JP2011228565A - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハWのデバイス領域Waに相当する大きさの凹部10aをサポート部材1に形成し、ウェーハWのデバイス領域Waを凹部10aに対面させてウェーハWの外周余剰領域Wbとサポート部材1の外周部10bとを接着することにより、デバイス領域Waをサポート部材1に接触させずに保持する。そして、その状態でウェーハをデバイスに分割した後、サポート部材1をウェーハから剥離することにより、ウェーハをサポート部材から剥離するときにデバイスが破損するのを防ぐことができる。
【選択図】図5
Description
(1)サポート部材準備ステップ(ステップS1)
図3に示すように、表面に凹部10aが形成されたサポート部材1を準備する。このサポート部材1は、例えば厚さが700μm程度のシリコンウェーハ、ガラス等であり、ウェーハWと同径か、または、ウェーハWよりも大径に形成されている。凹部10aは、例えば平板状のサポート部材1の表面を研削砥石によって研削することによって形成することができる。凹部10aは、ウェーハWのデバイス領域Waに相当する大きさに形成され、デバイス領域Waと同径か、またはデバイス領域Waよりも若干大径に形成される。また、凹部10aは、例えば40〜50μmの深さを有するように形成する。凹部10aの外周側は、凹部10aよりもリング状に厚く形成された外周部10bを構成している。
サポート部材準備ステップの後に、図4に示すように、ウェーハWの表面側において突出したデバイス領域Waとサポート部材1の凹部10aとを対面させる。そして、図5に示すように、ウェーハWの外周余剰領域Wb及びサポート部材1の外周部10bの表面に接着剤2を塗布し、サポート部材1の外周部10bにウェーハWの外周余剰領域Wbを固着する。接着剤2としては、紫外線硬化樹脂を用いる。このようにしてウェーハWとサポート部材1とを貼り合わせることにより、ウェーハWのデバイス領域Waは、凹部10aに収容され、サポート部材1と接触しない状態となる。すなわち、凹部10aの深さと接着剤2の厚さとを足した値は、ウェーハWのデバイス領域Waの突出部分の高さよりも大きい。
固着ステップの後に、図6に示すように、ウェーハWに対して透過性を有するレーザ光3aをレーザ光照射ヘッド3からウェーハWの裏面W2側に照射し、レーザ光3aをウェーハWの内部に集光させる。このレーザ光3aの照射は、サポート部材1とともにウェーハWを図6における前後方向に移動させながら、図1に示した分割予定ラインLに沿って行う。そうすると、ウェーハWの内部に変質層Cが形成される。この変質層Cは、後に外力を加えて切断を行う際の起点となるものであり、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性のいずれかがその周囲とは異なる状態となった層のことであり、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。この変質層Cは、図2に示したすべての分割予定ラインLに沿って形成する。
次に、図7に示すように、変質層形成ステップが実施されたウェーハWの裏面W2に、エキスパンドテープTを貼着する。このエキスパンドテープTは、例えばポリ塩化ビニルからなるシート基材の一方の面に粘着層を塗布して構成され、伸張可能に形成されている。エキスパンドテープTの周縁部には環状のフレームFが貼着されており、ウェーハWは、エキスパンドテープTを介してフレームFと一体化される。
サポート部材1がガラスなどの紫外線を透過させる材質により形成され、接着剤2が紫外線硬化樹脂で構成されている場合は、エキスパンドテープ貼着ステップの後に、図8に示すように、サポート部材1側から紫外線を照射し、接着剤2を硬化させて接着力を低下させる。そして、接着剤2の接着力が低下した後、図9に示すように、サポート部材1を剥離して取り外す。デバイス領域Waがサポート部材に貼着されていないため、取り外し時にデバイスが破損することがない。
サポート部材取り外しステップの後に、図10に示すように、テープ拡張装置4の保持テーブル40にテープT側を載置し、フレームFをフレーム保持部41において保持する。フレーム保持部41は、シリンダ42によって駆動されるピストン43に固定されており、ピストン43とともに昇降する構成となっている。テープ拡張ステップでは、図11に示すように、フレーム保持部41が保持テーブル40との関係で相対的に下降するようにフレーム保持部41と保持テーブル40とを上下方向に相対移動させる。そうすると、下降するフレームFによってテープTが伸張されて拡張し、これによって変質層Cに対して水平方向の外力がはたらくため、変質層CにおいてウェーハWが破断され、個々のデバイスDごとに分割される。
第2の実施形態として、第1の実施形態で用いた紫外線硬化樹脂からなる接着剤2に代えて、図12に示すように、例えばエポキシ樹脂、ワックス等の、紫外線硬化樹脂以外の接着剤2aを用いた場合について説明する。
W1:表面 W2:裏面 Wa:デバイス領域 Wb:外周余剰領域 Wab:境界部
L:分割予定ライン D:デバイス C、Cab:変質層
T:エキスパンドテープ F:フレーム
1:サポート部材 10a:凹部 10b:外周部
2、2a:接着剤
3:レーザ光照射ヘッド 3a、3b:レーザ光
4:テープ拡張装置 40:保持テーブル 41:フレーム保持部
Claims (2)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
該ウェーハと同径または該ウェーハよりも大きい外径を有するサポート部材の表面に該ウェーハの該デバイス領域に相当する大きさの凹部を形成するサポート部材準備ステップと、
該サポート部材準備ステップの後に、該ウェーハの該デバイス部を該凹部に対面させ該サポート部材の表面上に該ウェーハを載置し、該外周余剰領域及び該サポート部材の外周部に接着剤を塗布し、該サポート部材の外周部に該ウェーハの該外周余剰領域を固着する固着ステップと、
該固着ステップの後に、該ウェーハに対して透過性を有するレーザ光を該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハの内部に該分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成ステップと、
該変質層形成ステップが実施された該ウェーハの裏面に、環状のフレームに貼着されたエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップと、
該エキスパンドテープ貼着ステップの後に、該サポート部材を該ウェーハの表面から取り外すサポート部材取り外しステップと、
該サポート部材取り外しステップの後に、該エキスパンドテープを拡張することにより該ウェーハを該分割予定ラインに沿って破断するテープ拡張ステップと、
を含むウェーハの分割方法。 - 前記変質層形成ステップにおいて、前記ウェーハの内部に前記分割予定ラインに沿って変質層を形成すると共に、前記デバイス領域と前記外周余剰領域との境界部に沿って該ウェーハに対して透過性を有するレーザ光を該ウェーハの裏面側から照射し、該境界部に沿ってウェーハの内部に変質層を形成し、
前記サポート部材取り外しステップにおいて、該ウェーハを該境界部に沿って形成された変質層に沿って破断し、該サポート部材と共に該サポート部材に固着された該ウェーハの該外周余剰領域を前記エキスパンドテープから取り外す、
請求項1記載のウェーハの分割方法。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013235940A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
| JP2013239640A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ保護部材 |
| JP2014165233A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 積層ウェーハの加工方法および粘着シート |
| JP2014236034A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| US9583373B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer carrier having cavity |
| KR20190011675A (ko) * | 2017-07-25 | 2019-02-07 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 및 웨이퍼의 가공에 사용하는 보조구 |
| JP2020047901A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
| JP2021111749A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179868A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
| JP2008135795A (ja) * | 1999-03-19 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20080242052A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Tao Feng | Method of forming ultra thin chips of power devices |
| JP2008283025A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| JP2010029930A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
-
2010
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135795A (ja) * | 1999-03-19 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006179868A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
| US20080242052A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Tao Feng | Method of forming ultra thin chips of power devices |
| JP2008283025A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| JP2010029930A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013235940A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
| JP2013239640A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ保護部材 |
| US9583373B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer carrier having cavity |
| JP2014165233A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 積層ウェーハの加工方法および粘着シート |
| TWI575591B (zh) * | 2013-02-22 | 2017-03-21 | 迪思科股份有限公司 | Laminated wafer processing methods and adhesive film |
| JP2014236034A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| KR20190011675A (ko) * | 2017-07-25 | 2019-02-07 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 및 웨이퍼의 가공에 사용하는 보조구 |
| JP2019029368A (ja) * | 2017-07-25 | 2019-02-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及びウエーハの加工に用いる補助具 |
| TWI761558B (zh) * | 2017-07-25 | 2022-04-21 | 日商迪思科股份有限公司 | 晶圓加工方法以及用於晶圓加工的輔助器具 |
| KR102561376B1 (ko) | 2017-07-25 | 2023-07-28 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 및 웨이퍼의 가공에 사용하는 보조구 |
| JP2020047901A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
| JP7191459B2 (ja) | 2018-09-21 | 2022-12-19 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
| JP2021111749A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP7413032B2 (ja) | 2020-01-15 | 2024-01-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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