JP2012054368A - Method of manufacturing multilayer wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、多層配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board.
従来から、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品や半導体素子に広く用いられている。
このような金属パターン材料の作製方法としては、主に、「サブトラクティブ法」が使用される。このサブトラクティブ法とは、基板表面に形成された金属膜上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層を像様露光し、その後現像してレジスト像を形成し、次いで、金属膜をエッチングして金属パターンを形成し、最後にレジスト像を剥離する方法である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a metal wiring board in which wiring with a metal pattern is formed on the surface of an insulating substrate has been widely used for electronic components and semiconductor elements.
As a method for producing such a metal pattern material, a “subtractive method” is mainly used. In this subtractive method, a photosensitive layer that is exposed by irradiation with actinic rays is provided on a metal film formed on the surface of the substrate, the photosensitive layer is exposed imagewise, and then developed to form a resist image. In this method, the metal film is etched to form a metal pattern, and finally the resist image is peeled off.
この方法により得られる金属パターンにおいては、基板表面に凹凸を設けることにより生じるアンカー効果により、基板と金属膜との間の密着性を発現させている。そのため、得られた金属パターンの基板界面部の凹凸に起因して、配線エッジ部が凹凸になり、配線の太さが一定にできず設計値どおりの配線形状が得難い、又は、微細な配線を形成しようとすると、隣接する配線と接続する部分ができたり、配線が断線したりする、という問題点があった。また、基板表面に凹凸化処理するためには、クロム酸などの強酸で基板表面を処理するが必要であるため、金属膜と基板との密着性に優れた金属パターンを得るためには、煩雑な工程が必要であるという問題点があった。 In the metal pattern obtained by this method, the adhesion between the substrate and the metal film is expressed by an anchor effect generated by providing irregularities on the substrate surface. Therefore, due to the unevenness of the substrate interface part of the obtained metal pattern, the wiring edge part becomes uneven, the wiring thickness cannot be made constant, and it is difficult to obtain the wiring shape as designed, or fine wiring When trying to form, there existed a problem that the part connected with an adjacent wiring was made or the wiring disconnected. In addition, in order to obtain a metal pattern with excellent adhesion between the metal film and the substrate, it is necessary to treat the substrate surface with a strong acid such as chromic acid in order to make the substrate surface uneven. There is a problem that a complicated process is necessary.
上記実情に鑑みて、セミアディティブ法による微細配線の形成に適した、接続信頼性の高い多層配線板の形成方法が開示されている(特許文献1)。より具体的には、該文献中においては、まず、金属配線を有する第1の配線基板表面上に、絶縁層および高分子密着層を介して、パターン状の金属膜を形成させ、該パターン状の金属膜をマスクとして使用してビアホールを形成している。次に、ビアホール壁面に無電解めっき触媒を付与して、無電解めっきなどのめっき処理を行うことにより、配線基板上の金属配線とその上部に形成されるパターン状の金属膜とを接続し、多層配線基板を製造している。 In view of the above circumstances, a method of forming a multilayer wiring board with high connection reliability suitable for forming fine wiring by a semi-additive method is disclosed (Patent Document 1). More specifically, in this document, first, a patterned metal film is formed on the surface of a first wiring substrate having metal wiring via an insulating layer and a polymer adhesion layer, and the patterned A via hole is formed using the metal film as a mask. Next, by applying an electroless plating catalyst to the wall surface of the via hole and performing a plating process such as electroless plating, the metal wiring on the wiring board and the patterned metal film formed on the upper part thereof are connected, Manufactures multilayer wiring boards.
一方、近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化が進んでいる。このような状況下、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等も小型化かつ高密度化が求められており、このような要望を満たすため多層配線基板では微細配線ピッチで形成された複数層の配線パターン間を高い接続信頼性で電気的に接続できることがより重要となっている。
本発明者らが、特許文献1に記載の方法を利用して多層配線基板の製造を行ったところ、ビアの接続信頼性は昨今要求されるレベルには到達しておらず、さらなる改良が必要であった。
On the other hand, in recent years, along with demands for higher functionality of electronic devices, electronic components have been integrated with higher density and further with higher density packaging. Under such circumstances, printed wiring boards and the like for high-density mounting used for these are required to be downsized and high-density, and in order to satisfy such demands, multilayer wiring boards are formed with a fine wiring pitch. In addition, it is more important to be able to electrically connect the wiring patterns of a plurality of layers with high connection reliability.
When the present inventors manufactured a multilayer wiring board using the method described in Patent Document 1, the connection reliability of vias has not reached the level required recently, and further improvement is necessary. Met.
また、昨今、製造コストの低減の観点から、高スループットでより生産性よく多層配線基板を製造することが求められている。一方、特許文献1に記載の方法では、工程数が多く、密着性などに優れた実用上耐えうる金属膜をより短時間で生産するという生産性の観点からは、必ずしも充分ではなかった。 In recent years, it has been demanded to manufacture a multilayer wiring board with high throughput and high productivity from the viewpoint of reducing manufacturing costs. On the other hand, the method described in Patent Document 1 is not always sufficient from the viewpoint of productivity of producing a practically durable metal film having a large number of steps and excellent adhesion and the like.
本発明は、上記実情を鑑みて、高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を、高歩留まりで製造することができる、生産性に優れた製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, the present invention can produce a metal wiring with high definition and excellent adhesion, and can produce a multilayer wiring board with excellent via connection reliability with high yield. It aims at providing the outstanding manufacturing method.
本発明者は、上記課題に鑑みて鋭意検討した結果、以下に示す手段により上記目的を達
成しうることを見出した。
(1) (A)第1の導電層を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層をこの順で備える積層体を形成する工程と、
(B)前記(A)工程後に前記密着樹脂層に対してめっき触媒又はその前駆体を付与した後、めっきを行い、前記密着樹脂層上に第2の導電層を形成する工程と、
(C)前記工程(B)後に、レーザ加工又はドリル加工により、前記第2の導電層、前記密着樹脂層、および前記絶縁層を貫通し、前記第1の導電層に達するようにビアホールを形成する工程と、
(D)前記工程(C)後に、デスミア処理を行う工程と、
(E)前記工程(D)後に、前記ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを電気的に接続する工程と、を備える多層配線基板の製造方法。
As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventor has found that the above object can be achieved by the following means.
(1) (A) Energy is applied to a layer containing a polymer having a functional group and a polymerizable group that form an interaction with an insulating layer and a plating catalyst or a precursor thereof on a wiring board surface provided with a first conductive layer. A step of forming a laminate including the adhesion resin layer obtained in this order, and
(B) After providing the plating resin or precursor thereof to the adhesion resin layer after the step (A), performing plating, and forming a second conductive layer on the adhesion resin layer;
(C) After the step (B), a via hole is formed by laser processing or drilling so as to penetrate the second conductive layer, the adhesion resin layer, and the insulating layer and reach the first conductive layer. And a process of
(D) After the step (C), performing a desmear process;
(E) After the step (D), after applying carbon black or graphite to the wall surface of the via hole, electroplating is performed without performing electroless plating, and the first conductive layer and the second conductive layer And a step of electrically connecting the conductive layer.
(2) 前記第2の導電層の厚みが、0.2〜20μmである、(1)に記載の多層配線基板の製造方法。
(3) 前記めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基が、シアノ基またはカルボン酸基である、(1)または(2)に記載の多層配線基板の製造方法。
(4) 前記積層体が、前記絶縁層と前記密着樹脂層との間に密着補助層をさらに備える、(1)〜(3)のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
(2) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to (1), wherein the thickness of the second conductive layer is 0.2 to 20 μm.
(3) The method for producing a multilayer wiring board according to (1) or (2), wherein the functional group that interacts with the plating catalyst or a precursor thereof is a cyano group or a carboxylic acid group.
(4) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of (1) to (3), wherein the stacked body further includes an adhesion auxiliary layer between the insulating layer and the adhesion resin layer.
本発明は、高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を、高歩留まりで製造することができる、生産性に優れた製造方法を提供することができる。 The present invention provides a manufacturing method excellent in productivity, capable of manufacturing a metal wiring having high definition and excellent adhesion, and capable of manufacturing a multilayer wiring board excellent in via connection reliability at a high yield. can do.
以下に、本発明の多層配線基板の製造方法について詳述する。
該製造方法は、以下の5つの工程を備える。
(A)第1の導電層を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層をこの順で備える積層体を形成する工程
(B)上記(A)工程後に密着樹脂層に対してめっき触媒又はその前駆体を付与した後、めっきを行い、密着樹脂層上に第2の導電層を形成する工程
(C)上記工程(B)後に、レーザ加工又はドリル加工により、第2の導電層、密着樹脂層、および絶縁層を貫通し、第1の導電層に達するようにビアホールを形成する工程
(D)上記工程(C)後に、デスミア処理を行う工程
(E)上記工程(D)後に、ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、第1の導電層と第2の導電層とを電気的に接続する工程
Below, the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention is explained in full detail.
The manufacturing method includes the following five steps.
(A) Applying energy to the insulating substrate and a layer containing a polymer having a functional group and a polymerizable group that interact with the plating catalyst or its precursor on the surface of the wiring board including the first conductive layer. Step of forming a laminate comprising the obtained adhesion resin layer in this order (B) After applying the plating catalyst or its precursor to the adhesion resin layer after the step (A), plating is performed, and the adhesion resin layer is formed. Step (C) of forming the second conductive layer on the first conductive layer after passing through the second conductive layer, the adhesive resin layer, and the insulating layer by laser processing or drilling after the step (B). Step of forming via hole to reach (D) Step of performing desmear treatment after step (C) (E) After step (D), after applying carbon black or graphite to the via hole wall surface, electroless Plating Ukoto without it performs electroplating, a step of electrically connecting the first conductive layer and a second conductive layer
本発明の製造方法は、上述した特許文献1に記載の方法とは異なり、密着樹脂層のパターニングを行うことなく、ビアホールの形成を行っており、工程数がより少ない。
また、本発明の製造方法の特徴の一つとしては、ビアホール形成後、第1の導電層と第2の導電層とを電気的に接続するために、導通用金属膜を形成する工程(E)において、カーボンブラックおよびグラファイトを使用して電気めっきを行っている点が挙げられる。該工程を経ることにより、層間接続の歩留まりおよび耐久性の点で有利となる。
以下に、図面を参照して、各工程を順次に説明する。
Unlike the method described in Patent Document 1 described above, the manufacturing method of the present invention forms via holes without patterning the adhesive resin layer, and has fewer steps.
Further, as one of the characteristics of the manufacturing method of the present invention, a step of forming a conductive metal film (E) for electrically connecting the first conductive layer and the second conductive layer after the via hole is formed (E ) In which electroplating is performed using carbon black and graphite. By passing through this step, it is advantageous in terms of the yield and durability of interlayer connection.
Hereinafter, each step will be described in order with reference to the drawings.
<工程(A):積層体形成工程>
工程(A)では、第1の導電層を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層をこの順で備える積層体を形成する。通常、絶縁層および密着樹脂層は、配線基板表面上で、これらの層を形成すべき領域全面に設けられる。
より具体的には、図1(A)に示されるように、本工程においては、基板12に第1の導電層14が形成された配線基板10と、配線基板10上に設けられた絶縁層16と、該絶縁層16上に設けられた密着補助層18と、該密着補助層18上に設けられた密着樹脂層20とを備える積層体22が形成される。
以下に、配線基板10、絶縁層16、密着補助層18、および密着樹脂層20に関して詳述する。
<Process (A): Laminate formation process>
In the step (A), energy is applied to a layer containing a polymer having a functional group and a polymerizable group that interact with the insulating layer and the plating catalyst or its precursor on the surface of the wiring substrate including the first conductive layer. A laminate including the adhesion resin layer obtained by applying in this order is formed. Usually, the insulating layer and the adhesion resin layer are provided on the entire surface of the wiring substrate surface where these layers are to be formed.
More specifically, as shown in FIG. 1A, in this step, the wiring substrate 10 in which the first conductive layer 14 is formed on the substrate 12 and the insulating layer provided on the wiring substrate 10 are used. 16, a laminate 22 including the adhesion auxiliary layer 18 provided on the insulating layer 16 and the adhesion resin layer 20 provided on the adhesion auxiliary layer 18 is formed.
Hereinafter, the wiring substrate 10, the insulating layer 16, the adhesion auxiliary layer 18, and the adhesion resin layer 20 will be described in detail.
<配線基板10>
本発明に用いられる配線基板10は、代表的には、エッチング処理を利用したサブストラクティブ法で形成されたものや、電解めっきを利用したセミアディティブ法で形成したものが挙げられ、いずれの工法で形成されたものを用いてもよい。
配線基板10としては、より具体的には、両面又は片面の銅張積層板(CCL)や、この銅張積層板の銅膜をパターン状にしたもの等が用いられ、これらはフレキシブル基板であってもよいし、リジット基板であってもよい。
<Wiring board 10>
The wiring board 10 used in the present invention typically includes those formed by a subtractive method using an etching process, and those formed by a semi-additive method using electrolytic plating. You may use what was formed.
More specifically, the wiring board 10 may be a double-sided or single-sided copper-clad laminate (CCL), or a copper-clad laminate made of a copper film in a pattern, which is a flexible substrate. It may be a rigid substrate.
配線基板10中の基板12を構成する材料としては、例えば、ガラスエポキシ材、BTレジン、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミドなどが挙げられる。なかでも、寸法安定性や耐熱性など、熱的または機械的特性の観点から、ガラスエポキシ材、BTレジンが好ましい。
第1の導電層14を構成する材料としては、例えば、銅、銀、錫、ニッケル、金などが挙げられる。なお、第1の導電層14は、第1の金属配線として機能し、基板12の全面に設けられていても、図1(A)に示すようにパターン状に形成されていてもよい。
As a material which comprises the board | substrate 12 in the wiring board 10, a glass epoxy material, BT resin, a polyimide film, a polyamide film, a liquid crystal film, an aramid etc. are mentioned, for example. Of these, glass epoxy materials and BT resins are preferred from the viewpoint of thermal or mechanical properties such as dimensional stability and heat resistance.
Examples of the material constituting the first conductive layer 14 include copper, silver, tin, nickel, and gold. Note that the first conductive layer 14 functions as a first metal wiring and may be provided over the entire surface of the substrate 12 or may be formed in a pattern as shown in FIG.
<絶縁層16>
絶縁層16は、多層配線基板中(例えば、第1の導電層14間)の絶縁信頼性を確保するために設けられる層であり、その形成方法は特に制限されない。より具体的には、絶縁性樹脂を含有する絶縁性樹脂組成物を塗布して、絶縁層16を形成する方法(塗布法)や、絶縁性樹脂を含有する絶縁層16を配線基板10上にラミネートする方法などが挙げられる。
絶縁層16の厚みは、多層配線基板の使用目的に応じて適宜選択されるが、5〜150μmが好ましく、10〜100μmがより好ましい。
なお、本発明における「絶縁性樹脂」とは、公知の絶縁膜や絶縁層に使用しうる程度の絶縁性を有する樹脂であることを意味するものであり、完全な絶縁体でないものであっても、目的に応じた絶縁性を有する樹脂であれば、本発明に適用しうる。
<Insulating layer 16>
The insulating layer 16 is a layer provided to ensure insulation reliability in the multilayer wiring board (for example, between the first conductive layers 14), and the formation method thereof is not particularly limited. More specifically, a method (coating method) for forming an insulating layer 16 by applying an insulating resin composition containing an insulating resin, or an insulating layer 16 containing an insulating resin on the wiring substrate 10. The method of laminating etc. is mentioned.
The thickness of the insulating layer 16 is appropriately selected according to the purpose of use of the multilayer wiring board, but is preferably 5 to 150 μm, and more preferably 10 to 100 μm.
In addition, the “insulating resin” in the present invention means a resin having an insulating property that can be used for a known insulating film or insulating layer, and is not a perfect insulator. In addition, any resin having insulating properties according to the purpose can be applied to the present invention.
絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
Specific examples of the insulating resin may be, for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a mixture thereof. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, and a bismaleimide. Examples thereof include resins, polyolefin resins, isocyanate resins and the like.
Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and the like.
絶縁層の形成に使用される絶縁性樹脂組成物には、架橋を進めるために重合性の二重結合を有する化合物のようなもの、具体的には、アクリレート、メタクリレート化合物を含有していてもよく、特に多官能のものが好ましい。 The insulating resin composition used for forming the insulating layer may contain a compound such as a compound having a polymerizable double bond in order to promote crosslinking, specifically, an acrylate or methacrylate compound. In particular, polyfunctional ones are preferred.
更に、この絶縁性樹脂組成物には、必要に応じて、充填剤(例えば、シリカ、アルミナ、クレー、タルクなど)、着色剤、難燃剤、接着性付与剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、などの各種添加剤を一種又は二種以上添加してもよい。
これらの材料を絶縁性樹脂組成物に添加する場合は、いずれも、樹脂に対して、1〜200質量%の範囲で添加されることが好ましく、より好ましくは10〜80質量%の範囲で添加される。
Furthermore, the insulating resin composition may be provided with a filler (for example, silica, alumina, clay, talc, etc.), a colorant, a flame retardant, an adhesion imparting agent, a silane coupling agent, and an antioxidant as necessary. In addition, one or more of various additives such as an ultraviolet absorber may be added.
When these materials are added to the insulating resin composition, it is preferable to add them in the range of 1 to 200% by mass, and more preferably in the range of 10 to 80% by mass with respect to the resin. Is done.
<密着補助層18>
密着補助層18は、絶縁層16と後述する密着樹脂層20との接着性を補助する役割を果たし、絶縁層16と密着樹脂層20との接着性が良好である場合には、該密着補助層18は省略してもよい。
密着補助層18は、密着樹脂層20との結合反応の開始点となる活性種を与え、それを起点として密着補助層18と密着樹脂層20との間に多くの結合を生成させることができる。
より具体的には、密着補助層18としては、重合開始剤を含有する層(重合開始層)、または、重合開始可能な官能基を有する層(重合開始層)などを用いることができる。
<Adhesion auxiliary layer 18>
The adhesion auxiliary layer 18 plays a role of assisting adhesion between the insulating layer 16 and the adhesion resin layer 20 to be described later. When the adhesion between the insulation layer 16 and the adhesion resin layer 20 is good, the adhesion assistance layer 18 is used. Layer 18 may be omitted.
The adhesion assisting layer 18 gives an active species as a starting point of the binding reaction with the adhesion resin layer 20, and can generate many bonds between the adhesion assisting layer 18 and the adhesion resin layer 20 from the starting point. .
More specifically, as the adhesion auxiliary layer 18, a layer containing a polymerization initiator (polymerization initiation layer) or a layer having a functional group capable of initiating polymerization (polymerization initiation layer) can be used.
密着補助層18の厚みは特に制限されないが、十分な重合開始能の発現、及び、膜性を維持して膜剥がれを防止するといった観点からは、0.1〜10μmが好ましく、0.2〜5μmがより好ましい。乾燥後の質量で、0.1〜20g/m2が好ましく、0.1〜15g/m2がより好ましく、0.1〜2g/m2が更に好ましい。 The thickness of the adhesion assisting layer 18 is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 10 μm from the viewpoints of sufficient polymerization initiation ability and prevention of film peeling while maintaining film properties. 5 μm is more preferable. In mass after drying it is preferably 0.1 to 20 g / m 2, more preferably 0.1~15g / m 2, 0.1~2g / m 2 is more preferable.
密着補助層18としては、例えば、高分子化合物と重合開始剤とを含む層、重合性化合物と重合開始剤とを含む層、重合開始可能な官能基を有する層、エネルギー付与により重合開始可能な活性部位を発生する層、及び、エネルギー付与により密着樹脂層20と化学結合を形成する層などが挙げられる。
例えば、密着補助層18は、必要な成分を、溶解可能な溶媒に溶解し、塗布などの方法で基板表面上に設け、加熱又は光照射により硬膜し、形成することができる。
Examples of the adhesion auxiliary layer 18 include a layer containing a polymer compound and a polymerization initiator, a layer containing a polymerizable compound and a polymerization initiator, a layer having a functional group capable of initiating polymerization, and polymerization can be initiated by applying energy. Examples include a layer that generates an active site and a layer that forms a chemical bond with the adhesive resin layer 20 by applying energy.
For example, the adhesion auxiliary layer 18 can be formed by dissolving necessary components in a solvent that can be dissolved, providing the components on the substrate surface by a method such as coating, and hardening by heating or light irradiation.
例えば、配線基板10上に形成される絶縁層16が、多層積層板、ビルドアップ基板、またはフレキシブル基板の材料として用いられてきた公知の絶縁樹脂からなる場合には、該絶縁層16との密着性の観点から、密着補助層18を形成する際に用いられる樹脂組成物として、絶縁層16の形成に用いられるのと同様の絶縁性樹脂組成物が用いられることが好ましい。
以下、絶縁性樹脂組成物から形成される密着補助層18の態様について説明する。
For example, when the insulating layer 16 formed on the wiring substrate 10 is made of a known insulating resin that has been used as a material for a multilayer laminate, a build-up substrate, or a flexible substrate, it is in close contact with the insulating layer 16. From the viewpoint of property, it is preferable to use an insulating resin composition similar to that used for forming the insulating layer 16 as the resin composition used when forming the adhesion assisting layer 18.
Hereinafter, the aspect of the close_contact | adherence auxiliary | assistant layer 18 formed from an insulating resin composition is demonstrated.
密着補助層18を形成する際に用いられる絶縁性樹脂組成物は、配線基板10上に形成される絶縁層16を構成する電気的絶縁性の樹脂と同じものを含んでいてもよく、異なっていてもよいが、ガラス転移点や弾性率、線膨張係数といった熱物性が近いものを使用することが好ましい。具体的には、例えば、配線基板10上に形成される絶縁層16を構成する絶縁性樹脂と同じ種類の絶縁性樹脂を使用することが密着の点で好ましい。
また、密着補助層18の強度を高める、また、電気特性を改良するために、無機又は有機の粒子を添加してもよい。
The insulating resin composition used when forming the adhesion assisting layer 18 may contain the same electrically insulating resin that constitutes the insulating layer 16 formed on the wiring substrate 10, and is different. However, it is preferable to use materials having similar thermal properties such as glass transition point, elastic modulus, and linear expansion coefficient. Specifically, for example, it is preferable in terms of adhesion to use the same type of insulating resin as the insulating resin constituting the insulating layer 16 formed on the wiring substrate 10.
In addition, inorganic or organic particles may be added in order to increase the strength of the adhesion auxiliary layer 18 and to improve electrical characteristics.
絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。 Specific examples of the insulating resin may be, for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a mixture thereof. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, and a bismaleimide. Examples thereof include resins, polyolefin resins, isocyanate resins and the like.
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。 Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and the like.
更に、密着補助層18には、層内での架橋を進めるために重合性の二重結合を有する化合物、具体的には、アクリレート、メタクリレート化合物を含有していてもよく、特に、多官能のものを用いることが好ましい。 Further, the adhesion auxiliary layer 18 may contain a compound having a polymerizable double bond, specifically an acrylate or methacrylate compound, in order to promote crosslinking within the layer, It is preferable to use one.
密着補助層18は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、目的に応じて、種々の化合物を添加することができる。具体的には、例えば、加熱時に応力を緩和させることができる、ゴム、SBRラテックスのような物質、膜性改良のためのバインダー、可塑剤、界面活性剤、粘度調整剤などが挙げられる。 The adhesion auxiliary layer 18 can be added with various compounds depending on the purpose as long as the effects of the present invention are not impaired. Specific examples include materials such as rubber and SBR latex that can relieve stress during heating, binders for improving film properties, plasticizers, surfactants, viscosity modifiers, and the like.
更に、密着補助層18には、必要に応じて、充填剤(例えば、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリルポリマーなどの有機フィラー)、着色剤、難燃剤、接着性付与剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの各種添加剤を、一種又は二種以上添加してもよい。 Further, the adhesion auxiliary layer 18 may be filled with a filler (for example, inorganic filler such as silica, alumina, clay, talc, aluminum hydroxide, calcium carbonate, cured epoxy resin, crosslinked benzoguanamine resin, crosslinked acrylic polymer, etc., if necessary. Organic fillers), colorants, flame retardants, adhesion-imparting agents, silane coupling agents, antioxidants, ultraviolet absorbers and the like may be added singly or in combination.
これらの材料を添加する場合は、いずれも主成分となる樹脂に対して、0〜200質量%の範囲で添加されることが好ましく、より好ましくは0〜80質量%の範囲で添加される。密着補助層18と隣接する層を構成する材料とが、熱や電気に対して同じ又は近い物性値を示す場合には、これら添加物は必ずしも添加する必要はない。 When adding these materials, it is preferable to add in the range of 0-200 mass% with respect to resin used as a main component, More preferably, it adds in the range of 0-80 mass%. When the adhesion auxiliary layer 18 and the material constituting the adjacent layer exhibit the same or similar physical property values with respect to heat and electricity, it is not always necessary to add these additives.
密着補助層18には、密着樹脂層20を構成する高分子化合物と相互作用を形成し得る活性点を発生させる活性種(化合物)が含まれることが好ましい。この活性点を発生させるためには、何らかのエネルギーを付与すればよく、好ましくは、光(紫外線、可視光線、X線など)、プラズマ(酸素、窒素、二酸化炭素、アルゴンなど)、熱、電気、等が用いられる。更に、酸化性の液体(過マンガン酸カリウム溶液)などによって表面を化学的に分解することで活性点を発生させてもよい。
活性種の例としては、重合開始剤(例えば、熱重合開始剤、光重合開始剤)が挙げられる。具体的には、特開2007−154306公報段落番号〔0043〕、〔0044〕に記載されている。
密着補助層18に含有させる重合開始剤の量は、固形分で0.1〜50質量%であることが好ましく、1.0〜30質量%であることがより好ましい。
The adhesion auxiliary layer 18 preferably contains an active species (compound) that generates an active site capable of forming an interaction with the polymer compound constituting the adhesion resin layer 20. In order to generate this active site, some energy may be applied, and preferably, light (ultraviolet light, visible light, X-ray, etc.), plasma (oxygen, nitrogen, carbon dioxide, argon, etc.), heat, electricity, Etc. are used. Furthermore, active sites may be generated by chemically decomposing the surface with an oxidizing liquid (potassium permanganate solution) or the like.
Examples of the active species include polymerization initiators (for example, thermal polymerization initiators and photopolymerization initiators). Specifically, it is described in JP-A-2007-154306, paragraph numbers [0043] and [0044].
The amount of the polymerization initiator contained in the adhesion auxiliary layer 18 is preferably 0.1 to 50% by mass, and more preferably 1.0 to 30% by mass in terms of solid content.
(形成方法)
本発明においては、絶縁層16上に密着補助層形成用の組成物を塗布などにより配置し、溶剤を除去することにより成膜させて密着補助層18を形成することができる。この時、加熱及び/又は光照射を行って硬膜することが好ましい。特に、加熱により乾燥した後、光照射を行って予備硬膜しておくと、重合性化合物のある程度の硬化が予め行なわれるので、密着補助層18上に密着樹脂層20が生成した後に密着補助層18ごと脱落するといった事態を効果的に抑制し得るため好ましい。
加熱温度と時間は、塗布溶剤が充分乾燥し得る条件を選択すればよいが、製造適性の点からは、温度が200℃以下、乾燥時間は60分以内が好ましく、乾燥温度40〜100℃、乾燥時間20分以内の範囲の加熱条件を選択することがより好ましい。
(Formation method)
In the present invention, the adhesion assisting layer 18 can be formed by disposing a composition for forming an adhesion assisting layer on the insulating layer 16 by coating and removing the solvent to form a film. At this time, it is preferable that the film is hardened by heating and / or light irradiation. In particular, if the film is dried by heating and then preliminarily cured by light irradiation, the polymerizable compound is cured to some extent in advance, so that the adhesion assisting layer 18 is formed after the adhesion resin layer 20 is formed on the adhesion assisting layer 18. This is preferable because the situation where the layer 18 is dropped can be effectively suppressed.
The heating temperature and time may be selected under conditions that allow the coating solvent to be sufficiently dried. However, from the viewpoint of production suitability, the temperature is 200 ° C. or less, the drying time is preferably within 60 minutes, It is more preferable to select heating conditions within a drying time of 20 minutes.
上記密着補助層18を構成する成分を塗布する際に用いる溶媒は、それらの成分が溶解するものであれば特に制限されない。乾燥の容易性、作業性の観点からは、沸点が高すぎない溶媒が好ましく、具体的には、沸点40〜150℃程度のものを選択すればよい。
具体的には、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。なお、塗布溶液中の固形分の濃度は、取扱い性の点から、2〜50質量%が好ましい。
The solvent used when applying the components constituting the adhesion auxiliary layer 18 is not particularly limited as long as these components can be dissolved. From the viewpoint of easy drying and workability, a solvent having a boiling point that is not too high is preferable. Specifically, a solvent having a boiling point of about 40 to 150 ° C. may be selected.
Specifically, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, or the like can be used. In addition, the density | concentration of solid content in a coating solution has a preferable handling point of 2-50 mass%.
密着補助層18は上記塗布法以外にも、転写法、印刷法などの公知の層形成方法により形成することもできる。
なお、転写法を適用する場合には、密着樹脂層20と密着補助層18との2層構成を有する転写積層体を作製し、ラミネート法によって一度に絶縁層16の表面に転写してもよい。
The adhesion assisting layer 18 can be formed by a known layer forming method such as a transfer method or a printing method in addition to the coating method.
When the transfer method is applied, a transfer laminate having a two-layer structure of the adhesion resin layer 20 and the adhesion auxiliary layer 18 may be manufactured and transferred onto the surface of the insulating layer 16 at once by the lamination method. .
<密着樹脂層20>
密着樹脂層20は、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマーを用いて得られる層であり、密着補助層18上(密着補助層18がない場合は、絶縁層16上)に設けられる。密着樹脂層20は、ポリマー中のめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基の機能に応じて、後述するめっき触媒またはその前駆体を吸着する。つまり、密着樹脂層20は、めっき触媒(またはその前駆体)の良好な受容層として機能する。また、重合性基は、ポリマー同士の結合や、密着補助層18(または、絶縁層16)との結合に利用される。その結果、密着樹脂層20の表面に形成される第2の導電層24(めっき膜)との優れた密着性を示す。
密着樹脂層20の厚みは特に制限されないが、ハンドリング性や製造コストの点から、0.1〜5μmが好ましく、0.2〜2μmがより好ましい。
また、密着樹脂層20の表面粗さ(Ra)は、配線形状および密着強度の点から、0.01〜0.3μmが好ましく、0.02〜0.15μmがより好ましい。なお、表面粗さ(Ra)は、非接触式干渉法により、JIS B 0601(20010120改訂)に記載のRaに基づき、サーフコム3000A(東京精密(株)製)を用いて測定した。
<Adhesive resin layer 20>
The adhesion resin layer 20 is a layer obtained by using a polymer having a functional group and a polymerizable group that form an interaction with the plating catalyst or its precursor, and on the adhesion auxiliary layer 18 (when there is no adhesion auxiliary layer 18). Is provided on the insulating layer 16). The adhesion resin layer 20 adsorbs a later-described plating catalyst or a precursor thereof according to the function of a functional group that forms an interaction with the plating catalyst or the precursor in the polymer. That is, the adhesion resin layer 20 functions as a good receiving layer for the plating catalyst (or its precursor). Moreover, a polymeric group is utilized for the coupling | bonding between polymers, and the coupling | bonding with the close_contact | adherence auxiliary | assistant layer 18 (or insulating layer 16). As a result, excellent adhesion to the second conductive layer 24 (plating film) formed on the surface of the adhesion resin layer 20 is exhibited.
The thickness of the adhesive resin layer 20 is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 5 μm and more preferably 0.2 to 2 μm from the viewpoint of handling properties and manufacturing cost.
Further, the surface roughness (Ra) of the adhesive resin layer 20 is preferably 0.01 to 0.3 μm, and more preferably 0.02 to 0.15 μm from the viewpoint of the wiring shape and the adhesive strength. In addition, the surface roughness (Ra) was measured using Surfcom 3000A (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) based on Ra described in JIS B 0601 (Revision of 201010120) by non-contact interference method.
密着樹脂層20は、密着補助層18(密着補助層18がない場合は、絶縁層16)上に形成された、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマーを含む層に、エネルギー付与して硬化させた層である。該ポリマーを含む層にエネルギー付与を行うことにより、重合性基を介して該ポリマー同士の反応が進行すると共に、該ポリマーが隣接する密着補助層18(密着補助層18がない場合は、絶縁層16)の表面と直接化学結合を生成し、密着補助層18(密着補助層18がない場合は、絶縁層16)と強固に結合した密着樹脂層20を形成することができる。 The adhesion resin layer 20 includes a functional group and a polymerizable group, which are formed on the adhesion auxiliary layer 18 (or the insulating layer 16 when there is no adhesion auxiliary layer 18) and interact with the plating catalyst or its precursor. It is the layer which applied the energy to the layer containing the polymer which has, and was hardened. By applying energy to the layer containing the polymer, the reaction between the polymers proceeds via the polymerizable group, and the adhesion auxiliary layer 18 adjacent to the polymer (if there is no adhesion auxiliary layer 18, an insulating layer) It is possible to form a chemical bond directly with the surface of 16), and to form the adhesion resin layer 20 firmly bonded to the adhesion auxiliary layer 18 (or the insulating layer 16 when there is no adhesion auxiliary layer 18).
エネルギーの付与が施されるポリマーを含む層の形成方法は特に制限されず、ポリマーを含有する組成物(以後、適宜密着樹脂層形成用組成物と称する)を使用することが好ましい。
具体的には、密着樹脂層形成用組成物中に基板を浸漬する方法や、密着樹脂層形成用組成物を絶縁層16(または、密着補助層18)上に塗布する方法が挙げられる。
取り扱い性や製造効率の観点からは、密着樹脂層形成用組成物を絶縁層16(または、密着補助層18)上に塗布・乾燥させて、ポリマーを含む層を形成する態様が好ましい。
なお、密着樹脂層形成用組成物の態様に関しては、後段で詳述する。
The method for forming the layer containing a polymer to which energy is applied is not particularly limited, and it is preferable to use a composition containing a polymer (hereinafter, referred to as a composition for forming an adhesive resin layer as appropriate).
Specifically, a method of immersing a substrate in the composition for forming an adhesive resin layer and a method of applying the composition for forming an adhesive resin layer on the insulating layer 16 (or the adhesion auxiliary layer 18) can be mentioned.
From the viewpoint of handleability and production efficiency, a mode in which a polymer-containing layer is formed by applying and drying the adhesive resin layer-forming composition on the insulating layer 16 (or the adhesion auxiliary layer 18) is preferable.
The aspect of the composition for forming an adhesive resin layer will be described in detail later.
密着樹脂層形成用組成物を絶縁層16(または、密着補助層18)と接触させる場合、その塗布量は、後述するめっき触媒またはその前駆体との充分な相互作用形成性の観点から、固形分換算で0.1〜10g/m2が好ましく、特に0.5〜5g/m2が好ましい。 When the composition for forming the adhesion resin layer is brought into contact with the insulating layer 16 (or the adhesion auxiliary layer 18), the coating amount is solid from the viewpoint of sufficient interaction with the plating catalyst or its precursor described later. preferably 0.1 to 10 g / m 2 min terms, in particular 0.5 to 5 g / m 2 is preferred.
(エネルギー付与方法)
密着樹脂層20を生成のためのエネルギー付与方法としては、例えば、露光等の輻射線照射を用いることができる。例えば、UVランプ、可視光線などによる光照射が可能である。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、X線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、g線、i線、Deep−UV光、高密度エネルギービーム(レーザビーム)も使用される。
また、熱記録ヘッド等により加熱する方法、赤外線レーザによる走査露光などの方法が挙げられ、さらには、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光や赤外線ランプ露光なども好適な方法として挙げられる。
エネルギー付与に要する時間としては、使用されるポリマーの構造及び光源により異なるが、通常、10秒〜5時間の間である。
(Energy application method)
As a method for applying energy for generating the adhesive resin layer 20, for example, radiation irradiation such as exposure can be used. For example, light irradiation with a UV lamp, visible light, or the like is possible. Examples of the light source include a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, a chemical lamp, and a carbon arc lamp. Examples of radiation include electron beams, X-rays, ion beams, and far infrared rays. Further, g-line, i-line, deep-UV light, and high-density energy beam (laser beam) are also used.
In addition, a heating method using a thermal recording head or the like, a scanning exposure method using an infrared laser, or the like, and a high-illuminance flash exposure such as a xenon discharge lamp or an infrared lamp exposure are also preferable methods.
The time required for energy application varies depending on the structure of the polymer used and the light source, but is usually between 10 seconds and 5 hours.
なお、エネルギーの付与を露光にて行う場合、その露光パワーは、グラフト重合を容易に進行させるため、また、生成されたグラフトポリマーの分解を抑制するため、10〜5000mJ/cm2の範囲であることが好ましく、より好ましくは50〜3000mJ/cm2の範囲である。
また、重合性基及び相互作用性基を有するポリマーとして、平均分子量2万以上、重合度200量体以上のポリマーを使用すると、低エネルギーの露光でグラフト重合が容易に進行するため、生成したグラフトポリマーの分解を更に抑制することができる。
When energy is applied by exposure, the exposure power is in the range of 10 to 5000 mJ / cm 2 in order to facilitate the graft polymerization and to suppress the decomposition of the produced graft polymer. Is more preferable, and the range of 50 to 3000 mJ / cm 2 is more preferable.
In addition, when a polymer having an average molecular weight of 20,000 or more and a degree of polymerization of 200 or more is used as a polymer having a polymerizable group and an interactive group, graft polymerization proceeds easily with low energy exposure. Degradation of the polymer can be further suppressed.
以下に、密着樹脂層20の形成に使用されるポリマー、および密着樹脂層形成用組成物について詳述する。 Below, the polymer used for formation of the adhesion resin layer 20 and the composition for adhesion resin layer formation are explained in full detail.
<ポリマー>
本発明で使用されるポリマーは、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基(適宜、相互作用性基とも称する)と重合性基を有する。
<Polymer>
The polymer used in the present invention has a functional group that interacts with the plating catalyst or its precursor (also referred to as an interactive group as appropriate) and a polymerizable group.
(相互作用性基)
相互作用性基としては、極性基や、多座配位を形成可能な基、含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などの非解離性官能基(解離によりプロトンを生成しない官能基)が挙げられる。
(Interactive group)
Examples of the interactive group include non-dissociable functional groups such as polar groups, groups capable of forming multidentate coordination, nitrogen-containing functional groups, sulfur-containing functional groups, and oxygen-containing functional groups (functions that do not generate protons by dissociation). Group).
極性基としては、アンモニウム、ホスホニウムなどの正の荷電を有する官能基、若しくは、スルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、ホスホン酸基などの負の荷電を有するか負の荷電に解離しうる酸性基が挙げられる。これらは解離基の対イオンの形で金属イオンと吸着する。
また、例えば、水酸基、アミド基、スルホンアミド基、アルコキシ基、シアノ基などの非イオン性の極性基も用いることもできる。
その他、イミノ基、1〜2級のアミノ基、アミド基、ウレタン基、水酸基(フェノールも含む)、チオール基などを用いることもできる。
The polar group may be a functional group having a positive charge such as ammonium or phosphonium, or an acid having a negative charge such as a sulfonic acid group, a carboxyl group, a phosphoric acid group, or a phosphonic acid group or capable of dissociating into a negative charge. Groups. These adsorb metal ions in the form of counterions of dissociating groups.
Further, for example, nonionic polar groups such as a hydroxyl group, an amide group, a sulfonamide group, an alkoxy group, and a cyano group can also be used.
In addition, imino groups, primary and secondary amino groups, amide groups, urethane groups, hydroxyl groups (including phenols), thiol groups, and the like can also be used.
また、非解離性官能基としては、具体的には、金属イオンと配位形成可能な基、含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などが好ましい。具体的には、イミド基、ピリジン基、3級のアミノ基、アンモニウム基、ピロリドン基、アミジノ基、トリアジン環構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアネート基(R−O−CN)などの含窒素官能基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、N−オキシド構造を含む基、S−オキシド構造を含む基、N−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基、フォスフィン基などの含リン官能基、塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基が挙げられる。また、隣接する原子又は原子団との関係により非解離性を示す態様であれば、イミダゾール基、ウレア基、チオウレア基を用いてもよい。
中でも、相互作用性基としては、極性が高く、めっき触媒等への吸着能が高いことから、シアノ基またはカルボン酸基が特に好ましい。また、得られる多層配線基板の接続信頼性や歩留りがより優れる点で、ポリマー中にシアノ基およびカルボン酸基の両者が相互作用性基として含まれていることが好ましい。
Further, as the non-dissociable functional group, specifically, a group capable of forming a coordination with a metal ion, a nitrogen-containing functional group, a sulfur-containing functional group, an oxygen-containing functional group and the like are preferable. Specifically, imide group, pyridine group, tertiary amino group, ammonium group, pyrrolidone group, amidino group, group containing triazine ring structure, group containing isocyanuric structure, nitro group, nitroso group, azo group, diazo group A nitrogen-containing functional group such as azide group and cyanate group (R—O—CN), ether group, carbonyl group, ester group, group containing N-oxide structure, group containing S-oxide structure, N-hydroxy structure Oxygen-containing functional groups such as containing groups, thioether groups, thioxy groups, sulfoxide groups, sulfone groups, sulfite groups, groups containing sulfoximine structures, groups containing sulfoxynium salt structures, groups containing sulfonate ester structures, etc. Examples thereof include phosphorus-containing functional groups such as sulfur functional groups and phosphine groups, and groups containing halogen atoms such as chlorine and bromine. In addition, an imidazole group, a urea group, or a thiourea group may be used as long as it is non-dissociative due to a relationship with an adjacent atom or atomic group.
Among them, as the interactive group, a cyano group or a carboxylic acid group is particularly preferable because of its high polarity and high adsorption ability to a plating catalyst or the like. Moreover, it is preferable that both the cyano group and the carboxylic acid group are contained as an interactive group in the polymer from the viewpoint that the connection reliability and yield of the obtained multilayer wiring board are more excellent.
(重合性基)
重合性基は、エネルギー付与により、ポリマー同士、又は、ポリマーと密着補助層18(または絶縁層16)との間に結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性の観点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリル酸エステル基(メタアクリロイル基)、アクリル酸エステル基(アクリロイル基)、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基が好ましく、アクリロイル基、メタアクリロイル基、スチリル基が特に好ましい。
(Polymerizable group)
The polymerizable group is a functional group capable of forming a bond between polymers or between the polymer and the adhesion auxiliary layer 18 (or the insulating layer 16) by applying energy, for example, a radical polymerizable group, a cationic polymerizable group. Group and the like. Of these, a radical polymerizable group is preferable from the viewpoint of reactivity. Examples of the radical polymerizable group include unsaturated carboxylic acid ester groups such as acrylic acid ester groups, methacrylic acid ester groups, itaconic acid ester groups, crotonic acid ester groups, isocrotonic acid ester groups, maleic acid ester groups, styryl groups, Examples thereof include a vinyl group, an acrylamide group, and a methacrylamide group. Among these, a methacrylic acid ester group (methacryloyl group), an acrylic acid ester group (acryloyl group), a vinyl group, a styryl group, an acrylamide group, and a methacrylamide group are preferable, and an acryloyl group, a methacryloyl group, and a styryl group are particularly preferable.
重合性基及び相互作用性基を有するポリマーとしては、相互作用性基を有するモノマーを用いて得られるホモポリマーやコポリマーに、重合性基として、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリル基などのエチレン付加重合性不飽和基(重合性基)を導入したポリマーであることが好ましく、この重合性基及び相互作用性基を有するポリマーは、少なくとも主鎖末端又は側鎖に重合性基を有するものであり、側鎖に重合性基を有するものが好ましい。 Examples of the polymer having a polymerizable group and an interactive group include homopolymers and copolymers obtained using a monomer having an interactive group, such as a vinyl group, an allyl group, and a (meth) acryl group. A polymer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group (polymerizable group) introduced therein is preferable, and the polymer having a polymerizable group and an interactive group has a polymerizable group at least at the main chain terminal or side chain. And those having a polymerizable group in the side chain are preferred.
このような重合性基及び相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法(特許公開2009−280905号の段落[0097]〜[0125]参照)が使用される。
例えば、重合性基として二重結合基を有する場合は、以下のように合成できる。合成方法としては、i)相互作用性基を有するモノマーと重合性基を有するモノマーとを共重合する方法、ii)相互作用性基を有するモノマーと二重結合前駆体を有するモノマーとを共重合させ、次に塩基などの処理により二重結合を導入する方法、iii)相互作用性基を有するポリマーと重合性基を有するモノマーとを反応させ、二重結合を導入(重合性基を導入する)方法が挙げられる。好ましいのは、合成適性の観点から、ii)方法、iii)方法である。
The method for synthesizing such a polymer having a polymerizable group and an interactive group is not particularly limited, and a known synthesis method (see paragraphs [0097] to [0125] of Patent Publication 2009-280905) is used.
For example, when it has a double bond group as a polymerizable group, it can be synthesized as follows. As synthesis methods, i) a method in which a monomer having an interactive group and a monomer having a polymerizable group are copolymerized, and ii) a monomer having an interactive group and a monomer having a double bond precursor are copolymerized. And then introducing a double bond by treatment with a base or the like, iii) reacting a polymer having an interactive group with a monomer having a polymerizable group to introduce a double bond (introducing a polymerizable group) ) Method. Preference is given to methods ii) and iii) from the viewpoint of synthesis suitability.
ポリマーの重量平均分子量は特に限定されないが、1000以上70万以下が好ましく、更に好ましくは2000以上20万以下である。特に、重合感度の観点から、重量平均分子量は、20000以上であることが好ましい。
また、ポリマーの重合度としては、10量体以上のものを使用することが好ましく、更に好ましくは20量体以上のものである。また、7000量体以下が好ましく、3000量体以下がより好ましく、2000量体以下が更に好ましく、1000量体以下が特に好ましい。
Although the weight average molecular weight of a polymer is not specifically limited, 1000 or more and 700,000 or less are preferable, More preferably, it is 2000 or more and 200,000 or less. In particular, from the viewpoint of polymerization sensitivity, the weight average molecular weight is preferably 20000 or more.
Moreover, as a polymerization degree of a polymer, it is preferable to use a 10-mer or more thing, More preferably, it is a 20-mer or more thing. Moreover, 7000-mer or less is preferable, 3000-mer or less is more preferable, 2000-mer or less is still more preferable, 1000-mer or less is especially preferable.
(好適態様)
ポリマーの好適態様として、以下の式(1)で表されるユニット(重合性基を有するユニット)を有するポリマーが挙げられる。該ユニットがポリマー中に含まれることにより、密着補助層18または樹脂層16との優れた密着性が発現されると共に、膜中で架橋反応が進行し強度に優れた膜を得ることができる。
(Preferred embodiment)
As a preferred embodiment of the polymer, a polymer having a unit (unit having a polymerizable group) represented by the following formula (1) can be mentioned. When the unit is contained in the polymer, excellent adhesion to the adhesion auxiliary layer 18 or the resin layer 16 is expressed, and a film having excellent strength can be obtained by a crosslinking reaction in the film.
式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
R1〜R4が、置換または無置換のアルキル基である場合、炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましい。より具体的には、無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられ、また、置換アルキル基としては、メトキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子)などで置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。
In formula (1), R < 1 > -R < 4 > represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group each independently.
When R < 1 > -R < 4 > is a substituted or unsubstituted alkyl group, a C1-C6 alkyl group is preferable and a C1-C4 alkyl group is more preferable. More specifically, examples of the unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, and examples of the substituted alkyl group include a methoxy group, a hydroxy group, and a halogen atom (for example, a chlorine atom). , A bromine atom, a fluorine atom) and the like, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.
なお、R1としては、水素原子、メチル基、または、ヒドロキシ基若しくは臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
R2としては、水素原子、メチル基、または、ヒドロキシ基若しくは臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
R3としては、水素原子が好ましい。
R4としては、水素原子が好ましい。
R 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a hydroxy group or a bromine atom.
R 2 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a hydroxy group or a bromine atom.
R 3 is preferably a hydrogen atom.
R 4 is preferably a hydrogen atom.
YおよびZは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基(好ましくは炭素数1〜3)、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基(好ましくは炭素数6〜12)、−O−、−S−、−N(R)−(R:アルキル基)、−CO−、−NH−、−COO−、−CONH−、またはこれらを組み合わせた基(例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など)などが挙げられる。該有機基は、発明の効果を損なわない範囲で、ヒドロキシ基などの置換基を有していてもよい。 Y and Z each independently represent a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group. Examples of the divalent organic group include a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group (preferably having 1 to 3 carbon atoms), a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group (preferably having 6 to 12 carbon atoms), -O —, —S—, —N (R) — (R: alkyl group), —CO—, —NH—, —COO—, —CONH—, or a combination thereof (eg, alkyleneoxy group, alkyleneoxy group) Carbonyl group, alkylenecarbonyloxy group, etc.). The organic group may have a substituent such as a hydroxy group as long as the effects of the invention are not impaired.
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、または、これらの基がメトキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子)などで置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子)などで置換されたフェニレン基が好ましい。
中でも、−(CH2)n−(nは1〜3の整数)が好ましく、更に好ましくは−CH2−である。
Examples of the substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, or a methoxy group, a hydroxy group, a halogen atom (for example, a chlorine atom). , Bromine atom, fluorine atom) and the like.
The substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group is preferably an unsubstituted phenylene group or a phenylene group substituted with a methoxy group, a hydroxy group, a halogen atom (for example, a chlorine atom, a bromine atom, or a fluorine atom). .
Among them, — (CH 2 ) n — (n is an integer of 1 to 3) is preferable, and —CH 2 — is more preferable.
YおよびZとしては、エステル基(−COO−)、アミド基(−CONH−)、エーテル基(−O−)、または、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基などが好ましく挙げられる。 Y and Z are preferably an ester group (—COO—), an amide group (—CONH—), an ether group (—O—), or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group.
L1は、置換または無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上記YおよびZで表される有機基と同義であり、例えば、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、−O−、−S−、−N(R)−(R:アルキル基)、−CO−、−NH−、−COO−、−CONH−、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。 L 1 represents a substituted or unsubstituted divalent organic group. The definition of a divalent organic group is synonymous with the organic group represented by said Y and Z, for example, a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, -O —, —S—, —N (R) — (R: alkyl group), —CO—, —NH—, —COO—, —CONH—, or a combination thereof.
L1としては、無置換のアルキレン基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する二価の有機基が好ましく、無置換のアルキレン基およびウレタン結合を有する二価の有機基がより好ましく、総炭素数1〜9であるものが特に好ましい。なお、ここで、L1の総炭素数とは、L1で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
L1の構造として、より具体的には、式(1−1)、または式(1−2)で表される構造であることが好ましい。
L 1 is preferably an unsubstituted alkylene group or a divalent organic group having a urethane bond or urea bond, more preferably an unsubstituted alkylene group or a divalent organic group having a urethane bond, and the total number of carbon atoms. Those having 1 to 9 are particularly preferred. Incidentally, the total number of carbon atoms of L 1, means the total number of carbon atoms contained in the substituted or unsubstituted divalent organic group represented by L 1.
More specifically, the structure of L 1 is preferably a structure represented by Formula (1-1) or Formula (1-2).
式(1−1)および式(1−2)中、RaおよびRbは、それぞれ独立して、二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は上記と同様であり、好ましくは、置換若しくは無置換の、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基などのアルキレン基、または、エチレンオキシド基、ジエチレンオキシド基、トリエチレンオキシド基、テトラエチレンオキシド基、ジプロピレンオキシド基、トリプロピレンオキシド基、テトラプロピレンオキシド基などのポリオキシアルキレン基などが挙げられる。 In formula (1-1) and formula (1-2), R a and R b each independently represent a divalent organic group. The definition of the divalent organic group is the same as described above. Preferably, a substituted or unsubstituted alkylene group such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a butylene group, or an ethylene oxide group, a diethylene oxide group, Examples thereof include polyoxyalkylene groups such as ethylene oxide group, tetraethylene oxide group, dipropylene oxide group, tripropylene oxide group and tetrapropylene oxide group.
式(1)で表されるユニットの好適態様として、式(1−A)で表されるユニットが挙げられる。 A preferred embodiment of the unit represented by the formula (1) includes a unit represented by the formula (1-A).
式(1−A)中、R1、R2、XおよびL1は、式(1)で表されるユニット中の各基の定義と同じである。Tは、酸素原子、またはNR(Rは、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数1〜5の無置換のアルキル基である。)を表す。 In the formula (1-A), R 1 , R 2 , X and L 1 are the same as the definitions of each group in the unit represented by the formula (1). T represents an oxygen atom or NR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).
式(1−A)で表されるユニットの好適態様として、式(1−B)で表されるユニットが挙げられる。 A preferred embodiment of the unit represented by the formula (1-A) is a unit represented by the formula (1-B).
式(1−B)中、R1、R2、およびL1は、式(1−A)で表されるユニット中の各基の定義と同じである。VおよびTは、酸素原子、またはNR(Rは、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数1〜5の無置換のアルキル基である。)を表す。 In formula (1-B), R 1 , R 2 , and L 1 are the same as defined for each group in the unit represented by formula (1-A). V and T represent an oxygen atom or NR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).
上記式(1−B)において、Tは、酸素原子であることが好ましい。
また、上記式(1−A)および式(1−B)において、L1は、無置換のアルキレン基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する二価の有機基が好ましく、ウレタン結合を有する二価の有機基がより好ましく、総炭素数1〜9であるものが特に好ましい。
In the above formula (1-B), T is preferably an oxygen atom.
In the above formulas (1-A) and (1-B), L 1 is preferably an unsubstituted alkylene group or a divalent organic group having a urethane bond or a urea bond. A valent organic group is more preferable, and a group having 1 to 9 carbon atoms is particularly preferable.
ポリマー中における式(1)で表されるユニットの含有量は特に制限されないが、反応性(重合性、硬化性)および基板との密着性の点で、全ユニット(100モル%)に対して、5〜50モル%が好ましく、5〜40モル%がより好ましい。5モル%未満の場合、反応性(硬化性、重合性)が低下する場合があり、50モル%を超える場合、ポリマーの合成の際にゲル化が起きやすく、反応の制御が難しくなる。 Although the content of the unit represented by the formula (1) in the polymer is not particularly limited, it is based on the total unit (100 mol%) in terms of reactivity (polymerizability, curability) and adhesion to the substrate. 5 to 50 mol% is preferable, and 5 to 40 mol% is more preferable. When the amount is less than 5 mol%, the reactivity (curability and polymerizability) may be reduced. When the amount exceeds 50 mol%, gelation is likely to occur during the synthesis of the polymer, and the control of the reaction becomes difficult.
ポリマーの好適態様として、以下の式(2)で表されるユニット(相互作用性基を有するユニット)を有するポリマーが挙げられる。該ユニットがポリマー中に含まれることにより、後述するめっき触媒またはその前駆体への吸着性が向上し、密着樹脂層20と後述する第2の導電膜24との優れた密着性が担保される。 As a preferred embodiment of the polymer, a polymer having a unit (unit having an interactive group) represented by the following formula (2) can be mentioned. By including the unit in the polymer, the adsorptivity to the plating catalyst or its precursor described later is improved, and excellent adhesion between the adhesive resin layer 20 and the second conductive film 24 described later is ensured. .
式(2)中、R5は、水素原子、又は、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。R5で表される置換または無置換のアルキル基は、上述したR1〜R4で表される置換または無置換のアルキル基と同義である。
R5としては、水素原子、メチル基、または、ヒドロキシ基若しくは臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
In formula (2), R 5 represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group. The substituted or unsubstituted alkyl group represented by R 5 has the same meaning as the substituted or unsubstituted alkyl group represented by R 1 to R 4 described above.
R 5 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a hydroxy group or a bromine atom.
XおよびL2は、それぞれ独立して、単結合、または置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上記ZおよびYで表される二価の有機基と同義であり、例えば、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、−O−、−S−、−N(R)−(R:アルキル基)、−CO−、−NH−、−COO−、−CONH−、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。 X and L 2 each independently represents a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group. The definition of the divalent organic group is synonymous with the divalent organic group represented by Z and Y, for example, a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group. , -O-, -S-, -N (R)-(R: alkyl group), -CO-, -NH-, -COO-, -CONH-, or a combination thereof.
Xとしては、単結合、エステル基(−COO−)、アミド基(−CONH−)、エーテル基(−O−)、または置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基などが好ましく挙げられ、より好ましくは単結合、エステル基(−COO−)、アミド基(−CONH−)である。 X preferably includes a single bond, an ester group (—COO—), an amide group (—CONH—), an ether group (—O—), or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, and more preferably. Are a single bond, an ester group (—COO—), and an amide group (—CONH—).
L2は、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、更に、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を介していてもよい。
中でも、L2は総炭素数が1〜15であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、L2の総炭素数とは、L2で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、およびこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、更には、これらを組み合わせた基が挙げられる。
L 2 is preferably a linear, branched, or cyclic alkylene group, an aromatic group, or a group obtained by combining these. The group obtained by combining the alkylene group and the aromatic group may further be via an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group, or a urea group.
Among these, L 2 preferably has 1 to 15 total carbon atoms, and particularly preferably unsubstituted. Incidentally, the total number of carbon atoms of L 2, means the total number of carbon atoms contained in the substituted or unsubstituted divalent organic group represented by L 2.
Specifically, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a phenylene group, and those groups substituted with a methoxy group, a hydroxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, etc., The group which combined these is mentioned.
Wは、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基(相互作用性基)を表し、その定義は上述の通りである。なかでも、めっき触媒またはその前駆体への吸着性に優れる点で、シアノ基またはカルボン酸基が好ましい。 W represents a functional group (interactive group) that forms an interaction with the plating catalyst or a precursor thereof, and the definition thereof is as described above. Of these, a cyano group or a carboxylic acid group is preferable because it is excellent in adsorptivity to the plating catalyst or its precursor.
なお、該ポリマー中においては、Wの種類が異なる2種以上の式(2)で表されるユニットを含んでいてもよく、得られる多層配線基板の接続信頼性や歩留りがより優れる点で、Wがシアノ基である式(2)で表されるユニットと、Wがカルボン酸基である式(2)で表されるユニットとが含まれることが好ましい。 In the polymer, the unit represented by the formula (2) of two or more different types of W may be included, and the connection reliability and yield of the obtained multilayer wiring board are more excellent. It is preferable that a unit represented by the formula (2) in which W is a cyano group and a unit represented by the formula (2) in which W is a carboxylic acid group are included.
式(2)で表されるユニットの好適態様として、式(2−A)で表されるユニットが挙げられる。 A preferred embodiment of the unit represented by the formula (2) is a unit represented by the formula (2-A).
上記式(2−A)中、R5、L2およびWは、式(2)で表されるユニット中の各基の定義と同じである。Uは、酸素原子、またはNR’(R’は、水素原子、またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子、または炭素数1〜5の無置換のアルキル基である。)を表す。 In said formula (2-A), R < 5 >, L < 2 > and W are the same as the definition of each group in the unit represented by Formula (2). U represents an oxygen atom or NR ′ (R ′ represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).
式(2−A)におけるL2は、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基(なかでも、二価の芳香族炭化水素基が好ましい)、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。
特に、式(2−A)においては、L2中のWとの連結部位が、直鎖、分岐、または環状のアルキレン基を有する二価の有機基であることが好ましく、中でも、この二価の有機基が総炭素数1〜10であることが好ましい。
また、別の好ましい態様としては、式(2−A)におけるL2中のWとの連結部位が、芳香族基を有する二価の有機基であることが好ましく、中でも、該二価の有機基が、総炭素数6〜15であることが好ましい。
L 2 in the formula (2-A) is a linear, branched, or cyclic alkylene group, an aromatic group (in particular, a divalent aromatic hydrocarbon group is preferable), or a combination thereof. Is preferred.
In particular, in the formula (2-A), the connecting site with W in L 2 is preferably a divalent organic group having a linear, branched, or cyclic alkylene group. These organic groups preferably have 1 to 10 carbon atoms in total.
As another preferred embodiment, the connecting portion of the W in L 2 in Formula (2-A) is preferably a divalent organic group having an aromatic group, and among them, the divalent organic The group preferably has a total carbon number of 6 to 15.
ポリマー中における式(2)で表されるユニットの含有量は特に制限されないが、めっき触媒などに対する吸着性の点で、全ユニット(100モル%)に対して、5〜95モル%が好ましく、10〜95モル%がより好ましい。 The content of the unit represented by the formula (2) in the polymer is not particularly limited, but is preferably 5 to 95 mol% with respect to all units (100 mol%) in terms of adsorptivity to the plating catalyst and the like. 10-95 mol% is more preferable.
ポリマー中における上記ユニット(式(1)で表されるユニット、式(2)で表されるユニット)の結合様式は特に限定されず、各ユニットがランダムに結合したランダム重合体であっても、各ユニットが同じ種類同士連結してブロック部を形成するブロックポリマーであってもよい。 The bonding mode of the above units in the polymer (unit represented by formula (1), unit represented by formula (2)) is not particularly limited, and even if each unit is a random polymer bonded at random, A block polymer in which each unit is connected to the same type to form a block portion may be used.
ポリマーは、上述した式(1)で表されるユニット、式(2)で表されるユニット以外に、他のユニットを含んでいてもよい。 The polymer may contain other units in addition to the unit represented by the above formula (1) and the unit represented by the formula (2).
(密着樹脂層形成用組成物)
密着樹脂層形成用組成物には上記ポリマーが含有される。
密着樹脂層形成用組成物中のポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、2〜50質量%が好ましく、5〜30質量%がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、密着樹脂層20の層厚の制御がしやすい。
(Adhesive resin layer forming composition)
The above polymer is contained in the composition for forming an adhesive resin layer.
The content of the polymer in the composition for forming an adhesive resin layer is not particularly limited, but is preferably 2 to 50% by mass and more preferably 5 to 30% by mass with respect to the total amount of the composition. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and it is easy to control the layer thickness of the contact | adherence resin layer 20. FIG.
密着樹脂層形成用組成物は、上記ポリマー以外に、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。
使用できる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピロニトリルなどのニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
この中でも、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましく、具体的には、アセトン、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、プロピオニトリル、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネートが好ましい。
The composition for forming an adhesive resin layer may contain a solvent as necessary in addition to the polymer.
Examples of solvents that can be used include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, glycerin, and propylene glycol monomethyl ether, acids such as acetic acid, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, formamide, dimethylacetamide, Amide solvents such as N-methylpyrrolidone, nitrile solvents such as acetonitrile and propyronitrile, ester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate, carbonate solvents such as dimethyl carbonate and diethyl carbonate, and other ether solvents A solvent, a glycol solvent, an amine solvent, a thiol solvent, a halogen solvent, etc. are mentioned.
Among these, amide solvents, ketone solvents, nitrile solvents, and carbonate solvents are preferable, and specifically, acetone, dimethylacetamide, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, acetonitrile, propionitrile, N-methylpyrrolidone, and dimethyl carbonate are preferable. .
密着樹脂層形成用組成物中の溶剤の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、50〜98質量%が好ましく、70〜95質量%がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、密着樹脂層20の層厚の制御などがしやすい。 Although content in particular of the solvent in the composition for adhesion resin layer formation is not restrict | limited, 50-98 mass% is preferable with respect to the composition whole quantity, and 70-95 mass% is more preferable. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and control of the layer thickness of the contact | adherence resin layer 20 is easy.
なお、密着樹脂層形成用組成物には、更に、界面活性剤、可塑剤、重合禁止剤、硬化剤、ラジカル発生剤、増感剤、ゴム成分(例えば、CTBN)、難燃化剤(例えば、りん系難燃化剤)、希釈剤やチキソトロピー化剤、顔料、消泡剤、レべリング剤、カップリング剤などを添加してもよい。 The adhesive resin layer forming composition further includes a surfactant, a plasticizer, a polymerization inhibitor, a curing agent, a radical generator, a sensitizer, a rubber component (for example, CTBN), a flame retardant (for example, , Phosphorus flame retardants), diluents and thixotropic agents, pigments, antifoaming agents, leveling agents, coupling agents and the like may be added.
上記工程によって、配線基板10表面に、絶縁層16、所望により形成される密着補助層18、及び密着樹脂層20が形成されてなる積層体22が得られる〔図1(A)参照〕。
密着樹脂層20は、めっき金属の受容層として有用である。従って、本発明における積層体22は、配線基板10上に密着性良好な第2の導電膜24(第2の配線)を形成するのに有用である。図1(A)では、絶縁層16、密着補助層18、及び密着樹脂層20は、配線基板10の両面に設けられているが、片面のみに設けられていてもよい。
Through the above process, a laminate 22 is obtained in which the insulating layer 16, the adhesion auxiliary layer 18 and the adhesion resin layer 20 that are formed as desired are formed on the surface of the wiring substrate 10 [see FIG. 1A].
The adhesion resin layer 20 is useful as a plating metal receiving layer. Therefore, the laminate 22 in the present invention is useful for forming the second conductive film 24 (second wiring) with good adhesion on the wiring substrate 10. In FIG. 1A, the insulating layer 16, the adhesion auxiliary layer 18, and the adhesion resin layer 20 are provided on both surfaces of the wiring substrate 10, but may be provided only on one surface.
<工程(B):めっき工程>
工程(B)では、上記(A)工程後に上記密着樹脂層に対してめっき触媒又はその前駆体を付与した後、めっきを行い、密着樹脂層上に第2の導電層を形成する。
より具体的には、図1(B)に示されるように、密着樹脂層20上に第2の導電層24が形成される。
第2の導電層24を構成する金属は、後述するめっきの種類に応じて適宜選択できるが、銅、銀、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロム、タングステン、インジウム、亜鉛、または、ガリウムなどが好ましく挙げられる。
<Process (B): Plating process>
In the step (B), a plating catalyst or a precursor thereof is applied to the adhesion resin layer after the step (A), and then plating is performed to form a second conductive layer on the adhesion resin layer.
More specifically, as shown in FIG. 1B, the second conductive layer 24 is formed on the adhesion resin layer 20.
Although the metal which comprises the 2nd conductive layer 24 can be suitably selected according to the kind of plating mentioned later, copper, silver, tin, palladium, gold | metal | money, nickel, chromium, tungsten, indium, zinc, or gallium etc. Preferably mentioned.
本工程においては、密着樹脂層20中に含まれる相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着(吸着)する。より具体的には、密着樹脂層20中またはその表面に、めっき触媒またはその前駆体が付着される。
めっき触媒またはその前駆体としては、後述するめっき処理における、めっきの触媒や電極として機能するものが挙げられる。そのため、めっき触媒またはその前駆体の種類は、めっきの種類により適宜決定される。
なお、本工程において用いられるめっき触媒またはその前駆体は、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。
以下、無電解めっき、またはその前駆体について詳述する。
In this step, the interactive group contained in the adhesive resin layer 20 adheres (adsorbs) the applied plating catalyst or its precursor depending on its function. More specifically, a plating catalyst or a precursor thereof is attached in the adhesive resin layer 20 or on the surface thereof.
Examples of the plating catalyst or its precursor include those that function as a plating catalyst or an electrode in the plating treatment described later. Therefore, the type of the plating catalyst or its precursor is appropriately determined depending on the type of plating.
In addition, it is preferable that the plating catalyst used in this process or its precursor is an electroless plating catalyst or its precursor.
Hereinafter, electroless plating or a precursor thereof will be described in detail.
(無電解めっき触媒)
無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属(Niよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの)などが挙げられ、具体的には、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられる。中でも、多座配位可能なものが好ましく、配位可能な官能基の種類数、触媒能の高さから、Ag、Pdが特に好ましい。
この無電解めっき触媒として、金属コロイドを用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤又は保護剤により調節することができる。
(Electroless plating catalyst)
Any electroless plating catalyst can be used as long as it becomes an active nucleus at the time of electroless plating. Specifically, a metal having a catalytic ability for an autocatalytic reduction reaction (lower ionization tendency than Ni). And the like, specifically, Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, Co, and the like. Among them, those capable of multidentate coordination are preferred, and Ag and Pd are particularly preferred from the number of types of functional groups capable of coordination and high catalytic ability.
A metal colloid may be used as the electroless plating catalyst. In general, a metal colloid can be prepared by reducing metal ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent. The charge of the metal colloid can be adjusted by the surfactant or protective agent used here.
(無電解めっき触媒前駆体)
無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である0価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、密着樹脂層20へ付与した後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属(無電解めっき触媒)に変化させてもよい。
(Electroless plating catalyst precursor)
The electroless plating catalyst precursor can be used without particular limitation as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction. The metal ions of the metals mentioned as the electroless plating catalyst are mainly used. The metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. The metal ion which is the electroless plating catalyst precursor may be applied to the adhesion resin layer 20 and then converted into a zero-valent metal by a reduction reaction before immersion in the electroless plating bath, and may be used as an electroless plating catalyst. Alternatively, the electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.
無電解めっき前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて密着樹脂層20に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基(陰イオン)とに解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO3)n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)Pd(OAc)n(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Agイオン、Cuイオン、Alイオン、Niイオン、Coイオン、Feイオン、Pdイオンが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数、及び触媒能の点で、Agイオン、Pdイオンが好ましい。 The metal ion that is the electroless plating precursor is preferably applied to the adhesion resin layer 20 using a metal salt. The metal salt used is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion), and M (NO 3 ) n , MCl n , M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) Pd (OAc) n (M represents an n-valent metal atom), and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include, for example, Ag ions, Cu ions, Al ions, Ni ions, Co ions, Fe ions, and Pd ions. Among them, those capable of multidentate coordination are preferable, and in particular, functionalities capable of coordination. In view of the number of types of groups and catalytic ability, Ag ions and Pd ions are preferable.
本発明で用いられる無電解めっき触媒又はその前駆体の好ましい例の一つとして、パラジウム化合物が挙げられる。このパラジウム化合物は、めっき処理時に活性核となり金属を析出させる役割を果たす、めっき触媒(パラジウム)又はその前駆体(パラジウムイオン)として作用する。パラジウム化合物としては、パラジウムを含み、めっき処理の際に核として作用すれば、特に限定されないが、例えば、パラジウム(II)塩、パラジウム(0)錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。 One of preferred examples of the electroless plating catalyst or precursor thereof used in the present invention is a palladium compound. This palladium compound acts as a plating catalyst (palladium) or a precursor thereof (palladium ions), which acts as an active nucleus during the plating treatment and plays a role of depositing metal. The palladium compound is not particularly limited as long as it contains palladium and acts as a nucleus in the plating process, and examples thereof include a palladium (II) salt, a palladium (0) complex, and a palladium colloid.
パラジウム塩としては、例えば、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、臭化パラジウム、炭酸パラジウム、硫酸パラジウム、ビス(ベンゾニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(アセトニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(エチレンジアミン)パラジウム(II)塩化物などが挙げられる。なかでも、取り扱いやすさと溶解性の点で、硝酸パラジウム、酢酸パラジウム、硫酸パラジウム、ビス(アセトニトリル)ジクロロパラジウム(II)が好ましい。
パラジウム錯体としては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体、ジパラジウムトリスベンジリデンアセトン錯体などが挙げられる。
パラジウムコロイドは、パラジウム(0)から構成される粒子で、その大きさは特に制限されないが、液中での安定性の観点から、5nm〜300nmが好ましく、10nm〜100nmがより好ましい。パラジウムコロイドは、必要に応じて、他の金属を含んでいてもよく、他の金属としては、例えば、スズなどが挙げられる。パラジウムコロイドとしては、例えば、スズ−パラジウムコロイドなどが挙げられる。なお、パラジウムコロイドは、公知の方法で合成してもよいし、市販品を使用してもよい。例えば、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、パラジウムイオンを還元することによりパラジウムコロイドを作製することができる。
Examples of the palladium salt include palladium acetate, palladium chloride, palladium nitrate, palladium bromide, palladium carbonate, palladium sulfate, bis (benzonitrile) dichloropalladium (II), bis (acetonitrile) dichloropalladium (II), and bis (ethylenediamine). ) Palladium (II) chloride and the like. Of these, palladium nitrate, palladium acetate, palladium sulfate, and bis (acetonitrile) dichloropalladium (II) are preferable in terms of ease of handling and solubility.
Examples of the palladium complex include tetrakistriphenylphosphine palladium complex and dipalladium trisbenzylideneacetone complex.
The palladium colloid is a particle composed of palladium (0), and its size is not particularly limited, but is preferably 5 nm to 300 nm, more preferably 10 nm to 100 nm, from the viewpoint of stability in the liquid. The palladium colloid may contain other metals as necessary, and examples of the other metals include tin. Examples of the palladium colloid include tin-palladium colloid. The palladium colloid may be synthesized by a known method or a commercially available product may be used. For example, a palladium colloid can be prepared by reducing palladium ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent.
(その他の触媒)
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒としては、0価金属を使用することができる。この0価金属としては、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、相互作用性基に対する吸着(付着)性、触媒能の高さから、Pd、Ag、Cuが好ましい。
(Other catalysts)
In this step, a zero-valent metal can be used as a catalyst used for direct electroplating without electroless plating. Examples of the zero-valent metal include Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, and Co. Among them, those capable of multidentate coordination are preferable, and in particular, adsorptive (adhesive) property to an interactive group, Pd, Ag, and Cu are preferable because of their high catalytic ability.
無電解めっき触媒である金属、又は、無電解めっき前駆体である金属塩を密着樹脂層20に付与する方法としては、金属を適当な分散媒に分散した分散液、又は、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その分散液又は溶液を密着樹脂層20上に塗布するか、或いは、その分散液又は溶液中に密着樹脂層20が形成された積層体を浸漬すればよい。
また、工程(A)において、密着補助層18上に、重合性基及び相互作用性基を有するポリマーを含有する密着樹脂層形成用組成物を接触させることがあるが、この組成物中に無電解めっき触媒又はその前駆体を添加する方法を用いてもよい。
重合性基及び相互作用性基を有するポリマーと、無電解めっき触媒又はその前駆体とを含有する組成物を、密着補助層18上に接触させて、表面グラフト重合法を適用することにより、相互作用性基を有し、且つ、密着補助層18と直接化学結合したポリマーと、めっき触媒又はその前駆体と、を含有する密着樹脂層20を形成することができる。
As a method for applying a metal that is an electroless plating catalyst or a metal salt that is an electroless plating precursor to the adhesion resin layer 20, a dispersion in which a metal is dispersed in an appropriate dispersion medium or a metal salt is appropriately used. A solution containing dissolved and dissociated metal ions is prepared, and the dispersion or solution is applied onto the adhesion resin layer 20, or the adhesion resin layer 20 is formed in the dispersion or solution. What is necessary is just to immerse a body.
Further, in the step (A), a composition for forming an adhesive resin layer containing a polymer having a polymerizable group and an interactive group may be brought into contact with the adhesion auxiliary layer 18. You may use the method of adding an electroplating catalyst or its precursor.
A composition containing a polymerizable group and an interactive group and a composition containing an electroless plating catalyst or a precursor thereof are brought into contact with the adhesion auxiliary layer 18 and applied with a surface graft polymerization method. It is possible to form the adhesion resin layer 20 having a functional group and containing a polymer directly chemically bonded to the adhesion auxiliary layer 18 and a plating catalyst or a precursor thereof.
(有機溶剤、及び水)
上記のようなめっき触媒又は前駆体は、分散液または溶液(触媒液)として密着樹脂層20に付与されることができる。なお、触媒液には、有機溶剤や水が用いられる。
有機溶剤を含有することで、密着樹脂層20に対するめっき触媒又は前駆体の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒又はその前駆体を吸着させることができる。
(Organic solvent and water)
The plating catalyst or precursor as described above can be applied to the adhesion resin layer 20 as a dispersion or solution (catalyst solution). An organic solvent or water is used for the catalyst solution.
By containing the organic solvent, the permeability of the plating catalyst or precursor to the adhesive resin layer 20 is improved, and the plating catalyst or its precursor can be efficiently adsorbed to the interactive group.
触媒液には、水を用いてもよく、この水としては、不純物を含まないことが好ましく、そのような観点からは、RO水や脱イオン水、蒸留水、精製水などを用いるのが好ましく、脱イオン水や蒸留水を用いるのが特に好ましい。 Water may be used for the catalyst solution, and it is preferable that this water does not contain impurities. From such a viewpoint, it is preferable to use RO water, deionized water, distilled water, purified water, or the like. It is particularly preferable to use deionized water or distilled water.
触媒液の調製に用いられる有機溶剤としては、密着樹脂層20に浸透しうる溶剤であれば特に制限は無いが、具体的には、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、2−(1−シクロヘキセニル)、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。 The organic solvent used for the preparation of the catalyst solution is not particularly limited as long as it is a solvent that can penetrate into the adhesive resin layer 20, and specifically, acetone, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol diacetate, Cyclohexanone, acetylacetone, acetophenone, 2- (1-cyclohexenyl), propylene glycol diacetate, triacetin, diethylene glycol diacetate, dioxane, N-methylpyrrolidone, dimethyl carbonate, dimethyl cellosolve, and the like can be used.
特に、めっき触媒又はその前駆体との相溶性、及び密着樹脂層20への浸透性の観点では水溶性の有機溶剤が好ましく、アセトン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブ、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルが好ましい。 In particular, a water-soluble organic solvent is preferable from the viewpoint of compatibility with the plating catalyst or its precursor and permeability to the adhesive resin layer 20, and acetone, dimethyl carbonate, dimethyl cellosolve, triethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, Diethylene glycol diethyl ether is preferred.
溶媒(水、有機溶剤)の含有量は、触媒液全量に対して0.5〜40質量%が好ましく、5〜30質量%がより好ましく、5〜20質量%が特に好ましい。
めっき触媒液には、めっき触媒又はその前駆体及び主たる溶剤である水に加え、本発明の効果を損なわない範囲において、目的に応じて他の添加剤を含有することができる。添加剤としては、以下に示すものが挙げられる。
例えば、膨潤剤(ケトン、アルデヒド、エーテル、エステル類等の有機化合物など)や、界面活性剤(アニオン性、カチオン性、双性、ノニオン性および低分子性または高分子性など)などが挙げられる。
The content of the solvent (water, organic solvent) is preferably 0.5 to 40% by mass, more preferably 5 to 30% by mass, and particularly preferably 5 to 20% by mass with respect to the total amount of the catalyst solution.
In addition to the plating catalyst or its precursor and water as the main solvent, the plating catalyst solution may contain other additives depending on the purpose within a range not impairing the effects of the present invention. Examples of the additive include those shown below.
Examples include swelling agents (such as organic compounds such as ketones, aldehydes, ethers, esters, etc.) and surfactants (such as anionic, cationic, zwitterionic, nonionic, low molecular or polymeric). .
上記のようにめっき触媒又はその前駆体を接触させることで、密着樹脂層20中の相互作用性基に、ファンデルワールス力のような分子間力による相互作用、又は、孤立電子対による配位結合による相互作用を利用して、めっき触媒又はその前駆体を吸着させることができる。
このような吸着を充分に行わせるという観点からは、分散液、溶液、組成物中の金属濃度、又は溶液中の金属イオン濃度は、0.001〜50質量%の範囲であることが好ましく、0.005〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、30秒〜24時間程度であることが好ましく、1分〜1時間程度であることがより好ましい。
この工程(B)の前段では、密着樹脂層20中の相互作用性基とめっき触媒又はその前駆体との間に相互作用を形成することができる。
By contacting the plating catalyst or a precursor thereof as described above, the interaction group in the adhesion resin layer 20 interacts with an intermolecular force such as van der Waals force or is coordinated with a lone electron pair. The plating catalyst or its precursor can be adsorbed by utilizing the interaction by bonding.
From the viewpoint of sufficiently performing such adsorption, the metal concentration in the dispersion, solution, composition, or metal ion concentration in the solution is preferably in the range of 0.001 to 50% by mass, More preferably, it is in the range of 0.005 to 30% by mass. Further, the contact time is preferably about 30 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 1 hour.
In the previous stage of this step (B), an interaction can be formed between the interactive group in the adhesive resin layer 20 and the plating catalyst or its precursor.
(めっき処理)
その後、無電解めっき触媒又はその前駆体が付与された密着樹脂層20に対し、めっきを行うことで、密着樹脂層20の表面に第2の導電層(めっき膜)24が形成される〔図1(B)〕。形成された第2の導電層24は、第2の金属配線として機能し、優れた導電性、密着性を有する。
第2の導電層の厚みは特に制限されないが、レーザ穴空け加工のしやすさ、及び、ビアの接続信頼性の点で、0.2〜20μmが好ましく、0.4〜10μmがより好ましく、5〜10μmが特に好ましい。
(Plating treatment)
Then, the 2nd conductive layer (plating film) 24 is formed in the surface of the adhesion resin layer 20 by plating with respect to the adhesion resin layer 20 to which the electroless-plating catalyst or its precursor was provided. 1 (B)]. The formed second conductive layer 24 functions as a second metal wiring and has excellent conductivity and adhesion.
The thickness of the second conductive layer is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 20 μm, more preferably 0.4 to 10 μm, from the viewpoint of ease of laser drilling and via connection reliability. 5-10 micrometers is especially preferable.
本工程で行われるめっきの種類は、無電解めっき、電気めっきが挙げられ、めっき触媒またはその前駆体の機能によって、適宜選択することができる。なかでも、密着樹脂層20中に発現するハイブリッド構造の形成性及び密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の膜厚のめっき層を得るために、無電解めっきの後に、更に電気めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。
The type of plating performed in this step includes electroless plating and electroplating, and can be appropriately selected depending on the function of the plating catalyst or its precursor. Especially, it is preferable to perform electroless plating from the point of the formation of the hybrid structure expressed in the adhesive resin layer 20 and the improvement of adhesiveness. In order to obtain a plating layer having a desired film thickness, it is a more preferable aspect that electroplating is further performed after electroless plating.
Hereinafter, the plating suitably performed in this process will be described.
(無電解めっき)
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された積層体を、水洗して余分な無電解めっき触媒(金属)を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
(Electroless plating)
Electroless plating refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.
The electroless plating in this step is performed, for example, by immersing the laminate provided with the electroless plating catalyst in water to remove excess electroless plating catalyst (metal) and then immersing it in an electroless plating bath. As the electroless plating bath to be used, a generally known electroless plating bath can be used.
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された積層体を、無電解めっき触媒前駆体が密着樹脂層20に吸着又は含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、積層体を水洗して余分な前駆体(金属塩など)を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬されることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液(還元液)を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体(主に金属イオン)を0価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、その濃度は0.1〜50質量%が好ましく、1〜30質量%がより好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。
In addition, when the laminate to which the electroless plating catalyst precursor is applied is immersed in an electroless plating bath in a state where the electroless plating catalyst precursor is adsorbed or impregnated in the adhesion resin layer 20, the laminate is washed with water. It is preferable to immerse in an electroless plating bath after removing excess precursors (such as metal salts). In this case, reduction of the plating catalyst precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath. As the electroless plating bath used here, a generally known electroless plating bath can be used as described above.
In addition, the reduction of the electroless plating catalyst precursor may be performed as a separate step before electroless plating by preparing a catalyst activation liquid (reducing liquid) separately from the embodiment using the electroless plating liquid as described above. Is possible. The catalyst activation liquid is a liquid in which a reducing agent capable of reducing an electroless plating catalyst precursor (mainly metal ions) to zero-valent metal is dissolved, and its concentration is preferably 0.1 to 50% by mass, and 1 to 30% by mass. % Is more preferable. As the reducing agent, it is possible to use a boron-based reducing agent such as sodium borohydride or dimethylamine borane, or a reducing agent such as formaldehyde or hypophosphorous acid.
一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。 As a composition of a general electroless plating bath, in addition to a solvent, 1. metal ions for plating; 2. reducing agent; Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions are mainly included. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.
無電解めっき浴に用いられる溶剤としては、水又は有機溶剤が挙げられる。有機溶剤としては、水に可能な溶剤である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。 Examples of the solvent used for the electroless plating bath include water and organic solvents. As the organic solvent, it is necessary to be a solvent that can be used for water, and from this point, ketones such as acetone and alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol are preferably used.
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。
また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が適宜選択される。例えば、銅の無電解めっきの浴は、銅塩としてCuSO4、還元剤としてHCOH、添加剤として銅イオンの安定剤であるEDTAやロッシェル塩などのキレート剤、トリアルカノールアミンなどが含まれている。また、CoNiPの無電解めっきに使用されるめっき浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解めっき浴は、金属イオンとして(Pd(NH3)4)Cl2、還元剤としてNH3、H2NNH2、安定化剤としてEDTAが含まれている。これらのめっき浴には、上記成分以外の成分が入っていてもよい。
Copper, tin, lead, nickel, gold, palladium, and rhodium are known as the types of metals used in the electroless plating bath, and copper and gold are particularly preferable from the viewpoint of conductivity.
Moreover, the optimal reducing agent and additive are suitably selected according to the said metal. For example, a copper electroless plating bath contains CuSO 4 as a copper salt, HCOH as a reducing agent, a chelating agent such as EDTA or Rochelle salt, which is a stabilizer for copper ions, and a trialkanolamine. . The plating bath used for electroless plating of CoNiP includes cobalt sulfate and nickel sulfate as metal salts, sodium hypophosphite as a reducing agent, sodium malonate, sodium malate, and sodium succinate as complexing agents. It is included. The palladium electroless plating bath contains (Pd (NH 3 ) 4 ) Cl 2 as metal ions, NH 3 and H 2 NNH 2 as reducing agents, and EDTA as a stabilizer. These plating baths may contain components other than the above components.
めっき浴への浸漬時間としては、1分〜6時間程度であることが好ましく、1分〜3時間程度であることがより好ましい。 The immersion time in the plating bath is preferably about 1 minute to 6 hours, and more preferably about 1 minute to 3 hours.
(電気めっき)
本工程おいては、工程(B)において付与されためっき触媒又はその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒又はその前駆体が付与された密着樹脂層20に対して、電気めっきを行うことができる。また、前述の無電解めっきの後、形成されためっき膜を電極とし、更に、電気めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ第2の導電層24(金属層)を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電気めっきを行うことで、第2の導電層24(金属層)を目的に応じた厚みに形成しうる。
(Electroplating)
In this step, when the plating catalyst or precursor thereof applied in step (B) has a function as an electrode, electroplating is performed on the adhesive resin layer 20 to which the catalyst or precursor thereof is applied. It can be carried out. In addition, after the above-described electroless plating, the formed plating film may be used as an electrode, and electroplating may be further performed. As a result, the second conductive layer 24 (metal layer) having an arbitrary thickness can be easily formed on the electroless plating film having excellent adhesion to the substrate. Thus, by performing electroplating after electroless plating, the second conductive layer 24 (metal layer) can be formed to a thickness according to the purpose.
電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電気めっきに用いられる金属としては、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。 As a method of electroplating, a conventionally known method can be used. Examples of the metal used for electroplating include copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, and zinc. From the viewpoint of conductivity, copper, gold, and silver are preferable, and copper is more preferable. preferable.
また、電気めっきにより得られる金属層の厚みについては、用途に応じて異なるものであり、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することでコントロールすることができる。 The thickness of the metal layer obtained by electroplating varies depending on the application, and can be controlled by adjusting the concentration of metal contained in the plating bath or the current density.
本発明において、めっき処理(無電解めっき、又は電気めっき)により、密着樹脂層20中に析出した金属が、該層中でフラクタル状の微細構造体として形成されていることによって、第2の導電層24と密着樹脂層20との密着性を更に向上させることができる。
密着樹脂層20中に存在する金属量は、基板断面を金属顕微鏡にて写真撮影したとき、密着樹脂層20の最表面から深さ0.5μmまでの領域に占める金属の割合が5〜50面積%であり、密着樹脂層20と金属界面の算術平均粗さRa(JIS B0633−2001)が0.05μm〜0.5μmである場合に、更に強い密着力が発現される。
In the present invention, the metal deposited in the adhesive resin layer 20 by the plating process (electroless plating or electroplating) is formed as a fractal microstructure in the layer, whereby the second conductive The adhesion between the layer 24 and the adhesion resin layer 20 can be further improved.
The amount of metal present in the adhesive resin layer 20 is such that when the cross section of the substrate is photographed with a metal microscope, the proportion of metal in the region from the outermost surface of the adhesive resin layer 20 to a depth of 0.5 μm is 5 to 50 areas. %, And when the arithmetic average roughness Ra (JIS B0633-2001) between the adhesive resin layer 20 and the metal interface is 0.05 μm to 0.5 μm, a stronger adhesive force is expressed.
<工程(C):ビアホール形成工程>
工程(C)では、工程(B)後に、レーザ加工又はドリル加工により、第2の導電層、密着樹脂層、および絶縁層を除去・貫通し、第1の導電層に達するようにビアホールを形成する。なお、密着補助層がある場合は、該密着補助層も上記処理により除去・貫通される。
より具体的には、図1(C)に示されるように、該工程では、第2の導電層24、密着樹脂層20、密着補助層18および絶縁層16を貫通し、第1の導電層14と第2の導電層24とを導通させるためのビアホール26を形成する。
<Process (C): Via hole formation process>
In step (C), after step (B), the second conductive layer, the adhesive resin layer, and the insulating layer are removed and penetrated by laser processing or drilling, and a via hole is formed so as to reach the first conductive layer. To do. In addition, when there exists a close_contact | adherence auxiliary | assistant layer, this close_contact | adherence auxiliary | assistant layer is also removed and penetrated by the said process.
More specifically, as shown in FIG. 1C, in this step, the first conductive layer penetrates through the second conductive layer 24, the adhesion resin layer 20, the adhesion auxiliary layer 18, and the insulating layer 16. A via hole 26 is formed in order to connect the first conductive layer 14 to the second conductive layer 24.
ビアの形成方法としては、レーザ加工またはドリル加工が挙げられる。
レーザ加工に使用されるレーザは、第2の導電層24、密着樹脂層20、密着補助層18および絶縁層16を除去し、かつ、所望の径のビアホールを形成しうるものであれば、特に制限はない。なかでも、加工性に優れる点、即ち、効率よく各層をアブレーションすることが可能であり、生産性に優れるという点から、炭酸ガスレーザー(CO2レーザ)、UV-YAGレーザ、エキシマレーザー等が用いられる。なかでも、60μm未満のマイクロビアを形成する点で、UV-YAGレーザが好ましい。
As a method for forming the via, laser processing or drilling may be mentioned.
The laser used for the laser processing is not particularly limited as long as the second conductive layer 24, the adhesion resin layer 20, the adhesion auxiliary layer 18 and the insulating layer 16 can be removed and a via hole having a desired diameter can be formed. There is no limit. Among these, carbon dioxide laser (CO 2 laser), UV-YAG laser, excimer laser, etc. are used because of excellent workability, that is, each layer can be ablated efficiently and productivity is excellent. It is done. Among these, a UV-YAG laser is preferable in that a micro via having a size of less than 60 μm is formed.
ドリル加工は、第2の導電層24、密着樹脂層20、密着補助層18および絶縁層16を除去し、かつ、所望の径のビアホールを形成しうるものであれば特に制限はないが、生産性や小径ビア加工性の観点で、スピンドリル法が一般的に用いられる。 The drilling is not particularly limited as long as the second conductive layer 24, the adhesion resin layer 20, the adhesion auxiliary layer 18 and the insulating layer 16 can be removed and a via hole having a desired diameter can be formed. From the viewpoint of the workability and small diameter via workability, the spin drill method is generally used.
本工程で形成されるビアホール26の径は使用目的に応じて適宜最適な径の大きさが選択されるが、高密度多層基板を形成する点から、トップ径(φ)が20〜150μmであり、ボトム径(φ)が20〜120μmであることが好ましく、トップ径(φ)が20〜60μmであり、ボトム径(φ)が20〜50μmであることが配線の微細化や集積化の観点ではより好ましい。 The diameter of the via hole 26 formed in this step is appropriately selected according to the purpose of use, but the top diameter (φ) is 20 to 150 μm from the viewpoint of forming a high-density multilayer substrate. The bottom diameter (φ) is preferably 20 to 120 μm, the top diameter (φ) is 20 to 60 μm, and the bottom diameter (φ) is 20 to 50 μm from the viewpoint of wiring miniaturization and integration. Then, it is more preferable.
<工程(D):デスミア処理>
工程(D)では、上記工程(C)によって形成されたビアホール26に残存するスミア(残渣)を除去するデスミア処理を行う。
レーザ加工やドリル加工によって第2の導電層24、密着樹脂層20、密着補助層18および絶縁層16を部分的に除去する際、樹脂が溶融する又は分解する時の溶融物や、分解物がビアホール26の側面や底部に付着すること、また、ビアホール26底部に存在する第1の導電層14に直接影響を与えないために、レーザ加工を調整することによって、ビアホールの底部に絶縁層16が一部残ることがある。本工程では、このような残渣を取り除く。
<Process (D): Desmear treatment>
In the step (D), a desmear process for removing smear (residue) remaining in the via hole 26 formed in the step (C) is performed.
When the second conductive layer 24, the adhesion resin layer 20, the adhesion auxiliary layer 18 and the insulating layer 16 are partially removed by laser machining or drilling, a melt or decomposition product when the resin melts or decomposes The insulating layer 16 is attached to the bottom of the via hole by adjusting the laser processing so that it adheres to the side surface and bottom of the via hole 26 and does not directly affect the first conductive layer 14 present at the bottom of the via hole 26. Some may remain. In this step, such a residue is removed.
デスミア処理の方法は特に制限されず公知の方法が採用されるが、ビアホール26穴部の表面を乾式及び/又は湿式法により粗化する方法により行われる。
乾式粗化法としては、バフ、サンドブラスト等の機械的研磨や、プラズマエッチングが挙げられる。
一方、湿式粗化法としては、過マンガン酸塩、重クロム酸塩、オゾン、過酸化水素/硫酸、硝酸、等の酸化剤を用いる方法や、強塩基や樹脂膨潤溶剤を用いる方法等の化学薬品処理が挙げられる。工程の簡便性からは、過マンガン酸塩などを用いる化学薬品処理が好ましい。
The desmear treatment method is not particularly limited, and a known method is adopted. However, the surface of the via hole 26 is roughened by a dry method and / or a wet method.
Examples of the dry roughening method include mechanical polishing such as buffing and sandblasting, and plasma etching.
On the other hand, wet roughening methods include chemical methods such as a method using an oxidizing agent such as permanganate, dichromate, ozone, hydrogen peroxide / sulfuric acid, nitric acid, or a method using a strong base or a resin swelling solvent. Examples include chemical treatment. From the simplicity of the process, chemical treatment using permanganate or the like is preferable.
デスミア処理の具体的な方法としては、例えば、市販品であるMLB211(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を20容量%、キューポジットZ10容量%を含む膨潤浴に、60〜85℃で1〜15分間浸漬した後、MLB213A(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を10容量%とMLB213B(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を15容量%含むエッチング浴に55℃〜85℃で2〜15分間浸漬処理し、MLB216−2(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を20容量%含む中和浴に35℃〜55℃で2〜10分間浸漬する等の公知の方法が挙げられる。 As a specific method of desmear treatment, for example, MLB211 (available from Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.), which is a commercial product, is added to a swelling bath containing 20% by volume and 10% by volume of Quposit Z at 1 to 60-85 ° C. After dipping for 15 minutes, the etching bath containing 10% by volume of MLB213A (Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) and 15% by volume of MLB213B (Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) at 2 to 15 at 55 to 85 ° C. For example, a known method may be used, such as a dipping treatment for 30 minutes and dipping in a neutralization bath containing 20% by volume of MLB 216-2 (Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) at 35 ° C. to 55 ° C. for 2 to 10 minutes.
デスミア処理の他の方法としては、過マンガン酸ナトリウム系のエッチング液を用いた80℃10分間のエッチング工程、硫酸系の中和液を用いて40℃5分間の中和工程などを有する処理が挙げられる。 As another method of desmear treatment, there is a treatment having an etching step at 80 ° C. for 10 minutes using a sodium permanganate etching solution, a neutralization step at 40 ° C. for 5 minutes using a sulfuric acid-based neutralizing solution, and the like. Can be mentioned.
デスミア処理を行っても、第1の導電層14及び第2の導電層24表面は化学薬品の影響を受けることなく表面平滑性を維持するが、ビアホール26の穴側面の露出部分は、スミアの除去と共に表面も粗面化される。このため、後述する工程(E)で形成される、第1の導電層14及び第2の導電層24を導通させる導通用金属膜28とビアホール26の壁面との親和性、密着性が向上するという利点も有することになる。 Even if the desmear treatment is performed, the surface of the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24 is maintained without being affected by chemicals, but the exposed portion of the side surface of the via hole 26 is smeared. The surface is also roughened with the removal. Therefore, the affinity and adhesion between the conductive metal film 28 that conducts the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24 and the wall surface of the via hole 26, which are formed in the step (E) described later, are improved. It will also have the advantage.
<工程(E):導通工程>
工程(E)では、上記工程(D)後に、ビアホール壁面に対して、グラファイトまたはカーボンブラックを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、第1の導電層と第2の導電層とを電気的に接続する。
より具体的には、図1(D)に示されるように、該工程では、第1の導電層14と第2の導電層26との間に、グラファイトまたはカーボンブラックの付与後の電気めっき処理により形成された導通用金属膜28が形成される。図1(D)に示されるように、導通用金属膜28は、ビアホール26の側面のみならず、第1の導電層14および第2の導電層26表面にも形成されてもよい。
<Process (E): Conduction process>
In the step (E), after the step (D), after applying graphite or carbon black to the via hole wall surface, electroplating is performed without performing electroless plating, and the first conductive layer and the second conductive layer are formed. The conductive layer is electrically connected.
More specifically, as shown in FIG. 1D, in this step, electroplating treatment after applying graphite or carbon black between the first conductive layer 14 and the second conductive layer 26 is performed. The conductive metal film 28 formed by the above is formed. As shown in FIG. 1D, the conductive metal film 28 may be formed not only on the side surface of the via hole 26 but also on the surfaces of the first conductive layer 14 and the second conductive layer 26.
(グラファイトまたはカーボンブラック)
該工程では、ビアフィリングを良好にする点で、グラファイトおよび/またはカーボンブラック(以下、炭素触媒とも称する)が使用され、特にグラファイトが好ましい。
(Graphite or carbon black)
In this step, graphite and / or carbon black (hereinafter also referred to as a carbon catalyst) is used from the viewpoint of improving via filling, and graphite is particularly preferable.
グラファイトとしてはその種類は特に制限されず、例えば、鱗状黒鉛、人造黒鉛、土状黒鉛等が用いられる。
グラファイトの平均粒径は特に制限されないが、ビアフィリングを良好にする点で、0.05〜8μmが好ましい。
グラファイトのBET比表面積は特に制限されないが、得られる多層配線基板の接続信頼性がより高いという点で、1〜100m2/gが好ましい。
The type of graphite is not particularly limited, and for example, scaly graphite, artificial graphite, earthy graphite and the like are used.
The average particle diameter of graphite is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 8 μm from the viewpoint of improving the via filling.
The BET specific surface area of graphite is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 m 2 / g in that the connection reliability of the resulting multilayer wiring board is higher.
カーボンブラックとしてはその種類は特に制限されず、例えば、SAF、ISAF、HAF、FEF等の従来から公知のカーボンブラックを用いることができる。
カーボンブラックの平均粒子径は特に制限されないが、ビアフィリングを良好にする点で、0.01〜1μmが好ましい。
グラファイトのBET比表面積は特に制限されないが、ビアフィリングを良好にする点で、1〜100m2/gが好ましい。
The type of carbon black is not particularly limited, and conventionally known carbon black such as SAF, ISAF, HAF, and FEF can be used.
The average particle size of the carbon black is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 1 μm from the viewpoint of improving the via filling.
The BET specific surface area of graphite is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 m 2 / g from the viewpoint of improving via filling.
(触媒付与方法)
ビアホール26の壁面に対して炭素触媒を付与する方法は特に制限されないが、操作性に優れ、壁面上における触媒量の制御が容易である点から、炭素触媒を含む溶液または分散液をビアホール26の壁面に接触させる方法が好ましい。該溶液または分散液をビアホール26の壁面に接触させる方法は特に制限されず、例えば、ビアホール26を有する積層体上に該溶液または分散液を塗布する方法や、該溶液または分散液中にビアホール26を有する積層体を浸漬する方法などが挙げられる。
なお、浸漬方法を実施する場合は、生産性等の点から、積層体を該溶液または分散液中に3〜10分浸漬することが好ましい。
(Catalyst application method)
The method for applying the carbon catalyst to the wall surface of the via hole 26 is not particularly limited. However, from the viewpoint of excellent operability and easy control of the amount of catalyst on the wall surface, a solution or dispersion containing the carbon catalyst is added to the via hole 26. A method of contacting the wall surface is preferred. A method for bringing the solution or dispersion into contact with the wall surface of the via hole 26 is not particularly limited. For example, a method of applying the solution or dispersion on a laminate having the via hole 26 or a via hole 26 in the solution or dispersion is used. The method of immersing the laminated body which has this is mentioned.
In addition, when implementing the immersion method, it is preferable to immerse a laminated body in this solution or a dispersion for 3 to 10 minutes from points, such as productivity.
該溶液または分散液に使用される溶媒は特に制限されず、例えば、上述した上記密着樹脂層形成用組成物中に含有される溶媒などが挙げられる。
なかでも、触媒付与や洗浄効率に優れる点で、水、エタノール、ジオール(グリコール)などが好ましい。
該溶液または分散液中における炭素触媒の含有量は、使用される溶媒や触媒の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、触媒付与の効率に優れる点で、該溶液または分散液全量に対して、0.1〜5質量%が好ましく、0.2〜3質量%がより好ましい。
The solvent used in the solution or dispersion is not particularly limited, and examples thereof include a solvent contained in the above-described composition for forming an adhesive resin layer.
Of these, water, ethanol, diol (glycol) and the like are preferable from the viewpoint of excellent catalyst application and cleaning efficiency.
The content of the carbon catalyst in the solution or dispersion is appropriately selected according to the type of solvent and catalyst used, but the total amount of the solution or dispersion is excellent in terms of catalyst application efficiency. The content is preferably 0.1 to 5% by mass, and more preferably 0.2 to 3% by mass.
触媒付与後、必要に応じて、第1の導電層14および第2の導電層24上に付着した余分な炭素触媒を除去するために、洗浄工程を設けてもよい。
具体的には、洗浄液を第1の導電層14および第2の導電層24に接触させることにより、余分な炭素触媒を除去する方法が挙げられる。洗浄液を接触させる方法は特に制限されず、洗浄液を第1の導電層14および第2の導電層24上に塗布する方法や、第1の導電層14および第2の導電層24を備える積層体を洗浄液中に浸漬する方法が挙げられる。
なお、洗浄液としては、例えば、硫酸/過酸化水素水溶液などが挙げられる。
After applying the catalyst, if necessary, a cleaning step may be provided in order to remove excess carbon catalyst attached on the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24.
Specifically, a method of removing excess carbon catalyst by bringing the cleaning liquid into contact with the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24 can be mentioned. The method of bringing the cleaning liquid into contact is not particularly limited, and a method of applying the cleaning liquid onto the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24, or a laminate including the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24. The method of immersing in a washing | cleaning liquid is mentioned.
Examples of the cleaning liquid include sulfuric acid / hydrogen peroxide aqueous solution.
(めっき方法)
ビアホール26の壁面(具体的には、図1(C)に示されるように、絶縁層16、密着補助層18、密着樹脂層20)に炭素触媒を付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行う。無電解めっきを行うと、第1の導電層14と第2の導電層24との接続が不十分となり接続信頼性が損なわれる。さらに、第2の導電層24上に形成されるめっき膜の接着性が充分でないといった問題も生じる。
(Plating method)
Without applying electroless plating after applying a carbon catalyst to the wall surface of the via hole 26 (specifically, as shown in FIG. 1C, the insulating layer 16, the adhesion auxiliary layer 18, and the adhesion resin layer 20). Electroplating is performed. When electroless plating is performed, the connection between the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24 becomes insufficient, and connection reliability is impaired. Furthermore, the problem that the adhesiveness of the plating film formed on the 2nd conductive layer 24 is not enough arises.
本工程における電気めっきの方法は、上記工程(B)で説明した電気めっきと同様の方法を実施することができる。
なお、電気めっきを行う前に、後述する工程(F)および(G)を行い、密着樹脂層20上にパターン状のレジスト層を形成し、その後電気めっきを行ってもよい。この場合、電気めっき後に、後述する工程(I)を行って、レジスト層を除去してもよい。
As the electroplating method in this step, the same method as the electroplating described in the above step (B) can be performed.
In addition, before performing electroplating, the process (F) and (G) mentioned later may be performed, a pattern-form resist layer may be formed on the contact | adherence resin layer 20, and electroplating may be performed after that. In this case, the resist layer may be removed by performing step (I) described later after electroplating.
第1の導電層14と第2の導電層24とを導通する導通用金属膜28の厚みは適宜制御することができるが、インピーダンス・コントロールなど回路設計の点から、4〜50μmが好ましく、8〜30μmがより好ましい。 Although the thickness of the conductive metal film 28 that conducts the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24 can be appropriately controlled, it is preferably 4 to 50 μm from the viewpoint of circuit design such as impedance control. More preferably, it is ˜30 μm.
上記工程により得られた2層の配線を有する多層配線基板は、実装に適するように、さらなる配線を形成するコアとなる基板として使用することもできる。本発明の形成方法により得られた多層配線板にさらなる配線を積層する方法としては、公知のセミアディティブ法、サブトラクティブ法などを適用することができる。
以下、本発明の形成方法により得られた多層配線板を用い、さらなる配線を形成する代表的な形成方法について説明する。第2の導電層24表面にさらに配線を形成するために、以下の工程(F)〜工程(I)を行うことができる。
The multilayer wiring board having two layers of wiring obtained by the above process can also be used as a board serving as a core for forming further wiring so as to be suitable for mounting. As a method of laminating further wiring on the multilayer wiring board obtained by the forming method of the present invention, a known semi-additive method, subtractive method, or the like can be applied.
Hereinafter, a typical forming method for forming further wiring using the multilayer wiring board obtained by the forming method of the present invention will be described. In order to further form wiring on the surface of the second conductive layer 24, the following steps (F) to (I) can be performed.
<工程(F):レジスト層形成工程>
工程(F)では、密着樹脂層上に形成された金属膜表面に、めっきレジスト層を形成する。
より具体的には、図2(A)で示されるように、導通用金属膜28表面に、めっきレジスト層30を形成する。
めっきレジスト層は、公知の方法で形成することができ、一般的なドライフィルムレジストやソルダーレジストなどが用いられ、ドライフィルムレジストが好ましい。ドライフィルムレジストとしては、如何なる材料も使用でき、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。
めっきレジスト層30の厚みは、形成される配線の厚みに応じて選択されるが、一般的には、5〜200μmが好ましい。5μm未満ではフィルムが切れやすいため取扱いにくく、一方、耐折性を満たすといったハンドリング性の観点からは200μm以下であることが好ましい。
<Step (F): Resist layer forming step>
In the step (F), a plating resist layer is formed on the surface of the metal film formed on the adhesion resin layer.
More specifically, as shown in FIG. 2A, a plating resist layer 30 is formed on the surface of the conductive metal film 28.
The plating resist layer can be formed by a known method, and a general dry film resist, a solder resist, or the like is used, and a dry film resist is preferable. Any material can be used as the dry film resist, and negative, positive, liquid, and film-like ones can be used.
Although the thickness of the plating resist layer 30 is selected according to the thickness of the wiring to be formed, it is generally preferably 5 to 200 μm. If the thickness is less than 5 μm, the film is easily cut and difficult to handle. On the other hand, it is preferably 200 μm or less from the viewpoint of handling properties such as satisfying folding resistance.
<工程(G):パターニング工程>
工程(G)では、形成されためっきレジスト層30を、パターン露光、現像によりパターニングする。
より具体的には、図2(B)に示されるように、形成しようとする配線パターン(金属パターン)と同じ領域にはめっきレジスト層30を有さず、金属パターンの非形成領域のみにめっきレジスト層30が存在するようにパターンを形成する。
ドライフィルムレジストのパターン形成方法は、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能である。
<Process (G): Patterning process>
In the step (G), the formed plating resist layer 30 is patterned by pattern exposure and development.
More specifically, as shown in FIG. 2B, the plating resist layer 30 is not provided in the same region as the wiring pattern (metal pattern) to be formed, and plating is performed only in the region where the metal pattern is not formed. A pattern is formed so that the resist layer 30 exists.
As the pattern forming method of the dry film resist, any method used at the time of manufacturing the printed wiring board can be used.
<工程(H):配線パターン形成工程>
工程(H)では、めっきレジスト層を使用して電気めっきを行い、配線パターンを形成する。
より具体的には、図2(C)に示されるように、パターニングされためっきレジスト層30をマスクとして電気めっきを行い、めっきレジスト層30の非形成領域にパターン状の金属層32を形成する。これがさらなる配線パターンを形成することになる。
電気めっきは、上記工程(B)で説明した電気めっきと同様の方法を実施することができる。
形成される金属層32の膜厚は、配線の目的に応じて選択されるが、一般には、0.3〜3μmの範囲であることが好ましい。
<Process (H): Wiring pattern formation process>
In step (H), electroplating is performed using a plating resist layer to form a wiring pattern.
More specifically, as shown in FIG. 2C, electroplating is performed using the patterned plating resist layer 30 as a mask to form a patterned metal layer 32 in a region where the plating resist layer 30 is not formed. . This forms a further wiring pattern.
The electroplating can be performed by the same method as the electroplating described in the step (B).
The thickness of the formed metal layer 32 is selected according to the purpose of the wiring, but generally it is preferably in the range of 0.3 to 3 μm.
<工程(I):レジスト層除去工程>
工程(I)では、金属層(配線パターン)の形成後、電気めっきの通電に使用した非配線パターン部のめっきレジスト層を除去する。
より具体的には、図2(D)に示すように、金属層32を形成した後、非配線領域のめっきレジスト層30を除去する。このようにして、図2(D)に示すように、めっきレジスト層30の非形成領域のみにパターン状の金属層32(配線パターン)が形成される。なお、図2(D)に示すように、形成されたパターン状の金属層32は、下層の第2の導電層24、及び、その表面に形成された導通用金属膜28により互いに導通されているため、必要に応じて、ドライフィルムレジストパターンを除去した後にクイックエッチングを実施し、第2の導電層24および導通用金属膜28のうち、不要な領域をパターン状に除去することで、第2の導電層24、導通用金属膜28、および金属膜32からなる配線パターン34の形成が完了し、多層配線板が得られる〔図2(E)〕。
エッチング方法としては、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能であり、湿式エッチング、ドライエッチングのいずれでもよいが、作業性の観点からは、湿式エッチングが好ましい。エッチング液として、例えば、塩化第二銅、塩化第二鉄等の水溶液を使用することができる。
<Step (I): Resist Layer Removal Step>
In step (I), after the formation of the metal layer (wiring pattern), the plating resist layer in the non-wiring pattern portion used for energization of electroplating is removed.
More specifically, as shown in FIG. 2D, after the metal layer 32 is formed, the plating resist layer 30 in the non-wiring region is removed. In this way, as shown in FIG. 2D, a patterned metal layer 32 (wiring pattern) is formed only in the region where the plating resist layer 30 is not formed. As shown in FIG. 2D, the formed patterned metal layer 32 is electrically connected to each other by the lower second conductive layer 24 and the conductive metal film 28 formed on the surface thereof. Therefore, if necessary, quick etching is performed after removing the dry film resist pattern, and unnecessary regions of the second conductive layer 24 and the conductive metal film 28 are removed in a pattern. The formation of the wiring pattern 34 including the conductive layer 24, the conductive metal film 28, and the metal film 32 is completed, and a multilayer wiring board is obtained [FIG. 2 (E)].
As an etching method, any method used at the time of manufacturing a printed wiring board can be used, and either wet etching or dry etching may be used, but wet etching is preferable from the viewpoint of workability. As an etching solution, for example, an aqueous solution of cupric chloride, ferric chloride, or the like can be used.
<多層配線基板>
本発明の形成方法により得られた多層配線基板は、例えば、半導体チップ、各種電気配線板、FPC、COF、TAB、マザーボード、パッケージインターポーザー基板等の種々の用途に適用することができる。
なかでも、本発明の方法により作製された多層配線基板は、平滑な基板との密着性に優れた配線が容易に形成でき、高周波特性も良好であるとともに、微細な高密度配線であっても、配線間の接続信頼性に優れる。
<Multilayer wiring board>
The multilayer wiring board obtained by the forming method of the present invention can be applied to various uses such as a semiconductor chip, various electric wiring boards, FPC, COF, TAB, a motherboard, a package interposer board, and the like.
In particular, the multilayer wiring board produced by the method of the present invention can easily form wiring with excellent adhesion to a smooth substrate, has good high-frequency characteristics, and is a fine high-density wiring. Excellent connection reliability between wires.
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these.
以下に、本実施例で使用するポリマーの合成方法について詳述する。
(合成例1:ポリマーA)
1000mlの三口フラスコに、N−メチルピロリドン35gを入れ、窒素気流下、75℃まで加熱した。そこへ、2−ヒドロキシエチルアクリレート(市販品、東京化成製)6.60g、2−シアノエチルアクリレート28.4g、及びV−601(和光純薬製)0.65gのN−メチルピロリドン35g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を80℃まで加熱し、更に3時間撹拌した。その後、室温まで、反応溶液を冷却した。
上記の反応溶液に、ジターシャリーブチルハイドロキノン0.29g、ジブチルチンジラウレート0.29g、カレンズAOI(昭和電工(株)製)18.56g、及びN−メチルピロリドン19gを加え、55℃、6時間反応を行った。その後、反応液にメタノールを3.6g加え、更に1.5時間反応を行った。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、本発明のポリマーAを25g得た。
Below, the synthesis method of the polymer used in a present Example is explained in full detail.
(Synthesis Example 1: Polymer A)
A 1000 ml three-necked flask was charged with 35 g of N-methylpyrrolidone and heated to 75 ° C. under a nitrogen stream. There, N-methylpyrrolidone 35 g solution of 6.60 g of 2-hydroxyethyl acrylate (commercial product, manufactured by Tokyo Chemical Industry), 28.4 g of 2-cyanoethyl acrylate, and 0.65 g of V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) The solution was added dropwise over 2.5 hours. After completion of dropping, the reaction solution was heated to 80 ° C. and further stirred for 3 hours. Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature.
Ditertiary butyl hydroquinone 0.29 g, dibutyltin dilaurate 0.29 g, Karenz AOI (manufactured by Showa Denko KK) 18.56 g, and N-methylpyrrolidone 19 g are added to the above reaction solution and reacted at 55 ° C. for 6 hours. Went. Thereafter, 3.6 g of methanol was added to the reaction solution, and the reaction was further performed for 1.5 hours. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, the solid matter was taken out, and 25 g of the polymer A of the present invention was obtained.
(構造の同定)
ポリマーAを重DMSOに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが4.3−4.05ppm(2H分)、2.9−2.8ppm(2H分)、2.5−1.3ppm(3H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが7.2−7.3ppm(1H分)、6.4−6.3ppm(1H分)、6.2−6.1ppm(1H分)、6.0−5.9ppm(1H分)、4.3−4.05ppm(6H分)、3.3−3.2ppm(2H分)、2.5−1.3ppm(3H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:ニトリル基含有ユニット=22:78(mol比)であることが分かった。
(Identification of structure)
Polymer A was dissolved in heavy DMSO and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to nitrile group-containing units are broadly observed at 4.3-4.05 ppm (2H min), 2.9-2.8 ppm (2H min), 2.5-1.3 ppm (3H min), Peaks corresponding to the polymerizable group-containing units are 7.2 to 7.3 ppm (1 H min), 6.4 to 6.3 ppm (1 H min), 6.2 to 6.1 ppm (1 H min), 6.0 − 5.9ppm (1H min), 4.3-4.05ppm (6H min), 3.3-3.2ppm (2H min), 2.5-1.3ppm (3H min) broadly observed and polymerized It was found that the functional group-containing unit: nitrile group-containing unit = 22: 78 (mol ratio).
(分子量の測定)
ポリマーAを、THFに溶解させ、東ソー製高速GPC(HLC−8220GPC)を用いて分子量の測定を行った。その結果、23.75分にピークが現れ、ポリスチレン換算でMw=5300(Mw/Mn=1.54)であることが分かった。
なお、以下のポリマーAの化学式中の数値は、各ユニットのモル%を表す。
(Measurement of molecular weight)
Polymer A was dissolved in THF, and molecular weight was measured using Tosoh high speed GPC (HLC-8220GPC). As a result, a peak appeared at 23.75 minutes, and it was found that Mw = 5300 (Mw / Mn = 1.54) in terms of polystyrene.
In addition, the numerical value in the chemical formula of the following polymer A represents the mol% of each unit.
(合成例2:ポリマーB)
1Lの三口フラスコに酢酸エチル300mL、2−ヒドロキシエチルメタクリレート30g、ピリジン19.8gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2−ブロモイソ酪酸ブロミド57gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去した後、カラムクロマトグラフィーにてモノマーを精製した(25g)。
(Synthesis Example 2: Polymer B)
In a 1 L three-necked flask, 300 mL of ethyl acetate, 30 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 19.8 g of pyridine were placed and cooled in an ice bath. Thereto was added dropwise 57 g of 2-bromoisobutyric acid bromide so that the internal temperature was 20 ° C. or less. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed 4 times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and after distilling off ethyl acetate, the monomer was purified by column chromatography (25 g).
(構造の同定)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド28gを入れ、窒素気流下、65℃まで加熱した。そこへ、上記で合成したモノマー:20.9g、アクリロニトリル(東京化成工業(株)製)4.0g、アクリル酸(東京化成工業(株)製)8.6g、V−65(和光純薬工業(株)製)0.49gのN,N−ジメチルアセトアミド11.5g溶液を、4時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド173gを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成工業(株)製)0.13g、1,8−ジアザビシクロウンデセン66.8gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応液に70質量%メタンスルホン酸水溶液65g加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマーB(重量平均分子量6.2万)を20g得た。得られたポリマーBの酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、及び滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、この特定ポリマーBの酸価は3.2mmol/gであった。
(Identification of structure)
A 500 mL three-necked flask was charged with 28 g of N, N-dimethylacetamide and heated to 65 ° C. under a nitrogen stream. The monomer synthesized above: 20.9 g, acrylonitrile (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 4.0 g, acrylic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 8.6 g, V-65 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.49 g N, N-dimethylacetamide 11.5 g solution was added dropwise over 4 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 173 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. To the above reaction solution, 0.13 g of 4-hydroxy TEMPO (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 66.8 g of 1,8-diazabicycloundecene were added and reacted at room temperature for 12 hours. Thereafter, 65 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was performed with water, and the solid matter was taken out to obtain 20 g of polymer B (weight average molecular weight 62,000). When the acid value of the obtained polymer B was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of this specific polymer B was It was 3.2 mmol / g.
得られたポリマーBの同定をIR測定機((株)堀場製作所製)を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させKBr結晶を用いて行った。IR測定の結果、2240cm−1付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されている事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重DMSO(ジメチルスルホキシド)に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(5H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが重合性基含有ユニットに相当するピークが6.2−6.0ppm(1H分)、5.8−6.0ppm(1H分)、4.4−4.0ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(8H分)にブロードに観察され、にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:ニトリル基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=31:32:37(mol比)であることが分かった。 The obtained polymer B was identified using an IR measuring machine (manufactured by Horiba, Ltd.). The measurement was performed by dissolving the polymer in acetone and using KBr crystals. As a result of IR measurement, a peak was observed in the vicinity of 2240 cm −1 and it was found that acrylonitrile, which is a nitrile unit, was introduced into the polymer. Moreover, it was found from the acid value measurement that acrylic acid was introduced as a carboxylic acid unit. Moreover, it melt | dissolved in heavy DMSO (dimethyl sulfoxide), and measured by NMR (AV-300) of Bruker 300MHz. A peak corresponding to the nitrile group-containing unit is broadly observed at 2.5 to 0.7 ppm (5H min), and a peak corresponding to the polymerizable group-containing unit is 6.2 to a peak corresponding to the polymerizable group-containing unit. Broadly observed at 6.0 ppm (1H min), 5.8-6.0 ppm (1H min), 4.4-4.0 ppm (4H min), 2.5-0.7 ppm (8H min), A peak observed broad and a peak corresponding to a carboxylic acid group unit was observed broadly at 2.5 to 0.7 ppm (3H min), and a polymerizable group-containing unit: nitrile group-containing unit: carboxylic acid group unit = 31: 32 : 37 (mol ratio).
<実施例1>
[1.絶縁層の作製]
第1の導電層(銅箔)が予め形成されたガラスエポキシ基板上に、電気的絶縁層として味の素ファインテクノ社製エポキシ系絶縁膜GX−13(膜厚45μm)を、加熱、加圧して、真空ラミネーターにより0.2MPaの圧力で100〜110℃の条件により接着して、絶縁膜を形成した。
<Example 1>
[1. Preparation of insulating layer]
An epoxy insulating film GX-13 (film thickness 45 μm) manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. is heated and pressurized as an electrical insulating layer on a glass epoxy substrate on which a first conductive layer (copper foil) is formed in advance. The insulating film was formed by bonding with a vacuum laminator at a pressure of 0.2 MPa under conditions of 100 to 110 ° C.
[2.密着補助層の作製]
次に、JER806(ビスフェノールF型エポキシ樹脂:ジャパンエポキシレジン製)11.8質量部、LA7052(フェノライト、硬化剤:大日本インキ化学工業)4.8質量部、YP50−35EK(フェノキシ樹脂、東都化成製)21.7質量部、シクロヘキサノン61.6質量部、及び2−エチル−4−メチルイミダゾール(硬化促進剤)0.1質量部を混合した混合溶液を、ろ布(メッシュ#200)にて濾過し、塗布液を調製した。
この塗布液を、スピンコータ(300rpmで5秒回転後、1500rpmで20秒回転)にて上記基板に塗布し、その後、180℃で30分乾燥して硬化させた。これにより、基板A1を得た。硬化した密着補助層の厚みは1.0μmであった。この基板A1の表面凹凸(Ra)は0.10μm(200μm2)であった。
[2. Preparation of adhesion auxiliary layer]
Next, JER806 (bisphenol F type epoxy resin: made by Japan Epoxy Resin) 11.8 parts by mass, LA7052 (phenolite, curing agent: Dainippon Ink and Chemicals) 4.8 parts by mass, YP50-35EK (phenoxy resin, Toto) Kasei) 21.7 parts by mass, 61.6 parts by mass of cyclohexanone, and 0.1 parts by mass of 2-ethyl-4-methylimidazole (curing accelerator) were mixed into a filter cloth (mesh # 200). And filtered to prepare a coating solution.
This coating solution was applied to the substrate with a spin coater (rotated at 300 rpm for 5 seconds and then rotated at 1500 rpm for 20 seconds), and then dried and cured at 180 ° C. for 30 minutes. Thereby, a substrate A1 was obtained. The thickness of the cured adhesion auxiliary layer was 1.0 μm. The surface roughness (Ra) of the substrate A1 was 0.10 μm (200 μm 2 ).
[3.塗布液(密着樹脂層形成用組成物)の調製、及び、密着樹脂層の作製]
重合性基及び相互作用性基を有するポリマーAの7%アセトニトリル溶液に、ポリマーA100重量部に対して20質量部の合成ゴム〔Nipol1041、商品名:日本ゼオン社製〕を添加し、密着樹脂層形成用組成物1の塗布液を調製した。
[3. Preparation of coating solution (composition for forming adhesive resin layer) and preparation of adhesive resin layer]
To 7% acetonitrile solution of polymer A having a polymerizable group and an interactive group, 20 parts by mass of synthetic rubber [Nipol 1041, trade name: manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.] is added to 100 parts by weight of polymer A, and an adhesive resin layer A coating solution for forming composition 1 was prepared.
調製された塗布液を上記基板A1の密着補助層上に、スピンコータ(300rpmで5秒回転後、750rpmで20秒回転)にて塗布し、80℃にて30分乾燥した。乾燥後、三永電機製のUV露光機(型番:UVF−502S、ランプ:UXM−501MD)を用い、石英製のマスクを介して10mW/cm2の照射パワー(ウシオ電機製紫外線積算光量計UIT150−受光センサーUVD−S254で照射パワー測定)にて、100秒間照射させて、密着補助層全面にグラフトポリマーを生成させ、密着補助層と直接結合したポリマーが含まれる密着樹脂層を形成した。積算露光量は500mJであった。 The prepared coating solution was applied onto the adhesion auxiliary layer of the substrate A1 by a spin coater (rotated at 300 rpm for 5 seconds and then rotated at 750 rpm for 20 seconds) and dried at 80 ° C. for 30 minutes. After drying, using a UV exposure machine (model number: UVF-502S, lamp: UXM-501MD) manufactured by Mitsunaga Electric, an irradiation power of 10 mW / cm 2 through a quartz mask (Ushio's UV integrated light meter UIT150) -Irradiation power measurement with the light receiving sensor UVD-S254), irradiation was performed for 100 seconds, a graft polymer was generated on the entire surface of the adhesion auxiliary layer, and an adhesion resin layer containing a polymer directly bonded to the adhesion assistance layer was formed. The integrated exposure amount was 500 mJ.
その後、攪拌した状態のアセトニトリル中にグラフトポリマーが生成された基板を5分間浸漬し、続いて、蒸留水にて洗浄した。これにより、密着樹脂層を有する積層体を得た。密着樹脂層の厚みは、0.3μmであった。 Thereafter, the substrate on which the graft polymer was formed was immersed in acetonitrile in a stirred state for 5 minutes, and then washed with distilled water. Thereby, the laminated body which has an adhesion resin layer was obtained. The thickness of the adhesive resin layer was 0.3 μm.
[4.めっき触媒の付与]
得られた積層体を、硝酸パラジウムの0.05質量%アセトン溶液に、30分間浸漬した後、アセトン及び蒸留水で、各々1〜2分間洗浄した。
[4. Application of plating catalyst]
The obtained laminate was immersed in a 0.05% by mass acetone solution of palladium nitrate for 30 minutes, and then washed with acetone and distilled water for 1 to 2 minutes, respectively.
[5.無電解めっき]
上記のようにして、めっき触媒が付与された積層体に対し、上村工業(株)製スルカップPGTを用い、下記組成の無電解めっき浴を用い、無電解めっき温度26℃で60分間、無電解めっきを行い、積層体表面に第2の導電層を有する積層体を得た。得られた無電解銅めっき膜の厚みは1.0μmであった。
無電解めっき液の調液順序及び原料は以下の通りである。
蒸留水 約60容量%
PGT−A 9.0容量%
PGT−B 6.0容量%
PGT−C 3.5容量%
ホルマリン液* 2.3容量%
最後に、全量が100容量%となるように蒸留水にて液面調整した。
*ここで用いたホルマリンは、和光純薬のホルムアルデヒド液(特級)である。
[5. Electroless plating]
As described above, the laminated body provided with the plating catalyst was subjected to electrolysis plating using Urumura Kogyo Co., Ltd. sulcup PGT, using an electroless plating bath having the following composition at an electroless plating temperature of 26 ° C. for 60 minutes. Plating was performed to obtain a laminate having a second conductive layer on the surface of the laminate. The thickness of the obtained electroless copper plating film was 1.0 μm.
The preparation order and raw materials of the electroless plating solution are as follows.
Approximately 60% by volume of distilled water
PGT-A 9.0% by volume
PGT-B 6.0% by volume
PGT-C 3.5% by volume
Formalin solution * 2.3% by volume
Finally, the liquid level was adjusted with distilled water so that the total amount would be 100% by volume.
* The formalin used here is a Wako Pure Chemical formaldehyde solution (special grade).
[6.ビアの形成]
UV−YAGレーザを用いて周波数5000HZでショット数200〜300の間、パルスエネルギー0.05〜0.12mJの間で調整し、ビアのトップ径60μmの第1の導電層表面まで到達するビアホールを形成した。
[6. Formation of vias]
Using a UV-YAG laser, a via hole reaching the surface of the first conductive layer having a top diameter of 60 μm is adjusted at a frequency of 5000 Hz with a shot number of 200 to 300 and a pulse energy of 0.05 to 0.12 mJ. Formed.
[7.デスミア処理]
デスミア処方としては、MLB211(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を20容量%、キューポジットZを10容量%含有する膨潤浴に積層体を70℃で7分間浸漬した後、MLB213A(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を10容量%とMLB213B(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を15容量%含有するエッチング浴に80℃で10分間浸漬処理し、MLB216−2(ロームアンドハース電子材料株式会社製)を20容量%含有する中和浴に45℃で7分間浸漬することにより、ビアホールのデスミア処理を実施した。
[7. Desmear processing]
As the desmear formulation, MLB213A (Rohm and Hearth) was prepared by immersing the laminate for 7 minutes at 70 ° C. in a swelling bath containing 20% by volume of MLB211 (manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) and 10% by volume of Cuposit Z. An immersion bath containing 10% by volume of Electronic Materials Co., Ltd. and 15% by volume of MLB213B (Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) was immersed for 10 minutes at 80 ° C., and MLB 216-2 (Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) The via hole was subjected to desmear treatment by immersing in a neutralization bath containing 20% by volume of the product (made by company) at 45 ° C. for 7 minutes.
[8.炭素触媒付与]
25℃の蒸留水200gに、リノレン酸ナトリウム4.0gを添加した。その後、グラファイト(伊藤黒鉛工業製、CP-2、平均粒径2μm、BET比表面積20m2/g)4.0gを添加し、30分間攪拌して、分散液を得た。
得られた分散液(25℃)に、デスミア処理が施された積層体を15分間浸漬して、ビアホール壁面にグラファイトを付与した。
[8. Carbon catalyst]
To 200 g of distilled water at 25 ° C., 4.0 g of sodium linolenate was added. Then, 4.0 g of graphite (manufactured by Ito Graphite Industries, CP-2, average particle diameter 2 μm, BET specific surface area 20 m 2 / g) was added and stirred for 30 minutes to obtain a dispersion.
The laminate subjected to desmear treatment was immersed in the obtained dispersion (25 ° C.) for 15 minutes to give graphite to the via hole wall surface.
[9.洗浄工程]
第1の導電層と第2の導電層に付着した余分なグラファイト触媒を除去するために、25℃の硫酸/過酸化水素水溶液(蒸留水100g、硫酸3.2N 16g、過酸化水素水90g)中に積層体を40秒間浸漬した。
[9. Cleaning process]
In order to remove excess graphite catalyst adhering to the first conductive layer and the second conductive layer, sulfuric acid / hydrogen peroxide aqueous solution at 25 ° C. (100 g of distilled water, 16 g of sulfuric acid 3.2N, 90 g of hydrogen peroxide) The laminate was immersed in it for 40 seconds.
[10.電気めっき用のめっきレジスト層の形成とパターニング]
1%硫酸水溶液にて銅表面を洗浄した後、温度110±10℃、圧力0.35±0.05Mpaにて、ドライフィルムレジスト(ALPHO NIT3025:ニチゴー・モートン(株)社製)をラミネートした。回路パターンの焼付けを、ガイド穴を基準として超高圧水銀ランプで120mJ/cm2にて紫外線を照射してパターン露光を実施した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて30℃にてスプレー圧0.15MPaにてドライフィルムレジストを現像してめっきレジストパターンを形成した。
[10. Formation and patterning of plating resist layer for electroplating]
After washing the copper surface with a 1% aqueous sulfuric acid solution, a dry film resist (ALPHA NIT3025: manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was laminated at a temperature of 110 ± 10 ° C. and a pressure of 0.35 ± 0.05 Mpa. The circuit pattern was baked by irradiating ultraviolet rays at 120 mJ / cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp with reference to the guide hole, and then sprayed at 30 ° C. with a 1% aqueous sodium carbonate solution. The dry film resist was developed at 15 MPa to form a plating resist pattern.
[11.電気めっき]
第1の導電層、第2の導電層、および付与された炭素触媒を給電層として、下記組成の電気銅めっき浴を用い、3A/dm2の条件で、電気めっきを45分間行った。得られた電気銅めっき膜の厚みは20μmであった。
[11. Electroplating]
Using the first conductive layer, the second conductive layer, and the applied carbon catalyst as a power feeding layer, electroplating was performed for 45 minutes under the condition of 3 A / dm 2 using an electrolytic copper plating bath having the following composition. The thickness of the obtained electrolytic copper plating film was 20 μm.
(電気めっき浴の組成)
・硫酸銅 38g
・硫酸 95g
・塩酸 1mL
・カッパーグリームPCM(メルテックス(株)製) 3mL
・水 500g
(Composition of electroplating bath)
・ Copper sulfate 38g
・ 95 g of sulfuric acid
・ Hydrochloric acid 1mL
・ Copper Greeme PCM (Meltex Co., Ltd.) 3mL
・ Water 500g
[12.レジストの剥離とエッチング]
4質量%水酸化ナトリウム水溶液をレジスト剥離液として用い、80℃にてスプレー圧0.2MPaにて100秒間表面に適用することでめっきレジストパターンを剥離除去処理した。その後、非回路パターン部分の下地導電層として使用した銅がなくなるように過水硫酸系のソフトエッチング液にて除去して、配線パターン34を作製した(図3参照)。
上記工程後、得られた基板を水洗いして、ブラインドビアにて層間接続されたセミアディティブパターンを得た。具体的には、50μmφのブラインドビア100ヶ所が接続されたビア・チェーン(デイジー・チェーン)(図3参照)を、各々20ユニットずつ作製した。該ユニットを用いて、後述する評価試験を行った。
[12. Stripping and etching resist
The plating resist pattern was stripped and removed by applying it to the surface at a spray pressure of 0.2 MPa at 80 ° C. for 100 seconds using a 4 mass% sodium hydroxide aqueous solution as the resist stripping solution. Thereafter, the wiring pattern 34 was prepared by removing the copper used as the underlying conductive layer in the non-circuit pattern portion with a perhydrosulfuric acid-based soft etching solution (see FIG. 3).
After the above steps, the obtained substrate was washed with water to obtain a semi-additive pattern in which interlayer connections were made by blind vias. Specifically, 20 units of via chains (daisy chains) (see FIG. 3) connected with 100 50 μmφ blind vias were produced. The evaluation test mentioned later was done using this unit.
<実施例2>
実施例1で実施した[5.無電解めっき]の処理時間を20分に変更して、厚み0.3μmの無電解銅めっきを作製後、引き続き該銅めっきを給電層として、下記組成の電気銅めっき浴を用い、3A/dm2の条件で、電気めっきを10分間行い、厚み5μmの銅めっきを得た以外は、実施例1と同様の方法にて、多層配線基板を作製した。
<Example 2>
It implemented in Example 1 [5. The electroless plating] treatment time was changed to 20 minutes to produce an electroless copper plating having a thickness of 0.3 μm. Subsequently, the copper plating was used as a power feeding layer, and an electrolytic copper plating bath having the following composition was used. 3A / dm A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that electroplating was performed for 10 minutes under the condition 2 to obtain a copper plating having a thickness of 5 μm.
(電気めっき浴の組成)
・硫酸銅 38g
・硫酸 95g
・塩酸 1mL
・カッパーグリームPCM(メルテックス(株)製) 3mL
・水 500g
(Composition of electroplating bath)
・ Copper sulfate 38g
・ 95 g of sulfuric acid
・ Hydrochloric acid 1mL
・ Copper Greeme PCM (Meltex Co., Ltd.) 3mL
・ Water 500g
<実施例3>
実施例1で使用したポリマーAの代わりにポリマーBを使用した以外は、実施例1と同様の方法にて、多層配線基板を作製した。
<Example 3>
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that Polymer B was used instead of Polymer A used in Example 1.
<実施例4>
実施例1で実施した[8.炭素触媒付与]および[9.洗浄工程]の代わりに、下記の[ビア壁面への分散液(「MacDermid Blackhole(商標)SP溶液」)の吸着]により、ビア壁面へ炭素触媒の吸着・洗浄を行い、それ以外は実施例1同様にして、多層配線基板を作製した。
<Example 4>
It implemented in Example 1 [8. Carbon catalyst addition] and [9. Instead of the “cleaning step”, the carbon catalyst is adsorbed and washed on the via wall surface by the following [Adsorption of dispersion liquid on the via wall surface (“MacDermide Blackhole ™ SP solution”)]. Otherwise, Example 1 Similarly, a multilayer wiring board was produced.
[ビア壁面への分散液(「MacDermid Blackhole(商標)SP溶液」)の吸着]
6g/Lの2.5−ジノニルイミダゾール水溶液(pH4.4、酢酸により調節)中に、デスミア処理が施された積層体を、35℃で1分間浸漬し、濯いだ。次に、MacDermid社製の分散液「MacDermid Blackhole(商標)SP溶液」に、積層体を54℃で5分間浸漬し、水洗した。さらに、積層体を該分散液に32℃で90秒間浸漬して取り出し、強制的風乾した。その後、85℃、1分間、加熱乾燥した。
さらに、積層体を5%塩酸水溶液中に38℃で1分間浸漬し、水洗した。余分な炭素触媒を除去し、ビア壁面にのみ炭素触媒を吸着させた。
[Adsorption of dispersion on via wall (“MacDermid Blackhole ™ SP solution”)]
The laminate subjected to desmear treatment in 6 g / L of 2.5-dinonylimidazole aqueous solution (pH 4.4, adjusted with acetic acid) was immersed for 1 minute at 35 ° C. and rinsed. Next, the laminate was immersed in a dispersion “MacDermid Blackhole ™ SP solution” manufactured by MacDermid for 5 minutes at 54 ° C. and washed with water. Further, the laminate was taken out by immersing in the dispersion at 32 ° C. for 90 seconds and forcibly air-dried. Then, it heat-dried at 85 degreeC for 1 minute.
Further, the laminate was immersed in a 5% aqueous hydrochloric acid solution at 38 ° C. for 1 minute and washed with water. Excess carbon catalyst was removed, and the carbon catalyst was adsorbed only on the via wall surface.
<実施例5>
実施例1の[8.炭素触媒付与]を下記手順Aのように変更し、さらに、実施例1の[9.洗浄工程]を下記手順Bのように変更した以外は実施例1と同様の方法にて、多層配線基板を製作した。
<Example 5>
[8. Carbon catalyst addition] is changed as in the following procedure A, and further [9. A multilayer wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the cleaning step] was changed as in Procedure B below.
手順A:「25℃の蒸留水200gに、タンニン酸6.5gを添加した。その後、粒状カーボンブラック(三菱化学(株)製、銘柄名 #3230B、平均粒径23nm、BET比表面積220m2/g)4.0gを添加し、30分間攪拌して、分散液を得た。得られた分散液(25℃)に、デスミア処理が施された積層体15分浸漬して、ビアホール壁面に導電カーボンブラックを付与した。」
手順B:「第1の導電層と第2の導電層に付着した余分なカーボンブラック触媒を除去するために、25℃の硫酸/過酸化水素水溶液(蒸留水100g、硫酸3.2N 16g、過酸化水素水90g)中に積層体を40秒間浸漬した。」
Procedure A: “6.5 g of tannic acid was added to 200 g of distilled water at 25 ° C. Thereafter, granular carbon black (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., brand name # 3230B, average particle size 23 nm, BET specific surface area 220 m 2 / g) 4.0 g was added and stirred for 30 minutes to obtain a dispersion liquid, which was immersed in the obtained dispersion liquid (25 ° C.) for 15 minutes to conduct electricity on the via hole wall surface. Added carbon black. "
Procedure B: “To remove excess carbon black catalyst adhering to the first conductive layer and the second conductive layer, an aqueous sulfuric acid / hydrogen peroxide solution at 25 ° C. (100 g of distilled water, 16 g of sulfuric acid 3.2N, The laminate was immersed in 90 g of hydrogen oxide water for 40 seconds. "
<比較例1>
実施例1中の[8.炭素触媒付与]で行った処理の代わりに、以下の[無電解めっき触媒付与、及び、無電解めっき]に記載の処理を行った以外は、実施例1と同様の方法にて多層配線基板を作製した。
<Comparative Example 1>
[8. A multilayer wiring board was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the treatment described in the following [Electroless plating catalyst application and electroless plating] was performed instead of the treatment performed in [Carbon catalyst application]. Produced.
[無電解めっき触媒付与および無電解めっき]
ビアホールを有する積層体を、硝酸パラジウムの0.05質量%アセトン溶液に、30分間浸漬した後、アセトン及び蒸留水で、各々1〜2分間洗浄した。
ビアホールの壁面にめっき触媒が付与された積層体に対し、上村工業(株)製スルカップPGTを用い、下記組成の無電解めっき浴を用い、無電解めっき温度26℃で20分間、無電解めっきを行い、第1の導電層と第2の導電層を導通するように無電解銅めっき膜(厚み:0.3μm)を作製した。
無電解めっき液の調液順序及び原料は以下の通りである。
蒸留水 約60容量%
PGT−A 9.0容量%
PGT−B 6.0容量%
PGT−C 3.5容量%
ホルマリン液* 2.3容量%
最後に、全量が100容量%となるように蒸留水にて液面調整した。
*ここで用いたホルマリンは、和光純薬のホルムアルデヒド液(特級)である。
[Application of electroless plating catalyst and electroless plating]
The laminate having via holes was immersed in a 0.05% by mass acetone solution of palladium nitrate for 30 minutes, and then washed with acetone and distilled water for 1 to 2 minutes, respectively.
The laminate with the plating catalyst applied to the wall surface of the via hole is subjected to electroless plating for 20 minutes at an electroless plating temperature of 26 ° C. using an electroless plating bath of the following composition, using Sulcup PGT manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd. Then, an electroless copper plating film (thickness: 0.3 μm) was produced so as to make the first conductive layer and the second conductive layer conductive.
The preparation order and raw materials of the electroless plating solution are as follows.
Approximately 60% by volume of distilled water
PGT-A 9.0% by volume
PGT-B 6.0% by volume
PGT-C 3.5% by volume
Formalin solution * 2.3% by volume
Finally, the liquid level was adjusted with distilled water so that the total amount would be 100% by volume.
* The formalin used here is a Wako Pure Chemical formaldehyde solution (special grade).
<比較例2>
第1の導電層(銅箔)が予め形成されたガラスエポキシ基板上に、厚み0.06mmのガラス繊維により補強されたエポキシ系プリプレグ(半硬化絶縁膜;日立化成工業製、MCL−E−67N)を真空プレスにて押圧5MPa、硬化温度180℃の条件にて1時間処理した後、実施例1の[4.めっき触媒の付与]、[5.無電解めっき]、[6.ビアの形成]、[7.デスミア処理]を行なった。
<Comparative example 2>
Epoxy prepreg (semi-cured insulating film; manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., MCL-E-67N) reinforced with glass fiber having a thickness of 0.06 mm on a glass epoxy substrate on which a first conductive layer (copper foil) is formed in advance ) In a vacuum press at a pressure of 5 MPa and a curing temperature of 180 ° C. for 1 hour, and then [4. Application of plating catalyst], [5. Electroless plating], [6. Formation of vias], [7. Desmear treatment] was performed.
その後、実施例4で行った[ビア壁面への分散液(「MacDermid Blackhole(商標)SP溶液」)の吸着]を行ない、その後、実施例1の[10.電気めっき用のめっきレジスト層の形成とパターニング]から[12.レジストの剥離とエッチング]の処理を行ない、多層配線基板を作製した。 Thereafter, the [dispersion of the dispersion (“MacDermid Blackhole ™ SP solution”) on the via wall surface] performed in Example 4 was performed, and then [10. Formation and patterning of plating resist layer for electroplating] to [12. Removal of resist and etching] were performed, and a multilayer wiring board was manufactured.
上記比較例1では、導通用金属膜を作製する際に、特開2008−334602号に対応した無電解めっき法を利用して、多層配線基板を作製した。
また、比較例2では、密着樹脂層を使用せずに、多層配線基板を作製した。
In Comparative Example 1 described above, a multilayer wiring board was produced using an electroless plating method corresponding to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-334602 when producing a conductive metal film.
In Comparative Example 2, a multilayer wiring board was produced without using an adhesive resin layer.
<接続信頼性評価>
実施例1〜5、及び、比較例1〜2で得られたビア・チェーンの接続信頼性を評価するために、配線形成直後の導通不良率(初期不良)、及び、サーマルショック試験 MIL-STD-883D(環境;液相、温度範囲;−65℃⇔+150℃、周期;2分)1000サイクル後の導通不良率を調べた。なお、初期不良が生じたものは、サーマルショック試験から除外している。また、ここでは導通しなかったものを、導通不良として判断した。結果を表1にまとめて示す。
なお、実施例、比較例はラボスケール品であるが、その場合の合格基準は、表1「ビア・チェーン接続不良率(Total)」が20%以下である。
<Connection reliability evaluation>
In order to evaluate the connection reliability of the via chain obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, the continuity failure rate (initial failure) immediately after the formation of the wiring, and the thermal shock test MIL-STD -883D (environment; liquid phase, temperature range; -65 ° C. + 150 ° C., cycle: 2 minutes) The conduction failure rate after 1000 cycles was examined. In addition, those in which initial failure occurred are excluded from the thermal shock test. Moreover, what was not conducted here was judged as poor conduction. The results are summarized in Table 1.
In addition, although an Example and a comparative example are lab scale products, as for the acceptance criteria in that case, Table 1 "via chain connection failure rate (Total)" is 20% or less.
<密着樹脂層(または絶縁層)の表面粗さ>
実施例1〜5、及び、比較例1〜2で得られたビア・チェーン表面の銅箔をエッチングして、密着樹脂層の表面表さ(Ra)を非接触式三次元平面度測定機(VeriFireTM XP/D、Zygo社製)にて測定した。結果を表1にまとめて示す。
なお、比較例2においては密着樹脂層の代わりに、絶縁層の表面粗さを測定した。
<Surface roughness of the adhesive resin layer (or insulating layer)>
The copper foil on the via / chain surface obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 is etched, and the surface appearance (Ra) of the adhesion resin layer is measured with a non-contact type three-dimensional flatness measuring device ( VeriFire ™ XP / D, manufactured by Zygo). The results are summarized in Table 1.
In Comparative Example 2, the surface roughness of the insulating layer was measured instead of the adhesive resin layer.
<表層銅箔の引き剥がし強度(90°ピール強度)>
実施例1〜5、及び、比較例1〜2で得られたビア基板に対して、JIS C 6481 (1996年)プリント配線板用銅張積層板試験に記載の方法にて表層銅箔の90°引き剥がし試験を行った。試験機は(株)島津製作所製のオートグラフAGS−Jを使用し、引き剥がす銅箔の幅は10mm、引き剥がし速度は毎分50mm、測定数はN=5とし、その平均値を算出した。結果を表1にまとめて示す。
なお、実用上の点から、ピール強度は0.6〜0.7N/mm以上であることが必要である。
<Stripping strength of surface copper foil (90 ° peel strength)>
For the via substrates obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, the surface copper foil 90 was subjected to the method described in JIS C 6481 (1996) copper-clad laminate test for printed wiring boards. Detachment test was conducted. The test machine used Autograph AGS-J made by Shimadzu Corporation, the width of the copper foil to be peeled off was 10 mm, the peeling speed was 50 mm per minute, the number of measurements was N = 5, and the average value was calculated. . The results are summarized in Table 1.
From a practical point of view, the peel strength needs to be 0.6 to 0.7 N / mm or more.
<歩留まり評価>
実施例1〜5、及び、比較例1〜2のセミアディティブ法にてパターン形成した表層の銅配線(図3中、配線パターン34に該当)は、LS:10μm、配線厚み:20μm、配線長は4mmであった。面状検査は配線200本ずつ行い、配線の歪み、剥れ・倒れ、消失が生じている数を調べ、その割合(歩留り不良率)を算出した。結果を表1にまとめて示す。
なお、実施例、比較例はラボスケール品であるが、その場合の合格基準は、表1「微細配線歩留り不良(LS10μm不良率)」が20%以下である。
<Yield evaluation>
The surface layer copper wiring (corresponding to the wiring pattern 34 in FIG. 3) patterned by the semi-additive method of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 is LS: 10 μm, wiring thickness: 20 μm, wiring length Was 4 mm. The surface inspection was performed for every 200 wirings, the number of wiring distortions, peeling / falling, and disappearances was examined, and the ratio (yield defect rate) was calculated. The results are summarized in Table 1.
In addition, although an Example and a comparative example are lab scale products, as for the acceptance criteria in that case, Table 1 "fine wiring yield defect (LS10micrometer defect rate)" is 20% or less.
本発明の製造方法によって得られた実施例1〜5は、接続不良率、および微細配線の歩留り不良率が低く、かつ、表面に形成された銅箔(金属膜)の密着性にも優れていた。
一方、導電性を示す触媒を使用せず、無電解めっきを行った比較例1では、接続不良率、および微細配線の歩留りともに不良率が高い。比較例1のビア壁面およびビア底部は無電解めっきと電気めっきによって接合されているが、無電解めっき膜と電気めっき膜との間の密着力は一般的に低くなりやすい。このような低い密着力により、ビア接続不良が生じた、と予想される。
また、比較例1はJIS C 6481 (1996年)の条件で測定した90°ピール強度は高い。一方、微細配線では1cm幅サイズの密着力の値よりも、配線スケールにおける密着力の面内バラツキの程度が重要であるが、この測定は困難である。比較例1の歩留り不良が高い原因としては、平面領域が無電解めっき膜と、電気めっき膜との積層という、面内バラツキ、特に微小スケールでのバラツキが大きくなりがちな構成をとっているため、と思われる。
また、密着樹脂層を使用していない比較例2も接続不良率、歩留まり不良ともに高い。比較例2では、絶縁層の表面粗さが大きいため、歩留り不良率が極めて高いと判断できる。一方、比較例2の接続不良率が低い原因としては、実施例1から5の密着樹脂層が応力緩和層として働き、これが予想以上の効果を示したこと、および、サーマルショックの極めて厳しい条件などが挙げられる。その結果、比較例2と、実施例1から5との差が顕著に現れたのではないかと思われる。
In Examples 1 to 5 obtained by the production method of the present invention, the connection failure rate and the yield failure rate of fine wiring are low, and the adhesiveness of the copper foil (metal film) formed on the surface is also excellent. It was.
On the other hand, in Comparative Example 1 in which electroless plating was performed without using a conductive catalyst, both the connection failure rate and the yield of fine wiring were high. Although the via wall surface and the via bottom portion of Comparative Example 1 are joined by electroless plating and electroplating, the adhesion between the electroless plating film and the electroplating film tends to be generally low. Due to such a low adhesion, via connection failure is expected.
Further, Comparative Example 1 has a high 90 ° peel strength measured under the conditions of JIS C 6481 (1996). On the other hand, in the fine wiring, the degree of in-plane variation of the adhesion force on the wiring scale is more important than the value of the adhesion force of 1 cm width size, but this measurement is difficult. The reason for the high yield failure in Comparative Example 1 is that the planar region has a structure in which in-plane variation, particularly in microscale, tends to be large, such as lamination of an electroless plating film and an electroplating film. ,I think that the.
Further, Comparative Example 2 in which the adhesive resin layer is not used has a high connection failure rate and yield failure. In Comparative Example 2, since the surface roughness of the insulating layer is large, it can be determined that the yield defect rate is extremely high. On the other hand, the reason why the connection failure rate of Comparative Example 2 is low is that the adhesive resin layers of Examples 1 to 5 function as stress relaxation layers, which showed an effect more than expected, and extremely severe conditions of thermal shock. Is mentioned. As a result, it seems that the difference between the comparative example 2 and the examples 1 to 5 appears remarkably.
10:配線基板
12:基板
14:第1の導電層
16:絶縁層
18:密着補助層
20:密着樹脂層
22、36:積層体
24:第2の導電層
26:ビアホール
28、42:導通用金属膜
30:めっき用レジスト
32:金属層
34:配線パターン
10: Wiring substrate 12: Substrate 14: First conductive layer 16: Insulating layer 18: Adhesion auxiliary layer 20: Adhesion resin layer 22, 36: Laminate 24: Second conductive layer 26: Via hole 28, 42: For conduction Metal film 30: Plating resist 32: Metal layer 34: Wiring pattern
Claims (4)
(B)前記(A)工程後に前記密着樹脂層に対してめっき触媒又はその前駆体を付与した後、めっきを行い、前記密着樹脂層上に第2の導電層を形成する工程と、
(C)前記工程(B)後に、レーザ加工又はドリル加工により、前記第2の導電層、前記密着樹脂層、および前記絶縁層を貫通し、前記第1の導電層に達するようにビアホールを形成する工程と、
(D)前記工程(C)後に、デスミア処理を行う工程と、
(E)前記工程(D)後に、前記ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを電気的に接続する工程と、を備える多層配線基板の製造方法。 (A) Applying energy to the insulating substrate and a layer containing a polymer having a functional group and a polymerizable group that interact with the plating catalyst or its precursor on the surface of the wiring board including the first conductive layer. Forming a laminate comprising the resulting adhesive resin layer in this order;
(B) After providing the plating resin or precursor thereof to the adhesion resin layer after the step (A), performing plating, and forming a second conductive layer on the adhesion resin layer;
(C) After the step (B), a via hole is formed by laser processing or drilling so as to penetrate the second conductive layer, the adhesion resin layer, and the insulating layer and reach the first conductive layer. And a process of
(D) After the step (C), performing a desmear process;
(E) After the step (D), after applying carbon black or graphite to the wall surface of the via hole, electroplating is performed without performing electroless plating, and the first conductive layer and the second conductive layer And a step of electrically connecting the conductive layer.
The manufacturing method of the multilayer wiring board in any one of Claims 1-3 with which the said laminated body is further provided with the close_contact | adherence auxiliary | assistant layer between the said insulating layer and the said close_contact | adherence resin layer.
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