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JP2011231361A - Vapor deposition apparatus - Google Patents

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JP2011231361A
JP2011231361A JP2010101725A JP2010101725A JP2011231361A JP 2011231361 A JP2011231361 A JP 2011231361A JP 2010101725 A JP2010101725 A JP 2010101725A JP 2010101725 A JP2010101725 A JP 2010101725A JP 2011231361 A JP2011231361 A JP 2011231361A
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JP
Japan
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base material
heat transfer
heat
substrate
transfer roller
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Pending
Application number
JP2010101725A
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Japanese (ja)
Inventor
Seita Takahashi
成太 高橋
Hiroteru Kamiguchi
洋輝 上口
Akiyoshi Oshima
章義 大島
Mitsuhisa Saito
光央 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
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Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
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Abstract

【課題】蒸着する微粒子の粒径を所望の大きさにコントロールするため、基材の高精度温度制御可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】温度制御ユニット32は、温度制御された液体または固体の熱媒体が供給される伝熱ブロック34と、この伝熱ブロックの基材との対向面側に保持された伝熱ローラー36と、基材と伝熱ブロックの間の空間にガスを供給するガス導入路37と、を備え、この伝熱ローラーは、降下移動して基材の裏面に当接し、基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、基材からの力で上昇移動が可能であって、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックは、基材と熱媒体との間を、ガス、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックを介して熱が伝播することにより、基材の温度を制御する。
【選択図】図5
A vapor deposition apparatus capable of controlling the temperature of a substrate with high accuracy in order to control the particle size of fine particles to be deposited to a desired size.
A temperature control unit (32) includes a heat transfer block (34) to which a temperature-controlled liquid or solid heat medium is supplied, and a heat transfer roller (36) held on a surface facing the base material of the heat transfer block. And a gas introduction path 37 for supplying gas to the space between the base material and the heat transfer block, and the heat transfer roller moves down to contact the back surface of the base material and interlocks with the transfer of the base material. Then, while rotating around an axis that intersects this transfer direction, it is possible to move upward by the force from the base material, and the heat transfer roller and heat transfer block The temperature of the substrate is controlled by the propagation of heat through the heat transfer roller and the heat transfer block.
[Selection] Figure 5

Description

本発明はコンデンサや電池等の電極箔を製造するための蒸着装置に関するものである。   The present invention relates to a vapor deposition apparatus for producing electrode foils such as capacitors and batteries.

コンデンサや電池に用いられる電極箔は、例えば金属箔上に金属の微粒子を蒸着することによって形成できる。   The electrode foil used for a capacitor | condenser and a battery can be formed by vapor-depositing metal microparticles, for example on metal foil.

ここで図13に示すように、従来の蒸着装置1は、真空ポンプ(図示せず)が連結された真空槽2を備え、真空槽2内には、基材3が巻かれ、この基材3を矢印A方向に送り出す巻き出しロール4と、蒸着された基材3を巻き取る巻き取りロール5と、蒸着原材料を収容する容器6と、この容器6に蒸着材料を供給する供給管7とが配置されている。   Here, as shown in FIG. 13, the conventional vapor deposition apparatus 1 includes a vacuum chamber 2 to which a vacuum pump (not shown) is connected, and a base material 3 is wound in the vacuum chamber 2. 3, a winding roll 4 for feeding 3 in the direction of arrow A, a winding roll 5 for winding the vapor-deposited base material 3, a container 6 for accommodating the vapor deposition raw material, and a supply pipe 7 for supplying the vapor deposition material to this container 6; Is arranged.

容器6は例えば両端がそれぞれ抵抗加熱用電源の正負の電極に接続され、抵抗加熱によって容器6の内部が蒸着材料の沸点以上に加熱される。そして蒸着原材料が蒸発し、微粒子となって基材3の表面へと付着し、積層する。   For example, both ends of the container 6 are connected to positive and negative electrodes of a resistance heating power source, and the inside of the container 6 is heated to the boiling point or higher of the vapor deposition material by resistance heating. The vapor deposition raw material evaporates, becomes fine particles, adheres to the surface of the substrate 3, and is laminated.

ここで、基材3の温度によっては基材3の近傍の微粒子の活性が変わり、微粒子の粒径が変化し、コンデンサあるいは電池の特性に影響を与える。例えば基材3の温度が上昇すると、積層する微粒子が活性化され、複数の微粒子が合体して肥大化する。したがって、微粒子の機械的強度は増大するが、一方で電極箔の表面積は小さくなり、コンデンサの静電容量や電池の電池容量が低減する。   Here, depending on the temperature of the base material 3, the activity of the fine particles in the vicinity of the base material 3 changes, and the particle diameter of the fine particles changes, which affects the characteristics of the capacitor or the battery. For example, when the temperature of the base material 3 rises, the fine particles to be laminated are activated, and a plurality of fine particles are combined and enlarged. Therefore, although the mechanical strength of the fine particles is increased, the surface area of the electrode foil is decreased, and the capacitance of the capacitor and the battery capacity of the battery are reduced.

そこで基材3の温度を制御し、微粒子の粒径をコントロールするため、基材3の裏面側に、所定温度に制御されたスチールベルトやその他ドラムなどの温度制御ユニット8を配置することが挙げられる。このような蒸着装置1では、温度制御ユニット8に基材3を沿わせて移送させながら蒸着する。なお、図13は温度制御ユニット8としてスチールベルトを用いたものである。   Therefore, in order to control the temperature of the base material 3 and to control the particle size of the fine particles, a temperature control unit 8 such as a steel belt or other drum controlled to a predetermined temperature is disposed on the back surface side of the base material 3. It is done. In such a vapor deposition apparatus 1, vapor deposition is performed while the base material 3 is transferred along the temperature control unit 8. In FIG. 13, a steel belt is used as the temperature control unit 8.

このように温度制御ユニット8に基材3を接触させると、温度制御ユニット8との熱交換によって、基材3の温度を調整することができる。   When the base material 3 is brought into contact with the temperature control unit 8 in this way, the temperature of the base material 3 can be adjusted by heat exchange with the temperature control unit 8.

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。   As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.

特開昭58−117813号公報Japanese Patent Laid-Open No. 58-117813

従来の蒸着装置1を用いると、基材3の温度制御が不十分で、基材3に付着する微粒子の粒径をコントロールしにくいという課題がある。   When the conventional vapor deposition apparatus 1 is used, the temperature control of the base material 3 is insufficient, and there is a problem that it is difficult to control the particle size of the fine particles adhering to the base material 3.

その理由は、基材3と温度制御ユニット8との密着性が低いからである。すなわち従来は、基材3を定形の温度制御ユニット8に沿わせていたため、基材3にうねりがあると、基材3と温度制御ユニット8との間に隙間ができ、熱が効率よく伝播しないことがあった。そして基材3の温度制御が不十分となり、結果として基材3に蒸着する微粒子の粒径をコントロールできなくなるのであった。   This is because the adhesion between the substrate 3 and the temperature control unit 8 is low. That is, conventionally, since the base material 3 is aligned with the fixed temperature control unit 8, if the base material 3 has waviness, a gap is formed between the base material 3 and the temperature control unit 8, and heat is efficiently transmitted. I did not. And the temperature control of the base material 3 becomes insufficient, and as a result, the particle size of the fine particles deposited on the base material 3 cannot be controlled.

このように微粒子の粒径が変わると、電極箔の表面積も変わり、コンデンサや電池の容量特性に影響を与える。さらに微粒子の粒径が不均一になると、コンデンサや電池の容量特性も不均一になり、量産時における製品バラツキの原因ともなる。   Thus, when the particle size of the fine particles changes, the surface area of the electrode foil also changes, which affects the capacity characteristics of the capacitor and battery. Furthermore, when the particle size of the fine particles is non-uniform, the capacity characteristics of the capacitor and the battery are also non-uniform, which causes product variations during mass production.

そこで本発明は、基材の温度制御を高精度に行い、蒸着する微粒子の粒径を、所望の大きさにコントロールすることを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to control the temperature of the substrate with high accuracy and control the particle size of the fine particles to be deposited to a desired size.

そしてこの目的を達成するために本発明は、基材の表面側に配置され、微粒子の原材料が供給される容器と、基材の裏面側に配置された温度制御ユニットとを備え、この温度制御ユニットは、温度制御された液体または固体の熱媒体が供給される伝熱ブロックと、この伝熱ブロックの基材との対向面側に保持された伝熱ローラーと、基材と伝熱ブロックとの間の空間にガスを供給するガス導入路と、を備え、伝熱ローラーは、降下移動して基材の裏面に当接し、基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、基材からの力で上昇移動が可能であって、基材と熱媒体との間を、ガス、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックを介して熱が伝播することにより、基材の温度が制御されるものとした。   In order to achieve this object, the present invention includes a container that is disposed on the front surface side of the base material and that is supplied with the raw material of the fine particles, and a temperature control unit that is disposed on the back surface side of the base material. The unit includes a heat transfer block to which a temperature-controlled liquid or solid heat medium is supplied, a heat transfer roller held on the surface of the heat transfer block facing the substrate, a substrate and a heat transfer block, A gas introduction path for supplying gas to the space between the heat transfer roller, the heat transfer roller descends and abuts against the back surface of the substrate, and an axis that intersects this transfer direction in conjunction with the transfer of the substrate It can rotate up and down with the force from the base material, and heat can propagate between the base material and the heat medium via the gas, heat transfer roller, and heat transfer block. The temperature of the material was controlled.

これにより本発明は、基材の温度制御を高精度に行い、蒸着する微粒子の粒径を所望の大きさにコントロールすることができる。   Thereby, this invention can control the temperature of a base material with high precision, and can control the particle size of the microparticles | fine-particles to vapor deposition to a desired magnitude | size.

その理由は、基材と温度制御ユニットとの接触面積が増えるとともに、ガスが熱を媒介するからである。すなわち本発明は、伝熱ローラーが基材に接触するように上下揺動しながら回転するため、基材にうねりがあっても基材と伝熱ローラーとが接触し、基材と熱媒体との間で効率よく熱交換することができる。   The reason is that the contact area between the substrate and the temperature control unit increases, and the gas mediates heat. That is, since the present invention rotates while swinging up and down so that the heat transfer roller contacts the base material, the base material and the heat transfer roller are in contact with each other even if the base material is wavy. Heat exchange between the two.

さらに伝熱ローラーと伝熱ブロックとの間や、基材と伝熱ローラーあるいは伝熱ブロックとの間の空間も、ガスが熱を媒介し、基材と熱媒体との間で効率よく熱交換できる。   In addition, the space between the heat transfer roller and the heat transfer block, and between the base material and the heat transfer roller or heat transfer block also efficiently exchanges heat between the base material and the heat transfer medium. it can.

したがって本発明は、基材の温度を高精度に制御でき、結果として蒸着する微粒子の粒径を所望の大きさにコントロールすることができる。   Therefore, according to the present invention, the temperature of the substrate can be controlled with high accuracy, and as a result, the particle size of the deposited fine particles can be controlled to a desired size.

本発明の実施例1における固体電解コンデンサの斜視図The perspective view of the solid electrolytic capacitor in Example 1 of this invention 本発明の実施例1におけるコンデンサ素子の断面図Sectional drawing of the capacitor | condenser element in Example 1 of this invention 本発明の実施例1における蒸着装置の模式図The schematic diagram of the vapor deposition apparatus in Example 1 of this invention 本発明の実施例1における温度制御ユニットの平面図The top view of the temperature control unit in Example 1 of this invention 図4のX−X断面を示す図The figure which shows the XX cross section of FIG. 図5のZ部拡大断面図Z section enlarged sectional view of FIG. 図4のY−Y断面を示す図The figure which shows the YY cross section of FIG. 本発明の実施例1における基材の温度を示す図The figure which shows the temperature of the base material in Example 1 of this invention 本発明の実施例1における電極箔を3万倍にしたSEM写真SEM photograph of the electrode foil in Example 1 of the present invention having a magnification of 30,000 times 本発明の実施例2における温度制御ユニットの平面図The top view of the temperature control unit in Example 2 of this invention 図10のX−X断面を示す図The figure which shows the XX cross section of FIG. 本発明の実施例2の別の例の温度制御ユニットの平面図The top view of the temperature control unit of another example of Example 2 of this invention 従来の蒸着装置の模式図Schematic diagram of conventional vapor deposition equipment 従来の蒸着装置で形成した電極箔を9千倍にしたSEM写真SEM photo of the electrode foil formed with a conventional vapor deposition device with a magnification of 9000

(実施例1)
以下、本実施例では、電極箔を製造する為の蒸着装置について説明する。この電極箔は、たとえば図1に示す固体電解コンデンサ9の陽極として用いられる。
Example 1
Hereinafter, a vapor deposition apparatus for manufacturing an electrode foil will be described in this example. This electrode foil is used, for example, as the anode of the solid electrolytic capacitor 9 shown in FIG.

この固体電解コンデンサ9は、例えば図1に示すように、複数枚積層されたコンデンサ素子10と、これらのコンデンサ素子10の陽極電極部11、陰極電極部12をそれぞれ取り出した陽極端子13、陰極端子14と、これらの陽極端子13、陰極端子14の一部を除き被覆した外装体15とを備えている。   For example, as shown in FIG. 1, the solid electrolytic capacitor 9 includes a plurality of stacked capacitor elements 10, and an anode terminal 13 and a cathode terminal from which the anode electrode portion 11 and the cathode electrode portion 12 of the capacitor element 10 are taken out. 14 and an exterior body 15 that covers the anode terminal 13 and the cathode terminal 14 except for a part thereof.

そして図2の断面図に示すように、コンデンサ素子10は、本実施例の蒸着装置で形成された電極箔16と、この電極箔16上に形成された誘電膜17と、誘電膜17上において、電極箔16を陽極電極部11と陰極形成部(図番なし)とに分離させる絶縁部材18と、陰極形成部の誘電膜17上に形成された導電性ポリマーからなる固体電解質層19と、この固体電解質層19上に形成されたカーボン層および銀ペースト層とからなる陰極層20とを有する。固体電解質層19と陰極層20とは、陰極電極部12を構成する。   2, the capacitor element 10 includes an electrode foil 16 formed by the vapor deposition apparatus of the present embodiment, a dielectric film 17 formed on the electrode foil 16, and a dielectric film 17. , An insulating member 18 that separates the electrode foil 16 into an anode electrode portion 11 and a cathode formation portion (not shown), a solid electrolyte layer 19 made of a conductive polymer formed on the dielectric film 17 of the cathode formation portion, A cathode layer 20 composed of a carbon layer and a silver paste layer formed on the solid electrolyte layer 19 is provided. The solid electrolyte layer 19 and the cathode layer 20 constitute the cathode electrode portion 12.

そして図3に示すように、本実施例の蒸着装置21は、真空排気ポンプ(図示せず)が連結された真空槽22と、この真空槽22内に不活性ガスおよび活性ガスのそれぞれを導入するガス管(図示せず)と、基材23となる帯状のアルミニウム箔が巻かれ、矢印B方向に送り出す巻き出しロール24と、蒸着された基材23を巻き取る巻き取りロール25と、蒸着原材料となるアルミニウムを収容する容器26と、この容器26にアルミニウムを線状で供給する供給管27とを備えている。   And as shown in FIG. 3, the vapor deposition apparatus 21 of a present Example introduce | transduces each of inert gas and active gas in this vacuum chamber 22 with the vacuum chamber 22 to which the vacuum exhaust pump (not shown) was connected. A gas pipe (not shown) to be wound, a strip-shaped aluminum foil to be the base material 23 is wound, and an unwinding roll 24 for feeding out in the direction of arrow B, a take-up roll 25 for winding up the deposited base material 23, and vapor deposition A container 26 that contains aluminum as a raw material and a supply pipe 27 that supplies the container 26 with aluminum in a linear form are provided.

基材23は本実施例では、幅100〜200mm、厚み30〜50μm程度のアルミニウム箔を用いたが、その他銅箔や種々金属の合金箔、樹脂フィルムなどを用いることができる。また蒸着材料はアルミニウム線を用いたが、その他リチウムやアルミニウム合金など、種々の金属材料を用いることができる。   In this embodiment, the base material 23 is an aluminum foil having a width of 100 to 200 mm and a thickness of about 30 to 50 μm, but other copper foils, various metal alloy foils, resin films, and the like can be used. Moreover, although the aluminum wire was used as the vapor deposition material, various metal materials such as lithium and aluminum alloys can be used.

容器26は窒化ホウ素や窒化アルミ、タングステンなどの抵抗加熱材料からなり、真空槽22の外部に配置された抵抗加熱用電源(図示せず)の正負の電極に接続され、抵抗加熱によって蒸着材料であるアルミニウムの沸点以上に加熱される。   The container 26 is made of a resistance heating material such as boron nitride, aluminum nitride, or tungsten, and is connected to positive and negative electrodes of a resistance heating power source (not shown) arranged outside the vacuum chamber 22 and is made of a vapor deposition material by resistance heating. Heated above the boiling point of some aluminum.

このように容器26が加熱されると、アルミニウム線が溶融し、沸騰してアルミニウムの微粒子となって蒸発する。そしてこの微粒子が、基材23の表面へと付着し、積層して粗な粗膜層(図2の図番28)を形成し、基材23と組み合わさって電極箔16となる。   When the container 26 is heated in this manner, the aluminum wire melts, boils and evaporates as aluminum fine particles. The fine particles adhere to the surface of the base material 23 and are laminated to form a rough coarse film layer (the number 28 in FIG. 2). The electrode foil 16 is combined with the base material 23.

ここで本実施例では、図3の巻き出しロール24と巻き取りロール25との間に、所定間隔をあけて二つの偏向ロール29、30を配置した。そしてこの偏向ロール29、30間で基材23ができるだけ水平になるように保った。   Here, in this embodiment, two deflecting rolls 29 and 30 are arranged at a predetermined interval between the unwinding roll 24 and the winding roll 25 in FIG. The base material 23 was kept as horizontal as possible between the deflection rolls 29 and 30.

本実施例では、この偏向ロール29、30間において、基材23の表面側に、蒸着原材料を収容する容器26を配置している。これにより本実施例では、基材23の蒸着領域C(基材23の表面に微粒子が蒸着する領域)において、基材23が水平になり、微粒子が付着する面積を大きくすることができる。したがって、蒸着速度が遅くても蒸着時間を延ばすことができ、微粒子を厚く積み重ねていくことができる。   In the present embodiment, a container 26 for storing a vapor deposition raw material is disposed between the deflection rolls 29 and 30 on the surface side of the base material 23. Thereby, in the present embodiment, in the vapor deposition region C of the base material 23 (the region where the fine particles are deposited on the surface of the base material 23), the base material 23 becomes horizontal and the area to which the fine particles adhere can be increased. Therefore, even when the deposition rate is low, the deposition time can be extended and the fine particles can be stacked thickly.

なお本実施例では、基材23と容器26との間にシャッター31を配置し、このシャッター31は、蒸着領域Cに対応する領域のみ開口させている。これにより、蒸着領域Cから外れた領域の基材23や巻き出しロール24、巻き取りロール25に微粒子が付着するのを防ぐことができる。   In this embodiment, a shutter 31 is disposed between the base material 23 and the container 26, and the shutter 31 is opened only in a region corresponding to the vapor deposition region C. Thereby, it can prevent that microparticles | fine-particles adhere to the base material 23 of the area | region remove | deviated from the vapor deposition area | region C, the unwinding roll 24, and the winding roll 25. FIG.

そして本実施例では、この蒸着領域Cにおいて、水平になった基材23の裏面側(蒸着面の反対側)に温度制御ユニット32を配置している。すなわちこの温度制御ユニット32と容器26とは、基材23を介して対向する位置に夫々配置されている。   In this embodiment, the temperature control unit 32 is arranged on the back surface side (opposite side of the vapor deposition surface) of the base material 23 that is horizontal in the vapor deposition region C. That is, the temperature control unit 32 and the container 26 are arranged at positions facing each other with the base material 23 therebetween.

ここで図4は、基材23との対向面からみた温度制御ユニット32の平面図であり、図5は図4のX−X断面を示す図である。また図6は図5のZ部を拡大した断面図である。また図7は図4のY−Y断面を示す図である。   Here, FIG. 4 is a plan view of the temperature control unit 32 as viewed from the surface facing the substrate 23, and FIG. 5 is a view showing a cross section taken along line XX of FIG. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a portion Z in FIG. FIG. 7 is a view showing a YY cross section of FIG.

本実施例の温度制御ユニット32は、熱媒体として冷却水を用い、図5に示すように、この冷却水が供給される配管33を備えた直方体形状の伝熱ブロック34と、この伝熱ブロック34の基材23と対向する面側に接合された直方体形状の保持部35と、この保持部35で保持された複数の伝熱ローラー36と、伝熱ブロック34と保持部35の内部に形成されたガス導入路37とを有している。   The temperature control unit 32 of the present embodiment uses cooling water as a heat medium, and as shown in FIG. 5, a rectangular parallelepiped heat transfer block 34 including a pipe 33 to which the cooling water is supplied, and the heat transfer block. A rectangular parallelepiped holding portion 35 joined to the surface of the 34 facing the base material 23, a plurality of heat transfer rollers 36 held by the holding portion 35, and the heat transfer block 34 and the holding portion 35. Gas introduction passage 37.

本実施例では、このガス導入路37から熱媒体としてのガスを導入し、ガスを基材23と保持部35や伝熱ブロック34との間の空間に行き渡るように供給する。このガスは微粒子との化学反応を抑制するため、ヘリウムやアルゴンなどの不活性ガスを用いる。本実施例では、より熱伝導性に優れたヘリウムガスを用いた。ガスの温度は20℃〜25℃であり、ガスの流量は、基材23が浮いてしまわないように適宜調整した。   In the present embodiment, a gas as a heat medium is introduced from the gas introduction path 37, and the gas is supplied so as to reach the space between the base material 23 and the holding unit 35 or the heat transfer block 34. This gas uses an inert gas such as helium or argon in order to suppress chemical reaction with the fine particles. In this example, helium gas having better thermal conductivity was used. The temperature of the gas was 20 ° C. to 25 ° C., and the flow rate of the gas was appropriately adjusted so that the base material 23 would not float.

本実施例の伝熱ローラー36は、図6に示すように、自重により降下移動して基材23の裏面に当接し、基材23の移送に連動して矢印D方向に回転するとともに、基材23からの力で上昇移動が可能である。   As shown in FIG. 6, the heat transfer roller 36 of the present embodiment descends by its own weight, contacts the back surface of the base material 23, rotates in the direction of arrow D in conjunction with the transfer of the base material 23, and The upward movement is possible by the force from the material 23.

そして本実施例の蒸着装置21は、基材23から冷却水(熱媒体)までの間を、図5、図6の伝熱ローラー36、保持部35、および伝熱ブロック34がそれぞれ互いに接触していることで順次熱が伝播し、基材23の温度が制御される。また本実施例では基材23は筒状の伝熱ローラー36と線接触するため、ある時点においては基材23と伝熱ローラー36とが接触していない領域も存在するが、ガス導入路37から供給されたガスが熱を媒介し、基材23の熱を冷却水へと効率よく伝播できる。   In the vapor deposition apparatus 21 of this embodiment, the heat transfer roller 36, the holding unit 35, and the heat transfer block 34 in FIG. 5 and FIG. 6 are in contact with each other between the base material 23 and the cooling water (heat medium). As a result, heat propagates sequentially, and the temperature of the substrate 23 is controlled. In this embodiment, since the base material 23 is in line contact with the cylindrical heat transfer roller 36, there is a region where the base material 23 and the heat transfer roller 36 are not in contact at a certain point in time, but the gas introduction path 37. The gas supplied from the medium mediates heat and can efficiently propagate the heat of the base material 23 to the cooling water.

ここで図5に示す伝熱ブロック34と保持部35は、それぞれ基材23と対向する側の面が15cm×20cm程度の長方形であり、高さは2〜3cm程度である。   Here, each of the heat transfer block 34 and the holding unit 35 shown in FIG. 5 is a rectangle having a surface of about 15 cm × 20 cm on the side facing the base material 23 and has a height of about 2 to 3 cm.

そして図4、図5に示すように、保持部35の、基材23と対向する面には、基材23の移送方向(矢印B)とほぼ直角に交差する方向に伸びる溝38が、基材23の移送方向(矢印B)に複数個並んでいる。なお、溝38は保持部35を貫通させてもよい。   4 and 5, a groove 38 extending in a direction substantially perpendicular to the transfer direction (arrow B) of the base material 23 is formed on the surface of the holding portion 35 facing the base material 23. A plurality of materials 23 are arranged in the transfer direction (arrow B). The groove 38 may penetrate the holding portion 35.

そしてこれらの溝38の内部には、それぞれ伝熱ローラー36が保持されている。すなわち伝熱ローラー36は、基材23の移送方向(矢印B)に複数個並んでいる。伝熱ローラー36は一本でもよいが、複数本用いる方が、基材23と伝熱ローラー36との接触面積が増え、より効率よく温度制御できる。また一本あたりの伝熱ローラー36の重さを低減でき、基材23の応力負荷を分散できる。   Heat transfer rollers 36 are held in the grooves 38, respectively. That is, a plurality of heat transfer rollers 36 are arranged in the transfer direction (arrow B) of the base material 23. Although the number of the heat transfer rollers 36 may be one, the use of a plurality of heat transfer rollers 36 increases the contact area between the base material 23 and the heat transfer roller 36 and allows more efficient temperature control. Moreover, the weight of the heat transfer roller 36 per one can be reduced, and the stress load of the base material 23 can be disperse | distributed.

これらの伝熱ローラー36は、それぞれ直径φが5mm〜15mm程度の円柱形である。溝38の内部は、伝熱ローラー36を収容するため、これらの直径よりも幅が広くなっているが、基材23と対向する側の溝38の開口部は、伝熱ローラー36の直径よりも幅が狭くなっており、伝熱ローラー36が脱落しないように設計されている。   Each of these heat transfer rollers 36 has a cylindrical shape with a diameter φ of about 5 mm to 15 mm. The inside of the groove 38 is wider than these diameters in order to accommodate the heat transfer roller 36, but the opening of the groove 38 on the side facing the substrate 23 is larger than the diameter of the heat transfer roller 36. Is also designed to prevent the heat transfer roller 36 from falling off.

そしてそれぞれの伝熱ローラー36は、基材23の移送方向(矢印B)とほぼ直交する軸Eを中心に回転可能である。回転中心となる軸Eは基材23の移送方向(矢印B)と交差する方向であればよいが、移送方向とほぼ直交する方向に合わせることにより、基材23の移送と連動して、効率よく伝熱ローラー36を回転させることができる。   Each heat transfer roller 36 is rotatable about an axis E that is substantially orthogonal to the direction of transfer of the substrate 23 (arrow B). The axis E serving as the center of rotation may be a direction that intersects with the transfer direction (arrow B) of the base material 23. The heat transfer roller 36 can be rotated well.

そして本実施例では、伝熱ローラー36の回転中心となる軸E方向において、伝熱ローラー36およびこの伝熱ローラー36が収容されている溝38の長さは、基材23の幅よりも短くなっている。これにより基材23の外方から溝38の内壁や伝熱ローラー36がはみ出さないため、蒸着プロセスにおいて、蒸着微粒子が伝熱ローラー36や溝38内部に付着し難くなり、蒸着装置21の清掃が簡易になる。   In this embodiment, the length of the heat transfer roller 36 and the groove 38 in which the heat transfer roller 36 is accommodated is shorter than the width of the base material 23 in the direction of the axis E that is the rotation center of the heat transfer roller 36. It has become. As a result, the inner wall of the groove 38 and the heat transfer roller 36 do not protrude from the outside of the base material 23, so that it becomes difficult for the deposited fine particles to adhere to the inside of the heat transfer roller 36 and the groove 38 in the vapor deposition process. Becomes simple.

また図4に示すように、本実施例における伝熱ローラー36は、この回転中心となる軸E方向において、長さ1.5cm程度ずつ、複数個に分割されている。以下、分割された個々の伝熱ローラー36を、小ローラー39と記載する。なお、伝熱ローラー36は分割しなくてもよいが、このように細かく分割させておくことで、基材23のうねりやしわに合わせて個々の小ローラー39が上下に揺動し、基材23との接触面積をより増やすことができる。   As shown in FIG. 4, the heat transfer roller 36 in the present embodiment is divided into a plurality of pieces each having a length of about 1.5 cm in the axis E direction serving as the center of rotation. Hereinafter, the divided individual heat transfer rollers 36 are referred to as small rollers 39. The heat transfer roller 36 does not have to be divided. However, if the heat transfer roller 36 is divided finely in this way, the individual small rollers 39 swing up and down in accordance with the undulations and wrinkles of the base material 23, and the base material The contact area with 23 can be further increased.

また本実施例における伝熱ローラー36は、図6に示すように、自重により下方に降下移動した時に、一部は溝38の開口部から突出するが、途中で溝38の開口部に引っ掛かり、溝38の内壁と接触した状態で、溝38の内部に保持される。伝熱ローラー36は、溝38の内壁と接触することによって、保持部35と熱交換を行い、保持部35は伝熱ブロック34と熱交換を行う。   In addition, as shown in FIG. 6, the heat transfer roller 36 in the present embodiment partially protrudes from the opening of the groove 38 when lowered by its own weight, but is caught in the opening of the groove 38 on the way, The groove 38 is held inside the groove 38 in contact with the inner wall of the groove 38. The heat transfer roller 36 exchanges heat with the holding unit 35 by contacting the inner wall of the groove 38, and the holding unit 35 exchanges heat with the heat transfer block 34.

そして本実施例では、伝熱ローラー36は基材23との摩擦により、基材23の移送に連動して回転する。なお、本実施例では、基材23の移送方向は一方向(図3の矢印B)であるが、例えば図3の巻き取りロール25側から巻き出しロール24側へと逆方向に移送し、蒸着領域Cにおいて基材23を往復させることもできる。この場合も伝熱ローラー36は、図4の軸Eを中心に、実際の基材23の移送方向に回転する。   In this embodiment, the heat transfer roller 36 rotates in conjunction with the transfer of the base material 23 due to friction with the base material 23. In this embodiment, the transfer direction of the base material 23 is one direction (arrow B in FIG. 3). For example, the transfer is performed in the reverse direction from the take-up roll 25 side to the unwind roll 24 side in FIG. The base material 23 can be reciprocated in the vapor deposition region C. Also in this case, the heat transfer roller 36 rotates about the axis E of FIG.

また図6に示すように、伝熱ローラー36は、自然状態では、自重によって溝38の開口部から一部が露出した状態で維持されるが、下方から伝熱ローラー36を押し上げると、溝38の内部に押し込むことができる。したがって、基材23にうねりがあると、このうねりに合わせて基材23からの力を受け、伝熱ローラー36は押し上げられて上方移動し、うねりがなくなると自重によって下方に戻ってくる。ここで伝熱ローラー36が押し上げられて溝38の内部に収容されると、伝熱ローラー36が宙に浮いた状態となって保持部35が接触しにくくなる。すなわち、伝熱ローラー36と基材23とは接触しているが、伝熱ローラー36と保持部35とが接触しなくなる場合がある。しかし本実施例では、伝熱ローラー36と保持部35や伝熱ブロック34との間にはガスが充満しているため、ガスを介して効率よく熱を伝えることができる。   In addition, as shown in FIG. 6, the heat transfer roller 36 is maintained in a state where a part of the heat transfer roller 36 is exposed from the opening of the groove 38 due to its own weight in the natural state. Can be pushed inside. Therefore, if the base material 23 has a swell, it receives a force from the base material 23 in accordance with this swell, and the heat transfer roller 36 is pushed up and moves upward, and when the swell disappears, it returns downward due to its own weight. Here, when the heat transfer roller 36 is pushed up and accommodated in the groove 38, the heat transfer roller 36 floats in the air, and the holding portion 35 becomes difficult to contact. That is, the heat transfer roller 36 and the base material 23 are in contact with each other, but the heat transfer roller 36 and the holding unit 35 may not be in contact with each other. However, in this embodiment, since the gas is filled between the heat transfer roller 36 and the holding unit 35 or the heat transfer block 34, heat can be efficiently transferred through the gas.

なお、本実施例では、伝熱ローラー36を自重で上下揺動させたが、伝熱ローラー36と溝38の底面とをバネやゴムなどで連結させてもよい。この場合は、例えば基材23からの力によってバネやゴムが縮み、伝熱ローラー36が上昇移動する。そして応力負荷が無くなるとバネやゴムの反力によって伝熱ローラー36が基の位置に降下移動する。ただし本実施例のように伝熱ローラー36をバネやゴムなどの弾性部材を介さず自重で上下揺動させる方が、伝熱ローラー36の揺動が緩やかとなり、基材23への負荷を低減できる。また溝38内部に複雑な機構を配置しなくてよいため、溝38内部の清掃もしやすくなる。   In this embodiment, the heat transfer roller 36 is swung up and down by its own weight, but the heat transfer roller 36 and the bottom surface of the groove 38 may be connected by a spring or rubber. In this case, for example, a spring or rubber contracts due to the force from the base material 23, and the heat transfer roller 36 moves upward. When the stress load disappears, the heat transfer roller 36 moves down to the base position by the reaction force of the spring or rubber. However, as in this embodiment, when the heat transfer roller 36 is swung up and down by its own weight without using an elastic member such as a spring or rubber, the heat transfer roller 36 swings more gently and the load on the base material 23 is reduced. it can. Further, since it is not necessary to arrange a complicated mechanism inside the groove 38, the inside of the groove 38 can be easily cleaned.

また、本実施例では、各溝38内で分割された複数の小ローラー39は、それぞれ自由に独立した状態で上下揺動させるため、連結させていないが、各小ローラー39を連結させることも可能である。この場合は、例えば各小ローラー39の回転軸となる軸E部分に孔をあけ、これらの孔に、これらの孔よりも細い軸体をそれぞれ通して連結させればよい。このように軸体を孔より細くすることで、孔と軸体との間に隙間が空き、それぞれの伝熱ローラー36は、ある程度独立した状態で上下に揺動できる。   Further, in the present embodiment, the plurality of small rollers 39 divided in each groove 38 are not connected to each other in order to freely swing up and down independently, but each small roller 39 may be connected. Is possible. In this case, for example, holes may be formed in the portions of the shaft E that serve as the rotation shafts of the small rollers 39, and shafts thinner than these holes may be connected to these holes. By making the shaft body thinner than the hole in this way, there is a gap between the hole and the shaft body, and each heat transfer roller 36 can swing up and down in a somewhat independent state.

さらに伝熱ブロック34、保持部35および伝熱ローラー36の材料は、それぞれ熱伝導率の高い材料が好ましい。したがって、金属、高熱伝導性樹脂等種々挙げられるが、本実施例ではいずれもアルミニウムを用いた。アルミニウムは質量も軽いため、自重で基材23に接触しても基材23の応力負荷を低減できる。   Furthermore, the material of the heat transfer block 34, the holding part 35, and the heat transfer roller 36 is preferably a material having high thermal conductivity. Accordingly, various materials such as a metal and a high thermal conductive resin can be mentioned. In this example, aluminum was used. Since aluminum has a light mass, even if it contacts the base material 23 by its own weight, the stress load of the base material 23 can be reduced.

なお、本実施例では、基材23の幅あたりの張力を500gとし、伝熱ローラー36の総質量が100g〜250gとした。ここで伝熱ローラー36の総質量とは、伝熱ローラー36が単数の場合はその伝熱ローラー36の質量、複数の場合は合計の質量を指す。そして上述の本実施例の場合、基材23にしわや傷が生じることなく蒸着することができた。一方、比較用にSUSで伝熱ローラー36を形成し、この伝熱ローラー36の総質量を560gとした場合、蒸着プロセスで基材23にしわや傷が発生した。   In this embodiment, the tension per width of the base material 23 is 500 g, and the total mass of the heat transfer roller 36 is 100 g to 250 g. Here, the total mass of the heat transfer roller 36 indicates the mass of the heat transfer roller 36 when there is a single heat transfer roller 36, and the total mass when there are a plurality of heat transfer rollers 36. And in the case of the above-mentioned Example, it was possible to deposit the base material 23 without causing wrinkles or scratches. On the other hand, when the heat transfer roller 36 was formed of SUS for comparison and the total mass of the heat transfer roller 36 was 560 g, wrinkles and scratches were generated on the base material 23 in the vapor deposition process.

このことから、伝熱ローラー36からの応力負荷を低減することで、蒸着プロセスにおける基材23のしわや傷を抑制できると考えられる。また実験により、伝熱ローラー36の総質量を、基材23の幅あたりの張力の二分の一以下とすることがより好ましいことが分かった。   From this, it is considered that wrinkles and scratches of the base material 23 in the vapor deposition process can be suppressed by reducing the stress load from the heat transfer roller 36. Also, it has been found through experiments that the total mass of the heat transfer roller 36 is more preferably less than or equal to one-half of the tension per width of the substrate 23.

また本実施例では、図5に示す冷却水の配管33は、伝熱ブロック34の一端側に熱媒体導入口40があり、他端側に熱媒体導出口41がある。熱媒体導入口40から冷却水を導入し、熱媒体導出口41側から冷却水を回収できる。なお、本実施例では、熱媒体として水を用いたが、その他エチレングリコールなど、沸点の低い溶媒を用いることで、冷却効果を高めることが出来る。また熱媒体は、液体に限らず、固体のペルチェ素子を用い、温度制御ユニット32の裏面に貼り付けてもよい。これらの熱媒体は所定温度に制御されたものを用いる。   In the present embodiment, the cooling water pipe 33 shown in FIG. 5 has a heat medium inlet 40 on one end side of the heat transfer block 34 and a heat medium outlet 41 on the other end side. Cooling water can be introduced from the heat medium inlet 40 and the cooling water can be recovered from the heat medium outlet 41 side. In this embodiment, water is used as a heat medium, but the cooling effect can be enhanced by using a solvent having a low boiling point such as ethylene glycol. The heat medium is not limited to a liquid, and a solid Peltier element may be used and attached to the back surface of the temperature control unit 32. These heat media are controlled at a predetermined temperature.

また熱を媒介させるためのガスは、伝熱ブロック34の裏面側に設けられたガス導入口42から注入され、ガス導入路37を介して伝熱ブロック34および保持部35の内部を通り、保持部35の表面側に設けられたガス導出口43から噴出される。ガス導出口43は、溝38の内壁に設けてもよい。   Gas for mediating heat is injected from a gas introduction port 42 provided on the back side of the heat transfer block 34, passes through the inside of the heat transfer block 34 and the holding unit 35 through the gas introduction path 37, and is held. It is ejected from a gas outlet 43 provided on the surface side of the portion 35. The gas outlet 43 may be provided on the inner wall of the groove 38.

なお、本実施例のようにガスを用いる場合は、図7に示すように、保持部35の基材23との対向面上であって、伝熱ローラー36が設けられた領域の外周に壁44を設けてもよい。図7は、基材23の移送方向(図4の矢印B)と平行な、保持部35の二辺上に形成した壁44である。この壁44で囲われた領域内、すなわち壁44の内側では、ガスが充満しやすくなるため、この壁44の内側で基材23を移送させることで、より効率よく熱交換することができる。なお壁44は、先端を内側へ傾けたり、あるいは内側へ折り曲げたりすることにより、ガスが外方へと拡散しにくくなる。   In addition, when using gas like a present Example, as shown in FIG. 7, it is a wall in the outer periphery of the area | region where the heat transfer roller 36 was provided on the opposing surface with the base material 23 of the holding | maintenance part 35. 44 may be provided. FIG. 7 shows walls 44 formed on two sides of the holding portion 35 that are parallel to the transfer direction of the base material 23 (arrow B in FIG. 4). In the region surrounded by the wall 44, that is, inside the wall 44, the gas is easily filled. Therefore, by transferring the base material 23 inside the wall 44, heat exchange can be performed more efficiently. Note that the wall 44 is difficult to diffuse outward by tilting the tip inward or by bending it inward.

以下、本実施例の蒸着装置21を用いた電極箔16の製造方法について説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the electrode foil 16 using the vapor deposition apparatus 21 of a present Example is demonstrated.

(1)図3に示すように、基材23を真空槽22内に配置し、真空排気ポンプ(図示せず)から排気して0.01〜0.001Paの真空に保つ。   (1) As shown in FIG. 3, the base material 23 is arrange | positioned in the vacuum chamber 22, and it evacuates from a vacuum exhaust pump (not shown), and is kept at 0.01-0.001 Pa vacuum.

(2)基材23の周辺に、ガス管(図示せず)から不活性ガスとしてアルゴンガス、活性ガスとして酸素ガスを導入する。アルゴンガスの流量は、酸素ガスに対して2〜4倍にした。これにより基材23周辺の圧力を20〜30Paの状態にする。   (2) Argon gas as an inert gas and oxygen gas as an active gas are introduced into the periphery of the base material 23 from a gas pipe (not shown). The flow rate of argon gas was 2 to 4 times that of oxygen gas. As a result, the pressure around the base material 23 is set to 20 to 30 Pa.

(3)基材23を、巻き出しロール24から巻き取りロール25へと矢印B方向へゆっくりと移送させる。移送の速度は0.05m/min程度である。基材23は蒸着領域Cでできるだけ水平になるように、偏向ロール29、30間で向きを調整する。   (3) The base material 23 is slowly transferred in the arrow B direction from the unwinding roll 24 to the winding roll 25. The transfer speed is about 0.05 m / min. The direction of the base material 23 is adjusted between the deflecting rolls 29 and 30 so as to be as horizontal as possible in the vapor deposition region C.

(4)供給管27から容器26へアルミニウム線を供給し、沸騰させて、真空蒸着により基材23の表面に微粒子を蒸着させる。   (4) An aluminum wire is supplied from the supply pipe 27 to the container 26, boiled, and fine particles are deposited on the surface of the substrate 23 by vacuum deposition.

ここで本実施例では、上述のように微粒子を基材23の表面に蒸着させるプロセスにおいて、図5に示すように、温度制御ユニット32の配管33の熱媒体導入口40から予め20℃に制御した冷却水を導入した。そして基材23の熱を伝熱ローラー36、保持部35、伝熱ブロック34へと順次伝播させ、さらに伝熱ブロック34に伝わった熱を冷却水(熱媒体)に伝播させることにより、基材23と冷却水とで熱交換を行い、基材23の温度を下げた。   Here, in this embodiment, in the process of depositing fine particles on the surface of the base material 23 as described above, the temperature is controlled to 20 ° C. in advance from the heat medium inlet 40 of the pipe 33 of the temperature control unit 32 as shown in FIG. Cooling water was introduced. Then, the heat of the base material 23 is sequentially propagated to the heat transfer roller 36, the holding unit 35, and the heat transfer block 34, and further the heat transmitted to the heat transfer block 34 is propagated to the cooling water (heat medium). 23 and the cooling water were subjected to heat exchange, and the temperature of the base material 23 was lowered.

また本実施例では、ガス導入路37のガス導入口42から予め20℃〜25℃程度に制御されたガスを導入した。そしてガス導出口43からガスを導出し、基材23と保持部35との間の空間にガスを供給し、充満させることによって、基材23が伝熱ローラー36と接触していない領域においても、保持部35や伝熱ブロック34へと熱を伝播することができる。また伝熱ローラー36が溝38の内部へ押し上げられて、基材23とは接触しているものの、保持部35との間に空間ができてしまった場合も、ガスを介して伝熱ブロック34へと熱を伝播することができる。ガス導入口42やガス導出口43の個数や場所は図4に限定されず、適当な場所に複数個あるいは一つ設ければよい。   In this embodiment, a gas previously controlled at about 20 ° C. to 25 ° C. is introduced from the gas introduction port 42 of the gas introduction path 37. And in the area | region where the base material 23 is not contacting the heat-transfer roller 36 by deriving | guiding gas from the gas outlet port 43, supplying gas to the space between the base material 23 and the holding | maintenance part 35, and making it fill. Heat can be propagated to the holding unit 35 and the heat transfer block 34. Also, when the heat transfer roller 36 is pushed up into the groove 38 and is in contact with the base material 23, a space is formed between the heat transfer roller 36 and the holding portion 35. Can transmit heat to The number and location of the gas inlets 42 and the gas outlets 43 are not limited to those shown in FIG. 4, and a plurality or one may be provided at appropriate locations.

図8は上記蒸着プロセスにおいて、蒸着領域Cにおける基材23の温度を、基材23の位置毎にプロットした結果である。グラフの横軸は、基材23の測定箇所と偏向ロール29からの距離(cm)を示している。なお、比較用として、図13に示す従来例のスチールベルト8を用いた蒸着装置1における基材3の温度の測定結果(図8に示す従来例)と、ガスを用いず、冷却水のみで温度制御した場合の測定結果(図8に示す比較例)を示した。   FIG. 8 is a result of plotting the temperature of the base material 23 in the vapor deposition region C for each position of the base material 23 in the above-described vapor deposition process. The horizontal axis of the graph indicates the distance (cm) from the measurement location of the substrate 23 and the deflection roll 29. For comparison, the measurement result of the temperature of the substrate 3 in the vapor deposition apparatus 1 using the steel belt 8 of the conventional example shown in FIG. 13 (conventional example shown in FIG. 8) and only cooling water without using gas. The measurement results when the temperature was controlled (comparative example shown in FIG. 8) are shown.

スチールベルト8を用いた従来例では、微粒子の潜熱や容器6からの輻射熱を受け、基材3の温度はピーク値で約220℃であった。また比較例の冷却水を用いた場合は、伝熱ローラー36との接触により温度が制御され、基材23の温度ピークは180℃に下がった。そしてさらに本実施例の温度制御ユニット32を用いると、基材23の温度ピークは120〜130℃程度であり、従来例と比較して約100℃、比較例と比較して約50℃〜60℃も温度上昇を抑えることができた。   In the conventional example using the steel belt 8, the temperature of the base material 3 was about 220 ° C. at the peak value due to the latent heat of fine particles and the radiant heat from the container 6. Further, when the cooling water of the comparative example was used, the temperature was controlled by contact with the heat transfer roller 36, and the temperature peak of the base material 23 was lowered to 180 ° C. Further, when the temperature control unit 32 of this example is used, the temperature peak of the base material 23 is about 120 to 130 ° C., about 100 ° C. compared to the conventional example, and about 50 ° C. to 60 ° C. compared to the comparative example. The temperature rise could also be suppressed by ℃.

以上のように本実施例の蒸着装置21で形成した粗膜層(図2の図番28)は、図9のSEM写真に示すように、平均粒子径が約0.01μm〜0.15μmの微粒子が、基材23の表面からランダムに積層し、複数に枝分かれした、粗な構造体である。本実施例の粗膜層28の内部をSEMで観察すると、空孔径の最頻値は、微粒子の平均粒子径とほぼ同じ0.01〜0.15μm程度であった。空孔径は、水銀圧入法を用いて計測することができ、これにより用いた空孔径分布のピーク値を空孔径の最頻値とした。また本実施例の粗膜層28の空隙率は50〜80%であった。   As described above, the coarse film layer (the number 28 in FIG. 2) formed by the vapor deposition apparatus 21 of this example has an average particle diameter of about 0.01 μm to 0.15 μm as shown in the SEM photograph of FIG. A coarse structure in which fine particles are randomly stacked from the surface of the substrate 23 and branched into a plurality of branches. When the inside of the coarse film layer 28 of this example was observed by SEM, the mode value of the pore diameter was about 0.01 to 0.15 μm, which was almost the same as the average particle diameter of the fine particles. The pore diameter can be measured by using a mercury intrusion method, and the peak value of the pore diameter distribution used by this is defined as the mode value of the pore diameter. Moreover, the porosity of the rough film layer 28 of this example was 50 to 80%.

そして厚みは粗膜層28の部分のみで20μmから80μmであり、例えばフィルムコンデンサの電極箔として用いられるような一般的な蒸着膜と比較し、厚い膜である。   The thickness is 20 μm to 80 μm only at the portion of the rough film layer 28, and is a thick film as compared with, for example, a general deposited film used as an electrode foil of a film capacitor.

なお基材23の両面に粗膜層28を形成する場合は、上記プロセスで片面に粗膜層28を形成した後、基材23を裏返し、粗膜層28の形成されていない他方の面を表面として同様のプロセスで粗膜層28を形成すればよい。なお、本願明細書中では、微粒子が蒸着される面(すなわち、容器26と対向する面)を基材23の表面と表現する。   In addition, when forming the rough film layer 28 on both surfaces of the base material 23, after forming the rough film layer 28 on one surface by the above process, the base material 23 is turned over, and the other surface on which the rough film layer 28 is not formed is formed. The rough film layer 28 may be formed by the same process as the surface. In the present specification, the surface on which the fine particles are deposited (that is, the surface facing the container 26) is expressed as the surface of the base material 23.

本実施例の効果を以下に説明する。   The effect of the present embodiment will be described below.

本実施例では、基材23の温度上昇を抑制し、蒸着する微粒子の粒径を所望の粒径にコントロールして、電極箔16を構成する粗膜層28の均一性を高めることができる。   In the present embodiment, it is possible to increase the uniformity of the rough film layer 28 constituting the electrode foil 16 by suppressing the temperature rise of the base material 23 and controlling the particle diameter of the deposited fine particles to a desired particle diameter.

その理由は、温度制御ユニット32の伝熱ローラー36と基材23との接触面積を大きくできるとともに、ガスが熱を媒介するからである。   This is because the contact area between the heat transfer roller 36 of the temperature control unit 32 and the substrate 23 can be increased, and the gas mediates heat.

すなわち図13に示す従来の温度制御ユニット8の構成では、基材3自体を固定されたスチールベルト8に沿わせる構成であったため、基材3の一部にうねりがあった場合、このうねりの部分では、基材3とスチールベルト8との間に隙間が空いてしまうことがあった。このように隙間が空くと、基材3と熱媒体との間で熱交換が効率よく行われず、図8の従来例に示すように、基材3の温度が上昇して、うねりのあった部分では蒸着する微粒子の粒径が肥大化してしまう。   That is, in the configuration of the conventional temperature control unit 8 shown in FIG. 13, since the base material 3 itself is placed along the fixed steel belt 8, when the base material 3 has a swell, this swell In some parts, a gap may be left between the base material 3 and the steel belt 8. When the gap is thus opened, heat exchange is not efficiently performed between the base material 3 and the heat medium, and the temperature of the base material 3 rises and swells as shown in the conventional example of FIG. In the portion, the particle diameter of the deposited fine particles is enlarged.

なお図14は、従来の蒸着装置1で形成した電極箔のSEM写真である。蒸着プロセスの途中で基材3と温度制御ユニット8との熱交換が効率よく行われていないため、基材3の温度が上昇して一部の微粒子の粒径が肥大化し、図14に示すように電極箔の微粒子の粒径が不均一となった。   FIG. 14 is an SEM photograph of the electrode foil formed by the conventional vapor deposition apparatus 1. Since the heat exchange between the base material 3 and the temperature control unit 8 is not efficiently performed during the vapor deposition process, the temperature of the base material 3 rises and the particle size of some of the fine particles is enlarged, as shown in FIG. Thus, the particle size of the fine particles of the electrode foil became non-uniform.

特に蒸着プロセスにおいて、基材3を水平にし、またゆっくりと微粒子を蒸着させる場合は、それぞれの微粒子が粒子形状を維持しながら積層し、空孔の多い粗膜層を形成することができるが、その一方で、基材3と容器6とが対向する時間が長いため、微粒子の潜熱や容器6からの輻射熱を受けやすく、微粒子の粒径は不均一になりやすい。そして微粒子が不均一な粗膜層は、その表面積も大きく変動するため、コンデンサの電極箔として用いると静電容量特性を一定に維持できなくなる。   In particular, in the vapor deposition process, when the base material 3 is leveled and the fine particles are slowly deposited, each fine particle can be laminated while maintaining the particle shape to form a coarse film layer with many pores. On the other hand, since the time for the base material 3 and the container 6 to face each other is long, it is easy to receive the latent heat of the fine particles and the radiant heat from the container 6, and the particle size of the fine particles tends to be non-uniform. Since the surface area of the coarse film layer in which the fine particles are not uniform varies greatly, the capacitance characteristics cannot be maintained constant when used as the electrode foil of the capacitor.

これに対し本実施例では、基材23のうねりに合わせて図5、図6の伝熱ローラー36が上下に揺動しながら回転する。したがってそれぞれの伝熱ローラー36と基材23との接触面積が増え、伝熱ローラー36、保持部35、伝熱ブロック34を介して熱が伝播し、基材23と熱媒体との熱交換を効率よくできる。   In contrast, in this embodiment, the heat transfer roller 36 of FIGS. 5 and 6 rotates while swinging up and down in accordance with the undulation of the base material 23. Therefore, the contact area between each heat transfer roller 36 and the base material 23 increases, and heat propagates through the heat transfer roller 36, the holding portion 35, and the heat transfer block 34, and heat exchange between the base material 23 and the heat medium is performed. It can be done efficiently.

また基材23は伝熱ローラー36と線接触するため、ある時点においては伝熱ローラー36と接触しない領域も存在するが、この領域においても、ガスを介して基材23から保持部35あるいは伝熱ローラー36へと熱を伝播させることができる。また伝熱ローラー36は、基材23からの力を受けて溝38の内部に押し上げられ、溝38と接触しにくくなる場合があるが、この場合においても、ガスが熱を媒介し、伝熱ローラー36の熱を効率よく保持部35へと伝播させることができる。   Further, since the base material 23 is in line contact with the heat transfer roller 36, there is a region where the base material 23 does not come into contact with the heat transfer roller 36 at a certain time point. Heat can be propagated to the heat roller 36. In addition, the heat transfer roller 36 may be pushed up into the groove 38 due to the force from the base material 23 and may not be in contact with the groove 38. In this case as well, the gas mediates heat and heat transfer is performed. The heat of the roller 36 can be efficiently propagated to the holding unit 35.

よって基材23にうねりがあってもその温度上昇を抑制でき、結果として基材23に付着する微粒子を所望の粒径に制御することができる。   Therefore, even if the base material 23 has waviness, the temperature rise can be suppressed, and as a result, the fine particles adhering to the base material 23 can be controlled to a desired particle size.

なお、本実施例における蒸着プロセスでは、基材23をゆっくりと移送させたが、移送速度を上げた場合でも基材23と熱媒体との熱交換効率を高めることができる。   In addition, in the vapor deposition process in a present Example, although the base material 23 was moved slowly, even when it raises a transfer speed, the heat exchange efficiency of the base material 23 and a heat medium can be improved.

また本実施例では、蒸着する微粒子の肥大化を抑制するため基材23を冷却したが、逆に微粒子の機械的強度を高めるため、所望の大きさまで肥大化させたい場合もある。この場合は、熱媒体として所定温度に加熱されたオイルや溶媒を図5の配管33に導入し、伝熱ブロック34を加熱してもよい。また熱媒体を供給する代わりに、所定温度に発熱可能なニクロム線ヒーター、セラミックヒータ、ランプヒーターなどの熱源を伝熱ブロック34に設け、伝熱ブロック34を加熱してもよい。この場合は、冷却水を供給した場合と熱の伝わる向きが逆になり、熱媒体または熱源からの熱が伝熱ブロック34、保持部35、伝熱ローラー36へと順次伝播し、基材23を加熱することができる。またそれぞれ互いに接触しない領域では、ガスを介して熱が伝播される。   In this embodiment, the substrate 23 is cooled in order to suppress the enlargement of the fine particles to be deposited. However, in order to increase the mechanical strength of the fine particles, there is a case where it is desired to enlarge the fine particles to a desired size. In this case, oil or a solvent heated to a predetermined temperature as a heat medium may be introduced into the pipe 33 in FIG. 5 and the heat transfer block 34 may be heated. Further, instead of supplying the heat medium, a heat source such as a nichrome wire heater, a ceramic heater or a lamp heater capable of generating heat at a predetermined temperature may be provided in the heat transfer block 34 to heat the heat transfer block 34. In this case, the direction of heat transfer is reversed from the case where the cooling water is supplied, and the heat from the heat medium or the heat source is sequentially propagated to the heat transfer block 34, the holding unit 35, and the heat transfer roller 36, and the base material 23 Can be heated. Further, heat is propagated through the gas in the regions that do not contact each other.

以上より本実施例の温度制御ユニット32は、基材23の温度制御を高精度にすることができ、これにより基材23に蒸着する微粒子の粒径を所望の大きさにコントロールすることができる。また基材23の温度ムラを低減できるため、蒸着する微粒子の粒径の均一性を高めることができる。   As described above, the temperature control unit 32 of the present embodiment can control the temperature of the base material 23 with high accuracy, and thereby can control the particle size of the fine particles deposited on the base material 23 to a desired size. . Moreover, since the temperature unevenness of the base material 23 can be reduced, the uniformity of the particle diameter of the deposited fine particles can be improved.

また本実施例では、基材23にうねりがあっても伝熱ローラー36が上下に揺動しながらうねりに追従するため、基材23にしわができにくくなる。   Further, in this embodiment, even if the base material 23 has waviness, the heat transfer roller 36 follows the waviness while swinging up and down, so that it becomes difficult for the base material 23 to be wrinkled.

なお、伝熱ローラー36の形状は、例えば球状でもよいが、本実施例のように円柱状にすることによって、基材23との接触面積を比較的大きくすることができ、熱交換を効率よく行えるとともに、基材23への応力負荷を分散することができ、粗膜層28の欠損を抑制できる。   The shape of the heat transfer roller 36 may be spherical, for example, but by making it cylindrical as in the present embodiment, the contact area with the base material 23 can be made relatively large, and heat exchange is efficiently performed. While being able to do so, it is possible to disperse the stress load on the base material 23 and to suppress the loss of the rough film layer 28.

なお伝熱ローラー36の端部は、丸みを帯びるようにRをつけておくことが好ましい。伝熱ローラー36の端部が角ばっていると、回転するときに粗膜層(図2の図番28)に傷をつける場合があるからである。   In addition, it is preferable to attach R so that the edge part of the heat-transfer roller 36 may be rounded. This is because if the end of the heat transfer roller 36 is angular, the rough film layer (the number 28 in FIG. 2) may be damaged when rotating.

さらに伝熱ローラー36の表面は、鏡面仕上げしておくことが好ましい。伝熱ローラー36に凹凸があると、粗膜層28に傷をつける場合があるからである。   Furthermore, the surface of the heat transfer roller 36 is preferably mirror-finished. This is because if the heat transfer roller 36 is uneven, the rough film layer 28 may be damaged.

なお、本実施例では、蒸着装置21として、蒸着材料を容器26の抵抗加熱によって蒸発させる抵抗加熱式の蒸着装置21を例に挙げたが、例えば容器26内の蒸着材料を電子ビームの照射によって蒸発させる電子ビーム式の蒸着装置にも応用可能である。   In this embodiment, the vapor deposition apparatus 21 is exemplified by the resistance heating type vapor deposition apparatus 21 that evaporates the vapor deposition material by resistance heating of the container 26. For example, the vapor deposition material in the container 26 is irradiated with an electron beam. The present invention can also be applied to an electron beam evaporation apparatus that evaporates.

さらに本実施例では、電極箔16を積層した固体電解コンデンサ9に用いたが、電極箔16を巻回した固体電解コンデンサ9に用いることもでき、さらに電解質として電解液を用いた電解コンデンサにも利用できる。また例えば基材23を銅とし、蒸着材料をリチウムとすることによって、電池の電極箔16として用いることもできる。この場合は、微粒子の粒径を所望の大きさに制御することによって、電極箔16の電池容量を効率よくコントロールすることができる。   Further, in this embodiment, the electrode foil 16 is used for the solid electrolytic capacitor 9 laminated, but it can also be used for the solid electrolytic capacitor 9 wound with the electrode foil 16, and also for an electrolytic capacitor using an electrolytic solution as an electrolyte. Available. Further, for example, by using copper as the base material 23 and lithium as the vapor deposition material, it can also be used as the electrode foil 16 of the battery. In this case, the battery capacity of the electrode foil 16 can be efficiently controlled by controlling the particle size of the fine particles to a desired size.

なお、本実施例では、伝熱ブロック34と保持部35とはそれぞれ独立した部品であり、分解可能であるが、例えば伝熱ブロック34を保持部35と一体化させ、伝熱ブロック34自体に溝38を形成してもよい。この場合は、伝熱ブロック34に形成した溝38によって、伝熱ローラー36を保持することになる。   In the present embodiment, the heat transfer block 34 and the holding unit 35 are independent components and can be disassembled. For example, the heat transfer block 34 is integrated with the holding unit 35 and the heat transfer block 34 itself is integrated. A groove 38 may be formed. In this case, the heat transfer roller 36 is held by the groove 38 formed in the heat transfer block 34.

そして伝熱ブロック34に熱媒体を供給すると、基材23と熱媒体との間を、伝熱ローラー36および伝熱ブロック34を介して熱が伝播することにより、基材23の温度が制御される。また伝熱ブロック34に熱源を配置すれば、熱源からの熱が、伝熱ブロック34、伝熱ローラー36へと順次伝播することにより、基材23の温度が制御される。   When a heat medium is supplied to the heat transfer block 34, heat propagates between the base material 23 and the heat medium through the heat transfer roller 36 and the heat transfer block 34, thereby controlling the temperature of the base material 23. The Further, if a heat source is arranged in the heat transfer block 34, the heat from the heat source is sequentially propagated to the heat transfer block 34 and the heat transfer roller 36, whereby the temperature of the base material 23 is controlled.

また伝熱ブロック34にガス導入路37を設け、伝熱ブロック34の基材23との対向面側や溝38の内壁からガスを導出させることにより、伝熱ブロック34と基材23との間の空間にガスを供給することができる。そして伝熱ブロック34と基材23との間や伝熱ローラー36と伝熱ブロック34との間において、ガスが熱を媒介し、基材23を効率よく温度制御することができる。なお、この場合図7に示す壁44は伝熱ブロック34の基材23との対向面上において、伝熱ローラー36が形成された領域より外側に設ければよい。   Further, a gas introduction path 37 is provided in the heat transfer block 34, and gas is led out from the opposite surface side of the heat transfer block 34 to the base material 23 or from the inner wall of the groove 38. Gas can be supplied to the space. The gas mediates heat between the heat transfer block 34 and the base material 23 or between the heat transfer roller 36 and the heat transfer block 34, and the temperature of the base material 23 can be efficiently controlled. In this case, the wall 44 shown in FIG. 7 may be provided outside the region where the heat transfer roller 36 is formed on the surface of the heat transfer block 34 facing the base material 23.

以上のように、伝熱ブロック34と保持部35とは、一体型、分割型のいずれでもよいが、本実施例のように伝熱ブロック34と保持部35とを分けている方が、伝熱ローラー36を溝38の内部に保持するように配置しやすい。さらに温度制御ユニット32を伝熱ブロック34、保持部35、伝熱ローラー36に分解することで、清掃しやすい。   As described above, the heat transfer block 34 and the holding portion 35 may be either an integral type or a divided type. However, the heat transfer block 34 and the holding portion 35 are separated as in the present embodiment. It is easy to arrange so that the heat roller 36 is held inside the groove 38. Further, the temperature control unit 32 can be easily cleaned by disassembling the heat transfer block 34, the holding unit 35, and the heat transfer roller 36.

(実施例2)
本実施例と実施例1との主な違いは、図10、図11に示すように温度制御ユニット32を分割した点である。温度制御ユニット32以外の構成は図3に示す実施例1の蒸着装置21と同様である。
(Example 2)
The main difference between the present embodiment and the first embodiment is that the temperature control unit 32 is divided as shown in FIGS. The configuration other than the temperature control unit 32 is the same as that of the vapor deposition apparatus 21 of Example 1 shown in FIG.

本実施例では、温度制御ユニット32を、伝熱ブロック34と保持部35ごと巻き出しロール(図3の図番24)側の小ユニット45Aと、巻き取りロール(図3の図番25)側の小ユニット45Bに二分割した。そして巻き出しロール24側の小ユニット45Aには、所定温度に発熱可能なヒーター(熱源46)を配置するとともに、内部にガス導入路37Aを設けた。また巻き取りロール25側の小ユニット45Bには、所定温度に制御された冷却水を供給する配管33を配置するとともに、内部にガス導入路37Bを設けた。そして小ユニット45A、45B間は、熱伝達を抑制するため、隙間をあけた。ガス導入路37A、ガス導入路37Bは、それぞれ独立している。またガス導入路37A、37Bの各ガス導出口43は、保持部35の基材23との対向面側に設けられた。ガス導出口43は、それぞれ一つでも複数でもよい。   In this embodiment, the temperature control unit 32 includes the heat transfer block 34 and the holding unit 35 together with the small unit 45A on the unwinding roll (the number 24 in FIG. 3) and the winding roll (the number 25 in FIG. 3) side. Divided into two small units 45B. In the small unit 45A on the unwinding roll 24 side, a heater (heat source 46) capable of generating heat to a predetermined temperature is disposed, and a gas introduction path 37A is provided inside. In addition, the small unit 45B on the winding roll 25 side is provided with a pipe 33 for supplying cooling water controlled to a predetermined temperature, and a gas introduction path 37B is provided inside. And between the small units 45A and 45B, the clearance gap was opened in order to suppress heat transfer. The gas introduction path 37A and the gas introduction path 37B are independent of each other. Further, the gas outlets 43 of the gas introduction paths 37 </ b> A and 37 </ b> B were provided on the side of the holding portion 35 facing the base material 23. One or more gas outlets 43 may be provided.

これにより本実施例では、図3の蒸着領域Cにおいて、蒸着プロセスの前半は基材23の温度を高くし、後半は基材23の温度を低くすることができる。このように基材23の温度を制御すると、前半に蒸着された粗膜層(図2の図番28)の根元部分は微粒子の粒径が大きくなり、基材23と接触面積が増え、基材23と粗膜層28との密着性を高めることができる。そして後半に蒸着された、粗膜層28の表層部分は微粒子の粒径が小さくなり、表面積を大きくすることができる。   Thus, in this embodiment, in the vapor deposition region C of FIG. 3, the temperature of the base material 23 can be increased during the first half of the vapor deposition process, and the temperature of the base material 23 can be decreased during the second half. When the temperature of the base material 23 is controlled in this way, the base part of the coarse film layer (number 28 in FIG. 2) deposited in the first half has a larger particle size of the fine particles, and the contact area with the base material 23 increases. The adhesion between the material 23 and the rough film layer 28 can be improved. In the surface layer portion of the rough film layer 28 deposited in the latter half, the particle size of the fine particles is reduced, and the surface area can be increased.

なお、本実施例では、蒸着プロセスの前半で基材23の温度を300℃程度まで上げると、微粒子の粒径を0.1〜0.3μm程度とすることができ、蒸着プロセスの後半で基材23の温度を150℃程度まで下げると、微粒子の粒径を0.01〜0.15μm程度に制御することができた。   In this example, when the temperature of the substrate 23 is increased to about 300 ° C. in the first half of the vapor deposition process, the particle size of the fine particles can be reduced to about 0.1 to 0.3 μm. When the temperature of the material 23 was lowered to about 150 ° C., the particle size of the fine particles could be controlled to about 0.01 to 0.15 μm.

また本実施例でも、実施例1と同様に、基材23のうねりの有無にかかわらず、高精度に基材23の温度を制御することができるため、基材23を移動させながら連続的に蒸着しても、基材23全体の粒径を所望の粒径にコントロールすることができ、均質な膜質にすることができる。   Also in the present embodiment, similarly to the first embodiment, the temperature of the base material 23 can be controlled with high accuracy regardless of the presence or absence of the undulation of the base material 23. Therefore, the base material 23 is continuously moved while being moved. Even if vapor deposition is performed, the particle size of the entire substrate 23 can be controlled to a desired particle size, and a uniform film quality can be obtained.

なお、本実施例では温度制御ユニット32を二分割したが、所望の膜質にあわせて種々分割数や分割位置を変えればよい。たとえば、図12に示す温度制御ユニット32は、基材23の移送方向(矢印B)と、この移送方向と直交する方向にそれぞれ複数個の溝38を並べ、それぞれの溝38に伝熱ローラー36を配置している。そしてこれらの伝熱ローラー36が少なくとも一つは配置されるように、温度制御ユニット32を、移送方向(矢印B)と、移送方向と直交する方向に分割し、小ユニット47A、47B、47Cを形成している。これにより、蒸着領域Cをより細分化して温度制御することができ、例えば容器26からの潜熱を受けやすい部分のみを選択的に冷却する事も容易となる。   In this embodiment, the temperature control unit 32 is divided into two, but various division numbers and division positions may be changed in accordance with desired film quality. For example, the temperature control unit 32 shown in FIG. 12 arranges a plurality of grooves 38 in the transfer direction (arrow B) of the base material 23 and the direction orthogonal to the transfer direction, and the heat transfer roller 36 in each groove 38. Is arranged. The temperature control unit 32 is divided into a transfer direction (arrow B) and a direction orthogonal to the transfer direction so that at least one of these heat transfer rollers 36 is arranged, and the small units 47A, 47B, 47C are divided. Forming. Thereby, the vapor deposition region C can be further subdivided and the temperature can be controlled, and for example, it becomes easy to selectively cool only the portion that is susceptible to latent heat from the container 26.

以下実施例1と同様の構成および効果については説明を省略する。   Hereinafter, descriptions of the same configurations and effects as those of the first embodiment will be omitted.

本発明による蒸着装置は、蒸着する微粒子の粒径を、高精度な基材の温度制御によってコントロールでき、電極箔の膜質を均質にできる。したがって、量産性に適した蒸着装置を実現でき、特性の安定したコンデンサや電池の製造装置として応用可能である。   The vapor deposition apparatus according to the present invention can control the particle size of the fine particles to be deposited by controlling the temperature of the substrate with high accuracy, and can make the film quality of the electrode foil uniform. Therefore, it is possible to realize a vapor deposition apparatus suitable for mass production and can be applied as a capacitor or battery manufacturing apparatus with stable characteristics.

9 固体電解コンデンサ
10 コンデンサ素子
11 陽極電極部
12 陰極電極部
13 陽極端子
14 陰極端子
15 外装体
16 電極箔
17 誘電膜
18 絶縁部材
19 固体電解質層
20 陰極層
21 蒸着装置
22 真空槽
23 基材
24 巻き出しロール
25 巻き取りロール
26 容器
27 供給管
28 粗膜層
29 偏向ロール
30 偏向ロール
31 シャッター
32 温度制御ユニット
33 配管
34 伝熱ブロック
35 保持部
36 伝熱ローラー
37 ガス導入路
37A ガス導入路
37B ガス導入路
38 溝
39 小ローラー
40 熱媒体導入口
41 熱媒体導出口
42 ガス導入口
43 ガス導出口
44 壁
45A 小ユニット
45B 小ユニット
46 熱源
47A 小ユニット
47B 小ユニット
47C 小ユニット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 Solid electrolytic capacitor 10 Capacitor element 11 Anode electrode part 12 Cathode electrode part 13 Anode terminal 14 Cathode terminal 15 Exterior body 16 Electrode foil 17 Dielectric film 18 Insulating member 19 Solid electrolyte layer 20 Cathode layer 21 Deposition apparatus 22 Vacuum chamber 23 Base material 24 Winding roll 25 Winding roll 26 Container 27 Supply pipe 28 Coarse film layer 29 Deflection roll 30 Deflection roll 31 Shutter 32 Temperature control unit 33 Piping 34 Heat transfer block 35 Holding part 36 Heat transfer roller 37 Gas introduction path 37A Gas introduction path 37B Gas introduction path 38 Groove 39 Small roller 40 Heat medium inlet 41 Heat medium outlet 42 Gas inlet 43 Gas outlet 44 Wall 45A Small unit 45B Small unit 46 Heat source 47A Small unit 47B Small unit 47C Small unit

Claims (6)

真空槽内で基材を所定方向に移送させながら、この基材の表面に微粒子を蒸着させる蒸着装置であって、
この蒸着装置は、
前記基材の表面側に配置され、前記微粒子の原材料が供給される容器と、
前記基材の裏面側に配置された温度制御ユニットとを備え、
この温度制御ユニットは、
温度制御された液体または固体の熱媒体が供給される伝熱ブロックと、
この伝熱ブロックの前記基材との対向面側に保持された伝熱ローラーと、
前記基材と前記伝熱ブロックの間の空間にガスを供給するガス導入路と、を備え、
前記伝熱ローラーは、
降下移動して前記基材の裏面に当接し、前記基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、前記基材からの力で上昇移動が可能であって、
前記基材と前記熱媒体との間を、前記ガス、前記伝熱ローラーおよび前記伝熱ブロックを介して熱が伝播することにより、前記基材の温度が制御される蒸着装置。
A vapor deposition apparatus that deposits fine particles on the surface of the substrate while moving the substrate in a predetermined direction in a vacuum chamber,
This deposition equipment
A container that is disposed on the surface side of the substrate and to which the raw material of the fine particles is supplied;
A temperature control unit disposed on the back side of the substrate;
This temperature control unit
A heat transfer block supplied with a temperature-controlled liquid or solid heat medium;
A heat transfer roller held on the side of the heat transfer block facing the substrate;
A gas introduction path for supplying gas to the space between the base material and the heat transfer block,
The heat transfer roller is
It moves down and abuts against the back surface of the base material, rotates around an axis that intersects with the transfer direction in conjunction with the transfer of the base material, and can be moved up by force from the base material. ,
The vapor deposition apparatus by which the temperature of the said base material is controlled when heat propagates between the said base material and the said heat medium through the said gas, the said heat-transfer roller, and the said heat-transfer block.
真空槽内で基材を所定方向に移送させながら、この基材の表面に微粒子を蒸着させる蒸着装置であって、
この蒸着装置は、
前記基材の表面側に配置され、前記微粒子の原材料が供給される容器と、
前記基材の裏面側に配置された温度制御ユニットとを備え、
この温度制御ユニットは、
温度制御された液体または固体の熱媒体が供給される伝熱ブロックと、
この伝熱ブロックの前記基材との対向面側に設けられた保持部と、
この保持部で保持された伝熱ローラーと、
前記基材と前記保持部との間の空間にガスを供給するガス導入路と、を備え、
前記伝熱ローラーは、
降下移動して前記基材の裏面に当接し、前記基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、前記基材からの力で上昇移動が可能であって、
前記基材と前記熱媒体との間を、前記ガス、前記伝熱ローラー、前記保持部、および前記伝熱ブロックを介して熱が伝播することにより、前記基材の温度が制御される蒸着装置。
A vapor deposition apparatus that deposits fine particles on the surface of the substrate while moving the substrate in a predetermined direction in a vacuum chamber,
This deposition equipment
A container that is disposed on the surface side of the substrate and to which the raw material of the fine particles is supplied;
A temperature control unit disposed on the back side of the substrate;
This temperature control unit
A heat transfer block supplied with a temperature-controlled liquid or solid heat medium;
A holding portion provided on the side of the heat transfer block facing the substrate;
A heat transfer roller held by the holding unit;
A gas introduction path for supplying gas to the space between the base material and the holding unit,
The heat transfer roller is
It moves down and abuts against the back surface of the base material, rotates around an axis that intersects with the transfer direction in conjunction with the transfer of the base material, and can be moved up by force from the base material. ,
A vapor deposition apparatus in which the temperature of the base material is controlled by heat propagating between the base material and the heat medium through the gas, the heat transfer roller, the holding unit, and the heat transfer block. .
真空槽内で基材を所定方向に移送させながら、この基材の表面に微粒子を蒸着させる蒸着装置であって、
この蒸着装置は、
前記基材の表面側に配置され、前記微粒子の原材料が供給される容器と、
前記基材の裏面側に配置された温度制御ユニットとを備え、
この温度制御ユニットは、
所定温度に発熱可能な熱源が設けられた伝熱ブロックと、
この伝熱ブロックの前記基材との対向面側に保持された伝熱ローラーと、
前記基材と前記伝熱ブロックの間の空間にガスを供給するガス導入路と、を備え、
前記伝熱ローラーは、
降下移動して前記基材の裏面に当接し、前記基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、前記基材からの力で上昇移動が可能であって、
前記熱源からの熱が、前記伝熱ブロック、前記伝熱ローラーおよび前記ガスを介して前記基材へと伝播することにより、前記基材の温度が制御される蒸着装置。
A vapor deposition apparatus that deposits fine particles on the surface of the substrate while moving the substrate in a predetermined direction in a vacuum chamber,
This deposition equipment
A container that is disposed on the surface side of the substrate and to which the raw material of the fine particles is supplied;
A temperature control unit disposed on the back side of the substrate;
This temperature control unit
A heat transfer block provided with a heat source capable of generating heat at a predetermined temperature;
A heat transfer roller held on the side of the heat transfer block facing the substrate;
A gas introduction path for supplying gas to the space between the base material and the heat transfer block,
The heat transfer roller is
It moves down and abuts against the back surface of the base material, rotates around an axis that intersects with the transfer direction in conjunction with the transfer of the base material, and can be moved up by force from the base material. ,
The vapor deposition apparatus by which the temperature of the said base material is controlled when the heat from the said heat source propagates to the said base material via the said heat-transfer block, the said heat-transfer roller, and the said gas.
真空槽内で基材を所定方向に移送させながら、この基材の表面に微粒子を蒸着させる蒸着装置であって、
この蒸着装置は、
前記基材の表面側に配置され、前記微粒子の原材料が供給される容器と、
前記基材の裏面側に配置された温度制御ユニットとを備え、
この温度制御ユニットは、
所定温度に発熱可能な熱源が設けられた伝熱ブロックと、
この伝熱ブロックの前記基材との対向面側に設けられた保持部と、
この保持部で保持された伝熱ローラーと、
前記基材と前記保持部との間の空間にガスを供給するガス導入路と、を備え、
前記伝熱ローラーは、
降下移動して前記基材の裏面に当接し、前記基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、前記基材からの力で上昇移動が可能であって、
前記熱源からの熱が、前記伝熱ブロック、前記保持部、前記伝熱ローラーおよび前記ガスを介して前記基材へ伝播することにより、前記基材の温度が制御される蒸着装置。
A vapor deposition apparatus that deposits fine particles on the surface of the substrate while moving the substrate in a predetermined direction in a vacuum chamber,
This deposition equipment
A container that is disposed on the surface side of the substrate and to which the raw material of the fine particles is supplied;
A temperature control unit disposed on the back side of the substrate;
This temperature control unit
A heat transfer block provided with a heat source capable of generating heat at a predetermined temperature;
A holding portion provided on the side of the heat transfer block facing the substrate;
A heat transfer roller held by the holding unit;
A gas introduction path for supplying gas to the space between the base material and the holding unit,
The heat transfer roller is
It moves down and abuts against the back surface of the base material, rotates around an axis that intersects with the transfer direction in conjunction with the transfer of the base material, and can be moved up by force from the base material. ,
The vapor deposition apparatus in which the temperature of the base material is controlled by the heat from the heat source being propagated to the base material through the heat transfer block, the holding unit, the heat transfer roller, and the gas.
前記伝熱ブロックの前記基材との対向面上には、前記基材の移送方向に沿って壁が設けられ、この壁で囲われた領域内を前記基材が移送される、請求項1または3に記載の蒸着装置。 2. A wall is provided on a surface of the heat transfer block facing the base material along a transfer direction of the base material, and the base material is transferred in a region surrounded by the wall. Or the vapor deposition apparatus of 3. 前記保持部の前記基材との対向面上には、前記基材の移送方向に沿って壁が設けられ、この壁で囲われた領域内を前記基材が移送される、請求項2または4に記載の蒸着装置。 A wall is provided along a transfer direction of the base material on a surface of the holding portion facing the base material, and the base material is transferred in a region surrounded by the wall. 4. The vapor deposition apparatus according to 4.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2014087586A1 (en) * 2012-12-07 2017-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 Photoelectric conversion element
JP2018029137A (en) * 2016-08-18 2018-02-22 株式会社アルバック Transport device

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