライメント系、セカンダリアライメント系によって検出可能な寸法の2次元マークが用いられている。なお、FDバー46の表面及び計測テーブルMTBの表面も撥液膜(撥水膜)で覆われている。
計測テーブルMTBの+Y側の端面及び−X側端面には、ウエハテーブルWTBと同様の反射面19a及び反射面19bが形成されている(図4参照)。
本実施形態の露光装置100では、図4及び図5に示されるように、投影光学系PLの光軸AXを通る平行な直線(以下、基準軸と呼ぶ)LV上で、光軸AXから−Y側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系AL1が設けられている。プライマリアライメント系AL1は、不図示のメインフレームの下面に固定されている。図5に示されるように、プライマリアライメント系AL1を挟んで、X軸方向の一側と他側には、基準軸LVに関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系AL21,AL22と、AL23,AL24とがそれぞれ設けられている。セカンダリアライメント系AL21〜AL24は、不図示の可動式の支持部材を介してメインフレーム(不図示)の下面に固定されており、駆動機構601〜604(図7参照)により、X軸方向に関してそれらの検出領域の相対位置が調整可能となっている。なお、図4等に示されるプライマリアライメント系AL1の検出中心を通るX軸に平行な直線(基準軸)LAは、後述の干渉計127からの測長ビームB6の光軸に一致する。
本実施形態では、アライメント系AL1,AL21〜AL24のそれぞれとして、例えば画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系が用いられている。アライメント系AL1,AL21〜AL24のそれぞれからの撮像信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置20に供給される。
次に、ウエハステージWST及び計測ステージMSTの位置情報を計測する干渉計システム118(図7参照)の構成等について説明する。
干渉計システム118は、図3に示されるように、ウエハステージWSTの位置計測用のY干渉計16、X干渉計126、127、128、及びZ干渉計43A,43B、並びに計測ステージMSTの位置計測用のY干渉計18及びX干渉計130等を含む。Y干渉計16及び3つのX干渉計126、127、128は、ウエハテーブルWTBの反射面17a,17bに、それぞれ干渉計ビーム(測長ビーム)B4(B41,B42)、B5(B51,B52)、B6、B7を照射する。そして、Y干渉計16、及び3つのX干渉計126、127、128は、それぞれの反射光を受光して、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報を計測し、この計測した位置情報を主制御装置20に供給する。
ここで、例えば、X干渉計126は、投影光学系PLの光軸AX(本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致)を通りかつX軸と平行な直線(基準軸LH(図4等参照))に関して対称な一対の測長ビームB51,B52を含む少なくとも3つのX軸に平行な測長ビームを反射面17bに照射する。また、Y干渉計16は、前述の基準軸LVに関して対称な一対の測長ビームB41,B42、及びB3(図1参照)を含む少なくとも3つのY軸に平行な測長ビームを反射面17a、及び後述する移動鏡41に照射する。このように、本実施形態では、上記各干渉計として、一部(例えば干渉計128)を除いて、測長軸を複数有する多軸干渉計が用いられている。そこで、主制御装置20は、Y干渉計16と、X干渉計126又は127との計測結果に基づいて、ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)のX,Y位置に加え、θx方向の位置(以下、適宜、θx回転(若しくはθx回転量)、又はピッチング(若しくはピッチング量)とも記述する)、θy方向の位置(以下、適宜、θy回転(若しくはθy回転量)、又はローリング(若しくはローリング量)とも記述する)、及びθz回転(すなわちヨーイング量)をも算出することができる。
また、図1に示されるように、ステージ本体91の−Y側の側面に、凹形状の反射面を有する移動鏡41が取り付けられている。移動鏡41は、図2からわかるように、X軸方向の長さがウエハテーブルWTBの反射面17aよりも、長く設定されている。
移動鏡41に対向して、一対のZ干渉計43A,43Bが設けられている(図1及び図5参照)。Z干渉計43A,43Bは、移動鏡41を介して、例えば投影ユニットPUを支持するメインフレーム(不図示)に固定された固定鏡47A,47Bにそれぞれ2つの測長ビームB1,B2を照射する。そして、それぞれの反射光を受光して、測長ビームB1,B2の光路長を計測する。その結果より、主制御装置20は、ウエハステージWSTの4自由度(Y,Z,θy,θz)方向の位置を算出する。
本実施形態では、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のXY平面内の位置情報(θz回転(すなわちヨーイング量)を含む)は、主として、後述するエンコーダシステムを用いて計測される。干渉計システム118は、ウエハステージWSTがエンコーダシステムの計測領域外(例えば、図4に示されるアンローディングポジションUP又はローディングポジションLP付近)に位置する際に、使用される。また、エンコーダシステムの計測結果の長期的変動(例えばスケールの経時的な変形などによる)を補正(較正)する場合、あるいはエンコーダシステムの出力異常時のバックアップ用などとして補助的に使用される。勿論、干渉計システム118とエンコーダシステムとを併用して、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB’)の位置を制御することとしても良い。
干渉計システム118のY干渉計18、X干渉計130は、図3に示されるように、計測テーブルMTBの反射面19a,19bに、干渉計ビーム(測長ビーム)を照射して、それぞれの反射光を受光することにより、計測ステージMSTの位置情報(例えば、少なくともX軸及びY軸方向の位置、並びにθz方向の位置を含む)を計測し、その計測結果を、主制御装置20に供給する。なお、干渉計システム118の構成の詳細は、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されている。
次に、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)を計測するエンコーダシステム150(図7参照)の構成等について説明する。エンコーダシステム150の主な構成は、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されている。
露光装置100では、図4に示されるように、投影ユニットPU(ノズルユニット32)の+X側、−X側に、一対のヘッド部62A、62Cが、それぞれ配置されている。また、ヘッド部62C、62Aそれぞれの−Y側でかつアライメント系AL1、AL21〜AL24とほぼ同一のY位置に、ヘッド部62E、62Fが、それぞれ設けられている。ヘッド部62A,62C,62E,62Fは、後述するように、それぞれ複数のヘッドを含み、これらのヘッドが、支持部材を介して、投影ユニットPUを保持するメインフレーム(不図示)に吊り下げ状態で固定されている。なお、図4において、符号UPは、ウエハステージWST上にあるウエハのアンロードが行われるアンローディングポジションを示し、符号LPは、ウエハステージWST上への新たなウエハのロードが行われるローディングポジションを示す。
ヘッド部62A、62Cは、図5に示されるように、各4つの2軸ヘッド651〜654,641〜644を備えている。2軸ヘッド651〜654の筐体の内部には、X軸方向を計測方向とするXヘッド65X1〜65X4と、Y軸方向を計測方向とするYヘッド65Y1〜65Y4とが収容されている。同様に、2軸ヘッド641〜644の筐体の内部には、Xヘッド64X1〜64X4と、Yヘッド64Y1〜64Y4とが収容されている。Xヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4(より正確には、Xヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4が発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、基準軸LH上に、所定間隔WD(図4参照)で配置されている。また、Yヘッド65Y1〜65Y4,64Y1〜64Y4(より正確には、Yヘッド65Y1〜65Y4,64Y1〜64Y4が発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、基準軸LHに平行であり且つ基準軸LHから−Y側に所定距離離間する直線LH1上に、対応するXヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4と同じX位置に、配置されている。以下では、必要に応じて、Xヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4、及びYヘッド65Y1〜65Y4,64Y1〜64Y4を、それぞれ、Xヘッド65X,64X、及びYヘッド65Y,64Yとも表記する。
ここで、Xヘッド65X,64X、及びYヘッド65Y,64Yのそれぞれとして、一例として、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されている回折干渉型のエンコーダヘッドが用いられている。この種のエンコーダヘッドでは、2つの計測ビームを対応するスケール391又は392に照射し、それぞれの計測ビームのスケール上の2次元グレーティングからの戻り光(回折光)を1つの干渉光に合成して受光し、その干渉光の強度を光検出器を用いて計測する。その干渉光の強度変化より、スケールの計測方向(回折格子の周期方向)への変位を計測する。
ヘッド部62A,62Cは、スケール391,392を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX軸方向の位置(X位置)を計測する多眼(ここでは4眼)のXリニアエンコーダ70Ax,70Cx及びY軸方向の位置(Y位置)を計測する多眼(ここでは4眼)のYリニアエンコーダ70Ay,70Cy(図7参照)を構成する。そして、これらXリニアエンコーダとYリニアエンコーダとによって、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX,Y位置を計測する多眼(ここでは4眼)の2次元(2D)エンコーダ70A,70Cが構成される(図7参照)。
なお、以下では、Xリニアエンコーダを、適宜、「Xエンコーダ」又は「エンコーダ」と略称する。同様に、Yリニアエンコーダを、適宜、「Yエンコーダ」又は「エンコーダ」と略称する。同様に、2Dエンコーダを、適宜、エンコーダと略称する。
ここで、ヘッド部62A,62Cがそれぞれ備える4つのXヘッド65X,64X(より正確には、Xヘッド65X,64Xが発する計測ビームのスケール上の照射点)及び4つのYヘッド65Y,64Y(より正確には、Yヘッド65Y,64Yが発する計測ビームのスケール上の照射点)のX軸方向の間隔WDは、スケール391,392のX軸方向の幅(例えば102mm)より狭く(例えば82mmに)設定されている。従って、露光の際などには、それぞれ4つのXヘッド65X,64X,Yヘッド65Y,64Yのうち、少なくとも各1つのヘッドが、常に、対応するスケール391,392に対向する(計測ビームを照射する)。例えば図9に示される露光動作中の一状態では、Xヘッド65X3及びYヘッド65Y3がスケール391に、Xヘッド64X3及びYヘッド64Y3がスケール392に対向する(計測ビームを照射する)。ここで、スケールの幅とは、回折格子(又はその形成領域)の幅、より正確にはヘッドによる位置計測が可能な範囲を指す。
ヘッド部62F、62Eは、図5に示されるように、各3つの2軸ヘッド681〜683,671〜673を備えている。2軸ヘッド681〜683の筐体の内部には、2軸ヘッド651〜654等と同様に、Xヘッド68X1〜68X3と、Yヘッド68Y1〜68Y3とが収容されている。同様に、2軸ヘッド671〜673の筐体の内部には、Xヘッド67X1〜67X3と、Yヘッド67Y1〜67Y3とが収容されている。
Xヘッド68X1〜68X3,67X1〜67X3(より正確には、68X1〜68X3,67X1〜67X3が発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、前述の基準軸LAに沿って所定間隔WD(図4参照)で配置されている。Yヘッド68Y1〜68Y3,67Y1〜67Y3(より正確には、68Y1〜68Y3,67Y1〜67Y3が発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、基準軸LAに平行であり且つ基準軸LAから−Y側に離間する直線LA1上に、対応するXヘッド68X1〜68X3,67X1〜67X3と同じX位置に、配置されている。以下では、必要に応じて、2軸ヘッド681〜683,671〜673、Xヘッド68X1〜68X3,67X1〜67X3、及びYヘッド68Y1〜68Y3,67Y1〜67Y3を、それぞれ、2軸ヘッド68,67、Xヘッド68X,67X、及びYヘッド68Y,67Yとも表記する。ここで、Xヘッド68X,67X、及びYヘッド68Y,67Yのそれぞれとしても、前述の米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されている回折干渉型のエンコーダヘッドが用いられている。
ヘッド部62F、62Eは、スケール391,392を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX軸方向の位置(X位置)を計測する多眼(ここでは3眼)のXリニアエンコーダ70Fx,70Ex及びY軸方向の位置(Y位置)を計測する多眼(ここでは3眼)のYリニアエンコーダ70Fy,70Ey(図7参照)を構成する。そして、これらXリニアエンコーダとYリニアエンコーダとによって、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX,Y位置を計測する多眼(ここでは4眼)の2次元(2D)エンコーダ70F,70Eが構成される(図7参照)
ここで、ヘッド部62F、62Eがそれぞれ備える3つのXヘッド68X,67X(より正確には、Xヘッド68X,67Xが発する計測ビームのスケール上の照射点)及び3つのYヘッド68Y,67Y(より正確には、Yヘッド68Y,67Yが発する計測ビームのスケール上の照射点)のX軸方向の間隔WDは、スケール391,392のX軸方向の幅より僅かに狭く設定されている。従って、アライメント計測の際などには、それぞれ3つのXヘッド68X,67X,Yヘッド68Y,67Yのうち、少なくとも1つのヘッドが対応するスケール391,392に対向する(計測ビームを照射する)。例えば図13に示されるアライメント計測中の一状態では、Xヘッド68X2及びYヘッド68Y2がスケール391に、Xヘッド67X2及びYヘッド67Y2がスケール392に対向する(計測ビームを照射する)。
上述のエンコーダ70Ax,70Ay,70Cx,70Cyの計測値(エンコーダ70A,70CのX、Y計測値)は、主制御装置20に供給される。主制御装置20は、これらの計測値を用いて、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。ここで、エンコーダ70Ax又は70Cxの計測値(すなわちエンコーダ70A,70CのいずれかのX計測値)、エンコーダ70A,70YのY計測値、すなわちエンコーダ70Ay、70Cyの計測値(それぞれCX,CY1,CY2と表記する)は、ウエハステージWSTの位置(X,Y,θz)に対して、次のように依存する。
CX= (pX−X)cosθz+(qX−Y)sinθz, …(1a)
CY1=−(pY1−X)sinθz+(qY1−Y)cosθz, …(1b)
CY2=−(pY2−X)sinθz+(qY2−Y)cosθz. …(1c)
ただし、(pX,qX),(pY1,qY1),(pY2,qY2)は、それぞれXヘッド65X,64X,Yヘッド65Y,64YのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの照射点のX,Y位置)である。そこで、主制御装置20は、3つの計測値CX,CY1,CY2を連立方程式(1a)〜(1c)に代入し、それらを解くことにより、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。
CY1=−(pY1−X)sinθz+(qY1−Y)cosθz, …(1b)
CY2=−(pY2−X)sinθz+(qY2−Y)cosθz. …(1c)
ただし、(pX,qX),(pY1,qY1),(pY2,qY2)は、それぞれXヘッド65X,64X,Yヘッド65Y,64YのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの照射点のX,Y位置)である。そこで、主制御装置20は、3つの計測値CX,CY1,CY2を連立方程式(1a)〜(1c)に代入し、それらを解くことにより、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。
また、エンコーダ70Ex,70Ey,70Fx,70Fyの計測値(エンコーダ70E,70FのX、Y計測値)も、主制御装置20に供給される。主制御装置20は、これらの計測値を用いて、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。主制御装置20は、エンコーダ70Ex(又は70Fx),70Ey,70Fyの計測値(すなわち、エンコーダ70E又は70FのX計測値、及びエンコーダ70E、70FのY計測値)を、それぞれ連立方程式(1a)〜(1c)内のCX,CY1,CY2に代入し、その連立方程式を解くことにより、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。
主制御装置20は、上の算出結果に基づいて、ウエハステージWSTを駆動(位置制御)する。
また、本実施形態では、セカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、セカンダリアライメント系AL21、AL24にX軸方向で隣接する2軸ヘッド673、681のYヘッド67Y3,68Y1が、FDバー46の一対の基準格子52とそれぞれ対向し、その一対の基準格子52と対向するYヘッド67Y3,68Y1によって、FDバー46のY位置が、それぞれの基準格子52の位置で計測される。以下では、一対の基準格子52にそれぞれ対向するYヘッド67Y3,68Y1によって構成されるエンコーダをYリニアエンコーダ(適宜、「Yエンコーダ」又は「エンコーダ」とも略述する)70G,70H(図10参照)と呼ぶ。なお、Yエンコーダ70G,70Hは、エンコーダ70F、70Eを構成する一部のYヘッド67Y3,68Y1が、一対の基準格子52に対向することで、Yリニアエンコーダが構成されることから、このように呼んでいるものである。以下においても、便宜上、XYエンコーダ70F,70Eの他に、Yエンコーダ70G,70Hが存在するものとして説明を行う。
上述した各エンコーダは、その計測値を、主制御装置20に供給する。主制御装置20は、エンコーダ70A及び70C、又は70E及び70Fの計測値に基づいて、ウエハテーブルWTBのXY平面内の位置(θz方向の位置(ヨーイング)を含む)を制御するとともに、Yエンコーダ70G及び70Hの計測値に基づいて、FDバー46(計測ステージMST)のθz方向の位置(ヨーイング)を制御する。
また、主制御装置20は、図8中に白抜き矢印で示されるようにウエハステージWSTをX軸方向に駆動する際、そのウエハステージWSTのX位置及びY位置を計測するXヘッド65X、64X及びYヘッド65Y、64Yを、図8中に矢印e1で示されるように、隣のXヘッド65X、64X及びYヘッド65Y、64Yに順次切り換える。例えばXヘッド64X2からXヘッド64X3へ(及びXヘッド65X2からXヘッド65X3へ)切り換える。すなわち、第2の実施形態では、このヘッドXヘッド及びYヘッドの切り換え(つなぎ)を円滑に行うために、前述の如く、ヘッド部62A,62Cに含まれる隣接するXヘッド及びYヘッドの間隔WDを、スケール391,392のX軸方向の幅よりも狭く設定したものである。
さらに、本実施形態の露光装置100では、図4及び図6に示されるように、照射系90a及び受光系90bから成る多点焦点位置検出系(以下、「多点AF系」と略述する)が設けられている。多点AF系としては、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成(斜入射方式)が採用されている。本実施形態では、一例として、前述のヘッド部62Eの−X端部の+Y側に照射系90aが配置され、これに対峙する状態で、前述のヘッド部62Fの+X端部の+Y側に受光系90bが配置されている。なお、多点AF系(90a,90b)は、投影ユニットPUを保持するメインフレームの下面に固定されている。
図4及び図6では、それぞれ検出ビームが照射される複数の検出点が、個別に図示されず、照射系90a及び受光系90bの間でX軸方向に延びる細長い検出領域(ビーム領域)AFとして示されている。検出領域AFは、X軸方向の長さがウエハWの直径と同程度に設定されているので、ウエハWをY軸方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ軸方向の位置情報(面位置情報)を計測できる。
図6に示されるように、多点AF系(90a,90b)の検出領域AFの両端部近傍に、基準軸LVに関して対称な配置で、面位置計測システム180の一部を構成する各一対のZ位置計測センサのヘッド(以下、「Zヘッド」と略述する)72a,72b、及び72c,72dが設けられている。これらのZヘッド72a〜72dは、不図示のメインフレームの下面に固定されている。
Zヘッド72a〜72dとしては、例えば、CDドライブ装置などで用いられる光ピックアップと同様の光学式変位センサのヘッドが用いられる。Zヘッド72a〜72dは、ウエハテーブルWTBに対し上方から計測ビームを照射し、その反射光を受光して、照射点におけるウエハテーブルWTBの面位置を計測する。なお、本実施形態では、Zヘッドの計測ビームは、前述のスケール391,392を構成する反射型回折格子によって反射される構成を採用している。
さらに、前述のヘッド部62A、62Cは、図6に示されるように、各4つのZヘッド761〜764,741〜744を備えている。ここで、Zヘッド761〜764,741〜744は、基準軸LHに平行であり且つ基準軸LHから+Y側に離間する直線LH2上に、対応するXヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4と同じX位置に、配置されている。なお、各Zヘッド761〜764,741〜744としては、前述のZヘッド72a〜72dと同様の光学式変位センサのヘッドが採用される。以下では、必要に応じて、Zヘッド761〜764,741〜744を、Zヘッド76,74とも表記する。
Zヘッド72a〜72d,741〜744,761〜764は、図7に示されるように、信号処理・選択装置170を介して主制御装置20に接続されており、主制御装置20は、信号処理・選択装置170を介してZヘッド72a〜72d,741〜744,761〜764の中から任意のZヘッドを選択して作動状態とし、その作動状態としたZヘッドで検出した面位置情報を信号処理・選択装置170を介して受け取る。本実施形態では、Zヘッド72a〜72d,741〜744,761〜764と、信号処理・選択装置170とを含んでウエハステージWSTのZ軸方向及びXY平面に対する傾斜方向の位置情報を計測する面位置計測システム180が構成されている。
本実施形態では、主制御装置20は、面位置計測システム180(図7参照)を用いて、ウエハステージWSTの有効ストローク領域、すなわち露光及びアライメント計測のためにウエハステージWSTが移動する領域において、その2自由度方向(Z,θy)の位置座標を計測する。
主制御装置20は、露光時には、少なくとも各1つのZヘッド76j,74i(j,iは1〜4のいずれか)の計測値を用いて、ウエハテーブルWTBの表面上の基準点(ウエハテーブルWTBの上面と光軸AXとの交点)における、ウエハステージWSTの高さZ0とローリングθyを算出する。図8に示される露光動作中の一状態では、スケール391,392にそれぞれ対向しているZヘッド763,743の計測値を用いる。ここで、Zヘッド76j,74i(j,iは1〜4のいずれか)の計測値(それぞれZ1,Z2と表記する)は、ウエハステージWSTの(Z0,θx,θy)位置に対して、次のように依存する。
Z1=−tanθy・p1+tanθx・q1+Z0. …(2a)
Z2=−tanθy・p2+tanθx・q2+Z0, …(2b)
ただし、スケール表面を含めウエハテーブルWTBの上面は、理想的な平面だとする。なお、(p1,q1),(p2,q2)は、それぞれZヘッド76j,74iのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの照射点のX,Y位置)である。式(2a)、(2b)より、次式(3a)、(3b)が導かれる。
Z2=−tanθy・p2+tanθx・q2+Z0, …(2b)
ただし、スケール表面を含めウエハテーブルWTBの上面は、理想的な平面だとする。なお、(p1,q1),(p2,q2)は、それぞれZヘッド76j,74iのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの照射点のX,Y位置)である。式(2a)、(2b)より、次式(3a)、(3b)が導かれる。
Z0=〔Z1+Z2−tanθx・(q1+q2)〕/2, …(3a)
tanθy=〔Z1−Z2−tanθx・(q1−q2)〕/(p1−p2).…(3b)
従って、主制御装置20は、Zヘッド76j,74iの計測値Z1,Z2を用いて、式(3a)、(3b)より、ウエハステージWSTの高さZ0とローリングθyを算出する。ただし、ピッチングθxは、別のセンサシステム(本実施形態では干渉計システム118)の計測結果を用いる。
tanθy=〔Z1−Z2−tanθx・(q1−q2)〕/(p1−p2).…(3b)
従って、主制御装置20は、Zヘッド76j,74iの計測値Z1,Z2を用いて、式(3a)、(3b)より、ウエハステージWSTの高さZ0とローリングθyを算出する。ただし、ピッチングθxは、別のセンサシステム(本実施形態では干渉計システム118)の計測結果を用いる。
主制御装置20は、後述するフォーカスマッピング時には、スケール391,392に対向する4つのZヘッド72a〜72dの計測値(それぞれZa,Zb,Zc,Zdと表記する)を用いて、多点AF系(90a,90b)の複数の検出点の中心(X,Y)=(Ox’,Oy’)におけるウエハテーブルWTBの高さZ0とローリングθyを、次のように算出する。
Z0=(Za+Zb+Zc+Zd)/4, …(4a)
tanθy=−(Za+Zb−Zc−Zd)/(pa+pb−pc−pd).…(4b)
ここで、(pa,qa),(pb,qb),(pc,qc),(pd,qd)はそれぞれZヘッド72a〜72dのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの照射点のX,Y位置)である。ただし、pa=pb,pc=pd,qa=qc,qb=qd,(pa+pc)/2=(pb+pd)/2=Ox’,(qa+qb)/2=(qc+qd)/2=Oy’とする。なお、先と同様に、ピッチングθxは、別のセンサシステム(本実施形態では干渉計システム118)の計測結果を用いる。
tanθy=−(Za+Zb−Zc−Zd)/(pa+pb−pc−pd).…(4b)
ここで、(pa,qa),(pb,qb),(pc,qc),(pd,qd)はそれぞれZヘッド72a〜72dのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの照射点のX,Y位置)である。ただし、pa=pb,pc=pd,qa=qc,qb=qd,(pa+pc)/2=(pb+pd)/2=Ox’,(qa+qb)/2=(qc+qd)/2=Oy’とする。なお、先と同様に、ピッチングθxは、別のセンサシステム(本実施形態では干渉計システム118)の計測結果を用いる。
図7には、露光装置100の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ(又はワークステーション)から成る主制御装置20を中心として構成されている。なお、図7においては、前述した照度むらセンサ94、空間像計測器96及び波面収差計測器98など、計測ステージMSTに設けられた各種センサが、纏めてセンサ群99として示されている。
上述のようにして構成された本実施形態の露光装置では、米国特許出願公開第2009/0268578号明細書の第2の実施形態と同様に、大略以下の手順に従って、ウエハステージWSTを用いた通常のシーケンスの処理が、主制御装置20によって実行される。なお、以下の動作中、主制御装置20によって、局所液浸装置8の液体供給装置5及び液体回収装置6の各バルブの開閉制御が前述したようにして行われ、投影光学系PLの先端レンズ191の直下には常時水が満たされている。しかし、以下では、説明を分かり易くするため、液体供給装置5及び液体回収装置6の制御に関する説明は省略する。また、以後の動作説明は、多数の図面を用いて行うが、図面毎に同一の部材に符号が付されていたり、付されていなかったりしている。すなわち、図面毎に、記載している符号が異なっているが、それら図面は符号の有無に関わらず、同一構成である。これまでに説明に用いた、各図面についても同様である。
図9には、ウエハステージWST上に載置されたウエハWに対するステップ・アンド・スキャン方式の露光が行われている状態が示されている。この露光は、開始前に行われるウエハアライメント(例えばEGA)等の結果に基づいて、ウエハW上の各ショット領域の露光のための走査開始位置(加速開始位置)へウエハステージWSTを移動するショット間移動と、各ショット領域に対してレチクルRに形成されたパターンを走査露光方式で転写する走査露光と、を繰り返すことにより行われる。また、露光は、ウエハW上の−Y側に位置するショット領域から+Y側に位置するショット領域の順で行われる。
上述の露光動作中、主制御装置20により、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のXY平面内の位置(θz方向の回転を含む)は、スケール391、392のそれぞれに対向するXヘッド65X及びYヘッド65Yの組、Xヘッド64X及びYヘッド65Yの組によって構成される2つのエンコーダ70A、70Cの計測値に基づいて制御されている。また、上述の露光動作中、主制御装置20により、ウエハステージWSTのZ軸方向の位置(Z位置)及びθy方向の位置(ローリング)は、面位置計測システム180のZヘッド76,74の計測値に基づいて管理され、θx回転(ピッチング)は、前述のY干渉計16の計測値に基づいて管理されている。この露光中のウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のZ軸方向、θy方向及びθx方向の位置の制御(ウエハWのフォーカス・レベリング制御)は、主制御装置20により、事前に計測したウエハの面位置情報の計測結果と、対応するエンコーダシステム150及び/又は干渉計システム118の計測結果とに基づいて行われる。
上記のステップ・アンド・スキャン方式の露光動作中、ウエハステージWSTがX軸方向に移動すると、その移動に伴って、前述のヘッドの切り換えが行なわれる。このように、主制御装置20は、ウエハステージWSTの位置座標に応じて、使用するエンコーダを適宜切り換えて、ウエハステージの駆動(位置制御)を実行している。
なお、上述のエンコーダシステムを用いたウエハステージWSTの位置計測と独立に、干渉計システム118を用いたウエハステージWSTの位置(X,Y,Z,θx,θy,θz)計測が、常時、行われている。例えば、X干渉計126,127,及び128は、ウエハステージWSTのY位置に応じて、いずれか1つが使用される。例えば露光中は、図9に示されるように、X干渉計126が、補助的に使用される。
ウエハWの露光が終了すると、主制御装置20は、ウエハステージWSTをアンローディングポジションUPに向けて駆動する。その際、露光中には互いに離れていたウエハステージWSTと計測ステージMSTとが、接触あるいは例えば300μm程度の離間距離を挟んで近接して、スクラム状態に移行する。ここで、計測テーブルMTB上のFDバー46の−Y側の端面とウエハテーブルWTBの+Y側の端面とが接触あるいは近接する。このスクラム状態を保って、2つのステージWST,MSTが−Y方向に移動することにより、投影ユニットPUの下に形成される液浸領域14は、計測ステージMST上に移動する。
上記のスクラム状態に移行後、ウエハステージWSTが、更に−Y方向へ移動して有効ストローク領域(ウエハステージWSTが露光及びウエハアライメント時に移動する領域)から外れると、エンコーダシステム150を構成する全てのヘッドが、ウエハテーブルWTB上の対応するスケールから外れる。このため、エンコーダシステム150の計測結果に基づくウエハステージWSTの駆動(位置制御)が不可能になる。その直前に、主制御装置20は、干渉計システム118の計測結果に基づくウエハステージWSTの駆動(位置制御)に切り換える。ここで、3つのX干渉計126,127,128のうちX干渉計128が使用される。
その後、図10に示されるように、ウエハステージWSTは、計測ステージMSTとのスクラム状態を解除し、アンローディングポジションUPに移動する。移動後、主制御装置20は、ウエハテーブルWTB上のウエハWをアンロードする。そして、図11に示されるように、ウエハステージWSTを+X方向に駆動してローディングポジションLPに移動させ、ウエハテーブルWTB上に次のウエハWをロードする。
これらの動作と平行して、主制御装置20は、計測ステージMSTに支持されたFDバー46のXY平面内での位置調整と、4つのセカンダリアライメント系AL21〜AL24のベースライン計測と、を行うSec-BCHK(セカンダリ・ベースラインチェック)を実行する。ここで、FDバー46のθz方向の位置(回転)情報を計測するために、一対の基準格子52に対向するYヘッド67Y3、68Y2、すなわち前述のYエンコーダ70G,70Hが使用される。
次に、主制御装置20は、ウエハステージWSTを駆動し、図12に示されるように、計測プレート30上の基準マークFMをプライマリアライメント系AL1の検出視野内に位置決めし、4つのセカンダリアライメント系AL21〜AL24のベースライン計測の基準位置を求める。
このとき、図12に示されるように、2つのXヘッド68X3,67X2及び2つのYヘッド68Y3,67Y2が、それぞれスケール391,392に対向するようになる。そこで、主制御装置20は、干渉計システム118からエンコーダシステム150(エンコーダ70E,70F)を用いたウエハステージWSTの駆動(位置制御)へ切り換える。干渉計システム118は、再び補助的に使用される。なお、3つのX干渉計126,127,128のうちX干渉計127が使用される。
その後、主制御装置20は、プライマリアライメント系AL1とセカンダリアライメント系AL21〜AL24を用いて、ウエハアライメント(EGA)を実行する(図13中の星マーク参照)。
なお、本実施形態では、図13に示されるウエハアライメントを開始するまでに、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとはスクラム状態へ移行している。主制御装置20は、スクラム状態を保ちながら、2つのステージWST,MSTを+Y方向に駆動する。その後、液浸領域14の水は、計測テーブルMTB上からウエハテーブルWTB上に移動する。
ウエハアライメント(EGA)と並行して、主制御装置20は、Zヘッド72a〜72dと多点AF系(90a,90b)とを用いて、ウエハW表面のZ軸方向に関する位置情報(面位置情報)を検出するフォーカスマッピングを行う。また、主制御装置20は、ウエハステージWSTが所定の位置に来たとき、空間像計測装置45A、45Bを用いたウエハテーブルWTBのXY位置に対するレチクル上マークの投影像の強度分布を計測する処理を実行する。
以上の作業が終了すると、主制御装置20は、2つのステージWST,MSTのスクラム状態を解除する。そして、図9に示されるように、ステップ・アンド・スキャン方式の露光を行い、新しいウエハW上にレチクルパターンを転写する。以降、同様の動作が繰り返し実行される。
以上説明したように、本実施形態の露光装置100によると、複数のXヘッド65、64からスケール391、392の上面(計測面)に計測ビームが照射されるが、その計測ビームの照射点は、その計測面上でウエハに照射される照明光ILの照射中心を通るX軸方向の直線上に位置している。このため、Xヘッド65、64によりウエハステージWSTのX軸方向の位置をアッベ誤差なく計測可能である。これにより、露光時におけるウエハステージWSTのX軸方向の位置制御性の向上が可能となる。
また、ウエハステージWSTのY位置は、露光位置又は露光中心(本実施形態では光軸AXに一致)に対して対称に配置され、それぞれ対向するスケール391、392の上面(計測面)上の点に計測ビームを照射する一対のYヘッド65,64の計測値の平均に基づいて計測される。従って、Y軸方向に関する実質的な計測軸は、露光中心上にあるため、ウエハステージWSTのY軸方向の位置についてもアッベ誤差なく高精度に計測することができ、ひいては高精度な位置制御が可能である。従って、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作中のウエハステージWSTのXY平面内の位置情報(θz方向の位置情報を含む)を、主制御装置20は、エンコーダ70A、70Cを用いて高精度に計測し、その計測結果に基づいて、ウエハステージWSTを精度よく駆動することが可能となる。
また、本実施形態のウエハテーブルWTB上面の+Y側の端部の領域、すなわち液浸領域14が頻繁に通過する領域には、スケールを配置しなくて良いので、その領域に対する液体の残存、あるいはゴミの付着などがあっても、エンコーダシステムの計測精度の低下が生じるおそれがない。従って、エンコーダシステム150からバックアップシステムである干渉計システム118に不要に切り替わるおそれがない。また、露光領域、アライメント領域のそれぞれで、Xヘッド、Yヘッド(及びZヘッド)がそれぞれX軸に平行な直線上に配列されている。従って、本実施形態によると、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に実施形態として開示される露光装置に比べて、エンコーダヘッドのレイアウトが容易である。
また、本実施形態の露光装置100によると、露光の際に、スケール391,392のそれぞれに対向してウエハステージWSTのX軸方向、及びY軸方向、並びにθz方向の位置計測に用いられる、ヘッド部62A,62Cにそれぞれ属する各4つのXヘッド、Yヘッド(、Zヘッド)は、X軸方向に関しては、隣接するヘッドの間隔WDをスケール391,392のX軸方向の幅(例えば102mm)を考慮した所望の間隔例えば82mmに設定しているので、ヘッド部62A,62Cの各4つのXヘッド、Yヘッド(、Zヘッド)それぞれの間でつなぎ(使用ヘッドの切り換え)を支障なく行なうことが可能となる。従って、ヘッド部62A,62Bをそれぞれ有するエンコーダ70A、70Cを含むエンコーダシステム150によって、露光の際、ウエハステージWSTのXY平面内の位置を空気揺らぎの影響を受けることなく高精度に計測することが可能になる。
また、本実施形態の露光装置100によると、ウエハ交換の度に行われる、前述のアライメント系のベースライン計測により得られた、最新のベースラインと、ウエハアライメント(EGA)の結果とに基づいて、ウエハW上の各ショット領域の露光のための走査開始位置(加速開始位置)へウエハステージWSTが移動されるショット間移動動作と、レチクルRに形成されたパターンを走査露光方式で各ショット領域に転写する走査露光動作とを繰り返すことにより、レチクルRのパターンをウエハW上の複数のショット領域に精度(重ね合わせ精度)良く転写することが可能になる。さらに、本実施形態では、液浸露光により高解像度の露光を実現できるので、この点においても微細パターンを精度良くウエハW上に転写することが可能になる。
なお、本実施形態の露光装置100では、主制御装置20が、露光の際などに、ウエハステージWSTを駆動するときに、エンコーダシステム150(エンコーダ70A,70C)の計測値と、各エンコーダの計測値を補正する補正情報(例えばステージ位置起因誤差補正情報(ヘッド起因誤差の補正情報を含む)、スケールの特性情報及びアッベ誤差補正情報などの少なくとも1つ)とに基づいて、ウエハステージWSTのXY平面内の位置(θz方向の回転を含む)を高精度に制御することが望ましい。なお、上記の各種補正情報については、例えば米国特許出願公開第2009/0268578号明細書などに開示されている。
なお、上記実施形態では、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向をそれぞれ計測方向とする3種の1次元ヘッド、すなわちXヘッド、Yヘッド、及びZヘッドを組み合わせて使用する場合について説明した。しかし、これら3種の1次元ヘッドに代えて、例えば、X軸方向、Y軸方向、及びZ軸方向の全てを計測方向とする3次元ヘッドを用いても良い。この3次元ヘッドを用いる場合、上述したXヘッド65X,64Xに代えてこの3次元ヘッドを基準軸LH上に配置すれば良い。
また、上記実施形態で説明したXヘッドとYヘッドとを1つの筐体に収容した2Dヘッド(2軸ヘッド)に代えて、同一の照射点にX方向計測用とY方向計測用の計測ビームを照射し、X軸方向及びY軸方向を計測方向とする2次元ヘッドを用いることもできる。この種の2次元ヘッドとしては、例えば米国特許出願公開第2009/0268578号明細書などに開示されている3格子回折干渉型の2Dヘッドを用いることができる。上述したXヘッド65X,64Xに代えてこの2Dヘッドを基準軸LH上に配置すれば良い。この場合、Yヘッドは設けなくても良い。
また、上記実施形態におけるXヘッドとZヘッドとに代えて、X軸方向及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッドを用いても良い。この種の2次元ヘッドとしては、例えば米国特許第7,561,280号明細書に開示される変位計測センサヘッドを用いることができる。上述したXヘッド65X,64Xに代えてこの2次元ヘッドを基準軸LH上に配置すれば良い。
また、上記実施形態では、X軸方向を計測方向とするXヘッドとY軸方向を計測方向とするYヘッドを、それぞれ、X軸に平行な基準軸LH及びLH1上に配置したが、これに代えて、図14に示されるように、Xヘッド62XとYヘッド62Yを交互に基準軸LH上に配置することも可能である。同様に、Xヘッド64XとYヘッド64Yを交互に基準軸LH上に、Xヘッド68XとYヘッド68Yを交互に基準軸LA上に、Xヘッド67XとYヘッド67Yを交互に基準軸LA上に、配置することも可能である。この図14に示されるXヘッド、Yヘッドの配置のエンコーダシステムによっても、上実施形態と同様に、アッベ誤差なく、ウエハステージWSTのXY位置を、高精度に計測することが可能である。
なお、例えば欧州特許出願公開第1,420,298号明細書、米国特許第6,952,253号明細書、あるいは米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示される液浸露光装置にも、上記実施形態は適用することができる。また、これに限らず、液体(水)を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプの露光装置に、上記実施形態を適用しても良い。
また、上記実施形態では、露光装置が、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも上記実施形態を適用することができる。さらに、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態を適用できる。また、例えば国際公開第2005/074014号などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材(例えば、基準マーク、及び/又はセンサなど)を含む計測ステージを備える露光装置にも上記実施形態は適用が可能である。
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。
なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ(出力波長248nm)、F2レーザ(出力波長157nm)、Ar2レーザ(出力波長126nm)、Kr2レーザ(出力波長146nm)などのパルスレーザ光源、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、SORやプラズマレーザを光源として、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を発生させる光源を用いたEUV露光装置にも上記実施形態を好適に適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、上記実施形態は適用できる。
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。
また、例えば干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも上記実施形態を適用することができる。
さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置(パターン形成装置)によりマスク(レチクル)のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
本発明の露光装置は、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等のマイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程において基板上にパターンを形成するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。
20…主制御装置、391,392…スケール、50…ステージ装置、62A,62C,62E,62F…ヘッド部、64,65,67,68…2軸ヘッド、64X,65X,67X,68X…Xヘッド、64Y,65Y,67Y,68Y…Yヘッド、70Ax,70Cx,70Ex,70Fx…Xエンコーダ、70Ay,70Cy,70Ey,70Fy…Yエンコーダ、72a〜72d,74,76…Zヘッド、100…露光装置、118…干渉計システム、124…ステージ駆動系、150…エンコーダシステム、180…面位置計測システム、200…計測システム、PL…投影光学系、PU…投影ユニット、W…ウエハ、WST…ウエハステージ、WTB…ウエハテーブル。
Claims (10)
- 照明光に対して物体を第1方向に走査して前記物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、
前記物体を保持して前記第1方向及びこれに直交する第2方向を含む所定平面に沿って移動する移動体と;
前記移動体の上面に前記第2方向に離れて配置され、その上面に前記第1及び第2方向を周期方向とする2次元グレーティングが形成された前記第1方向に延びる一対の計測面と;
前記一対の計測面のそれぞれに対応して少なくとも各1つ設けられ、対応する前記計測面上の第1照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの前記2次元グレーティングを介した戻り光を受光する少なくとも前記第2方向を計測方向とする複数の第1ヘッドを含む複数のヘッドを有し、前記複数のヘッドの出力に基づいて少なくとも前記所定平面内の前記移動体の位置情報を求める位置計測系と;を備え、
前記第1照射点は、前記計測面上において、前記照明光の照射中心を通る前記第2方向の直線上に位置する露光装置。 - 前記複数のヘッドは、前記計測面上の前記第1照射点から前記第1方向の一側に所定距離離間した第2照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの前記計測面からの戻り光を受光する、複数の第2ヘッドをさらに含み、該複数の第2ヘッドのそれぞれは、少なくとも前記第1方向を計測方向とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記複数のヘッドは、前記計測面上の前記第1照射点から前記第1方向の他側に所定距離離間した第3照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの前記計測面からの戻り光を受光する複数の第3ヘッドをさらに含み、該複数の第3ヘッドのそれぞれは、少なくとも所定平面に直交する方向を計測方向とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記複数の第1ヘッドのそれぞれは、前記第2方向及び前記所定平面に直交する方向を計測方向とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記複数の第1ヘッドのぞれぞれは、前記第1方向、第2方向及び前記所定平面に直交する方向を計測方向とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記物体上のマークを検出するマーク検出系をさらに備え、
前記複数のヘッドは、前記一対の計測面のそれぞれに対応して少なくとも各1つ設けられ、対応する前記計測面上の第4照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの前記計測面からの戻り光を受光する少なくとも前記第2方向を計測方向とする複数の第4ヘッドをさらに含み、前記第4照射点は、前記マーク検出系から前記物体に照射される検出ビームの照射中心である前記マーク検出系の検出中心を通る前記第2方向の直線上に位置する請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記複数のヘッドは、前記複数の第4ヘッドのそれぞれから前記計測ビームが照射される前記計測面上の前記第4照射点から前記第1方向の一側に所定距離離間した第5照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの前記計測面からの戻り光を受光する複数の第5ヘッドをさらに含み、該複数の第5ヘッドのそれぞれは、少なくとも前記第1方向を計測方向とする請求項6に記載の露光装置。
- 前記複数の第1ヘッドは、該第1ヘッドが対向する前記計測面の前記第2方向に関する幅より短い離間距離を隔てて前記第2方向に配列される請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記照明光を前記物体に照射する光学系と;
前記光学系と前記物体を保持する前記移動体との間に供給する液体供給系と;
をさらに備える請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置を用いて物体上にパターンを形成することと;
パターンが形成された前記物体を現像することと;を含むデバイス製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014059297A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-04-03 | Dmg Mori Seiki Co Ltd | スケール装置、位置情報生成方法及び多軸ステージ装置 |
| CN114518068A (zh) * | 2020-11-20 | 2022-05-20 | 微正股份有限公司 | 双读头光学尺球杆及其测量值处理方法 |
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2010
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