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JP2011201200A - Laser beam machining method of brittle material substrate - Google Patents

Laser beam machining method of brittle material substrate Download PDF

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JP2011201200A
JP2011201200A JP2010071800A JP2010071800A JP2011201200A JP 2011201200 A JP2011201200 A JP 2011201200A JP 2010071800 A JP2010071800 A JP 2010071800A JP 2010071800 A JP2010071800 A JP 2010071800A JP 2011201200 A JP2011201200 A JP 2011201200A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
laser
beam spot
scribe line
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP2010071800A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Yamamoto
山本  幸司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority to JP2010071800A priority Critical patent/JP2011201200A/en
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Pending legal-status Critical Current

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  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining method that, in parting a brittle material substrate, has a great latitude of a condition setting width as well as a wider processing window and that excels in end face quality.SOLUTION: The method includes: (a) a laser scribing process for forming a scribe line on a substrate, in which the substrate is locally heated by relatively moving, on the first face of the substrate, a first beam spot for a first laser irradiation along a planned parting line, and in which the substrate is locally cooled by jetting a cooling medium while relatively moving the cooling medium to a part where the first beam spot has just passed; and (b) a laser breaking process for completely parting the substrate, in which the substrate is heated by relatively moving a second beam spot for a second laser irradiation, along the scribe line, from the second face side opposite from the first face of the substrate, and in which the substrate is cooled by jetting the cooling medium while relatively moving the cooling medium to a part where the second beam spot has just passed.

Description

本発明は、レーザビームを走査してガラス、セラミック、半導体等の脆性材料基板を分断するレーザ加工方法に関し、さらに詳細には、予めレーザスクライブにより形成したスクライブラインに沿って、高品質な分断面で基板を分断するレーザ加工方法に関する。   The present invention relates to a laser processing method for cutting a brittle material substrate such as glass, ceramic, and semiconductor by scanning a laser beam, and more specifically, a high-quality divided section along a scribe line formed by laser scribing in advance. The present invention relates to a laser processing method for dividing a substrate by the above method.

ガラス基板に対し、レーザビームを走査しながら照射すると、レーザビームのビームスポットが通過して局所加熱された領域に、圧縮応力が生じる。そしてビームスポットが通過した直後の位置に冷媒を吹き付けて局所冷却することにより、冷却された領域(冷却スポット)に引張応力が生じる。このように、基板に圧縮応力が生じる領域と、引張応力が生じる領域とを接近させて形成することにより応力勾配が形成される。
この応力勾配を利用してガラス基板にクラックを形成することにより、基板表面にレーザスクライブ加工を行ったり(例えば特許文献1参照)、フルカット加工を行ったりする加工技術が利用されている(例えば特許文献2,3参照)。
When the glass substrate is irradiated while scanning with a laser beam, a compressive stress is generated in a region where the beam spot of the laser beam passes and is locally heated. And a refrigerant | coolant is sprayed to the position immediately after the beam spot passes, and a local stress is produced | generated in a cooled area | region (cooling spot). Thus, a stress gradient is formed by forming a region where compressive stress is generated on the substrate and a region where tensile stress is generated close to each other.
By using this stress gradient to form a crack in a glass substrate, a processing technique for performing laser scribing on the surface of the substrate (see, for example, Patent Document 1) or performing full cut processing is used (for example, (See Patent Documents 2 and 3).

ここで、レーザスクライブ加工とは、レーザ照射による局所加熱およびその直後の冷媒噴射による局所冷却を、基板上に設定した分断予定ラインに沿って相対移動しながら行うことにより、主に深さ方向の熱応力分布(基板表面側が引張応力で基板内部側が圧縮応力となる分布)を利用して基板を貫通しないクラックを進展させる加工をいう。レーザスクライブにより形成されたクラックは、クラックの深さ方向の先端(クラックの最深部分)が基板内に留まってスクライブラインを形成することになる。したがって、スクライブラインに沿って基板を完全に分断するには、レーザスクライブ後に、クラックを深さ方向に浸透させて裏面まで到達させるブレイク処理が別途に必要になる。   Here, the laser scribing process is mainly performed in the depth direction by performing local heating by laser irradiation and local cooling by refrigerant injection immediately after that while performing relative movement along a scheduled cutting line set on the substrate. This refers to a process of developing cracks that do not penetrate the substrate by using thermal stress distribution (distribution in which the substrate surface side is tensile stress and the substrate inner side is compressive stress). The crack formed by laser scribing forms a scribe line with the tip in the depth direction of the crack (the deepest part of the crack) remaining in the substrate. Therefore, in order to completely divide the substrate along the scribe line, after the laser scribe, a break process for allowing the cracks to penetrate in the depth direction and reaching the back surface is separately required.

なお、説明の便宜上、クラックの「進展」とは、クラックが基板の前方方向へ成長することをいう。また、クラックの「浸透」とは、クラックを基板の厚み方向(深さ方向)に深く形成していくことをいう。   For convenience of explanation, “progress” of a crack means that the crack grows in the forward direction of the substrate. Further, “penetration” of the crack means that the crack is formed deeply in the thickness direction (depth direction) of the substrate.

レーザスクライブ後のブレイク処理には、基板に形成されたスクライブラインに沿って機械的に応力を与えて分断するメカニカルブレイク、あるいは、レーザスクライブ後に再びスクライブラインに沿ってレーザ照射により熱的に応力を与えて分断するレーザブレイクのいずれかが行われる。   For the break treatment after laser scribing, mechanical breaks are performed by mechanically applying stress along the scribe line formed on the substrate, or after the laser scribe, thermal stress is applied again by laser irradiation along the scribe line. One of the laser breaks that is given and divided is performed.

一方、加工対象となる基板の板厚が薄くなると、基板上でレーザビームを走査したときに、基板の深さ方向での温度差が生じにくくなり、したがって深さ方向の応力分布差も小さくなり、ビームスポットが移動する前後方向の熱応力差が、基板の深さ方向の熱応力差に比べて大きく寄与するようになる。その結果、スクライブラインが形成されることなく、いきなり基板が完全分断されてしまうようになる。これをフルカット加工という。フルカット加工は、レーザ照射による応力勾配を利用して基板を分断するという点ではレーザスクライブ加工と同じであるが、主としてレーザビームの前後方向の応力差によりフルカット状態をなすクラックが進展することから、レーザスクライブ後のレーザブレイクとは異なるメカニズムによる分断である。   On the other hand, when the thickness of the substrate to be processed is reduced, a temperature difference in the depth direction of the substrate is less likely to occur when a laser beam is scanned on the substrate, and therefore the stress distribution difference in the depth direction is also reduced. The thermal stress difference in the front-rear direction in which the beam spot moves greatly contributes to the thermal stress difference in the depth direction of the substrate. As a result, the substrate is suddenly completely divided without forming a scribe line. This is called full cut processing. Full-cut processing is the same as laser scribing in that the substrate is divided using the stress gradient caused by laser irradiation, but cracks that form a full-cut state mainly develop due to the stress difference in the longitudinal direction of the laser beam. Therefore, it is the division | segmentation by a mechanism different from the laser break after a laser scribe.

一般に、フルカット加工によって形成される加工端面(分断面)は、クラックが進展する方向の制御が困難であるため、レーザスクライブ後のレーザブレイクにより形成された加工端面に比べると、直線性が良好ではなく、明らかに端面品質が劣る。   Generally, the processing end face (divided section) formed by full-cut processing is difficult to control the direction in which the crack propagates, and therefore has better linearity than the processing end face formed by laser break after laser scribing. Rather, the end face quality is clearly inferior.

よって、本明細書でいう「レーザブレイク」は、一旦、スクライブラインを形成した後に、スクライブラインに沿ってレーザ照射が行われて分断されるブレイク加工をいう。スクライブラインが形成されることなく、いきなり完全分断された状態になるフルカット加工は、本明細書でいう「レーザブレイク」には含まれないものとする。   Therefore, “laser break” as used in this specification refers to a break process in which a scribe line is once formed and then divided by laser irradiation along the scribe line. It is assumed that a full cut process that suddenly completely divides without forming a scribe line is not included in the “laser break” in this specification.

以下、フルカット加工を除外し、レーザスクライブ加工後に別工程でブレイク処理を行うことにより、基板を分断する加工方法について説明する。
レーザスクライブ加工の場合、既述のように、最終的に基板を分断するためには、形成されたスクライブラインに沿ってブレイク処理を行うことになる。このブレイク処理では、従来は、ブレイクバーで押圧したり、ブレイクローラを圧接転動したりすることによって基板を撓ませてブレイクするメカニカルブレイクが行われていた。メカニカルブレイクでは加工端面(分断面)に加わる負荷が大きく、せっかくレーザスクライブ加工により端面品質の高いスクライブラインを形成したとしても、ブレイクのときに端面にカケが生じる不具合が生じたり、チッピング(微小破片)が発生する不具合も生じたりしていた。
Hereinafter, a processing method for cutting a substrate by excluding full-cut processing and performing break processing in a separate process after laser scribing will be described.
In the case of laser scribe processing, as described above, in order to finally divide the substrate, a break process is performed along the formed scribe line. In this break process, conventionally, mechanical breaks have been performed in which a substrate is bent and broken by pressing with a break bar or by pressing and rolling a break roller. With mechanical breaks, the load applied to the machining end face (divided cross section) is large, and even if a scribe line with high end face quality is formed by laser scribing, defects such as chipping may occur on the end face during breaks, or chipping (small fragments) ) Occurred.

そこで、1回目のレーザ照射による局所加熱と直後の冷媒噴射による局所冷却とによるレーザスクライブ後に、形成されたスクライブラインに沿って2回目のレーザ照射を行うことでクラックを深く浸透させるレーザ加工が開示されている(例えば特許文献4参照)。これによれば、レーザ照射による第一ビームスポット、冷媒噴射による冷却スポット、レーザ照射による第二ビームスポットの順に走査し、第一、第二ビームスポットはいずれも冷却スポットに近接した端部においてのみ最大エネルギー強度となる特殊なエネルギー布を有するスポット形状で照射することにより、大きな応力勾配で深いクラックを形成できることが開示されている。   Therefore, after laser scribing by local heating by the first laser irradiation and local cooling by refrigerant injection immediately after that, laser processing that deeply penetrates the crack by performing the second laser irradiation along the formed scribe line is disclosed. (See, for example, Patent Document 4). According to this, it scans in order of the 1st beam spot by laser irradiation, the cooling spot by coolant injection, and the 2nd beam spot by laser irradiation, and both the 1st and 2nd beam spots are only in the edge part near the cooling spot. It is disclosed that a deep crack can be formed with a large stress gradient by irradiating with a spot shape having a special energy cloth having a maximum energy intensity.

また、1回目の楕円形状のレーザ照射による加熱と直後の冷媒噴射による冷却とによるレーザスクライブ後に、形成されたスクライブラインに沿って2回目のレーザ照射を行い、このときのビームスポット形状(エネルギー源の形状、配置)を最適化することにより基板を分断する方法(例えば特許文献5参照)が開示されている。これによれば、楕円形状のレーザビームの長軸、短軸の比を最適化し、ビームを非対称形状にして短軸については特殊なエネルギー分布にすることにより分断できることが開示されている。   In addition, after the laser scribing by the first elliptical laser irradiation and the cooling immediately after the refrigerant injection, the second laser irradiation is performed along the formed scribe line, and the beam spot shape at this time (energy source) A method of dividing a substrate by optimizing its shape and arrangement) (see, for example, Patent Document 5) is disclosed. According to this, it is disclosed that the elliptical laser beam can be divided by optimizing the ratio between the major axis and the minor axis, making the beam asymmetrical, and making the minor axis have a special energy distribution.

国際公開番号WO03/008352公報International Publication Number WO03 / 008352 特開2004−155159号公報JP 2004-155159 A 特開2001−170786号公報JP 2001-170786 A 国際公開番号WO03/013816公報International publication number WO03 / 013816 特開2003−117921号公報JP 2003-117721 A

特許文献4、特許文献5に記載された発明によれば、レーザスクライブ加工でスクライブラインを形成後に、当該スクライブラインに沿って2回目のレーザ照射を行うことにより、スクライブライン(クラック)を深く浸透させることができ、また、裏面に達するまで浸透させて完全分断することができる。しかも熱応力を利用した非接触による加工なので、加工端面(分断面)を優れた品質にすることができる。   According to the invention described in Patent Literature 4 and Patent Literature 5, after forming a scribe line by laser scribe processing, a second laser irradiation is performed along the scribe line to deeply penetrate the scribe line (crack). In addition, it can penetrate until it reaches the back surface and can be completely divided. And since it is the process by non-contact using a thermal stress, the process end surface (divided surface) can be made the quality excellent.

その一方で、ビームスポット形状が制限されたりするように、加工条件の設定幅(プロセスウィンドウ)の自由度が狭く、ビームスポット形状や冷却スポット形状が加工の成否に影響を及ぼすので、これらのパラメータを含む加工条件の最適化が困難である。
例えば、特許文献5には、1回目、2回目のレーザ照射における長軸長さや短軸長さの関係が適切な範囲にないと分断できないことが記載されている。さらには分断が行われない場合に過度なエネルギーを加えると表面が熱により焦げるスコーチング現象が発生することが開示されている。
On the other hand, as the beam spot shape is limited, the degree of freedom of the processing condition setting width (process window) is narrow, and the beam spot shape and cooling spot shape affect the success or failure of the processing. It is difficult to optimize the processing conditions including.
For example, Patent Document 5 describes that the long axis length and the short axis length in the first and second laser irradiations cannot be divided unless the relationship is within an appropriate range. Further, it is disclosed that when excessive energy is applied when the cutting is not performed, a scorching phenomenon in which the surface is burnt by heat occurs.

また、加工条件を最適化したとしても、基板の材質によっては加工の成否に影響する。具体的には、線膨張係数が大きい化学強化ソーダガラスでは、1回目に細長い楕円状のビームスポット形状のレーザ照射により加熱するとともに加熱直後に冷媒を噴射してスクライブラインを形成し、続いて、1回目と異なるビーム形状、すなわち幅広で短いビームスポット形状で2回目のレーザ照射(レーザブレイク)を行うことにより基板を分断することができる。
しかしながら、同じ加工条件であっても、線膨張係数の小さい無アルカリガラス(例えばコーニング社製ガラス 商品名:イーグル2000)については、上述した化学強化ソーダガラスのときと同じ加工条件で2回目のレーザ照射を実行しても分断できない。この場合、加熱量を増やして無理に分断しようとすると熱で基板が変質し、加熱量を減らすとスクライブラインは全く変化しない。
Even if the processing conditions are optimized, the success or failure of the processing is affected depending on the material of the substrate. Specifically, in chemically strengthened soda glass having a large linear expansion coefficient, the first sliver is heated by laser irradiation in the form of an elongated elliptical beam spot, and a scribe line is formed by jetting a refrigerant immediately after heating, By performing the second laser irradiation (laser break) with a beam shape different from the first time, that is, a wide and short beam spot shape, the substrate can be divided.
However, even under the same processing conditions, for a non-alkali glass having a small linear expansion coefficient (for example, Corning glass product name: Eagle 2000), the second laser is processed under the same processing conditions as the above-described chemically strengthened soda glass. Even if irradiation is performed, it cannot be divided. In this case, if the heating amount is increased and the substrate is forcibly divided, the substrate is altered by heat, and if the heating amount is reduced, the scribe line does not change at all.

そこで、本発明は、線膨張係数が小さい無アルカリガラスを分断する際にも、確実に分断することができ、しかも端面品質が優れたレーザ加工方法を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a laser processing method that can be surely divided even when alkali-free glass having a small linear expansion coefficient is divided, and that has excellent end face quality.

また、本発明はガラス等の脆性材料基板に対し、レーザスクライブ加工でスクライブラインを形成し、その後にレーザブレイク処理を実行して基板を分断する際に、条件設定幅の自由度が大きく、それゆえプロセスウィンドウが広くなり、しかも端面品質が優れたレーザ加工方法を提供することを目的とする。   In addition, the present invention has a large degree of freedom in the condition setting range when a scribe line is formed by laser scribing processing on a brittle material substrate such as glass and then the substrate is divided by executing laser break processing. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a laser processing method with a wide process window and excellent end face quality.

上記課題を解決するためになされた本発明のレーザ加工方法は、脆性材料基板に設定した分断予定ラインに沿ってレーザ照射を行うことにより、前記基板を分断する脆性材料基板のレーザ加工方法であって、(a)前記基板の第一面上で、第一回目のレーザ照射を行う第一ビームスポットを分断予定ラインに沿って相対移動させて前記基板を局所加熱するとともに、第一ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して局所冷却し、前記基板にスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程と、(b)第二回目のレーザ照射を行う第二ビームスポットを、前記スクライブラインに沿って前記基板の第一基板とは反対面となる第二面側から相対移動させて前記基板を加熱するとともに、第二ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して冷却し、前記基板を完全に分断するレーザブレイク工程とからなる。   The laser processing method of the present invention made to solve the above-mentioned problems is a laser processing method for a brittle material substrate in which the substrate is divided by performing laser irradiation along a planned cutting line set on the brittle material substrate. (A) On the first surface of the substrate, the first beam spot for performing the first laser irradiation is relatively moved along the line to be divided to locally heat the substrate, and the first beam spot is A laser scribing step for forming a scribe line on the substrate by spraying while locally moving the coolant while moving the coolant relative to the portion immediately after passing, and (b) a second beam spot for performing a second laser irradiation, While the substrate is heated by moving relatively from the second surface side opposite to the first substrate along the scribe line, the second beam spot passes through. It was cooled by spraying while relatively moving the refrigerant to the site immediately after, and a laser breaking process of completely dividing the substrate.

本発明によれば、レーザスクライブ加工により第一面にレーザスクライブによりスクライブラインを形成した後に、第一面から見て反対面となる第二面(裏面)側からスクライブラインに沿って第二ビームスポットを走査して局所加熱する。このとき第二面の表面近傍に加熱による圧縮応力が働き、その反力で第一面側には引張応力が加わり、スクライブライン(クラック)が深さ方向に浸透するようになる。ここまでの工程で、スクライブライン(クラック)が第二面まで到達して完全分断になることもあるが、スクライブライン(クラック)が第二面に到達しない場合もある。そのため続いて第二ビームスポットの直後に冷媒を噴射して局所冷却することで、第二面側の表面近傍に引張応力が働くようにする。このとき第一面側には圧縮応力が反力として働くようになるのでスクライブライン(クラック)の浸透を抑制されることも予想されたが、実際には予想に反してクラックの浸透が促進され、100%の確率で完全分断される実験結果が得られた。第二ビームスポットによる局所加熱によって既にスクライブラインを十分深く浸透できているので、第二面側の引張応力が有効に働き、第一面側に働く圧縮応力はあまり影響しなかったものと考えられる。   According to the present invention, after the scribe line is formed on the first surface by laser scribe processing by laser scribe processing, the second beam is formed along the scribe line from the second surface (back surface) side which is the opposite surface when viewed from the first surface. The spot is scanned and heated locally. At this time, compressive stress due to heating acts in the vicinity of the surface of the second surface, and tensile stress is applied to the first surface side by the reaction force, so that the scribe line (crack) penetrates in the depth direction. In the steps so far, the scribe line (crack) may reach the second surface to be completely divided, but the scribe line (crack) may not reach the second surface. Therefore, subsequently, a refrigerant is jetted immediately after the second beam spot to locally cool, so that a tensile stress acts near the surface on the second surface side. At this time, it was expected that the penetration of scribe lines (cracks) would be suppressed because the compressive stress acts as a reaction force on the first surface side, but in reality, the penetration of cracks was promoted contrary to expectations. The experimental results were obtained with 100% probability of complete fragmentation. Since the scribe line has already been penetrated sufficiently deep by local heating by the second beam spot, it is considered that the tensile stress on the second surface side worked effectively, and the compressive stress acting on the first surface side did not affect much. .

本発明によれば、第一面側でのレーザスクライブ加工によるスクライブライン形成後に、第二面側でのレーザ照射による局所加熱でスクライブラインを浸透させることができ、さらに、その直後の冷媒噴射による局所冷却を行うようにしたので、確実に基板を完全分断することができるようになる。   According to the present invention, after the scribe line is formed by laser scribe processing on the first surface side, the scribe line can be infiltrated by local heating by laser irradiation on the second surface side, and further, by the refrigerant injection immediately after that. Since the local cooling is performed, the substrate can be surely completely divided.

(その他の課題を解決する手段および効果)
上記発明において、レーザスクライブ工程における第一ビームスポットによる加熱と、レーザブレイク工程における第二ビームスポットによる加熱とが同一条件で行われるようにするのが好ましい。ここで、「同一条件」とは、レーザ照射の際のビームスポット形状、レーザ出力、レーザ走査速度の加工条件が同じであって、第一回目と第二回目とで加工条件を変化させないことをいう。
これによれば、第一回目と第二回目とで加工条件を変更する必要がなくなり、第二回目の加工条件の最適化が必要なくなる。また、連続して複数の基板を次々と加工する場合に、第一面の加工を行う基板と第二面の加工を行う基板とが入り混じっていても気にすることなく加工することができる。
(Means and effects for solving other problems)
In the above invention, it is preferable that the heating by the first beam spot in the laser scribing step and the heating by the second beam spot in the laser breaking step are performed under the same conditions. Here, “same conditions” means that the processing conditions of the beam spot shape, laser output, and laser scanning speed at the time of laser irradiation are the same, and the processing conditions are not changed between the first time and the second time. Say.
According to this, it is not necessary to change the machining conditions between the first time and the second time, and it is not necessary to optimize the second machining conditions. Further, when processing a plurality of substrates one after another, it is possible to process without concern even if the substrate for processing the first surface and the substrate for processing the second surface are mixed. .

上記発明において、レーザスクライブ工程の後に、前記基板を反転してレーザブレイク工程を行うようにしてもよい。
これによれば、1つのレーザ装置と1つの冷媒を噴射する機構とがあれば本発明方法による加工を実行することができる。
In the above invention, after the laser scribe process, the laser break process may be performed by inverting the substrate.
According to this, if there is one laser device and a mechanism for injecting one refrigerant, the processing according to the method of the present invention can be executed.

本発明の基板加工方法を実施する際に用いるレーザ加工装置の概略的な構成図である。It is a schematic block diagram of the laser processing apparatus used when enforcing the board | substrate processing method of this invention. 第一回目のレーザ照射によりスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程の加工動作手順を示す図である。It is a figure which shows the process operation procedure of the laser scribe process which forms a scribe line by the laser irradiation of the 1st time. 第二回目のレーザ照射によりレーザブレイク処理を行うレーザブレイク工程の加工動作手順を示す図である。It is a figure which shows the processing operation procedure of the laser break process which performs a laser break process by the 2nd laser irradiation. レーザスクライブ工程およびレーザブレイク工程における各工程での基板断面を示す図である。It is a figure which shows the board | substrate cross section in each process in a laser scribe process and a laser break process. レーザスクライブを表面、レーザブレイクを裏面から行ったときの無アルカリガラス基板の断面図である。It is sectional drawing of an alkali free glass substrate when laser scribe is performed from the front surface and laser break is performed from the back surface. レーザスクライブを表面、レーザブレイクも表面から行ったときの無アルカリガラス基板の断面図である。It is sectional drawing of an alkali free glass substrate when laser scribe is performed from the surface and laser break is also performed from the surface.

(レーザ加工装置)
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
最初に、本発明の加工方法を実施する際に用いるレーザ加工装置の一例について説明する。図1は本発明の加工方法を実施することができるレーザ加工装置LS1の概略構成図である。ここではガラス基板を加工する場合を例に説明する。対象となるガラス基板は特に限定されないが、レーザブレイクが困難であった無アルカリガラス基板であってもよい。具体的には、コーニング社製ガラス商品名:イーグル2000、#7059、#1737、HOYA社製NA35、日本電気硝子社製OA10等の無アルカリガラスを加工する場合に、本発明は特に有効になる。
(Laser processing equipment)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, an example of a laser processing apparatus used when carrying out the processing method of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus LS1 that can implement the processing method of the present invention. Here, a case where a glass substrate is processed will be described as an example. The target glass substrate is not particularly limited, but may be an alkali-free glass substrate in which laser break is difficult. Specifically, the present invention is particularly effective when processing non-alkali glass such as Corning's glass trade names: Eagle 2000, # 7059, # 1737, HOYA NA35, Nippon Electric Glass OA10, etc. .

まず、基板加工装置LS1の全体構成について説明する。水平な架台1上に平行に配置された一対のガイドレール3,4に沿って、図1の紙面前後方向(以下Y方向という)に往復移動するスライドテーブル2が設けられている。両ガイドレール3,4の間に、スクリューネジ5が前後方向に沿って配置され、このスクリューネジ5に、スライドテーブル2に固定されたステー6が螺合されており、スクリューネジ5をモーター(不図示)によって正、逆転することにより、スライドテーブル2がガイドレール3,4に沿ってY方向に往復移動するように形成されている。   First, the overall configuration of the substrate processing apparatus LS1 will be described. A slide table 2 is provided that reciprocates in the front-rear direction (hereinafter referred to as the Y direction) of FIG. 1 along a pair of guide rails 3 and 4 arranged in parallel on a horizontal base 1. A screw screw 5 is disposed between the guide rails 3 and 4 along the front-rear direction, and a stay 6 fixed to the slide table 2 is screwed to the screw screw 5. The slide table 2 is formed so as to reciprocate in the Y direction along the guide rails 3 and 4 by forward and reverse rotation (not shown).

スライドテーブル2上に、水平な台座7がガイドレール8に沿って、図1の左右方向(以下X方向という)に往復移動するように配置されている。台座7に固定されたステー10aに、モーター9によって回転するスクリューネジ10が貫通螺合されており、スクリューネジ10aが正、逆転することにより、台座7がガイドレール8に沿って、X方向に往復移動する。   A horizontal base 7 is arranged on the slide table 2 so as to reciprocate in the left-right direction (hereinafter referred to as X direction) in FIG. A screw screw 10 that is rotated by a motor 9 is threaded through a stay 10a fixed to the pedestal 7, and the pedestal 7 is moved along the guide rail 8 in the X direction by rotating the screw screw 10a forward and backward. Move back and forth.

台座7上には、回転機構11によって回転するテーブル12が設けられており、このテーブル12の上に、ガラス基板Aが水平な状態で取り付けられる。回転機構11は、テーブル12を、垂直な軸の周りで回転させるようになっており、基準位置に対して任意の回転角度になるように回転できるように形成されている。また、ガラス基板Aは、吸引チャックによってテーブル12に固定される。   A table 12 that is rotated by a rotation mechanism 11 is provided on the pedestal 7, and the glass substrate A is mounted on the table 12 in a horizontal state. The rotation mechanism 11 rotates the table 12 around a vertical axis, and is formed so as to be able to rotate at an arbitrary rotation angle with respect to the reference position. Further, the glass substrate A is fixed to the table 12 by a suction chuck.

テーブル12の上方には、レーザ装置13と光学ホルダ14とが取付フレーム15に保持されている。
レーザ装置13は、脆性材料基板の加工用として一般的なものを使用すればよく、具体的にはエキシマレーザ、YAGレーザ、炭酸ガスレーザ又は一酸化炭素レーザなどが使用される。ガラス基板Aの加工には、ガラス材料のエネルギー吸収効率が大きい波長の光を発振する炭酸ガスレーザを使用することが好ましい。
Above the table 12, the laser device 13 and the optical holder 14 are held by the mounting frame 15.
As the laser device 13, a general device for processing a brittle material substrate may be used. Specifically, an excimer laser, a YAG laser, a carbon dioxide gas laser, a carbon monoxide laser, or the like is used. For processing the glass substrate A, it is preferable to use a carbon dioxide gas laser that oscillates light having a wavelength with high energy absorption efficiency of the glass material.

レーザ装置13から出射されたレーザビームは、ビーム形状を調整するためのレンズ光学系が組み込まれた光学ホルダ14によって、予め設定した形状のビームスポットがガラス基板A上に照射される。ビームスポットの形状については、長軸を有する形状(楕円形状、長円形状など)が、分断予定ラインに沿って効率よく加熱できる点で優れているが、ラインに沿って局所加熱できる限りビームスポットの形状は特に限定されない。本実施形態では、楕円形状のビームスポットが形成されるようにしてある。   The laser beam emitted from the laser device 13 is irradiated on the glass substrate A with a beam spot having a preset shape by an optical holder 14 incorporating a lens optical system for adjusting the beam shape. As for the shape of the beam spot, a shape having a long axis (elliptical shape, oval shape, etc.) is excellent in that it can be efficiently heated along the line to be divided, but as long as local heating is possible along the line, the beam spot The shape of is not particularly limited. In the present embodiment, an elliptical beam spot is formed.

取付フレーム15には、光学ホルダ14に近接して、冷却ノズル16が設けられている。冷却ノズル16からは冷媒が噴射される。冷媒には、冷却水、圧縮空気、Heガス、炭酸ガス等を用いることができるが、本実施形態では水を含んだ圧縮空気を噴射するようにしてある。
冷却ノズル16から噴射される冷却媒体は、ビームスポットの左端から少し離れた位置に向けられ、ガラス基板Aの表面に冷却スポットを形成するようにしてある。
The mounting frame 15 is provided with a cooling nozzle 16 adjacent to the optical holder 14. A coolant is injected from the cooling nozzle 16. As the refrigerant, cooling water, compressed air, He gas, carbon dioxide gas, or the like can be used. In this embodiment, compressed air containing water is injected.
The cooling medium ejected from the cooling nozzle 16 is directed to a position slightly away from the left end of the beam spot so as to form a cooling spot on the surface of the glass substrate A.

また、取付フレーム15には、カッターホイール18が、昇降機構17を介して取り付けられている。このカッターホイール18は、ガラス基板Aに初期亀裂Trを形成するときに、ガラス基板Aの上方から一時的に下降するようにして用いられる。なお、カッターホイール18は必ずしも必要ではない。すなわち、基板Aの分断予定ラインの端に初期亀裂Trを、前工程で予め形成しておいてもよい。   A cutter wheel 18 is attached to the attachment frame 15 via an elevating mechanism 17. The cutter wheel 18 is used so as to temporarily descend from above the glass substrate A when the initial crack Tr is formed in the glass substrate A. The cutter wheel 18 is not always necessary. That is, the initial crack Tr may be formed in advance in the previous step at the end of the division line of the substrate A.

また、基板加工装置LS1には、予めガラス基板Aに刻印されている位置決め用のアライメントマークを検出することができるカメラ20が搭載されており、カメラ20により検出されたアライメントマークの位置から、基板A上に設定された分断予定ラインの位置とテーブル12との対応位置関係を求め、カッターホイール18の下降位置やレーザビームの照射位置がスクライブ予定ライン上にくるように、正確に位置決めできるようにしてある。   Further, the substrate processing apparatus LS1 is equipped with a camera 20 that can detect a positioning alignment mark preliminarily engraved on the glass substrate A. From the position of the alignment mark detected by the camera 20, the substrate is processed. A corresponding positional relationship between the position of the scheduled cutting line set on A and the table 12 is obtained so that the lowering position of the cutter wheel 18 and the irradiation position of the laser beam can be accurately positioned so that they are on the scheduled scribe line. It is.

(加工動作手順)
次に、上記基板加工装置LS1による加工動作手順について説明する。図2は第一回目のレーザ照射によりスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程の加工動作手順を示す図であり、図3は第二回目のレーザ照射によりレーザブレイク処理を行うレーザブレイク工程の加工動作手順を示す図である。なお、図2、図3では図1の要部のみを図示している。また、図4は図2、図3における各工程での基板断面を示す図である。
(Machining operation procedure)
Next, a processing operation procedure by the substrate processing apparatus LS1 will be described. FIG. 2 is a diagram showing a processing operation procedure of a laser scribing process for forming a scribe line by the first laser irradiation, and FIG. 3 is a processing operation procedure of a laser breaking process for performing a laser breaking process by the second laser irradiation. FIG. 2 and 3, only the main part of FIG. 1 is shown. FIG. 4 is a view showing a cross section of the substrate at each step in FIGS.

まず、図2(a)に示すように、ガラス基板Aがテーブル12の上に載置され、吸引チャックによって固定される。カメラ20(図1参照)によってガラス基板Aに刻印されてあるアライメントマークが検出され、その検出結果に基づいて位置調整を行い、分断予定ラインと、テーブル12、スライドテーブル2、台座7との位置が関係付けられる。そしてテーブル12およびスライドテーブル2を作動し、カッターホイール18の刃先方向が分断予定ラインの方向に並ぶように位置が調整される。図4(a)はこのときの基板断面である。第一面Fと第二面Rのいずれにも何も形成されていない。   First, as shown in FIG. 2A, the glass substrate A is placed on the table 12 and fixed by a suction chuck. The alignment mark engraved on the glass substrate A is detected by the camera 20 (see FIG. 1), the position is adjusted based on the detection result, and the position of the line to be divided, the table 12, the slide table 2, and the base 7 is adjusted. Are related. Then, the table 12 and the slide table 2 are operated, and the position is adjusted so that the cutting edge direction of the cutter wheel 18 is aligned with the direction of the line to be cut. FIG. 4A is a cross section of the substrate at this time. Nothing is formed on either the first surface F or the second surface R.

続いて、図2(b)に示すように、昇降機構17でカッターホイールを下降し、テーブル12を移動して、ガラス基板Aの初期亀裂Trを形成しようとする端面A1にカッターホイール18を当てて、初期亀裂Trを形成する(なお、予め基板Aに初期亀裂が形成されている場合は図2(b)の動作は省略できる)。   Subsequently, as shown in FIG. 2B, the cutter wheel is lowered by the elevating mechanism 17, the table 12 is moved, and the cutter wheel 18 is applied to the end surface A1 where the initial crack Tr of the glass substrate A is to be formed. Thus, the initial crack Tr is formed (in the case where the initial crack is previously formed in the substrate A, the operation of FIG. 2B can be omitted).

続いて、図2(c)に示すように、昇降機構17およびテーブル12を元の位置(図2(a)の位置)に戻し、レーザスクライブの準備のためにレーザ装置13を作動してレーザビームを照射する。また冷却ノズル16から冷媒を噴射する。このとき設定するレーザ出力P1やレーザ走査速度V1、ビームスポット形状、冷媒噴射量等の加熱条件、冷却条件は、基板に貫通クラックが発生しない(すなわちフルカットにならない)範囲内で設定する。これらの加工条件は予備実験で求めておく。   Subsequently, as shown in FIG. 2C, the elevating mechanism 17 and the table 12 are returned to their original positions (positions shown in FIG. 2A), and the laser device 13 is operated to prepare for laser scribing. Irradiate the beam. Further, the coolant is injected from the cooling nozzle 16. The heating conditions such as the laser output P1, the laser scanning speed V1, the beam spot shape, the coolant injection amount, and the cooling conditions set at this time are set within a range in which no through cracks are generated in the substrate (that is, a full cut is not generated). These processing conditions are obtained in preliminary experiments.

続いて、図2(d)に示すように、テーブル12を速度V1で移動し、基板A上に形成されるレーザ出力P1でのレーザビームの第一ビームスポット、および、冷却ノズル16からの冷媒による冷却スポットが、この順で分断予定ラインに沿って速度V1で走査されるようにする。このとき、基板上への走査順による時間差で、基板内に圧縮応力場、基板表面に引張応力場が発生し、この応力差によって基板表面から圧縮応力場に至るまでの深さのスクライブライン(クラックCr)が形成される。図4(b)はこのときの基板断面である。第一面F側にスクライブラインが形成されている。圧縮応力場はクラックの進行を抑制するのでクラック先端は圧縮応力場の上で停止する。   Subsequently, as shown in FIG. 2D, the table 12 is moved at the speed V 1, the first beam spot of the laser beam at the laser output P 1 formed on the substrate A, and the coolant from the cooling nozzle 16. The cooling spot is scanned at the speed V1 along the planned dividing line in this order. At this time, a compressive stress field is generated in the substrate and a tensile stress field is generated on the substrate surface due to the time difference depending on the scanning order on the substrate. Cracks Cr) are formed. FIG. 4B is a cross section of the substrate at this time. A scribe line is formed on the first surface F side. Since the compressive stress field suppresses the progress of cracks, the crack tip stops on the compressive stress field.

以上の動作により、基板Aの第一面Fには、クラックCrからなるスクライブラインが確実に形成される。(このときフルカット(貫通クラック)とならない範囲のレーザの加熱条件や冷媒による冷却条件を選択していることは言うまでもない)。   With the above operation, a scribe line made of the crack Cr is reliably formed on the first surface F of the substrate A. (Needless to say, the laser heating conditions and the cooling conditions by the refrigerant are selected so that full cuts (through cracks) do not occur at this time).

続いて、図3(a)に示すように、テーブル12を元の位置(図2(a)の位置)に戻す。そして基板Aを反転する。本実施形態では基板反転を手動で行うが、搬送用のロボットアームを設置して基板を自動反転させてもよい。図4(c)は反転後の基板断面を示している。
さらに、レーザブレイクの準備のために、レーザ装置13を作動してレーザビームを照射する。また冷却ノズル16から冷媒を噴射する。このとき設定するレーザ出力P1やレーザ走査速度V1、ビームスポット形状、冷媒噴射量等の加熱条件、冷却条件は、レーザスクライブの際に設定した加工条件(図2(c))と同一条件にする。なお、レーザ出力や走査速度、ビームスポット形状を変更してもよいが、本発明の加工方法ではプロセスウィンドウが十分に広いので、変更するまでもなく加工できることから、そのままの加工条件を用いる。
Subsequently, as shown in FIG. 3A, the table 12 is returned to the original position (position of FIG. 2A). Then, the substrate A is inverted. In this embodiment, the substrate is reversed manually, but a substrate may be automatically reversed by installing a transfer robot arm. FIG. 4C shows the cross section of the substrate after inversion.
Furthermore, in preparation for laser break, the laser device 13 is operated to irradiate a laser beam. Further, the coolant is injected from the cooling nozzle 16. The heating conditions and cooling conditions such as the laser output P1, laser scanning speed V1, beam spot shape, and refrigerant injection amount set at this time are the same as the processing conditions (FIG. 2C) set at the time of laser scribing. . The laser output, the scanning speed, and the beam spot shape may be changed. However, since the process window of the present invention is sufficiently wide and can be processed without being changed, the processing conditions are used as they are.

続いて、図3(b)に示すように、テーブル12を速度V1で移動し、レーザ出力P1で基板A上に形成される第二ビームスポット、および、冷却ノズル16からの冷媒による冷却スポットが、この順で分断予定ラインに沿って速度V1で走査されるようにする。
このとき、まず第二ビームスポットが照射されることにより、図4(d)に示すように第二面R側に圧縮応力が加わるが、同時に反力として第一面F側に引張応力が加わるようになり、これによりスクライブライン(クラックCr)が深く浸透するようになる。この段階で完全分断されてしまう場合もあるが、完全分断に至らない場合もある。後者の場合には続いて冷却スポットが通過すると、第二面Rの表面に引張応力が働くようになり、深く浸透したスクライブライン(クラックCr)の先端がさらに浸透するようになり、完全分断に至る(図4(e))。
Subsequently, as shown in FIG. 3B, the table 12 is moved at the speed V1, and the second beam spot formed on the substrate A with the laser output P1 and the cooling spot by the coolant from the cooling nozzle 16 are formed. In this order, scanning is performed at a speed V1 along the line to be divided.
At this time, first, the second beam spot is irradiated, so that compressive stress is applied to the second surface R side as shown in FIG. 4D, but simultaneously, tensile stress is applied to the first surface F side as a reaction force. As a result, the scribe line (crack Cr) penetrates deeply. There may be cases where complete division occurs at this stage, but there are cases where complete division does not occur. In the latter case, when the cooling spot subsequently passes, tensile stress acts on the surface of the second surface R, and the tip of the deeply penetrated scribe line (crack Cr) further penetrates, resulting in complete fragmentation. (FIG. 4E).

(実施例)
本発明の効果を検証するため、無アルカリガラスに対して、レーザスクライブ工程を表面に行い、続いてレーザブレイク工程を裏面から行う場合と表面から行う場合とを比較した。
使用した無アルカリガラスは、コーニング社製のイーグル2000であり、ガラスの板厚は0.7mmである。
(Example)
In order to verify the effect of the present invention, a case where a laser scribing process is performed on the surface of an alkali-free glass and then a laser breaking process is performed from the back surface is compared with a case where the laser breaking process is performed from the front surface.
The alkali-free glass used is Eagle 2000 manufactured by Corning, and the thickness of the glass is 0.7 mm.

図5は表面のレーザスクライブ工程後に、レーザブレイク工程を裏面側から行ったときの断面図である。
レーザ出力260W、走査速度40mm/秒の条件下でレーザスクライブを行い、215μmの亀裂が形成された。その後、続いてレーザ出力260W、走査速度40mm/秒の同一条件下で裏面からレーザブレイクを行うと、完全分断することができた。端面は非常にきれいであった。
FIG. 5 is a cross-sectional view when the laser breaking process is performed from the back side after the laser scribing process on the front surface.
Laser scribing was performed under the conditions of a laser output of 260 W and a scanning speed of 40 mm / sec, and a 215 μm crack was formed. Subsequently, when laser break was performed from the back surface under the same conditions of a laser output of 260 W and a scanning speed of 40 mm / sec, it was possible to completely divide. The end face was very clean.

図6は表面のレーザスクライブ工程後に、レーザブレイク工程を同じ表面側から行ったときの断面図である。
なお、図5と同じ照射条件でレーザスクライブ後に、図5と同じ照射条件で表面側からレーザブレイクを行っても亀裂は全く浸透せず分断することができなかったので、レーザスクライブで形成する亀裂を深くしておくためレーザ出力を高めるようにし、レーザスクライブによる亀裂が300μmになるようにした。そのようなレーザ出力条件下で、続いて表面からレーザブレイクを行ったが、亀裂はほとんど浸透せず、表面に過熱による変質部分が発生することとなった。
FIG. 6 is a cross-sectional view when the laser breaking step is performed from the same surface side after the surface laser scribing step.
Furthermore, after laser scribing under the same irradiation conditions as in FIG. 5, even if a laser break was performed from the surface side under the same irradiation conditions as in FIG. 5, cracks did not penetrate at all and could not be divided, so cracks formed by laser scribing In order to keep the depth deep, the laser output was increased so that the crack caused by laser scribing was 300 μm. Under such laser output conditions, laser break was subsequently performed from the surface. However, cracks hardly penetrated, and an altered portion was generated on the surface due to overheating.

すなわち、レーザスクライブを行った表面側と同じ側からレーザブレイクを行っても、亀裂を浸透させる効果はなく、しかも加える照射エネルギーが過大になると変質してしまう結果が得られた。
これに対し、レーザスクライブを行う表面とは反対の裏面からレーザブレイクを行った場合には、亀裂を浸透させる効果があり、過大な照射エネルギーを与えなくても亀裂を浸透させて分断できることがわかった。
That is, even when laser break was performed from the same side as the surface on which laser scribing was performed, there was no effect of infiltrating the cracks, and the result was that when the applied irradiation energy was excessive, it was altered.
On the other hand, when laser break is performed from the back side opposite to the surface on which laser scribing is performed, there is an effect of infiltrating the crack, and it is understood that the crack can penetrate and be divided without giving excessive irradiation energy. It was.

(変形実施形態)
上述した実施形態では、第一、第二ビームスポット、および、冷却スポットがいずれもテーブル12の片側から形成するようにし、基板を反転するようにしたが、テーブル12を分割し、分割された間隙部分の下からもビームスポットや冷却スポットを形成するようにすれば、基板を反転することなく、基板の上下方向からビームスポットや冷却スポットを形成することもできる。
(Modified embodiment)
In the embodiment described above, the first and second beam spots and the cooling spot are all formed from one side of the table 12 and the substrate is inverted. However, the table 12 is divided and the divided gaps are divided. If the beam spot and the cooling spot are formed also from below the part, the beam spot and the cooling spot can be formed from the vertical direction of the substrate without inverting the substrate.

上述した実施形態ではガラス基板を例に説明したが、レーザスクライブが可能な脆性材料基板であれば、セラミック、半導体等の他の脆性材料基板でも本発明を適用することができる。   Although the glass substrate has been described as an example in the above-described embodiment, the present invention can be applied to other brittle material substrates such as ceramics and semiconductors as long as they are brittle material substrates capable of laser scribing.

本発明は、ガラス基板等の脆性材料基板に対し、完全分断する加工に利用することができる。   The present invention can be used for processing of completely dividing a brittle material substrate such as a glass substrate.

12 テーブル
13 レーザ装置
16 冷却ノズル
18 カッターホイール
A ガラス基板(脆性材料基板)
Cr クラック
Tr 初期亀裂
12 Table 13 Laser device 16 Cooling nozzle 18 Cutter wheel A Glass substrate (brittle material substrate)
Cr crack Tr initial crack

Claims (3)

脆性材料基板に設定した分断予定ラインに沿ってレーザ照射を行うことにより前記基板を加工する脆性材料基板のレーザ加工方法であって、
(a)前記基板の第一面上で、第一回目のレーザ照射を行う第一ビームスポットを分断予定ラインに沿って相対移動させて前記基板を局所加熱するとともに、第一ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して局所冷却し、前記基板にスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程と、
(b)第二回目のレーザ照射を行う第二ビームスポットを、前記スクライブラインに沿って前記基板の第一基板とは反対面となる第二面側から相対移動させて前記基板を加熱するとともに、第二ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して冷却し、前記基板を完全に分断するレーザブレイク工程とからなる脆性材料基板のレーザ加工方法。
A laser processing method for a brittle material substrate, wherein the substrate is processed by irradiating a laser along a planned cutting line set on the brittle material substrate,
(A) On the first surface of the substrate, the first beam spot for performing the first laser irradiation is relatively moved along the planned dividing line to locally heat the substrate, and the first beam spot has passed. A laser scribing process for forming a scribe line on the substrate by spraying the coolant while relatively moving the coolant to the site immediately after the local cooling,
(B) A second beam spot for performing the second laser irradiation is relatively moved from the second surface side opposite to the first substrate along the scribe line to heat the substrate. A laser processing method for a brittle material substrate, comprising: a laser break process in which a coolant is sprayed and cooled while moving relative to a portion immediately after the second beam spot passes to completely divide the substrate.
レーザスクライブ工程における第一ビームスポットによる加熱と、レーザブレイク工程における第二ビームスポットによる加熱とが同一条件で行われる請求項1に記載のレーザ加工方法。   The laser processing method according to claim 1, wherein the heating by the first beam spot in the laser scribing step and the heating by the second beam spot in the laser breaking step are performed under the same conditions. レーザスクライブ工程の後に、前記基板を反転してレーザブレイク工程を行う請求項1〜請求項2のいずれかに記載のレーザ加工方法。   The laser processing method according to claim 1, wherein a laser break process is performed by inverting the substrate after the laser scribing process.
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