JP2012061508A - Joining material - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板と半導体装置とを接合する接合材料に関する。 The present invention relates to a bonding material for bonding a substrate and a semiconductor device.
近年、電子部品装置の小型化・薄型化の要求が増加し、それに対応するため、装置に搭載される半導体装置についても、小型化・薄型化の要求がなされている。現在、小型・薄型を実現するために、ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ)やＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）に代表される、基板と接合する電極へ、はんだボールが搭載されたパッケージが採用されることが多い。 In recent years, there has been an increasing demand for downsizing and thinning of electronic component devices, and in order to respond to the demand, there has been a demand for downsizing and thinning of semiconductor devices mounted on the device. Currently, in order to realize a small size and a thin shape, a package in which a solder ball is mounted on an electrode joined to a substrate, such as CSP (ChipSize Package) and BGA (Ball Grid Array), is often employed.
また、鉛フリーへの対応も求められており、これについては、はんだボールの組成を、Ｓｎ−Ａｇ−ＣｕやＳｎ−Ａｇにして対応されることが多い。通常、この様なパッケージを搭載する際には、はんだボールと同じ組成の合金粒子がフラックスと混合された、はんだペースト（接合材料）を基板のパッドに供給し、半導体装置に形成されたはんだボールを接触させるように仮搭載した後、リフロ炉で、はんだボールの合金の融点より高い温度にまで加熱し、接合することが行われている。 In addition, there is a demand for lead-free, and this is often handled by setting the composition of the solder balls to Sn-Ag-Cu or Sn-Ag. Normally, when mounting such a package, a solder ball (bonding material) in which alloy particles having the same composition as the solder ball is mixed with the flux is supplied to the pads of the substrate, and the solder ball formed on the semiconductor device. Is temporarily mounted so as to be in contact with each other, and then heated in a reflow furnace to a temperature higher than the melting point of the solder ball alloy to be joined.
合金が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの場合は、融点が約２２０度であるので、リフロ炉において、基板とこれに仮搭載された半導体装置を、約２５０度にまで加熱することがある。線膨張係数は、基板が約１２ｐｐｍであり、半導体装置には約３ｐｐｍのシリコンが搭載されている。このため、リフロでの加熱中、はんだ融点の半導体装置よりも大きく基板が膨張した状態で固定され、この後、常温にまで冷却される際の、基板と半導体装置の収縮量の差によって、実装品に顕著な反りが現われる。 In the case where the alloy is Sn—Ag—Cu, the melting point is about 220 degrees, and therefore, the substrate and the semiconductor device temporarily mounted thereon may be heated to about 250 degrees in the reflow furnace. The linear expansion coefficient is about 12 ppm for the substrate, and about 3 ppm of silicon is mounted on the semiconductor device. For this reason, during heating with reflow, the substrate is fixed in a larger state than the semiconductor device with a melting point of solder, and then mounted due to the difference in shrinkage between the substrate and the semiconductor device when cooled to room temperature. A noticeable warp appears in the product.
この様な反りを低減するために、例えば、特許文献１および特許文献２に示されるように、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだと、フラックスとが混合された接合材料を使用して、低温で接合することが行われる。
In order to reduce such warpage, for example, as shown in
例えば、特許文献１には、低温条件下にてフリップチップを実装できる電子部品実装用基板の接合部を形成するための、基板の電極部位にはんだボールを搭載する方法、及びこのようなはんだボールを搭載した電子部品実装用基板が記載されている。
For example,
また、特許文献２には、低温条件下にて、樹脂製基板に半導体素子を実装する方法が記載されている。
しかしながら、上記の特許文献に記載される通りに実装すると、はんだボールのＳｎ−Ａｇ系はんだの一部とＳｎ−Ｂｉ系はんだが、混合した合金とＳｎ−Ａｇ系はんだの組成がそのまま残る部分が、図３に示すように分離した状態になる。図３は、Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されたＢＧＡ−ＰＫＧを従来のＳｎ−Ｂｉ系はんだを使って接合した時の接合部の断面図である。 However, when mounted as described in the above-mentioned patent document, a part of the Sn-Ag solder of the solder ball and the Sn-Bi solder are mixed, and there is a portion where the composition of the mixed alloy and the Sn-Ag solder remains. As shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a joint when a BGA-PKG on which Sn—Ag solder balls are mounted is joined using conventional Sn—Bi solder.
図３に示すような接合状態では、経時により、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだからＳｎ−Ａｇ系はんだ中へ、Ｂｉが拡散するとともに、電気抵抗の上昇が現われるという問題がある。 In the joined state as shown in FIG. 3, there is a problem that as time passes, Bi diffuses from the Sn—Bi solder into the Sn—Ag solder and an increase in electrical resistance appears.
また、はんだボールのＳｎ−Ａｇ系はんだと、はんだペーストのＳｎ−Ｂｉ系はんだは、それぞれ融点が最低温度になるような組成比に近づけているが、接合後は、両はんだが混合して組成比が崩れ、融点が上昇するという問題がある。 In addition, the Sn-Ag solder of the solder balls and the Sn-Bi solder of the solder paste are close to the composition ratio so that the melting point becomes the lowest temperature. There is a problem that the ratio collapses and the melting point rises.
この現象から推測できるように、リフロ中のはんだの融点は、昇温される時と降温される時とで異なり、冷却時の方が高くなる。よって、半導体装置と基板との固定は、目的としていたＳｎ−Ｂｉ系はんだの融点よりも高い、冷却時の融点で完了するので、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだだけで接合するときよりも、実装品の反りは大きくなるという問題がある。 As can be inferred from this phenomenon, the melting point of the solder during reflow differs between when the temperature is raised and when it is lowered, and becomes higher during cooling. Therefore, the fixing of the semiconductor device and the substrate is completed at the melting point during cooling, which is higher than the melting point of the intended Sn-Bi solder. There is a problem that warpage becomes large.
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、現状市場に大量に流通している、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５ＣｕやＳｎ−３ＡｇのＳｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されている半導体装置を、基板に対し１８０度以下の低温で安定して実装でき、組織の不均一による加熱時の複数材料の膨張率差による応力を分散することにより、機械的な信頼性を向上させるとともに、組織の分布の均一化によって、経時による電気抵抗の上昇を低減することが可能な接合材料を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and is equipped with Sn-3Ag-0.5Cu and Sn-3Ag Sn-Ag solder balls, which are currently distributed in large quantities in the market. Can be stably mounted at a low temperature of 180 degrees or less on the substrate, and mechanical reliability is improved by dispersing stress due to the difference in expansion coefficient of multiple materials during heating due to non-uniform structure. It is an object of the present invention to provide a bonding material that can improve and reduce an increase in electrical resistance over time by making the distribution of tissues uniform.
本発明に係る接合材料は、融点が１８０℃以下であるはんだ合金の粒子と、ＢｉまたはＩｎのいずれか１種以上を９０ｗｔ％以上含有する金属粒子とを含む。 The bonding material according to the present invention includes solder alloy particles having a melting point of 180 ° C. or less and metal particles containing at least 90 wt% of either Bi or In.
本発明によれば、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５ＣｕやＳｎ−３ＡｇのＳｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されている半導体装置を、基板に対し１８０度以下の低温で安定して実装でき、機械的な信頼性を向上させるとともに、経時による電気抵抗の上昇を低減することが可能な接合材料を得ることができる。 According to the present invention, a semiconductor device on which Sn-3Ag-0.5Cu or Sn-3Ag Sn-Ag solder balls are mounted can be stably mounted on a substrate at a low temperature of 180 degrees or less, and mechanically. In addition, it is possible to obtain a bonding material capable of improving the reliability and reducing the increase in electrical resistance over time.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。説明の明確化のため、以下の記載および図面は、適宜、省略、および簡略化がなされている。各図面において同一の構成または機能を有する構成要素および相当部分には、同一の符号を付し、その説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. For clarity of explanation, the following description and drawings are omitted and simplified as appropriate. In the drawings, components having the same configuration or function and corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
（実施の形態１）
本発明の実施の形態に係る接合材料は、融点が１８０℃以下であるはんだ合金としてのＳｎ−Ｂｉ系はんだ合金（粒子）と、Ｂｉ粒子と、フラックスとが混合されたものである。融点が１８０℃を超えると、大部分の有機基板において、ガラス転移点を越える温度となり、線膨張係数が高い領域（α２）に達する。これにより、基板と搭載デバイスとの線膨張係数の差によって、接続部に発生する応力や反りが顕著となり、信頼性や実装性が低下することになる。Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金の（共晶時の）融点は、約１４０℃である。
(Embodiment 1)
The joining material according to the embodiment of the present invention is a mixture of Sn—Bi solder alloy (particles) as a solder alloy having a melting point of 180 ° C. or less, Bi particles, and a flux. When the melting point exceeds 180 ° C., the temperature exceeds the glass transition point in most organic substrates and reaches a region (α2) having a high linear expansion coefficient. Thereby, due to the difference in coefficient of linear expansion between the substrate and the mounted device, stress and warpage generated in the connection portion become remarkable, and reliability and mountability are lowered. The melting point (at the time of eutectic) of the Sn—Bi based solder alloy is about 140 ° C.
また、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金において、Ｓｎの含有率は４５〜６５ｗｔ％である。Ｓｎの含有率がこの範囲を外れると、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金の融点が１５０℃を越え、ガラス転移点の比較的低い有機基板において線膨張係数がα２の領域に達するため好ましくない。 In the Sn—Bi solder alloy, the Sn content is 45 to 65 wt%. If the Sn content is out of this range, the melting point of the Sn—Bi solder alloy exceeds 150 ° C., and the linear expansion coefficient reaches an α2 region in an organic substrate having a relatively low glass transition point.
基板に実装されるＢＧＡ−ＰＫＧに搭載されるＳｎ−Ａｇ系はんだボールに含有されるＳｎに対し、接合材料の金属成分に含まれるＢｉ粒子は、２０〜１２０ｗｔ％である。Ｂｉ粒子の含有量が２０ｗｔ％未満であると、Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールに含有されるＳｎと合金化したとき、ＳｎリッチなＳｎ−Ｂｉ系はんだとなり、融点が１８０℃以上になるので好ましくなく、含有量が１２０ｗｔ％を超えると、ＢｉリッチのＳｎ−Ｂｉ系はんだとなり、融点が１８０℃以上になるので好ましくない。 The Bi particles contained in the metal component of the bonding material are 20 to 120 wt% with respect to Sn contained in the Sn-Ag solder balls mounted on the BGA-PKG mounted on the substrate. If the content of Bi particles is less than 20 wt%, when alloyed with Sn contained in the Sn-Ag solder ball, it becomes Sn-rich Sn-Bi solder, and the melting point becomes 180 ° C or higher. If the content exceeds 120 wt%, Bi-rich Sn—Bi solder is formed, and the melting point becomes 180 ° C. or higher, which is not preferable.
その他の金属成分としては、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだであり、共晶はんだであると、金属成分が溶融し、別個にあるはんだボール中の固体のＳｎと、Ｂｉ粒子との間に介在して、これらの材料の共晶化を進展させるので好ましい。特に、温度が低い共晶はんだであると、進展を容易にするのでより好ましい。
接合材料の組成比を表１に示す。
The other metal component is Sn-Bi solder, and if it is a eutectic solder, the metal component melts and is interposed between solid Sn in a separate solder ball and Bi particles, Since eutecticization of these materials is advanced, it is preferable. In particular, eutectic solder having a low temperature is more preferable because it facilitates the progress.
The composition ratio of the bonding material is shown in Table 1.
以下、本実施の形態に係る接合材料を用いて、ＢＧＡ−ＰＫＧの実装工程を示す。
まず、基板上のパッドへ、接合材料を印刷等により供給する。次に、ＢＧＡ−ＰＫＧをＳｎ−Ａｇ系はんだボールがパッドに接触するように搭載する。その後、ＢＧＡ−ＰＫＧが搭載された基板を、リフロー炉へ投入し、実装を完了する。
Hereinafter, the mounting process of BGA-PKG is described using the bonding material according to the present embodiment.
First, a bonding material is supplied to a pad on a substrate by printing or the like. Next, BGA-PKG is mounted so that the Sn-Ag solder balls are in contact with the pads. Thereafter, the substrate on which BGA-PKG is mounted is put into a reflow furnace to complete the mounting.
図１に、この時のリフロー温度プロファイルの例を示す。
ＢＧＡ−ＰＫＧが搭載された基板をリフロー炉へ投入する工程において、ＢＧＡ−ＰＫＧに搭載されたＳｎ−Ａｇ系のはんだボールと接合材料のリフロー炉中での挙動は、次のようになる。
FIG. 1 shows an example of the reflow temperature profile at this time.
In the step of loading the substrate on which BGA-PKG is loaded into the reflow furnace, the behavior of the Sn-Ag solder balls mounted on BGA-PKG and the bonding material in the reflow furnace is as follows.
図１に示すリフロ炉中の温度プロファイルで、約１４０℃に達しても、はんだボール中のＳｎと、接合材料中のＢｉは、それぞれ融点が約２３０℃と約２７０℃であるため、単独では溶融しない。しかし、接合材料に含有するＳｎ−Ｂｉ共晶はんだは、溶融し、はんだボール中のＳｎと接合材料中のＢｉとの間に入り込む。 Even if the temperature profile in the reflow furnace shown in FIG. 1 reaches about 140 ° C., Sn in the solder balls and Bi in the bonding material have melting points of about 230 ° C. and about 270 ° C., respectively. Does not melt. However, the Sn—Bi eutectic solder contained in the bonding material melts and enters between Sn in the solder balls and Bi in the bonding material.
その結果、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ中のＳｎと、Ｂｉとの接触面積が増し、全体の融点が１５０℃〜１７０℃にまで低下する。この時、Ｂｉ粒子の比率が高いほど、全体の融点が低下するので、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだボールと混合し易くなり、接合後の均質化を顕著に高めることができる。 As a result, the contact area between Sn and Sn in the Sn—Ag solder increases, and the entire melting point decreases to 150 ° C. to 170 ° C. At this time, the higher the ratio of Bi particles, the lower the overall melting point. Therefore, it becomes easier to mix with Sn-Ag solder balls, and the homogenization after joining can be remarkably increased.
従来のように、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだのみの接合材を使った場合、Ｓｎ−ＡｇはんだとＳｎ−Ｂｉの合金とが、分離された状態となる。その結果、時効により、Ｓｎ−ＡｇへのＢｉの拡散が進み、それと同時に、電気抵抗が高くなる。 As in the prior art, when a bonding material composed only of Sn—Bi solder is used, the Sn—Ag solder and the Sn—Bi alloy are separated. As a result, due to aging, diffusion of Bi into Sn-Ag proceeds, and at the same time, the electrical resistance increases.
これに対し、発実施の形態に係る接合材料では、接合当初からＳｎとＢｉが均一化されるので、拡散による抵抗の変化を抑制できる。 On the other hand, in the bonding material according to the embodiment, Sn and Bi are made uniform from the beginning of bonding, so that a change in resistance due to diffusion can be suppressed.
本実施の形態に係る接合材料と、従来のＳｎ−Ｂｉ系はんだ材料を使い、基板へＢＧＡ−ＰＫＧをリフロ時のピーク温度を１８０度として搭載した時、接合部の組成について接合部を調査した結果を、図２および図３に示す。 When the bonding material according to the present embodiment and a conventional Sn-Bi solder material were used and BGA-PKG was mounted on a substrate at a peak temperature of 180 degrees during reflow, the bonding portion was investigated for the composition of the bonding portion. The results are shown in FIG. 2 and FIG.
図２は、Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されたＢＧＡ−ＰＫＧを、本発明に係る接合材料を使って接合した時の接合部の断面図を示し、図３は、Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されたＢＧＡ−ＰＫＧを、従来のＳｎ−Ｂｉ系はんだを使って接合した時の接合部の断面図を示す。図２および図３ともに、上側がＢＧＡ−ＰＫＧ、下側が基板である。 FIG. 2 shows a cross-sectional view of a joint portion when a BGA-PKG having a Sn-Ag solder ball mounted thereon is joined using the joining material according to the present invention, and FIG. 3 shows a Sn-Ag solder ball. Sectional drawing of the junction part when joining BGA-PKG with which it mounted | wore using the conventional Sn-Bi type solder is shown. 2 and 3, the upper side is BGA-PKG and the lower side is a substrate.
図３に示すように、従来のＳｎ−Ｂｉ系はんだを使った場合の接合部においては、ＢＧＡ−ＰＫＧ側に搭載されていたはんだボールが、部分的に溶けないで残っている。これにより、基板へ供給されていたＳｎ−Ｂｉ系はんだへ、はんだボールの一部が溶け込んだ部分との間の組織の違いを確認できた。 As shown in FIG. 3, the solder balls mounted on the BGA-PKG side remain undissolved partially in the joint portion when the conventional Sn—Bi solder is used. Thereby, the difference of the structure | tissue between the part in which a part of solder ball melt | dissolved in the Sn-Bi type solder currently supplied to the board | substrate was confirmed.
一方、図２の場合においては、ＢＧＡ−ＰＫＧのはんだボールと基板側に供給された接合材料とが、ほぼ完全に融合し、均一な組織状態になっていることが確認できた。 On the other hand, in the case of FIG. 2, it was confirmed that the solder balls of BGA-PKG and the bonding material supplied to the substrate side were almost completely fused to form a uniform structure.
なお、本実施の形態に係る接合材料には、活性化樹脂を含有することができる。具体的には、フラックス、これを含有する加熱硬化性液状樹脂等を用いることができる。これにより、はんだボール表面の酸化膜を除去したり、本低温接合材料中の合金およびＢｉ粒子の酸化防止効果を得ることができる。 Note that the bonding material according to the present embodiment can contain an activated resin. Specifically, a flux, a thermosetting liquid resin containing the flux, or the like can be used. Thereby, the oxide film on the surface of the solder ball can be removed, and the effect of preventing oxidation of the alloy and Bi particles in the present low-temperature bonding material can be obtained.
本実施の形態によれば、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金の粒子と、Ｂｉ粒子と、フラックスとが混合された接合材料を、基板上パッドへ適量供給し、Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されたＢＧＡ−ＰＫＧをパッドに接触するように搭載する。その後、ピーク温度が２００℃以下に設定されたリフロー炉を通して拡散接合させることにより、従来のＳｎ−Ｂｉ系はんだ合金とフラックスとの混合物よりも、信頼性を向上できる。すなわち、Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールを端子とするＢＧＡ−ＰＫＧにおいて、低温実装に使用される接合材料を得ることができる。 According to the present embodiment, an appropriate amount of a bonding material in which Sn-Bi solder alloy particles, Bi particles, and a flux are mixed is supplied to the pads on the substrate, and the Sn-Ag solder balls are mounted. Mount BGA-PKG so that it contacts the pad. Thereafter, by performing diffusion bonding through a reflow furnace whose peak temperature is set to 200 ° C. or lower, reliability can be improved as compared with the conventional mixture of Sn—Bi solder alloy and flux. That is, in BGA-PKG using Sn—Ag solder balls as terminals, a bonding material used for low-temperature mounting can be obtained.
（実施の形態２）
本発明の実施の形態においては、実施の形態１と同様の部分についての説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
(Embodiment 2)
In the embodiment of the present invention, description of the same parts as those of the first embodiment is omitted, and only different parts will be described.
本実施の形態に係る接合材料は、融点が１８０℃以下であるはんだ合金としてのＳｎ−Ｉｎ系はんだ合金（粒子）と、In粒子と、フラックスとが混合されたものである。Ｉｎ−Ｓｎ系はんだ合金は、融点約１２０℃である。また、Ｉｎ−Ｓｎ系はんだ合金において、Ｓｎの含有率は、１０〜６０ｗｔ％である。Ｓｎの含有率がこの範囲を外れると、Ｓｎ−Ｉｎ系はんだ合金の融点が１５０℃を越え、ガラス転移点の比較的低い有機基板において線膨張係数がα２の領域に達するため好ましくない。 The bonding material according to the present embodiment is a mixture of Sn—In solder alloy (particles) as a solder alloy having a melting point of 180 ° C. or less, In particles, and flux. The In—Sn solder alloy has a melting point of about 120 ° C. In the In—Sn solder alloy, the Sn content is 10 to 60 wt%. If the Sn content is outside this range, the melting point of the Sn—In solder alloy exceeds 150 ° C., and the linear expansion coefficient reaches an α2 region in an organic substrate having a relatively low glass transition point.
基板に実装されたＢＧＡ−ＰＫＧに搭載されるＳｎ−Ａｇ系はんだボールに含有されるＳｎに対し、金属粒子中のIn粒子は、３０ｗｔ％である。Ｉｎ粒子の含有量が３０ｗｔ％未満であると、Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールに含有されるＳｎと合金化したとき、ＳｎリッチなＳｎ−Ｉｎ系はんだとなり、融点が１８０℃以上になるので好ましくない。含有量が３０ｗｔ％以上であれば、１８０℃を越えないので問題はない。 The In particles in the metal particles are 30 wt% with respect to Sn contained in the Sn-Ag solder balls mounted on the BGA-PKG mounted on the substrate. If the content of In particles is less than 30 wt%, when alloyed with Sn contained in the Sn-Ag solder balls, it becomes Sn-rich Sn-In solder and the melting point becomes 180 ° C. or higher, which is not preferable. . If the content is 30 wt% or more, there is no problem because it does not exceed 180 ° C.
その他の金属成分としては、Ｓｎ−Ｉｎ系はんだであり、共晶はんだであると、金属成分が溶融し、別個にあるはんだボール中の固体のＳｎと、Ｉｎ粒子との間に介在し、これらの材料の共晶化を進展させることができる。特に、温度が低い共晶はんだであると、進展を容易にするので好ましい。 As other metal components, Sn-In solder, and eutectic solder, the metal component melts and is interposed between solid Sn and In particles in separate solder balls. The eutecticization of the material can be promoted. In particular, eutectic solder having a low temperature is preferable because it facilitates progress.
なお、本実施の形態に係る接合材料には、活性化樹脂を含有することができる。これについては、実施の形態１と同様である。 Note that the bonding material according to the present embodiment can contain an activated resin. This is the same as in the first embodiment.
本実施の形態においては、ＩｎとＳｎとの組成比を調整することにより、リフロー時のピーク温度を更に下げて、約１５０℃としても接合することが可能となる。これにより、接合後のはんだ組織を均一にでき、時効による抵抗変化も抑制できる。 In the present embodiment, by adjusting the composition ratio of In and Sn, the peak temperature during reflow can be further lowered and bonding can be performed even at about 150 ° C. Thereby, the solder structure after joining can be made uniform, and resistance change due to aging can also be suppressed.
本実施の形態においては、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。 In the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
１ Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されたＢＧＡ−ＰＫＧを接合材料を使って接合した
時の接合部の断面
２、１０２ ＢＧＡ−ＰＫＧのパッド
３、１０３ ＢＧＡ−ＰＫＧの絶縁層
４、１０４ 基板のパッド
１００ Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールの一部とＳｎ−Ｂｉ系はんだとが混合された部分
１０１ Ｓｎ−Ａｇ系はんだボールが混合せずに残った部分
1 BGA-PKG with a Sn-Ag solder ball mounted on it using a
4, 104
Claims (6)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016072476A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 大日本印刷株式会社 | Wiring board, method of manufacturing the same, mounting board, method of manufacturing the same, and lighting device including mounting board |
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-
2010
- 2010-09-17 JP JP2010208985A patent/JP2012061508A/en active Pending
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