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JP2012057208A - Deposition method for silicon oxynitride film and method for manufacturing elastic boundary wave apparatus - Google Patents

Deposition method for silicon oxynitride film and method for manufacturing elastic boundary wave apparatus Download PDF

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JP2012057208A JP2010200742A JP2010200742A JP2012057208A JP 2012057208 A JP2012057208 A JP 2012057208A JP 2010200742 A JP2010200742 A JP 2010200742A JP 2010200742 A JP2010200742 A JP 2010200742A JP 2012057208 A JP2012057208 A JP 2012057208A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon oxynitride film deposition method capable of depositing a silicon oxynitride film by a stable composition.SOLUTION: The composition of a silicon oxynitride film can be easily controlled by changing power to be applied to a target or changing a flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas as reactive gas in sputtering using a target material 13c composed of silicon monoxide and target materials 13a, 13b composed of silicon dioxide.

Description

本発明は、酸窒化シリコン膜の成膜方法及びそれを利用した弾性境界波装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for forming a silicon oxynitride film and a method for manufacturing a boundary acoustic wave device using the same.

近年、例えば、弾性境界波装置などにおいて、酸窒化シリコン膜が用いられるようになってきている。例えば下記の特許文献１には、酸窒化シリコン膜の成膜方法として、ターゲット材をＳｉとし、酸素ガスと窒素ガスとの混合ガスを反応性ガスとして用いたスパッタリングにより、酸窒化シリコン膜を成膜する方法が記載されている。   In recent years, for example, silicon oxynitride films have been used in boundary acoustic wave devices and the like. For example, in Patent Document 1 below, as a method for forming a silicon oxynitride film, a silicon oxynitride film is formed by sputtering using Si as a target material and a mixed gas of oxygen gas and nitrogen gas as a reactive gas. A filming method is described.

特開２０００−１３８２１５号公報JP 2000-138215 A

しかしながら、上記特許文献１に記載の酸窒化シリコン膜の成膜方法では、シリコンの酸化と窒化とを同一プロセス内で行うため、成膜される酸窒化シリコン膜の組成が、酸素ガスと窒素ガスとの混合比やスパッタリング装置内の圧力などの条件の変化に対して非常に敏感となり、酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜することが困難であるという問題がある。   However, in the method for forming a silicon oxynitride film described in Patent Document 1, since the oxidation and nitridation of silicon are performed in the same process, the composition of the silicon oxynitride film to be formed includes oxygen gas and nitrogen gas. Therefore, there is a problem that it is difficult to form a silicon oxynitride film with a stable composition because it becomes very sensitive to changes in conditions such as the mixing ratio and the pressure in the sputtering apparatus.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜することができる酸窒化シリコン膜の成膜方法及びそれを利用した弾性境界波装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a point, and a silicon oxynitride film forming method capable of forming a silicon oxynitride film with a stable composition and a boundary acoustic wave device manufacturing method using the same. Is to provide.

本発明に係る酸窒化シリコン膜の成膜方法では、酸化シリコンからなるターゲット材を用いると共に、反応性ガスとして窒素ガスを用いて、スパッタリング法により酸窒化シリコン膜を成膜する。   In the method for forming a silicon oxynitride film according to the present invention, a silicon oxynitride film is formed by sputtering using a target material made of silicon oxide and nitrogen gas as a reactive gas.

本発明に係る酸窒化シリコン膜の成膜方法のある特定の局面では、ターゲット材として、一酸化シリコンからなるターゲット材を用いる。この場合、未結合手を有する一酸化シリコンを用いるため、窒化が容易に行われ、酸窒化シリコン膜を容易に得ることができる。   In a specific aspect of the method for forming a silicon oxynitride film according to the present invention, a target material made of silicon monoxide is used as the target material. In this case, since silicon monoxide having dangling bonds is used, nitriding is easily performed, and a silicon oxynitride film can be easily obtained.

本発明に係る酸窒化シリコン膜の成膜方法の別の特定の局面では、ターゲット材として、一酸化シリコンからなるターゲット材と、二酸化シリコンからなるターゲット材とを用いる。この場合、制御が困難な窒素ガスの流量を変化させることなく、一酸化シリコンからなるターゲット材への印加電力と、二酸化シリコンからなるターゲット材への印加電力とを調節することによっても酸窒化シリコン膜の組成を制御することができる。従って、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御することができる。   In another specific aspect of the method for forming a silicon oxynitride film according to the present invention, a target material made of silicon monoxide and a target material made of silicon dioxide are used as target materials. In this case, silicon oxynitride can also be obtained by adjusting the power applied to the target material made of silicon monoxide and the power applied to the target material made of silicon dioxide without changing the flow rate of nitrogen gas, which is difficult to control. The composition of the film can be controlled. Therefore, the composition of the silicon oxynitride film can be easily controlled.

本発明に係る弾性境界波装置の製造方法は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されているＩＤＴ電極と、圧電基板の上に、ＩＤＴ電極を覆うように形成されている酸窒化シリコン膜とを備える弾性境界波装置の製造方法に関する。本発明に係る弾性境界波装置の製造方法では、酸窒化シリコン膜を、酸化シリコンからなるターゲット材を用いると共に、反
応性ガスとして窒素ガスを用いて、スパッタリング法により成膜する。 A method of manufacturing a boundary acoustic wave device according to the present invention includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate, and a silicon oxynitride film formed on the piezoelectric substrate so as to cover the IDT electrode The present invention relates to a method for manufacturing a boundary acoustic wave device. In the method for manufacturing a boundary acoustic wave device according to the present invention, a silicon oxynitride film is formed by sputtering using a target material made of silicon oxide and using nitrogen gas as a reactive gas.

本発明では、酸化シリコンからなるターゲット材を用いると共に、反応性ガスとして窒素ガスを用いて、スパッタリング法により酸窒化シリコン膜を成膜する。このため、反応性ガスの流量や印加電力などの成膜条件が変化したときの、成膜される酸窒化シリコン膜の組成の変化を小さくすることができる。従って、酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜することができる。   In the present invention, a silicon oxynitride film is formed by sputtering using a target material made of silicon oxide and using nitrogen gas as a reactive gas. Therefore, the change in the composition of the silicon oxynitride film to be formed when the film forming conditions such as the flow rate of the reactive gas and the applied power change can be reduced. Therefore, the silicon oxynitride film can be formed with a stable composition.

本発明に係る一実施形態におけるスパッタリング装置の模式図である。It is a mimetic diagram of a sputtering device in one embodiment concerning the present invention. 弾性境界波装置の一部分を拡大した略図的断面図である。It is schematic-drawing sectional drawing to which a part of boundary acoustic wave apparatus was expanded. 実施例１におけるターゲット材への印加電力と、成膜された酸窒化シリコン膜の屈折率との関係を表すグラフである。4 is a graph showing the relationship between the power applied to the target material in Example 1 and the refractive index of the formed silicon oxynitride film. 実施例２における窒素ガスの流量と、成膜された酸窒化シリコン膜の屈折率との関係を表すグラフである。It is a graph showing the relationship between the flow volume of nitrogen gas in Example 2, and the refractive index of the formed silicon oxynitride film. 比較例における窒素ガスの流量と、成膜された酸窒化シリコン膜の屈折率との関係を表すグラフである。It is a graph showing the relationship between the flow volume of the nitrogen gas in a comparative example, and the refractive index of the formed silicon oxynitride film.

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。   Hereinafter, an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated. However, the following embodiment is merely an example. The present invention is not limited to the following embodiments.

図１は、本実施形態において用いるスパッタリング装置の模式図である。まず、図１を参照しながら、本実施形態において用いるスパッタリング装置１の構成について説明する。   FIG. 1 is a schematic diagram of a sputtering apparatus used in this embodiment. First, the configuration of the sputtering apparatus 1 used in the present embodiment will be described with reference to FIG.

スパッタリング装置１は、チャンバー１０ａが内部に形成されている装置本体１０を有する。装置本体１０には、チャンバー１０ａに窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置１１が接続されている。この窒素ガス供給装置１１は、例えば、窒素ガスボンベなどにより構成することができる。   The sputtering apparatus 1 has an apparatus body 10 in which a chamber 10a is formed. A nitrogen gas supply device 11 for supplying nitrogen gas to the chamber 10a is connected to the apparatus body 10. The nitrogen gas supply device 11 can be constituted by, for example, a nitrogen gas cylinder.

チャンバー１０ａには、第１〜第３のターゲット材１３ａ〜１３ｃがセットされている。これら第１〜第３のターゲット材１３ａ〜１３ｃには、電源１４ａ〜１４ｃにより交流電圧が印加可能となっている。本実施形態では、第１〜第３のターゲット材１３ａ〜１３ｃには、一酸化シリコンからなるターゲット材と、二酸化シリコンからなるターゲット材とが含まれている。すなわち、本実施形態では、一酸化シリコンからなるターゲット材と、二酸化シリコンからなるターゲット材とが併用されている。具体的には、第１及び第２のターゲット材１３ａ、１３ｂが二酸化シリコンからなり、第３のターゲット材１３ｃが一酸化シリコンからなる。   First to third target materials 13a to 13c are set in the chamber 10a. An alternating voltage can be applied to the first to third target materials 13a to 13c by power sources 14a to 14c. In the present embodiment, the first to third target materials 13a to 13c include a target material made of silicon monoxide and a target material made of silicon dioxide. That is, in the present embodiment, a target material made of silicon monoxide and a target material made of silicon dioxide are used in combination. Specifically, the first and second target materials 13a and 13b are made of silicon dioxide, and the third target material 13c is made of silicon monoxide.

また、チャンバー１０ａには、被成膜物１２を固定するための図示しない固定具が設けられている。   The chamber 10a is provided with a fixing tool (not shown) for fixing the film formation object 12.

次に、スパッタリング装置１を用いた酸窒化シリコン膜の成膜方法について説明する。   Next, a method for forming a silicon oxynitride film using the sputtering apparatus 1 will be described.

まず、図示しない固定具に被成膜物１２を固定する。そして、反応性ガスとしての窒素ガスを窒素ガス供給装置１１からチャンバー１０ａに供給しながら、電源１４ａ〜１４ｃにより第１〜第３のターゲット材１３ａ〜１３ｃの少なくとも一つに交流電圧を印加する。これによりスパッタリングが開始され、被成膜物１２の表面の上に、酸窒化シリコンが
堆積していき、酸窒化シリコン膜が形成される。 First, the film formation object 12 is fixed to a fixture (not shown). Then, while supplying nitrogen gas as a reactive gas from the nitrogen gas supply device 11 to the chamber 10a, an AC voltage is applied to at least one of the first to third target materials 13a to 13c by the power sources 14a to 14c. Thereby, sputtering is started, and silicon oxynitride is deposited on the surface of the film formation target 12 to form a silicon oxynitride film.

本実施形態の酸窒化シリコン膜の成膜方法では、シリコンからなるターゲット材を用い、反応ガスとして酸素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いる場合とは異なり、酸化シリコンの窒化反応のみが進行する。このため、酸窒化シリコン膜の成膜を容易に制御することができる。   In the method for forming a silicon oxynitride film according to this embodiment, unlike a case where a target material made of silicon is used and a mixed gas of oxygen gas and nitrogen gas is used as a reaction gas, only the nitridation reaction of silicon oxide proceeds. . For this reason, the formation of the silicon oxynitride film can be easily controlled.

また、下記の実施例及び比較例によっても裏付けられるように、窒素ガスの流量や印加電力の変化によって、成膜される酸窒化シリコン膜の組成が変化しにくい。従って、本実施形態の酸窒化シリコン膜の成膜方法によれば、狙いの組成の酸窒化シリコン膜を安定して成膜することができる。   Further, as supported by the following examples and comparative examples, the composition of the silicon oxynitride film to be formed hardly changes due to changes in the flow rate of nitrogen gas and applied power. Therefore, according to the method for forming a silicon oxynitride film of this embodiment, a silicon oxynitride film having a target composition can be stably formed.

また、本実施形態では、一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと、二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂとを併用するため、例えば、厳密に制御することが困難な窒素ガスの流量を一定に保持しつつ、一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃへの印加電力及び二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂへの印加電力のうちの少なくとも一方を調整することによって成膜される酸窒化シリコン膜の組成を制御することが可能となる。従って、酸窒化シリコン膜の組成の制御を容易に行うことができる。   In this embodiment, since the target material 13c made of silicon monoxide and the target materials 13a and 13b made of silicon dioxide are used in combination, for example, the flow rate of nitrogen gas, which is difficult to strictly control, is kept constant. However, the composition of the silicon oxynitride film formed by adjusting at least one of the applied power to the target material 13c made of silicon monoxide and the applied power to the target materials 13a and 13b made of silicon dioxide is adjusted. It becomes possible to control. Therefore, the composition of the silicon oxynitride film can be easily controlled.

なお、本実施形態では、一酸化シリコンからなるターゲット材と、二酸化シリコンからなるターゲット材との両方を設ける例について説明したが、どちらか一方のみを設けてもよい。   In this embodiment, the example in which both the target material made of silicon monoxide and the target material made of silicon dioxide are provided has been described, but only one of them may be provided.

（応用例）
上記本実施形態の酸窒化シリコン膜の成膜方法は、例えば、弾性境界波装置の製造にも好適に適用することができる。具体的には、例えば、図２に示す弾性境界波装置２０の製造に好適に適用される。 (Application examples)
The method for forming a silicon oxynitride film according to the present embodiment can be suitably applied to, for example, the manufacture of a boundary acoustic wave device. Specifically, for example, it is suitably applied to the manufacture of the boundary acoustic wave device 20 shown in FIG.

図２に示すように、弾性境界波装置２０は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板２１と、圧電基板２１の上に形成されているＩＤＴ電極２２とを備えている。圧電基板２１の上には、ＩＤＴ電極２２を覆うように第１の媒質２３が形成されている。第１の媒質２３の上には、第２の媒質２４が形成されている。第１及び第２の媒質２３，２４のそれぞれは、例えば、酸窒化シリコン、酸化シリコンや窒化シリコンなどの誘電体により形成されている。本実施形態では、第１の媒質２３が酸化シリコンにより形成されており、第２の媒質２４が酸窒化シリコンにより形成されている。弾性境界波装置２０の製造に際しては、酸窒化シリコン膜により構成されている第２の媒質２４の形成に、上記成膜方法を適用することができる。そのようにすることにより、第２の媒質２４を小さな組成ばらつきで形成できる。従って、弾性境界波装置２０を、小さな特性ばらつきで安定して製造することができる。 As shown in FIG. 2, the boundary acoustic wave device 20 includes a piezoelectric substrate 21 made of LiTaO 3 or LiNbO 3 and an IDT electrode 22 formed on the piezoelectric substrate 21. A first medium 23 is formed on the piezoelectric substrate 21 so as to cover the IDT electrode 22. A second medium 24 is formed on the first medium 23. Each of the first and second media 23 and 24 is formed of a dielectric such as silicon oxynitride, silicon oxide, or silicon nitride. In the present embodiment, the first medium 23 is made of silicon oxide, and the second medium 24 is made of silicon oxynitride. When the boundary acoustic wave device 20 is manufactured, the above-described film forming method can be applied to the formation of the second medium 24 composed of the silicon oxynitride film. By doing so, the second medium 24 can be formed with small composition variations. Therefore, the boundary acoustic wave device 20 can be stably manufactured with small characteristic variations.

なお、本実施形態では、第１及び第２の媒質を有する所謂３媒質型の弾性境界波装置において、第２の媒質を酸窒化シリコン膜とする例について説明した。但し、本発明は、これに限定されない。例えば、第１の媒質を酸窒化シリコン膜とし、第２の媒質を、例えば窒化シリコンなどの、酸窒化シリコンよりも音速の速い材料により形成してもよい。また、酸窒化シリコン膜からなる第１の媒質のみを設けるようにしてもよい。   In the present embodiment, an example in which the second medium is a silicon oxynitride film in the so-called three-medium type boundary acoustic wave device having the first and second media has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the first medium may be a silicon oxynitride film, and the second medium may be formed of a material having a higher sound speed than silicon oxynitride, such as silicon nitride. Further, only the first medium made of the silicon oxynitride film may be provided.

（実施例１）
上記第１の実施形態において説明したスパッタリング装置１を用いて、二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂに対する印加電力を１０００Ｗに固定し、一酸化シ
リコンからなるターゲット材１３ｃへの印加電力を種々変化させたときに成膜される酸窒化シリコン膜の組成を評価した。結果を図３に示す。なお、本実施例１及び下記の実施例２では、酸窒化シリコン膜の組成を、酸窒化シリコン膜の屈折率を用いて評価した。酸窒化シリコン膜の屈折率は酸素および窒素の組成比によって一意に決定されることが知られている。 Example 1
Using the sputtering apparatus 1 described in the first embodiment, the applied power to the target materials 13a and 13b made of silicon dioxide is fixed to 1000 W, and the applied power to the target material 13c made of silicon monoxide is variously changed. The composition of the silicon oxynitride film formed at the time was evaluated. The results are shown in FIG. In Example 1 and Example 2 below, the composition of the silicon oxynitride film was evaluated using the refractive index of the silicon oxynitride film. It is known that the refractive index of a silicon oxynitride film is uniquely determined by the composition ratio of oxygen and nitrogen.

図３に示すグラフより、ターゲットへの印加電力と酸窒化シリコン膜の屈折率が比例関係となっていることがわかる。すなわち、ターゲット材１３ｃへの印加電力を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できることが分かる。また、印加電力の変化に対する、酸窒化シリコン膜の屈折率の変化が小さいことが分かる。このため、印加電力が多少ばらついても、酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜できることが分かる。   From the graph shown in FIG. 3, it can be seen that there is a proportional relationship between the power applied to the target and the refractive index of the silicon oxynitride film. That is, it can be seen that the composition of the silicon oxynitride film can be easily controlled by changing the power applied to the target material 13c. It can also be seen that the change in the refractive index of the silicon oxynitride film with respect to the change in applied power is small. For this reason, it can be seen that the silicon oxynitride film can be formed with a stable composition even if the applied power varies somewhat.

具体的には、例えば、上記の弾性境界波装置２０では、酸窒化シリコン膜により構成されている第２の媒質２４の屈折率の許容範囲は、１．６０〜１．６１である。このため、図３に示す結果からすれば、ターゲット材１３ｃへの印加電力が大凡６００Ｗ〜９００Ｗの範囲内にあればよいことが分かる。   Specifically, for example, in the boundary acoustic wave device 20 described above, the allowable range of the refractive index of the second medium 24 formed of the silicon oxynitride film is 1.60 to 1.61. For this reason, according to the results shown in FIG. 3, it can be seen that the power applied to the target material 13 c only needs to be in the range of about 600 W to 900 W.

（実施例２）
スパッタリング装置１を用いて、キャリアガスとしてのアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を種々変化させたときに成膜される酸窒化シリコン膜の組成を評価した。結果を図４に示す。なお、実施例２では、二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂに対する印加電力を１０００Ｗに固定すると共に、一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃへの印加電力を６００Ｗ、７００Ｗまたは８００Ｗに固定した。図４において、６００Ｗで示すグラフが、ターゲット材１３ｃへの印加電力が６００Ｗであるときのグラフである。７００Ｗで示すグラフが、ターゲット材１３ｃへの印加電力が７００Ｗであるときのグラフである。８００Ｗで示すグラフが、ターゲット材１３ｃへの印加電力が８００Ｗであるときのグラフである。 (Example 2)
The composition of the silicon oxynitride film formed when the flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas as a carrier gas was variously changed using the sputtering apparatus 1 was evaluated. The results are shown in FIG. In Example 2, the power applied to the target materials 13a and 13b made of silicon dioxide was fixed at 1000 W, and the power applied to the target material 13c made of silicon monoxide was fixed at 600 W, 700 W, or 800 W. In FIG. 4, a graph indicated by 600 W is a graph when the applied power to the target material 13 c is 600 W. A graph indicated by 700 W is a graph when the applied power to the target material 13 c is 700 W. A graph indicated by 800 W is a graph when the power applied to the target material 13 c is 800 W.

図４に示す結果から、反応ガスである窒素ガスの流量を変化させることによっても成膜される酸窒化シリコン膜の組成を制御できることが分かる。   From the results shown in FIG. 4, it can be seen that the composition of the silicon oxynitride film to be formed can also be controlled by changing the flow rate of the nitrogen gas that is the reaction gas.

（比較例）
シリコンからなるターゲット材を用い、反応ガスとしての酸素ガスと窒素ガスとの流量比を種々変化させたときに成膜される酸窒化シリコン膜の組成を評価した。結果を図５に示す。なお、比較例では、ターゲット材への印加電力は、１０００Ｗとした。 (Comparative example)
The composition of a silicon oxynitride film formed when a flow rate ratio of oxygen gas and nitrogen gas as a reaction gas was variously changed using a target material made of silicon was evaluated. The results are shown in FIG. In the comparative example, the applied power to the target material was 1000 W.

図４に示すように、酸化シリコンからなるターゲット材を用いて、反応ガスを窒素ガスとした実施例２では、窒素ガスの流量が変化しても酸窒化シリコン膜の組成がそれほど大きくは変化しないことが分かる。それに対して、シリコンからなるターゲット材を用い、反応ガスとして窒素ガスと酸素ガスとを用いた比較例では、窒素ガスの流量が変化すると酸窒化シリコン膜の組成が大きく変化してしまうことが分かる。これらの結果から、酸化シリコンからなるターゲット材を用いて、反応ガスを窒素ガスとしてスパッタリング法により酸窒化シリコン膜を成膜することにより、酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜できることが分かる。   As shown in FIG. 4, in Example 2 in which the reaction gas is nitrogen gas using a target material made of silicon oxide, the composition of the silicon oxynitride film does not change so much even if the flow rate of nitrogen gas changes. I understand that. On the other hand, in a comparative example using a target material made of silicon and using nitrogen gas and oxygen gas as reaction gases, it can be seen that the composition of the silicon oxynitride film changes greatly when the flow rate of nitrogen gas changes. . From these results, it can be seen that a silicon oxynitride film can be formed with a stable composition by forming a silicon oxynitride film by a sputtering method using a target material made of silicon oxide and a reactive gas as a nitrogen gas.

１…スパッタリング装置
１０…装置本体
１０ａ…チャンバー
１１…窒素ガス供給装置
１２…被成膜物
１３ａ〜１３ｃ…ターゲット材
１４ａ〜１４ｃ…電源
２０…弾性境界波装置
２１…圧電基板
２２…ＩＤＴ電極
２３…第１の媒質
２４…第２の媒質 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sputtering apparatus 10 ... Apparatus main body 10a ... Chamber 11 ... Nitrogen gas supply apparatus 12 ... Film-forming objects 13a-13c ... Target material 14a-14c ... Power supply 20 ... Elastic boundary wave apparatus 21 ... Piezoelectric substrate 22 ... IDT electrode 23 ... 1st medium 24 ... 2nd medium

Claims (4)

酸化シリコンからなるターゲット材を用いると共に、反応性ガスとして窒素ガスを用いて、スパッタリング法により酸窒化シリコン膜を成膜する、酸窒化シリコン膜の成膜方法。   A silicon oxynitride film formation method in which a silicon oxynitride film is formed by a sputtering method using a target material made of silicon oxide and nitrogen gas as a reactive gas. 前記ターゲット材として、一酸化シリコンからなるターゲット材を用いる、請求項１に記載の酸窒化シリコン膜の成膜方法。   The method for forming a silicon oxynitride film according to claim 1, wherein a target material made of silicon monoxide is used as the target material. 前記ターゲット材として、一酸化シリコンからなるターゲット材と、二酸化シリコンからなるターゲット材とを用いる、請求項１に記載の酸窒化シリコン膜の成膜方法。   The method for forming a silicon oxynitride film according to claim 1, wherein a target material made of silicon monoxide and a target material made of silicon dioxide are used as the target material. 圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されているＩＤＴ電極と、前記圧電基板の上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように形成されている酸窒化シリコン膜とを備える弾性境界波装置の製造方法であって、
前記酸窒化シリコン膜を、酸化シリコンからなるターゲット材を用いると共に、反応性ガスとして窒素ガスを用いて、スパッタリング法により成膜する、弾性境界波装置の製造方法。 A method for manufacturing a boundary acoustic wave device comprising: a piezoelectric substrate; an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate; and a silicon oxynitride film formed on the piezoelectric substrate so as to cover the IDT electrode. Because
A method of manufacturing a boundary acoustic wave device, wherein the silicon oxynitride film is formed by sputtering using a target material made of silicon oxide and using nitrogen gas as a reactive gas.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015083497A1 (en) * 2013-12-05 2015-06-11 富士フイルム株式会社 Substrate with organic functional layer and method for manufacturing same
US10494710B1 (en) 2018-08-28 2019-12-03 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Film-forming method, production method for product with ceramic film, and product with ceramic film

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07307467A (en) * 1994-05-13 1995-11-21 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2003198321A (en) * 2001-10-17 2003-07-11 Murata Mfg Co Ltd Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
WO2008146449A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corporation Elastic wave element
JP2010028517A (en) * 2008-07-22 2010-02-04 Murata Mfg Co Ltd Method of manufacturing elastic wave apparatus and elastic wave apparatus
JP2010036577A (en) * 2008-07-10 2010-02-18 Dow Corning Toray Co Ltd Gas barrier cured organopolysiloxane resin film and method of manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07307467A (en) * 1994-05-13 1995-11-21 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2003198321A (en) * 2001-10-17 2003-07-11 Murata Mfg Co Ltd Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
WO2008146449A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corporation Elastic wave element
JP2010036577A (en) * 2008-07-10 2010-02-18 Dow Corning Toray Co Ltd Gas barrier cured organopolysiloxane resin film and method of manufacturing the same
JP2010028517A (en) * 2008-07-22 2010-02-04 Murata Mfg Co Ltd Method of manufacturing elastic wave apparatus and elastic wave apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015083497A1 (en) * 2013-12-05 2015-06-11 富士フイルム株式会社 Substrate with organic functional layer and method for manufacturing same
JP2015109384A (en) * 2013-12-05 2015-06-11 富士フイルム株式会社 Substrate with organic functional layer, and manufacturing method of the same
US10494710B1 (en) 2018-08-28 2019-12-03 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Film-forming method, production method for product with ceramic film, and product with ceramic film

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