JP2011510328A - 巨大ファラデー回転を用いた超高感度磁気センサ - Google Patents

Abstract

本発明は高精度な磁場センサシステムとこのシステムに用いられる材料に関する。このセンサシステムは、高分子材料などの無機および／または有機の磁気光学活性材料を用いて磁場を測定し、ファラデー回転を用いた干渉計を備える。高分子材料は膜状であることが好ましい。高分子材料は、ファラデー回転効果など、磁場に対して感度がよいという光学的特性を備える。また、本発明は上記高分子材料を備えるセンサヘッド構造を提供する。センサヘッドは、光ファイバやミラーを備えていてもよい。特に本発明は、光の偏光面の回転を測定するためのファイバサニャック干渉計を提供する。本発明は、磁場を検出するためにパッシブな位相バイアスを印加可能な、ファイバまたはミラーを用いたサニャック干渉計を提供する。本発明は次の３つの主な実施の態様を有する。１．検出材料：ポリチオフェンなどの共役高分子、および／または巨大ファラデー回転を示す超常磁性ナノ粒子を含む高分子。２．上記高分子や高分子とナノ粒子の複合材料（例えば膜状）を含む磁場プローブ。３．センサ：光ファイバを用いたサニャック干渉計と上記磁場プローブが組み合わされたセンサ。

Description

本発明は高精度の電磁場センサおよびその製造方法に関する。特に、本発明は高精度の磁場センサ（例えば、電流と電界の測定に用いられる磁場センサ）およびその製造方法に関する。

微小な磁場の測定は、生物医学研究分野、例えばＭＣＧ（magneto-Cardiogram：心磁図。１ナノテスラよりも小さい磁場）、ＭＥＧ（Magneto-Encephalogram：脳磁図。１０ピコテスラよりも小さい磁場）においてとても重要である。現在のところ、これらの磁場は超電導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）を用いて測定されている。ＳＱＵＩＤ（Superconducting Quantum Interference Device）は、極微小の磁場（フェムトテスラまでの磁場）の測定に用いられる非常に高感度な磁力計である。このＳＱＵＩＤは、極低温においてのみ動作し、非常に高価で、最新医療において使用が制限されている。

ファラデー回転の動作原理の概略を図１に示す。ファラデー回転は、光の伝搬方向と平行な磁場に起因する磁場誘起複屈折による、直線偏光の偏光面の回転である。ファラデー回転は百年以上も前から知られており、光アイソレーターで広く用いられている。偏光面の回転（θ）は、磁場の大きさ（Ｂ）、サンプルの長さ（Ｌ）、およびベルデ定数（Ｖ）の積（θ＝ＶＢＬ）で与えられる。ベルデ定数はファラデー効果を数値化する定数であり、全ての物質でゼロと異なる値をとり、波長に大きく依存する定数である。

サニャック干渉計の動作原理は「"The optical fibre Sagnac interferometer: an overview of its principles and applications", B. Colshaw, Inst. of Physics Publishing, Meas. Sci. Technol. Vol. 17, (2006) R1-R16.」に記載されている。

「Jing Xia, et al. "Modified Sagnac interferometer for high-sensitivity magento-optic measurements at cryogenic temperatures", Appl. Phys. Letters, vol. 89, 06258 (2006)」には、極低温において磁気光学カー効果を測定するためのループ型のゼロエリアサニャック干渉計について記載されている。広帯域光源からの光線はファイバを通り偏光子に導かれ、偏光子から半波長板および電気光学変調器へ導かれ、さらにファイバへと導かれている。ファイバの終端から放出された光は、極低温に保たれたサンプルにおいて反射される。

ファイバサニャック干渉計を構成するための最も一般的な方法は、変調復調方式によるロックイン検出を用いる方法である。ロックイン方式の検出帯域幅は変調周波数により制限され、この方式ではファイバピッグテール型の光位相変調器やロックインアンプなどの、高価な光学的・電気的な部品が必要となる。

ＭＥＭＳを用いた磁力計が知られており、それはマイクロテスラレベル以上の比較的強い磁場を測定するのに用いられる。また、超高感度な分光法を用いた装置やＳＱＵＩＤＳも知られている。ＭＥＭＳを用いた磁力計はとてもコンパクトで安価であるが、感度に限界がある。このため、ＭＥＭＳを用いた磁力計は生物医学分野の適用には適していない。更に、ＭＥＭＳを用いた磁力計は、電磁干渉の影響に敏感である。

原子磁力計（光励起磁力計）はピコテスラまでの感度を備えるが、壊れやすくまた高価である。原子磁力計は、いくつかの細線や、ガスセル内での原子遷移の測定のための安定した単調レーザー光源を利用する。現在のところ全ての磁力計の中で最も高い感度を備えるＳＱＵＩＤは、極低温で動作させる必要があるため、とても高価で実用的ではない。

本発明は、センサ、センサシステム、無機および／または有機の磁気光学活性プローブ、無機および／または有機の磁気光学活性材料、無機および／または有機の磁気光学活性膜、そして添付の特許請求の範囲で定義され、さらに本明細書で図面を参照してより詳細に記載されているこれらを作製するための方法を提供する。

本発明は、このようなシステムで用いられる磁場センサシステムや材料を提供する。本発明にかかるセンサシステムは、無機および／または有機の磁気光学活性材料（例えば高分子材料）を用いて磁場を測定し、また、ファラデー回転を用いた干渉計を備える。高分子材料は膜状であることが好ましい。高分子材料は、例えばファラデー回転効果のように磁場に対して敏感な光学特性を備える。

また、本発明は上記の高分子材料を有するセンサヘッド構造を提供する。このセンサヘッドは、光ファイバやミラーを備えていていてもよい。本発明の磁気センサプローブは、光を入力する導入口と、光を出力する導出口と、磁場センサプローブによって受光された光を伝達するように配置された、無機および／または有機の磁気光学活性膜と、光を、導入口から無機および／または有機の磁気光学活性膜を通り導出口へと導く光学部品と、を備える。

特に、本発明は、偏光面の回転を測定するためのファイバサニャック干渉計を提供する。本発明は、磁場センシングのためのパッシブな位相バイアスを用いた、ファイバまたはミラーを用いたサニャック干渉計を提供する。

本発明は、次の３つの主要な部分を備え、それぞれは本発明の実施の形態である。
１．センシング材料：巨大ファラデー回転を示す、ポリチオフェンなどの共役高分子および／または超常磁性ナノ粒子を含む高分子。
２．上記高分子または高分子とナノ粒子の複合材料（例えば膜状）を含む磁場プローブ。
３．センサ：光ファイバを用いたサニャック干渉計と上記磁場プローブを組み合わせたセンサ。

センサでは、偏光が高分子を用いたプローブに導かれる。高分子を用いたプローブは、高分子磁場プローブであってもよい。偏光は光ファイバにより、または他の光学的手段（例えば少なくとも１つのミラー）により導かれてもよい。高分子材料を通過した後、光は検出器に導かれる。光は高分子膜に対して９０°で入射してもよく、または高分子膜に対してある角度をなして入射してもよい。高分子からの光は、同一のまたは異なる光ファイバ、または他の光学的手段（例えば少なくとも１つのミラー）を用いて導かれてもよい。センサの好ましい実施の形態は干渉計を含み、インラインサニャック干渉計が１つの適切な例である。好ましい実施の形態としては、光を検出器へ導くファイバと同一のファイバによって、光が高分子プローブに導かれる。測定される磁場は磁場プローブにおいて偏光回転を引き起こし、例えばサニャック干渉計などの干渉計を用いて、これは検出器において強度変化に変換される。

本発明にかかるセンサの感度はナノテスラの範囲とすることができる。上記で述べたように、本発明では、改良された高分子または高分子とナノ粒子の複合材料を用いたプローブにより、フェムトテスラの範囲まで精度を向上することができる。

よって、本発明は、磁場の強度（例えば、ナノテスラ以下の範囲、フェムトテスラ以下の範囲）を測定するための超高感度磁力計を提供する。このセンサは、ロボット工学応用や様々な技術における監視用途、そして生物医学分野において用いることができる。この装置の動作原理は、高いベルデ定数を持つ膜の巨大ファラデー効果に基づいている。本発明の実施の形態において、共役高分子や、高分子とナノ粒子の混合物は高いベルデ定数を持つ材料として用いられる。この膜は、例えば共役高分子、または高分子と超常磁性ナノ粒子の複合材料により形成してもよい。高分子材料は、ポリチオフェンを用いた高分子材料のみに限定されることはない。例えば、共役高分子は、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）、ポリアルコキシチオフェンである。

また、磁性金属酸化物の複合材料である超常磁性ナノ粒子を含む他の高分子膜も用いることができる。高分子の中に占める超常磁性ナノ粒子の量は、０．１から５０重量％の範囲（例えば、１から１０重量％）とすることができる。母材となる高分子は、適切な透明な高分子であればよく、例えば、ＰＭＭＡ、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ＡＢＳ、ＰＶＣ、ＰＶＡ、ポリイミド、ポリスチレンなど、または、本発明において記載した共役高分子とすることができる。更に、ベルデ定数を向上させ、光学的損失を減少させるために、超常磁性ナノ粒子を含む高分子に外部磁場を印加し分極処理をしてもよい。ファラデー回転の量は磁場の強度に比例し、干渉計を用いて測定される。一実施形態としてインラインサニャック干渉計を用いることができる。この干渉計は光源として、例えばＬＥＤ、または高輝度発光ダイオード、またはレーザーダイオードを備えていてもよい。センサの好ましい実施の形態として、センサのショットノイズ限界分解能は１ｐＴ／ｓｑｒｔ（Ｈｚ）の範囲である。感度限界は、磁界コンセントレータを実装することで、また公知技術を用いることで改善することができる。

ファラデー回転の効果を概略的に示す図である。 本発明にかかるセンサの実施の形態を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態においてセンシング材料を用いて得られた結果を示す図である。 本発明にかかるセンサの他の実施の形態を概略的に示す図である。 本発明にかかるセンサプローブの実施の形態を示す概略図である。 センサプローブが用いられるセンサを示す図である。 本発明にかかるセンサプローブの実施の形態を概略的に示す図である。 本発明にかかるセンサの実施の形態を用いて地磁気を測定した結果を示す図である。 本発明にかかるファイバサニャック干渉計におけるファラデー回転を示す図である。

本発明は、例えば生物医学研究分野において用いられ、ＭＣＧ（magneto-Cardiogram：心磁図）における１ナノテスラよりも小さい磁場の測定、および／または、ＭＥＧ（Magneto-Encephalogram：脳磁図）における１０ピコテスラよりも小さい磁場の測定など、微小な磁場を測定するための方法、装置、そして材料を提供する。本発明は、例えばナノテスラまたはフェムトテスラに至るまでの極微小な磁場を測定するために用いられる高感度な磁力計とその方法を提供する。本発明の装置は室温、例えば２００℃よりも低い温度で動作可能である。これらは、より低い温度、例えば極低温で動作することも可能である。

本発明の実施の形態は、極微小な磁場を室温で簡易な方法で測定することができるという効果がある。新規材料を用いた磁場センサは作製が容易で、安価で、生体磁気を測定するシステムとして一体化することができる。測定がファラデー回転効果や光学的効果に基づくため、微小な磁場測定の際の主要な問題である電場の干渉の影響を受けにくく、また地磁気の影響を補償することができる。

本発明の一態様はファイバチップ（fiber-tip）センサ構造である。この構造には、１つのファイバを用いるタイプと、２つのファイバを用いるタイプがあり、磁場プローブの２つの好ましい実施の形態として説明する。

図２は、本発明にかかるセンサにおける１つのファイバを用いる実施の形態を示す概略図である。図２は、本発明の特定の実施の形態を示しており、インラインファイバ型サニャック干渉計の構成を示している。光源２として、典型的には広い光学スペクトルを持ったＬＥＤが用いられる。例えば、１．５μｍＬＥＤが光源２として用いられる。光源２から出力された光は枝分かれしている２つのファイバ６、８に、例えば通常の融着型ファイバスプリッタ４を用いて分岐される。ファイバ６に分岐された光は磁場プローブ２０へ導かれる。一方、ファイバ８に分岐された光は典型的には使用されないが、ノイズ特性を改善するためにノイズサブトラクション１０において用いられてもよい。ファイバ６を通過した光は、バイアスユニット１２を通り磁場プローブ２０に到達する。バイアスユニット１２は、偏光子１４とファラデー回転子１６を含んでもよい。バイアスユニット１２から出力された光は更なるファイバを通り、プローブユニット２０へ供給される。プローブユニット２０は、高いベルデ定数値を持つ検出用の高分子膜２２と、任意に設けられたミラー２４とを含む。また、検出膜２２上の光を成形するために、任意にレンズ２６を設けてもよい。光は検出膜２２を通り、ミラー２４を用いて任意に反射される。光は高分子膜に９０°で入射してもよく、または高分子膜に対してある角度をなして入射してもよい。本発明の実施の形態における測定原理は、磁気光学的に活性で十分に透明な高いベルデ定数値を持つ膜材料を通過することに関連する。検出膜２２を２度通過し、ミラーで反射された後、回転された偏光は磁場プローブ２０への往路において通過したファイバと同一のファイバ１８を通る。ファイバスプリッタ４を通過した後、光の強度は、検出のための電子機器（不図示）を備えた光検出器３０を用いて検出される。磁場プローブ２０における偏光回転は、バイアスユニット１２に設けられた偏光子１４により強度変化に変換される。バイアスユニット１２の追加的な（とても重要な）目的は、検出に必要な位相バイアスを生成することである。バイアスなしでは、このシステムにおける偏光回転に対する応答は、回転角の余弦関数に比例することとなる。通常、ファラデー回転はとても小さいため、余弦関数タイプの応答では、検出強度の変化がより小さくなる（回転角の２乗まで）。パッシブなバイアスは、ファラデー回転に大きな固定角を与える。この大きな固定角は、典型的には９０°と等しいが、９０°と異なる値としてもよい。もしバイアス角度が９０°の場合、余弦関数である応答は正弦関数の応答に変換される。この正弦関数の応答は、偏光回転角に比例し、小さい回転角を検出するのに適している。

したがって、本発明は、磁場の影響下において検出材料（例えば膜など）を通過した光の偏光回転角を検出することに基づいている。検出膜の検出材料は磁場により影響を受ける。本発明の実施の形態における測定原理は、高いベルデ定数値を持つ膜材料（つまり、検出材料は高いベルデ定数値を持つ）を通過することに関連する。検出材料は好ましくは膜状のものがよい。つまり、光が進む方向における検出材料の厚さが、光が進む方向と垂直な方向における大きさよりも小さい。検出用の高分子膜の厚さは、装置の精度に影響を及ぼす。また、材料の厚さとベルデ定数は検出膜の透過性にも影響を及ぼす。膜厚は１ｃｍ未満が好ましく、さらに１ｍｍ未満がより好ましく、さらに１０ミクロンオーダーであることが最も好ましい。本発明の実施の形態では、検出材料は共役高分子、または高分子と超常磁性ナノ粒子の複合材料とすることができる。これらの材料は、透明性を保持しつつ、高いベルデ定数（例えば、＞１０^６°／Ｔｍ）を持ち、とても高いファラデー回転を示す。

本発明の実施の形態にかかる、高分子と超常磁性ナノ粒子の複合材料を用いた場合の測定結果を図３に示す。図３における丸い点で構成される線（下側）は、このような材料を用いない場合の測定結果を示している。一方で、四角い点で構成される傾いた線（上側）は、本発明の実施の形態にかかる高分子と超常磁性ナノ粒子の複合材料を用いた場合の測定結果である。図３より後者（四角い点）では磁場の変化に対してとても高感度であることがわかる。ファイバサニャック干渉計などの干渉計はマイクロ度の回転を検出することができるため、磁場に対しての感度はとても高い。実際に、使用される材料によっては、１０^−１５（Ｔ）オーダーの感度が達成されている。

光回路は、電気通信級の光ファイバ部品を用いて構成することができる。高いベルデ定数を持つ既知の無機材料が検出膜に用いられた場合、装置の精度は１０ナノテスラまで下がる。これにより、ロボット工学応用や監視用途において用いやすくすることができる。このようなセンサは、低コストの高電圧電源線のサージ検出用の監視装置として用いることができる。ノイズ低減策や高いベルデ定数を持つ材料を用いることで、検出感度を１０^−１５（Ｔ）へと大幅に改善することができる。

本発明の好ましい実施の形態は次のようなセンサを備える。センサは、図２に概略的に示されたインラインファイバサニャック干渉計を利用する。干渉計の主な構成要素は、光源（ファイバピッグテール型のＬＥＤ）２、完全に接合された光ファイバ回路、光検出器２０、検出のための電子機器である。センサは、標準の±１２Ｖの電源またはバッテリーを実装している。本発明の実施の形態において、磁場プローブ２０は、例えば５００μｍ厚のＢＩＧ結晶を積層した無機材料や、さらに好ましくは有機検出膜で構成することができる。この装置の電圧出力はプローブ２０における磁場に比例する。２つの電気的な出力、つまりＤＣ結合、ＡＣ結合が用いられる。ＡＣ結合出力は、さらに５０倍のゲインを有する。センサは１０ｋＨｚまでの周波数（ＤＣ結合またはＡＣ結合）において動作し、１０ナノテスラよりも小さい感度（例えば１０フェムトテスラ）を達成できる。本発明の実施の形態において、ＢＩＧによる磁場プローブを、磁気光学高分子または高分子／ナノ粒子の複合材料などの磁気光学特性を持つ有機材料に置き換えることで、さらに高い感度を達成することができる。

２つのファイバを用いた実施の形態の概略図を図４に示す。光源２から出力された光は第１のファイバを通り、ビームスプリッタ４、偏光子１４を経由して、図２に示したセンサヘッド２０に位置する、高ベルデ定数を持つ高分子や、高分子とナノ粒子の複合材料のような高いベルデ定数を持つ材料からなる検出膜へと至る。本発明の実施の形態における測定原理は、高いベルデ定数値を持つ膜材料を通過することに関連する。検出膜を２度通過し、ミラーで反射された後、光は第２の出力用ファイバに結合される。好ましくは、偏光の状態は入力用のファイバと出力用のファイバの双方において維持される。返ってきた信号はスプリッター４により検出器３０へ送られる。また、位相変調器２８が用いられる。磁場プローブ２０の偏光回転は偏光子１４によって強度変化に変換される。前述の実施の形態で説明したように、検出高分子膜の膜厚は、装置の精度と膜の透過性に影響を及ぼす。

図２、図４に示した干渉計システムは、光波が光ファイバ回路を通過する際に蓄積される非相反の位相シフトを測定する。センサは、この位相シフトを偏光回転に変換し、検出材料のファラデー回転を用いて非相反の位相シフトを検出する。この非相反のシフトが高分子プローブ（２度通過する）のファラデー回転によるものである場合、次の式で表すことができる（１度通過する場合は図８を参照）。
Δψ＝４ＶＬＢ
ここで、Ｖは高分子材料のベルデ定数、Ｌは磁場プローブの長さ、Ｂは測定された磁場の強さである。非相反の位相シフトは外部磁場に比例する。この関係は、８ページの式を用いて導かれる。当然ながら、磁場プローブのベルデ定数が大きくなると、より微弱な磁場をセンサが検出することができる。センサが検出可能な磁場の最小値は、このように検出可能な非相反の位相シフトの最小値に比例する。この最小位相は典型的には受信側のショットノイズによって制限されており、１０^−８（ｒａｄ／（Ｈｚ）^１／２）オーダーである。装置に要求された場合、この感度限界を１０^−９（ｒａｄ／（Ｈｚ）^１／２）よりも低くするために、様々な既知の方法が開発されている。これらの技術は典型的には信号から線源のノイズ強度を減算することで求めることができる。１０^−８の位相検出レベルにおいて、磁場プローブの長さを最大２ｃｍとし、高分子のベルデ定数を１０^６（ｄｅｇ／Ｔｍ）以上（例えば１０^７（ｄｅｇ／Ｔｍ））とした場合、推定される磁気センサの感度は１００（ｆＴ／（Ｈｚ）^１／２）以下のオーダーとなる。「P. Polynkin, J. de Arruda, J. Blake, "All-optical noise subtraction scheme for fiber optic gyroscope", Optics Letters, vol. 25, p. 147 (2000)」に開示されている技術や、より長い磁場プローブを使用するなど、公知のノイズ低減技術を用いて干渉計の位相分解能を改善することで、更に高い感度を達成することができる。

なお、サニャック干渉計自体は磁場ではなく位相シフトを検出する。検出することができる最小シフトは、ショットノイズ特性や検出帯域幅によって制限される。ショットノイズは、検出器に到達する総光強度に依存する。光強度が〜１ｍＷで、検出帯域幅が１Ｈｚの場合、ショットノイズにより制限される検出可能な位相の最小値は、〜１０^−８ラジアンである。

本発明の実施の形態にかかるサニャック干渉計は、集積されたファイバピッグテール型のファラデー回転子１６によって導入されたパッシブなＤＣ位相バイアスを利用することができる。バイアスを導入するための従来の位相変調・復調技術と比較すると、この方法は光回路や信号処理装置を簡素化することができ、製造コストを大幅に低減することができる。本発明の実施の形態では、例えば最大５００ｍｍの厚さを持つＢｉ：ＹＩＧガーネットプローブを用いることで、１０μガウスオーダーで定期的に磁場を測定することができる。センサのその他の望ましい構成は、低電力の電子機器で構成されていることである。

本発明の実施の形態は、例えば磁気光学特性を備える高分子または高分子とナノ粒子の複合材料で形成された磁気光学特性を備える高分子膜のような、磁気光学特性を備える有機膜を備える集積された磁場プローブに関する。ＢＩＧ膜やＹＩＧ膜と比べると、高分子を用いて形成されたプローブは、桁違いに高い感度を実現可能であり、より経済的である。更に、本発明の実施の形態で説明したように、高分子材料は薄膜状に形成可能であり、導波路型の磁場プローブに組み込むことができ、装置の高集積化が可能となる。

磁場プローブ２０の実施の形態を図５と図６に示す。図５Ａに示す実施の形態は、図２、図５Ｂに示したインラインファイバ型サニャック干渉計と一体化されている。本実施の形態では、ファイバピッグテール型のコリメータ２１の後に、適切な基板上に形成された検出高分子膜２２、その後にミラー２４が設けられている。特に、検出膜２２はミラー２４に直接貼り付けられるか、またはミラーに蒸着することができる。プローブ全体は、例えばファイバピッグテール型のファイバイソレータに用いられる最新の光学パッケージング技術を用いて、コンパクトな筺体２５に収納されている。

図６はプローブ４０の一部を示す図であり、２つのシングルモードファイバ４２、４４と、検光子／偏光子４６ａ、４６ｂと、検出膜４８とが一体化されている。２つのファイバ４２、４４はコアとクラッドを備える。各ファイバ４２、４４の終端では、互いに向き合うファイバに２つの窓が形成されるように、クラッドの部分が取り除かれている。ファイバ４２、４４の終端は４５°の角をなすように研磨され、傾斜したミラーを形成するために、例えば金属層などの適切な反射材料５０でコーティングされている。第１のファイバ４２からの光は、ファイバ先端の傾斜部分で反射し、検光子／検出膜／偏光子の積層部４６ａ、４６ｂ、４８を通り、更に第２のファイバ４４の先端の傾斜部分で反射され、復路へと続く。

また、本発明は、本発明の範囲内において、本発明の実施の形態にかかる磁気プローブを含むフリースペース・サニャック干渉計を備えていてもよい。フリースペース・サニャック干渉計は、空気などの気体や真空を光が通るようにミラーが用いられている。ファイバ型干渉計の実施の形態は若干低い感度（約一桁）であったが、これらはより頑丈に、よりコンパクトに、より安価に作製することができる。フリースペース・サニャックセンサとファイバ型サニャックセンサとの違いは光源のタイプの違いであり、フリースペース・サニャックセンサでは狭線幅のレーザー光源が用いられ、また、ファイバ型サニャックセンサでは広帯域のＬＥＤ光源が典型的に用いられる。

フリースペース・サニャックセンサと比べると、本発明の実施の形態にかかるファイバ型サニャックセンサはよりコンパクトで頑丈である。原理的には、フリースペース・サニャックセンサは、ファイバ型サニャックセンサよりも約一桁高い感度を持つように構成することができるがフリースペース・サニャックセンサは数桁高価である。このように、高いベルデ定数を持つ材料で構成された磁気センサを用いることで、より簡素にかつより効果的にセンサの実際の検出限度を改善することができる。

本発明の実施の形態では、磁気光学的に活性な無機および／または有機の材料が提供されている。本発明の実施の形態では、これらの材料は光を透過することができるように膜状に形成することができ、さらに高いベルデ定数を持つ。一つは、材料が光を透過するように選択された超常磁性ナノ粒子を含む高分子母材である。もう一つは、超常磁性ナノ粒子を含む共役高分子に基づく材料である。

ファラデー回転は、磁場誘起複屈折による、直線偏光の偏光面の回転である。この効果は１００年以上も前から知られており、光アイソレーター、磁場のリモートセンシング、磁気光学イメージングで広く用いられている。ファラデー回転は、常磁性のイオンを含む無機物質、超常磁性材料や磁性材料において最も大きくなる。例えば、ＴｂＧａガーネットは、ファラデー回転に関して、最も効率のよい材料として知られている。しかしながら、これらの材料はとても高価で製造することが困難であり、小型化が難しく、大気温度で用いられる装置にとって適した材料ではない。本発明では、効率よくファラデー回転を実現する材料として、例えば高分子材料などの有機材料を用いている。有機材料は、製造が容易で、重量に制限があり、特性の要求に応じて作製することが可能である点で有利である。本発明の実施の形態は、無機材料に匹敵するか、またはより高いファラデー回転特性を示す共役高分子や高分子とナノ粒子の複合材料を含む。

実施例１：共役高分子
実施例１では使用される検出材料は共役高分子であり、例えば超常磁性ナノ粒子を含む共役高分子である。高分子中にあるナノ粒子の量は０．１〜５０重量％であり、例えば１〜１０重量％である。
このような高分子の例を以下に示す。

Ｒは任意の化学基である。しかし、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）のような他の共役高分子も用いることができる。ポリアルコキシチオフェンのベルデ定数の実験値を下記の表に示す。ベルデ定数は３つの異なる波長、つまり６３３ｎｍ、８３０ｎｍ、１５５０ｎｍにおいて測定した。

本発明で用いられる共役高分子の合成例を以下の図に示す。

本発明の実施の形態は、位置規則性ポリチオフェン類を含む。
優れたπ共役、電気的コミュニケーション、および固体状態の形状を有する材料は、ポリ(３−アルキルチオフェン)（Ｐ３ＡＴ）の２、５'−カップリングを９５％より多く生じた位置特異的化学カップリング法を用いることにより調製することができる。ＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法は、約１００％又はそれに近いＨＴ（Head to Tail）連結−ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴｓ）を合成する。以下に示すように、この方法は、モノマーから２−ブロモ−５−（ブロモマグネシオ）−３−アルキルチオフェンを位置特異的に生成し、それが、Ｋｕｍａｄａ交叉連結法を用いて、触媒量のＮｉ（ｄｐｐｐ）Ｃｌ₂ （１、３−ジフェニルホスフィノプロパン塩化ニッケル（II））で重合される。このＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法は、次のように示すことができる。

Ｒｉｅｋｅ法は、その非対称有機金属中間体の合成においてＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法とは本来的に異なっている。以下に示すように、高い反応性の"Ｒｉｅｋｅ亜鉛"（Ｚｎ^*)の溶液に、２，５−ジブロモ−３−アルキルチオフェンを加えて、異性体である２−ブロモ−３−アルキル−５−（ブロモジンキノ）チオフェンと２−（ブロモジンキノ）−３−アルキル−５−ブロモチオフェンの混合物を生成させる。ニッケル交叉連結触媒であるＮｉ（ｄｐｐｅ）Ｃｌ₂（１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン塩化ニッケル（II））を加えると、位置規則性ＨＴ−ＰＡＴが生成される。この Ｒｉｅｋｅ法は、次のように示すことができる。

ＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法によるアルキル置換基を備える位置規則性のポリ（３−置換チオフェン）のより現実的な製法は、ニッケル触媒を用いてニッケルクロスカップリングが実施される２−ブロモ−３−アルキルチオフェンの、その場で生成されたモノ−Ｇｒｉｇｎａｒｄ（５位が選択された）類の縮合により達成される。米国特許第６１６６１７２号には、ポリ（３−置換チオフェン）を生成させる方法であって： 少なくとも２つの脱離基を有する可溶性チオフェンを準備し；可溶性チオフェンを溶媒に溶解させて混合液を生成させ；混合液に有機マグネシウム試薬を加え；溶液を還流させて、位置化学異性体中間体を含有する溶液を生成させ；溶液にＮｉ（II）触媒を加え；溶液を攪拌し；そしてポリ（３−置換チオフェン）を回収することを含んでなる方法が開示されている。

ＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法と改良されたＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法による典型的な合成法はＧＲＩＭ法であり、下記に示すとおりである。
ＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法と改良されたＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法：

Ｒ_１とＲ_２は、アルキル基、アルキル基を含むヘテロ原子、アリール基、置換アリール基、分岐アルキル基である。

新たに用意されたジイソプロピルアミノリチウム（ＬＤＡ）（１．１〜２ｍｍｏｌ）を、−７８℃において、３ｍｌのテトラヒドロフラン乾燥溶媒（ＴＨＦ）にモノマー（１．２０ｍｍｏｌ）を溶解した溶液に加える。室温で３０分撹拌した後、この溶液を、臭化マグネシウムまたは塩化亜鉛（１．８０ｍｍｏｌ）を４ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶解した懸濁液に加え、さらに３０分撹拌する。その後、反応混合物をシリンジを用いて移動し、Ｎｉ（ｄｐｐ）Ｃｌ_２を７．５ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶解した懸濁液に加える。２時間撹拌した後、ＨＣｌ（メタノール中に１Ｍ）を用いて重合を停止し、ポリマーをメタノール中で沈殿させ、濾過して乾燥させる。
ＧＲＩＭ法は次の通りである。

Ｒ_１とＲ_２は、典型的には、アルキル基、アルキル基を含むヘテロ原子、アリール基、置換アリール基、分岐アルキル基である。

モノマー（０．５０ｍｍｏｌ）を２．５ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶解した溶液を０℃まで冷却し、ＲＭｇＸ_３（例えば、０．５０ｍｍｏｌのｉＰｒＭｇＣｌ_３）を加える。反応混合物を０℃で１時間撹拌し、反応混合物をシリンジを用いて、Ｎｉ（ｄｐｐ）Ｃｌ_２を７．５ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶解した懸濁液に移動する。２時間撹拌した後、ＨＣｌ（メタノール中に１Ｍ）を用いて重合を停止し、ポリマーをメタノール中で沈殿させ、濾過して乾燥させる。

ほぼ例外なくＨＴ連結を含むポリ(３−アルキルチオフェン)（Ｐ３ＡＴ）の位置選択的合成は、より改善された電気伝導度と有効共役長を可能とすることができる。ブチル基よりも長いアルキル基をチオフェンの３位に導入することで、共通の有機溶媒に溶解する中程度から高い分子量を持つ材料を生成することができる。アルキル基、アリール基、アルキル／アリール置換基を有する位置規則性ポリ（３−置換チオフェン）は、共通の有機溶媒に溶解する。アルキル側基の長さは融点や導電性などに影響を与える。

これらのポリマー鎖で欠陥のない共役は、良質のπ−π鎖間オーバーラップを生成し、固体状の膜において高配向の導電性ポリマー構造を生じさせる。この固体の構造秩序により、電荷が欠陥により捕獲されたり妨害されたりすることなく自由に動くことが可能となる。したがって、位置規則性ＨＴ−ＰＡＴ膜は、その位置不規則性誘導体よりもより高い導電性を有する。実際に、ＨＴ−ＰＡＴは最も高い導電性を示すポリマーの一つである。２、５'連結が均一であることから、これらは、これらの材料のπ−π^*吸収に対応する可視光において高い吸光係数を示す。この吸収は伝導帯構造の質を決定する。この伝導帯構造は、アルキル基、アリール基、アルキル／アリール置換基を有する位置規則性ポリ（３−置換チオフェン）にドーピングをすることで、高い導電性を備える薄膜が要求される装置において用いることができる。これらの材料の位置規則性による他の効果は、これらは固体状において自己組織化し、高配向の構造を形成する点である。これらの構造により、π−スタッキングモチーフを通してチオフェン環系を並置することができ、分離したポリマー間における結合配列を通過する鎖内導電経路を改善し、位置不規則性ポリマーと比べて導電特性を向上することができる。

アルキル基、アリール基、アルキル／アリール置換基、および３−置換基のβ位に酸素原子を有する位置規則性ポリ（３−置換チオフェン）、つまり、ポリ（３−アルコキシチオフェン）は、ＭｃＣｕｌｌｏｕｇｈ法（２−ブロモ−５−マグネシオブロモ−３−アルコキシチオフェンのニッケルクロスカップリング）やＧＲＩＭ法（２、５−ジブロモ−３−アルコキシチオフェンのＧｒｉｇｎａｒｄメタセシス後にニッケルクロスカップリング反応を用いる方法）を用いて生成することができる。この種の材料の具体例としては、２、５−ジオキサヘキシルおよび２、５、８−トリオキサノニル置換基を有するポリ（３−置換チオフェン）が挙げられる。場合によっては、３−置換基は、α位の酸素原子に加えて、酸素以外のヘテロ原子（例えば"Ｓ"）を含んでもよい。これらの材料における位置規則性の２、５−カップリングの量は９５％を超える。

アルキル基、アリール基、アルキル／アリール置換基、および３−置換基のβ位に酸素原子を有する位置規則性ポリ（３−置換チオフェン）は、アルキル基、アリール基、およびアルキル／アリール置換基を有する他の位置規則性ポリ（３−置換チオフェン）と同様に、生産性、欠陥のない電子構造、高い吸光係数、高い電子移動度、改善された固体状の形態に関して、高い特性を示す。更に、ヘテロ原子は、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、１−メトキシ−２−プロパノール酢酸塩（ＰＭＡ）、およびクロロホルムなどの極性有機溶媒における、この材料の溶解性を向上させる機能を有し、これにより、この材料を生産する際の選択肢を増やすことができ、他の構成材料がある場合でも、この材料を含む層を選択的に溶解することができる。

この材料における不純物、特に金属イオンの存在は、ポリチオフェンを含むデバイスに深刻かつ有害な影響を与える。共役高分子から不純物を取り除く方法がいくつかある。これらの方法のほとんどは、ポリマーを共通の有機溶媒や極性有機溶媒に溶解する能力によって促進される。これらの材料の溶解性は精製を促進し、ドーピングの際にこれらの用途に適応させることができる。

側基にヘテロ原子を含む位置規則性ポリチオフェンの合成法、ドーピング法、および高分子特性解析は、例えば米国特許第６６０２９７４号や米国特許第６１６６１７２号に開示されている。更に、「"The Chemistry of Conducting Polythiophenes," by Richard D. McCullough, Adv. Mat. 10(2), pages 93-116」とその参考文献に追加的な記載がされている。特にセクション４には「ＰＴにおけるヘテロ原子を有する官能性置換基の化学合成：自己組織化と化学センシングのための認識部位」について記述されている。当業者が利用できるその他の参考文献は、「the Handbook of Conducting Polymers, 2nd Ed., 1998, Chapter 9, by McCullough et al., "Regioregular, Head-to-Tail Coupled Poly(3-alkylthiophene) and its Derivatives," pages 225-258」であり、これらの内容は全て含まれている。特に、セクション６は、エーテル基とチオアルキル基を含むＨＴ−ＰＡＴのヘテロ原子置換基に関して記載されている。

米国特許第６６０２９７４号には、ジブロックおよびトリブロック型を含む、導電性を有する位置規則性ポリチオフェンブロック共重合体について記載されている。これらは、チオフェンを含まない材料として、例えば、ポリメタクリル樹脂、ポリスチレン、およびポリメチルメタクリル樹脂などのポリオレフィンやポリウレタンエラストマーを含む。

更に、合成例として「Regioregularity in Poly(3-alkoxythiophenes): Effects on the Faraday Rotation and polymerization mechanism by G. Koeckelberghs et al., Macromolecular Rapid Communications 27(22), 1920-1925 (2006).」を引用することができる。

実施例２：超常磁性ナノ粒子
他の実施例において、検出物質は超常磁性ナノ粒子を含む高分子である。高分子には上記の共役高分子を用いることができる。しかし、本発明ではこれらに限定されることはなく、超常磁性ナノ粒子を含む透明な高分子を用いてもよい。母材を形成する高分子には、ＰＭＭＡ、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ＡＢＳ、ＰＶＣ、ＰＶＡ、ポリイミド、ポリスチレンなど、または本発明に関して説明した共役高分子のような、適した透明な高分子を用いることができる。高分子中におけるナノ粒子の量は、０．１〜５０重量％（例えば１〜１０重量％または１〜２０重量％）の範囲とすることができる。

材料は膜状にすることができる。例えば、圧縮成形、押し出し成形、スピンコーティング、ドクターブレード法、粉体塗装など、適した方法を用いて膜状にすることができる。膜状の材料は光を透過する。膜を半透明または透明にするためには、粒子の寸法がセンサに用いられる光の波長よりも小さくするのが好ましい。ナノ粒子の形状は、円筒状、球状、三角状、またはこれ以外のどのような形状でもよく、１〜１０００ｎｍの寸法を有する。ナノ粒子は、酸化鉄、コバルト、ニッケル、コバルトフェライトなど、超常磁性特性を示すものであればどのようなものでもよい。高分子中におけるナノ粒子の量は、０．１〜５０重量％、例えば１〜１０重量％の範囲とすることができる。高分子母材は典型的にはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を用いることができるが、ナノ粒子を分散させることができる導電性高分子を含む材料であればどのような高分子を用いてもよい。

ベルデ定数を高くするために、高分子／ナノ粒子の複合材料に対して外部磁場を用いて分極処理をしてもよい。そのために、ナノ粒子を含む高分子をガラス転移点近くまで加熱し、外部磁場の中に置く。すると、ナノ粒子は磁力線に従い整列する。磁場を印加したまま温度を下げると、ナノ粒子の配向が固定される。分極処理の結果、材料のベルデ定数と共に、透明性も向上する。

また、他の方法（例えば機械的な方法）を用いて粒子を整列させることができる。棒状の粒子を用いることができ、プラスチック母材に組み込むことができる。この材料はその後、押し出されて膜状になり、粒子を整列させるために任意に延伸することができる。

粒子を形成する材料は任意にドーピングしてもよい。適切なドーピング物質は、遷移金属、希土類、特に、例えばジスプロシウム、ガドリニウム、テルビウム、エルビウムなどのランタノイドである。ドーピング量は、典型的には１０重量％よりも少なく、例えば、６重量％、５重量％、４重量％、３重量％、２重量％、または１重量％である。

実験結果を下記に示す。試料は、酸化鉄ナノ粒子とポリイソブチルメタクリレートの混合物をガラス基板上でスピンコーティングすることで得られた膜である。分極処理は、基板面における分極処理（平行分極処理）または基板に垂直な分極処理の２つの方法で実施した。分極処理をしていない膜のベルデ定数は、３．４×１０^５（°／Ｔｍ）である。また、膜面における分極処理をした場合、ベルデ定数は２倍増加し、膜面に垂直な分極処理をした場合、ベルデ定数は１０倍増加する。

最も高いベルデ定数を得るために本発明の態様を組み合わせる必要がある。例えば、高分子を母材とするドーピングされた超常磁性粒子を用い、粒子を分極処理して整列させる。また、共役高分子を高分子母材として、または高分子母材の構成材料として用いる必要がある。

これにより、高分子を母材とするナノ粒子を含む材料のベルデ定数は、１０^６から１０^９（°／Ｔｍ）、例えば１０^６から１０⁸（°／Ｔｍ）の範囲とすることができる。

ナノ粒子の典型的な合成方法は次の通りである。

安定剤として働くオクチルアミンを含むエチレングリコールに、塩化鉄(III)を溶解する。この混合液を１８０℃まで加熱し、２４時間この温度を保つ。形成されたＦｅ_３Ｏ_４のナノ粒子は、磁気濾過によって精製される。結果として得られるナノ粒子のサイズは、典型的には９〜４０ｎｍであり、これは使用する安定剤に依存する。コバルトフェライトナノ粒子は、同様の手順により合成することができるが、この場合は少量の塩化コバルトが反応混合物に加えられる。

超常磁性ナノ粒子の合成方法は下記の通りである。３７．５ｍｌのエチレングリコールと２５ｍｌのオクチルアミンを、首を２、３個備える１００ｍｌの丸底フラスコに加える。一定の速度で撹拌しながら、混合液を１５０℃まで加熱する。２．４ｇの塩化鉄(III)を、１０ｍｌのエチレングリコールと４ｍｌの蒸留水に溶解する。溶解した塩化鉄(III)を、加熱されたオクチルアミンとエチレングリコールの混合液に一滴ずつ加える。１８〜２４時間の間、混合液を撹拌し続け、還流するまで（１８０〜１９０℃）更に加熱する。最後に磁気濾過によって粒子を精製する。

オクチルアミンとエチレングリコールは、結合して超常磁性マグネタイトナノ粒子を安定させる界面活性剤を形成する。

超常磁性ナノ粒子の形状は、円筒状、球状、三角状、またはこれ以外のどのような形状でもよく、１〜１０００ｎｍの寸法を有する。ナノ粒子は、酸化鉄、コバルト、ニッケルコバルトフェライトなど、超常磁性特性を示すものであればどのようなものでもよい。「Yu. A. Barnakov et al. in 2004 in Journal of Physics and Chemistry of Solids Volume 65, pages 1005-1010」では、ポリメチルメタクリレートを母材とする超常磁性ナノ粒子のファラデー回転スペクトルが、２００ｎｍサイズのナノ粒子に対して６５０ｎｍ（１．９１ｅＶ）を中心とする広いスペクトル帯を示すと報告されている。粒子サイズを小さくするとこの帯域が十分に狭くなり、２．５〜３．２ｅＶの範囲で追加的なピークが出現する。

もう一つの方法として、グローブ・ボックス内で、首を３つ備える丸底フラスコから窒素ガスを用いて酸素を取り除くことで、超常磁性マグネタイトナノ粒子を生成することができる。塩化鉄(III)、塩化鉄(II) 四水和物、ナノピュア水、および水酸化アンモニウムを混合し、加熱して濁った溶液とする。永久磁石の上にこの濁った溶液を置き、上澄み液を取り除き、洗浄し乾燥して粒径が７．８８ｎｍの黒い超常磁性マグネタイトナノ粒子を得る。自由なアミン基（-ＮＨ_２）はマグネタイトナノ粒子を取り囲む。結合の正確な性質はまだ明確には理解されていない。

高分子材料の感度を説明するために、私たちはポリアルコキシチオフェン薄膜の地磁気によるファラデー回転を測定した。結果を図７に示す。図に示すように、ファラデー回転は、地磁気の方向と光の伝搬方向の角度（θ）に敏感である。地磁気の方向が光の伝搬方向と平行な場合（θ＝０）、ファラデー回転は最大となる。一方、地磁気の方向が光の伝搬方向と垂直な場合、ファラデー回転は最小となる。

下の表では、本発明の実施の形態で説明した、ＴｂＧａガーネット（無機材料）のベルデ定数と、共役高分子のベルデ定数と、ナノ粒子と高分子の複合材料のベルデ定数との比較結果を示している。

本発明の実施の形態の効果は、次のうちの少なくとも一つを含む。
１）磁場を測定するために、しばしば無機材料におけるファラデー回転が用いられてきた。しかし、通常、無機材料のベルデ定数は低く（＜１０^６（°／Ｔｍ））、透明性が低いという欠点がある。結果として、ファラデーセンサの検出感度は限定される。本発明の実施の形態で説明した、有機材料や無機ナノ粒子と有機高分子の複合材料は、より高いベルデ定数（＞１００００（°／Ｔｍ））を有する。更に、これらはより透明性が高く、より高感度なファラデーセンサを実現することができる。
２）本発明の実施の形態により、高価なＳＱＵＩＤ磁力計を安価に置き換えることができる。本発明の実施の形態にかかる、高分子を用いた装置を形成するために使用される磁気光学有機材料は、より頑丈で、よりコンパクトで、より安価であり、極低温の環境を必要としない。
３）本発明の実施の形態にかかる高分子のような磁気光学活性な有機材料を用いた装置の感度は、潜在的にＳＱＵＩＤの感度を超える。
４）パッシブなバイアスが与えられたセンサは、ロックイン方式に比べて、２つの主要な効果がある。
第１に、パッシブなバイアスが与えられたセンサの検出バンド幅は、光回路を通る光の飛行時間によってのみ制限される。よって原理上は、バンド幅は１００ＭＨｚと同等またはそれ以上となる。これに対して、ロックイン方式のセンサの検出バンド幅は、変調周波数よりも広くすることができない。実際に、実用的なバンド幅はそれよりも少なくとも１桁低い。
第２に、パッシブなバイアスが与えられたセンサは、光位相変調器や高機能な位相検波装置を必要としないため、より簡素で安価である。
（参考文献）

T. Verbiest, S. Foerier, M. Vangheluwe, A. Persoons, G. Koeckleberghs, P. Gangopadhyay, SPIE proceedings 2006, 6331, Paper 34

G. Koeckelberghs, M. Vangheluwe, K. Van Doorsselaere, E. Robijns, A. Persoons, T. Verbiest, Regioregularity in poly(3-alkoxythiophene)s: Effects on the Faraday rotation and polymerization mechanism, Macromolecular Rapid Communications, 27, p. 1920-1925, 2006

R. de Carvalho, J. Blake, and G. Sanders, "Sagnac interferometry for measurements of true nonreciprocal effects," in Proc. SPIE 2070, 1993, pp. 264-269.

J. Blake, P. Tantaswadi, and R. T. de Carvalho, "In-line Sagnac interferometer current sensor," IEEE Trans. Power Delivery, vol. 11, pp. 116-121, 1996.

G. Frosio and R. D¨andliker, "Reciprocal reflection interferometer for a fiber-optic Faraday current sensor," Appl. Opt., vol. 33, no. 25, pp. 6111-6122, 1994

Claims (36)

1. 光源を備える磁場センサであって、
   第１および第２の方向に光線を分離するビームスプリッタと、
   前記第１の方向の光を受けて、磁場に応じて回転された偏光を有する光を返す、磁場に設けられた磁場センサプローブと、
   前記磁場の大きさに関連した値を含む復路光を検出する検出器と、を備え、
   前記磁場センサプローブは、当該磁場センサプローブが受光した光を伝達するように配置された、無機および／または有機の磁気光学活性膜を有する、
   センサ。
2. 前記センサはサニャック干渉計である、請求項１に記載のセンサ。
3. 前記サニャック干渉計はファイバサニャック干渉計である、請求項２にかかるセンサ。
4. 前記無機および／または有機の磁気光学活性膜は高分子を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のセンサ。
5. 前記高分子は共役高分子である、請求項４に記載のセンサ。
6. 前記共役高分子は、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）、ポリアルコキシチオフェンである、請求項５に記載のセンサ。
7. 前記共役高分子は下記一般式で示される、請求項５に記載のセンサ。
   

   
8. 前記高分子は超常磁性粒子を含む、請求項４に記載のセンサ。
9. 前記超常磁性粒子は、前記光源からの光の波長よりも小さい寸法を有するナノ粒子である、請求項８に記載のセンサ。
10. 前記超常磁性粒子は分極処理されている、請求項８または９に記載のセンサ。
11. 前記超常磁性粒子が整列している、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載のセンサ。
12. 前記超常磁性粒子はドーピングされている、請求項８乃至１１のいずれか一項に記載のセンサ。
13. 前記超常磁性粒子はランタノイドがドーピングされている、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載のセンサ。
14. 前記超常磁性粒子は、酸化鉄、コバルト、ニッケルコバルトフェライトである、請求項８乃至１３のいずれか一項に記載のセンサ。
15. 前記高分子中の超常磁性粒子の量は０．１乃至５０重量％、または１乃至１０重量％の範囲内である、請求項８乃至１４のいずれか一項に記載のセンサ。
16. 前記無機および／または有機の磁気光学活性膜のベルデ定数は、１０^６（°／Ｔｍ）よりも大きく、好ましくは１０^７（°／Ｔｍ）以上、または１０^８（°／Ｔｍ）以上、または１０^９（°／Ｔｍ）までである、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のセンサ。
17. 前記磁気センサプローブは２つの光ファイバを備え、前記無機および／または有機の磁気光学活性膜は当該２つの光ファイバの反射端に組み込まれている、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載のセンサ。
18. 磁場を検出する方法であって、
    前記磁場に設けられた磁場センサプローブを通るように光線を導き、
    前記磁場センサからの、前記磁場に応じて回転された偏光を有する復路光を受け取り、
    前記磁場の大きさに関連した値を含む受光した光を検出し、
    前記磁場に設けられた磁場センサプローブを通るように光線を導く際に、前記磁場センサプローブによって受光された光を伝達するように配置された、無機および／または有機の磁気光学活性膜を通るように光を導く、
    磁場検出方法。
19. ベルデ定数が、１０^６（°／Ｔｍ）よりも大きく、好ましくは１０^７（°／Ｔｍ）以上、または１０^８（°／Ｔｍ）以上、または１０^９（°／Ｔｍ）である高分子を有する有機磁気光学活性材料。
20. 前記高分子は共役高分子である、請求項１９に記載の有機磁気光学活性材料。
21. 前記共役高分子は、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）、ポリアルコキシチオフェンである、請求項２０に記載の有機磁気光学活性材料。
22. 前記共役高分子は下記一般式で示される、請求項２０に記載の有機磁気光学活性材料。
    

    
23. 前記高分子はＰＭＭＡである、請求項１９に記載の有機磁気光学活性材料。
24. 前記高分子は超常磁性粒子を含む、請求項１９乃至２３のいずれか一項に記載の有機磁気光学活性材料。
25. 前記超常磁性粒子は、前記光源からの光の波長よりも小さい寸法を有するナノ粒子である、請求項２４に記載の有機磁気光学活性材料。
26. 前記超常磁性粒子は分極処理されている、請求項２４または２５に記載の有機磁気光学活性材料。
27. 前記超常磁性粒子が整列している、請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の有機磁気光学活性材料。
28. 前記超常磁性粒子はドーピングされている、請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の有機磁気光学活性材料。
29. 前記超常磁性粒子は、酸化鉄、コバルト、ニッケルコバルトフェライトである、請求項２４乃至２８のいずれか一項に記載の有機磁気光学活性材料。
30. 前記高分子中の超常磁性粒子の量は０．１乃至５０重量％、または１乃至１０重量％の範囲内である、請求項２４乃至２９のいずれか一項に記載の有機磁気光学活性材料。
31. 前記有機磁気光学活性材料は膜状である、請求項２４乃至２９のいずれか一項に記載の前記有機磁気光学活性材料。
32. 磁気センサプローブであって、
    光を入力する導入口と、
    光を出力する導出口と、
    前記磁場センサプローブによって受光された光を伝達するように配置された、無機および／または有機の磁気光学活性膜と、
    光を、前記導入口から、前記無機および／または有機の磁気光学活性膜を通り、前記導出口へと導く光学部品と、
    を備える磁気センサプローブ。
33. 前記無機および／または有機の磁気光学活性膜は、請求項２９にかかる材料である請求項３２に記載の磁気センサ。
34. 前記光学部品は、
    ファイバピッグテール型のコリメータと、
    ミラーと、
    前記コリメータと前記ミラーとの間に配置された前記無機および／または有機の磁気光学活性膜と、を備える請求項３２または３３に記載の磁気センサ。
35. 前記無機および／または有機の磁気光学活性膜は、前記ミラーに貼り付けられるか、または前記ミラーに蒸着されている、請求項３４に記載の磁気センサ。
36. 前記磁気センサプローブは２つの光ファイバを備え、前記無機および／または有機の磁気光学活性膜は当該２つの光ファイバの反射端に組み込まれている、請求項３３または３４に記載の磁気センサ。

Images