JP2012060764A - 充放電制御回路及びバッテリ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】１つの双方向導通型電界効果トランジスタで二次電池の充放電を制御する充放電保護回路において、双方向導通型電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、安定して動作させる充放電制御回路を備えたバッテリ装置を提供すること。
【解決手段】二次電池の充放電を制御する制御回路の出力によって双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御するスイッチ回路と、充電電流と放電電流の逆流を防止する２つのＭＯＳトランジスタを備える。そして、１つめのＭＯＳトランジスタのドレインとバックゲートを接続し、ソースを双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続する。２つめのＭＯＳトランジスタのドレインとバックゲートを接続し、ソースを双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続する構成とした。
【選択図】図１

Description

本発明は、二次電池の電圧や異常を検知する充放電制御回路及びバッテリ装置に関し、特に、１つの充放電制御ＭＯＳＦＥＴで制御することのできる充放電制御回路及びバッテリ装置に関する。

図５に、従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図を示す。従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置は、２次電池１０１の負極側に、双方向に通電遮断可能なエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６を直列に接続される。端子１２０及び１２１には充電回路あるいは負荷が接続され、充放電電流はこの端子を通して２次電池１０１に供給あるいは放出される。制御回路１０２は２次電池１０１及びエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６の電圧を検出し、その値に応じてスイッチ３０１、３０４、３０５のオン、オフを制御する。エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は、ゲート端子の電位が正のしきい値電圧以上ではドレイン端子とソース端子間は双方向に通電可能となり、ゲート端子の電位がしきい値電圧以下になるとドレイン端子とソース端子間はオフ状態となる。

充電禁止状態ついて説明する。充電器を端子１２０、１２１間に接続するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のドレイン端子−ソース端子間の電圧Ｖｄｓは正の値となる。制御回路１０２はＶｄｓが正であることを検出し、スイッチ３０１をオンし、スイッチ３０５、３０４をオフする。これによりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はソース端子より２次電池１０１の電圧分だけ高電位になり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は通電状態となる。

２次電池１０１が充電され電池電圧が設定上限値に達すると制御回路１０２はスイッチ３０１をオフ、スイッチ３０５、３０４をオンする。するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はソース端子と同電位となり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。その結果充電電流は遮断され、２次電池１０１が過充電されるのを防止する。またこのときダイオード３０２は逆バイアスとなりスイッチ３０４及びスイッチ３０５を通って電流が流れるのを防止している。

充電電流を遮断すると、内部抵抗による電圧降下が無くなるため、２次電池１０１の電圧は低下する。この電圧低下により再度充電が開始されるのを防止するため、充電禁止となった後は、２次電池１０１がある程度放電されて電圧が設定した値以下になるまで充電禁止状態を保持すると良い。充電禁止状態において端子１２０、１２１間に負荷が接続されるとＶｄｓは正から負に切り替わる。制御回路１０２はＶｄｓが負の場合は放電し、正の場合には充電電流を遮断するようにスイッチ３０１、３０４、３０５を制御すればよい。

上記説明では充電停止時にはスイッチ３０４、３０５はともにオンとした。しかしスイッチ３０４はオフしても同様に充電停止可能である。スイッチ３０４のオン、オフに関わらず、スイッチ３０５がオンしているためゲート端子はソース端子と同電位となり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。またダイオード３０２によりスイッチ３０４、３０５を通って流れる電流も遮断されるためである。

但し上で説明した充電時、及び後で述べる放電時にはスイッチ３０４、３０５はともにオフである。そのため充電停止時にスイッチ３０４、３０５はともにオンとし、後で説明するように放電停止時にもスイッチ３０４、３０５はともにオンとすれば、２つのスイッチは常に同時にオンあるいはオフとなる。したがって、スイッチ３０４、３０５を独立して制御する必要がなく、制御回路の構成を簡単に出来る。

次に放電禁止状態について説明する。負荷を端子１２０、１２１間に接続するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のドレイン端子−ソース端子間の電圧Ｖｄｓは負の値となる。制御回路１０２はＶｄｓが負であることを検出し、スイッチ３０１をオンし、スイッチ３０４、３０５をオフする。これによりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はドレイン端子より２次電池１０１の電圧分だけ高電位になりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は通電状態となる。

２次電池１０１の放電が進み電池電圧が設定下限値に達すると制御回路１０２はスイッチ３０１をオフ、スイッチ３０４、３０５をオンする。するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はドレイン端子と同電位となりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。その結果放電電流は遮断され、２次電池１０１が過放電されるのを防止する。またこのときダイオード３０３は逆バイアスとなりスイッチ３０４及びスイッチ３０５を通って電流が流れるのを防止している。

放電電流を遮断すると、内部抵抗による電圧降下が無くなるため、２次電池１０１の電圧は上昇する。この電圧上昇により再度放電が開始されるのを防止するため、放電禁止となった後は、２次電池１０１がある程度充電されて電圧が設定した値以上になるまで、放電禁止状態を保持すると良い。放電禁止状態において端子１２０、１２１間に充電回路が接続されるとＶｄｓは負から正に切り替わる。制御回路１０２はＶｄｓが正の場合は充電し、負の場合には放電電流を遮断するようにスイッチ３０１、３０４、３０５を制御すればよい。

上記説明では放電停止時にはスイッチ３０４、３０５はともにオンとした。しかしスイッチ３０５はオフしても同様に放電停止可能である。スイッチ３０５のオン、オフに関わらず、スイッチ３０４がオンしているためゲート端子はドレイン端子と同電位となり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。またダイオード３０３によりスイッチ３０５、３０４を通って流れる電流も遮断されるためである。

但し放電停止時にスイッチ３０４、３０５はともにオンとすれば、前に説明したように２つのスイッチは常に同時にオンあるいはオフとなる。したがってスイッチ３０４、３０５を独立して制御する必要がなく、制御回路１０２の構成を簡単に出来る。

エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６には内蔵のダイオード３２１、３２２が形成される。しかしこれらは逆方向に直列接続されており導通することはなく、上で説明した保護動作に影響することはない。

エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は横型構造でも縦型構造でもよい。横型構造とすればエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６と制御回路１０２を１個のＩＣで構成することが容易である。従って従来ＩＣ１個とスイッチ２個で構成していた過充電・過放電保護回路をＩＣ１個で構成できるため小型化，低コスト化を図ることが可能である。一方縦型構造とすれば横型構造に比較して低損失化を図ることが出来る。

特開２０００−１０２１８２号公報（図９）

しかしながら従来の技術では、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート電圧がソースまたはドレイン電圧＋ＶＦ（約０．６Ｖ）までしか下がらず、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６がオフのときリーク電流が大きいという課題があった。さらにエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のバックゲートがフローティングとなり、充放電制御回路を備えたバッテリ装置の動作が不安定となるという課題があった。

本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、充放電制御回路がオフの時リーク電流を低減することができ、安定して動作できる充放電制御回路路及びバッテリ装置を提供するものである。

従来の課題を解決するために、本発明の充放電制御回路を備えたバッテリ装置は以下のような構成とした。

一つの双方向導通型電界効果トランジスタによって、二次電池の充放電を制御する充放電制御回路であって、前記二次電池の両端が接続され、前記二次電池の電圧を監視する制御回路と、第一の端子と第二の端子を有し、前記制御回路の出力により前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御するスイッチ回路と、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ソースとバックゲートが前記スイッチ回路の第一の端子に接続された第一のトランジスタと、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ソースとバックゲートが前記スイッチ回路の第一の端子に接続された第二のトランジスタと、を備えたことを特徴とする充放電制御回路。

本発明の充放電制御回路を備えたバッテリ装置によれば、双方向導通型電界効果トランジスタのゲートをソース電圧またはドレイン電圧に制御することによりリーク電流を低減することができる。また、双方向導通型電界効果トランジスタのバックゲートを制御することで安定して動作出来るという効果がある。

第一の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。 第二の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。 第三の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。 第四の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。 従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。 第五の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。 第六の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。

本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。

図１は、第一の実施形態の充放電制御回路１５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
本実施形態の充放電制御回路１５１を備えたバッテリ装置は、二次電池１０１と、制御回路１０２と、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４と、充電器１３２または負荷１３１が接続される外部端子１２０及び１２１と、ＰＭＯＳトランジスタ１１０と、ＮＭＯＳトランジスタ１１１、１６１、１６２とを備えている。ＰＭＯＳトランジスタ１１０とＮＭＯＳトランジスタ１１１と端子１２４（第二の端子）と端子１２５（第一の端子）でスイッチ回路１５２を構成している。

二次電池１０１の両端は正極電源端子１２２と負極電源端子１２３に接続される。制御回路１０２は正極電源として正極電源端子１２２に接続され、負極電源として端子１２５に接続され、出力端子１２６がＰＭＯＳトランジスタ１１０のゲートとＮＭＯＳトランジスタ１１１のゲートに接続され、出力端子１２７がＮＭＯＳトランジスタ１６２のゲートに接続され、出力端子１２８がＮＭＯＳトランジスタ１６１のゲートに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１１０は、ソースは端子１２４を介して正極電源端子１２２および外部端子１２０に接続され、ドレインはＮＭＯＳトランジスタ１１１のドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１１１は、ソースおよびバックゲートは端子１２５を介してＮＭＯＳトランジスタ１６１のソース及びバックゲートとＮＭＯＳトランジスタ１６２のソース及びバックゲートに接続され、ドレインはＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１６１のドレインは負極電源端子１２３に接続され、ＮＭＯＳトランジスタ１６２のドレインは外部端子１２１に接続される。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ドレインは負極電源端子１２３に接続され、ソースは外部端子１２１に接続され、バックゲートは端子１２５に接続される。

次に本実施形態の充放電制御回路１５１を備えたバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充放電可能状態である事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６がＬｏｗ、出力端子１２７、１２８はＨｉｇｈを出力する。そしてＰＭＯＳトランジスタ１１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオンさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲート電極が正極電源端子１２２に接続されオン状態となる。こうして充放電が行われる。ここで制御回路１０２の出力は、出力端子１２６、１２８がＬｏｗ、出力端子１２７がＨｉｇｈ、または出力端子１２６、１２７がＬｏｗ、出力端子１２８がＨｉｇｈ、または出力端子１２６、１２７、１２８がＬｏｗでもよい。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、負極電源端子１２３および外部端子１２１の低い方の電圧をＬｏｗとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２７はＨｉｇｈ、出力端子１２８はＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオンさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートがＮＭＯＳトランジスタ１６２、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１１１を介して外部端子１２１に接続されオフ状態となる。こうして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード１７１は逆バイアスとなり負極電源端子１２３から外部端子１２１へ電流が流れる事を防止する。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のゲート電圧は外部端子１２１に接続され、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のソース電圧まで下がるため、リーク電流を低減させることができる。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１６２を介して外部端子１２１に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、外部端子１２１の電圧をＬｏｗとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に負荷１３１が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が放電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２８はＨｉｇｈ、出力端子１２７はＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオフさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートがＮＭＯＳトランジスタ１６１、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１１１を介して負極電源端子１２３に接続されオフ状態となる。こうして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード１７２は逆バイアスとなり外部端子１２１から負極電源端子１２３へ電流が流れる事を防止する。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のゲート電圧は、負極電源端子１２３に接続され、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のドレイン電圧まで下がるため、リーク電流を低減させることができる。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１６１を介して負極電源端子１２３に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、負極電源端子１２３の電圧をＬｏｗとして出力することができる。

なお、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は外付けで充放電制御回路１５１に接続しても良い。

以上に説明したように、本実施形態の充放電制御回路１５１を備えたバッテリ装置によれば、二次電池１０１が充電禁止状態になったときでも放電禁止状態になったときでも、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４に流れるリーク電流を低減させることができる。そして、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲートを外部端子１２１または負極電源端子１２３に接続することで、充放電制御回路１５１を安定して動作させることができる。

図２は、第二の実施形態の充放電制御回路２５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
第二の実施形態の充放電制御回路２５１を備えたバッテリ装置は、二次電池１０１と、制御回路１０２と、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４と、充電器１３２または負荷１３１が接続される外部端子１２０及び１２１と、ＰＭＯＳトランジスタ２１０、２６１、２６２と、ＮＭＯＳトランジスタ２１１とを備えている。ＰＭＯＳトランジスタ２１０とＮＭＯＳトランジスタ２１１と端子１２４（第二の端子）と端子１２５（第一の端子）でスイッチ回路２５２を構成している。

二次電池１０１の両端は正極電源端子１２２と負極電源端子１２３に接続される。制御回路１０２は正極電源として端子１２５に接続され、負極電源として負極電源端子１２３に接続され、出力端子１２６がＰＭＯＳトランジスタ２１０のゲートとＮＭＯＳトランジスタ２１１のゲートに接続され、出力端子１２７がＰＭＯＳトランジスタ２６２のゲートに接続され、出力端子１２８がＰＭＯＳトランジスタ２６１のゲートに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ２１０は、ソースおよびバックゲートは端子１２５を介してＰＭＯＳトランジスタ２６１のソース及びバックゲートとＰＭＯＳトランジスタ２６２のソース及びバックゲートに接続され、ドレインはＮＭＯＳトランジスタ２１１のドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２１１は、ソースは端子１２４を介して負極電源端子１２３および外部端子１２１に接続され、ドレインはＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲートに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ２６１のドレインは正極電源端子１２２に接続され、ＰＭＯＳトランジスタ２６２のドレインは外部端子１２０に接続される。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ドレインは正極電源端子１２２に接続され、ソースは外部端子１２０に接続され、バックゲートは端子１２５に接続される。

次に第二の実施形態の充放電制御回路２５１を備えたバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充放電可能状態である事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６はＨｉｇｈ、出力端子１２７、１２８はＬｏｗを出力する。そしてＰＭＯＳトランジスタ２１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオンさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極が負極電源端子１２３に接続されオン状態となる。こうして充放電が行われる。ここで制御回路１０２の出力は、出力端子１２６、１２８がＨｉｇｈ、出力端子１２７がＬｏｗ、または出力端子１２６、１２７がＨｉｇｈ、出力端子１２８がＬｏｗ、または出力端子１２６、１２７、１２８がＨｉｇｈでもよい。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、正極電源端子１２２および外部端子１２０の高い方の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２７はＬｏｗ、出力端子１２８はＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ２１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオンさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極がＰＭＯＳトランジスタ２６２、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２１０を介して外部端子１２０に接続されオフ状態となる。こうして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード２７１は逆バイアスとなり外部端子１２０から正極電源端子１２２へ電流が流れる事を防止する。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲート電圧は、外部端子１２０に接続され、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のソース電圧まであがるため、リーク電流を低減させることができる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２６２を介して外部端子１２０に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、外部端子１２０の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に負荷１３１が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が放電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２８はＬｏｗ、出力端子１２７はＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ２１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオフさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極がＰＭＯＳトランジスタ２６１、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２１０を介して正極電源端子１２２に接続されオフ状態となる。こうして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード２７２は逆バイアスとなり正極電源端子１２２から外部端子１２０へ電流が流れる事を防止する。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲート電圧は、正極電源端子１２２に接続され、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のソース電圧まであがるため、リーク電流を低減させることができる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２６１を介して正極電源端子１２２に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、正極電源端子１２２の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。

なお、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は外付けで充放電制御回路２５１に接続しても良い。

以上に説明したように、第二の実施形態の充放電制御回路２５１を備えたバッテリ装置によれば、二次電池１０１が充電禁止状態になったときでも放電禁止状態になったときでも、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４に流れるリーク電流を低減させることができる。そして、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲートを外部端子１２０または正極電源端子１２２に接続することで、充放電制御回路２５１を安定して動作させることができる。

図３は、第三の実施形態の充放電制御回路３５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
図１との違いは端子１２５とＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲートの接続を除いた点である。

次に第三の実施形態の充放電制御回路３５１を備えたバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充放電可能状態である事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６にＬｏｗ、出力端子１２７、１２８はＨｉｇｈを出力する。そしてＰＭＯＳトランジスタ１１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオンさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲート電極が正極電源端子１２２に接続されオン状態となる。こうして充放電が行われる。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、負極電源端子１２３および外部端子１２１の低い方の電圧をＬｏｗとして出力することができる。ここで制御回路１０２の出力は、出力端子１２６、１２８がＬｏｗ、出力端子１２７がＨｉｇｈ、または出力端子１２６、１２７がＬｏｗ、出力端子１２８がＨｉｇｈでもよい。

外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２７はＨｉｇｈ、出力端子１２８はＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオンさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲート電極がＮＭＯＳトランジスタ１６２、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１１１を介して外部端子１２１に接続されオフ状態となる。こうして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード１７１は逆バイアスとなり負極電源端子１２３から外部端子１２１へ電流が流れる事を防止する。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のゲート電圧は外部端子１２１に接続され、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のソース電圧まで下がるため、リーク電流を低減させることができる。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、外部端子１２１の電圧をＬｏｗとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に負荷１３１が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が放電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２８はＨｉｇｈ、出力端子１２７はＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオフさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲート電極がＮＭＯＳトランジスタ１６１、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１１１を介して負極電源端子１２３に接続されオフ状態となる。こうして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード１７２は逆バイアスとなり外部端子１２１から負極電源端子１２３へ電流が流れる事を防止する。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のゲート電圧は、負極電源端子１２３に接続され、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のドレイン電圧まで下がるため、リーク電流を低減させることができる。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、負極電源端子１２３の電圧をＬｏｗとして出力することができる。

なお、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は外付けで充放電制御回路１５１に接続しても良い。

以上に説明したように、第三の実施形態の充放電制御回路３５１を備えたバッテリ装置によれば、二次電池１０１が充電禁止状態になったときでも放電禁止状態になったときでも、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４に流れるリーク電流を低減させることができる。

図４は、第四の実施形態の充放電制御回路４５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
図２との違いは端子１２５とＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲートの接続を除いた点である。

次に第四の実施形態の充放電制御回路４５１を備えたバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充放電可能状態である事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６はＨｉｇｈ、出力端子１２７、１２８はＬｏｗを出力する。そしてＰＭＯＳトランジスタ２１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオンさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極が負極電源端子１２３に接続されオン状態となる。こうして充放電が行われる。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、正極電源端子１２２および外部端子１２０の高い方の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。ここで制御回路１０２の出力は、出力端子１２６、１２８がＨｉｇｈ、出力端子１２７がＬｏｗ、または出力端子１２６、１２７がＨｉｇｈ、出力端子１２８がＬｏｗでもよい。

外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２７はＬｏｗ、出力端子１２８はＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ２１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオンさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極がＰＭＯＳトランジスタ２６２、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２１０を介して外部端子１２０に接続されオフ状態となる。こうして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード２７１は逆バイアスとなり外部端子１２０から正極電源端子１２２へ電流が流れる事を防止する。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲート電圧は、外部端子１２０に接続され、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のソース電圧まであがるため、リーク電流を低減させることができる。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、外部端子１２０の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に負荷１３１が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が放電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２８はＬｏｗ、出力端子１２７はＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ２１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオフさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極がＰＭＯＳトランジスタ２６１、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２１０を介して正極電源端子１２２に接続されオフ状態となる。こうして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード２７２は逆バイアスとなり正極電源端子１２２から外部端子１２０へ電流が流れる事を防止する。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲート電圧は、正極電源端子１２２に接続され、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のソース電圧まであがるため、リーク電流を低減させることができる。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、正極電源端子１２２の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。

なお、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は外付けで充放電制御回路２５１に接続しても良い。

以上に説明したように、第四の実施形態の充放電制御回路４５１を備えたバッテリ装置によれば、二次電池１０１が充電禁止状態になったときでも放電禁止状態になったときでも、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４に流れるリーク電流を低減させることができる。

図６は、第五の実施形態の充放電制御回路６５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
図１との違いはショットキーバリアダイオード６０１と６０２を追加した点である。ショットキーバリアダイオード６０１のアノードはＮＭＯＳトランジスタ１６１のソースに接続され、カソードはＮＭＯＳトランジスタ１６１のドレインに接続される。ショットキーバリアダイオード６０２のアノードはＮＭＯＳトランジスタ１６２のソースに接続され、カソードはＮＭＯＳトランジスタ１６２のドレインに接続される。

次に第五の実施形態の充放電制御回路６５１を備えたバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充放電可能状態である事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６がＬｏｗ、出力端子１２７、１２８はＨｉｇｈを出力する。そしてＰＭＯＳトランジスタ１１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオンさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲート電極が正極電源端子１２２に接続されオン状態となる。こうして充放電が行われる。ここで制御回路１０２の出力は、出力端子１２６、１２８がＬｏｗ、出力端子１２７がＨｉｇｈ、または出力端子１２６、１２７がＬｏｗ、出力端子１２８がＨｉｇｈ、または出力端子１２６、１２７、１２８がＬｏｗでもよい。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、負極電源端子１２３および外部端子１２１の低い方の電圧をＬｏｗとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２７はＨｉｇｈ、出力端子１２８はＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオンさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートがＮＭＯＳトランジスタ１６２、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１１１を介して外部端子１２１に接続されオフ状態となる。こうして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード１７１は逆バイアスとなり負極電源端子１２３から外部端子１２１へ電流が流れる事を防止する。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のゲート電圧は外部端子１２１に接続され、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のソース電圧まで下がるため、リーク電流を低減させることができる。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１６２を介して外部端子１２１に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、外部端子１２１の電圧をＬｏｗとして出力することができる。ショットキーバリアダイオード６０２は、ＮＭＯＳトランジスタ１６２がオフからオンになるとき、瞬間的にＮＭＯＳトランジスタ１６１がオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６２がオフとなったとしても端子１２５がフローティングになる事を防ぐことができる。

外部端子１２０、１２１に負荷１３１が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が放電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２８はＨｉｇｈ、出力端子１２７はＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１６２をオフさせる。するとＮチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートがＮＭＯＳトランジスタ１６１、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１１１を介して負極電源端子１２３に接続されオフ状態となる。こうして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード１７２は逆バイアスとなり外部端子１２１から負極電源端子１２３へ電流が流れる事を防止する。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のゲート電圧は、負極電源端子１２３に接続され、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のドレイン電圧まで下がるため、リーク電流を低減させることができる。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＮＭＯＳトランジスタ１６１を介して負極電源端子１２３に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の負極電源は端子１２５に接続されるため、負極電源端子１２３の電圧をＬｏｗとして出力することができる。ショットキーバリアダイオード６０１は、ＮＭＯＳトランジスタ１６１がオフからオンになるとき、瞬間的にＮＭＯＳトランジスタ１６１がオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１６２がオフとなったとしても端子１２５がフローティングになる事を防ぐことができる。

以上に説明したように、第五の実施形態の充放電制御回路６５１を備えたバッテリ装置によれば、二次電池１０１が充電禁止状態になったときでも放電禁止状態になったときでも、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４に流れるリーク電流を低減させることができる。そして、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲートを外部端子１２１または負極電源端子１２３に接続することで、充放電制御回路６５１を安定して動作させることができる。

なお、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は外付けで充放電制御回路６５１に接続しても良い。また、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲートを端子１２５に接続しなくてもリーク電流を低減させることができる。

図７は、第六の実施形態の充放電制御回路７５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
図２との違いはショットキーバリアダイオード７０１と７０２を追加した点である。ショットキーバリアダイオード７０１のアノードはＰＭＯＳトランジスタ２６１のソースに接続され、カソードはＰＭＯＳトランジスタ２６１のドレインに接続される。ショットキーバリアダイオード７０２のアノードはＰＭＯＳトランジスタ２６２のソースに接続され、カソードはＰＭＯＳトランジスタ２６２のドレインに接続される。

次に第六の実施形態の充放電制御回路７５１を備えたバッテリ装置の動作について説明する。
外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充放電可能状態である事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６はＨｉｇｈ、出力端子１２７、１２８はＬｏｗを出力する。そしてＰＭＯＳトランジスタ２１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオンさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極が負極電源端子１２３に接続されオン状態となる。こうして充放電が行われる。ここで制御回路１０２の出力は、出力端子１２６、１２８がＨｉｇｈ、出力端子１２７がＬｏｗ、または出力端子１２６、１２７がＨｉｇｈ、出力端子１２８がＬｏｗ、または出力端子１２６、１２７、１２８がＨｉｇｈでもよい。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、正極電源端子１２２および外部端子１２０の高い方の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。

外部端子１２０、１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が充電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２７はＬｏｗ、出力端子１２８はＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ２１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオンさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極がＰＭＯＳトランジスタ２６２、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２１０を介して外部端子１２０に接続されオフ状態となる。こうして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード２７１は逆バイアスとなり外部端子１２０から正極電源端子１２２へ電流が流れる事を防止する。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲート電圧は、外部端子１２０に接続され、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のソース電圧まであがるため、リーク電流を低減させることができる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２６２を介して外部端子１２０に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、外部端子１２０の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。ショットキーバリアダイオード７０２は、ＰＭＯＳトランジスタ２６２がオフからオンになるとき、瞬間的にＰＭＯＳトランジスタ２６１がオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６２がオフとなったとしても端子１２５がフローティングになる事を防ぐことができる。

外部端子１２０、１２１に負荷１３１が接続され、制御回路１０２によって二次電池１０１が放電禁止状態になった事を検出すると、制御回路１０２の出力端子１２６、１２８はＬｏｗ、出力端子１２７はＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ２１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ２１１をオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６１をオン、ＰＭＯＳトランジスタ２６２をオフさせる。するとＰチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲート電極がＰＭＯＳトランジスタ２６１、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２１０を介して正極電源端子１２２に接続されオフ状態となる。こうして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。ここで、寄生ダイオード２７２は逆バイアスとなり正極電源端子１２２から外部端子１２０へ電流が流れる事を防止する。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲート電圧は、正極電源端子１２２に接続され、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のソース電圧まであがるため、リーク電流を低減させることができる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲート端子は、端子１２５、ＰＭＯＳトランジスタ２６１を介して正極電源端子１２２に接続するため、フローティングになることがなくなり安定して動作させることができる。制御回路１０２の正極電源は端子１２５に接続されるため、正極電源端子１２２の電圧をＨｉｇｈとして出力することができる。ショットキーバリアダイオード７０１は、ＰＭＯＳトランジスタ２６１がオフからオンになるとき、瞬間的にＰＭＯＳトランジスタ２６１がオフ、ＰＭＯＳトランジスタ２６２がオフとなったとしても端子１２５がフローティングになる事を防ぐことができる。

以上に説明したように、第二の実施形態の充放電制御回路２５１を備えたバッテリ装置によれば、二次電池１０１が充電禁止状態になったときでも放電禁止状態になったときでも、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４に流れるリーク電流を低減させることができる。そして、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲートを外部端子１２０または正極電源端子１２２に接続することで、充放電制御回路２５１を安定して動作させることができる。

なお、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は外付けで充放電制御回路２５１に接続しても良い。また、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲートを端子１２５に接続しなくてもリーク電流を低減させることができる。

１０１ 二次電池
１０２ 制御回路
１５１、２５１ 充放電制御回路
１５２、２５２ スイッチ回路
１１４ Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ
２１４ Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ
１２０、１２１ 外部端子
１２２ 正極電源端子
１２３ 負極電源端子
１２４、１２５ 端子
１２６、１２７、１２８ 制御回路出力端子
１３１ 負荷
１３２ 充電器
１７１、１７２、２７１、２７２ 寄生ダイオード
３０２、３０３ ダイオード
６０１、６０２、７０１、７０２ ショットキーバリアダイオード

Claims (10)

1. 一つの双方向導通型電界効果トランジスタによって、二次電池の充放電を制御する充放電制御回路であって、
   前記二次電池の両端が接続され、前記二次電池の電圧を監視する制御回路と、
   第一の端子と第二の端子を有し、前記制御回路の出力により前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御するスイッチ回路と、
   ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ソースとバックゲートが前記スイッチ回路の第一の端子に接続された第一のトランジスタと、
   ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ソースとバックゲートが前記スイッチ回路の第一の端子に接続された第二のトランジスタと、
   を備えたことを特徴とする充放電制御回路。
2. 前記双方向導通型電界効果トランジスタのバックゲートは、前記スイッチ回路の第一の端子に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の充放電制御回路。
3. 前記第一のトランジスタのドレインソース間に第一のＰＮ接合素子が接続され、
   前記第二のトランジスタのドレインソース間に第二のＰＮ接合素子が接続された、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の充放電制御回路。
4. 前記スイッチ回路は、
   ゲートが前記制御回路の第一の出力端子に接続され、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記第二の端子に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
   ゲートが前記制御回路の第一の出力端子に接続され、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記第一の端子に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成された、
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の充放電制御回路。
5. 前記第一のトランジスタは、ゲートが前記制御回路の第二の出力端子と接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタで、
   前記第二のトランジスタは、ゲートが前記制御回路の第三の出力端子と接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタで、構成されることを特徴とする請求項４に記載の充放電制御回路。
6. 前記制御回路は、
   負極電源端子が前記スイッチ回路の第一の端子に接続されたことを特徴とする請求項４または５に記載の充放電制御回路。
7. 前記スイッチ回路は、
   ゲートが前記制御回路の第一の出力端子に接続され、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記スイッチ回路の第一の端子に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
   ゲートが前記制御回路の前記第一の出力端子に接続され、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記スイッチ回路の第二の端子に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成された、
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の充放電制御回路。
8. 前記第一のトランジスタは、ゲートが前記制御回路の第二の出力端子と接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタで、
   前記第二のトランジスタは、ゲートが前記制御回路の第三の出力端子と接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタで、構成されることを特徴とする請求項７に記載の充放電制御回路。
9. 前記制御回路は、
   正極電源端子が前記スイッチ回路の第一の端子に接続されたことを特徴とする請求項７または８に記載の充放電制御回路。
10. 充放電が可能な二次電池と、
    前記二次電池の充放電経路に設けられた、充放電制御スイッチである、一つの双方向導通型電界効果トランジスタと、
    前記二次電池の電圧を監視し、前記充放電制御スイッチを開閉することによって前記二次電池の充放電を制御する請求項１から９のいずれかに記載の充放電制御回路と、
    を備えたバッテリ装置。

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