JP2011216794A - 発光測定装置および発光測定方法、制御プログラム、可読記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】１個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ＩＤ回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査する。
【解決手段】ＬＥＤの発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段４１と、アドレス指定手段４１で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、撮像信号の値が基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、撮像信号の値が基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定手段４２と、アドレス指定手段４１で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、ＬＥＤの発光の指向性の良否を判定する指向性判定手段４３とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオード（以下ＬＥＤという）などの光学素子の発光を検査する発光測定装置および発光測定方法、この発光測定方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、この制御プログラムが格納された可読記録媒体に関する。

近年、地球環境保護の観点から小型、長寿命、有害物質を含まないなど、省エネルギー用照明部品として、ＬＥＤの必要性が認識されてきている中、低価格ＬＥＤへの要求も非常に高まってきている。

従来のＬＥＤ測定は、ＬＥＤと受光センサ（フォトダイオード）とを１対１で対峙（対向）させて配置し、各受光センサにより電気量に変換してＬＥＤの発光量を測定していた。これは、複数個のＬＥＤを同時に発光させた場合に、各受光センサが受光面単位で光信号を電気信号に変換すると、各受光センサ側で複数個のＬＥＤの同時発光に対して、個々のＬＥＤの発光量として区別することが不可能なためである。

これによって、ＬＥＤ複数個に対して同一数の受光センサを設置し、１対１で対峙（対向）させれば、複数個のＬＥＤの同時測定は可能であるが、装置価格が増加したり、装置サイズが大きくなったり、受光センサの感度ばらつきによる測定精度に問題があって、現状、このような形態をとらずに１個の受光センサでシングル測定している。

図１０は、従来の発光測定装置の要部構成例を説明するための模式図である。

図１０において、ウエハ１０１上に、発光素子としてのＬＥＤが設けられた複数の半導体チップ１０２がマトリクス状に配設され、従来の発光測定装置１００は、各半導体チップ１０２毎に電源電圧を、プローブピンコンタクトであるパッド１０３にプローブピン１０４から印加してＬＥＤを発光させて検査することができる。このＬＥＤの発光量を、ＰＤ方式または積分球による軸上測定機１０５により測定してその測定した発光量が不良かどうかを検査することができる。このようにして、１半導体チップ１０２ずつ順番にそのＬＥＤの発光量を測定する。

このように、従来の発光測定装置１００では、１半導体チップ１０２ずつ順番にそのＬＥＤの発光量を測定するため、全チップのＬＥＤの発光量を測定するのに時間がかかるという問題があった。これを解決するために、複数個のＬＥＤの発光量を同時に測定して測定時間を短縮する特許文献１が提案されている。

特許文献１では、複数個のＬＥＤの発光量を同時に測定するために、個々のＬＥＤ測定回路にＩＤ信号を発生させる回路を組み込み、ＬＥＤの発光信号に、どのＬＥＤであるかを示す識別信号としてのＩＤ信号を合成させた信号として発生させる。この合成信号は、受光センサ側で発光信号を電気量に変換する際に、ＩＤ信号と発光信号を区別する専用ソフトにより、どのＬＥＤの信号かを判断しながら発光量の測定を行う手法である。

図１１は、特許文献１に開示されている従来のＬＥＤ同時測定装置の要部構成例を示すブロック図である。なお、図１１では、説明上２個のＬＥＤを同時に測定する場合について表わしているが、同一回路を追加することによって、その数に応じた複数個のＬＥＤを同時に測定することができる。

図１１に示すように、従来のＬＥＤ同時測定装置２００は、ＬＥＤ２０１，２０２を発光させる信号源からＬＥＤ２０１，２０２に到る発光バイアス印加セクションＡ（図１１の中央点線の上部）と、光量検出測定セクションＢ（図１１の中央点線の下部）との二つに別けることができる。

まず、発光バイアス印加セクションＡの動作から説明する。

ＡＣＢはＡＣベース信号発生器で、一定振幅および一定周波数（周波数ｆｂ）の正弦波ＡＣベース信号を発生する。この信号の一部はバイアス変調器ＢＭ２０１ｂに加えられ、ここで、識別信号発生器ＩＤ２０１ａの識別信号（周波数ｆ１）によって、振幅変調、周波数変調または位相変調などの変調を受け、ＡＣバイアス信号（図１２では振幅変調例）となる。

これと同様に、ＡＣベース信号の一部は、バイアス変調器ＢＭ２０２ｂにも加えられ、ここで、識別信号発生器ＩＤ２０２ａの識別信号（周波数ｆ２）によって同様の変調を受け、ＡＣバイアス信号となる。これらの識別信号発生器ＩＤ２０１ａの識別信号（周波数ｆ１）と識別信号発生器ＩＤ２０２ａの識別信号（周波数ｆ２）とは異なる周波数なので、各ＡＣバイアス信号の波形もそれに応じて異なってくる。

バイアス変調器ＢＭ２０１ｂ、ＢＭ２０２ｂからの出力はそれぞれ、アナログ加算機で代表されるバイアス信号合成器ＢＣ２０１ｃ、ＢＣ２０２ｃに加えられ、ここで、ＤＣバイアス基準レベル発生器ＤＣＢの直流バイアス電圧に一定の比率で重疊される。この比率は、後に述べるように受光側でＡＣバイアス信号による発光成分が忠実に現われるように設定することが重要で、０．１≦ＡＣバイアス／ＤＣバイアス≦０．９の範囲の比率が最適である。

バイアス信号合成器ＢＣ２０１ｃ，ＢＣ２０２ｃの出力信号の波形の一例を図１２に示している。

この信号は、Ｄ／Ａ変換器の機能を有するバイアスレベル調整部ＢＬ２０１ｄ、ＢＬ２０２ｄによって、所定のバイアスレベルに調整される。バイアスレベル調整部ＢＬ２０１ｄ、ＢＬ２０２ｄにＬＥＤの各測定条件が予めプログラムとして入力されていれば、それに応じたバイアスレベルを設定することができる。

この信号を印加電流出力部ＩＰ２０ｅ１、ＩＰ２０２ｅに駆動指令信号として与えると、この駆動指令信号に比例した電流がバイアス電流として被測定ＬＥＤであるＬＥＤ２０１、ＬＥＤ２０２にそれぞれ印加される。このバイアス電流の波形は、図１２の波形に示すように、ＤＣバイアス電流の基準レベル上に識別信号によって振幅変調されたＡＣバイアス電流が一定比率で重疊した波形なので、ＬＥＤ２０１、ＬＥＤ２０２の発光出力もこれに応じた固有の発光出力となる。

次に、図１１の光量検出測定セクションＢの動作について説明する。

ＰＤは、フォトダイオードおよび光電管のような受光センサであり、１個の受光センサＰＤによってＬＥＤ２０１、ＬＥＤ２０２の発光量の和の光量を同時に受光するようになっている。したがって、ＬＥＤ２０１とＬＥＤ２０２間の光の遮弊は全く不要である。また、ＬＥＤ２０１とＬＥＤ２０２の発光出力以外の本来は測定の妨害となる外部入射光があっても後述の通りこれを排除することができる。

受光センサＰＤは、入射光総量にほぼ比例した電流変化を発生し、Ｉ／Ｖ変換アンプなどと呼ばれる電流電圧変換器ＩＶＣにより、電圧の変化に変換される。

この出力成分を分析すれば次の成分（ａ）および（ｂ）を有している。

（ａ）各ＬＥＤの発光に共通して含まれるＤＣバイアス成分の総和に相当する電圧（以下ＤＣ受光分電圧という。）。

（ｂ）ＤＣ受光分電圧に重疊された、ＡＣバイアス信号成分の総和に相当する電圧（以下ＡＣ受光分電圧といい、ＡＣベース信号の周波数成分ｆｂを含む）。

以上、上記成分（ａ）および（ｂ）を含む出力電圧を高域フィルタＨＰＦに入力し、まず、上記成分（ａ）のＤＣ受光分電圧を取り除く。

ＤＣ受光分電圧（ａ）を取り除いても、各ＬＥＤの光量情報は（ｂ）のＡＣ受光分電圧に比例的に含まれているので、測定に支障は生じない。

高域フィルタＨＰＦからの出力は、乗算機能を有する位相検知器ＰＳＤ２０３に入力される。同時に、この位相検知器ＰＳＤ２０３には、ＡＣベース信号発生器ＡＣＢからＡＣベース信号（周波数ｆｂ）が加えられ、両信号は乗算される。すると、高域フィルタＨＰＦの交流出力の周波数成分は、ＡＣバイアス信号の周波数をｆｂとして、識別信号周波数をｆ１、ｆ２とすると、上側波帯成分ｆｂ＋ｆ１、ｆｂ＋ｆ２、および下側波帯成分ｆｂ−ｆ１、ｆｂ−ｆ２とからなる。このうち、ＡＣバイアス信号と位相、タイミングが一致するのはｆｂ成分のみということになる。したがって、位相検知器ＰＳＤ２０３からの出力には、下記周波数成分の電圧が現れる。

この位相検知器ＰＳＤ２０３の出力を遮断周波数がｆｂより＋分低く設定されている低域フィルタＬＰＦ２０４に通すことにより、高域成分が取り除かれ、低域フィルタＬＰＦ２０４の出力には、次の（１）と（２）の電圧のみが現れる。
（１）高域フィルタＨＰＦの出力に、ＡＣベース信号の位相と完全に同相な信号が存在する場合にのみ現れる零Ｈｚの電圧、即ち直流で、その電圧レベルは前記（ｂ）のＡＣ受光分電圧中のＡＣベース信号成分のレベルに比例する。
（２）ｆ１，ｆ２で、振幅は識別信号の振幅に比例する電圧。

また、低域フィルタＬＰＦ２０４を通過帯域周波数が零Ｈｚ≪通過帯域周波数≪ｆｂとなるような帯域フィルタに置換すれば、上記（２）の電圧成分のみが通過する。この信号は、識別信号の総和の信号である。

こうして得られた上記（１）および（２）の成分のみの信号かまたは（２）の電圧成分のみからなる信号を位相検知器ＰＳＤ２０３とほぼ同様の乗算機能を有する位相検知器ＰＳＤ２０１ｆ、ＰＳＤ２０２ｆに供給する。

一方、発光バイアス印加セクションＡの各識別信号発生器ＩＤ２０１ａ、ＩＤ２０２ａからは、各系統に対応した識別信号と同成分の信号が位相検知器ＰＳＤ２０１ｆ、ＰＳＤ２０２ｆに供給される。

位相検知器ＰＳＤ２０１ｆ、ＰＳＤ２０２ｆからの信号を遮断周波数を識別信号周波数ｆ１、ｆ２より低くした低域フィルタＬＰＦ２０１ｇ、ＬＰＦ２０２ｇに加えると、高域成分が取り除かれ、即ち、識別信号による発光により生じた直流電圧ＥＤ２０１ｈ、ＥＤ２０２ｈが得られる。この直流電圧ＥＤ２０１ｈ、ＥＤ２０２ｈを、２チャンネル以上のスキャナ付のＡ／Ｄ変換器ＡＤＣに入力し、これを時分割選択して測定値を得る。

特開２００４−３１４６０号公報

上記従来の発光測定装置１００では、複数個のＬＥＤ発光を識別して発光量を測定することが不可能なため、複数個のＬＥＤ発光の同時測定ができない。仮に、受光ダイオードＰＤを２個設置し、２個のＬＥＤを同時に測定する場合であっても、各受光ダイオードＰＤで光量を電気量にそれぞれ変換するため、システム自体も２台必要であり、ＬＥＤ発光を同時に測定できるものの、システム価格は２倍になるという問題を有していた。

上記従来の発光測定装置２００では、上記従来の発光測定装置１００に比べて、個々の発光量の測定時間全体を短縮できるものの、測定するＬＥＤの数が増える毎に、測定ＬＥＤを識別するためのＩＤ回路も増やす必要があって、測定機の価格がその分だけ高くなる。この場合に、ＩＤ信号が正確に出力されているかどうかなど、識別ＩＤ回路に問題がないことを確認するためのチェック機構もソフト／ハード両面で必要となるため、装置価格が更に増加してしまう。さらに、識別ＩＤ回路に問題が発生した場合に部品交換ではなく、計測基板として交換するため、装置停止時間が増加してしまう。また、発光量信号と識別ＩＤ信号の合成タイミングにばらつきがある場合、識別信号を正確に取り込めない。この識別ＩＤ信号にノイズなどが載った場合、正確な識別ＩＤ信号として取り込めない。

いずれにせよ、上記従来の発光測定装置１００、２００では、ＬＥＤと受光ダイオードＰＤとを１対１で対峙させて配置し、フォトダイオードＰＤによりＬＥＤの発光量を電気量に変換してＬＥＤの発光量を測定しているが、ＬＥＤの発光量が基準値に達しているかどうかしか測定することができず、ＬＥＤ発光の指向性やごみ付着不良などについては全く検査することができないという問題を有していた。

本発明は、上記従来の問題を解決するもので、１個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ＩＤ回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができる発光測定装置および発光測定方法、この発光測定方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、この制御プログラムが格納された可読記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の発光測定装置は、光学素子の発光を検査する発光測定装置において、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子と、該撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する制御部とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。

また、好ましくは、本発明の発光測定装置における制御部は、前記光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段と、該アドレス指定手段により指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査手段とを有する。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置におけるアドレス指定手段は、前記光学素子の発光状態の検査にどの画素を用いるかの画素アドレスの指定入力が外部から為されるかまたは該画素アドレスが予め選択設定されている。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置におけるアドレス指定手段は、前記光学素子の発光中心およびその近傍を通る一方向または複数方向の複数画素アドレスを指定するかまたは／および、該光学素子の発光中心の一画素アドレスまたは、該光学素子の発光中心およびその近傍を含むブロックエリアの複数画素アドレスを指定する。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置におけるアドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定手段を有する。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置におけるアドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該発光素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定手段を有する。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、前記光量判定手段および／または前記指向性判定手段で判定した判定結果が不良の場合に、その判定内容をそのチップ番号に登録する不良登録手段を有する。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、隣接した二つの前記発光素子間に光混合防止用の仕切り板が配設されている。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、隣接した四つの前記発光素子間に光混合防止用の平面視十字状の仕切り板が配設されている。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、１個以上の前記発光素子を同時に発光させる発光駆動手段を有する。

本発明の発光測定方法は、光学素子の発光を検査する発光測定方法において、制御手段が、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する検査制御ステップを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。

また、好ましくは、本発明の発光測定方法における検査制御ステップは、アドレス指定手段が、前記光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定ステップと、発光状態検査手段が、該アドレス指定ステップで指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査ステップとを有する。

さらに、好ましくは、本発明の発光測定方法における発光状態検査ステップは、光量判定手段が、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定ステップと、指向性判定手段が、アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該発光素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定ステップとを有する。

本発明の制御プログラムは、本発明の上記発光測定方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。

本発明の可読記録媒体は、本発明の上記制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。

上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。

本発明においては、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子と、この撮像素子からの撮像信号を用いて光学素子の発光状態を検査制御する制御部とを有している。この制御部は、光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段と、このアドレス指定手段により指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて光学素子の発光状態を検査する発光状態検査手段とを有している。

これによって、複数の受光部を持つ受光センサを用いて発光素子（例えばＬＥＤ）の発光状態を１枚の画像として測定するので、その中心近傍の１受光部(１画素）のデータを取り出しても発光の明るさ（または輝度）を測定することが可能であるし、Ｘ方向やＹ方向の一列のデータを取り出せば、発光の分布を測定することも可能である。

また、二つの発光素子（例えばＬＥＤ）の間に板状の仕切り部材を入れると、二つの発光素子からの発光の干渉を抑えることができて、二つの発光素子からの発光を同時に画像として捉えることが可能となる。四つの発光素子であれば十字状の仕切り部材を入れれば、四つの発光素子からの各発光を同時に画像として捉えることが可能となる。

したがって、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出して光学素子の発光状態を検査制御するので、１個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ＩＤ回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することが可能となる。

以上により、本発明によれば、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出して光学素子の発光状態を検査制御するため、１個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ＩＤ回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができる。

本発明の実施形態１における発光測定装置の要部構成例を示すブロック図である。 図１の発光測定装置がチップ切断前の各チップの光学素子発光を測定している様子を示す模式図である。 図２の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加してＬＥＤを発光させる場合の上面図である。 （ａ）および（ｂ）は、チップ切断後の各チップ間隔を広げて光学素子を発光させている様子を示す模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、チップ切断後の各チップをパッケージ化して光学素子を発光させている様子を示す模式図である。 図３の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加したＬＥＤの発光を、図１の発光測定装置が測定した画面図であって、半導体チップ毎の光量判定エリアを示す画面図である。 図３の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加したＬＥＤの発光を、図１の発光測定装置が測定した画面図であって、各画素のアドレス選択エリアを示す画面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、図７のアドレス選択エリアを選択した場合のＬＥＤの発光状態を示す指向性分布図である。 複数の仕切り板を持つ図１の発光測定装置の具体例を複数用いた場合を示す要部縦断面図である。 従来の発光測定装置の要部構成例を説明するための模式図である。 特許文献１に開示されている従来の発光測定装置の要部構成例を示すブロック図である。 図１１の従来の発光測定装置で使用されるＡＣバイアス信号の波形を説明するための図である。

以下に、本発明の発光測定装置および発光測定方法の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。

（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１における発光測定装置の要部構成例を示すブロック図である。

図１において、本実施形態１の発光測定装置１は、後述する半導体チップ１２の発光素子としてのＬＥＤを発光させた場合に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する複数の受光部がマトリクス状に設けられた撮像素子２と、撮像素子２からの撮像信号からノイズを除去した後にＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部３と、全体の制御を行うと共に発光測定制御を行うＣＰＵ（中央演算処理装置）で構成された制御部４と、ＣＰＵに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク（例えばインターネットやイントラネット）を介して受信入力する入力装置などの操作部５と、表示画面上に、初期画面、選択画面、ＣＰＵによる制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部６と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのＲＯＭ７と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、ＣＰＵによる制御毎にデータを読み出し・記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのＲＡＭ８とを有している。

撮像素子２は、後述する半導体チップ１２の発光素子としてのＬＥＤの発光状態を画像として撮像するＣＣＤ型イメージセンサまたはＣＭＯＳ型イメージセンサで構成されており、複数の受光部として例えば２００×４００画素程度で構成されていてもよいが、この画素数よりも多くても少なくてもよい。

制御部４は、ＬＥＤからの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子２からの撮像信号を用いてＬＥＤの発光状態を検査制御する。制御部４は、操作部５から、発光状態の検査にどの画素を用いるかの画素アドレスの選択指定入力が為されるかまたは、検査モードに応じて自動的に選択設定して、ＬＥＤ発光近傍を通るＸ方向またはＹ方向の一列の複数画素アドレスを指定するかまたは、所定エリアの一または複数画素のアドレスを指定するアドレス指定手段４１と、ＬＥＤの発光を一または複数の画素で画像的に撮像してその一画素の値または平均値を求め、それと基準値とを比較する光量判定手段４２と、発光素子としてのＬＥＤの指向性を判定する指向性判定手段４３と、光量判定手段４２および／または指向性判定手段４３で判定した判定結果がＮＧの場合に、その判定内容およびＮＧチップ番号をＲＡＭ８に登録する不良登録手段としてのＮＧチップ登録手段４４とを有している。これらの光量判定手段４２および指向性判定手段４３により、アドレス指定手段４１で指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいてＬＥＤの発光状態を検査する発光状態検査手段が構成されている。

アドレス指定手段４１は、外部選択指定入力または検査モードに応じた所定の内部選択設定により、所定範囲の画素エリア、例えば２００×４００画素において、例えばＸ（横方向番号；左側の１行目トップを基準として、例えば１〜２００）が５０〜１００、Ｙ（縦方向番号；１〜４００）が例えば５０〜１００の画素エリアが行列方向（縦横方向）に選択設定される。この場合に、アドレス指定手段４１には、光学測定をする撮像素子２から１画素以上の個別信号を取り出す手段が設けられており、順次入力される例えば２００×４００画素データから、アドレス指定された画素エリアの発光状態の画素データだけが、アドレス指定手段４１のアドレス指定情報に対して、行列方向（縦横方向）にカウントされ、そのカウント値が一致して取り込まれる。ＬＥＤの指向性について説明すると、ピーク値が一つのＬＥＤの発光断面が円形または楕円形の指向性のものや、ピーク値が二つあるＬＥＤの発光断面がハート形状の指向性のものなどがある。Ｘ方向またはＹ方向の一列の複数画素アドレスを指定すると、ＬＥＤの発光断面（円形またはハート形など）の指向性形状（ピーク値とその周辺値）を測定することができる。ＬＥＤの発光断面が円形または楕円形であっても、ＬＥＤ中央にごみが付着している場合には、発光断面がハート形状のようになったりするため、これを不良（ＮＧ）とする。いずれにせよ、Ｘ方向またはＹ方向の一列の複数画素アドレスを指定することにより、光学素子発光の指向性形状やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して良否検査することができる。

アドレス指定手段４１において、光学測定をする撮像素子２の受光エリアを図７のＸ１、Ｙ１、Ｄ１のように任意に設定することができる。また、光学測定をする撮像素子２の受光エリアを図７のＸ１、Ｙ１、Ｄ１のうちの少なくとも二つのように複数エリア設定することもできる。さらに、不良（ＮＧ）と判定された場合に、その不良部分の受光データを１画素ずつ詳細にアドレス指定してそのデータを取り込んで不良部分を検証することもできる。

光量判定手段４２は、所定画素領域の各画素（Ｘ，Ｙ）のアンドを取って総和光量またはその平均光量またはピーク光量が所定の基準値を満たしているかどうかでＬＥＤ光量の良否を判定する。

指向性判定手段４３は、所定画素領域の各画素（Ｘ，Ｙ）のアンドを取って指向性、例えば円形またはハート形かどうかを判定し、円形のところハート形やピーク位置が中央位置からずれている場合などはごみまたは汚れ付着などを含む指向性不良（ＮＧ）として判定する。

ＮＧチップ登録手段４４は、光量判定手段４２および／または指向性判定手段４３で判定した判定結果がＮＧの場合に、その判定内容（光量ＮＧまたは／および指向性ＮＧ、さらに指向性ＮＧの種類）およびＮＧチップ番号をＲＡＭ８に登録する。

可読記録媒体としてのＲＯＭ７としては、ハードディスクの他、形態自在な光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクおよびＩＣメモリなどで構成されていてもよい。この制御プログラムおよびそのデータなどがＲＯＭ７に記憶されるが、この制御プログラムおよびそのデータは、他の可読記録媒体から、または、無線、有線またはインターネットなどを介してＲＯＭ７にダウンロードされてもよい。

図２は、図１の発光測定装置１が切断前の各チップの光学素子発光を測定している様子を示す模式図である。図３は、図２の二つの半導体チップ１２に電源電圧をそれぞれ印加してＬＥＤを発光させる場合の上面図である。

図２および図３において、ウエハ１１上に、発光ダイオード（ＬＥＤ）が設けられた複数の半導体チップ１２が行列方向にマトリクス状に配設されており、複数の半導体チップ１２（ここでは二つ）毎に電源電圧を、プローブピンコンタクトであるパッド１３にプローブピン１４から印加してＬＥＤを発光させることができる。このように、制御部４には、プローブピン１４から所定の電源電圧を印加して、１個以上のＬＥＤ２０や任意のＬＥＤ２０を同時または個別に発光させる発光駆動手段を有している。このとき、制御部４は、プローブピン１４はパッド１３に接触している必要があると同時に、左上側の半導体チップ１２を基点として、どの位置の半導体チップ１２を測定しているのかを認識している必要がある。これによって、ＬＥＤの発光量や指向性の良否判定を、発光測定装置１により検査することができる。このようにして、所定数（ここでは二つ）の半導体チップ１２（チップＡとチップＢ）ずつ間に仕切り板（図２および図３では図示せず）を介在させて順番にそのＬＥＤの発光量および発光状態を測定して検査する。

この場合、発光測定装置１は、複数個のＬＥＤを受光できるサイズの撮像素子２を搭載し、撮像エリアに対して任意のアドレス指定した撮像信号を取り出すことが可能な測定装置である。

ＬＥＤの発光に対して、撮像素子２の撮像エリアを画素アドレス（Ｘ，Ｙ）で指定し、電気信号として取り出すことにより、一つの撮像素子２に対して複数個（ここでは２個）のＬＥＤを発光させても必要な画素情報を選択することができる。さらに、撮像素子２に仕切り板を設けることにより、横からの光の影響を無くす構造を持させることができる。画素レベルで精細に複数信号を取り出すため、指向性に関する発光量分布がわかって、指向性不良およびごみ付着不良をも検査することができるようになっている。

図４（ａ）および図４（ｂ）は、チップ切断後の各チップ間隔を広げて光学素子を発光させている様子を示す模式図である。

図４（ａ）および図４（ｂ）において、前述したウエハ１１の複数の半導体チップ１２を、ダイシングフレームであるリング１５で固定された粘着シート１６を貼り付けた状態で、ダイシングワイヤまたはダイシングブレードにより個々の半導体チップ１２に切断後、粘着シート１６をエクスパンド（引き伸ば）して個々の半導体チップ１２間に一定の隙間を空けて固定する。この場合、個々の半導体チップ１２間に一定の隙間が空くため、各半導体チップ１２間に仕切り板（図示せず）を介在させやすくなって検査がより容易になる。

この状態で、複数の半導体チップ１２（ここでは二つ）毎に電源電圧を、プローブピンコンタクトであるパッド１３にプローブピン１４から印加してＬＥＤを発光させることができる。このＬＥＤの発光量や指向性の良否判定を、発光測定装置１により検査することができる。このようにして、所定数（ここでは二つ）の半導体チップ１２ずつ間に仕切り板（図示せず）を介在させて順番にそのＬＥＤを検査する。

図５（ａ）および図５（ｂ）は、チップ切断後の各チップをパッケージ化して光学素子を発光させている様子を示す模式図である。

図５（ａ）および図５（ｂ）において、個々の半導体チップ１２に切断して個片化後、半導体チップ１２にコンタクトピン１７を装着し、これをパッケージ化したパッケージ品１８に対して、電源電圧をコンタクトピン１７から印加してＬＥＤを発光させることができる。このＬＥＤの発光量や指向性の良否判定を、発光測定装置１により検査することができる。このようにして、所定数（ここでは二つ）のパッケージ品１８ずつ間に仕切り板（図示せず）を介在させて順番にそのＬＥＤを検査する。

図６および図７は、図３の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加したＬＥＤの発光を、図１の発光測定装置１が測定した画面図であって、図６は半導体チップ毎の光量判定エリアを示す画面図、図７は、各画素のアドレス選択エリアを示す画面図である。

図６に示すように、半導体チップ毎（ＬＥＤ毎）の光量判定エリアとして、例えばチップＡでは１画素の光量判定エリアＡ１、チップＢでは１画素の光量判定エリアＢ１であるが、複数画素エリアであってもよく、光量判定エリアは予め設定しておくが、これに限らず、任意に設定可能である。

図７に示すように、各画素のアドレス選択エリアとして、例えばチップＡではＸ方向およびＹ方向の各一列のアドレス選択エリアＸ１およびＹ１、チップＢでは画素ブロックのアドレス選択エリアＤ１であるが、アドレス選択エリアＸ１およびＹ１、Ｄ１のうちの少なくともいずれかであってもよいし、これに限らず、アドレス選択エリアはこの他に任意に設定可能である。

図８（ａ）は、一列のアドレス選択エリアＸ１を選択し、その断面が所定の指向性分布になっている。即ち、円形の指向性の基準曲線として、ＬＥＤ中央は明るくその周辺部は暗くなっている。この場合、２箇所の明るさｅ１（中央部）と明るさｅ２（端部）が所定基準値よりも明るいことが基準となる。

図８（ｂ）では、一列のアドレス選択エリアＸ１を選択し、その断面が所定の指向性分布（図８（ａ））から崩れた分布になっている。即ち、全体としての発光量（明るさ）としては足りているが、ＬＥＤ真ん中の明るさが落ち込んでいる。これはＬＥＤ真ん中に遮光するごみや汚れの付着の他、傷が付いている虞があり、また、光の指向性不良の虞もあって、指向性中央不良（ＮＧ）のためである。この場合、ＬＥＤ中央部の明るさｅ１とその周辺部（端部）の明るさｅ２との差分が逆転しているかまたは所定値を下回っていると共に、その中央部の明るさｅ１が所定基準値の下限を遥かに下回ることにより、指向性中央不良（ＮＧ）と判定することができる。

図８（ｃ）では、一列のアドレス選択エリアＸ１を選択し、その断面が所定の指向性分布（図８（ａ））から崩れた分布になっている。即ち、全体としての発光量としては足りているが、ＬＥＤ真ん中の明るさが所定値よりも大幅に明るく、周辺の明るさが所定値よりも落ち込んでいる。これはＬＥＤ周辺部に遮光するごみや汚れの付着の他、傷が付いている虞があり、また、光の指向性不良の虞もあって、指向性周辺不良（ＮＧ）である。この場合、ＬＥＤ中央部の明るさｅ１とその周辺部（端部）の明るさｅ２の差分が所定基準値を上回ると共に、その周辺部（端部）の明るさｅ２が所定基準値を下回ることにより、指向性周辺不良（ＮＧ）と判定することができる。

図８（ｄ）では、一列のアドレス選択エリアＸ１を選択し、その断面が所定の指向性分布になっている。即ち、全体としての発光量としては足りているが、ＬＥＤ周辺片方の明るさだけが中央部の明るさと同程度に明るく、ＬＥＤ周辺他方の片方の明るさは暗くなっている。これはＬＥＤ周辺片側部に遮光するごみや汚れの付着の他、傷が付いている場合の他に、パッケージ不良を含む片方周辺不良（ＮＧ）である。この場合、ＬＥＤ中央部の明るさｅ１とその周辺部の明るさｅ２の差分が所定値を下回ると共に、その周辺部の明るさｅ２が所定値を大幅に上回ることにより、片方周辺不良（ＮＧ）と判定することができる。

これらの図８（ｂ）〜図８（ｄ）で不良（ＮＧ）と判定された場合に、一列のアドレス選択エリアＹ１を選択し、その断面が所定の指向性分布になっているかどうかを詳細に検査することができる。このように、複数箇所のアドレス選択指定を行うことができる。要するに、不良（ＮＧ）と判定した部分の周辺およびその断面を更にアドレス選択指定してより詳細に指向性分布を測定し、ＬＥＤ発光の特徴と不良の特徴を差別化できる。

図８（ｅ）では、ブロックのアドレス選択エリアＤ１を選択し、その断面が所定の指向性分布（ハート形分布）になっている。即ち、ハート形の指向性の基準曲線として、ＬＥＤ中央は少し暗くその周辺で２箇所明るくなっている。この場合、３箇所の明るさｅ１１，ｅ２１，ｅ１２が所定値よりも明るいことが基準となる。

光学素子としてのＬＥＤ２０の発光を検査する本実施形態１の発光測定方法は、ＲＯＭ７内の制御プログラムおよびそのデータに基づいて、検査制御手段が、ＬＥＤ２０からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子２からの撮像信号を用いてＬＥＤ２０の発光状態を検査制御する検査制御ステップをコンピュータ（ＣＰＵ）に実行させる。この検査制御ステップは、アドレス指定手段４１が、ＬＥＤ２０の発光状態を撮像する複数の受光部のうち、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定ステップと、発光状態検査手段が、アドレス指定ステップで指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいてＬＥＤ２０の発光状態を検査する発光状態検査ステップとを有している。さらに、この発光状態検査ステップは、光量判定手段４２が、アドレス指定手段４１で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、撮像信号の値が基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、撮像信号の値が基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定ステップと、指向性判定手段４３が、アドレス指定手段４１で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、ＬＥＤ２０の発光の指向性の良否を判定する指向性判定ステップとを有している。このように、発光状態検査手段は光量判定手段４２および指向性判定手段４３により構成されている。

以上により、本実施形態１によれば、ＬＥＤの発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段４１と、アドレス指定手段４１で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、撮像信号の値が基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、撮像信号の値が基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定手段４２と、アドレス指定手段４１で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、ＬＥＤの発光の指向性の良否を判定する指向性判定手段４３とを有し、ＬＥＤからの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子２からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出してＬＥＤ２０の発光状態を検査制御している。このため、指向性に対する発光量分布がわかって指向性不良のチップも排除することができる。また、同測数による回路としての増減もなく、ソフト／ハード面の改造も必要ない。さらに、画像撮像素子に対するソフト／ハードにおける特別なチェック機構も不要であり、従来の受光センサと同様な日常点検で機構の問題の有無が詳細に判断できる。

最後に、光量判定手段４２および／または指向性判定手段４３で判定した判定結果がＮＧの場合に、ＮＧチップ登録手段４４により、その判定内容（光量ＮＧまたは／および指向性ＮＧ、さらに指向性ＮＧの種類）およびＮＧチップ番号をＲＡＭ８に登録する。即ち、ウエハ１１の位置に対応したマップアドレスと呼ばれるチップ番号に対応したアドレス位置に、判定内容（光量ＮＧまたは／および指向性ＮＧのＮＧの種類）が格納される。ＮＧの種類としては、例えば光量判定手段４２による光量は問題ないが、指向性判定手段４３で問題がある場合にはランクＢになる。また、例えば光量判定手段４２による光量に問題があって、指向性判定手段４３で問題がない場合にはランクＣになる。さらに、例えば光量判定手段４２による光量に問題がなく、指向性判定手段４３でも問題がない場合にはランクＡになる。さらに詳細に不良を区別することもできる。例えば光量判定手段４２による光量に関して、二つの閾値を設けておいて、光量不良を２段階に区分けすることができる。

なお、上記実施形態１では、図６および図７に示すように二つの発光素子（例えばＬＥＤ）の間（チップＡ，Ｂ間）に板状の仕切り板１９を入れると、二つの発光素子（例えばＬＥＤ）からの光の混合を抑えることができて、二つの発光素子からの発光を同時に画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査したが、これに限らず、１個の発光素子（例えばＬＥＤ）からの発光を画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査することもできるし、また、四つの発光素子であれば十字状の仕切り板を入れれば、四つの発光素子からの各発光を同時に画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査することもできる。さらには、複数の仕切り板１９を持つ発光測定装置を用いて、複数の発光素子からの各発光を同時に画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査することもできて検査を素早く容易に行うことができる。この場合の発光測定装置の具体例について、図９に示している。

図９は、複数の仕切り板を持つ図１の発光測定装置の具体例を複数用いた場合を示す要部縦断面図である。

図９に示すように、複数の発光測定装置１Ａ（４×４測定用）を並べて、縦方向および横方向にマトリクス状に配置された複数のＬＥＤ２０の一つ飛ばし毎に仕切り板１９を設けて、複数のＬＥＤ２０の一つ飛ばし毎にＬＥＤ２０を発光させてこれを測定して良否検査することができる。縦方向および横方向にマトリクス状に配置された複数のＬＥＤ２０に対して、複数の発光測定装置１Ａ（４×４）を、縦方向または横方向のいずれかにスライドさせれば、全てのＬＥＤ２０について画像的に光量および指向性を測定して良否検査することができる。また、１個の発光測定装置１Ａが、複数のＬＥＤ２０の８×８のうちの４×４を１ブロックずつ測定することもできる。さらに、複数の発光測定装置１Ｂ（１×４測定用）を用いて順次縦方向にずらして行くことにより、複数のＬＥＤ２０が配置された領域の１行に対してこの仕切り板１９を用いることもできる。ＬはＬＥＤ２０からの発光を示している。仕切り板１９の底面が対向しているＬＥＤ２０は発光させていない。発光は縦方向（図９の奥行き方向）および横方向（図９の左右方向）に一つ飛ばしである。

なお、上記実施形態１では、特に説明しなかったが、ウエハ１１の基点となるチップから順次一つまたは二つずつ発光量および指向性の良否を検査するが、いまどのチップのＬＥＤをプローブして検査しているかは、制御部４に設けられたアドレス指定手段４１が、指定画素アドレスの他に、今計っているチップのＬＥＤがウエハ１１の基点から何番目のものかを認識することができるし、ウエハ１１の位置に対応したマップアドレスと呼ばれるチップ番号に対応したアドレス位置に、判定ＮＧ内容が登録される。また、複数チップを同時に発光させて、その発光量および指向性の良否を検査する場合にも、上記と同様に、今計っているチップのＬＥＤがウエハ１１の基点から何番目のものかを認識することができる。

なお、上記実施形態１では、特に説明しなかったが、さらに、１個以上の電子部品（半導体チップ）の発光素子（例えばＬＥＤ）を同時に発光させる機能を有する。また、１個以上の電子部品（半導体チップ）の発光素子（例えばＬＥＤ）に対して任意の部品を発光させる機能を有する。さらに、１個以上の電子部品（半導体チップ）の発光素子を同時に発光させ、それぞれの電子部品の発光量を識別できる。さらに、光学測定をする撮像素子２は１画素以上の個別信号を任意に取り出しができる。これによって、ＬＥＤ２０上にごみが付着している場合などにおいて、１画素ずつ個別信号を任意に取り出して信号レベルを検証することによって、ＬＥＤ２０上にごみが付着している位置を詳細に得ることができる。

なお、上記実施形態１では、特に説明しなかったが、ＬＥＤ２０からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子２と、この撮像素子２からの撮像信号を用いて光学素子の発光状態を検査制御する制御部４とを有している。この構成によって、１個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ＩＤ回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができるという本発明の目的を達成することができる。

以上のように、本発明の好ましい実施形態１を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。

本発明は、発光ダイオード（以下ＬＥＤという）などの光学素子の発光を検査する発光測定装置および発光測定方法、この発光測定方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、この制御プログラムが格納された可読記録媒体の分野において、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出して光学素子の発光状態を検査制御するため、１個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ＩＤ回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができる。

１、１Ａ、１Ｂ 発光測定装置
２ 撮像素子
３ Ａ／Ｄ変換部
４ 制御部
４１ アドレス指定手段
４２ 光量判定手段
４３ 指向性判定手段
４４ ＮＧチップ登録手段
５ 操作部
６ 表示部
７ ＲＯＭ
８ ＲＡＭ
１１ ウエハ
１２ 半導体チップ
１３ パッド
１４ プローブピン
１５ リング
１６ 粘着シート
１７ コンタクトピン
１８ パッケージ品
１９ 仕切り板
２０ ＬＥＤ
Ａ、Ｂ チップ
Ｘ，Ｙ 画素アドレス
Ｌ 発光
Ｄ１、Ｘ１、Ｙ１ アドレス選択エリア

Claims (15)

1. 光学素子の発光を検査する発光測定装置において、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子と、該撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する制御部とを有する発光測定装置。
2. 請求項１に記載の発光測定装置において、前記制御部は、前記光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段と、該アドレス指定手段により指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査手段とを有する発光測定装置。
3. 請求項２に記載の発光測定装置において、前記アドレス指定手段は、前記光学素子の発光状態の検査にどの画素を用いるかの画素アドレスの指定入力が外部から為されるかまたは該画素アドレスが予め選択設定されている発光測定装置。
4. 請求項３に記載の発光測定装置において、前記アドレス指定手段は、前記光学素子の発光中心およびその近傍を通る一方向または複数方向の複数画素アドレスを指定するかまたは／および、該光学素子の発光中心の一画素アドレスまたは、該光学素子の発光中心およびその近傍を含むブロックエリアの複数画素アドレスを指定する発光測定装置。
5. 請求項２に記載の発光測定装置において、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定手段を有する発光測定装置。
6. 請求項２または５に記載の発光測定装置において、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該発光素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定手段を有する発光測定装置。
7. 請求項５または６に記載の発光測定装置において、前記光量判定手段および／または前記指向性判定手段で判定した判定結果が不良の場合に、その判定内容をそのチップ番号に登録する不良登録手段を有する発光測定装置。
8. 請求項１に記載の発光測定装置において、隣接した二つの前記発光素子間に光混合防止用の仕切り板が配設されている発光測定装置。
9. 請求項１に記載の発光測定装置において、隣接した四つの前記発光素子間に光混合防止用の平面視十字状の仕切り板が配設されている発光測定装置。
10. 請求項１に記載の発光測定装置において、１個以上の前記発光素子を同時に発光させる発光駆動手段を有する発光測定装置。
11. 光学素子の発光を検査する発光測定方法において、制御手段が、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する検査制御ステップを有する発光測定方法。
12. 請求項１１に記載の発光測定方法において、前記検査制御ステップは、
    アドレス指定手段が、前記光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定ステップと、発光状態検査手段が、該アドレス指定ステップで指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査ステップとを有する発光測定方法。
13. 請求項１２に記載の発光測定方法において、前記発光状態検査ステップは、
    光量判定手段が、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定ステップと、
    指向性判定手段が、アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該発光素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定ステップとを有する発光測定方法。
14. 請求項１１〜１３のいずれかに記載の発光測定方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラム。
15. 請求項１４に記載の制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体。