JP2012064751A - Wiring board, and method of manufacturing semiconductor device using the same - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置の製造に際し、封止体形成後の配線基板の反りを低減できるようにする。
【解決手段】 1つ以上の製品形成部101からなる製品エリア102a、102bを持つ配線基板であって、前記製品エリアを含むように該配線基板に設定されたモールドエリア109a、109bが樹脂で封止される配線基板100において、前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成した。
【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce warpage of a wiring board after forming a sealing body in manufacturing a semiconductor device.
A wiring board having product areas 102a and 102b composed of one or more product forming portions 101, and mold areas 109a and 109b set on the wiring board so as to include the product area are sealed with resin. In the wiring substrate 100 to be stopped, the product area is arranged and formed in the mold area so as to be eccentric so that the planar center position of the product area deviates from the planar center position of the mold area.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は配線基板及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing a semiconductor device using the wiring board.
従来、BGA(Ball Grid Array)型の半導体装置の製造には、複数の製品形成部を有する配線基板を準備し、製品形成部のそれぞれに半導体チップを搭載し、配線基板上の複数の製品形成部をモールド樹脂で一体的に覆って封止体を形成し、配線基板を個々の製品形成部毎に分割するMAP(Mold Array Process)方式が用いられている(特許文献1、2)。 Conventionally, in manufacturing a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor device, a wiring board having a plurality of product forming portions is prepared, and a semiconductor chip is mounted on each of the product forming portions, thereby forming a plurality of products on the wiring substrate. A MAP (Mold Array Process) method is used in which a sealing body is formed by integrally covering portions with a mold resin, and a wiring board is divided into individual product forming portions (Patent Documents 1 and 2).
このようなMAP方式では、例えば配線基板の製品エリアの平面的な中心位置が、モールド樹脂の平面的な中心位置と略同じ位置になるように構成されている。 In such a MAP method, for example, the planar center position of the product area of the wiring board is configured to be substantially the same position as the planar center position of the mold resin.
しかしながら、モールド樹脂による封止に際してはトランスファモールドにてゲートからモールド樹脂を圧入することでキャビティ内に充填するため、キャビティ内のゲート側とエアベント側でのモールド樹脂のフィラー(球形状のガラス部材)分布が異なってしまう。具体的には、トランスファモールドによりゲートからモールド樹脂をキャビティに注入することで、モールド樹脂に含まれるフィラーはエアベント側に流されるため、フィラー分布は封止体のゲート側の方がエアベント側よりも少なくなってしまう。 However, when sealing with mold resin, the mold resin is pressed from the gate by a transfer mold to fill the cavity, so the mold resin filler (spherical glass member) on the gate side and air vent side in the cavity Distribution will be different. Specifically, by injecting mold resin into the cavity from the gate by transfer molding, the filler contained in the mold resin flows to the air vent side, so the filler distribution is more on the gate side of the sealing body than on the air vent side. It will decrease.
このようなフィラー分布の偏りによって、封止体の平面的なバランスが崩れ、配線基板に反りが生じてしまう問題がある。特に、フィラー分布が少ないゲート側では、マイナス反り(封止体側に反る)が大きく、ゲート側から1列目の製品エリアでの反りが大きくなり実装性が悪くなる問題があった。 Due to such uneven distribution of the filler, there is a problem that the planar balance of the sealing body is lost and the wiring board is warped. In particular, on the gate side where the filler distribution is small, negative warping (warping toward the sealing body side) is large, and warping in the product area in the first row from the gate side is large, resulting in a problem of poor mountability.
このように、封止体の形成後、配線基板に反りが生じると、配線基板の搬送性の低下や、配線基板への位置決め精度の低下につながるおそれがある。また、配線基板の搬送性の低下によっては、半導体装置の製造効率が低下するおそれが生じる。さらに、位置決め精度の低下によっては、ボール搭載精度や基板切断精度が低下し、不良品を作り込むおそれもある。 As described above, if the wiring board is warped after the sealing body is formed, there is a possibility that the transportability of the wiring board is lowered and the positioning accuracy to the wiring board is lowered. In addition, there is a risk that the manufacturing efficiency of the semiconductor device may be reduced due to a decrease in the transportability of the wiring board. Furthermore, depending on the decrease in positioning accuracy, the ball mounting accuracy and the substrate cutting accuracy may decrease, and a defective product may be produced.
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造に際し、封止体形成後の配線基板の反りを低減できるようにしようとするものである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to reduce the warpage of a wiring board after forming a sealing body in manufacturing a semiconductor device.
本発明の1つの態様によれば、1つ以上の製品形成部からなる製品エリアを持つ配線基板であって、前記製品エリアを含むように該配線基板に設定されたモールドエリアが樹脂で封止される配線基板において、前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成したことを特徴とする配線基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, a wiring board having a product area composed of one or more product forming portions, wherein a mold area set in the wiring board so as to include the product area is sealed with a resin In the printed wiring board, the product area is arranged and formed in the mold area so as to be decentered so that the planar center position of the product area deviates from the planar center position of the mold area. A substrate is provided.
本発明の別の態様によれば、上記の配線基板と、該配線基板に搭載された1つ以上の半導体チップと、前記半導体チップを前記モールドエリア毎に一括的にモールド樹脂で封止した封止体と、を含むことを特徴とする半導体装置の中間構造体が提供される。 According to another aspect of the present invention, the above-described wiring board, one or more semiconductor chips mounted on the wiring board, and the semiconductor chip sealed together with a mold resin for each mold area. An intermediate structure of a semiconductor device is provided.
本発明の更に別の態様によれば、1つ以上の製品形成部からなる製品エリアを含むようにモールドエリアが設定された配線基板を用意する工程と、各製品形成部に1つ以上の半導体チップを搭載する工程と、半導体チップを搭載した前記配線基板を成型装置にセットし、該成型装置のキャビティ内にモールド樹脂を注入してモールドエリア毎に1つ以上の半導体チップを一括的に封止した封止体を形成する工程を含み、前記配線基板として、前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成した配線基板を用意することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to still another aspect of the present invention, a step of preparing a wiring board in which a mold area is set so as to include a product area composed of one or more product forming portions, and one or more semiconductors in each product forming portion. The step of mounting the chip and the wiring board on which the semiconductor chip is mounted are set in a molding apparatus, mold resin is injected into the cavity of the molding apparatus, and one or more semiconductor chips are collectively sealed for each mold area. Forming a stopped sealing body, and as the wiring board, the product area is decentered so that a planar center position of the product area deviates from a planar center position of the mold area. A method of manufacturing a semiconductor device is provided, comprising preparing a wiring board that is arranged and formed.
本発明によれば、半導体装置の製造に際し、封止体形成後の配線基板の反りを低減することができ、結果として、半導体装置の反りを低減することができる。 According to the present invention, when manufacturing a semiconductor device, it is possible to reduce the warpage of the wiring substrate after forming the sealing body, and as a result, it is possible to reduce the warpage of the semiconductor device.
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1〜図8を参照して、本発明の第1の実施形態に係るBGA型半導体装置の製造方法について説明する。 With reference to FIGS. 1-8, the manufacturing method of the BGA type semiconductor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention is demonstrated.
図1は、第1の実施形態に係るBGA型半導体装置の製造に用いられる配線基板の概略構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面図である。 1A and 1B are diagrams showing a schematic configuration of a wiring board used for manufacturing the BGA type semiconductor device according to the first embodiment, wherein FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a cross-sectional view.
配線基板100は、例えば0.2mm厚のガラスエポキシ配線基板であり、図1に示すようにマトリックス状に配置された複数の製品形成部101を有している。マトリックス状に配置された複数の製品形成部101は、例えば4×4で16個の2つの製品エリア102a、102bをそれぞれ構成している。配線基板100の複数の製品形成部101には、それぞれ所定の配線パターン(図示せず)が形成され、配線パターンは部分的に絶縁膜(図示せず)、例えばソルダーレジストで覆われている。
The
製品形成部101の一面側の配線のソルダーレジストから露出された部位には、複数の接続パッド103が形成されている。また、製品形成部101の他面の配線のソルダーレジストから露出された部位には、複数のランド104が形成されている。そして、接続パッド103とこれに対応するランド104とは配線基板100の配線105によりそれぞれ電気的に接続されている。
A plurality of
また、製品形成部101がマトリックス状に配置された製品エリア102a、102bの周囲には枠部106が配置されている。枠部106には所定の間隔で位置決め孔107が設けられ、搬送・位置決めが可能に構成されている。また、隣り合う製品形成部101間はダイシングライン108となる。このようして、図1(a)及び(b)に示すような配線基板100が準備される。
Further, a
なお、図1(a)では下側がゲート側で、上側がエアベント側であり、図1(b)では左側がゲート側で、右側がエアベント側である。 In FIG. 1A, the lower side is the gate side and the upper side is the air vent side. In FIG. 1B, the left side is the gate side and the right side is the air vent side.
ここで、第1の実施形態に係るBGA型半導体装置の製造に用いられる配線基板は、製品エリア102a、102bに対応させて、図中、一点鎖線で示すような2つのモールドエリア109a、109bが設定される。特に、モールドエリア102a、102bは配線基板100の実質上中央のエリア、すなわち配線基板100の端縁からほぼ等距離となるエリア内に設定される。これまで、2つの製品エリアは、図中、通常の製品エリアとして破線で示すように、それぞれの平面的な中心が、対応するモールドエリア109a、109bの平面的な中心とほぼ一致するように、モールドエリア109a、109b内に配置、形成されていた。
Here, the wiring board used in the manufacture of the BGA type semiconductor device according to the first embodiment has two
これに対し、第1の実施形態に用いられる配線基板100では、製品エリア102a、102bは、それぞれの平面的な中心位置が、対応するモールドエリア109a、109bの平面的な中心から外れるように、偏心させてモールドエリア109a、109b内に配置、形成される。ここでは特に、製品エリア102a、102bをそれぞれ、図中破線で示す従来の配置位置から、エアベント側に距離d1だけずらすと共に、互いに離れる方向(ゲートからエアベントに向う方向に直角な方向、すなわち図1(a)の左右方向)に距離d2だけずらして配置形成するようにしている。
On the other hand, in the
次に、図2(a)及び(b)に示すように、配線基板100はチップマウント工程に移行され、各製品形成部101に半導体チップ200が搭載される。
Next, as shown in FIGS. 2A and 2B, the
半導体チップ200は、例えばSi基板の一面に論理回路や記憶回路等が形成され、周辺近傍位置には複数の電極パッド(図示せず)が形成されている。また、電極パッドを除く半導体チップの一面には、パッシベーション膜(図示せず)が形成され、回路形成面を保護している。
In the
そして、チップマウント工程では、図示しないダイボンディング装置を用いて、配線基板100の一面側の製品形成部101の略中央部に、それぞれ半導体チップ200の他面(電極パッドが形成された一面とは反対側の面)を絶縁性の接着材或いはDAF(Die Attached Film)等を介して接着固定する。全ての製品形成部101に半導体チップ200が搭載された配線基板100は、ワイヤボンディング工程に移行される。
Then, in the chip mounting process, the other surface of the semiconductor chip 200 (one surface on which the electrode pad is formed is defined at a substantially central portion of the
ワイヤボンディング工程では、図3(a)、(b)を参照して、半導体チップ200の一面に形成された電極パッドと、それに対応する製品形成部101の接続パッド103とを導電性のワイヤ110により結線する。ワイヤ110は例えばAu或いはCu等からなる。図示しないワイヤボンディング装置により、溶融され先端にボールが形成されたワイヤ110の一端を半導体チップ200の電極パッド上に超音波熱圧着することで接続し、その後、所定のループ形状を描き、ワイヤ110の他端を対応する接続パッド103上に超音波熱圧着することで接続する。全ての製品形成部101へのワイヤ接続が完了した配線基板100は、図3に示すように構成されてモールド工程に移行される。
In the wire bonding step, referring to FIGS. 3A and 3B, the electrode pads formed on one surface of the
次に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の封止工程について説明する。 Next, the sealing process of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described.
図4は、第1の実施形態に係る半導体装置の封止工程に用いる成型装置(トランスファモールド装置)の概略構成を示す断面図である。 FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a molding apparatus (transfer mold apparatus) used in the sealing process of the semiconductor device according to the first embodiment.
成型装置300は、図4(a)に示すように、上型301と下型302からなる成形金型を有している。上型301にはキャビティ303が形成されており、下型302には配線基板100を搭載する凹部304が形成されている。
As shown in FIG. 4A, the molding apparatus 300 has a molding die including an upper mold 301 and a
前記ワイヤボンディングの完了した配線基板100(図3参照)は、図4(b)に示すように、下型302の凹部304にセットされる。そして、上型301を下型302に対して型閉めすることで、配線基板100の上方に所定の大きさのキャビティ303やゲート305に対応する空間が形成される。成型装置300は、図1(a)等に示されるように、1つのモールドエリアに対して複数(ここでは3個)のゲート305を有する。本実施形態では、MAP方式で構成されているため、キャビティ303は複数の製品形成部101を一括で覆う大きさで構成されている。また、本実施形態ではキャビティ303はモールドエリア109a、109bに対応するように2つに分割して配置、形成されている。そして、下型302のポットにタブレット306(レジンタブレット)が供給され、加熱溶融される。
The wiring substrate 100 (see FIG. 3) that has undergone the wire bonding is set in the concave portion 304 of the
そして、図4(c)に示すように、溶融されたモールド樹脂307をプランジャー308によりカル305−1、ランナー305−2、ゲート305−3経由でキャビティ303内に注入する。キャビティ303内にモールド樹脂307を充填した後、所定の温度、例えば180℃でキュアすることで、モールド樹脂307が硬化され、2つのモールドエリアに対応する2つの封止体が形成される。
Then, as shown in FIG. 4C, the molten mold resin 307 is injected into the cavity 303 by the
その後、成型装置300の成型金型を開いて、封止体付きの配線基板100を取り出し、所定の温度、例えば240℃でリフローすることで封止体が完全に硬化される。なお、図4(d)に示すように、成型金型から取り出された封止体には、成型金型のカル305−1、ランナー305−2、ゲート305−3に対応する部分にモールド樹脂が残るが、除去される。
Thereafter, the molding die of the molding apparatus 300 is opened, the
このようにして、図5(a)、(b)に示すように、配線基板100上に設定された2つのモールドエリア109a、109bをそれぞれ樹脂で封止した2つの封止体401a、401bが形成された半導体装置の中間構造体400が形成される。
In this way, as shown in FIGS. 5A and 5B, two sealing
中間構造体400の2つの封止体401a、401bはそれぞれ、配線基板100の端縁からほぼ等距離のエリア内に形成されるが、2つの封止体401a、401b内では、製品エリア102a、102bはそれぞれの平面的な中心が封止体401a、401bの平面的な中心から偏心した位置にある。言い換えれば、複数の半導体チップ200を実装した製品エリア102aと、複数の半導体チップ200を実装した製品エリア102bは、封止体401a、401b内で、エアベント側寄り、かつ互いに離れる方向(図5(a)の左右方向)の側に偏心(オフセット)した領域に封止されている。なお、封止体401a、401bの上面は平坦である。
The two sealing
このようにモールドエリア内において、製品エリアをエアベント側にオフセット配置することで、成型金型を変更することなく、モールド樹脂(封止体)のゲート側の領域を製品エリア外とすることができる。これにより、フィラーの分布量が少なく、樹脂反りの生じやすいゲート側のモールド樹脂の領域を製品エリア外とすることができ、半導体装置の反りを低減することができる。 In this way, by offsetting the product area on the air vent side in the mold area, the region on the gate side of the mold resin (sealing body) can be out of the product area without changing the molding die. . As a result, the area of the mold resin on the gate side where the amount of filler distribution is small and resin warpage is likely to occur can be outside the product area, and warpage of the semiconductor device can be reduced.
またモールドエリア内において、2つの製品エリアを互いに離れる方向、すなわち図5(a)の左右方向にオフセット配置している。この場合、図1(a)にゲート位置として示しているように、成型金型300の複数のゲートが、できる限り製品形成部101に搭載される半導体チップ200の間に規定されるダイシングライン108(図1)に対応する位置に配置されるように、2つの製品エリア102a、102bを左右方向にオフセット配置することができ、モールド工程においてモールドエリアへ注入される溶融樹脂の流動性を向上させることができる。これによりモールドエリアへのボイドの発生を低減できる。
In the mold area, the two product areas are offset in the direction away from each other, that is, in the left-right direction in FIG. In this case, as shown in FIG. 1A as gate positions, a plurality of gates of the molding die 300 are defined as dicing
なお、第1の実施形態では、モールドエリア内において、製品エリアをオフセット配置するように構成しているため、配線基板のサイズと、配線基板のモールド領域、モールド金型は変更無しで固定とすることができるので、配線基板の汎用性を損なうことなく、半導体装置の反り低減や封止樹脂の流動性を向上できる。 In the first embodiment, since the product area is offset in the mold area, the size of the wiring board, the mold area of the wiring board, and the mold are fixed without change. Therefore, it is possible to reduce the warpage of the semiconductor device and improve the fluidity of the sealing resin without impairing the versatility of the wiring board.
また第1の実施形態では、2つのモールドエリア内において、2つの製品エリアをエアベント側と、左右方向にオフセット配置するように構成したが、いずれか一方のみに製品エリアをオフセット配置するように構成しても良い。 In the first embodiment, in the two mold areas, the two product areas are offset from the air vent side in the left-right direction, but the product areas are offset from only one of the two mold areas. You may do it.
次に、配線基板100はボールマウント工程に移行され、図6(a)及び(b)に示すように、配線基板100の他面に格子状に配置された複数のランド104上に、導電性の半田ボール500を搭載し、外部端子となるバンプ電極を形成する。
Next, the
ボールマウント工程では、配線基板100上のランド104の配置に合わせて複数の吸着孔が形成された図示しない吸着機構を用いて、例えば半田等からなる半田ボール500を吸着孔に保持し、保持された半田ボール500を、フラックスを介して配線基板100のランド104に一括搭載する。
In the ball mounting process, using a suction mechanism (not shown) in which a plurality of suction holes are formed in accordance with the arrangement of the
全ての製品形成部101への半田ボール500の搭載後、配線基板100をリフローすることでバンプ電極(外部端子)が形成される。封止体401a、401bは、中間構造体400の反りを低減しているため、半田ボール500を良好に搭載できる。
After the
次に、半田ボール500の搭載された配線基板100は基板ダイシング工程に移行される。
Next, the
図7(a)及び(b)に示すように、配線基板100を縦方向、横方向の複数のダイシングライン108で切断し、製品形成部101毎に分離する。基板ダイシング工程は、配線基板100の封止体401a、401b側をダイシングテープ600に接着し、ダイシングテープ600によって配線基板100を支持する。その後、配線基板100を図示しないダイシング装置のダイシングブレードにより縦横のダイシングラインに沿って切断して製品形成部101毎に切断分離する。切断分離後、ダイシングテープ600からピックアップすることで、図8に示すような半導体装置700が得られる。上述のように、半導体チップ200は、配線基板100上に接着材701により接着固定される。
As shown in FIGS. 7A and 7B, the
以上、本発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the said embodiment, and can be variously changed in the range which does not deviate from the summary.
例えば上記実施形態では、モールドエリア109a、109b内において、製品エリア102a、102bをエアベント側にオフセットする場合について説明したが、図9に示すように、製品エリア102a’、102b’をモールドエリア109a、109b内においてゲート側に距離d3だけオフセットするように構成しても良い。製品エリアをモールドエリア内でゲート側にオフセットする場合には、製品エリアにエアベント領域を設ける構成となるため、製品エリアのエアベント側へのボイドの発生を低減できる。勿論、図9において、2つの製品エリア102a’、102b’を、2つのモールドエリア109a、109b内で互いに離れる左右方向にオフセット配置しても良い。
For example, in the above embodiment, the case where the
また上記実施形態では、一つの製品形成部に、一つの半導体チップを搭載した半導体装置に適用した場合について説明したが、複数の半導体チップを並置或いは積層搭載したMCP(Multi Chip Package)型の半導体装置に適用しても良い。 In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to a semiconductor device in which one semiconductor chip is mounted in one product forming portion has been described. However, an MCP (Multi Chip Package) type semiconductor in which a plurality of semiconductor chips are juxtaposed or stacked and mounted. You may apply to an apparatus.
また上記実施形態では、ガラスエポキシ基材からなる配線基板について説明したが、ポリイミド基材からなるフレキシブルな配線基板等に適用しても良い。 Moreover, although the said embodiment demonstrated the wiring board which consists of a glass epoxy base material, you may apply to the flexible wiring board etc. which consist of a polyimide base material.
100 配線基板
101 製品形成部
102a、102b 製品エリア
103 接続パッド
104 ランド
105 配線
106 枠部
107 位置決め孔
108 ダイシングライン
200 半導体チップ
110 ワイヤ
300 成型装置
301 上型
302 下型
303 キャビティ
304 凹部
305−1 カル
305−2 ランナー
305−3 ゲート
306 タブレット
307 モールド樹脂
308 プランジャー
400 中間構造体
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成したことを特徴とする配線基板。 In a wiring board having a product area composed of one or more product forming portions, wherein a mold area set in the wiring board so as to include the product area is sealed with a resin,
A wiring board, wherein the product area is arranged and formed in the mold area so as to be decentered so that a planar center position of the product area deviates from a planar center position of the mold area.
前記製品エリアがマトリックス状に配置された複数の製品形成部からなり、隣接する製品形成部の間にはダイシングラインが設定され、
前記製品エリアの前記互いに離れる方向への偏心を、前記モールドエリアにおける前記複数のゲート側に対応する部分と複数の前記ダイシングラインがそれぞれ対応した配置関係となるように設定したことを特徴とする請求項3に記載の配線基板。 Each of the two mold areas is sealed with resin by injection of mold resin through a plurality of gates of a molding apparatus,
The product area is composed of a plurality of product forming portions arranged in a matrix, and a dicing line is set between adjacent product forming portions,
The eccentricity of the product area in the direction away from each other is set so that a portion corresponding to the plurality of gates in the mold area and a plurality of the dicing lines correspond to each other. Item 4. The wiring board according to Item 3.
該配線基板に搭載された1つ以上の半導体チップと、
前記半導体チップを前記モールドエリア毎に一括的にモールド樹脂で封止した封止体と、を含むことを特徴とする半導体装置の中間構造体。 The wiring board according to any one of claims 1 to 5,
One or more semiconductor chips mounted on the wiring board;
An intermediate structure of a semiconductor device, comprising: a sealing body in which the semiconductor chip is collectively sealed with a mold resin for each mold area.
各製品形成部に1つ以上の半導体チップを搭載する工程と、
半導体チップを搭載した前記配線基板を成型装置にセットし、該成型装置のキャビティ内にモールド樹脂を注入してモールドエリア毎に1つ以上の半導体チップを一括的に封止した封止体を形成する工程と、を含み、
前記配線基板として、前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成した配線基板を用意することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a wiring board in which a mold area is set so as to include a product area composed of one or more product forming portions;
Mounting one or more semiconductor chips in each product forming section;
The wiring board on which the semiconductor chip is mounted is set in a molding apparatus, and a molding resin is injected into the cavity of the molding apparatus to form a sealing body in which one or more semiconductor chips are collectively sealed for each mold area. Including the steps of:
Preparing as the wiring board a wiring board in which the product area is eccentrically disposed and formed in the mold area such that the planar center position of the product area deviates from the planar center position of the mold area. A method of manufacturing a semiconductor device.
前記製品エリアがマトリックス状に配置された複数の製品形成部からなり、隣接する製品形成部の間にはダイシングラインが設定され、
前記製品エリアの前記互いに離れる方向への偏心は、前記モールドエリアにおける前記複数のゲート側に対応する部分と複数の前記ダイシングラインがそれぞれ対応する配置関係となるように設定されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 The sealing body is formed by injecting mold resin into a cavity through a plurality of gates in the molding apparatus,
The product area is composed of a plurality of product forming portions arranged in a matrix, and a dicing line is set between adjacent product forming portions,
The eccentricity of the product area in the direction away from each other is set such that portions corresponding to the plurality of gate sides in the mold area and a plurality of the dicing lines have a corresponding arrangement relationship. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9.
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