[go: up one dir, main page]

JP2012074274A - Method for manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and electronic device provided with the same - Google Patents

Method for manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and electronic device provided with the same Download PDF

Info

Publication number
JP2012074274A
JP2012074274A JP2010218569A JP2010218569A JP2012074274A JP 2012074274 A JP2012074274 A JP 2012074274A JP 2010218569 A JP2010218569 A JP 2010218569A JP 2010218569 A JP2010218569 A JP 2010218569A JP 2012074274 A JP2012074274 A JP 2012074274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting device
substrate
light
light emitting
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010218569A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikio Baba
幹男 馬場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP2010218569A priority Critical patent/JP2012074274A/en
Publication of JP2012074274A publication Critical patent/JP2012074274A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a light-emitting device improved in productivity, the light-emitting device, and an electronic device provided with the same.SOLUTION: The method for manufacturing a light-emitting device is characterized in that: a light-emitting element is formed on a substrate 100; a sealing resin film 134 and a looped adhesive film 144 surrounding the sealing resin film 134 are formed on a sealing substrate 105; and the substrate 100 and the sealing substrate 105 are bonded together under a first pressure, and then a pressure around both substrates is changed to a second pressure higher than the first pressure.

Description

本発明は、発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device, and an electronic apparatus including the same.

近年、液晶表示装置(LCD)に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と略記する。)等の自発光素子が2次元配列された自発光型の素子基板を備える発光装置又は表示装置の研究開発が行われている。   2. Description of the Related Art In recent years, as a next-generation display device following a liquid crystal display (LCD), a self-luminous element in which self-luminous elements such as organic electroluminescence elements (hereinafter abbreviated as “organic EL elements”) are two-dimensionally arranged. Research and development of a light-emitting device or a display device including a substrate has been performed.

有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの一対の電極間に形成された発光機能層と、を備える。発光機能層は、例えば有機EL層、正孔注入層及びインターレイヤからなる。有機EL層は蛍光あるいは燐光を発光することが可能な材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成されている。有機EL素子は、有機EL層において正孔と電子とが再結合する際に発生するエネルギーによって発光する。   The organic EL element includes an anode electrode, a cathode electrode, and a light emitting functional layer formed between the pair of electrodes. The light emitting functional layer includes, for example, an organic EL layer, a hole injection layer, and an interlayer. The organic EL layer is made of a material capable of emitting fluorescence or phosphorescence, for example, a light emitting material containing a conjugated double bond polymer such as polyparaphenylene vinylene or polyfluorene. The organic EL element emits light by energy generated when holes and electrons recombine in the organic EL layer.

有機EL素子に用いられる発光材料や電極材料の中には、水分や酸素と接触することにより劣化しやすいものがある。水分や酸素の浸入を防ぐため、有機EL素子が形成された領域を封止する必要がある。封止にはいくつかの方法があるが、特許文献1には、有機EL素子の積層構造体の外表面に、電気絶縁性無機化合物からなる厚さ10μm以下の保護層を設ける方法が開示されている。この保護層は、真空蒸着法やスパッタ法により形成される。   Some light emitting materials and electrode materials used in organic EL elements are easily deteriorated by contact with moisture or oxygen. In order to prevent moisture and oxygen from entering, it is necessary to seal the region where the organic EL element is formed. Although there are several methods for sealing, Patent Document 1 discloses a method of providing a protective layer made of an electrically insulating inorganic compound having a thickness of 10 μm or less on the outer surface of a laminated structure of an organic EL element. ing. This protective layer is formed by vacuum deposition or sputtering.

他の方法として、有機EL素子が形成された領域を樹脂で被覆する方法も知られている。特許文献2には、光硬化性樹脂層を光透過性を有するフィルム上に形成した封止材により、ガラス基板上に形成された有機EL素子をラミネート加工して封止する方法が開示されている。   As another method, a method of covering a region where an organic EL element is formed with a resin is also known. Patent Document 2 discloses a method of laminating and sealing an organic EL element formed on a glass substrate with a sealing material in which a photocurable resin layer is formed on a light-transmitting film. Yes.

特開平5−089959号公報JP-A-5-089959 特開2004−139977号公報JP 2004-139777 A

特許文献1に開示されている方法では、凹凸を有する有機EL素子の表面に真空蒸着法やスパッタ法により保護層を形成するため、水分や酸素を遮断するのに十分な厚さの保護層を得るのに時間がかかるという問題がある。   In the method disclosed in Patent Document 1, since a protective layer is formed on the surface of an organic EL element having irregularities by a vacuum deposition method or a sputtering method, a protective layer having a thickness sufficient to block moisture and oxygen is formed. There is a problem that it takes time to obtain.

特許文献2に開示されている方法では、光硬化性樹脂層を凹凸を有する有機EL素子の表面に十分に密着させ、かつ貼り合わせ面や樹脂層に含まれる気泡を追い出すため、有機EL素子と封止材とをラミネート加工した後、加熱ローラ等により加熱圧着する工程を経る必要がある。   In the method disclosed in Patent Document 2, in order to sufficiently adhere the photocurable resin layer to the surface of the organic EL element having unevenness, and to expel bubbles contained in the bonding surface and the resin layer, After laminating the sealing material, it is necessary to go through a process of thermocompression bonding with a heating roller or the like.

本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、生産性が改善された発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器を提供することを目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides a method for manufacturing a light-emitting device with improved productivity, a light-emitting device, and an electronic apparatus including the same.

本発明の第1の観点に係る発光装置の製造方法は、第1の基板に、第1の電極と、前記第1の電極と対向する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を形成し、第2の基板上の、前記第1の基板の前記発光素子が形成されている領域と対応する領域に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜を取り囲みかつ前記樹脂膜との間に空間が形成されるようにループ状の第一接着膜を形成し、第1の圧力の下で、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記発光素子と前記樹脂膜とが対向するように前記第一接着膜を介して貼り合わせ、貼り合わせられた前記第1の基板及び前記第2の基板の周辺の圧力を、前記第1の圧力よりも高い第2の圧力へと変化させることを特徴とする。   A method of manufacturing a light emitting device according to a first aspect of the present invention includes a first substrate, a second electrode facing the first electrode, the first electrode, and the first electrode on a first substrate. A light emitting functional layer provided between the two electrodes, and a region on the second substrate corresponding to the region where the light emitting device is formed on the first substrate. Forming a resin film, forming a loop-shaped first adhesive film so as to surround the resin film and forming a space between the resin film and the first substrate under a first pressure; And the second substrate through the first adhesive film so that the light emitting element and the resin film face each other, and the periphery of the bonded first substrate and second substrate The pressure is changed to a second pressure higher than the first pressure.

前記発光装置の製造方法において、前記第1の基板上に前記発光素子が複数形成され、前記複数の発光素子が形成されている領域と対応する前記第2の基板上の領域に前記樹脂膜が複数形成され、前記第一接着膜は前記複数の樹脂膜を取り囲むように形成されてもよい。   In the method for manufacturing the light emitting device, a plurality of the light emitting elements are formed on the first substrate, and the resin film is formed on a region on the second substrate corresponding to a region on which the plurality of light emitting elements are formed. A plurality of the first adhesive films may be formed so as to surround the plurality of resin films.

前記第2の基板上の、前記第一接着膜よりも内側の領域に前記樹脂膜を取り囲む第二接着膜を形成する工程をさらに含み、前記空間は前記第一接着膜と前記第二接着膜との間に形成されていてもよい。   Forming a second adhesive film surrounding the resin film in a region inside the first adhesive film on the second substrate, wherein the space includes the first adhesive film and the second adhesive film; It may be formed between.

貼り合わせられた前記第1の基板の端部、前記第2の基板の端部及び前記第一接着膜を除去する工程をさらに備えてもよい。   You may further provide the process of removing the edge part of the said 1st board | substrate bonded together, the edge part of the said 2nd board | substrate, and said 1st adhesive film.

本発明の第2の観点に係る発光装置は、本発明の第1の観点に係る方法により製造された発光装置を備える。   The light emitting device according to the second aspect of the present invention includes the light emitting device manufactured by the method according to the first aspect of the present invention.

本発明の第3の観点に係る発光装置は、第1の電極と、前記第1の電極と対向する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を備えた第1の基板と、前記発光素子と対応する位置に形成された樹脂層と、前記樹脂層を取り囲み、且つ前記樹脂層との間に空間が設けられるように形成されたループ状の接着部と、を有し、前記樹脂層及び前記接着部を介して前記第1の基板と貼り合わせられている第2の基板と、を備えることを特徴とする。   A light-emitting device according to a third aspect of the present invention is provided between a first electrode, a second electrode facing the first electrode, and the first electrode and the second electrode. A light emitting functional layer, a first substrate including a light emitting element, a resin layer formed at a position corresponding to the light emitting element, and a space surrounding the resin layer and between the resin layer. A loop-shaped adhesive portion formed so as to be provided, and a second substrate bonded to the first substrate through the resin layer and the adhesive portion. And

本発明の第4の観点に係る電子機器は、本発明の第3の観点に係る発光装置を備える。   An electronic apparatus according to a fourth aspect of the present invention includes the light emitting device according to the third aspect of the present invention.

本発明によれば、生産性が改善された発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the light-emitting device with improved productivity, a light-emitting device, and an electronic device provided with the same can be provided.

(a),(b)は本発明に係る発光装置を有するデジタルカメラを示した図である。(A), (b) is the figure which showed the digital camera which has the light-emitting device based on this invention. 本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータを示した図である。It is the figure which showed the personal computer which has the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置を有する携帯電話機を示した図である。It is the figure which showed the mobile telephone which has a light-emitting device based on this invention. 本発明に係る発光装置を有するテレビを示した図である。It is a figure showing a television having a light emitting device according to the present invention. 本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法により得られた発光装置の一部を切り欠いて示した図である。It is the figure which notched and showed a part of light-emitting device obtained by the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図5に示した発光装置のA−A’線断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 5 taken along the line A-A ′. 本発明に係る発光装置に備えられている画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a pixel provided in the light emitting device according to the present invention. 本発明に係る発光装置の一部を拡大して示した部分平面模式図である。It is the partial plane schematic diagram which expanded and showed a part of light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置に備えられている画素の1つの拡大平面図である。It is one enlarged plan view of the pixel with which the light-emitting device which concerns on this invention is equipped. 図9のX−X線断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line XX in FIG. 9. 図9のXI−XI線断面図である。It is the XI-XI sectional view taken on the line of FIG. (a),(b)は本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法における有機EL素子基板の形成過程を説明するための図である。(A), (b) is a figure for demonstrating the formation process of the organic EL element substrate in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment of this invention. (c),(d)は本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法における有機EL素子基板の形成過程を説明するための図である。(C), (d) is a figure for demonstrating the formation process of the organic EL element substrate in the manufacturing method of the light-emitting device concerning 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法において用いられるラミネート基板の平面図である。It is a top view of the laminate substrate used in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図14に示すラミネート基板のB−B’線断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of the laminate substrate illustrated in FIG. 14. (a),(b)は本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法において有機EL素子基板とラミネート基板とを減圧下で貼り合わせる工程を説明するための図である。(A), (b) is a figure for demonstrating the process of bonding an organic EL element substrate and a laminated substrate under reduced pressure in the manufacturing method of the light-emitting device concerning 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法において、貼り合わせた有機EL素子基板とラミネート基板とを大気圧下に置いた後の状態を示す図である。In the manufacturing method of the light-emitting device concerning a 1st embodiment of the present invention, it is a figure showing the state after putting the pasted organic EL element substrate and the laminate substrate under atmospheric pressure. 本発明の第2実施形態に係る発光装置の製造方法において用いられるラミネート基板の平面図である。It is a top view of the laminate substrate used in the manufacturing method of the light-emitting device concerning 2nd Embodiment of this invention. 図18に示すラミネート基板のC−C’線断面図である。FIG. 19 is a sectional view taken along line C-C ′ of the laminate substrate shown in FIG. 18. 本発明の第2実施形態に係る発光装置の製造方法により得られた発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device obtained by the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の変形例に用いられる有機EL素子基板の平面図である。It is a top view of the organic electroluminescent element substrate used for the modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の変形例に用いられるラミネート基板の平面図である。It is a top view of the laminate substrate used for the modification of 2nd Embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の第2実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法を説明するための断面模式図である。(A)-(c) is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on the modification of 2nd Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device, and an electronic apparatus including the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明に係る発光装置は、有機EL表示装置、有機EL発光装置、LCD等に用いられる。これらの発光装置は、例えばデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビ等の電子機器の表示部(ディスプレイ)に用いられる。具体例について図1〜4を参照しながら説明する。カメラ1200は図1(a)及び(b)に示すように、レンズ部1201と、操作部1202と、表示部1203と、ファインダー1204と、を備える。表示部1203は、本発明に係る発光装置を有する。同様に、パーソナルコンピュータ1210は図2に示すように、表示部1211と操作部1212とを備える。表示部1211は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図3に示すように、携帯電話機1220は表示部1221と、操作部1222と、受話部1223と、送話部1224と、を備える。表示部1221は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図4に示すように、テレビ1230は表示部1231を備える。表示部1231は、本発明に係る発光装置を有する。   The light emitting device according to the present invention is used for an organic EL display device, an organic EL light emitting device, an LCD, and the like. These light emitting devices are used for display units (displays) of electronic devices such as digital cameras, personal computers, mobile phones, and televisions. A specific example will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 1A and 1B, the camera 1200 includes a lens unit 1201, an operation unit 1202, a display unit 1203, and a viewfinder 1204. The display unit 1203 includes the light emitting device according to the present invention. Similarly, the personal computer 1210 includes a display unit 1211 and an operation unit 1212 as shown in FIG. The display portion 1211 includes the light emitting device according to the present invention. Further, as shown in FIG. 3, the mobile phone 1220 includes a display unit 1221, an operation unit 1222, a reception unit 1223, and a transmission unit 1224. The display portion 1221 includes the light emitting device according to the present invention. Further, as illustrated in FIG. 4, the television 1230 includes a display unit 1231. The display portion 1231 includes the light emitting device according to the present invention.

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法を、発光装置800の製造工程を例に図面を参照しながら説明する。発光装置800は基板側に光を放出する、ボトムエミッション型の発光装置である。図5及び図6に示すように、発光装置800はガラス基板100と、封止用基板105と、封止樹脂層135を備える。ガラス基板100上には、複数の画素120が形成されている。画素120は有機EL素子であり、ガラス基板100上に二次元配列されている。画素120の間は隔壁130によって仕切られている。画素120が形成されている領域は封止樹脂層135によって封止されている。
(First embodiment)
A method for manufacturing a light emitting device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking a manufacturing process of the light emitting device 800 as an example. The light emitting device 800 is a bottom emission type light emitting device that emits light to the substrate side. As shown in FIGS. 5 and 6, the light emitting device 800 includes a glass substrate 100, a sealing substrate 105, and a sealing resin layer 135. A plurality of pixels 120 are formed on the glass substrate 100. The pixels 120 are organic EL elements and are two-dimensionally arranged on the glass substrate 100. The pixels 120 are partitioned by a partition wall 130. A region where the pixel 120 is formed is sealed with a sealing resin layer 135.

発光装置800の構造を、図7乃至図9を参照しながらさらに詳細に説明する。図7は画素120の構成を説明するための等価回路図である。図8は発光装置800の部分拡大平面図であり、図9は発光装置800に備えられている画素120のうちの1つを拡大して示した平面図である。   The structure of the light emitting device 800 will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram for explaining the configuration of the pixel 120. FIG. 8 is a partially enlarged plan view of the light emitting device 800, and FIG. 9 is an enlarged plan view showing one of the pixels 120 provided in the light emitting device 800.

図7に示すように、各画素120はキャパシタCs、アノード線La、信号線Ld、走査線Ls、有機EL素子OEL、選択トランジスタTr11、駆動トランジスタTr12、を備える。平面視すると、アノード線La、信号線Ld及び走査線Lsは図8に示すように画素120の開口部の間に縦横に交差して配置されている。図9は、画素120の構造をより具体的に示した平面図である。なお、図8、図9においては構造の理解を容易にするため、対向電極46、無機膜47、封止樹脂層135及び封止用基板105は省略されている。   As shown in FIG. 7, each pixel 120 includes a capacitor Cs, an anode line La, a signal line Ld, a scanning line Ls, an organic EL element OEL, a selection transistor Tr11, and a drive transistor Tr12. When seen in a plan view, the anode line La, the signal line Ld, and the scanning line Ls are arranged so as to intersect vertically and horizontally between the openings of the pixel 120 as shown in FIG. FIG. 9 is a plan view showing the structure of the pixel 120 more specifically. 8 and 9, the counter electrode 46, the inorganic film 47, the sealing resin layer 135, and the sealing substrate 105 are omitted for easy understanding of the structure.

キャパシタCsは、駆動トランジスタTr12のゲート−ソース間電圧を保持するためのものであり、図7及び図9に示すように、駆動トランジスタTr12のゲート−ソース間に接続されている。   The capacitor Cs is for holding the gate-source voltage of the drive transistor Tr12, and is connected between the gate-source of the drive transistor Tr12 as shown in FIGS.

選択トランジスタTr11は、有機EL素子OELを選択するスイッチとして機能するトランジスタである。図9及び図11に示すように、そのドレイン電極は信号線Ldに接続されている。ソース電極は駆動トランジスタTr12のゲート電極に接続されている。ゲート電極は走査線Lsに接続されている。   The selection transistor Tr11 is a transistor that functions as a switch for selecting the organic EL element OEL. As shown in FIGS. 9 and 11, the drain electrode is connected to the signal line Ld. The source electrode is connected to the gate electrode of the drive transistor Tr12. The gate electrode is connected to the scanning line Ls.

図10に示すように、画素120は有機EL層45を備える。有機EL層45は電流を供給されることにより発光する。有機EL層45に電流を供給するため、画素120は駆動トランジスタTr12と、アノード電極42と、対向電極46と、を備える。駆動トランジスタTr12は、例えば薄膜トランジスタである。アノード電極42は例えばITO等の透明電極材料で形成されている。対向電極46は、ボトムエミッション型の発光装置800の場合、例えばLi、Mg、Ca、Ba等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Al等の光反射性導電金属からなる上層と、から構成されている。   As shown in FIG. 10, the pixel 120 includes an organic EL layer 45. The organic EL layer 45 emits light when supplied with current. In order to supply current to the organic EL layer 45, the pixel 120 includes a drive transistor Tr12, an anode electrode 42, and a counter electrode 46. The drive transistor Tr12 is a thin film transistor, for example. The anode electrode 42 is formed of a transparent electrode material such as ITO. In the case of the bottom emission type light-emitting device 800, the counter electrode 46 includes an electron injecting lower layer made of a material having a low work function such as Li, Mg, Ca, Ba, and an upper layer made of a light reflective conductive metal such as Al. And is composed of.

有機EL層45を形成する有機EL材料の中には、酸素や水分と接触すると劣化するものがある。また、対向電極46を構成する材料、特にBa等からなる低仕事関数材料層は酸素と触れると容易に酸化され、発光装置800の性能を低下させる。これを防ぐため、画素120は図6に示すように、封止樹脂層135及び無機膜47によって封止されている。封止樹脂層135は例えばエポキシ系UV硬化性樹脂で形成されている。無機膜47は例えばAl、SiN等で形成されている。 Some organic EL materials that form the organic EL layer 45 deteriorate when they come into contact with oxygen or moisture. In addition, a material constituting the counter electrode 46, in particular, a low work function material layer made of Ba or the like is easily oxidized when it comes into contact with oxygen, and the performance of the light emitting device 800 is deteriorated. In order to prevent this, the pixel 120 is sealed with a sealing resin layer 135 and an inorganic film 47 as shown in FIG. The sealing resin layer 135 is made of, for example, an epoxy UV curable resin. The inorganic film 47 is made of, for example, Al 2 O 3 or SiN.

発光装置800の製造方法の実施形態について図12〜図17を参照しながら説明する。なお、ここでは理解を容易にするために発光装置800の製造方法を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   An embodiment of a method for manufacturing the light emitting device 800 will be described with reference to FIGS. Note that although a method for manufacturing the light-emitting device 800 will be described as an example for easy understanding, the present invention is not limited to this.

まず、図12(a)に示すように、ガラス基板100上にCr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlTiNb合金膜等からなる駆動トランジスタTr12のゲート電極Tr12gを形成し、窒化ケイ素、酸化ケイ素等からなるゲート絶縁膜106で被覆する。ゲート絶縁膜106は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法等により形成される。なお、図12(a)では省略されているが、他の金属配線や電極、例えば信号線、スイッチトランジスタのゲート電極等もこの工程で形成することができる。   First, as shown in FIG. 12A, a gate electrode Tr12g of a drive transistor Tr12 made of a Cr film, an Al film, a Cr / Al laminated film, an AlTi alloy film, an AlTiNb alloy film or the like is formed on a glass substrate 100, A gate insulating film 106 made of silicon nitride, silicon oxide or the like is covered. The gate insulating film 106 is formed by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Although omitted in FIG. 12A, other metal wirings and electrodes such as signal lines and gate electrodes of switch transistors can be formed in this step.

次に図12(b)に示すように、アノード電極42、駆動トランジスタTr12を構成するソース電極、ドレイン電極等が、ゲート絶縁膜106上に公知の工程により形成される。   Next, as shown in FIG. 12B, the anode electrode 42, the source electrode, the drain electrode, and the like constituting the driving transistor Tr12 are formed on the gate insulating film 106 by a known process.

発光装置800がボトムエミッション型の場合、アノード電極42はITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等で形成される透明導電膜である。その厚みは、例えば50〜300nmである。ソース電極及びドレイン電極は、例えばCr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlTiNb合金膜等からなる。アノード電極42は、駆動トランジスタTr12を経由して供給される電流を、次の工程で形成される有機EL層へと供給する。   When the light emitting device 800 is a bottom emission type, the anode electrode 42 is a transparent conductive film formed of ITO (Indium Tin Oxide), ZnO, or the like. The thickness is, for example, 50 to 300 nm. The source electrode and the drain electrode are made of, for example, a Cr film, an Al film, a Cr / Al laminated film, an AlTi alloy film, or an AlTiNb alloy film. The anode electrode 42 supplies the current supplied via the drive transistor Tr12 to the organic EL layer formed in the next step.

次に図13(c)に示すように、隔壁130と有機EL層45が形成される。隔壁130はポリイミド等からなり、各駆動トランジスタTr12及び各アノード電極42を互いに絶縁する役割を果たす。さらに後述するように、有機EL層45が形成される際の仕切りの役割も果たす。   Next, as shown in FIG. 13C, the partition wall 130 and the organic EL layer 45 are formed. The partition wall 130 is made of polyimide or the like, and plays a role of insulating each drive transistor Tr12 and each anode electrode 42 from each other. Further, as will be described later, it also serves as a partition when the organic EL layer 45 is formed.

有機EL層45は電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。有機EL層45は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成される。   The organic EL layer 45 has a function of generating light by applying a voltage. The organic EL layer 45 is made of a known polymer light-emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence, for example, a light-emitting material containing a conjugated double bond polymer such as polyparaphenylene vinylene or polyfluorene.

有機EL層45は、上記の発光材料を適した溶媒、例えば水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解(又は分散)した溶液(分散液)をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。この際、隔壁130で仕切られた各領域に溶液を塗布することで、有機EL層45を所望の位置に所望の厚みで形成することができる。   The organic EL layer 45 is prepared by a nozzle coating method or an inkjet using a solution (dispersion) obtained by dissolving (dispersing) the above-described light emitting material in a suitable solvent such as an aqueous solvent or an organic solvent such as tetralin, tetramethylbenzene, mesitylene, and xylene. It is formed by applying by a method or the like and volatilizing the solvent. At this time, the organic EL layer 45 can be formed in a desired thickness at a desired position by applying a solution to each region partitioned by the partition wall 130.

溶液を塗布する前に、酸素プラズマ処理若しくはUVオゾン処理によりアノード電極42表面の親液化を行ってもよい。アノード電極42を親液化することで、塗布された溶液(分散液)がアノード電極42の表面に均一に広がる。この結果、膜厚が均一な有機EL層45を形成することができる。   Before applying the solution, the surface of the anode electrode 42 may be made lyophilic by oxygen plasma treatment or UV ozone treatment. By making the anode electrode 42 lyophilic, the applied solution (dispersion) spreads uniformly on the surface of the anode electrode 42. As a result, the organic EL layer 45 having a uniform film thickness can be formed.

さらに、隔壁130の表面にあらかじめ撥液処理を施しておいてもよい。ここで撥液とは、水系の溶媒、有機系溶媒のいずれもを弾く性質を示す。隔壁130の表面にあらかじめ撥液処理を施しておくことで、塗布された溶液(分散液)が隔壁130上に広がるのを防ぎ、有機EL層45を所望の位置に所望の厚みで形成することが容易となる。   Furthermore, the surface of the partition wall 130 may be subjected to a liquid repellent treatment in advance. Here, the liquid repellency indicates the property of repelling both aqueous solvents and organic solvents. By applying a liquid repellent treatment to the surface of the partition wall 130 in advance, the applied solution (dispersion) is prevented from spreading on the partition wall 130, and the organic EL layer 45 is formed at a desired thickness at a desired position. Becomes easy.

本実施形態においては発明の理解を容易にするために有機EL層45として単一の層からなるものを例示したが、有機EL層45はさらに、正孔注入層若しくはインターレイヤ又はその両方を備えていてもよい。正孔注入層が形成される場合、正孔注入層は、アノード電極42と有機EL層45との間に形成される。正孔注入層は有機EL層45に正孔を供給する機能を有する。正孔注入層は正孔(ホール)注入・輸送が可能な有機高分子系の材料、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)とドーパントであるポリスチレンスルホン酸(PSS)から構成される。   In the present embodiment, the organic EL layer 45 is exemplified as a single layer for easy understanding of the invention. However, the organic EL layer 45 further includes a hole injection layer, an interlayer, or both. It may be. When the hole injection layer is formed, the hole injection layer is formed between the anode electrode 42 and the organic EL layer 45. The hole injection layer has a function of supplying holes to the organic EL layer 45. The hole injection layer is composed of an organic polymer material that can inject and transport holes, for example, polyethylenedioxythiophene (PEDOT) as a conductive polymer and polystyrene sulfonic acid (PSS) as a dopant. .

更に、インターレイヤが形成される場合、インターレイヤは正孔注入層と有機EL層45との間に形成される。インターレイヤは正孔注入層の正孔注入性を抑制して有機EL層45内において電子と正孔とを再結合させやすくする機能を有し、有機EL層45の発光効率を高める。   Furthermore, when an interlayer is formed, the interlayer is formed between the hole injection layer and the organic EL layer 45. The interlayer has a function of suppressing the hole injection property of the hole injection layer to facilitate recombination of electrons and holes in the organic EL layer 45, and increases the light emission efficiency of the organic EL layer 45.

次に図13(d)に示すように、隔壁130及び有機EL層45を覆うように対向電極46が形成される。発光装置800がボトムエミッション型の場合、対向電極46は、例えばLi、Mg、Ca、Ba等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Al等の光反射性導電金属からなる上層を有する積層構造を備える。一方、発光装置800がトップエミッション型の場合、対向電極46は、例えばLi、Mg、Ca、Ba等の仕事関数の低い材料からなる厚さ10nm程度の膜厚の極薄い光透過性低仕事関数層と、100nm〜200nm程度の膜厚のITO等の光反射性導体層を有する透明積層構造を備える。   Next, as illustrated in FIG. 13D, the counter electrode 46 is formed so as to cover the partition wall 130 and the organic EL layer 45. When the light emitting device 800 is a bottom emission type, the counter electrode 46 includes an electron injecting lower layer made of a material having a low work function such as Li, Mg, Ca, Ba, and an upper layer made of a light reflecting conductive metal such as Al. A laminated structure having On the other hand, when the light emitting device 800 is a top emission type, the counter electrode 46 is an extremely thin light-transmitting low work function with a thickness of about 10 nm made of a material having a low work function such as Li, Mg, Ca, Ba, for example. A transparent laminated structure having a layer and a light-reflective conductor layer such as ITO having a thickness of about 100 nm to 200 nm.

対向電極46の上には無機膜47が形成される。図13(d)に示すように、無機膜47は対向電極46を覆うように形成される。無機膜47は、例えばAl、SiN等をスパッタ法やプラズマCVD法で堆積させることにより形成される。このようにして、ガラス基板100上に、有機EL素子が二次元配列された素子形成領域400が形成される。 An inorganic film 47 is formed on the counter electrode 46. As shown in FIG. 13D, the inorganic film 47 is formed so as to cover the counter electrode 46. The inorganic film 47 is formed, for example, by depositing Al 2 O 3 , SiN or the like by a sputtering method or a plasma CVD method. In this way, the element formation region 400 in which the organic EL elements are two-dimensionally arranged is formed on the glass substrate 100.

次の工程では、素子形成領域400が封止される。ここでは、封止は図14及び図15に示すラミネート基板110を用いて行われる。ラミネート基板110は封止樹脂膜134と、それを取り囲むようにループ状に形成された接着膜144とを有する。封止樹脂膜134と接着膜144との間には、図14及び図15に示すように空間が形成されている。封止樹脂膜134及び接着膜144は、例えばUV硬化型エポキシ樹脂からなる。両者は同一の樹脂から形成されていてもよいが、接着膜144の方が封止樹脂膜134よりも接着性が高いことが好ましい。   In the next step, the element formation region 400 is sealed. Here, the sealing is performed using the laminate substrate 110 shown in FIGS. The laminate substrate 110 includes a sealing resin film 134 and an adhesive film 144 formed in a loop shape so as to surround it. A space is formed between the sealing resin film 134 and the adhesive film 144 as shown in FIGS. The sealing resin film 134 and the adhesive film 144 are made of, for example, a UV curable epoxy resin. Both may be formed of the same resin, but the adhesive film 144 preferably has higher adhesiveness than the sealing resin film 134.

封止工程を、図16及び図17を参照しながら説明する。貼り合わせは減圧下で行われる。まず準備段階として、有機EL素子が形成されたガラス基板100とラミネート基板110とを、例えば耐圧容器(図示せず)内に置く。耐圧容器内の空気を抜き、減圧する。この際圧力は特に限定されない。両者を減圧下に置くことで、素子や樹脂の表面又は内部に存在している微量の水分や空気を除去して減少させることができる。この結果、得られる発光装置800の信頼性や耐久性が向上する。この際、水分や空気をより少なくするために、必要に応じて加熱を行ったり、減圧下に置く時間を長くしたりしてもよい。   The sealing process will be described with reference to FIGS. Bonding is performed under reduced pressure. First, as a preparation stage, the glass substrate 100 on which the organic EL element is formed and the laminate substrate 110 are placed, for example, in a pressure resistant container (not shown). The air in the pressure vessel is evacuated and decompressed. At this time, the pressure is not particularly limited. By placing both under reduced pressure, it is possible to remove and reduce a trace amount of moisture and air present on the surface or inside of the element or resin. As a result, the reliability and durability of the resulting light emitting device 800 are improved. At this time, in order to reduce moisture and air, heating may be performed as necessary, or the time for placing under reduced pressure may be increased.

次に図16(a)に示すように、素子形成領域400と、封止樹脂膜134及び接着膜144とが対向するようにガラス基板100とラミネート基板110とを配置する。ラミネート基板110を、図16(b)に示すようにガラス基板110へと押しつけ、密着させる。この際、ループ状の接着膜144と封止樹脂膜134との間には、図16(b)に示すように空間Sが形成されている。空間Sは、ループ状の接着膜144によって外気から遮断されている。この状態では、空間S内の圧力は耐圧容器内の圧力と実質的に等しい。   Next, as shown in FIG. 16A, the glass substrate 100 and the laminate substrate 110 are disposed so that the element formation region 400 faces the sealing resin film 134 and the adhesive film 144. The laminate substrate 110 is pressed against and adhered to the glass substrate 110 as shown in FIG. At this time, a space S is formed between the loop-shaped adhesive film 144 and the sealing resin film 134 as shown in FIG. The space S is blocked from outside air by a loop-shaped adhesive film 144. In this state, the pressure in the space S is substantially equal to the pressure in the pressure vessel.

次に、貼り合わせられたガラス基板100とラミネート基板110の周辺の圧力を上昇させる。最も簡便な方法としては、耐圧容器を開放して、内部の圧力を大気圧に戻す。すると空間Sと外部との圧力差により、封止樹脂膜134及び接着膜144は図17に示すように押しつぶされ、ガラス基板100とラミネート基板110とはさらに強く密着する。   Next, the pressure around the bonded glass substrate 100 and laminate substrate 110 is increased. The simplest method is to open the pressure vessel and return the internal pressure to atmospheric pressure. Then, due to the pressure difference between the space S and the outside, the sealing resin film 134 and the adhesive film 144 are crushed as shown in FIG. 17, and the glass substrate 100 and the laminate substrate 110 are more closely attached.

ガラス基板100とラミネート基板110とを十分に密着させた後、紫外線照射により光硬化性エポキシ樹脂からなる封止樹脂膜134及び接着膜144を硬化させ、それぞれ封止樹脂層135及び接着部145とする。その後、ガラス基板100と、ラミネート基板105と、接着部145とを含む領域を切断し除去することによって、図5及び図6に示す発光装置800が得られる。   After the glass substrate 100 and the laminate substrate 110 are sufficiently adhered, the sealing resin film 134 and the adhesive film 144 made of a photocurable epoxy resin are cured by ultraviolet irradiation, and the sealing resin layer 135 and the adhesive portion 145 are respectively cured. To do. Thereafter, the region including the glass substrate 100, the laminate substrate 105, and the bonding portion 145 is cut and removed, whereby the light emitting device 800 shown in FIGS. 5 and 6 is obtained.

本実施形態では発光装置800を構成する2種類の基板を減圧下で貼り合わせた後、内外の圧力差を利用して密着させる。2種類の基板を減圧下に置くことで、素子や樹脂の表面又は内部に存在する微量の水分や空気を除去することができる。このため、得られる発光装置800は従来よりも高い耐久性を有する。また、圧力差を利用して両者を密着させるため、従来技術では必須であった大型の加熱ローラー等による圧着工程が不要である。さらに、加熱ローラー等を用いて一端部から他端部へと順番に圧力をかける場合に比べ、基板全体に均一に圧力をかけることができる。このため、歪みや接着ムラが生じにくく、より高い信頼性を有する発光装置800が得られる。   In the present embodiment, two types of substrates constituting the light emitting device 800 are bonded together under reduced pressure, and are then brought into close contact using a pressure difference between the inside and outside. By placing the two types of substrates under reduced pressure, it is possible to remove traces of moisture and air present on the surface or inside of the element or resin. For this reason, the obtained light-emitting device 800 has durability higher than before. Further, since both are brought into close contact with each other using a pressure difference, a pressure bonding step using a large heating roller or the like, which is essential in the prior art, is unnecessary. Furthermore, compared with the case where pressure is applied in order from one end portion to the other end portion using a heating roller or the like, the pressure can be uniformly applied to the entire substrate. For this reason, the light-emitting device 800 which is hard to produce distortion and adhesion nonuniformity and has higher reliability is obtained.

なお、本実施形態では耐圧容器を開放することにより貼り合わせられたガラス基板100とラミネート基板110の周辺の圧力を上昇させたが、耐圧容器内に空気又は不活性ガス等を導入することにより内部の圧力を上昇させてもよい。上昇後の圧力は、完成後の発光装置の厚み、求められる接着力、各基板の強度など、各種要因を考慮した上で任意に選択することができる。   In the present embodiment, the pressure around the glass substrate 100 and the laminate substrate 110 bonded together is increased by opening the pressure vessel, but the internal pressure is increased by introducing air or an inert gas into the pressure vessel. The pressure may be increased. The pressure after the increase can be arbitrarily selected in consideration of various factors such as the thickness of the light emitting device after completion, the required adhesive strength, and the strength of each substrate.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る発光装置の製造方法を図18〜図20を参照しながら説明する。第1実施形態との違いは、ラミネート基板110の代わりに図18及び図19に示すラミネート基板115を使用する点である。その他の構成や製造工程は、第1実施形態と同様である。
(Second Embodiment)
Next, a method for manufacturing a light emitting device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. A difference from the first embodiment is that a laminate substrate 115 shown in FIGS. 18 and 19 is used instead of the laminate substrate 110. Other configurations and manufacturing processes are the same as those in the first embodiment.

ラミネート基板115は、図18及び図19に示すように、封止樹脂膜134の周囲に接着膜139を有する。接着膜139は、封止樹脂膜134よりも接着性が高い樹脂で形成されている。ラミネート基板115の外周部には、ループ状の接着膜144が形成されている。これがガラス基板100と貼り合わせられると、2つの接着膜139と144との間に空間Sが形成される。   As shown in FIGS. 18 and 19, the laminate substrate 115 has an adhesive film 139 around the sealing resin film 134. The adhesive film 139 is formed of a resin having higher adhesiveness than the sealing resin film 134. A loop-shaped adhesive film 144 is formed on the outer peripheral portion of the laminate substrate 115. When this is bonded to the glass substrate 100, a space S is formed between the two adhesive films 139 and 144.

貼り合わせ工程を経た後、第1実施形態と同様に、紫外線照射により光硬化性エポキシ樹脂からなる封止樹脂膜134及び接着膜139,144を硬化させ、それぞれ封止樹脂層135、接着部140,145とする。ガラス基板100と、ラミネート基板115と、接着部145とを含む領域を切断し除去すると、図20に示す発光装置810が得られる。   After passing through the bonding step, as in the first embodiment, the sealing resin film 134 and the adhesive films 139 and 144 made of a photocurable epoxy resin are cured by ultraviolet irradiation, and the sealing resin layer 135 and the adhesive part 140 are respectively cured. , 145. When the region including the glass substrate 100, the laminate substrate 115, and the bonding portion 145 is cut and removed, a light emitting device 810 shown in FIG. 20 is obtained.

図20に示すように、発光装置810は第1実施形態で得られた発光装置800と異なり、封止樹脂層135の周囲に接着部140を有する。接着部140は封止樹脂層135よりも接着性が高い樹脂であり、ガラス基板100とラミネート基板115とをより強固に結合させる。このため、発光装置810は機械的強度が高く、より耐久性に優れる。   As shown in FIG. 20, the light emitting device 810 has an adhesive portion 140 around the sealing resin layer 135, unlike the light emitting device 800 obtained in the first embodiment. The adhesive portion 140 is a resin having higher adhesiveness than the sealing resin layer 135 and bonds the glass substrate 100 and the laminate substrate 115 more firmly. For this reason, the light-emitting device 810 has high mechanical strength and is more durable.

(変形例)
第1実施形態及び第2実施形態では発明の理解を容易にするために1枚のガラス基板100上に1つの素子形成領域400を形成する例を示したが、本発明の範囲はこれに限られない。例えば、1枚のガラス基板100上に複数の素子形成領域400を形成することもできる。第2実施形態の変形例として、1枚のガラス基板100上に複数の素子形成領域400を形成し複数の発光装置810を得る方法について、図21〜図23を参照しながら説明する。
(Modification)
In the first embodiment and the second embodiment, an example in which one element formation region 400 is formed on one glass substrate 100 is shown to facilitate understanding of the invention. However, the scope of the present invention is not limited to this. I can't. For example, a plurality of element formation regions 400 can be formed on one glass substrate 100. As a modification of the second embodiment, a method of obtaining a plurality of light emitting devices 810 by forming a plurality of element formation regions 400 on one glass substrate 100 will be described with reference to FIGS.

本変形例では、図21に示すように、ガラス基板100上に複数の素子形成領域400が形成され、これが図22に示すラミネート基板116と貼り合わせられる。ラミネート基板116は、素子形成領域400と対応する位置に封止樹脂膜134を有する。各封止樹脂膜134の周囲には接着膜139が形成されている。そして封止用基板105の外周部には、複数の封止樹脂膜134及び接着膜139を取り囲むように、ループ状の接着膜139が形成されている。   In this modification, as shown in FIG. 21, a plurality of element formation regions 400 are formed on the glass substrate 100, and these are bonded to the laminate substrate 116 shown in FIG. The laminate substrate 116 has a sealing resin film 134 at a position corresponding to the element formation region 400. An adhesive film 139 is formed around each sealing resin film 134. A loop-shaped adhesive film 139 is formed on the outer peripheral portion of the sealing substrate 105 so as to surround the plurality of sealing resin films 134 and the adhesive film 139.

貼り合わせ工程ではまず、複数の素子形成領域400を有するガラス基板100とラミネート基板116とが例えば耐圧容器(図示せず)内に導入される。耐圧容器内を所定の温度及び大気圧より低い所定の圧力に調整した後、各素子形成領域400と各封止樹脂膜134とが対向するよう両者が貼り合わせられる。図23(a)は、減圧下で両者を貼り合わせた状態を、図21及び図22に示したD−D’線における断面図で示したものである。この状態では、空間S内の圧力は耐圧容器内の圧力と実質的に等しい。   In the bonding step, first, the glass substrate 100 having a plurality of element formation regions 400 and the laminate substrate 116 are introduced into, for example, a pressure resistant container (not shown). After the inside of the pressure vessel is adjusted to a predetermined temperature and a predetermined pressure lower than the atmospheric pressure, the element forming regions 400 and the sealing resin films 134 are bonded together so as to face each other. FIG. 23A is a cross-sectional view taken along the line D-D 'shown in FIGS. In this state, the pressure in the space S is substantially equal to the pressure in the pressure vessel.

次に、例えば耐圧容器の弁を開放して貼り合わせられた両基板の周辺の圧力を上昇させる。すると図23(b)に示すように、空間Sと外部との圧力差により封止樹脂膜134及び接着膜139,144は押しつぶされ、ガラス基板100とラミネート基板116とはさらに強く密着する。   Next, for example, the pressure in the vicinity of both substrates bonded together by opening the valve of the pressure vessel is increased. Then, as shown in FIG. 23B, the sealing resin film 134 and the adhesive films 139 and 144 are crushed by the pressure difference between the space S and the outside, and the glass substrate 100 and the laminate substrate 116 are more closely adhered.

第1実施形態及び第2実施形態と同様に封止樹脂膜134、接着膜139,144を紫外線照射により硬化させてそれぞれ封止樹脂層135、接着部140,145とした後、図23(b)に破線で示されたスクライブ・ブレイクラインに沿って、ガラス基板100及びラミネート基板116を切断する。このスクライブ・ブレイクラインは、平面視では図21及び図22に示すように配置されている。このため、スクライブ・ブレイクラインに沿ってガラス基板100及びラミネート基板116を切断すると、接着部145も合わせて除去される。このようにして、図23(c)に示すように複数の発光装置810が得られる。本変形例では6つの素子形成領域400が形成されており、一度の工程で6枚の発光装置810を得ることが出来るため、生産性が特に高い。さらに、気圧差を利用することで基板全体に均一に圧力をかけることができるため、部位による品質のバラつきが少なく、安定した品質の発光装置810が得られる。   Similarly to the first embodiment and the second embodiment, the sealing resin film 134 and the adhesive films 139 and 144 are cured by ultraviolet irradiation to form the sealing resin layer 135 and the adhesive portions 140 and 145, respectively. The glass substrate 100 and the laminate substrate 116 are cut along a scribe break line indicated by a broken line in FIG. The scribe / break lines are arranged as shown in FIGS. 21 and 22 in plan view. For this reason, when the glass substrate 100 and the laminate substrate 116 are cut along the scribe / break line, the bonding portion 145 is also removed. In this way, a plurality of light emitting devices 810 are obtained as shown in FIG. In this modification, six element formation regions 400 are formed, and six light emitting devices 810 can be obtained in one step, so that productivity is particularly high. Further, since the pressure can be uniformly applied to the entire substrate by utilizing the atmospheric pressure difference, there is little variation in quality due to the part, and the light emitting device 810 with stable quality can be obtained.

以上、本発明について実施形態を示しながら詳しく述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係る発光装置及びその製造方法は、有機EL素子を有する発光装置以外にも、有機EL表示装置、液晶表示パネル等に適用することができる。その他、本技術分野の通常の知識に基づいて様々な変形例が可能であり、それらの変形例は本発明の技術的範囲に含まれるものである。   As mentioned above, although this invention was described in detail, showing embodiment, this invention is not limited to said embodiment. For example, the light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present invention can be applied to an organic EL display device, a liquid crystal display panel, and the like in addition to a light emitting device having an organic EL element. In addition, various modifications are possible based on ordinary knowledge in the technical field, and these modifications are included in the technical scope of the present invention.

Cs…キャパシタ、La…アノード線、Ld…信号線、Ls…走査線、OEL…有機EL素子、S…空間、Tr11…選択トランジスタ、Tr12…駆動トランジスタ、Tr12g…ゲート電極、42…アノード電極、45…有機EL層、46…対向電極、47…無機膜、100…ガラス基板、105…封止用基板、110,115,116…ラミネート基板、106…ゲート絶縁膜、120…画素、125…層間絶縁膜、130…隔壁、134…封止樹脂膜、135…封止樹脂層、139,144…接着膜、140,145…接着部、400…素子形成領域、800,810…発光装置、1200…デジタルカメラ、1201…レンズ部、1202…操作部、1203…表示部、1204…ファインダー、1210…パーソナルコンピュータ、1211…表示部、1212…操作部、1220…携帯電話機、1221…表示部、1222…操作部、1223…受話部、1224…送話部、1230…テレビ、1231…表示部 Cs ... capacitor, La ... anode line, Ld ... signal line, Ls ... scanning line, OEL ... organic EL element, S ... space, Tr11 ... select transistor, Tr12 ... drive transistor, Tr12g ... gate electrode, 42 ... anode electrode, 45 ... Organic EL layer, 46 ... Counter electrode, 47 ... Inorganic film, 100 ... Glass substrate, 105 ... Sealing substrate, 110, 115, 116 ... Laminate substrate, 106 ... Gate insulating film, 120 ... Pixel, 125 ... Interlayer insulation Membrane, 130 ... partition wall, 134 ... sealing resin film, 135 ... sealing resin layer, 139, 144 ... adhesive film, 140, 145 ... adhesive portion, 400 ... element formation region, 800, 810 ... light emitting device, 1200 ... digital Camera 1201 Lens unit 1202 Operation unit 1203 Display unit 1204 Viewfinder 1210 Personal computer , 1211 ... the display unit, 1212 ... the operating unit, 1220 ... mobile phone, 1221 ... the display unit, 1222 ... the operating unit, 1223 ... earpiece, 1224 ... the transmission section, 1230 ... TV, 1231 ... the display unit

Claims (7)

第1の基板に、第1の電極と、前記第1の電極と対向する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を形成し、
第2の基板上の、前記第1の基板の前記発光素子が形成されている領域と対応する領域に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜を取り囲みかつ前記樹脂膜との間に空間が形成されるようにループ状の第一接着膜を形成し、
第1の圧力の下で、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記発光素子と前記樹脂膜とが対向するように前記第一接着膜を介して貼り合わせ、
貼り合わせられた前記第1の基板及び前記第2の基板の周辺の圧力を、前記第1の圧力よりも高い第2の圧力へと変化させることを特徴とする発光装置の製造方法。
A first substrate, a first electrode, a second electrode facing the first electrode, and a light emitting functional layer provided between the first electrode and the second electrode; Forming a light emitting device having,
A resin film is formed on a second substrate in a region corresponding to the region where the light emitting element is formed on the first substrate, and a space is formed surrounding the resin film and between the resin film. To form a loop-shaped first adhesive film,
Under the first pressure, the first substrate and the second substrate are bonded through the first adhesive film so that the light emitting element and the resin film face each other.
A method for manufacturing a light-emitting device, wherein the pressure around the bonded first substrate and second substrate is changed to a second pressure higher than the first pressure.
前記第1の基板上に前記発光素子が複数形成され、
前記複数の発光素子が形成されている領域と対応する前記第2の基板上の領域に前記樹脂膜が複数形成され、
前記第一接着膜は前記複数の樹脂膜を取り囲むように形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
A plurality of the light emitting elements are formed on the first substrate;
A plurality of the resin films are formed in a region on the second substrate corresponding to a region where the plurality of light emitting elements are formed,
The first adhesive film is formed so as to surround the plurality of resin films.
The method of manufacturing a light emitting device according to claim 1.
前記第2の基板上の、前記第一接着膜よりも内側の領域に前記樹脂膜を取り囲む第二接着膜を形成する工程をさらに含み、
前記空間は前記第一接着膜と前記第二接着膜との間に形成されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。
Forming a second adhesive film surrounding the resin film in a region inside the first adhesive film on the second substrate;
The space is formed between the first adhesive film and the second adhesive film.
The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 1 or 2.
貼り合わせられた前記第1の基板の端部、前記第2の基板の端部及び前記第一接着膜を除去する工程をさらに備える、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。   4. The method according to claim 1, further comprising a step of removing an end portion of the first substrate, an end portion of the second substrate, and the first adhesive film that are bonded to each other. A method for manufacturing the light emitting device according to claim 1. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法により製造されることを特徴とする発光装置。   A light-emitting device manufactured by the method according to claim 1. 第1の電極と、前記第1の電極と対向する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を備えた第1の基板と、
前記発光素子と対応する位置に形成された樹脂層と、前記樹脂層を取り囲み、且つ前記樹脂層との間に空間が設けられるように形成されたループ状の接着部と、を有し、前記樹脂層及び前記接着部を介して前記第1の基板と貼り合わせられている第2の基板と、
を備えることを特徴とする発光装置。
A light-emitting element including a first electrode, a second electrode facing the first electrode, and a light-emitting functional layer provided between the first electrode and the second electrode is provided. A first substrate;
A resin layer formed at a position corresponding to the light emitting element, and a loop-shaped adhesive portion formed so as to surround the resin layer and to provide a space between the resin layer, A second substrate bonded to the first substrate via a resin layer and the adhesive portion;
A light emitting device comprising:
請求項6に記載の発光装置を備える電子機器。   An electronic apparatus comprising the light emitting device according to claim 6.
JP2010218569A 2010-09-29 2010-09-29 Method for manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and electronic device provided with the same Pending JP2012074274A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010218569A JP2012074274A (en) 2010-09-29 2010-09-29 Method for manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and electronic device provided with the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010218569A JP2012074274A (en) 2010-09-29 2010-09-29 Method for manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and electronic device provided with the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012074274A true JP2012074274A (en) 2012-04-12

Family

ID=46170234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010218569A Pending JP2012074274A (en) 2010-09-29 2010-09-29 Method for manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and electronic device provided with the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012074274A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104466031A (en) * 2014-12-08 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 OLED device and encapsulation method and display device thereof
CN114360393A (en) * 2020-10-14 2022-04-15 上海和辉光电股份有限公司 Preparation method of special-shaped screen

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104466031A (en) * 2014-12-08 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 OLED device and encapsulation method and display device thereof
US9391294B1 (en) 2014-12-08 2016-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED device, packaging method thereof and display device
CN114360393A (en) * 2020-10-14 2022-04-15 上海和辉光电股份有限公司 Preparation method of special-shaped screen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100941129B1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
CN102709493B (en) Manufacture the method for luminescent device
CN1735290B (en) Electroluminescence display device and method of manufacturing the same
CN1617641B (en) Ultra-thin organic light-emitting display and manufacturing method thereof
US7888862B2 (en) Organic electroluminescent display device
JP6490623B2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN100539175C (en) Electroluminescence display device
US8574662B2 (en) Substrate section for flexible display device, method of manufacturing substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including substrate
JP4651916B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4497185B2 (en) Manufacturing method of display device
KR20080088031A (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2006253443A (en) ORGANIC EL DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
US20090179550A1 (en) Organic light emitting display device having protecting layers and method of manufacturing the same
KR101089487B1 (en) Method of manufacturing the self-luminous panel
TW201421766A (en) Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
JP2012074274A (en) Method for manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and electronic device provided with the same
JP5533121B2 (en) Transistor device, electronic device including the same, and method for manufacturing transistor device
KR101493222B1 (en) Manufacturing method of light emitting display panel
KR20100009319A (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof
JP2012064435A (en) Method for manufacturing light emitting device and light emitting device
JP2010049986A (en) Organic electroluminescent display
JP2012073327A (en) Method of manufacturing wiring board, light emitting device, and electronic equipment