JP2011210859A - Dicing device and dicing method - Google Patents
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Abstract
【課題】外縁部に凸部を有する半導体ウェハであっても、凹部に形成された回路やチップを損傷することなくダイシングできるダイシング装置およびダイシング方法を提供する。
【解決手段】ダイシング装置1は、接着シートSを介してウェハWを保持する保持手段2と、ウェハWおよび接着シートSから凸部WAを分離する分離手段4と、凸部WAが分離されたウェハW’に切り込みを形成する切断手段7とを備えて構成されている。
【選択図】図1Disclosed is a dicing apparatus and a dicing method capable of dicing a semiconductor wafer having a convex portion at an outer edge portion without damaging a circuit or a chip formed in the concave portion.
A dicing apparatus 1 includes a holding unit 2 that holds a wafer W via an adhesive sheet S, a separating unit 4 that separates a convex portion WA from the wafer W and the adhesive sheet S, and the convex portion WA is separated. And a cutting means 7 for forming a cut in the wafer W ′.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、ダイシング装置およびダイシング方法に関する。 The present invention relates to a dicing apparatus and a dicing method.
IC(Integrated Circuit)やLSI(Large Scale Integration)などの回路が一面に形成された半導体ウェハ(以下、単にウェハという場合がある)は、電子機器の小型化や軽量化を図るため、個々のチップに分割される前に厚さが50μm前後にまで研削される。しかし、このようにウェハが薄くなると、それ自体の剛性が無くなるため、その後の工程での取り扱いが困難になる。そこで、加工時の取り扱いを容易にするためのウェハの加工方法が検討されている(例えば、特許文献1参照)。このウェハの加工方法では、回路が形成された回路形成領域と、この回路形成領域を囲む外周余剰領域とを備えたウェハを以下のように加工する。すなわち、ウェハの裏面のうち、回路形成領域に対応する領域に凹部を形成し、外周余剰領域を回路形成領域よりも厚くしてリング状補強部(以下、凸部という)とすることで、ウェハの剛性を高めている。
そして、このウェハに対して膜形成工程などからなる追加加工工程を行った後、研削や切削により凸部を除去している。
Semiconductor wafers (hereinafter sometimes simply referred to as wafers) on which circuits such as ICs (Integrated Circuits) and LSIs (Large Scale Integrations) are formed on one side are used to reduce the size and weight of electronic devices. Before being divided into a thickness of about 50 μm. However, when the wafer is thinned in this way, its own rigidity is lost, and handling in subsequent processes becomes difficult. Thus, a wafer processing method for facilitating handling during processing has been studied (see, for example, Patent Document 1). In this wafer processing method, a wafer including a circuit formation region where a circuit is formed and an outer peripheral surplus region surrounding the circuit formation region is processed as follows. That is, a concave portion is formed in a region corresponding to a circuit formation region on the back surface of the wafer, and an outer peripheral surplus region is made thicker than the circuit formation region to form a ring-shaped reinforcing portion (hereinafter referred to as a convex portion). Increased rigidity.
And after performing the additional process process which consists of a film formation process etc. with respect to this wafer, the convex part is removed by grinding and cutting.
しかしながら、研削により凸部を除去する場合には、凸部を他の領域と面一にしなければならず、高度な精度が要求される。一方、図3(A),(B)に示すように、切削により凸部WAを除去する場合には、円弧状ではなく直線状に切り込みを入れる回転ブレード78Bに対して、ウェハWを矢印方向に回転させながら切削する(尚、回転ブレード78Bは移動しないが、切削時における切削領域Kとの位置関係を示すため、図3(A)においては、すでに切削を終了した部分についても二点差線で図示してある。)。このため、切削領域Kの幅E2が回転ブレード78Bの厚さE1よりも大きくなってしまい、底面WBの外縁に近いチップを損傷させるという問題や、大量に発生した切削粉がチップに形成された回路面を損傷させるという問題がある。上記のようなことから、高度な精度が要求されることなく、回路やチップを損傷させずに凸部を除去することができるダイシング装置の開発が望まれている。
However, when the convex portion is removed by grinding, the convex portion must be flush with other regions, and a high degree of accuracy is required. On the other hand, as shown in FIGS. 3A and 3B, when the convex portion WA is removed by cutting, the wafer W is moved in the direction of the arrow with respect to the rotating
本発明の目的は、外縁部に凸部を有する半導体ウェハであっても、簡単な構成で回路やチップを損傷することなく凸部を除去可能なダイシング装置およびダイシング方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a dicing apparatus and a dicing method capable of removing a convex portion with a simple configuration without damaging a circuit or a chip even in a semiconductor wafer having a convex portion on an outer edge portion.
前記目的を達成するため、本発明のダイシング装置は、厚さ方向の一方に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに、当該凸部で囲まれた内側に底面を有する半導体ウェハを対象として、所定のサイズに切断を行うダイシング装置であって、前記半導体ウェハは、一方側に接着シートが貼付され、接着シートを介して前記半導体ウェハを保持する保持手段と、前記半導体ウェハおよび前記接着シートから当該凸部を分離する分離手段と、前記凸部が分離された半導体ウェハに切り込みを形成する切断手段とを備える、という構成を採用している。 In order to achieve the above object, the dicing apparatus according to the present invention is intended for a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in one of the thickness directions at the outer edge and a bottom surface inside the convex portion. A dicing apparatus for cutting into a predetermined size, wherein the semiconductor wafer has an adhesive sheet affixed on one side thereof, holding means for holding the semiconductor wafer via the adhesive sheet, the semiconductor wafer, and the adhesive sheet A configuration is provided in which a separating unit that separates the convex portion from the above and a cutting unit that forms a cut in the semiconductor wafer from which the convex portion is separated are employed.
この際、本発明のダイシング装置では、分離された前記凸部を前記接着シートから剥離して除去する除去手段を有して構成されている、ことが好ましい。
さらに、本発明のダイシング装置では、前記接着シートは、エネルギー線硬化型の接着シートであって、前記凸部表面に貼付された接着シートにエネルギー線を照射するエネルギー線照射手段を備える、ことが好ましい。
At this time, it is preferable that the dicing apparatus of the present invention is configured to include a removing unit that peels and removes the separated convex portions from the adhesive sheet.
Furthermore, in the dicing apparatus of the present invention, the adhesive sheet is an energy ray curable adhesive sheet, and includes an energy ray irradiating means for irradiating the adhesive sheet affixed to the convex surface with an energy ray. preferable.
また、本発明のダイシング方法は、厚さ方向の一方に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに、当該凸部で囲まれた内側に底面を有する半導体ウェハを対象として、所定のサイズに切断を行うダイシング方法であって、前記半導体ウェハの一方に貼付された接着シートを介して当該半導体ウェハを保持し、前記半導体ウェハおよび前記接着シートから当該凸部を分離し、前記凸部が分離された半導体ウェハに切り込みを形成する、という構成を採用している。 In addition, the dicing method of the present invention has a predetermined size for a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in one direction in the thickness direction at the outer edge portion and a bottom surface inside the convex portion. A dicing method for cutting, wherein the semiconductor wafer is held via an adhesive sheet affixed to one side of the semiconductor wafer, the convex portion is separated from the semiconductor wafer and the adhesive sheet, and the convex portion is separated A configuration is employed in which a cut is formed in the formed semiconductor wafer.
以上のような発明によれば、半導体ウェハを保持する保持手段に対して凸部を相対移動させて分離するので、凸部の分離に際して高度な精度が要求されることなく簡単な構成とすることができる。また、半導体ウェハの凹部に幅広の切削領域が形成されることがないので、凹部の外縁近傍に形成されたチップを破損することがない。さらに、切削粉が発生しないので、切削粉でチップに形成された回路面を破損することもない。したがって、チップや回路面を損傷することなく凸部を除去してウェハをダイシングできる。
また、保持手段を底面保持手段と外側保持手段とで構成すれば、凹部の底面と凸部とを確実に相対移動できるので、凸部分離の際に凹部が破損することを防ぐことができる。
また、分離された凸部を除去する除去手段を有することで、ダイシング工程に先駆けて当該ダイシング時に邪魔となる凸部を除去することができる。
さらに、接着シートがエネルギー線硬化型のシートの場合に、エネルギー線照射手段によって凸部表面に貼付された接着シートにエネルギー線を照射することで、凸部表面の接着シートを硬化させて凸部が剥離しやすくでき、容易かつ確実に凸部を除去することができる。
According to the invention as described above, the convex portion is moved relative to the holding means for holding the semiconductor wafer and separated, so that a high degree of accuracy is not required when separating the convex portion. Can do. In addition, since a wide cutting region is not formed in the concave portion of the semiconductor wafer, chips formed near the outer edge of the concave portion are not damaged. Furthermore, since no cutting powder is generated, the circuit surface formed on the chip with the cutting powder is not damaged. Therefore, the wafer can be diced by removing the protrusions without damaging the chip or the circuit surface.
Further, if the holding means is composed of the bottom surface holding means and the outer side holding means, the bottom surface of the concave portion and the convex portion can be reliably moved relative to each other, so that the concave portion can be prevented from being damaged during separation of the convex portion.
Further, by having a removing means for removing the separated convex portions, it is possible to remove the convex portions that become an obstacle during the dicing prior to the dicing step.
Furthermore, when the adhesive sheet is an energy ray curable sheet, the adhesive sheet on the surface of the convex portion is cured by irradiating the adhesive sheet attached to the surface of the convex portion with the energy ray irradiating means to cure the convex portion surface. Can be easily peeled off, and the convex portion can be easily and reliably removed.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1において、ダイシング装置1は、ウェハW外縁部に形成された凸部WAを除去し、その後、ウェハWに格子状の切り込みを形成し、個片化して所定形状のチップWE(図2(B)参照)を製造する装置である。なお、対象となるウェハWは、例えば、前記特許文献1に記載されたように、外縁部に対して内周部が薄く研削されることで、厚さ方向(裏面側)に突出した環状の凸部WAが外縁部に形成され、凸部WAで囲まれた内側が底面WBとされるとともに、その表面(研削面の反対側であり、図1の上側の面)WDに回路が形成されている。凸部WAは、底面WBに直交する内周面WA1と、内周面WA1に直交した凸部頂面WA2と、ウェハWの外周面WA3と、表面WDの外周側領域であって、凸部頂面WA2に背向する凸部背向面WA4とからなる。そして、このウェハWは、裏面全域、つまり、凸部頂面WA2と内周面WA1および底面WB全域にマウント用テープ等の接着シートSが貼付され、この接着シートSを介してリングフレームRFと一体化されている。接着シートSには、紫外線等のエネルギー線によって硬化し、その接着力が低下するエネルギー線硬化型の接着剤が採用されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In FIG. 1, the
ダイシング装置1は、接着シートSを介してウェハWを保持する保持手段2と、ウェハWおよび接着シートSから凸部WAを分離する分離手段4と、凸部WAが分離された半導体ウェハW’(図2(A)参照)に格子状の切り込みを形成する切断手段7とを備えて構成されている。
The
保持手段2は、側壁部22および底壁部23からなり、上方に開口した円筒状の中央凹部21を備えている。側壁部22には、外周に沿って上方に開口した凹溝部24が設けられている。また、凹溝部24の開口には、側壁部22の上面とフラットとなる状態で、凸部頂面WA2の下方に対向するとともに、紫外線等のエネルギー線を透過可能なガラス板等からなる透過部材25が設けられている。なお、側壁部22の上面と透過部材25の上面とによって、凸部頂面WA2に貼付されている接着シートSが当接する凸部当接部26が構成されている。また、凹溝部24内部には、エネルギー線照射手段としての紫外線ランプ27が内蔵されている。さらに、凸部当接部26の外側には、凸部WAよりも外側に位置し、接着シートS及びリングフレームRFを保持可能な外側保持手段28が設けられている。この外側保持手段28の上面には、複数の吸引口29が形成され、これら吸引口29は、保持手段2の内部に形成されたチャンバー30を介して図示しない吸引装置に接続されている。
The
分離手段4は、接着シートSを介して底面WBを保持する底面保持手段40と、この底面保持手段40と凸部当接部26とを図中上下方向に相対移動させることでウェハWから凸部WAを分離する移動手段50と、ウェハWの表面WDを押さえる押え手段60と、分離された凸部WAを接着シートSから剥離して除去する除去手段8と、を備えている。
底面保持手段40は、底面WBの全域と略同一平面形状に形成されている。この底面保持手段40の上面には、接着シートSの底面WBに貼付されている部分である底面貼付部分S1を介して底面WBを吸着保持する複数の吸引口41が形成され、これら複数の吸引口41は、底面保持手段40内部に形成されたチャンバー42を介して図示しない吸引ポンプ等の吸引装置に接続されている。
The separating means 4 protrudes from the wafer W by relatively moving the bottom
The bottom
移動手段50は、駆動機器としての直動モータ51を備え、そのモータ本体52が底壁部23に固定されるとともに、出力軸53が底面保持手段40の図1中下面に連結されている。これにより、保持手段2と底面保持手段40とをウェハWの底面WBに直交する方向に相対移動させてウェハWから凸部WAを分離可能となっている。
押え手段60は、ウェハWの底面WBの平面形状に合わせて円盤状に形成された支持体61と、この支持体61の図1中下面外周縁に沿って環状に形成されてウェハWの表面WDに当接可能な当接部材62と、図示しないフレームに支持されて支持体61を図1中上下方向に昇降させる駆動機器としての直動モータ63とを備え、直動モータ63が直動モータ51と同期して作動することで、ウェハWから凸部WAを分離可能となっている。支持体61における当接部材62の外周側には、複数の孔若しくは円環状の孔からなり、図示しない吸引源に連結されて塵や埃、ウェハWの破片等の塵埃を吸引して除去する塵埃除去手段としての吸引孔61Aが設けられている。なお、塵埃除去手段は、塵埃を除去する限りにおいて何ら限定されることはなく、例えば、接着テープによって塵埃を接着して除去してもよいし、大気や窒素等の気体をウェハW側に吹き付けることによって塵埃を除去するように構成してもよい。また、当接部材62の外周側だけに限らず、当接部材62の内側に設けてもよい。当接部材62は、特に限定されることはないが、ゴムや樹脂等の弾性部材によって構成され、ウェハWの表面WDにおける凸部背向面WA4との境界領域の内側に位置し、底面保持手段40との間に底面WB領域を挟み込み可能に設けられている。なお、当接部材62は、環状以外に底面WBの平面形状に合わせて円盤状(中実状)に形成してもよい。また、当接部材62は、金属等の非弾性部材によって構成してもよい。
The moving
The holding means 60 has a
除去手段8は、支持体61の図1中上面に設けられたブラケット80Aと、このブラケット80Aに対して図1中上下方向に摺動可能に設けられるとともに、ブラケット80Aからの脱落を防止するシャフトエンド80Bを有するシャフト80Cと、シャフト80Cを図1中下方に付勢する巻ばね等で構成された付勢手段80Dと、図示しない吸引ポンプ等の吸引手段に連通されるとともに、シャフト80Cの図1中下方に取り付けられた吸着パッド80Eと、を備えている。
The removing means 8 is a
切断手段7は、保持手段2を図1中左右方向に移動可能に支持する駆動機器としての第1単軸ロボット9と、図1中紙面垂直方向に延びる駆動機器としての第2単軸ロボット71と、この第2単軸ロボット71のスライダ72に設けられ、図示しない出力軸が図1中上下方向の軸を中心に回転可能な駆動機器としての回転モータ73と、この回転モータ73の図示しない出力軸に設けられ、上下方向に伸縮可能な出力軸75を有する駆動機器としての直動モータ74と、この直動モータ74の出力軸75に設けられ、図1中左右方向に延びる軸を中心に回転可能な出力軸77を有する駆動機器としての回転モータ76と、この回転モータ76の出力軸77に設けられた回転ブレード78とを備えて構成される。
The cutting means 7 includes a first single-
以上のダイシング装置1において、ウェハWをダイシングする手順としては、まず、接着シートSを介してリングフレームRFと一体化されたウェハWを図示しない搬送手段によって搬送し、底面保持手段40上に底面WBを位置させると、凸部当接部26上に凸部頂面WA2が位置し、かつ外側保持手段28上にリングフレームRFが位置した状態で保持手段2上に支持される。次に、保持手段2は、図示しない吸引装置を駆動して吸引口29,41から空気を吸引し、接着シートSを介して底面保持手段40で底面WBを吸着保持するとともに、外側保持手段28で凸部WAよりも外側の接着シートSおよびリングフレームRFを吸着保持する。そして、紫外線ランプ27が発光することで、凸部頂面WA2に貼付された接着シートS部分の接着剤を硬化させてその接着力を低下させる。
In the
次に、図2(A)に示すように、直動モータ63が駆動して当接部材62と吸着パッド80EとをウェハWの表面WDに当接させる。その後、吸引口41で底面WBおよびリングフレームRFを吸着保持したままで、直動モータ51と直動モータ63とを同期駆動し、当接部材62と底面保持手段40とを凸部当接部26に対して下降させることで、ウェハWの表面WDにおける凸部背向面WA4との境界が割れ、ウェハWから凸部WAが分離する。このとき、ウェハWが割れて塵埃を発生する場合があるが、吸引孔61Aによって、塵埃を吸引して除去することができるので、ウェハWの表面WDに塵埃が付着するような不都合を回避することができる。吸着パッド80Eは、付勢手段80Dの付勢力に抗して同図中上方に押し上げられると同時に、図示しない吸引手段によって吸引力が付与されて凸部WAを吸着保持する。次いで、直動モータ63が駆動することで、凸部WAを吸着保持した状態で、当接部材62と吸着パッド80EとがウェハWの表面WDから離間させる。このとき、凸部WAは、凸部頂面WA2に貼付された接着シートS部分に紫外線が照射されているので、凸部WAを簡単に接着シートSから剥離して除去することができる。
Next, as shown in FIG. 2A, the
次に、図2(B)に示すように、回転ブレード78によって凸部WAが除去されたウェハW’の表面WD側から接着シートSに達する切り込みを形成し、ウェハW’を複数のチップWEに個片化する。具体的には、第1単軸ロボット9と第2単軸ロボット71を制御して、回転ブレード78の面が同図中紙面直交方向と平行となった状態で、ウェハW’の左端より若干右側、かつ、図2(B)中の紙面奥側(以下、後側という)の端部の上方に位置させる。次に、回転モータ76で回転駆動した回転ブレード78が接着シートSに接する位置まで下降され、第2単軸ロボット71で回転ブレード78を図2中紙面手前側(以下、前側という)に移動させることで、ウェハW’に形成されたストリートに沿った前後方向の切り込み(以下、前後切り込みという)を形成する。この後、保持手段2を順次左側に移動させるごとに上記前後切り込みの形成動作と同様の動作を繰り返し、左右方向に並ぶ複数の前後切り込みを形成して、ウェハW’をダイシングする。
Next, as shown in FIG. 2B, a notch reaching the adhesive sheet S is formed from the surface WD side of the wafer W ′ from which the convex portion WA has been removed by the
前後切り込みの形成が終了したら、左右方向の切り込み(以下、左右切り込みという)の形成を行う。左右切り込みの形成では、回転モータ73により回転ブレード78を90度回転させるとともに、第1単軸ロボット9と第2単軸ロボット71を制御して、回転ブレード78をウェハW’の後端より若干前側、かつ、左端の上方に位置させる。そして、回転駆動中の回転ブレード78が接着シートSに接する位置まで下降され、第1単軸ロボット9で保持手段2を左側に移動させることで、ウェハW’に形成されたストリートに沿った左右切り込みを形成する。この後、回転ブレード78を順次前側に移動させるごとに上記左右切り込みの形成動作と同様の動作を繰り返し、前後方向に並ぶ複数の左右切り込みを形成してダイシングする。
なお、前後切り込みおよび左右切り込みの形成手順は、上述の手順に限定されず、適宜他の手順で形成してもよい。
When the formation of the front and rear cuts is completed, a cut in the left and right direction (hereinafter referred to as a left and right cut) is formed. In the formation of the left and right cuts, the
In addition, the formation procedure of the front and rear cuts and the left and right cuts is not limited to the above-described procedure, and other procedures may be appropriately formed.
以上のような実施形態によれば、ウェハWを保持する保持手段2に対して凸部WAを相対移動させて分離するので、凸部WAを切削で分離する構成のようにウェハW’の外縁近くに形成されたチップを損傷することもなく、また、切削粉が発生しないので、切削粉で回路を損傷することもない。よって、切断手段7により、チップや回路面を損傷することなくウェハW’をダイシングできる。 According to the embodiment as described above, since the protrusion WA is separated by moving relative to the holding means 2 that holds the wafer W, the outer edge of the wafer W ′ is separated as in the configuration in which the protrusion WA is separated by cutting. The chip formed nearby is not damaged, and the cutting powder is not generated, so the circuit is not damaged by the cutting powder. Therefore, the wafer W ′ can be diced by the cutting means 7 without damaging the chip or the circuit surface.
以上のように、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。また、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。 As described above, the best configuration, method and the like for carrying out the present invention have been disclosed in the above description, but the present invention is not limited to this. That is, the invention has been illustrated and described with particular reference to certain specific embodiments, but without departing from the spirit and scope of the invention, Various modifications can be made by those skilled in the art in terms of material, quantity, and other detailed configurations. In addition, the description of the shape, material, and the like disclosed above is exemplary for ease of understanding of the present invention, and does not limit the present invention. The description by the name of the member which remove | excluded the limitation of one part or all of such restrictions is included in this invention.
例えば、実施形態において、1個の回転ブレード78で前後切り込みと左右切り込みの両方を形成するために、回転ブレード78を上下方向に延びる軸を中心に回転可能にしたが、保持手段2を、前記軸を中心に回転させてもよい。また、前後切り込み専用の回転ブレードと、左右切り込み専用の回転ブレードを設けてもよい。
また、切断手段は、回転ブレード以外にレーザを使用し、ウェハWに切り込みを形成してもよいし、レーザによってストリートを脆弱に改質させてもよい。
さらに、前記実施形態におけるエネルギー線照射手段(紫外線ランプ27)は、本発明の必須要件ではなく、省略することができる。
また、前記実施形態では、保持手段2において、ウェハWを吸着保持するように構成したが、本発明においてウェハWを保持する手段としては、吸着保持に限らず、例えばチャック手段を用いた保持など、他の適宜な保持手段が利用可能である。これと同様に、除去手段8でも吸着保持以外の支持手段として、他の接着シート等を凸部に貼付して引っ張ったり、係合手段で凸部を係合して引っ張ったりなど、適宜な凸部支持手段が利用可能である。
For example, in the embodiment, in order to form both the front and rear cuts and the left and right cuts with one
Further, the cutting means may use a laser other than the rotating blade to form a cut in the wafer W, or the street may be made brittle by the laser.
Furthermore, the energy beam irradiation means (ultraviolet lamp 27) in the embodiment is not an essential requirement of the present invention and can be omitted.
In the above embodiment, the holding means 2 is configured to hold the wafer W by suction. However, in the present invention, the means for holding the wafer W is not limited to suction holding, and for example, holding using a chuck means, etc. Other suitable holding means can be used. Similarly, as the supporting means other than the suction holding, the removing means 8 can also be applied with an appropriate convexity such as attaching another adhesive sheet or the like to the convex portion and pulling it, or engaging and pulling the convex portion with the engaging means. Part support means are available.
さらに、前記実施形態では、除去手段8を押え手段60に取り付けた構成としたが、除去手段8を押え手段60から分離し、独立して動作可能に構成してもよい。
また、ウェハWは、シリコン半導体ウェハや化合物半導体ウェハであってもよい。
さらに、底面保持手段40の上面をエネルギー線を透過可能に構成し、チャンバー42内に前記実施形態と同様のエネルギー線照射手段を配置してもよい。これにより、各チップWEを簡単に接着シートSからピックアップすることができる。
また、エネルギー線照射手段は、紫外線を照射するものに限らず、電子線など適宜なエネルギー線を照射して接着シートを硬化させるものであればよい。
さらに、前記実施形態における駆動機器は、回動モータ、直動モータ、単軸ロボット、多関節ロボット等の電動機器、エアシリンダ、油圧シリンダ、ロッドレスシリンダ及びロータリシリンダ等のアクチュエータ等を採用することができる(実施形態で例示したものと重複するものもある)。
Furthermore, in the embodiment, the removing unit 8 is attached to the
The wafer W may be a silicon semiconductor wafer or a compound semiconductor wafer.
Furthermore, the upper surface of the bottom surface holding means 40 may be configured to be able to transmit energy rays, and the energy beam irradiation means similar to that of the above embodiment may be disposed in the
Further, the energy beam irradiation means is not limited to the device that irradiates ultraviolet rays, and any device that irradiates an appropriate energy beam such as an electron beam to cure the adhesive sheet may be used.
Furthermore, the drive device in the embodiment employs an electric device such as a rotation motor, a linear motion motor, a single axis robot, an articulated robot, an actuator such as an air cylinder, a hydraulic cylinder, a rodless cylinder, and a rotary cylinder. (Some overlap with those exemplified in the embodiment).
1…ダイシング装置
2…保持手段
4…分離手段
7…切断手段
8…除去手段
27…紫外線ランプ(エネルギー線照射手段)
S…接着シート
W…半導体ウェハ
WA…凸部
WB…底面
DESCRIPTION OF
S ... Adhesive sheet W ... Semiconductor wafer WA ... Convex part WB ... Bottom
Claims (4)
前記半導体ウェハは、一方側に接着シートが貼付され、
前記接着シートを介して前記半導体ウェハを保持する保持手段と、
前記半導体ウェハおよび前記接着シートから当該凸部を分離する分離手段と、
前記凸部が分離された半導体ウェハに切り込みを形成する切断手段とを備えることを特徴とするダイシング装置。 A dicing apparatus for cutting a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in one of the thickness directions at an outer edge portion and having a bottom surface on the inner side surrounded by the convex portion, to a predetermined size,
The semiconductor wafer has an adhesive sheet attached to one side,
Holding means for holding the semiconductor wafer via the adhesive sheet;
Separating means for separating the convex portion from the semiconductor wafer and the adhesive sheet;
A dicing apparatus comprising: cutting means for forming a cut in the semiconductor wafer from which the convex portions are separated.
前記凸部表面に貼付された接着シートにエネルギー線を照射するエネルギー線照射手段を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のダイシング装置。 The adhesive sheet is an energy ray curable adhesive sheet,
The dicing apparatus according to claim 1, further comprising an energy ray irradiating unit that irradiates the adhesive sheet affixed to the surface of the convex portion with an energy ray.
前記半導体ウェハの一方に貼付された接着シートを介して当該半導体ウェハを保持し、
前記半導体ウェハおよび前記接着シートから当該凸部を分離し、
前記凸部が分離された半導体ウェハに切り込みを形成することを特徴するダイシング方法。 A dicing method for cutting a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in one of the thickness directions at the outer edge portion and having a bottom surface on the inner side surrounded by the convex portion.
Holding the semiconductor wafer via an adhesive sheet affixed to one of the semiconductor wafers,
Separating the protrusions from the semiconductor wafer and the adhesive sheet;
A dicing method, wherein a notch is formed in a semiconductor wafer from which the convex portions are separated.
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