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JP2012049278A - Method for manufacturing electrothermal separation type light-emitting diode bracket - Google Patents

Method for manufacturing electrothermal separation type light-emitting diode bracket Download PDF

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JP2012049278A
JP2012049278A JP2010189112A JP2010189112A JP2012049278A JP 2012049278 A JP2012049278 A JP 2012049278A JP 2010189112 A JP2010189112 A JP 2010189112A JP 2010189112 A JP2010189112 A JP 2010189112A JP 2012049278 A JP2012049278 A JP 2012049278A
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light emitting
conductive brackets
bases
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Shih-Chieh Lin
林士傑
Rib-Min Jin
陳立敏
Yeong-Keol Jin
陳詠傑
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I Chiun Precision Ind Co Ltd
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I Chiun Precision Ind Co Ltd
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Abstract

【課題】放熱ベースに、異なる仕様の発光ダイオードチップをそれぞれ配置できること。
【解決手段】放熱板とブラケット板との結合により少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することにより、熱電分離を維持させるような設計であり、具体的な実施の形態の他方は、厚シートにより少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することにより、熱電分離を維持させる。
【選択図】図3
A light-emitting diode chip having different specifications can be disposed on a heat dissipation base.
The heat dissipation is maintained by forming at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets by coupling the heat dissipating plate and the bracket plate. The other maintains thermoelectric separation by forming at least two heat dissipation bases and at least two sets of conductive brackets from a thick sheet.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、発光ダイオードブラケットの製作方法に関するものであり、特に、放熱板とブラケット板との結合により少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成し、または、厚いシートにより少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することにより、放熱ベースに異なる仕様の発光ダイオードチップをそれぞれ配置できる熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting diode bracket, and more particularly, at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets are formed by coupling a heat dissipating plate and a bracket plate, or at least 2 by a thick sheet. The present invention relates to a method of manufacturing a thermoelectric separation type light emitting diode bracket in which light emitting diode chips having different specifications can be arranged on the heat dissipation base by forming two heat dissipation bases and at least two sets of conductive brackets.

昨今の発光ダイオード(Light Emitting Diode、LED)は、消費電力が低く、発光素子の寿命が長く、アイドリングタイムが不要で、そして、応答速度が速い等の利点があり、さらに、その体積が小さく、振動耐性が強く、量産性が良いので、情報、通信及び消費性の電子製品の指示ランプや表示装置、例えば、携帯電話と携帯情報端末(Personal Digital Assistant、PDA)におけるスクリーンのバックライト、各種の屋外ディスプレイ、交通信号灯及び車両用のランプ等に広く利用されている。 The recent light emitting diode (LED) has advantages such as low power consumption, long life of the light emitting element, no idling time, and high response speed, and its volume is small. Strong vibration resistance and good mass productivity. Information lamps and display devices for information, communication and consumer electronics products such as screen backlights for mobile phones and personal digital assistants (PDAs) Widely used for outdoor displays, traffic signal lights, vehicle lamps, and the like.

図1は第一の従来の発光ダイオードブラケットの断面図を示したもので、通常の発光ダイオードチップ85は、表面実装技術(Surface Mount Device、SMD)又はフリップチップ接合技術(flip chip bonding)によって、凹部があるコロイド底座81におけるブラケット83に固着されている。
凹部82を含むコロイド底座81において、少なくとも2つのブラケット83が埋め込まれており、各ブラケット83の一部がコロイド底座81の凹部82にそれぞれ露出すると共に、それらの他の一部がコロイド底座81の両側からそれぞれ延出することにより、電気接続部84を形成することができ、この電気接続部84により他の電子装置(図示せず)と電気的に接続される。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a first conventional light emitting diode bracket, and a normal light emitting diode chip 85 is formed by surface mount technology (SMD) or flip chip bonding technology. It is fixed to the bracket 83 in the colloid bottom seat 81 having a recess.
At least two brackets 83 are embedded in the colloid bottom seat 81 including the recess 82, and a part of each bracket 83 is exposed to the recess 82 of the colloid bottom seat 81, and the other part of them is the colloid bottom seat 81. By extending from both sides, an electrical connection portion 84 can be formed, and the electrical connection portion 84 is electrically connected to another electronic device (not shown).

そして、表面実装技術によって、発光ダイオードチップ85を、コロイド底座81の凹部82内に露出された一方のブラケット83に固着させ、ワイヤボンディング技術、又はフリップチップ接合技術によって、電気導線86を介して発光ダイオードチップ85を他方のブラケット83と電気的に接続させる。最後に、コロイド底座81の凹部82にパッケージコロイド87を形成することで、パッケージコロイド87が凹部82における発光ダイオードチップ85及びブラケット83を覆う。 Then, the light-emitting diode chip 85 is fixed to one bracket 83 exposed in the concave portion 82 of the colloid bottom seat 81 by surface mounting technology, and light is emitted through the electric conductor 86 by wire bonding technology or flip chip bonding technology. The diode chip 85 is electrically connected to the other bracket 83. Finally, the package colloid 87 is formed in the recess 82 of the colloid bottom base 81 so that the package colloid 87 covers the light emitting diode chip 85 and the bracket 83 in the recess 82.

しかしながら、上記した従来の発光ダイオードブラケットにおいてはつぎのような問題点がある。発光ダイオードチップ85が固着されたブラケット83は放熱機能を有すると共に、さらに発光ダイオードチップ85を電気的に接続する多重機能を併有するため、発光ダイオードチップ85の放熱効率が不足し易く、高出力の発光ダイオードチップ85に適用することができない。 However, the above-described conventional light emitting diode bracket has the following problems. The bracket 83 to which the light-emitting diode chip 85 is fixed has a heat dissipation function and also has a multiple function for electrically connecting the light-emitting diode chip 85. Therefore, the heat dissipation efficiency of the light-emitting diode chip 85 tends to be insufficient, and high output It cannot be applied to the light emitting diode chip 85.

このため、図2に示した熱電分離型発光ダイオードブラケットが提案されている。図2は第二の従来の発光ダイオードブラケットの平面図を示したもので、凹部82を含むコロイド底座81において、放熱ベース88及び少なくとも二のブラケット83が埋め込まれており、放熱ベース88及び各ブラケット83の一部が、コロイド底座81の凹部82にそれぞれ露出すると共に、各ブラケット83の他の一部がコロイド底座81の両側からそれぞれ延出することにより、電気接続部84を形成することができ、この電気接続部84により他の電子装置(図示せず)と電気的に接続される。 For this reason, the thermoelectric separation type light emitting diode bracket shown in FIG. 2 has been proposed. FIG. 2 is a plan view of a second conventional light emitting diode bracket. In a colloid bottom base 81 including a recess 82, a heat dissipation base 88 and at least two brackets 83 are embedded. 83 is exposed in the recess 82 of the colloid bottom seat 81, and the other part of each bracket 83 extends from both sides of the colloid bottom seat 81, whereby the electrical connection portion 84 can be formed. The electrical connection portion 84 is electrically connected to another electronic device (not shown).

そして、表面実装技術によって、発光ダイオードチップ85を、コロイド底座81の凹部82内に露出された放熱ベース88に固着され、ワイヤボンディング技術、又はフリップチップ接合技術によって、電気導線86を介して発光ダイオードチップ85をブラケット83と電気的に接続させる。最後に、コロイド底座81の凹部82にパッケージコロイド87を形成することで、パッケージコロイド87が凹部82における発光ダイオードチップ85、放熱ベース88及びブラケット83を覆うようになる。 Then, the light emitting diode chip 85 is fixed to the heat radiation base 88 exposed in the concave portion 82 of the colloid bottom base 81 by surface mounting technology, and the light emitting diode is connected via the electric conductor 86 by wire bonding technology or flip chip bonding technology. The chip 85 is electrically connected to the bracket 83. Finally, by forming the package colloid 87 in the recess 82 of the colloid bottom base 81, the package colloid 87 covers the light emitting diode chip 85, the heat dissipation base 88 and the bracket 83 in the recess 82.

上記した第二の従来の発光ダイオードブラケットでは、コロイド底座81に放熱ベース88及びブラケット83をそれぞれ埋め込むことによって、発光ダイオードチップ85の放熱と電気接続を分離することができる。即ち、コロイド底座81に埋め込まれた放熱ベース88は発光ダイオードチップ85の放熱のためのものであり、コロイド底座81に埋め込まれたブラケット83は発光ダイオードチップ85の電気接続のためのものであるため、発光ダイオードチップ85の放熱効率が向上し、第一の従来の発光ダイオードブラケットによる問題を解消することができる。 In the second conventional light emitting diode bracket described above, the heat dissipation base 88 and the bracket 83 are embedded in the colloid bottom base 81, whereby the heat dissipation and electrical connection of the light emitting diode chip 85 can be separated. That is, the heat dissipation base 88 embedded in the colloid bottom base 81 is for heat dissipation of the light emitting diode chip 85, and the bracket 83 embedded in the colloid bottom base 81 is for electrical connection of the light emitting diode chip 85. The heat dissipation efficiency of the light-emitting diode chip 85 is improved, and the problem caused by the first conventional light-emitting diode bracket can be solved.

しかし、第二の従来の発光ダイオードブラケットは、コロイド底座81において一個の放熱ベース88しか埋め込まないが、放熱ベース88に複数の発光ダイオードチップ85を設置する場合には、同じ仕様(PNP type又はNPN type)の発光ダイオードチップ85を使う必要がある。即ち、正負の仕様の同一の発光ダイオードチップ85を使う限り、複数の発光ダイオードチップ85を放熱ベース88に設けることができるため、発光ダイオードチップ85の利用や、電気接続が制限される。 However, the second conventional light-emitting diode bracket has only one heat-dissipating base 88 embedded in the colloid bottom base 81. However, when a plurality of light-emitting diode chips 85 are installed on the heat-dissipating base 88, the same specification (PNP type or NPN) is used. It is necessary to use a light-emitting diode chip 85 of type). That is, as long as the same light-emitting diode chip 85 with positive and negative specifications is used, a plurality of light-emitting diode chips 85 can be provided on the heat dissipation base 88, so that the use and electrical connection of the light-emitting diode chips 85 are limited.

以上のように従来技術では、放熱ベースに複数の発光ダイオードチップを設置する場合に、同じ仕様の発光ダイオードチップを使う必要があり、発光ダイオードチップの利用が制限される問題があるため、改善の技術手段を工夫し、このような問題を無くす必要がある。 As described above, in the conventional technology, when installing a plurality of light emitting diode chips on the heat dissipation base, it is necessary to use the light emitting diode chips having the same specifications, and there is a problem that the use of the light emitting diode chips is limited. It is necessary to devise technical means to eliminate such problems.

本発明は、従来技術の放熱ベースに複数の発光ダイオードチップを設置する場合に、同じ仕様の発光ダイオードチップを使用するこどで、発光ダイオードチップの利用が制限されるといった問題点を解消できる、熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法を提供することを目的とするものである。 The present invention can solve the problem that the use of the light-emitting diode chip is restricted by using the light-emitting diode chip of the same specification when installing a plurality of light-emitting diode chips on the heat dissipation base of the prior art. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket.

本発明の第一実施の形態に係る熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法は、以下の工程を含む。即ち
まず、放熱板に少なくとも2つの放熱ベースを形成し、そして、ブラケット板に少なくとも2組の導電性ブラケットを形成し、そして、放熱板とブラケット板を互いに結合させて、少なくとも2つの放熱ベースを少なくとも2組の導電性ブラケット間に設けると共に、少なくとも2つの放熱ベースと少なくとも2組の導電性ブラケットを当接させなく、最後に、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座に埋め込み、且つ、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の凹部に露出させ、又、少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の外方に延出させる。
The manufacturing method of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket which concerns on 1st embodiment of this invention includes the following processes. That is, first, at least two heat dissipating bases are formed on the heat dissipating plate, and at least two sets of conductive brackets are formed on the bracket plate, and the heat dissipating plate and the bracket plate are coupled to each other to form at least two heat dissipating bases. At least two heat dissipating bases and at least two heat dissipating bases are not brought into contact with each other, and at least two heat dissipating bases and at least part of at least two pairs of conductive brackets are provided. Embedded in the colloid bottom seat, and at least two heat dissipating bases and a portion of at least two sets of conductive brackets are exposed in the recesses of the colloid bottom seat, and at least two sets of conductive brackets are exposed outside the colloid bottom seat. Extend to the direction.

以上のような熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法では、放熱板に少なくとも2つの放熱ベースを形成する工程において、スタンピングプロセスによって少なくとも2つの放熱ベースを形成し、しかも、ブラケット板に少なくとも2組の導電性ブラケットを形成する工程において、スタンピングプロセスによって少なくとも2組の導電性ブラケットを形成する。 In the manufacturing method of the thermoelectric separation type light emitting diode bracket as described above, in the step of forming at least two heat dissipation bases on the heat dissipation plate, at least two heat dissipation bases are formed by a stamping process, and at least two sets of the bracket plate are formed on the bracket plate. In the step of forming conductive brackets, at least two sets of conductive brackets are formed by a stamping process.

以上のような熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法は、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座に埋め込み、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の凹部に露出させ、少なくとも2組の導電性ブラケットの一部がコロイド底座の外方に延出させる工程において、発光ダイオードチップをそれぞれ固定するように少なくとも2つの放熱ベースの一部を凹部に露出させ、そして、発光ダイオードチップのそれぞれと凹部に一部露出された何れかの一組の導電性ブラケットとの電気接続を形成し、又、発光ダイオードチップを被覆するようにコロイド底座の凹部にパッケージコロイドをさらに覆うことによって、SMD発光ダイオードを形成する。 The method of manufacturing the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket as described above includes at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets embedded in a colloid bottom, and at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets. Of the at least two heat dissipating bases so as to fix each of the light emitting diode chips in the step of exposing a part of the light emitting diode chip in the recess of the colloid bottom base and extending a part of the at least two sets of conductive brackets outward of the colloid bottom base. A portion is exposed in the recess, and an electrical connection between each of the light emitting diode chips and any set of conductive brackets partially exposed in the recess is formed, and the light emitting diode chip is covered. By further covering the package colloid in the recess of the colloid bottom, the SMD light emitting diode To form.

本発明の第二実施の形態に係る熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法は、以下の工程を含む。即ち
まず、二種類の異なる厚さの厚シートを製作し、そして、厚シートにおける厚さの大きい箇所に少なくとも2つの放熱ベースを形成し、そして、厚シートにおける厚さの小さい箇所に少なくとも2組の導電性ブラケットを形成し、且つ、少なくとも2組の導電性ブラケットを少なくとも2つの放熱ベースと当接させなく、最後に、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座に埋め込み、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の凹部に露出させ、そして、少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の外方に延出させる。
The manufacturing method of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the second embodiment of the present invention includes the following steps. That is, first, two kinds of thick sheets having different thicknesses are manufactured, and at least two heat dissipating bases are formed in a thick part of the thick sheet, and at least two sets are formed in a thin part of the thick sheet. And at least two sets of conductive brackets are not brought into contact with at least two heat dissipating bases. Finally, at least two heat dissipating bases and at least two sets of the conductive brackets are colloidal. Embedded in the bottom seat, exposing at least two heat dissipating bases and a portion of at least two sets of conductive brackets in the recess of the colloid bottom seat, and extending at least a portion of the two sets of conductive brackets outward of the colloid bottom seat Let

以上の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法では、厚シートにおける厚さの大きい箇所に少なくとも2つの放熱ベースを形成する工程において、スタンピングプロセスにより少なくとも2つの放熱ベースを形成し、又、厚シートにおける厚さの小さい箇所に少なくとも2組の導電性ブラケットを形成し、又、少なくとも2組の導電性ブラケットを少なくとも2つの放熱ベースと当接させない工程において、スタンピングプロセスにより少なくとも2組の導電性ブラケットを形成する。 In the manufacturing method of the thermoelectric separation type light emitting diode bracket described above, at least two heat dissipation bases are formed by a stamping process in the step of forming at least two heat dissipation bases in a thick portion of the thick sheet. In the step of forming at least two sets of conductive brackets at a small thickness and not contacting at least two sets of conductive brackets with at least two heat dissipating bases, at least two sets of conductive brackets are formed by a stamping process. Form.

以上のような熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法は、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座に埋め込み、少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の凹部に露出させ、少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の外方に延出させる工程において、発光ダイオードチップをそれぞれ固定するように少なくとも2つの放熱ベースの一部を凹部に露出させ、そして、発光ダイオードチップのそれぞれと凹部に一部露出された何れかの一組の導電性ブラケットとの電気接続を形成し、又、発光ダイオードチップを被覆するようにコロイド底座の凹部にパッケージコロイドをさらに覆うことによって、SMD発光ダイオードを形成する。 The method of manufacturing the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket as described above includes at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets embedded in a colloid bottom, and at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets. Of the at least two heat dissipating bases so as to fix each of the light emitting diode chips in the step of exposing a part of the light emitting diode chip in the recess of the colloid bottom base and extending a part of the at least two sets of conductive brackets outward of the colloid bottom base. A portion is exposed in the recess, and an electrical connection between each of the light emitting diode chips and any set of conductive brackets partially exposed in the recess is formed, and the light emitting diode chip is covered. By further covering the package colloid in the recess of the colloid bottom, the SMD light emitting diode To form.

以上に本発明に係る製作方法について説明したが、従来技術との差異は以下のとおりである。即ち、本発明による具体的な実施の形態の一方が、放熱板とブラケット板との結合により少なくとも2つの放熱ベース、及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することで、熱電分離を維持させる設計であり、また具体的な実施の形態の他方が、厚シートによって少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することで、熱電分離を維持させる設計であり、しかも、異なる仕様の発光ダイオードチップを同時に使うことができる。即ち、異なる仕様の発光ダイオードチップを放熱ベースにそれぞれ配置しながら、異なる導電性ブラケット組との電気的に接続を形成することにより、異なる仕様の発光ダイオードチップを選んで使用することで、発光ダイオードチップの使用の制限を回避することができる。 Although the manufacturing method according to the present invention has been described above, the differences from the prior art are as follows. That is, one of the specific embodiments according to the present invention is a design that maintains thermoelectric separation by forming at least two heat dissipation bases and at least two sets of conductive brackets by coupling the heat dissipation plate and the bracket plate. The other specific embodiment is a design that maintains thermoelectric separation by forming at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets with a thick sheet, and having different specifications. Light emitting diode chips can be used simultaneously. In other words, light emitting diodes can be selected and used by forming electrical connections with different conductive bracket sets while disposing light emitting diode chips with different specifications on the heat dissipation base, respectively. Limitations on the use of chips can be avoided.

本発明では、上記の技術手段によって、異なる仕様の発光ダイオードチップを同時に使用するといった技術効果を達成することができる。 In the present invention, the technical effect of simultaneously using light emitting diode chips having different specifications can be achieved by the above technical means.

図1は、第一の従来の発光ダイオードブラケットの発光ダイオードチップの配置を示す側面視断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing an arrangement of light emitting diode chips of a first conventional light emitting diode bracket. 図2は、第二の従来の発光ダイオードブラケットの発光ダイオードチップの配置を示す上面図である。FIG. 2 is a top view showing an arrangement of light emitting diode chips of a second conventional light emitting diode bracket. 図3は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの第一の実施形態の製作方法を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing method of the first embodiment of the thermoelectric separation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図4は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの放熱板とブラケット板との結合の製作を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing the fabrication of the coupling between the heat dissipation plate and the bracket plate of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図5は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造を示す上面図である。FIG. 5 is a top view showing a structure of a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図6は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの第二の実施形態の製作方法を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing method of the second embodiment of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図7Aは、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造における厚シートの斜視図である。FIG. 7A is a perspective view of a thick sheet in the structure of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図7Bは、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造における厚シートの放熱ベースと導電性ブラケットの製作を示す斜視図である。FIG. 7B is a perspective view showing fabrication of a thick sheet heat dissipation base and a conductive bracket in the structure of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図8は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの上面図である。FIG. 8 is a top view of a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図9Aは、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造において発光ダイオードチップを配置した第一配置形態を示す上面図である。FIG. 9A is a top view showing a first arrangement form in which light emitting diode chips are arranged in the structure of the thermoelectric separation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図9Bは、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造において発光ダイオードチップを配置した第二配置形態を示す上面図である。FIG. 9B is a top view showing a second arrangement form in which the light emitting diode chips are arranged in the structure of the thermoelectric separation type light emitting diode bracket according to the present invention. 図10は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造における発光ダイオードチップのパッケージを示す上面図である。FIG. 10 is a top view showing a light emitting diode chip package in the structure of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention.

以下、図面及び実施例を利用して、本発明の実施形態を詳しく説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings and examples.

図3及び図4に基づいて、本発明の第一の実施形態に係る熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法について説明する。図3は本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法のフローチャートであり、図4は放熱板とブラケット板の組立て図を示したものである。 Based on FIG.3 and FIG.4, the manufacturing method of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket which concerns on 1st embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 3 is a flowchart of a manufacturing method of a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention, and FIG. 4 is an assembly view of a heat radiating plate and a bracket plate.

まず、スタンピング(stamping)方式にて、少なくとも2つの放熱ベース11を具備する放熱板10を製作する。即ち、放熱板10に少なくとも2つの放熱ベース11を形成する(工程110)。そして、スタンピング方式にて、少なくとも2組の導電性ブラケット21を具備するブラケット板20を製作し、即ち、ブラケット板20に少なくとも2組の導電性ブラケット21を形成する(工程120)。 First, the heat radiating plate 10 including at least two heat radiating bases 11 is manufactured by a stamping method. That is, at least two heat dissipation bases 11 are formed on the heat dissipation plate 10 (step 110). Then, the bracket plate 20 including at least two sets of conductive brackets 21 is manufactured by a stamping method, that is, at least two sets of conductive brackets 21 are formed on the bracket plate 20 (step 120).

ブラケット板20に形成する導電性ブラケット21の組数は、放熱板10に形成した放熱ベース11の数によるものであり、即ち、導電性ブラケット21の組数が、放熱板10に形成した放熱ベース11の数と等しい。毎組の導電性ブラケット21がそれぞれ、陽極の導電性ブラケット22及び陰極の導電性ブラケット23を備える。 The number of sets of conductive brackets 21 formed on the bracket plate 20 depends on the number of heat dissipation bases 11 formed on the heat dissipation plate 10, that is, the number of sets of conductive brackets 21 is the heat dissipation base formed on the heat dissipation plate 10. Equal to the number of 11. Each set of conductive brackets 21 includes an anode conductive bracket 22 and a cathode conductive bracket 23.

図4に示すように、放熱板10に3つの放熱ベース11が形成されているため、ブラケット板20に3組の導電性ブラケット21が形成されるが、図示のように、放熱ベース11及び導電性ブラケット21の形成数は例示に過ぎなく、本発明の応用範囲を限定するものではない。 As shown in FIG. 4, since three heat dissipation bases 11 are formed on the heat dissipation plate 10, three sets of conductive brackets 21 are formed on the bracket plate 20. The number of the formation brackets 21 is merely an example, and does not limit the application range of the present invention.

さらに、放熱板10及びブラケット板20に設けられた位置決め部(12、24)を介して放熱板10及びブラケット板20をそれぞれ位置決めして結合する。即ち、放熱板10及びブラケット板20を互いに結合させて、少なくとも2つの放熱ベース11を少なくとも2組の導電性ブラケット21間に設けるが(工程130)、少なくとも2つの放熱ベース11と少なくとも2組の導電性ブラケット21の間を接続することがないことに注意すべく、これにより、放熱と電気的に接続を分離させて、熱電分離の形式を形成することができる。 Further, the heat radiating plate 10 and the bracket plate 20 are positioned and coupled via the positioning portions (12, 24) provided on the heat radiating plate 10 and the bracket plate 20, respectively. That is, the heat radiating plate 10 and the bracket plate 20 are coupled to each other, and at least two heat radiating bases 11 are provided between at least two sets of conductive brackets 21 (step 130). It should be noted that there is no connection between the conductive brackets 21, thereby making it possible to form a form of thermoelectric separation by electrically separating the connection from the heat dissipation.

このときの放熱板10及びブラケット板20が一体化になるが、上記の説明及び図面が、単に放熱板10及びブラケット板20のプロセス方式に対する説明であり、本発明の応用範囲がこれに制限されない。
スタンピング方式によって、少なくとも2つの放熱ベース11を具備する放熱板10、及び少なくとも2組の導電性ブラケット21を具備するブラケット板20をそれぞれ製作する場合、電気伝導性及び熱伝導性の良いの金属板或いは合金板により行われ、例えば、放熱板10及びブラケット板20を銅、鉄、アルミ合金、或いは他の電気伝導性及び熱伝導性の良い材質で製作することができる。即ち、放熱ベース11及び導電性ブラケット21が良好の電気伝導性及び熱伝導性を有するが、ここでは、単に放熱板10及びブラケット板20の材質を例として説明するが、本発明の応用範囲が制限されない。
Although the heat sink 10 and the bracket plate 20 at this time are integrated, the above description and drawings are merely descriptions for the process system of the heat sink 10 and the bracket plate 20, and the application range of the present invention is not limited thereto. .
When the heat sink 10 having at least two heat dissipating bases 11 and the bracket plate 20 having at least two sets of conductive brackets 21 are respectively manufactured by the stamping method, a metal plate having good electrical conductivity and heat conductivity. Alternatively, for example, the heat sink 10 and the bracket plate 20 can be made of copper, iron, aluminum alloy, or other material having good electrical and thermal conductivity. That is, although the heat dissipation base 11 and the conductive bracket 21 have good electrical conductivity and heat conductivity, the material of the heat dissipation plate 10 and the bracket plate 20 will be described here as an example, but the scope of application of the present invention is as follows. Not limited.

図3及び図5を参照して説明する。図5は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットを示す平面図である。
上記のプロセス方式によって、互いに分離した少なくとも2つの放熱ベース11を含む放熱板10及び少なくとも2組の導電性ブラケット21を含むブラケット板20をそれぞれ製造し、当該放熱板10及びブラケット板20を互いに結合させた後、インサート射出成形(insert molding)の方式により、毎個の放熱ベース11及び毎組の導電性ブラケット21の一部をコロイド底座30に埋め込むように、コロイド底座30を形成する(工程140)が、実際の製造過程において、上金型(図示せず)及び下金型(図示せず)によって、毎個の放熱ベース11及び毎組の導電性ブラケット21をその中に埋め込んで、コロイド底座30を射出成形することさえすれば、同時に毎個の放熱ベース11及び毎組の導電性ブラケット21の一部をコロイド底座30に埋め込むことができ、上金型及び下金型が一括離型できる。そして、コロイド底座30のインサート射出のプロセスを完了することができる。
コロイド底座30の材質としては、ポリフタルアミド(polyphthalamide、PPA)、または、他の発光ダイオード構造のコロイド底座30としてよく使われる熱可塑性樹脂であっでもよく、ここでは、単にコロイド底座30の材質として例示し、本発明の応用範囲が制限されない。
This will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a plan view showing a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention.
By the above process method, the heat sink 10 including at least two heat dissipating bases 11 separated from each other and the bracket plate 20 including at least two sets of conductive brackets 21 are manufactured, and the heat sink 10 and the bracket plate 20 are coupled to each other. Then, the colloidal bottom seat 30 is formed so as to embed a part of each heat radiation base 11 and each set of conductive bracket 21 in the colloidal bottom seat 30 by an insert molding method (step 140). In an actual manufacturing process, each heat dissipating base 11 and each pair of conductive brackets 21 are embedded therein by an upper die (not shown) and a lower die (not shown) to form a colloid. As long as the bottom seat 30 is injection-molded, a part of each heat radiation base 11 and each pair of conductive brackets 21 is simultaneously rolled It can be embedded in de bottom seat 30, the upper mold and the lower mold can be collectively release. And the process of insert injection of the colloid bottom seat 30 can be completed.
The material of the colloidal base 30 may be polyphthalamide (PPA) or a thermoplastic resin often used as the colloidal base 30 of another light emitting diode structure. It is illustrated and the application range of the present invention is not limited.

コロイド底座30の射出成形の場合、コロイド底座30に凹部31を同時に形成し、且つ毎個の放熱ベース11及び毎組の導電性ブラケット21の一部をコロイド底座30の凹部31に露出させ(工程140)、又、毎組の導電性ブラケット21の一部をコロイド底座30からそれぞれ延出させる(工程140)。
毎組の導電性ブラケット21のコロイド底座30の凹部31に露出される部分、及び毎組の導電性ブラケット21のコロイド底座30から延出される部分は、電気的に接続のためのものである。即ち、毎組の導電性ブラケット21のコロイド底座30の凹部31に露出される部分は、コロイド底座30の凹部31内に、後で毎個の放熱ベース11に配置される発光ダイオードチップ(図示せず)と電気的に接続するためのものであるが、毎組の導電性ブラケット21のコロイド底座30から延出する部分は、他の電子装置(図示せず)、例えばマザーボード、回路基板・・・等と電気的に接続するように、コロイド底座30の外部に電気接続を形成するためのものであり、ここでは単に例示するものとして、本発明の応用範囲を制限しない。
In the case of injection molding of the colloid bottom seat 30, the concave portions 31 are simultaneously formed in the colloid bottom seat 30, and a part of each heat radiation base 11 and each set of conductive brackets 21 are exposed to the concave portions 31 of the colloid bottom seat 30 (steps). 140) Further, a part of each set of the conductive brackets 21 is extended from the colloid bottom seat 30 (step 140).
A portion exposed to the concave portion 31 of the colloid bottom seat 30 of each set of the conductive brackets 21 and a portion extending from the colloid bottom seat 30 of each set of the conductive brackets 21 are for electrical connection. That is, the portion of the conductive bracket 21 exposed to the concave portion 31 of the colloid bottom seat 30 is a light emitting diode chip (not shown) that is disposed in the heat dissipation base 11 later in the concave portion 31 of the colloid bottom seat 30. The portion extending from the colloidal bottom seat 30 of each pair of conductive brackets 21 is electrically connected to other electronic devices (not shown) such as a mother board, a circuit board,. It is for forming an electrical connection to the outside of the colloid bottom seat 30 so as to be electrically connected to the etc., and is merely illustrative and does not limit the application range of the present invention.

換言すれば、後でコロイド底座30の凹部31内、毎個の放熱ベース11にそれぞれ配置される発光ダイオードチップ(図示せず)は、毎個の放熱ベース11を介して発光ダイオードチップの放熱に役立ち、毎組の導電性ブラケット21のコロイド底座30の凹部31に露出される部分を介して、発光ダイオードチップの電気的に接続を提供し、又、毎組の導電性ブラケット21のコロイド底座30から延出される部分を介して、発光ダイオードチップの他の電子装置との電気的に接続を提供する。
上記の過程を経由して製作された熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造は、図5の通りである。
In other words, the light-emitting diode chips (not shown) which are respectively disposed in the recesses 31 of the colloid bottom 30 and the respective heat-dissipating bases 11 are radiated from the light-emitting diode chips via the heat-dissipating bases 11 later. It is useful to provide electrical connection of the light-emitting diode chip through a portion exposed to the recess 31 of the colloidal bottom 30 of the conductive bracket 21, and also to provide the colloidal bottom 30 of the conductive bracket 21. The LED chip is electrically connected to other electronic devices through a portion extending from the LED chip.
The structure of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket manufactured through the above process is as shown in FIG.

つぎに図6及び図7Aを参照しながら本発明の第二の実施形態に係る熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法について説明する。図6は本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法を示すフローチャートであり、図7Aは、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの厚シートの斜視図である。
まず、押出(extrusion)方式で二種類の異なる厚さを有する厚シート40を製造する(工程210)が、上記の方式は、単に例示するものとして、本発明の応用範囲を制限しない。
Next, a manufacturing method of the thermoelectric separation type light emitting diode bracket according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7A. FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention, and FIG. 7A is a perspective view of a thick sheet of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention.
First, a thick sheet 40 having two different thicknesses is manufactured by an extrusion method (step 210), but the above method is merely illustrative and does not limit the application range of the present invention.

そして、同時に図6及び図7Bを参照して説明する。図7Bは、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの厚シートの放熱ベースと導電性ブラケットの製作を示す斜視図である。スタンピング(stamping)方式によって、厚シート40の厚さの大きい箇所に少なくとも2つの放熱ベース41を形成する(工程220)。そして、スタンピング方式によって、厚シート40の厚さの小さい箇所に少なくとも2組の導電性ブラケット42を形成する(工程230)。 At the same time, description will be made with reference to FIGS. 6 and 7B. FIG. 7B is a perspective view illustrating the fabrication of a heat radiation base and a conductive bracket of a thick sheet of a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention. At least two heat dissipating bases 41 are formed in a thick portion of the thick sheet 40 by a stamping method (Step 220). Then, at least two sets of conductive brackets 42 are formed in a portion where the thickness of the thick sheet 40 is small by a stamping method (step 230).

厚シート40に形成した導電性ブラケット42の組数は、厚シート40に形成した放熱ベース41の数によるものであり、即ち、導電性ブラケット42の組数が、厚シート40に形成した放熱ベース41の数と等しく、また、毎組の導電性ブラケット42が、それぞれ陽極の導電性ブラケット43及び陰極の導電性ブラケット44を含む。 The number of conductive brackets 42 formed on the thick sheet 40 depends on the number of heat dissipating bases 41 formed on the thick sheet 40. In other words, the number of sets of conductive brackets 42 is the heat dissipating base formed on the thick sheet 40. In addition, each set of conductive brackets 42 includes an anode conductive bracket 43 and a cathode conductive bracket 44.

図7A及び図7Bは、厚シート40に3つの放熱ベース41が形成されているので、厚シート40に3組の導電性ブラケット42が形成されるが、図面に示したような放熱ベース41及び導電性ブラケット42の数は、単に例示するものとして、本発明の応用範囲を制限しない。 7A and 7B, since three heat dissipating bases 41 are formed on the thick sheet 40, three sets of conductive brackets 42 are formed on the thick sheet 40. The number of conductive brackets 42 is merely illustrative and does not limit the scope of application of the present invention.

厚シート40に形成した少なくとも2つの放熱ベース41と、少なくとも2組の導電性ブラケット42の間を接続することがないことに注意すべく、これにより、放熱と電気的に接続を分離させて、熱電分離の形式を形成することができる。 Note that there is no connection between at least two heat dissipation bases 41 formed on the thick sheet 40 and at least two sets of conductive brackets 42, thereby separating the heat dissipation from the electrical connection, A form of thermoelectric separation can be formed.

厚シート40は、電気伝導性及び熱伝導性の良い金属板或合金板により製作され、例えば、銅、鉄、アルミ合金、或いは他の電気伝導性及び熱伝導性の良い材質で製作することができ、即ち、放熱ベース41及び導電性ブラケット42が良好の電気伝導性及び熱伝導性を有するが、ここでは、単に厚シート40の材質を例として説明するが、本発明の応用範囲が制限されない。 The thick sheet 40 is made of a metal plate or alloy plate having good electrical conductivity and thermal conductivity, and may be made of, for example, copper, iron, aluminum alloy, or other material having good electrical conductivity and thermal conductivity. In other words, the heat radiation base 41 and the conductive bracket 42 have good electrical conductivity and thermal conductivity. Here, the material of the thick sheet 40 will be described as an example, but the application range of the present invention is not limited. .

そして、同時に図6及び図8を参照して説明する。図8は本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの平面図である。
上記のプロセス方式によって、互いに分離した少なくとも2つの放熱ベース41及び少なくとも2組の導電性ブラケット42を有する厚シート40をそれぞれ製造した後、毎個の放熱ベース41及び毎組の導電性ブラケット42の一部をコロイド底座50に埋め込むようにコロイド底座50を形成する(工程240)が、実際の製造過程において、上金型(図示せず)及び下金型(図示せず)によって、毎個の放熱ベース41及び毎組の導電性ブラケット42をその中に埋め込んで、コロイド底座50を射出成形することさえすれば、同時に毎個の放熱ベース41及び毎組の導電性ブラケット42の一部をコロイド底座50に埋め込むことができ、上金型及び下金型が一括離型でき、そして、コロイド底座50のインサート射出成形のプロセスを完了することができる。コロイド底座50の材質としては、ポリフタルアミド(polyphthalamide、PPA)、または、他の発光ダイオード構造のコロイド底座50としてよく使われる熱可塑性樹脂であっでもよい。ここでは、単にコロイド底座50の材質として例示して説明するが、本発明の応用範囲は特に制限されない。
At the same time, description will be made with reference to FIGS. FIG. 8 is a plan view of a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention.
After manufacturing the thick sheet 40 having at least two heat dissipation bases 41 and at least two sets of conductive brackets 42 separated from each other by the above process method, each of the heat dissipation bases 41 and each set of the conductive brackets 42 The colloidal base 50 is formed so as to be partially embedded in the colloidal base 50 (step 240). In the actual manufacturing process, each colloidal base 50 is formed by an upper mold (not shown) and a lower mold (not shown). As long as the heat dissipating base 41 and each set of conductive brackets 42 are embedded therein and the colloid bottom seat 50 is injection molded, a part of each heat dissipating base 41 and each set of conductive brackets 42 is colloidal. It can be embedded in the bottom seat 50, the upper mold and the lower mold can be released at once, and the process of insert injection molding of the colloid bottom seat 50 can be performed. It can be completed. The material of the colloid bottom 50 may be polyphthalamide (PPA) or a thermoplastic resin often used as the colloid bottom 50 of another light emitting diode structure. Here, although illustrated and demonstrated as a material of the colloid bottom seat 50, the application range of the present invention is not particularly limited.

コロイド底座50の射出成形の同時に、コロイド底座50に凹部51を形成させ、毎個の放熱ベース41及び毎組の導電性ブラケット42の一部をコロイド底座50の凹部51に露出させ(工程240)、又、毎組の導電性ブラケット42の一部をコロイド底座50からそれぞれ延出させる(工程240)。
毎組の導電性ブラケット42のコロイド底座50の凹部51に露出される部分、及び毎組の導電性ブラケット42のコロイド底座50から延出される部分は、電気的に接続のためのものであり、即ち、毎組の導電性ブラケット42のコロイド底座50の凹部51に露出される部分は、コロイド底座50の凹部51内、後で毎個の放熱ベース41に配置される発光ダイオードチップ(図示せず)と電気的に接続するためのものであるが、毎組の導電性ブラケット42のコロイド底座50から延出される部分は、他の電子装置(図示せず)、例えばマザーボード、回路基板…等と電気的に接続するように、コロイド底座50の外部に電気的に接続を形成するためのものであり、ここでは単に例示するものとして、本発明の応用範囲を制限しない。
At the same time as the injection molding of the colloid bottom seat 50, the concave portion 51 is formed in the colloid bottom seat 50, and a part of each heat radiation base 41 and each set of the conductive bracket 42 is exposed to the concave portion 51 of the colloid bottom seat 50 (step 240). In addition, a part of each set of conductive brackets 42 is extended from the colloid bottom seat 50 (step 240).
The portion exposed to the recess 51 of the colloid bottom 50 of each set of conductive brackets 42 and the portion extending from the colloid bottom 50 of each set of conductive brackets 42 are for electrical connection, That is, the portion of the conductive bracket 42 exposed to the concave portion 51 of the colloid bottom seat 50 is a light emitting diode chip (not shown) disposed in each of the heat dissipation bases 41 in the concave portion 51 of the colloid bottom seat 50 later. Are electrically connected to each other, but portions extending from the colloidal bottom seat 50 of each pair of conductive brackets 42 are other electronic devices (not shown) such as a mother board, a circuit board, etc. It is for forming an electrical connection to the outside of the colloid bottom 50 so as to be electrically connected, and is merely illustrative and does not limit the application range of the present invention.

換言すれば、後でコロイド底座50の凹部51内、毎個の放熱ベース41にそれぞれ配置される発光ダイオードチップ(図示せず)は、毎個の放熱ベース41を介して発光ダイオードチップの放熱に役立ち、毎組の導電性ブラケット42のコロイド底座50の凹部51に露出される部分を介して、発光ダイオードチップの電気的に接続を提供し、又、毎組の導電性ブラケット42のコロイド底座50から延出する部分を介して、発光ダイオードチップの他の電子装置との電気的に接続を提供する。
図8は上記の過程を経由して製作された熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造を示したものである。
In other words, the light emitting diode chips (not shown) that are respectively disposed in the recesses 51 of the colloid bottom base 50 and on the individual heat dissipation bases 41 later radiate heat from the light emitting diode chips via the individual heat dissipation bases 41. Useful for providing electrical connection of the light-emitting diode chip through the portion exposed to the recess 51 of the colloid bottom 50 of each set of conductive brackets 42, and also for providing the colloid bottom 50 of each set of conductive brackets 42. The LED chip is electrically connected to other electronic devices through a portion extending from the LED chip.
FIG. 8 shows a structure of a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket manufactured through the above process.

図9Aを参照して説明すると、図9Aは、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットにおける発光ダイオードチップを配置した第一配置形態を示す上面図である。
ここでは、本発明の第一の実施形態を発光ダイオードチップが配置されたものとして説明し、本発明の第二の実施形態による発光ダイオードチップが配置されたものが第一の実施形態による発光ダイオードチップが配置されたもののように説明され、ここでは単に例示するものとして、本発明の応用範囲が制限されない。
Referring to FIG. 9A, FIG. 9A is a top view showing a first arrangement form in which the light emitting diode chips are arranged in the thermoelectric separation type light emitting diode bracket according to the present invention.
Here, the first embodiment of the present invention will be described on the assumption that a light emitting diode chip is disposed, and the light emitting diode according to the first embodiment is disposed on which the light emitting diode chip according to the second embodiment of the present invention is disposed. It will be described as if the chip is arranged, and the scope of application of the present invention is not limited by way of example only here.

表面実装技術(Surface Mount Device、SMD)によって、第一の発光ダイオードチップ61の陰極をコロイド底座30の凹部31に露出された第一の放熱ベース111に固着させ、第二の発光ダイオードチップ62の陰極をコロイド底座30の凹部31に露出された第二の放熱ベース112に固着させ、又、第三の発光ダイオードチップ63の陰極をコロイド底座30の凹部31に露出された第三の放熱ベース113に固着させる。 The cathode of the first light emitting diode chip 61 is fixed to the first heat dissipation base 111 exposed in the concave portion 31 of the colloid bottom 30 by surface mounting technology (Surface Mount Device, SMD). The cathode is fixed to the second heat dissipation base 112 exposed in the recess 31 of the colloid bottom seat 30, and the cathode of the third light emitting diode chip 63 is fixed to the third heat dissipation base 113 exposed in the recess 31 of the colloid bottom seat 30. Secure to.

そして、ワイヤボンディング技術(wire bonding)によって、第一の発光ダイオードチップ61の陽極と、コロイド底座30の凹部31に露出された第一組の導電性ブラケット211の陽極の導電性ブラケット221と電気的に接続を形成させ、そして、第一の放熱ベース111(即ち、第一の発光ダイオードチップ61の陰極)と、コロイド底座30の凹部31に露出された第一組の導電性ブラケット211の陰極の導電性ブラケット231と電気的に接続を形成させる。 Then, by wire bonding, the anode of the first light emitting diode chip 61 and the conductive bracket 221 of the anode of the first set of conductive brackets 211 exposed in the recess 31 of the colloid bottom seat 30 are electrically connected. And the first heat dissipating base 111 (that is, the cathode of the first light emitting diode chip 61) and the cathode of the first set of conductive brackets 211 exposed in the recess 31 of the colloid bottom base 30. An electrical connection is formed with the conductive bracket 231.

又、第二の発光ダイオードチップ62の陽極と、コロイド底座30の凹部31に露出された第二組の導電性ブラケット212の陽極の導電性ブラケット222と電気的に接続を形成させ、又、第二の放熱ベース112(即ち、第二の発光ダイオードチップ62の陰極)と、コロイド底座30の凹部31に露出された第二組の導電性ブラケット212の陰極の導電性ブラケット232と電気的に接続を形成させる。 In addition, an electrical connection is formed between the anode of the second light-emitting diode chip 62 and the conductive bracket 222 of the anode of the second set of conductive brackets 212 exposed in the concave portion 31 of the colloid bottom seat 30. The second heat radiation base 112 (that is, the cathode of the second light emitting diode chip 62) and the conductive bracket 232 of the cathode of the second set of conductive brackets 212 exposed in the recess 31 of the colloid bottom base 30 are electrically connected. To form.

最後に、第三の発光ダイオードチップ63の陽極と、コロイド底座30の凹部31に露出された第三組の導電性ブラケット213の陽極の導電性ブラケット223と電気的に接続し、又は、第三の放熱ベース113(即ち、第三の発光ダイオードチップ63の陰極)と、コロイド底座30の凹部31に露出された第三組の導電性ブラケット213の陰極の導電性ブラケット233と電気的に接続を形成させる。 Finally, the anode of the third light-emitting diode chip 63 is electrically connected to the conductive bracket 223 of the anode of the third set of conductive brackets 213 exposed in the recess 31 of the colloid bottom base 30, or the third The heat dissipation base 113 (that is, the cathode of the third light emitting diode chip 63) and the cathode conductive bracket 233 of the third set of conductive brackets 213 exposed in the recess 31 of the colloid bottom seat 30 are electrically connected. Let it form.

第一組の導電性ブラケット211は、第一の発光ダイオードチップ61に異なる電気極性を、第二組の導電性ブラケット212は、第二の発光ダイオードチップ62に異なる電気極性、又、第三組の導電性ブラケット213は、第三の発光ダイオードチップ33に異なる電気極性を、それぞれ提供することができる。 The first set of conductive brackets 211 has a different electrical polarity for the first light emitting diode chip 61, the second set of conductive brackets 212 has a different electrical polarity for the second light emitting diode chip 62, and the third set. The conductive brackets 213 can provide different electrical polarities to the third light emitting diode chip 33, respectively.

ワイヤボンディング技術によって、第一の発光ダイオードチップ61、第二の発光ダイオードチップ62、及び第三の発光ダイオードチップ63に対して、第一組の導電性ブラケット211、第二組の導電性ブラケット212、及び第三組の導電性ブラケット213との電気的に接続を形成する他、さらに、フリップチップ接合技術(flip chip bonding)によって、上記の発光ダイオードチップのそれぞれと毎組の導電性ブラケットとの電気的に接続を形成し、ワイヤボンディング技術及びフリップチップ接合技術について、電気的に接続方式として、既存の技術を参照しても良く、ここでは詳しく説明しなく、しかも、単に例示するものとして、上記のように本発明の応用範囲を制限しない。 For the first light-emitting diode chip 61, the second light-emitting diode chip 62, and the third light-emitting diode chip 63, a first set of conductive brackets 211 and a second set of conductive brackets 212 are obtained by wire bonding technology. And electrically connecting to the third set of conductive brackets 213, and further, by flip chip bonding, each of the light emitting diode chips and each set of conductive brackets are connected. The electrical connection is formed, and the wire bonding technique and the flip chip bonding technique may be referred to an existing technique as an electrical connection method, and will not be described in detail here, and only as an example, As described above, the application range of the present invention is not limited.

図9Bについて説明すると、図9Bは本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットにおける発光ダイオードチップの第二の配置形態を示す平面図である。 Referring to FIG. 9B, FIG. 9B is a plan view showing a second arrangement of the light emitting diode chips in the thermoelectric separation type light emitting diode bracket according to the present invention.

第二の配置形態では、第一の発光ダイオードチップ61の陽極を、コロイド底座30の凹部31に露出された第一の放熱ベース111に、第二の発光ダイオードチップ62の陽極を、コロイド底座30の凹部31に露出された第二の放熱ベース112に、又、第三の発光ダイオードチップ63の陰極をコロイド底座30の凹部31に露出された第三の放熱ベース113に固着させた。 In the second arrangement, the anode of the first light-emitting diode chip 61 is connected to the first heat radiation base 111 exposed in the concave portion 31 of the colloid bottom 30, and the anode of the second light-emitting diode chip 62 is connected to the colloid bottom 30. The cathode of the third light emitting diode chip 63 was fixed to the third heat dissipation base 113 exposed to the recess 31 of the colloid bottom seat 30, and the second heat dissipation base 112 exposed to the recess 31.

そして、ワイヤボンディング技術(wire bonding)によって、第一の発光ダイオードチップ61の陰極と、コロイド底座30の凹部31に露出された第一組の導電性ブラケット211の陰極の導電性ブラケット231との電気接続を形成し、そして、第一の放熱ベース111(即ち、第一の発光ダイオードチップ61の陽極)と、コロイド底座30の凹部31に露出された第一組の導電性ブラケット211の陽極の導電性ブラケット221との電気接続を形成する。 Then, the electrical connection between the cathode of the first light emitting diode chip 61 and the conductive bracket 231 of the cathode of the first set of conductive brackets 211 exposed in the concave portion 31 of the colloid bottom 30 by wire bonding technology. Conduction of the first heat dissipating base 111 (that is, the anode of the first light emitting diode chip 61) and the anode of the first set of conductive brackets 211 exposed in the recess 31 of the colloid bottom 30 is formed. The electrical connection with the conductive bracket 221 is formed.

尚、第二の発光ダイオードチップ62の陰極と、コロイド底座30の凹部31に露出された第二組の導電性ブラケット212の陰極の導電性ブラケット232との電気接続を形成し、そして、第二の放熱ベース112(即ち、第二の発光ダイオードチップ62の陽極)と、コロイド底座30の凹部31に露出された第二組の導電性ブラケット212の陽極の導電性ブラケット222との電気接続を形成する。 In addition, an electrical connection is formed between the cathode of the second light emitting diode chip 62 and the cathode conductive bracket 232 of the second set of conductive brackets 212 exposed in the recess 31 of the colloid bottom base 30, and the second An electrical connection is formed between the heat dissipation base 112 (that is, the anode of the second light emitting diode chip 62) and the anode conductive bracket 222 of the second set of conductive brackets 212 exposed in the recess 31 of the colloid bottom seat 30. To do.

最後に、第三の発光ダイオードチップ63の陽極と、コロイド底座30の凹部31に露出された第三組の導電性ブラケット213の陽極の導電性ブラケット223との電気接続を形成し、そして、第三の放熱ベース113(即ち、第三の発光ダイオードチップ63の陰極)と、コロイド底座30の凹部31に露出された第三組の導電性ブラケット213の陰極の導電性ブラケット233との電気接続を形成する。 Finally, an electrical connection is formed between the anode of the third light-emitting diode chip 63 and the conductive bracket 223 of the anode of the third set of conductive brackets 213 exposed in the recess 31 of the colloid bottom 30, and Electrical connection between the three heat dissipation bases 113 (that is, the cathode of the third light emitting diode chip 63) and the cathode conductive bracket 233 of the third set of conductive brackets 213 exposed in the recess 31 of the colloid bottom 30 Form.

第一組の導電性ブラケット211は、第一の発光ダイオードチップ61に異なる電気極性を、第二組の導電性ブラケット212は、第二の発光ダイオードチップ62に異なる電気極性を、又、第三組の導電性ブラケット213は、第三の発光ダイオードチップ33に異なる電気極性を、それぞれ提供することができる。 The first set of conductive brackets 211 has a different electrical polarity for the first light emitting diode chip 61, the second set of conductive brackets 212 has a different electrical polarity for the second light emitting diode chip 62, and the third The set of conductive brackets 213 can provide different electrical polarities to the third light emitting diode chip 33, respectively.

同時に図9A及び図9Bを参照して説明する。第一組の導電性ブラケット211、第二組の導電性ブラケット212、及び第三組の導電性ブラケット213により、第一の発光ダイオードチップ61と、第二の発光ダイオードチップ62と、第三の発光ダイオードチップ63をそれぞれ制御できると共に、異なる仕様の(PNP type又はNPN type)の発光ダイオードチップをそれぞれ採用でき、これによって、さらに、発光ダイオードチップの使用効果を向上することができる。 At the same time, description will be made with reference to FIGS. 9A and 9B. By the first set of conductive brackets 211, the second set of conductive brackets 212, and the third set of conductive brackets 213, the first light-emitting diode chip 61, the second light-emitting diode chip 62, and the third set Each of the light emitting diode chips 63 can be controlled, and a light emitting diode chip with a different specification (PNP type or NPN type) can be adopted, thereby further improving the use effect of the light emitting diode chip.

そして、図9A及び図9Bでは、二種類の発光ダイオードの配置及び電気接続の方式だけを提供しているが、これは単なる例示にすぎず本発明の応用範囲を制限しない。   In FIGS. 9A and 9B, only two types of light emitting diode arrangements and electrical connection methods are provided. However, this is merely an example and does not limit the application range of the present invention.

つぎに図10を参照して説明する。図10は、本発明による熱電分離型発光ダイオードブラケットの構造における発光ダイオードチップのパッケージを示す平面図である。   Next, a description will be given with reference to FIG. FIG. 10 is a plan view showing a light emitting diode chip package in the structure of the thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to the present invention.

ここでは、第一の実施形態を発光ダイオードチップが配置されたものとして説明し、第二の実施形態による発光ダイオードチップが配置されたものが第一の実施形態による発光ダイオードチップが配置されたもののように説明される。ここでは単に例示するものとして、本発明の応用範囲は制限されない。   Here, the first embodiment will be described on the assumption that the light emitting diode chip is disposed, and the light emitting diode chip according to the second embodiment is disposed with the light emitting diode chip according to the first embodiment. It is explained as follows. Here, as an example only, the scope of application of the present invention is not limited.

尚、コロイド底座30の凹部31にパッケージコロイド70を形成することによって、パッケージコロイド70は、凹部31における発光ダイオードチップ60を覆うことができ、これにより、パッケージコロイド70を、ディスペンス(dispensing)方式により形成するが、これは例示にすぎず、本発明の応用範囲は制限されない。
さらにパッケージコロイド70に蛍光体粉末をドーピングしてもよいため、発光ダイオードチップ60が発光した光が、蛍光体粉末に当たり、他の種類の色の可視光を励起させた場合に、発光ダイオードチップ60が発光した光が、蛍光体粉末に励起させた光と混合して、混合光効果が生じる。
In addition, by forming the package colloid 70 in the recess 31 of the colloid bottom 30, the package colloid 70 can cover the light emitting diode chip 60 in the recess 31, so that the package colloid 70 is dispensed by a dispensing method. Although formed, this is merely an example, and the application range of the present invention is not limited.
Further, since the phosphor powder may be doped into the package colloid 70, when the light emitted from the light emitting diode chip 60 hits the phosphor powder and excites visible light of another type, the light emitting diode chip 60. The light emitted by is mixed with the light excited by the phosphor powder, resulting in a mixed light effect.

以上のように、本発明は具体的な実施形態の一方は、放熱板とブラケット板との結合により少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することにより、熱電分離を維持させるような設計であり、具体的な実施の形態の他方は、厚シートにより少なくとも2つの放熱ベース及び少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することにより、熱電分離を維持させるようにした。しかも、異なる仕様の発光ダイオードチップを同時に用いることで、異なる仕様の発光ダイオードチップを放熱ベースにそれぞれ配置することができると共に、異なる導電性ブラケット組との電気接続を形成することができて、異なる仕様の発光ダイオードチップを自由に選択して、発光ダイオードチップの使用上の制限を回避することができるところに、従来技術との差異がある。   As described above, one of the specific embodiments of the present invention maintains thermoelectric separation by forming at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets by coupling the heat dissipating plate and the bracket plate. In the other embodiment, the thermoelectric separation is maintained by forming at least two heat dissipating bases and at least two sets of conductive brackets from a thick sheet. In addition, by simultaneously using the light emitting diode chips having different specifications, the light emitting diode chips having different specifications can be arranged on the heat dissipation base, and electrical connection with different conductive bracket sets can be formed. There is a difference from the prior art in that the light-emitting diode chip of the specification can be freely selected to avoid the limitation in use of the light-emitting diode chip.

このような技術手段によって、従来の技術による放熱ベースに複数の発光ダイオードチップを設けた場合の、同じ仕様の発光ダイオードチップを使用しなければならないため、発光ダイオードチップの使用が制限された問題を解消することができる。さらに、異なる仕様の発光ダイオードチップを同時に使うといった効果を達成できる。   With such a technical means, when a plurality of light emitting diode chips are provided on a heat dissipation base according to the conventional technology, it is necessary to use light emitting diode chips with the same specifications, and thus the problem that the use of light emitting diode chips is limited. Can be resolved. Furthermore, the effect of simultaneously using light emitting diode chips having different specifications can be achieved.

本発明に係る実施形態は以上のようであるが、その内容が本発明の請求項をそのまま制限するわけではない。本発明における技術領域において、本発明に掲載される趣旨や範囲を外れなく、実施の形態や細かいところに対して、当業者が若干の変更を行ってもよい。本発明の出願範囲は、添付の請求項に決められるものである。   Although the embodiment according to the present invention is as described above, the contents do not limit the claims of the present invention as they are. In the technical field of the present invention, those skilled in the art may make some changes to the embodiments and details without departing from the spirit and scope of the present invention. The application scope of the invention is determined by the appended claims.

Claims (10)

熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法であって、以下の工程を含む。
放熱板に少なくとも2つの放熱ベースを形成し、
ブラケット板に少なくとも2組の導電性ブラケットを形成し、
前記放熱板と前記ブラケット板を互いに結合させて、前記少なくとも2つの放熱ベースを前記少なくとも2組の導電性ブラケット間に設けると共に、前記少なくとも2つの放熱ベースと前記少なくとも2組の導電性ブラケットを当接させず、
前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座に埋め込み、且つ、前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の凹部に露出させると共に、前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の外方に延出させることを特徴とする、熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。
A method of manufacturing a thermoelectric separation type light emitting diode bracket, which includes the following steps.
Forming at least two heat dissipating bases on the heat sink,
Forming at least two sets of conductive brackets on the bracket plate;
The heat radiating plate and the bracket plate are coupled together to provide the at least two heat radiating bases between the at least two sets of conductive brackets, and the at least two heat radiating bases and the at least two sets of conductive brackets are in contact with each other. Without touching
A part of the at least two heat dissipation bases and the at least two sets of conductive brackets are embedded in a colloid bottom seat, and a part of the at least two heat dissipation bases and the at least two sets of conductive brackets are recessed in the colloidal bottom seat. And a part of the at least two sets of conductive brackets is extended outward from the colloid bottom seat.
前記放熱板に少なくとも2つの放熱ベースを形成する工程において、スタンピングプロセスによって前記少なくとも2つの放熱ベースを形成することを特徴とする、請求項1に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   The method of manufacturing a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to claim 1, wherein in the step of forming at least two heat dissipation bases on the heat dissipation plate, the at least two heat dissipation bases are formed by a stamping process. 前記ブラケット板に少なくとも2組の導電性ブラケットを形成する工程において、スタンピングプロセスによって前記少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することを特徴とする、請求項1に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   The thermoelectric separation type light emitting diode bracket according to claim 1, wherein in the step of forming at least two sets of conductive brackets on the bracket plate, the at least two sets of conductive brackets are formed by a stamping process. Production method. 前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座に埋め込み、前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の凹部に露出させ、前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の外方に延出させる工程において、発光ダイオードチップをそれぞれ固定するように前記少なくとも2つの放熱ベースの一部を前記凹部に露出させると共に、発光ダイオードチップのそれぞれと前記凹部に一部露出された何れかの一組の導電性ブラケットとの電気的に接続を形成させることを特徴とする、請求項1に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   A portion of the at least two heat dissipating bases and the at least two sets of conductive brackets are embedded in the colloid bottom seat, and the at least two heat dissipating bases and a portion of the at least two sets of conductive brackets are exposed in the recesses of the colloid bottom seat. And, in the step of extending a part of the at least two sets of conductive brackets to the outside of the colloid base, a part of the at least two heat dissipation bases is exposed to the recess so as to fix the light emitting diode chip respectively. 2. The thermoelectric separation type according to claim 1, wherein each of the light emitting diode chips is electrically connected to any one set of conductive brackets partially exposed in the recess. Manufacturing method of light emitting diode bracket. 前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座に埋め込み、前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座の凹部に露出させ、前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の外方に延出させる工程において、さらに前記凹部にパッケージコロイドを覆う工程を含むことを特徴とする、請求項4に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   A portion of the at least two heat dissipating bases and the at least two sets of conductive brackets are embedded in the colloid bottom seat, and the at least two heat dissipating bases and a portion of the at least two sets of conductive brackets are exposed in the recesses of the colloid bottom seat. The step of extending a part of the at least two sets of conductive brackets to the outside of the colloid bottom seat further includes the step of covering the recess with a package colloid. Manufacturing method of thermoelectric isolation type light emitting diode bracket. 熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法であって、以下の工程を含む。
二種類の異なる厚さの厚シートを製作し、
前記厚シートにおける厚さの大きい箇所に少なくとも2つの放熱ベースを形成し、
前記厚シートにおける厚さの小さい箇所に少なくとも2組の導電性ブラケットを形成し、且つ、前記少なくとも2組の導電性ブラケットを前記少なくとも2つの放熱ベースと当接させず、
前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部をコロイド底座に埋め込み、前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の凹部に露出させると共に、前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の外方に延出させることを特徴とする、熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。
A method of manufacturing a thermoelectric separation type light emitting diode bracket, which includes the following steps.
Two kinds of thick sheets with different thickness are manufactured,
Forming at least two heat dissipating bases in the thick portion of the thick sheet;
Forming at least two sets of conductive brackets at a portion having a small thickness in the thick sheet, and not contacting the at least two sets of conductive brackets with the at least two heat dissipation bases;
A portion of the at least two heat dissipating bases and the at least two sets of conductive brackets are embedded in a colloid bottom seat, and the at least two heat dissipating bases and a portion of the at least two sets of conductive brackets are exposed in the recesses of the colloid bottom seat. And a part of the at least two sets of conductive brackets are extended outward from the colloid bottom seat.
前記厚シートにおける厚さの大きい箇所に前記少なくとも2つの放熱ベースを形成する工程において、スタンピングプロセスにより、前記少なくとも2つの放熱ベースを形成することを特徴とする、請求項6に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   The thermoelectric separation type according to claim 6, wherein, in the step of forming the at least two heat dissipation bases in the thick portion of the thick sheet, the at least two heat dissipation bases are formed by a stamping process. Manufacturing method of light emitting diode bracket. 前記厚シートにおける厚さの小さい箇所に前記少なくとも2組の導電性ブラケットを形成し、前記少なくとも2組の導電性ブラケットを前記少なくとも2つの放熱ベースと当接させない工程において、スタンピングプロセスにより、前記少なくとも2組の導電性ブラケットを形成することを特徴とする、請求項6に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   In the step of forming the at least two sets of conductive brackets at locations where the thickness of the thick sheet is small and not contacting the at least two sets of conductive brackets with the at least two heat dissipation bases, The method of manufacturing a thermoelectric isolation type light emitting diode bracket according to claim 6, wherein two sets of conductive brackets are formed. 前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座に埋め込み、前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の凹部に露出させ、前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の外方に延出させる工程において、発光ダイオードチップをそれぞれ固定するように前記少なくとも2つの放熱ベースの一部を前記凹部に露出させると共に、発光ダイオードチップのそれぞれと前記凹部に一部露出された何れかの一組の導電性ブラケットとの電気的に接続を形成させることを特徴とする、請求項6に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   A portion of the at least two heat dissipation bases and the at least two sets of conductive brackets are embedded in the colloid bottom seat, and the at least two heat dissipation bases and a portion of the at least two sets of conductive brackets are recessed in the colloid bottom seat. In the step of exposing and extending a part of the at least two sets of conductive brackets to the outside of the colloid base, a part of the at least two heat dissipation bases is disposed in the recess so as to fix the light emitting diode chips respectively. The thermoelectric separation according to claim 6, wherein the thermoelectric separation is formed by exposing each of the light emitting diode chips and any one of the conductive brackets partially exposed in the recess. Type light emitting diode bracket manufacturing method. 前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座に埋め込み、前記少なくとも2つの放熱ベース及び前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の凹部に露出させ、前記少なくとも2組の導電性ブラケットの一部を前記コロイド底座の外方に延出させる工程において、さらに前記凹部にパッケージコロイドを覆う工程を含むことを特徴とする、請求項9に記載の熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法。   A portion of the at least two heat dissipation bases and the at least two sets of conductive brackets are embedded in the colloid bottom seat, and the at least two heat dissipation bases and a portion of the at least two sets of conductive brackets are recessed in the colloid bottom seat. 10. The step of exposing and extending a portion of the at least two sets of conductive brackets outwardly of the colloid base further includes the step of covering the colloid with a package colloid. Manufacturing method of thermoelectric isolation type light emitting diode bracket.
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