JP2011512021A

JP2011512021A - 基板処理装置及び基板処理方法

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Publication number: JP2011512021A
Application number: JP2010540561A
Authority: JP
Inventors: ハン，ヨンキ; ソ，ヨンス
Original assignee: ソースルシーオーエルティディー
Priority date: 2007-12-31
Filing date: 2008-12-10
Publication date: 2011-04-14
Anticipated expiration: 2028-12-10
Also published as: JP5597891B2; TW200943455A; WO2009084823A1; CN101911251A; CN101911251B; TWI460805B; US20100288728A1; KR101432562B1; KR20090073425A; US8864936B2

Abstract

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。
【選択図】図１

Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に係り、特に、基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を単一チャンバ内で個別的に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体素子は薄膜蒸着工程とエッチング工程を行って製作される。即ち、蒸着工程を行って基板の所定領域に薄膜を形成し、エッチングマスクを利用したエッチング工程を行って不要な薄膜の一部を取り除いて基板上に所望の所定回路パターン又は回路素子を形成することで製作される。このような蒸着工程及びエッチング工程は所望の回路パターンを得るまで数回繰り返されるのが一般である。

一方、薄膜蒸着の時には、所望の基板の中央領域だけでなく、基板のエッジ領域及び背面領域にも薄膜が蒸着される。また、薄膜エッチングの際にもエッチング装置に残る各種の副産物、即ち、パーティクルが基板のエッジ領域及び背面領域に吸着される。なお、通常、基板を配置するステージの上には基板を固定させるための静電チャックなどが使われるが、基板と静電チャックの間には基板と静電チャックの間に存在するガスなどを排出できる溝が形成されることもある。更に、ステージの表面が凸凹するようにエムボシング処理されることもある。この時、前記溝や前記エムボシングの間のギャップを通して基板の背面全体にも薄膜及びパーティクルが堆積されることもある。もし、基板に堆積された薄膜及びパーティクルを取り除かない状態で、後続工程を行う場合、基板が曲がったり基板の整列が難しくなるなど、多くの問題が発生されるおそれがある。従って、別途のエッジエッチング装置及び背面エッチング装置を利用して蒸着及びエッチングが完了された基板のエッジ領域又は背面領域をエッチングして不要な薄膜及びパーティクルを取り除かなければならない。

しかし、従来にはこのようなエッジエッチング装置と背面エッチング装置が別途の独立的な装置であったので広い設置空間が必要であった。また、多くのチャンバの間で基板を移動しながら工程を行い、これによって工程中の基板が大気中に露出して汚染する可能性が高く、チャンバ移動による待機時間が増加して全体的な工程時間の増加する問題があった。

本発明は前記の問題を解決するために案出されたもので、工程中に基板の移動なしに単一チャンバ内で、基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにその目的がある。

前記の目的を果たすための本発明の実施形態による基板処理装置は、反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口を含む。

前記ステージ及び前記プラズマ遮蔽部の中で少なくとも一つを昇降させるための駆動部を更に含むことが望ましい。

前記ステージ及び前記プラズマ遮蔽部の中で少なくとも一つは前記基板方向に突出された突出部を備えることが望ましい。

前記突出部の平面面積は、前記基板の平面面積より小さく形成されることが望ましい。

前記突出部の平面直径は、前記支持台の内側直径より小さく形成されることが望ましい。

前記支持台は、前記チャンバ内部で伸縮自在のアーム部と、前記アーム部の後端で内側に折り曲げられて上面に基板のエッジ領域が支持される支持部と、を含むことが望ましい。

前記アーム部は、チャンバの上部又は下部に装着できる。

前記支持部は、折り曲げられる部分が平らに、又は傾斜を持つように形成されることが望ましい。

前記支持部は、単一のリング状又は単一のリングが複数に分割された分割片の形に形成されることが望ましい。

前記第２供給口は前記基板のエッジ領域に反応ガスを供給し、前記第３供給口は前記基板の中央領域に非反応ガスを供給することが望ましい。

前記の目的を果たすための本発明の他の実施形態による基板処理方法は、ステージとプラズマ遮蔽部の間に基板を配置する段階と、前記ステージの上に基板を配置した状態で前記基板と前記プラズマ遮蔽部の間を第１間隔に調節する段階と、前記プラズマ遮蔽部を通して前記基板のエッジ領域に反応ガスを供給して前記基板に第１プラズマ処理を行う段階と、前記ステージと前記基板を離隔させた状態で前記基板と前記プラズマ遮蔽部の間を第２間隔に調節する段階と、前記ステージを通して前記基板の背面領域に反応ガスを供給して前記基板に第２プラズマ処理を行う段階と、を含む。

前記第１間隔と前記第２間隔は前記基板の中央領域と前記プラズマ遮蔽部の間にプラズマが活性化されない距離、例えば、０．１ないし０．７ｍｍの範囲に設定されることが望ましい。

前記反応ガスはＣＦ_４、ＣＨＦ_４、ＳＦ_６、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８及びＮＦ_３の中で少なくとも一つを含むフッ素ラジカル、又はＢＣｌ_３及びＣｌ_２の中で少なくとも一つを含む塩素ラジカルを使うことが望ましい。

前記第１プラズマ処理を行う段階は、前記プラズマ遮蔽部を通して前記基板の中央領域に非反応ガスを供給しながら行うことが望ましい。

前記非反応ガスは水素、窒素及び不活性ガスの中で少なくとも一つを含むことが望ましい。

前記基板を支持台上に支持させてステージとプラズマ遮蔽部の間に配置することが望ましい。

前記支持台、前記ステージ及び前記プラズマ遮蔽部の中で少なくとも一つを昇降させて前記第１間隔と前記第２間隔を調節することが望ましい。

前記の目的を果たすための本発明の他の実施形態による基板処理方法は、ステージとプラズマ遮蔽部の間の支持台に基板を支持する段階と、前記ステージを通して基板を上昇させて前記基板と前記プラズマ遮蔽部の間を第１間隔に調節する段階と、前記プラズマ遮蔽部を通して前記基板のエッジ領域に反応ガスを供給して前記基板に第１プラズマ処理を行う段階と、前記支持台を通して前記基板を上昇させて前記基板と前記プラズマ遮蔽部の間を前記第２間隔に調節する段階及び前記ステージを通して前記基板の背面領域に反応ガスを供給して前記基板に第２プラズマ処理と、を行う段階を含む。

前記第１間隔と前記第２間隔は０．１ないし０．７ｍｍの範囲に設定されることが望ましい。

本発明は基板前面の中央領域及び基板背面の中央領域を保護しながら露出した基板のエッジ領域をプラズマ処理し、基板の前面を保護しながら基板の背面領域をプラズマ処理する方式で、単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。よって、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体の工程時間を節約できる。

本発明の第１実施形態による基板処理装置を示す模式図。本発明の第1実施形態による支持台の支持部を示す底面図。本発明の第１実施形態による支持台の支持部を示す底面図。本発明の第１実施形態によるプラズマ処理動作を説明するための工程フローチャート。本発明の第１実施形態による第１プラズマ処理動作を説明するためのチャンバ模式図。本発明の第１実施形態による第２プラズマ処理動作を説明するためのチャンバ模式図。本発明の第２実施形態による基板処理装置を示す模式図。

以下、添付された図面を参照して、本発明による実施形態を詳しく説明する。

しかしながら、本発明は後述する実施形態に限定されるものではなく、相違なる形態に実現され、単にこれらの実施形態は本発明の開示が完全たるものとし、通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。図中、同し符号は同じ構成要素を示す。

＜第１実施形態＞

図１は本発明の第１実施形態による基板処理装置を示す模式図であり、図２及び図３は本発明の第１実施形態による支持台の支持部を示す底面図である。

図１を参照すると、本実施形態による基板処理装置は反応空間を提供するチャンバ１００と、前記チャンバ１００内部の下部に設けられるステージ２００と、前記ステージ２００に対向して前記チャンバ１００内部の上部に設けられるプラズマ遮蔽部３００と、前記ステージ２００と前記プラズマ遮蔽部３００との間に基板１０を支持する支持台４１０と、前記ステージ２００と前記ステージ２００と前記プラズマ遮蔽部３００との間にプラズマを形成するためのプラズマ発生手段５１０、５２０、５３０と、を含む。ここで、基板１０はプラズマ処理、例えば、エッチング、蒸着、洗浄などが要求される板状の被処理体、例えば、ウェーハ、ガラスパネルなどを通称する意味で使われる。

チャンバ１００は、内部に所定空間を備えるチャンバ本体１１０と、チャンバ本体１１０を覆うチャンバリッド１２０を備える。この時、前記チャンバリッド１２０は、前記チャンバ本体１１０の上部と気密するように接続され、チャンバ１００内部に密閉された反応空間を形成する。もちろん、チャンバ本体１１０とチャンバリッド１２０は一体的に形成できる。このようなチャンバ１００には基板１０の搬入又は搬出のための開閉手段と、残留ガスの排気のための排気手段が備えられる。例えば、本実施形態はチャンバ１００の側壁にゲート１３０を形成して前記開閉手段を構成し、チャンバ１００の下壁に排気口１４１及び前記排気口１４１に排気ポンプ１４０を連結して前記排気手段を構成する。一方、前記のチャンバ１００は接地電源に連結されてチャンバ１００を通して電流が流れないように構成することが望ましい。

ステージ２００は本体部の上部中央に突出部が備えられる。前記突出部は基板１０のエッジエッチングの際に基板１０背面の中央部を配置する配置領域を提供する。また、前記ステージ２００は基板１０の背面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口２１０を備え、前記第１供給口２１０の一側はチャンバ１００外側に延長されて第１ガス供給部２２０と連通される。この時、チャンバ１００外側から供給された反応ガス又は非反応ガスが基板１０背面に噴射される前に複数の流れに分割されるように第１供給口２１０の基板噴射方向の他端、即ち、基板に向けられた端部は複数の開口で形成される。これにより、基板１０の背面領域に均一なガス供給が可能である。また、前記ステージ２００は駆動手段によって昇降運動及び回転運動ができるように設けられることが望ましい。本実施形態はステージ２００の本体部の下部が駆動側２３１の一端に結合され、前記駆動側２３１の他端はチャンバ１００の下壁を貫通して前記駆動側２３１に昇降力及び回転力を印加する第１駆動部２３０に結合される。

一方、図示してないが、前記ステージ２００の突出部には基板１０を固定するためのチャック手段、例えば、機械力、静電力、真空吸入力などを利用するチャック部材を備え、前記ステージ２００の本体部にはチャンバ１００内部の工程温度を一定に維持させるための冷却手段、例えば、冷却管及び前記冷却管を循環する冷媒材を備え、又は加熱手段、例えば、電気発熱ヒーター、ランプヒーターなどを備えることができる。

プラズマ遮蔽部３００は本体の下部中央に突出部が備えられる。前記突出部は基板１０の背面エッチングの際、基板１０前面の中央領域に接するように配置されて基板１０前面の中央領域にプラズマが流入されることを防止する役割だけではなく、局所的なプラズマ発生を誘導できる。また、前記プラズマ遮蔽部３００は基板１０前面のエッジ領域に反応ガスを供給する第２供給口３１１及び基板１０前面の中央領域に非反応ガスを供給する第３供給口３１２を備える。前記第２供給口３１１の一側はチャンバ１００外側に延長されて第２ガス供給部３２１と連通され、前記第３供給部３１２の一側はチャンバ１００外側に延長されて第３ガス供給部３２２と連通される。この時、チャンバ１００外側から供給されたガスが基板方向に噴射される前に複数の流れに分割されるように第２及び第３供給口３１１、３１２の基板噴射方向の他端、即ち、基板に向けられた端部は複数の開口で形成される。これにより、基板１０前面のエッジ領域又は中央領域に均一なガス供給が可能である。

一方、前記ステージ２００と前記プラズマ遮蔽部３００の突出部は基板１０と同じ形に製作されることが望ましく、基板１０の大きさよりすこし小さく製作されることが望ましいが、その大きさは工程によって変更可能である。これにより、前記ステージ２００の突出部の上に、基板１０の背面を配置するか、前記プラズマ遮蔽部３００の突出部を基板１０の前面に接近しても、基板１０のエッジ領域が露出されて基板１０のエッジ領域にプラズマが自由に流入できるので、基板１０のエッジエッチングを容易に行える。この時、露出する基板１０のエッジ領域は、基板１０の端部でおおよそ０．１ないし５ｍｍであることが望ましい。また、前記ステージ２００の突出部は、その上部の少なくとも一部が支持台４１０の内側の空間に挿入できるように、その平面直径ｄ２が支持台４１０の内側の直径ｄ１より小さく製作されることが望ましい。これにより、第１駆動部２３０を動作させてステージ２００を上昇させると、支持台４１０に支持された基板１０がステージ２００の突出部の上に配置されて一緒に上昇することによって、基板１０がプラズマ遮蔽部３００に近接できる。

支持台４１０はステージ２００とプラズマ遮蔽部３００の間の空間で基板１０を支持し、前記基板１０を上下に移動させて基板１０とステージ２００の間の間隔及び基板１０とプラズマ遮蔽部３００の間の間隔を調節する。このような支持台４１０はチャンバ１００の上部に設けられ、上部から下部に伸縮されるアーム部４１３及び前記アーム部４１３の端部で内側に折り曲げられて上面に基板１０のエッジ領域が支持される支持部４１１を含む。

前記アーム部４１３は内側に基板１０を配置することができ、基板１０の荷重を安定的に支持できる構造、例えば、一対の長い棒状又は筒状に製作されることが望ましい。このようなアーム部４１３の一端は、チャンバ１００外側に備えられる第２駆動部４２０と連結されて上下に伸縮可能に構成され、前記第２駆動部４２０によって前記アーム部４１３の他端がステージ２００とプラズマ遮蔽部３００の間で上下に移動可能に構成される。前記支持部４１１は基板１０と同じ形に製作され、その上面が基板１０のエッジ領域を安定的に支持できる構造、例えば、基板１０が円形であれば、図２に示されるように単一のリング状、又は図３に示されるように単一のリングが複数に分割された分割片の形に製作されることが望ましい。この時、リング状の内周直径ｄ１は基板１０の大きさよりすこし小さく製作されることが望ましい。従って、基板１０背面はエッジ領域を除いての大部分の中央領域を露出できる。また、前記支持部４１１と前記アーム部４１３の間に形成される折曲部４１２は内側で平らに、又は外側から内側に下向きに傾斜を持つように形成されることが望ましい。これにより、基板１０が平面に安定的に配置されるか、又は傾斜に沿って案内されながら支持部４１１上に自動整列される効果を得ることができる。一方、前記の支持台４１０は、基板処理装置のその他の構成によって電気的に干渉されないように浮遊（floating）状態で構成されるのが望ましく、このためＡｌ_２Ｏ_３のような絶縁物質に形成されることが望ましい。

プラズマ発生手段は、基板１０のプラズマ処理のためにステージ２００とプラズマ遮蔽部３００の間にプラズマを形成する役割をする。本実施形態はステージ２００が下部電極として機能し、プラズマ遮蔽部３００が上部電極として機能するように構成される。この時、プラズマ遮蔽部３００は接地電源に接続され、ステージ２００は電源供給部５３０に接続されてプラズマ電源が印加される。本実施形態では、電源供給部５３０はステージ２００に高周波（Radio Frequency）電源を供給し、インピーダンス整合部５３１は高周波電源の最大パワー（power）とステージ２００の負荷（load）の間のインピーダンス（impedance）を整合（matching）する。もちろん、前記プラズマ発生手段は、これに限定されるのではなく、ステージ２００とプラズマ遮蔽部３００の間にプラズマを形成できれば、どんな手段でも変更可能である。例えば、プラズマ発生のための電極はアンテナの形態でチャンバ１００外側に設けられることができ、高周波電源の代わりに直流ＤＣ電源を使うこともできる。また、ステージ２００に接地電源を印加し、プラズマ遮蔽部３００に高周波電源を印加することもできる。

一方、このような構成の本実施形態による基板処理装置は、基板のエッジ領域だけではなく、背面領域にプラズマ処理を単一チャンバ内で個別的に行うことができ、これを次のようにより詳しく説明する。

図４は本発明の第１実施形態によるプラズマ処理動作を説明するための工程フローチャートであり、図５は本発明の第１実施形態による第１プラズマ処理動作を説明するためのチャンバ模式図であり、図６は本発明の第１実施形態による第２プラズマ処理動作を説明するためのチャンバ模式図である。

図４及び図５を参照すると、第１プラズマ処理動作では基板１０のエッジ領域にプラズマ処理を行う。まず、所定の薄膜が形成された基板１０をチャンバ１００内部に搬入させて支持台４１０に支持する。引き続き、ステージ２００を上昇させてステージ２００の突出部の上に基板１０の背面を配置した後、ステージ２００をもっと上昇させて基板１０前面の中央領域とプラズマ遮蔽部３００の間をプラズマが非活性化される第１間隔、即ち、０．１ないし０．７ｍｍの範囲に調節する（Ｓ１１０）。引き続き、プラズマ遮蔽部３００の第２供給口３１１を通して基板１００前面のエッジ領域に反応ガスを供給し、第３供給口３１２を通して基板１００前面の中央領域に非反応ガスを供給する（Ｓ１２０）。その後、ステージ２００にプラズマ電源を印加すると、プラズマが形成されて基板１０表面にプラズマ処理が実施される（Ｓ１３０）。この時、基板１０背面の中央領域はステージ２００の突出部の上に配置されて密閉され、基板１０前面の中央領域には第３供給口３１１を通して供給される非反応ガスによって一種の遮断膜が形成される。従って、前記の第１プラズマ処理動作では基板１０前面の中央領域及び基板背面の中央領域が保護されながら、露出した基板のエッジ領域だけがプラズマ処理される。

図４及び図６を参照すると、第２プラズマ処理動作では基板１０の背面領域にプラズマ処理を行う。前記の第１プラズマ処理動作が終われば、ステージ２００を下降させて基板１０とプラズマ遮蔽部３００の間を離隔させる。これによって、基板１０は支持台４１０の上に支持される。引き続き、支持台４１０を上昇させて基板１０前面の中央領域とプラズマ遮蔽部３００の間をプラズマが非活性化される第２間隔、即ち、０．１ないし０．７ｍｍの範囲に調節する（Ｓ１４０）。引き続き、ステージ２００の第１供給口２１０を通して基板１０背面に反応ガスを供給して（Ｓ１５０）、ステージ２００にプラズマ電源を印加すると、プラズマが形成されて基板１０背面にプラズマ処理が実施される（Ｓ１６０）。この時、基板１０の前面領域はプラズマ遮蔽部３００に近接されてプラズマ露出が防止される。従って、前記の第２プラズマ処理動作では基板１０の前面が保護されながら基板１０の背面領域だけがプラズマ処理される。

一方、前記第１及び第２プラズマ処理過程で反応ガスはＣＦ_４、ＣＨＦ_４、ＳＦ_６、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８又はＮＦ_３のようなフッ素ラジカル、ＢＣｌ_３又はＣｌ_２のような塩素ラジカルの少なくとも一つを含むことが望ましい。そのほかの基板１０に堆積された薄膜やパーティクルなどを化学的にエッチングできる多様なエッチングガスを含むことができる。また、非反応ガスは酸素、水素、窒素及び不活性ガスを含むことができ、そのほかの基板１０に形成された薄膜を保護できる多様な保護ガスを含むことができる。もちろん、工程によって前記反応、非反応ガスを混合して使うこともできる。

＜第２実施形態＞

一方、前述の基板処理装置は前述の構成に限定されることではなく、多様な実施形態が可能である。下記では、このような可能性の一例として本発明の第２実施形態による基板処理装置について説明する。この時、前述の実施形態と重複される説明は省略して簡単に説明する。

図７は本発明の第２実施形態による基板処理装置を示す模式図である。

図７を参照すると、本実施形態による基板処理装置は反応空間を提供するチャンバ１００と、前記チャンバ１００内部の下部に設けられるステージ２００と、前記ステージ２００に対向して前記チャンバ１００内部の上部に設けられるプラズマ遮蔽部６００と、前記ステージ２００と前記プラズマ遮蔽部６００の間に基板１０を支持する支持台７１０と、前記ステージ２００と前記プラズマ遮蔽部６００の間にプラズマを形成するためのプラズマ発生手段８１０、８２０と、を含む。

前述の第１実施形態とは違い、前記支持台７１０はチャンバ１００の下部に設けられ、前記プラズマ遮蔽部６００は駆動手段によって昇降運動及び回転運動ができるように設けられる。即ち、支持台７１０はチャンバ１００の下部に設けられて下部から上部に伸縮されるアーム部７１３と、前記アーム部７１３の後端で内側に折り曲げられて上面に基板１０のエッジ領域が支持される支持部７１１と、を備え、支持部７１１とアーム部７１３の間の折曲部７１３には基板を配置するために平らな面、又は基板整列のための傾斜面を持つように形成される。このようなアーム部７１３の一端はチャンバ１００外側に備えられる第２駆動部７２０と連結されて上下に伸縮可能に構成され、前記第２駆動部７２０によって前記アーム部７１３の他端がステージ２００とプラズマ遮蔽部６００の間で上下に移動可能に構成される。また、プラズマ遮蔽部６００の本体部の上部は駆動側６１１の一端に結合され、前記駆動側６１１の他端はチャンバ１００の上壁を貫通して前記駆動側６１１に昇降力及び回転力を印加する第３駆動部６１０に結合される。これにより、ステージ２００と基板１０、又は基板１０とプラズマ遮蔽部６００の間の間隔は支持台７１０の昇降だけではなく、ステージ２００又はプラズマ遮蔽部６００の昇降によっても自由に調節できるので、工程条件をより容易に調節できる。

プラズマ発生手段８１０、８２０は支持台７１０の外側領域に備えられるプラズマ電極８１０と、前記プラズマ電極にプラズマ電源を供給する電源供給部８２０と、を含む。本実施形態の電源供給部８２０はプラズマ電極８１０に高周波電源を供給し、インピーダンス整合部８２１は高周波電源の最大パワーとプラズマ電極８１０の負荷の間のインピーダンスを整合する。一方、前記プラズマ電極８１０は基板１０の形に対応して平板、又はリング状に製作され、基板１０のエッジ領域により高密度の分布を持つプラズマを発生できるので、基板１０のエッジ領域にプラズマ処理をより効果的に行うことができる。

一方、前述の第１及び第２実施形態では薄膜エッチングのためにプラズマを利用する基板処理装置について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、本発明による基板処理装置はプラズマを利用する多様な工程、例えば、薄膜蒸着、薄膜洗浄などにも使われることができる。

以上、本発明について実施形態及び添付された図面に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、後述される特許請求範囲によって限定される。従って、本技術分野の通常の知識を持った者なら、後述される特許請求範囲の技術的思想の範囲内で、本発明が多様に変形及び修正できると理解できるはずである。

本発明では、プラズマ処理は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域のそれぞれで個別的に行っている。よって、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。更にチャンバ間で基板の移動による雰囲気への基板の露出がないので、基板汚染が少ない。またチャンバ間の基板の移動による待機時間がないので、全体の処理時間を減少できる。

Claims

反応空間を提供するチャンバと、
前記チャンバ内部に設けられるステージと、
前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、
前記ステージと前記プラズマ遮蔽部との間に基板を支持する支持台と、
前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、
前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置。
前記ステージ及び前記プラズマ遮蔽部の中で少なくとも一つを昇降させるための駆動部を更に含む請求項１記載の基板処理装置。
前記ステージ及び前記プラズマ遮蔽部の中で少なくとも一つは前記基板方向に突出された突出部を備える請求項１記載の基板処理装置。
前記突出部の平面面積は、前記基板の平面面積より小さく形成される請求項３記載の基板処理装置。
前記突出部の平面直径は、前記支持台の内側直径より小さく形成される請求項３記載の基板処理装置。
前記支持台は、
前記チャンバ内部で伸縮自在のアーム部と、
前記アーム部の後端で内側に折り曲げられて上面に基板のエッジ領域が支持される支持部と、を含む請求項１記載の基板処理装置。
前記アーム部はチャンバの上部又は下部に装着される請求項６記載の基板処理装置。
前記支持部は、折り曲げられる部分が平らに、又は傾斜を持つように形成される請求項６記載の基板処理装置。
前記支持部は、単一のリング状又は単一のリングが複数に分割された分割片の形に形成される請求項６記載の基板処理装置。
前記第２供給口は、前記基板のエッジ領域に反応ガスを供給し、前記第３供給口は前記基板の中央領域に非反応ガスを供給する請求項１記載の基板処理装置。
ステージとプラズマ遮蔽部との間に基板を配置する段階と、
前記ステージの上に基板を配置した状態で、前記基板と前記プラズマ遮蔽部との間を第１間隔に調節する段階と、
前記プラズマ遮蔽部を通して前記基板のエッジ領域に反応ガスを供給して前記基板に第１プラズマ処理を行う段階と、
前記ステージと前記基板を離隔させた状態で、前記基板と前記プラズマ遮蔽部の間を第２間隔に調節する段階と、
前記ステージを通して前記基板の背面領域に反応ガスを供給して前記基板に第２プラズマ処理を行う段階と、を含む基板処理方法。
前記第１間隔と前記第２間隔は、前記基板の中央領域と前記プラズマ遮蔽部の間にプラズマが活性化されない距離に調節される請求項１１記載の基板処理方法。
前記プラズマが活性化されない距離は、０．１ないし０．７ｍｍの範囲に設定される請求項１２記載の基板処理方法。
前記反応ガスは、フッ素ラジカル又は塩素ラジカルを含む請求項１１記載の基板処理方法。
前記フッ素ラジカルは、ＣＦ_４、ＣＨＦ_４、ＳＦ_６、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８及びＮＦ_３の中で少なくとも一つを含み、前記塩素ラジカルはＢＣｌ_３及びＣｌ_２の中で少なくとも一つを含む請求項１４記載の基板処理方法。
前記第１プラズマ処理を行う段階は、
前記プラズマ遮蔽部を通して前記基板の中央領域に非反応ガスを供給しながら行う請求項１１記載の基板処理方法。
前記非反応ガスは、水素、窒素及び不活性ガスの中で少なくとも一つを含む請求項１６記載の基板処理方法。
前記基板を支持台上に支持させてステージとプラズマ遮蔽部の間に配置する請求項１１記載の基板処理方法。
前記支持台、前記ステージ及び前記プラズマ遮蔽部の中で少なくとも一つを昇降させて前記第１間隔と前記第２間隔を調節する請求項１８記載の基板処理方法。
ステージとプラズマ遮蔽部の間の支持台に基板を支持する段階と、
前記ステージを通して基板を上昇させて前記基板と前記プラズマ遮蔽部の間を第１間隔に調節する段階と、
前記プラズマ遮蔽部を通して前記基板のエッジ領域に反応ガスを供給して前記基板に第１プラズマ処理を行う段階と、
前記支持台を通して前記基板を上昇させて前記基板と前記プラズマ遮蔽部の間を前記第２間隔に調節する段階と、
前記ステージを通して前記基板の背面領域に反応ガスを供給して前記基板に第２プラズマ処理を行う段階と、を含む基板処理方法。
前記第１間隔と前記第２間隔は、０．１ないし０．７ｍｍの範囲に設定される請求項２０記載の基板処理方法。